JP3260177B2

JP3260177B2 - 光磁気記録媒体の初期化方法

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Publication number: JP3260177B2
Application number: JP30559192A
Authority: JP
Inventors: 義幸難波; 基伸三原
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-11-16
Filing date: 1992-11-16
Publication date: 2002-02-25
Anticipated expiration: 2017-02-25
Also published as: JPH06162593A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体の初期化
方法に係り、特に初期化層を有する光磁気記録媒体の初
期化方法に関する。

【０００２】光磁気記録媒体、特に書き換え可能な光磁
気ディスクは、レーザ光を用いて媒体上にサブミクロン
オーダの記録マークが記録され、これを再生することに
より、これまでの記録媒体であるフロッピディスクやハ
ードディスクに比べ、格段に記録容量を増大させること
が可能であるため、近年、コンピュータの大容量外部記
録媒体として脚光をあびている。

【０００３】例えば、光磁気ディスクは直径3.5 インチ
のもので片面当たり約１２８ＭＢの記憶容量を持ってい
る。これに対し、直径3.5 インチのフロッピディスクは
片面当たりの記憶容量が約１ＭＢであるため、光磁気デ
ィスク１枚でフロッピディスク１２８枚分の記憶容量を
持つことができる。このように、光磁気ディスクは記録
密度の非常に高い可換記録媒体である。

【０００４】しかし、光磁気ディスクはハードディスク
と比較した場合、記憶容量及び可換性の面では有利であ
るが、データ転送速度についてみると例えば回転数３６
００rpm のハードディスクで約３ＭＢ／ｓであるのに対
し、光磁気ディスクでは回転数２４００〜３０００rpm
のもので約６４０ＫＢ／ｓである。これは光磁気ディス
クの場合、記録時にハードディスクで行なわれている記
録トラックに新たな記録情報を直接重ね書き記録するよ
うなオーバライトを行なわず、記録時には記録トラック
を一旦消去した後に新たな記録情報を記録する必要があ
り、少なくとも消去で１回転、記録に１回転、ベリファ
イに１回転夫々必要であるからであり、消去の分転送速
度が遅くなるからである。

【０００５】そこで、近年、光磁気ディスクに対してオ
ーバライトを行なう記録方法が盛んに開発されるように
なった。かかるオーバライトを行なえる光磁気記録媒体
として初期化層を有する光磁気記録媒体が知られている
（第１３回日本応用磁気学会学術講演会講演番号２３ａ
Ｃ−４）。この光磁気記録媒体では初期化層が破壊され
ても、再びオーバライトできることが必要とされる。

【０００６】

【従来の技術】オーバライトを行なう従来の記録方法に
は大別して磁界変調方式と光変調方式とがある。磁界変
調方式は単層膜の光磁気ディスクに対して磁気ヘッドを
用いてオーバライトを行なう記録方法で、光磁気ディス
クに連続的にレーザ光を照射しながら、記録情報に応じ
て磁気ヘッドによる光磁気ディスクへの印加磁界の極性
を反転する。従って、この磁界変調方式ではオーバライ
ト速度は磁気ヘッドの磁界反転時間で決定される。

【０００７】一方、光変調方式は多層膜の光磁気ディス
クに対してレーザ光の強度を変化させることにより、オ
ーバライトする。従って、この光変調方式ではオーバラ
イト速度はレーザ光の強度変化時間で決定され、一般に
は磁界変調方式に比べて高速記録が可能である等の利点
を有する。

【０００８】この光変調方式では例えば図７に示す如き
断面構造の光磁気記録媒体を用い得る。この記録媒体は
円盤状の透明基板１上に保護膜２，第１の磁性層３，第
２の磁性層４及び保護層５が順次積層された２層構造で
ある（保護層２，５は数えない）。保護層２及び５は夫
々Ｔｂ−ＳｉＯ₂よりなる。第１の磁性層３はＴｂＦｅ
Ｃｏよりなり、メモリ層として用いられる。第２の磁性
層４はＴｂＤｙＦｅＣｏよりなり、記録層として用いら
れる。

【０００９】この光磁気記録媒体の第１の磁性層３は第
２の磁性層４に比べてキュリー温度が低く、かつ、保磁
力が高く設定されている。初期化磁石の磁界は第１の磁
性層３の保磁力より小さく、第２の磁性層４の保磁力よ
り大きいため、初期化磁石により第２の磁性層４のみが
初期化磁界と同じ方向に磁化される。

【００１０】第１の磁性層３は交換結合力によって第２
の磁性層４の磁化と同じ向きに磁化の方向が揃えられる
が、レーザ光強度が大なるときは２つの磁性層３と４が
キュリー温度以上に加熱され、このとき初期化磁界と反
対方向のバイアス磁界により第２の磁性層４が磁化さ
れ、第１の磁性層３も第２の磁性層４と同じ方向に磁化
される（特開昭６２−１７５９４８号公報）。

【００１１】上記の２層構造の光磁気記録媒体を用いて
オーバライトが行なえるが、初期化磁界がバイアス磁界
よりかなり大なる強度を必要とし、初期化磁石が大型と
なる。そこで、この初期化磁石を不要としたものとして
図８に示す如き４層構造の磁気記録媒体が従来より知ら
れている。

【００１２】同図中、円盤状の透明基板１１上に保護層
１２を介して第１乃至第４の磁性層１３〜１６が順次積
層され、更に第４の磁性層１６上に保護膜１７が被覆さ
れている。第１の磁性層１３はＴｂＦｅＣｏよりなり、
情報が記録保持される。第２の磁性層１４はＴｂＤｙＦ
ｅＣｏよりなり、第１の磁性層１３の磁化の方向を決定
する。第３の磁性層１５はＴｂＦｅよりなり、他の磁性
層１３，１４，１６に比しキュリー温度が低く設定され
ている。更に第４の磁性層１６はＴｂＣｏよりなり、第
２の磁性層１４を初期化するための層で、最もキュリー
温度が高く設定されて前記初期化磁石の役割を果たす。

【００１３】この４層構造の光磁気記録媒体に対して光
変調方式でオーバライトを行なうときは、基板１１側か
らローパワーのレーザ光を照射することにより、第１の
磁性層１３を第２の磁性層１４の磁化方向と同じ方向に
磁化して“０”を記録し、またハイパワーのレーザ光を
照射することにより、第２の磁性層１４を一旦バイアス
磁界の方向に磁化して、その後交換結合力によって第１
の磁性層１３を第２の磁性層１４と同じ方向に磁化し、
“１”を記録する。

【００１４】初期化層である第４の磁性層１６は第３の
磁性層１５と共に予めバイアス磁界と反対方向に磁化さ
れており、記録終了時には記録情報に関係なく、第２の
磁性層１４と第３の磁性層１５は初期化層（第４の磁性
層１６）の磁化と同じ方向に磁化される。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】従って、上記の図８に
示した４層構造の光磁気記録媒体は、初期化層である第
４の磁性層１６が常に初期化方向に磁化されている必要
がある。しかるに、第４の磁性層１６は光磁気記録媒体
製造後に強い磁界中で所定方向に磁化されるだけであ
り、記録時に磁化の反転を起こさないように、外部磁界
より大なる保磁力を有するようになされているが、何ら
かの原因で第４の磁性層１６が破壊されることがある。
ところが、従来は初期化層（第４の磁性層１６）が破壊
されたか否か判定する手段はなく、そのため初期化層が
破壊されたときは、他の不良原因発生時と同様にオーバ
ライトができなかった。

【００１６】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
初期化層破壊時には初期化を行なうことにより、上記の
課題を解決した光磁気記録媒体の初期化方法を提供する
ことを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】図１は本発明方法の原理
説明用フローチャートで、本発明は第１の工程１０１
と、第２の工程１０２とを順次に実行することで実現さ
れる。ここで、第１の工程１０１は情報の記録、再生に
用いられるメモリ層と、常に一方向に磁化された初期化
層と、メモリ層と初期化層との間に形成され、メモリ層
への記録又は消去の補助を行う記録層とが少なくとも基
板上に形成された光磁気記録媒体に対して既知のデータ
を書き込んだ後、ベリファイを実行し、エラーレートが
第１の基準値以上のときは既知のデータを消去した後、
再び既知のデータを書き込む。

【００１８】第２の工程１０２は第１の工程１０１を経
た光磁気記録媒体に対してベリファイを実行し、エラー
レートが第２の基準値未満のとき、前記初期化層を一方
向に磁化する。

【００１９】

【作用】光磁気記録媒体に対して記録できない原因が初
期化層の破壊によるものであるときは、その他の不良原
因に比しエラーレートが小さく、不良の程度が軽微であ
るから、第２の工程１０２でベリファイ実行後エラーレ
ートが第２の基準値未満と判定されたときは不良原因が
初期化層の破壊によるものと判断できる。従って、この
ときは第２の工程１０２において、初期化層の磁化の方
向が本来の方向となるように、書き込みを行なう。これ
により、光磁気記録媒体の初期化層の初期化ができる。

【００２０】

【実施例】図２は本発明方法で用いる光磁気ディスク装
置の一例の構成図を示す。同図中、光磁気ディスク装置
２０は光磁気ディスク１０に対して光ヘッド２１により
情報を記録し、また既記録情報の再生、消去、ベリファ
イなどを行なう。光磁気ディスク１０は図８に示した従
来の４層構造の希土類−遷移金属非晶質フェリ磁性合金
を用いた光磁気記録媒体で、情報の記録、再生に用いら
れる第１の磁性層１３と、第１の磁性層１３への書き込
み、消去の補助を行なう第２の磁性層１４と、常に一方
向に磁化されている第４の磁性層１６，すなわち初期化
層と、第４の磁性層１６の磁化をその層のキュリー温度
以下で磁気的相互作用（交換結合力）によって第２の磁
性層１４へ伝える第３の磁性層１５とを少なくとも基板
１１上に有する。

【００２１】上記の光磁気ディスク１０は図２のスピン
ドルモータ２２により所定方向に回転される。この光磁
気ディスク１０の基板１１側に対して、光ヘッド２１よ
りレーザ光２３が照射され、かつ、その照射位置付近に
バイアス磁石２４によりバイアス磁界Ｈｂが前記保護膜
１７方向から印加される。この光磁気ディスク１０は初
期化層である第４の磁性層１６に初期化磁石の役割を持
たせているので、初期化磁石は不要である。

【００２２】ドライブコントローラ２５は光磁気ディス
ク装置２０全体の動作制御を司る制御装置で、上位装置
（通常はコンピュータ）と所定の外部インタフェース
（例えばＳＣＳＩインタフェース）を介して接続され
る。信号処理回路２６は記録時は所定の変調方式で変調
されたデータを生成し、また再生時は再生パルスを復調
する。光ヘッド制御回路２７は記録時は記録データを記
録パルスに変換し、再生時は光ヘッド２１よりの再生信
号に対してＡＧＣ（自動利得制御）や波形等化を行な
い、パルス化する。

【００２３】光ヘッド２１は光ヘッド制御回路２７より
の記録パルスで光強度が変調されたレーザ光２３を発生
して光磁気ディスク１０上に照射し、また再生時はレー
ザ光２３のレーザパワーを一定の値に制御して光磁気デ
ィスク１０上に照射すると共に、光磁気ディスク１０か
らの反射光を光学系を通して受光し、反射光の光量変化
又は反射偏光面の回転を検出して再生信号等を得る。

【００２４】また、バイアス磁石制御回路２８はバイア
ス磁石２４に駆動電流を供給してバイアス磁界を発生さ
せると共に、バイアス磁界の方向もドライブコントロー
ラ２５よりバス３０を介して入力される制御信号に応じ
て制御する。エラーレート判定回路２９は信号処理回路
２６よりバス３０を介して入力される再生パルスに基づ
きエラーレートを判定し、その判定結果をバス３０を介
してドライブコントローラ２５に通知する。

【００２５】図２に示した構成の大部分は公知である
が、本実施例はドライブコントローラ２５により、オー
バライトによる書き込みを行なった後で図３に示す後処
理のルーチンを実行する点に特徴を有する。すなわち、
図３に示すように、直前に行なったオーバライトによる
書き込みが正常であるか否かを確認するためのベリファ
イを行ない（ステップ４１）、エラーレート判定回路２
９によりそのときのエラーレートが第１の基準値より小
であるか否か判定をする（ステップ４２）。

【００２６】エラーレートが第１の基準値未満のときは
正常にオーバライトによる書き込みが行なわれたと判断
してこのルーチンを終了する。一方、エラーレートが第
１の基準値以上のときはデータ誤りが多いので、通常方
法での消去及び書き込みを順次に行なう（ステップ４
４）。これは、記録できない原因がオーバライトの動作
不良（初期化層の破壊）によるものか、それ以外の原因
（光磁気ディスク１０の汚れ等）によるものかの切り分
けを行なうための動作である。

【００２７】ここで、上記の通常方法での消去及び書き
込み動作について更に詳細に説明する。通常方法での消
去は図４（Ａ）に示す如く光磁気ディスク１０に対する
バイアス磁石２４によるバイアス磁界の方向を、バイア
ス磁石制御回路２８により書き込み時とは反対側（図４
（Ａ）では上向き）にし、かつ、光ヘッド２１からのレ
ーザ光２３の光強度を、第２の磁性層１４がそのキュリ
ー温度近傍にまで温度上昇するような大なる値（ハイパ
ワー）とする。

【００２８】これにより、図４（Ｂ）に模式的に示す如
く、第２の磁性層１４の磁化の方向がバイアス磁界の方
向に磁化される。このとき、第１及び第３の磁性層１３
及び１５はキュリー温度以上となるため、磁化を消失す
る。また、このとき、第４の磁性層（以下、初期化層と
いう）１６の磁化の方向は不明であるので、図４では破
線で示してある。

【００２９】ここで、各磁性層のキュリー温度は初期化
層１６が最も高く、以下、第２の磁性層１４，第１の磁
性層１３及び第３の磁性層１５の順で小とされている。
従って、図４（Ｂ）に示す如く磁化された上記のレーザ
光照射部分が、レーザ光が照射される位置から離れるに
従い、冷却によりその部分の温度が第１の磁性層１３の
キュリー温度、第３の磁性層１５のキュリー温度に順次
に低下していく。第１の磁性層１３のキュリー温度より
低下すると、図４（Ｃ）に模式的に示す如く交換結合力
によって第１の磁性層１３が第２の磁性層１４と同じ方
向に磁化される。

【００３０】更に温度が低下して第３の磁性層１５のキ
ュリー温度以下になると、第３の磁性層１５の磁化が発
生し、図４（Ｄ）に模式的に示す如く初期化層１６が交
換結合力により第３の磁性層１５を介して第２の磁性層
１４を初期化層１６の磁化方向と同じ方向に磁化する。

【００３１】続いて、この消去部分に対して通常の書き
込みが行なわれる。この場合は、図５（Ａ）に模式的に
示す如く、バイアス磁石２４によるバイアス磁界の方向
を、バイアス磁石制御回路２８により消去時とは反対方
向とし、かつ、光ヘッド２１からのレーザ光の光強度
を、第２の磁性層１４がそのキュリー温度近傍にまで温
度上昇するような値（前記ハイパワー）とする。これに
より、図５（Ｂ）に模式的に示す如く、第２の磁性層１
４がバイアス磁界の方向に磁化されると共に、キュリー
温度以上となる第１及び第３の磁性層１３及び１５の磁
化が消失する。

【００３２】このように磁化されたレーザ光照射部分が
レーザ光照射位置から離れるに従い温度が低下し、第１
の磁性層１３のキュリー温度より低下すると、図５
（Ｃ）に模式的に示す如く第２の磁性層１４の交換結合
力によって第１の磁性層１３が第２の磁性層１４と同じ
方向に磁化される。

【００３３】更に温度が低下して第３の磁性層１５のキ
ュリー温度以下になると、図５（Ｄ）に模式的に示す如
く初期化層１６の磁化が交換結合力によって第３の磁性
層１５を介して第２の磁性層１４を磁化する。このとき
第１の磁性層１３は磁化されない。第１の磁性層１３の
保持力等がそのように設定されているからである。

【００３４】このようにして、既知のデータの“１”が
第１の磁性層１３に書き込まれる。また、既知のデータ
の“０”はレーザ光をオフ又は再生時のレベルにするこ
とによって、第１の磁性層１３には図４（Ｄ）に示した
消去時の磁化の状態がそのまま残る。

【００３５】再び図３に戻って説明するに、上記の通常
方法での消去及び書き込み動作終了後、ベリファイを行
ない（ステップ４５）、そのときのエラーレートが第２
の基準値（これは前記第１の基準値と同じでもよいし、
異なる値でもよい）より小であるか否かエラーレート判
定回路２９で判定する（ステップ４６）。

【００３６】エラーレートが第２の基準値より小であ
り、正常に書き込みが行なわれた場合は、先のオーバラ
イトによる書き込み不良の原因は、初期化層１６の破壊
に基づくものである可能性が高いと考えられる。初期化
層１６は通常のレーザパワーでは磁化は反転しないよう
に設計してあるが、何らかの理由で初期化層１６の磁化
が反転することがあるからである。

【００３７】そこで、本実施例ではステップ４６でエラ
ーレートが第２の基準値より小であると判定されたとき
は、初期化層１６の初期化を行なう（ステップ４７）。
すなわち、ドライブコントローラ２５はスピンドルモー
タ２２の回転数を通常の記録、再生時より低下させて見
掛け上の感度を良くし、またバイアス磁石制御回路２８
を通してバイアス磁石２４のバイアス磁界の方向を書き
込み時とは反対の方向に制御し、更に光ヘッド２１の放
射レーザ光２３の光強度を前記ハイパワーとする。

【００３８】従って、この初期化時はレーザパワーとバ
イアス磁界の向きは前記した通常方法での消去時と同じ
であるが、光磁気ディスク１０の回転数が消去時よりも
低下されているため、レーザ光照射部分の温度は初期化
層１６のキュリー温度近傍にまで上昇される。これによ
り、第１乃至第３の磁性層１３〜１５はキュリー温度以
上となるため、磁化を消失し、初期化層１６のキュリー
温度より低下した時点で初期化層１６がバイアス磁界と
同じ本来の初期化方向に磁化される。

【００３９】続いて、レーザ光の照射位置を通過した光
磁気ディスク部分の温度が第２の磁性層１４のキュリー
温度以下に低下すると、前記バイアス磁界と同じ方向に
第２の磁性層１４が磁化される。以下、前記通常方法で
の消去時と同様にして、４つの磁性層１３〜１６はすべ
てバイアス磁界と同じ方向、すなわち書き込み時とは反
対方向に磁化される。

【００４０】上記の初期化が終了すると、続いてオーバ
ライトによる書き込みが行なわれる（ステップ４８）。
このオーバライトによる書き込みはバイアス磁石２４の
バイアス磁界の方向を初期化時や消去時とは反対方向と
し、かつ、光ヘッド２１の放射レーザ光２３の光強度
を、データが“１”のときはハイパワー、データが
“０”のときはローパワーに変調する。

【００４１】従って、データが“１”のときの書き込み
動作は前記図５に示した通常方法での書き込み時と同じ
であり、第１の磁性層１３は図６（Ｄ）にカッコ内の矢
印で示す如く、バイアス磁界と同方向に磁化される。

【００４２】一方、データが“０”のときは上記ハイパ
ワーより小であるが、前記した通常方法での書き込み時
のデータ“０”書き込み時のリードパワーより大なるロ
ーパワーのレーザ光が光磁気ディスクに図６（Ａ）に模
式的に示す如く照射される。これにより、レーザ光照射
部分の温度は第１の磁性層１３のキュリー温度近傍まで
上昇し、第３の磁性層１５の磁化が図６（Ｂ）に模式的
に示す如く消失した後、レーザ光照射位置を通過して温
度が低下すると図６（Ｃ）に模式的に示す如く、第２の
磁性層１４の交換結合力によって第１の磁性層１３が第
２の磁性層１４と同じ方向に磁化される。

【００４３】更に温度が下がり、第３の磁性層１５のキ
ュリー温度以下になると、初期化層１６の磁化が図６
（Ｄ）に模式的に示す如く、第３の磁性層１５及び第２
の磁性層１４に転写される。このようにして、第１の磁
性層１３には“０”のデータがバイアス磁界とは反対方
向の磁化として記録される。

【００４４】従って、オーバライト時にはバイアス磁界
を固定してレーザ光の光強度を変調して記録が行なわ
れ、データ記録終了時では図６（Ｄ）に示す如く、デー
タが“０”，“１”のいずれであっても磁性層１４，１
５及び初期化層１６はいずれも同じ方向に磁化されるた
め、何度でもオーバライトができる。

【００４５】再び図３に戻って説明するに、上記のオー
バライトによる書き込み終了後にベリファイが行なわれ
（ステップ４９）、そのときのエラーレートが第３の基
準値（これは前記第１及び第２の基準値と同一値でもよ
いし、異なる値でもよい）より小であるか否か判定され
る（ステップ５０）。エラーレートが第３の基準値より
小のときは、初期化層１６の初期化が正常に行なわれ、
また正常にオーバライトによる書き込みが行なわれたと
判断してこのルーチンを終了する（ステップ５１）。

【００４６】一方、エラーレートが第３の基準値以上の
ときは、ステップ４６でエラーレートが第２の基準値以
上であると判定されたときと同様に、書き込み不良原因
が初期化層１６の破壊以外の原因によるものと判断し
て、書き込み不良と判定されたセクタに代えて、別途設
けられている交換用セクタを使用する交換処理が行なわ
れ（ステップ５２）、処理を終了する（ステップ５
３）。

【００４７】このように、本実施例によれば、ステップ
４１〜４４で前記第１の工程１０１を実現し、ステップ
４５〜４７で前記第２の工程を実現することにより、初
期化層１６の破壊を補償して新たに初期化することがで
きるため、初期化層１６の破壊によるオーバライト動作
不良を防止することができる。

【００４８】なお、本発明は上記の実施例に限定される
ものではなく、初期化層１６のＴｂＣｏの組成に応じて
初期化時のバイアス磁界の向きが決定される。

【００４９】

【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、光磁気記
録媒体の初期化層を初期化するようにしたため、初期化
層の破壊によるオーバライトの動作不良を防止すること
ができ、光磁気記録媒体の信頼性向上に寄与するところ
大である等の特長を有するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理説明用フローチャートである。

【図２】本発明方法で用いる光磁気ディスク装置の一例
の構成図である。

【図３】本発明の一実施例の動作説明用フローチャート
である。

【図４】通常消去時の媒体磁化の説明図である。

【図５】通常書き込み時の媒体磁化の説明図である。

【図６】オーバライト時の原理説明図である。

【図７】光磁気記録媒体の一例の断面構造である。

【図８】光磁気記録媒体の他の例の断面構造である。

【符号の説明】

１０光磁気ディスク１１基板１３第１の磁性層１４第２の磁性層１５第３の磁性層１６第４の磁性層２０光磁気ディスク装置２１光ヘッド２４バイアス磁石２５ドライブコントローラ２８バイアス磁石制御回路２９エラーレート判定回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＧ１１Ｂ 7/0055 Ｇ１１Ｂ 7/0055 Ｚ (56)参考文献特開平３−156751（ＪＰ，Ａ) 特開平２−278546（ＪＰ，Ａ) 特開平２−192052（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】情報の記録、再生に用いられるメモリ層
と、常に一方向に磁化された初期化層と、該メモリ層と
該初期化層との間に形成され、該メモリ層への記録又は
消去の補助を行う記録層とが少なくとも基板上に形成さ
れた光磁気記録媒体に対して既知のデータを書き込んだ
後、ベリファイを実行し、エラーレートが第１の基準値
以上のときは該既知のデータを消去した後、再び既知の
データを書き込む第１の工程と、該第１の工程を経た前記光磁気記録媒体に対してベリフ
ァイを実行し、エラーレートが第２の基準値未満のと
き、前記初期化層を一方向に磁化する第２の工程とを含
むことを特徴とする光磁気記録媒体の初期化方法。
【請求項２】前記第２の工程は、記録、再生、消去の
ときよりも低い回転数で前記光磁気記録媒体を回転する
とともに、前記光磁気記録媒体に対して、バイアス磁界
を記録時と反対方向に印加しつつハイパワーのレーザ光
を照射することを特徴とする請求項１記載の光磁気記録
媒体の初期化方法。