JP3251323B2 - 電子回路デバイス - Google Patents
電子回路デバイスInfo
- Publication number
- JP3251323B2 JP3251323B2 JP11099992A JP11099992A JP3251323B2 JP 3251323 B2 JP3251323 B2 JP 3251323B2 JP 11099992 A JP11099992 A JP 11099992A JP 11099992 A JP11099992 A JP 11099992A JP 3251323 B2 JP3251323 B2 JP 3251323B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal plate
- circuit board
- printed circuit
- circuit device
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/142—Metallic substrates having insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10D89/00
- H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10D89/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子回路デバイス、特
に外部の素子の助けを必要とせずそれ自体である電子的
な機能を果すことができるモジュール化された電子回路
デバイスに関する。
に外部の素子の助けを必要とせずそれ自体である電子的
な機能を果すことができるモジュール化された電子回路
デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】絶縁材の片面または両面に、フォトリソ
グラフィ技術または金属被覆技術を用いて、電気的な接
続のための金属層の線や面を形成し、その面上に複数の
電子デバイスや素子などを配置してその端子をこれらの
金属線や面に半田付けする、いわゆるプリント回路基板
を使用する電子回路の構成は知られている。このプリン
ト回路基板には、回路に意図した機能を果させるため
に、その回路を電源や外部の装置に接続できるようにす
るための接続端子が設けられている。
グラフィ技術または金属被覆技術を用いて、電気的な接
続のための金属層の線や面を形成し、その面上に複数の
電子デバイスや素子などを配置してその端子をこれらの
金属線や面に半田付けする、いわゆるプリント回路基板
を使用する電子回路の構成は知られている。このプリン
ト回路基板には、回路に意図した機能を果させるため
に、その回路を電源や外部の装置に接続できるようにす
るための接続端子が設けられている。
【0003】この方式のモジュール化は、信号処理や電
気・電子装置の制御のために用いられている。特に後者
の制御のための用途では、能動素子や受動素子が動作中
に発生する熱を効率良く放熱できるような設計が必要と
される。
気・電子装置の制御のために用いられている。特に後者
の制御のための用途では、能動素子や受動素子が動作中
に発生する熱を効率良く放熱できるような設計が必要と
される。
【0004】また電子システムのさらにいっそうの小型
化への傾向のために、ますます高密度実装が可能なモジ
ュール構造が求められている。しかしながら、実装の密
度には、モジュールに組み込むデバイスや素子、および
デバイスや素子の動作により発生する熱を逃すためにデ
バイスや素子に結合しなければならないヒートシンクの
大きさからくる限界がある。この限界を乗り越えるため
に、より小さいデバイスや素子を使用することに加え
て、いわゆるマルチ−チップ構造が提案されている。こ
のマルチ−チップ構造は、電子回路の能動要素(基本的
には別々の半導体チップ上に形成された集積回路やパワ
−トランジスタなど)を、支持およびヒ−トシンクの働
きを兼ね,さらにより大きな外部のヒ−トシンクに結合
可能な薄い金属板と、薄いシ−ト状の金属から打抜等に
より形成された,チップの相互接続および外部との接続
のための金属導線とを、パッケ−ジ内に組み込むもので
ある。この方式の構造が、例えば、本出願人に認められ
た米国特許No.4,324,296に開示されている。
化への傾向のために、ますます高密度実装が可能なモジ
ュール構造が求められている。しかしながら、実装の密
度には、モジュールに組み込むデバイスや素子、および
デバイスや素子の動作により発生する熱を逃すためにデ
バイスや素子に結合しなければならないヒートシンクの
大きさからくる限界がある。この限界を乗り越えるため
に、より小さいデバイスや素子を使用することに加え
て、いわゆるマルチ−チップ構造が提案されている。こ
のマルチ−チップ構造は、電子回路の能動要素(基本的
には別々の半導体チップ上に形成された集積回路やパワ
−トランジスタなど)を、支持およびヒ−トシンクの働
きを兼ね,さらにより大きな外部のヒ−トシンクに結合
可能な薄い金属板と、薄いシ−ト状の金属から打抜等に
より形成された,チップの相互接続および外部との接続
のための金属導線とを、パッケ−ジ内に組み込むもので
ある。この方式の構造が、例えば、本出願人に認められ
た米国特許No.4,324,296に開示されている。
【0005】このような構造は、半導体チップ間の接続
がそれほどこみいっていない場合にだけ有利である。な
ぜなら、半導体チップ間の接続は、通常、各チップに特
に形成された,金属で被覆されたパッド(台状の端子)
に細い導線を半田付けすることにより行なわれるので、
互いに触接することが許されないからである。したがっ
てこの方式は、接続を行なうためのかなりの複雑さが製
造工程において受け入れられるようにならないかぎり、
互いに接続される多数のデバイスや素子を含む回路に応
用することが困難である。
がそれほどこみいっていない場合にだけ有利である。な
ぜなら、半導体チップ間の接続は、通常、各チップに特
に形成された,金属で被覆されたパッド(台状の端子)
に細い導線を半田付けすることにより行なわれるので、
互いに触接することが許されないからである。したがっ
てこの方式は、接続を行なうためのかなりの複雑さが製
造工程において受け入れられるようにならないかぎり、
互いに接続される多数のデバイスや素子を含む回路に応
用することが困難である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、実装
密度が非常に高く、放熱率が大きく、多数の能動および
受動のデバイスおよび回路素子を組み込むことができる
モジュール化された回路デバイス、特に消費電力の大き
い電子回路に適するモジュール化された回路デバイスを
提供することである。
密度が非常に高く、放熱率が大きく、多数の能動および
受動のデバイスおよび回路素子を組み込むことができる
モジュール化された回路デバイス、特に消費電力の大き
い電子回路に適するモジュール化された回路デバイスを
提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、支持およ
びヒートシンクの役目を果す薄い金属板と、接続用の導
線を接続するための端子として金属で被覆されたパッド
を備えた半導体のチップ状態の複数の電子デバイスと、
前記電子デバイスのパッドに接続された導電線および外
部の電気回路と接続するための外部接続端子を含む電気
的な接続のための手段と、前記金属板、半導体のチップ
および電気的な接続のための手段を、金属板の1面の少
なくとも一部分と外部接続端子を露出させて封止するプ
ラスチックの封止材とを含む、モジュール化された回路
デバイスであって、前記金属板に接合されたプリント回
路基板を含み、該プリント回路基板上に形成された回路
は、外部接続端子を含む前記接続手段の少なくとも1部
を構成すること、および半導体チップの少なくとも1つ
は、金属板に直接固着され、金属板からプリント回路基
板に設けた穴内に突出していることを特徴とする本発明
のモジュール化された回路デバイスにより達成される。
びヒートシンクの役目を果す薄い金属板と、接続用の導
線を接続するための端子として金属で被覆されたパッド
を備えた半導体のチップ状態の複数の電子デバイスと、
前記電子デバイスのパッドに接続された導電線および外
部の電気回路と接続するための外部接続端子を含む電気
的な接続のための手段と、前記金属板、半導体のチップ
および電気的な接続のための手段を、金属板の1面の少
なくとも一部分と外部接続端子を露出させて封止するプ
ラスチックの封止材とを含む、モジュール化された回路
デバイスであって、前記金属板に接合されたプリント回
路基板を含み、該プリント回路基板上に形成された回路
は、外部接続端子を含む前記接続手段の少なくとも1部
を構成すること、および半導体チップの少なくとも1つ
は、金属板に直接固着され、金属板からプリント回路基
板に設けた穴内に突出していることを特徴とする本発明
のモジュール化された回路デバイスにより達成される。
【0008】本発明は、図面を参照した本発明の実施例
の詳細な説明により、より良く理解されるであろう。た
だしここに記載した実施例はあくまで本発明の説明のた
めのものであり、本発明の範囲を限定するものではな
い。
の詳細な説明により、より良く理解されるであろう。た
だしここに記載した実施例はあくまで本発明の説明のた
めのものであり、本発明の範囲を限定するものではな
い。
【0009】
【実施例】図面において、参照符号1は、銅のような金
属の薄板で、支持および放熱の役目を果す。参照符号3
は、熱硬化性のエポキシ樹脂のようなプラスチックの封
止材であって、板1に固着されている。参照符号5は、
回路を電気的に外部の電子回路などに接続するための接
続端子である。
属の薄板で、支持および放熱の役目を果す。参照符号3
は、熱硬化性のエポキシ樹脂のようなプラスチックの封
止材であって、板1に固着されている。参照符号5は、
回路を電気的に外部の電子回路などに接続するための接
続端子である。
【0010】金属板1には、この回路デバイスを大きな
ヒートシンクに取り付けるための2つの穴7が設けられ
ている。
ヒートシンクに取り付けるための2つの穴7が設けられ
ている。
【0011】プラスチックの封止材3には、例えば、G
RP(ガラス繊維強化プラスチック)の一層の絶縁層を
有するプリント回路基板9が封止されている。プリント
回路基板9の各表面には、金属の細い導通路11および
面13が形成されている。これらの導通路11および面
13は、選ばれた場所で、壁面が金属で被覆された貫通
穴15を通して、反対側の導通路11または面13と電
気的に接続されている。
RP(ガラス繊維強化プラスチック)の一層の絶縁層を
有するプリント回路基板9が封止されている。プリント
回路基板9の各表面には、金属の細い導通路11および
面13が形成されている。これらの導通路11および面
13は、選ばれた場所で、壁面が金属で被覆された貫通
穴15を通して、反対側の導通路11または面13と電
気的に接続されている。
【0012】必要な場合には、基板9は、その表面に金
属の導通路および面が形成された2またはそれ以上の積
層された絶縁層を含んでもよい。
属の導通路および面が形成された2またはそれ以上の積
層された絶縁層を含んでもよい。
【0013】外部との接続端子5は、基板9に形成され
た凸部で、その表面の全体が金属で覆われている。図示
の例では、これらの外部接続端子5は、幾つかの産業上
の用途において広く使用されている型式の標準規格の差
込みコネクタに装着できるような形と大きさに形成され
ている。
た凸部で、その表面の全体が金属で覆われている。図示
の例では、これらの外部接続端子5は、幾つかの産業上
の用途において広く使用されている型式の標準規格の差
込みコネクタに装着できるような形と大きさに形成され
ている。
【0014】プリント回路基板9には、2つの比較的大
きな穴17が設けられている。そして基板9は、基板9
の穴17と一致する位置に穴21が形成された電気絶縁
材の薄板19を間に入れて、金属薄板1と積層されてい
る。金属板1には、半田付けまたはその他の方法によ
り、2つの半導体デバイスのチップ23、例えば2つの
集積化された電源回路、が取り付けられている。これら
のチップは、穴17および21と一致するように位置決
めされている。それによりこれらのチップは、金属板1
から穴17および21内に突出し、上面がプリント回路
基板9の上面とほぼ同じ高さになる。金属板1には、集
積化された電源回路およびパワ−トランジスタのような
比較的消費電力が大きい半導体デバイスや素子を取り付
ける。
きな穴17が設けられている。そして基板9は、基板9
の穴17と一致する位置に穴21が形成された電気絶縁
材の薄板19を間に入れて、金属薄板1と積層されてい
る。金属板1には、半田付けまたはその他の方法によ
り、2つの半導体デバイスのチップ23、例えば2つの
集積化された電源回路、が取り付けられている。これら
のチップは、穴17および21と一致するように位置決
めされている。それによりこれらのチップは、金属板1
から穴17および21内に突出し、上面がプリント回路
基板9の上面とほぼ同じ高さになる。金属板1には、集
積化された電源回路およびパワ−トランジスタのような
比較的消費電力が大きい半導体デバイスや素子を取り付
ける。
【0015】基板9上の金属面13には、信号処理IC
などの他の半導体デバイスのチップ25が半田付けされ
ている。基板9には、比較的消費電流の小さい半導体デ
バイスや素子を取り付ける。
などの他の半導体デバイスのチップ25が半田付けされ
ている。基板9には、比較的消費電流の小さい半導体デ
バイスや素子を取り付ける。
【0016】集積回路23および25の金属で被覆され
たパッドと基板9上の導通路11や面13とは、例えば
金またはアルミニウムの細い線27の端部を半田付けす
ることにより接続されている。
たパッドと基板9上の導通路11や面13とは、例えば
金またはアルミニウムの細い線27の端部を半田付けす
ることにより接続されている。
【0017】さらに、図面を見やすくするために図示さ
れていないが、抵抗やコンデンサなどの付加的な回路構
成要素が、基板9に端子を半田付けして取り付けられて
いる。
れていないが、抵抗やコンデンサなどの付加的な回路構
成要素が、基板9に端子を半田付けして取り付けられて
いる。
【0018】上記したモジュール構造を構成する各部品
を組み立てる方法は、大まかにいって、集積化された電
源回路23を金属薄板1に半田付けする工程;金属板
1,絶縁層19,プリント回路基板9を接合する工程
(この目的のために、あらかじめ前記絶縁層の両面に接
着材を塗布してもよい)と;集積回路25を基板9上の
対応する金属面13に半田付けする工程と;端子や付加
的な素子を基板9上の所定の金属面13に半田付けする
工程と;相互接続導電線27を半田付けする工程と;お
よび液状のエポキシ樹脂を適宜な型に注入して硬化させ
ることによってプラスチック体3を形成する工程とを含
む。
を組み立てる方法は、大まかにいって、集積化された電
源回路23を金属薄板1に半田付けする工程;金属板
1,絶縁層19,プリント回路基板9を接合する工程
(この目的のために、あらかじめ前記絶縁層の両面に接
着材を塗布してもよい)と;集積回路25を基板9上の
対応する金属面13に半田付けする工程と;端子や付加
的な素子を基板9上の所定の金属面13に半田付けする
工程と;相互接続導電線27を半田付けする工程と;お
よび液状のエポキシ樹脂を適宜な型に注入して硬化させ
ることによってプラスチック体3を形成する工程とを含
む。
【0019】図5に示すような本発明の変形実施例で
は、プリント回路基板と金属板の間の絶縁は、プリント
回路基板9’を支柱(図には2つ示されている)29に
より、図面において参照符号1’で示す薄い金属板から
離間せしめて支持することにより行われている。支柱2
9には、基部の径が拡大されていて基板9’を載置する
支持面が形成されている。また支柱の先端部は、基板
9’を載置した後基板9’を保持するために、先端を叩
いて拡径される。基板9’の支柱29に対応する位置に
は、支柱を通すための穴が開けられている。モールド工
程において、液状のエポキシが基板9’と金属板1’の
間隙に流れ込み、構造に安定性と強度を付与する絶縁層
を形成する。
は、プリント回路基板と金属板の間の絶縁は、プリント
回路基板9’を支柱(図には2つ示されている)29に
より、図面において参照符号1’で示す薄い金属板から
離間せしめて支持することにより行われている。支柱2
9には、基部の径が拡大されていて基板9’を載置する
支持面が形成されている。また支柱の先端部は、基板
9’を載置した後基板9’を保持するために、先端を叩
いて拡径される。基板9’の支柱29に対応する位置に
は、支柱を通すための穴が開けられている。モールド工
程において、液状のエポキシが基板9’と金属板1’の
間隙に流れ込み、構造に安定性と強度を付与する絶縁層
を形成する。
【0020】上術の説明では、本発明の1つの実施例と
その1変形例について説明したが、本発明の根底をなす
技術思想の範囲内で多様な変形が可能であることは理解
されるであろう。
その1変形例について説明したが、本発明の根底をなす
技術思想の範囲内で多様な変形が可能であることは理解
されるであろう。
【0021】例えば、回路基板の外側面でなく内側面の
金属面および導通路に、能動および受動デバイスや素子
を取り付けることもできる。またデバイスや素子は、回
路基板上に取り付けてもよいし、回路基板に設けた穴内
に支持して,回路基板上に形成した金属の線や面に,前
記した方法以外の方法で電気的に接続することもでき
る。さらに別の変形例として、半導体チップを半田付け
でなく接着剤で取り付けることもできる。また1つの独
立した構成要素としての絶縁層21を省き、その代わり
にプリント回路基板9の仕上げ層として絶縁層を形成す
ることができる。
金属面および導通路に、能動および受動デバイスや素子
を取り付けることもできる。またデバイスや素子は、回
路基板上に取り付けてもよいし、回路基板に設けた穴内
に支持して,回路基板上に形成した金属の線や面に,前
記した方法以外の方法で電気的に接続することもでき
る。さらに別の変形例として、半導体チップを半田付け
でなく接着剤で取り付けることもできる。また1つの独
立した構成要素としての絶縁層21を省き、その代わり
にプリント回路基板9の仕上げ層として絶縁層を形成す
ることができる。
【0022】最後に、さらに別の変形例として、プリン
ト回路基板9に、仕上げ層として、金属層を形成するこ
ともできる。このようにすると、金属の薄板1に接着剤
で接合する代わりに、半田付けすることもできる。
ト回路基板9に、仕上げ層として、金属層を形成するこ
ともできる。このようにすると、金属の薄板1に接着剤
で接合する代わりに、半田付けすることもできる。
【0023】
【発明の効果】このように本発明の回路構成は、完成品
すなわちパッケージに封入された嵩の大きい能動デバイ
スを使用しないので、非常に高密度の実装ができる。ま
た集積化された電源回路のように消費電力の大きいデバ
イスのチップは、ヒートシンクの働きをする金属板に直
接取り付けることができ、さらにこの金属板をより大き
なヒートシンクに取り付けることがことができるので、
放熱に関しても非常に効率が高い。その他のデバイスや
素子はプリント回路基板上に取り付け、プリント配線に
より電気的な接続を行なうので、多数のデバイスや素子
を問題なく使用することができる。
すなわちパッケージに封入された嵩の大きい能動デバイ
スを使用しないので、非常に高密度の実装ができる。ま
た集積化された電源回路のように消費電力の大きいデバ
イスのチップは、ヒートシンクの働きをする金属板に直
接取り付けることができ、さらにこの金属板をより大き
なヒートシンクに取り付けることがことができるので、
放熱に関しても非常に効率が高い。その他のデバイスや
素子はプリント回路基板上に取り付け、プリント配線に
より電気的な接続を行なうので、多数のデバイスや素子
を問題なく使用することができる。
【0024】さらに内部の接続のための配線の長さが非
常に短いことにより、配線を流れる電流のために発生す
るジュール発熱による損失 −接続線が長い従来の構成
においてはかなり大きい− が大幅に減少することにも
留意されたい。このことは、従来技術に比べて非常に良
好なエネルギーの消費,放出バランスに現われる。
常に短いことにより、配線を流れる電流のために発生す
るジュール発熱による損失 −接続線が長い従来の構成
においてはかなり大きい− が大幅に減少することにも
留意されたい。このことは、従来技術に比べて非常に良
好なエネルギーの消費,放出バランスに現われる。
【図1】本発明のモジュール化された回路デバイスの1
実施例の外観図である。
実施例の外観図である。
【図2】図1のII−II線に沿った断面図で、主要構成要
素が分解して示されている。
素が分解して示されている。
【図3】図1に示す回路デバイスの上平面図である。
【図4】図1に示す回路デバイスに組み込まれるプリン
ト回路基板の上平面図である。
ト回路基板の上平面図である。
【図5】本発明のモジュール化された回路デバイスの変
形実施例の断面図である。
形実施例の断面図である。
【符号の説明】 1 金属薄板 3 モールド樹脂 5 接続端子 7 取付け穴 9 プリント回路基板 15 回路の接続穴 17 穴 19 絶縁材 21 穴 23 半導体のチップ 25 半導体のチップ 27 導電線
フロントページの続き (72)発明者 パオロ カザティ イタリア国 20099 ミラノ セスト サン ジョヴァンニ ヴィア マッツィ ーニ 50 (56)参考文献 特開 平2−7455(JP,A) 特開 昭50−61658(JP,A) 特開 平4−164384(JP,A) 特開 昭54−86276(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 25/07 H01L 25/18
Claims (4)
- 【請求項1】 支持およびヒートシンクの役目を果す1
枚の薄い金属板(1)と、 接続用の導線を接続するための端子として金属で被覆さ
れたパッドを備えた半導体のチップ(23,25)状態
の複数の電子デバイスと、 前記電子デバイスのパッドに接続された導電線(27)
および外部の電気回路と接続するための外部接続端子
(5)を含む電気的な接続のための手段と、 前記金属板(1)、半導体のチップ(23,25)およ
び電気的な接続のための手段を、金属板(1)の1面の
少なくとも一部分と外部接続端子(5)を露出させて封
止するプラスチックの封止材とを含む、モジュール化さ
れた回路デバイスであって、 前記金属板(1)に接合されたプリント回路基板(9)
を含み、該プリント回路基板上に形成された回路は、外
部接続端子(5)を含む前記接続手段の少なくとも1部
を構成すること、および半導体チップ(23,25)の
少なくとも1つ(23)は、金属板(1)に直接固着さ
れ、金属板(1)からプリント回路基板(9)に設けた
穴(17)内に突出していることを特徴とする電子回路
デバイス。 - 【請求項2】 前記複数の電子デバイスの少なくとも1
つ(25)が、前記プリント回路基板(9)に取り付け
られた半導体チップからなることを特徴とする請求項1
に記載の電子回路デバイス。 - 【請求項3】 前記プリント回路基板(9)が、接着剤
の層(19)を介して前記金属板(1)に固着されてい
ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電
子回路デバイス。 - 【請求項4】 前記プリント回路基板(9’)は、リベ
ット(29)を介して前記金属板(1’)に固着されて
おり、リベット(29)は基板(9’)と金属板
(1’)の間に間隙を設けるスペーサとして形成されて
いること、かつ、前記封止材(3)が該スペーサによっ
て基板(9’)と金属板(1’)の間に形成された間隙
内に延びていることを特徴とする請求項1または請求項
2に記載の電子回路デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT91A001180 | 1991-04-30 | ||
ITMI911180A IT1247304B (it) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | Complesso circuitale di potenza a struttura modulare ad elevata compattezza e ad alta efficienza di dissipazione termica |
US08/142,723 US5353194A (en) | 1991-04-30 | 1993-10-24 | Modular power circuit assembly |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05121644A JPH05121644A (ja) | 1993-05-18 |
JP3251323B2 true JP3251323B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=26330712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11099992A Expired - Fee Related JP3251323B2 (ja) | 1991-04-30 | 1992-04-30 | 電子回路デバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5353194A (ja) |
EP (1) | EP0511578B1 (ja) |
JP (1) | JP3251323B2 (ja) |
IT (1) | IT1247304B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5786745A (en) * | 1996-02-06 | 1998-07-28 | Motorola, Inc. | Electronic package and method |
US5774342A (en) * | 1996-09-26 | 1998-06-30 | Delco Electronics Corporation | Electronic circuit with integrated terminal pins |
US5920123A (en) * | 1997-01-24 | 1999-07-06 | Micron Technology, Inc. | Multichip module assembly having via contacts and method of making the same |
US6061251A (en) * | 1997-09-08 | 2000-05-09 | Hewlett-Packard Company | Lead-frame based vertical interconnect package |
US6147869A (en) * | 1997-11-24 | 2000-11-14 | International Rectifier Corp. | Adaptable planar module |
TW451535B (en) * | 1998-09-04 | 2001-08-21 | Sony Corp | Semiconductor device and package, and fabrication method thereof |
US6088228A (en) * | 1998-12-16 | 2000-07-11 | 3M Innovative Properties Company | Protective enclosure for a multi-chip module |
DE10129788B4 (de) * | 2001-06-20 | 2005-11-10 | Siemens Ag | Kunststoffrahmen zur Montage eines elektronischen Starkstrom-Steuergeräts |
US6587346B1 (en) | 2002-01-31 | 2003-07-01 | Visteon Global Technologies, Inc. | Combination electrical power distribution and heat dissipating device |
JP4585828B2 (ja) * | 2004-10-06 | 2010-11-24 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 制御装置およびその製造方法 |
DE102007051870A1 (de) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Robert Bosch Gmbh | Modulgehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Modulgehäuses |
US8287192B2 (en) * | 2008-11-13 | 2012-10-16 | Finisar Corporation | Optical network unit transceiver |
CN108109977B (zh) * | 2018-02-12 | 2020-04-21 | 王艺蒲 | 一种用超声波铜线制造的集成电路芯片封装装置 |
KR20240175592A (ko) * | 2023-06-13 | 2024-12-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 인쇄 회로 기판 조립체 및 인쇄 회로 기판의 제조 방법 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4218724A (en) * | 1978-11-21 | 1980-08-19 | Kaufman Lance R | Compact circuit package having improved circuit connectors |
EP0219627B1 (de) * | 1985-09-24 | 1991-06-05 | Oerlikon-Contraves AG | Mehrschichtige gedruckte Schaltungsplatte |
US4807019A (en) * | 1987-04-24 | 1989-02-21 | Unisys Corporation | Cavity-up-cavity-down multichip integrated circuit package |
US4993148A (en) * | 1987-05-19 | 1991-02-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a circuit board |
IT1222152B (it) * | 1987-07-28 | 1990-09-05 | Sgs Microelettronica Spa | Dispositivo a piu' piastrine di materiale in contenitore di metallo e resina |
DE3837975A1 (de) * | 1988-11-09 | 1990-05-10 | Telefunken Electronic Gmbh | Elektronisches steuergeraet |
JPH02201948A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Toshiba Corp | 半導体装置パッケージ |
US4999740A (en) * | 1989-03-06 | 1991-03-12 | Allied-Signal Inc. | Electronic device for managing and dissipating heat and for improving inspection and repair, and method of manufacture thereof |
US5012386A (en) * | 1989-10-27 | 1991-04-30 | Motorola, Inc. | High performance overmolded electronic package |
US5045921A (en) * | 1989-12-26 | 1991-09-03 | Motorola, Inc. | Pad array carrier IC device using flexible tape |
US5222014A (en) * | 1992-03-02 | 1993-06-22 | Motorola, Inc. | Three-dimensional multi-chip pad array carrier |
-
1991
- 1991-04-30 IT ITMI911180A patent/IT1247304B/it active IP Right Grant
-
1992
- 1992-04-22 EP EP92106831A patent/EP0511578B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-30 JP JP11099992A patent/JP3251323B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-10-24 US US08/142,723 patent/US5353194A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ITMI911180A0 (it) | 1991-04-30 |
JPH05121644A (ja) | 1993-05-18 |
EP0511578A2 (en) | 1992-11-04 |
EP0511578B1 (en) | 1996-05-29 |
IT1247304B (it) | 1994-12-12 |
US5353194A (en) | 1994-10-04 |
ITMI911180A1 (it) | 1992-10-30 |
EP0511578A3 (en) | 1993-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100694739B1 (ko) | 다수의 전원/접지면을 갖는 볼 그리드 어레이 패키지 | |
US4941033A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP3251323B2 (ja) | 電子回路デバイス | |
JP2002076252A (ja) | 半導体装置 | |
JP4075204B2 (ja) | 積層型半導体装置 | |
US5504370A (en) | Electronic system circuit package directly supporting components on isolated subsegments | |
US6903464B2 (en) | Semiconductor die package | |
JPH0661372A (ja) | ハイブリッドic | |
JPH03238852A (ja) | モールド型半導体集積回路 | |
JP2001344587A (ja) | プリント配線基板およびそれを用いたicカード用モジュールならびにその製造方法 | |
JPH0430566A (ja) | 高出力用混成集積回路装置 | |
JP3034657B2 (ja) | 半導体装置用パッケージ | |
JP2879503B2 (ja) | 面実装型電子回路装置 | |
JPH0817974A (ja) | 放熱構造を持つbga型lsiパッケージ | |
JP3032124U (ja) | 中介層を有する高密度ボンディング・パッド配列集積回路パッケージ | |
JP2007157801A (ja) | 半導体モジュールとその製造方法 | |
JPH04324963A (ja) | 混成集積回路装置 | |
KR19980068016A (ko) | 가요성(可撓性) 회로 기판을 이용한 볼 그리드 어레이(Ball Grid Array : BGA) 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
JPH0430565A (ja) | 高出力用混成集積回路装置 | |
JPH098171A (ja) | 半導体パッケージ | |
JPH0685102A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH0414852A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0430459A (ja) | 高出力用混成集積回路装置 | |
JPH0430564A (ja) | 高出力用混成集積回路装置 | |
JP2006013554A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |