JP3249758B2 - 弾性表面波フィルタ装置 - Google Patents
弾性表面波フィルタ装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波フィル
タ装置に関する。詳細に述べると、本発明は、改良され
た帯域外減衰量を呈する弾性表面波フィルタ装置に関す
る。
タ装置に関する。詳細に述べると、本発明は、改良され
た帯域外減衰量を呈する弾性表面波フィルタ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波フィルタ装置は、当初ＴＶの
ＩＦ用フィルタに使われていたが、近年になって各種通
信機をはじめとし、移動体、携帯電話機のＩＦ用フィル
タとして盛んに使われるようになってきた。また、使用
する周波数は１００MHzを超える範囲まで広がってお
り、いわゆる高周波化が進んいる。
ＩＦ用フィルタに使われていたが、近年になって各種通
信機をはじめとし、移動体、携帯電話機のＩＦ用フィル
タとして盛んに使われるようになってきた。また、使用
する周波数は１００MHzを超える範囲まで広がってお
り、いわゆる高周波化が進んいる。
【０００３】これらに使われるフィルタの種類には、バ
ンドパスフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィル
タなどがあり、ある特定の周波数成分をもった電気信号
だけを通過させ、それ以外の周波数成分をもった不要な
信号を阻止するという機能（その逆もある）を有する。
その周波数の区分は、それぞれフィルタの帯域内（また
は通過帯域内）、帯域外（または通過帯域外）と呼ばれ
る。帯域内において通過する信号量（通過量）と、帯域
外において阻止される信号量（減衰量）の差を大きくす
ることが、フィルタの重要な性能指数のひとつである。
この差を大きくするために、フィルタ素子を多段縦続接
続したり、フィルタの接地（グランド）方法を改善する
など、即ち、帯域外減衰量を大きくすることによって実
現させていた。
ンドパスフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィル
タなどがあり、ある特定の周波数成分をもった電気信号
だけを通過させ、それ以外の周波数成分をもった不要な
信号を阻止するという機能（その逆もある）を有する。
その周波数の区分は、それぞれフィルタの帯域内（また
は通過帯域内）、帯域外（または通過帯域外）と呼ばれ
る。帯域内において通過する信号量（通過量）と、帯域
外において阻止される信号量（減衰量）の差を大きくす
ることが、フィルタの重要な性能指数のひとつである。
この差を大きくするために、フィルタ素子を多段縦続接
続したり、フィルタの接地（グランド）方法を改善する
など、即ち、帯域外減衰量を大きくすることによって実
現させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、１００MHz
を超える高周波数帯では、上述のようにフィルタ素子を
多段縦続接続したり、接地（グランド）方法を改善した
としても、弾性表面波フィルタ素子をプリント基板に実
装した弾性表面波フィルタ装置では、十分な帯域外減衰
量が得られないという課題があった。
を超える高周波数帯では、上述のようにフィルタ素子を
多段縦続接続したり、接地（グランド）方法を改善した
としても、弾性表面波フィルタ素子をプリント基板に実
装した弾性表面波フィルタ装置では、十分な帯域外減衰
量が得られないという課題があった。
【０００５】例えば、現在、普及が目覚ましい携帯電話
システムのひとつであるＰＨＳ（Personal Handy Phone
System）端末に用いられているＩＦフィルタには弾性
表面波フィルタ装置が使用されている。このフィルタの
中心周波数は、２５０MHz帯の周波数帯を使っており、
中心周波数から±２１．５MHz離れた周波数での減衰量
（帯域外減衰量）は、６０dB以上が要求されている。し
かし、２５０MHz帯と高周波数帯であるこのＩＦ用弾性
表面波フィルタ素子をプリント基板に実装した弾性表面
波フィルタ装置では、帯域外減衰量は５０dB程度、また
は、それ以下しか得られないという課題があった。
システムのひとつであるＰＨＳ（Personal Handy Phone
System）端末に用いられているＩＦフィルタには弾性
表面波フィルタ装置が使用されている。このフィルタの
中心周波数は、２５０MHz帯の周波数帯を使っており、
中心周波数から±２１．５MHz離れた周波数での減衰量
（帯域外減衰量）は、６０dB以上が要求されている。し
かし、２５０MHz帯と高周波数帯であるこのＩＦ用弾性
表面波フィルタ素子をプリント基板に実装した弾性表面
波フィルタ装置では、帯域外減衰量は５０dB程度、また
は、それ以下しか得られないという課題があった。
【０００６】そこで本願発明では、１００MHz以上、即
ち、高周波数帯の弾性表面波フィルタ素子をプリント基
板に実装した際にも、十分な帯域外減衰量を呈する弾性
表面波フィルタ装置を得ることを目的としている。
ち、高周波数帯の弾性表面波フィルタ素子をプリント基
板に実装した際にも、十分な帯域外減衰量を呈する弾性
表面波フィルタ装置を得ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は以下に述べる
発明によって解決される。 （構成１）弾性表面波フィルタ素子と、該弾性表面波フ
ィルタ素子の入力端又は出力端又はその両方に接続され
たインピーダンス整合回路と、を備えた弾性表面波フィ
ルタ装置において、該弾性表面波フィルタ装置は、伝送
線路が形成された基板上に設けられ、前記インピーダン
ス整合回路は、少なくとも１つの並列インダクタンス素
子と少なくとも１つの並列キャパシタンス素子とを含
み、前記弾性表面波フィルタ素子の入出力端から、前記
並列キャパシタンス素子、前記並列インダクタンス素子
の順に配置、電気的に接続されたことを特徴とする。
発明によって解決される。 （構成１）弾性表面波フィルタ素子と、該弾性表面波フ
ィルタ素子の入力端又は出力端又はその両方に接続され
たインピーダンス整合回路と、を備えた弾性表面波フィ
ルタ装置において、該弾性表面波フィルタ装置は、伝送
線路が形成された基板上に設けられ、前記インピーダン
ス整合回路は、少なくとも１つの並列インダクタンス素
子と少なくとも１つの並列キャパシタンス素子とを含
み、前記弾性表面波フィルタ素子の入出力端から、前記
並列キャパシタンス素子、前記並列インダクタンス素子
の順に配置、電気的に接続されたことを特徴とする。
【０００８】（構成２）構成１に記載の弾性表面波フィ
ルタ装置において、前記並列インダクタンス素子と前記
並列キャパシタンス素子は、伝送線路の片側にのみ配
置、電気的に接続されたことを特徴とする。
ルタ装置において、前記並列インダクタンス素子と前記
並列キャパシタンス素子は、伝送線路の片側にのみ配
置、電気的に接続されたことを特徴とする。
【０００９】（構成３）構成１に記載の弾性表面波フィ
ルタ装置において、前記並列インダクタンス素子と前記
並列キャパシタンス素子は、伝送線路を挟んでその両側
にそれぞれ配置、電気的に接続されたことを特徴とす
る。
ルタ装置において、前記並列インダクタンス素子と前記
並列キャパシタンス素子は、伝送線路を挟んでその両側
にそれぞれ配置、電気的に接続されたことを特徴とす
る。
【００１０】（構成４）構成１ないし構成３のいずれか
１つに記載の弾性表面波フィルタ装置において、該弾性
表面波フィルタ装置は、動作周波数が１００ＭＨｚ以上
である、ことを特徴とする。
１つに記載の弾性表面波フィルタ装置において、該弾性
表面波フィルタ装置は、動作周波数が１００ＭＨｚ以上
である、ことを特徴とする。
【００１１】（構成５）構成１ないし構成４のいずれか
１つに記載の弾性表面波フィルタ装置において、前記並
列インダクタンス素子は、チップインダクタ、前記並列
キャパシタンス素子は、チップコンデンサであることを
特徴とする。
１つに記載の弾性表面波フィルタ装置において、前記並
列インダクタンス素子は、チップインダクタ、前記並列
キャパシタンス素子は、チップコンデンサであることを
特徴とする。
【００１２】（作 用） 弾性表面波フィルタ装置を構成する弾性表面波フィルタ
素子、インダクタンス素子、キャパシタンス素子のなか
で、素子外部に電界または磁界、即ち電磁界を放射する
ものとしてインダクタンス素子が考えられる。ところ
で、インダクタンス素子、例えば、チップインダクタ
は、ドラムコアに巻き線を施した構造であり、発生した
磁界は素子外部に漏れる。その素子から漏れる磁界を小
さくするためにシールド形チップインダクタも製品化さ
れているが、素子外部に漏れる磁界を無くすことはでき
ない。また、例えばスパイラル状の導体膜によって構成
されるインダクタンス素子も同様である。つまり、この
インダクタンス素子から発生する磁界が、キャパシタン
ス素子、または弾性表面波フィルタ素子に影響を及ぼし
ていると考えられる。また、プリント基板上に形成され
ている伝送線路もまた電磁界を放射しているため、これ
らの電磁界が複雑に影響を及ぼし合っているものと思わ
れる。
素子、インダクタンス素子、キャパシタンス素子のなか
で、素子外部に電界または磁界、即ち電磁界を放射する
ものとしてインダクタンス素子が考えられる。ところ
で、インダクタンス素子、例えば、チップインダクタ
は、ドラムコアに巻き線を施した構造であり、発生した
磁界は素子外部に漏れる。その素子から漏れる磁界を小
さくするためにシールド形チップインダクタも製品化さ
れているが、素子外部に漏れる磁界を無くすことはでき
ない。また、例えばスパイラル状の導体膜によって構成
されるインダクタンス素子も同様である。つまり、この
インダクタンス素子から発生する磁界が、キャパシタン
ス素子、または弾性表面波フィルタ素子に影響を及ぼし
ていると考えられる。また、プリント基板上に形成され
ている伝送線路もまた電磁界を放射しているため、これ
らの電磁界が複雑に影響を及ぼし合っているものと思わ
れる。
【００１３】従って、原因は明確ではないが、本願発明
の弾性表面波フィルタ装置では、上述の電磁界の相互影
響が複雑に絡み合うことによって、目的である十分な帯
域外減衰量を得ることを可能にしているのではないかと
推察される。
の弾性表面波フィルタ装置では、上述の電磁界の相互影
響が複雑に絡み合うことによって、目的である十分な帯
域外減衰量を得ることを可能にしているのではないかと
推察される。
【００１４】
【発明の実施の形態】本願発明の実施の形態の弾性表面
波フィルタ装置は、以下のような構成である。 （構成１）弾性表面波フィルタ素子と、該弾性表面波フ
ィルタ素子の入力端又は出力端又はその両方に接続され
たインピーダンス整合回路とを備えた弾性表面波フィル
タ装置において、該弾性表面波フィルタ装置は、伝送線
路が形成された基板上に設けられ、前記インピーダンス
整合回路は、少なくとも１つの並列インダクタンス素子
と少なくとも１つの並列キャパシタンス素子とを含み、
前記弾性表面波フィルタ素子の入出力端から、前記並列
キャパシタンス素子、前記並列インダクタンス素子の順
に配置、電気的に接続されたことを特徴とする。 （構成２）構成１に記載の弾性表面波フィルタ装置にお
いて、前記並列インダクタンス素子と前記並列キャパシ
タンス素子は、伝送線路の片側にのみ配置、電気的に接
続されたことを特徴とする。 （構成３）構成１に記載の弾性表面波フィルタ装置にお
いて、前記並列インダクタンス素子と前記並列キャパシ
タンス素子は、伝送線路を挟んでその両側にそれぞれ配
置、電気的に接続されたことを特徴とする。 （構成４）構成１ないし構成３のいずれか１つに記載の
弾性表面波フィルタ装置において、該弾性表面波フィル
タ装置は、動作周波数が１００ＭＨｚ以上であることを
特徴とする。 （構成５）構成１ないし構成４のいずれか１つに記載の
弾性表面波フィルタ装置において、前記並列インダクタ
ンス素子は、チップインダクタ、前記並列キャパシタン
ス素子は、チップコンデンサであることを特徴とする。
以下、図面を参照して、本願発明の実施例について説明
する。図１は本願発明の一実施例を示す平面図である。
ここで、プリント基板１１上に設置された弾性表面波フ
ィルタ素子１２は、２５０MHz帯に設計されたものを用
いた。弾性表面波フィルタ素子１２の入力端子１３a及
び出力端子１３bには、入力用整合回路１４a及び出力用
整合回路１４bが接続される。この整合回路１４a、１４
bは、弾性表面波フィルタ素子１２とプリント基板上の
伝送線路１５とのインピーダンス整合をとるための回路
である。この整合回路１４a、１４bは、並列キャパシタ
ンス素子１６と並列インダクタンス素子１７から構成さ
れている。
波フィルタ装置は、以下のような構成である。 （構成１）弾性表面波フィルタ素子と、該弾性表面波フ
ィルタ素子の入力端又は出力端又はその両方に接続され
たインピーダンス整合回路とを備えた弾性表面波フィル
タ装置において、該弾性表面波フィルタ装置は、伝送線
路が形成された基板上に設けられ、前記インピーダンス
整合回路は、少なくとも１つの並列インダクタンス素子
と少なくとも１つの並列キャパシタンス素子とを含み、
前記弾性表面波フィルタ素子の入出力端から、前記並列
キャパシタンス素子、前記並列インダクタンス素子の順
に配置、電気的に接続されたことを特徴とする。 （構成２）構成１に記載の弾性表面波フィルタ装置にお
いて、前記並列インダクタンス素子と前記並列キャパシ
タンス素子は、伝送線路の片側にのみ配置、電気的に接
続されたことを特徴とする。 （構成３）構成１に記載の弾性表面波フィルタ装置にお
いて、前記並列インダクタンス素子と前記並列キャパシ
タンス素子は、伝送線路を挟んでその両側にそれぞれ配
置、電気的に接続されたことを特徴とする。 （構成４）構成１ないし構成３のいずれか１つに記載の
弾性表面波フィルタ装置において、該弾性表面波フィル
タ装置は、動作周波数が１００ＭＨｚ以上であることを
特徴とする。 （構成５）構成１ないし構成４のいずれか１つに記載の
弾性表面波フィルタ装置において、前記並列インダクタ
ンス素子は、チップインダクタ、前記並列キャパシタン
ス素子は、チップコンデンサであることを特徴とする。
以下、図面を参照して、本願発明の実施例について説明
する。図１は本願発明の一実施例を示す平面図である。
ここで、プリント基板１１上に設置された弾性表面波フ
ィルタ素子１２は、２５０MHz帯に設計されたものを用
いた。弾性表面波フィルタ素子１２の入力端子１３a及
び出力端子１３bには、入力用整合回路１４a及び出力用
整合回路１４bが接続される。この整合回路１４a、１４
bは、弾性表面波フィルタ素子１２とプリント基板上の
伝送線路１５とのインピーダンス整合をとるための回路
である。この整合回路１４a、１４bは、並列キャパシタ
ンス素子１６と並列インダクタンス素子１７から構成さ
れている。
【００１５】本実施例では、並列キャパシタンス素子１
６に９pFのチップコンデンサ、並列インダクタンス素子
１７に２７nHのチップインダクタを用いた。これらの素
子は、弾性表面波フィルタ素子１２の入出力端子側に並
列キャパシタンス素子１６を、弾性表面波フィルタ素子
１２からみて前記並列キャパシタンス素子１６より離れ
た位置に並列インダクタンス素子１７を配置、電気的に
接続した。
６に９pFのチップコンデンサ、並列インダクタンス素子
１７に２７nHのチップインダクタを用いた。これらの素
子は、弾性表面波フィルタ素子１２の入出力端子側に並
列キャパシタンス素子１６を、弾性表面波フィルタ素子
１２からみて前記並列キャパシタンス素子１６より離れ
た位置に並列インダクタンス素子１７を配置、電気的に
接続した。
【００１６】この本願発明の弾性表面波フィルタ装置の
電気特性（周波数特性）を測定したところ、中心周波数
から±２１．５MHz離れた周波数での減衰量は６６dBで
あった。即ち、６０dB以上の要求値を十分満足すること
がわかった。
電気特性（周波数特性）を測定したところ、中心周波数
から±２１．５MHz離れた周波数での減衰量は６６dBで
あった。即ち、６０dB以上の要求値を十分満足すること
がわかった。
【００１７】図２は、図１において並列キャパシタンス
２６、または並列インダクタンス２７のどちらか一方
を、伝送線路２５を挟んで反対側に配置した実施例であ
る。この弾性表面波フィルタ装置の電気特性を測定した
が、中心周波数から±２１．５MHz離れた周波数での減
衰量は６５dBであった。この場合もまた６０dB以上の要
求値を十分満足することがわかった。
２６、または並列インダクタンス２７のどちらか一方
を、伝送線路２５を挟んで反対側に配置した実施例であ
る。この弾性表面波フィルタ装置の電気特性を測定した
が、中心周波数から±２１．５MHz離れた周波数での減
衰量は６５dBであった。この場合もまた６０dB以上の要
求値を十分満足することがわかった。
【００１８】即ち、弾性表面波フィルタ素子を基準位置
として、並列インダクタンス素子が並列キャパシタンス
素子より離れた位置に配置されている本願発明の弾性表
面波フィルタ装置では、十分な帯域外減衰量が得られる
ことが実証された。
として、並列インダクタンス素子が並列キャパシタンス
素子より離れた位置に配置されている本願発明の弾性表
面波フィルタ装置では、十分な帯域外減衰量が得られる
ことが実証された。
【００１９】図３は本願発明との比較をするために作製
したものである。ここで、弾性表面波フィルタ素子３２
は図１と同じ素子を使用した。また、並列キャパシタン
ス素子３６及び並列インダクタンス素子３７も同様に図
１に用いたものと同じ素子を使用した。図１と図３の相
違はインピーダンス整合回路を構成する並列キャパシタ
ンス素子と並列インダクタンス素子の配置が異なること
である。即ち、弾性表面波フィルタ素子３２に近い側に
並列インダクタンス素子３７を設置し、遠い側に並列キ
ャパシタンス素子３６を設置した。この構成の弾性表面
波フィルタ装置の電気特性を測定したところ、中心周波
数から±２１．５MHz離れた周波数において５３dBの減
衰量しか得られず、６０dB以上の要求値を満足しなかっ
た。
したものである。ここで、弾性表面波フィルタ素子３２
は図１と同じ素子を使用した。また、並列キャパシタン
ス素子３６及び並列インダクタンス素子３７も同様に図
１に用いたものと同じ素子を使用した。図１と図３の相
違はインピーダンス整合回路を構成する並列キャパシタ
ンス素子と並列インダクタンス素子の配置が異なること
である。即ち、弾性表面波フィルタ素子３２に近い側に
並列インダクタンス素子３７を設置し、遠い側に並列キ
ャパシタンス素子３６を設置した。この構成の弾性表面
波フィルタ装置の電気特性を測定したところ、中心周波
数から±２１．５MHz離れた周波数において５３dBの減
衰量しか得られず、６０dB以上の要求値を満足しなかっ
た。
【００２０】図４も図３と同様に本願発明との比較をす
るために作製したものである。ここで、弾性表面波フィ
ルタ素子４２、並列キャパシタンス素子４６及び並列イ
ンダクタンス素子４７も同様に図１に用いたものと同じ
素子を使用した。並列キャパシタンス素子４６と並列イ
ンダクタンス素子４７の配置は、弾性表面波フィルタ素
子４２から同じ距離だけ離れた位置に伝送線路４５を挟
んで配置した。この構成の弾性表面波フィルタ装置の電
気特性を測定したところ、中心周波数から±２１．５MH
z離れた周波数において４８dBの減衰量しか得られず、
この場合もまた６０dB以上の要求値を満足しなかった。
るために作製したものである。ここで、弾性表面波フィ
ルタ素子４２、並列キャパシタンス素子４６及び並列イ
ンダクタンス素子４７も同様に図１に用いたものと同じ
素子を使用した。並列キャパシタンス素子４６と並列イ
ンダクタンス素子４７の配置は、弾性表面波フィルタ素
子４２から同じ距離だけ離れた位置に伝送線路４５を挟
んで配置した。この構成の弾性表面波フィルタ装置の電
気特性を測定したところ、中心周波数から±２１．５MH
z離れた周波数において４８dBの減衰量しか得られず、
この場合もまた６０dB以上の要求値を満足しなかった。
【００２１】また、中心周波数１１０MHz帯の弾性表面
波フィルタ素子を用いた上述の図１から図４に記したそ
れぞれの構成の弾性表面波フィルタ装置も作製し、電気
特性を測定したが、それぞれ上記同様の結果が得られ
た。
波フィルタ素子を用いた上述の図１から図４に記したそ
れぞれの構成の弾性表面波フィルタ装置も作製し、電気
特性を測定したが、それぞれ上記同様の結果が得られ
た。
【００２２】
【発明の効果】以上、実施例をもとに説明した通り、本
願発明によれば、弾性表面波フィルタ素子の入出力端か
ら、並列キャパシタンス素子、並列インダクタンス素子
の順に配置することにより、十分な帯域外減衰量を得る
ことができた。
願発明によれば、弾性表面波フィルタ素子の入出力端か
ら、並列キャパシタンス素子、並列インダクタンス素子
の順に配置することにより、十分な帯域外減衰量を得る
ことができた。
【図１】本発明の実施例を示す図である。
【図２】本発明の実施例を示す図である。
【図３】本発明の実施例に対する比較例を示す図であ
る。
る。
【図４】本発明の実施例に対する比較例を示す図であ
る。
る。
１１、２１、３１、４１ プリント基板 １２、２２、３２、４２ 弾性表面波フィルタ素子 １３a、２３a、３３a、４３a 弾性表面波フィルタ素子
の入力端子 １３b、２３b、３３b、４３b 弾性表面波フィルタ素子
の出力端子 １４a、２４a、３４a、４４a 入力用整合回路 １４b、２４b、３４b、４４b 出力用整合回路 １５、２５、３５、４５ 伝送線路 １６、２６、３６、４６ 並列キャパシタンス素子 １７、２７、３７、４７ 並列インダクタンス素子
の入力端子 １３b、２３b、３３b、４３b 弾性表面波フィルタ素子
の出力端子 １４a、２４a、３４a、４４a 入力用整合回路 １４b、２４b、３４b、４４b 出力用整合回路 １５、２５、３５、４５ 伝送線路 １６、２６、３６、４６ 並列キャパシタンス素子 １７、２７、３７、４７ 並列インダクタンス素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−6111（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−141123（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/145
Claims (5)
- 【請求項１】 弾性表面波フィルタ素子と、 該弾性表面波フィルタ素子の入力端又は出力端又はその
両方に接続されたインピーダンス整合回路と、 を備えた弾性表面波フィルタ装置において、 該弾性表面波フィルタ装置は、伝送線路が形成された基
板上に設けられ、 前記インピーダンス整合回路は、少なくとも１つの並列
インダクタンス素子と少なくとも１つの並列キャパシタ
ンス素子とを含み、前記弾性表面波フィルタ素子の入出
力端から、前記並列キャパシタンス素子、前記並列イン
ダクタンス素子の順に配置、電気的に接続された、こと
を特徴とする弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の弾性表面波フィルタ装
置において、 前記並列インダクタンス素子と前記並列キャパシタンス
素子は、伝送線路の片側にのみ配置、電気的に接続され
た、ことを特徴とする弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の弾性表面波フィルタ装
置において、 前記並列インダクタンス素子と前記並列キャパシタンス
素子は、伝送線路を挟んでその両側にそれぞれ配置、電
気的に接続された、ことを特徴とする弾性表面波フィル
タ装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項
に記載の弾性表面波フィルタ装置において、 該弾性表面波フィルタ装置は、動作周波数が１００ＭＨ
ｚ以上である、ことを特徴とする弾性表面波フィルタ装
置。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれか１項
に記載の弾性表面波フィルタ装置において、 前記並列インダクタンス素子は、チップインダクタ、前
記並列キャパシタンス素子は、チップコンデンサであ
る、ことを特徴とする弾性表面波フィルタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05629497A JP3249758B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 弾性表面波フィルタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05629497A JP3249758B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 弾性表面波フィルタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256865A JPH10256865A (ja) | 1998-09-25 |
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