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JP3246783B2 - Method for manufacturing antiferroelectric liquid crystal display panel - Google Patents

Method for manufacturing antiferroelectric liquid crystal display panel

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JP3246783B2
JP3246783B2 JP01678093A JP1678093A JP3246783B2 JP 3246783 B2 JP3246783 B2 JP 3246783B2 JP 01678093 A JP01678093 A JP 01678093A JP 1678093 A JP1678093 A JP 1678093A JP 3246783 B2 JP3246783 B2 JP 3246783B2
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Japan
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liquid crystal
substrate
film
antiferroelectric liquid
crystal display
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田島  栄市
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Citizen Watch Co Ltd
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Citizen Watch Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、反強誘電性液晶表
示パネルの製造方法に関し、とくに反強誘電性液晶パネ
ルを使用し、効率の良い反射層を持つパネルを作成する
場合、大型パネルでも表示画面の影が無く、かつ視野角
も損なわない特性を得られる反強誘電性液晶表示パネ
製造方法に関する。
The present invention relates to relates to a process for the preparation of the anti-ferroelectric liquid crystal display panel, in particular by using an antiferroelectric liquid crystal panel, to create a panel with a good reflective layer efficient, large panels But there is no shadow of the display screen, and anti-ferroelectric liquid crystal display panel obtained a characteristic that does not impair viewing angle
And a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】反強誘電性液晶を用いた液晶パネルは、
日本電装(株)および昭和シェル石油(株)から特開平
2−173724号公報で提案され、この反強誘電性液
晶表示装置は広視野角を有すること、高速応答が可能な
こと、マルチプレックス特性が良好なことなどが報告さ
れて以来、精力的に研究がなされている。
2. Description of the Related Art A liquid crystal panel using an antiferroelectric liquid crystal,
This antiferroelectric liquid crystal display device is proposed by Nippondenso Co., Ltd. and Showa Shell Sekiyu KK in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-173724, having a wide viewing angle, capable of high-speed response, and multiplex characteristics. Research has been conducted energetically since it was reported to be good.

【0003】反強誘電性液晶は、図9のグラフに示すよ
うに透過光量−電圧特性において、ヒステリシス特性を
有する。これより、液晶分子にあるパルス波を印加した
場合に、このパルス幅と電圧値との積の値がしきい値以
上の値をとる場合に第1の安定状態(強誘電状態)が選
択され、また印加電圧の極性の違いによって、第2の安
定状態(強誘電状態)が選択される。
An antiferroelectric liquid crystal has a hysteresis characteristic in a transmitted light quantity-voltage characteristic as shown in a graph of FIG. Thus, when a certain pulse wave is applied to the liquid crystal molecules, the first stable state (ferroelectric state) is selected when the product of the pulse width and the voltage value exceeds the threshold value. The second stable state (ferroelectric state) is selected depending on the polarity of the applied voltage.

【0004】そして、この第1の状態、および第2の状
態から、前記のパルス幅と電圧値との積の値の絶対値
が、あるしきい値より低い場合に第3の安定状態(反強
誘電状態)が選択される。
From the first state and the second state, when the absolute value of the product of the pulse width and the voltage value is lower than a certain threshold value, a third stable state (reverse (Ferroelectric state) is selected.

【0005】図10の平面図は、この反強誘電性液晶を
含むマトリックス形の液晶パネルの電極構成を示したも
のである。
FIG. 10 is a plan view showing an electrode configuration of a matrix type liquid crystal panel including the antiferroelectric liquid crystal.

【0006】図10に示すように、走査電極Y1〜Y1
28に順次周期的に選択電圧を印加し、信号電極X1〜
X160には所定の情報信号を、走査電極信号と同期さ
せて並列的に印加し、選択された画素の液晶分子を表示
情報に応じてスイッチングさせる時分割駆動が採用され
ている。
As shown in FIG. 10, scanning electrodes Y1 to Y1
28, a selection voltage is sequentially and periodically applied to the signal electrodes X1 to X1.
X160 adopts a time-division drive in which a predetermined information signal is applied in parallel in synchronization with the scanning electrode signal, and the liquid crystal molecules of the selected pixel are switched according to the display information.

【0007】時分割駆動の方法としては、種々の方法が
提案されている。図11、図12は前述の特開平2−1
73724号公報に開示されている駆動法で、1画面を
書き込むために、2フレームの書き込みを行い、第1フ
レームと第2フレームとはそれぞれの波形の電圧値が互
いに電圧値ゼロVに対して対称な関係になっており、こ
れにより、2フレームの書き込みによって交流化を図っ
ている。
Various methods have been proposed as a method of time division driving. FIG. 11 and FIG.
According to the driving method disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 73724, two frames are written in order to write one screen. The relationship is symmetrical, and thereby, AC is achieved by writing two frames.

【0008】図11は「オン」状態を、図12は「オ
フ」状態をセットするときの電圧波形と画素の透過率の
変化を示している。
FIG. 11 shows a change in the voltage waveform and the transmittance of the pixel when the "ON" state is set, and FIG. 12 shows a change in the pixel transmittance when the "OFF" state is set.

【0009】走査電極に印加される信号は、図11と図
12とに示すように、3位相からなり、第1位相で必ず
1度「オフ」状態(反強誘電状態)にリセットし、第2
位相では、第1位相での状態を保持し、第3位相で「オ
ン」状態(強誘電状態)にセットするかどうか選択す
る。
The signal applied to the scanning electrode has three phases as shown in FIGS. 11 and 12, and is always reset to the "off" state (antiferroelectric state) once in the first phase. 2
In the phase, whether the state in the first phase is maintained and the “on” state (ferroelectric state) is set in the third phase is selected.

【0010】図11の場合には第3位相目が強誘電状態
にセットするためのしきい値電圧を越えるために、「オ
ン」状態(強誘電状態)にセットされ、図12の場合に
は前記のしきい値電圧を越えないために「オフ」状態
(反強誘電状態)を保持する。
In the case of FIG. 11, since the third phase exceeds the threshold voltage for setting the ferroelectric state, it is set to the "on" state (ferroelectric state). The "off" state (antiferroelectric state) is maintained so as not to exceed the threshold voltage.

【0011】このような表示素子を用いて、透過タイプ
で表示する場合、どうしてもバックライトを使用するた
め、消費電力は、必然的に多くなる。また、反射タイプ
を作成する場合、コントラスト比は低減する。
[0011] In the case of using such a display element to perform transmissive display, a backlight is inevitably used, so that power consumption is inevitably increased. Also, when creating a reflection type, the contrast ratio is reduced.

【0012】図8の断面図に従来技術における反射タイ
プの反強誘電性液晶表示パネルの構成図を示す。第2の
基板12の外側と、液晶表示パネルの下基板である第1
の基板11の外側に、それぞれ偏光板14と、反射板1
3と偏光板14とを設ける。
FIG. 8 is a sectional view showing a configuration of a reflection type antiferroelectric liquid crystal display panel according to the prior art. The outside of the second substrate 12 and the first substrate which is the lower substrate of the liquid crystal display panel
Of the polarizing plate 14 and the reflecting plate 1
3 and a polarizing plate 14 are provided.

【0013】この図8に示すように、従来の反強誘電性
液晶表示パネルにおいては、第1の基板11と離間して
反射板13と偏光板14とを配置している。
As shown in FIG. 8, in a conventional antiferroelectric liquid crystal display panel, a reflection plate 13 and a polarization plate 14 are arranged apart from a first substrate 11.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】このため、入射光22
に対し反射光23が観測者の眼に入るまでに、空気層や
第1の基板11のガラス層の厚さ分を通過する際、屈折
率の違いにより、光路がずれる。この結果、隣接する画
素とゴーストを生じたり、画素部が反射像と離れている
ために影が発生したりして表示品質の低下の原因にな
る。
Therefore, the incident light 22
On the other hand, when the reflected light 23 passes through the thickness of the air layer or the glass layer of the first substrate 11 before entering the observer's eyes, the optical path is shifted due to the difference in the refractive index. As a result, a ghost may occur with an adjacent pixel, or a shadow may be generated because the pixel portion is apart from the reflection image, thereby causing deterioration in display quality.

【0015】さらに、反強誘電性液晶表示パネルは、コ
ントラスト比が上下左右でほとんど差がない特性を持っ
ているために、高視野角特性を得られている。
Further, the antiferroelectric liquid crystal display panel has a high viewing angle characteristic because the contrast ratio has almost no difference between up, down, left and right.

【0016】しかしながら、上記の理由により、選択画
素領域とこの表示より生じる反射像との影により、画像
のシャープネスと視野角とが低減してしまい、表示品質
を落とすという欠点がある。
However, for the above reason, there is a disadvantage that the sharpness and the viewing angle of the image are reduced by the shadow of the selected pixel area and the reflection image generated by this display, and the display quality is deteriorated.

【0017】本発明の目的は、上記課題を解決して、反
強誘電性液晶パネルの反射タイプで画像のシャープネと
視野角の低減がない反強誘電性パネルの製造方法を提供
することである。
An object of the present invention, by which to solve the above-mentioned problem, and provides a manufacturing method of the antiferroelectric panel is no reduction in the sharpness and the viewing angle of the image by the reflection type antiferroelectric liquid crystal panel is there.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の反強誘電性液晶表示パネルの製造方法は下記の
手段を採用する。
Means for Solving the Problems] To achieve the above object antiferroelectric manufacturing how the liquid crystal display panel of the present invention employs the following means.

【0019】本発明の反強誘電性液晶表示パネルの製造
方法は、第1の基板は、表面に微小凹凸面を形成し、反
射膜を形成する工程と、反射膜上に樹脂膜を設け、樹脂
膜上に偏光膜を設け、さらに偏光膜上に樹脂膜を形成す
る工程と、剥離板を用いて加圧と加熱処理を行い樹脂膜
を硬化させる工程と、透明電極と配向制御膜とを形成す
る工程とを備え、第2の基板は、透明電極と配向制御膜
とを形成する工程を備え、さらに第1の基板と第2の基
板との間にギャップ材を配置し、シール材により第1の
基板と第2の基板とを貼り合わせる工程と、第1の基板
と第2の基板との間に反強誘電性液晶を注入する工程と
を有することを特徴とする。
In the method of manufacturing an antiferroelectric liquid crystal display panel according to the present invention, the first substrate has a step of forming a fine uneven surface on its surface and forming a reflective film, and a step of providing a resin film on the reflective film. Providing a polarizing film on the resin film, further forming a resin film on the polarizing film, pressure and heat treatment using a release plate to cure the resin film, the transparent electrode and the orientation control film Forming a second substrate, the second substrate including a step of forming a transparent electrode and an orientation control film, further arranging a gap material between the first substrate and the second substrate, The method includes a step of bonding the first substrate and the second substrate, and a step of injecting an antiferroelectric liquid crystal between the first substrate and the second substrate.

【0020】〔作用〕 反射膜を第1の基板の上に作成した後、熱硬化性の樹脂
膜を薄く塗布し、その上に偏光膜を置く。偏光膜は、沃
素とポリビニルアルコール、直接染料とポリビニルアル
コールおよびポリエチレン構造のものを用いる。さらに
その偏向膜上に樹脂膜を滴下した後、上から樹脂面を鏡
面に仕上げ、剥離剤を薄く塗布したフラットな基板を用
いてプレスしながら、樹脂膜を熱硬化させる。
[Operation] After the reflection film is formed on the first substrate, a thermosetting resin film is thinly applied and a polarizing film is placed thereon. The polarizing film has a structure of iodine and polyvinyl alcohol, a direct dye and polyvinyl alcohol, and a polyethylene structure. After the resin film is dropped on the deflection film, the resin surface is mirror-finished from above, and the resin film is thermally cured while being pressed using a flat substrate to which a release agent is thinly applied.

【0021】これにより、反射膜と表示画素との間隔が
きわめて小さくなり、表示画面の影が生じない反射基板
の作成が可能になる。
As a result, the distance between the reflective film and the display pixels becomes extremely small, and it is possible to produce a reflective substrate that does not cause shadows on the display screen.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
例における反強誘電性液晶表示パネルの構造と製造方法
を説明する。まずはじめに、本発明の反強誘電性液晶表
示パネルの構造について図1を用いて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure and manufacturing method of an antiferroelectric liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the structure of the antiferroelectric liquid crystal display panel of the present invention will be described with reference to FIG.

【0023】図1に示すように、微小凹凸面を有する第
1の基板11上に反射膜13を設ける。その反射膜13
の上に樹脂膜15に挟持された偏光膜14を設ける。
As shown in FIG. 1, a reflection film 13 is provided on a first substrate 11 having a fine uneven surface. The reflection film 13
Is provided with a polarizing film 14 sandwiched between resin films 15.

【0024】さらに第1の基板11は、樹脂膜15上に
透明電極16を形成し、またさらに透明電極16上に配
向制御膜17を備える。
Further, the first substrate 11 has a transparent electrode 16 formed on the resin film 15 and further has an alignment control film 17 on the transparent electrode 16.

【0025】第2の基板12は、透明電極16と、その
透明電極16上に設ける配向制御膜17と第2の基板1
2の外側に設ける偏光膜14とを備える。
The second substrate 12 includes a transparent electrode 16, an orientation control film 17 provided on the transparent electrode 16, and the second substrate 1.
2 and a polarizing film 14 provided outside.

【0026】さらに第1の基板11と第2の基板12と
の間に設けるシール材18とギャップ材19と反強誘電
性液晶20とを備える。
Further, a sealing material 18 provided between the first substrate 11 and the second substrate 12, a gap material 19, and an antiferroelectric liquid crystal 20 are provided.

【0027】この図1に示す構造を持つことにより、入
射光22が反強誘電性液晶表示パネル内を通り反射光2
3として出るときに、図1に示すように反射膜13と表
示画素との間隔はきわめて小さくなり、隣接画素を通過
する反射光は無く、かつ表示部とその影の距離も近いた
め、ゴースト現象も発生せず、視角の依存性も低減す
る。
With the structure shown in FIG. 1, incident light 22 passes through the inside of the antiferroelectric liquid crystal display panel, and reflected light 2
When the light exits as 3, the distance between the reflective film 13 and the display pixel becomes extremely small as shown in FIG. 1 and there is no reflected light passing through the adjacent pixels, and the distance between the display portion and its shadow is short, so that the ghost phenomenon occurs. Does not occur, and the dependence of the viewing angle is reduced.

【0028】つぎに、図1に示す反強誘電性液晶表示パ
ネル構造を形成するための製造方法を図2〜図7の断面
図を用いて説明する。
Next, a manufacturing method for forming the antiferroelectric liquid crystal display panel structure shown in FIG. 1 will be described with reference to the sectional views of FIGS.

【0029】まず、図2に示すように、ガラスからなる
第1の基板11の片側をホーニング加工などを行い、第
1の基板11表面を荒らして微小凹凸表面を形成する。
First, as shown in FIG. 2, one side of the first substrate 11 made of glass is subjected to honing processing or the like, and the surface of the first substrate 11 is roughened to form a fine uneven surface.

【0030】その後、真空蒸着法によりアルミニウムや
銀からなる反射膜13を200nm〜300nm程度の
膜厚で形成する。
Thereafter, a reflective film 13 made of aluminum or silver is formed to a thickness of about 200 nm to 300 nm by a vacuum evaporation method.

【0031】このようにして作成した反射膜13の上
に、図3に示すように樹脂分100%からなる液体、た
とえば感光性樹脂やエポキシ樹脂などからなる樹脂膜1
5を脱泡処理して適量形成する。
As shown in FIG. 3, the resin film 1 made of a liquid containing 100% of resin, for example, a photosensitive resin or an epoxy resin, is formed on the reflection film 13 thus formed.
5 is defoamed to form an appropriate amount.

【0032】そしてさらに、その樹脂膜15上に厚さ3
0μmの偏光膜14を重ねる。この偏光膜14は、膜厚
75μmのポリビニルアルコール膜を出発に、硫酸ナト
リウムとホウ酸の水溶液層とホウ酸の水溶液層に浸漬膨
潤後、約4倍に湿式延伸し、続けて沃化カリと沃素水溶
液層に浸績して沃素を膜内に浸績させた後、温風で乾燥
することによって作成する。
Further, a thickness of 3
A 0 μm polarizing film 14 is overlaid. Starting from a polyvinyl alcohol film having a thickness of 75 μm, the polarizing film 14 is immersed and swelled in an aqueous solution layer of sodium sulfate and boric acid and an aqueous solution layer of boric acid, and is wet-stretched about 4 times. It is formed by dipping iodine in the film by dipping iodine into the iodine aqueous solution layer and then drying with warm air.

【0033】その後、図4に示すように、偏光板14上
に前記の図3を用いて説明したのと同じ液体状の樹脂膜
15を脱泡処理して形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 4, the same liquid resin film 15 as described with reference to FIG. 3 is formed on the polarizing plate 14 by defoaming.

【0034】その後、図5に示すように、この樹脂膜1
5上から表面エネルギーの低い化合物、たとえばシリコ
ーン樹脂系やフッ素樹脂系などの被膜を形成した平面度
の良い鏡面状の剥離板21を使用して平行基準の出てい
るプレスを用いて、図6に示すように加圧を行う。
Thereafter, as shown in FIG.
5 using a press with a parallel reference using a mirror-like release plate 21 having a good flatness on which a coating of a compound having a low surface energy, for example, a silicone resin or a fluorine resin is formed. Pressurization is performed as shown in FIG.

【0035】本実施例において剥離板21としては、平
坦性を出すために、5mm以上の厚さのガラス板を研磨
により鏡面仕上げし、クロムなどのメタルを真空蒸着法
により形成して使用した。
In this embodiment, a glass plate having a thickness of 5 mm or more is mirror-finished by polishing, and a metal such as chromium is formed by a vacuum evaporation method in order to obtain flatness.

【0036】その後、プレスにより加圧しながら、光エ
ネルギーもしくは熱エネルギーによって樹脂膜15を硬
化反応させ、固体状態にする。
Thereafter, the resin film 15 is caused to undergo a curing reaction by light energy or heat energy while being pressed by a press, and is brought into a solid state.

【0037】このとき、樹脂膜15としてエポキシ樹脂
などを用いた場合、100℃以下の温度で硬化させるこ
とにより、偏光膜16の偏光度の劣化は生じなかった。
At this time, when an epoxy resin or the like was used as the resin film 15, the degree of polarization of the polarizing film 16 did not deteriorate by curing at a temperature of 100 ° C. or less.

【0038】なお、直接染料とベースフィルムとなるポ
リビニルアルコール系、ポリエン構造系では偏光膜14
の劣化はなかった。
In the case of a direct dye and a polyvinyl alcohol-based or polyene structure-based film serving as a base film, the polarizing film 14 is used.
Did not deteriorate.

【0039】その後、この偏光膜14を内在した第1の
基板11に透明電極16を低温スパッタリング法で形成
した後、酸素雰囲気中、もしくはそのまま適度のアニー
ル処理を行い透明電極16の抵抗値を下げる。
After that, a transparent electrode 16 is formed on the first substrate 11 having the polarizing film 14 therein by a low-temperature sputtering method, and an appropriate annealing treatment is performed in an oxygen atmosphere or as it is to lower the resistance value of the transparent electrode 16. .

【0040】その後、第1の基板11のフォトエッチン
グ処理を行い、透明電極16をパターニングする。その
後、配向制御膜17を形成し、配向処理を施す。
Thereafter, the first substrate 11 is subjected to a photo-etching process, and the transparent electrode 16 is patterned. After that, an alignment control film 17 is formed and an alignment process is performed.

【0041】第2の基板12も同様に透明電極16と配
向制御膜17とを形成し、配向処理を施す。
Similarly, on the second substrate 12, a transparent electrode 16 and an orientation control film 17 are formed, and an orientation process is performed.

【0042】このとき、配向制御膜17は、溶媒揮発型
のポリイミドを100℃の温度で、2時間焼成処理した
ものを用いた。
At this time, the orientation control film 17 was obtained by baking a solvent-volatile polyimide at a temperature of 100 ° C. for 2 hours.

【0043】その後、熱硬化性樹脂あるいは光感光性樹
脂の接着剤を用いて、透明電極16の周辺部にシール印
刷を行い、シール材18を形成した後、粒径1.5μm
のプラスチックビーズをギャップ材19として散布し、
第1の基板11と第2の基板12とを重ね合わせをした
後、シール材18を熱硬化もしくは光硬化させた後、反
強誘電性液晶20を注入して液晶パネルとする。
Thereafter, using a thermosetting resin or a photosensitive resin adhesive, seal printing is performed on the periphery of the transparent electrode 16 to form a seal material 18, and the particle size is 1.5 μm.
Scattered plastic beads as gap material 19,
After the first substrate 11 and the second substrate 12 are overlapped, the sealing material 18 is thermally cured or photocured, and then an antiferroelectric liquid crystal 20 is injected to form a liquid crystal panel.

【0044】このとき、加圧力は、2.0kg/cm2
以上の圧力で行い、プラスチックビーズからなるギャッ
プ材19を1.0μm以下の大きさになるように潰す。
At this time, the pressing force is 2.0 kg / cm 2
The above pressure is applied to crush the gap material 19 made of plastic beads so as to have a size of 1.0 μm or less.

【0045】その後、第1の基板11と第2の基板12
の間に注入する反強誘電性液晶20の複屈折の値(△
n)は、0.1から0.06の値のものを注入し、反射
タイプの反強誘電性液晶表示装置が得られる。
Thereafter, the first substrate 11 and the second substrate 12
The value of the birefringence of the antiferroelectric liquid crystal 20 injected between (
In the case of n), a reflection type antiferroelectric liquid crystal display device is obtained by injecting one having a value of 0.1 to 0.06.

【0046】なお、シール材18として熱硬化性の接着
剤を使用する場合は、偏光膜14の熱劣化を防止するた
め120℃以下の温度で熱硬化するものを使用する方が
望ましい。
When a thermosetting adhesive is used as the sealant 18, it is preferable to use a thermosetting adhesive at a temperature of 120 ° C. or less to prevent the polarizing film 14 from being thermally degraded.

【0047】上記構造の反強誘電性液晶パネルを信頼性
試験した結果、80℃、20日間の耐熱性試験と、65
℃−90%、20日間の耐湿性試験とは共に安定してお
り、偏光膜14の劣化もほとんどなく、リーク電流値の
異常も観察されなかった。
As a result of a reliability test of the antiferroelectric liquid crystal panel having the above structure, a heat resistance test at 80 ° C. for 20 days was performed.
Both the humidity resistance test at -90% for 20 days was stable, the polarizing film 14 hardly deteriorated, and no abnormalities in the leak current value were observed.

【0048】[0048]

【発明の効果】上記の説明で明らかなように、本発明に
よれば、反強誘電性液晶の反射タイプパネルにおいて、
大型画面でも表示画素の影ができず、かつ反射型パネル
での視野角低下が無く、良好な表示画像のパネルが得ら
れる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, in a reflection type panel of antiferroelectric liquid crystal,
Even on a large screen, there is no shadow of the display pixels, and there is no reduction in the viewing angle of the reflective panel, and a panel with good display images can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の反強誘電性液晶表示パネルの構造を示
す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a structure of an antiferroelectric liquid crystal display panel of the present invention.

【図2】本発明の反強誘電性液晶表示パネルの製造方法
を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an antiferroelectric liquid crystal display panel of the present invention.

【図3】本発明の反強誘電性液晶表示パネルの製造方法
を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an antiferroelectric liquid crystal display panel of the present invention.

【図4】本発明の反強誘電性液晶表示パネルの製造方法
を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an antiferroelectric liquid crystal display panel of the present invention.

【図5】本発明の反強誘電性液晶表示パネルの製造方法
を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an antiferroelectric liquid crystal display panel of the present invention.

【図6】本発明の反強誘電性液晶表示パネルの製造方法
を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an antiferroelectric liquid crystal display panel of the present invention.

【図7】本発明の反強誘電性液晶表示パネルの製造方法
を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an antiferroelectric liquid crystal display panel of the present invention.

【図8】従来の反強誘電性液晶表示パネルの構造を示す
断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a structure of a conventional antiferroelectric liquid crystal display panel.

【図9】反強誘電性液晶の電圧と透過率特性におけるヒ
ステリシスカーブを示すグラフである。
FIG. 9 is a graph showing a hysteresis curve in the voltage and transmittance characteristics of the antiferroelectric liquid crystal.

【図10】反強誘電性液晶表示パネルにおける電極のマ
トリックス構成を示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing a matrix configuration of electrodes in an antiferroelectric liquid crystal display panel.

【図11】反強誘電性液晶表示装置の駆動方法を示す波
形図である。
FIG. 11 is a waveform chart showing a driving method of the antiferroelectric liquid crystal display device.

【図12】反強誘電性液晶表示装置の駆動方法を示す波
形図である。
FIG. 12 is a waveform chart showing a driving method of the antiferroelectric liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 第1の基板 12 第2の基板 13 反射膜 14 偏光膜 15 樹脂膜 16 透明電極 19 ギャップ材 20 反強誘電性液晶 21 剥離板 22 入射光 23 出射光 Reference Signs List 11 first substrate 12 second substrate 13 reflective film 14 polarizing film 15 resin film 16 transparent electrode 19 gap material 20 antiferroelectric liquid crystal 21 release plate 22 incident light 23 outgoing light

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1333 505 G02F 1/13 101 G02F 1/1335 520 Continued on the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1333 505 G02F 1/13 101 G02F 1/1335 520

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 第1の基板は、表面に微小凹凸面を形成
し、反射膜を形成する工程と、前記反射膜上に樹脂膜を
設け、前記樹脂膜上に偏光膜を設け、さらに前記偏光膜
上に樹脂膜を形成する工程と、剥離板を用いて加圧と加
熱処理を行い前記樹脂膜を硬化させる工程と、透明電極
と配向制御膜とを形成する工程とを備え、 第2の基板は、透明電極と配向制御膜とを形成する工程
を備え、 さらに前記第1の基板と第2の基板との間にギャップ材
を配置し、シール材により前記第1の基板と第2の基板
とを貼り合わせる工程と、前記第1の基板と第2の基板
との間に反強誘電性液晶を注入する工程とを有すること
を特徴とする反強誘電性液晶表示パネルの製造方法。
A step of forming a fine uneven surface on a surface of the first substrate and forming a reflective film; providing a resin film on the reflective film; providing a polarizing film on the resin film; A step of forming a resin film on the polarizing film, a step of applying pressure and heat using a release plate to cure the resin film, and a step of forming a transparent electrode and an orientation control film. The method further comprises the step of forming a transparent electrode and an orientation control film, further comprising disposing a gap material between the first substrate and the second substrate; Bonding an antiferroelectric liquid crystal between the first substrate and the second substrate, and manufacturing the antiferroelectric liquid crystal display panel. .
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