JP3246769B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JP3246769B2 JP3246769B2 JP18785392A JP18785392A JP3246769B2 JP 3246769 B2 JP3246769 B2 JP 3246769B2 JP 18785392 A JP18785392 A JP 18785392A JP 18785392 A JP18785392 A JP 18785392A JP 3246769 B2 JP3246769 B2 JP 3246769B2
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- lead
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジンモールド型半導
体装置及びその製法に関し、特に、パッケージレジンモ
ールド時のパッケージ外部へのレジン流出防止技術及び
パッケージ外部リードの切断成形技術に関する。
体装置及びその製法に関し、特に、パッケージレジンモ
ールド時のパッケージ外部へのレジン流出防止技術及び
パッケージ外部リードの切断成形技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】モールドレジンを用いたパッケージ構造
では、一般に、リードフレームにペレットをペレット付
けした後、該ペレットとリードフレームをワイヤボンデ
ィング等により電気的に接続し、この後、ペレット及び
リードフレームのボンディング部を保護する目的で、パ
ッケージの外形に合せてモールドレジンで樹脂封止を行
う。モールドは、リードフレームの上下からパッケージ
外形に合せた金型を押し当て、そこに、加熱して粘度の
下がったレジンをプレス圧力により押し流す。レジン
は、一定時間経過すると、硬化し、パッケージ外形が完
成する。このレジンのモールド時に、リードの間からレ
ジンが、パッケージ外部へ流出するのを防ぐ為に、リー
ドフレームには、パッケージの外形に合せて、ダムバー
と呼ばれるレジン止めが、エッチングなどにより施して
ある。モールドパッケージの組立工程では、レジンによ
る樹脂封止の後、外部端子となるアウターリードを成形
する為に、前述のダムバーをリード巾に合せて切断す
る。このダムバーの切断により、各リード間は電気的に
隔離される。この後、アウタリード部をカリウィング状
に成形し、パッケージが完成する。
では、一般に、リードフレームにペレットをペレット付
けした後、該ペレットとリードフレームをワイヤボンデ
ィング等により電気的に接続し、この後、ペレット及び
リードフレームのボンディング部を保護する目的で、パ
ッケージの外形に合せてモールドレジンで樹脂封止を行
う。モールドは、リードフレームの上下からパッケージ
外形に合せた金型を押し当て、そこに、加熱して粘度の
下がったレジンをプレス圧力により押し流す。レジン
は、一定時間経過すると、硬化し、パッケージ外形が完
成する。このレジンのモールド時に、リードの間からレ
ジンが、パッケージ外部へ流出するのを防ぐ為に、リー
ドフレームには、パッケージの外形に合せて、ダムバー
と呼ばれるレジン止めが、エッチングなどにより施して
ある。モールドパッケージの組立工程では、レジンによ
る樹脂封止の後、外部端子となるアウターリードを成形
する為に、前述のダムバーをリード巾に合せて切断す
る。このダムバーの切断により、各リード間は電気的に
隔離される。この後、アウタリード部をカリウィング状
に成形し、パッケージが完成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、モールド樹
脂を用いたプラスチックパッケージの中で、特に、ロジ
ックやマイコンによく使用されるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆ
ｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）においては、多ピン化の要求
が多く又、パッケージサイズも制限されることから、ア
ウタリードピッチの微細化が進んでいる。現在、各半導
体装置（以下、ＬＳＩということもある）メーカでは、
アウタリードピッチ０．３mmの開発が進んでいる。この
０．３mmピッチ以下のアウタリードピッチのＱＦＰを安
定して得る為には、アウタリード部のダムバーを支障な
く切断する技術が必要である。しかし、アウタリードピ
ッチ０．３mmの場合、ダムバーの切断部は、僅かに、0
．２mm程度しかなく、これを安定して切断するのは、
困難になっている。また、さらにアウタリード部の微細
化が進むと、ダムバーの切断は、不可能になると考えら
れる。尚、このダムバーがないと、パッケージ組立工程
のモールド封止工程で、パッケージのアウタリード部
に、レジンが流出し、モールド後の組立が困難となり、
品質が低下する。本発明は、上記した従来技術の有する
問題点を解消することを目的としたものである。本発明
の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細
書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
脂を用いたプラスチックパッケージの中で、特に、ロジ
ックやマイコンによく使用されるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆ
ｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）においては、多ピン化の要求
が多く又、パッケージサイズも制限されることから、ア
ウタリードピッチの微細化が進んでいる。現在、各半導
体装置（以下、ＬＳＩということもある）メーカでは、
アウタリードピッチ０．３mmの開発が進んでいる。この
０．３mmピッチ以下のアウタリードピッチのＱＦＰを安
定して得る為には、アウタリード部のダムバーを支障な
く切断する技術が必要である。しかし、アウタリードピ
ッチ０．３mmの場合、ダムバーの切断部は、僅かに、0
．２mm程度しかなく、これを安定して切断するのは、
困難になっている。また、さらにアウタリード部の微細
化が進むと、ダムバーの切断は、不可能になると考えら
れる。尚、このダムバーがないと、パッケージ組立工程
のモールド封止工程で、パッケージのアウタリード部
に、レジンが流出し、モールド後の組立が困難となり、
品質が低下する。本発明は、上記した従来技術の有する
問題点を解消することを目的としたものである。本発明
の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細
書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。前述の目的は、リードフレームのダ
ムバーを廃止し、そのダムバーの代りに、ポリイミドテ
ープ等のテープ基材と接着層とからなる絶縁性テープを
貼付けその絶縁性テープのテープ基材と接着層の一部を
隣接するアウターリードの間隙に潜入させて隣接するア
ウターリード間の幅方向全部が前記アウターリードの厚
さ方向全体に渡って前記絶縁性テープ（テープ基材と接
着層）の一部で埋められる。製法的には、レジンモール
ド時に、モールド金型により前記絶縁性テープを押圧し
てそのテープ基材および接着層の一部をリードフレーム
の各リード間の間隙中に圧入することにより４方向それ
ぞれにおける隣接するアウターリード間の幅方向全部が
アウターリードの厚さ方向全体に渡って絶縁性テープ
（テープ基材および接着層）で埋まるようにすることに
より達成される。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。前述の目的は、リードフレームのダ
ムバーを廃止し、そのダムバーの代りに、ポリイミドテ
ープ等のテープ基材と接着層とからなる絶縁性テープを
貼付けその絶縁性テープのテープ基材と接着層の一部を
隣接するアウターリードの間隙に潜入させて隣接するア
ウターリード間の幅方向全部が前記アウターリードの厚
さ方向全体に渡って前記絶縁性テープ（テープ基材と接
着層）の一部で埋められる。製法的には、レジンモール
ド時に、モールド金型により前記絶縁性テープを押圧し
てそのテープ基材および接着層の一部をリードフレーム
の各リード間の間隙中に圧入することにより４方向それ
ぞれにおける隣接するアウターリード間の幅方向全部が
アウターリードの厚さ方向全体に渡って絶縁性テープ
（テープ基材および接着層）で埋まるようにすることに
より達成される。
【０００５】
【作用】上記手段によれば、モールド工程でのレジン流
動時に、ダムバーに代って、アウタリード部へのレジン
の流出を、このテープ及び接着層によって行う事が出来
る。テープのみを貼着する場合に比して、モールド金型
により絶縁性テープを押圧してそのテープおよび接着層
をリードフレームの各リード間の間隙中に圧入し、潜入
させる手段によれば、より一層モールド工程でのレジン
流出を効果的に行なうことができる。このテープ材は絶
縁体である為、モールド後のアウタリードの成形工程
で、リード間を切り放す必要が無く、ダムバー切断工程
が不要となる。また、リード部に切欠部を設けるととも
に、該切欠部に接着層を有する絶縁性テープを貼着する
ことにより、テープのみを貼着する場合に比して、より
一層モールド工程でのレジン流出を効果的に行なうこと
ができる。この場合も同様に、ダムバー切断工程を不要
とすることができる。
動時に、ダムバーに代って、アウタリード部へのレジン
の流出を、このテープ及び接着層によって行う事が出来
る。テープのみを貼着する場合に比して、モールド金型
により絶縁性テープを押圧してそのテープおよび接着層
をリードフレームの各リード間の間隙中に圧入し、潜入
させる手段によれば、より一層モールド工程でのレジン
流出を効果的に行なうことができる。このテープ材は絶
縁体である為、モールド後のアウタリードの成形工程
で、リード間を切り放す必要が無く、ダムバー切断工程
が不要となる。また、リード部に切欠部を設けるととも
に、該切欠部に接着層を有する絶縁性テープを貼着する
ことにより、テープのみを貼着する場合に比して、より
一層モールド工程でのレジン流出を効果的に行なうこと
ができる。この場合も同様に、ダムバー切断工程を不要
とすることができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１に一例を示すように、一般に、リ−ドフレ−
ム１は、半導体素子を含むペレット２を固着させるタブ
部３と、該タブ部３を支持しているタブ吊りリ−ド部４
と、タブ部３の周辺に複数配設された、チップ２との間
でワイヤボンディングが行われるインナ−リ−ド部５
と、樹脂封止（モ−ルド）後にパッケ−ジから外部に引
き出しされるアウタ−リ−ド部６とを備えて成ってい
る。かかるリ−ドフレ−ムを用いた半導体装置の組立
は、一般に、リ−ドフレ−ム１のタブ部３にペレット２
を固着後、ペレット２のボンディングパッド部とインナ
−リ−ド部５とをコネクタワイヤによりワイヤボンディ
ングして電気的に接続後に、樹脂モ−ルドを行い、次い
で、アウタ−リ−ド部５を折曲成形する主要工程を経て
行われている。
する。図１に一例を示すように、一般に、リ−ドフレ−
ム１は、半導体素子を含むペレット２を固着させるタブ
部３と、該タブ部３を支持しているタブ吊りリ−ド部４
と、タブ部３の周辺に複数配設された、チップ２との間
でワイヤボンディングが行われるインナ−リ−ド部５
と、樹脂封止（モ−ルド）後にパッケ−ジから外部に引
き出しされるアウタ−リ−ド部６とを備えて成ってい
る。かかるリ−ドフレ−ムを用いた半導体装置の組立
は、一般に、リ−ドフレ−ム１のタブ部３にペレット２
を固着後、ペレット２のボンディングパッド部とインナ
−リ−ド部５とをコネクタワイヤによりワイヤボンディ
ングして電気的に接続後に、樹脂モ−ルドを行い、次い
で、アウタ−リ−ド部５を折曲成形する主要工程を経て
行われている。
【０００７】本発明では、こうしたリ−ドフレ−ムにお
いて、図１（Ａ）に示すように、ダムバーに代って、絶
縁性テープ７を貼着ける。すなわち、従来のリードフレ
ームでは、モールド時にレジンがアウタリード部６に流
出する事を防止する為に、ダムバーがエッチングなどに
より施されていたのであるが、本発明では、ダムバーに
代って、絶縁性テープ７を貼着けるようにした。図１
（Ｂ）は、当該絶縁性テープ７を貼着したリードフレー
ムの当該絶縁性テープ７に沿う断面図である。当該絶縁
性テープ７は、テープ基材８と接着層９とを備えて成
る。当該絶縁性テープ７は、リードフレームにおいて、
レジンモールド時にその幅方向の一部がレジン内に入る
位置にその接着層９により貼着けられている。上記した
ワイヤボンディング後に、樹脂モ−ルドを行うのである
が、このモールド時に、図２（Ａ）に示すように、モー
ルド金型１０の上金型により、絶縁性テープ７を押圧
し、図２（Ｂ）に示すように、当該絶縁性テープ７を変
形させ、アウタリード部６の各リード間に、テープ基材
８と接着層９とを圧入させる。図２（Ａ）の符号１２で
示すモールド金型１０の上金型と下金型とで閉鎖された
キャビチ中には、加熱して粘度の下がったモールドレジ
ンが流入してくる。その際に、ダムバーに代って、アウ
タリード部６へのレジンの流出を、このテープ基材８と
接着層９によって行う事が出来る。当該レジンは、一定
時間経過すると、硬化し、パッケージ外形が完成する
が、本発明当該実施例では、当該絶縁性テープ７が当該
硬化したモールドレジン中に入る構造となる。絶縁性テ
ープ７は絶縁体である為、モールド後のアウタリード部
６の成形工程で、リード間を切り放す必要が無く、ダム
バー切断工程が不要となる。
いて、図１（Ａ）に示すように、ダムバーに代って、絶
縁性テープ７を貼着ける。すなわち、従来のリードフレ
ームでは、モールド時にレジンがアウタリード部６に流
出する事を防止する為に、ダムバーがエッチングなどに
より施されていたのであるが、本発明では、ダムバーに
代って、絶縁性テープ７を貼着けるようにした。図１
（Ｂ）は、当該絶縁性テープ７を貼着したリードフレー
ムの当該絶縁性テープ７に沿う断面図である。当該絶縁
性テープ７は、テープ基材８と接着層９とを備えて成
る。当該絶縁性テープ７は、リードフレームにおいて、
レジンモールド時にその幅方向の一部がレジン内に入る
位置にその接着層９により貼着けられている。上記した
ワイヤボンディング後に、樹脂モ−ルドを行うのである
が、このモールド時に、図２（Ａ）に示すように、モー
ルド金型１０の上金型により、絶縁性テープ７を押圧
し、図２（Ｂ）に示すように、当該絶縁性テープ７を変
形させ、アウタリード部６の各リード間に、テープ基材
８と接着層９とを圧入させる。図２（Ａ）の符号１２で
示すモールド金型１０の上金型と下金型とで閉鎖された
キャビチ中には、加熱して粘度の下がったモールドレジ
ンが流入してくる。その際に、ダムバーに代って、アウ
タリード部６へのレジンの流出を、このテープ基材８と
接着層９によって行う事が出来る。当該レジンは、一定
時間経過すると、硬化し、パッケージ外形が完成する
が、本発明当該実施例では、当該絶縁性テープ７が当該
硬化したモールドレジン中に入る構造となる。絶縁性テ
ープ７は絶縁体である為、モールド後のアウタリード部
６の成形工程で、リード間を切り放す必要が無く、ダム
バー切断工程が不要となる。
【０００８】図３に示す実施例は、絶縁性テープ７をリ
ードフレームの両面に貼着けるようにしたもので、図３
（Ａ）に示す示すように、両面の各絶縁性テープ７をモ
ールド金型１０により押圧し、図３（Ｂ）に示すよう
に、当該絶縁性テープ７を変形させ、アウタリード部６
の各リード間に、テープ基材８と接着層９とを圧入させ
る。
ードフレームの両面に貼着けるようにしたもので、図３
（Ａ）に示す示すように、両面の各絶縁性テープ７をモ
ールド金型１０により押圧し、図３（Ｂ）に示すよう
に、当該絶縁性テープ７を変形させ、アウタリード部６
の各リード間に、テープ基材８と接着層９とを圧入させ
る。
【０００９】図４にさらに他の実施例を示す。当該実施
例は、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、リードフレー
ムのアウタリード部６に切欠部（ハーフエッチで例示）
１１を施し、該ハーフエッチ１１に絶縁性テープ７を貼
着し、モールドしたものである。尚、図４にて、符号１
３はパケージ本体（樹脂封止部）である。図４（Ｃ）
は、当該モールド樹脂を用いたパッケージをプリント基
板等に実装する一態様を示したもので、パッケージと当
該基板１４との接続は、アウタリード部６を図４（Ｃ）
に示すように折り曲げて、半田付け等により電気的に接
続する。
例は、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、リードフレー
ムのアウタリード部６に切欠部（ハーフエッチで例示）
１１を施し、該ハーフエッチ１１に絶縁性テープ７を貼
着し、モールドしたものである。尚、図４にて、符号１
３はパケージ本体（樹脂封止部）である。図４（Ｃ）
は、当該モールド樹脂を用いたパッケージをプリント基
板等に実装する一態様を示したもので、パッケージと当
該基板１４との接続は、アウタリード部６を図４（Ｃ）
に示すように折り曲げて、半田付け等により電気的に接
続する。
【００１０】図５に示す実施例は、前記実施例に示すよ
うに切欠部（ハーフエッチ）１１を施した場合、この部
分の強度が弱くなる可能性があるので、ハーフエッチ１
１の下部に、補強用のテープ１５を貼着ける構造とし、
アウタリード部６の強度を補強するようにした。
うに切欠部（ハーフエッチ）１１を施した場合、この部
分の強度が弱くなる可能性があるので、ハーフエッチ１
１の下部に、補強用のテープ１５を貼着ける構造とし、
アウタリード部６の強度を補強するようにした。
【００１１】本発明で使用される絶縁性テープ７のテー
プ基材８は、例えば、ポリイミドにより構成される。接
着層９は、例えば樹脂系接着剤から成る。リ−ドフレ−
ム１は、例えばＮｉ−Ｆｅ合金により構成されている。
ペレット２は、例えばシリコン単結晶基板から成り、周
知の技術によってその内部には多数の回路素子が形成さ
れ、１つの回路機能が与えられている。回路素子の具体
例は、例えばＭＯＳトランジスタから成り、これらの回
路素子によって、例えば論理回路およびメモリの回路機
能が形成されている。モールドレジンには、例えばエポ
キシレジンが使用される。
プ基材８は、例えば、ポリイミドにより構成される。接
着層９は、例えば樹脂系接着剤から成る。リ−ドフレ−
ム１は、例えばＮｉ−Ｆｅ合金により構成されている。
ペレット２は、例えばシリコン単結晶基板から成り、周
知の技術によってその内部には多数の回路素子が形成さ
れ、１つの回路機能が与えられている。回路素子の具体
例は、例えばＭＯＳトランジスタから成り、これらの回
路素子によって、例えば論理回路およびメモリの回路機
能が形成されている。モールドレジンには、例えばエポ
キシレジンが使用される。
【００１２】以上本発明者によってなされた発明を実施
例にもとずき具体的に説明したが、本発明は上記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、
絶縁性テープ７の接着層９の厚みに凹凸を設けるように
しても良く、それによりを絶縁性テープ７を変形させず
とも前記したレジン流れを阻止できるし、また、そのレ
ジン流れの防止に著効を奏することができる。
例にもとずき具体的に説明したが、本発明は上記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、
絶縁性テープ７の接着層９の厚みに凹凸を設けるように
しても良く、それによりを絶縁性テープ７を変形させず
とも前記したレジン流れを阻止できるし、また、そのレ
ジン流れの防止に著効を奏することができる。
【００１３】
【効果】 本願において開示される発明のうち代表的な
ものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の
とおりである。本発明によれば、絶縁性テープを用いこ
の絶縁性テープを隣接するアウターリード間の幅方向全
部が前記アウターリードの厚さ方向全体に渡って前記絶
縁性テープの一部で埋められているため、モールド時の
レジンのアウタリード間への流出防止を確実に行うこと
ができる。また、テープは絶縁物である為、モールド後
に切断する必要はなくなり、微細なアウタリードピッチ
のダムバーは不要となる。従って、多ピン化が容易とな
り、かつダムバー切断工程が不要となるので、多ピンで
高性能なＱＦＰなどの樹脂封止型半導体装置を安価にか
つ安定して得るこができる。さらに、テープ幅の略半分
を前記樹脂封止部内に存在させ、その一部が前記複数の
インナーリード上に延在していることにより、これが樹
脂封止時の注入レジンに対してインナーリードを補強し
てレジン注入時のインナーリードの変形を防ぐことがで
きる。
ものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の
とおりである。本発明によれば、絶縁性テープを用いこ
の絶縁性テープを隣接するアウターリード間の幅方向全
部が前記アウターリードの厚さ方向全体に渡って前記絶
縁性テープの一部で埋められているため、モールド時の
レジンのアウタリード間への流出防止を確実に行うこと
ができる。また、テープは絶縁物である為、モールド後
に切断する必要はなくなり、微細なアウタリードピッチ
のダムバーは不要となる。従って、多ピン化が容易とな
り、かつダムバー切断工程が不要となるので、多ピンで
高性能なＱＦＰなどの樹脂封止型半導体装置を安価にか
つ安定して得るこができる。さらに、テープ幅の略半分
を前記樹脂封止部内に存在させ、その一部が前記複数の
インナーリード上に延在していることにより、これが樹
脂封止時の注入レジンに対してインナーリードを補強し
てレジン注入時のインナーリードの変形を防ぐことがで
きる。
【図１】（Ａ）は本発明の一実施例を示す一部省略平面
図、（Ｂ）は同断面図である。
図、（Ｂ）は同断面図である。
【図２】（Ａ）は本発明実施例におけるモールド時断面
図、（Ｂ）は同断面図である。
図、（Ｂ）は同断面図である。
【図３】（Ａ）は他の実施例におけるモールド時断面
図、（Ｂ）は同断面図である。
図、（Ｂ）は同断面図である。
【図４】（Ａ）はさらに他の実施例の断面図、（Ｂ）は
同平面図、（Ｃ）は実装時同断面図である。
同平面図、（Ｃ）は実装時同断面図である。
【図５】本発明のさらにまた他の実施例の断面図であ
る。
る。
１・・・リドフレーム ２・・・ペレット ３・・・タブ部 ４・・・タブ吊りリ−ド部 ５・・・インナ−リ−ド部 ６・・・アウタ−リ−ド部 ７・・・絶縁性テープ ８・・・テープ基材 ９・・・接着剤 １０・・・モールド金型 １１・・・ハーフエッチ １２・・・キャビティ １３・・・パッケージ本体 １４・・・基板 １５・・・補強用テープ
フロントページの続き (72)発明者 田中 茂樹 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株式会社日立製作所 武蔵工場内 (72)発明者 大塚 寛治 東京都青梅市今井2326番地 株式会社 日立製作所 デバイス開発センタ内 (72)発明者 鈴木 博通 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株式会社日立製作所 武蔵工場内 (72)発明者 本多 厚 東京都青梅市今井2326番地 株式会社 日立製作所 デバイス開発センタ内 (72)発明者 沖永 隆幸 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリ ング株式会社内 (72)発明者 江俣 孝司 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリ ング株式会社内 (72)発明者 小俣 誠 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリ ング株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−137237（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−28841（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/56 H01L 23/28 - 23/31
Claims (6)
- 【請求項１】平面形状が四角形の半導体ペレットを封止
する樹脂封止部と、この樹脂封止部から４方向に突出す
る複数のアウターリードと、前記アウターリードに連続
して前記樹脂封止部内に延在する複数のインナーリード
と、前記樹脂封止部内から前記樹脂封止部外に渡る幅を
有して前記４方向それぞれの複数のアウターリード上を
横切る絶縁性テープとを有し、さらに前記隣接するアウ
ターリード間の幅方向全部が前記アウターリードの厚さ
方向全体に渡って前記絶縁性テープの一部で埋められて
いることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記樹脂封止部内から前記樹脂封止部外に
渡る幅の略半分が前記樹脂封止部内に存在し、その一部
が前記複数のインナーリード上に延在していることを特
徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記絶縁性のテープは、接着層とこの接着
層に重ねられたテープ基材よりなることを特徴とする請
求項１又は２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】前記接着層は樹脂系接着剤より成り、前記
テープ基材はポリイミド系の樹脂より成ることを特徴と
する請求項３に記載の半導体装置。 - 【請求項５】前記絶縁性のテープは前記４方向それぞれ
の間では互いに連続しない複数の絶縁性テープであるこ
とを特徴とする請求項１、２、３又は４のいずれかに記
載の半導体装置。 - 【請求項６】四角形のタブとそれを取り囲む複数のイン
ナーリード部と前記インナーリード部に連続して４方向
に突出するように設けられている複数のアウターリード
部を有するリードフレームを用意する工程と、前記タブ
にペレットを固着する工程と、前記ペレットのボンディ
ングパッド部と前記インナーリードをワイヤボンディン
グにより接続する工程と、前記リードフレームに固着さ
れたペレットを一対の金型により構成されるキャビティ
内に収納する工程と、前記ペレットが収納されたキャビ
ティ内にレジンを流入して樹脂封止を行う工程と、前記
レジンによって形成された樹脂封止部を有する前記リー
ドフレームを金型から取り出し、前記アウターリード部
の成形をする工程とを有する半導体装置の製造方法にお
いて、前記リードフレームは、前記４方向それぞれにお
いて前記インナーリード部と前記アウターリード部を横
切るように設けたリードフレームに接する接着層と、前
記接着層に重なるテープ基材よりなる二層テープを有
し、前記リードフレームに固着されたペレットをキャビ
ティ内に収納する工程において、前記４方向それぞれに
おける隣接するアウターリード間の幅方向全部が前記ア
ウターリードの厚さ方向全体に渡って前記二層テープで
埋まるように、前記二層テープの一部の前記テープ基材
と接着層とを前記金型によって前記隣接するアウターリ
ード間に圧入することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18785392A JP3246769B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18785392A JP3246769B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637126A JPH0637126A (ja) | 1994-02-10 |
| JP3246769B2 true JP3246769B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=16213364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18785392A Expired - Fee Related JP3246769B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3246769B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
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- 1992-07-15 JP JP18785392A patent/JP3246769B2/ja not_active Expired - Fee Related
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