JP3228155B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体電解コンデン
サの製造方法に関し、特に固体電解質が導電性高分子で
あるコンデンサの製造方法に関する。
サの製造方法に関し、特に固体電解質が導電性高分子で
あるコンデンサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化，高速化，高周
波化，デジタル化に伴い、コンデンサにおいても高周波
領域での特性改善が求められている。
波化，デジタル化に伴い、コンデンサにおいても高周波
領域での特性改善が求められている。
【０００３】一般に、固体電解コンデンサは、タンタ
ル，アルミニウム等の弁作用を有する金属の多孔体を陽
極とし、その表面酸化皮膜を誘電体とし、順次、固体電
解質，陰極引出層，リードフレームを形成した後に樹脂
外装をしている。通常の場合、固体電解質として二酸化
マンガンが用いられているが、導電率が不十分であるた
めに高周波におけるコンデンサ特性が十分でない。
ル，アルミニウム等の弁作用を有する金属の多孔体を陽
極とし、その表面酸化皮膜を誘電体とし、順次、固体電
解質，陰極引出層，リードフレームを形成した後に樹脂
外装をしている。通常の場合、固体電解質として二酸化
マンガンが用いられているが、導電率が不十分であるた
めに高周波におけるコンデンサ特性が十分でない。
【０００４】また、固体電解質の導電率を改善した７，
７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）錯
体を用いたコンデンサが開発されている。さらに、近年
導電性高分子の開発が急速に進展し、固体電解質に導電
性高分子であるポリピロール，ポリアニリン，ポリチオ
フェンを用いたコンデンサの開発も行われている。固体
電解質に導電性高分子を用いる場合、その形成方法とし
て電解重合法と化学酸化重合法の２種類がある。
７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）錯
体を用いたコンデンサが開発されている。さらに、近年
導電性高分子の開発が急速に進展し、固体電解質に導電
性高分子であるポリピロール，ポリアニリン，ポリチオ
フェンを用いたコンデンサの開発も行われている。固体
電解質に導電性高分子を用いる場合、その形成方法とし
て電解重合法と化学酸化重合法の２種類がある。
【０００５】特開平４−９４１１０号公報（従来例１）
には化学酸化重合で導電性高分子、特にポリピロールを
形成する方法が、また特開平５−６２８６３号公報（従
来例２）にはポリアニリンを化学酸化重合と電解酸化重
合の組み合わせで形成する方法がそれぞれ開示されてい
る。
には化学酸化重合で導電性高分子、特にポリピロールを
形成する方法が、また特開平５−６２８６３号公報（従
来例２）にはポリアニリンを化学酸化重合と電解酸化重
合の組み合わせで形成する方法がそれぞれ開示されてい
る。
【０００６】上述した従来例１では、図３または図４に
示すような２種類の工程からなる電解質形成工程を開示
している。すなわち図３に示す、誘電体形成アルミ箔へ
の酸化剤溶液含浸（ステップ７），乾燥（ステップ
８），ピロール蒸気との接触（ステップ９），洗浄（ス
テップ１０），乾燥（ステップ１１）からなる工程と、
図４に示す、誘電体形成アルミ箔への酸化剤溶液含浸
（ステップ１２），ピロール水溶液に浸漬（ステップ１
３），洗浄（ステップ１４），乾燥（ステップ１５）か
らなる工程との２種類である。
示すような２種類の工程からなる電解質形成工程を開示
している。すなわち図３に示す、誘電体形成アルミ箔へ
の酸化剤溶液含浸（ステップ７），乾燥（ステップ
８），ピロール蒸気との接触（ステップ９），洗浄（ス
テップ１０），乾燥（ステップ１１）からなる工程と、
図４に示す、誘電体形成アルミ箔への酸化剤溶液含浸
（ステップ１２），ピロール水溶液に浸漬（ステップ１
３），洗浄（ステップ１４），乾燥（ステップ１５）か
らなる工程との２種類である。
【０００７】従来例１において、ステップ７またはステ
ップ１２で用いる酸化剤の粘度は、生産効率を考慮して
粘度が低い１００ｃｐ未満にすることを特徴としてお
り、酸化剤には、ドデシルベンゼンスルホン酸鉄（ＩＩ
Ｉ）メタノール溶液を使用している。
ップ１２で用いる酸化剤の粘度は、生産効率を考慮して
粘度が低い１００ｃｐ未満にすることを特徴としてお
り、酸化剤には、ドデシルベンゼンスルホン酸鉄（ＩＩ
Ｉ）メタノール溶液を使用している。
【０００８】また従来例２に開示されている電解質形成
工程の内、化学酸化重合の工程を図５に示す。すなわ
ち、誘電体形成エッチドアルミニウム箔への脱ドープさ
れたポリアニリン溶液への浸漬（ステップ１６），ナフ
タレンスルホン酸ブタノール溶液への浸漬（ステップ１
７），乾燥（ステップ１８）からなる工程である。
工程の内、化学酸化重合の工程を図５に示す。すなわ
ち、誘電体形成エッチドアルミニウム箔への脱ドープさ
れたポリアニリン溶液への浸漬（ステップ１６），ナフ
タレンスルホン酸ブタノール溶液への浸漬（ステップ１
７），乾燥（ステップ１８）からなる工程である。
【０００９】従来例２では、ステップ１６で用いられる
脱ドープされたポリアニリン溶液の固有粘度が０．３ｇ
／１００ｍｌ以上０．４ｇ／１００ｍｌ未満であること
を特徴としているが、本工法は、化学酸化重合を行った
後に電解重合を行うことを特徴としており、また、脱ド
ープされたポリアニリン溶液の固有粘度を規定してい
る。
脱ドープされたポリアニリン溶液の固有粘度が０．３ｇ
／１００ｍｌ以上０．４ｇ／１００ｍｌ未満であること
を特徴としているが、本工法は、化学酸化重合を行った
後に電解重合を行うことを特徴としており、また、脱ド
ープされたポリアニリン溶液の固有粘度を規定してい
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来例１における第１
の問題点は、酸化剤に常温常圧乾燥後では粘性のある物
質となることで、酸化剤の粘度を下げなければ容量出現
率が上がらないことにある。その理由は、誘電体形成ア
ルミ箔への酸化剤溶液含浸した（ステップ７）後、酸化
剤を乾燥（ステップ８）した際に多孔体の表面に粘性の
高い酸化剤の塗膜が形成されており、多孔体の表面に存
在する空孔入口を塞いでしまい、その後ピロールと接触
させ（ステップ９）ことで形成されたポリピロールが多
孔体の表面に存在する空孔入口を塞いでしまうためであ
る。その結果、ステップ７〜ステップ９の工程を繰り返
し行っても、多孔体内部には酸化剤溶液が浸透せず、す
なわちポリピロールが多孔体の内部に形成されず、容量
出現率が上がらないためである。
の問題点は、酸化剤に常温常圧乾燥後では粘性のある物
質となることで、酸化剤の粘度を下げなければ容量出現
率が上がらないことにある。その理由は、誘電体形成ア
ルミ箔への酸化剤溶液含浸した（ステップ７）後、酸化
剤を乾燥（ステップ８）した際に多孔体の表面に粘性の
高い酸化剤の塗膜が形成されており、多孔体の表面に存
在する空孔入口を塞いでしまい、その後ピロールと接触
させ（ステップ９）ことで形成されたポリピロールが多
孔体の表面に存在する空孔入口を塞いでしまうためであ
る。その結果、ステップ７〜ステップ９の工程を繰り返
し行っても、多孔体内部には酸化剤溶液が浸透せず、す
なわちポリピロールが多孔体の内部に形成されず、容量
出現率が上がらないためである。
【００１１】また第２の問題点は、粘度を低くすること
により、１回あたりの固体電解質の形成量が減少するこ
とにある。このことは、重合回数を増やさなくては十分
な固体電解質層が形成されないことに反映する。その理
由は、酸化剤溶液の粘度を低下させることは濃度が低下
することであり、そのことにより単量体であるピロール
を酸化する能力が低下し、重合１回あたり形成されるポ
リピロール量が少なくなるためである。
により、１回あたりの固体電解質の形成量が減少するこ
とにある。このことは、重合回数を増やさなくては十分
な固体電解質層が形成されないことに反映する。その理
由は、酸化剤溶液の粘度を低下させることは濃度が低下
することであり、そのことにより単量体であるピロール
を酸化する能力が低下し、重合１回あたり形成されるポ
リピロール量が少なくなるためである。
【００１２】また従来例２は、化学酸化重合を行った後
に電解重合を行うものであり、この方法では、従来例１
の問題点を解決することは不可能である。
に電解重合を行うものであり、この方法では、従来例１
の問題点を解決することは不可能である。
【００１３】したがって、少ない重合回数でコンデンサ
特性が得られ、かつ酸化剤溶液の粘度が高いにも拘ら
ず、容量出現率を高めることが求められている。
特性が得られ、かつ酸化剤溶液の粘度が高いにも拘ら
ず、容量出現率を高めることが求められている。
【００１４】本発明の目的は、導電性高分子を用いた固
体電解コンデンサの固体電解質を形成する際に使用する
酸化剤溶液の粘度を上昇させることにより、単量体の酸
化効率を上げ、このことにより、酸化剤溶液と単量体と
の浸漬の繰り返し回数を少なくしても、従来と同等以上
の特性を出現させる固体電解コンデンサの製造方法を提
供することにある。
体電解コンデンサの固体電解質を形成する際に使用する
酸化剤溶液の粘度を上昇させることにより、単量体の酸
化効率を上げ、このことにより、酸化剤溶液と単量体と
の浸漬の繰り返し回数を少なくしても、従来と同等以上
の特性を出現させる固体電解コンデンサの製造方法を提
供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】 前記目的を達成するた
め、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、固
体電解質形成工程を有する固体電解コンデンサの製造方
法であって、固体電解質は、陽極と陰極との間に介装さ
れる導電性高分子層であり、固体電解質形成工程は、弁
作用を有する金属上に誘電体酸化皮膜を形成した陽極体
に、酸化剤溶液と単量体とを交互に繰り返して付着させ
る処理であり、さらに導電性高分子層の形成時に粘度が
１００ｃｐを越え５００ｃｐ以下の酸化剤溶液を用い、
該酸化剤が芳香族スルホン酸の金属塩であり、芳香族ス
ルホン酸及び酸化剤である芳香族スルホン酸の金属塩が
いずれも常温常圧で固体である。
め、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、固
体電解質形成工程を有する固体電解コンデンサの製造方
法であって、固体電解質は、陽極と陰極との間に介装さ
れる導電性高分子層であり、固体電解質形成工程は、弁
作用を有する金属上に誘電体酸化皮膜を形成した陽極体
に、酸化剤溶液と単量体とを交互に繰り返して付着させ
る処理であり、さらに導電性高分子層の形成時に粘度が
１００ｃｐを越え５００ｃｐ以下の酸化剤溶液を用い、
該酸化剤が芳香族スルホン酸の金属塩であり、芳香族ス
ルホン酸及び酸化剤である芳香族スルホン酸の金属塩が
いずれも常温常圧で固体である。
【００１６】
【００１７】また前記単量体は、ピロール，チオフェン
またはそれらの誘導体である。
またはそれらの誘導体である。
【００１８】
【作用】固体電解質である導電性高分子を形成する際
に、本発明の酸化剤、すなわち、酸化剤が芳香族スルホ
ン酸の金属塩であり、かつ、その芳香族スルホン酸およ
びその金属塩が常温常圧で固体であるような酸化剤溶液
を１００ｃｐ以上５００ｃｐ以下で使用することによ
り、多孔体の内部まで導電性高分子を形成することがで
きる。また、酸化剤粘度すなわち酸化剤濃度が高いた
め、単量体の重合効率がよく、少ない回数で導電性高分
子層を形成することができる。
に、本発明の酸化剤、すなわち、酸化剤が芳香族スルホ
ン酸の金属塩であり、かつ、その芳香族スルホン酸およ
びその金属塩が常温常圧で固体であるような酸化剤溶液
を１００ｃｐ以上５００ｃｐ以下で使用することによ
り、多孔体の内部まで導電性高分子を形成することがで
きる。また、酸化剤粘度すなわち酸化剤濃度が高いた
め、単量体の重合効率がよく、少ない回数で導電性高分
子層を形成することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００２０】図２に示すように本発明に係る固体電解コ
ンデンサは、陽極体２と、固体電解質４と、陽極１と、
陰極９ａとを少なくとも有している。
ンデンサは、陽極体２と、固体電解質４と、陽極１と、
陰極９ａとを少なくとも有している。
【００２１】陽極体２は、弁作用を有する金属上に誘電
体酸化皮膜３を形成したものであって、陽極となるもの
であり、陽極体２には、陽極リード線１が接続されてい
る。実施形態では、弁作用を有する金属として、多孔体
タンタル焼結体（空孔率６７％）を用いている。
体酸化皮膜３を形成したものであって、陽極となるもの
であり、陽極体２には、陽極リード線１が接続されてい
る。実施形態では、弁作用を有する金属として、多孔体
タンタル焼結体（空孔率６７％）を用いている。
【００２２】固体電解質４は、陽極体（陽極）２と陰極
（陰極リード端子９の内端）９ａとの間に形成される導
電性高分子層からなっている。導電性高分子層４は、陽
極体２の誘電体酸化皮膜３を覆って形成されており、導
電性高分子層４上には、グラファイト層５，銀ペースト
層６が積層されている。そして、これらは、エポキシ樹
脂１０内に埋設され、気密封止されている。
（陰極リード端子９の内端）９ａとの間に形成される導
電性高分子層からなっている。導電性高分子層４は、陽
極体２の誘電体酸化皮膜３を覆って形成されており、導
電性高分子層４上には、グラファイト層５，銀ペースト
層６が積層されている。そして、これらは、エポキシ樹
脂１０内に埋設され、気密封止されている。
【００２３】また陽極リード線１には、陽極リード端子
８が抵抗溶接により結合され、陽極リード端子８は、エ
ポキシ樹脂１０外に引き出して設けてある。
８が抵抗溶接により結合され、陽極リード端子８は、エ
ポキシ樹脂１０外に引き出して設けてある。
【００２４】また陰極をなす陰極リード端子９の内端９
ａは、銀ペースト層６に導電性接着剤７を介して結合さ
れており、陰極リード端子９の外端は、エポキシ樹脂１
０外に引き出して設けられている。
ａは、銀ペースト層６に導電性接着剤７を介して結合さ
れており、陰極リード端子９の外端は、エポキシ樹脂１
０外に引き出して設けられている。
【００２５】次に、本発明の実施形態における導電性高
分子層の形成工程を図１を用いて説明する。
分子層の形成工程を図１を用いて説明する。
【００２６】反応液として、酸化剤溶液及び単量体を使
用する。また、陽極体として、陽極リード線１が植立さ
れた一辺が１ｍｍの多孔体タンタル焼結体２（空孔率６
７％）の表面に、リン酸水溶液に１５Ｖを付加して陽極
酸化を行い、焼結体２の表面に誘電体酸化皮膜３を形成
する。これを陽極体２として用い、導電性高分子層の形
成を行う。
用する。また、陽極体として、陽極リード線１が植立さ
れた一辺が１ｍｍの多孔体タンタル焼結体２（空孔率６
７％）の表面に、リン酸水溶液に１５Ｖを付加して陽極
酸化を行い、焼結体２の表面に誘電体酸化皮膜３を形成
する。これを陽極体２として用い、導電性高分子層の形
成を行う。
【００２７】まずステップ１において、誘電体酸化皮膜
３が形成されたタンタル焼結体２を酸化剤溶液中に浸漬
し、ステップ２において、タンタル焼結体２を酸化剤溶
液から引き上げて常温常圧で乾燥させる。
３が形成されたタンタル焼結体２を酸化剤溶液中に浸漬
し、ステップ２において、タンタル焼結体２を酸化剤溶
液から引き上げて常温常圧で乾燥させる。
【００２８】次に酸化剤乾燥後、ステップ３において、
タンタル焼結体２を単量体に浸漬し、ステップ４におい
て、タンタル焼結体２を単量体から引き上げ、常温常圧
で重合を行う。
タンタル焼結体２を単量体に浸漬し、ステップ４におい
て、タンタル焼結体２を単量体から引き上げ、常温常圧
で重合を行う。
【００２９】次に重合完了後、ステップ５において、タ
ンタル焼結体２をメタノール中で洗浄し、その後ステッ
プ６において、タンタル焼結体２を乾燥させる。
ンタル焼結体２をメタノール中で洗浄し、その後ステッ
プ６において、タンタル焼結体２を乾燥させる。
【００３０】以上のステップ１からステップ６までの処
理を数回繰り返して導電性高分子層４を形成する。
理を数回繰り返して導電性高分子層４を形成する。
【００３１】前記酸化剤としては、芳香族スルホン酸の
金属塩の溶液を用いる。その芳香族スルホン酸及びその
金属塩は、常温常圧で固体である。また前記単量体とし
ては、ピロール，チオフェンまたはそれらの誘導体を用
いる。
金属塩の溶液を用いる。その芳香族スルホン酸及びその
金属塩は、常温常圧で固体である。また前記単量体とし
ては、ピロール，チオフェンまたはそれらの誘導体を用
いる。
【００３２】さらに導電性高分子層４の形成時には、粘
度が１００ｃｐ以上５００ｃｐ以下の酸化剤を用いる。
度が１００ｃｐ以上５００ｃｐ以下の酸化剤を用いる。
【００３３】
【実施例１】以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１では、反応液としての酸化剤溶液として、粘度
が２００ｃｐのｐ−トルエンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）ブ
タノール溶液を用い、単量体としてはピロールを使用し
た。誘電体酸化皮膜３が形成されたタンタル焼結体２を
ｐ−トルエンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）ブタノール溶液の
酸化剤溶液に浸漬した（ステップ１）後、常温常圧で乾
燥した（ステップ２）。酸化剤乾燥後、引き続き単量体
であるピロールに浸漬し（ステップ３）、常温常圧で重
合（ステップ４）を行った。重合完了後、メタノール中
で洗浄し（ステップ５）、その後に乾燥（ステップ６）
を行った。ステップ１からステップ６を６回繰り返して
コンデンサ素子を得た。このコンデンサ素子を樹脂外装
し、特性（１ｋＨｚの静電容量値と誘電正接値、１００
ｋＨｚの等価直列抵抗値）を測定したところ、表１のよ
うな結果を得た。
実施例１では、反応液としての酸化剤溶液として、粘度
が２００ｃｐのｐ−トルエンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）ブ
タノール溶液を用い、単量体としてはピロールを使用し
た。誘電体酸化皮膜３が形成されたタンタル焼結体２を
ｐ−トルエンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）ブタノール溶液の
酸化剤溶液に浸漬した（ステップ１）後、常温常圧で乾
燥した（ステップ２）。酸化剤乾燥後、引き続き単量体
であるピロールに浸漬し（ステップ３）、常温常圧で重
合（ステップ４）を行った。重合完了後、メタノール中
で洗浄し（ステップ５）、その後に乾燥（ステップ６）
を行った。ステップ１からステップ６を６回繰り返して
コンデンサ素子を得た。このコンデンサ素子を樹脂外装
し、特性（１ｋＨｚの静電容量値と誘電正接値、１００
ｋＨｚの等価直列抵抗値）を測定したところ、表１のよ
うな結果を得た。
【００３４】
【実施例２】実施例１の酸化剤溶液の粘度を３５０ｃｐ
にし、実施例１と同様にステップ１からステップ６の重
合プロセスを繰り返し行った。繰り返し回数を４回とし
固体電解コンデンサを作製したところ、実施例１とほぼ
同等の特性が得られた。結果を表１に示す。
にし、実施例１と同様にステップ１からステップ６の重
合プロセスを繰り返し行った。繰り返し回数を４回とし
固体電解コンデンサを作製したところ、実施例１とほぼ
同等の特性が得られた。結果を表１に示す。
【００３５】
【実施例３】実施例１の酸化剤溶液の粘度を５００ｃｐ
にし、実施例１と同様にステップ１からステップ６の重
合プロセスを繰り返し行った。繰り返し回数を３回とし
固体電解コンデンサを作製したところ、実施例１とほぼ
同等の特性が得られた。測定したコンデンサ特性を表１
に示す。
にし、実施例１と同様にステップ１からステップ６の重
合プロセスを繰り返し行った。繰り返し回数を３回とし
固体電解コンデンサを作製したところ、実施例１とほぼ
同等の特性が得られた。測定したコンデンサ特性を表１
に示す。
【００３６】
【実施例４】実施例１の単量体を３，４−ジメチルチオ
フェンに変更した以外は実施例１と同様にして固体電解
コンデンサを作製した。その結果、実施例１とほぼ同等
のコンデンサが得られた。結果を表１に示す。
フェンに変更した以外は実施例１と同様にして固体電解
コンデンサを作製した。その結果、実施例１とほぼ同等
のコンデンサが得られた。結果を表１に示す。
【００３７】
【実施例５】実施例１の単量体を３，４−ジメチルチオ
フェンに、酸化剤溶液の粘度を４００ｃｐに変更し、ス
テップ１からステップ６の重合プロセスを繰り返し行っ
た。繰り返し回数を３回とし固体電解コンデンサを作製
したところ、実施例１とほぼ同等の特性が得られた。結
果を表１に示す。
フェンに、酸化剤溶液の粘度を４００ｃｐに変更し、ス
テップ１からステップ６の重合プロセスを繰り返し行っ
た。繰り返し回数を３回とし固体電解コンデンサを作製
したところ、実施例１とほぼ同等の特性が得られた。結
果を表１に示す。
【００３８】
【実施例６】実施例１の酸化剤溶液の粘度を３５０ｃｐ
のナフタレンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）メタノール溶液、
単量体を３，４−ジメチルチオフェンに変更し、ステッ
プ１からステップ６の重合プロセスを繰り返し行った。
繰り返し回数を４回とし固体電解コンデンサを作製した
ところ、実施例１とほぼ同等の特性が得られた。結果を
表１に示す。
のナフタレンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）メタノール溶液、
単量体を３，４−ジメチルチオフェンに変更し、ステッ
プ１からステップ６の重合プロセスを繰り返し行った。
繰り返し回数を４回とし固体電解コンデンサを作製した
ところ、実施例１とほぼ同等の特性が得られた。結果を
表１に示す。
【００３９】
【比較例１】本比較例においては、従来例１で用いられ
ている酸化剤溶液を用いた。すなわち、実施例１の酸化
剤溶液を５０ｃｐのドデシルベンゼンスルホン酸鉄（Ｉ
ＩＩ）メタノール溶液，単量体をピロールとし、ステッ
プ１からステップ６の重合プロセスを繰り返し行った。
繰り返し回数を８回とし固体電解コンデンサを作製した
ところ、実施例１の特性と比較すると、静電容量が低
く、等価直列抵抗値が大きくなった。結果を表１に示
す。
ている酸化剤溶液を用いた。すなわち、実施例１の酸化
剤溶液を５０ｃｐのドデシルベンゼンスルホン酸鉄（Ｉ
ＩＩ）メタノール溶液，単量体をピロールとし、ステッ
プ１からステップ６の重合プロセスを繰り返し行った。
繰り返し回数を８回とし固体電解コンデンサを作製した
ところ、実施例１の特性と比較すると、静電容量が低
く、等価直列抵抗値が大きくなった。結果を表１に示
す。
【００４０】
【表１】 ただし、Ｃａｐは１ｋＨｚの静電容量値，ｔａｎδは１
ｋＨｚの誘電正接値，ＥＳＲは１００ｋＨｚの等価直列
抵抗値を示す。
ｋＨｚの誘電正接値，ＥＳＲは１００ｋＨｚの等価直列
抵抗値を示す。
【００４１】以上の結果から、反応液としての酸化剤溶
液の粘度を１００ｃｐ以上５００ｃｐ以下に最適化する
ことにより、コンデンサの容量を上昇させ、かつ導電性
高分子層形成工程での繰り返し回数を減らすことができ
る。
液の粘度を１００ｃｐ以上５００ｃｐ以下に最適化する
ことにより、コンデンサの容量を上昇させ、かつ導電性
高分子層形成工程での繰り返し回数を減らすことができ
る。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、導
電性高分子層形成の際に少ない重合回数でコンデンサ特
性を得ることができる。その理由は、高粘度・高濃度の
酸化剤溶液を使用して単量体を効率よく重合させること
が可能となり、一回の重合量を多くすることができるた
めである。
電性高分子層形成の際に少ない重合回数でコンデンサ特
性を得ることができる。その理由は、高粘度・高濃度の
酸化剤溶液を使用して単量体を効率よく重合させること
が可能となり、一回の重合量を多くすることができるた
めである。
【００４３】さらに、酸化剤溶液の粘度が高いにも拘ら
ず容量出現率を高めることができる。その理由は、酸化
剤の乾燥状態が固体であるため多孔体表面すなわち空孔
入口を塞ぐことがなく、２回目以降の重合工程でも多孔
体内部まで酸化剤が到達するためである。
ず容量出現率を高めることができる。その理由は、酸化
剤の乾燥状態が固体であるため多孔体表面すなわち空孔
入口を塞ぐことがなく、２回目以降の重合工程でも多孔
体内部まで酸化剤が到達するためである。
【図１】本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法に
おける導電性高分子層形成工程を示す図である。
おける導電性高分子層形成工程を示す図である。
【図２】本発明に係る固体電解コンデンサを示す断面図
である。
である。
【図３】従来例１の導電性高分子層形成工程を示す図で
ある。
ある。
【図４】従来例１の導電性高分子層形成工程を示す図で
ある。
ある。
【図５】従来例２の導電性高分子層形成工程を示す図で
ある。
ある。
１ 陽極リード線 ２ 多孔体タンタル焼結体 ３ 誘電体酸化皮膜 ４ 導電性高分子層 ５ グラファイト層 ６ 銀ペースト層 ７ 導電性接着剤 ８ 陽極リード端子 ９ 陰極リード端子 １０ エポキシ樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−94110（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 9/028
Claims (2)
- 【請求項１】 固体電解質形成工程を有する固体電解コ
ンデンサの製造方法であって、 固体電解質は、陽極と陰極との間に介装される導電性高
分子層であり、 固体電解質形成工程は、弁作用を有する金属上に誘電体
酸化皮膜を形成した陽極体に、酸化剤溶液と単量体とを
交互に繰り返して付着させる処理であり、 さらに導電性高分子層の形成時に粘度が１００ｃｐを越
え５００ｃｐ以下の酸化剤溶液を用い、該酸化剤が芳香
族スルホン酸の金属塩であり、芳香族スルホン酸及び酸
化剤である芳香族スルホン酸の金属塩がいずれも常温常
圧で固体であることを特徴とする固体電解コンデンサの
製造方法。 - 【請求項２】 前記単量体は、ピロール，チオフェンま
たはそれらの誘導体であることを特徴とする請求項１に
記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30931696A JP3228155B2 (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| EP97120386A EP0844630B1 (en) | 1996-11-20 | 1997-11-20 | Fabrication method of solid electrolytic capacitor |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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ID=17991558
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30931696A Expired - Fee Related JP3228155B2 (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| ATE429705T1 (de) * | 1997-11-28 | 2009-05-15 | Showa Denko Kk | Elektrolytkondensator und dessen herstellungsverfahren |
| JP2000235937A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| US6287630B1 (en) * | 1999-05-14 | 2001-09-11 | Pacesetter, Inc. | Polymer electrolyte with enhanced impregnation |
| US6517892B1 (en) | 1999-05-24 | 2003-02-11 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
| JP2001044080A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Nec Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| US6468317B1 (en) | 2000-01-06 | 2002-10-22 | Pacesetter, Inc. | Method for improved impregnation of electrolytic capacitors with a polymer based electrolyte |
| US6334966B1 (en) * | 2000-11-06 | 2002-01-01 | Kemet Electronics Corporation | Chemical oxidative preparation of conductive polymers |
| KR20040048570A (ko) * | 2002-12-04 | 2004-06-10 | 파츠닉(주) | 탄탈륨 고체전해질 조성물 |
| JP4507500B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2010-07-21 | パナソニック株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
| DE102005043828A1 (de) * | 2005-09-13 | 2007-03-22 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
| DE102005043829A1 (de) * | 2005-09-13 | 2007-04-05 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung |
| US20070171596A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Chacko Antony P | Electrode compositions containing carbon nanotubes for solid electrolyte capacitors |
| DE102006014579A1 (de) * | 2006-03-29 | 2007-10-04 | Epcos Ag | Verfahren zur Reinigung einer Monomer-Lösung und Herstellungsverfahren für ein elektrisches Bauelement umfassend das Reinigungsverfahren |
| KR100833888B1 (ko) * | 2006-10-18 | 2008-06-02 | 주식회사 디지털텍 | 저항감소를 위한 알루미늄 고분자 콘덴서 제조방법 |
| US7554793B2 (en) * | 2006-11-16 | 2009-06-30 | Kemet Electronics Corporation | Low temperature curable conductive adhesive and capacitors formed thereby |
| DE102007048212A1 (de) * | 2007-10-08 | 2009-04-09 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Zwischenschicht |
| US7760488B2 (en) * | 2008-01-22 | 2010-07-20 | Avx Corporation | Sintered anode pellet treated with a surfactant for use in an electrolytic capacitor |
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| JPH0494110A (ja) * | 1990-08-09 | 1992-03-26 | Kao Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
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