JP3215487B2 - 誘導結合プラズマ質量分析装置 - Google Patents
誘導結合プラズマ質量分析装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/10—Ion sources; Ion guns
- H01J49/105—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation, Inductively Coupled Plasma [ICP]
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘導結合プラズマ質量
分析装置（ＩＣＰ−ＭＳと呼ぶ）に関し、特に誘導結合
プラズマ（ＩＣＰと呼ぶ）のプラズマ電位を制御するこ
とにより、イオン化率や妨害イオンレベルを最良な状態
にして元素分析をできるようにしたものである。
分析装置（ＩＣＰ−ＭＳと呼ぶ）に関し、特に誘導結合
プラズマ（ＩＣＰと呼ぶ）のプラズマ電位を制御するこ
とにより、イオン化率や妨害イオンレベルを最良な状態
にして元素分析をできるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術は、例えば「ＩＣＰ発光分析
の基礎と応用」（原口著：講談社サイエンティフィク）
の１３から１９ページおよび９９から１０４ページに開
示されている。図２に従来技術の本発明と比較する部分
を示す。図２において、１はプラズマトーチ、２は高周
波コイル、３はガスコントロールユニット、４はネブラ
イザー、５は試料溶液、６はスプレーチャンバー、７は
サンプリングオリフィス、８は分析管、９はＩＣＰであ
る。プラズマトーチ１には、ガスコントロールユニット
３からプラズマを構成するガス（例えばアルゴン）が供
給される。試料溶液５は、ネブライザー４でガスコント
ロールユニット３からのガスと合流し、スプレーチャン
バー６内に霧状に噴霧される。この霧粒は、スプレーチ
ャンバー６で分級されて一定の粒径以下のものがプラズ
マトーチ１に輸送される。高周波コイル２には、高周波
電源及びマッチング回路（共に図示せず）により２７．
１２ＭＨｚ（或は４０ＭＨｚ）の高周波電力が印加され
る。ＩＣＰ９は、この高周波電力によて生ずる交番磁場
と誘導結合して維持される。ＩＣＰ９の先には、先端に
サンプリングオリフィス７と呼ばれる径１ｍｍ程度の孔
を持つ真空ポンプ（図示せず）で排気された分析管８が
配置されている。霧状の試料溶液は、ＩＣＰ９内でイオ
ン化されて分析管８内に導入される。分析管８内では、
イオンは質量フィルター（例えば四重極質量分析装置：
図示せず）で質量分離され、検出器（例えばチャンネル
トロン：図示せず）で検出される。試料溶液中の微量不
純物元素は、検出されたイオンの質量および強度から、
同定及び定量される。
の基礎と応用」（原口著：講談社サイエンティフィク）
の１３から１９ページおよび９９から１０４ページに開
示されている。図２に従来技術の本発明と比較する部分
を示す。図２において、１はプラズマトーチ、２は高周
波コイル、３はガスコントロールユニット、４はネブラ
イザー、５は試料溶液、６はスプレーチャンバー、７は
サンプリングオリフィス、８は分析管、９はＩＣＰであ
る。プラズマトーチ１には、ガスコントロールユニット
３からプラズマを構成するガス（例えばアルゴン）が供
給される。試料溶液５は、ネブライザー４でガスコント
ロールユニット３からのガスと合流し、スプレーチャン
バー６内に霧状に噴霧される。この霧粒は、スプレーチ
ャンバー６で分級されて一定の粒径以下のものがプラズ
マトーチ１に輸送される。高周波コイル２には、高周波
電源及びマッチング回路（共に図示せず）により２７．
１２ＭＨｚ（或は４０ＭＨｚ）の高周波電力が印加され
る。ＩＣＰ９は、この高周波電力によて生ずる交番磁場
と誘導結合して維持される。ＩＣＰ９の先には、先端に
サンプリングオリフィス７と呼ばれる径１ｍｍ程度の孔
を持つ真空ポンプ（図示せず）で排気された分析管８が
配置されている。霧状の試料溶液は、ＩＣＰ９内でイオ
ン化されて分析管８内に導入される。分析管８内では、
イオンは質量フィルター（例えば四重極質量分析装置：
図示せず）で質量分離され、検出器（例えばチャンネル
トロン：図示せず）で検出される。試料溶液中の微量不
純物元素は、検出されたイオンの質量および強度から、
同定及び定量される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＩＣＰへの試料導入方
法は、図２に示したようなネブライザーを用いた試料噴
霧法以外にも、「ＩＣＰ発光分析の基礎と応用」（原口
著：講談社サイエンティフィク）の６１から７２ページ
に開示されているように、電熱的加熱導入法や超音波ネ
ブライザー法等種々がある。従来技術では、ＩＣＰのプ
ラズマ電位を制御する手段がなかったため、ＩＣＰのプ
ラズマ電位は導入される試料の状態によって変化してい
た。また高周波コイルの接地位置によっても、ＩＣＰの
プラズマ電位は変化した。ＩＣＰのプラズマ電位が高い
と、検出すべき試料溶液中不純物元素の２価イオンや、
サンプリングオリフィスの構成材イオンが、妨害イオン
として生成する。またＩＣＰのプラズマ電位が低すぎる
と、イオン化率が低減して検出感度が低下する元素（ヨ
ウ素や臭素等のイオン化ポテンシャルの高い元素）があ
る。さらに検出すべき不純物元素の酸化物イオンや、プ
ラズマの構成ガスや試料の溶媒に起因する妨害イオン
（鉄と干渉するＡｒＯ、セレンと干渉するＡｒＡｒ等）
の生成もＩＣＰのプラズマ電位に影響される。従来技術
ではＩＣＰのプラズマ電位を制御できないために、妨害
イオンや感度の制御ができなかった。
法は、図２に示したようなネブライザーを用いた試料噴
霧法以外にも、「ＩＣＰ発光分析の基礎と応用」（原口
著：講談社サイエンティフィク）の６１から７２ページ
に開示されているように、電熱的加熱導入法や超音波ネ
ブライザー法等種々がある。従来技術では、ＩＣＰのプ
ラズマ電位を制御する手段がなかったため、ＩＣＰのプ
ラズマ電位は導入される試料の状態によって変化してい
た。また高周波コイルの接地位置によっても、ＩＣＰの
プラズマ電位は変化した。ＩＣＰのプラズマ電位が高い
と、検出すべき試料溶液中不純物元素の２価イオンや、
サンプリングオリフィスの構成材イオンが、妨害イオン
として生成する。またＩＣＰのプラズマ電位が低すぎる
と、イオン化率が低減して検出感度が低下する元素（ヨ
ウ素や臭素等のイオン化ポテンシャルの高い元素）があ
る。さらに検出すべき不純物元素の酸化物イオンや、プ
ラズマの構成ガスや試料の溶媒に起因する妨害イオン
（鉄と干渉するＡｒＯ、セレンと干渉するＡｒＡｒ等）
の生成もＩＣＰのプラズマ電位に影響される。従来技術
ではＩＣＰのプラズマ電位を制御できないために、妨害
イオンや感度の制御ができなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の解決す
べき課題に対して行われたもので、誘導結合プラズマを
用いて試料溶液中の不純物元素の同定および定量をする
目的で、前記誘導結合プラズマを維持するためのプラズ
マトーチおよび高周波コイルと、前記プラズマトーチに
プラズマ化させるガスを供給するガスコントロールユニ
ットと、前記高周波コイルに高周波電力を印加する高周
波電源と、前記高周波電源と誘導結合プラズマとの間の
整合をとるマッチング回路と、前記誘導結合プラズマで
イオン化された前記不純物元素を真空中に導入して質量
分離した後に検出する分析管からなる誘導結合プラズマ
質量分析装置において、前記プラズマトーチと高周波コ
イルとの間に金属製のシールド板を挿入し、かつ前記シ
ールド板とアースとの間を可変コンデンサーを介して接
続するとともに、前記高周波コイルと前記シールド板の
間に両者の接触を防ぐ絶縁材を配置することにより、前
記誘導結合プラズマのプラズマ電位を制御できるように
したことを特徴とする誘導結合プラズマ質量分析装置で
ある。
べき課題に対して行われたもので、誘導結合プラズマを
用いて試料溶液中の不純物元素の同定および定量をする
目的で、前記誘導結合プラズマを維持するためのプラズ
マトーチおよび高周波コイルと、前記プラズマトーチに
プラズマ化させるガスを供給するガスコントロールユニ
ットと、前記高周波コイルに高周波電力を印加する高周
波電源と、前記高周波電源と誘導結合プラズマとの間の
整合をとるマッチング回路と、前記誘導結合プラズマで
イオン化された前記不純物元素を真空中に導入して質量
分離した後に検出する分析管からなる誘導結合プラズマ
質量分析装置において、前記プラズマトーチと高周波コ
イルとの間に金属製のシールド板を挿入し、かつ前記シ
ールド板とアースとの間を可変コンデンサーを介して接
続するとともに、前記高周波コイルと前記シールド板の
間に両者の接触を防ぐ絶縁材を配置することにより、前
記誘導結合プラズマのプラズマ電位を制御できるように
したことを特徴とする誘導結合プラズマ質量分析装置で
ある。
【０００５】
【作用】ＩＣＰは高周波コイルの発する交番磁場によっ
て維持される一方、交番電場によってプラズマ電位が決
まる。そこで本発明では、プラズマトーチと高周波コイ
ルとの間にシールド板を挿入し、かつシールド板とアー
スとの間を可変コンデンサーを介して接続するととも
に、高周波コイルとシールド板の間に両者の接触を防ぐ
絶縁材を配置することにより、ＩＣＰ内での交番電場強
度を制御できるようにした。すなわち、可変コンデンサ
ーの容量を小さくするとプラズマ電位を高く、容量を大
きくするとプラズマ電位を低くできるような作用を持た
せるようにした。
て維持される一方、交番電場によってプラズマ電位が決
まる。そこで本発明では、プラズマトーチと高周波コイ
ルとの間にシールド板を挿入し、かつシールド板とアー
スとの間を可変コンデンサーを介して接続するととも
に、高周波コイルとシールド板の間に両者の接触を防ぐ
絶縁材を配置することにより、ＩＣＰ内での交番電場強
度を制御できるようにした。すなわち、可変コンデンサ
ーの容量を小さくするとプラズマ電位を高く、容量を大
きくするとプラズマ電位を低くできるような作用を持た
せるようにした。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例を図に基づいて説明する。図
１は本発明の概略図で、プラズマトーチ１、高周波コイ
ル２、ガスコントロールユニット３、ネブライザー４、
スプレーチャンバー６、サンプリングオリフィス７、分
析管、ＩＣＰ９は、各々従来技術で示したものに相当す
るのでここでは詳細な説明は省略する。１０はシールド
板であり、高周波コイル２とプラズマトーチ１との間に
設けられている。１１は可変コンデンサーで、高周波コ
イル２と接続されている。１２はスイッチであり、可変
コンデンサ１１とアースとなる分析管８との電気的接続
を開閉する。以上は本発明の特徴となるものである。
１は本発明の概略図で、プラズマトーチ１、高周波コイ
ル２、ガスコントロールユニット３、ネブライザー４、
スプレーチャンバー６、サンプリングオリフィス７、分
析管、ＩＣＰ９は、各々従来技術で示したものに相当す
るのでここでは詳細な説明は省略する。１０はシールド
板であり、高周波コイル２とプラズマトーチ１との間に
設けられている。１１は可変コンデンサーで、高周波コ
イル２と接続されている。１２はスイッチであり、可変
コンデンサ１１とアースとなる分析管８との電気的接続
を開閉する。以上は本発明の特徴となるものである。
【０００７】シールド板１０の形状は、高周波コイルの
内側で、プラズマトーチ１のまわりに高周波コイル２に
よって誘導電流が流れないように開ループで巻かれてい
る。シールド板１０の材質は、高周波コイル２の交番磁
場を通す非磁性体で、ＩＣＰ９からの放射に対する耐
熱、耐食性の金属、例えばタンタル、モリブデン、チタ
ン、白金等が適当である。シールド板１０は、可変コン
デンサー１１及びスイッチ１２を介して接地（アース、
図１では分析管８が接地電位）されている。ＩＣＰ９が
点灯始めるときは、プラズマトーチ１に取り付けられた
テスラーコイル（図示せず）を放電させるが、この瞬間
は高周波コイル２内で電場が必要である。スイッチ１２
は、ＩＣＰ９が点灯始めるときにはシールド板１０の電
場遮蔽効果を無くすために切り、ＩＣＰ９が定常点灯し
たら入れられる構造、働きをしている。可変コンデンサ
ー１１は、スイッチ１２が入っているときにシールド板
１０の電場遮蔽効率を、コンデンサーの容量を調節する
ことにより制御する働きをしている。ここで可変コンデ
ンサー１１の容量の可変範囲は、０から２００ｐＦ程度
が適当である。
内側で、プラズマトーチ１のまわりに高周波コイル２に
よって誘導電流が流れないように開ループで巻かれてい
る。シールド板１０の材質は、高周波コイル２の交番磁
場を通す非磁性体で、ＩＣＰ９からの放射に対する耐
熱、耐食性の金属、例えばタンタル、モリブデン、チタ
ン、白金等が適当である。シールド板１０は、可変コン
デンサー１１及びスイッチ１２を介して接地（アース、
図１では分析管８が接地電位）されている。ＩＣＰ９が
点灯始めるときは、プラズマトーチ１に取り付けられた
テスラーコイル（図示せず）を放電させるが、この瞬間
は高周波コイル２内で電場が必要である。スイッチ１２
は、ＩＣＰ９が点灯始めるときにはシールド板１０の電
場遮蔽効果を無くすために切り、ＩＣＰ９が定常点灯し
たら入れられる構造、働きをしている。可変コンデンサ
ー１１は、スイッチ１２が入っているときにシールド板
１０の電場遮蔽効率を、コンデンサーの容量を調節する
ことにより制御する働きをしている。ここで可変コンデ
ンサー１１の容量の可変範囲は、０から２００ｐＦ程度
が適当である。
【０００８】次に図３を用いて本発明の働きを補足説明
する。図３は、高周波電源からＩＣＰまでの等価回路図
である。図３の１３は高周波電源、１４はマッチング回
路、１６はＩＣＰ９の等価回路である。高周波電源１３
で発する高周波電力（０．４から２ｋＷ程度、２７．１
２或は４０ＭＨｚ）は、ＩＣＰとのインピーダンスマッ
チング（整合）をとる２つのコンデンサーＣ１（５０か
ら２００ｐＦ程度）、Ｃ２（４００から１０００ｐＦ程
度）からなるマッチング回路９を経て、高周波コイル２
に供給される。対してＩＣＰ９は図３の１６のように、
等価的にＬ（インダクタンス）とＲ（抵抗）で表現され
る。従ってＩＣＰ９のプラズマ電位は、ＩＣＰ９の周囲
の電位およびＩＣＰ９のＬとＲ（プラズマトーチに導入
される試料の状態によって変化する）によって決まる。
ＩＣＰ９の周囲に配置されたシールド板１０の電位は、
スイッチ１２が閉のとき、高周波コイル２の作る交番電
場によって誘導されるが、その程度を可変コンデンサー
１１によって制御されている。そしてＩＣＰ９のプラズ
マ電位は制御される。
する。図３は、高周波電源からＩＣＰまでの等価回路図
である。図３の１３は高周波電源、１４はマッチング回
路、１６はＩＣＰ９の等価回路である。高周波電源１３
で発する高周波電力（０．４から２ｋＷ程度、２７．１
２或は４０ＭＨｚ）は、ＩＣＰとのインピーダンスマッ
チング（整合）をとる２つのコンデンサーＣ１（５０か
ら２００ｐＦ程度）、Ｃ２（４００から１０００ｐＦ程
度）からなるマッチング回路９を経て、高周波コイル２
に供給される。対してＩＣＰ９は図３の１６のように、
等価的にＬ（インダクタンス）とＲ（抵抗）で表現され
る。従ってＩＣＰ９のプラズマ電位は、ＩＣＰ９の周囲
の電位およびＩＣＰ９のＬとＲ（プラズマトーチに導入
される試料の状態によって変化する）によって決まる。
ＩＣＰ９の周囲に配置されたシールド板１０の電位は、
スイッチ１２が閉のとき、高周波コイル２の作る交番電
場によって誘導されるが、その程度を可変コンデンサー
１１によって制御されている。そしてＩＣＰ９のプラズ
マ電位は制御される。
【０００９】図１において、高周波コイル２とシールド
板１０は接触してはならない。そこで高周波コイル２と
シールド板１０の間に両者の接触を防ぐ絶縁材を配置す
る必要がある。この絶縁材の配置の実施例を図４
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。図４ａは、高周波コイ
ル２とシールド板１０の間に円筒状の絶縁材１５ａを挿
入している。この絶縁材１３ａは例えば石英ガラス製が
適当である。図４（ｂ）の絶縁材１５ｂは、高周波コイ
ル２自身に絶縁性のコーティング（例えばアルミナコー
ティング）を施した実施例である。図４（ｃ）は、シー
ルド材１０を絶縁材１５ｃ（例えば石英ガラス）の中に
封入した実施例である。図４（ｃ）の実施例によると、
シールド材１０が直接大気に触れることがないために耐
熱、耐食性の条件を緩和でき、シールド材１０が銅製や
アルミ製でも使用可能になる。
板１０は接触してはならない。そこで高周波コイル２と
シールド板１０の間に両者の接触を防ぐ絶縁材を配置す
る必要がある。この絶縁材の配置の実施例を図４
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。図４ａは、高周波コイ
ル２とシールド板１０の間に円筒状の絶縁材１５ａを挿
入している。この絶縁材１３ａは例えば石英ガラス製が
適当である。図４（ｂ）の絶縁材１５ｂは、高周波コイ
ル２自身に絶縁性のコーティング（例えばアルミナコー
ティング）を施した実施例である。図４（ｃ）は、シー
ルド材１０を絶縁材１５ｃ（例えば石英ガラス）の中に
封入した実施例である。図４（ｃ）の実施例によると、
シールド材１０が直接大気に触れることがないために耐
熱、耐食性の条件を緩和でき、シールド材１０が銅製や
アルミ製でも使用可能になる。
【００１０】
【発明の効果】本発明によると、ＩＣＰのプラズマ電位
を制御できるようになる。従ってＩＣＰへの試料導入が
どのような方法であっても、本発明のＩＣＰ−ＭＳでは
妨害イオンや感度を最適な状態に制御して分析を行える
ようになる。
を制御できるようになる。従ってＩＣＰへの試料導入が
どのような方法であっても、本発明のＩＣＰ−ＭＳでは
妨害イオンや感度を最適な状態に制御して分析を行える
ようになる。
【図１】本発明の概略断面図である。
【図２】従来技術を説明する概略断面図である。
【図３】本発明の補足説明をする回路図である。
【図４】本発明の実施例の絶縁材の配置を示す断面図で
ある。
ある。
１ プラズマトーチ ２ 高周波コイル ３ ガスコントロールユニット ４ 試料溶液 ５ ネブライザー ６ スプレーチャンバー ７ サンプリングオリフィス ８ 分析管 ９ ＩＣＰ １０ シールド板 １１ 可変コンデンサー １２ イッチ １３ 高周波電源 １４ マッチング回路 １５ａ 絶縁材ａ １５ｂ 絶縁材ｂ １５ｃ 絶縁材ｃ １６ ＩＣＰ９の等価回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 49/10 - 49/18
Claims (1)
- 【請求項１】 誘導結合プラズマを用いて試料溶液中の
不純物元素の同定および定量をする目的で、前記誘導結
合プラズマを維持するためのプラズマトーチおよび高周
波コイルと、前記プラズマトーチにプラズマ化させるガ
スを供給するガスコントロールユニットと、前記高周波
コイルに高周波電力を印加する高周波電源と、前記高周
波電源と誘導結合プラズマとの間の整合をとるマッチン
グ回路と、前記誘導結合プラズマでイオン化された前記
不純物元素を真空中に導入して質量分離した後に検出す
る分析管からなる誘導結合プラズマ質量分析装置におい
て、前記プラズマトーチと高周波コイルとの間に金属製
のシールド板を挿入し、かつ前記シールド板とアースと
の間を可変コンデンサーを介して接続するとともに、前
記高周波コイルと前記シールド板の間に両者の接触を防
ぐ絶縁材を配置することにより、前記誘導結合プラズマ
のプラズマ電位を制御できるようにしたことを特徴とす
る誘導結合プラズマ質量分析装置。
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| US7511246B2 (en) * | 2002-12-12 | 2009-03-31 | Perkinelmer Las Inc. | Induction device for generating a plasma |
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| US8622735B2 (en) * | 2005-06-17 | 2014-01-07 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Boost devices and methods of using them |
| GB2418293B (en) * | 2005-08-10 | 2007-01-31 | Thermo Electron Corp | Inductively coupled plasma alignment apparatus and method |
| JP4903515B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2012-03-28 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 誘導結合プラズマ質量分析装置 |
| JP4822346B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2011-11-24 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 誘導結合プラズマ質量分析装置のための診断及び較正システム |
| DE102006059784A1 (de) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Iht Automation Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zum Bearbeiten von Werkstücken |
| US8063337B1 (en) * | 2007-03-23 | 2011-11-22 | Elemental Scientific, Inc. | Mass spectrometry injection system and apparatus |
| GB2456131B (en) * | 2007-12-27 | 2010-04-28 | Thermo Fisher Scient | Sample excitation apparatus and method for spectroscopic analysis |
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| RU190046U1 (ru) * | 2018-11-29 | 2019-06-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "МИРЭА - Российский технологический университет" | Устройство для масс-спектрометрического и спектроскопического исследования компонент вещества с помощью индуктивно связанной плазмы |
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