JP3211994B2 - Tetrafunctional styryl compound and method for producing the same - Google Patents
Tetrafunctional styryl compound and method for producing the sameInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、4官能スチリル化合物
およびその製造法に関し、詳しくは、有機エレクトロル
ミネッセンス素子の発光材料として用いる場合、高輝
度,高効率の発光をを可能とする4官能スチリル化合物
およびその製造法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tetrafunctional styryl compound and a method for producing the same, and more particularly, to a tetrafunctional styryl compound capable of emitting light with high luminance and high efficiency when used as a light emitting material of an organic electroluminescence device. The present invention relates to a compound and a method for producing the compound.
【0002】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電界発
光を利用したEL素子は、自己発光のため視認性が高
く、また完全固体素子であるため耐衝撃性に優れるとい
う特徴を有しており、薄型ディスプレイ素子,液晶ディ
スプレイのバックライト,平面光源などに用いられてい
る。現在実用化されているEL素子は、分散型EL素子
である。この分散型EL素子は、数10V,10kHz
以上の交流電圧を必要とするため駆動回路が複雑になっ
ている。一方、有機薄膜EL素子は駆動電圧を10V程
度まで低下させることができ、高輝度に発光するため近
年盛んに研究が行われ、多くの有機薄膜EL素子が開発
されている(C.W.Tang and S.A.VAN Slyke,Appl.Phys.L
ett.,vol.51,pp.913〜915(1987) ;特開平63−264
629号公報)。これらの有機薄膜EL素子は、透明電
極/正孔注入層/発光層/背面電極の積層型であり、正
孔注入層により効率よく正孔を発光層内へ注入すること
ができる。上記有機薄膜EL素子の構成において、発光
層にテトラフェニルブタジエン化合物誘導体を用いた有
機EL薄膜素子(特開昭59−194393号公報,特
開平4−96990号公報)やスチリル化合物(欧州特
許公開第0388768号公報,特開平4−18489
2号公報,特開平3−205478号公報)を用いたも
のがあるが、これらの材料は結晶化し易いという問題が
あり均一発光を得ることができない。また、近年上記ス
チリル化合物より派生した3官能化合物を発光材料とし
て含有する有機EL素子が開示されている(特開平3−
296595号公報)が、輝度および発光効率が低いと
いう問題がある。2. Description of the Related Art EL devices utilizing electroluminescence have the characteristics of high visibility due to self-luminescence and excellent impact resistance because they are completely solid devices. , Thin display elements, backlights for liquid crystal displays, flat light sources, and the like. An EL element currently in practical use is a dispersion-type EL element. This dispersion-type EL element has several tens of volts and 10 kHz.
Since the above AC voltage is required, the driving circuit is complicated. On the other hand, organic thin film EL devices can reduce the driving voltage to about 10 V and emit light with high luminance, and have been actively studied in recent years, and many organic thin film EL devices have been developed (CWTang and SAVAN Slyke, Appl.Phys.L
ett., vol. 51, pp. 913-915 (1987); JP-A-63-264.
629). These organic thin film EL devices are of a stacked type of a transparent electrode / a hole injection layer / a light emitting layer / a back electrode, and holes can be efficiently injected into the light emitting layer by the hole injection layer. In the structure of the organic thin-film EL device, an organic EL thin-film device using a tetraphenylbutadiene compound derivative in a light-emitting layer (JP-A-59-194393, JP-A-4-96990) and a styryl compound (European Patent Publication No. 0388768, JP-A-4-18489
No. 2, JP-A-3-205478), however, these materials have a problem that they are easily crystallized, and uniform light emission cannot be obtained. Further, in recent years, an organic EL device containing a trifunctional compound derived from the styryl compound as a light emitting material has been disclosed (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. Hei.
296595) has a problem that the luminance and the luminous efficiency are low.
【0003】[0003]
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
上記問題点を解決すべく鋭意検討した結果、3官能化合
物を改良した4官能化合物を有機EL素子の発光材料に
用いることにより上記問題を解決できることを見出し
た。Means for Solving the Problems Accordingly, the present inventors have:
As a result of intensive studies to solve the above problems, it has been found that the above problems can be solved by using a tetrafunctional compound obtained by improving a trifunctional compound as a light emitting material of an organic EL device.
【0004】本発明はかかる知見に基づいて完成したも
のである。すなわち本発明は、一般式(I)The present invention has been completed based on such findings. That is, the present invention provides a compound represented by the general formula (I):
【0005】[0005]
【化4】 Embedded image
【0006】(式中、Arは炭素数6〜20の4価の芳
香族炭化水素基を示し、R2 ,R3 ,R6 ,R7 はそれ
ぞれ水素原子、置換あるいは無置換の炭素数6〜20の
アリール基,または炭素数1〜6のアルキル基を示す。
R1 ,R9 ,R4 ,R10,R5,R11,R8 ,R12はそ
れぞれ置換あるいは無置換の炭素数1〜6のアルキル
基,炭素数6〜20のアリール基,または炭素数4〜1
8の複素環基を示す。ここで、R1 〜R12は同一でも、
互いに異なっていてもよい。さらに、R1 とR9 ,R4
とR10,R5 とR11,およびR8 とR12はそれぞれ置換
している基と結合して置換あるいは無置換の飽和五員環
または置換あるいは無置換の飽和六員環を形成してもよ
い。但し、R1 とR9 ,R4 とR10,R5 とR11,R8
とR12が共にアルキル基である場合は除く。ここで、置
換基としては炭素数1〜6のアルキル基,炭素数1〜6
のアルコキシ基,炭素数6〜18のアリールオキシ基,
フェニル基,アミノ基,シアノ基,ニトロ基,水酸基あ
るいはハロゲンを示す。これらの置換基は単一でも複数
置換されていてもよい。)で表される4官能スチリル化
合物を提供し、さらに一般式(II)(Wherein, Ar represents a tetravalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, and R 2 , R 3 , R 6 , and R 7 each represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C 6 Represents an aryl group having from 20 to 20 or an alkyl group having from 1 to 6 carbon atoms.
R 1 , R 9 , R 4 , R 10 , R 5 , R 11 , R 8 , and R 12 each represent a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, Number 4-1
8 represents a heterocyclic group. Here, even if R 1 to R 12 are the same,
They may be different from each other. Further, R 1 and R 9 , R 4
And R 10 , R 5 and R 11 , and R 8 and R 12 are each bonded to a substituted group to form a substituted or unsubstituted saturated 5-membered ring or a substituted or unsubstituted saturated 6-membered ring. Is also good. However, R 1 and R 9, R 4 and R 10, R 5 and R 11, R 8
Excludes cases where R and R 12 are both alkyl groups. Here, the substituent is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, 1 to 6 carbon atoms.
An alkoxy group, an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms,
It represents a phenyl group, amino group, cyano group, nitro group, hydroxyl group or halogen. These substituents may be single or plurally substituted. The present invention provides a tetrafunctional styryl compound represented by the general formula (II):
【0007】[0007]
【化5】 Embedded image
【0008】(式中、R2 ,R3 ,R6 ,R7 は前記と
同じである。R13はそれぞれ炭素数1〜4のアルキル基
あるいはフェニル基を示し、互いに同じでも異なっても
よい。)で表されるテトラアリーレンホスホン酸エステ
ルと一般式(III)(Wherein R 2 , R 3 , R 6 , and R 7 are the same as above. R 13 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group, which may be the same or different. .) And a general formula (III)
【0009】[0009]
【化6】 Embedded image
【0010】(式中、R1 ,R9 ,R4 ,R10,R5 ,
R11,R8 およびR12は前記と同じである。)で表され
るケトンを反応させることによる上記4官能スチリル化
合物の製造法を提供するものである。(Wherein R 1 , R 9 , R 4 , R 10 , R 5 ,
R 11 , R 8 and R 12 are the same as described above. The present invention provides a method for producing the above tetrafunctional styryl compound by reacting a ketone represented by the formula (1).
【0011】本発明は、一般式(I)で表される4官能
スチリル化合物である。ここで、一般式(I)において
ArはThe present invention is a tetrafunctional styryl compound represented by the general formula (I). Here, in the general formula (I), Ar is
【0012】[0012]
【化7】 Embedded image
【0013】フェナントレン;ペリレン;1,2−ベン
ゾアントラセン;ナフタセン;クリセン;クオーターフ
ェニレンなどの4価の芳香族炭化水素であり、単一置換
でも複数置換されていてもよい。また、置換基どうしで
結合し、飽和あるいは不飽和の5員環または6員環を形
成してもよい。R2 ,R3 ,R6 ,R7 は、例えばフェ
ニル基,ナフチル基,ビフェニル基,ターフェニル基,
アントラリル基,フェナントリル基,ピレニル基,ペリ
レニル基などで表される炭素数6〜20のアリール基ま
たはメチル基,エチル基,n−プロピル基,i−プロピ
ル基,n−ブチル基,i−ブチル基,sec−ブチル
基,t−ブチル基,i−ペンチル基,t−ペンチル基,
ネオペンチル基,n−ヘキシル基,i−ヘキシル基など
で表される炭素数1〜6のアルキル基または水素であ
る。この中で、置換基が水素,メチル基,フェニル基で
あるものが製造が容易で好ましい。また、これらアリー
ル基またはアルキル基は、置換または無置換でもよく、
単一置換でも複数置換されていてもよい。R1 ,R9 ,
R4 ,R10,R5 ,R11,R8 ,R12は、例えばメチル
基,エチル基,n−プロピル基,i−プロピル基,n−
ブチル基,i−ブチル基,sec−ブチル基,t−ブチ
ル基,i−ペンチル基,t−ペンチル基,ネオペンチル
基,n−ヘキシル基,i−ヘキシル基などの炭素数1〜
6のアルキル基,フェニル基,ナフチル基,ビフェニル
基,ターフェニル基,アントラリル基,フェナントリル
基,ピレニル基,ペリレニル基などで表される炭素数6
〜20のアリール基またはピラジル基,ピリジル基,キ
ノリル基,カルバゾリル基,キノキサリル基などで表さ
れる炭素数4〜18の複素環基である。これらアルキル
基,アリール基または複素環基は、置換または無置換で
もよく、単一置換でも複数置換されていてもよい。但
し、R1 とR9 ,R4 とR10,R5 とR11,R8 とR12
が共にアルキル基である場合は除く(例えば、一般式
(III)におけるアセトンあるいはメチルエチルケトンな
どの組合せ)。さらに、R1 とR9 ,R4 とR10,R5
とR11,またはR8 とR12はそれぞれ置換している基と
結合して置換あるいは無置換の飽和五員環または置換あ
るいは無置換の飽和六員環を形成してもよい。このよう
な環構成の具体例としては、一般式(III)で表されるケ
トン化合物として9−フルオレノンが挙げられる。ここ
で、置換基としては例えばメチル基,エチル基,n−プ
ロピル基,i−プロピル基,n−ブチル基,i−ブチル
基,sec−ブチル基,t−ブチル基,i−ペンチル
基,t−ペンチル基,ネオペンチル基,n−ヘキシル
基,i−ヘキシル基などの炭素数1〜6のアルキル基、
メトキシ基,エトキシ基,プロポキシ基,i−プロポキ
シ基,ブチルオキシ基,i−ブチルオキシ基,sec−
ブチルオキシ基,i−ペンチルオキシ基,t−ペンチル
オキシ基,n−ヘキシルオキシ基などの炭素数1〜6の
アルコキシ基、フェノキシ基,ナフチルオキシ基など炭
素数6〜18のアリールオキシ基、フェニル基、アミノ
基、シアノ基、ニトロ基、水酸基あるいはハロゲンが挙
げられる。具体的に、アミノ基としてはA tetravalent aromatic hydrocarbon such as phenanthrene; perylene; 1,2-benzanthracene; naphthacene; chrysene; and quarterphenylene, which may be monosubstituted or plurally substituted. Further, the substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated 5- or 6-membered ring. R 2 , R 3 , R 6 and R 7 are, for example, phenyl, naphthyl, biphenyl, terphenyl,
An aryl group having 6 to 20 carbon atoms represented by an anthralyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, or a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group , Sec-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group,
An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by a neopentyl group, an n-hexyl group, an i-hexyl group or the like, or hydrogen. Among them, those in which the substituent is hydrogen, methyl, or phenyl are preferred because of easy production. Further, these aryl groups or alkyl groups may be substituted or unsubstituted,
It may be single substituted or plural substituted. R 1 , R 9 ,
R 4 , R 10 , R 5 , R 11 , R 8 , and R 12 are, for example, methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-
1 to 1 carbon atoms such as butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group and i-hexyl group.
6 carbon atoms represented by an alkyl group, phenyl group, naphthyl group, biphenyl group, terphenyl group, anthralyl group, phenanthryl group, pyrenyl group, perylenyl group, etc.
And a heterocyclic group having 4 to 18 carbon atoms represented by an aryl group of 20 to 20 or a pyrazyl group, a pyridyl group, a quinolyl group, a carbazolyl group, a quinoxalyl group, or the like. These alkyl groups, aryl groups or heterocyclic groups may be substituted or unsubstituted, and may be single-substituted or multiple-substituted. However, R 1 and R 9, R 4 and R 10, R 5 and R 11, R 8 and R 12
Are not alkyl groups (for example, a combination of acetone or methyl ethyl ketone in the general formula (III)). Further, R 1 and R 9 , R 4 and R 10 , R 5
And R 11 , or R 8 and R 12 may be bonded to a substituted group to form a substituted or unsubstituted saturated 5-membered ring or a substituted or unsubstituted saturated 6-membered ring. As a specific example of such a ring structure, 9-fluorenone is mentioned as a ketone compound represented by the general formula (III). Here, examples of the substituent include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, an i-pentyl group, and a t-group. An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as -pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, i-hexyl group,
Methoxy, ethoxy, propoxy, i-propoxy, butyloxy, i-butyloxy, sec-
C1-C6 alkoxy groups such as butyloxy group, i-pentyloxy group, t-pentyloxy group, n-hexyloxy group, C6-C18 aryloxy groups such as phenoxy group and naphthyloxy group, phenyl group , An amino group, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group or a halogen. Specifically, as the amino group,
【0014】[0014]
【化8】 Embedded image
【0015】(式中、R14,R15は炭素数1〜6のアル
キル基または置換あるいは無置換の炭数6〜20のアリ
ール基を示す。R14,R15は同じでも異なっていてもよ
い。)で表される化合物が挙げられる。(In the formula, R 14 and R 15 represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which is substituted or unsubstituted. R 14 and R 15 may be the same or different. Or a compound represented by the formula:
【0016】上記一般式(I)で表される4官能スチリ
ル化合物は、上記一般式(II)で表されるテトラキスア
リーレンホスホン酸エステルと一般式(III)で表される
ケトンとを反応させることにより合成することができ
る。この反応は、塩基存在下、極性溶媒中で、0℃から
用いる溶媒の沸点までの温度範囲で通常行われる(Wi
ttig−Horner反応)。ここで、一般式(II)
のR13は炭素数1〜4のアルキル基およびフェニル基を
示し、メチル基,エチル基であることが好ましい。一般
式(II)で表されるテトラキスアリーレンホスホン酸エ
ステルは、一般式(IV)The tetrafunctional styryl compound represented by the general formula (I) is obtained by reacting a tetrakis arylene phosphonate represented by the general formula (II) with a ketone represented by the general formula (III). Can be synthesized by This reaction is usually performed in a polar solvent in the presence of a base in a temperature range from 0 ° C. to the boiling point of the solvent used (Wi
ttig-Horner reaction). Where the general formula (II)
R 13 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and a phenyl group, and is preferably a methyl group or an ethyl group. The tetrakis arylene phosphonate represented by the general formula (II) is represented by the general formula (IV)
【0017】[0017]
【化9】 Embedded image
【0018】(式中、R2 ,R3 ,R6 ,R7 およびA
rは前記と同じである。またXはそれぞれハロゲンを示
し、互いに同じでも異なってもよい。)で表されるテト
ラキスハロゲン化化合物と亜リン酸トリアルキル化合物
とを反応して得ることができる。4官能スチリル化合物
の合成で用いる反応溶媒としては、炭化水素,アルコー
ル類,エーテル類などの極性溶媒が好ましい。具体的に
は、メタノール;エタノール;イソプロパノール;ブタ
ノール;2−メトキシエタノール;1,2−ジメトキシ
エタン;ビス(2−メトキシエチル)エーテル;ジオキ
サン;テトラヒドロフラン;トルエン;キシレン;ジメ
チルスルホキシド;N,N−ジメチルホルムアミド;N
−メチルピロリドン;1,3−ジメチル−2−イミダゾ
リジノンなどが挙げられる。特に、テトラヒドロフラ
ン,ジメチルスルホキシドが好適である。また、塩基と
しては苛性ソーダ,苛性カリ,ナトリウムアミド,水素
化ナトリウム,n−ブチルリチウム,ナトリウムメチラ
ート,カリウム−t−ブトキシドなどのアルコラートが
好ましく、特にn−ブチルリチウム,カリウム−t−ブ
トキシドが好ましい。Wherein R 2 , R 3 , R 6 , R 7 and A
r is the same as above. X represents a halogen, and may be the same or different. )) And a trialkyl phosphite compound. As the reaction solvent used in the synthesis of the tetrafunctional styryl compound, a polar solvent such as a hydrocarbon, an alcohol, or an ether is preferable. Specifically, methanol; ethanol; isopropanol; butanol; 2-methoxyethanol; 1,2-dimethoxyethane; bis (2-methoxyethyl) ether; dioxane; tetrahydrofuran; toluene; xylene; dimethyl sulfoxide; N, N-dimethyl Formamide; N
-Methylpyrrolidone; 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone; Particularly, tetrahydrofuran and dimethyl sulfoxide are preferred. Further, as the base, an alcoholate such as caustic soda, caustic potash, sodium amide, sodium hydride, n-butyllithium, sodium methylate, and potassium tert-butoxide is preferable, and n-butyllithium and potassium tert-butoxide are particularly preferable.
【0019】以下に、本発明で用いられる上記4官能ス
チリル化合物(1)〜(36)(以下、化合物(1)〜
(36)と表す場合がある。)を挙げるが、本発明はそ
れらに限定されるものではない。The tetrafunctional styryl compounds (1) to (36) used in the present invention (hereinafter, compounds (1) to (36))
(36). ), But the present invention is not limited thereto.
【0020】[0020]
【化10】 Embedded image
【0021】[0021]
【化11】 Embedded image
【0022】[0022]
【化12】 Embedded image
【0023】[0023]
【化13】 Embedded image
【0024】[0024]
【化14】 Embedded image
【0025】[0025]
【化15】 Embedded image
【0026】[0026]
【化16】 Embedded image
【0027】[0027]
【化17】 Embedded image
【0028】[0028]
【化18】 Embedded image
【0029】[0029]
【化19】 Embedded image
【0030】[0030]
【化20】 Embedded image
【0031】[0031]
【化21】 Embedded image
【0032】このような4官能スチリル化合物は、EL
素子における発光材料として有効に用いることができ
る。この4官能スチリル化合物を発光層とする場合は、
例えば蒸着法,スピンコート法,キャスト法などの公知
の方法によって、一般式(I)の4官能スチリル化合物
を薄膜化してことにより形成することができるが、特に
分子堆積膜とすることが好ましい。ここで分子堆積膜と
は、該化合物の気相状態から沈着され形成された薄膜
や、該化合物の溶液状態又は液相状態から固体化され形
成された膜のことであり、例えば蒸着膜などを示すが、
通常この分子堆積膜はLB法により形成された薄膜(分
子累積膜)とは区別することができる。また、該発光層
は、特開昭59−194393号公報などに開示されて
いるように、樹脂などの結着剤と該化合物とを、溶剤に
溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法などに
より薄膜化し、形成することができる。このようにして
形成された発光層の膜厚については特に制限はなく、適
宜状況に応じて選ぶことができるが、通常5nmないし
5μmの範囲で選定される。Such a tetrafunctional styryl compound can be obtained by using EL
It can be effectively used as a light emitting material in a device. When this tetrafunctional styryl compound is used as a light emitting layer,
For example, it can be formed by making the tetrafunctional styryl compound of the general formula (I) into a thin film by a known method such as a vapor deposition method, a spin coating method, and a casting method, but it is particularly preferable to use a molecular deposition film. Here, the molecular deposition film is a thin film formed by depositing the compound from a gaseous state or a film formed by solidifying the compound from a solution state or a liquid phase state. Shows,
Usually, this molecular deposition film can be distinguished from a thin film (molecule accumulation film) formed by the LB method. Further, as disclosed in JP-A-59-194393, the binder is prepared by dissolving a binder such as a resin and the compound in a solvent to form a solution. It can be formed into a thin film by the method described above. The thickness of the light emitting layer formed in this manner is not particularly limited and can be appropriately selected according to the situation, but is usually selected in the range of 5 nm to 5 μm.
【0033】このEL素子における発光層は、(1)電
界印加時に、陽極又は正孔注入輸送層により正孔を注入
することができ、かつ陰極又は電子注入層より電子を注
入することができる注入機能、(2)注入した電荷(電
子と正孔)を電界の力で移動させる輸送機能、(3)電
子と正孔の再結合の場を発光層内部に提供し、これを発
光につなげる発光機能などを有している。なお、正孔の
注入されやすさと、電子の注入されやすさに違いがあっ
てもよいし、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大
小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動するこ
とが好ましい。この発光層に用いる前記一般式(I)で
表される化合物は、一般にイオン化エネルギーが6.0e
V程度より小さいので、適当な陽極金属又は陽極化合物
を選べば、比較的正孔を注入しやすい。また電子親和力
は2.8eV程度より大きいので、適当な陰極金属又は陰
極化合物を選べば、比較的電子を注入しやすい上、電
子,正孔の輸送能力も優れている。さらに固体状態の蛍
光性が強いため、該化合物やその会合体又は結晶などの
電子と正孔の再結晶時に形成された励起状態を光に変換
する能力が大きい。The light emitting layer of this EL device has the following features. (1) When an electric field is applied, holes can be injected by an anode or a hole injection transport layer, and electrons can be injected by a cathode or an electron injection layer. Function, (2) transport function of moving injected charges (electrons and holes) by the force of an electric field, and (3) light emission that provides a field of recombination of electrons and holes inside the light emitting layer, which is connected to light emission. It has functions and the like. Note that there may be a difference between the ease with which holes are injected and the ease with which electrons are injected, and the transportability represented by the mobility of holes and electrons may be large or small. Is preferably transferred. The compound represented by the general formula (I) used for the light emitting layer generally has an ionization energy of 6.0 e.
Since it is smaller than about V, it is relatively easy to inject holes if an appropriate anode metal or anode compound is selected. Further, since the electron affinity is higher than about 2.8 eV, if an appropriate cathode metal or cathode compound is selected, it is relatively easy to inject electrons, and also excellent in the ability to transport electrons and holes. Further, since the solid-state fluorescence is strong, the ability to convert an excited state formed at the time of recrystallization of electrons and holes of the compound or its aggregate or crystal, to light is large.
【0034】本発明の化合物を用いたEL素子の構成
は、各種の態様があるが、基本的には、一対の電極(陽
極と陰極)間に、前記発光層を挟持した構成とし、これ
に必要に応じて、正孔注入輸送層や電子注入層を介在さ
せればよい。介在方法としては、ポリマーへの混ぜ込み
や同時吸着がある。具体的には(1)陽極/発光層/陰
極,(2)陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極,
(3)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入層/陰
極,(4)陽極/発光層/電子注入層/陰極などの構成
を挙げることができる。該正孔注入輸送層や電子注入層
は、必ずしも必要ではないが、これらの層があると発光
性能が一段と向上する。また、前記構成の素子において
は、いずれも基板に支持されていることが好ましく、該
基板については特に制限はなく、従来EL素子に慣用さ
れているもの、例えばガラス,透明プラスチック,石英
などから成るものを用いることができる。The EL device using the compound of the present invention has various configurations, but basically has a configuration in which the light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes (anode and cathode). If necessary, a hole injection / transport layer or an electron injection layer may be interposed. As an intervening method, there is mixing into a polymer or simultaneous adsorption. Specifically, (1) anode / light-emitting layer / cathode, (2) anode / hole injection / transport layer / light-emitting layer / cathode,
Examples of (3) anode / hole injection / transport layer / light-emitting layer / electron injection layer / cathode, and (4) anode / light-emitting layer / electron injection layer / cathode, etc. The hole injecting and transporting layer and the electron injecting layer are not necessarily required, but the presence of these layers further improves the light emitting performance. In addition, in the device having the above-described structure, it is preferable that each of the devices is supported by a substrate, and the substrate is not particularly limited, and is made of a material conventionally used in an EL device, such as glass, transparent plastic, or quartz. Can be used.
【0035】このEL素子における陽極としては、仕事
関数の大きい(4eV以上)金属,合金,電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはA
uなどの金属,CuI,ITO,SnO2 ,ZnOなど
の誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大
きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵
抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にも
よるが、通常10nmないし1μm,好ましくは10〜
200nmの範囲で選ばれる。As the anode in this EL element, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a high work function (4 eV or more) and a mixture thereof are preferably used as an electrode material. A specific example of such an electrode material is A
u and a dielectric transparent material such as CuI, ITO, SnO 2 , and ZnO. The anode can be produced by forming a thin film from these electrode substances by a method such as vapor deposition or sputtering. When light is extracted from this electrode, the transmittance is desirably higher than 10%, and the sheet resistance of the electrode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 1 μm.
It is selected in the range of 200 nm.
【0036】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
(4eV以下)金属,合金,電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム,ナトリウ
ム−カリウム合金,マグネシウム,リチウム,マグネシ
ウム/銅混合物,Al/AlO2 ,インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm
ないし1μm,好ましくは50〜200nmの範囲で選
ばれる。なお、このEL素子においては、該陽極又は陰
極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。On the other hand, as the cathode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a small work function (4 eV or less), and a mixture thereof as an electrode material are used. Specific examples of such an electrode material include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, a magnesium / copper mixture, Al / AlO 2 , and indium. The cathode can be manufactured by forming a thin film of these electrode substances by a method such as vapor deposition or sputtering. Further, the sheet resistance as an electrode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually 10 nm.
To 1 μm, preferably in the range of 50 to 200 nm. In this EL device, it is convenient that one of the anode and the cathode is transparent or translucent because it transmits light, so that the efficiency of extracting light is good.
【0037】本発明の化合物を用いるEL素子の構成
は、前記したように、各種の態様があり、前記(2)又
は(3)の構成のEL素子における正孔注入輸送層は、
正孔伝達化合物からなる層であって、陽極より注入され
た正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入輸
送層を陽極と発光層との間に介在させることにより、よ
り低い電界で多くの正孔が発光層に注入される。その
上、発光層に陰極又は電子注入層より注入された電子
は、発光層と正孔注入輸送層の界面に存在する電子の障
壁により、この発光層内の界面付近に蓄積されEL素子
の発光効率を向上させ、発光性能の優れたEL素子とす
る。As described above, the structure of the EL device using the compound of the present invention has various modes, and the hole injecting / transporting layer in the EL device having the structure (2) or (3) is
A layer made of a hole transporting compound, which has a function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer, and has a hole injecting and transporting layer interposed between the anode and the light emitting layer. Many holes are injected into the light emitting layer at a low electric field. In addition, electrons injected from the cathode or the electron injection layer into the light emitting layer are accumulated near the interface in the light emitting layer due to the electron barrier existing at the interface between the light emitting layer and the hole injection transport layer, and the light emission of the EL element is reduced. Efficiency is improved and an EL element having excellent light emitting performance is obtained.
【0038】前記正孔注入輸送層に用いられる正孔伝達
化合物は、電界を与えられた2個の電極間に配置されて
陽極から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層
へ伝達しうる化合物であって、例えば104 〜106 V
/cmの電界印加時に、少なくとも10-6cm2 /(V
・秒)の正孔移動度をもつものが好適である。このよう
な正孔伝達化合物については、前記の好ましい性質を有
するものであれば特に制限はなく、従来、光導電材料に
おいて、正孔の電荷輸送材として慣用されているものや
EL素子の正孔注入輸送層に使用される公知のものの中
から任意のものを選択して用いることができる。The hole transporting compound used in the hole injecting / transporting layer is disposed between two electrodes to which an electric field is applied. When holes are injected from the anode, the holes are appropriately transferred to the light emitting layer. A compound capable of transmitting to, for example, 10 4 to 10 6 V
/ Cm when applying an electric field of at least 10 -6 cm 2 / (V
(Seconds) is preferable. There is no particular limitation on such a hole transporting compound as long as it has the above-mentioned preferable properties. Conventionally, in a photoconductive material, a compound commonly used as a hole charge transport material or a hole transporting material of an EL device is used. Any of the known materials used for the injection transport layer can be selected and used.
【0039】該電荷輸送材としては、例えばトリアゾー
ル誘導体(米国特許第3,112,197号明細書などに記
載のもの)、オキサジアゾール誘導体(米国特許第3,1
89,447号明細書などに記載のもの)、イミダゾール
誘導体(特公昭37−16096号公報などに記載のも
の)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許第3,61
5,402 号明細書,同3,820,989 号明細書,同3,5
42,544 号明細書,特公昭45−555号公報,同5
1−10983号公報,特開昭51−93224号公
報,同55−17105号公報,同56−4148号公
報,同55−108667号公報,同55−15695
3号公報,同56−36656号公報などに記載のも
の)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特
許第3,180,729 号明細書,同4,278,746 号明細
書,特開昭55−88064号公報,同55−8806
5号公報,同49−105537号公報,同55−51
086号公報,同56−80051号公報,同56−8
8141号公報,同57−45545号公報,同54−
112637号公報,同55−74546号公報などに
記載のもの)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第
3,615,404 号明細書,特公昭51−10105号公
報,同46−3712号公報,同47−25336号公
報,特開昭54−53435号公報,同54−1105
36号公報,同54−119925号公報などに記載の
もの)、アリールアミン誘導体(米国特許第3,567,4
50 号明細書,同3,180,703 号明細書,同3,24
0,597 号明細書,同3,658,520 号明細書,同4,2
32,103 号明細書,同4,175,961 号明細書,同
4,012,376号明細書,特公昭49−35702号公
報,同39−27577号公報,特開昭55−1442
50号公報,同56−119132号公報,同56−2
2437号公報,西独特許第1,110,518 号明細書な
どに記載のもの)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特
許第3,526,501 号明細書などに記載のもの)、オキ
サゾール誘導体(米国特許第3,257,203 号明細書な
どに記載のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特開
昭56−46234号公報などに記載のもの)、フルオ
レノン誘導体(特開昭54−110837号公報などに
記載のもの)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,71
7,462 号明細書,特開昭54−59143号公報,同
55−52063号公報,同55−52064号公報,
同55−46760号公報,同55−85495号公
報,同57−11350号公報,同57−148749
号公報などに記載されているもの)、スチルベル誘導体
(特開昭61−210363号公報,同61−2284
51号公報,同61−14642号公報,同61−72
255号公報,同62−47646号公報,同62−3
6674号公報,同62−10652号公報,同62−
30255号公報,同60−93445号公報,同60
−94462号公報,同60−174749号公報,同
60−175052号公報などに記載のもの)などを挙
げることができる。As the charge transport material, for example, a triazole derivative (as described in US Pat. No. 3,112,197) and an oxadiazole derivative (US Pat.
89,447), imidazole derivatives (described in JP-B-37-16096, etc.), polyarylalkane derivatives (US Pat. No. 3,611)
5,402, 3,820,989, 3,5
No. 42,544, Japanese Patent Publication No. 45-555, 5
1-110983, JP-A-51-93224, JP-A-55-17105, JP-A-56-4148, JP-A-55-108667, and JP-A-55-15695.
Nos. 3 and 56-36656), pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives (U.S. Pat. Nos. 3,180,729 and 4,278,746; No. 88064, 55-8806
No. 5, No. 49-105537, No. 55-51
Nos. 086 and 56-80051 and 56-8
Nos. 8141 and 57-45545 and 54-
And phenylenediamine derivatives (U.S. Pat. No. 3,615,404, JP-B-51-10105, JP-B-46-3712, and JP-A-47-47). JP-A-25-25336, JP-A-54-53435, JP-A-54-1105
Nos. 36 and 54-119925) and arylamine derivatives (U.S. Pat. No. 3,567,4).
50, 3,180,703, 3,24
Nos. 0,597, 3,658,520 and 4,2
No. 32,103, No. 4,175,961, No. 4,012,376, JP-B-49-35702, JP-A-39-27577, and JP-A-55-1442.
Nos. 50, 56-119132 and 56-2
No. 2437, West German Patent No. 1,110,518, etc.), amino-substituted chalcone derivatives (U.S. Pat. No. 3,526,501) and oxazole derivatives (U.S. Pat. No. 3,526,501). No. 3,257,203), styrylanthracene derivatives (described in JP-A-56-46234, etc.), and fluorenone derivatives (described in JP-A-54-110837). ), Hydrazone derivatives (US Pat. No. 3,71
No. 7,462, JP-A-54-59143, JP-A-55-52063, JP-A-55-52064,
JP-A-55-46760, JP-A-55-85495, JP-A-57-1350, and JP-A-57-148749.
And stilbell derivatives (JP-A-61-210363, JP-A-61-2284).
No. 51, No. 61-14642, No. 61-72
Nos. 255, 62-47646, 62-3
Nos. 6,674, 62-10652, 62-
Nos. 30255, 60-93445, 60
-94462, JP-A-60-174747, JP-A-60-175052) and the like.
【0040】上記化合物は正孔伝達化合物として用いる
ことができるが、次に示すポルフィリン化合物(特開昭
63−295695号公報などに記載のもの)及び芳香
族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物(米国
特許第4,127,412号明細書,特開昭53−2703
3号公報,同54−58445号公報,同54−149
634号公報,同54−64299号公報,同55−7
9450号公報,同55−144250号公報,同56
−119132号公報,同61−295558号公報,
同61−98353号公報,同63−295695号公
報などに記載のもの)、特に該芳香族第三級アミン化合
物を正孔伝達化合物として用いることが好ましい。The above compounds can be used as hole transporting compounds. The following porphyrin compounds (described in JP-A-63-295695) and aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds ( U.S. Pat. No. 4,127,412, JP-A-53-2703
Nos. 3, 54-58445 and 54-149.
Nos. 634 and 54-64299 and 55-7
Nos. 9450, 55-144250, 56
-119132, 61-295558,
It is preferable to use the aromatic tertiary amine compound as the hole transporting compound, particularly those described in JP-A-61-98353 and JP-A-63-295695.
【0041】該ポルフィリン化合物の代表例としては、
ポルフィリン;5,10,15,20−テトラフェニル
−21H,23H−ポルフィリン銅(II);5,10,
15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフ
ィリン亜鉛(II);5,10,15,20−テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)−21H,23H−ポルフ
ィリン;シリコンフタロシアニンオキシド;アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド;フタロシアニン(無金
属);ジリチウムフタロシアニン;銅テトラメチルフタ
ロシアニン;銅フタロシアニン;クロムフタロシアニ
ン;亜鉛フタロシアニン;鉛フタロシアニン;チタニウ
ムフタロシアニンオキシド;マグネシウムフタロシアニ
ン;銅オクタメチルフタロシアニンなどが挙げられる。
また該芳香族第三級化合物及びスチリルアミン化合物の
代表例としては、N,N,N’,N’−テトラフェニル
−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン;
N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジ
フェニル−〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジア
ミン;2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニ
ル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミ
ノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N’,N’−テ
トラ−p−トリル−(1,1’−ビフェニル)−4,
4’−ジアミン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルア
ミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス
(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニル
メタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フ
ェニルメタン;N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ
(4−メトキシフェニル)−(1,1’−ビフェニル)
−4,4’−ジアミン;N,N,N’,N’−テトラフ
ェニル−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル;4,
4’−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;
N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p
−トリルアミン)−4’−〔4(ジ−p−トリルアミ
ン)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルア
ミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキ
シ−4’−N,N−ジフェニルアミノスチルベン;N−
フェニルカルバゾールなどが挙げられる。Representative examples of the porphyrin compound include:
Porphyrin; 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin copper (II);
15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin zinc (II); 5,10,15,20-tetrakis (pentafluorophenyl) -21H, 23H-porphyrin; silicon phthalocyanine oxide; aluminum phthalocyanine chloride; phthalocyanine (metal-free Dilithium phthalocyanine; copper tetramethyl phthalocyanine; copper phthalocyanine; chromium phthalocyanine; zinc phthalocyanine; lead phthalocyanine; titanium phthalocyanine oxide; magnesium phthalocyanine;
Representative examples of the aromatic tertiary compound and styrylamine compound include N, N, N ′, N′-tetraphenyl- (1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine;
N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenyl- [1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine; 2,2-bis (4-di-p-tolylamino Phenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl- (1,1′-biphenyl) -4,
4'-diamine; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p- Tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N'-di (4-methoxyphenyl)-(1,1'-biphenyl)
-4,4'-diamine; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether;
4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl;
N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p
-Tolylamine) -4 '-[4 (di-p-tolylamine) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4'-N, N-diphenylamino Stilbene; N-
Phenylcarbazole and the like.
【0042】上記EL素子における該正孔注入輸送層
は、これらの正孔伝達化合物一種又は二種以上からなる
一層で構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種
の化合物からなる正孔注入輸送層を積層したものであっ
てもよい。一方、前記(3)の構成のEL素子における
電子注入層(電子注入輸送層)は、電子伝達化合物から
なるものであって、陰極より注入された電子を発光層に
伝達する機能を有している。このような電子伝達化合物
について特に制限はなく、従来公知の化合物の中から任
意のものを選択して用いることができる。該電子伝達化
合物の好ましい例としては、The hole injecting and transporting layer in the EL device may be composed of one or more of these hole transporting compounds, or may be a hole transporting compound of a different kind from the layer. It may be a laminate of injection and transport layers. On the other hand, the electron injecting layer (electron injecting and transporting layer) in the EL device having the constitution (3) is made of an electron transfer compound, and has a function of transferring electrons injected from the cathode to the light emitting layer. I have. There is no particular limitation on such an electron transfer compound, and any one of conventionally known compounds can be selected and used. Preferred examples of the electron transfer compound include:
【0043】[0043]
【化22】 Embedded image
【0044】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、Nitro-substituted fluorenone derivatives such as
【0045】[0045]
【化23】 Embedded image
【0046】などのチオピランジオキシド誘導体,Thiopyran dioxide derivatives such as
【0047】[0047]
【化24】 Embedded image
【0048】などのジフェニルキノン誘導体〔「ポリマ
ー・プレプリント( Polymer Preprints),ジャパン」第
37巻,第3号,第681ページ(1988年)などに
記載のもの〕、あるいはDiphenylquinone derivatives (those described in Polymer Preprints, Japan, Vol. 37, No. 3, page 681 (1988), etc.), or
【0049】[0049]
【化25】 Embedded image
【0050】などの化合物〔「ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス(J.Apply.Phys.)」第27巻,
第269頁(1988年)などに記載のもの〕や、アン
トラキノジメタン誘導体(特開昭57−149259号
公報,同58−55450号公報,同61−22515
1号公報,同61−233750号公報,同63−10
4061号公報などに記載のもの)、フレオレニリデン
メタン誘導体(特開昭60−69657号公報,同61
−143764号公報,同61−148159号公報な
どに記載のもの)、アントロン誘導体(特開昭61−2
25151号公報,同61−233750号公報などに
記載のもの)、さらに、次の一般式(A)又は(B)[Journal of Applied Physics], vol. 27,
269 (1988)] and anthraquinodimethane derivatives (JP-A-57-149259, JP-A-58-55450, and 61-22515).
No. 1, No. 61-233750, No. 63-10
4061), fluorenylidenemethane derivatives (JP-A-60-69657 and JP-A-60-69657).
143,768, 61-148159, etc.), anthrone derivatives (JP-A-61-2).
Nos. 25151 and 61-233750), and the following general formula (A) or (B)
【0051】[0051]
【化26】 Embedded image
【0052】(式中、Ar1 〜Ar3 及びAr5 はそれ
ぞれ独立に置換又は無置換の炭素数6〜20のアリール
基を示し、Ar4 は置換又は無置換の炭素数6〜20の
アリーレン基を示す。)で表される電子伝達化合物が挙
げられる。ここで、アリール基としてはフェニル基,ナ
フチル基,ビフェニル基,アントラニル基,ペリレニル
基,ピレニル基等が挙げられ、アリーレン基としてはフ
ェニレン基,ナフチレン基,ビフェニレン基,アントラ
セニレン基,ペリレニレン基,ピレニレン基等が挙げら
れる。また、置換基としては炭素数1〜10のアルキル
基,炭素数1〜10のアルコキシ基又はシアノ基等が挙
げられる。この一般式(A)又は(B)で表される化合
物は、薄膜形成性のものが好ましい。一般式(A)又は
(B)で表される化合物の具体例としては、(Wherein, Ar 1 to Ar 3 and Ar 5 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and Ar 4 represents a substituted or unsubstituted arylene having 6 to 20 carbon atoms. Which represents a group). Here, the aryl group includes a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, an anthranyl group, a perylenyl group, a pyrenyl group, and the like. And the like. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and a cyano group. The compound represented by formula (A) or (B) is preferably a compound capable of forming a thin film. Specific examples of the compound represented by the general formula (A) or (B) include:
【0053】[0053]
【化27】 Embedded image
【0054】[0054]
【化28】 Embedded image
【0055】[0055]
【化29】 Embedded image
【0056】等が挙げられる。And the like.
【0057】「Appl.Phys.Lett. 」第55巻、第148
9ページ(1989年)に開示されているオキサジアゾ
ール誘導体などを挙げることができる。なお、正孔注入
輸送層及び電子注入層は電化の注入性,輸送性,障壁性
のいずれかを有する層であり、上記した有機材料の他に
Si系,SiC系,CdS系などの結晶性ないし非結晶
性材料などの無機材料を用いることもできる。有機材料
を用いた正孔注入輸送層及び電子注入層は発光層と同様
にして形成することができ、無機材料を用いた正孔注入
輸送層及び電子注入層は真空蒸着法やスパッタリングな
どにより形成できるが、有機及び無機のいずれの材料を
用いた場合でも発光層のときと同様の理由から真空蒸着
法により形成することが好ましい。"Appl. Phys. Lett." Vol. 55, No. 148
Oxadiazole derivatives disclosed on page 9 (1989) can be mentioned. The hole injecting / transporting layer and the electron injecting layer are layers having any one of an injecting property, a transporting property, and a barrier property of electrification. In addition to the above-described organic materials, crystalline materials such as Si-based, SiC-based, and CdS-based Alternatively, an inorganic material such as an amorphous material can be used. The hole injection transport layer and the electron injection layer using an organic material can be formed in the same manner as the light emitting layer, and the hole injection transport layer and the electron injection layer using an inorganic material are formed by a vacuum evaporation method, sputtering, or the like. Although it is possible to use any of organic and inorganic materials, it is preferable to form by a vacuum deposition method for the same reason as in the light emitting layer.
【0058】次に、本発明の化合物を用いたEL素子を
作製する好適な方法の例を、各構成の素子それぞれにつ
いて説明する。前記の陽極/発光層/陰極からなるEL
素子の作製法について説明すると、まず適当な基板上
に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜
を、1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の
膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法に
より形成させ、陽極を作製したのち、この上に発光材料
である一般式(I)で表される4官能スチリル化合物の
薄膜を形成させ、発光層を設ける。該発光材料の薄膜化
の方法としては、例えばスピンコート法,キャスト法,
蒸着法などがあるが、均質な膜が得られやすく、かつピ
ンホールが生成しにくいなどの点から、蒸着法が好まし
い。該発光材料の薄膜化に、この蒸着法を採用する場
合、その蒸着条件は、使用する発光層に用いる有機化合
物の種類,分子堆積膜の目的とする結晶構造,会合構造
などにより異なるが、一般にボート加熱温度50〜40
0℃,真空度10-5〜10-3Pa,蒸着速度0.01〜5
0nm/sec,基板温度−50〜+300℃,膜厚5
nmないし5μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。次
にこの発光層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄
膜を、1μm以下、好ましくは50〜200nmの範囲
の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリングなど
の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望
のEL素子が得られる。なお、このEL素子の作製にお
いては、作製順序を逆にして、陰極,発光層,陽極の順
に作製することも可能である。Next, an example of a preferred method for producing an EL device using the compound of the present invention will be described for each device of each constitution. EL comprising the above anode / light-emitting layer / cathode
First, a thin film made of a desired electrode material, for example, a material for an anode is deposited or sputtered on a suitable substrate so as to have a thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm. After forming an anode, a thin film of a tetrafunctional styryl compound represented by the general formula (I), which is a light emitting material, is formed thereon, and a light emitting layer is provided. Examples of the method for thinning the luminescent material include spin coating, casting, and the like.
Although there is a vapor deposition method and the like, a vapor deposition method is preferable because a uniform film is easily obtained and a pinhole is hardly generated. When this vapor deposition method is used for thinning the light emitting material, the vapor deposition conditions vary depending on the type of the organic compound used for the light emitting layer to be used, the target crystal structure of the molecular deposition film, the association structure, and the like. Boat heating temperature 50-40
0 ° C., degree of vacuum 10 −5 to 10 −3 Pa, deposition rate 0.01 to 5
0 nm / sec, substrate temperature -50 to + 300 ° C, film thickness 5
It is desirable to select an appropriate value in the range of nm to 5 μm. Next, after forming this light emitting layer, a thin film made of a material for a cathode is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness of 1 μm or less, preferably 50 to 200 nm. Is provided, a desired EL element is obtained. In the production of this EL element, the production order can be reversed, and the cathode, the light emitting layer, and the anode can be produced in this order.
【0059】また、一対の電極間に正孔注入輸送材料,
発光材料,電子注入材料を混合させた形で電極間に挟持
させ発光層とした、陽極/発光層/陰極からなる素子の
場合の作製方法としては、例えば適当な基板の上に、陽
極用物質からなる薄膜を形成し、正孔注入輸送材料,発
光材料,電子注入材料,ポリビニルカルバゾール等の結
着剤等からなる溶液を塗布するか、又はこの溶液から浸
漬塗工法により薄膜を形成させ発光層とし、その上に陰
極用物質からなる薄膜を形成させるものがある。ここ
で、作製した発光層上に、さらに発光層の材料となる素
子材料を真空蒸着し、その上に陰極用物質からなる薄膜
を形成させてもよい。あるいは、正孔注入輸送材料,電
子注入材料および発光材料を同時蒸着させ発光層とし、
その上に陰極用物質からなる薄膜を形成させてもよい。A hole injection / transport material is provided between a pair of electrodes.
In the case of a device comprising an anode / light-emitting layer / cathode in which a light-emitting material and an electron-injecting material are mixed and sandwiched between electrodes to form a light-emitting layer, for example, a material for the anode may be provided on a suitable substrate. A thin film composed of a hole injecting and transporting material, a light emitting material, an electron injecting material, a binder such as polyvinyl carbazole or the like, or forming a thin film from this solution by a dip coating method to form a light emitting layer. And a thin film made of a cathode material is formed thereon. Here, an element material to be a material of the light emitting layer may be further vacuum-deposited on the manufactured light emitting layer, and a thin film made of a cathode material may be formed thereon. Alternatively, a hole injecting and transporting material, an electron injecting material, and a light emitting material are simultaneously deposited to form a light emitting layer,
A thin film made of a cathode material may be formed thereon.
【0060】次に、陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰
極から成るEL素子の作製法について説明すると、ま
ず、陽極を前記のEL素子の場合と同様にして形成した
のち、その上に、正孔伝達化合物から成る薄膜をスピン
コート法などにより形成し、正孔注入輸送層を設ける。
この際の条件は、前記発光材料の薄膜形成の条件に準じ
ればよい。次に、この正孔注入輸送層の上に、順次発光
層及び陰極を、前記EL素子の作製の場合と同様にして
設けることにより、所望のEL素子が得られる。なお、
このEL素子の作製においても、作製順序を逆にして、
陰極,発光層,正孔注入輸送層,陽極の順に作製するこ
とも可能である。さらに、陽極/正孔注入輸送層/発光
層/電子注入層/陰極から成るEL素子の作製法につい
て説明すると、まず、前記のEL素子の作製の場合と同
様にして、陽極,正孔注入輸送層,発光層を順次設けた
のち、この発光層の上に、電子伝達化合物から成る薄膜
をスピンコート法などにより形成して、電子注入層を設
け、次いでこの上に、陰極を前記EL素子の作製の場合
と同様にして設けることにより、所望のEL素子が得ら
れる。なお、このEL素子の作製においても、作製順序
を逆にして、陽極,電子注入層,発光層,正孔注入輸送
層,陽極の順に作製してもよい。Next, a method for manufacturing an EL device comprising an anode / a hole injection / transport layer / a light emitting layer / a cathode will be described. First, an anode is formed in the same manner as in the case of the above EL device, and then the anode is formed thereon. Then, a thin film made of a hole transport compound is formed by a spin coating method or the like, and a hole injection / transport layer is provided.
The conditions at this time may be in accordance with the conditions for forming the thin film of the light emitting material. Next, a desired EL element can be obtained by sequentially providing a light emitting layer and a cathode on the hole injecting and transporting layer in the same manner as in the case of manufacturing the EL element. In addition,
Also in the production of this EL element, the production order is reversed,
It is also possible to produce a cathode, a light emitting layer, a hole injection / transport layer, and an anode in this order. Further, a method of manufacturing an EL device composed of an anode / a hole injection / transport layer / a light emitting layer / an electron injection layer / a cathode will be described. First, as in the case of the EL device, the anode, the hole injection / transport layer are formed. After sequentially providing a layer and a light emitting layer, a thin film made of an electron transfer compound is formed on the light emitting layer by a spin coating method or the like, an electron injection layer is provided, and then a cathode is formed on the EL element. By providing the EL device in the same manner as in the case of manufacturing, a desired EL element can be obtained. In the production of this EL element, the production order may be reversed, and the anode, the electron injection layer, the light emitting layer, the hole injection transport layer, and the anode may be produced in this order.
【0061】このようにして得られたEL素子に、直流
電圧を印加する場合には、陽極を+,陰極を−の極性と
して電圧1〜30V程度を印加すると、発光が透明又は
半透明の電極側より観測できる。また、逆の極性で電圧
を印加しても電流は流れず発光は全く生じない。さら
に、交流電圧を印加する場合には、陽極が+,陰極が−
の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流
の波形は任意でよい。When a DC voltage is applied to the EL device obtained in this manner, a voltage of about 1 to 30 V is applied with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. Observable from the side. Also, even if a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, the anode is + and the cathode is-.
It emits light only when the state is reached. The waveform of the applied alternating current may be arbitrary.
【0062】[0062]
【実施例】次に本発明を、実施例,応用例及び応用比較
例によりさらに詳しく説明する。 実施例1Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, Application Examples and Application Comparative Examples. Example 1
【0063】[0063]
【化30】 Embedded image
【0064】1,2,4,5−テトラキス(ブロモメチ
ル)ベンゼン25.0g(0.056モル,Aldrich
製)と亜リン酸トリエチル44.7g(0.269モル)を
内温130℃で反応させた。反応終了後、n−ヘキサン
50ミリリットルで洗浄後、一晩放置すると白色沈澱を
生じた。得られた白色沈澱は、収量36.5g(収率94
%),融点49〜52.5℃であった。また、プロトン核
磁気共鳴( 1H−NMR,基準:テトラメチルシラン
(TMS),溶媒:CDCl3 )測定の結果、 δ=7.1ppm(s,2H,中心の芳香環のH) δ=4.0ppm(q,16H,エトキシ基の−CH2 −
のH) δ=3.35ppm(d,8H,31P−CH2 カップリン
グのH,J=20Hz) δ=1.20ppm(t,24H,エトキシ基の−CH3
のH) であった。次に、このホスホン酸エステル2.0g(0.0
03モル),ベンゾフェノン2.8g(0.015モル)お
よびカリウム−t−ブトキシド2.1g(0.013モル)
をジメチルスルホキド(DMSO)30ミリリットルに
懸濁し、室温(18〜19℃)にて反応させた。得られ
た反応物を一晩放置後、メタノール50ミリリットルを
添加し、析出した黄色粉末を濾過して得られた濾塊をシ
リカゲルカラムにて精製した。その結果得られた黄色粉
末は、収量0.9g(収率38%),融点231.5〜23
2.5℃であった。また、 1H−NMR(基準:テトラメ
チルシラン(TMS),溶媒:CDCl 3 )測定の結
果、 δ=7.1ppm(s,40H,末端フェニルのH) δ=6.6ppm(s,2H,中心フェニレンのH) δ=6.7ppm(s,4H,オレフィンのH) であった。質量分析(FD−MS)の結果、M+ (m/
Z=790),M2+(m/Z=395)のみが検出され
た(図1参照)。さらに元素分析の結果(( )は計算
値)、C64H46として C:94.03%(94.14%) H: 5.97%( 5.86%) であった。以上から、目的の4官能スチリル化合物
(8)が合成されていることが確認された。1,2,4,5-tetrakis (bromomethyl
Le) benzene 25.0 g (0.056 mol, Aldrich)
Made) and 44.7 g (0.269 mol) of triethyl phosphite
The reaction was performed at an internal temperature of 130 ° C. After the reaction, n-hexane
After washing with 50 ml and leaving overnight, a white precipitate
occured. The obtained white precipitate had a yield of 36.5 g (yield 94).
%), Melting point: 49-52.5 ° C. Also, proton nuclei
Magnetic resonance (1H-NMR, standard: tetramethylsilane
(TMS), solvent: CDClThree) As a result of the measurement, δ = 7.1 ppm (s, 2H, H of the central aromatic ring) δ = 4.0 ppm (q, 16H, —CH of the ethoxy group)Two−
H) δ = 3.35 ppm (d, 8H,31P-CHTwoCouplin
H, J = 20 Hz) δ = 1.20 ppm (t, 24H, —CH of ethoxy group)Three
H). Next, 2.0 g of this phosphonate ester (0.0
03 mol), 2.8 g (0.015 mol) of benzophenone and
And potassium-t-butoxide 2.1 g (0.013 mol)
To 30 ml of dimethyl sulfoxide (DMSO)
The suspension was reacted at room temperature (18 to 19 ° C.). Obtained
The reaction was left overnight and 50 ml of methanol was added.
The precipitated yellow powder was filtered and the filter cake obtained was filtered.
The product was purified using a Ricagel column. The resulting yellow powder
The powder had a yield of 0.9 g (38% yield) and a melting point of 231.5 to 23.
2.5 ° C. Also,1H-NMR (reference: tetrame
Tylsilane (TMS), solvent: CDCl Three) Measurement result
As a result, δ = 7.1 ppm (s, 40H, H of terminal phenyl) δ = 6.6 ppm (s, 2H, H of central phenylene) δ = 6.7 ppm (s, 4H, H of olefin). As a result of mass spectrometry (FD-MS), M+(M /
Z = 790), M2+(M / Z = 395) only
(See FIG. 1). Furthermore, the result of elemental analysis (() is calculated
Value), C64H46C: 94.03% (94.14%) H: 5.97% (5.86%) From the above, the target tetrafunctional styryl compound
It was confirmed that (8) was synthesized.
【0065】実施例2Embodiment 2
【0066】[0066]
【化31】 Embedded image
【0067】3,3’,5,5’−テトラキス(ブロモ
メチル)ビフェニル10.5g(0.020モル)と亜リン
酸トリエチル17.28g(0.10モル)を内温110℃
で反応させた。反応終了後、n−ヘキサン50ミリリッ
トルで洗浄すると透明な粘調液体15.5g(定量的)が
得られた。また、 1H−NMR(基準:テトラメチルシ
ラン(TMS),溶媒:CDCl 3 )測定の結果、 δ=7.3ppm(s,4H,中心のビフェニレン環の
H) δ=7.1ppm(s,2H,中心のビフェニレン環の
H) δ=4.0ppm(q,16H,エトキシ基の−CH2 −
のH) δ=3.1ppm(d,8H,31P−CH2 カップリング
のH,J=20Hz) δ=1.2ppm(t,24H,エトキシ基の−CH3 の
H) であった。次に、このホスホン酸エステル2.5g(0.0
033モル),ベンゾフェノン3.13g(0.017モ
ル)およびカリウム−t−ブトキシド1.7g(0.015
モル)をDMSO35ミリリットルに懸濁し、室温(1
8〜19℃)にて反応させた。得られた反応物を一晩放
置後、メタノール50ミリリットルを添加し、析出した
黄色粉末を濾過して得られた濾塊をシリカゲルカラムに
て精製した。その結果得られた白色粉末は、収量0.81
g(収率28%),融点223〜225℃であった。ま
た、 1H−NMR(基準:テトラメチルシラン(TM
S),溶媒:CDCl 3 )測定の結果、 δ=7.2ppm(s,40H,末端フェニルのH) δ=6.5〜7.2ppm(m,10H,中心ビフェニレン
およびビニルのH) であった。質量分析(FD−MS)の結果、M+ (m/
Z=866),M2+(m/Z=433)のみが検出され
た(図2参照)。さらに元素分析の結果(( )は計算
値)、C68H50として C:94.07%(94.19%) H: 5.93%( 5.81%) であった。以上から、目的の4官能スチリル化合物(2
0)が合成されていることが確認された。3,3 ', 5,5'-tetrakis (bromo
10.5 g (0.020 mol) of methyl) biphenyl and phosphorus
Triethyl acid (17.28 g, 0.10 mol) at an internal temperature of 110 ° C
Was reacted. After completion of the reaction, 50 milliliters of n-hexane was used.
15.5 g (quantitative) of a clear viscous liquid when washed with torr
Obtained. Also,1H-NMR (reference: tetramethylsi
Run (TMS), solvent: CDCl Three) As a result of the measurement, δ = 7.3 ppm (s, 4H, of the central biphenylene ring)
H) δ = 7.1 ppm (s, 2H, of the central biphenylene ring
H) δ = 4.0 ppm (q, 16H, —CH of ethoxy group)Two−
H) δ = 3.1 ppm (d, 8H,31P-CHTwoCoupling
H, J = 20 Hz) δ = 1.2 ppm (t, 24H, —CH of ethoxy group)Threeof
H). Next, 2.5 g of this phosphonate ester (0.0
033 mol), 3.13 g of benzophenone (0.017 mol)
1.7 g of potassium tert-butoxide (0.015
Mol) were suspended in 35 ml of DMSO and allowed to stand at room temperature (1
(8-19 ° C). Release the resulting reaction overnight
After the addition, 50 ml of methanol was added and precipitated.
The filter cake obtained by filtering the yellow powder is applied to a silica gel column.
And purified. The resulting white powder has a yield of 0.81.
g (yield 28%), melting point 223-225 ° C. Ma
Was1H-NMR (reference: tetramethylsilane (TM
S), solvent: CDCl Three) As a result of measurement, δ = 7.2 ppm (s, 40H, H of terminal phenyl) δ = 6.5 to 7.2 ppm (m, 10H, central biphenylene)
And vinyl H). As a result of mass spectrometry (FD-MS), M+(M /
Z = 866), M2+(M / Z = 433) only detected
(See FIG. 2). Furthermore, the result of elemental analysis (() is calculated
Value), C68H50C: 94.07% (94.19%) H: 5.93% (5.81%) From the above, the desired tetrafunctional styryl compound (2
0) was confirmed to be synthesized.
【0068】実施例3Embodiment 3
【0069】[0069]
【化32】 Embedded image
【0070】実施例2の反応の副生物として上記化合物
Aが1.06g得られた。この化合物Aの性状は白色粉末
で、融点は177〜178℃であった。また、 1H−N
MR(基準:テトラメチルシラン(TMS),溶媒:C
DCl 3 )測定の結果、 δ=7.2ppm(s,30H,末端フェニル基のH) δ=6.6〜6.9ppm(m,9H,中心のビフェニレン
環およびビニルのH) δ=3.9ppm(q,2H,エトキシ基の−CH2 −の
H) δ=2.8ppm(d,2H,31P−CH2 カップリング
のH,J=20Hz) δ=1.2ppm(t,3H,エトキシ基の−CH3 の
H) であった。また、質量分析(FD−MS)の結果、M+
(m/Z=838)より、化合物Aが合成されているこ
とが確認された。次に、このホスホン酸エステルである
化合物A1.0g(0.0012モル),4,4’−ジメト
キシベンゾフェノン0.38g(0.0016モル)および
カリウム−t−ブトキシド0.22g(0.002モル)を
DMSO30ミリリットルに懸濁し、室温(18〜20
℃)にて反応させた。得られた反応物を一晩放置後、メ
タノール50ミリリットルを添加し、析出した白色粉末
を濾過して得られた濾塊をシリカゲルカラムにて精製し
た。その結果得られた白色板状晶は、収量0.23g(収
率21%),融点138〜147℃であった。また、 1
H−NMR(基準:テトラメチルシラン(TMS),溶
媒:CDCl 3 )測定の結果、 δ=7.2ppm(s,38H,末端フェニル基のH) δ=6.4〜7.2ppm(m,10H,中心ビフェニレン
およびビニルのH) δ=3.6ppm(d,6H,メトキシ基のH) であった。質量分析(FD−MS)の結果、M+ (m/
Z=926),M2+(m/Z=463)のみが検出され
た(図3参照)。以上から、目的の4官能スチリル化合
物(23)が合成されていることが確認された。The above compound as a by-product of the reaction of Example 2
1.06 g of A was obtained. This compound A is white powder
And the melting point was 177 to 178 ° C. Also,1H-N
MR (reference: tetramethylsilane (TMS), solvent: C
DCI Three) As a result of the measurement, δ = 7.2 ppm (s, 30H, H of the terminal phenyl group) δ = 6.6 to 6.9 ppm (m, 9H, biphenylene at the center)
H of ring and vinyl) δ = 3.9 ppm (q, 2H, -CH of ethoxy group)Two-
H) δ = 2.8 ppm (d, 2H,31P-CHTwoCoupling
H, J = 20 Hz) δ = 1.2 ppm (t, 3H, —CH of ethoxy group)Threeof
H). Also, as a result of mass spectrometry (FD-MS), M+
(M / Z = 838) indicates that Compound A was synthesized.
Was confirmed. Next is this phosphonate
Compound A 1.0 g (0.0012 mol), 4,4'-dimethoate
0.38 g (0.0016 mol) of xybenzophenone and
0.22 g (0.002 mol) of potassium tert-butoxide
Suspended in 30 ml of DMSO, room temperature (18-20
C). After leaving the obtained reaction product overnight,
White powder precipitated by adding 50 ml of tanol
Is filtered through a silica gel column.
Was. The resulting white plate crystals had a yield of 0.23 g (yield
21%), melting point 138-147 ° C. Also,1
H-NMR (reference: tetramethylsilane (TMS), dissolved
Medium: CDCl Three) As a result of the measurement, δ = 7.2 ppm (s, 38H, H of the terminal phenyl group) δ = 6.4 to 7.2 ppm (m, 10H, central biphenylene)
And H of vinyl) δ = 3.6 ppm (d, 6H, H of methoxy group). As a result of mass spectrometry (FD-MS), M+(M /
Z = 926), M2+(M / Z = 463) only detected
(See FIG. 3). From the above, the desired tetrafunctional styryl compound
It was confirmed that the product (23) was synthesized.
【0071】実施例4Embodiment 4
【0072】[0072]
【化33】 Embedded image
【0073】3,3’,5,5’−テトラキス〔(ジエ
チルホスホリル)メチル〕ビフェニル1.5g(0.002
0モル),4−ジフェニルアミノベンゾフェノン3.6g
(0.0104モル)およびカリウム−t−ブトキシド1.
0g(0.009モル)をDMSO35ミリリットルに懸
濁し、室温(20〜25℃)で5時間反応させた。得ら
れた反応生成物を一晩放置後、80%メタノール水40
ミリリットルを添加し、析出した淡黄色粉末を濾過して
た。得られた濾塊をシリカゲルカラム(展開溶媒:酢酸
エチルエステル(2重量部)とn−ヘキサンの混合物
(1重量部)で精製した。その結果得られた淡黄色粉末
は、収量1.3g(収率43%),融点150〜170℃
であった。また、 1H−NMR(基準:テトラメチルシ
ラン(TMS),溶媒:CDCl 3 )測定の結果、 δ=7.32〜6.93ppm(m,82H,末端フェニル
基および中心のビフェニレン環のH) δ=6.75〜6.67pm(d,4H,ビニル基のH) であった。質量分析(FD−MS)の結果、M+ (m/
Z=1534),M2+(m/Z=767)のみが検出さ
れた(図4参照)。さらに元素分析の結果(( )は計
算値)、C116 H86H4 として C:90.76%(90.71%) H: 5.58%( 5.64%) N: 3.66%( 3.65%) であった。以上から、目的の4官能スチリル化合物(2
2)が合成されていることが確認された。3,3 ', 5,5'-tetrakis [(die
Tyl phosphoryl) methyl] biphenyl 1.5 g (0.002
0 mol), 3.6 g of 4-diphenylaminobenzophenone
(0.0104 mol) and potassium tert-butoxide 1.
0 g (0.009 mol) in 35 mL of DMSO
It became cloudy and reacted at room temperature (20-25 ° C) for 5 hours. Get
After standing the reaction product overnight, 80% methanol water 40
Milliliter was added and the precipitated pale yellow powder was filtered
Was. The obtained filter cake is applied to a silica gel column (developing solvent: acetic acid).
Mixture of ethyl ester (2 parts by weight) and n-hexane
(1 part by weight). The resulting pale yellow powder
Has a yield of 1.3 g (43% yield) and a melting point of 150 to 170 ° C.
Met. Also,1H-NMR (reference: tetramethylsi
Run (TMS), solvent: CDCl Three) As a result of the measurement, δ = 7.32 to 6.93 ppm (m, 82H, terminal phenyl)
H of the group and the central biphenylene ring) δ = 6.75 to 6.67 pm (d, 4H, H of the vinyl group). As a result of mass spectrometry (FD-MS), M+(M /
Z = 1534), M2+(M / Z = 767) only detected
(See FIG. 4). Furthermore, the results of elemental analysis (()
Arithmetic), C116H86HFourC: 90.76% (90.71%) H: 5.58% (5.64%) N: 3.66% (3.65%) From the above, the desired tetrafunctional styryl compound (2
It was confirmed that 2) was synthesized.
【0074】応用例1 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上に蒸着法により
厚さ100nmのITO膜(陽極に相当)を設けたもの
を透明支持基板とした。この透明支持基板をイソプロピ
ルアルコールで5分間超音波洗浄し、さらに純水中で5
分間超音波洗浄した後、UVイオン洗浄器(サムコイン
ターナショナル社製)にて基板温度150℃で20分間
洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して
市販の蒸着装置(日本真空技術(株)製)の基板ホルダ
ーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにCu配位
のフタロシアニン(以下、CuPcと略す。)を200
mg入れ、また別のモリブテン製ボートの抵抗加熱に
N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジ
フェニル−〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジア
ミン(以下、TPDと略す。)を200mg入れ、さら
に別のモリブテン製の抵抗加熱ボートに実施例1で得ら
れた化合物(8)で表される1,2,4,5−テトラキ
ス(2,2−ジフェニルビニル)ベンゼン(以下、(D
PV)4 Bと略す。)を200mg入れた。次いで、真
空層を4×10-4Paまで減圧した後、CuPcの入っ
た前記加熱ボートに通電して350℃まで加熱し、蒸着
速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に蒸着して膜
厚20nmのCuPc層を設けた。このときの基板温度
は室温であった。そして、TPDの入った前記加熱ボー
トに通電して215℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3
nm/秒で上記CuPc層の上にTPDを蒸着して膜厚
40nmのTPD層を設けた。このときの基板温度も室
温であった。このようにして設けたCuPc層とTPD
層の2層が、正孔注入輸送層に該当する。次いで、(D
PV)4 Bの入った前記加熱ボートに通電して250℃
まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で上記TPD
層の上に蒸着して膜厚40nmの発光層を設けた。次
に、これ3層の有機物層を積層した透明支持基板を真空
槽から取り出し、発光槽の上にステンレススチール製の
マスクを配置して再び基板ホルダーに固定した。次い
で、モリブデン製の抵抗加熱ボートにトリス(8−キノ
リノール)アルミニウム(以下、Alq3 と略す。)を
200mgを入れて真空槽に蒸着した。さらに、マグネ
シウムリボン1gを入れたモリブデン製の抵抗加熱ボー
トと銀ワイヤー500mgを入れたタングステン製バス
ケットとを真空槽に装着した。その後、真空槽を1×1
0-4Paまで減圧した。減圧後、Alq3 を入れたボー
トを270℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒
で発光層上にAlq3 を蒸着して膜厚40nmのAlq
3 層(電子注入層に相当)を設けた。続けて、銀ワイヤ
ー入りのバスケットに通電して蒸着速度0.1nm/秒で
銀を蒸着させると同時にマグネシウムリボン入りのボー
トに通電して蒸着速度1.4〜2.0nm/秒でマグネシウ
ムを蒸着した。この二元同時蒸着により、Alq3 層上
に膜厚20nmのマグネシウム−銀層(陰極に相当)が
形成された。この素子のITO電極を陽極とし、マグネ
シウム−銀層を陰極として、直流10Vを印加したとこ
ろ、電流密度が77ミリアンペア/cm2 の電流が流
れ、ピーク波長494nmのBlue Greenの発
光を得た。このときの輝度は250cd/m2 であり、
発光効率は0.60ルーメン/Wであった。得られた発光
は、(DPV)4 Bの固体蛍光とほぼ一致することから
(DPV)4 Bからの発光と確認された。Application Example 1 A transparent support substrate was prepared by providing a 100 mm thick ITO film (corresponding to an anode) on a 25 mm × 75 mm × 1.1 mm glass substrate by vapor deposition. This transparent support substrate is subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol for 5 minutes, and further washed in pure water for 5 minutes.
After ultrasonic cleaning for 20 minutes, the substrate was cleaned at a substrate temperature of 150 ° C. for 20 minutes using a UV ion cleaner (manufactured by Samco International). The transparent support substrate is dried with a dry nitrogen gas, fixed to a substrate holder of a commercially available vapor deposition device (manufactured by Nippon Vacuum Technology Co., Ltd.), and mounted on a molybdenum resistance heating boat with phthalocyanine (CuPc) coordinated with Cu. .) To 200
mg, and N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenyl- [1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (hereinafter referred to as resistance heating of another molybdenum boat) , TPD) in a molybdenum resistance heating boat and 1,2,4,5-tetrakis (2,2-diphenyl) represented by the compound (8) obtained in Example 1. Vinyl) benzene (hereinafter referred to as (D
PV) abbreviated as 4 B. ) Was added. Next, after the vacuum layer was decompressed to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing CuPc was energized and heated to 350 ° C., and deposited on the transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec. A CuPc layer having a thickness of 20 nm was formed by vapor deposition. At this time, the substrate temperature was room temperature. Then, the heating boat containing the TPD is energized and heated to 215 ° C., and the evaporation rate is set to 0.1 to 0.3.
TPD was vapor-deposited on the CuPc layer at nm / sec to form a TPD layer having a thickness of 40 nm. The substrate temperature at this time was also room temperature. The CuPc layer thus provided and the TPD
Two of the layers correspond to the hole injection transport layer. Then, (D
PV) 4 by supplying an electric current to the heating boat containing B 250 ° C.
To the above TPD at a deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec.
A light emitting layer having a thickness of 40 nm was provided by vapor deposition on the layer. Next, the transparent support substrate on which the three organic layers were laminated was taken out of the vacuum chamber, and a stainless steel mask was placed on the light-emitting chamber, and was fixed to the substrate holder again. Then, the molybdenum resistance heating boat tris (8-quinolinol) aluminum (hereinafter abbreviated as Alq 3.) Was deposited in the vacuum chamber put 200 mg. Further, a molybdenum resistance heating boat containing 1 g of magnesium ribbon and a tungsten basket containing 500 mg of silver wire were attached to a vacuum chamber. After that, the vacuum tank is 1 × 1
The pressure was reduced to 0 -4 Pa. After reducing the pressure, the boat containing Alq 3 was heated to 270 ° C., and Alq 3 was deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec to form an Alq 3 having a thickness of 40 nm.
Three layers (corresponding to an electron injection layer) were provided. Subsequently, silver is deposited at a deposition rate of 0.1 nm / sec by energizing a basket containing silver wires, and at the same time, magnesium is deposited at a deposition rate of 1.4 to 2.0 nm / sec by energizing a boat containing a magnesium ribbon. did. By this dual simultaneous evaporation, a 20 nm-thick magnesium-silver layer (corresponding to a cathode) was formed on the Alq 3 layer. When a direct current of 10 V was applied using the ITO electrode of the device as an anode and the magnesium-silver layer as a cathode, a current having a current density of 77 mA / cm 2 flowed, and light emission of Blue Green having a peak wavelength of 494 nm was obtained. The luminance at this time is 250 cd / m 2 ,
The luminous efficiency was 0.60 lumen / W. The resulting luminescence was determined to emission from (DPV) and solid state fluorescence of 4 B since it substantially matches (DPV) 4 B.
【0075】応用例2 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上に蒸着法により
厚さ100nmのITO膜(陽極に相当)を設けたもの
を透明支持基板とした。この透明支持基板をイソプロピ
ルアルコールで5分間超音波洗浄し、さらに純水中で5
分間超音波洗浄した後、UVイオン洗浄器(サムコイン
ターナショナル社製)にて基板温度150℃で20分間
洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して
市販の蒸着装置(日本真空技術(株)製)の基板ホルダ
ーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにCuPc
を200mg入れ、また別のモリブテン製ボートの抵抗
加熱にTPDを200mg入れ、さらに別のモリブテン
製の抵抗加熱ボートに実施例2で得られた化合物(2
0)で表される3,3’,5,5’−テトラキス(2,
2−ジフェニルビニル)ビフェニル(以下、(DPV)
4 Biと略す。)を200mg入れた。次いで、真空層
を4×10-4Paまで減圧した後、CuPcの入った前
記加熱ボートに通電して350℃まで加熱し、蒸着速度
0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に蒸着して膜厚2
0nmのCuPc層を設けた。このときの基板温度は室
温であった。そして、TPDの入った前記加熱ボートに
通電して215℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm
/秒で上記CuPc層の上にTPDを蒸着して膜厚40
nmのTPD層を設けた。このときの基板温度も室温で
あった。このようにして設けたCuPc層とTPD層の
2層が、正孔注入輸送層に該当する。次いで、(DP
V)4 Biの入った前記加熱ボートに通電して296℃
まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で上記TPD
層の上に蒸着して膜厚40nmの発光層を設けた。次
に、これ3層の有機物層を積層した透明支持基板を真空
槽から取り出し、発光槽の上にステンレススチール製の
マスクを配置して再び基板ホルダーに固定した。次い
で、モリブデン製の抵抗加熱ボートにAlq3 を200
mgを入れて真空槽に蒸着した。さらに、マグネシウム
リボン1gを入れたモリブデン製の抵抗加熱ボートと銀
ワイヤー500mgを入れたタングステン製バスケット
とを真空槽に装着した。その後、真空槽を1×10-4P
aまで減圧した。減圧後、Alq 3 を入れたボートを2
70℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で発光
層上にAlq3 を蒸着して膜厚40nmのAlq3 層
(電子注入層に相当)を設けた。続けて、銀ワイヤー入
りのバスケットに通電して蒸着速度0.1nm/秒で銀を
蒸着させると同時にマグネシウムリボン入りのボートに
通電して蒸着速度1.4〜2.0nm/秒でマグネシウムを
蒸着した。この二元同時蒸着により、Alq3層上に膜
厚20nmのマグネシウム−銀層(陰極に相当)が形成
された。この素子のITO電極を陽極とし、マグネシウ
ム−銀層を陰極として、直流10Vを印加したところ、
電流密度が12ミリアンペア/cm2 の電流が流れ、ピ
ーク波長462nmのBlueの発光を得た。このとき
の輝度は240cd/m 2 であり、発光効率は0.64ル
ーメン/Wであった。得られた発光は、(DPV)4 B
iの固体蛍光とほぼ一致することから(DPV)4 Bi
からの発光と確認された。Application Example 2 On a glass substrate of 25 mm × 75 mm × 1.1 mm by an evaporation method
100 nm thick ITO film (corresponding to anode)
Was used as a transparent support substrate. This transparent support substrate is
Ultrasonic cleaning with alcohol for 5 minutes, and further in pure water for 5 minutes.
After ultrasonic cleaning for 5 minutes, UV ion cleaner (Samcoin
Substrate) at substrate temperature of 150 ° C for 20 minutes
Washed. Dry this transparent support substrate with dry nitrogen gas
Substrate holder for commercially available vapor deposition equipment (manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd.)
To the molybdenum resistance heating boat and CuPc
200 mg, and the resistance of another molybdenum boat
Add 200mg of TPD to the heating and add another molybdenum
The compound obtained in Example 2 (2
0), 3,3 ', 5,5'-tetrakis (2,
2-diphenylvinyl) biphenyl (hereinafter, (DPV)
FourAbbreviated as Bi. ) Was added. Then vacuum layer
Is 4 × 10-FourAfter reducing the pressure to Pa, before CuPc
The heating boat was energized and heated to 350 ° C, and the evaporation rate
0.1 to 0.3 nm / sec.
A 0 nm CuPc layer was provided. The substrate temperature at this time is
It was warm. And to the heated boat with TPD
Energize and heat to 215 ° C, evaporation rate 0.1-0.3nm
TPD is deposited on the CuPc layer at a rate of
nm TPD layer was provided. The substrate temperature at this time is also room temperature
there were. The CuPc layer and the TPD layer
The two layers correspond to a hole injection transport layer. Then, (DP
V)Four296 ° C by supplying electricity to the heating boat containing Bi
To the above TPD at a deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec.
A light emitting layer having a thickness of 40 nm was provided by vapor deposition on the layer. Next
Then, the transparent support substrate on which the three organic material layers are laminated is vacuumed.
Remove from the tank and place stainless steel
The mask was arranged and fixed to the substrate holder again. Next
Alq for molybdenum resistance heating boatThreeTo 200
mg was deposited in a vacuum chamber. In addition, magnesium
Molybdenum resistance heating boat with 1g of ribbon and silver
Tungsten basket with 500mg wire
And were mounted in a vacuum chamber. After that, the vacuum chamber is 1 × 10-FourP
The pressure was reduced to a. After decompression, Alq ThreeTwo boats
Heats to 70 ° C and emits light at a deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec.
Alq on the layerThreeIs deposited to a thickness of 40 nm.Threelayer
(Corresponding to an electron injection layer). Continue with silver wire
Energizing the basket and depositing silver at a deposition rate of 0.1 nm / sec.
At the same time as vapor deposition on boat with magnesium ribbon
Energize to deposit magnesium at a deposition rate of 1.4 to 2.0 nm / sec.
Evaporated. By this binary simultaneous evaporation, AlqThreeFilm on layer
20-nm thick magnesium-silver layer (corresponding to cathode) formed
Was done. The ITO electrode of this device was used as the anode,
When a direct current of 10 V was applied using the silver layer as a cathode,
Current density of 12 mA / cmTwoCurrent flows
Blue light with a peak wavelength of 462 nm was obtained. At this time
Has a luminance of 240 cd / m TwoAnd the luminous efficiency is 0.64 Lu
-W / W. The resulting luminescence is (DPV)FourB
(DPV) because it almost matches the solid-state fluorescence of iFourBi
It was confirmed that light was emitted from.
【0076】応用例3 応用例2で発光層として用いた化合物(20)の代わり
に実施例3で得られた化合物(23)で表される3−
(2,2−ジ(4−メトキシフェニル)ビニル−3’,
5,5’−トリス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェ
ニル(以下、(DM−DPV3 )4 Biと略す。)を用
い、この化合物の蒸着の際のボート温度を328℃に変
えた以外は、応用例2と同様に操作を行った。得られた
素子のITO電極を陽極とし、マグネシウム−銀層を陰
極として、直流10Vを印加したところ、電流密度が1
3ミリアンペア/cm2 の電流が流れ、ピーク波長48
5nmのGreenish Blueの発光を得た。こ
のときの輝度は214cd/m2 であり、発光効率は0.
52ルーメン/Wであった。得られた発光は、(DM−
DPV3 )4 Biの固体蛍光とほぼ一致することから
(DM−DPV3 )4 Biからの発光と確認された。Application Example 3 Instead of the compound (20) used in the application example 2 as the light emitting layer, a compound represented by the compound (23) obtained in Example 3 was used.
(2,2-di (4-methoxyphenyl) vinyl-3 ′,
Except that 5,5′-tris (2,2-diphenylvinyl) biphenyl (hereinafter abbreviated as (DM-DPV 3 ) 4 Bi) was used and the boat temperature at the time of vapor deposition of this compound was changed to 328 ° C. The operation was performed in the same manner as in Application Example 2. When a direct current of 10 V was applied using the ITO electrode of the obtained device as an anode and the magnesium-silver layer as a cathode, the current density was 1
A current of 3 mA / cm 2 flows and a peak wavelength of 48
Greenish Blue emission of 5 nm was obtained. At this time, the luminance was 214 cd / m 2 and the luminous efficiency was 0.2.
It was 52 lumens / W. The resulting luminescence is (DM-
DPV 3) 4 and a solid fluorescence Bi since almost conforming (DM-DPV 3) was identified as emission from 4 Bi.
【0077】応用比較例1 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上に蒸着法により
厚さ100nmのITO膜(陽極に相当)を設けたもの
を透明支持基板とした。この透明支持基板をイソプロピ
ルアルコールで5分間超音波洗浄し、さらに純水中で5
分間超音波洗浄した後、UVイオン洗浄器(サムコイン
ターナショナル社製)にて基板温度150℃で20分間
洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して
市販の蒸着装置(日本真空技術(株)製)の基板ホルダ
ーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにCuPc
を200mg入れ、また別のモリブテン製ボートの抵抗
加熱にTPDを200mg入れ、さらに別のモリブテン
製の抵抗加熱ボートに比較例として合成した1,3,5
−トリス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニルAPPLICATION COMPARATIVE EXAMPLE 1 A transparent supporting substrate was prepared by providing a 100-nm thick ITO film (corresponding to an anode) on a 25 mm × 75 mm × 1.1 mm glass substrate by vapor deposition. This transparent support substrate is subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol for 5 minutes, and further washed in pure water for 5 minutes.
After ultrasonic cleaning for 20 minutes, the substrate was cleaned at a substrate temperature of 150 ° C. for 20 minutes using a UV ion cleaner (manufactured by Samco International). The transparent support substrate is dried with dry nitrogen gas, fixed to a substrate holder of a commercially available vapor deposition device (manufactured by Nippon Vacuum Technology Co., Ltd.), and placed in a molybdenum resistance heating boat with CuPc.
200 mg of TPD and 200 mg of TPD for resistance heating of another molybdenum boat, and further synthesized as a comparative example in another molybdenum resistance heating boat.
-Tris (2,2-diphenylvinyl) biphenyl
【0078】[0078]
【化34】 Embedded image
【0079】(以下、(DPV)3 Bと略す。)を20
0mg入れた。次いで、真空層を4×10-4Paまで減
圧した後、CuPcの入った前記加熱ボートに通電して
350℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透
明支持基板上に蒸着して膜厚20nmのCuPc層を設
けた。このときの基板温度は室温であった。そして、T
PDの入った前記加熱ボートに通電して215℃まで加
熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で上記CuPc層の
上にTPDを蒸着して膜厚40nmのTPD層を設け
た。このときの基板温度も室温であった。このようにし
て設けたCuPc層とTPD層の2層が、正孔注入輸送
層に該当する。次いで、(DPV)3 Bの入った前記加
熱ボートに通電して245℃まで加熱し、蒸着速度0.1
〜0.3nm/秒で上記TPD層の上に蒸着して膜厚40
nmの発光層を設けた。次に、これ3層の有機物層を積
層した透明支持基板を真空槽から取り出し、発光槽の上
にステンレススチール製のマスクを配置して再び基板ホ
ルダーに固定した。次いで、モリブデン製の抵抗加熱ボ
ートにAlq3 を200mgを入れて真空槽に蒸着し
た。さらに、マグネシウムリボン1gを入れたモリブデ
ン製の抵抗加熱ボートと銀ワイヤー500mgを入れた
タングステン製バスケットとを真空槽に装着した。その
後、真空槽を1×10-4Paまで減圧した。減圧後、A
lq 3 を入れたボートを270℃まで加熱し、蒸着速度
0.1〜0.3nm/秒で発光層上にAlq3 を蒸着して膜
厚40nmのAlq3 層(電子注入層に相当)を設け
た。続けて、銀ワイヤー入りのバスケットに通電して蒸
着速度0.1nm/秒で銀を蒸着させると同時にマグネシ
ウムリボン入りのボートに通電して蒸着速度1.4〜2.0
nm/秒でマグネシウムを蒸着した。この二元同時蒸着
により、Alq3層上に膜厚20nmのマグネシウム−
銀層(陰極に相当)が形成された。この素子のITO電
極を陽極とし、マグネシウム−銀層を陰極として、直流
10Vを印加したところ、電流密度が5ミリアンペア/
cm2 の電流が流れ、ピーク波長460nmのPurp
lish Blueの発光を得た。このときの輝度は1
5cd/m2 であり、発光効率は0.11ルーメン/Wで
あった。得られた発光は、(DPV)3 Bの固体蛍光と
ほぼ一致することから(DPV)3 Bからの発光と確認
された。このように3官能スチリル化合物よりも4官能
スチリル化合物を発光材料として用いた方が、輝度およ
び発光効率が高いことが明らかになった。(Hereinafter, (DPV)ThreeAbbreviated as B. ) To 20
0 mg was added. Then, the vacuum layer was 4 × 10-FourReduced to Pa
After applying pressure, energize the heating boat containing CuPc
Heat to 350 ° C. and pass through at a deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec.
A 20 nm-thick CuPc layer is deposited by evaporation on a bright support substrate.
I did. At this time, the substrate temperature was room temperature. And T
Energize the heating boat with PD and heat up to 215 ° C.
The CuPc layer was heated at a deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec.
A TPD layer having a thickness of 40 nm is provided by vapor deposition of TPD on the
Was. The substrate temperature at this time was also room temperature. Like this
The two layers of the CuPc layer and the TPD layer provided by
Applicable to layers. Then, (DPV)ThreeThe module containing B
Energize the heat boat and heat to 245 ° C, evaporation rate 0.1
Vapor deposited on the TPD layer at a rate of ~ 0.3 nm / sec.
nm light emitting layer. Next, the three organic layers are stacked.
Remove the layered transparent support substrate from the vacuum chamber and place it on the light-emitting chamber.
Place a stainless steel mask on the
Fixed to the rudder. Next, a molybdenum resistance heating
AlqThreeAnd put 200mg in a vacuum chamber
Was. In addition, molybdenum containing 1g of magnesium ribbon
500mg silver wire and 500mg silver wire
The basket made of tungsten was attached to a vacuum chamber. That
After that, the vacuum chamber is-FourThe pressure was reduced to Pa. After decompression, A
lq ThreeHeat the boat containing 270 ° C to the evaporation rate
Alq on the light emitting layer at 0.1 to 0.3 nm / secThreeDepositing a film
Alq with a thickness of 40 nmThreeLayer (corresponding to the electron injection layer)
Was. Then, supply electricity to the basket containing silver wire and
At a deposition rate of 0.1 nm / sec, silver is deposited and
Energizing the boat containing the um ribbon and depositing at a rate of 1.4 to 2.0
Magnesium was deposited at nm / sec. This dual simultaneous deposition
As a result, AlqThree20 nm thick magnesium layer
A silver layer (corresponding to the cathode) was formed. This device's ITO
With the pole as the anode and the magnesium-silver layer as the cathode,
When 10 V was applied, the current density was 5 mA /
cmTwoPurp with a peak wavelength of 460 nm
light Blue emission was obtained. The luminance at this time is 1
5 cd / mTwoAnd the luminous efficiency is 0.11 lumen / W
there were. The resulting luminescence is (DPV)ThreeWith the solid fluorescence of B
Because they almost match (DPV)ThreeLight emission from B and confirmation
Was done. Thus, a trifunctional styryl compound is more tetrafunctional than
Using a styryl compound as the light-emitting material provides better brightness and
And the luminous efficiency was high.
【0080】[0080]
【発明の効果】以上の如く、本発明の4官能スチリル化
合物を用いたEL素子は発光効率に優れ、かつ高輝度発
光を可能とした。従って、本発明の4官能スチリル化合
物は、有機EL素子の発光材料の他に電子写真感光体,
蛍光増白染料において有効に利用することができる。As described above, the EL device using the tetrafunctional styryl compound of the present invention has excellent luminous efficiency and enables high-luminance light emission. Therefore, the tetrafunctional styryl compound of the present invention can be used as an electrophotographic photosensitive member,
It can be used effectively in fluorescent whitening dyes.
【図1】 実施例1で得られる化合物(8)の質量分析
スペクトルである。FIG. 1 is a mass spectrum of the compound (8) obtained in Example 1.
【図2】 実施例2で得ら2で得られる化合物(20)
の質量分析スペクトルである。FIG. 2 Compound (20) obtained in Example 2 obtained in Example 2
3 is a mass spectrometry spectrum.
【図3】 実施例3で得られる化合物(23)の質量分
析スペクトルである。FIG. 3 is a mass spectrometry spectrum of the compound (23) obtained in Example 3.
【図4】 実施例4で得られる化合物(22)の質量分
析スペクトルである。FIG. 4 is a mass spectrometry spectrum of the compound (22) obtained in Example 4.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C07C 17/26 C07C 17/26 25/24 25/24 41/30 41/30 43/166 43/166 43/176 43/176 43/178 43/178 C 43/20 43/20 C 209/68 209/68 211/50 211/50 211/54 211/54 253/30 253/30 255/50 255/50 C07D 209/14 C07D 209/14 // C09K 9/02 C09K 9/02 A (56)参考文献 特開 平5−125359(JP,A) 特開 平3−73956(JP,A) Synthesis(1988)No.4 p.330−p.331 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) CA(STN) CAOLD(STN) REGISTRY(STN)──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI C07C 17/26 C07C 17/26 25/24 25/24 41/30 41/30 43/166 43/166 43/176 43/176 43/178 43/178 C 43/20 43/20 C 209/68 209/68 211/50 211/50 211/54 211/54 253/30 253/30 255/50 255/50 C07D 209/14 C07D 209 / 14 // C09K 9/02 C09K 9/02 A (56) References JP-A-5-125359 (JP, A) JP-A-3-73595 (JP, A) Synthesis (1988) No. 4 p. 330-p. 331 (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) CA (STN) CAOLD (STN) REGISTRY (STN)
Claims (2)
基を示し、R2 ,R3 ,R6 ,R7 はそれぞれ水素原
子、置換あるいは無置換の炭素数6〜20のアリール
基,または炭素数1〜6のアルキル基を示す。R1 ,R
9 ,R4 ,R10,R5,R11,R8 ,R12はそれぞれ置
換あるいは無置換の炭素数1〜6のアルキル基,炭素数
6〜20のアリール基,または炭素数4〜18の複素環
基を示す。ここで、R1 〜R12は同一でも、互いに異な
っていてもよい。さらに、R1 とR9 ,R4 とR10,R
5 とR11,およびR8 とR12はそれぞれ置換している基
と結合して置換あるいは無置換の飽和五員環または置換
あるいは無置換の飽和六員環を形成してもよい。但し、
R1 とR9 ,R4 とR10,R5 とR11,R8 とR12が共
にアルキル基である場合は除く。ここで、置換基として
は炭素数1〜6のアルキル基,炭素数1〜6のアルコキ
シ基,炭素数6〜18のアリールオキシ基,フェニル
基,アミノ基,シアノ基,ニトロ基,水酸基あるいはハ
ロゲンを示す。これらの置換基は単一でも複数置換され
ていてもよい。)で表される4官能スチリル化合物。1. A compound of the general formula (I) (In the formula, Ar represents a C 6-20 tetravalent aromatic hydrocarbon group, and R 2 , R 3 , R 6 , and R 7 each represent a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C 6-20 an aryl group or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, .R 1, R
9 , R 4 , R 10 , R 5 , R 11 , R 8 , and R 12 are each a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or 4 to 18 carbon atoms. Represents a heterocyclic group. Here, R 1 to R 12 may be the same or different from each other. Further, R 1 and R 9 , R 4 and R 10 , R
5 and R 11 , and R 8 and R 12 may be each bonded to a substituted group to form a substituted or unsubstituted saturated 5-membered ring or a substituted or unsubstituted saturated 6-membered ring. However,
Except when both R 1 and R 9 , R 4 and R 10 , R 5 and R 11 , and R 8 and R 12 are alkyl groups. Here, the substituent is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms, a phenyl group, an amino group, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group or a halogen. Is shown. These substituents may be single or plurally substituted. A) a tetrafunctional styryl compound represented by the formula:
R13はそれぞれ炭素数1〜4のアルキル基あるいはフェ
ニル基を示し、互いに同じでも異なってもよい。)で表
されるテトラアリーレンホスホン酸エステルと一般式
(III) 【化3】 (式中、R1 ,R9 ,R4 ,R10,R5 ,R11,R8 お
よびR12は前記と同じである。)で表されるケトンを反
応させることを特徴とする請求項1記載の4官能スチリ
ル化合物の製造法。2. A compound of the general formula (II) (Wherein, R 2 , R 3 , R 6 , and R 7 are the same as described above.
R 13 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group, and may be the same or different. ) And a general formula (III) (Wherein R 1 , R 9 , R 4 , R 10 , R 5 , R 11 , R 8 and R 12 are the same as above). 2. The method for producing a tetrafunctional styryl compound according to item 1.
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