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JP3209528B2 - Method of forming fine pattern - Google Patents

Method of forming fine pattern

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Publication number
JP3209528B2
JP3209528B2 JP02222291A JP2222291A JP3209528B2 JP 3209528 B2 JP3209528 B2 JP 3209528B2 JP 02222291 A JP02222291 A JP 02222291A JP 2222291 A JP2222291 A JP 2222291A JP 3209528 B2 JP3209528 B2 JP 3209528B2
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JP
Japan
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layer
electrodeposited
electrodeposition
pressure
adhesive layer
Prior art date
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JP02222291A
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Japanese (ja)
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Inventor
暁 岡崎
一範 中村
信一 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は微細パターンの形成方法
に係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において
被加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成する
ことのできる微細パターンの形成方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a fine pattern, and more particularly to a method for forming a fine pattern on a workpiece with high precision and efficiency in a fine processing step such as a semiconductor process. .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオー
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。例えば、カラー液晶ディスプレー(LCD)
に用いられる薄膜トランジスタ(TFT)は、通常、レ
ジスト塗布、露光、現像、エッチングの各処理からなる
フォトリソグラフィー工程を4〜6回程度繰り返すこと
により製造されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the processing steps of a thin film transistor, a thin film diode, a solar cell, a thin film sensor, various semiconductor elements, etc., a fine pattern is formed on a workpiece, and then the workpiece is processed by etching. That was being done. For example, color liquid crystal display (LCD)
The thin film transistor (TFT) used in the above is usually manufactured by repeating a photolithography process including resist coating, exposure, development, and etching about 4 to 6 times.

【0003】また、上述のフォトリソグラフィー法とは
異なり、被加工物にレジストパターンを印刷により形成
し、エッチング処理を繰り返す印刷法も広く採用されて
いる。この印刷法によるプリント配線、回路パターンの
形成、あるいは金属板のエッチング用レジストパターン
の形成に際しては、スクリーン印刷法やオフセット印刷
法等が用いられている。
Further, unlike the above-described photolithography method, a printing method in which a resist pattern is formed on a workpiece by printing and the etching process is repeated is widely used. In forming a printed wiring and a circuit pattern by this printing method or forming a resist pattern for etching a metal plate, a screen printing method, an offset printing method, or the like is used.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
40インチあるいは70インチといった大型のLCDを
フォトリソグラフィー法により製造する場合、フォトリ
ソグラフィー工程で使用する大型露光装置を含む専用装
置が必要となり、装置に要する費用が莫大なものとな
る。
However, when a large LCD such as 40 inches or 70 inches is manufactured by the photolithography method, a dedicated apparatus including a large exposure apparatus used in the photolithography process is required. The costs are enormous.

【0005】一方、上述の印刷法は、印刷によるレジス
トパターン形成とエッチング処理を繰り返すことによ
り、上記のような大型のLCD製造にも比較的容易に対
応することができる。しかし、印刷法はインキの流動
性、版の圧力等の影響やインキの一部が被加工物に転移
しないで版上に残留してしまうこと等に起因して、印刷
パターンが変形し易く、寸法精度および再現性に劣り、
画線が200μm未満の微細パターンの形成には適して
いないという問題があった。
On the other hand, the above-mentioned printing method can relatively easily cope with the manufacture of a large-sized LCD as described above by repeatedly forming a resist pattern by printing and etching. However, in the printing method, the printing pattern is easily deformed due to the influence of the fluidity of the ink, the pressure of the plate, etc., and that a part of the ink does not transfer to the workpiece and remains on the plate. Poor dimensional accuracy and reproducibility,
There is a problem that the image is not suitable for forming a fine pattern having a size of less than 200 μm.

【0006】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、線幅が微細であるとともに、膜厚も適
度な微細パターンを高い精度で効率よく形成することの
できる微細パターンの形成方法を提供することを目的と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and has been developed in view of a fine pattern capable of efficiently forming a fine pattern having a fine line width and an appropriate film thickness with high precision. It is an object to provide a forming method.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は少なくとも表面が導電性を示す基板
の該表面にマスキング層を所定パターンで形成し、前記
基板表面のマスキング層非形成部に導電性電着レジスト
層を形成し、次に前記マスキング層と同一平面をなす
か、あるいは若干突出するように前記電着レジスト層上
に電着粘着剤層を電着形成し、その後、前記電着粘着剤
層と被加工物とを密着させて前記電着粘着剤層および前
電着レジスト層を前記被加工物に転写させるような構
成とした。
In order to achieve the above object, the present invention provides a method of forming a masking layer on a surface of a substrate having at least a conductive surface in a predetermined pattern on a surface of the substrate. A conductive electrodeposition resist layer is formed in the formation portion, and then , the same layer as the masking layer is formed.
An electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer is electrodeposited on the electrodeposited resist layer so as to protrude slightly, or thereafter, the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer and the workpiece are brought into close contact with each other, and the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer and The electrodeposition resist layer was configured to be transferred to the workpiece.

【0008】[0008]

【0009】[0009]

【0010】[0010]

【作用】基板表面のマスキング層非形成部には、電着レ
ジスト層を介して電着粘着剤層が電着形成され、その
後、電着粘着剤層が被加工物と密着され、マスキング層
被形成部に形成された電着粘着剤層等は被加工物に転写
される。これにより、マスキング層非形成部に形成され
た電着粘着剤層等の層厚は電着形成時の電気量により容
易に制御され、かつマスキング層非形成部に露出してい
るマスキング層の側壁により電着粘着剤層等の横方向の
太りが制限され、被加工物に転写された微細パターン
は、膜厚が均一で線幅も一定な寸法精度の高いものであ
る。
The masking layer non-formation portion of the working substrate surface, electrodeposited resist layer through electrodeposition adhesive layer is electrodeposited is formed, then, electrodeposition adhesive layer is in close contact with the workpiece, the masking layer The electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer and the like formed on the forming section are transferred to the workpiece. Thus, the thickness of the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer or the like formed in the masking layer non-formed portion is easily controlled by the amount of electricity at the time of electrodeposition formation, and the side wall of the masking layer exposed in the masking layer non-formed portion is formed. Thus, the thickness of the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer or the like in the horizontal direction is limited, and the fine pattern transferred to the workpiece has a uniform thickness, a constant line width, and high dimensional accuracy.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は微細パターンの形成方法を説明する
ための図である。図1において、まず、導電性を有する
基板1に所定パターンでマスキング層2を形成し(図1
(a))、基板1のマスキング層非形成部3にメッキ層
4を形成する(図1(b))。次に、メッキ層4上に電
着粘着剤層5を電着形成する(図1(c))。この電着
粘着剤層5は、図示のようにマスキング層2と同じ高さ
かあるいは若干突出するように、すなわち、メッキ層4
と電着粘着剤層5との層厚の合計がマスキング層2の層
厚と同じかあるいは大となるように形成される。通常、
電着粘着剤層5のマスキング層2からの突出量は0.1
〜0.5μm程度が好ましい。その後、電着粘着剤層5
と被加工物6とを密着させ(図1(d))、メッキ層4
と電着粘着剤層5のみを被加工物6に転写させて微細パ
ターンを形成する(図1(e))。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram for explaining a method for forming a fine pattern. In FIG. 1, a masking layer 2 is first formed on a conductive substrate 1 in a predetermined pattern.
(A)), a plating layer 4 is formed on the masking layer non-formed portion 3 of the substrate 1 (FIG. 1B). Next, an electrodeposition pressure-sensitive adhesive layer 5 is formed on the plating layer 4 by electrodeposition (FIG. 1C). The electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 5 has the same height as the masking layer 2 as shown in FIG.
The total thickness of the masking layer 2 and the electrodeposition pressure-sensitive adhesive layer 5 is equal to or greater than the layer thickness of the masking layer 2. Normal,
The amount of protrusion of the electrodeposition adhesive layer 5 from the masking layer 2 is 0.1
About 0.5 μm is preferable. Then, the electrodeposition pressure-sensitive adhesive layer 5
The workpiece 6 is brought into close contact with the workpiece 6 (FIG. 1D), and the plating layer 4
Then, only the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 5 is transferred to the workpiece 6 to form a fine pattern (FIG. 1E).

【0012】このように、本発明では転写したいパター
ン部分(マスキング層非形成部)のみに選択的に電着粘
着剤層5が形成され、マスキング層2には電着粘着剤層
5が形成されない。したがって、上述の被加工物上への
転写においてマスキング層2も同時に転写されることは
なく、電着粘着剤層5の粘着力は自由に設定することが
できる。また、マスキング層非形成部3に形成された電
着粘着剤層5の層厚は、電着形成時の電気量により容易
に制御され、かつマスキング層非形成部3に露出してい
るマスキング層2の側壁により電着粘着剤層5の横方向
の太りが制限されるので、形成された微細パターンの精
度はきわめて高いものとなる。
As described above, in the present invention, the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 5 is selectively formed only on the pattern portion to be transferred (the portion where the masking layer is not formed), and the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 5 is not formed on the masking layer 2. . Therefore, the masking layer 2 is not simultaneously transferred in the above-described transfer onto the workpiece, and the adhesive force of the electrodeposition pressure-sensitive adhesive layer 5 can be freely set. Further, the thickness of the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 5 formed in the masking layer non-formed portion 3 is easily controlled by the amount of electricity at the time of electrodeposition formation, and the masking layer exposed in the masking layer non-formed portion 3 is formed. Since the width of the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 5 in the horizontal direction is restricted by the side walls 2, the precision of the formed fine pattern is extremely high.

【0013】そして、図2に示されるようにメッキ層4
と電着粘着剤層5からなる微細パターンが形成された被
加工物6(図2(a))は、メッキ層4と電着粘着剤層
5をレジストとしてエッチング処理がなされ(図2
(b))、その後、メッキ層4と電着粘着剤層5が被加
工物6から剥離される(図2(c))。また、図3に示
されるように、被加工物6として表面にフォトレジスト
7を塗布したものを用いることができる。この場合、図
1のようにして被加工物6のフォトレジスト7上にメッ
キ層4と電着粘着剤層5からなる微細パターンを形成し
(図3(a))、メッキ層4と電着粘着剤層5を版とし
てフォトレジスト7の露光・現像を行う(図3
(b))。その後、メッキ層4と電着粘着剤層5がフォ
トレジスト7から剥離され(図3(c))、フォトレジ
スト7を介して被加工物6のエッチング処理がなされ
(図3(d))、その後、フォトレジスト7が被加工物
6から剥離される(図3(e))。
[0013] Then, as shown in FIG.
The workpiece 6 (FIG. 2A) on which a fine pattern composed of the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 5 is formed is etched using the plating layer 4 and the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 5 as a resist (FIG. 2).
(B)) Then, the plating layer 4 and the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 5 are separated from the workpiece 6 (FIG. 2C). In addition, as shown in FIG. 3, a workpiece 6 having a surface coated with a photoresist 7 can be used. In this case, a fine pattern composed of the plating layer 4 and the electrodeposition adhesive layer 5 is formed on the photoresist 7 of the workpiece 6 as shown in FIG. 1 (FIG. 3A), and the plating layer 4 is Exposure and development of the photoresist 7 is performed using the adhesive layer 5 as a plate (FIG.
(B)). Thereafter, the plating layer 4 and the electrodeposition pressure-sensitive adhesive layer 5 are peeled off from the photoresist 7 (FIG. 3C), and the workpiece 6 is etched through the photoresist 7 (FIG. 3D). Thereafter, the photoresist 7 is peeled from the workpiece 6 (FIG. 3E).

【0014】また、図4に示されるように、基板として
導電性のない基板11に導電膜11aを形成したもの
(図4(a))を用いることができる。この場合、図1
と同様にして基板11の導電膜11a上に所定パターン
でマスキング層12を形成し(図4(b))、マスキン
グ層非形成部13にメッキ層14を形成する(図4
(c))。次に、メッキ層14上に電着粘着剤層15を
電着形成する(図4(d))。そして、図1と同様にし
てメッキ層14と電着粘着剤層15のみを被加工物に転
写することにより微細パターンを形成することができ
る。
Further, as shown in FIG. 4, a substrate in which a conductive film 11a is formed on a non-conductive substrate 11 (FIG. 4A) can be used. In this case, FIG.
A masking layer 12 is formed in a predetermined pattern on the conductive film 11a of the substrate 11 in the same manner as described above (FIG. 4B), and a plating layer 14 is formed in the masking layer non-formed portion 13 (FIG. 4).
(C)). Next, an electrodeposition pressure-sensitive adhesive layer 15 is electrodeposited on the plating layer 14 (FIG. 4D). Then, similarly to FIG. 1, a fine pattern can be formed by transferring only the plating layer 14 and the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 15 to the workpiece.

【0015】また、図5に示されるように、基板として
導電性を有するブランケット21を使用し、このブラン
ケット21の周面に、図1に示されるのと同様にして所
定パターンでマスキング層22を形成し、マスキング層
非形成部23にメッキ層24および電着粘着剤層25を
順に形成する。そして、ブランケット21を被加工物2
6上で回転動させてメッキ層24と電着粘着剤層25の
みを被加工物26に転写して微細パターンを形成するこ
とができる。また、導電性のないブランケットの周面に
導電膜を形成し、図5に示されるのと同様にして導電膜
上にマスキング層を形成し、マスキング層非形成部にメ
ッキ層および電着粘着剤層を電着形成することもでき
る。
As shown in FIG. 5, a blanket 21 having conductivity is used as a substrate, and a masking layer 22 is formed on a peripheral surface of the blanket 21 in a predetermined pattern in the same manner as shown in FIG. Then, a plating layer 24 and an electrodeposition pressure-sensitive adhesive layer 25 are sequentially formed on the masking layer non-formed portion 23. Then, the blanket 21 is attached to the workpiece 2
6, a fine pattern can be formed by transferring only the plating layer 24 and the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 25 to the workpiece 26. Further, a conductive film is formed on the peripheral surface of the non-conductive blanket, a masking layer is formed on the conductive film in the same manner as shown in FIG. 5, and a plating layer and an electrodeposition adhesive The layers can also be electrodeposited.

【0016】図6は本発明の他の態様を示す図である。
図6において、導電性を有する基板31に所定パターン
でマスキング層32を形成し(図6(a))、基板31
のマスキング層非形成部33に電着粘着剤層35を電着
形成する(図6(b))。この電着粘着剤層35は、層
厚がマスキング層32の層厚と同じかあるいは大となる
ように形成される。その後、電着粘着剤層35と被加工
物36とを密着させ(図6(c))、電着粘着剤層35
のみを被加工物36に転写させることにより微細パター
ンを形成する(図6(d))。
FIG. 6 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
6, a masking layer 32 is formed in a predetermined pattern on a conductive substrate 31 (FIG. 6A).
The electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 35 is electrodeposited on the masking layer non-formed portion 33 of FIG. The electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 35 is formed such that the layer thickness is equal to or larger than the layer thickness of the masking layer 32. Thereafter, the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 35 and the workpiece 36 are brought into close contact with each other (FIG. 6C),
Only the pattern is transferred to the workpiece 36 to form a fine pattern (FIG. 6D).

【0017】また、基板として導電性のない基板に導電
膜を形成したものを用い、図6に示されると同様にして
微細パターンを形成してもよい。さらに、図7に示され
るように、基板として導電性を有するブランケット41
を使用し、このブランケット41の周面に、図6に示さ
れるのと同様にして所定パターンでマスキング層42を
形成し、マスキング層非形成部43に電着粘着剤層45
を電着形成する。そして、ブランケット41を被加工物
46上で回転動させて電着粘着剤層45のみを被加工物
46に転写して微細パターンを形成することができる。
また、導電性のないブランケットの周面に導電膜を形成
し、図7に示されるのと同様にして導電膜上にマスキン
グ層を形成し、マスキング層非形成部に電着粘着剤層を
電着形成することもできる。
Alternatively, a fine pattern may be formed in the same manner as shown in FIG. 6 by using a substrate obtained by forming a conductive film on a non-conductive substrate. Further, as shown in FIG. 7, a blanket 41 having conductivity as a substrate is provided.
A masking layer 42 is formed on the peripheral surface of the blanket 41 in a predetermined pattern in the same manner as shown in FIG.
Is formed by electrodeposition. The fine pattern can be formed by rotating the blanket 41 on the workpiece 46 and transferring only the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 45 to the workpiece 46.
Also, a conductive film is formed on the peripheral surface of the non-conductive blanket, a masking layer is formed on the conductive film in the same manner as shown in FIG. 7, and an electrodeposition pressure-sensitive adhesive layer is formed on the non-masking layer forming portion. It can also be formed.

【0018】導電性を有する基板としては、ステンレス
等の金属板、樹脂フィルム等の基材上に金属薄膜を設け
た基板等を使用することができる。また、非導電性の基
板としては、ガラス板、樹脂フィルム、セラミックス等
の無機物等を使用することがでる。そして、このような
非導電性の基板に設けられる導電膜は、酸化スズ、酸化
インジウムスズ(ITO)、カーボン、導電性ペースト
等により形成することができる。また、マスキング層が
形成される基板面、あるいはマスキング層が形成される
非導電性基板上の導電膜面は、ある程度の鏡面処理が施
されていることが好ましい。これは、上述のようにメッ
キ層と電着粘着剤層のみを被加工物に転写するに際し
て、メッキ層と電着粘着剤層を基板から容易に剥離させ
るためである。
As the substrate having conductivity, a metal plate such as stainless steel, a substrate provided with a metal thin film on a base material such as a resin film, or the like can be used. Further, as the non-conductive substrate, a glass plate, a resin film, an inorganic substance such as ceramics or the like can be used. The conductive film provided on such a non-conductive substrate can be formed using tin oxide, indium tin oxide (ITO), carbon, a conductive paste, or the like. In addition, it is preferable that the mirror surface treatment is performed to some extent on the substrate surface on which the masking layer is formed or on the conductive film surface on the non-conductive substrate on which the masking layer is formed. This is because the plating layer and the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer are easily separated from the substrate when only the plating layer and the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer are transferred to the workpiece as described above.

【0019】マスキング層は、例えばイオンプレーティ
ング法、真空蒸着法、スパッタリング法、化学的気相蒸
着法(CVD法)等の各種の薄膜形成法により、基板1
上にシリカ(SiO2 )薄膜、チッ化シリコン(SiN
x)薄膜、96%アルミナ薄膜、ベリリヤ薄膜、フォル
ステライト薄膜等の電気絶縁性の高い薄膜を形成し、次
に、この薄膜上にフォトレジストを塗布してから所定形
状のマスクを介して露光・現像し、エッチング処理、フ
ォトレジスト剥離を行うことにより形成することができ
る。このマスキング層の形成に使用するフォトレジスト
としては、ゼラチン、カゼイン、ポリビニルアルコール
等に重クロム酸塩等の感光剤を添加したもの及びノボラ
ック系樹脂、合成ゴム系のものを挙げることができる。
また、フォトレジストはそれだけでマスキング層として
使用できる。また、このように形成されるマスキング層
の厚さは、1.0〜2.0μm程度が好ましい。
The masking layer can be formed on the substrate 1 by various thin film forming methods such as ion plating, vacuum deposition, sputtering, and chemical vapor deposition (CVD).
Silica (SiO 2 ) thin film, silicon nitride (SiN)
x) A thin film having high electrical insulation such as a thin film, a 96% alumina thin film, a beryllia thin film, a forsterite thin film, etc. is formed. It can be formed by developing, etching, and removing a photoresist. Examples of the photoresist used for forming the masking layer include those obtained by adding a photosensitizing agent such as dichromate to gelatin, casein, polyvinyl alcohol, and the like, and novolak resins and synthetic rubbers.
Also, the photoresist alone can be used as a masking layer. Further, the thickness of the masking layer thus formed is preferably about 1.0 to 2.0 μm.

【0020】メッキ層の形成材料としては、電気メッキ
材料に一般に用いられる金属、あるいは有機材料(高分
子材料)等の導電性材料を使用することができる。金属
材料としては、特にメッキ層の成膜性に優れることより
Ni,Cr,Fe,Au,Ag,Cu,Zn,Snまた
はこれらの化合物、合金類等を好適に使用することがで
きる。
As a material for forming the plating layer, a metal generally used for an electroplating material or a conductive material such as an organic material (polymer material) can be used. As the metal material, Ni, Cr, Fe, Au, Ag, Cu, Zn, Sn, or a compound or alloy thereof can be suitably used because of its excellent film-forming properties.

【0021】また、有機材料(高分子材料)としては、
例えばピロールやチオフェンを用いて電極上に形成され
るポリピロール、ポリチエニレンの導電性高分子被膜を
用いることができる。電着粘着剤層の形成に用いる電着
粘着剤としては、天然油脂系、合成油系、アルキド系樹
脂、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系
樹脂の有機高分子からなる電着物質に、塩化ビニルー酢
酸ビニル系、天然ゴム系、合成ゴム系、各種アクリレー
ト系、エポキシ系等の汎用粘着剤、熱可塑性の感熱接着
剤、感圧接着剤等を添加したものを使用することができ
る。
As the organic material (polymer material),
For example, a conductive polymer film of polypyrrole or polythienylene formed on an electrode using pyrrole or thiophene can be used. Examples of the electrodeposited pressure-sensitive adhesive used for forming the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer include natural fats and oils, synthetic oils, alkyd-based resins, polyester-based resins, acrylic resins, and electrodeposited materials composed of organic polymers such as epoxy resins. Those to which general-purpose pressure-sensitive adhesives such as vinyl chloride-vinyl acetate, natural rubber, synthetic rubber, various acrylates, and epoxy have been added, thermoplastic heat-sensitive adhesives, pressure-sensitive adhesives, and the like can be used.

【0022】このような電着粘着剤による電着粘着剤層
の形成は公知の電着法に従って行われ、基板を陽極とす
るアニオン電着と、基板を陰極とするカチオン電着とが
ある。アニオン電着に用いられる電着物質としては、例
えばマレイン化油系有機高分子、ポリブタジエン系樹脂
有機高分子等がある。また、カチオン電着に用いられる
電着物質としては、エポキシ系樹脂の他に、ポリブタジ
エン系樹脂、メラミン系樹脂、アクリル系樹脂等のポリ
アミノ樹脂系の有機高分子が使用可能である。
The formation of an electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer using such an electrodeposited pressure-sensitive adhesive is performed according to a known electrodeposition method, and there are anion electrodeposition using a substrate as an anode and cationic electrodeposition using a substrate as a cathode. Examples of the electrodeposition material used for anion electrodeposition include a maleated oil-based organic polymer and a polybutadiene-based resin organic polymer. As the electrodeposition material used for the cation electrodeposition, in addition to the epoxy resin, a polyamino resin organic polymer such as a polybutadiene resin, a melamine resin, and an acrylic resin can be used.

【0023】このような電着粘着剤層は、上述のように
マスキング層よりも若干突出するように、すなわち、メ
ッキ層と電着粘着剤層との層厚の合計がマスキング層2
の層厚と同じかあるいは大となるように形成される。こ
れにより、電着粘着剤層が被加工物と確実に接触して転
写が確実に行われることになる。また、熱硬化型あるい
は放射線硬化型の電着物質を用いて電着粘着剤層を形成
し、電着物質を硬化させた後に被加工物に転写してもよ
い。
Such an electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer is slightly protruded from the masking layer as described above, that is, the total thickness of the plating layer and the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer is
Is formed so as to be equal to or larger than the layer thickness. As a result, the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer is securely brought into contact with the workpiece, and the transfer is reliably performed. Alternatively, an electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer may be formed using a thermosetting or radiation-curable electrodeposition material, and the electrodeposition material may be cured and then transferred to a workpiece.

【0024】図8は本発明の他の態様を示す図である。
図8において、導電性を有する基板51に所定パターン
でマスキング層52を形成し(図8(a))、基板51
のマスキング層非形成部53に電着レジスト層54を電
着形成する(図8(b))。次に、電着レジスト層54
が導電性を有する間に、すなわち後述する電着レジスト
を構成する電着物質がイオン化状態にある間に、電着レ
ジスト層54上に電着粘着剤層55を電着形成する(図
8(c))。この電着粘着剤層55は、図示のようにマ
スキング層52と同じ高さかあるいは若干突出するよう
に形成される。その後、電着粘着剤層55と被加工物5
6とを密着させ(図8(d))、電着レジスト層54と
電着粘着剤層55のみを被加工物56に転写させて微細
パターンを形成する(図8(e))。そして、このよう
な微細パターンをレジストとして図2と同様にして被加
工物56にエッチング処理を施すことができる。
FIG. 8 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
8, a masking layer 52 is formed in a predetermined pattern on a conductive substrate 51 (FIG. 8A).
An electrodeposition resist layer 54 is electrodeposited on the non-masking layer forming portion 53 (FIG. 8B). Next, the electrodeposition resist layer 54
Is electrodeposited on the electrodeposited resist layer while the electrodeposited material constituting the electrodeposited resist described below is in an ionized state (FIG. 8 ( c)). The electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer 55 is formed at the same height as the masking layer 52 or slightly protrudes as shown in the figure. Thereafter, the electrodeposition adhesive layer 55 and the workpiece 5
6 (FIG. 8D), and only the electrodeposition resist layer 54 and the electrodeposition adhesive layer 55 are transferred to the workpiece 56 to form a fine pattern (FIG. 8E). Then, the workpiece 56 can be subjected to an etching process in the same manner as in FIG. 2 using such a fine pattern as a resist.

【0025】また、基板として導電性のない基板に導電
膜を形成したものを用い、図8に示されると同様にして
微細パターンを形成してもよい。さらに、図9に示され
るように、基板として導電性を有するブランケット61
を使用し、このブランケット61の周面に、図8に示さ
れるのと同様にして所定パターンでマスキング層62を
形成し、マスキング層非形成部63に電着レジスト層6
4と電着粘着剤層65を電着形成する。そして、ブラン
ケット61を被加工物66上で回転動させて電着レジス
ト層64と電着粘着剤層65のみを被加工物66に転写
して微細パターンを形成することができる。また、導電
性のないブランケットの周面に導電膜を形成し、図9に
示されるのと同様にして導電膜上にマスキング層を形成
し、マスキング層非形成部に電着レジスト層および電着
粘着剤層を電着形成することもできる。
Alternatively, a fine pattern may be formed in the same manner as shown in FIG. 8 by using a non-conductive substrate on which a conductive film is formed. Further, as shown in FIG. 9, a blanket 61 having conductivity as a substrate is provided.
A masking layer 62 is formed in a predetermined pattern on the peripheral surface of the blanket 61 in the same manner as shown in FIG.
4 and an electrodeposition adhesive layer 65 are electrodeposited. Then, by rotating the blanket 61 on the workpiece 66, only the electrodeposition resist layer 64 and the electrodeposition adhesive layer 65 are transferred to the workpiece 66 to form a fine pattern. Also, a conductive film is formed on the peripheral surface of the non-conductive blanket, a masking layer is formed on the conductive film in the same manner as shown in FIG. 9, and an electrodeposition resist layer and an electrodeposition The pressure-sensitive adhesive layer can be formed by electrodeposition.

【0026】電着レジスト層の形成に用いる電着レジス
トとしては、天然油脂系、合成油系、アルキド系樹脂、
ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂
の有機高分子からなる電着物質に、ゼラチン、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール等を添加したものを使用する
ことができる。また、上述のような電着レジストの代り
に、導電性電着レジストを用いてもよい。導電性電着レ
ジストとしては上記の電着レジストにカーボンブラッ
ク、銀、銅等の微粒子を添加したものを使用することが
できる。
Examples of the electrodeposited resist used for forming the electrodeposited resist layer include natural oils and fats, synthetic oils, alkyd resins,
A material obtained by adding gelatin, casein, polyvinyl alcohol, or the like to an electrodeposition material composed of an organic polymer of a polyester resin, an acrylic resin, or an epoxy resin can be used. Further, instead of the above-described electrodeposition resist, a conductive electrodeposition resist may be used. As the conductive electrodeposition resist, one obtained by adding fine particles such as carbon black, silver, and copper to the above electrodeposition resist can be used.

【0027】次に、実験例を示して本発明を更に詳細に
説明する。 (実験例1)ステンレス製の基板(厚さ0.3mm)の
表面に、イオンプレーティング法により膜厚0.2μm
のSiO2 薄膜を形成した。なお、基板温度は200℃
に設定した。
Next, the present invention will be described in more detail with reference to experimental examples. (Experimental example 1) A film thickness of 0.2 μm was formed on the surface of a stainless steel substrate (thickness 0.3 mm) by an ion plating method.
SiO 2 thin film was formed. The substrate temperature was 200 ° C.
Set to.

【0028】次に、このSiO2 薄膜上にフォトレジス
ト(東京応化社製OMR−85)を塗布し、線幅5μm
の所定形状のマスクを用いて露光処理、現像処理、エッ
チング処理、およびレジスト剥離を行ってマスキング層
を形成した(図1(a)参照)。次に、Ni板を陽極、
基板を陰極として基板のマスキング層非形成部にNiメ
ッキ層(厚さ1.5μm)を形成した(図1(b)参
照)。
Next, a photoresist (OMR-85 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) was applied on the SiO 2 thin film, and the line width was 5 μm.
Exposure processing, development processing, etching processing, and resist peeling were performed using a mask having a predetermined shape to form a masking layer (see FIG. 1A). Next, the Ni plate was used as an anode,
Using the substrate as a cathode, a Ni plating layer (thickness: 1.5 μm) was formed on a portion of the substrate where no masking layer was formed (see FIG. 1B).

【0029】その後、下記組成の電着粘着剤を用いて基
板を陽極としてNiメッキ層上に電着粘着剤層(厚さ
1.0μm)を電着形成した(図1(c)参照)。な
お、電着条件は下記に示す通りであった。 (電着粘着剤の組成) ・ポリブタジエン系樹脂 …0.1重量部 ・水 …0.9重量部 (電着条件) ・液 温:25℃ ・定電圧法:25V,2分 次に、電着粘着剤層を熱により硬化させた後、被加工物
(ガラス上のアモルファスシリコン)に電着粘着剤層を
密着し、電着粘着剤層とNiメッキ層を被加工物に転写
した(図1(d),(e)参照)。このように転写して
形成された電着粘着剤層とNiメッキ層からなる微細パ
ターンは、寸法精度に優れたものであった。 (実験例2)実験例1と同様にして基板にマスキング層
を形成した。次に、基板を陽極として基板のマスキング
層非形成部に実験例1と同じ電着粘着剤を用いて電着粘
着剤層(厚さ2.5μm)を電着形成した(図6(b)
参照)。なお、電着条件は下記の通りであった。
Thereafter, an electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer (thickness: 1.0 μm) was electrodeposited on the Ni plating layer using the electrodeposited pressure-sensitive adhesive having the following composition with the substrate serving as an anode (see FIG. 1C). The electrodeposition conditions were as shown below. (Composition of electrodeposition adhesive) ・ Polybutadiene resin ・ ・ ・ 0.1 parts by weight ・ Water ・ ・ ・ 0.9 parts by weight (electrodeposition conditions) ・ Liquid temperature: 25 ° C. ・ Constant voltage method: 25V, 2 minutes After the adhesive layer was cured by heat, the electrodeposited adhesive layer was adhered to the workpiece (amorphous silicon on glass), and the electrodeposited adhesive layer and the Ni plating layer were transferred to the workpiece (FIG. 1 (d), (e)). The fine pattern composed of the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer and the Ni plating layer formed by the transfer in this manner was excellent in dimensional accuracy. (Experimental Example 2) A masking layer was formed on a substrate in the same manner as in Experimental Example 1. Next, an electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer (thickness: 2.5 μm) was electrodeposited on the non-masking layer forming portion of the substrate using the same electrodeposited pressure-sensitive adhesive as in Experimental Example 1 using the substrate as an anode (FIG. 6B).
reference). The electrodeposition conditions were as follows.

【0030】(電着条件) ・液 温:25℃ ・定電圧法:25V,3分 次に、電着粘着剤層を熱により硬化させた後、被加工物
に電着粘着剤層を密着し、電着粘着剤層を被加工物に転
写した。このように転写して形成された電着粘着剤層か
らなる微細パターンは、寸法精度に優れたものであっ
た。 (実験例3)実験例1と同様にして基板にマスキング層
を形成した。次に、基板を陽極として基板のマスキング
層非形成部に電着レジスト層(厚さ1.5μm)を電着
形成した(図8(b)参照)。用いた電着レジストの組
成および電着条件は下記の通りであった。
(Electrodeposition conditions) Liquid temperature: 25 ° C. Constant voltage method: 25 V, 3 minutes Next, after the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer is cured by heat, the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer is adhered to the workpiece. Then, the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer was transferred to the workpiece. The fine pattern composed of the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer formed by transferring in this manner was excellent in dimensional accuracy. Experimental Example 3 A masking layer was formed on a substrate in the same manner as in Experimental Example 1. Next, an electrodeposition resist layer (thickness: 1.5 μm) was electrodeposited on a portion of the substrate where no masking layer was formed, using the substrate as an anode (see FIG. 8B). The composition of the electrodeposition resist used and the electrodeposition conditions were as follows.

【0031】(電着レジストの組成) ・ポリブタジエン系樹脂 …0.1重量部 ・水 …0.9重量部 (電着条件) ・液 温:25℃ ・定電圧法:20V,2分 次に、上記の電着レジスト層が導電性を示す間に、実験
例1と同じ電着粘着剤を用いて基板を陽極として電着レ
ジスト層上に電着粘着剤層(厚さ1.0μm)を電着形
成した(図8(c)参照)。なお、この電着条件は下記
に示す通りであった。
(Composition of electrodeposition resist) ・ Polybutadiene resin: 0.1 parts by weight ・ Water: 0.9 parts by weight (electrodeposition conditions) ・ Liquid temperature: 25 ° C. ・ Constant voltage method: 20 V, 2 minutes While the electrodeposited resist layer is conductive, an electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer (thickness: 1.0 μm) was formed on the electrodeposited resist layer using the same electrodeposited pressure-sensitive adhesive as in Experimental Example 1 with the substrate serving as an anode. Electrodeposition was formed (see FIG. 8C). The electrodeposition conditions were as shown below.

【0032】(電着条件) ・液 温:25℃ ・定電圧法:20V,2分 次に、電着粘着剤層を熱により硬化させた後、被加工物
に電着粘着剤層を密着し、電着粘着剤層と電着レジスト
層を被加工物に転写した(図8(d),(e)参照)。
このように転写して形成された電着粘着剤層と電着レジ
スト層からなる微細パターンは、寸法精度に優れたもの
であった。 (実験例4)下記組成の導電性電着レジストを用い、下
記の電着条件で厚さ1.5μmの導電性の電着レジスト
層を形成した他は実験例3と同様にして被加工物上に微
細パターンを形成した。このような微細パターンは、寸
法精度に優れたものであった。
(Electrodeposition conditions) ・ Liquid temperature: 25 ° C. ・ Constant voltage method: 20 V, 2 minutes Next, after the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer is cured by heat, the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer is adhered to the workpiece. Then, the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer and the electrodeposited resist layer were transferred to a workpiece (see FIGS. 8D and 8E).
The fine pattern composed of the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer and the electrodeposited resist layer formed by transferring in this manner was excellent in dimensional accuracy. (Experimental Example 4) A work piece was processed in the same manner as in Experimental Example 3 except that a conductive electrodeposition resist layer having a thickness of 1.5 μm was formed under the following electrodeposition conditions using a conductive electrodeposition resist having the following composition. A fine pattern was formed thereon. Such a fine pattern was excellent in dimensional accuracy.

【0033】(電着レジストの組成) ・ポリブタジエン系樹脂 …0.1重量部 ・カーボンブラック …0.1重量部 ・水 …0.8重量部 (電着条件) ・液 温:25℃ ・定電圧法:20V,3分 (比較例)実験例1と同様にして基板にマスキング層を
形成し、基板のマスキング層非形成部にNiメッキ層を
形成した後、マスキング層およびNiメッキ層を覆うよ
うに粘着剤(アクリル系樹脂)を塗布(マスキング層上
の厚さ1.0μm)した。
(Composition of electrodeposited resist) Polybutadiene resin: 0.1 part by weight Carbon black: 0.1 part by weight Water: 0.8 part by weight (Electrodeposition conditions) Liquid temperature: 25 ° C. Constant Voltage method: 20 V, 3 minutes (Comparative Example) A masking layer is formed on a substrate in the same manner as in Experimental Example 1, a Ni plating layer is formed on a portion of the substrate where no masking layer is formed, and then the masking layer and the Ni plating layer are covered. Pressure-sensitive adhesive (acrylic resin) was applied as described above (the thickness on the masking layer was 1.0 μm).

【0034】次に、粘着剤層と被加工物とを密着した
後、被加工物を引き離したところ、マスキング層も同時
に被加工物に転写されて、微細パターンが正確に再現さ
れなかった。
Next, after the pressure-sensitive adhesive layer and the workpiece were brought into close contact with each other and then the workpiece was separated, the masking layer was simultaneously transferred to the workpiece, and the fine pattern was not accurately reproduced.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば電
着粘着剤層は転写したいパターン部分(マスキング層非
形成部)のみに選択的に形成され、マスキング層には形
成されないため、被加工物上への転写においてマスキン
グ層も同時に転写されることはなく、電着粘着剤層の粘
着力を自由に設定することができるとともに、マスキン
グ層非形成部に形成された電着粘着剤層の層厚は、電着
形成時の電気量により容易に制御され、かつマスキング
層非形成部に露出しているマスキング層の側壁により電
着粘着剤層の横方向の太りが制限されるので、形成され
た微細パターンの精度はきわめて高いものとなる。
As described above in detail, according to the present invention, the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer is selectively formed only on the pattern portion to be transferred (the portion where the masking layer is not formed), and is not formed on the masking layer. The masking layer is not transferred at the same time as the transfer onto the workpiece, so that the adhesive force of the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer can be freely set and the electrodeposited pressure-sensitive adhesive formed in the masking layer non-formed portion. The thickness of the layer is easily controlled by the amount of electricity at the time of forming the electrodeposition, and the thickness of the electrodeposited pressure-sensitive adhesive layer in the lateral direction is restricted by the side wall of the masking layer exposed in the masking layer non-formed portion. The precision of the formed fine pattern is extremely high.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は本発明の微細パターンの形成方法を説明
するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining a method for forming a fine pattern according to the present invention.

【図2】図2は微細パターンが形成された被加工物のエ
ッチング処理を説明するための図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining an etching process on a workpiece on which a fine pattern is formed.

【図3】図3は微細パターンが形成された被加工物のエ
ッチング処理を説明するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining an etching process on a workpiece on which a fine pattern is formed.

【図4】図4は本発明の微細パターン形成方法の他の例
を説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining another example of the fine pattern forming method of the present invention.

【図5】図5は本発明の微細パターン形成方法の他の例
を説明するための図である。
FIG. 5 is a view for explaining another example of the fine pattern forming method of the present invention.

【図6】図6は本発明の微細パターン形成方法の他の例
を説明するための図である。
FIG. 6 is a view for explaining another example of the fine pattern forming method of the present invention.

【図7】図7は本発明の微細パターン形成方法の他の例
を説明するための図である。
FIG. 7 is a view for explaining another example of the fine pattern forming method of the present invention.

【図8】図8は本発明の微細パターン形成方法の他の例
を説明するための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining another example of the fine pattern forming method of the present invention.

【図9】図9は本発明の微細パターン形成方法の他の例
を説明するための図である。
FIG. 9 is a view for explaining another example of the fine pattern forming method of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 マスキング層 3 マスキング層非形成部 4 メッキ層 5 電着粘着剤層 6 被加工物 54 電着レジスト DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Masking layer 3 Masking layer non-forming part 4 Plating layer 5 Electrodeposition adhesive layer 6 Workpiece 54 Electrodeposition resist

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−118255(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/20 H01L 21/027 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-50-118255 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H05K 3/20 H01L 21/027

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 少なくとも表面が導電性を示す基板の該
表面にマスキング層を所定パターンで形成し、前記基板
表面のマスキング層非形成部に導電性電着レジスト層を
形成し、次に前記マスキング層と同一平面をなすか、
あるいは若干突出するように前記電着レジスト層上に電
着粘着剤層を電着形成し、その後、前記電着粘着剤層と
被加工物とを密着させて前記電着粘着剤層および前記
着レジスト層を前記被加工物に転写させることを特徴と
する微細パターンの形成方法。
1. A masking layer is formed in a predetermined pattern at least the surface of the surface of the substrate exhibiting conductivity, forming a conductive electrodeposition resist layer on the masking layer non-formation portion of the substrate surface, then the Whether it is flush with the masking layer ,
Or electrodeposition adhesive layer electrodeposition formed slightly protruding the electrodeposited resist layer so as, subsequently, the electrodeposition adhesive layer and the conductive in close contact with said electrodeposition adhesive layer and the workpiece
A method for forming a fine pattern, comprising transferring a deposition resist layer to the workpiece.
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