JP3205663B2 - Charged particle beam equipment - Google Patents
Charged particle beam equipmentInfo
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Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム描画装置な
どの荷電粒子ビーム装置に関し、特に、高真空下や特定
ガス雰囲気下で試料の移動を円滑に行うことができる荷
電粒子ビーム装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a charged particle beam apparatus such as an electron beam lithography apparatus, and more particularly to a charged particle beam apparatus capable of smoothly moving a sample under a high vacuum or a specific gas atmosphere.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子ビーム描画装置などでは、試料を真
空に排気された試料室に配置された移動ステージ上に載
せ、ステージを移動させながら試料に対して電子ビーム
により所望の描画を実行している。この試料周辺の真空
度は、試料が汚染しないように高真空(低圧力)とする
ことが望ましい。また、時として試料を特定ガス雰囲気
中で描画などの処理を行うが、この場合も試料室内を高
真空に排気した後、試料室中に特定ガスを入れるように
している。2. Description of the Related Art In an electron beam writing apparatus, a sample is placed on a moving stage arranged in a sample chamber evacuated to a vacuum, and a desired writing is performed on the sample by an electron beam while moving the stage. I have. The degree of vacuum around the sample is desirably set to a high vacuum (low pressure) so as not to contaminate the sample. In some cases, the sample is subjected to a process such as drawing in a specific gas atmosphere. In this case, too, the specific gas is introduced into the sample chamber after the sample chamber is evacuated to a high vacuum.
【0003】この試料室内には、ステージを水平方向に
移動させる移動機構が配置されている。例えば、この駆
動機構としては、ステージをレール上に載せ、このステ
ージを試料室の外部に設けられたモータにより回転する
送りネジによって移動させるようにする機構が用いられ
る。[0003] A moving mechanism for moving the stage in the horizontal direction is arranged in the sample chamber. For example, as the driving mechanism, a mechanism is used in which a stage is mounted on a rail and the stage is moved by a feed screw rotated by a motor provided outside the sample chamber.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】一般に高真空下でのス
テージ系の十分な稼働には困難さがあり、特に、高真空
下で高速に連続してステージを移動させる運転条件を満
足させることは難しい。また、試料室内を特定ガスの環
境にした場合、ガスの性質によってはそのガスとステー
ジの移動部と固定部との間に設けられる潤滑剤や、ある
いは、ステージの各構成部材とが反応し、凝着などが生
じる。このため相対運動部、特にボールベアリングなど
の滑り運動部を有するステージ系の高い移動精度を維持
することは困難となる。In general, it is difficult to operate the stage system sufficiently under a high vacuum, and it is particularly difficult to satisfy the operating conditions for continuously moving the stage at a high speed under a high vacuum. difficult. When the sample chamber is set to a specific gas environment, depending on the nature of the gas, the gas and a lubricant provided between the moving part and the fixed part of the stage, or each component of the stage reacts, Adhesion occurs. For this reason, it is difficult to maintain high movement accuracy of a stage system having a relative motion unit, particularly a sliding motion unit such as a ball bearing.
【0005】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、高真空や特定ガス雰囲気下に試料
を配置しても高い移動精度で試料ステージを移動させる
ことができる荷電粒子ビーム装置を実現するにある。[0005] The present invention has been made in view of such a point, and an object of the invention is to provide a charged stage capable of moving a sample stage with high movement accuracy even when the sample is placed in a high vacuum or a specific gas atmosphere. The object is to realize a particle beam device.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明に基づく荷電粒子
ビーム装置は、荷電粒子ビームが照射される試料を載せ
るステージと、ステージを水平方向に移動させるための
移動機構と、試料が入れられる第1のチャンバーと、移
動機構が入れられる第2のチャンバーと、第1のチャン
バー内を排気する第1の排気系と、第2のチャンバー内
を排気する第2の排気系と、第1と第2のチャンバーと
の間に配置され、移動機構によって移動するステージの
一部が貫通する開口を有した隔壁と、開口の周辺部にお
いて隔壁と対向して配置され、ステージと共に移動する
平面板とを有しており、隔壁と平面板との間には第1の
チャンバー内と第2のチャンバー内とを連通する小さな
排気コンダクタンスの間隙が設けられていることを特徴
としている。According to the present invention, there is provided a charged particle beam apparatus comprising: a stage on which a sample to be irradiated with a charged particle beam is mounted; a moving mechanism for moving the stage in a horizontal direction; A first chamber, a second chamber in which the moving mechanism is placed, a first exhaust system for exhausting the inside of the first chamber, a second exhaust system for exhausting the inside of the second chamber, and a first and a second exhaust system. A partition disposed between the first and second chambers and having an opening through which a part of the stage moved by the moving mechanism penetrates; and a flat plate disposed opposite to the partition at a periphery of the opening and moved with the stage. And a gap of a small exhaust conductance communicating between the inside of the first chamber and the inside of the second chamber is provided between the partition and the flat plate.
【0007】[0007]
【作用】本発明に基づく荷電粒子ビーム装置は、試料が
入れられる第1のチャンバーと、移動機構が入れられる
第2のチャンバーとの間を小さな排気コンダクタンスの
間隙のみで連通し、差動排気によって第1のチャンバー
内を比較的高い真空度に維持し、第2のチャンバー内を
比較的低い真空度に維持する。According to the charged particle beam apparatus of the present invention, the first chamber in which the sample is placed and the second chamber in which the moving mechanism is placed communicate with only a small exhaust conductance gap. A relatively high vacuum is maintained in the first chamber and a relatively low vacuum is maintained in the second chamber.
【0008】[0008]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図1は本発明の一実施例の要部を示す図、
図2は図1の部分拡大図である。これらの図において、
1は内部がメインチャンバMcとなるメインチャンバ壁
であり、その内部の底部にはベース部材2が配置されて
いる。ベース部材2の上部にはガイド3を介して移動ス
テージ4が取り付けられている。このステージ4は複数
の部材から形成され、下部に位置する部材には雌ネジが
切られており、そこに送りネジ5が螺合されているが、
送りネジ5はメインチャンバMcの外部のモータ(図示
せず)に連結している。この送りネジ5をモータによっ
て回転させることにより、ステージ4はベース部材2上
のガイド3に沿って移動することになる。なお、図1で
は説明の簡便さのために、紙面に垂直な方向(X方向)
にステージ4を移動させる機構のみ図示したが、実際に
は紙面の左右方向(Y方向)にステージ4を移動させる
機構が付加される。このY方向の移動を実現するには、
例えばベース部材2をY方向に移動させるように、ベー
ス部材2とメインチャンバ壁1との間に、前述のX方向
の駆動機構と同様な機構を設ければよい。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a main part of one embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a partially enlarged view of FIG. In these figures,
Reference numeral 1 denotes a main chamber wall in which the inside becomes a main chamber Mc, and a base member 2 is disposed at the bottom of the inside. A moving stage 4 is mounted on an upper portion of the base member 2 via a guide 3. The stage 4 is formed from a plurality of members, and a female screw is cut into a lower member, and a feed screw 5 is screwed into the female screw.
The feed screw 5 is connected to a motor (not shown) outside the main chamber Mc. By rotating the feed screw 5 by a motor, the stage 4 moves along the guide 3 on the base member 2. In FIG. 1, for simplicity of description, a direction perpendicular to the paper surface (X direction)
Although only the mechanism for moving the stage 4 is shown in the figure, a mechanism for moving the stage 4 in the left-right direction (Y direction) of the drawing is actually added. To realize this movement in the Y direction,
For example, a mechanism similar to the X-direction drive mechanism described above may be provided between the base member 2 and the main chamber wall 1 so as to move the base member 2 in the Y direction.
【0009】メインチャンバMcの上部にはサブチャン
バScを形成するサブチャンバ壁6が設けられている。
サブチャンバ壁6の下端部分には、平板状のフランジ7
が設けられている。このフランジ7の中心には比較的大
きな開口8が穿たれており、この開口8を貫通してステ
ージ4がサブチャンバSc内に配置される。ステージ4
には、リング状の平板部材9がフランジ7の下面と対向
して設けられている。固定のフランジ7と移動する平板
部材9との間隔は極めて微小に設定されており、この間
隙によりフランジ7と平板部材9との間にはリング状の
オリフィスOが形成されている(図では間隙を強調して
いる)。ステージ4の上面には被描画試料10が載せら
れた試料ホルダーHが設けられている。A sub-chamber wall 6 forming a sub-chamber Sc is provided above the main chamber Mc.
A flat flange 7 is provided at the lower end of the sub-chamber wall 6.
Is provided. A relatively large opening 8 is formed in the center of the flange 7, and the stage 4 is disposed in the sub-chamber Sc through the opening 8. Stage 4
Is provided with a ring-shaped flat plate member 9 facing the lower surface of the flange 7. The distance between the fixed flange 7 and the moving flat plate member 9 is set to be extremely small, and a ring-shaped orifice O is formed between the flange 7 and the flat plate member 9 by this gap (in FIG. Is emphasized). On the upper surface of the stage 4, a sample holder H on which the sample to be drawn 10 is mounted is provided.
【0010】サブチャンバScを形成するサブチャンバ
壁6の上部には電子ビームカラム11が真空接手20を
介して接続されている。図1では電子ビームカラム11
の内部が一部図示されているが、電子ビームカラム11
内には、図示されていないが電子銃,コンデンサレン
ズ,対物レンズなどが設けられている。電子ビームカラ
ム11の中心部には電子ビームの通路を形成するチュー
ブ12が設けられており、このチューブ12の底部には
電子ビームが通過する微小な開口を有したオリフィス1
3が取り付けられている。An electron beam column 11 is connected to the upper part of the sub-chamber wall 6 forming the sub-chamber Sc via a vacuum joint 20. In FIG. 1, the electron beam column 11
Is partially shown, but the electron beam column 11
Although not shown, an electron gun, a condenser lens, an objective lens, and the like are provided therein. A tube 12 forming an electron beam passage is provided at the center of the electron beam column 11, and an orifice 1 having a small opening through which the electron beam passes is provided at the bottom of the tube 12.
3 is attached.
【0011】メインチャンバMc内部はメインチャンバ
壁1に設けられた排気口14を介して排気系(図示せ
ず)により真空に排気される。また、サブチャンバSc
内部は、排気管15を介して排気系(図示せず)に接続
されており、サブチャンバSc内部は適宜に高真空に排
気される。電子ビームカラム11内の電子ビームの通路
を形成するチューブ12内部は排気管16を介して電子
ビームカラム用の排気系(図示せず)に接続されてい
る。なお、サブチャンバScには試料交換のための管1
7が接続されている。管17は図示していないが、仕切
弁を介して試料交換室に繋がっている。このような構成
の動作を次に説明する。The interior of the main chamber Mc is evacuated to a vacuum by an exhaust system (not shown) through an exhaust port 14 provided in the wall 1 of the main chamber. Also, the sub-chamber Sc
The inside is connected to an exhaust system (not shown) via an exhaust pipe 15, and the inside of the sub-chamber Sc is evacuated to a high vacuum as appropriate. The inside of the tube 12 forming an electron beam passage in the electron beam column 11 is connected to an exhaust system (not shown) for the electron beam column via an exhaust pipe 16. The subchamber Sc has a tube 1 for sample exchange.
7 is connected. Although not shown, the pipe 17 is connected to the sample exchange chamber via a gate valve. The operation of such a configuration will now be described.
【0012】被描画試料10に対する描画は、電子ビー
ムカラム11内の電子銃から電子ビームを発生させ、こ
の電子ビームをコンデンサレンズや対物レンズによって
細く集束させ、試料10上に照射する。更に、カラム1
1内に設けられた偏向コイルにより描画パターンに応じ
て電子ビームの偏向を行う。また、この被描画試料10
への所望パターンの描画は、例えば送りネジ5を図示し
ていないモータによって回転させ、ステージ4を精密に
移動させながら行う。For writing on the sample to be drawn 10, an electron beam is generated from an electron gun in the electron beam column 11, and this electron beam is focused finely by a condenser lens or an objective lens, and is irradiated onto the sample 10. In addition, column 1
The electron beam is deflected in accordance with a drawing pattern by a deflection coil provided in the unit 1. In addition, this drawing sample 10
The drawing of the desired pattern is performed while, for example, the feed screw 5 is rotated by a motor (not shown) to move the stage 4 precisely.
【0013】上記描画動作は、電子ビームカラム11
内、メインチャンバMc内、サブチャンバSc内を真空
排気した後に行う。カラム11と両チャンバMc,Sc
内はそれぞれ独立して排気されるが、電子ビームカラム
11内とサブチャンバScとの間にはオリフィス13が
設けられており、この両部屋との間の排気コンダクタン
スは著しく低くされている。また、サブチャンバScと
メインチャンバMcとの間はフランジ7と平板部材9と
の間のリング状のオリフィスOによって通じているが、
オリフィスOのコンダンクタンスは著しく低くされてい
る。この結果、サブチャンバSc内が高い真空度に排気
される。そして、メインチャンバMc内は比較的低い真
空度に維持される。The drawing operation is performed by the electron beam column 11.
, The main chamber Mc, and the sub-chamber Sc are evacuated. Column 11 and both chambers Mc, Sc
The inside of each chamber is independently exhausted, but an orifice 13 is provided between the inside of the electron beam column 11 and the sub-chamber Sc, and the exhaust conductance between the two chambers is significantly reduced. The sub-chamber Sc and the main chamber Mc communicate with each other by a ring-shaped orifice O between the flange 7 and the flat plate member 9.
The conductance of the orifice O is significantly reduced. As a result, the inside of the sub-chamber Sc is evacuated to a high degree of vacuum. Then, the inside of the main chamber Mc is maintained at a relatively low degree of vacuum.
【0014】ここで図3に図1及び図2の構成の模式図
を示す。図3に示すように、リング状のオリフィスOの
コンダクタンスをC1、オリフィス13のコンダクタン
スをC2とし、メインチャンバMcの排気速度をS1、
メインチャンバMcの到達圧力をP1、電子ビームカラ
ム11の排気速度をS2、電子ビームカラム11の到達
圧力をP2、サブチャンバScの排気速度をS0、サブチ
ャンバScの到達圧力をP0、サブチャンバSc内の放
出ガス量をqとする。FIG. 3 is a schematic diagram of the configuration shown in FIGS. As shown in FIG. 3, the conductance of the ring-shaped orifice O is C 1 , the conductance of the orifice 13 is C 2 , the exhaust speed of the main chamber Mc is S 1 ,
The ultimate pressure of the main chamber Mc is P 1 , the exhaust speed of the electron beam column 11 is S 2 , the ultimate pressure of the electron beam column 11 is P 2 , the exhaust speed of the sub-chamber Sc is S 0 , and the ultimate pressure of the sub-chamber Sc is P. 0 , the released gas amount in the sub-chamber Sc is q.
【0015】この結果、電子ビームカラム11からサブ
チャンバScに、リング状のオリフィスOを通って流入
するガス量はP1・C1、となる。また、メインチャンバ
McからサブチャンバScに、リング状のオリフィスO
を通って流入するガス量はP 2・C2となる。従って、サ
ブチャンバSc内の到達圧力P0は次のように表すこと
ができる。As a result, the electron beam column 11
Flow into the chamber Sc through the ring-shaped orifice O
The amount of gas to be used is P1・ C1, And Also the main chamber
From the Mc to the sub-chamber Sc, a ring-shaped orifice O
The amount of gas flowing through Two・ CTwoBecomes Therefore,
Ultimate pressure P in the chamber Sc0Is expressed as
Can be.
【0016】P0=(P1・C1+P2・C2+q)/S0 例えば、 P1=2×10−7(Torr) P2=1×10−7(Torr) C1=2×10−1(l/s) C2=1×10−1(l/s) q=1×10−7(Torr l/s) S0=1.5×102(l/s) とすれば、サブチャンバSc内の到達圧力P0は次のよ
うになる。P 0 = (P 1 · C 1 + P 2 · C 2 + q) / S 0 For example, P 1 = 2 × 10 −7 (Torr) P 2 = 1 × 10 −7 (Torr) C 1 = 2 × 10 −1 (l / s) C 2 = 1 × 10 −1 (l / s) q = 1 × 10 −7 (Torr l / s) S 0 = 1.5 × 10 2 (l / s) Then, the ultimate pressure P 0 in the sub-chamber Sc is as follows.
【0017】P0=(4×10−8+1×10−8+1×
10−7)/(1.5×102)=(1.5×10−7)
/(1.5×102)=1×10−9(Torr) 上記メインチャンバMc内の到達圧力P1=2×10−7
(Torr)は、従来の真空用潤滑剤をステージ系に使
用して十分性能を維持できる圧力である。また、サブチ
ャンバSc内の到達圧力P0=1×10−9(Torr)
は、試料の汚れを防止し、精密な描画を行うに十分な圧
力である。P 0 = (4 × 10 −8 + 1 × 10 −8 + 1 ×
10 −7 ) / (1.5 × 10 2 ) = (1.5 × 10 −7 )
/(1.5×10 2 ) = 1 × 10 −9 (Torr) Ultimate pressure P 1 in the main chamber Mc = 2 × 10 −7
(Torr) is a pressure at which sufficient performance can be maintained by using a conventional vacuum lubricant for the stage system. Further, the ultimate pressure P 0 in the sub-chamber Sc = 1 × 10 −9 (Torr)
Is a pressure that is sufficient to prevent contamination of the sample and perform precise writing.
【0018】ところで、サブチャンバScの到達圧力P
0を十分低くするためには、放出ガス量qを小さくする
ことが重要であることは明白である。前記した具体的な
条件において、放出ガス量を2.5×10−8(Tor
r l/s)にできれば、サブチャンバSc内の到達圧
力P0は次の通りとなる。Incidentally, the ultimate pressure P of the sub-chamber Sc
Obviously, in order to make 0 sufficiently low, it is important to reduce the amount of released gas q. Under the specific conditions described above, the amount of released gas is set to 2.5 × 10 −8 (Torr
(rl / s), the ultimate pressure P 0 in the sub-chamber Sc is as follows.
【0019】P0=(4×10−8+1×10−8+2.
5×10−8)/(1.5×102)=(7.5×10
−8)/(1.5×102)=5×10−10(Torr) 放出ガス量qを低下させるためには、ベーキングが必要
となる。各構成部品をベーキング後組み立て、全体をベ
ーキングするとき、いくつかの制限がある。まず第1
に、ステージ系に設けられたレーザ測長用ミラー部(図
示せず)の温度上昇を制限しなくてはならない。ミラー
固定が接着の場合は数十度であり、また、ステージ系の
相対運動部の制限がある。第2にベーキング時間は一般
に長時間に渡り、近接部分には絶えず熱が流入する。従
って、この熱を取り去る方法が必要になる。P 0 = (4 × 10 −8 + 1 × 10 −8 +2.
5 × 10 −8 ) / (1.5 × 10 2 ) = (7.5 × 10 2 )
−8 ) / (1.5 × 10 2 ) = 5 × 10 −10 (Torr) In order to reduce the amount of released gas q, baking is necessary. There are some limitations when assembling each component after baking and baking the whole. First,
In addition, it is necessary to limit the temperature rise of the mirror for laser measurement (not shown) provided in the stage system. When the mirror is fixed by bonding, the temperature is several tens of degrees, and there is a limitation on the relative movement part of the stage system. Second, the baking time is generally long, and there is a constant flow of heat into the proximity. Therefore, a method for removing this heat is needed.
【0020】そのため、ステージ4のサブチャンバSc
に接した部分(ベーキングされる部分)と、メインチャ
ンバMc内の部分(加熱が好ましくない部分)とを熱的
に絶縁し、メインチャンバMc内の部分を冷却すること
は有効である。その結果、ステージ4のメインチャンバ
Mc内の部分に設けられたレーザ測長系のミラー部など
は、高い温度に加熱されて精度が低下することは防止さ
れる。Therefore, the sub-chamber Sc of the stage 4
It is effective to thermally insulate the portion in contact with (the portion to be baked) from the portion in the main chamber Mc (the portion where heating is not preferable) and cool the portion in the main chamber Mc. As a result, it is possible to prevent the mirror portion and the like of the laser measurement system provided in the portion of the stage 4 in the main chamber Mc from being heated to a high temperature and the accuracy from being lowered.
【0021】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、描画装置を例に
して説明したが、走査電子顕微鏡など真空中で試料を移
動させる機構を有した他の荷電粒子ビーム装置にも本発
明を適用することができる。また、サブチャンバ内を高
真空に排気する例を説明したが、サブチャンバ内を高真
空に排気した後、特定のガスを入れる場合にも本発明を
適用することができる。Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this embodiment. For example, the drawing apparatus has been described as an example, but the present invention can also be applied to other charged particle beam apparatuses having a mechanism for moving a sample in a vacuum such as a scanning electron microscope. Also, an example in which the inside of the sub-chamber is evacuated to a high vacuum has been described, but the present invention can be applied to a case where a specific gas is introduced after the inside of the sub-chamber is evacuated to a high vacuum.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく荷
電粒子ビーム装置は、試料が入れられる第1のチャンバ
ーと、移動機構が入れられる第2のチャンバーとの間を
小さな排気コンダクタンスの間隙のみで連通し、差動排
気によって第1のチャンバー内を比較的高い真空度に維
持し、第2のチャンバー内を比較的低い真空度に維持す
るように構成した。その結果、ステージ系の滑り駆動部
と試料周辺部を実質的に真空的に切り離すことができ、
ステージ系駆動に十分な潤滑を確保できる一方、試料周
辺を高真空状態とすることができる。このため、高真空
対応のステージを開発する必要がなくなる。As described above, in the charged particle beam apparatus according to the present invention, only a small exhaust conductance gap is provided between the first chamber in which the sample is placed and the second chamber in which the moving mechanism is placed. And the first chamber is maintained at a relatively high degree of vacuum by differential pumping, and the second chamber is maintained at a relatively low degree of vacuum. As a result, the slide drive unit of the stage system and the sample peripheral part can be substantially vacuum-separated,
While sufficient lubrication for driving the stage system can be ensured, the periphery of the sample can be brought into a high vacuum state. Therefore, there is no need to develop a stage compatible with high vacuum.
【0023】また、サブチャンバと電子ビームカラムと
の間にオリフィスを設け、このオリフィスの電子銃側に
排気系を設けたので、サブチャンバを高真空に排気しや
すく、また、サブチャンバにガスを入れた場合でも、電
子銃への影響を阻止することができる。Further, since an orifice is provided between the subchamber and the electron beam column, and an exhaust system is provided on the electron gun side of the orifice, the subchamber is easily evacuated to a high vacuum, and gas is supplied to the subchamber. Even if inserted, the effect on the electron gun can be prevented.
【図1】本発明の一実施例である電子ビーム描画装置を
示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an electron beam writing apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図2】図1の部分拡大図である。FIG. 2 is a partially enlarged view of FIG.
【図3】図1及び図2の構成の模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram of the configuration of FIGS. 1 and 2;
1 メインチャンバ壁 2 ベース部材 3 ガイド 4 移動ステージ 5 送りネジ 6 サブチャンバ壁 7 フランジ 8 開口 9 平板部材 10 試料 11 電子ビームカラム 12 チューブ 13 オリフィス 14 排気口 15,16 排気管 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Main chamber wall 2 Base member 3 Guide 4 Moving stage 5 Feed screw 6 Sub-chamber wall 7 Flange 8 Opening 9 Plate member 10 Sample 11 Electron beam column 12 Tube 13 Orifice 14 Exhaust port 15, 16 Exhaust pipe
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−26665(JP,A) 特開 昭55−59719(JP,A) 特開 昭56−148827(JP,A) 実開 昭62−186425(JP,U) 実開 昭63−36035(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-54-26665 (JP, A) JP-A-55-59719 (JP, A) JP-A-56-1448827 (JP, A) 186425 (JP, U) Actually open 63-36035 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/027
Claims (1)
るステージと、ステージを水平方向に移動させるための
移動機構と、試料が入れられる第1のチャンバーと、移
動機構が入れられる第2のチャンバーと、第1のチャン
バー内を排気する第1の排気系と、第2のチャンバー内
を排気する第2の排気系と、第1と第2のチャンバーと
の間に配置され、移動機構によって移動するステージの
一部が貫通する開口を有した隔壁と、開口の周辺部にお
いて隔壁と対向して配置され、ステージと共に移動する
平面板とを有しており、隔壁と平面板との間には第1の
チャンバー内と第2のチャンバー内とを連通する小さな
排気コンダクタンスの間隙が設けられていることを特徴
とする荷電粒子ビーム装置。1. A stage on which a sample to be irradiated with a charged particle beam is mounted, a moving mechanism for moving the stage in a horizontal direction, a first chamber in which the sample is placed, and a second chamber in which the moving mechanism is placed. A first exhaust system that exhausts the inside of the first chamber, a second exhaust system that exhausts the inside of the second chamber, and the first and second chambers. A partition having an opening through which a part of the stage to be penetrated, and a flat plate that is arranged to face the partition at the periphery of the opening and moves together with the stage, and between the partition and the flat plate. A charged particle beam apparatus, wherein a small exhaust conductance gap communicating between the inside of the first chamber and the inside of the second chamber is provided.
Priority Applications (1)
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