JP3200022B2 - Design method of semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、スキャンイン及び
スキャンアウトにより回路の故障検査を効率的に行なう
半導体集積回路の設計方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for designing a semiconductor integrated circuit for efficiently performing a circuit failure check by scanning in and out.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路の故障検査であるスキャ
ンテストを行なうには、スキャンテスト機能を備えた記
憶素子であるスキャンレジスタを互いに連結してスキャ
ンチェーンを構成し、該スキャンチェーンがスキャンテ
ストモード中にシフトレジスタとして機能するように半
導体集積回路を設計する必要がある。2. Description of the Related Art To perform a scan test as a failure test of a semiconductor integrated circuit, a scan chain is formed by connecting scan registers, which are storage elements having a scan test function, to each other. Inside, it is necessary to design a semiconductor integrated circuit so as to function as a shift register.
【0003】スキャンレジスタを互いに接続してスキャ
ンチェーンを構成する過程における2つのスキャンレジ
スタを接続する操作において、前段のスキャンレジスタ
が正論理と反転論理との2つの出力端子を有する場合
に、従来使用されていた方法の1つとして、常に前段の
スキャンレジスタの正論理出力端子のみを後段のスキャ
ンレジスタのスキャンデータ入力端子に接続するか又は
常に前段のスキャンレジスタの反転論理出力端子のみを
後段のスキャンレジスタのスキャンデータ入力端子に接
続する方法がある。[0003] In the operation of connecting two scan registers in the process of connecting the scan registers to each other to form a scan chain, if the preceding scan register has two output terminals of positive logic and inverted logic, it is conventionally used. One of the conventional methods is to always connect only the positive logic output terminal of the preceding scan register to the scan data input terminal of the subsequent scan register, or always connect only the inverted logic output terminal of the preceding scan register to the subsequent scan register. There is a method of connecting to the scan data input terminal of the register.
【0004】また、他の従来方法として、前段のスキャ
ンレジスタの正論理と反転論理の2つの出力端子のうち
の一方が未接続である場合は、未接続の出力端子を後段
のスキャンレジスタのスキャンデータ入力端子に接続
し、2つの出力端子がすべて他の素子と接続されている
場合は、常に正論理出力端子か又は常に反転論理出力端
子かを後段のスキャンレジスタのスキャンデータ入力端
子に接続する方法がある。As another conventional method, when one of the two output terminals of positive logic and inverted logic of the preceding scan register is not connected, the unconnected output terminal is scanned by the subsequent scan register. If the two output terminals are all connected to other elements, the positive logic output terminal or the inverted logic output terminal is always connected to the scan data input terminal of the subsequent scan register. There is a way.
【0005】以下、従来の半導体集積回路装置の設計方
法を図面に基づいて説明する。Hereinafter, a conventional method for designing a semiconductor integrated circuit device will be described with reference to the drawings.
【0006】図20はスキャンレジスタを示す回路図で
ある。図20において、10はスキャン法による故障検
査を行なうためのスキャンレジスタ、11は通常動作時
のデータが入力されるデータ入力端子、12はスキャン
動作モードのスキャンデータが入力されるスキャンデー
タ入力端子、13はスキャンレジスタ10の同期を取る
クロック入力端子、14は通常モードとスキャン動作モ
ードを切替えるための信号が入力される入力切替端子、
15はデータ入力端子11又はスキャンデータ入力端子
12に入力されたデータと同値のデータを出力する正論
理出力端子、16はデータ入力端子11又はスキャンデ
ータ入力端子12に入力されたデータが反転した値のデ
ータを出力する反転論理出力端子である。スキャンレジ
スタ10は入力端子14に”0”、”1”が入力された
ときに、クロック信号に同期してデータ入力端子11及
びスキャンデータ入力端子12にそれぞれ入力されたデ
ータを正論理出力端子15に出力すると同時に反転論理
出力端子16に正論理出力端子15の信号を反転した信
号を出力する。FIG. 20 is a circuit diagram showing a scan register. 20, reference numeral 10 denotes a scan register for performing a failure test by a scan method, 11 denotes a data input terminal to which data during normal operation is input, 12 denotes a scan data input terminal to which scan data in a scan operation mode is input, 13 is a clock input terminal for synchronizing the scan register 10, 14 is an input switching terminal for inputting a signal for switching between the normal mode and the scan operation mode,
Reference numeral 15 denotes a positive logic output terminal that outputs data having the same value as the data input to the data input terminal 11 or the scan data input terminal 12, and 16 denotes a value obtained by inverting the data input to the data input terminal 11 or the scan data input terminal 12. Is an inverted logic output terminal that outputs the data of When "0" and "1" are input to the input terminal 14, the scan register 10 synchronizes the data input to the data input terminal 11 and the scan data input terminal 12 with the positive logic output terminal 15 in synchronization with the clock signal. At the same time, a signal obtained by inverting the signal of the positive logic output terminal 15 is output to the inverted logic output terminal 16.
【0007】以下、各図面に使用するスキャンレジスタ
10は、便宜上、スキャンデータ入力端子12をSIと
し、正論理出力端子15をQとし、反転論理出力端子1
6をNQとして、これらスキャンデータ入力端子SI、
正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQのみを表示
することにする。Hereinafter, for the sake of convenience, a scan register 10 used in each drawing has a scan data input terminal 12 of SI, a positive logic output terminal 15 of Q, and an inverted logic output terminal 1 of Q.
6 as NQ, these scan data input terminals SI,
Only the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ will be displayed.
【0008】図25は従来の半導体集積回路の設計方法
における配線処理を示すフローチャートである。図25
において、SZ1はスキャンレジスタの接続順を指定す
る工程、SZ2はスキャンチェーンとして互いに隣接す
るスキャンレジスタのペアを選択する工程、SZ3はス
キャンレジスタに未接続の出力端子が存在するか否かを
判定する工程、SZ4は未接続の出力端子が存在しない
場合に正論理出力端子を選択する工程、SZ5は未接続
の出力端子が存在する場合に未接続の出力端子を選択す
る工程、SZ6は選択された出力端子と後段のスキャン
レジスタのスキャンデータ入力端子とを接続する工程、
SZ7はスキャンチェーン内の全てのスキャンレジスタ
のペアについて処理が終了したか否かを判定する工程を
示す。FIG. 25 is a flowchart showing a wiring process in a conventional method for designing a semiconductor integrated circuit. FIG.
In SZ1, SZ1 designates a connection order of scan registers, SZ2 selects a pair of scan registers adjacent to each other as a scan chain, and SZ3 determines whether there is an unconnected output terminal in the scan register. Step SZ4 is a step of selecting a positive logic output terminal when there is no unconnected output terminal. Step SZ5 is a step of selecting an unconnected output terminal when there is an unconnected output terminal. Step SZ6 is selected. Connecting an output terminal and a scan data input terminal of a subsequent scan register,
SZ7 indicates a step of determining whether or not processing has been completed for all pairs of scan registers in the scan chain.
【0009】図21はスキャンレジスタ同士を配線する
前の半導体集積回路を示す回路図である。図21におい
て、20Bはスキャンチェーン生成前の半導体集積回路
を形成する形成領域、21〜25はスキャンテスト時に
シフトレジスタを構成するスキャンレジスタ、26〜3
2は2つの入力信号が共に“1“のときに限り“1“を
出力するANDゲート、33〜35は入力信号を反転さ
せた信号を出力するインバータ、36はスキャンテスト
用の信号を入力するスキャンイン端子、37はスキャン
テスト用の信号を出力するスキャンアウト端子である。
スキャンレジスタ22の反転論理出力端子NQとスキャ
ンレジスタ25の正論理出力端子Qは通常動作モードで
は使用されておらず未接続である。FIG. 21 is a circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit before wiring scan registers. In FIG. 21, reference numeral 20B denotes a formation area for forming a semiconductor integrated circuit before generation of a scan chain; 21 to 25, scan registers constituting a shift register during a scan test;
Reference numeral 2 denotes an AND gate that outputs "1" only when both input signals are "1", inverters 33 to 35 output an inverted signal of the input signal, and 36 inputs a scan test signal. A scan-in terminal 37 is a scan-out terminal for outputting a scan test signal.
The inverted logic output terminal NQ of the scan register 22 and the positive logic output terminal Q of the scan register 25 are not used in the normal operation mode and are not connected.
【0010】図26は図21に示す半導体集積回路に図
25に示す配置及び配線処理を施した回路図である。図
26において、20Aはスキャンチェーン生成後の半導
体集積回路を配置する配置配線領域であり、各素子及び
配線の位置と大きさとは実際のハードウェアを反映して
いる。21〜37は図21に示した構成要素と同一の符
号を付すことにより説明を省略する。41Zはスキャン
レジスタ21とスキャンレジスタ22とを接続する配
線、42Zはスキャンレジスタ22とスキャンレジスタ
23とを接続する配線、43Zはスキャンレジスタ23
とスキャンレジスタ24とを接続する配線、44Zはス
キャンレジスタ24とスキャンレジスタ25とを接続す
る配線、45Zはスキャンレジスタ25とスキャンアウ
ト端子37とを接続する配線である。FIG. 26 is a circuit diagram showing the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 21 subjected to the arrangement and wiring processing shown in FIG. In FIG. 26, reference numeral 20A denotes an arrangement / wiring area for arranging the semiconductor integrated circuit after the generation of the scan chain, and the position and size of each element and wiring reflect actual hardware. 21 to 37 are denoted by the same reference numerals as the components shown in FIG. 41Z is a wire connecting the scan register 21 and the scan register 22; 42Z is a wire connecting the scan register 22 and the scan register 23; 43Z is a scan register 23
44Z is a line connecting the scan register 24 and the scan register 25, and 45Z is a line connecting the scan register 25 and the scan-out terminal 37.
【0011】図21に示すスキャンチェーン生成前の半
導体集積回路に対して、図25に示した各工程を順次実
施することによりスキャンレジスタ同士が配線される過
程を説明する。まず、工程SZ1において、各スキャン
レジスタの接続順をスキャンレジスタ21→スキャンレ
ジスタ22→スキャンレジスタ23→スキャンレジスタ
24→スキャンレジスタ25→スキャンアウト端子37
の順に接続するように指定する。A process in which scan registers are wired by sequentially performing the steps shown in FIG. 25 on the semiconductor integrated circuit before the scan chain generation shown in FIG. 21 will be described. First, in step SZ1, the connection order of each scan register is changed to scan register 21, scan register 22, scan register 23, scan register 24, scan register 25, and scan out terminal 37.
Specify to connect in order.
【0012】次に、工程SZ2において、スキャンレジ
スタ21とスキャンレジスタ22との最初のペアを選択
する。Next, in step SZ2, the first pair of the scan register 21 and the scan register 22 is selected.
【0013】次に、工程SZ3において、スキャンレジ
スタ21の正論理出力端子Q又は反転論理出力端子NQ
のうちに未接続の端子があるか否かを判定して、未接続
の端子が存在しないので、工程SZ4に進む。Next, in step SZ3, the positive logic output terminal Q or the inverted logic output terminal NQ of the scan register 21
It is determined whether or not there is an unconnected terminal. Since there is no unconnected terminal, the process proceeds to step SZ4.
【0014】次に、工程SZ4において正論理出力端子
Qを選択した後、次の工程SZ6において、選択された
正論理出力端子Qとスキャンレジスタ22のスキャンデ
ータ入力端子SIとを配線41Zにより接続する。Next, after selecting the positive logic output terminal Q in step SZ4, in the next step SZ6, the selected positive logic output terminal Q and the scan data input terminal SI of the scan register 22 are connected by the wiring 41Z. .
【0015】次に、工程SZ7において、他にスキャン
レジスタのペアが残っているので、工程SZ2に戻る。Next, in step SZ7, since another pair of scan registers remains, the process returns to step SZ2.
【0016】次に、工程SZ2において、スキャンレジ
スタ22とスキャンレジスタ23とのペアを選択して、
次の工程SZ3において、スキャンレジスタ22の反転
論理出力端子NQが未接続であるため、工程SZ5に進
み、反転論理出力端子NQを選択する。Next, in step SZ2, a pair of the scan register 22 and the scan register 23 is selected, and
In the next step SZ3, since the inverted logic output terminal NQ of the scan register 22 is not connected, the process proceeds to step SZ5 to select the inverted logic output terminal NQ.
【0017】次に、工程SZ6において、選択された反
転論理出力端子NQとスキャンレジスタ23のスキャン
データ入力端子SIとを配線42Zにより接続する。Next, in step SZ6, the selected inverted logic output terminal NQ and the scan data input terminal SI of the scan register 23 are connected by the wiring 42Z.
【0018】残りのスキャンレジスタのペアに対して同
様の処理を行なって、配線43Zによりスキャンレジス
タ23の正論理出力端子Qとスキャンレジスタ24のス
キャンデータ入力端子SIとを接続して、次に、配線4
4Zによりスキャンレジスタ24の正論理出力端子Qと
スキャンレジスタ25のスキャンデータ入力端子SIと
を接続して、さらに、配線45Zによりスキャンレジス
タ25の正論理出力端子Qとスキャンアウト端子37の
スキャンデータ入力端子SIとを接続して、スキャンチ
ェーン接続を完成させる。The same processing is performed on the remaining pairs of scan registers, and the positive logic output terminal Q of the scan register 23 and the scan data input terminal SI of the scan register 24 are connected by the wiring 43Z. Wiring 4
4Z connects the positive logic output terminal Q of the scan register 24 to the scan data input terminal SI of the scan register 25, and furthermore, the wiring 45Z connects the positive logic output terminal Q of the scan register 25 and the scan data input of the scan out terminal 37. The scan chain connection is completed by connecting the terminal SI.
【0019】[0019]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の半導体集積回路の設計方法は、例えば、図26に示
すスキャンレジスタ22の反転論理出力端子NQとスキ
ャンレジスタ23のスキャンデータ入力端子SIとを接
続する配線42Zを設けているが、スキャンレジスタ2
2の反転論理出力端子NQとスキャンレジスタ23のス
キャンデータ入力端子SIとの直線距離は、スキャンレ
ジスタ22の正論理出力端子Qとスキャンレジスタ23
のスキャンデータ入力端子SIとの直線距離よりも長い
ため、配線42Zはスキャンレジスタ22の正論理出力
端子Qとスキャンレジスタ23のスキャンデータ入力端
子SIとを接続する場合の配線よりも長くなるので、配
線量の増大をもたらすという問題を有していた。However, in the conventional method of designing a semiconductor integrated circuit, for example, the inverted logic output terminal NQ of the scan register 22 and the scan data input terminal SI of the scan register 23 shown in FIG. Is provided, the scan register 2
2 between the inverted logic output terminal NQ of the scan register 22 and the scan data input terminal SI of the scan register
Since the line 42Z is longer than the linear distance from the scan data input terminal SI, the line 42Z is longer than the line connecting the positive logic output terminal Q of the scan register 22 and the scan data input terminal SI of the scan register 23. There is a problem that the amount of wiring is increased.
【0020】また、スキャンレジスタ24の正論理出力
端子Qは反転論理出力端子NQよりも多くの素子と接続
されているが、スキャンレジスタ24及びスキャンレジ
スタ25の接続にファンアウト数を考慮することなく一
意的にスキャンレジスタ24の正論理出力端子Qが用い
られているため、正論理出力端子Qにかかる負荷がさら
に大きくなるので、通常動作モード時にスキャンレジス
タ24の正論理出力端子Qから他の素子に対する信号の
遅延が著しく増大するという問題があった。Although the positive logic output terminal Q of the scan register 24 is connected to more elements than the inverted logic output terminal NQ, the connection between the scan register 24 and the scan register 25 does not take the fanout number into account. Since the positive logic output terminal Q of the scan register 24 is uniquely used, the load applied to the positive logic output terminal Q is further increased. However, there is a problem that the delay of the signal with respect to is significantly increased.
【0021】さらに、例えば、スキャンレジスタ24の
正論理出力端子Qにおけるクロック信号の1サイクルの
時間とスキャンレジスタ24の出力端子からスキャンレ
ジスタ25のスキャンデータ入力端子SIまでの経路を
信号が伝搬する伝搬時間との差である設計マージンが非
常に小さい場合に、正論理出力端子Qをスキャンレジス
タ25に接続することによって、正論理出力端子Qの設
計マージンがさらに低下し、信号の伝搬が1クロック以
内に収まらないというタイミング上の問題が発生する可
能性があった。Furthermore, for example, one cycle time of the clock signal at the positive logic output terminal Q of the scan register 24 and the propagation of the signal along the path from the output terminal of the scan register 24 to the scan data input terminal SI of the scan register 25 When the design margin, which is the difference from the time, is very small, connecting the positive logic output terminal Q to the scan register 25 further reduces the design margin of the positive logic output terminal Q, so that signal propagation is within one clock. There was a possibility that a timing problem of not being able to fit in would occur.
【0022】また、前記従来の半導体集積回路の設計方
法は、各スキャンレジスタのクロック入力端子にクロッ
ク信号が到達する時間にばらつき(=タイムスキュー)
が存在する場合に誤動作を起こすという問題を有してい
た。以下、この問題について図面に基づいて説明する。In the above-described conventional method for designing a semiconductor integrated circuit, the time required for a clock signal to reach a clock input terminal of each scan register varies (= time skew).
However, there is a problem that a malfunction occurs when there is an error. Hereinafter, this problem will be described with reference to the drawings.
【0023】図26において、スキャンレジスタ22は
マクロセルAが用いられ、スキャンレジスタ23,24
はマクロセルBが用いられているとする。マクロセルA
及びマクロセルBはいずれも論理的には図20に示すス
キャンレジスタである。マクロセルAはSI端子から入
力される信号のQ端子又はNQ端子までの遅延値がそれ
ぞれ3nsと1nsとであり、マクロセルBはSI端子
から入力される信号のQ端子又はNQ端子までの遅延値
がそれぞれ1nsと3nsとである。なお、ここでは便
宜上、各配線には遅延がないものとして説明をする。In FIG. 26, a macro cell A is used as a scan register 22, and scan registers 23 and 24 are used.
Assume that a macro cell B is used. Macrocell A
And the macro cell B are logically scan registers shown in FIG. The macro cell A has a delay value of 3 ns and 1 ns, respectively, of the signal input from the SI terminal to the Q terminal or the NQ terminal, and the macro cell B has a delay value of the signal input from the SI terminal to the Q terminal or the NQ terminal. They are 1 ns and 3 ns, respectively. Here, for the sake of convenience, the description will be made assuming that each wiring has no delay.
【0024】図27及び28は図26に示す従来の半導
体集積回路の設計方法による回路図におけるスキャンレ
ジスタ22,23,24の各端子の信号変化を表わすタ
イミング図である。22.SIはスキャンレジスタ22
のスキャンデータ入力端子SIの信号変化を表わし、2
2.CK、23.CK及び24.CKはそれぞれスキャ
ンレジス22,23,24のクロック入力端子の信号変
化を表わし、22.NQ、23.NQ及び24.NQは
それぞれスキャンレジスタ22,23,24の反転論理
出力端子NQの信号変化を表わし、22.Q、23.Q
及び24.Qはそれぞれスキャンレジスタ22,23,
24の正論理出力端子Qの信号変化を表わす。FIGS. 27 and 28 are timing charts showing signal changes at the terminals of scan registers 22, 23 and 24 in the circuit diagram according to the conventional semiconductor integrated circuit design method shown in FIG. 22. SI is the scan register 22
Of the scan data input terminal SI of FIG.
2. CK, 23. CK and 24. CK represents a signal change at the clock input terminals of the scan registers 22, 23, and 24, respectively. NQ, 23. NQ and 24. NQ indicates a signal change at the inverted logic output terminal NQ of each of the scan registers 22, 23, and 24. Q, 23. Q
And 24. Q represents scan registers 22, 23, respectively.
24 indicates a signal change of the 24 positive logic output terminals Q.
【0025】図27はスキャンレジスタ22〜24の各
クロック入力端子にクロック信号が到達する時間にばら
つきが存在しない理想的な場合におけるタイミングチャ
ートである。スキャンレジスタ22のスキャンデータ入
力端子22.SIには前段のスキャンデータ21のQ端
子からクロック信号に同期して1→0→1が入力されて
いるとする。スキャンレジスタ22のNQ端子、スキャ
ンレジスタ23のQ端子及びスキャンレジスタ24のQ
端子の信号は、それぞれのクロック信号が入力された後
に1ns遅れて取り込まれるデータを後段のスキャンレ
ジスタのSI端子に出力する。従って、入力されたデー
タは各クロック信号ごとにスキャンレジスタ22,2
3,24にシフトされて、3クロック周期後にはスキャ
ンレジスタ22のNQ端子、スキャンレジスタ23のQ
端子及びスキャンレジスタ24のQ端子の信号はそれぞ
れ0,1,0となる。FIG. 27 is a timing chart in an ideal case where there is no variation in the time when the clock signal reaches the clock input terminals of the scan registers 22 to 24. Scan data input terminal 22. It is assumed that 1 → 0 → 1 is input to SI in synchronization with the clock signal from the Q terminal of the scan data 21 in the preceding stage. The NQ terminal of the scan register 22, the Q terminal of the scan register 23, and the Q terminal of the scan register 24
As for the terminal signal, data taken in with a delay of 1 ns after the input of each clock signal is output to the SI terminal of the subsequent scan register. Therefore, the input data is stored in the scan registers 22 and 2 for each clock signal.
3 and 24. After three clock cycles, the NQ terminal of the scan register 22 and the Q
The signals at the terminal and the Q terminal of the scan register 24 are 0, 1, 0, respectively.
【0026】図28はクロック信号がスキャンレジスタ
23に到達する時間が、スキャンレジスタ22,24に
到達する時間よりも2ns遅れた場合を示すタイミング
チャートである。このとき、スキャンレジスタ23のク
ロック信号はスキャンレジスタ23のSI端子に入力さ
れる信号の信号変化よりも1nsだけ遅れて入力される
ため、スキャンレジスタ23のSI端子の変化したばか
りの、本来取り込むべき信号の次の信号である新しい信
号を取り込んでしまう。従って、3クロック周期後のス
キャンレジスタ22のNQ端子、スキャンレジスタ23
のQ端子及びスキャンレジスタ24のQ端子の信号はそ
れぞれ0,0,1となるため、図27の理想的な場合で
得られる期待値と異るので、誤動作が生じてしまう。FIG. 28 is a timing chart showing a case where the time when the clock signal reaches the scan register 23 is delayed by 2 ns from the time when the clock signal reaches the scan registers 22 and 24. At this time, the clock signal of the scan register 23 is input 1 ns later than the signal change of the signal input to the SI terminal of the scan register 23. It takes in a new signal that is the next signal after the signal. Therefore, the NQ terminal of the scan register 22 and the scan register 23 after three clock cycles
Since the signals at the Q terminal of the scan register 24 and the Q terminal of the scan register 24 are 0, 0, and 1, respectively, they differ from the expected values obtained in the ideal case of FIG. 27, and a malfunction occurs.
【0027】本発明は、前記従来の問題を解決するもの
で、半導体集積回路のスキャンチェーン接続を行なう際
に、配線量の増加を招かないようにすることを第1の目
的とし、信号の遅延の増加を招かないようにすることを
第2の目的とし、クロック信号のばらつきによるデータ
破壊を招かないようにすることを第3の目的とする。The first object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problem, and it is a first object of the present invention to prevent an increase in the amount of wiring when performing scan chain connection of a semiconductor integrated circuit. A second object is to prevent an increase in the number of clock signals, and a third object is to prevent the data from being destroyed due to variations in clock signals.
【0028】[0028]
【0029】[0029]
【0030】[0030]
【0031】[0031]
【0032】 請求項1の発明は前記第1及び第2の目
的を達成するものであり、複数の出力端子を有する第1
の記憶素子における前記複数の出力端子のうちの1つの
出力端子と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテ
スト機能を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデ
ータ入力端子とを接続する半導体集積回路の設計方法を
対象とし、前記第1の記憶素子の各出力端子と前記第2
の記憶素子のスキャンデータ入力端子との基板上の直線
距離をそれぞれ計算する距離計算工程と、前記直線距離
のうちの最小値を求めて、該最小値と該最小値以外の直
線距離とを比較する距離比較工程と、前記最小値と該最
小値以外の直線距離との差が所定値以下となる前記第1
の記憶素子の出力端子がある場合に、前記直線距離が最
小となる前記第1の記憶素子の出力端子と、前記直線距
離の最小値との差が所定値以下となる前記第1の記憶素
子の出力端子とのファンアウト数をそれぞれ計算する計
算工程と、前記計算工程において算出した前記第1の記
憶素子の出力端子のうち、前記ファンアウト数が最小と
なる前記出力端子を前記第2の記憶素子のスキャンデー
タ入力端子に接続する端子と決定し、前記最小値と該最
小値以外の直線距離との差が所定値以下となる前記第1
の記憶素子の出力端子がない場合には前記直線距離が最
小となる前記第1の記憶素子の出力端子を前記第2の記
憶素子のスキャンデータ入力端子に接続する端子と決定
し、前記決定した端子と前記第2の記憶素子のスキャン
データ入力端子とを接続する接続工程とを備えている構
成とするものである。The first aspect of the present invention achieves the first and second objects, and has a first aspect having a plurality of output terminals.
Design of a semiconductor integrated circuit for connecting one output terminal of the plurality of output terminals in the storage element of the first embodiment with the scan data input terminal of a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. The output terminal of the first storage element and the second terminal.
A distance calculation step of calculating a linear distance on the substrate between the scan data input terminal of the storage element and a minimum value of the linear distance, and comparing the minimum value with a linear distance other than the minimum value Performing the distance comparison step, and the difference between the minimum value and a linear distance other than the minimum value is equal to or less than a predetermined value .
When there is an output terminal of the storage element, the difference between the output terminal of the first storage element that minimizes the linear distance and the minimum value of the linear distance is equal to or less than a predetermined value. A calculating step of calculating the number of fan-outs with the output terminal of the first storage element; and the output terminal having the minimum number of fan-outs among the output terminals of the first storage element calculated in the calculating step Is the scan data of the second storage element.
The minimum value and the maximum value.
The first method in which a difference from a linear distance other than a small value is equal to or less than a predetermined value.
When there is no output terminal of the storage element of
The smaller output terminal of the first storage element is connected to the second storage element.
Determine the terminal to connect to the scan data input terminal of the storage device
And a connection step of connecting the determined terminal to a scan data input terminal of the second storage element.
【0033】 請求項1の構成により、基板上の直線距
離が最小となる第1の記憶素子の出力端子と、直線距離
の最小値との差が所定値以下となる第1の記憶素子の出
力端子とのファンアウト数をそれぞれ計算して、算出し
た第1の記憶素子の出力端子のうち、ファンアウト数が
最小となる出力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ
入力端子とが接続されるため、第1及び第2の記憶素子
同士の配線が短縮されると共に通常動作モード時におけ
る回路の負荷容量の増加が回避される。[0033] The arrangement of claim 1, the output of the first storage element and the output terminal of the first storage element linear distance on the substrate is minimized, the difference between the minimum value of the linear distance equal to or less than a predetermined value The number of fan-outs with the terminal is calculated, and among the calculated output terminals of the first storage element, the output terminal with the smallest number of fan-outs and the scan data input terminal of the second storage element are connected. Therefore, the wiring between the first and second storage elements is shortened, and an increase in the load capacitance of the circuit in the normal operation mode is avoided.
【0034】 請求項2の発明は前記第1及び第2の目
的を達成するものであり、複数の出力端子を有する第1
の記憶素子における前記複数の出力端子のうちの1つの
出力端子と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテ
スト機能を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデ
ータ入力端子とを接続する半導体集積回路の設計方法を
対象とし、前記第1の記憶素子の各出力端子と前記第2
の記憶素子のスキャンデータ入力端子との基板上の直線
距離をそれぞれ計算する距離計算工程と、前記直線距離
のうちの最小値を求めて、該最小値と該最小値以外の直
線距離とを比較する距離比較工程と、前記最小値と該最
小値以外の直線距離との差が所定値以下となる前記第1
の記憶素子の出力端子がある場合に、前記直線距離が最
小となる前記第1の記憶素子の出力端子と、前記直線距
離の最小値との差が所定値以下となる前記第1の記憶素
子の出力端子に対する負荷容量をそれぞれ計算する容量
計算工程と、前記容量計算工程において算出した前記第
1の記憶素子の出力端子のうち、前記負荷容量が最小と
なる前記出力端子を前記第2の記憶素子のスキャンデー
タ入力端子に接続する端子と決定し、前記最小値と該最
小値以外の直線距離との差が所定値以下となる前記第1
の記憶素子の出力端子がない場合には前記直線距離が最
小となる前記第1の記憶素子の出力端子を前記第2の記
憶素子のスキャンデータ入力端子に接続する端子と決定
し、前記決定した端子と前記第2の記憶素子のスキャン
データ入力端子とを接続する接続工程とを備えている構
成とするものである。According to a second aspect of the present invention, the first and second objects are achieved, and a first type having a plurality of output terminals is provided.
Design of a semiconductor integrated circuit for connecting one output terminal of the plurality of output terminals in the storage element of the first embodiment with the scan data input terminal of a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. The output terminal of the first storage element and the second terminal.
A distance calculation step of calculating a linear distance on the substrate between the scan data input terminal of the storage element and a minimum value of the linear distance, and comparing the minimum value with a linear distance other than the minimum value Performing the distance comparison step, and the difference between the minimum value and a linear distance other than the minimum value is equal to or less than a predetermined value .
When there is an output terminal of the storage element, the difference between the output terminal of the first storage element that minimizes the linear distance and the minimum value of the linear distance is equal to or less than a predetermined value. a capacity calculation step of calculating the load capacity with respect to the output terminal of the first memory element respectively, among the output terminals of said calculated in the capacity calculating step first memory element, said output terminal of said load capacitance is minimum Scan data of the second storage element
The minimum value and the maximum value.
The first method in which a difference from a linear distance other than a small value is equal to or less than a predetermined value.
When there is no output terminal of the storage element of
The smaller output terminal of the first storage element is connected to the second storage element.
Determine the terminal to connect to the scan data input terminal of the storage device
And a connection step of connecting the determined terminal to a scan data input terminal of the second storage element.
【0035】 請求項2の構成により、基板上の直線距
離が最小となる第1の記憶素子の出力端子と直線距離の
最小値との差が所定値以下となる第1の記憶素子の出力
端子に対する負荷容量をそれぞれ計算して、算出した第
1の記憶素子の出力端子のうち、負荷容量が最小となる
出力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子と
が接続されるため、第1及び第2の記憶素子同士の配線
が短縮されると共に通常動作モード時における回路の負
荷容量の増加が回避される。According to the second aspect of the present invention, the difference between the output terminal of the first storage element that minimizes the linear distance on the substrate and the minimum value of the linear distance is equal to or less than a predetermined value. , And the output terminal of the calculated first storage element having the minimum load capacity is connected to the scan data input terminal of the second storage element. In addition, the wiring between the second storage elements is shortened, and an increase in the load capacitance of the circuit in the normal operation mode is avoided.
【0036】[0036]
【0037】[0037]
【0038】 請求項3の発明は前記第1及び第2の目
的を達成するものであり、複数の出力端子を有する第1
の記憶素子における前記複数の出力端子のうちの1つの
出力端子と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテ
スト機能を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデ
ータ入力端子とを接続する半導体集積回路の設計方法を
対象とし、前記第1の記憶素子の各出力端子と前記第2
の記憶素子のスキャンデータ入力端子とを配線した場合
の配線距離をそれぞれ計算する距離計算工程と、前記配
線距離のうちの最小値を求めて、該最小値と該最小値以
外の配線距離とを比較する距離比較工程と、前記最小値
と該最小値以外の配線距離との差が所定値以下となる前
記第1の記憶素子の出力端子がある場合に、前記配線距
離が最小となる前記第1の記憶素子の出力端子と、前記
配線距離の最小値との差が所定値以下となる前記第1の
記憶素子の出力端子とのファンアウト数をそれぞれ計算
する計算工程と、前記計算工程において算出した前記第
1の記憶素子の出力端子のうち、前記ファンアウト数が
最小となる前記出力端子を前記第2の記憶素子のスキャ
ンデータ入力端子に接続する端子と決定し、前記最小値
と該最小値以外の配線距離との差が所定値以下となる前
記第1の記憶素子の出力端子がない場合には前記配線距
離が最小となる前記第1の記憶素子の出力端子を前記第
2の記憶素子のスキャンデータ入力端子に接続する端子
と決定し、前記決定した端子と前記第2の記憶素子のス
キャンデータ入力端子とを接続する接続工程とを備えて
いる構成とするものである。According to a third aspect of the present invention, the first and second objects are achieved, and a first type having a plurality of output terminals is provided.
Design of a semiconductor integrated circuit for connecting one output terminal of the plurality of output terminals in the storage element of the first embodiment with the scan data input terminal of a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. The output terminal of the first storage element and the second terminal.
A distance calculation step of calculating a wiring distance when the scan data input terminal of the storage element is wired, and determining a minimum value of the wiring distance, and calculating the minimum value and a wiring distance other than the minimum value. A distance comparison step for comparison, before the difference between the minimum value and a wiring distance other than the minimum value becomes equal to or less than a predetermined value.
In the case where there is an output terminal of the first storage element, the difference between the output terminal of the first storage element that minimizes the wiring distance and the minimum value of the wiring distance is equal to or less than a predetermined value. wherein the calculation step of the output terminal and the fan-out number calculating respective storage elements, among the output terminals of said first memory element calculated in the calculating step, the output terminal of the fan-out number is the smallest Scan of the second storage element
Terminal connected to the data input terminal
Before the difference between the distance and the wiring distance other than the minimum value becomes equal to or less than a predetermined value.
If there is no output terminal of the first storage element, the wiring distance
The output terminal of the first storage element with the minimum separation is
Terminal connected to the scan data input terminal of the second storage element
And a connection step of connecting the determined terminal and the scan data input terminal of the second storage element.
【0039】 請求項3の構成により、実際の配線距離
が最小となる第1の記憶素子の出力端子と、配線距離の
最小値との差が所定値以下となる第1の記憶素子の出力
端子とのファンアウト数をそれぞれ計算して、算出した
第1の記憶素子の出力端子のうち、ファンアウト数が最
小となる出力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ入
力端子とが接続されるため、第1及び第2の記憶素子同
士の配線が確実に短縮されると共に通常動作モード時に
おける回路の負荷容量の増加が回避される。According to the third aspect of the present invention, the output terminal of the first storage element where the actual wiring distance is the minimum and the output terminal of the first storage element where the difference between the minimum value of the wiring distance and the minimum value are equal to or less than a predetermined value. Is calculated, and the output terminal of the calculated first storage element having the smallest fan-out number is connected to the scan data input terminal of the second storage element. In addition, the wiring between the first and second storage elements is reliably reduced, and an increase in the load capacitance of the circuit in the normal operation mode is avoided.
【0040】 請求項4の発明は前記第1及び第2の目
的を達成するものであり、複数の出力端子を有する第1
の記憶素子における前記複数の出力端子のうちの1つの
出力端子と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテ
スト機能を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデ
ータ入力端子とを接続する半導体集積回路の設計方法を
対象とし、前記第1の記憶素子の各出力端子と前記第2
の記憶素子のスキャンデータ入力端子とを配線した場合
の配線距離をそれぞれ計算する距離計算工程と、前記配
線距離のうちの最小値を求めて、該最小値と該最小値以
外の配線距離とを比較する距離比較工程と、前記最小値
と該最小値以外の配線距離との差が所定値以下となる前
記第1の記憶素子の出力端子がある場合に、前記配線距
離が最小となる前記第1の記憶素子の出力端子と、前記
配線距離の最小値との差が所定値以下となる前記第1の
記憶素子の出力端子とに対する負荷容量をそれぞれ計算
する容量計算工程と、前記容量計算工程において算出し
た前記第1の記憶素子の出力端子のうち、前記負荷容量
が最小となる前記出力端子を前記第2の記憶素子のスキ
ャンデータ入力端子に接続する端子と決定し、前記最小
値と該最小値以外の配線距離との差が所定値以下となる
前記第1の記憶素子の出力端子がない場合には前記配線
距離が最小となる前記第1の記憶素子の出力端子を前記
第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子に接続する端
子と決定し、前記決定した端子と前記第2の記憶素子の
スキャンデータ入力端子とを接続する接続工程とを備え
ている構成とするものである。According to a fourth aspect of the present invention, the first and second objects are achieved, and a first type having a plurality of output terminals is provided.
Design of a semiconductor integrated circuit for connecting one output terminal of the plurality of output terminals in the storage element of the first embodiment with the scan data input terminal of a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. The output terminal of the first storage element and the second terminal.
A distance calculation step of calculating a wiring distance when the scan data input terminal of the storage element is wired, and determining a minimum value of the wiring distance, and calculating the minimum value and a wiring distance other than the minimum value. A distance comparison step for comparison, before the difference between the minimum value and a wiring distance other than the minimum value becomes equal to or less than a predetermined value.
In the case where there is an output terminal of the first storage element, the difference between the output terminal of the first storage element that minimizes the wiring distance and the minimum value of the wiring distance is equal to or less than a predetermined value. A capacitance calculating step of calculating load capacitances with respect to an output terminal of the storage element, and among the output terminals of the first storage element calculated in the capacitance calculating step, the output terminal having the minimum load capacitance is set to the output terminal . Scanning of the second storage element
Terminal to be connected to the scan data input terminal.
The difference between the value and the wiring distance other than the minimum value is equal to or less than a predetermined value.
When there is no output terminal of the first storage element, the wiring
The output terminal of the first storage element whose distance is minimized is
An end connected to the scan data input terminal of the second storage element
And a connection step of connecting the determined terminal to the scan data input terminal of the second storage element.
【0041】 請求項4の構成により、実際の配線距離
が最小となる第1の記憶素子の出力端子と配線距離の最
小値との差が所定値以下となる第1の記憶素子の出力端
子に対する負荷容量をそれぞれ計算して、算出した第1
の記憶素子の出力端子のうち、負荷容量が最小となる出
力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とが
接続されるため、第1及び第2の記憶素子同士の配線が
確実に短縮されると共に通常動作モード時における回路
の負荷容量の増加が回避される。According to the fourth aspect of the present invention, the difference between the output terminal of the first storage element at which the actual wiring distance is the minimum and the output terminal of the first storage element at which the difference between the minimum value of the wiring distance and the minimum value is equal to or smaller than a predetermined value is obtained. Calculate the load capacity and calculate the first
Of the output terminals of the storage element, the output terminal with the smallest load capacitance is connected to the scan data input terminal of the second storage element, so that the wiring between the first and second storage elements is reliably reduced. At the same time, an increase in the load capacity of the circuit in the normal operation mode is avoided.
【0042】 請求項5の発明は前記第2の目的を達成
するものであり、複数の出力端子を有する第1の記憶素
子における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法を対象と
し、前記第1の記憶素子の各出力端子のファンアウト数
をそれぞれ計算する計算工程と、前記第1の記憶素子の
出力端子のうち、前記ファンアウト数が最小となる前記
第1の記憶素子の出力端子と、前記第2の記憶素子のス
キャンデータ入力端子とを接続する接続工程とを備えて
いる構成とするものである。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the second object, wherein one of the plurality of output terminals in the first storage element having a plurality of output terminals is connected to a scan data input terminal. The present invention is directed to a method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting a scan data input terminal of a second storage element having a terminal and a scan test function, wherein the number of fan-outs of each output terminal of the first storage element is determined. A calculating step of calculating, among the output terminals of the first storage element, an output terminal of the first storage element that minimizes the fan-out number, and a scan data input terminal of the second storage element. And a connecting step of connecting.
【0043】 請求項5の構成により、第1の記憶素子
の出力端子のうち、ファンアウト数が最小となる第1の
記憶素子の出力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ
入力端子とが接続されるため、通常動作モード時におけ
る回路の負荷容量の増加が回避される。According to the fifth aspect of the present invention, among the output terminals of the first storage element, the output terminal of the first storage element with the minimum fan-out number is connected to the scan data input terminal of the second storage element. Therefore, an increase in the load capacitance of the circuit in the normal operation mode is avoided.
【0044】 請求項6の発明は前記第1及び第2の目
的を達成するものであり、複数の出力端子を有する第1
の記憶素子における前記複数の出力端子のうちの1つの
出力端子と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテ
スト機能を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデ
ータ入力端子とを接続する半導体集積回路の設計方法を
対象とし、前記第1の記憶素子の各出力端子のファンア
ウト数をそれぞれ計算する計算工程と、前記ファンアウ
ト数のうちの最小値を求めて、該最小値と該最小値以外
のファンアウト数とを比較する比較工程と、前記ファン
アウト数の最小値と該最小値以外のファンアウト数との
差が所定値以下となる前記第1の記憶素子の出力端子が
ある場合に、前記最小のファンアウト数となる前記第1
の記憶素子の出力端子及び前記ファンアウト数の最小値
との差が所定値以下となる前記第1の記憶素子の出力端
子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子との
基板上の直線距離をそれぞれ計算する距離計算工程と、
前記距離計算工程において算出した前記第1の記憶素子
の出力端子のうち、前記直線距離が最小となる前記出力
端子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子に
接続する端子と決定し、前記ファンアウト数の最小値と
該最小値以外のファンアウト数との差が所定値以下とな
る前記第1の記憶素子の出力端子がない場合には前記最
小のファンアウト数となる前記第1の記憶素子の出力端
子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子に接
続する端子と決定し、前記決定した端子と前記第2の記
憶素子のスキャンデータ入力端子とを接続する接続工程
とを備えている構成とするものである。A sixth aspect of the present invention achieves the first and second objects and has a first aspect having a plurality of output terminals.
Design of a semiconductor integrated circuit for connecting one output terminal of the plurality of output terminals in the storage element of the first embodiment with the scan data input terminal of a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A calculating step of calculating a fan-out number of each output terminal of the first storage element; and obtaining a minimum value of the fan-out number, and determining the minimum value and the fan numbers other than the minimum value. A comparing step of comparing the number of outs with the number of outs, and an output terminal of the first storage element in which a difference between the minimum value of the number of the fan outs and the number of fan outs other than the minimum is equal to or less than a predetermined value. The first fanout number,
A straight line on the substrate between the output terminal of the first storage element and the scan data input terminal of the second storage element, wherein the difference between the output terminal of the storage element and the minimum value of the number of fan-outs is equal to or less than a predetermined value. A distance calculation step of calculating distances,
Among the output terminals of the first storage element calculated in the distance calculation step, the output terminal with the minimum linear distance is set as the scan data input terminal of the second storage element.
Determine the terminal to be connected, the minimum value of the number of fan-out and
The difference between the fan-out number other than the minimum value and the
If there is no output terminal of the first storage element,
An output terminal of the first storage element having a small fan-out number
To the scan data input terminal of the second storage element.
And a connection step of connecting the determined terminal to the scan data input terminal of the second storage element.
【0045】 請求項6の構成により、最小のファンア
ウト数となる前記第1の記憶素子の出力端子及びファン
アウト数の最小値との差が所定値以下となる第1の記憶
素子の出力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ入力
端子との基板上の直線距離をそれぞれ計算して、算出し
た第1の記憶素子の出力端子のうち、直線距離が最小と
なる出力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ入力端
子とが接続されるため、第1及び第2の記憶素子同士の
配線が短縮されると共に通常動作モード時における回路
の負荷容量の増加が回避される。According to the configuration of claim 6 , the output terminal of the first storage element which has the minimum fan-out number and the output terminal of the first storage element whose difference from the minimum value of the fan-out number is equal to or less than a predetermined value. And calculating a linear distance on the substrate between the scan data input terminal of the second storage element and the output terminal of the calculated first storage element having the minimum linear distance and the second storage element. Since the scan data input terminal of the element is connected, the wiring between the first and second storage elements is reduced, and the increase in the load capacitance of the circuit in the normal operation mode is avoided.
【0046】 請求項7の発明は前記第1及び第2の目
的を達成するものであり、複数の出力端子を有する第1
の記憶素子における前記複数の出力端子のうちの1つの
出力端子と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテ
スト機能を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデ
ータ入力端子とを接続する半導体集積回路の設計方法を
対象とし、前記第1の記憶素子の各出力端子のファンア
ウト数をそれぞれ計算する計算工程と、前記ファンアウ
ト数のうちの最小値を求めて、該最小値と該最小値以外
のファンアウト数とを比較する比較工程と、前記ファン
アウト数の最小値と該最小値以外のファンアウト数との
差が所定値以下となる前記第1の記憶素子の出力端子が
ある場合に、前記最小のファンアウト数となる前記第1
の記憶素子の出力端子及び前記ファンアウト数の最小値
との差が所定値以下となる前記第1の記憶素子の出力端
子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とを
接続した場合の配線距離をそれぞれ計算する距離計算工
程と、前記距離計算工程において算出した前記第1の記
憶素子の出力端子のうち、前記配線距離が最小となる前
記出力端子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力
端子に接続する端子と決定し、前記ファンアウト数の最
小値と該最小値以外のファンアウト数との差が所定値以
下となる前記第1の記憶素子の出力端子がない場合には
前記最小のファンアウト数となる前記第1の記憶素子の
出力端子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端
子に接続する端子と決定し、前記決定した端子と前記第
2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とを接続する接
続工程とを備えている構成とするものである。The invention according to claim 7 achieves the first and second objects, and has a first structure having a plurality of output terminals.
Design of a semiconductor integrated circuit for connecting one output terminal of the plurality of output terminals in the storage element of the first embodiment with the scan data input terminal of a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A calculating step of calculating a fan-out number of each output terminal of the first storage element; and obtaining a minimum value of the fan-out number, and determining the minimum value and the fan numbers other than the minimum value. A comparing step of comparing the number of outs with the number of outs, and an output terminal of the first storage element in which a difference between the minimum value of the number of the fan outs and the number of fan outs other than the minimum is equal to or less than a predetermined value. The first fanout number,
In the case where the output terminal of the first storage element and the scan data input terminal of the second storage element whose difference between the output terminal of the storage element and the minimum value of the fan-out number is equal to or less than a predetermined value are connected. A distance calculation step of calculating a wiring distance, and among the output terminals of the first storage element calculated in the distance calculation step, the output terminal with the minimum wiring distance is set to the scan data of the second storage element. input
Determine the terminal to be connected to the terminal, and
The difference between the small value and the number of fanouts other than the minimum value is equal to or less than the predetermined value.
In the case where there is no output terminal of the lower first storage element,
The first storage element having the minimum fan-out number
An output terminal is a scan data input terminal of the second storage element.
And a connection step of connecting the determined terminal to the scan data input terminal of the second storage element.
【0047】 請求項7の構成により、最小のファンア
ウト数となる前記第1の記憶素子の出力端子及びファン
アウト数の最小値との差が所定値以下となる第1の記憶
素子の出力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ入力
端子との実際の配線距離をそれぞれ計算して、算出した
第1の記憶素子の出力端子のうち、配線距離が最小とな
る出力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子
とが接続されるため、第1及び第2の記憶素子同士の配
線が確実に短縮されると共に通常動作モード時における
回路の負荷容量の増加が回避される。According to the structure of claim 7 , the output terminal of the first storage element which has the minimum fan-out number and the output terminal of the first storage element whose difference from the minimum value of the fan-out number is equal to or less than a predetermined value. An actual wiring distance between the first storage element and the scan data input terminal of the second storage element is calculated, and among the calculated output terminals of the first storage element, an output terminal with the shortest wiring distance and a second storage element Is connected to the scan data input terminal, the wiring between the first and second storage elements is reliably reduced, and an increase in the load capacitance of the circuit in the normal operation mode is avoided.
【0048】[0048]
【0049】[0049]
【0050】 請求項8の発明は前記第2の目的を達成
するものであり、複数の出力端子を有する第1の記憶素
子における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法を対象と
し、前記第1の記憶素子の各出力端子に対する負荷容量
をそれぞれ計算する容量計算工程と、前記第1の記憶素
子の出力端子のうち、前記負荷容量が最小となる前記第
1の記憶素子の出力端子と、前記第2の記憶素子のスキ
ャンデータ入力端子とを接続する接続工程とを備えてい
る構成とするものである。An eighth aspect of the present invention achieves the second object, wherein one of the plurality of output terminals in the first storage element having a plurality of output terminals is connected to a scan data input terminal. A load capacitance for each output terminal of the first storage element is calculated for a method of designing a semiconductor integrated circuit connecting the scan data input terminal of the second storage element having a terminal and having a scan test function. Connecting the output terminal of the first storage element having the minimum load capacity among the output terminals of the first storage element to the scan data input terminal of the second storage element. And a connecting step to perform the connection.
【0051】 請求項8の構成により、第1の記憶素子
の出力端子のうち、負荷容量が最小となる第1の記憶素
子の出力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ入力端
子とが接続されるため、通常動作モード時における回路
の負荷容量の増加が回避される。According to the eighth aspect of the present invention, among the output terminals of the first storage element, the output terminal of the first storage element having the minimum load capacitance is connected to the scan data input terminal of the second storage element. Therefore, an increase in the load capacity of the circuit in the normal operation mode is avoided.
【0052】 請求項9の発明は前記第1及び第2の目
的を達成するものであり、複数の出力端子を有する第1
の記憶素子における前記複数の出力端子のうちの1つの
出力端子と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテ
スト機能を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデ
ータ入力端子とを接続する半導体集積回路の設計方法を
対象とし、前記第1の記憶素子の各出力端子に対する負
荷容量をそれぞれ計算する容量計算工程と、前記負荷容
量のうちの最小値を求めて、該最小値と該最小値以外の
負荷容量とを比較する容量比較工程と、前記負荷容量の
最小値と該最小値以外の負荷容量との差が所定値以下と
なる前記第1の記憶素子の出力端子がある場合に、前記
最小の負荷容量となる前記第1の記憶素子の出力端子及
び前記負荷容量の最小値との差が所定値以下となる前記
第1の記憶素子の出力端子と前記第2の記憶素子のスキ
ャンデータ入力端子との基板上の直線距離をそれぞれ計
算する距離計算工程と、前記距離計算工程において算出
した前記第1の記憶素子の出力端子のうち、前記直線距
離が最小となる前記出力端子を前記第2の記憶素子のス
キャンデータ入力端子に接続する端子と決定し、前記負
荷容量の最小値と該最小値以外の負荷容量との差が所定
値以下となる前記第1の記憶素子の出力端子がない場合
には前記最小の負荷容量となる前記第1の記憶素子の出
力端子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子
に接続する端子と決定し、前記決定した端子と前記第2
の記憶素子のスキャンデータ入力端子とを接続する接続
工程とを備えている構成とするものである。According to a ninth aspect of the present invention, the first and second objects are achieved, and a first aspect having a plurality of output terminals is provided.
Design of a semiconductor integrated circuit for connecting one output terminal of the plurality of output terminals in the storage element of the first embodiment with the scan data input terminal of a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A capacitance calculating step of calculating a load capacitance for each output terminal of the first storage element, obtaining a minimum value of the load capacitances, and determining the minimum value and a load capacitance other than the minimum value. a capacity comparing step of comparing the bets, the difference between the load capacity of the non-minimum and outermost minimum value of the load capacitance and the predetermined value or less
When there is an output terminal of the first storage element, the difference between the output terminal of the first storage element that becomes the minimum load capacitance and the minimum value of the load capacitance becomes equal to or less than a predetermined value. Calculating a linear distance between the output terminal of the storage element and the scan data input terminal of the second storage element on the substrate, and the output terminal of the first storage element calculated in the distance calculation step And the output terminal having the minimum linear distance is connected to the second storage element.
Determine the terminal to be connected to the can data input terminal,
The difference between the minimum value of the load capacity and the load capacity other than the minimum value is determined.
When there is no output terminal of the first storage element that is less than or equal to the value
Is the output of the first storage element having the minimum load capacity.
Input terminal is a scan data input terminal of the second storage element.
And the determined terminal is connected to the second terminal .
And a connection step of connecting the storage element to the scan data input terminal.
【0053】 請求項9の構成により、最小の負荷容量
となる前記第1の記憶素子の出力端子及び負荷容量の最
小値との差が所定値以下となる第1の記憶素子の出力端
子と第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子との基板
上の直線距離をそれぞれ計算して、算出した第1の記憶
素子の出力端子のうち、直線距離が最小となる出力端子
と第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とが接続さ
れるため、第1及び第2の記憶素子同士の配線が短縮さ
れると共に通常動作モード時における回路の負荷容量の
増加が回避される。According to a ninth aspect of the present invention, the output terminal of the first storage element having the minimum load capacitance and the output terminal of the first storage element having a difference between the minimum value of the load capacitance and the output terminal of the first storage element have a predetermined value or less. And calculating a linear distance on the substrate between the scan data input terminal of the second storage element and the calculated output terminal of the first storage element. Since the scan data input terminal is connected, the wiring between the first and second storage elements is shortened, and an increase in the load capacitance of the circuit in the normal operation mode is avoided.
【0054】 請求項10の発明は前記第1及び第2の
目的を達成するものであり、複数の出力端子を有する第
1の記憶素子における前記複数の出力端子のうちの1つ
の出力端子と、スキャンデータ入力端子を有しスキャン
テスト機能を持つ第2の記憶素子における前記スキャン
データ入力端子とを接続する半導体集積回路の設計方法
を対象とし、前記第1の記憶素子の各出力端子に対する
負荷容量をそれぞれ計算する容量計算工程と、前記負荷
容量のうちの最小値を求めて、該最小値と該最小値以外
の負荷容量とを比較する容量比較工程と、前記負荷容量
の最小値と該最小値以外の負荷容量との差が所定値以下
となる前記第1の記憶素子の出力端子がある場合に、前
記最小の負荷容量となる前記第1の記憶素子の出力端子
及び前記負荷容量の最小値との差が所定値以下となる前
記第1の記憶素子の出力端子と前記第2の記憶素子のス
キャンデータ入力端子とを配線した場合の配線距離をそ
れぞれ計算する距離計算工程と、前記距離計算工程にお
いて算出した前記第1の記憶素子の出力端子のうち、前
記配線距離が最小となる前記出力端子を前記第2の記憶
素子のスキャンデータ入力端子に接続する端子と決定
し、前記負荷容量の最小値と該最小値以外の負荷容量と
の差が所定値以下となる前記第1の記憶素子の出力端子
がない場合には前記最小の負荷容量となる前記第1の記
憶素子の出力端子を前記第2の記憶素子のスキャンデー
タ入力端子に接続する端子と決定し、前記決定した端子
と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とを接
続する接続工程とを備えている構成とするものである。According to a tenth aspect of the present invention, the first and second objects are achieved, and one of the plurality of output terminals in a first storage element having a plurality of output terminals; The present invention is directed to a method of designing a semiconductor integrated circuit having a scan data input terminal and connecting the scan data input terminal in a second storage element having a scan test function, wherein a load capacitance for each output terminal of the first storage element is provided. A capacity calculation step of calculating the minimum value of the load capacity, and a capacity comparison step of comparing the minimum value with a load capacity other than the minimum value, and a minimum value of the load capacity and the minimum value. The difference from the load capacity other than the value is less than the specified value
When there is an output terminal of the first storage element, the difference between the minimum value of the output terminal of the first storage element and the minimum value of the load capacitance is equal to or less than a predetermined value. A distance calculation step of calculating a wiring distance when the output terminal of the first storage element is wired to the scan data input terminal of the second storage element; and a first storage element calculated in the distance calculation step. Of the output terminals, the output terminal with the shortest wiring distance is stored in the second storage
Determine the terminal to be connected to the scan data input terminal of the element
And a minimum value of the load capacity and a load capacity other than the minimum value.
Output terminal of the first storage element, wherein the difference between
In the case where there is no load capacity, the first load capacity becomes the minimum load capacity.
The output terminal of the storage element is connected to the scan data of the second storage element.
Determines a terminal to be connected to the data input terminal is for the configuration and a connection step of connecting the scan data input terminal of the determined terminal <br/> and the second storage element.
【0055】 請求項10の構成により、最小の負荷容
量となる前記第1の記憶素子の出力端子及び負荷容量の
最小値との差が所定値以下となる第1の記憶素子の出力
端子と第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子との実
際の配線距離をそれぞれ計算して、算出した第1の記憶
素子の出力端子のうち、配線距離が最小となる出力端子
と第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とが接続さ
れるため、第1及び第2の記憶素子同士の配線が確実に
短縮されると共に通常動作モード時における回路の負荷
容量の増加が回避される。According to the tenth aspect , the output terminal of the first storage element having the minimum load capacitance and the output terminal of the first storage element having a difference between the minimum value of the load capacitance and the output terminal of the first storage element having the minimum value are equal to or less than a predetermined value. And calculating the actual wiring distance between the scan data input terminal of the second storage element and the calculated output terminal of the first storage element, the output terminal having the shortest wiring distance and the scan of the second storage element. Since the data input terminal is connected, the wiring between the first and second storage elements is reliably reduced, and an increase in the load capacitance of the circuit in the normal operation mode is avoided.
【0056】 請求項11の発明は前記第2の目的を達
成するものであり、複数の出力端子を有する第1の記憶
素子における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端
子と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機
能を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入
力端子とを接続する半導体集積回路の設計方法を対象と
し、前記第1の記憶素子の出力端子のうち駆動能力が最
大となる出力端子を選択して、選択された前記出力端子
と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とを接
続する接続工程を備えている構成とするものである。According to an eleventh aspect of the present invention, the second object is achieved, wherein one of the plurality of output terminals in the first storage element having a plurality of output terminals is connected to a scan data input terminal. The present invention is directed to a method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting a scan data input terminal in a second storage element having a terminal and having a scan test function, wherein the drive capability of the output terminal of the first storage element is maximum. And a connection step of connecting the selected output terminal to the scan data input terminal of the second storage element.
【0057】 請求項11の構成により、第1の記憶素
子の出力端子のうち駆動能力が最大となる出力端子を選
択して、選択された前記出力端子と前記第2の記憶素子
のスキャンデータ入力端子とが接続されるため、同一の
負荷容量であっても、遅延時間が短くなる。According to the eleventh aspect , an output terminal having the maximum drive capability is selected from the output terminals of the first storage element, and the selected output terminal and the scan data input of the second storage element are selected. Since the terminals are connected, the delay time is shortened even with the same load capacitance.
【0058】 請求項12の発明は、請求項11の構成
に、前記接続工程は、前記第1の記憶素子の出力端子に
未接続の出力端子が存在するか否かを判定して、未接続
の出力端子が存在する場合に、前記未接続の出力端子の
うちの駆動能力が最大となる前記出力端子を選択する工
程を含む構成を付加するものである。According to a twelfth aspect of the present invention, in the configuration of the eleventh aspect , the connecting step determines whether or not an unconnected output terminal is present at an output terminal of the first storage element. And a step of selecting the output terminal having the maximum drive capability among the unconnected output terminals when there are any of the output terminals.
【0059】 請求項13の発明は前記第2の目的を達
成するものであり、複数の出力端子を有する第1の記憶
素子における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端
子と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機
能を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入
力端子とを接続する半導体集積回路の設計方法を対象と
し、前記第1の記憶素子の出力端子のうち、クロック信
号の1サイクルの時間と前記第1の記憶素子の出力端子
から他の記憶素子又は外部出力までの接続経路を信号が
伝搬する伝搬時間との差である設計マージンが所定量以
上の出力端子がある場合は該出力端子を選択し、前記設
計マージンが所定量以上となる出力端子がない場合は前
記設計マージンが最大となる出力端子を選択し、選択し
た最大となる前記出力端子と前記第2の記憶素子のスキ
ャンデータ入力端子とを接続する接続工程を備えている
構成とするものである。According to a thirteenth aspect of the present invention, the second object is achieved, wherein one of the plurality of output terminals in the first storage element having a plurality of output terminals is connected to a scan data input terminal. The present invention is directed to a method for designing a semiconductor integrated circuit having a terminal and a scan data input terminal in a second storage element having a scan test function, wherein one of the output terminals of the first storage element has a clock signal of one. When there is an output terminal having a design margin equal to or greater than a predetermined amount, which is a difference between a cycle time and a propagation time for a signal to propagate through a connection path from the output terminal of the first storage element to another storage element or an external output. Select the output terminal and
If there is no output terminal whose total margin exceeds the specified amount,
Select the output terminal that maximizes the design margin
It said output terminal and before Symbol becomes maximum was one in which a configuration that is provided with a connecting step of connecting the scan data input terminal of the second storage element.
【0060】 請求項13の構成により、第1の記憶素
子の出力端子の設計マージンが最大となる出力端子と第
2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とが接続される
ため、信号の遅延が増大するのを抑えることができる。
また、請求項14の発明は前記第2の目的を達成するも
のであり、複数の出力端子を有する第1の記憶素子にお
ける前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子と、ス
キャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能を持つ
第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力端子と
を接続する半導体集積回路の設計方法を対象とし、前記
第1の記憶素子の出力端子のうち、クロック信号の1サ
イクルの時間と前記第1の記憶素子の出力端子から他の
記憶素子又は外部出力までの接続経路を信号が伝搬する
伝搬時間との差である設計マージンが最大となる前記出
力端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子
とを接続する接続工程を備えている構成とするものであ
る。 According to the structure of the thirteenth aspect , since the output terminal of the output terminal of the first storage element that maximizes the design margin and the scan data input terminal of the second storage element are connected, the signal delay increases. Can be suppressed.
The invention of claim 14 achieves the second object.
The first storage element having a plurality of output terminals
An output terminal of the plurality of output terminals
Has scan data input terminal and scan test function
The scan data input terminal in the second storage element;
A method for designing a semiconductor integrated circuit for connecting
Of the output terminals of the first storage element, one of the clock signal
Cycle time and another output from the output terminal of the first storage element.
Signal propagates along the connection path to the storage element or external output
The above-mentioned output at which the design margin, which is the difference from the propagation time, is maximized.
Input terminal and scan data input terminal of the second storage element
And a connection step for connecting
You.
【0061】 請求項15の発明は前記第2の目的を達
成するものであり、複数の出力端子を有する第1の記憶
素子における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端
子と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機
能を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入
力端子とを接続する半導体集積回路の設計方法を対象と
し、前記第1の記憶素子の出力端子において前記各出力
端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子と
を接続した場合に、クロック信号の1サイクルの時間と
前記第1の記憶素子の出力端子から他の記憶素子又は外
部出力までの接続経路を信号が伝搬する伝搬時間との差
である設計マージンをそれぞれ計算するマージン計算工
程と、前記マージン計算工程において算出した前記第1
の記憶素子の出力端子のうち、前記設計マージンが所定
量以上の出力端子がある場合は該出力端子を選択し、前
記設計マージンが所定量以上となる出力端子がない場合
は前記設計マージンが最大となる出力端子を選択し、選
択した最大となる前記出力端子と前記第2の記憶素子の
スキャンデータ入力端子とを接続する接続工程とを備え
ている構成とするものである。According to a fifteenth aspect of the present invention, the second object is achieved, wherein one of the plurality of output terminals in a first storage element having a plurality of output terminals is connected to a scan data input terminal. The present invention is directed to a method for designing a semiconductor integrated circuit that connects a scan data input terminal in a second storage element having a scan test function with a terminal, wherein each of the output terminals is connected to the output terminal of the first storage element. When the scan data input terminal of the second storage element is connected, the signal propagates through the connection path from the output terminal of the first storage element to another storage element or an external output during one cycle of the clock signal. A margin calculating step of calculating a design margin, which is a difference from the propagation time to be performed, and the first margin calculated in the margin calculating step.
Among the output terminals of the storage element, if there is an output terminal whose design margin is equal to or more than a predetermined amount , the output terminal is selected, and
When there is no output terminal for which the design margin exceeds a specified amount
Selects the output terminal that maximizes the design margin, and selects
It is an arrangement and a connecting step for connecting the scan data input terminal of said output terminals before Symbol second memory element to be-option maximum was.
【0062】 請求項15の構成により、第1の記憶素
子の出力端子において各出力端子と第2の記憶素子のス
キャンデータ入力端子とを接続した場合に、第1の記憶
素子の出力端子の設計マージンが最大となる出力端子を
計算して、算出した第1の記憶素子の出力端子のうち、
設計マージンが最大となる出力端子と第2の記憶素子の
スキャンデータ入力端子とが接続されるため、信号の遅
延を最小限に抑えることができる。また、請求項16の
発明は前記第2の目的を達成するものであり、複数の出
力端子を有する第1の記憶素子における前記複数の出力
端子のうちの1つの出力端子と、スキャンデータ入力端
子を有しスキャンテスト機能を持つ第2の記憶素子にお
ける前記スキャンデータ入力端子とを接続する半導体集
積回路の設計方法を対象とし、前記第1の記憶素子の出
力端子において前記各出力端子と前記第2の記憶素子の
スキャンデータ入力端子とを接続した場合に、クロック
信号の1サイクルの時間と前記第1の記憶素子の出力端
子から他の記憶素子又は外部出力までの接続経路を信号
が伝搬する伝搬時間との差である設計マージンをそれぞ
れ計算するマージン計算工程と、前記マージン計算工程
において算出した前記第1の記憶素子の出力端子のう
ち、前記設計マージンが最大となる前記出力端子と前記
第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とを接続する
接続工程とを備えている構成とするものである。 According to the fifteenth aspect , when each output terminal of the first storage element is connected to the scan data input terminal of the second storage element, the output terminal of the first storage element is designed. The output terminal with the maximum margin is calculated, and among the calculated output terminals of the first storage element,
Since the output terminal having the largest design margin is connected to the scan data input terminal of the second storage element, signal delay can be minimized. In addition, claim 16
The invention achieves the second object and has a plurality of outputs.
The plurality of outputs at a first storage element having a force terminal
One of the terminals and the scan data input terminal
To the second storage element having a scan test function.
Collection that connects to the scan data input terminal
The present invention is directed to an integrated circuit design method, wherein
Output terminals of the second storage element
When connected to the scan data input terminal, the clock
The time of one cycle of the signal and the output end of the first storage element
Signal on the connection path from the element to another storage element or external output.
The design margin, which is the difference from the propagation time
Calculating a margin and calculating the margin
The output terminal of the first storage element calculated in
That is, the output terminal and the
Connect to the scan data input terminal of the second storage element
And a connecting step.
【0063】 請求項17の発明は前記第3の目的を達
成するものであり、スキャンデータ入力端子と複数の出
力端子とを有する第1の記憶素子における前記複数の出
力端子のうちの1つの出力端子と、スキャンデータ入力
端子を有しスキャンテスト機能を持つ第2の記憶素子に
おける前記スキャンデータ入力端子とを接続する半導体
集積回路の設計方法を対象とし、前記第1の記憶素子の
出力端子のうち、該第1の記憶素子のスキャンデータ入
力端子から入力された信号の遅延値が最大となる出力端
子を選択して、選択された前記出力端子と前記第2の記
憶素子のスキャンデータ入力端子とを接続する接続工程
を備えている構成とするものである。A seventeenth aspect of the present invention achieves the third object, and provides an output of one of the plurality of output terminals in a first storage element having a scan data input terminal and a plurality of output terminals. A method for designing a semiconductor integrated circuit for connecting a terminal and a scan data input terminal in a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. And selecting an output terminal having a maximum delay value of a signal input from the scan data input terminal of the first storage element, and selecting the selected output terminal and the scan data input terminal of the second storage element. And a connection step for connecting
【0064】 請求項17の構成により、第1の記憶素
子のスキャンデータ入力端子から入力された信号の遅延
値が最大となる該第1の記憶素子の出力端子と第2の記
憶素子のスキャンデータ入力端子とが接続されるため、
第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子にはデータが
遅れて入力される。According to the configuration of claim 17 , the scan data of the output terminal of the first storage element and the scan data of the second storage element at which the delay value of the signal input from the scan data input terminal of the first storage element becomes maximum. Because the input terminal is connected,
Data is input to the scan data input terminal of the second storage element with a delay.
【0065】 請求項18の発明は前記第3の目的を達
成するものであり、スキャンデータ入力端子と複数の出
力端子とを有する第1の記憶素子における前記複数の出
力端子のうちの1つの出力端子と、スキャンデータ入力
端子を有しスキャンテスト機能を持つ第2の記憶素子に
おける前記スキャンデータ入力端子とを接続する半導体
集積回路の設計方法を対象とし、前記第1の記憶素子の
出力端子のうち、該第1の記憶素子のスキャンデータ入
力端子から入力された信号の遅延値が所定量以上となる
出力端子がある場合は該出力端子を選択し、前記遅延値
が所定量以上となる出力端子がない場合は該第1の記憶
素子のスキャンデータ入力端子から入力された信号の遅
延値が最大となる出力端子を選択して、選択された前記
出力端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端
子とを接続する接続工程を備えている構成とするもので
ある。The invention according to claim 18 achieves the third object, and provides an output of one of the plurality of output terminals in a first storage element having a scan data input terminal and a plurality of output terminals. A method for designing a semiconductor integrated circuit for connecting a terminal and a scan data input terminal in a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. When there is an output terminal in which the delay value of the signal input from the scan data input terminal of the first storage element is equal to or more than a predetermined amount, the output terminal is selected and the delay value is selected.
If there is no output terminal that exceeds a predetermined amount, the first storage
Delay of the signal input from the scan data input terminal of the device
A connection step of selecting an output terminal having the maximum extension value and connecting the selected output terminal to a scan data input terminal of the second storage element is provided.
【0066】 請求項18の構成により、第1の記憶素
子のスキャンデータ入力端子から入力された信号の遅延
値が所定量以上となる該第1の記憶素子の出力端子と第
2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とが接続される
ため、第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子にはデ
ータが遅れて入力される。According to the eighteenth aspect , the output terminal of the first storage element and the output terminal of the second storage element, wherein the delay value of the signal input from the scan data input terminal of the first storage element is equal to or more than a predetermined amount. Since the scan data input terminal is connected, data is input to the scan data input terminal of the second storage element with a delay.
【0067】[0067]
(第1の実施形態)本発明の第1の実施形態に係る半導
体集積回路の設計方法を図面を参照しながら説明する。
図20は従来の半導体集積回路の設計方法の説明にも使
用したスキャンレジスタを示す回路図である。図20に
示すスキャンレジスタ10の各端子の説明は省略する。
また、各図面に使用するスキャンレジスタ10は、スキ
ャンデータ入力端子12をSIとし、正論理出力端子1
5をQとし、反転論理出力端子16をNQとして、これ
らスキャンデータ入力端子SI、正論理出力端子Q及び
反転論理出力端子NQのみを表示することにする。(First Embodiment) A method for designing a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 20 is a circuit diagram showing a scan register used also for explaining a conventional method of designing a semiconductor integrated circuit. Description of each terminal of the scan register 10 shown in FIG. 20 is omitted.
The scan register 10 used in each drawing has a scan data input terminal 12 of SI, a positive logic output terminal 1
5 is Q and the inverted logic output terminal 16 is NQ, and only these scan data input terminal SI, positive logic output terminal Q and inverted logic output terminal NQ are displayed.
【0068】図1は本発明の第1の実施形態に係る半導
体集積回路の設計方法を示すフローチャートである。図
1において、SA1はスキャンレジスタの接続順を指定
する工程、SA2は半導体集積回路の各素子の配置を行
なう工程、SA3はスキャンチェーン接続のための配線
以外のその他の信号線を配線する工程、SA4はスキャ
ンチェーン内の互いに隣接するスキャンレジスタのペア
を選択する工程、SA5はSA4において選択されたス
キャンレジスタのペアのうち、スキャンイン端子側とな
る前段のスキャンレジスタの各出力端子とスキャンアウ
ト端子側となる後段のスキャンレジスタのスキャンデー
タ入力端子との半導体集積回路の基板となるハードウェ
ア上の直線距離を計算する工程、SA6は前段のスキャ
ンレジスタの各出力端子のうち、後段のスキャンレジス
タのスキャンデータ入力端子との直線距離が最小の出力
端子を1つ選択する工程、SA7は後段のスキャンレジ
スタのスキャンデータ入力端子に接続する前段のスキャ
ンレジスタの出力端子を決定する工程、SA8はスキャ
ンチェーン内の全てのスキャンレジスタのペアについて
処理が終了したか否かを判定する工程、SA9は工程S
A7において決定された前段のスキャンレジスタの出力
端子と後段のスキャンレジスタのスキャンデータ入力端
子との配線処理を行なう工程である。FIG. 1 is a flowchart showing a method for designing a semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, SA1 is a step of designating the connection order of the scan register, SA2 is a step of arranging each element of the semiconductor integrated circuit, SA3 is a step of wiring other signal lines other than wiring for scan chain connection, SA4 is a step of selecting a pair of scan registers adjacent to each other in the scan chain, and SA5 is each output terminal and scan-out terminal of the preceding scan register on the scan-in terminal side among the pair of scan registers selected in SA4. Calculating a linear distance between the scan data input terminal of the subsequent scan register and the scan data input terminal of the semiconductor integrated circuit on the hardware serving as the substrate of the semiconductor integrated circuit; Select one output terminal with the shortest linear distance from the scan data input terminal SA7 is a step of determining the output terminal of the preceding scan register to be connected to the scan data input terminal of the subsequent scan register. SA8 is a step of determining whether or not the processing has been completed for all pairs of scan registers in the scan chain. The step of determining, SA9 is step S
This is a step of performing wiring processing between the output terminal of the preceding scan register and the scan data input terminal of the subsequent scan register determined in A7.
【0069】なお、工程SA4において、最後段のスキ
ャンレジスタとスキャンアウト端子とのペアも、スキャ
ンチェーン内のスキャンレジスタのペアとして扱う。工
程SA7においては工程SA6により選択された直線距
離が最小となる出力端子が一意に選ばれる。In step SA4, the pair of the last scan register and the scan-out terminal is also treated as a pair of scan registers in the scan chain. In step SA7, an output terminal that minimizes the linear distance selected in step SA6 is uniquely selected.
【0070】図2に示すフローチャートは、図1に示す
工程SA6において選択された直線距離の最小値との差
が一定値以内に収まる出力端子が存在する場合に、各端
子のファンアウト数をさらに判定することにより、配線
面積と共に負荷容量をも低減させることを目的とする。
従って、図1に示す工程SA7を図2に示すフローチャ
ートに置き換えることによりその目的が達成される。図
2において、SA7aは前段のスキャンレジスタの出力
端子のうちの後段のスキャンレジスタのスキャンデータ
入力端子との直線距離が最小の出力端子とその他の出力
端子との直線距離の差を計算する工程、SA7bは工程
SA7aにおいて算出した直線距離の差が一定値α以下
となる前段のスキャンレジスタの出力端子が、直線距離
が最小である出力端子を含めて複数存在するか否かを判
定する工程、SA7cは直線距離が最小となる前段のス
キャンレジスタの出力端子を後段のスキャンレジスタの
スキャンデータ入力端子に接続することを決定する工
程、SA7dは工程SA7bの条件を満たす前段のスキ
ャンレジスタの出力端子を接続対象とする候補リストに
登録する工程、SA7eは候補リスト中の各出力端子の
ファンアウト数をそれぞれ計算する工程、SA7fはフ
ァンアウト数が最小となる出力端子を後段のスキャンレ
ジスタのスキャンデータ入力端子に接続することを決定
する工程である。ここで、最小の直線距離の幅を決定す
る一定値αを3μmとする。In the flowchart shown in FIG. 2, when there is an output terminal whose difference from the minimum value of the linear distance selected in step SA6 shown in FIG. 1 is within a certain value, the fan-out number of each terminal is further increased. An object of the present invention is to reduce the load capacitance as well as the wiring area by making the determination.
Therefore, the object is achieved by replacing the step SA7 shown in FIG. 1 with the flowchart shown in FIG. In FIG. 2, SA7a calculates a difference between a linear distance between an output terminal having a minimum linear distance from a scan data input terminal of a subsequent scan register and a linear distance between the other output terminals, among output terminals of a preceding scan register; SA7b is a step of judging whether there are a plurality of output terminals of the preceding scan register including the output terminal having the shortest linear distance, in which the difference between the linear distances calculated in step SA7a is equal to or smaller than a certain value α, SA7c Is a step of deciding to connect the output terminal of the preceding scan register with the shortest linear distance to the scan data input terminal of the succeeding scan register, and SA7d is connecting the output terminal of the preceding scan register satisfying the condition of step SA7b. Step SA7e of registering in a candidate list to be processed, SA7e calculates the fanout number of each output terminal in the candidate list. Step of calculating Re respectively, SA7f is a step for determining that an output terminal connected to the fanout is minimized to the scan data input terminal of the subsequent scan register. Here, the fixed value α that determines the width of the minimum straight line distance is 3 μm.
【0071】図21はスキャンレジスタ同士を配線する
前の半導体集積回路を示す回路図である。図21に示す
半導体集積回路の回路図は従来の半導体集積回路の設計
方法を説明した際にも用いた回路図であるため、各構成
要素の説明は省略する。FIG. 21 is a circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit before wiring scan registers. The circuit diagram of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 21 is a circuit diagram used when explaining a conventional method of designing a semiconductor integrated circuit, and therefore, description of each component will be omitted.
【0072】図22は図21に示す半導体集積回路に図
1に示す配置及び配線処理を実施して得られた回路図で
ある。図22において、20Aはスキャンチェーン生成
時の半導体集積回路を配置配線する配置配線領域であ
り、各素子及び配線の位置と大きさとは実際のハードウ
ェアを反映している。21〜25はスキャンテスト時に
シフトレジスタを構成するスキャンレジスタ、26〜3
2は2つの入力信号が共に“1“のときに限り“1“を
出力するANDゲート、33〜35は入力信号を反転さ
せた信号を出力するインバータ、36はスキャンテスト
用の信号を入力するスキャンイン端子、37はスキャン
テスト用の信号を出力するスキャンアウト端子である。
41Aはスキャンレジスタ21の正論理出力端子Qとス
キャンレジスタ22のスキャンデータ入力端子SIとを
接続する配線、42Aはスキャンレジスタ22の正論理
出力端子Qとスキャンレジスタ23のスキャンデータ入
力端子SIとを接続する配線、43Aはスキャンレジス
タ23の反転論理出力端子NQとスキャンレジスタ24
のスキャンデータ入力端子SIとを接続する配線、44
Aはスキャンレジスタ24の反転論理出力端子NQとス
キャンレジスタ25のスキャンデータ入力端子SIとを
接続する配線、45Aはスキャンレジスタ25の正論理
出力端子Qとスキャンアウト端子37とをそれぞれ接続
する配線である。FIG. 22 is a circuit diagram obtained by performing the arrangement and wiring processing shown in FIG. 1 on the semiconductor integrated circuit shown in FIG. In FIG. 22, reference numeral 20A denotes an arrangement and wiring area for arranging and wiring the semiconductor integrated circuit when the scan chain is generated, and the position and size of each element and wiring reflect actual hardware. Reference numerals 21 to 25 denote scan registers constituting a shift register at the time of a scan test;
Reference numeral 2 denotes an AND gate that outputs "1" only when both input signals are "1", inverters 33 to 35 output an inverted signal of the input signal, and 36 inputs a scan test signal. A scan-in terminal 37 is a scan-out terminal for outputting a scan test signal.
41A is a wiring connecting the positive logic output terminal Q of the scan register 21 to the scan data input terminal SI of the scan register 22, and 42A is connecting the positive logic output terminal Q of the scan register 22 and the scan data input terminal SI of the scan register 23. The wiring to be connected, 43A, is connected to the inverted logic output terminal NQ of the scan register 23 and the scan register 24.
Connecting the scan data input terminal SI to
A is a wiring connecting the inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 to the scan data input terminal SI of the scan register 25, and 45A is a wiring connecting the positive logic output terminal Q of the scan register 25 and the scan out terminal 37, respectively. is there.
【0073】図21に示すスキャンチェーン生成前の半
導体集積回路に対して、図1及び図2に示した各工程を
順次実施することによりスキャンレジスタ同士が配線さ
れる過程を説明する。まず、工程SA1において、各ス
キャンレジスタの接続順をスキャンレジスタ21→スキ
ャンレジスタ22→スキャンレジスタ23→スキャンレ
ジスタ24→スキャンレジスタ25→スキャンアウト端
子37の順に接続するように指定する。A process in which scan registers are wired by sequentially performing the steps shown in FIGS. 1 and 2 on the semiconductor integrated circuit before the generation of the scan chain shown in FIG. 21 will be described. First, in step SA1, the connection order of the scan registers is designated so as to be connected in the order of scan register 21, scan register 22, scan register 23, scan register 24, scan register 25, and scan out terminal 37.
【0074】次に工程SA2において、スキャンレジス
タ21〜25、ANDゲート26〜32及びインバータ
33〜35の配置を行なった後、工程SA3において、
スキャンレジスタ21〜25以外の各素子の配線処理を
行なう。Next, in step SA2, after the scan registers 21 to 25, AND gates 26 to 32 and inverters 33 to 35 are arranged, in step SA3,
Wiring processing of each element other than the scan registers 21 to 25 is performed.
【0075】次に、工程SA4において、スキャンレジ
スタ21及び22のペアを最初に選択する。Next, in step SA4, a pair of scan registers 21 and 22 is first selected.
【0076】次に、工程SA5において、スキャンレジ
スタ21の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
について、スキャンレジスタ22のスキャンデータ入力
端子SIとの直線距離をそれぞれ計算して、正論理出力
端子Qの直線距離の値は100μmであり、反転論理出
力端子NQの直線距離の値は110μmであったとす
る。Next, in step SA5, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 21
, The linear distance to the scan data input terminal SI of the scan register 22 is calculated, and the linear distance value of the positive logical output terminal Q is 100 μm and the linear distance value of the inverted logical output terminal NQ is 110 μm. Suppose.
【0077】次に、工程SA6において、工程SA5の
計算結果から直線距離が最小となる正論理端子Qを選択
して、次の工程SA7において、図2に示す各処理を順
次実行する。Next, in step SA6, the positive logic terminal Q having the minimum linear distance is selected from the calculation result in step SA5, and in the next step SA7, each processing shown in FIG. 2 is sequentially executed.
【0078】まず、図2に示す工程SA7aにおいて、
スキャンレジスタ21の正論理出力端子Q及び反転論理
出力端子NQとスキャンレジスタ22のスキャンデータ
入力端子との各直線距離と直線距離の最小値との差を計
算し、計算結果の10μmを得る。First, in step SA7a shown in FIG.
The difference between each linear distance between the positive logical output terminal Q and the inverted logical output terminal NQ of the scan register 21 and the scan data input terminal of the scan register 22 and the minimum value of the linear distance is calculated, and 10 μm of the calculation result is obtained.
【0079】次に、工程SA7bにおいて、直線距離の
差が一定値αの3μmよりも大きいため、次に処理する
工程を工程SA7cに決定する。Next, in step SA7b, since the difference in the linear distance is larger than the fixed value α of 3 μm, the next processing step is determined as step SA7c.
【0080】工程SA7cにおいて、直線距離が最小と
なる正論理出力端子Qとスキャンレジスタ22のスキャ
ンデータ入力端子SIとを接続することを決定する。In step SA7c, it is determined that the positive logic output terminal Q with the shortest linear distance is connected to the scan data input terminal SI of the scan register 22.
【0081】次に、図1に示す工程SA8に戻り、スキ
ャンレジスタのペアはあとに4つが残っているので、工
程SA4に戻る。Next, the process returns to step SA8 shown in FIG. 1, and since there are four remaining scan register pairs, the process returns to step SA4.
【0082】次に、工程SA4において、スキャンレジ
スタ22とスキャンレジスタ23とのペアを選択する。Next, in step SA4, a pair of the scan register 22 and the scan register 23 is selected.
【0083】以下に示す[表1]は互いに隣接するスキ
ャンレジスタごとの前段のスキャンレジスタの正論理出
力端子Q及び反転論理出力端子NQと後段のスキャンレ
ジスタのスキャンデータ入力端子SIとの基板上の各直
線距離を示した一覧であり、距離の単位をμmとする。
例えば、[表1]の左側の列は、前段のスキャンレジス
タ21の正論理出力端子Qと後段のスキャンレジスタの
スキャンデータ入力端子NQとの直線距離が100μm
であることを示している。The following Table 1 shows on the board the positive logic output terminal Q and inverted logic output terminal NQ of the preceding scan register and the scan data input terminal SI of the subsequent scan register for each adjacent scan register. This is a list showing each linear distance, and the unit of the distance is μm.
For example, in the left column of [Table 1], the linear distance between the positive logic output terminal Q of the preceding scan register 21 and the scan data input terminal NQ of the subsequent scan register is 100 μm.
Is shown.
【0084】[0084]
【表1】 [Table 1]
【0085】以下、工程SA5から工程SA8までの各
処理をスキャンレジスタ22及びスキャンレジスタ23
のペアに施すと、[表1]に示すように、スキャンレジ
スタ22の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
とスキャンレジスタ23のスキャンデータ入力端子SI
との直線距離は、それぞれ40μm及び45μmである
ため、直線距離の差が5μmとなり一定値αの3μmよ
りも大きいので、接続対象の出力端子を直線距離が最小
となる正論理出力端子Qに決定する。Hereinafter, each of the processes from step SA5 to step SA8 will be referred to as scan register 22 and scan register 23.
, The positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 22 as shown in [Table 1].
And scan data input terminal SI of scan register 23
Are 40 μm and 45 μm, respectively, and the difference between the linear distances is 5 μm, which is larger than the fixed value α of 3 μm. Therefore, the output terminal to be connected is determined as the positive logic output terminal Q having the minimum linear distance. I do.
【0086】次に、工程SA5から工程SA8までの各
処理をスキャンレジスタ23及びスキャンレジスタ24
のペアに施すと、[表1]に示すように、スキャンレジ
スタ23の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
とスキャンレジスタ24のスキャンデータ入力端子SI
との直線距離は、それぞれ40μm及び35μmである
ため、直線距離の差が5μmとなり一定値αの3μmよ
りも大きいので、接続対象の出力端子を直線距離が最小
となる反転論理出力端子NQに決定する。Next, each processing from step SA5 to step SA8 is performed by the scan register 23 and the scan register 24.
, The positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 23 as shown in [Table 1].
And scan data input terminal SI of scan register 24
Are 40 μm and 35 μm, respectively, and the difference between the linear distances is 5 μm, which is larger than the fixed value α of 3 μm. Therefore, the output terminal to be connected is determined to be the inverted logic output terminal NQ that minimizes the linear distance. I do.
【0087】次に、工程SA5から工程SA8までの各
処理をスキャンレジスタ24及び25のペアに施すと、
[表1]に示すように、スキャンレジスタ24の正論理
出力端子Q及び反転論理出力端子NQとスキャンレジス
タ25のスキャンデータ入力端子SIとの直線距離は、
それぞれ60μm及び61μmであるため、図2に示す
工程SA7bにおいて、直線距離の差が1μmであり一
定値αの3μmよりも小さいので、次に処理する工程を
工程SA7dに決定する。Next, when the processes from step SA5 to step SA8 are performed on the pair of scan registers 24 and 25,
As shown in Table 1, the linear distance between the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 and the scan data input terminal SI of the scan register 25 is
Since they are 60 μm and 61 μm, respectively, in step SA7b shown in FIG. 2, the difference in the linear distance is 1 μm, which is smaller than the fixed value α of 3 μm, so the next processing step is determined as step SA7d.
【0088】工程SA7dにおいて、スキャンレジスタ
24の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQを接
続対象の候補リストに登録した後、工程SA7eにおい
て、候補リスト中の正論理出力端子Q及び反転論理出力
端子NQの各ファンアウト数を計算する。正論理出力端
子Qはインバータ34及び35の2つの素子に接続され
ているため、ファンアウト数は2である。一方、反転論
理出力端子NQはANDゲート31にのみ接続されてい
るため、ファンアウト数は1である。従って、工程SA
7eにおいて、ファンアウト数が最小の出力端子NQを
スキャンレジスタ25のスキャンデータ入力端子に接続
することを決定する。In step SA7d, after registering the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 in the candidate list to be connected, in step SA7e, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output The number of each fan-out of the terminal NQ is calculated. Since the positive logic output terminal Q is connected to the two elements of the inverters 34 and 35, the number of fan-outs is two. On the other hand, since the inverted logic output terminal NQ is connected only to the AND gate 31, the number of fan-outs is one. Therefore, step SA
At 7e, it is determined that the output terminal NQ having the minimum fan-out number is connected to the scan data input terminal of the scan register 25.
【0089】次に、工程SA5から工程SA8までの各
処理をスキャンレジスタ25及びスキャンアウト端子3
7のペアに施すと、[表1]に示すように、スキャンレ
ジスタ25の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子N
Qとスキャンアウト端子37との直線距離は、それぞれ
40μm及び45μmであるため、直線距離の差が5μ
mであり一定値αの3μmよりも大きいので、接続対象
の出力端子を直線距離が最小となる正論理出力端子Qに
決定する。Next, each processing from step SA5 to step SA8 is performed by the scan register 25 and the scan-out terminal 3
7, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal N of the scan register 25 as shown in [Table 1].
Since the linear distance between Q and the scanout terminal 37 is 40 μm and 45 μm, respectively, the difference between the linear distances is 5 μm.
m, which is larger than the constant value α of 3 μm, the output terminal to be connected is determined to be the positive logic output terminal Q having the shortest linear distance.
【0090】次に、工程SA8に進むと、スキャンレジ
スタのペアは全て処理済みであるため、工程SA9に進
む。工程SA9では、工程SA7において接続すること
が決定された前段のスキャンレジスタの出力端子Q若し
くはNQと後段のスキャンレジスタのスキャンデータ入
力端子SI又はスキャンアウト端子37との間の各配線
処理をそれぞれ行なって、図22に示す配線41A〜4
5Aにより接続されたスキャンチェーンを生成する。Next, when the flow proceeds to step SA8, since all the pairs of scan registers have been processed, the flow proceeds to step SA9. In step SA9, each wiring process is performed between the output terminal Q or NQ of the preceding scan register determined to be connected in step SA7 and the scan data input terminal SI or the scan out terminal 37 of the subsequent scan register. The wirings 41A to 41A-4 shown in FIG.
Generate scan chains connected by 5A.
【0091】以上の配置及び配線処理により接続された
図22に示す配線42A及び配線43Aは、図26に示
す従来の半導体集積回路の設計方法を適用した場合に対
応する配線42Z及び配線43Zよりも配線長が短くな
るため、配線面積を削減できる。The wiring 42A and the wiring 43A shown in FIG. 22 connected by the above arrangement and wiring processing are better than the wirings 42Z and 43Z corresponding to the case where the conventional semiconductor integrated circuit designing method shown in FIG. 26 is applied. Since the wiring length is shortened, the wiring area can be reduced.
【0092】また、スキャンレジスタ24は、正論理出
力端子Qよりもファンアウト数が少ない反転論理出力端
子NQを用いてスキャンレジスタ25と接続されるた
め、従来の方法を適用した場合に較べてスキャンレジス
タ24の正論理出力端子Qの負荷の増大を回避できるの
で、正論理出力端子Qからインバータ34及びインバー
タ35に至る信号の遅延時間の著しい増大を防ぐことが
できる。Further, the scan register 24 is connected to the scan register 25 using the inverted logic output terminal NQ having a smaller fanout number than the positive logic output terminal Q, so that the scan register 24 performs a scan as compared with the case where the conventional method is applied. Since an increase in the load on the positive logic output terminal Q of the register 24 can be avoided, a significant increase in the delay time of the signal from the positive logic output terminal Q to the inverter 34 and the inverter 35 can be prevented.
【0093】なお、図1において、工程SA7を図2に
示した処理フローに置き換えない場合は、前段のスキャ
ンレジスタの出力端子と後段のスキャンレジスタのスキ
ャンデータ入力端子との直線距離が最短となる端子同士
が接続されるため、図22に示すスキャンレジスタ24
の反転論理出力端子NQとスキャンレジスタ25のスキ
ャンデータ入力端子SIとが接続される以外は、同様の
スキャンチェーン接続となる。従って、図26に示す従
来の設計方法を適用した場合の対応する配線42Z及び
配線43Zよりも配線長が短くなるため、配線面積を削
減できる。In FIG. 1, when the process SA7 is not replaced with the processing flow shown in FIG. 2, the linear distance between the output terminal of the preceding scan register and the scan data input terminal of the subsequent scan register becomes the shortest. Since the terminals are connected to each other, the scan register 24 shown in FIG.
The scan chain connection is the same except that the inverted logic output terminal NQ of the scan register 25 is connected to the scan data input terminal SI of the scan register 25. Accordingly, the wiring length is shorter than the corresponding wirings 42Z and 43Z when the conventional design method shown in FIG. 26 is applied, so that the wiring area can be reduced.
【0094】図3は、図2に示した前段のスキャンレジ
スタの各出力端子のファンアウト数を考慮して負荷の小
さい出力端子を選択する方法の代わりに、前段のスキャ
ンレジスタの各出力端子に対する負荷容量を算出して負
荷容量の小さい出力端子を選択する方法を示したフロー
チャートである。図3において、図2と同じ工程には同
じ符号を付すことにより説明を省略する。図3に示すS
A7gは接続対象となる候補リスト中の各出力端子に対
する負荷容量を計算する工程、SA7hは負荷容量が最
小となる前段のスキャンレジスタの出力端子を後段のス
キャンレジスタのスキャンデータ入力端子に接続するこ
とを決定する工程である。また、本実施形態における出
力端子に対する負荷容量は、出力端子と接続している素
子の入力端子の負荷容量及び接続配線の負荷容量を合計
したものとする。FIG. 3 shows a method of selecting an output terminal with a small load in consideration of the fan-out number of each output terminal of the preceding scan register shown in FIG. 9 is a flowchart illustrating a method of calculating a load capacity and selecting an output terminal having a small load capacity. In FIG. 3, the same steps as those in FIG. S shown in FIG.
A7g is a step of calculating the load capacity for each output terminal in the candidate list to be connected, and SA7h is connecting the output terminal of the preceding scan register with the minimum load capacity to the scan data input terminal of the subsequent scan register. Is a step of determining In addition, the load capacitance for the output terminal in the present embodiment is the sum of the load capacitance of the input terminal of the element connected to the output terminal and the load capacitance of the connection wiring.
【0095】以下、図1の工程SA7の変わりに図3に
示す処理方法を用いた場合の配線方法ついて説明する。Hereinafter, a description will be given of a wiring method when the processing method shown in FIG. 3 is used instead of the step SA7 in FIG.
【0096】図1に示す工程SA4において、スキャン
レジスタ24及びスキャンレジスタ25のペアを選択し
た際に、図3に示す工程SA7aにおいて直線距離の差
が1μmとなる。When a pair of the scan register 24 and the scan register 25 is selected in the step SA4 shown in FIG. 1, the difference in the linear distance becomes 1 μm in the step SA7a shown in FIG.
【0097】次に、工程SA7bにおいて、直線距離の
差が一定値αの3μm以下であるため、工程SA7dに
進むことを決定する。Next, in step SA7b, since the difference between the linear distances is equal to or smaller than the fixed value α of 3 μm, it is decided to proceed to step SA7d.
【0098】次に、工程SA7dにおいて、正論理出力
端子Q及び反転論理出力端子NQを接続対象の候補リス
トに登録した後、工程SA7gにおいて、候補リスト中
の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQに対する
負荷容量を計算する。一方の正論理出力端子Qはインバ
ータ34及びインバータ35の2つの素子に接続されて
おり、接続配線の負荷容量とインバータ34及び35の
入力端子の負荷容量との合計値は1.5pFとなり、他
方の反転論理出力端子NQの負荷容量の値は0.5pF
となる。Next, in step SA7d, after registering the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ in the candidate list to be connected, in step SA7g, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal in the candidate list are registered. Calculate the load capacity for NQ. One positive logic output terminal Q is connected to the two elements of the inverter 34 and the inverter 35, and the total value of the load capacitance of the connection wiring and the load capacitance of the input terminals of the inverters 34 and 35 is 1.5 pF. Of the load capacitance of the inverted logic output terminal NQ is 0.5 pF
Becomes
【0099】次に、工程SA7hにおいて、負荷容量が
最小である反転論理出力端子NQとスキャンレジスタ2
5のスキャンデータ入力端子SIとを接続することを決
定する。その結果、最終的な回路図は図22に示すスキ
ャンチェーン接続と同じ接続となる。Next, in step SA7h, the inverted logic output terminal NQ having the smallest load capacitance and the scan register 2
5 to be connected to the scan data input terminal SI. As a result, the final circuit diagram has the same connection as the scan chain connection shown in FIG.
【0100】従って、図22に示す配線42A及び配線
43Aは、図26に示す従来の半導体集積回路の設計方
法を適用した場合に対応する配線42Z及び配線43Z
よりも、配線長を短くすることができるため、配線面積
を削減できる。また、図22に示すスキャンレジスタ2
4は負荷容量が正論理出力端子Qよりも小さい反転論理
出力端子NQを用いてスキャンレジスタ25のスキャン
データ入力端子SIと接続されるため、従来の設計方法
を適用した場合に較べてスキャンレジスタ24の正論理
出力端子Qの負荷の増大を回避できるので、正論理出力
端子Qからインバータ34及びインバータ35に至る信
号の遅延時間の著しい増大を防ぐことができる。Therefore, the wiring 42A and the wiring 43A shown in FIG. 22 correspond to the wiring 42Z and the wiring 43Z corresponding to the case where the conventional method of designing a semiconductor integrated circuit shown in FIG.
Therefore, the wiring length can be shortened, so that the wiring area can be reduced. The scan register 2 shown in FIG.
4 is connected to the scan data input terminal SI of the scan register 25 using the inverted logic output terminal NQ whose load capacity is smaller than the positive logic output terminal Q, so that the scan register 24 is compared with the case where the conventional design method is applied. Therefore, it is possible to prevent a significant increase in the delay time of the signal from the positive logic output terminal Q to the inverter 34 and the inverter 35.
【0101】なお、本実施形態を含め本願の各実施形態
において、正論理出力端子Qと反転論理出力端子NQと
の2つの出力端子を有するスキャンレジスタを用いて説
明しているが、例えば正論理出力端子Q及び反転論理出
力端子NQ以外にスキャンデータ出力用端子を有する3
つ以上の出力端子を備えたスキャンレジスタに対しても
同様の効果がある。In each of the embodiments of the present application including this embodiment, the description is made using a scan register having two output terminals of a positive logic output terminal Q and an inverted logic output terminal NQ. 3 having a scan data output terminal in addition to the output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ
A similar effect is obtained for a scan register having one or more output terminals.
【0102】また、本実施形態においては、一定値αの
値を3μmとしたが、αの値を0μm以上の任意の値と
しても同様の効果がある。In this embodiment, the value of the constant value α is set to 3 μm. However, the same effect can be obtained by setting the value of α to an arbitrary value of 0 μm or more.
【0103】(第2の実施形態)以下、本発明の第2の
実施形態に係る半導体集積回路の設計方法を図面を参照
しながら説明する。図4は本発明の第2の実施形態に係
る半導体集積回路の設計方法を示すフローチャートであ
る。図4において、工程SB1〜SB4、SB8及びS
B9は図1において説明した工程SA1〜SA4、SA
8及びSA9にそれぞれ対応しており、対応する工程は
それぞれ同一の内容である。SB5は前段のスキャンレ
ジスタの各出力端子と後段のスキャンレジスタのスキャ
ンデータ入力端子とを接続した場合のそれぞれの配線距
離を計算する工程、SB6は前段のスキャンレジスタの
各出力端子のうち、後段のスキャンレジスタのスキャン
データ入力端子との配線距離が最小となる出力端子を1
つ選択する工程、SB7は後段のスキャンレジスタのス
キャンデータ入力端子に接続する前段のスキャンレジス
タの出力端子を決定する工程である。工程SB7におい
ては前の工程SB6により選択された前段のスキャンレ
ジスタの出力端子を接続対象とする。(Second Embodiment) Hereinafter, a method for designing a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a flowchart showing a method for designing a semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 4, steps SB1 to SB4, SB8 and S
B9 represents steps SA1 to SA4, SA described in FIG.
8 and SA9, and the corresponding steps have the same contents. SB5 is a step of calculating each wiring distance when each output terminal of the preceding scan register is connected to the scan data input terminal of the subsequent scan register, and SB6 is a step of calculating the following wiring among the output terminals of the preceding scan register. One output terminal with the shortest wiring distance from the scan data input terminal of the scan register
Step SB7 is a step of determining the output terminal of the preceding scan register to be connected to the scan data input terminal of the subsequent scan register. In step SB7, the output terminal of the preceding scan register selected in the previous step SB6 is set as a connection target.
【0104】図5に示すフローチャートは、図4に示す
工程SB6において選択された配線距離の最小値との差
が一定値以内に収まる出力端子が存在する場合に、各端
子のファンアウト数をさらに判定することにより、配線
面積と共に負荷容量をも低減させることを目的とする。
従って、図4に示す工程SB7を図5に示すフローチャ
ートに置き換えることによりその目的が達成される。図
5において、SB7aは前段のスキャンレジスタの出力
端子のうちの後段のスキャンレジスタのスキャンデータ
入力端子との配線距離が最小となる出力端子と、その他
の出力端子との配線距離の差を計算する工程、SB7b
は工程SB7aにおいて算出した配線距離の差が一定値
α以下となる前段のスキャンレジスタの出力端子が、配
線距離が最小である出力端子を含めて複数存在するか否
かを判定する工程、SB7cは配線距離が最小となる前
段のスキャンレジスタの出力端子を後段のスキャンレジ
スタのスキャンデータ入力端子に接続することを決定す
る工程、SB7dは工程SB7bの条件を満たす前段の
スキャンレジスタの出力端子を接続対象とする候補リス
トに登録する工程、SB7eは候補リスト中の各出力端
子のファンアウト数をそれぞれ計算する工程、SB7f
はファンアウト数が最小となる出力端子を後段のスキャ
ンレジスタのスキャンデータ入力端子に接続を決定する
工程である。ここで、最小の配線距離の幅を決定する一
定値αを3μmとする。The flowchart shown in FIG. 5 shows that if there is an output terminal whose difference from the minimum value of the wiring distance selected in step SB6 shown in FIG. An object of the present invention is to reduce the load capacitance as well as the wiring area by making the determination.
Therefore, the object is achieved by replacing the step SB7 shown in FIG. 4 with the flowchart shown in FIG. In FIG. 5, an SB 7a calculates a difference between a wiring distance between an output terminal having a minimum wiring distance to a scan data input terminal of a subsequent scan register among output terminals of a preceding scan register, and another output terminal. Process, SB7b
Is a step of determining whether or not there are a plurality of output terminals of the preceding scan register including the output terminal having the shortest wiring distance, in which the difference between the wiring distances calculated in step SB7a is equal to or smaller than the fixed value α, and SB7c A step of deciding to connect the output terminal of the preceding scan register with the shortest wiring distance to the scan data input terminal of the subsequent scan register, and SB7d connects the output terminal of the preceding scan register satisfying the condition of step SB7b SB7e is a step of calculating the number of fan-outs of each output terminal in the candidate list, and SB7f
Is a step of determining the connection of the output terminal having the minimum fan-out number to the scan data input terminal of the subsequent scan register. Here, the fixed value α for determining the width of the minimum wiring distance is 3 μm.
【0105】図23は図21に示す半導体集積回路に図
4及び図5に示す配置及び配線処理を実施して得られた
回路図である。図23において、20Aはスキャンチェ
ーン生成時の半導体集積回路を配置配線する配置配線領
域であり、各素子及び配線の位置と大きさとは実際のハ
ードウェアを反映している。21〜25はスキャンテス
ト時にシフトレジスタを構成するスキャンレジスタ、2
6〜32は2つの入力信号が共に“1“のときに限り
“1“を出力するANDゲート、33〜35は入力信号
を反転させた信号を出力するインバータ、36はスキャ
ンテスト用の信号を入力するスキャンイン端子、37は
スキャンテスト用の信号を出力するスキャンアウト端子
である。41Bはスキャンレジスタ21の反転論理出力
端子NQとスキャンレジスタ22のスキャンデータ入力
端子SIとを接続する配線、42Bはスキャンレジスタ
22の正論理出力端子Qとスキャンレジスタ23のスキ
ャンデータ入力端子SIとを接続する配線、43Bはス
キャンレジスタ23の反転論理出力端子NQとスキャン
レジスタ24のスキャンデータ入力端子SIとを接続す
る配線、44Bはスキャンレジスタ24の反転論理出力
端子NQとスキャンレジスタ25のスキャンデータ入力
端子SIとを接続する配線、45Bはスキャンレジスタ
25の正論理出力端子Qとスキャンアウト端子37とを
それぞれ接続する配線である。FIG. 23 is a circuit diagram obtained by performing the arrangement and wiring processing shown in FIGS. 4 and 5 on the semiconductor integrated circuit shown in FIG. In FIG. 23, reference numeral 20A denotes an arrangement and wiring area for arranging and wiring the semiconductor integrated circuit when the scan chain is generated, and the position and size of each element and wiring reflect actual hardware. Reference numerals 21 to 25 denote scan registers constituting a shift register at the time of a scan test.
6 to 32 are AND gates that output "1" only when both input signals are "1"; 33 to 35 are inverters that output inverted signals of the input signals; and 36 is a scan test signal. An input scan-in terminal 37 is a scan-out terminal for outputting a scan test signal. 41B is a wiring connecting the inverted logic output terminal NQ of the scan register 21 to the scan data input terminal SI of the scan register 22, and 42B is a wire connecting the positive logic output terminal Q of the scan register 22 and the scan data input terminal SI of the scan register 23. A wiring 43B connects the inverted logic output terminal NQ of the scan register 23 to the scan data input terminal SI of the scan register 24, and a wiring 44B connects the inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 and the scan data input of the scan register 25. The wiring connecting the terminal SI and the wiring 45B connect the positive logic output terminal Q of the scan register 25 and the scan-out terminal 37, respectively.
【0106】図21に示すスキャンチェーン生成前の半
導体集積回路に対して、図4及び図5に示した各工程を
順次実施することによりスキャンレジスタ同士が配線さ
れる過程を説明する。まず、工程SB1において、各ス
キャンレジスタの接続順をスキャンレジスタ21→スキ
ャンレジスタ22→スキャンレジスタ23→スキャンレ
ジスタ24→スキャンレジスタ25→スキャンアウト端
子37の順に接続するように指定する。A process in which the scan registers are wired by sequentially performing the steps shown in FIGS. 4 and 5 on the semiconductor integrated circuit before the generation of the scan chain shown in FIG. 21 will be described. First, in step SB1, the connection order of the scan registers is designated so as to connect in the order of scan register 21, scan register 22, scan register 23, scan register 24, scan register 25, and scan out terminal 37.
【0107】次に、工程SB2において、スキャンレジ
スタ21〜25、ANDゲート26〜32及びインバー
タ33〜35の配置を行なった後、工程SB3におい
て、スキャンレジスタ21〜25以外の各素子の配線処
理を行なう。Next, in step SB2, the scan registers 21 to 25, the AND gates 26 to 32, and the inverters 33 to 35 are arranged, and in step SB3, wiring processing of each element other than the scan registers 21 to 25 is performed. Do.
【0108】次に、工程SB4において、スキャンレジ
スタ21とスキャンレジスタ22とのペアを最初に選択
する。Next, in step SB4, a pair of the scan register 21 and the scan register 22 is first selected.
【0109】次に、工程SB5において、スキャンレジ
スタ21の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
について、スキャンレジスタ22のスキャンデータ入力
端子SIとの配線距離をそれぞれ計算して、正論理出力
端子Qの配線距離の値は200μmであり、反転論理出
力端子NQの配線距離の値は130μmであったとす
る。Next, in step SB5, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 21 are read.
, The wiring distance to the scan data input terminal SI of the scan register 22 is calculated, and the value of the wiring distance of the positive logic output terminal Q is 200 μm and the value of the wiring distance of the inverted logic output terminal NQ is 130 μm. Suppose.
【0110】次に、工程SB6において、工程SB5の
計算結果から配線距離が最小となる反転論理端子NQを
選択して、次の工程SB7において、図5に示す各処理
を実行する。Next, in step SB6, the inversion logic terminal NQ having the minimum wiring distance is selected from the calculation result in step SB5, and in the next step SB7, each processing shown in FIG. 5 is executed.
【0111】最初に、図5に示す工程SB7aにおい
て、スキャンレジスタ21の正論理出力端子Q及び反転
論理出力端子NQとスキャンレジスタ22のスキャンデ
ータ入力端子との各配線距離と配線距離の最小値との差
を計算し、計算結果の70μmを得る。First, in step SB7a shown in FIG. 5, each wiring distance between the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 21 and the scan data input terminal of the scan register 22 and the minimum value of the wiring distance are determined. Is calculated to obtain a calculation result of 70 μm.
【0112】次に、工程SB7bにおいて、配線距離の
差が一定値αの3μmよりも大きいため、次に処理する
工程を工程SB7cに決定する。Next, in step SB7b, since the difference in the wiring distance is larger than the fixed value α of 3 μm, the next processing step is determined as step SB7c.
【0113】工程SB7cにおいて、配線距離が最小で
ある反転論理出力端子NQとスキャンレジスタ22のス
キャンデータ入力端子SIとを接続することを決定す
る。In step SB7c, it is determined that the inverted logic output terminal NQ having the shortest wiring distance is connected to the scan data input terminal SI of the scan register 22.
【0114】次に、図4に示す工程SB8に戻り、スキ
ャンレジスタのペアはあとに4つが残っているので、工
程SB4に戻る。Next, the process returns to step SB8 shown in FIG. 4, and since there are four remaining scan register pairs, the process returns to step SB4.
【0115】次に、工程SA4において、スキャンレジ
スタ22及びスキャンレジスタ23のペアを選択する。Next, in step SA4, a pair of the scan register 22 and the scan register 23 is selected.
【0116】以下に示す[表2]は互いに隣接するスキ
ャンレジスタごとの前段のスキャンレジスタの正論理出
力端子Q及び反転論理出力端子NQと後段のスキャンレ
ジスタのスキャンデータ入力端子SIとの基板上の各配
線距離を示した一覧である。ここで、配線距離の単位は
μmである。The following Table 2 shows on the substrate the positive logic output terminal Q and inverted logic output terminal NQ of the preceding scan register and the scan data input terminal SI of the subsequent scan register for each adjacent scan register. It is a list showing each wiring distance. Here, the unit of the wiring distance is μm.
【0117】[0117]
【表2】 [Table 2]
【0118】以下、工程SB5から工程SB8までの各
処理をスキャンレジスタ22及びスキャンレジスタ23
のペアに施すと、[表2]に示すように、スキャンレジ
スタ22の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
とスキャンレジスタ23のスキャンデータ入力端子SI
との配線距離は、それぞれ60μm及び70μmである
ため、配線距離の差が10μmとなり一定値αの3μm
よりも大きいので、接続対象の出力端子を配線距離が最
小となる正論理出力端子Qに決定する。Hereinafter, the processing from step SB5 to step SB8 will be referred to as scan register 22 and scan register 23.
Of the scan register 22, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 22 as shown in [Table 2].
And scan data input terminal SI of scan register 23
Are 60 μm and 70 μm, respectively, so that the difference between the wiring distances is 10 μm and the constant value α is 3 μm.
Therefore, the output terminal to be connected is determined to be the positive logic output terminal Q that minimizes the wiring distance.
【0119】次に、工程SB5から工程SB8までの各
処理をスキャンレジスタ23及びスキャンレジスタ24
のペアに施すと、[表2]に示すように、スキャンレジ
スタ23の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
とスキャンレジスタ24のスキャンデータ入力端子SI
との配線距離は、それぞれ60μm及び50μmである
ため、配線距離の差が10μmとなり一定値αの3μm
よりも大きいので、接続対象の出力端子を配線距離が最
小となる反転論理出力端子NQに決定する。Next, the processing from step SB5 to step SB8 is performed by the scan register 23 and the scan register 24.
, The positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 23 as shown in [Table 2].
And scan data input terminal SI of scan register 24
Are 60 μm and 50 μm, respectively, so that the difference between the wiring distances is 10 μm and the constant value α is 3 μm.
Therefore, the output terminal to be connected is determined to be the inverted logic output terminal NQ that minimizes the wiring distance.
【0120】次に、工程SB5から工程SB8までの各
処理をスキャンレジスタ24及びスキャンレジスタ25
のペアに施すと、[表2]に示すように、スキャンレジ
スタ24の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
とスキャンレジスタ25のスキャンデータ入力端子SI
との直線距離は、それぞれ80μm及び83μmである
ため、図5に示す工程SB7bにおいて、配線距離の差
が3μmであり一定値αの3μmと等しいので、次に処
理する工程を工程SB7dに決定する。Next, each processing from step SB5 to step SB8 is performed by the scan register 24 and the scan register 25.
, The positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 as shown in [Table 2].
And scan data input terminal SI of scan register 25
Are 80 μm and 83 μm, respectively. Therefore, in step SB7b shown in FIG. 5, the difference in wiring distance is 3 μm, which is equal to the constant value α of 3 μm, so the next processing step is determined as step SB7d. .
【0121】工程SB7dにおいて、スキャンレジスタ
24の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQを接
続対象の候補リストに登録した後、工程SB7eにおい
て、候補リスト中の正論理出力端子Q及び反転論理出力
端子NQの各ファンアウト数を計算する。正論理出力端
子Qはインバータ34及び35の2つの素子に接続され
ているため、ファンアウト数は2である。一方、反転論
理出力端子NQはANDゲート31にのみ接続されてい
るため、ファンアウト数は1である。従って、工程SB
7fにおいて、ファンアウト数が最小の出力端子NQを
スキャンレジスタ25のスキャンデータ入力端子に接続
することを決定する。In step SB7d, after registering the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 in the candidate list for connection, in step SB7e, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal in the candidate list are registered. The number of each fan-out of the terminal NQ is calculated. Since the positive logic output terminal Q is connected to the two elements of the inverters 34 and 35, the number of fan-outs is two. On the other hand, since the inverted logic output terminal NQ is connected only to the AND gate 31, the number of fan-outs is one. Therefore, step SB
At 7f, it is determined that the output terminal NQ having the smallest fan-out number is connected to the scan data input terminal of the scan register 25.
【0122】次に、工程SB5から工程SB8までの各
処理をスキャンレジスタ25及びスキャンアウト端子3
7のペアに施すと、[表2]に示すように、スキャンレ
ジスタ25の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子N
Qとスキャンアウト端子37との配線距離は、それぞれ
40μm及び60μmであるため、配線距離の差が20
μmとなり一定値αの3μmよりも大きいので、接続対
象の出力端子を配線距離が最小となる正論理出力端子Q
に決定する。Next, the processing from step SB5 to step SB8 is performed by the scan register 25 and the scan-out terminal 3
7, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal N of the scan register 25 as shown in [Table 2].
Since the wiring distance between Q and the scan-out terminal 37 is 40 μm and 60 μm, respectively, the difference between the wiring distances is 20 μm.
μm, which is larger than the constant value α of 3 μm, so that the output terminal to be connected is connected to the positive logic output terminal Q that minimizes the wiring distance.
To decide.
【0123】次に、工程SB8に進むと、スキャンレジ
スタのペアは全て処理済みであるので判定により、工程
SB9に進む。工程SB9では、工程SB7において接
続することが決定された前段のスキャンレジスタの出力
端子Q若しくはNQと後段のスキャンレジスタのスキャ
ンデータ入力端子SI又はスキャンアウト端子37との
間の各配線処理をそれぞれ行なって、図23に示す配線
41B〜45Bにより接続されたスキャンチェーンを生
成する。Next, when the process proceeds to step SB8, all the pairs of scan registers have been processed, so that the process proceeds to step SB9 by judgment. In step SB9, each wiring process is performed between the output terminal Q or NQ of the preceding scan register determined to be connected in step SB7 and the scan data input terminal SI or the scan out terminal 37 of the subsequent scan register. Thus, a scan chain connected by the wirings 41B to 45B shown in FIG. 23 is generated.
【0124】以上の配置及び配線処理により接続された
図23に示す配線41B、配線42B及び配線43B
は、図26に示す従来の半導体集積回路の設計方法を適
用した場合に対応する配線41Z、配線42Z及び配線
43Zよりも配線長が短くなるため、配線面積を削減で
きる。The wirings 41B, 42B and 43B shown in FIG. 23 connected by the above arrangement and wiring processing.
Since the wiring length is shorter than that of the wiring 41Z, the wiring 42Z, and the wiring 43Z corresponding to the case where the conventional semiconductor integrated circuit design method shown in FIG. 26 is applied, the wiring area can be reduced.
【0125】また、スキャンレジスタ24は、正論理出
力端子Qよりもファンアウト数が少ない反転論理出力端
子NQを用いてスキャンレジスタ25と接続されるた
め、従来の方法を適用した場合に較べてスキャンレジス
タ24の正論理出力端子Qの負荷の増大を回避できるの
で、正論理出力端子Qからインバータ34及びインバー
タ35に至る信号の遅延時間の著しい増大を防ぐことが
できる。Further, the scan register 24 is connected to the scan register 25 using the inverted logic output terminal NQ having a smaller fanout number than the positive logic output terminal Q, so that the scan register 24 is compared with the case where the conventional method is applied. Since an increase in the load on the positive logic output terminal Q of the register 24 can be avoided, a significant increase in the delay time of the signal from the positive logic output terminal Q to the inverter 34 and the inverter 35 can be prevented.
【0126】さらに、本実施形態の特徴として、図23
に示す配線41Bの配線距離は130μmであり、図2
2に示す配線41Aの配線距離200μmよりも小さく
できるため、第1の実施形態に示した設計方法よりもさ
らに配線面積を小さくできる。Further, as a feature of this embodiment, FIG.
The wiring distance of the wiring 41B shown in FIG.
Since the wiring distance of the wiring 41A shown in FIG. 2 can be made smaller than 200 μm, the wiring area can be further reduced as compared with the design method shown in the first embodiment.
【0127】なお、図4において、工程SB7を図5に
示した処理フローに置き換えない場合は、前段のスキャ
ンレジスタの出力端子と後段のスキャンレジスタのスキ
ャンデータ入力端子との配線距離が最小となる端子同士
が接続されるため、図23に示すスキャンレジスタ24
の正論理出力端子Qとスキャンレジスタ25のスキャン
データ入力端子SIとが接続される以外は、同様のスキ
ャンチェーン接続となる。従って、図26に示す従来の
設計方法を適用した場合に対応する配線41Z、配線4
2Z及び配線43Zよりも配線長が短くなるため、配線
面積を削減できる。In FIG. 4, when the process SB7 is not replaced with the processing flow shown in FIG. 5, the wiring distance between the output terminal of the preceding scan register and the scan data input terminal of the subsequent scan register becomes minimum. Since the terminals are connected to each other, the scan register 24 shown in FIG.
, And the scan chain connection is the same except that the positive logic output terminal Q is connected to the scan data input terminal SI of the scan register 25. Therefore, the wiring 41Z and the wiring 4 corresponding to the case where the conventional design method shown in FIG.
Since the wiring length is shorter than the 2Z and the wiring 43Z, the wiring area can be reduced.
【0128】図6は、図5に示した前段のスキャンレジ
スタの各出力端子のファンアウト数を考慮して負荷の小
さい出力端子を選択する方法の代わりに、前段のスキャ
ンレジスタの各出力端子に対する負荷容量を算出して負
荷容量の小さい出力端子を選択する方法を示したフロー
チャートである。図6において、図5と同じ工程には同
じ符号を付すことにより説明を省略する。図6に示すS
B7gは接続対象となる候補リスト中の各出力端子に対
する負荷容量を計算する工程、SB7hは負荷容量が最
小となる前段のスキャンレジスタの出力端子を後段のス
キャンレジスタのスキャンデータ入力端子に接続するこ
とを決定する工程である。また、本実施形態における出
力端子に対する負荷容量は、出力端子と接続している素
子の入力端子の負荷容量及び接続配線の負荷容量を合計
したものとする。FIG. 6 shows a method of selecting an output terminal with a small load in consideration of the fan-out number of each output terminal of the preceding scan register shown in FIG. 9 is a flowchart illustrating a method of calculating a load capacity and selecting an output terminal having a small load capacity. In FIG. 6, the same steps as those in FIG. S shown in FIG.
B7g is a step of calculating the load capacity for each output terminal in the candidate list to be connected, and SB7h is connecting the output terminal of the preceding scan register with the smallest load capacity to the scan data input terminal of the subsequent scan register. Is a step of determining In addition, the load capacitance for the output terminal in this embodiment is the sum of the load capacitance of the input terminal of the element connected to the output terminal and the load capacitance of the connection wiring.
【0129】以下、図4の工程SB7の代わりに図6に
示す処理方法を用いた場合の配線方法ついて説明する。Hereinafter, a description will be given of a wiring method when the processing method shown in FIG. 6 is used instead of the step SB7 in FIG.
【0130】図4に示す工程SB4において、スキャン
レジスタ24及びスキャンレジスタ25のペアを選択し
た際に、図6に示す工程SB7aにおいて直線距離の差
が3μmとなる。次に、工程SB7bにおいて、直線距
離の差が一定値αの3μm以下であるため、工程SB7
dに進むことを決定する。When a pair of scan register 24 and scan register 25 is selected in step SB4 shown in FIG. 4, the difference in the linear distance becomes 3 μm in step SB7a shown in FIG. Next, in step SB7b, since the difference between the linear distances is equal to or smaller than the fixed value α of 3 μm,
Decide to go to d.
【0131】次に、工程SB7dにおいて、正論理出力
端子Q及び反転論理出力端子NQを接続対象の候補リス
トに登録した後、工程SB7gにおいて、候補リスト中
の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQに対する
負荷容量を計算する。一方の正論理出力端子Qはインバ
ータ34及びインバータ35の2つの素子に接続されて
おり、接続配線の負荷容量とインバータ34及び35の
入力端子の負荷容量との合計値は1.5pFとなり、他
方の反転論理出力端子NQの負荷容量の値は0.5pF
となる。Next, in step SB7d, after registering the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ in the candidate list to be connected, in step SB7g, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal in the candidate list are registered. Calculate the load capacity for NQ. One positive logic output terminal Q is connected to the two elements of the inverter 34 and the inverter 35, and the total value of the load capacitance of the connection wiring and the load capacitance of the input terminals of the inverters 34 and 35 is 1.5 pF. Of the load capacitance of the inverted logic output terminal NQ is 0.5 pF
Becomes
【0132】次に、工程SB7hにおいて、負荷容量が
最小である反転論理出力端子NQとスキャンレジスタ2
5のスキャンデータ入力端子SIとを接続することを決
定する。その結果、最終的な回路図は図23に示すスキ
ャンチェーン接続と同じ接続となる。Next, in step SB7h, the inverted logic output terminal NQ having the smallest load capacity and the scan register 2
5 to be connected to the scan data input terminal SI. As a result, the final circuit diagram has the same connection as the scan chain connection shown in FIG.
【0133】従って、図23に示す配線41B、配線4
2B及び配線43Bは、図26に示す従来の半導体集積
回路の設計方法を適用した場合に対応する配線41Z、
配線42Z及び配線43Zよりも、配線長を短くするこ
とができるため、配線面積を削減できる。また、図23
に示すスキャンレジスタ24は負荷容量が正論理出力端
子Qよりも小さい反転論理出力端子NQを用いてスキャ
ンレジスタ25のスキャンデータ入力端子SIと接続さ
れるため、従来の設計方法を適用した場合に較べてスキ
ャンレジスタ24の正論理出力端子Qの負荷の増大を回
避できるので、正論理出力端子Qからインバータ34及
びインバータ35に至る信号の遅延時間の著しい増大を
防ぐことができる。Therefore, the wiring 41B and the wiring 4 shown in FIG.
2B and wiring 43B are wiring 41Z, corresponding to the case where the conventional method of designing a semiconductor integrated circuit shown in FIG. 26 is applied.
Since the wiring length can be shorter than the wirings 42Z and 43Z, the wiring area can be reduced. FIG.
Is connected to the scan data input terminal SI of the scan register 25 by using an inverted logic output terminal NQ having a load capacity smaller than the positive logic output terminal Q. Therefore, compared to the case where the conventional design method is applied. Thus, an increase in the load on the positive logic output terminal Q of the scan register 24 can be avoided, so that a significant increase in the delay time of the signal from the positive logic output terminal Q to the inverter 34 and the inverter 35 can be prevented.
【0134】また、図23に示す配線41Bの配線距離
は130μmであり、図22に示す配線41Aの配線距
離200μmよりも小さくできるため、第1の実施形態
に示した設計方法よりもさらに配線面積を小さくでき
る。The wiring distance of the wiring 41B shown in FIG. 23 is 130 μm, which can be made smaller than the wiring distance of 200 μm of the wiring 41A shown in FIG. 22, so that the wiring area is further larger than the design method shown in the first embodiment. Can be reduced.
【0135】なお、本実施形態においては、一定値αの
値を3μmとしたが、αの値を0μm以上の任意の値と
しても同様の効果がある。In this embodiment, the value of the constant value α is set to 3 μm. However, the same effect can be obtained by setting the value of α to an arbitrary value of 0 μm or more.
【0136】(第3の実施形態)以下、本発明の第3の
実施形態に係る半導体集積回路の設計方法を図面を参照
しながら説明する。図7は本発明の第3の実施形態に係
る半導体集積回路の設計方法を示すフローチャートであ
る。図7において、工程SC1〜SC4、SC8及びS
C9は図1において説明した工程SA1〜SA4、SA
8及びSA9にそれぞれ対応しており、対応する工程は
それぞれ同一の内容である。SC5は前段のスキャンレ
ジスタの各出力端子のファンアウト数をそれぞれ計算す
る工程、SC6は前段のスキャンレジスタの各出力端子
のうち、ファンアウト数が最小となる出力端子を1つ選
択する工程、SC7は後段のスキャンレジスタのスキャ
ンデータ入力端子に接続する前段のスキャンレジスタの
出力端子を決定する工程である。工程SC7においては
前の工程SC6により選択された前段のスキャンレジス
タの出力端子を接続対象とする。(Third Embodiment) Hereinafter, a method for designing a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a flowchart showing a method for designing a semiconductor integrated circuit according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 7, steps SC1 to SC4, SC8 and S
C9 represents steps SA1 to SA4, SA described in FIG.
8 and SA9, and the corresponding steps have the same contents. SC5 is a step of calculating the number of fanouts of each output terminal of the preceding scan register, SC6 is a step of selecting one of the output terminals of the preceding scan register that has the smallest number of fanouts, SC7. Is a step of determining the output terminal of the preceding scan register to be connected to the scan data input terminal of the subsequent scan register. In step SC7, the output terminal of the previous-stage scan register selected in the previous step SC6 is connected.
【0137】図8に示すフローチャートは、図7に示す
工程SC6において選択されたファンアウト数の最小値
との差が一定値以内に収まる出力端子が存在する場合
に、各出力端子と後段のスキャンレジスタのスキャンデ
ータ入力端子との基板上の直線距離をさらに判定するこ
とにより、負荷容量と共に配線面積をも低減させること
を目的とする。従って、図7に示す工程SC7を図8に
示すフローチャートに置き換えることによりその目的が
達成される。The flowchart shown in FIG. 8 is based on the case where there is an output terminal whose difference from the minimum value of the fan-out number selected in step SC6 shown in FIG. It is another object of the present invention to further reduce the load area as well as the load capacity by further determining the linear distance on the substrate from the scan data input terminal of the register. Therefore, the object is achieved by replacing the step SC7 shown in FIG. 7 with the flowchart shown in FIG.
【0138】図8において、SC7aは前段のスキャン
レジスタの出力端子のうちのファンアウト数が最小とな
る出力端子とその他の出力端子とのファンアウト数の差
を計算する工程、SC7bは工程SC7aにおいて算出
したファンアウト数の差が一定値α以下となる前段のス
キャンレジスタの出力端子が、ファンアウト数が最小で
ある出力端子を含めて複数存在するか否かを判定する工
程、SC7cはファンアウト数が最小となる前段のスキ
ャンレジスタの出力端子を後段のスキャンレジスタのス
キャンデータ入力端子に接続することを決定する工程、
SC7dは工程SC7bの条件を満たす前段のスキャン
レジスタの出力端子を接続対象とする候補リストに登録
する工程、SC7eは候補リスト中の各出力端子と後段
のスキャンレジスタのスキャンデータ入力端子との直線
距離をそれぞれ計算する工程、SC7fは直線距離が最
小となる出力端子を後段のスキャンレジスタのスキャン
データ入力端子に接続することを決定する工程である。
ここで、最小のファンアウト数の幅を決定する一定値α
を0とする。In FIG. 8, SC7a is a step of calculating the difference between the number of fanouts of the output terminal of the preceding scan register having the smallest number of fanouts and the other output terminals, and SC7b is a step SC7a. A step of determining whether or not there are a plurality of output terminals of the preceding scan register including the output terminal having the smallest fan-out number, in which the calculated difference in the number of fan-outs is equal to or smaller than the fixed value α, A step of deciding to connect the output terminal of the preceding scan register with the minimum number to the scan data input terminal of the subsequent scan register,
SC7d is a step of registering the output terminal of the preceding scan register satisfying the condition of step SC7b in the candidate list to be connected, and SC7e is a linear distance between each output terminal in the candidate list and the scan data input terminal of the subsequent scan register. SC7f is a step of determining to connect the output terminal with the shortest linear distance to the scan data input terminal of the subsequent scan register.
Here, a constant value α that determines the width of the minimum fan-out number
Is set to 0.
【0139】図24は図21に示す半導体集積回路に図
7及び図8に示す配置及び配線処理を実施して得られた
回路図である。図24において、20Aはスキャンチェ
ーン生成時の半導体集積回路を配置配線する配置配線領
域であり、各素子及び配線の位置と大きさとは実際のハ
ードウェアを反映している。21〜25はスキャンテス
ト時にシフトレジスタを構成するスキャンレジスタ、2
6〜32は2つの入力信号が共に“1“のときに限り
“1“を出力するANDゲート、33〜35は入力信号
を反転させた信号を出力するインバータ、36はスキャ
ンテスト用の信号を入力するスキャンイン端子、37は
スキャンテスト用の信号を出力するスキャンアウト端子
である。41Cはスキャンレジスタ21の反転論理出力
端子NQとスキャンレジスタ22のスキャンデータ入力
端子SIとを接続する配線、42Cはスキャンレジスタ
22の反転論理出力端子NQとスキャンレジスタ23の
スキャンデータ入力端子SIとを接続する配線、43C
はスキャンレジスタ23の反転論理出力端子NQとスキ
ャンレジスタ24のスキャンデータ入力端子SIとを接
続する配線、44Cはスキャンレジスタ24の反転論理
出力端子NQとスキャンレジスタ25のスキャンデータ
入力端子SIとを接続する配線、45Cはスキャンレジ
スタ25の正論理出力端子Qとスキャンアウト端子37
とをそれぞれ接続する配線である。FIG. 24 is a circuit diagram obtained by performing the arrangement and wiring processing shown in FIGS. 7 and 8 on the semiconductor integrated circuit shown in FIG. In FIG. 24, reference numeral 20A denotes an arrangement and wiring area for arranging and wiring the semiconductor integrated circuit at the time of generation of the scan chain, and the position and size of each element and wiring reflect actual hardware. Reference numerals 21 to 25 denote scan registers constituting a shift register at the time of a scan test.
6 to 32 are AND gates that output "1" only when both input signals are "1"; 33 to 35 are inverters that output inverted signals of the input signals; and 36 is a scan test signal. An input scan-in terminal 37 is a scan-out terminal for outputting a scan test signal. 41C is a wiring connecting the inverted logic output terminal NQ of the scan register 21 and the scan data input terminal SI of the scan register 22, and 42C is a wire connecting the inverted logic output terminal NQ of the scan register 22 and the scan data input terminal SI of the scan register 23. Wiring to connect, 43C
Is a wiring connecting the inverted logic output terminal NQ of the scan register 23 to the scan data input terminal SI of the scan register 24; and 44C is connecting the inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 to the scan data input terminal SI of the scan register 25. 45C are the positive logic output terminal Q of the scan register 25 and the scan out terminal 37.
And a wiring for respectively connecting.
【0140】図21に示すスキャンチェーン生成前の半
導体集積回路に対して、図7及び図8に示した各工程を
順次実施することによりスキャンレジスタ同士が配線さ
れる過程を説明する。まず、工程SC1において、各ス
キャンレジスタの接続順をスキャンレジスタ21→スキ
ャンレジスタ22→スキャンレジスタ23→スキャンレ
ジスタ24→スキャンレジスタ25→スキャンアウト端
子37の順に接続するように指定する。A process in which the scan registers are wired by sequentially performing the processes shown in FIGS. 7 and 8 on the semiconductor integrated circuit before the generation of the scan chain shown in FIG. 21 will be described. First, in step SC1, the connection order of the scan registers is designated so as to be connected in the order of scan register 21, scan register 22, scan register 23, scan register 24, scan register 25, and scan out terminal 37.
【0141】次に、工程SC2において、スキャンレジ
スタ21〜25、ANDゲート26〜32及びインバー
タ33〜35の配置を行なった後、工程SC3におい
て、スキャンレジスタ21〜25以外の各素子の配線処
理を行なう。Next, in step SC2, scan registers 21 to 25, AND gates 26 to 32, and inverters 33 to 35 are arranged, and in step SC3, wiring processing of each element other than scan registers 21 to 25 is performed. Do.
【0142】次に、工程SC4において、スキャンレジ
スタ21及びスキャンレジスタ22のペアを最初に選択
する。Next, in step SC4, a pair of the scan register 21 and the scan register 22 is first selected.
【0143】次に、工程SC5において、スキャンレジ
スタ21の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
のファンアウト数をそれぞれ計算すると、正論理出力端
子Qのファンアウト数は2となり、反転論理出力端子N
Qのファンアウト数は1となる。Next, in step SC5, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 21 are set.
Is calculated, the fan-out number of the positive logic output terminal Q is 2, and the inverted logic output terminal N
The fan-out number of Q is 1.
【0144】次に、工程SC6において、工程SC5の
計算結果からファンアウト数が最小となる反転論理端子
NQを選択して、次の工程SC7において、図8に示す
各処理を順次実行する。Next, in step SC6, the inverted logic terminal NQ with the minimum fan-out number is selected from the calculation result in step SC5, and in the next step SC7, each processing shown in FIG. 8 is sequentially executed.
【0145】まず、図8に示す工程SC7aにおいて、
スキャンレジスタ21の正論理出力端子Q及び反転論理
出力端子NQのうちのファンアウト数の最小値との差を
計算して、計算結果の1を得る。First, in step SC7a shown in FIG.
The difference between the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 21 and the minimum value of the number of fanouts is calculated to obtain 1 as the calculation result.
【0146】次に、工程SC7bにおいて、ファンアウ
ト数の最小値との差が一定値αの0よりも大きいため、
次に処理する工程を工程SC7cに決定する。Next, in step SC7b, since the difference from the minimum value of the fan-out number is larger than the fixed value α of 0,
The next processing step is determined as step SC7c.
【0147】工程SC7cにおいて、ファンアウト数が
最小となる反転論理出力端子NQをスキャンレジスタ2
2のスキャンデータ入力端子SIに接続することを決定
する。In step SC7c, the inverted logic output terminal NQ that minimizes the number of fanouts is set to the scan register 2
2 to be connected to the scan data input terminal SI.
【0148】次に、図7に示す工程SC8に戻り、スキ
ャンレジスタのペアはあとに4つが残っているので、工
程SC4に戻る。Next, the process returns to step SC8 shown in FIG. 7, and since there are four remaining scan register pairs, the process returns to step SC4.
【0149】次に、工程SC4において、スキャンレジ
スタ22及びスキャンレジスタ23のペアを選択する。
以下に示す[表3]は互いに隣接するスキャンレジス
タごとの前段のスキャンレジスタの正論理出力端子Q及
び反転論理出力端子NQの各ファンアウト数の一覧であ
る。ここで、ファンアウト数の単位は個である。Next, in step SC4, a pair of the scan register 22 and the scan register 23 is selected.
[Table 3] shown below is a list of the number of fan-outs of the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the preceding scan register for each adjacent scan register. Here, the unit of the number of fan-outs is individual.
【0150】[0150]
【表3】 [Table 3]
【0151】以下、工程SC5から工程SC8までの各
処理をスキャンレジスタ22及びスキャンレジスタ23
のペアに施すと、[表3]に示すように、スキャンレジ
スタ22の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
のファンアウト数は、それぞれ1及び0であるため、フ
ァンアウト数の差が1となり一定値αの0よりも大きい
ので、接続対象の出力端子をファンアウト数が最小とな
る反転論理出力端子NQに決定する。Hereinafter, each process from step SC5 to step SC8 is described by the scan register 22 and the scan register 23.
, The positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 22 as shown in [Table 3].
Are 1 and 0, respectively, so that the difference between the fan-out numbers is 1 and is larger than the fixed value α of 0, so that the output terminal to be connected is the inverted logic output terminal NQ that minimizes the fan-out number. To decide.
【0152】次に、工程SC5から工程SC8までの各
処理をスキャンレジスタ23及びスキャンレジスタ24
のペアに施すと、[表3]に示すように、スキャンレジ
スタ23の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
のファンアウト数は、共に1であるため、図8に示す工
程SC7bにおいて、ファンアウト数の差が0となり一
定値αと等しいので、次に処理する工程を工程SC7d
に決定する。Next, each process from step SC5 to step SC8 is performed by the scan register 23 and the scan register 24.
, The positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 23 as shown in [Table 3].
Is 1 in step SC7b, the difference in the number of fanouts is 0 in step SC7b shown in FIG. 8, and is equal to the constant value α.
To decide.
【0153】工程SC7dにおいて、スキャンレジスタ
24の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQを接
続対象の候補リストに登録した後、工程SC7eにおい
て、候補リスト中の正論理出力端子Q及び反転論理出力
端子NQと後段のスキャンレジスタ24のスキャンデー
タ入力端子との基板上の直線距離を計算する。正論理出
力端子Q側は40μmであり、反転論理出力端子NQ側
は35μmであったとする。その結果、次の工程SC7
fにおいて、直線距離が最小である反転論理出力端子N
Qをスキャンレジスタ24のスキャンデータ入力端子に
接続することを決定する。In step SC7d, after registering the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 in the candidate list to be connected, in step SC7e, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output The linear distance on the board between the terminal NQ and the scan data input terminal of the scan register 24 at the subsequent stage is calculated. It is assumed that the positive logic output terminal Q side is 40 μm and the inverted logic output terminal NQ side is 35 μm. As a result, the next step SC7
f, the inverted logic output terminal N having the shortest linear distance
It is determined that Q is connected to the scan data input terminal of the scan register 24.
【0154】次に、工程SC5から工程SC8までの各
処理をスキャンレジスタ24及びスキャンレジスタ25
のペアに施すと、[表3]に示すように、スキャンレジ
スタ24の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
のファンアウト数は、それぞれ2及び1であるため、フ
ァンアウト数の差が1となり一定値αの0よりも大きい
ので、接続対象の出力端子をファンアウト数が最小とな
る反転論理出力端子NQに決定する。Next, each process from step SC5 to step SC8 is performed by the scan register 24 and the scan register 25.
, The positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 as shown in [Table 3].
Are 2 and 1, respectively, so that the difference between the number of fanouts is 1 and is larger than the fixed value α of 0, so that the output terminal to be connected is the inverted logic output terminal NQ that minimizes the number of fanouts. To decide.
【0155】次に、工程SC5から工程SC8までの各
処理をスキャンレジスタ25及びスキャンアウト端子3
7のペアに施すと、[表3]に示すように、スキャンレ
ジスタ25の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子N
Qのファンアウト数は、それぞれ0及び1であるため、
ファンアウト数の差が1であり一定値αの0よりも大き
いので、接続対象の出力端子をファンアウト数が最小と
なる正論理出力端子Qに決定する。Next, the processing from step SC5 to step SC8 is performed by the scan register 25 and the scan-out terminal 3
7, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal N of the scan register 25 as shown in [Table 3].
Since the fan-out numbers of Q are 0 and 1, respectively,
Since the difference between the fan-out numbers is 1, which is larger than the fixed value α of 0, the output terminal to be connected is determined to be the positive logic output terminal Q with the minimum fan-out number.
【0156】次に、工程SC8に進むと、スキャンレジ
スタのペアは全て処理済みであるので判定により、工程
SC9に進む。工程SC9では、工程SC7において接
続することが決定された前段のスキャンレジスタの出力
端子Q若しくはNQと後段のスキャンレジスタのスキャ
ンデータ入力端子SI又はスキャンアウト端子37との
間の各配線処理をそれぞれ行なって、図24に示す配線
41C〜45Cにより接続されたスキャンチェーンを生
成する。Next, when the flow proceeds to step SC8, since all the pairs of scan registers have been processed, the flow proceeds to step SC9 by judgment. In step SC9, each wiring process is performed between the output terminal Q or NQ of the preceding scan register determined to be connected in step SC7 and the scan data input terminal SI or the scan out terminal 37 of the subsequent scan register. Thus, a scan chain connected by the wirings 41C to 45C shown in FIG. 24 is generated.
【0157】以上の配置及び配線処理により接続された
図24に示す配線43Cは、図26に示す従来の半導体
集積回路の設計方法を適用した場合に対応する配線43
Zよりも配線長が短くなるため、配線面積を削減でき
る。The wiring 43C shown in FIG. 24 connected by the above arrangement and wiring processing corresponds to the case where the conventional semiconductor integrated circuit design method shown in FIG. 26 is applied.
Since the wiring length is shorter than Z, the wiring area can be reduced.
【0158】また、スキャンレジスタ21は、正論理出
力端子Qよりもファンアウト数が少ない反転論理出力端
子NQを用いてスキャンレジスタ22と接続されるた
め、従来の方法を適用した場合に較べてスキャンレジス
タ21の正論理出力端子Qの負荷の増大を回避できるの
で、正論理出力端子QからANDゲート26及びAND
ゲート27に至る信号の遅延時間の著しい増大を防ぐこ
とができると共に、スキャンレジスタ24は、正論理出
力端子Qよりもファンアウト数が少ない反転論理出力端
子NQを用いてスキャンレジスタ25と接続されるた
め、スキャンレジスタ24の正論理出力端子Qの負荷の
増大を回避できるので、正論理出力端子Qからインバー
タ34及びインバータ35に至る信号の遅延時間の著し
い増大を防ぐことができる。The scan register 21 is connected to the scan register 22 using the inverted logic output terminal NQ having a smaller number of fanouts than the positive logic output terminal Q, so that the scan register 21 is compared with the case where the conventional method is applied. Since an increase in the load on the positive logic output terminal Q of the register 21 can be avoided, the AND gate 26 and the AND gate 26
The scan register 24 is connected to the scan register 25 using an inverted logic output terminal NQ having a smaller fanout number than the positive logic output terminal Q, while preventing a significant increase in the delay time of the signal reaching the gate 27. Therefore, an increase in the load on the positive logic output terminal Q of the scan register 24 can be avoided, so that a significant increase in the delay time of the signal from the positive logic output terminal Q to the inverter 34 and the inverter 35 can be prevented.
【0159】なお、図7において、工程SC7を図8に
示した処理フローに置き換えない場合は、前段のスキャ
ンレジスタの出力端子のうちファンアウト数が最小とな
る出力端子と後段のスキャンレジスタのスキャンデータ
入力端子とが接続されるため、図24に示すスキャンレ
ジスタ23の各出力端子はファンアウト数が同一である
ので、先に検索された出力端子である正論理出力端子Q
を接続対象とするロジックとしても、この正論理出力端
子Qとスキャンレジスタ24のスキャンデータ入力端子
SIとが接続される以外は、同様のスキャンチェーン接
続となる。従って、スキャンレジスタ21の正論理出力
端子QからANDゲート26及びANDゲート27に至
る信号の遅延時間の著しい増大を防ぐと共に、スキャン
レジスタ24の正論理出力端子Qからインバータ34及
びインバータ35に至る信号の遅延時間の著しい増大を
防ぐことができる。In FIG. 7, when the process SC7 is not replaced with the processing flow shown in FIG. 8, the output terminal of the preceding scan register having the smallest fan-out number and the scanning of the subsequent scan register are selected. Since the output terminals of the scan register 23 shown in FIG. 24 have the same fan-out number because they are connected to the data input terminal, the positive logic output terminal Q which is the output terminal searched earlier is used.
Are connected in the same scan chain except that the positive logic output terminal Q and the scan data input terminal SI of the scan register 24 are connected. Accordingly, the delay time of the signal from the positive logic output terminal Q of the scan register 21 to the AND gate 26 and the AND gate 27 is prevented from significantly increasing, and the signal from the positive logic output terminal Q of the scan register 24 to the inverter 34 and the inverter 35 is prevented. Can be prevented from significantly increasing the delay time.
【0160】図9は、図8に示した前段のスキャンレジ
スタの各出力端子と後段のスキャンレジスタのスキャン
データ入力端子との基板上の直線距離を考慮して直線距
離が最小となる出力端子を選択する方法の代わりに、基
板上の配線距離を算出して配線距離が最小となる出力端
子を選択する方法を示したフローチャートである。図9
において、図8と同じ工程には同じ符号を付すことによ
り説明を省略する。図9に示すSC7gは接続対象とな
る候補リスト中の各出力端子と後段のスキャンレジスタ
のスキャンデータ入力端子との配線距離を計算する工
程、SC7hは配線距離が最小となる前段のスキャンレ
ジスタの出力端子を後段のスキャンレジスタのスキャン
データ入力端子に接続することを決定する工程である。FIG. 9 shows an output terminal having the minimum linear distance in consideration of the linear distance on the substrate between each output terminal of the preceding scan register and the scan data input terminal of the subsequent scan register shown in FIG. 6 is a flowchart illustrating a method of calculating a wiring distance on a substrate and selecting an output terminal having a minimum wiring distance instead of a method of selecting the output terminal. FIG.
In FIG. 8, the same steps as those in FIG. SC7g shown in FIG. 9 is a step of calculating the wiring distance between each output terminal in the candidate list to be connected and the scan data input terminal of the succeeding scan register, and SC7h is the output of the preceding scan register which minimizes the wiring distance. This is a step of deciding to connect a terminal to a scan data input terminal of a subsequent scan register.
【0161】以下、図7の工程SC7の代わりに図9に
示す処理方法を用いた場合の配線方法ついて説明する。Hereinafter, a description will be given of a wiring method when the processing method shown in FIG. 9 is used instead of the step SC7 of FIG.
【0162】図7に示す工程SC4において、スキャン
レジスタ23及びスキャンレジスタ24のペアを選択し
た際に、図9に示す工程SC7aにおいて、ファンアウ
ト数の差0を得る。次に、工程SC7bにおいて、ファ
ンアウト数の差が一定値αの0に等しいため、工程SC
7dに進むことを決定する。When a pair of the scan register 23 and the scan register 24 is selected in the step SC4 shown in FIG. 7, a difference 0 in the fan-out number is obtained in the step SC7a shown in FIG. Next, in step SC7b, since the difference in the number of fan-outs is equal to the fixed value α of 0,
Decide to go to 7d.
【0163】次に、工程SC7dにおいて、正論理出力
端子Q及び反転論理出力端子NQを接続対象の候補リス
トに登録した後、工程SC7gにおいて、候補リスト中
の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQと後段の
スキャンレジスタ24のスキャンデータ入力端子との配
線距離を計算する。正論理出力端子Q側の配線距離は6
0μmであり、反転論理出力端子NQ側の配線距離は5
0μmであるとする。Next, in step SC7d, after registering the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ in the candidate list to be connected, in step SC7g, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal in the candidate list are registered. The wiring distance between the NQ and the scan data input terminal of the subsequent scan register 24 is calculated. The wiring distance on the positive logic output terminal Q side is 6
0 μm, and the wiring distance on the inverted logic output terminal NQ side is 5 μm.
It is assumed that it is 0 μm.
【0164】次に、工程SC7hにおいて、配線距離が
最小である反転論理出力端子NQとスキャンレジスタ2
4のスキャンデータ入力端子SIとを接続することを決
定する。その結果、最終的な回路図は図24に示すスキ
ャンチェーン接続と同じ接続となる。Next, in step SC7h, the inverted logic output terminal NQ having the shortest wiring distance and the scan register 2
4 to be connected to the scan data input terminal SI. As a result, the final circuit diagram has the same connection as the scan chain connection shown in FIG.
【0165】従って、図24に示す配線43Cは、図2
6に示す従来の半導体集積回路の設計方法を適用した場
合に対応する配線43Zよりも、配線長を短くすること
ができるため、配線面積を削減できる。Therefore, the wiring 43C shown in FIG.
6, the wiring length can be made shorter than the wiring 43Z corresponding to the case where the conventional semiconductor integrated circuit design method shown in FIG. 6 is applied, so that the wiring area can be reduced.
【0166】また、スキャンレジスタ21の正論理出力
端子Qに対する負荷が増大しないため、スキャンレジス
タ21の正論理出力端子QからANDゲート26及びA
NDゲート27に至る信号の遅延時間の著しい増大を防
ぐと共に、スキャンレジスタ24の正論理出力端子Qに
対する負荷が増大しないため、スキャンレジスタ24の
正論理出力端子Qからインバータ34及びインバータ3
5に至る信号の遅延時間の著しい増大を防ぐことができ
る。Since the load on the positive logic output terminal Q of the scan register 21 does not increase, the AND gates 26 and A
Since the delay time of the signal reaching the ND gate 27 is prevented from significantly increasing and the load on the positive logic output terminal Q of the scan register 24 does not increase, the inverter 34 and the inverter 3 are connected from the positive logic output terminal Q of the scan register 24.
5 can be prevented from increasing significantly.
【0167】なお、本実施形態においては、一定値αの
値を0としたが、αの値を1以上の整数としても同様の
効果がある。In the present embodiment, the value of the constant value α is set to 0, but the same effect can be obtained by setting the value of α to an integer of 1 or more.
【0168】(第4の実施形態)以下、本発明の第4の
実施形態に係る半導体集積回路の設計方法を図面を参照
しながら説明する。図10は本発明の第4の実施形態に
係る半導体集積回路の設計方法を示すフローチャートで
ある。図10において、工程SD1〜SD4、SD8及
びSD9は図1において説明した工程SA1〜SA4、
SA8及びSA9にそれぞれ対応しており、対応する工
程はそれぞれ同一の内容である。SD5は前段のスキャ
ンレジスタの各出力端子に対する負荷容量をそれぞれ計
算する工程、SD6は前段のスキャンレジスタの各出力
端子のうち、負荷容量が最小となる出力端子を1つ選択
する工程、SD7は後段のスキャンレジスタのスキャン
データ入力端子に接続する前段のスキャンレジスタの出
力端子を決定する工程である。工程SD7においては前
の工程SD6により選択された前段のスキャンレジスタ
の出力端子を接続対象とする。(Fourth Embodiment) Hereinafter, a method for designing a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 10 is a flowchart showing a method for designing a semiconductor integrated circuit according to the fourth embodiment of the present invention. 10, steps SD1 to SD4, SD8 and SD9 correspond to steps SA1 to SA4 described in FIG.
SA8 and SA9 respectively correspond, and the corresponding steps have the same contents. SD5 is a step of calculating the load capacitance for each output terminal of the preceding scan register, SD6 is a step of selecting one of the output terminals of the preceding scan register that has the smallest load capacitance, and SD7 is a latter step. Is a step of determining the output terminal of the preceding scan register to be connected to the scan data input terminal of the scan register. In step SD7, the output terminal of the previous-stage scan register selected in the previous step SD6 is set as a connection target.
【0169】図11に示すフローチャートは、図10に
示す工程SD6において選択された負荷容量の最小値と
の差が一定値以内に収まる出力端子が存在する場合に、
各出力端子と後段のスキャンレジスタのスキャンデータ
入力端子との基板上の直線距離をさらに判定することに
より、負荷容量と共に配線面積をも低減させることを目
的とする。従って、図10に示す工程SD7を図11に
示すフローチャートに置き換えることによりこの目的が
達成される。The flowchart shown in FIG. 11 is based on the case where there is an output terminal whose difference from the minimum value of the load capacitance selected in step SD6 shown in FIG.
An object of the present invention is to further reduce the wiring area as well as the load capacitance by further determining the linear distance on the substrate between each output terminal and the scan data input terminal of the subsequent scan register. Therefore, this object is achieved by replacing the step SD7 shown in FIG. 10 with the flowchart shown in FIG.
【0170】図11において、SD7aは前段のスキャ
ンレジスタの出力端子のうちの負荷容量が最小となる出
力端子とその他の出力端子との負荷容量の差を計算する
工程、SD7bは工程SD7aにおいて算出した負荷容
量の差が一定値α以下となる前段のスキャンレジスタの
出力端子が、負荷容量が最小である出力端子を含めて複
数存在するか否かを判定する工程、SD7cは負荷容量
が最小となる前段のスキャンレジスタの出力端子を後段
のスキャンレジスタのスキャンデータ入力端子に接続す
ることを決定する工程、SD7dは工程SD7bの条件
を満たす前段のスキャンレジスタの出力端子を接続対象
とする候補リストに登録する工程、SD7eは候補リス
ト中の各出力端子と後段のスキャンレジスタのスキャン
データ入力端子との直線距離をそれぞれ計算する工程、
SD7fは直線距離が最小となる出力端子を後段のスキ
ャンレジスタのスキャンデータ入力端子に接続すること
を決定する工程である。ここで、最小の負荷容量の幅を
決定する一定値αを0.2pFとする。In FIG. 11, SD7a is a step of calculating the difference in load capacitance between the output terminal having the minimum load capacitance among the output terminals of the preceding scan register and the other output terminal, and SD7b is calculated in step SD7a. A step of determining whether there are a plurality of output terminals of the preceding scan register including the output terminal having the minimum load capacitance, in which the difference in load capacitance is equal to or smaller than the fixed value α, and SD7c having the minimum load capacitance A step of deciding to connect the output terminal of the preceding scan register to the scan data input terminal of the subsequent scan register; SD7d registers the output terminal of the preceding scan register satisfying the condition of step SD7b in a candidate list to be connected; SD7e is connected to each output terminal in the candidate list and the scan data input terminal of the subsequent scan register. Step of calculating straight line distances, respectively,
SD7f is a step of deciding to connect the output terminal with the shortest linear distance to the scan data input terminal of the subsequent scan register. Here, the constant value α that determines the width of the minimum load capacitance is 0.2 pF.
【0171】図24は図21に示す半導体集積回路に図
10及び図11に示す配置及び配線処理を実施して得ら
れた回路図である。図24は第3の実施形態において説
明をしたので各構成要素の説明を省略する。FIG. 24 is a circuit diagram obtained by performing the arrangement and wiring processing shown in FIGS. 10 and 11 on the semiconductor integrated circuit shown in FIG. FIG. 24 has been described in the third embodiment, and a description of each component will be omitted.
【0172】図21に示すスキャンチェーン生成前の半
導体集積回路に対して、図10及び図11に示した各工
程を順次実施することによりスキャンレジスタ同士が配
線される過程を説明する。まず、工程SD1において、
各スキャンレジスタの接続順をスキャンレジスタ21→
スキャンレジスタ22→スキャンレジスタ23→スキャ
ンレジスタ24→スキャンレジスタ25→スキャンアウ
ト端子37の順に接続するように指定する。A process in which the scan registers are wired by sequentially performing the steps shown in FIGS. 10 and 11 on the semiconductor integrated circuit before the generation of the scan chain shown in FIG. 21 will be described. First, in step SD1,
Change the connection order of each scan register to scan register 21 →
It is designated to connect in the order of the scan register 22 → the scan register 23 → the scan register 24 → the scan register 25 → the scan out terminal 37.
【0173】次に、工程SD2において、スキャンレジ
スタ21〜25、ANDゲート26〜32及びインバー
タ33〜35の配置を行なった後、工程SD3におい
て、スキャンレジスタ21〜25以外の各素子の配線処
理を行なう。Next, in step SD2, the scan registers 21 to 25, AND gates 26 to 32, and inverters 33 to 35 are arranged, and in step SD3, wiring processing for each element other than the scan registers 21 to 25 is performed. Do.
【0174】次に、工程SD4において、スキャンレジ
スタ21及びスキャンレジスタ22のペアを最初に選択
する。次に、工程SD5において、スキャンレジスタ2
1の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQに対す
る負荷容量をそれぞれ計算する。正論理出力端子QはA
NDゲート26及び27に接続されているため、負荷容
量は2.0pFとなり、反転論理出力端子NQはAND
ゲート28に接続されているため、負荷容量は0.7p
Fになるとする。Next, in step SD4, a pair of the scan register 21 and the scan register 22 is first selected. Next, in step SD5, scan register 2
The load capacitance for the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ is calculated. Positive logic output terminal Q is A
Since they are connected to the ND gates 26 and 27, the load capacitance is 2.0 pF and the inverted logic output terminal NQ is AND
Since it is connected to the gate 28, the load capacity is 0.7 p
Let it be F.
【0175】次に、工程SD6において、工程SD5の
計算結果から負荷容量が最小となる反転論理端子NQを
選択して、次の工程SD7において、図11に示す各処
理を順次実行する。Next, in step SD6, the inverting logic terminal NQ having the minimum load capacity is selected from the calculation result in step SD5, and in the next step SD7, the processes shown in FIG. 11 are sequentially executed.
【0176】まず、図11に示す工程SD7aにおい
て、スキャンレジスタ21の正論理出力端子Q及び反転
論理出力端子NQのうちの負荷容量の最小値との差を計
算して、計算結果として1.3pFを得る。First, in step SD7a shown in FIG. 11, the difference between the positive logical output terminal Q and the inverted logical output terminal NQ of the scan register 21 and the minimum value of the load capacitance is calculated, and the calculation result is 1.3 pF. Get.
【0177】次に、工程SD7bにおいて、負荷容量の
最小値との差が一定値αの0.2pFよりも大きいの
で、次に処理する工程を工程SC7cに決定する。Next, in step SD7b, since the difference from the minimum value of the load capacitance is larger than the fixed value α of 0.2 pF, the next processing step is determined as step SC7c.
【0178】工程SD7cにおいて、負荷容量が最小で
ある反転論理出力端子NQとスキャンレジスタ22のス
キャンデータ入力端子SIとを接続することを決定す
る。In step SD7c, it is determined that the inverted logic output terminal NQ having the smallest load capacitance is connected to the scan data input terminal SI of the scan register 22.
【0179】次に、図10に示す工程SD8に戻り、ス
キャンレジスタのペアはあとに4つが残っているので、
工程SD4に戻る。Next, returning to step SD8 shown in FIG. 10, the remaining four scan register pairs remain.
Return to step SD4.
【0180】次に、工程SD4において、スキャンレジ
スタ22及びスキャンレジスタ23のペアを選択する。Next, in step SD4, a pair of the scan register 22 and the scan register 23 is selected.
【0181】以下に示す[表4]は互いに隣接するスキ
ャンレジスタごとの前段のスキャンレジスタの正論理出
力端子Q及び反転論理出力端子NQに対する各負荷容量
の一覧である。ここで、負荷容量の単位はpFである。Table 4 below shows a list of load capacitances for the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the preceding scan register for each adjacent scan register. Here, the unit of the load capacity is pF.
【0182】[0182]
【表4】 [Table 4]
【0183】以下、工程SD5から工程SD8までの各
処理をスキャンレジスタ22及びスキャンレジスタ23
のペアに施すと、[表4]に示すように、スキャンレジ
スタ22の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
に対する負荷容量は、それぞれ0.5pF及び0pFで
あるため、負荷容量の差が0.5pFであり一定値αの
0.2pFよりも大きいので、接続対象の出力端子を負
荷容量が最小となる反転論理出力端子NQに決定する。Hereinafter, each processing from step SD5 to step SD8 is described by the scan register 22 and the scan register 23.
, The positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 22 as shown in [Table 4].
Are 0.5 pF and 0 pF, respectively, and the difference between the load capacitances is 0.5 pF, which is larger than the fixed value α of 0.2 pF. The logic output terminal NQ is determined.
【0184】次に、工程SD5から工程SD8までの各
処理をスキャンレジスタ23及びスキャンレジスタ24
のペアに施して、[表4]に示すように、スキャンレジ
スタ23の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
に対する負荷容量は、共に0.5pFであるため、図1
1に示す工程SD7bにおいて、負荷容量の差が0であ
り一定値αの0.2pFよりも小さいので、次に処理す
る工程を工程SD7dに決定する。Next, each processing from step SD5 to step SD8 is performed by the scan register 23 and the scan register 24.
And a positive logic output terminal Q and an inverted logic output terminal NQ of the scan register 23 as shown in [Table 4].
1 is 0.5 pF.
In step SD7b shown in FIG. 1, since the difference in load capacitance is 0 and smaller than the fixed value α of 0.2 pF, the next processing step is determined as step SD7d.
【0185】工程SD7dにおいて、スキャンレジスタ
23の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQを接
続対象の候補リストに登録した後、工程SD7eにおい
て、候補リスト中の正論理出力端子Q及び反転論理出力
端子NQと後段のスキャンレジスタ24のスキャンデー
タ入力端子との基板上の直線距離を計算する。正論理出
力端子Q側は40μmであり、反転論理出力端子NQ側
は35μmであるとする。その結果、次の工程SD7f
において、直線距離が最小である反転論理出力端子NQ
をスキャンレジスタ24のスキャンデータ入力端子に接
続することを決定する。After registering the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 23 in the candidate list to be connected in step SD7d, in step SD7e, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal in the candidate list are registered. The linear distance on the board between the terminal NQ and the scan data input terminal of the scan register 24 at the subsequent stage is calculated. It is assumed that the positive logic output terminal Q side is 40 μm and the inverted logic output terminal NQ side is 35 μm. As a result, the next step SD7f
, The inverted logic output terminal NQ having the shortest linear distance
Is connected to the scan data input terminal of the scan register 24.
【0186】次に、工程SD5から工程SD8までの各
処理をスキャンレジスタ24及びスキャンレジスタ25
のペアに施すと、[表4]に示すように、スキャンレジ
スタ24の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
に対する負荷容量は、それぞれ1.2pF及び0.5p
Fであるため、負荷容量の差が0.7pFとなり一定値
αの0.2pFよりも大きいので、接続対象の出力端子
を負荷容量が最小となる反転論理出力端子NQに決定す
る。Next, each processing from step SD5 to step SD8 is performed by the scan register 24 and the scan register 25.
, The positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 as shown in [Table 4].
Are 1.2 pF and 0.5 pF, respectively.
Since the load capacitance is F, the load capacitance difference is 0.7 pF, which is larger than the fixed value α of 0.2 pF. Therefore, the output terminal to be connected is determined to be the inverted logic output terminal NQ with the minimum load capacitance.
【0187】次に、工程SD5から工程SD8までの各
処理をスキャンレジスタ25及びスキャンアウト端子3
7のペアに施すと、[表4]に示すように、スキャンレ
ジスタ25の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子N
Qに対する負荷容量は、それぞれ0pF及び0.4pF
であるため、負荷容量の差が0.4pFとなり一定値α
の0.2pFよりも大きいので、接続対象の出力端子を
負荷容量が最小となる正論理出力端子Qに決定する。Next, each processing from step SD5 to step SD8 is performed by the scan register 25 and the scan-out terminal 3
7, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal N of the scan register 25 as shown in [Table 4].
The load capacitance for Q is 0 pF and 0.4 pF, respectively.
Therefore, the difference of the load capacitance becomes 0.4 pF and the constant value α
Therefore, the output terminal to be connected is determined to be the positive logic output terminal Q having the minimum load capacitance.
【0188】次に、工程SD8に進むと、スキャンレジ
スタのペアは全て処理済みであるので判定により、工程
SD9に進む。工程SD9では、工程SD7において接
続することが決定された前段のスキャンレジスタの出力
端子Q若しくはNQと後段のスキャンレジスタのスキャ
ンデータ入力端子SI又はスキャンアウト端子37との
間の各配線処理をそれぞれ行なって、図24に示す配線
41C〜45Cにより接続されたスキャンチェーンを生
成する。Next, in step SD8, since all pairs of scan registers have been processed, the flow proceeds to step SD9 by judgment. In step SD9, each wiring process is performed between the output terminal Q or NQ of the preceding scan register determined to be connected in step SD7 and the scan data input terminal SI or the scan out terminal 37 of the subsequent scan register. Thus, a scan chain connected by the wirings 41C to 45C shown in FIG. 24 is generated.
【0189】以上の配置及び配線処理により接続された
図24に示す配線43Cは、図26に示す従来の半導体
集積回路の設計方法を適用した場合に対応する配線43
Zよりも配線長が短くなるため、配線面積を削減でき
る。The wiring 43C shown in FIG. 24 connected by the above arrangement and wiring processing is a wiring 43C corresponding to the case where the conventional semiconductor integrated circuit design method shown in FIG. 26 is applied.
Since the wiring length is shorter than Z, the wiring area can be reduced.
【0190】また、スキャンレジスタ21は、正論理出
力端子Qよりも負荷容量が小さい反転論理出力端子NQ
を用いてスキャンレジスタ22と接続されるため、従来
の方法を適用した場合に較べてスキャンレジスタ21の
正論理出力端子Qの負荷が増大することを回避できるの
で、正論理出力端子QからANDゲート26及びAND
ゲート27に至る信号の遅延時間の著しい増大を防ぐこ
とができると共に、スキャンレジスタ24は、正論理出
力端子Qよりも負荷容量が小さい反転論理出力端子NQ
を用いてスキャンレジスタ25と接続されるため、スキ
ャンレジスタ24の正論理出力端子Qの負荷が増大する
ことを回避できるので、正論理出力端子Qからインバー
タ34及びインバータ35に至る信号の遅延時間の著し
い増大を防ぐことができる。The scan register 21 has an inverted logic output terminal NQ having a smaller load capacity than the positive logic output terminal Q.
Is connected to the scan register 22, so that the load on the positive logic output terminal Q of the scan register 21 can be prevented from increasing as compared with the case where the conventional method is applied. 26 and AND
A significant increase in the delay time of the signal reaching the gate 27 can be prevented, and the scan register 24 has an inverted logic output terminal NQ having a smaller load capacity than the positive logic output terminal Q.
, The load on the positive logic output terminal Q of the scan register 24 can be prevented from increasing, so that the delay time of the signal from the positive logic output terminal Q to the inverter 34 and the inverter 35 can be reduced. Significant increase can be prevented.
【0191】なお、図10において、工程SD7を図1
1に示した処理フローに置き換えない場合は、前段のス
キャンレジスタの出力端子に対する負荷容量が最小とな
る出力端子と後段のスキャンレジスタのスキャンデータ
入力端子とが接続されるため、図24に示すスキャンレ
ジスタ23の各出力端子の負荷容量が同値である場合
に、先に検索された出力端子である正論理出力端子Qを
接続対象とするロジックを採用したとしても、この正論
理出力端子Qとスキャンレジスタ24のスキャンデータ
入力端子SIとが接続される以外は、図24と同様のス
キャンチェーン接続となる。従って、スキャンレジスタ
21の正論理出力端子QからANDゲート26及びAN
Dゲート27に至る信号の遅延時間の著しい増大を防ぐ
ことができると共に、スキャンレジスタ24の正論理出
力端子Qからインバータ34及びインバータ35に至る
信号の遅延時間の著しい増大を防ぐことができる。In FIG. 10, step SD7 is performed as shown in FIG.
When the processing flow is not replaced with the processing flow shown in FIG. 1, since the output terminal of the output register of the preceding scan register that minimizes the load capacitance is connected to the scan data input terminal of the subsequent scan register, the scan shown in FIG. When the load capacity of each output terminal of the register 23 is the same value, even if a logic for connecting the positive logic output terminal Q which is the previously searched output terminal to the connection target is adopted, this positive logic output terminal Q and the scan The scan chain connection is the same as in FIG. 24 except that the scan data input terminal SI of the register 24 is connected. Accordingly, the AND gate 26 and the AN
The delay time of the signal reaching the D gate 27 can be prevented from significantly increasing, and the delay time of the signal reaching the inverter 34 and the inverter 34 from the positive logic output terminal Q of the scan register 24 can be prevented from increasing significantly.
【0192】図12は、図11に示した前段のスキャン
レジスタの各出力端子と後段のスキャンレジスタのスキ
ャンデータ入力端子との基板上の直線距離を考慮して直
線距離が最小となる出力端子を選択する方法の代わり
に、基板上の配線距離を算出して配線距離が最小となる
出力端子を選択する方法を示したフローチャートであ
る。図12において、図11と同じ工程には同じ符号を
付すことにより説明を省略する。図12に示すSD7g
は接続対象となる候補リスト中の各出力端子と後段のス
キャンレジスタのスキャンデータ入力端子との配線距離
を計算する工程、SD7hは配線距離が最小である前段
のスキャンレジスタの出力端子を後段のスキャンレジス
タのスキャンデータ入力端子に接続することを決定する
工程である。FIG. 12 shows an output terminal having a minimum linear distance in consideration of the linear distance on the board between each output terminal of the preceding scan register and the scan data input terminal of the subsequent scan register shown in FIG. 6 is a flowchart illustrating a method of calculating a wiring distance on a substrate and selecting an output terminal having a minimum wiring distance instead of a method of selecting the output terminal. 12, the same steps as those in FIG. 11 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. SD7g shown in FIG.
Is a step of calculating a wiring distance between each output terminal in the candidate list to be connected and the scan data input terminal of the subsequent scan register. SD7h is a step of scanning the output terminal of the preceding scan register having the shortest wiring distance by the subsequent scan register. This is a step of determining connection to the scan data input terminal of the register.
【0193】以下、図10の工程SD7の代わりに図1
2に示す処理方法を用いた場合の配線方法ついて説明す
る。Hereinafter, FIG. 1 is replaced with step SD7 in FIG.
The wiring method when the processing method shown in FIG. 2 is used will be described.
【0194】図10に示す工程SD4において、スキャ
ンレジスタ23及びスキャンレジスタ24のペアを選択
した際に、図12に示す工程SD7aにおいて、負荷容
量の差である0を得る。次に、工程SD7bにおいて、
負荷容量の差が一定値αの0.2pFよりも小さいの
で、工程SD7dに進むことを決定する。When the pair of the scan register 23 and the scan register 24 is selected in the step SD4 shown in FIG. 10, a difference 0 of the load capacity is obtained in the step SD7a shown in FIG. Next, in step SD7b,
Since the difference between the load capacities is smaller than the fixed value α of 0.2 pF, it is determined to proceed to step SD7d.
【0195】次に、工程SD7dにおいて、正論理出力
端子Q及び反転論理出力端子NQを接続対象の候補リス
トに登録した後、工程SD7gにおいて、接続対象の候
補リスト中の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子N
Qと後段のスキャンレジスタ24のスキャンデータ入力
端子との配線距離を計算する。正論理出力端子Q側の配
線距離は60μmであり、反転論理出力端子NQ側の配
線距離は50μmであるため、工程SD7hにおいて、
配線距離が最小である反転論理出力端子NQとスキャン
レジスタ24のスキャンデータ入力端子SIとを接続す
ることを決定する。その結果、最終的な回路は図24に
示すスキャンチェーン接続と同じ接続となる。Next, in step SD7d, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ are registered in the connection candidate list, and in step SD7g, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal Q in the connection candidate list are registered. Logic output terminal N
The wiring distance between Q and the scan data input terminal of the subsequent scan register 24 is calculated. Since the wiring distance on the positive logic output terminal Q side is 60 μm and the wiring distance on the inverted logic output terminal NQ side is 50 μm, in step SD7h,
It is determined that the inverted logic output terminal NQ having the shortest wiring distance is connected to the scan data input terminal SI of the scan register 24. As a result, the final circuit has the same connection as the scan chain connection shown in FIG.
【0196】従って、図24に示す配線43Cは、図2
6に示す従来の半導体集積回路の設計方法を適用した場
合に対応する配線43Zよりも、配線長を短くすること
ができるため、配線面積を削減できる。Therefore, the wiring 43C shown in FIG.
6, the wiring length can be made shorter than the wiring 43Z corresponding to the case where the conventional semiconductor integrated circuit design method shown in FIG. 6 is applied, so that the wiring area can be reduced.
【0197】また、スキャンレジスタ21の正論理出力
端子Qに対する負荷が増大しないため、スキャンレジス
タ21の正論理出力端子QからANDゲート26及びA
NDゲート27に至る信号の遅延時間の著しい増大を防
ぐと共に、スキャンレジスタ24の正論理出力端子Qに
対する負荷が増大しないため、スキャンレジスタ24の
正論理出力端子Qからインバータ34及びインバータ3
5に至る信号の遅延時間の著しい増大を防ぐことができ
る。Since the load on the positive logic output terminal Q of the scan register 21 does not increase, the AND gates 26 and A
Since the delay time of the signal reaching the ND gate 27 is prevented from significantly increasing and the load on the positive logic output terminal Q of the scan register 24 does not increase, the inverter 34 and the inverter 3 are connected from the positive logic output terminal Q of the scan register 24.
5 can be prevented from increasing significantly.
【0198】なお、本実施形態においては、一定値αの
値を0.2pFとしたが、αの値を0pF以上の数値と
しても同様の効果がある。In the present embodiment, the value of the constant value α is set to 0.2 pF, but the same effect can be obtained by setting the value of α to a value of 0 pF or more.
【0199】(第5の実施形態)以下、本発明の第5の
実施形態に係る半導体集積回路の設計方法を図面を参照
しながら説明する。図13は本発明の第5の実施形態に
係る半導体集積回路の設計方法を示すフローチャートで
ある。図13において、SE1はスキャンレジスタの接
続順を指定する工程、SE2は前段と後段とのスキャン
レジスタのペアを選択する工程、SE3は前段のスキャ
ンレジスタの各出力端子のうち駆動能力が最大である出
力端子を1つ選択する工程、SE4は後段のスキャンレ
ジスタのスキャンデータ入力端子に接続する前段のスキ
ャンレジスタの出力端子を決定する工程、SE5は全て
のスキャンレジスタのペアの処理が完了したか否かを判
定する工程、SE6は工程SE4において決定した端子
同士を接続して、スキャンチェーンを生成する工程であ
る。(Fifth Embodiment) Hereinafter, a method for designing a semiconductor integrated circuit according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 13 is a flowchart showing a method for designing a semiconductor integrated circuit according to the fifth embodiment of the present invention. In FIG. 13, SE1 is a step of designating the connection order of the scan registers, SE2 is a step of selecting a pair of scan registers of the preceding stage and the succeeding stage, and SE3 is a driving capability of the output terminal of the preceding stage of the scanning register which is the maximum. A step of selecting one output terminal; SE4, a step of determining an output terminal of the preceding scan register to be connected to the scan data input terminal of the subsequent scan register; SE5, whether or not processing of all pairs of the scan registers is completed SE6 is a step of connecting the terminals determined in step SE4 to generate a scan chain.
【0200】なお、本実施形態において用いる素子の駆
動能力は単位がns/pFで表わされ、この駆動能力が
大きいほど信号の伝搬時間が短くなるという性質を有す
るパラメータである。なお、この駆動能力はライブラリ
に掲載されている各素子ごとのデータを使用する。The driving capability of the element used in the present embodiment is a parameter expressed in units of ns / pF, and is a parameter having the property that the greater the driving capability, the shorter the signal propagation time. This driving capability uses data for each element listed in the library.
【0201】図24は図21に示す半導体集積回路に図
13に示す配置及び配線処理を実施して得られた回路図
である。図24は第3の実施形態において説明をしたの
で各構成要素の説明を省略する。FIG. 24 is a circuit diagram obtained by performing the arrangement and wiring processing shown in FIG. 13 on the semiconductor integrated circuit shown in FIG. FIG. 24 has been described in the third embodiment, and a description of each component will be omitted.
【0202】図21に示すスキャンチェーン生成前の半
導体集積回路に対して、図13に示した各工程を順次実
施することによりスキャンレジスタ同士が配線される過
程を説明する。まず、工程SD1において、各スキャン
レジスタの接続順をスキャンレジスタ21→スキャンレ
ジスタ22→スキャンレジスタ23→スキャンレジスタ
24→スキャンレジスタ25→スキャンアウト端子37
の順に接続するように指定する。A process in which the scan registers are wired by sequentially performing the steps shown in FIG. 13 on the semiconductor integrated circuit before the generation of the scan chains shown in FIG. 21 will be described. First, in step SD1, the connection order of each scan register is changed to scan register 21 → scan register 22 → scan register 23 → scan register 24 → scan register 25 → scan out terminal 37.
Specify to connect in order.
【0203】次に、工程SE2において、スキャンレジ
スタ21及びスキャンレジスタ22のペアを最初に選択
する。Next, in step SE2, a pair of the scan register 21 and the scan register 22 is first selected.
【0204】次に、工程SE3において、スキャンレジ
スタ21の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
のうちの駆動能力が大きい端子を選択する。例えば、本
実施形態におけるスキャンレジスタ21〜25はいずれ
も反転論理出力端子NQの方が正論理出力端子Qよりも
駆動能力が大きいとする。Next, in step SE3, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 21 are read.
Select the terminal having the larger driving capability. For example, in the scan registers 21 to 25 in the present embodiment, it is assumed that the driving capability of the inverted logic output terminal NQ is greater than that of the positive logic output terminal Q.
【0205】次に、工程SE4において、駆動能力が最
大である反転論理出力端子NQとスキャンレジスタ22
のスキャンデータ入力端子SIとを接続することを決定
する。Next, in step SE4, the inverted logic output terminal NQ having the maximum driving capability and the scan register 22 are connected.
Is determined to be connected to the scan data input terminal SI.
【0206】次に、工程SE5において、スキャンレジ
スタのペアはあとに4つ残っているので、工程SE2に
戻る。Next, in step SE5, since there are four remaining pairs of scan registers, the process returns to step SE2.
【0207】次に、工程SE2において、スキャンレジ
スタ22及びスキャンレジスタ23のペアを選択する。Next, in step SE2, a pair of the scan register 22 and the scan register 23 is selected.
【0208】以下、工程SE3から工程SE5までの各
処理をスキャンレジスタ22及びスキャンレジスタ23
のペアに施すと、スキャンレジスタ22の反転論理出力
端子NQの駆動能力のほうが正論理出力端子Qの駆動能
力よりも大きいため、接続対象の出力端子を反転論理出
力端子NQに決定する。Hereinafter, the processing from step SE3 to step SE5 will be referred to as scan register 22 and scan register 23.
, The drive capability of the inverted logic output terminal NQ of the scan register 22 is greater than the drive capability of the positive logic output terminal Q, and therefore the connection target output terminal is determined to be the inverted logic output terminal NQ.
【0209】次に、工程SE3から工程SE5までの各
処理をスキャンレジスタ23及びスキャンレジスタ24
のペア並びにスキャンレジスタ24及びスキャンレジス
タ25のペアにそれぞれ施すと、スキャンレジスタ23
及びスキャンレジスタ24の反転論理出力端子NQの各
駆動能力のほうが正論理出力端子Qの各駆動能力よりも
大きいため、接続対象の各出力端子を反転論理出力端子
NQにそれぞれ決定する。Next, each processing from step SE3 to step SE5 is performed by the scan register 23 and the scan register 24.
, And the pair of scan register 24 and scan register 25, respectively.
In addition, since each drive capability of the inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 is greater than each drive capability of the positive logic output terminal Q, each output terminal to be connected is determined as the inverted logic output terminal NQ.
【0210】次に、工程SE3から工程SE5までの各
処理をスキャンレジスタ25及びスキャンアウト端子3
7のペアに施すと、スキャンレジスタ25の反転論理出
力端子NQの駆動能力のほうが正論理出力端子Qの駆動
能力よりも大きいので、接続対象の出力端子を反転論理
出力端子NQに決定する。Next, each processing from step SE3 to step SE5 is performed by the scan register 25 and the scan-out terminal 3
7, the drive capability of the inverted logic output terminal NQ of the scan register 25 is greater than the drive capability of the positive logic output terminal Q, so the output terminal to be connected is determined as the inverted logic output terminal NQ.
【0211】次に、工程SE5に進むと、スキャンレジ
スタのペアは全て処理済みであるので、工程SE6に進
む。Next, in step SE5, all pairs of scan registers have been processed, so the flow proceeds to step SE6.
【0212】工程SE6において、工程SE4において
接続することが決定された前段のスキャンレジスタの出
力端子Q若しくはNQと後段のスキャンレジスタのスキ
ャンデータ入力端子SI又はスキャンアウト端子37と
の間の配線処理を行なって、図24に示す配線41C〜
45Cにより接続されたスキャンチェーンを生成する。In step SE6, the wiring process between the output terminal Q or NQ of the preceding scan register determined to be connected in step SE4 and the scan data input terminal SI or scan out terminal 37 of the subsequent scan register is performed. 24, the wirings 41C to 41C shown in FIG.
A scan chain connected by 45C is generated.
【0213】以上の配線処理により接続された図24に
示すスキャンレジスタ23は、正論理出力端子Qと反転
論理出力端子NQとの負荷容量が同一の値であっても、
駆動能力の大きい反転論理出力端子NQを用いてスキャ
ンレジスタ24のスキャンデータ入力端子SIと接続さ
れるため、スキャンレジスタ24の正論理出力端子Qの
負荷の増大を回避できるので、正論理出力端子QからA
NDゲート30に至る信号の遅延時間及び反転論理出力
端子NQからインバータ33に至る信号の遅延時間の増
加を防ぐことができる。In the scan register 23 shown in FIG. 24 connected by the above wiring processing, even if the load capacitances of the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ have the same value,
Since the inverted logic output terminal NQ having a large driving capability is connected to the scan data input terminal SI of the scan register 24, an increase in the load of the positive logic output terminal Q of the scan register 24 can be avoided. From A
It is possible to prevent the delay time of the signal reaching the ND gate 30 and the delay time of the signal reaching the inverter 33 from the inverted logic output terminal NQ from increasing.
【0214】図14に示すフローチャートは、図13に
示す工程SE3において前段のスキャンレジスタの各出
力端子のうち、駆動能力が最大である出力端子を選ぶ前
に、未接続の出力端子があるか否かを判定する工程SE
3Aと、接続の出力端子がある場合に、未接続の出力端
子のうちの駆動能力が最大である出力端子を1つ選ぶ工
程SE3Bとを付加したものである。これにより、前段
のスキャンレジスタの各出力端子に未接続の出力端子が
あるならば、前段のスキャンレジスタの駆動能力を判定
することなく確実にスキャンレジスタの信号の遅延時間
の増大を抑制することができる。The flowchart shown in FIG. 14 shows whether or not there is an unconnected output terminal before selecting the output terminal having the maximum driving capability among the output terminals of the preceding stage scan register in step SE3 shown in FIG. SE for determining whether
3A and a step SE3B of selecting one of the unconnected output terminals having the highest driving capability when there is a connected output terminal. Accordingly, if there is an unconnected output terminal at each output terminal of the preceding scan register, it is possible to reliably suppress the increase in the delay time of the signal of the scan register without determining the driving capability of the preceding scan register. it can.
【0215】図21に示すスキャンチェーン配線前の半
導体集積回路に対して、図14に示した各工程を実施し
た場合に、図13に示した配線過程との違いのみを説明
する。Only the differences from the wiring process shown in FIG. 13 when the respective steps shown in FIG. 14 are performed on the semiconductor integrated circuit before the scan chain wiring shown in FIG. 21 will be described.
【0216】スキャンレジスタ22及びスキャンレジス
タ23のペアにおいて、スキャンレジスタ22の未接続
の反転論理出力端子NQの駆動能力に関わらず、反転論
理出力端子NQが後段のスキャンレジスタ23のスキャ
ンデータ入力端子SIに接続されると共に、スキャンレ
ジスタ25及びスキャンアウト端子37のペアにおい
て、スキャンレジスタ25の未接続の正論理出力端子Q
の駆動能力に関わらず、正論理出力端子Qがスキャンア
ウト端子37に接続される。In the pair of the scan register 22 and the scan register 23, the inverted logic output terminal NQ is connected to the scan data input terminal SI of the subsequent scan register 23 regardless of the driving capability of the unconnected inverted logic output terminal NQ of the scan register 22. , And in the pair of the scan register 25 and the scan-out terminal 37, the unconnected positive logic output terminal Q
, The positive logic output terminal Q is connected to the scan-out terminal 37.
【0217】(第6の実施形態)以下、本発明の第6の
実施形態に係る半導体集積回路の設計方法を図面を参照
しながら説明する。まず、スキャンレジスタの1つの出
力端子から他のレジスタ、外部出力、ROM又はRAM
にまで到達する組合せ回路上の接続経路のうち、最も信
号の遅延時間の長い接続経路の遅延時間と1クロックの
サイクル時間との差を、スキャンレジスタの出力端子の
設計マージンと呼ぶことにする。また、本実施形態にお
いて、前段のスキャンレジスタの出力端子と後段のスキ
ャンレジスタのスキャンデータ入力端子との接続によ
る、前段のスキャンレジスタの出力端子の設計マージン
の減少量を、便宜上、一律に1nsとなると仮定する。
ここで、接続経路の信号の遅延時間はライブラリに登録
されている各素子の伝搬時間を積算した値とし、未接続
の出力端子の設計マージンの値は無限大とする。(Sixth Embodiment) Hereinafter, a method for designing a semiconductor integrated circuit according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, from one output terminal of the scan register to another register, external output, ROM or RAM
, The difference between the delay time of the connection path with the longest signal delay time and the cycle time of one clock among the connection paths on the combinational circuit reaching the above is called the design margin of the output terminal of the scan register. Further, in the present embodiment, the reduction in the design margin of the output terminal of the preceding scan register due to the connection between the output terminal of the preceding scan register and the scan data input terminal of the succeeding scan register is uniformly reduced to 1 ns for convenience. Suppose that
Here, the delay time of the signal on the connection path is a value obtained by integrating the propagation times of the elements registered in the library, and the value of the design margin of the unconnected output terminal is infinite.
【0218】図15は本発明の第6の実施形態に係る半
導体集積回路の設計方法を示すフローチャートである。
図15において、工程SF1〜SF4、SF8及びSF
9は図1において説明した工程SA1〜SA4、SA8
及びSA9にそれぞれ対応しており、対応する工程はそ
れぞれ同一の内容である。SF5は前段のスキャンレジ
スタの各出力端子の設計マージンをそれぞれ計算する工
程、SF6は前段のスキャンレジスタの各出力端子のう
ち、設計マージンが最大となる出力端子を1つ選択する
工程、SF7は後段のスキャンレジスタのスキャンデー
タ入力端子に接続する前段のスキャンレジスタの出力端
子を決定する工程である。工程SF7においては前の工
程SF6により選択された前段のスキャンレジスタの出
力端子を接続対象とする。FIG. 15 is a flowchart showing a method for designing a semiconductor integrated circuit according to the sixth embodiment of the present invention.
In FIG. 15, steps SF1 to SF4, SF8 and SF
Reference numeral 9 denotes steps SA1 to SA4 and SA8 described in FIG.
And SA9, and the corresponding steps have the same contents. SF5 is a step of calculating the design margin of each output terminal of the preceding scan register, SF6 is a step of selecting one of the output terminals of the preceding scan register that maximizes the design margin, and SF7 is a subsequent step. Is a step of determining the output terminal of the preceding scan register to be connected to the scan data input terminal of the scan register. In step SF7, the output terminal of the preceding scan register selected in the previous step SF6 is set as a connection target.
【0219】図24は図21に示す半導体集積回路に図
15に示す配置及び配線処理を実施して得られた回路図
である。図24は第3の実施形態において説明をしたの
で各構成要素の説明を省略する。FIG. 24 is a circuit diagram obtained by performing the arrangement and wiring processing shown in FIG. 15 on the semiconductor integrated circuit shown in FIG. FIG. 24 has been described in the third embodiment, and a description of each component will be omitted.
【0220】図21に示すスキャンチェーン生成前の半
導体集積回路に対して、図15に示した各工程を順次実
施することによりスキャンレジスタ同士が配線される過
程を説明する。まず、工程SF1において、各スキャン
レジスタの接続順をスキャンレジスタ21→スキャンレ
ジスタ22→スキャンレジスタ23→スキャンレジスタ
24→スキャンレジスタ25→スキャンアウト端子37
の順に接続するように指定する。A process in which the scan registers are wired by sequentially performing the steps shown in FIG. 15 on the semiconductor integrated circuit before the generation of the scan chains shown in FIG. 21 will be described. First, in step SF1, the connection order of each scan register is changed to scan register 21 → scan register 22 → scan register 23 → scan register 24 → scan register 25 → scan out terminal 37.
Specify to connect in order.
【0221】次に、工程SF2において、スキャンレジ
スタ21〜25、ANDゲート26〜32及びインバー
タ33〜35の配置を行なった後、工程SF3におい
て、スキャンレジスタ21〜25以外の各素子の配線処
理を行なう。Next, in step SF2, scan registers 21 to 25, AND gates 26 to 32, and inverters 33 to 35 are arranged, and in step SF3, wiring processing of each element other than scan registers 21 to 25 is performed. Do.
【0222】次に、工程SF4において、スキャンレジ
スタ21及びスキャンレジスタ22のペアを最初に選択
した後、次の工程SF5において、スキャンレジスタ2
1の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQの設計
マージンをそれぞれ計算する。正論理出力端子Qの設計
マージンは1nsとなり、反転論理出力端子NQの設計
マージンは3nsになるとする。Next, in step SF4, after the pair of the scan register 21 and the scan register 22 is first selected, in the next step SF5, the scan register 2 is selected.
The design margins of the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ are calculated. It is assumed that the design margin of the positive logic output terminal Q is 1 ns, and the design margin of the inverted logic output terminal NQ is 3 ns.
【0223】次に、工程SF6において、工程SF5の
計算結果から設計マージンの値が最大となる反転論理出
力端子NQを選択した後、次の工程SF7において、選
択された反転論理出力端子NQを後段のスキャンレジス
タ22のスキャンデータ入力端子SIに接続することを
決定する。Then, in step SF6, after selecting the inverted logic output terminal NQ having the maximum design margin value from the calculation result in step SF5, in the next step SF7, the selected inverted logic output terminal NQ is connected to the subsequent stage. Is determined to be connected to the scan data input terminal SI of the scan register 22.
【0224】次に、工程SF8において、スキャンレジ
スタのペアはあとに4つが残っているので、工程SF4
に戻る。Next, in step SF8, the remaining four scan register pairs remain.
Return to
【0225】次に、工程SF4において、スキャンレジ
スタ22及びスキャンレジスタ23のペアを選択する。Next, in step SF4, a pair of the scan register 22 and the scan register 23 is selected.
【0226】以下に示す[表5]は互いに隣接するスキ
ャンレジスタごとの前段のスキャンレジスタの正論理出
力端子Q及び反転論理出力端子NQの各設計マージンの
一覧である。ここで、設計マージンの単位はnsであ
る。Table 5 below shows a list of design margins of the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the preceding scan register for each adjacent scan register. Here, the unit of the design margin is ns.
【0227】[0227]
【表5】 [Table 5]
【0228】以下、工程SF5から工程SF8までの各
処理をスキャンレジスタ22及びスキャンレジスタ23
のペアに施すと、[表5]に示すように、スキャンレジ
スタ22の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
の設計マージンの値はそれぞれ4ns及び無限大である
ため、接続対象の出力端子を設計マージンが最大となる
反転論理出力端子NQに決定する。Hereinafter, each process from step SF5 to step SF8 will be referred to as scan register 22 and scan register 23.
, The positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 22 as shown in [Table 5].
Are 4 ns and infinity, respectively, so that the output terminal to be connected is determined to be the inverted logic output terminal NQ with the maximum design margin.
【0229】次に、工程SF5から工程SF8までの各
処理をスキャンレジスタ23及びスキャンレジスタ24
のペアに施すと、[表5]に示すように、スキャンレジ
スタ23の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
の設計マージンの値はそれぞれ2ns及び4nsである
ため、接続対象の出力端子を設計マージンが最大となる
反転論理出力端子NQに決定する。Next, each process from step SF5 to step SF8 is performed by the scan register 23 and the scan register 24.
, The positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 23 as shown in [Table 5].
Since the design margin values are 2 ns and 4 ns, respectively, the output terminal to be connected is determined to be the inverted logic output terminal NQ that maximizes the design margin.
【0230】次に、工程SF5から工程SF8までの各
処理をスキャンレジスタ24及びスキャンレジスタ25
のペアに施すと、[表5]に示すように、スキャンレジ
スタ24の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子NQ
の設計マージンの値はそれぞれ0.5ns及び2nsで
あるため、接続対象の出力端子を設計マージンが最大と
なる反転論理出力端子NQに決定する。Next, each processing from step SF5 to step SF8 is performed by the scan register 24 and the scan register 25.
, The positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 as shown in [Table 5].
Are 0.5 ns and 2 ns, respectively, so that the output terminal to be connected is determined to be the inverted logic output terminal NQ that maximizes the design margin.
【0231】次に、工程SF5から工程SF8までの各
処理をスキャンレジスタ25及びスキャンアウト端子3
7のペアに施すと、[表5]に示すように、スキャンレ
ジスタ25の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子N
Qの設計マージンの値はそれぞれ無限大及び5nsであ
るため、接続対象の出力端子を設計マージンが最大とな
る正論理出力端子Qに決定する。Next, each processing from step SF5 to step SF8 is performed by the scan register 25 and the scan-out terminal 3
7, a positive logic output terminal Q and an inverted logic output terminal N of the scan register 25 are provided as shown in [Table 5].
Since the design margin values of Q are infinity and 5 ns, respectively, the output terminal to be connected is determined to be the positive logic output terminal Q with the maximum design margin.
【0232】次に、スキャンレジスタのペアを全て処理
し終えたため、工程SF8における判定により次の工程
SF9に進む。Next, since all the pairs of scan registers have been processed, the flow advances to the next step SF9 based on the determination in step SF8.
【0233】工程SF9では、工程SF7において接続
することが決定された前段のスキャンレジスタの出力端
子Q若しくはNQと後段のスキャンレジスタのスキャン
データ入力端子SI又はスキャンアウト端子37との間
の各配線処理をそれぞれ行なって、図24に示す配線4
1C〜45Cにより接続されたスキャンチェーンを生成
する。In step SF9, each wiring process is performed between the output terminal Q or NQ of the preceding scan register determined to be connected in step SF7 and the scan data input terminal SI or scan out terminal 37 of the subsequent scan register. 24, respectively, to obtain the wiring 4 shown in FIG.
Generate scan chains connected by 1C to 45C.
【0234】本実施形態において、スキャンチェーン接
続による出力端子の設計マージンの減少量が1nsにな
ると仮定しているため、図24に示すスキャンチェーン
生成後のスキャンレジスタ21、スキャンレジスタ23
及びスキャンレジスタ24の反転論理出力端子NQの各
設計マージンの値は、それぞれ2ns、3ns及び1n
sとなる。In the present embodiment, since it is assumed that the amount of reduction in the design margin of the output terminal due to the scan chain connection is 1 ns, the scan registers 21 and 23 after the scan chain generation shown in FIG.
And the design margin values of the inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 are 2 ns, 3 ns, and 1 n, respectively.
s.
【0235】また、図26に示す従来の半導体集積回路
の設計方法によるスキャンチェーンの場合は、スキャン
レジスタ21、スキャンレジスタ23及びスキャンレジ
スタ24の正論理出力端子Qの各設計マージンの値は、
それぞれ0ns、1ns及び−0.5nsとなるため、
スキャンレジスタ21はマージンが全くなくなり、さら
にスキャンレジスタ24はタイミング上のバイオレーシ
ョンが発生してしまう。In the case of the scan chain according to the conventional semiconductor integrated circuit design method shown in FIG. 26, the value of each design margin of the positive logic output terminal Q of the scan register 21, scan register 23 and scan register 24 is
Since they are 0 ns, 1 ns, and -0.5 ns, respectively,
The scan register 21 has no margin, and the scan register 24 has a timing violation.
【0236】従って、本実施形態に示した半導体集積回
路の設計方法を用いると、スキャンチェーン接続による
タイミング制約上の問題が発生するのを防ぐことができ
る。Therefore, by using the method of designing a semiconductor integrated circuit described in the present embodiment, it is possible to prevent the problem of timing constraint due to scan chain connection from occurring.
【0237】また、スキャンチェーン接続による設計マ
ージンの減少量が1nsであるため、[表5]における
マージン量が1nsよりも大きい値を有する出力端子で
あれば、スキャンチェーン接続後も0nsよりも大きい
マージン量となって、同様の効果を得ることができるの
で、出力端子の選択に際し、必ずしもマージン量が最大
となる出力端子のみを選択する必要はない。Further, since the reduction amount of the design margin due to the scan chain connection is 1 ns, any output terminal whose margin amount in Table 5 is larger than 1 ns is larger than 0 ns even after the scan chain connection. Since the same effect can be obtained as the margin amount, it is not always necessary to select only the output terminal having the maximum margin amount when selecting the output terminal.
【0238】(第7の実施形態)以下、本発明の第7の
実施形態に係る半導体集積回路の設計方法を図面を参照
しながら説明する。本実施形態と第6の実施形態との違
いは、第6の実施形態においては、前段のスキャンレジ
スタの出力端子と後段のスキャンレジスタのスキャンデ
ータ入力端子との接続による、前段のスキャンレジスタ
の出力端子の設計マージンの減少量を一律に1nsと仮
定したが、本実施形態においては前段のスキャンレジス
タの出力端子と後段のスキャンレジスタのスキャンデー
タ入力端子とを接続させると仮定した場合の設計マージ
ンの減少量を計算により求めることとした。(Seventh Embodiment) Hereinafter, a method for designing a semiconductor integrated circuit according to a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The difference between the present embodiment and the sixth embodiment is that in the sixth embodiment, the output of the preceding scan register is connected to the output terminal of the preceding scan register and the scan data input terminal of the succeeding scan register. Although the amount of decrease in the design margin of the terminal is assumed to be 1 ns uniformly, in the present embodiment, the design margin of the case where the output terminal of the preceding scan register is connected to the scan data input terminal of the succeeding scan register is assumed. The reduction was determined by calculation.
【0239】図16は本発明の第7の実施形態に係る半
導体集積回路の設計方法を示すフローチャートである。
図16において、工程SG1〜SG4、SG8及びSG
9は図1において説明した工程SA1〜SA4、SA8
及びSA9にそれぞれ対応しており、対応する工程はそ
れぞれ同一の内容である。SG5Aはスキャンレジスタ
の出力端子を1つ選択する工程、SG5Bは工程SG5
Aにおいて選択された出力端子と後段のスキャンレジス
タのスキャンデータ入力端子とを接続する工程、SG5
Cは工程SG5Bにおいて接続された出力端子の設計マ
ージンを計算する工程、SG5Dは選択中のスキャンレ
ジスタの全ての出力端子の計算が終了したか否かを判定
する工程、SG6は前段のスキャンレジスタの各出力端
子のうち、設計マージンが最大となる出力端子を1つ選
択する工程、SG7は後段のスキャンレジスタのスキャ
ンデータ入力端子と接続する前段のスキャンレジスタの
出力端子を決定する工程である。工程SG7においては
前の工程SG6により選択された前段のスキャンレジス
タの出力端子を接続対象とする。FIG. 16 is a flowchart showing a method for designing a semiconductor integrated circuit according to the seventh embodiment of the present invention.
In FIG. 16, steps SG1 to SG4, SG8 and SG
Reference numeral 9 denotes steps SA1 to SA4 and SA8 described in FIG.
And SA9, and the corresponding steps have the same contents. SG5A is a step of selecting one output terminal of the scan register, and SG5B is a step of selecting SG5.
Connecting the output terminal selected in A to the scan data input terminal of the subsequent scan register, SG5
C is a step of calculating the design margin of the output terminal connected in step SG5B, SG5D is a step of determining whether or not calculation of all output terminals of the selected scan register is completed, and SG6 is a step of determining whether the calculation of the preceding scan register is completed. SG1 is a step of selecting one of the output terminals having the maximum design margin, and SG7 is a step of determining an output terminal of the preceding scan register to be connected to the scan data input terminal of the subsequent scan register. In step SG7, the output terminal of the preceding scan register selected in the previous step SG6 is set as a connection target.
【0240】図24は図21に示す半導体集積回路に図
16に示す配置及び配線処理を実施して得られた回路図
である。図24は第3の実施形態において説明をしたの
で各構成要素の説明を省略する。FIG. 24 is a circuit diagram obtained by performing the arrangement and wiring processing shown in FIG. 16 on the semiconductor integrated circuit shown in FIG. FIG. 24 has been described in the third embodiment, and a description of each component will be omitted.
【0241】図21に示すスキャンチェーン生成前の半
導体集積回路に対して、図16に示した各工程を順次実
施することによりスキャンレジスタ同士が配線される過
程を説明する。まず、工程SG1において、各スキャン
レジスタの接続順をスキャンレジスタ21→スキャンレ
ジスタ22→スキャンレジスタ23→スキャンレジスタ
24→スキャンレジスタ25→スキャンアウト端子37
の順に接続するように指定する。A process in which the scan registers are wired by sequentially performing the steps shown in FIG. 16 on the semiconductor integrated circuit before the generation of the scan chain shown in FIG. 21 will be described. First, in step SG1, the connection order of the scan registers is changed to scan register 21, scan register 22, scan register 23, scan register 24, scan register 25, and scan out terminal 37.
Specify to connect in order.
【0242】次に、工程SG2において、スキャンレジ
スタ21〜25、ANDゲート26〜32及びインバー
タ33〜35の配置を行なった後、工程SG3におい
て、スキャンレジスタ21〜25以外の各素子の配線処
理を行なう。Next, in step SG2, the scan registers 21 to 25, AND gates 26 to 32, and inverters 33 to 35 are arranged, and in step SG3, wiring processing for each element other than the scan registers 21 to 25 is performed. Do.
【0243】次に、工程SG4において、スキャンレジ
スタ21及びスキャンレジスタ22のペアを最初に選択
した後、次の工程SG5Aにおいて、スキャンレジスタ
21の正論理出力端子Qを選択する。Next, in step SG4, after the pair of the scan register 21 and the scan register 22 is first selected, the positive logic output terminal Q of the scan register 21 is selected in the next step SG5A.
【0244】次に、工程SG5Bにおいて、選択された
正論理出力端子Qとスキャンレジスタ22のスキャンデ
ータ入力端子SIとを接続したと仮定して、次の工程S
G5Cにおいて、スキャンレジスタ21の正論理出力端
子Qの設計マージンを計算する。その結果、正論理出力
端子Qの設計マージンは1nsになるとする。Next, in step SG5B, assuming that the selected positive logic output terminal Q and the scan data input terminal SI of the scan register 22 have been connected, the next step S5B
In G5C, the design margin of the positive logic output terminal Q of the scan register 21 is calculated. As a result, it is assumed that the design margin of the positive logic output terminal Q is 1 ns.
【0245】次に、工程SG5Dの判定処理において、
未処理の反転論理出力端子NQが残っているので、工程
SG5Aに戻る。Next, in the determination process of step SG5D,
Since the unprocessed inverted logic output terminal NQ remains, the process returns to step SG5A.
【0246】工程SG5Aにおいて、反転論理出力端子
NQを選択した後、工程SG5Bにおいて、反転論理出
力端子NQとスキャンレジスタ22のスキャンデータ入
力端子SIとを接続してみる。In step SG5A, after selecting the inverted logic output terminal NQ, in step SG5B, the inverted logic output terminal NQ is connected to the scan data input terminal SI of the scan register 22.
【0247】次に、工程SG5Cにおいて、接続したと
仮定したスキャンレジスタ21の反転論理出力端子NQ
の設計マージンを計算して、その設計マージンは3ns
になるとする。Next, in step SG5C, the inverted logic output terminal NQ of the scan register 21 assumed to be connected
Is calculated, and the design margin is 3 ns.
And
【0248】次に、工程SG5Dの判定処理において、
未処理の出力端子がなくなるので、工程SG6に進む。Next, in the determination process of step SG5D,
Since there are no unprocessed output terminals, the process proceeds to step SG6.
【0249】次に、工程SG6において、工程SG5C
の計算結果から設計マージンの値が最大となる反転論理
出力端子NQを選択した後、次の工程SG7において、
選択された反転論理出力端子NQを後段のスキャンレジ
スタ22のスキャンデータ入力端子SIに接続すること
を決定する。Next, in step SG6, step SG5C
After selecting the inverted logic output terminal NQ at which the value of the design margin is maximum from the calculation result in step SG7, in the next step SG7,
It is determined that the selected inverted logic output terminal NQ is to be connected to the scan data input terminal SI of the subsequent scan register 22.
【0250】次に、工程SG8において、スキャンレジ
スタのペアはあとに4つが残っているので、工程SG4
に戻る。Next, in step SG8, since the remaining four scan register pairs remain, the process proceeds to step SG4.
Return to
【0251】次に、工程SG4において、スキャンレジ
スタ22及びスキャンレジスタ23のペアを選択する。
以下に示す[表6]は互いに隣接するスキャンレジスタ
ごとの前段のスキャンレジスタの正論理出力端子Q又は
反転論理出力端子NQを後段のスキャンレジスタのスキ
ャンデータ入力端子に接続した場合を仮定して算出した
各設計マージンの一覧である。設計マージンの単位はn
sである。Next, in step SG4, a pair of the scan register 22 and the scan register 23 is selected.
[Table 6] shown below is calculated on the assumption that the positive logic output terminal Q or the inverted logic output terminal NQ of the preceding scan register is connected to the scan data input terminal of the subsequent scan register for each adjacent scan register. It is a list of the respective design margins. The unit of the design margin is n
s.
【0252】[0252]
【表6】 [Table 6]
【0253】以下、工程SG5Aから工程SG8までの
各処理をスキャンレジスタ22及びスキャンレジスタ2
3のペアに施すと、[表6]に示すように、スキャンレ
ジスタ22の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子N
Qの設計マージンの値はそれぞれ3ns及び無限大にな
るため、接続対象の出力端子を設計マージンが最大とな
る反転論理出力端子NQに決定する。Hereinafter, each process from step SG5A to step SG8 will be referred to as scan register 22 and scan register 2
3, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal N of the scan register 22 as shown in [Table 6].
Since the design margin value of Q becomes 3 ns and infinity, respectively, the output terminal to be connected is determined to be the inverted logic output terminal NQ with the maximum design margin.
【0254】次に、工程SG5Aから工程SG8までの
各処理をスキャンレジスタ23及びスキャンレジスタ2
4のペアに施すと、[表6]に示すように、スキャンレ
ジスタ23の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子N
Qの設計マージンの値はそれぞれ1ns及び3nsにな
るため、接続対象の出力端子を設計マージンが最大とな
る反転論理出力端子NQに決定する。Next, each process from step SG5A to step SG8 is performed by the scan register 23 and the scan register 2
4, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal N of the scan register 23 as shown in [Table 6].
Since the design margin values of Q are 1 ns and 3 ns, respectively, the output terminal to be connected is determined as the inverted logic output terminal NQ with the maximum design margin.
【0255】次に、工程SG5Aから工程SG8までの
各処理をスキャンレジスタ24及びスキャンレジスタ2
5のペアに施すと、[表6]に示すように、スキャンレ
ジスタ24の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子N
Qの設計マージンの値はそれぞれ−0.5ns及び1n
sになるため、接続対象の出力端子を設計マージンが最
大となる反転論理出力端子NQに決定する。Next, each processing from step SG5A to step SG8 is performed by the scan register 24 and the scan register 2
5, the positive logic output terminal Q and the inverted logic output terminal N of the scan register 24 as shown in [Table 6].
The design margin values of Q are -0.5 ns and 1 n, respectively.
Therefore, the output terminal to be connected is determined to be the inverted logic output terminal NQ that maximizes the design margin.
【0256】次に、工程SG5Aから工程SG8までの
各処理をスキャンレジスタ25及びスキャンアウト端子
37のペアに施すと、[表6]に示すように、スキャン
レジスタ25の正論理出力端子Q及び反転論理出力端子
NQの設計マージンの値はそれぞれ無限大及び3nsに
なるため、接続対象の出力端子を設計マージンが最大と
なる正論理出力端子Qに決定する。Next, when the processes from step SG5A to step SG8 are performed on the pair of the scan register 25 and the scan-out terminal 37, as shown in [Table 6], the positive logic output terminal Q of the scan register 25 and the inverted Since the design margin values of the logic output terminal NQ are infinite and 3 ns, respectively, the output terminal to be connected is determined as the positive logic output terminal Q having the largest design margin.
【0257】次に、スキャンレジスタのペアを全て処理
し終えたため、工程SG8における判定により次の工程
SG9に進む。Next, since all the pairs of scan registers have been processed, the flow advances to the next step SG9 based on the judgment in the step SG8.
【0258】工程SG9では、工程SG7において接続
することが決定された前段のスキャンレジスタの出力端
子Q若しくはNQと後段のスキャンレジスタのスキャン
データ入力端子SI又はスキャンアウト端子37との間
の各配線処理をそれぞれ行なって、図24に示す配線4
1C〜45Cにより接続されたスキャンチェーンを生成
する。In step SG9, each wiring process between the output terminal Q or NQ of the preceding scan register determined to be connected in step SG7 and the scan data input terminal SI or scan out terminal 37 of the succeeding scan register. 24, respectively, to obtain the wiring 4 shown in FIG.
Generate scan chains connected by 1C to 45C.
【0259】本実施形態において、図24に示すスキャ
ンチェーン生成後のスキャンレジスタ21、スキャンレ
ジスタ23及びスキャンレジスタ24の反転論理出力端
子NQの各設計マージンの値は、それぞれ2ns、3n
s及び1nsとなる。In this embodiment, the values of the design margins of the scan register 21, scan register 23, and inverted logic output terminal NQ of the scan register 24 after the generation of the scan chain shown in FIG.
s and 1 ns.
【0260】また、図26に示す従来の半導体集積回路
の設計方法によるスキャンチェーンの場合は、スキャン
レジスタ21、スキャンレジスタ23及びスキャンレジ
スタ24の正論理出力端子Qの各設計マージンの値は、
それぞれ0ns、1ns及び−0.5nsとなるため、
スキャンレジスタ21はマージンが全くなくなり、さら
にスキャンレジスタ24はタイミング上のバイオレーシ
ョンが発生してしまう。In the case of the scan chain according to the conventional semiconductor integrated circuit design method shown in FIG. 26, the value of each design margin of the positive logic output terminal Q of the scan register 21, scan register 23 and scan register 24 is
Since they are 0 ns, 1 ns, and -0.5 ns, respectively,
The scan register 21 has no margin, and the scan register 24 has a timing violation.
【0261】従って、本実施形態に示した半導体集積回
路の設計方法を用いると、前段のスキャンレジスタの各
出力端子と後段のスキャンレジスタの入力端子とを接続
したと仮定して、前段のスキャンレジスタの設計マージ
ンを算出しているため、スキャンチェーン接続によるタ
イミング制約上の問題がさらに生じにくくなる。Therefore, when the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the present embodiment is used, it is assumed that each output terminal of the preceding scan register is connected to the input terminal of the succeeding scan register, and the preceding scan register is connected. Since the design margin is calculated, the problem of the timing constraint due to the scan chain connection is less likely to occur.
【0262】また、スキャンチェーン接続後の設計マー
ジン量を表わす[表6]におけるマージン量が0nsよ
りも大きい値となる出力端子であれば、同様の効果を得
られるので、出力端子の選択に際し、必ずしもマージン
量が最大となる出力端子のみを選択する必要はない。In addition, if the output terminal has a margin amount larger than 0 ns in Table 6 showing the design margin amount after the scan chain connection, the same effect can be obtained. It is not always necessary to select only the output terminal having the largest margin.
【0263】(第8の実施形態)以下、本発明の第8の
実施形態に係る半導体集積回路の設計方法を図面を参照
しながら説明する。図17は本発明の第8の実施形態に
係る半導体集積回路の設計方法を示すフローチャートで
ある。図17において、SH1はスキャンレジスタの接
続順を指定する工程、SH2は前段と後段とのスキャン
レジスタのペアを選択する工程、SH3は前段のスキャ
ンレジスタの出力端子のうち、スキャンデータ入力端子
から出力端子に至るまでの遅延値が最大の出力端子を1
つ選択する工程、SH4は後段のスキャンレジスタのス
キャンデータ入力端子に接続する前段のスキャンレジス
タの出力端子を決定する工程、SH5は全てのスキャン
レジスタのペアの処理が完了したか否かを判定する工
程、SH6は工程SH4において決定した端子同士を接
続して、スキャンチェーンを生成する工程である。な
お、工程SH2においては、最後段のスキャンレジスタ
とスキャンアウト端子のペアも、スキャンチェーン中の
スキャンレジスタのペアとして扱う。(Eighth Embodiment) Hereinafter, a method of designing a semiconductor integrated circuit according to an eighth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 17 is a flowchart showing a method for designing a semiconductor integrated circuit according to the eighth embodiment of the present invention. In FIG. 17, SH1 is a step of designating the connection order of the scan registers, SH2 is a step of selecting a pair of scan registers of the previous stage and the subsequent stage, and SH3 is an output terminal from the scan data input terminal among the output terminals of the previous stage scan register The output terminal with the largest delay value to the terminal
SH4 is a step of determining the output terminal of the preceding scan register to be connected to the scan data input terminal of the subsequent scan register, and SH5 is determining whether or not the processing of all the pairs of scan registers is completed. Step SH6 is a step of connecting the terminals determined in step SH4 to generate a scan chain. In step SH2, the pair of the scan register and the scan-out terminal at the last stage is also treated as the pair of scan registers in the scan chain.
【0264】図18及び19は図22に示す回路におけ
るスキャンレジスタ22〜24の各端子の信号変化を示
したタイミングチャートである。22.SIはスキャン
レジスタ22のスキャンデータ入力端子SIの信号変化
を表わし、22.CK、23.CK及び24.CKはそ
れぞれスキャンレジスタ22,23,24のクロック入
力端子の信号変化を表わし、22.NQ、23.NQ及
び24.NQはそれぞれスキャンレジスタ22,23,
24の反転論理出力端子NQの信号変化を表わし、2
2.Q、23.Q及び24.Qはそれぞれスキャンレジ
スタ22,23,24の正論理出力端子Qの信号変化を
表わす。図21において、スキャンレジスタ21,2
2,25はマクロセルAが用いられ、スキャンレジスタ
23,24はマクロセルBが用いられているとする。マ
クロセルA及びマクロセルBはいずれも論理的には図2
0に示すスキャンレジスタである。マクロセルAはSI
端子から入力される信号のQ端子又はNQ端子までの遅
延値がそれぞれ3nsと1nsとであり、マクロセルB
はSI端子から入力される信号のQ端子又はNQ端子ま
での遅延値がそれぞれ1nsと3nsとである。なお、
本実施形態においては便宜上、各配線には遅延がないも
のとして説明をする。FIGS. 18 and 19 are timing charts showing signal changes at the terminals of the scan registers 22 to 24 in the circuit shown in FIG. 22. SI indicates a signal change at the scan data input terminal SI of the scan register 22; CK, 23. CK and 24. CK represents a signal change at the clock input terminals of the scan registers 22, 23, and 24, respectively. NQ, 23. NQ and 24. NQs are scan registers 22, 23, respectively.
24 indicates a signal change at the inverted logic output terminal NQ,
2. Q, 23. Q and 24. Q represents a signal change at the positive logic output terminal Q of the scan registers 22, 23, 24, respectively. In FIG. 21, scan registers 21 and
It is assumed that macrocells A and 2 are used for macrocells A and macrocells B are used for scan registers 23 and 24. Both macrocell A and macrocell B are logically shown in FIG.
0 is a scan register. Macrocell A is SI
The delay value of the signal input from the terminal to the Q terminal or the NQ terminal is 3 ns and 1 ns, respectively.
Indicates that the delay value of the signal input from the SI terminal to the Q terminal or the NQ terminal is 1 ns and 3 ns, respectively. In addition,
In the present embodiment, for the sake of convenience, the description will be made assuming that each wiring has no delay.
【0265】図22は図21に示す配線前の半導体集積
回路に図17に示す処理を施した後の回路図であり、図
22に示す41A〜45Aはスキャンチェーンを接続す
る配線を示している。FIG. 22 is a circuit diagram after the processing shown in FIG. 17 has been performed on the semiconductor integrated circuit before the wiring shown in FIG. 21. Reference numerals 41A to 45A shown in FIG. 22 indicate wiring connecting the scan chains. .
【0266】図21の半導体集積回路に対して、まず、
工程SH1において、スキャンレジスタ接続順をスキャ
ンレジスタ21→スキャンレジスタ22→スキャンレジ
スタ23→スキャンレジスタ24→スキャンレジスタ2
5の順に接続するように指定する。次に、工程SH2に
おいて、スキャンレジスタ21とスキャンレジスタ22
とのペアを選択する。次に、工程SH3において、スキ
ャンレジスタ21の出力端子Q,NQのうち、SI端子
から入力される信号の遅延値が3nsで最大の出力端子
Qを選択する。次に、工程SH4において、工程SH3
で選択されたスキャンレジスタ21の出力端子Qとスキ
ャンレジスタ22のSI端子とを接続することを決定す
る。次に、工程SH5において、まだスキャンレジスタ
のペアは(22,23)、(23,24)、(24,2
5)及び(25,スキャンアウト端子37)の計4つが
残っているため、工程SH2に進む。For the semiconductor integrated circuit of FIG. 21, first,
In step SH1, the connection order of the scan registers is changed to scan register 21 → scan register 22 → scan register 23 → scan register 24 → scan register 2
Specify to connect in the order of 5. Next, in step SH2, the scan register 21 and the scan register 22
Select a pair with Next, in step SH3, the output terminal Q having the maximum delay value of 3 ns of the signal input from the SI terminal is selected from the output terminals Q and NQ of the scan register 21. Next, in Step SH4, Step SH3
It is determined that the output terminal Q of the scan register 21 selected in the step 2 is connected to the SI terminal of the scan register 22. Next, in step SH5, the pairs of scan registers are still (22, 23), (23, 24), (24, 2).
Since a total of four (5) and (25, scan-out terminal 37) remain, the process proceeds to step SH2.
【0267】工程SH2において、スキャンレジスタ2
2,23のペアを選択する。次に、工程SH3におい
て、スキャンレジスタ22の出力端子Q,NQのうち、
SI端子から入力される信号の遅延値が3nsで最大の
出力端子Qを選択する。次に、工程SH4において、工
程SH3で選択されたスキャンレジスタ22の出力端子
Qとスキャンレジスタ23のSI端子とを接続すること
を決定する。次に、工程SH5において、スキャンレジ
スタのペアは(23,24)、(24,25)及び(2
5,スキャンアウト端子37)が残っているので、工程
SH2に進む。In step SH2, scan register 2
Select 2,23 pairs. Next, in step SH3, of the output terminals Q and NQ of the scan register 22,
The maximum output terminal Q is selected when the delay value of the signal input from the SI terminal is 3 ns. Next, in step SH4, it is determined that the output terminal Q of the scan register 22 selected in step SH3 is connected to the SI terminal of the scan register 23. Next, in step SH5, the scan register pairs are (23, 24), (24, 25) and (2).
5, since the scan-out terminal 37) remains, the process proceeds to step SH2.
【0268】同様に、スキャンレジスタ23,24のペ
アにおいては、スキャンレジスタ23の出力端子NQと
スキャンレジスタ24のSI端子とを接続することが決
定され、スキャンレジスタ24,25のペアにおいて
は、スキャンレジスタ24の出力端子NQとスキャンレ
ジスタ25のSI端子とを接続することが決定され、ス
キャンレジスタ25とスキャンアウト端子37とのペア
においては、スキャンレジスタ25の出力端子Qとスキ
ャンアウト端子37とを接続することが決定される。そ
の後、工程SH5において、スキャンレジスタのペアは
すべて処理済みとなるので、工程SH6に進む。Similarly, in the pair of scan registers 23 and 24, it is determined that the output terminal NQ of the scan register 23 and the SI terminal of the scan register 24 are connected. It is determined that the output terminal NQ of the register 24 is connected to the SI terminal of the scan register 25. In the pair of the scan register 25 and the scan-out terminal 37, the output terminal Q of the scan register 25 and the scan-out terminal 37 are connected. It is decided to connect. Thereafter, in step SH5, all the pairs of scan registers have been processed, so the process proceeds to step SH6.
【0269】工程SH6において、工程SH4において
接続が決定された出力端子と、後段のスキャンレジスタ
のSI端子又はスキャンアウト端子37との間の配線処
理を実行し、スキャンチェーン接続を行なう。In step SH6, a wiring process is performed between the output terminal determined to be connected in step SH4 and the SI terminal or the scan-out terminal 37 of the subsequent scan register to perform scan chain connection.
【0270】以上の操作により、スキャンレジスタ22
のSI端子から入力される信号のスキャンレジスタ23
のSI端子への遅延時間は、図26に示す従来方法によ
り得られる回路が1nsであるのに対して、本実施例で
は3nsとなり、従来方法よりもクロック信号のスキュ
ーによるタイミングの問題を抑制できる。同様に、スキ
ャンレジスタ23のSI端子から入力される信号のスキ
ャンレジスタ24のSI端子に至る遅延時間、スキャン
レジスタ24のSI端子から入力される信号のスキャン
レジスタ25のSI端子に至る遅延時間も、図26に示
す従来方法により得られる回路が1nsであるのに対し
て、本実施形態においてはそれぞれ3nsとなるので、
クロック信号のばらつきによるタイミングの問題を抑制
することができる。なお、各スキャンレジスタに入力さ
れるスキャンデータが遅延したとしても、クロック信号
が入力された時点での該スキャンデータが取り込まれる
ため、スキャンデータの取りこぼし等の不具合が生じる
ことはない。By the above operation, scan register 22
Scan register 23 for signals input from SI terminal
The delay time to the SI terminal is 3 ns in the present embodiment while the circuit obtained by the conventional method shown in FIG. 26 is 1 ns, and the timing problem due to the skew of the clock signal can be suppressed as compared with the conventional method. . Similarly, the delay time of a signal input from the SI terminal of the scan register 23 to the SI terminal of the scan register 24 and the delay time of a signal input from the SI terminal of the scan register 24 to the SI terminal of the scan register 25 are The circuit obtained by the conventional method shown in FIG. 26 is 1 ns, whereas in the present embodiment, it is 3 ns.
Timing problems due to variations in clock signals can be suppressed. Note that even if the scan data input to each scan register is delayed, the scan data at the time when the clock signal is input is fetched, so that a problem such as missing of the scan data does not occur.
【0271】以下、具体的に、タイミングチャートに基
づいて説明する。図18はスキャンレジスタ22〜24
のクロック入力端子にクロック信号が到達する時間にば
らつきが存在しない理想的な場合におけるタイミングチ
ャートである。スキャンレジスタ22のスキャンデータ
入力端子22.SIには前段のスキャンレジスタ21の
Q端子からクロックに同期して1→0→1が入力されて
いるとする。スキャンレジスタ22のQ端子、スキャン
レジスタ23のNQ端子及びスキャンレジスタ24のN
Q端子の信号は、それぞれクロック信号が入力された後
に3ns遅れて取り込んだデータを後段のスキャンレジ
スタのSI端子に出力する。従って、クロック信号の3
周期後のスキャンレジスタ22のQ端子、スキャンレジ
スタ23のNQ端子、スキャンレジスタ24のNQ端子
の信号は、入力されたデータが各クロックごとにスキャ
ンレジスタ22〜24にシフトされるので、それぞれ
1,0,0となる。Hereinafter, a specific description will be given based on a timing chart. FIG. 18 shows scan registers 22 to 24.
4 is a timing chart in an ideal case where there is no variation in the time when the clock signal reaches the clock input terminal of FIG. Scan data input terminal 22. It is assumed that 1 → 0 → 1 is input to SI from the Q terminal of the scan register 21 at the preceding stage in synchronization with the clock. The Q terminal of the scan register 22, the NQ terminal of the scan register 23, and the N terminal of the scan register 24
As the signal at the Q terminal, the data fetched with a delay of 3 ns after the input of the clock signal is output to the SI terminal of the subsequent scan register. Therefore, the clock signal 3
The signals at the Q terminal of the scan register 22, the NQ terminal of the scan register 23, and the NQ terminal of the scan register 24 after the cycle are set to 1 because the input data is shifted to the scan registers 22 to 24 for each clock. 0,0.
【0272】図19はスキャンレジスタ23にクロック
信号が到達する時間がスキャンレジスタ22,24にク
ロック信号が到達する時間よりも2ns遅れた場合を示
すタイミングチャートである。この場合に、スキャンレ
ジスタ22のQ端子はスキャンレジスタ22のクロック
信号に3ns遅れて変化するため、スキャンレジスタ2
3のSI端子にはスキャンレジスタ23のクロック信号
よりも1ns遅れてデータが入力されることになり、変
化したばかりの次のデータが取り込まれることはない。
その結果、クロック信号の3周期後のスキャンレジスタ
22のQ端子、スキャンレジスタ23のNQ端子及びス
キャンレジスタ24のNQ端子の信号は、それぞれ1,
0,0となり正常に動作する。FIG. 19 is a timing chart showing a case where the time when the clock signal reaches the scan register 23 is delayed by 2 ns from the time when the clock signal reaches the scan registers 22 and 24. In this case, the Q terminal of the scan register 22 changes with a delay of 3 ns from the clock signal of the scan register 22, so that the scan register 2
Data is input to the SI terminal 3 with a delay of 1 ns from the clock signal of the scan register 23, and the next data that has just changed is not taken in.
As a result, the signals at the Q terminal of the scan register 22, the NQ terminal of the scan register 23, and the NQ terminal of the scan register 24 after three cycles of the clock signal are 1, respectively.
It becomes 0,0 and operates normally.
【0273】このように、本実施例においては従来方法
よりもクロック信号のばらつきに対するタイミングの問
題を発生しにくくできる。As described above, in this embodiment, the timing problem with respect to the variation of the clock signal can be less likely to occur than in the conventional method.
【0274】なお、本実施例においては正論理出力端子
Qと反転論理出力端子NQの2つの出力端子を有するス
キャンレジスタを用いて説明したが、正論理出力端子Q
と反転論理出力端子NQ以外に、例えば、スキャンデー
タ出力用端子のような出力端子を含め3つ以上の出力端
子を有するスキャンレジスタに対しても同様の効果を得
ることができる。Although the present embodiment has been described using a scan register having two output terminals, a positive logic output terminal Q and an inverted logic output terminal NQ, the positive logic output terminal Q
Similar effects can be obtained for a scan register having three or more output terminals including an output terminal such as a scan data output terminal in addition to the inverted logic output terminal NQ.
【0275】また、クロックのばらつき量2ns以上の
遅延値を有する出力端子であれば同様の効果を得られる
ため、必ずしも遅延値が最大の出力端子でなくてもよ
い。Further, as long as the output terminal has a delay value of 2 ns or more in clock variation, the same effect can be obtained, so that the output terminal does not necessarily have to have the maximum delay value.
【0276】また、スキャンレジスタのSI端子から各
出力端子までの信号の遅延値はライブラリに掲載されて
いるデータを用いるが、図20に示すデータ入力端子1
1から各出力端子までの信号の遅延値であってもよい。The delay value of the signal from the SI terminal of the scan register to each output terminal uses the data described in the library, but the data input terminal 1 shown in FIG.
It may be a delay value of a signal from 1 to each output terminal.
【0277】[0277]
【0278】[0278]
【0279】 請求項1の発明に係る半導体集積回路の
設計方法によると、第1の記憶素子の出力端子と第2の
記憶素子のスキャンデータ入力端子とが最短の直線距離
により接続されるため、第1及び第2の記憶素子同士の
配線が短縮されるので、配線面積を低減できる。その
上、第1の記憶素子の各出力端子に接続されているうち
のファンアウト数が最小の出力端子を選んで配線するた
め、通常動作モード時における回路の負荷容量の増加が
回避されるので、信号の遅延時間が増大するのを抑える
ことができる。[0279] According to a method of designing a semiconductor integrated circuit according to the invention of claim 1, an output terminal and a second of the first storage element
Shortest linear distance from the scan data input terminal of the storage element
Connected between the first and second storage elements.
Since the wiring is shortened, the wiring area can be reduced. That
In addition, since the output terminal having the smallest fan-out number connected to each output terminal of the first storage element is selected and wired, an increase in the load capacitance of the circuit in the normal operation mode is avoided. An increase in signal delay time can be suppressed.
【0280】 請求項2の発明に係る半導体集積回路の
設計方法によると、第1の記憶素子の出力端子と第2の
記憶素子のスキャンデータ入力端子とが最短の直線距離
により接続されるため、第1及び第2の記憶素子同士の
配線が短縮されるので、配線面積を低減できる。その
上、第1の記憶素子の各出力端子に接続されているうち
の負荷容量が最小の出力端子を選んで配線するため、通
常動作モード時における回路の負荷容量の増加が回避さ
れるので、信号の遅延時間が増大するのを抑えることが
できる。According to the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the second aspect of the present invention, the output terminal of the first storage element is connected to the second terminal.
Shortest linear distance from the scan data input terminal of the storage element
Connected between the first and second storage elements.
Since the wiring is shortened, the wiring area can be reduced. That
In addition, since the output terminal connected to each output terminal of the first storage element and having the smallest load capacitance is selected and wired, an increase in the load capacitance of the circuit in the normal operation mode is avoided. Can be suppressed from increasing.
【0281】[0281]
【0282】 請求項3の発明に係る半導体集積回路の
設計方法によると、第1の記憶素子の出力端子と第2の
記憶素子のスキャンデータ入力端子とが最短の配線距離
により接続されるため、第1及び第2の記憶素子同士の
配線が確実に短縮されるので、配線面積を一層低減でき
る。その上、第1の記憶素子の各出力端子に接続されて
いるうちのファンアウト数が最小の出力端子を選んで配
線するため、通常動作モード時における回路の負荷容量
の増加が回避されるので、信号の遅延時間が増大するの
を抑えることができる。[0282] According to a method of designing a semiconductor integrated circuit according to the invention of claim 3, the output terminal and the second of the first storage element
Shortest wiring distance to scan data input terminal of storage element
Connected between the first and second storage elements.
Since the wiring is reliably shortened, the wiring area can be further reduced.
You. In addition, since the output terminal having the smallest fanout number among the output terminals connected to each output terminal of the first storage element is selected and wired, an increase in the load capacitance of the circuit in the normal operation mode is avoided. In addition, it is possible to suppress an increase in signal delay time.
【0283】 請求項4の発明に係る半導体集積回路の
設計方法によると、前記請求項3の発明に係る半導体集
積回路の設計方法の効果が得られる上に、第1の記憶素
子の各出力端子に接続されているうちの負荷容量が最小
の出力端子を選んで配線するため、通常動作モード時に
おける回路の負荷容量の増加が回避されるので、信号の
遅延時間が増大するのを抑えることができる。According to the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the fourth aspect of the present invention, the effect of the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the third aspect of the present invention can be obtained, and each output terminal of the first storage element can be obtained. Since the output terminal with the smallest load capacity is selected and wired, the increase in the load capacity of the circuit in the normal operation mode is avoided, so that it is possible to suppress the increase in the signal delay time. it can.
【0284】 請求項5の発明に係る半導体集積回路の
設計方法によると、第1の記憶素子の各出力端子に接続
されているうちのファンアウト数が最小の出力端子を選
んで配線するため、通常動作モード時における回路の負
荷容量の増加が回避されるので、信号の遅延時間が増大
するのを抑えることができる。According to the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the fifth aspect of the present invention, among the output terminals connected to each output terminal of the first storage element, the output terminal having the smallest fan-out number is selected and wired. Since an increase in the load capacitance of the circuit in the normal operation mode is avoided, an increase in the signal delay time can be suppressed.
【0285】 請求項6の発明に係る半導体集積回路の
設計方法によると、前記請求項5の発明に係る半導体集
積回路の設計方法の効果が得られる上に、第1の記憶素
子の出力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ入力端
子とが最短の直線距離により接続されるため、第1及び
第2の記憶素子同士の配線が短縮されるので、配線面積
を低減できる。[0285] According to a method of designing a semiconductor integrated circuit according to the invention of claim 6, on the effect of the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the invention of claim 5 is obtained, and an output terminal of the first storage element Since the scan data input terminal of the second storage element is connected with the shortest linear distance, the wiring between the first and second storage elements is shortened, so that the wiring area can be reduced.
【0286】 請求項7の発明に係る半導体集積回路の
設計方法によると、前記請求項5の発明に係る半導体集
積回路の設計方法の効果が得られる上に、第1の記憶素
子の出力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ入力端
子とが最短の配線距離により接続されるため、第1及び
第2の記憶素子同士の配線が確実に短縮されるので、配
線面積をさらに低減できる。According to the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the seventh aspect of the present invention, the effect of the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the fifth aspect of the present invention can be obtained, and the output terminal of the first storage element can be used. Since the scan data input terminal of the second storage element is connected with the shortest wiring distance, the wiring between the first and second storage elements is reliably reduced, so that the wiring area can be further reduced.
【0287】[0287]
【0288】 請求項8の発明に係る半導体集積回路の
設計方法によると、第1の記憶素子の各出力端子に接続
されているうちの負荷容量が最小の出力端子を選んで配
線するため、通常動作モード時における回路の負荷容量
の増加が回避されるので、信号の遅延時間が増大するの
を抑えることができる。According to the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the eighth aspect of the present invention, the output terminal connected to each output terminal of the first storage element with the smallest load capacitance is selected and wired. Since an increase in the load capacitance of the circuit in the operation mode is avoided, it is possible to suppress an increase in signal delay time.
【0289】 請求項9の発明に係る半導体集積回路の
設計方法によると、前記請求項8の発明に係る半導体集
積回路の設計方法の効果が得られる上に、第1の記憶素
子の出力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ入力端
子とが最短の直線距離により接続されるため、第1及び
第2の記憶素子同士の配線が短縮されるので、配線面積
を低減できる。According to the method of designing a semiconductor integrated circuit of the ninth aspect of the present invention, the effect of the method of designing a semiconductor integrated circuit of the eighth aspect of the present invention can be obtained, and the output terminal of the first storage element can be used. Since the scan data input terminal of the second storage element is connected with the shortest linear distance, the wiring between the first and second storage elements is shortened, so that the wiring area can be reduced.
【0290】 請求項10の発明に係る半導体集積回路
の設計方法によると、前記請求項8の発明に係る半導体
集積回路の設計方法の効果が得られる上に、第1の記憶
素子の出力端子と第2の記憶素子のスキャンデータ入力
端子とが最短の配線距離により接続されるため、第1及
び第2の記憶素子同士の配線が確実に短縮されるので、
配線面積をさらに低減できる。According to the semiconductor integrated circuit design method of the tenth aspect , the effect of the semiconductor integrated circuit design method of the eighth aspect can be obtained, and the output terminal of the first storage element and Since the scan data input terminal of the second storage element is connected with the shortest wiring distance, the wiring between the first and second storage elements is reliably shortened.
The wiring area can be further reduced.
【0291】 請求項11の発明に係る半導体集積回路
の設計方法によると、第1の記憶素子の各出力端子に接
続されているうちの駆動能力が最大の出力端子を選んで
配線するため、同一の負荷容量の端子であっても遅延時
間が短くなるので、信号の遅延時間が増大するのを抑え
ることができる。According to the semiconductor integrated circuit designing method of the eleventh aspect of the present invention, the output terminal having the largest driving capability among the output terminals connected to each output terminal of the first storage element is selected and wired. Since the delay time is shortened even with the terminal having the load capacitance of, the increase in the delay time of the signal can be suppressed.
【0292】 請求項12の発明に係る半導体集積回路
の設計方法によると、第1の記憶素子の各出力端子に接
続されているうちの駆動能力が最大の出力端子を選んで
配線する上に、未接続の出力端子を優先して接続するた
め、信号の遅延時間が増大するのを確実に抑止できる。According to the semiconductor integrated circuit designing method of the twelfth aspect of the present invention, the output terminal having the largest driving capability among the output terminals connected to each output terminal of the first storage element is selected and wired. Since the unconnected output terminal is preferentially connected, an increase in signal delay time can be reliably suppressed.
【0293】 請求項13又は14の発明に係る半導体
集積回路の設計方法によると、第1の記憶素子の各出力
端子に接続されているうちの設計マージンが最大の出力
端子を選んで配線するため、信号の遅延時間が増大する
のを抑止することができるので、動作上のタイミングに
関わる問題の発生が生じにくくなる。According to the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the thirteenth or fourteenth aspect , the output terminal having the largest design margin among the output terminals connected to each output terminal of the first storage element is selected and wired. In addition, since it is possible to suppress an increase in the delay time of a signal, it is unlikely that a problem relating to an operation timing occurs.
【0294】 請求項15又は16の発明に係る半導体
集積回路の設計方法によると、前記請求項13又は14
の発明に係る半導体集積回路の設計方法の効果が得られ
る上に、第1の記憶素子の各出力端子に接続されている
うちの設計マージンを、第1の記憶素子の各出力端子を
第2の記憶素子にそれぞれ接続させたと仮定して算出し
た後、そのうちの最大の設計マージンを選んで配線する
ため、信号の遅延時間が増大するのを確実に抑止するこ
とができるので、動作上のタイミングに関わる問題の発
生がさらに生じにくくなる。According to the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the invention of claim 15 or 16 , the method of claim 13 or 14 is provided.
In addition to obtaining the effect of the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the invention, the design margin of the connection to each output terminal of the first storage element is reduced by the second output terminal of the first storage element. After calculating assuming that they are connected to the respective storage elements, the maximum design margin is selected and wired, so that it is possible to reliably suppress an increase in signal delay time. Is less likely to occur.
【0295】 請求項17の発明に係る半導体集積回路
の設計方法によると、第1の記憶素子のスキャンデータ
入力端子から入力された信号の遅延値が最大となる該第
1の記憶素子の出力端子と第2の記憶素子のスキャンデ
ータ入力端子とが接続されるため、第2の記憶素子のス
キャンデータ入力端子にはデータが遅れて入力される。
その結果、スキャンチェーン上におけるクロックスキュ
ーによるデータ破壊を抑制することができる。According to the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the seventeenth aspect , the output terminal of the first storage element at which the delay value of the signal input from the scan data input terminal of the first storage element becomes maximum. Is connected to the scan data input terminal of the second storage element, so that data is input to the scan data input terminal of the second storage element with a delay.
As a result, data destruction due to clock skew on the scan chain can be suppressed.
【0296】 請求項18の発明に係る半導体集積回路
の設計方法によると、前記請求項19の発明に係る半導
体集積回路の設計方法の効果が得られる上に、第1の記
憶素子のスキャンデータ入力端子から入力された信号の
遅延値が所定量以上となる該第1の記憶素子の出力端子
と第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とが接続さ
れるため、出力端子の選択の幅を広げることができる。According to the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the eighteenth aspect of the present invention, the effect of the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the nineteenth aspect of the present invention can be obtained, and the scan data input of the first storage element can be performed. Since the output terminal of the first storage element and the scan data input terminal of the second storage element, where the delay value of the signal input from the terminal is equal to or more than a predetermined amount, are connected, the range of selection of the output terminal is expanded. be able to.
【図1】本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路
の設計方法を示すフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart illustrating a method for designing a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路
の設計方法におけるファンアウト数を判定する処理を示
すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart showing a process of determining the number of fan-outs in the method for designing a semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路
の設計方法における負荷容量を判定する処理を示すフロ
ーチャートである。FIG. 3 is a flowchart illustrating a process of determining a load capacitance in the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路
の設計方法を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart illustrating a method for designing a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路
の設計方法におけるファンアウト数を判定する処理を示
すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart illustrating a process of determining the number of fan-outs in a method for designing a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路
の設計方法における負荷容量を判定する処理を示すフロ
ーチャートである。FIG. 6 is a flowchart illustrating a process of determining a load capacitance in a method of designing a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第3の実施形態に係る半導体集積回路
の設計方法を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart illustrating a method of designing a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第3の実施形態に係る半導体集積回路
の設計方法における端子間の直線距離を判定する処理を
示すフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart illustrating a process of determining a linear distance between terminals in a method of designing a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第3の実施形態に係る半導体集積回路
の設計方法における端子間の配線距離を判定する処理を
示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart illustrating a process of determining a wiring distance between terminals in a method of designing a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention.
【図10】本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回
路の設計方法を示すフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart illustrating a method of designing a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回
路の設計方法における端子間の直線距離を判定する処理
を示すフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart illustrating a process of determining a linear distance between terminals in a method for designing a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
【図12】本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回
路の設計方法における端子間の配線距離を判定する処理
を示すフローチャートである。FIG. 12 is a flowchart illustrating a process of determining a wiring distance between terminals in a method of designing a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
【図13】本発明の第5の実施形態に係る半導体集積回
路の設計方法を示すフローチャートである。FIG. 13 is a flowchart illustrating a method of designing a semiconductor integrated circuit according to a fifth embodiment of the present invention.
【図14】本発明の第5の実施形態に係る半導体集積回
路の設計方法における未接続の出力端子を判定する処理
を示すフローチャートである。FIG. 14 is a flowchart illustrating a process of determining an unconnected output terminal in a method for designing a semiconductor integrated circuit according to a fifth embodiment of the present invention.
【図15】本発明の第6の実施形態に係る半導体集積回
路の設計方法を示すフローチャートである。FIG. 15 is a flowchart illustrating a method of designing a semiconductor integrated circuit according to a sixth embodiment of the present invention.
【図16】本発明の第7の実施形態に係る半導体集積回
路の設計方法を示すフローチャートである。FIG. 16 is a flowchart showing a method for designing a semiconductor integrated circuit according to a seventh embodiment of the present invention.
【図17】本発明の第8の実施形態に係る半導体集積回
路の設計方法を示すフローチャートである。FIG. 17 is a flowchart illustrating a method of designing a semiconductor integrated circuit according to an eighth embodiment of the present invention.
【図18】本発明の第8の実施形態に係る半導体集積回
路におけるクロック信号の理想的なタイミングチャート
である。FIG. 18 is an ideal timing chart of a clock signal in a semiconductor integrated circuit according to an eighth embodiment of the present invention.
【図19】本発明の第8の実施形態に係る半導体集積回
路におけるクロック信号にばらつきが生じた場合のタイ
ミングチャートである。FIG. 19 is a timing chart when a variation occurs in a clock signal in a semiconductor integrated circuit according to an eighth embodiment of the present invention.
【図20】スキャンテストを行なうためのスキャンレジ
スタを示す回路図である。FIG. 20 is a circuit diagram showing a scan register for performing a scan test.
【図21】スキャンチェーン生成前の半導体集積回路を
示す図である。FIG. 21 is a diagram showing a semiconductor integrated circuit before a scan chain is generated.
【図22】本発明の第1又は第8の実施形態に係る半導
体集積回路の設計方法を用いて得られる回路図である。FIG. 22 is a circuit diagram obtained by using the semiconductor integrated circuit designing method according to the first or eighth embodiment of the present invention.
【図23】本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回
路の設計方法を用いて得られる回路図である。FIG. 23 is a circuit diagram obtained by using the method for designing a semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention.
【図24】本発明の第3〜7の実施形態に係る半導体集
積回路の設計方法を用いて得られる回路図である。FIG. 24 is a circuit diagram obtained by using the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the third to seventh embodiments of the present invention.
【図25】従来の半導体集積回路の設計方法を示すフロ
ーチャートである。FIG. 25 is a flowchart showing a conventional method of designing a semiconductor integrated circuit.
【図26】従来の半導体集積回路の設計方法を用いて得
られる回路図である。FIG. 26 is a circuit diagram obtained by using a conventional semiconductor integrated circuit design method.
【図27】従来の半導体集積回路におけるクロック信号
の理想的なタイミングチャートである。FIG. 27 is an ideal timing chart of a clock signal in a conventional semiconductor integrated circuit.
【図28】従来の半導体集積回路におけるクロック信号
にばらつきが生じた場合のタイミングチャートである。FIG. 28 is a timing chart when a clock signal in a conventional semiconductor integrated circuit varies.
【符号の説明】 10 スキャンレジスタ 11 データ入力端子 12 スキャンデータ入力端子 13 クロック端子 14 入力切替端子 15 正論理出力端子 16 反転論理出力端子 20A 配置配線領域 20B 形成領域 21 スキャンレジスタ 22 スキャンレジスタ 23 スキャンレジスタ 24 スキャンレジスタ 25 スキャンレジスタ 26 ANDゲート 27 ANDゲート 28 ANDゲート 29 ANDゲート 30 ANDゲート 31 ANDゲート 32 ANDゲート 33 インバータ 34 インバータ 35 インバータ 36 スキャンイン端子 37 スキャンアウト端子 SI スキャンデータ入力端子 Q 正論理出力端子 NQ 反転論理出力端子[Description of Signs] 10 scan register 11 data input terminal 12 scan data input terminal 13 clock terminal 14 input switching terminal 15 positive logic output terminal 16 inverted logic output terminal 20A layout wiring area 20B formation area 21 scan register 22 scan register 23 scan register 24 scan register 25 scan register 26 AND gate 27 AND gate 28 AND gate 29 AND gate 30 AND gate 31 AND gate 32 AND gate 33 inverter 34 inverter 35 inverter 36 scan-in terminal 37 scan-out terminal SI scan data input terminal Q positive logic output Terminal NQ Inverted logic output terminal
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/822 H01L 21/82 W 27/04 27/04 T (56)参考文献 特開 平7−152812(JP,A) 特開 平9−69117(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 31/28 G06F 17/50 H01L 21/82 H01L 21/822 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI H01L 21/822 H01L 21/82 W 27/04 27/04 T (56) References JP-A-7-152812 (JP, A) JP-A-9-69117 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01R 31/28 G06F 17/50 H01L 21/82 H01L 21/822
Claims (18)
における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の各出力端子と前記第2の記憶素子
のスキャンデータ入力端子との基板上の直線距離をそれ
ぞれ計算する距離計算工程と、 前記直線距離のうちの最小値を求めて、該最小値と該最
小値以外の直線距離とを比較する距離比較工程と、 前記最小値と該最小値以外の直線距離との差が所定値以
下となる前記第1の記憶素子の出力端子がある場合に、
前記直線距離が最小となる前記第1の記憶素子の出力端
子と、前記直線距離の最小値との差が所定値以下となる
前記第1の記憶素子の出力端子とのファンアウト数をそ
れぞれ計算する計算工程と、 前記計算工程において算出した前記第1の記憶素子の出
力端子のうち、前記ファンアウト数が最小となる前記出
力端子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子
に接続する端子と決定し、前記最小値と該最小値以外の
直線距離との差が所定値以下となる前記第1の記憶素子
の出力端子がない場合には前記直線距離が最小となる前
記第1の記憶素子の出力端子を前記第2の記憶素子のス
キャンデータ入力端子に接続する端子と決定し、前記決
定した端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力
端子とを接続する接続工程とを備えていることを特徴と
する半導体集積回路の設計方法。An output terminal of the first storage element having a plurality of output terminals; and an output terminal of a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting a scan data input terminal, wherein a linear distance on a substrate between each output terminal of the first storage element and the scan data input terminal of the second storage element is calculated. A distance calculation step of calculating a minimum value of the linear distances, and a distance comparison step of comparing the minimum value with a linear distance other than the minimum value; and a linear distance other than the minimum value and the minimum value. When there is an output terminal of the first storage element in which the difference is equal to or less than a predetermined value,
Calculate the number of fan-outs between the output terminal of the first storage element where the linear distance is minimum and the output terminal of the first storage element where the difference between the minimum value of the linear distance is equal to or less than a predetermined value. Calculating the output terminal of the first storage element calculated in the calculation step, the output terminal having the smallest fan-out number is the scan data input terminal of the second storage element.
Is determined as a terminal to be connected to the minimum value and the minimum value and a value other than the minimum value.
The first storage element, wherein a difference from the linear distance is equal to or less than a predetermined value
If there is no output terminal, before the straight line distance becomes minimum
The output terminal of the first storage element is connected to the switch of the second storage element.
Determine the terminal to be connected to the scan data input terminal, and
A connection step of connecting a fixed terminal and a scan data input terminal of the second storage element.
における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の各出力端子と前記第2の記憶素子
のスキャンデータ入力端子との基板上の直線距離をそれ
ぞれ計算する距離計算工程と、 前記直線距離のうちの最小値を求めて、該最小値と該最
小値以外の直線距離とを比較する距離比較工程と、 前記最小値と該最小値以外の直線距離との差が所定値以
下となる前記第1の記憶素子の出力端子がある場合に、
前記直線距離が最小となる前記第1の記憶素子の出力端
子と、前記直線距離の最小値との差が所定値以下となる
前記第1の記憶素子の出力端子に対する負荷容量をそれ
ぞれ計算する容量計算工程と、 前記容量計算工程において算出した前記第1の記憶素子
の出力端子のうち、前記負荷容量が最小となる前記出力
端子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子に
接続する端子と決定し、前記最小値と該最小値以外の直
線距離との差が所定値以下となる前記第1の記憶素子の
出力端子がない場合には前記直線距離が最小となる前記
第1の記憶素子の出力端子を前記第2の記憶素子のスキ
ャンデータ入力端子に接続する端子と決定し、前記決定
した端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端
子とを接続する接続工程とを備えていることを特徴とす
る半導体集積回路の設計方法。2. The method according to claim 1, wherein one of the plurality of output terminals in the first storage element having a plurality of output terminals and a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting a scan data input terminal, wherein a linear distance on a substrate between each output terminal of the first storage element and the scan data input terminal of the second storage element is calculated. A distance calculation step of calculating a minimum value of the linear distances, and a distance comparison step of comparing the minimum value with a linear distance other than the minimum value; and a linear distance other than the minimum value and the minimum value. When there is an output terminal of the first storage element in which the difference is equal to or less than a predetermined value,
A capacity for calculating a load capacity for the output terminal of the first storage element in which the difference between the output terminal of the first storage element in which the linear distance is minimum and the minimum value of the linear distance is equal to or less than a predetermined value; A calculating step, of the output terminals of the first storage element calculated in the capacity calculating step, the output terminal with the minimum load capacitance being a scan data input terminal of the second storage element.
The terminal to be connected is determined, and the minimum value and a value other than the minimum value are determined.
The first storage element whose difference from the line distance is equal to or less than a predetermined value.
When there is no output terminal, the linear distance is minimized.
The output terminal of the first storage element is connected to the scan of the second storage element.
Terminal to be connected to the scan data input terminal.
Method for designing a semiconductor integrated circuit, characterized in that a connecting step of connecting the terminal and the scan data input terminal of said second storage element.
における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の各出力端子と前記第2の記憶素子
のスキャンデータ入力端子とを配線した場合の配線距離
をそれぞれ計算する距離計算工程と、 前記配線距離のうちの最小値を求めて、該最小値と該最
小値以外の配線距離とを比較する距離比較工程と、 前記最小値と該最小値以外の配線距離との差が所定値以
下となる前記第1の記憶素子の出力端子がである場合
に、前記配線距離が最小となる前記第1の記憶素子の出
力端子と、前記配線距離の最小値との差が所定値以下と
なる前記第1の記憶素子の出力端子とのファンアウト数
をそれぞれ計算する計算工程と、 前記計算工程において算出した前記第1の記憶素子の出
力端子のうち、前記ファンアウト数が最小となる前記出
力端子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子
に接続する端子と決定し、前記最小値と該最小値以外の
配線距離との差が所定値以下となる前記第1の記憶素子
の出力端子がない場合には前記配線距離が最小となる前
記第1の記憶素子の出力端子を前記第2の記憶素子のス
キャンデ ータ入力端子に接続する端子と決定し、前記決
定した端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力
端子とを接続する接続工程とを備えていることを特徴と
する半導体集積回路の設計方法。3. A first storage element having a plurality of output terminals and one output terminal of the plurality of output terminals in the first storage element, and a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting a scan data input terminal to a scan data input terminal, wherein each output terminal of the first storage element is connected to a scan data input terminal of the second storage element. Calculating a distance; calculating a minimum value of the wiring distances; and comparing the minimum value with a wiring distance other than the minimum value; and a wiring distance other than the minimum value and the minimum value. Is the output terminal of the first storage element whose difference is equal to or less than a predetermined value, the output terminal of the first storage element having the minimum wiring distance and the minimum value of the wiring distance Difference A calculation step of calculating the number of fan-outs with the output terminal of the first storage element that is equal to or less than a fixed value, and the number of fan-outs of the output terminals of the first storage element calculated in the calculation step is the smallest The output terminal is a scan data input terminal of the second storage element.
Is determined as a terminal to be connected to the minimum value and the minimum value and a value other than the minimum value.
The first storage element, wherein a difference from a wiring distance is equal to or less than a predetermined value
If there is no output terminal before the wiring distance becomes minimum
The output terminal of the first storage element is connected to the switch of the second storage element.
It determines a terminal to be connected to the candy over data input terminal, the determined
A connection step of connecting a fixed terminal and a scan data input terminal of the second storage element.
における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の各出力端子と前記第2の記憶素子
のスキャンデータ入力端子とを配線した場合の配線距離
をそれぞれ計算する距離計算工程と、 前記配線距離のうちの最小値を求めて、該最小値と該最
小値以外の配線距離とを比較する距離比較工程と、 前記最小値と該最小値以外の配線距離との差が所定値以
下となる前記第1の記憶素子の出力端子がある場合に、
前記配線距離が最小となる前記第1の記憶素子の出力端
子と、前記配線距離の最小値との差が所定値以下となる
前記第1の記憶素子の出力端子とに対する負荷容量をそ
れぞれ計算する容量計算工程と、 前記容量計算工程において算出した前記第1の記憶素子
の出力端子のうち、前記負荷容量が最小となる前記出力
端子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子に
接続する端子と決定し、前記最小値と該最小値以外の配
線距離との差が所定値以下となる前記第1の記憶素子の
出力端子がない場合には前記配線距離が最小となる前記
第1の記憶素子の出力端子を前記第2の記憶素子のスキ
ャンデータ入力端子に接続する端子と決定し、前記決定
した端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端
子とを接続する接続工程とを備えていることを特徴とす
る半導体集積回路の設計方法。4. An output terminal of one of the plurality of output terminals of the first storage element having a plurality of output terminals and a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting a scan data input terminal to a scan data input terminal, wherein each output terminal of the first storage element is connected to a scan data input terminal of the second storage element. Calculating a distance; calculating a minimum value of the wiring distances; and comparing the minimum value with a wiring distance other than the minimum value; and a wiring distance other than the minimum value and the minimum value. When there is an output terminal of the first storage element, the difference of which is equal to or less than a predetermined value,
Calculate the load capacitances for the output terminal of the first storage element where the wiring distance is minimum and the output terminal of the first storage element where the difference between the minimum value of the wiring distance is equal to or less than a predetermined value. A capacitance calculation step, and among the output terminals of the first storage element calculated in the capacitance calculation step, the output terminal with the smallest load capacitance is used as a scan data input terminal of the second storage element.
The terminal to be connected is determined, and the minimum value and the wiring other than the minimum value are determined.
The first storage element whose difference from the line distance is equal to or less than a predetermined value.
When there is no output terminal, the wiring distance is minimized.
The output terminal of the first storage element is connected to the scan of the second storage element.
Terminal to be connected to the scan data input terminal.
Method for designing a semiconductor integrated circuit, characterized in that a connecting step of connecting the terminal and the scan data input terminal of said second storage element.
における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の各出力端子のファンアウト数をそ
れぞれ計算する計算工程と、 前記第1の記憶素子の出力端子のうち、前記ファンアウ
ト数が最小となる前記第1の記憶素子の出力端子と、前
記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とを接続す
る接続工程とを備えていることを特徴とする半導体集積
回路の設計方法。5. The first storage element having a plurality of output terminals and one of the plurality of output terminals in the first storage element, and the second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting a scan data input terminal, the method comprising: calculating a fan-out number of each output terminal of the first storage element; And a connection step of connecting an output terminal of the first storage element with the minimum fan-out number to a scan data input terminal of the second storage element. Circuit design method.
における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の各出力端子のファンアウト数をそ
れぞれ計算する計算工程と、 前記ファンアウト数のうちの最小値を求めて、該最小値
と該最小値以外のファンアウト数とを比較する比較工程
と、 前記ファンアウト数の最小値と該最小値以外のファンア
ウト数との差が所定値以下となる前記第1の記憶素子の
出力端子がある場合に、前記最小のファンアウト数とな
る前記第1の記憶素子の出力端子及び前記ファンアウト
数の最小値との差が所定値以下となる前記第1の記憶素
子の出力端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入
力端子との基板上の直線距離をそれぞれ計算する距離計
算工程と、 前記距離計算工程において算出した前記第1の記憶素子
の出力端子のうち、前記直線距離が最小となる前記出力
端子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子に
接続する端子と決定し、前記ファンアウト数の最小値と
該最小値以外のファンアウト数との差が所定値以下とな
る前記第1の記憶素子の出力端子がない場合には前記最
小のファンアウト数となる前記第1の記憶素子の出力端
子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子に接
続する端子と決定し、前記決定した端子と前記第2の記
憶素子のスキャンデータ入力端子とを接続する接続工程
とを備えていることを特徴とする半導体集積回路の設計
方法。6. The storage device according to claim 1, wherein one of the plurality of output terminals in the first storage element having a plurality of output terminals, and the second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting to a scan data input terminal, the method comprising: calculating a fanout number of each output terminal of the first storage element; and calculating a minimum value of the fanout number. Calculating and comparing the minimum value and the number of fan-outs other than the minimum value; and the step of comparing the difference between the minimum value of the fan-out number and the number of fan-outs other than the minimum value with a predetermined value or less . One of the storage elements
When there is an output terminal, the output terminal of the first storage element having the minimum fan-out number and the output terminal of the first storage element having a difference between the minimum value of the fan-out number and a predetermined value or less. A distance calculation step for calculating a linear distance on the substrate between the first storage element and the scan data input terminal of the second storage element; and the linear distance among the output terminals of the first storage element calculated in the distance calculation step. Is the scan data input terminal of the second storage element.
Determine the terminal to be connected, the minimum value of the number of fan-out and
The difference between the fan-out number other than the minimum value and the
If there is no output terminal of the first storage element,
An output terminal of the first storage element having a small fan-out number
To the scan data input terminal of the second storage element.
A method of designing a semiconductor integrated circuit , comprising: determining a terminal to be connected; and connecting the determined terminal to a scan data input terminal of the second storage element.
における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の各出力端子のファンアウト数をそ
れぞれ計算する計算工程と、 前記ファンアウト数のうちの最小値を求めて、該最小値
と該最小値以外のファンアウト数とを比較する比較工程
と、 前記ファンアウト数の最小値と該最小値以外のファンア
ウト数との差が所定値以下となる前記第1の記憶素子の
出力端子がある場合に、前記最小のファンアウト数とな
る前記第1の記憶素子の出力端子及び前記ファンアウト
数の最小値との差が所定値以下となる前記第1の記憶素
子の出力端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入
力端子とを接続した場合の配線距離をそれぞれ計算する
距離計算工程と、 前記距離計算工程において算出した前記第1の記憶素子
の出力端子のうち、前記配線距離が最小となる前記出力
端子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子に
接続する端子と決定し、前記ファンアウト数の最小値と
該最小値以外のファンアウト数との差が所定値以下とな
る前記第1の記憶素子の出力端子がない場合には前記最
小のファンアウト数となる前記第1の記憶素子の出力端
子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子に接
続する端子と決定し、前記決定した端子と前記第2の記
憶素子のスキャンデータ入力端子とを接続する接続工程
とを備えていることを特徴とする半導体集積回路の設計
方法。7. An output terminal of one of the plurality of output terminals in the first storage element having a plurality of output terminals and a second storage element having a scan test function and having a scan data input terminal. A method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting to a scan data input terminal, the method comprising: calculating a fanout number of each output terminal of the first storage element; and calculating a minimum value of the fanout number. Calculating and comparing the minimum value and the number of fan-outs other than the minimum value; and the step of comparing the difference between the minimum value of the fan-out number and the number of fan-outs other than the minimum value with a predetermined value or less . One of the storage elements
When there is an output terminal, the output terminal of the first storage element having the minimum fan-out number and the output terminal of the first storage element having a difference between the minimum value of the fan-out number and a predetermined value or less. A distance calculation step of calculating a wiring distance when the scan data input terminal of the second storage element is connected to the first storage element; and a wiring among the output terminals of the first storage element calculated in the distance calculation step. The output terminal having the minimum distance is used as the scan data input terminal of the second storage element.
Determine the terminal to be connected, the minimum value of the number of fan-out and
The difference between the fan-out number other than the minimum value and the
If there is no output terminal of the first storage element,
An output terminal of the first storage element having a small fan-out number
To the scan data input terminal of the second storage element.
A method of designing a semiconductor integrated circuit , comprising: determining a terminal to be connected; and connecting the determined terminal to a scan data input terminal of the second storage element.
における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の各出力端子に対する負荷容量をそ
れぞれ計算する容量計算工程と、 前記第1の記憶素子の出力端子のうち、前記負荷容量が
最小となる前記第1の記憶素子の出力端子と、前記第2
の記憶素子のスキャンデータ入力端子とを接続する接続
工程とを備えていることを特徴とする半導体集積回路の
設計方法。8. An output terminal of one of the plurality of output terminals in the first storage element having a plurality of output terminals, and a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting a scan data input terminal, wherein: a capacity calculation step of calculating a load capacity for each output terminal of the first storage element; An output terminal of the first storage element having the minimum load capacitance;
Connecting the scan data input terminal of the storage element to the scan data input terminal.
における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の各出力端子に対する負荷容量をそ
れぞれ計算する容量計算工程と、 前記負荷容量のうちの最小値を求めて、該最小値と該最
小値以外の負荷容量とを比較する容量比較工程と、 前記負荷容量の最小値と該最小値以外の負荷容量との差
が所定値以下となる前記第1の記憶素子の出力端子があ
る場合に、前記最小の負荷容量となる前記第1の記憶素
子の出力端子及び前記負荷容量の最小値との差が所定値
以下となる前記第1の記憶素子の出力端子と前記第2の
記憶素子のスキャンデータ入力端子との基板上の直線距
離をそれぞれ計算する距離計算工程と、 前記距離計算工程において算出した前記第1の記憶素子
の出力端子のうち、前記直線距離が最小となる前記出力
端子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子に
接続する端子と決定し、前記負荷容量の最小値と該最小
値以外の負荷容量との差が所定値以下となる前記第1の
記憶素子の出力端子がない場合には前記最小の負荷容量
となる前記第1の記憶素子の出力端子を前記第2の記憶
素子のスキャンデータ入力端子に接続する端子と決定
し、前記決定した端子と前記第2の記憶素子のスキャン
データ入力端子とを接続する接続工程とを備えているこ
とを特徴とする半導体集積回路の設計方法。9. A method according to claim 1, wherein one of the plurality of output terminals in the first storage element having a plurality of output terminals, and the second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A method of designing a semiconductor integrated circuit that connects to a scan data input terminal, the method comprising: calculating a load capacitance for each output terminal of the first storage element; and obtaining a minimum value of the load capacitance. A capacity comparison step of comparing the minimum value with a load capacity other than the minimum value; and the first storage in which a difference between the minimum value of the load capacity and a load capacity other than the minimum value is equal to or less than a predetermined value. when the output terminal of the device Oh <br/> Ru, the first difference between the minimum value of the output terminal and the load capacitance of the first storage element to be the minimum load capacity is less than a predetermined value Output terminal of storage element A distance calculation step of calculating a linear distance between the scan data input terminal of the second storage element and the scan data input terminal on the substrate, and the linear distance of the output terminal of the first storage element calculated in the distance calculation step is The minimum output terminal is used as a scan data input terminal of the second storage element.
Determine the terminal to be connected, and determine the minimum value of the load capacitance and the minimum value.
Wherein the difference from the load capacity other than the value is equal to or less than a predetermined value.
If there is no output terminal of the storage element, the minimum load capacity
The output terminal of the first storage element,
Determine the terminal to be connected to the scan data input terminal of the element
And a connecting step of connecting the determined terminal to a scan data input terminal of the second storage element.
子における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の各出力端子に対する負荷容量をそ
れぞれ計算する容量計算工程と、 前記負荷容量のうちの最小値を求めて、該最小値と該最
小値以外の負荷容量とを比較する容量比較工程と、 前記負荷容量の最小値と該最小値以外の負荷容量との差
が所定値以下となる前 記第1の記憶素子の出力端子があ
る場合に、前記最小の負荷容量となる前記第1の記憶素
子の出力端子及び前記負荷容量の最小値との差が所定値
以下となる前記第1の記憶素子の出力端子と前記第2の
記憶素子のスキャンデータ入力端子とを配線した場合の
配線距離をそれぞれ計算する距離計算工程と、 前記距離計算工程において算出した前記第1の記憶素子
の出力端子のうち、前記配線距離が最小となる前記出力
端子を前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子に
接続する端子と決定し、前記負荷容量の最小値と該最小
値以外の負荷容量との差が所定値以下となる前記第1の
記憶素子の出力端子がない場合には前記最小の負荷容量
となる前記第1の記憶素子の出力端子を前記第2の記憶
素子のスキャンデータ入力端子に接続する端子と決定
し、前記決定した端子と前記第2の記憶素子のスキャン
データ入力端子とを接続する接続工程とを備えているこ
とを特徴とする半導体集積回路の設計方法。10. A first storage element having a plurality of output terminals and one output terminal of the plurality of output terminals of the first storage element, and a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A method of designing a semiconductor integrated circuit that connects to a scan data input terminal, the method comprising: calculating a load capacitance for each output terminal of the first storage element; and obtaining a minimum value of the load capacitance. Te, the capacity comparing step of comparing the load capacity of the other outermost small value and outermost small value, the difference between the minimum value and the load capacitance other than the outermost minimum value of the load capacitance previous SL first equal to or less than a predetermined value when the output terminal of the storage element is Ah <br/> Ru, the minimum of the first difference between the minimum value of the output terminal and the load capacitance of the first storage element as a load capacitance is equal to or less than the predetermined value Output end of the storage element A distance calculation step of calculating a wiring distance when the scan data input terminal of the second storage element is connected to the scan data input terminal; and the wiring among the output terminals of the first storage element calculated in the distance calculation step The output terminal having the minimum distance is used as the scan data input terminal of the second storage element.
Determine the terminal to be connected, and determine the minimum value of the load capacitance and the minimum value.
Wherein the difference from the load capacity other than the value is equal to or less than a predetermined value.
If there is no output terminal of the storage element, the minimum load capacity
The output terminal of the first storage element,
Determine the terminal to be connected to the scan data input terminal of the element
And a connecting step of connecting the determined terminal to a scan data input terminal of the second storage element.
子における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の出力端子のうち駆動能力が最大と
なる出力端子を選択して、選択された前記出力端子と前
記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とを接続す
る接続工程を備えていることを特徴とする半導体集積回
路の設計方法。11. The first storage element having a plurality of output terminals and one of the plurality of output terminals of the first storage element, and the second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting a scan data input terminal, the method comprising: selecting an output terminal having a maximum drive capability among output terminals of the first storage element; A method for designing a semiconductor integrated circuit, comprising a connection step of connecting a scan data input terminal of a second storage element.
の出力端子に未接続の出力端子が存在するか否かを判定
して、未接続の出力端子が存在する場合に、前記未接続
の出力端子のうちの駆動能力が最大となる前記出力端子
を選択する工程を含むことを特徴とする請求項11に記
載の半導体集積回路の設計方法。12. The connecting step determines whether an unconnected output terminal is present at an output terminal of the first storage element, and determines whether the unconnected output terminal exists when the unconnected output terminal is present. 12. The method of designing a semiconductor integrated circuit according to claim 11 , further comprising a step of selecting the output terminal having the maximum driving capability among the output terminals.
子における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の出力端子のうち、クロック信号の
1サイクルの時間と前記第1の記憶素子の出力端子から
他の記憶素子又は外部出力までの接続経路を信号が伝搬
する伝搬時間との差である設計マージンが所定量以上の
出力端子がある場合は該出力端子を選択し、前記設計マ
ージンが所定量以上となる出力端子がない場合は前記設
計マージンが最大となる出力端子を選択し、選択した前
記出力端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力
端子とを接続する接続工程を備えていることを特徴とす
る半導体集積回路の設計方法。13. A first storage element having a plurality of output terminals and one output terminal of the plurality of output terminals in the first storage element, and a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting a scan data input terminal, wherein, among output terminals of the first storage element, one cycle time of a clock signal and another output terminal of the first storage element are used. A design margin, which is a difference from a propagation time for a signal to propagate through a connection path to a storage element or an external output, is equal to or more than a predetermined amount .
If there is an output terminal, select the output terminal and
If there is no output terminal with more than
Selects the output terminal of total margin is maximized, characterized in that it comprises a connection step of connecting the scan data input terminal of the selected pre <br/> SL output terminal and before Symbol second memory element A method for designing a semiconductor integrated circuit.
子における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の出力端子のうち、クロック信号の
1サイクルの時間と前記第1の記憶素子の出力端子から
他の記憶素子又は外部出力までの接続経路を信号が伝搬
する伝搬時間との差である設計マージンが最大となる前
記出力端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力
端子とを接続する接続工程を備えていることを特徴とす
る半導体集積回路の設計方法。 14. A first memory element having a plurality of output terminals.
One output terminal of the plurality of output terminals in the slave
And scan test function with scan data input terminal
The scan data input in a second storage element having
A method for designing a semiconductor integrated circuit for connecting a terminal to a terminal, comprising:
One cycle time and the output terminal of the first storage element
Signal propagates through the connection path to another storage element or external output
Before the design margin, which is the difference from the propagation time
Output terminal and scan data input of the second storage element
It is characterized by having a connection process to connect the terminal
Semiconductor integrated circuit design method.
子における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の出力端子において前記各出力端子
と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とを接
続した場合に、クロック信号の1サイクルの時間と前記
第1の記憶素子の出力端子から他の記憶素子又は外部出
力までの接続経路を信号が伝搬する伝搬時間との差であ
る設計マージンをそれぞれ計算するマージン計算工程
と、 前記マージン計算工程において算出した前記第1の記憶
素子の出力端子のうち、前記設計マージンが所定量以上
の出力端子がある場合は該出力端子を選択し、前記設計
マージンが所定量以上となる出力端子がない場合は前記
設計マージンが最大となる出力端子を選択し、選択した
前記出力端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入
力端子とを接続する接続工程とを備えていることを特徴
とする半導体集積回路の設計方法。15. An output terminal of one of the plurality of output terminals in a first storage element having a plurality of output terminals, and a second storage element having a scan data input terminal and having a scan test function. A method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting a scan data input terminal to a scan data input terminal, wherein each of the output terminals of the first storage element is connected to a scan data input terminal of the second storage element. Margin calculation for calculating a design margin, which is a difference between a time of one cycle of a clock signal and a propagation time for a signal to propagate through a connection path from an output terminal of the first storage element to another storage element or an external output. The design margin is equal to or more than a predetermined amount among the output terminals of the first storage element calculated in the margin calculation step.
If there is an output terminal, select the output terminal and
If there is no output terminal whose margin is more than the specified amount,
Selects the output terminal of design margin is maximized, characterized in that a connecting step of connecting the scan data input terminal of the selected <br/> said output terminal and a pre-Symbol second memory element A method for designing a semiconductor integrated circuit.
子における前記複数の出力端子のうちの1つの出力端子
と、スキャンデータ入力端子を有しスキャンテスト機能
を持つ第2の記憶素子における前記スキャンデータ入力
端子とを接続する半導体集積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の出力端子において前記各出力端子
と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子とを接
続した場合に、クロック信号の1サイクルの時間と前記
第1の記憶素子の出力端子から他の記憶素子又は外部出
力までの接続経路を信号が伝搬する伝搬時間との差であ
る設計マージンをそれぞれ計算するマージン計算工程
と、 前記マージン計算工程において算出した前記第1の記憶
素子の出力端子のうち、前記設計マージンが最大となる
前記出力端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入
力端子とを接続する接続工程とを備えていることを特徴
とする半導体集積回路の設計方法。 16. A first memory element having a plurality of output terminals.
One output terminal of the plurality of output terminals in the slave
And scan test function with scan data input terminal
The scan data input in a second storage element having
A method of designing a semiconductor integrated circuit for connecting a terminal to a terminal, wherein the output terminal of the first storage element includes
And the scan data input terminal of the second storage element.
The clock signal for one cycle,
From the output terminal of the first storage element, another storage element or external output
Is the difference from the propagation time of the signal
Margin calculation process to calculate each design margin
And the first storage calculated in the margin calculation step
Among the output terminals of the element, the design margin is maximized
Scan data input of the output terminal and the second storage element
And a connection step for connecting to the force terminal.
Semiconductor integrated circuit design method.
端子とを有する第1の記憶素子における前記複数の出力
端子のうちの1つの出力端子と、スキャンデータ入力端
子を有しスキャンテスト機能を持つ第2の記憶素子にお
ける前記スキャンデータ入力端子とを接続する半導体集
積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の出力端子のうち、該第1の記憶素
子のスキャンデータ入力端子から入力された信号の遅延
値が最大となる出力端子を選択して、選択された前記出
力端子と前記第2の記憶素子のスキャンデータ入力端子
とを接続する接続工程を備えていることを特徴とする半
導体集積回路の設計方法。17. A first memory device having a scan data input terminal and a plurality of output terminals, one output terminal of the plurality of output terminals and a scan data input terminal having a scan test function. 2. A method for designing a semiconductor integrated circuit for connecting a scan data input terminal of a second storage element to the scan data input terminal, wherein the output terminal of the first storage element is input from a scan data input terminal of the first storage element. A connection step of selecting an output terminal having a maximum delay value of the selected signal and connecting the selected output terminal to a scan data input terminal of the second storage element. How to design integrated circuits.
端子とを有する第1の記憶素子における前記複数の出力
端子のうちの1つの出力端子と、スキャンデータ入力端
子を有しスキャンテスト機能を持つ第2の記憶素子にお
ける前記スキャンデータ入力端子とを接続する半導体集
積回路の設計方法であって、 前記第1の記憶素子の出力端子のうち、該第1の記憶素
子のスキャンデータ入力端子から入力された信号の遅延
値が所定量以上となる出力端子がある場合は該出力端子
を選択し、前記遅延値が所定量以上となる出力端子がな
い場合は該第1の記憶素子のスキャンデータ入力端子か
ら入力された信号の遅延値が最大となる 出力端子を選択
して、選択された前記出力端子と前記第2の記憶素子の
スキャンデータ入力端子とを接続する接続工程を備えて
いることを特徴とする半導体集積回路の設計方法。18. A first memory device having a scan data input terminal and a plurality of output terminals, one of the plurality of output terminals and a scan data input terminal having a scan test function. 2. A method for designing a semiconductor integrated circuit for connecting a scan data input terminal of a second storage element to the scan data input terminal, wherein the output terminal of the first storage element is input from a scan data input terminal of the first storage element. If there is an output terminal whose delay value of the signal exceeds a predetermined amount, the output terminal
Is selected, and there is no output terminal for which the delay value is equal to or more than a predetermined amount.
If not, scan data input terminal of the first storage element
A connection step of selecting an output terminal having a maximum delay value of a signal input from the second storage element and connecting the selected output terminal to a scan data input terminal of the second storage element. Semiconductor integrated circuit design method.
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