JP3198378B2

JP3198378B2 - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP3198378B2
Application number: JP04441096A
Authority: JP
Inventors: 司渋谷
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1996-03-01
Filing date: 1996-03-01
Publication date: 2001-08-13
Anticipated expiration: 2016-03-01
Also published as: JPH09237760A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、結晶化半導体膜を
活性領域に用いる半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、非晶質半導体簿膜を多結晶化し
た半導体薄膜を活性領域に用いる半導体装置としては、
アクティブマトリクス型液晶表示装置やイメージセンサ
等においてスイッチング素子として用いられるＴＦＴが
知られている。このようなＴＦＴにおいては、通常、薄
膜状のシリコン半導体層として、非晶質シリコン半導体
（ａ―Ｓｉ）とか結晶性シリコン半導体（ｐーＳｉ）が
用いられる。

【０００３】非晶質シリコン半導体は成膜温度が低く、
化学的気相法で比較的容易に作製することが可能で生産
性に富むため、今まで比較的多用されている。しかしな
がら、非晶質シリコン半導体は結晶性シリコン半導体に
比べて導電性等の物性が劣っているので、今後、さらに
高速特性に優れたＴＦＴを得るためには、結晶性シリコ
ン半導体を薄膜状半導体層の材料に用いたＴＦＴの作製
方法の確立が強く求められている。

【０００４】結晶性を有するシリコン半導体膜の形成方
法としては、絶縁性基板に非晶質シリコン薄膜を形成し
た後、６００℃以上の温度で１２時間以上の熱処理を施
す手法が一般的である。しかしながら、６００℃を越え
る熱処理温度では絶縁性基板に反りや収縮が発生する可
能性が高くなるため、安価であるが耐熱性に劣る無アル
カリガラスを絶縁性基板として用いることができない。
また、１２時間以上の熱処理を行うことは、製造時間が
長時間化してコストアップの要因となる。このような理
由により、６００℃以上の温度で１２時間以上の熱処理
を施す手法はあまり採用されていない。

【０００５】これに対して、特開平６―２４４１０３号
公報に示す方法が考えられている。これは次に示すよう
な方法である。すなわち、非晶質シリコン層の上側に触
媒となる金属薄膜を形成し、この薄膜から触媒となる金
属を微量に非晶質シリコン薄膜内に導入することで、触
媒金属元素を核とした結晶核を早期に発生させる。そし
て、さらに導入した金属を触媒として結晶成長を促進さ
せることで、短時間かつ低温の熱処理で結晶化させると
いうものである。なお、結晶化が終了したのち、残存す
る金属薄膜はエッチング等によって取り除かれる。この
手法では、処理温度５５０℃、処理時間４時間程度で非
晶質シリコン薄膜を結晶化できる。

【０００６】このようにして短時間かつ低温度で結晶成
長した結晶性シリコン膜は、通常の熱処理のみによる方
法で結晶化した結晶性シリコン膜が双晶構造であるのに
対して、針状または柱状の結晶となる。さらには、それ
ぞれの針状結晶または柱状結晶の内部は単結晶に近い状
態になる。そのため、このような結晶構造を有する結晶
性シリコン膜を用いてＴＦＴを作製すると、電界効果移
動度が１.２〜１.５倍に向上することが確認されてい
る。

【０００７】しかしながら、このようにして結晶成長し
た結晶は方向性を持たないため、この結晶性シリコン膜
をＴＦＴのチャネルに用いると、結晶性シリコン膜内に
残存する触媒元素がオフ電流の増加等の問題を引き起こ
す。

【０００８】そこで、触媒元素を残存させないために、
シリコン膜を横方向（膜幅方向）に成長させる手法が考
えられた。この手法は、最初に、スパッタリング法とか
プラズマＣＶＤ法等の手法により非晶質シリコン膜上に
金属薄膜を形成したうえで、フォトリソグラフィ法によ
って金属薄膜をパターンニングすることで、各ＴＦＴ形
成領域に対応してほぼ１カ所ずつ触媒金属パターンを形
成する。そして、この触媒金属パターンから下方の非晶
質シリコン膜に対してに触媒元素（金属元素）を導入す
る。この状態で非晶質シリコン膜に熱処理を施し、触媒
金属パターンの下方に位置する非晶質シリコン膜の領域
だけをまず選択的に結晶化する。そして、さらに熱処理
を継続することで、その触媒元素導入領域から横方向
（基板に水平な方向）に沿って結晶成長させる。

【０００９】この手法では、次のような理由により触媒
元素のない結晶性シリコン膜を得ることができる。すな
わち、結晶成長中においては、不純物元素（触媒元素）
は結晶成長領域の先端部に集まるという特徴がある。そ
のため、不純物元素（触媒元素）は触媒元素導入領域を
起点として、非晶質シリコン膜の横方向（膜幅方向）外
側方向へと追いやられ、結晶成長が終了した時点では、
結晶性シリコン膜の幅方向両端位置にのみ存在して、半
導体領域として用いられる中央部には触媒元素が存在し
なくなる。

【００１０】また、このようにして横方向に成長した結
晶領域は、成長方向に沿った針状または柱状の結晶状態
となり、上述した手法、すなわち、上層の金属薄膜から
金属元素を直接的に非晶質シリコン膜に導入することで
結晶成長させる手法に比べて、良好な結晶性を得ること
もできる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにして不純物（触媒元素）の除去を促進した従来の製
造方法にも、次のような課題があった。すなわち、触媒
金属パターンを形成するためには、まず金属薄膜を成膜
する必要がある。この金属薄膜はスパックリング法やプ
ラズマＣＶＤ法によって形成されるが、このとき、プラ
ズマとかスパッタリングのダメージがシリコン薄膜中に
残存してしまい、ＴＦＴ特性に悪影響を及ぼしてしま
う。

【００１２】さらには、結晶成長処理が終了したのち、
触媒金属パターンをエッチングにより除去する必要があ
るが、その際に、エッチング液中の元素、エッチングさ
れた触媒金属パターン中の触媒元素、さらには絶縁性基
板から溶け出した元素がＴＦＴ特性に悪影響を及ぼして
しまう。特に、絶縁性基板として多用されるガラス基板
中は、シリコンに対してドナーとなり得るＡｓを含有し
ているものが多く、ガラスが剥き出しになっているガラ
ス基板の裏面がエッチング液に晒されることにより、ガ
ラス基板中のＡｓをはじめとする不純物が結晶性シリコ
ン膜表面に付着したり、結晶性シリコン膜中に取り込ま
れてしまう。このようにして不純物が結晶性シリコン膜
に入り込むと、ＴＦＴの特性劣化のみならず、信頼性の
低下を招いてしまう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明においては、次の
ようにして、半導体装置を製造することで、上述した課
題の解決を達成している。

【００１４】請求項１に係る本発明では、絶縁性基板の
表面に触媒供給膜を形成する工程と、前記絶縁性基板
に、前記触媒供給膜を覆って絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、前記
触媒供給膜の成分を触媒にして前記非晶質半導体膜を結
晶化する工程とを含んだ半導体装置の製造方法として、
上述した課題を解決している。

【００１５】請求項２に係る本発明では、請求項１に係
る本発明において、前記触媒供給膜を光を遮断する材質
の膜から構成することで上述した課題を解決している。

【００１６】請求項３に係る本発明では、請求項１また
は２に係る本発明において、前記絶縁膜を形成した後、
この絶縁膜に前記触媒供給膜に達する開口部を形成する
工程を更に含み、かつ、前記非晶質半導体膜を結晶化す
る工程は、前記開口部を介して非晶質半導体膜に接する
触媒供給膜表面から触媒成分を供給しつつ行うことによ
って上述した課題を解決している。

【００１７】請求項４に係る本発明では、請求項１ない
し３のいずれかに係る本発明において、前記触媒供給膜
を、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、ないしＳｂの各金属膜、もしく
は前記金属のうち少なくとも一つを含有する金属膜とす
ることで、上述した課題を解決している。

【００１８】請求項５に係る本発明では、請求項１ない
し３のいずれかに係る本発明において、前記触媒供給膜
を、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、ないしＳｂのうち少なくとも一
つを含有する半導体化合物膜とすることで上述した課題
を解決している。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本発明の製造方法で製造
された半導体装置であるＴＦＴの断面構成を示してい
る。図２は、それぞれ本発明の製造方法の各製造段階の
状態を示している。

【００２０】この実施の形態では、ガラス基板にアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置の周辺駆動回格や、一
般の薄膜集積回路を構成するＮチャネル型ＴＦＴとＰチ
ャネルＴＦＴとを相補型に構成したＣＭＯＳ構造の半導
体装置を例にしている。なお、図では、Ｎチャネル型Ｔ
ＦＴのみについて示したが、構造的にはＰチャネル型Ｔ
ＦＴでも基本的に同様となるため、図示を省略してい
る。

【００２１】このＴＦＴ１は、絶縁性基板として例えば
ガラス基板２を備えている。ガラス基板２の表面には触
媒供給膜３が形成されている。触媒供給膜３はＮｉ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ａｌ、ないしＳｂの各金属膜、もしくは前記金属の
うち少なくとも一つを含有する金属膜（例えば合金膜）
から構成されており、厚さ１００ｎｍ程度の厚さに形成
されている。また、ガラス基板２上には、触媒供給膜３
を覆って絶縁性薄膜４が設けられている。絶縁性薄膜４
は酸化シリコン膜（ＳｉＯ₂）とか窒化シリコン膜（Ｓ
ｉＮ）から構成されており、１００〜３００ｎｍの厚さ
に形成されている。触媒供給膜３の上方位置にある絶縁
性薄膜４には、触媒供給膜３に達する第１コンタクトホ
ール５が形成されている。コンタクトホール５は触媒供
給膜３に部分的に接する大きさを備えている。

【００２２】絶縁性薄膜４の上層には結晶性シリコン薄
膜６が形成されている。結晶性シリコン薄膜６はＴＦＴ
１の領域をほぼ覆う楕円形状（長径約６０μｍ、短径約
４０μｍ）をしており、５０〜１００ｎｍの厚さに形成
されている。また、結晶性シリコン膜６の長径方向両端
は、リンイオンといった不純物が拡散されることで、ソ
ース・ドレイン領域７Ａ、７Ｂを構成している。また、
結晶性シリコン膜６は第１コンタクトホール５内に入り
込んで触媒供給膜３に接している。

【００２３】結晶性シリコン薄膜６の上層にはゲート絶
縁膜８が形成されており、ゲート絶縁膜８上にはゲート
電極９が形成されている。ゲート電極９はソース・ドレ
イン領域７Ａ、７Ｂによって挟まれた結晶性シリコン薄
膜６の上方位置に配置されている。

【００２４】ゲート絶縁膜８の上層には層間絶縁膜１０
が形成されている。そして、層間絶縁膜１０およびゲー
ト絶縁膜８を厚み方向に貫通して第２コンタクトホール
１１Ａ，１１Ｂが形成されている。第２コンタクトホー
ル１１Ａ、１１Ｂは、ソース・ドレイン領域７Ａ，７Ｂ
の上方位置に形成されており、第２コンタクトホール１
１Ａ、１１Ｂの底面にはソース・ドレイン領域７Ａ、７
Ｂが露出している。

【００２５】第２コンタクトホール１１Ａ、１１Ｂ上方
の層間絶縁膜１０の表面にはアルミニウム等の金属から
なるソース・ドレイン電極１２Ａ，１２Ｂが形成されて
いる。一方、第２コンタクトホール１１Ａ，１１Ｂには
アルミニウム等の導電体からなる電極導出部１３が充填
されており、ソース・ドレイン電極１２Ａ，１２Ｂは電
極導出部１３を介してソース・ドレイン領域７Ａ，７Ｂ
に接続されている。

【００２６】このようにして構成されたＴＦＴ１では、
触媒供給膜３は遮光膜となっており、そのために、構造
上、次のような効果を奏する。すなわち、ＴＦＴ１をア
クティブマトリクス型の液晶表示装置等のスイッチング
素子に応用するにあたっては、表示を明るくするための
バックライトや、プロジェクションに液晶表示装置を採
用する際のハロゲンランプなどによる、強い光が結晶化
シリコン薄膜６に入射すると、オフ電流の増加、閾値電
圧の変化など特性変動を生じさせる要因となる。

【００２７】そこで、従来から、チャネル領域の下側も
しくは上側に遮光膜を設けて、上記した強い光がチャネ
ル領域に侵入することを防止することが行われている。

【００２８】一方、ＴＦＴ１が有する触媒供給膜３は上
述したように、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、
Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、ないしＳｂの各金属
膜、もしくは前記金属のうち少なくとも一つを含有する
金属膜（例えば合金膜）から構成されているので、当然
ながら光を反射する。

【００２９】そこで、このＴＦＴ１では触媒供給膜３を
遮光膜として機能させることができ、そのため、このＴ
ＦＴ１をアクティブマトリクス型の液晶表示装置等のス
イッチング素子として用いても、強い光によって特性変
動を生じさせることがなくなり、その分、信頼性が向上
することになる。

【００３０】次に、このＴＦＴ１の製造工程を図３を参
照して説明する。まず、３００ｍｍ□程度の絶縁性基板
（例えばガラス基板）２の裏面を洗浄した後、絶縁性基
板２の表面に、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、
Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、ないしＳｂの各金属
膜、もしくは前記金属のうち少なくとも一つを含有する
金属膜からなる触媒供給膜３をスパッタリング法を用い
て厚さ１００ｎｍ程度堆積させる。

【００３１】そして、周知のフォトリソグラフィ法によ
り、触媒供給膜３をＴＦＴ１の大きさの相当する所定の
パターンに加工する。次いで、絶縁性薄膜４として酸化
シリコン膜（ＳｉＯ₂）や窒化シリコン膜（ＳｉＮ）を
化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法を用
いて厚さ１００〜１３００ｎｍ程度堆積させる。

【００３２】絶縁性薄膜４を形成したのち、周知のフォ
トリソグラフィ法により、絶縁性薄膜４の表面に第１コ
ンタクトホール５を形成する。このときのフォトリソグ
ラフィ法では、絶縁性薄膜４をフッ酸等を用いてエッチ
ングするのが好ましい。なお、第１コンタクトホール５
は触媒供給膜３の上方にあって、触媒供給膜３の一部の
領域を覆う大きさに形成される。第１コンタクトホール
５は、次に形成する非晶質シリコン膜１４中に触媒元素
を導入するための導入口となる。（図３（ａ）参照）次に、絶縁性薄膜４上に、半導体薄膜として、非晶質シ
リコン（ａ―Ｓｉ）の薄膜１４をＣＶＤ法といった手法
を用いて厚さ５０〜１００ｎｍ程度堆積させる。このと
き、非晶質シリコン薄膜１４が第１コンタクトホール５
の内部にも入り込んで形成されるので、非晶質シリコン
薄膜１４は触媒供給膜３の表面に接することになる。

【００３３】そして、非晶質シリコン薄膜１４を形成し
たガラス基板２を窒素雰囲気にしたアニール炉１００に
入れて５５０℃，８時間といった所定の温度と時間でア
ニール処理することで、非晶質シリコン薄膜１４を結晶
化する。このとき、第１コンタクトホール５を介して触
媒供給膜３中の触媒元素が非晶質シリコン薄膜１４に導
入されるため、非晶質シリコン薄膜１４は、触媒供給膜
３の接触点を起点として横方向に結晶成長する。（第３
図（ｂ）参照）結晶成長中、非晶質シリコン薄膜１４に形成される結晶
化領域１５は、図４の平面図に示すように、第１コンタ
クトホール５を中心に、放射状に外側へ向かって広がっ
ていく。また、このようにして得られる結晶性シリコン
薄膜６の成長距離（第１コンタクトホール５を起点とし
た結晶化シリコン薄膜６の周縁位置までの距離）Ｌはア
ニール温度が高い程、また、アニール時間が長いほど長
くなる。そのため、ＴＦＴ１のレイアウトやＴＦＴ１の
製造に使用するプロセスに応じて温度、時間は選択すれ
ばよい。本実施の形態では、結晶化領域１５は、第１コ
ンタクトホール５から楕円状に拡がり、成長距離Ｌは楕
円の長径方向には約６０μｍ、短径方向には約４０μｍ
となる。

【００３４】このときのアニール炉１００の加熱温度と
しては、６００℃以下、好ましくは５５０℃以下が好ま
しい。この熱温度は、ＴＦＴ１のサイズを考えると前記
した成長距離Ｌが必要であることから採用しているが、
このような低温の加熱温度にすると、ガラス基板２とし
て、安価であるものの、耐熱性能に若干劣る無アルカリ
ガラスを用いることができ、コストダウンにつながる。

【００３５】この後、周知の手法を用いてゲート絶縁膜
８とゲート電極膜（図示省略）とを堆積したのち、周知
のフォトリソグラフィ法によりゲート電極膜をパターニ
ングすることでゲート電極９を形成する。さらに、ゲー
ト電極９の両端の所定領域にイオンドープ法により不純
物としてリンイオンを注入し、レーザーアニール法で不
純物注入領域を活性化することでソース・ドレイン領域
７Ａ、７Ｂを形成する。

【００３６】ソース・ドレイン領域７Ａ，７Ｂを形成し
たのち、さらに、層間絶縁膜１０を堆積する。そして、
層間絶縁膜１０に周知のフォトリソグラフィ法により、
第２コンタクトホール１１Ａ、１１Ｂを形成する。そし
て、電極導出部１３とソース・ドレイン電極１２Ａ、１
２Ｂとを形成すると、図１に示すＴＦＴ１が完成する。

【００３７】このようにして製造されるＴＦＴ１では、
結晶性シリコン薄膜６は、その表面がプラズマやエッチ
ング液に晒されることなく形成されるので、その表面に
不純物や金属元素によるプラズマダメージやエッチング
ダメージが形成されることがない。そのため、結晶化シ
リコン薄膜６の上層に設けられるゲート絶縁膜８との間
に良好な界面状態を形成することができ、これによって
ＴＦＴ特性の低下が防止されている。

【００３８】また、このＴＦＴ１では、非晶質シリコン
膜１４の下部に選択的に形成されたコンタクトホール５
を介して触媒供給膜３から導入された触媒元素を用い
て、非晶質シリコン膜１４の結晶成長を促進させている
ので、その分、結晶成長に要する処理時間の短縮化と、
結晶成長に要する熱処理温度の低温化とが可能となって
いる。さらには、触媒元素をコンタクトホール５から部
分的に非晶質シリコン薄膜１４に供給して結晶化させて
いるので、非晶質シリコン膜１４に対して横方向（膜幅
方向）に沿って結晶を成長させることができる。そのた
め、不純物（触媒元素）を半導体領域の周縁部分まで追
いやって、半導体領域として用いられる結晶性シリコン
薄膜６の中央部に触媒元素を無くしてしまい、これによ
って不純物残存に起因する特性劣化を防止できるとい
う、横方向結晶の利点を享受することができる。

【００３９】ところで、上述した実施の形態では、触媒
供給膜３として、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、ないしＳｂの各金
属膜、もしくは前記金属のうち少なくとも一つを含有す
る金属膜としたが、触媒供給膜３はこのような構成に限
定されるものではない。すなわち、触媒供給膜３は、Ｎ
ｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ａｌ、ないしＳｂのうち少なくとも一つを含
有する半導体化合物膜（好ましくは、シリコン化合物
膜）としても、同様の効果を奏することができる。

【００４０】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。

【００４１】請求項１，４，５の効果触媒供給膜を非晶質半導体膜の下側に配置したので、触
媒供給膜形成時には、非晶質半導体膜が存在しなくな
り、そのために、触媒供給膜の形成によって非晶質半導
体膜にタメージを与えたりすることがなくなった。

【００４２】また、触媒供給膜は絶縁膜を介して非晶質
半導体膜の下側に配置されるので、結晶化工程を終了し
たのちも、そのまま放置しておくことができるようにな
り、非晶質半導体膜にタメージを与える触媒供給膜の除
去工程を行う必要がなくなった。

【００４３】このような理由により、ダメージのない結
晶化半導体膜を形成することが可能となり、その分、半
導体装置の特性を向上させることができ、特に、液晶表
示装置においては、高精細で大面積なアクティブマトリ
クス基板に必要な画素スイッチング素子と駆動回路を同
時に形成するために要求される高速で高性能、かつ高信
頼性を同時に満たすようなＴＦＴといった半導体装置を
製造することが可能となった。

【００４４】また、本発明を実施するために必要な追加
工程は、絶縁性基板上に触媒供給膜を形成するという、
極めて一般的で量産性の高い工程であるため、特殊な設
備の導入などは不要である。そのため、本発明を実施す
るにも、ほとんど設備投資を行う必要はない。

【００４５】請求項２の効果触媒供給膜を光を遮断する膜としたので、上述した効果
とともに遮光膜を設けたことによる効果、すなわち、ア
クティブマトリクス型の液晶表示装置等のスイッチング
素子として半導体装置を用いた場合に、その特性変動を
防止して、信頼性を向上させることが可能となる、とい
う効果も奏することができる。また、このような新たな
効果を奏する遮光膜を形成する工程と触媒供給膜を形成
する工程とを一つにまとめることができて、その分製造
が簡単になる、という効果も奏することができる。

【００４６】請求項３の効果触媒成分の供給を絶縁膜に設けた開口部から行うので、
これによって行う非晶質半導体膜の結晶化工程を横方向
に沿った結晶化とすることができた。そのため、触媒成
分等の不純物を結晶化領域の主要部分から排除できると
いう、横方向に沿った結晶化による利点を享受すること
ができる。

【００４７】なお、本発明を実施するために必要な追加
工程は、絶縁膜に開口部を形成するという、極めて一般
的で量産性の高い工程であるため、特殊な設備の導入な
どは不要である。そのため、本発明を実施するにも、ほ
とんど設備投資を行う必要はない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法
で製造したＴＦＴの構造を示す断面図である。

【図２】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法
で製造したＴＦＴの構造を示す平面図である。

【図３】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法
の工程の各段階をそれぞれ示す断面図である。

【図４】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法
の工程の途中の状態を示す平面図である。

【符号の説明】

２ガラス基板３触媒供給膜４絶縁性薄膜６結晶性シリコン薄膜１４非晶質シリコン薄膜

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板の表面に触媒供給膜を形成す
る工程と、前記絶縁性基板に、前記触媒供給膜を覆って絶縁膜を形
成する工程と、前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、前記触媒供給膜の成分を触媒にして前記非晶質半導体膜
を結晶化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
【請求項２】前記触媒供給膜を光を遮断する材質の膜
から構成することを特徴とする請求項１記載の半導体装
置の製造方法。
【請求項３】前記絶縁膜を形成した後、この絶縁膜に
前記触媒供給膜に達する開口部を形成する工程を更に含
み、かつ、前記非晶質半導体膜を結晶化する工程は、前記開
口部を介して非晶質半導体膜に接する触媒供給膜表面か
ら触媒成分を供給しつつ行うことを特徴とする請求項１
または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記触媒供給膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、な
いしＳｂの各金属膜、もしくは前記金属のうち少なくと
も一つを含有する金属膜であることを特徴とする請求項
１ないし３のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記触媒供給膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、な
いしＳｂのうち少なくとも一つを含有する半導体化合物
膜であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか
記載の半導体装置の製造方法。