JP3189467B2 - Elastic convolver - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波の非線形性
を利用したエラスティックコンボルバに関し、特に、L
iNbO3 圧電単結晶よりなる圧電基板にZnO圧電薄
膜を積層した構造を利用したエラスティックコンボルバ
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an elastic convolver utilizing the nonlinearity of a surface acoustic wave, and more particularly, to an L-shaped convolver.
The present invention relates to an elastic convolver using a structure in which a ZnO piezoelectric thin film is laminated on a piezoelectric substrate made of iNbO 3 piezoelectric single crystal.
【0002】[0002]
【従来の技術】エラスティックコンボルバは、圧電体の
非線形挙動を利用した信号処理デバイスの一種であり、
2つの入力信号の畳み込み積分を行う演算素子である。
このエラスティックコンボルバとして、マルチストリッ
プカプラー(以下、MSCと略す。)が組み込まれた構
造が、従来より公知である。この公知のエラスティック
コンボルバの一例を、図5に示す。2. Description of the Related Art An elastic convolver is a type of signal processing device utilizing the nonlinear behavior of a piezoelectric material.
An arithmetic element that performs convolution integration of two input signals.
As this elastic convolver, a structure incorporating a multistrip coupler (hereinafter abbreviated as MSC) is conventionally known. An example of this known elastic convolver is shown in FIG.
【0003】エラスティックコンボルバ1は、圧電体と
して、LiNbO3 圧電単結晶からなる矩形の圧電基板
2を用いて構成されている。圧電基板2の両端面2a,
2b近傍には、それぞれ入力用インターデジタルトラン
スデューサ(以下、入力用IDTと略す。)3が形成さ
れている。入力用IDT3は、互いに間挿し合う電極指
を有する一対のくし歯により構成されている。The elastic convolver 1 is configured by using a rectangular piezoelectric substrate 2 made of a LiNbO 3 piezoelectric single crystal as a piezoelectric body. Both end faces 2a of the piezoelectric substrate 2,
In the vicinity of 2b, input interdigital transducers (hereinafter abbreviated as input IDTs) 3 are formed. The input IDT 3 is constituted by a pair of comb teeth having electrode fingers interposed therebetween.
【0004】また、入力用IDT3,3間の領域中央部
分においては、表面波伝搬方向に平行に延びる導波路4
が形成されている。導波路4と、各入力用IDT3との
間には、それぞれ、MSC5が形成されている。At the center of the region between the input IDTs 3, 3, a waveguide 4 extending parallel to the propagation direction of the surface wave is provided.
Are formed. An MSC 5 is formed between the waveguide 4 and each input IDT 3.
【0005】エラスティックコンボルバ1では、入力用
IDT3,3に入力信号が加えられると、該入力信号に
より励振された弾性表面波が矢印A,B方向に沿って伝
搬されるが、この弾性表面波はMSC5において、それ
ぞれ、圧縮され、しかる後、導波路4において重ね合わ
され、出力信号が取り出される。In the elastic convolver 1, when an input signal is applied to the input IDTs 3 and 3, the surface acoustic wave excited by the input signal is propagated along the directions of arrows A and B. Are respectively compressed in the MSC 5 and then superimposed in the waveguide 4 to extract the output signal.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】コンボルバの性能は、
一般的に効率FおよびBT積(Bは帯域幅、Tは積分あ
るいはプロセス時間を示す。)で示され、効率Fおよび
BT積の向上が望まれている。The performance of the convolver is as follows:
In general, the efficiency F and the BT product (B indicates the bandwidth, and T indicates the integration or the process time) are shown.
【0007】エラスティックコンボルバは、上記のよう
に弾性表面波を利用するものであるため、効率Fを高め
るには、電気機械結合係数が大きく、非線形の大きい圧
電基板2を用いればよいと考えられる。Since the elastic convolver utilizes the surface acoustic wave as described above, it is considered that the efficiency F can be increased by using the piezoelectric substrate 2 having a large electromechanical coupling coefficient and a large nonlinearity. .
【0008】他方、LiNbO3 圧電単結晶よりなる圧
電基板上にIDTを形成して弾性表面波を励振する際
に、上記LiNbO3 圧電基板の表面にZnO圧電薄膜
をさらに積層することにより、より大きな電気機械結合
係数が得られることが報告されている(A.Armst
rong.et al.,Proc.1972 IEE
E Ultrason.Symp.第370〜372頁
(1972)および中村、他:日本音響学会講演論文
集、平成3年10月号、第953〜第954頁)。On the other hand, when an IDT is formed on a piezoelectric substrate made of a LiNbO 3 piezoelectric single crystal to excite a surface acoustic wave, a ZnO piezoelectric thin film is further laminated on the surface of the LiNbO 3 piezoelectric substrate, thereby increasing the size. It is reported that an electromechanical coupling coefficient can be obtained (A. Armst
long. et al. Proc. 1972 IEEE
E Ultrason. Symp. 370-372 (1972) and Nakamura et al .: Proceedings of the Acoustical Society of Japan, October 1991, pp. 953-954.
【0009】そこで、図5に示したエラスティックコン
ボルバ1において、圧電基板2の両面の入力用IDT
3,3、MSC5,5および導波路4を覆うように全面
にZnO圧電薄膜を形成したエラスティックコンボルバ
を作製したところ、従来のエラスティックコンボルバ1
に比べて効率が高められることが確かめられた。Therefore, in the elastic convolver 1 shown in FIG.
When an elastic convolver having a ZnO piezoelectric thin film formed on the entire surface so as to cover 3, 3 and the MSCs 5 and 5 and the waveguide 4 was manufactured, a conventional elastic convolver 1 was formed.
It was confirmed that the efficiency was improved as compared with.
【0010】しかしながら、効率は高められるものの、
帯域幅、特に、減衰量が3dBに減衰する帯域の幅(3
dB減衰帯域幅)がかなり狭くなることが確かめられ
た。すなわち、コンボルバでは、帯域幅が広いほど、広
いスペクトラムを持つ信号を処理し得るため、帯域幅の
広いことが求められるが、上記のようにZnO絶縁薄膜
を全面に形成した場合、効率は高められるものの、帯域
幅が狭くなり、好ましくないことが分かった。本発明の
目的は、帯域幅を狭めることなく効率を高め得る構造を
備えたエラスティックコンボルバを提供することにあ
る。However, although the efficiency is improved,
Bandwidth, especially the width of the band where the attenuation is attenuated to 3 dB (3
(dB attenuation bandwidth) was considerably narrowed. In other words, the convolver is required to have a wider bandwidth because a wider bandwidth can process a signal having a wider spectrum, but the efficiency is increased when the ZnO insulating thin film is formed on the entire surface as described above. However, the bandwidth was narrowed, which proved to be undesirable. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an elastic convolver having a structure capable of increasing the efficiency without reducing the bandwidth.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は、LiNbO3
単結晶よりなる圧電基板と、前記圧電基板上において所
定距離を隔てて配置された一対の入力用IDTと、前記
一対の入力用IDT間に配置された導波路と、前記導波
路と各入力用IDTとの間にそれぞれ形成されたマルチ
ストリップカプラーと、前記圧電基板上の前記導波路が
形成されている部分及びその近傍を除く残りの全領域上
に形成されたZnO圧電薄膜とを備えることを特徴とす
る、エラスティックコンボルバであり、それによって上
記課題を達成するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a LiNbO 3
A piezoelectric substrate made of a single crystal, a pair of input IDTs arranged at a predetermined distance from each other on the piezoelectric substrate, a waveguide arranged between the pair of input IDTs, and multi-strip couplers formed respectively between the IDT, said waveguides on said piezoelectric substrate
An elastic convolver, comprising: a formed portion and a ZnO piezoelectric thin film formed on the entire remaining region except the vicinity thereof , thereby achieving the above object.
【0012】[0012]
【作用】本発明において、エラスティックコンボルバの
効率が高められるのは、上記のように少なくともIDT
が形成されている領域において、LiNbO3 からなる
圧電基板上にZnO薄膜が形成されており、それによっ
て電気機械結合係数が高められているためと考えられ
る。According to the present invention, the efficiency of the elastic convolver is improved at least by the IDT as described above.
It is considered that the ZnO thin film is formed on the piezoelectric substrate made of LiNbO 3 in the region where is formed, thereby increasing the electromechanical coupling coefficient.
【0013】また、本発明のエラスティックコンボルバ
において、圧電基板上の全面にZnO薄膜を形成した場
合に比べて効率が高くなるのは、以下の理由によると考
えられる。すなわち、従来のエラスティックコンボルバ
1(図5)における減衰量の損失は、入力用IDT3,
3における損失、MSC5,5における損失ならびに表
面波電波路(導波路4が形成されている部分を含む)に
おける損失の合計と考えられるが、各部分における損失
を低減するには、上面にZnO薄膜を被覆形成しないこ
とが好ましい。The reason why the efficiency of the elastic convolver according to the present invention is higher than that in the case where the ZnO thin film is formed on the entire surface of the piezoelectric substrate is considered as follows. That is, the loss of attenuation in the conventional elastic convolver 1 (FIG. 5) is determined by the input IDT3 and the input IDT3.
3 and the loss in the MSCs 5 and 5 and the loss in the surface acoustic wave path (including the portion where the waveguide 4 is formed). To reduce the loss in each portion, the ZnO thin film Is preferably not formed.
【0014】他方、IDTおよびMSCが形成されてい
る領域については、圧電現象を積極的に利用する部分で
あるため、ZnO薄膜を積層することにより弾性表面波
の励振効率を高めた方が好ましいと考えられる。On the other hand, since the region where the IDT and the MSC are formed is a portion that positively utilizes the piezoelectric phenomenon, it is preferable to increase the surface acoustic wave excitation efficiency by laminating a ZnO thin film. Conceivable.
【0015】従って、本発明では、少なくとも入力用I
DT上に上記ZnO圧電薄膜を形成することにより、弾
性表面波の励振効率が高められ、他方、ZnO圧電薄膜
で被覆することが好ましくない表面波伝搬路上、特に導
波路上にZnO圧電薄膜が形成されていないため、表面
波の伝搬損失が低減され効率は全面をZnOで覆った場
合に比べ更に高くなり、又、同時に帯域幅が狭くなるの
を防止できると考えられる。Therefore, in the present invention, at least the input I
By forming the above-mentioned ZnO piezoelectric thin film on the DT, the excitation efficiency of the surface acoustic wave is enhanced, and on the other hand, the ZnO piezoelectric thin film is formed on the surface wave propagation path, which is not preferably covered with the ZnO piezoelectric thin film, especially on the waveguide Therefore, it is considered that the propagation loss of the surface wave is reduced, the efficiency is further increased as compared with the case where the entire surface is covered with ZnO, and the bandwidth can be prevented from being narrowed at the same time.
【0016】[0016]
【実施例の説明】以下、本発明の非限定的な実施例を説
明することにより、本発明を明らかにする。図1は、本
発明の前提となる第1の参考例に係るエラスティックコ
ンボルバを示す平面図である。エラスティックコンボル
バ11は、平面形状が矩形の圧電基板12を用いて構成
されている。圧電基板12は、LiNbO3圧電単結晶
基板により構成されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be clarified by describing non-limiting embodiments of the present invention. FIG. 1 is a plan view showing an elastic convolver according to a first reference example on which the present invention is based . The elastic convolver 11 is configured using a piezoelectric substrate 12 having a rectangular planar shape. The piezoelectric substrate 12 is composed of a LiNbO 3 piezoelectric single crystal substrate.
【0017】圧電基板12の端面12a,12bの近傍
には、入力用IDT13,13が形成されている。入力
用IDT13,13は、それぞれ、互いに間挿し合う電
極指を有する一対のくし歯電極により構成されている。
また、入力用IDT13,13間の中央には、表面波伝
搬方向に平行に延びる導波路14が形成されている。そ
して、導波路14と、各入力用IDT13との間にMS
C15,15が形成されている。ここまでは、図5に示
した従来のエラスティックコンボルバ1と同様である。Input IDTs 13, 13 are formed near the end faces 12a, 12b of the piezoelectric substrate 12. Each of the input IDTs 13 is constituted by a pair of comb-shaped electrodes having electrode fingers interposed therebetween.
In the center between the input IDTs 13, 13, a waveguide 14 extending parallel to the surface wave propagation direction is formed. MS between the waveguide 14 and each input IDT 13
C15 and 15 are formed. Up to this point, it is the same as the conventional elastic convolver 1 shown in FIG.
【0018】本参考例の特徴は、上述した圧電基板12
の上面において、入力用IDT13,13およびMSC
15,15が形成されている部分を覆うようにZnO圧
電薄膜16,16が被覆形成されていることにある。[0018] Features of the present embodiment, the piezoelectric substrate 12 described above
Input IDTs 13, 13 and MSC
That is, the ZnO piezoelectric thin films 16 and 16 are formed so as to cover portions where the layers 15 and 15 are formed.
【0019】従って、本参考例のエラスティックコンボ
ルバ11では、ZnO薄膜16,16が圧電基板12上
に被覆形成されているため、弾性表面波の励振効率が高
められ、かつ導波路14上においてはZnO圧電薄膜1
6が被覆形成されていないため、表面波伝搬路上、特に
導波路14上における伝搬損失が小さくされている。よ
って、従来のエラスティックコンボルバ1に比べて効率
が高められるだけでなく、帯域幅が狭められることもな
い。これを、図2を参照して説明する。[0019] Therefore, the elastic convolver 11 of this reference example, since the ZnO film 16, 16 is coated formed on the piezoelectric substrate 12, enhanced the excitation efficiency of the surface acoustic wave, and in the waveguide on 14 ZnO piezoelectric thin film 1
Since no coating 6 is formed, the propagation loss on the surface wave propagation path, especially on the waveguide 14 is reduced. Therefore, not only the efficiency is improved as compared with the conventional elastic convolver 1, but also the bandwidth is not reduced. This will be described with reference to FIG.
【0020】図2は、本願発明者が製作した種々の構造
のエラスティックコンボルバの効率−周波数特性を示す
図である。図2において、一点鎖線Aは、図5に示した
従来のエラスティックコンボルバ1の特性を示し、破線
Bは従来のエラスティックコンボルバ1において圧電基
板2の上面の全面にZnO薄膜を形成した場合の特性を
示し、実線Cは、第1の参考例のエラスティックコンボ
ルバ11の特性を示す。図2から明らかなように、従来
のエラスティックコンボルバ1に比べて、圧電基板の上
面の全面にZnO圧電薄膜を形成した構造では、効率が
高められるものの、帯域幅が狭くなることがわかる(破
線B参照)。これに対して、第1の参考例エラスティッ
クコンボルバでは、効率がさらに高められるだけでな
く、3dB減衰帯域幅が、十分な大きさとされているこ
とがわかる。FIG. 2 is a diagram showing efficiency-frequency characteristics of elastic convolvers having various structures manufactured by the present inventors. 2, the dashed line A indicates the characteristic of the conventional elastic convolver 1 shown in FIG. 5, and the broken line B indicates the case where the ZnO thin film is formed on the entire upper surface of the piezoelectric substrate 2 in the conventional elastic convolver 1. The solid line C shows the characteristic of the elastic convolver 11 of the first reference example. As is clear from FIG. 2, in the structure in which the ZnO piezoelectric thin film is formed on the entire upper surface of the piezoelectric substrate as compared with the conventional elastic convolver 1, although the efficiency is improved, the bandwidth is narrowed (broken line). B). On the other hand, in the elastic convolver of the first reference example, it can be seen that not only the efficiency is further improved but also the 3 dB attenuation bandwidth is sufficiently large.
【0021】図3は、第2の参考例に係るエラスティッ
クコンボルバ21を示す平面図である。エラスティック
コンボルバ21は、ZnOよりなる圧電薄膜26,26
の形成されている領域が異なることのみを除いて、第1
の参考例のエラスティックコンボルバ11と同様に構成
されている。従って、同様に構成されている部分につい
ては、同一の参照番号を付することにより、その説明は
省略する。[0021] FIG. 3 is a plan view showing an elastic convolver 21 according to the second embodiment. The elastic convolver 21 is composed of piezoelectric thin films 26, 26 made of ZnO.
Except that the region in which
Is configured similarly to the elastic convolver 11 of the reference example. Therefore, the same reference numerals are given to the same components, and the description thereof will be omitted.
【0022】第2の参考例のエラスティックコンボルバ
21では、圧電薄膜26,26は、圧電基板12の上面
において、入力用IDT13,13が形成されている領
域のみを被覆するように形成されている。[0022] In elastic convolver 21 of the second reference example, the piezoelectric thin film 26 and 26, the upper surface of the piezoelectric substrate 12 is formed so as to cover only an area input IDT13,13 is formed .
【0023】第2の参考例のエラスティックコンボルバ
21の効率−周波数特性を図2に実線Dで示す。図2か
ら明らかなように、第2の参考例のエラスティックコン
ボルバ21においても、従来のエラスティックコンボル
バ1に比べて効率が高められ、かつ帯域幅が狭くならな
いことがわかる。従って、本参考例のように、少なくと
も入力用IDT23,23上を被覆するようにZnO圧
電薄膜26,26を形成することにより、帯域幅を狭め
ることなく、効率を高め得ることがわかる。Indicated by the solid line D the frequency characteristics in FIG. 2 - The efficiency of the elastic convolver 21 of the second reference example. As is clear from FIG. 2, the elastic convolver 21 of the second reference example also has higher efficiency and does not have a narrower bandwidth than the conventional elastic convolver 1. Therefore, it is understood that the efficiency can be increased without reducing the bandwidth by forming the ZnO piezoelectric thin films 26 so as to cover at least the input IDTs 23 as in the present reference example.
【0024】図4は、本発明の実施例に係るエラスティ
ックコンボルバを示す平面図である。エラスティックコ
ンボルバ31では、ZnOよりなる圧電薄膜36が、導
波路14が形成されている部分及びその近傍を除く残り
の全領域に被覆形成されている。その他の構造について
は、第1の参考例のエラスティックコンボルバ11と同
様であるため、同様の部分については、同一の参照番号
を付する。FIG. 4 is a plan view showing an elastic convolver according to actual施例of the present invention. In the elastic convolver 31, the piezoelectric thin film 36 made of ZnO is formed so as to cover the entire area except the portion where the waveguide 14 is formed and the vicinity thereof. Other structures are the same as those of the elastic convolver 11 of the first reference example, and the same parts are denoted by the same reference numerals.
【0025】上記のように本発明においては、ZnO圧
電薄膜は、導波路14上を除く残りの領域の全ての領域
に被覆形成されており、第1,第2の参考例と同様に従
来のエラスティックコンボルバ1に比べて、帯域幅を狭
めることなく効率を高めることができる。ZnO/Li
NbO3積層構造では、IDT及びMSCにおける表面
波の変換効率はLiNbO3のみからなる圧電基板の場
合に比べて高いが、逆に、その変換効率の高さのため
に、両MSC15,15間において漏洩してきた表面波
間の干渉が問題となったり、あるいはIDT13,13
から外側に漏洩し、圧電基板端面で反射された表面波に
起因するリップルが問題となる場合がある。しかしなが
ら、本実施例のエラスティックコンボルバ31では、図
4の矢印E,Eに示すMSC15,15から多少漏れる
表面波を、上記ZnO圧電薄膜36により減衰させるこ
とができる。従って、両MSC15,15間の干渉を低
減することができる。加えて、図4に矢印F,Fで示す
端面で反射された表面波についても、上記ZnO圧電薄
膜36の付加により該反射された表面波が大きく減衰さ
れ、反射波による不要リップルを効果的に低減すること
ができる。[0025] In the present invention as described above, ZnO piezoelectric thin film is coated formed in all the regions of the remaining region excluding the upper waveguide 14, first, similarly in the conventional second reference example Compared to the elastic convolver 1, the efficiency can be increased without reducing the bandwidth. ZnO / Li
In the NbO 3 stacked structure, the conversion efficiency of the surface wave in the IDT and the MSC is higher than that of the piezoelectric substrate made only of LiNbO 3, however, on the contrary, because of the high conversion efficiency, between the two MSCs 15 and 15 Interference between leaked surface waves becomes a problem, or IDTs 13 and 13
From the surface of the piezoelectric substrate, which may cause a problem. However, in the elastic convolver 31 of this embodiment, the surface waves slightly leaking from the MSCs 15, 15 indicated by arrows E, E in FIG. 4 can be attenuated by the ZnO piezoelectric thin film 36. Therefore, interference between both MSCs 15 and 15 can be reduced. In addition, the surface waves reflected by the end faces indicated by arrows F and F in FIG. Can be reduced.
【0026】[0026]
【発明の効果】本発明によれば、LiNbO3 よりなる
圧電基板上の導波路上を除いて、但し少なくとも入力用
IDTを覆うようにZnO薄膜が形成されているため、
帯域幅を狭めることなく、高効率のエラスティックコン
ボルバを提供することが可能となる。According to the present invention, the ZnO thin film is formed so as to cover at least the input IDT except on the waveguide on the piezoelectric substrate made of LiNbO 3 .
It is possible to provide a highly efficient elastic convolver without reducing the bandwidth.
【図1】第1の参考例のエラスティックコンボルバを示
す平面図。FIG. 1 is a plan view showing an elastic convolver according to a first reference example.
【図2】従来例および参考例のエラスティックコンボル
バの効率−周波数特性を示す図。FIG. 2 is a diagram showing efficiency-frequency characteristics of elastic convolvers according to a conventional example and a reference example.
【図3】第2の参考例のエラスティックコンボルバを示
す平面図。FIG. 3 is a plan view showing an elastic convolver according to a second reference example.
【図4】実施例のエラスティックコンボルバを示す平面
図。[Figure 4] gills plan view showing a stick combo Luba real施例.
【図5】従来のエラスティックコンボルバを示す平面
図。FIG. 5 is a plan view showing a conventional elastic convolver.
11…エラスティックコンボルバ 12…圧電基板 13,13…入力用IDT 14…導波路 15,15…MSC 11 Elastic convolver 12 Piezoelectric substrate 13, 13 Input IDT 14 Waveguide 15, 15 MSC
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−66792(JP,A) 特開 平4−35211(JP,A) PROCEEDINGS OF TH E IEEE,VOL.64,NO.5, MAY 1976,p.748〜751 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03H 9/72 H03H 9/25 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-54-66792 (JP, A) JP-A-4-35211 (JP, A) PROCEEDINGS OF THE IEEE, VOL. 64, NO. 5, MAY 1976, p. 748 ~ 751 (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H03H 9/72 H03H 9/25
Claims (1)
と、 前記圧電基板上において所定距離を隔てて配置された一
対の入力用インターデジタルトランスデューサと、 前記一対の入力用インターデジタルトランスデューサ間
に配置された導波路と、 前記導波路と、各入力用インターデジタルトランスデュ
ーサとの間にそれぞれ形成されたマルチストリップカプ
ラーと、 前記圧電基板上の前記導波路が形成されている部分及び
その近傍を除く残りの全領域上に形成されたZnO圧電
薄膜とを備える、エラスティックコンボルバ。1. A piezoelectric substrate made of LiNbO 3 single crystal, a pair of input interdigital transducers arranged at a predetermined distance on the piezoelectric substrate, and a pair of input interdigital transducers arranged between the pair of input interdigital transducers A waveguide, a multistrip coupler formed between the waveguide, and each input interdigital transducer, and a portion of the piezoelectric substrate on which the waveguide is formed; and
An elastic convolver comprising: a ZnO piezoelectric thin film formed on the entire remaining area except the vicinity thereof .
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JP04144393A JP3189467B2 (en) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | Elastic convolver |
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