JP3184530B2 - 金属イオンレベルが低いフォトレジスト - Google Patents
金属イオンレベルが低いフォトレジストInfo
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- exchange resin
- ion exchange
- ppb
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Treatment Of Liquids With Adsorbents In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、金属イオン、特にナトリウムおよび鉄、の
レベルが非常に低いフォトレジストの製造法、および半
導体デバイスの製造におけるその様なフォトレジストの
使用法に関する。また本発明は、金属イオン、例えばナ
トリウムおよび鉄、のレベルが非常に低いフォトレジス
トの製作法にも関する。さらに、本発明は、これらのフ
ォトレジスト組成物で基材を被覆する方法、ならびに好
適な基材上にフォトレジストを塗布し、画像形成し、現
像する方法にも関する。
レベルが非常に低いフォトレジストの製造法、および半
導体デバイスの製造におけるその様なフォトレジストの
使用法に関する。また本発明は、金属イオン、例えばナ
トリウムおよび鉄、のレベルが非常に低いフォトレジス
トの製作法にも関する。さらに、本発明は、これらのフ
ォトレジスト組成物で基材を被覆する方法、ならびに好
適な基材上にフォトレジストを塗布し、画像形成し、現
像する方法にも関する。
フォトレジスト組成物は、小型化された電子部品を製
作するための、例えばコンピュータチップや集積回路の
製造における、マイクロリソグラフィーにも使用され
る。一般的にこれらの方法では、まず、基材、例えば集
積回路の製作に使用するシリコンウエハー、をフォトレ
ジスト組成物の薄い被膜で被覆する。次いで被覆した基
材を焼き付けてフォトレジスト組成物中の溶剤をすべて
蒸発させ、被覆を基材上に固着させる。次に、基材の焼
き付けた被覆表面を放射線に像様に露出する。
作するための、例えばコンピュータチップや集積回路の
製造における、マイクロリソグラフィーにも使用され
る。一般的にこれらの方法では、まず、基材、例えば集
積回路の製作に使用するシリコンウエハー、をフォトレ
ジスト組成物の薄い被膜で被覆する。次いで被覆した基
材を焼き付けてフォトレジスト組成物中の溶剤をすべて
蒸発させ、被覆を基材上に固着させる。次に、基材の焼
き付けた被覆表面を放射線に像様に露出する。
放射線露出により、被覆表面の露光区域が化学的に変
換される。可視光線、紫外（UV）線、電子線およびＸ線
放射エネルギーが、マイクロリソグラフィーで今日一般
的に使用されている種類の放射線である。この画像露光
の後、被覆した基材を現像溶液で処理し、基材の被覆表
面の、放射線で露光した、または露光しなかった区域を
除去する。
換される。可視光線、紫外（UV）線、電子線およびＸ線
放射エネルギーが、マイクロリソグラフィーで今日一般
的に使用されている種類の放射線である。この画像露光
の後、被覆した基材を現像溶液で処理し、基材の被覆表
面の、放射線で露光した、または露光しなかった区域を
除去する。
高密度集積回路およびコンピュータチップの製造にお
いて、金属汚染が長い間問題になっており、欠陥の増
加、生産性の低下、劣化および性能低下を引き起こすこ
とが多い。プラズマ法では、金属、例えばナトリウムや
鉄、がフォトレジスト中に存在すると、特にプラズマ剥
離（stripping）の際に汚染を引き起こすことがある。
しかし、これらの問題は、例えば、高温アニールサイク
ルの間に汚染物のHCLゲッタリングを使用することによ
り、製造工程中でかなり解決されている。
いて、金属汚染が長い間問題になっており、欠陥の増
加、生産性の低下、劣化および性能低下を引き起こすこ
とが多い。プラズマ法では、金属、例えばナトリウムや
鉄、がフォトレジスト中に存在すると、特にプラズマ剥
離（stripping）の際に汚染を引き起こすことがある。
しかし、これらの問題は、例えば、高温アニールサイク
ルの間に汚染物のHCLゲッタリングを使用することによ
り、製造工程中でかなり解決されている。
半導体デバイスがより高度化するにつれて、これらの
問題は解決がなるかに困難になっている。シリコンウエ
ハーを液体のポジ型フォトレジストで被覆し、続いて酸
素マイクロ波プラズマなどで剥離すると、半導体デバイ
スの性能および安定性が低下することが多い。プラズマ
剥離処理を繰り返すと、デバイスがより劣化することが
多い。その様な問題の第一の原因は、フォトレジスト中
が金属、特にナトリウムおよび鉄、により汚染されるこ
とであることが分かっている。フォトレジスト中のフォ
トレジスト中の1.0ppm未満のレベルの金属の存在がその
様な半導体デバイスの特性に強い悪影響を及ぼすことが
分かっている。
問題は解決がなるかに困難になっている。シリコンウエ
ハーを液体のポジ型フォトレジストで被覆し、続いて酸
素マイクロ波プラズマなどで剥離すると、半導体デバイ
スの性能および安定性が低下することが多い。プラズマ
剥離処理を繰り返すと、デバイスがより劣化することが
多い。その様な問題の第一の原因は、フォトレジスト中
が金属、特にナトリウムおよび鉄、により汚染されるこ
とであることが分かっている。フォトレジスト中のフォ
トレジスト中の1.0ppm未満のレベルの金属の存在がその
様な半導体デバイスの特性に強い悪影響を及ぼすことが
分かっている。
ノボラック樹脂は、液体フォトレジスト配合物中の重
合体状バインダーとして使用されることが多い。これら
の樹脂は一般的に、ホルムアルデヒドおよび１種または
それより多い多置換フェノールの縮合反応を酸触媒、例
えばシュウ酸、の存在下で行なうことにより製造され
る。高度の半導体デバイスの製造では、金属汚染レベル
が1.0ppmよりはるかに低いフォトレジストを提供するこ
とが益々重要になっている。
合体状バインダーとして使用されることが多い。これら
の樹脂は一般的に、ホルムアルデヒドおよび１種または
それより多い多置換フェノールの縮合反応を酸触媒、例
えばシュウ酸、の存在下で行なうことにより製造され
る。高度の半導体デバイスの製造では、金属汚染レベル
が1.0ppmよりはるかに低いフォトレジストを提供するこ
とが益々重要になっている。
フォトレジスト組成物には、ネガ型とポジ型の２種類
がある。ネガ型フォトレジスト組成物を放射線に像様露
出すると、レジスタ組成物の放射線に露出された区域の
現像溶液に対する溶解性が低下し（例えば架橋反応が起
こる）、フォトレジストの非露光区域はその様な溶液に
対して比較的可溶性のままである。こうして、露光した
ネガ型レジストを現像剤で処理することにより、フォト
レジスト被覆の非露光区域が除去され、被覆中に陰画像
が形成される。それによって、その下にある、フォトレ
ジスト組成物で被覆されていた基材表面の所望の部分が
表に出る。
がある。ネガ型フォトレジスト組成物を放射線に像様露
出すると、レジスタ組成物の放射線に露出された区域の
現像溶液に対する溶解性が低下し（例えば架橋反応が起
こる）、フォトレジストの非露光区域はその様な溶液に
対して比較的可溶性のままである。こうして、露光した
ネガ型レジストを現像剤で処理することにより、フォト
レジスト被覆の非露光区域が除去され、被覆中に陰画像
が形成される。それによって、その下にある、フォトレ
ジスト組成物で被覆されていた基材表面の所望の部分が
表に出る。
他方、ポジ型フォトレジスト組成物を放射線に像様露
出すると、フォトレジスト組成物の放射線に露出された
区域が現像剤に対してより可溶性になり（例えば転位反
応が起こる）、露光しなかった区域は現像剤溶液に対し
て比較的不溶性のままである。この様に、露光したポジ
型フォトレジストを現像剤で処理することにより、被覆
の露光した区域が除去され、フォトレジスト被覆中に陽
画像が形成される。やはり、その下にある基材表面の所
望の部分が表に出る。
出すると、フォトレジスト組成物の放射線に露出された
区域が現像剤に対してより可溶性になり（例えば転位反
応が起こる）、露光しなかった区域は現像剤溶液に対し
て比較的不溶性のままである。この様に、露光したポジ
型フォトレジストを現像剤で処理することにより、被覆
の露光した区域が除去され、フォトレジスト被覆中に陽
画像が形成される。やはり、その下にある基材表面の所
望の部分が表に出る。
この現像操作の後、もはや保護されていない基材の部
分を基材エッチング剤溶液またはプラズマガスなどで処
理することができる。エッチング剤溶液またはプラズマ
ガス等によって現像の際にフォトレジスト被覆が除去さ
れた基材の部分をエッチングする。フォトレジスト被覆
がまだ残っている基材の区域は保護され、したがって基
材に、放射線に対する画像露光に使用したフォトマスク
に対応するエッチングパターンが形成される。その後、
フォトレジスト被覆の残留区域を剥離工程で除去し、清
浄なエッチングされた基材表面を残すことができる。場
合により、現像工程の後で、エッチング工程の前に、残
留するフォトレジスト層を熱処理し、その下の基材に対
する密着性およびエッチング溶液に対する耐性を強化す
るのが望ましい。
分を基材エッチング剤溶液またはプラズマガスなどで処
理することができる。エッチング剤溶液またはプラズマ
ガス等によって現像の際にフォトレジスト被覆が除去さ
れた基材の部分をエッチングする。フォトレジスト被覆
がまだ残っている基材の区域は保護され、したがって基
材に、放射線に対する画像露光に使用したフォトマスク
に対応するエッチングパターンが形成される。その後、
フォトレジスト被覆の残留区域を剥離工程で除去し、清
浄なエッチングされた基材表面を残すことができる。場
合により、現像工程の後で、エッチング工程の前に、残
留するフォトレジスト層を熱処理し、その下の基材に対
する密着性およびエッチング溶液に対する耐性を強化す
るのが望ましい。
ポジ型フォトレジスト組成物は、一般的に解像力およ
びパターン転写特性がより優れているので、現在、ネガ
型レジストよりも好まれている。フォトレジストの解像
度は、レジスト組成物が、露光および現像の後に、フォ
トマスクから基材に高度の画像縁部の鋭さをもって転写
できる最小の輪郭（feature）として定義される。今日
の多くの製造用途には、１ミクロン未満のオーダーのレ
ジスト解像度が必要である。さらに、現像されたフォト
レジスト壁の側面が基材に対して垂直に近いことが非常
に望ましい。レジスト被覆の現像区域と非現像区域との
境界がその様に確実に区分けされているにより、マスク
画像が基材上に精確にパターン転写される。
びパターン転写特性がより優れているので、現在、ネガ
型レジストよりも好まれている。フォトレジストの解像
度は、レジスト組成物が、露光および現像の後に、フォ
トマスクから基材に高度の画像縁部の鋭さをもって転写
できる最小の輪郭（feature）として定義される。今日
の多くの製造用途には、１ミクロン未満のオーダーのレ
ジスト解像度が必要である。さらに、現像されたフォト
レジスト壁の側面が基材に対して垂直に近いことが非常
に望ましい。レジスト被覆の現像区域と非現像区域との
境界がその様に確実に区分けされているにより、マスク
画像が基材上に精確にパターン転写される。
発明の概要 本発明は、金属イオン、特にナトリウムおよび鉄、の
レベルが非常に小さいフォトレジストの製造法に関す
る。さらに本発明は、その様なフォトレジストを使用す
る半導体デバイスの製造法にも関する。
レベルが非常に小さいフォトレジストの製造法に関す
る。さらに本発明は、その様なフォトレジストを使用す
る半導体デバイスの製造法にも関する。
本発明の方法は、金属イオンのレベルが非常に少ない
フォトレジスト、好ましくは液体フォトレジスト、を提
供するものである。液体フォトレジストはネガ型でもポ
ジ型でもよいが、ポジ型フォトレジストが好ましい。
フォトレジスト、好ましくは液体フォトレジスト、を提
供するものである。液体フォトレジストはネガ型でもポ
ジ型でもよいが、ポジ型フォトレジストが好ましい。
得られるフォトレジストは、金属イオン、例えば鉄、
ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、銅
および亜鉛、のレベルが非常に小さい。総計金属イオン
レベルは好ましくは500ppb未満、より好ましくは200ppb
未満、である。ナトリウムおよび鉄は、最も一般的で、
最も検出し易い金属イオン汚染物である。これらの金属
イオンのレベルは、他の金属イオンのレベルの目安とな
る。ナトリウムおよび鉄イオンのレベルは、それぞれ20
0ppb未満、好ましくは100ppb未満、より好ましくは50pp
b未満、さらに好ましくは20ppb未満、最も好ましくは10
ppb未満、である。
ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、銅
および亜鉛、のレベルが非常に小さい。総計金属イオン
レベルは好ましくは500ppb未満、より好ましくは200ppb
未満、である。ナトリウムおよび鉄は、最も一般的で、
最も検出し易い金属イオン汚染物である。これらの金属
イオンのレベルは、他の金属イオンのレベルの目安とな
る。ナトリウムおよび鉄イオンのレベルは、それぞれ20
0ppb未満、好ましくは100ppb未満、より好ましくは50pp
b未満、さらに好ましくは20ppb未満、最も好ましくは10
ppb未満、である。
好ましい態様の詳細な説明 本発明は、金属イオン、特にナトリウムおよび鉄、の
レベルが非常に小さいフォトレジストの製造法を提供す
るものである。好ましい態様では、本方法は特別に処理
した酸性イオン交換樹脂を使用してフォトレジストを精
製する。
レベルが非常に小さいフォトレジストの製造法を提供す
るものである。好ましい態様では、本方法は特別に処理
した酸性イオン交換樹脂を使用してフォトレジストを精
製する。
本方法は、下記のステップからなるものである。
ａ）酸性イオン交換樹脂を水、好ましくは脱イオン水、
続いて鉱酸溶液（例えば硫酸、硝酸または塩酸の５〜98
％溶液）で洗浄して、イオン交換樹脂中のナトリウムお
よび鉄イオンの合計レベルを500ppb未満、好ましくは20
0ppb未満、より好ましくは100ppb未満、最も好ましくは
40ppb以下、に減少させ、 ｂ）１）フォトレジスト組成物を光増感（photosensiti
ze）するのに十分な量の感光性成分、２）被膜形成樹
脂、および３）適当な溶剤の混合物を用意することによ
ってフォトレジスト組成物溶液をつくり、 ｃ）このフォトレジスト組成物溶液をイオン交換樹脂に
通し、溶液中のナトリウムおよび鉄イオンのレベルをそ
れぞれ200ppb未満、好ましくは100ppb未満、より好まし
くは50ppb未満、さらに好ましくは20ppb未満、最も好ま
しくは10ppb未満、に減少させる。
続いて鉱酸溶液（例えば硫酸、硝酸または塩酸の５〜98
％溶液）で洗浄して、イオン交換樹脂中のナトリウムお
よび鉄イオンの合計レベルを500ppb未満、好ましくは20
0ppb未満、より好ましくは100ppb未満、最も好ましくは
40ppb以下、に減少させ、 ｂ）１）フォトレジスト組成物を光増感（photosensiti
ze）するのに十分な量の感光性成分、２）被膜形成樹
脂、および３）適当な溶剤の混合物を用意することによ
ってフォトレジスト組成物溶液をつくり、 ｃ）このフォトレジスト組成物溶液をイオン交換樹脂に
通し、溶液中のナトリウムおよび鉄イオンのレベルをそ
れぞれ200ppb未満、好ましくは100ppb未満、より好まし
くは50ppb未満、さらに好ましくは20ppb未満、最も好ま
しくは10ppb未満、に減少させる。
本発明は、適当な基材をフォトレジスト組成物溶液で
被覆し、基材上に光画像を形成させることにより、半導
体デバイスを製造する方法であって、下記からなる方法
をさらに提供するものである。
被覆し、基材上に光画像を形成させることにより、半導
体デバイスを製造する方法であって、下記からなる方法
をさらに提供するものである。
ａ）酸性イオン交換樹脂を水、好ましくは脱イオン水、
続いて鉱酸溶液（例えば硫酸、硝酸または塩酸）で洗浄
して、イオン交換樹脂中のナトリウムおよび鉄イオンの
合計レベルを500ppb未満、好ましくは200ppb未満、より
好ましくは100ppb未満、最も好ましくは40ppb以下、に
減少させ、 ｂ）この酸性イオン交換樹脂を、フォトレジスト溶剤と
同じであるか、またはフォトレジスト溶剤と相容性があ
る溶剤で処理して、好ましくは樹脂を十分な量の、フォ
トレジスト組成物溶剤と同じであるか、またはフォトレ
ジスト組成物溶剤と少なくとも相容性がある溶剤で処理
して、大部分の水を除去し、最も好ましくは実質的にす
べての水を除去し、 ｃ）１）このフォトレジスト組成物を光増感するのに十
分な量の感光性成分、 ２）適当な被膜形成樹脂、および ３）適当な溶剤 の混合物を用意することによってフォトレジスト組成物
溶液をつくり、 ｄ）このフォトレジスト組成物をイオン交換樹脂に通し
て、溶液中のナトリウムおよび鉄イオンのレベルをそれ
ぞれ200ppb未満、好ましくは100ppb未満、より好ましく
は50ppb未満、さらに好ましくは20ppb未満、最も好まし
くは10ppb未満、に減少させ、 ｅ）適当な基材をこのフォトレジスト組成物溶液で被覆
し、 ｆ）この被覆した基材を、実質的にすべての溶剤が除去
されるまで熱処理し、感光性組成物を像様露光し、その
様な組成物の当該像様露光区域を適当な現像剤、例えば
を水性アルカリ現像剤、で除去する。所望により除去工
程の直前または後に基材を巻き付けることができる。
続いて鉱酸溶液（例えば硫酸、硝酸または塩酸）で洗浄
して、イオン交換樹脂中のナトリウムおよび鉄イオンの
合計レベルを500ppb未満、好ましくは200ppb未満、より
好ましくは100ppb未満、最も好ましくは40ppb以下、に
減少させ、 ｂ）この酸性イオン交換樹脂を、フォトレジスト溶剤と
同じであるか、またはフォトレジスト溶剤と相容性があ
る溶剤で処理して、好ましくは樹脂を十分な量の、フォ
トレジスト組成物溶剤と同じであるか、またはフォトレ
ジスト組成物溶剤と少なくとも相容性がある溶剤で処理
して、大部分の水を除去し、最も好ましくは実質的にす
べての水を除去し、 ｃ）１）このフォトレジスト組成物を光増感するのに十
分な量の感光性成分、 ２）適当な被膜形成樹脂、および ３）適当な溶剤 の混合物を用意することによってフォトレジスト組成物
溶液をつくり、 ｄ）このフォトレジスト組成物をイオン交換樹脂に通し
て、溶液中のナトリウムおよび鉄イオンのレベルをそれ
ぞれ200ppb未満、好ましくは100ppb未満、より好ましく
は50ppb未満、さらに好ましくは20ppb未満、最も好まし
くは10ppb未満、に減少させ、 ｅ）適当な基材をこのフォトレジスト組成物溶液で被覆
し、 ｆ）この被覆した基材を、実質的にすべての溶剤が除去
されるまで熱処理し、感光性組成物を像様露光し、その
様な組成物の当該像様露光区域を適当な現像剤、例えば
を水性アルカリ現像剤、で除去する。所望により除去工
程の直前または後に基材を巻き付けることができる。
本方法には、酸性イオン交換樹脂、例えばスチレン／
ビニルベンゼン陽イオン交換樹脂、を使用する。その様
なイオン交換樹脂には、例えばRohm and Haas社から市
販のAMBERLYST 15樹脂がある。これらの樹脂は典型的に
は80,000〜200,000ppbものナトリウムおよび鉄を含有す
る。本発明の方法に使用する前に、イオン交換樹脂は水
で、次いで鉱酸溶液で処理して、金属イオンレベルを低
くしなければならない。好ましくは、イオン交換樹脂を
最初に脱イオン水で、続いて鉱酸溶液、例えば10％硫酸
溶液、ですすぎ、再度脱イオン水ですすぎ、再度鉱酸溶
液で処理し、さらに脱イオン水ですすぐ。フォトレジス
ト組成物溶液を精製する前に、まずイオン交換樹脂を、
フォトレジスト組成物溶剤と同じであるか、または少な
くともそれと相容性がある溶剤ですすぐことが重要であ
る。
ビニルベンゼン陽イオン交換樹脂、を使用する。その様
なイオン交換樹脂には、例えばRohm and Haas社から市
販のAMBERLYST 15樹脂がある。これらの樹脂は典型的に
は80,000〜200,000ppbものナトリウムおよび鉄を含有す
る。本発明の方法に使用する前に、イオン交換樹脂は水
で、次いで鉱酸溶液で処理して、金属イオンレベルを低
くしなければならない。好ましくは、イオン交換樹脂を
最初に脱イオン水で、続いて鉱酸溶液、例えば10％硫酸
溶液、ですすぎ、再度脱イオン水ですすぎ、再度鉱酸溶
液で処理し、さらに脱イオン水ですすぐ。フォトレジス
ト組成物溶液を精製する前に、まずイオン交換樹脂を、
フォトレジスト組成物溶剤と同じであるか、または少な
くともそれと相容性がある溶剤ですすぐことが重要であ
る。
フォトレジスト組成物溶液が、酸性イオン交換樹脂と
化学的に反応する１種またはそれより多い成分を含有す
る場合は、フォトレジスト組成物は最初らその様な成分
を含まないように調製すべきである。これによって酸性
イオン交換樹脂と反応する成分を実質的に含まないフォ
トレジストが得られる。精製後、その様な成分をフォト
レジスト組成物に加える。
化学的に反応する１種またはそれより多い成分を含有す
る場合は、フォトレジスト組成物は最初らその様な成分
を含まないように調製すべきである。これによって酸性
イオン交換樹脂と反応する成分を実質的に含まないフォ
トレジストが得られる。精製後、その様な成分をフォト
レジスト組成物に加える。
フォトレジスト組成物溶液は、例えば適当な溶剤中約
10〜40重量％の溶液で、イオン交換樹脂を含有するカラ
ムに通すのが好ましい。その様な溶液は典型的にはそれ
ぞれ500〜20,000ppbのナトリウムおよび鉄イオンを含有
する。本発明の方法により、これらのレベルをそれぞれ
10ppbまで低下させる。
10〜40重量％の溶液で、イオン交換樹脂を含有するカラ
ムに通すのが好ましい。その様な溶液は典型的にはそれ
ぞれ500〜20,000ppbのナトリウムおよび鉄イオンを含有
する。本発明の方法により、これらのレベルをそれぞれ
10ppbまで低下させる。
本発明は、さらにフォトレジスト組成物溶液の製造方
法およびその様なフォトレジスト組成物溶液を使用する
半導体デバイスの製造法を提供するものである。フォト
レジスト組成物溶液は、光増感剤、被膜形成樹脂および
適当な溶剤を混合して製造する。
法およびその様なフォトレジスト組成物溶液を使用する
半導体デバイスの製造法を提供するものである。フォト
レジスト組成物溶液は、光増感剤、被膜形成樹脂および
適当な溶剤を混合して製造する。
適当な被膜形成樹脂には、ノボラック樹脂、例えば置
換ナフトキノンジアジド、トリヒドロキシフェニルエタ
ン樹脂、またはヒドロキシスチレン重合体、例えばポリ
（ｐ−ヒドロキシスチレン）、またはその様なノボラッ
ク樹脂またはヒドロキシスチレン重合体の第３級ブトキ
シカルボニル誘導体がある。
換ナフトキノンジアジド、トリヒドロキシフェニルエタ
ン樹脂、またはヒドロキシスチレン重合体、例えばポリ
（ｐ−ヒドロキシスチレン）、またはその様なノボラッ
ク樹脂またはヒドロキシスチレン重合体の第３級ブトキ
シカルボニル誘導体がある。
その様なフォトレジストに適当な溶剤としては、プロ
ピレングリコールモノアルキルエーテル、酢酸プロピレ
ングリコールアルキル（例えばメチル）エーテル、３−
エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、３−エトキ
シプロピオン酸エチルと乳酸エチルの混合物、酢酸ブチ
ル、キシレン、ジグライム、酢酸エチレングリコールモ
ノエチルエーテルがある。好ましい溶剤は、酢酸プロピ
レングリコールメチルエーテル（PGMEA）および３−エ
トキシプロピオン酸エチル（EEP）である。
ピレングリコールモノアルキルエーテル、酢酸プロピレ
ングリコールアルキル（例えばメチル）エーテル、３−
エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、３−エトキ
シプロピオン酸エチルと乳酸エチルの混合物、酢酸ブチ
ル、キシレン、ジグライム、酢酸エチレングリコールモ
ノエチルエーテルがある。好ましい溶剤は、酢酸プロピ
レングリコールメチルエーテル（PGMEA）および３−エ
トキシプロピオン酸エチル（EEP）である。
フォトレジスト組成物を基材に塗布する前に、着色
剤、染料、縞防止剤（antistriation）、レベリング
剤、可塑剤、接着促進剤、速度増加剤（speed enhance
r）、溶剤、および非イオン系界面活性剤の様な界面活
性剤を、ノボラック樹脂、増感剤（sensitizer）および
溶剤の溶液に加えることができる。本発明のフォトレジ
スト組成物と共に使用できる染料添加剤の例は、メチル
バイオレット（C.I.No.42535）、クリスタルバイオレッ
ト（C.I.No.42555）、マラカイトグリーン（C.I.No.420
00）、ビクトリアブルーＢ（C.I.No.44045）およびニュ
ートラルレッド（C.I.No.50040）であり、これらをノボ
ラックと増感剤の合計重量に対して１〜10重量％のレベ
ルで使用する。染料添加剤は、基材による光の後方散乱
を防止することにより、解像度を増加するのに役立つ。
剤、染料、縞防止剤（antistriation）、レベリング
剤、可塑剤、接着促進剤、速度増加剤（speed enhance
r）、溶剤、および非イオン系界面活性剤の様な界面活
性剤を、ノボラック樹脂、増感剤（sensitizer）および
溶剤の溶液に加えることができる。本発明のフォトレジ
スト組成物と共に使用できる染料添加剤の例は、メチル
バイオレット（C.I.No.42535）、クリスタルバイオレッ
ト（C.I.No.42555）、マラカイトグリーン（C.I.No.420
00）、ビクトリアブルーＢ（C.I.No.44045）およびニュ
ートラルレッド（C.I.No.50040）であり、これらをノボ
ラックと増感剤の合計重量に対して１〜10重量％のレベ
ルで使用する。染料添加剤は、基材による光の後方散乱
を防止することにより、解像度を増加するのに役立つ。
縞防止剤は、被膜形成樹脂と増感剤の合計重量に対し
て約５重量％のレベルまで使用することができる。使用
可能な可塑剤には、例えば、被膜形成樹脂と増感剤の合
計重量に対して１〜10重量％のレベルの、リン酸トリ−
（ベータ−クロロエチル）−エステル、ステアリン酸、
ジカンファー、ポリプロピレン、アセタール樹脂、フェ
ノキシ樹脂、およびアルキル樹脂がある。可塑剤添加物
は物質の被覆特性を改良し、平滑で一様な厚さの被膜を
基材に塗設すること可能にする。
て約５重量％のレベルまで使用することができる。使用
可能な可塑剤には、例えば、被膜形成樹脂と増感剤の合
計重量に対して１〜10重量％のレベルの、リン酸トリ−
（ベータ−クロロエチル）−エステル、ステアリン酸、
ジカンファー、ポリプロピレン、アセタール樹脂、フェ
ノキシ樹脂、およびアルキル樹脂がある。可塑剤添加物
は物質の被覆特性を改良し、平滑で一様な厚さの被膜を
基材に塗設すること可能にする。
使用してもよい接着促進剤には、例えば被膜形成樹脂
と増感剤の合計重量に対して４重量％のレベルまでの、
ベータ−（3,4−エポキシ−シクロヘキシル）−エチル
トリメトキシシラン、メタクリル酸ｐ−メチル−ジシラ
ン−メチル、ビニルトリクロロシラン、およびガンマ−
アミノ−プロピルトリエトキシシランがある。使用して
もよい現像速度増加剤には、例えば被膜形成樹脂と増感
剤の合計重量に対して約20重量％レベルまでの、ピクリ
ン酸、ニコチン酸またはニトロケイ皮酸がある。この増
加剤は、露光区域と非露光区域の両方でフォトレジスト
被覆の溶解性を増加する傾向があり、したがって、コン
トラストをある程度犠牲にしても現像速度の方が重要で
ある場合に使用される。すなわち現像剤により、フォト
レジスト被覆の露光区域がより急速に溶解するが、速度
増加剤により、非露光区域からもフォトレジスト被覆が
大量に失われる。
と増感剤の合計重量に対して４重量％のレベルまでの、
ベータ−（3,4−エポキシ−シクロヘキシル）−エチル
トリメトキシシラン、メタクリル酸ｐ−メチル−ジシラ
ン−メチル、ビニルトリクロロシラン、およびガンマ−
アミノ−プロピルトリエトキシシランがある。使用して
もよい現像速度増加剤には、例えば被膜形成樹脂と増感
剤の合計重量に対して約20重量％レベルまでの、ピクリ
ン酸、ニコチン酸またはニトロケイ皮酸がある。この増
加剤は、露光区域と非露光区域の両方でフォトレジスト
被覆の溶解性を増加する傾向があり、したがって、コン
トラストをある程度犠牲にしても現像速度の方が重要で
ある場合に使用される。すなわち現像剤により、フォト
レジスト被覆の露光区域がより急速に溶解するが、速度
増加剤により、非露光区域からもフォトレジスト被覆が
大量に失われる。
溶剤は組成物全体の中に、たとえば組成物中の固体の
95重量％までの量で存在する。溶剤は、無論、フォトレ
ジストを基材上に塗布した後、乾燥することにより実質
的に除去される。使用可能な非イオン系界面活性剤に
は、例えば被膜形成樹脂と増感剤の合計重量に対して10
重量％のレベルまでの、ノニルフェノキシポリ（エチレ
ンオキシ）エタノール、オクチルフェノキシエタノール
がある。
95重量％までの量で存在する。溶剤は、無論、フォトレ
ジストを基材上に塗布した後、乾燥することにより実質
的に除去される。使用可能な非イオン系界面活性剤に
は、例えば被膜形成樹脂と増感剤の合計重量に対して10
重量％のレベルまでの、ノニルフェノキシポリ（エチレ
ンオキシ）エタノール、オクチルフェノキシエタノール
がある。
製造されたフォトレジスト組成物溶液は、ディップ塗
布、スプレー塗布、ワーリングwhirling塗布、およびス
ピン塗布を包含する、フォトレジスト分野で使用される
慣用の方法により、基材に塗布することができる。例え
ば、スピン塗布する場合、レジスト溶液は、使用するス
ピニング装置の種類およびスピニング工程に許される時
間に対して、所望の厚さの被覆を得るために、固体レベ
ルを調整することができる。適当な基材には、シリコ
ン、アルミニウム、重合体樹脂、二酸化ケイ素、ドーピ
ングした二酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポ
リシリコン、セラミック、アルミニウム／銅混合物、ヒ
化ガリウム、および他のその様なIII/V族化合物があ
る。
布、スプレー塗布、ワーリングwhirling塗布、およびス
ピン塗布を包含する、フォトレジスト分野で使用される
慣用の方法により、基材に塗布することができる。例え
ば、スピン塗布する場合、レジスト溶液は、使用するス
ピニング装置の種類およびスピニング工程に許される時
間に対して、所望の厚さの被覆を得るために、固体レベ
ルを調整することができる。適当な基材には、シリコ
ン、アルミニウム、重合体樹脂、二酸化ケイ素、ドーピ
ングした二酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポ
リシリコン、セラミック、アルミニウム／銅混合物、ヒ
化ガリウム、および他のその様なIII/V族化合物があ
る。
上記の手順により製造されたフォトレジスト組成物
は、熱的に成長させたケイ素／二酸化ケイ素被覆したウ
エハー、例えばマイクロプロセッサー、その他の小型集
積回路部品の製造に使用されているもの、を被覆するの
に特に適当である。アルミニウム／酸化アルミニウムウ
エハーも使用できる。基材は、各種の重合体樹脂、特に
透明重合体、例えばポリエステルを含んでいてもよい。
基材は、適当な組成物、例えばヘキサ−アルキルジシラ
ザンを含む組成物、の接着促進層を有してもよい。
は、熱的に成長させたケイ素／二酸化ケイ素被覆したウ
エハー、例えばマイクロプロセッサー、その他の小型集
積回路部品の製造に使用されているもの、を被覆するの
に特に適当である。アルミニウム／酸化アルミニウムウ
エハーも使用できる。基材は、各種の重合体樹脂、特に
透明重合体、例えばポリエステルを含んでいてもよい。
基材は、適当な組成物、例えばヘキサ−アルキルジシラ
ザンを含む組成物、の接着促進層を有してもよい。
次いで、フォトレジスト組成物溶液を基材上に塗布
し、基材を約70℃〜約110℃の温度で、ホットプレート
上で約30秒間から約180秒間、あるいは対流加熱炉中で
約15〜約90分間、処理する。この温度処理は、フォトレ
ジスト中の残留溶剤の濃度は下げるが、光増感剤が重大
な熱劣化は引き起こさない様に選択される。一般的に、
溶剤の濃度を最少にすることが望ましく、この最初の温
度処理は、実質的にすべての溶剤が蒸発して、厚さ１ミ
クロンのオーダーのフォトレジスト組成物の薄い被覆が
基材上に残るまで行なう。好ましい実施態様では、温度
は約85℃〜約95℃である。溶剤除去の変化率が比較的問
題にならなくなるまでこの処理を行なう。温度と時間の
選択は、使用者が望むフォトレジストの特性、ならびに
使用する装置および商業的に望ましい被覆時間に依存す
る。次いで、被覆基材を、化学（actinic）線、例えば
約300nm〜約450nmの波長の紫外線、Ｘ線、電子線、イオ
ンまたはレーザー放射線、に、適当なマスク、ネガ、ス
テンシル、テンプレート、等を使用して形成した所望の
パターンで露光することができる。
し、基材を約70℃〜約110℃の温度で、ホットプレート
上で約30秒間から約180秒間、あるいは対流加熱炉中で
約15〜約90分間、処理する。この温度処理は、フォトレ
ジスト中の残留溶剤の濃度は下げるが、光増感剤が重大
な熱劣化は引き起こさない様に選択される。一般的に、
溶剤の濃度を最少にすることが望ましく、この最初の温
度処理は、実質的にすべての溶剤が蒸発して、厚さ１ミ
クロンのオーダーのフォトレジスト組成物の薄い被覆が
基材上に残るまで行なう。好ましい実施態様では、温度
は約85℃〜約95℃である。溶剤除去の変化率が比較的問
題にならなくなるまでこの処理を行なう。温度と時間の
選択は、使用者が望むフォトレジストの特性、ならびに
使用する装置および商業的に望ましい被覆時間に依存す
る。次いで、被覆基材を、化学（actinic）線、例えば
約300nm〜約450nmの波長の紫外線、Ｘ線、電子線、イオ
ンまたはレーザー放射線、に、適当なマスク、ネガ、ス
テンシル、テンプレート、等を使用して形成した所望の
パターンで露光することができる。
次いで、フォトレジストに所望により、現像の前また
は後に、露光後の第二焼き付けまたは加熱処理を行な
う。加熱温度は約90℃〜約120℃、より好ましくは約100
℃〜約110℃、である。加熱はホットプレート上で約30
秒間〜約２分間であり、より好ましくは約60秒間〜約90
秒間、または対流加熱炉中で約30〜約45分間、である。
は後に、露光後の第二焼き付けまたは加熱処理を行な
う。加熱温度は約90℃〜約120℃、より好ましくは約100
℃〜約110℃、である。加熱はホットプレート上で約30
秒間〜約２分間であり、より好ましくは約60秒間〜約90
秒間、または対流加熱炉中で約30〜約45分間、である。
露光したフォトレジスト被覆基材は、アルカリ性現像
溶液に浸漬するか、あるいはスプレー現像工程で現像し
て、像様露光した区域を除去する。溶液は、例えば窒素
バースト攪拌により、攪拌するのが好ましい。基材は、
露光区域からすべての、または実質的にすべてのフォト
レジスト被覆が溶解するまで、現像剤中に入れておく。
現像剤は、たとえばアンモニウムまたはアルカリ金属の
水酸化物の水溶液を包含する。ひとつの好ましい水酸化
物は、水酸化物は、水酸化テトラメチルアンモニウムで
ある。被覆したウエハーを現像溶液から取り出した後、
所望により現像後の熱処理または焼き付けを行ない、被
覆の密着性およびエッチング溶液、その他の物質に対す
る耐薬品性を向上させることができる。現像後の熱処理
は、被覆の軟化点より低い温度で被覆および基材を加熱
炉焼付けすることからなってもよい。工業用途、特にケ
イ素／二酸化ケイ素型基材上の微小回路装置の製造で
は、現像した基材を、緩衝したフッ化水素酸系のエッチ
ング溶液で処理してもよい。本発明のフォトレジスト組
成物は、酸を基剤とするエッチング溶液に耐性があり、
基材の非露光フォトレジスト被覆区域を効果的に保護す
る。
溶液に浸漬するか、あるいはスプレー現像工程で現像し
て、像様露光した区域を除去する。溶液は、例えば窒素
バースト攪拌により、攪拌するのが好ましい。基材は、
露光区域からすべての、または実質的にすべてのフォト
レジスト被覆が溶解するまで、現像剤中に入れておく。
現像剤は、たとえばアンモニウムまたはアルカリ金属の
水酸化物の水溶液を包含する。ひとつの好ましい水酸化
物は、水酸化物は、水酸化テトラメチルアンモニウムで
ある。被覆したウエハーを現像溶液から取り出した後、
所望により現像後の熱処理または焼き付けを行ない、被
覆の密着性およびエッチング溶液、その他の物質に対す
る耐薬品性を向上させることができる。現像後の熱処理
は、被覆の軟化点より低い温度で被覆および基材を加熱
炉焼付けすることからなってもよい。工業用途、特にケ
イ素／二酸化ケイ素型基材上の微小回路装置の製造で
は、現像した基材を、緩衝したフッ化水素酸系のエッチ
ング溶液で処理してもよい。本発明のフォトレジスト組
成物は、酸を基剤とするエッチング溶液に耐性があり、
基材の非露光フォトレジスト被覆区域を効果的に保護す
る。
下記の特定の例により、本発明の組成物を製造および
使用する方法を詳細に説明する。しかし、これらの実施
例は、本発明の範囲を制限または限定するものではな
く、本発明を実行するために必ず使用しなければならな
い条件、パラメータ、または値を与えるものではない。
使用する方法を詳細に説明する。しかし、これらの実施
例は、本発明の範囲を制限または限定するものではな
く、本発明を実行するために必ず使用しなければならな
い条件、パラメータ、または値を与えるものではない。
例１ フォトレジスト組成物の配合 PGMEA73.88グラムに、ｍ−クレゾール、3,5−キシレ
ノール、ホルムアルデヒドノボラック樹脂（クレゾール
混合物はｍ−クレゾール３部および3,5−キシレノール
１部であり、クレゾール混合物対ホルムアルデヒドのモ
ル比は1.0/0.7であった）19.58グラムを加えた。光増感
剤の混合物を次の様にして加えた。2,3,4,4′−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンの2,1,5−ジアゾナフトキノ
ンスルホン酸40〜80％エステル3,26グラム、2,3,4−ト
リヒドロキシベンゾフェノールの2,1,5−ジアゾナフト
キノンスルホン酸40〜80％エステル2.61グラムおよび2,
3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンの2,1,5−ジアゾナ
フトキノンスルホン酸（82〜91％）エステル0.651グラ
ムおよびFC−430界面活性剤（フルオロ脂肪族重合体状
エステル）0.020グラムを溶解させ、メンブランフィル
ター（細孔径0.2μｍ）を通して濾過した。
ノール、ホルムアルデヒドノボラック樹脂（クレゾール
混合物はｍ−クレゾール３部および3,5−キシレノール
１部であり、クレゾール混合物対ホルムアルデヒドのモ
ル比は1.0/0.7であった）19.58グラムを加えた。光増感
剤の混合物を次の様にして加えた。2,3,4,4′−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンの2,1,5−ジアゾナフトキノ
ンスルホン酸40〜80％エステル3,26グラム、2,3,4−ト
リヒドロキシベンゾフェノールの2,1,5−ジアゾナフト
キノンスルホン酸40〜80％エステル2.61グラムおよび2,
3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンの2,1,5−ジアゾナ
フトキノンスルホン酸（82〜91％）エステル0.651グラ
ムおよびFC−430界面活性剤（フルオロ脂肪族重合体状
エステル）0.020グラムを溶解させ、メンブランフィル
ター（細孔径0.2μｍ）を通して濾過した。
例２ 湿ったAMBERLYST 15イオン交換樹脂ビーズをコニカル
フラスコに入れ、樹脂ビーズ全体が水面下になる様に脱
イオン水を加えた。このフラスコを密封し、一晩放置し
て樹脂ビーズを膨潤させた。次の朝、水をデカンテーシ
ョンし、脱イオン水を加えて樹脂ビーズを覆い、フラス
コをゆるやかに振とうした。水を再びデカンテーション
した。脱イオン水ですすいでからデカンテーションする
工程を、さらに３回繰り返した。得られたイオン交換樹
脂のスラリーを、多孔質ディスクおよび活栓を備えたガ
ラスカラム中に注ぎ込んだ。樹脂を底に沈殿させ、カラ
ムを脱イオン水で25分間バックフラッシュした。樹脂を
再度底に沈殿させた。
フラスコに入れ、樹脂ビーズ全体が水面下になる様に脱
イオン水を加えた。このフラスコを密封し、一晩放置し
て樹脂ビーズを膨潤させた。次の朝、水をデカンテーシ
ョンし、脱イオン水を加えて樹脂ビーズを覆い、フラス
コをゆるやかに振とうした。水を再びデカンテーション
した。脱イオン水ですすいでからデカンテーションする
工程を、さらに３回繰り返した。得られたイオン交換樹
脂のスラリーを、多孔質ディスクおよび活栓を備えたガ
ラスカラム中に注ぎ込んだ。樹脂を底に沈殿させ、カラ
ムを脱イオン水で25分間バックフラッシュした。樹脂を
再度底に沈殿させた。
床体積は45mlと計算された。10％硫酸溶液を、約16ml
/分（14.1床体積／時間）の速度で樹脂床に通した。６
床体積の酸溶液を樹脂床に通した。次いで、60床体積の
脱イオン水をほぼ同じ流量で樹脂床に通した。流出水の
pHを測定し、新しい脱イオン水のpH6と一致することを
確認した。１床体積のジグライムをカラムに通して水を
除去し、続いて１床体積のPGMEAを通し、カラムをフォ
トレジスト溶剤と同じ溶剤で飽和させた。
/分（14.1床体積／時間）の速度で樹脂床に通した。６
床体積の酸溶液を樹脂床に通した。次いで、60床体積の
脱イオン水をほぼ同じ流量で樹脂床に通した。流出水の
pHを測定し、新しい脱イオン水のpH6と一致することを
確認した。１床体積のジグライムをカラムに通して水を
除去し、続いて１床体積のPGMEAを通し、カラムをフォ
トレジスト溶剤と同じ溶剤で飽和させた。
例１の、ナトリウム約400ppbおよび鉄約800ppbを含む
フォトレジスト溶液342グラムを同じ流量で樹脂床に通
した。得られた精製フォトレジストの金属イオンのレベ
ルは非常に低く、ナトリウム＜10ppb、鉄＜10ppbであっ
た。
フォトレジスト溶液342グラムを同じ流量で樹脂床に通
した。得られた精製フォトレジストの金属イオンのレベ
ルは非常に低く、ナトリウム＜10ppb、鉄＜10ppbであっ
た。
例３ 例１の未処理フォトレジストを、例２の処理済みフォ
トレジストと、フォトスピード、コントラスト、暗被膜
損失、熱安定性およびエージングについて比較した。例
２のフォトレジストは、例１のフォトレジストと比較し
て、フォトスピードが＋1.2％で、コントラストが３％
低く、暗被膜損失が４％速く、熱安定性は差がなく、エ
ージング（50℃で３日間）も差がなかった。
トレジストと、フォトスピード、コントラスト、暗被膜
損失、熱安定性およびエージングについて比較した。例
２のフォトレジストは、例１のフォトレジストと比較し
て、フォトスピードが＋1.2％で、コントラストが３％
低く、暗被膜損失が４％速く、熱安定性は差がなく、エ
ージング（50℃で３日間）も差がなかった。
フォトスピードは、Perkin Elmer法を使用して計算し
た。これは、一定量の被膜を除去するのに必要なエネル
ギーを使用して計算する。厚さの損失はエネルギーの対
数と直線関係にある。試料のフォトスピード％は ％差＝試料のエネルギー／エネルギー基準／エネルギー
基準x100 により求められる。
た。これは、一定量の被膜を除去するのに必要なエネル
ギーを使用して計算する。厚さの損失はエネルギーの対
数と直線関係にある。試料のフォトスピード％は ％差＝試料のエネルギー／エネルギー基準／エネルギー
基準x100 により求められる。
コントラストは、我々のフォトスピード試験から得ら
れる。これは、文献では、「標準化された残留厚さ」対
「エネルギーの対数」関係の負の傾斜として定義されて
いる。内部および外部のデータおよび文献では、これら
の特性は我々のフォトスピード法を使用して直線である
ことを示している。コントラストは、被膜の低露出区域
と過剰露出区域の変化に対する感度を表す。コントラス
トが高い程、リソグラフィーはこれらの区域間をより効
果的に識別でき、リソグラフィーのパターン化性能が改
善される。
れる。これは、文献では、「標準化された残留厚さ」対
「エネルギーの対数」関係の負の傾斜として定義されて
いる。内部および外部のデータおよび文献では、これら
の特性は我々のフォトスピード法を使用して直線である
ことを示している。コントラストは、被膜の低露出区域
と過剰露出区域の変化に対する感度を表す。コントラス
トが高い程、リソグラフィーはこれらの区域間をより効
果的に識別でき、リソグラフィーのパターン化性能が改
善される。
暗被膜損失は、実質的に非露光区域におけるフォトレ
ジストの厚さ損失の速度である。露光区域の溶解速度
（すなわちフォトスピード）およびコントラストに関連
して、この値は、露光区域と非露光区域の識別を示し、
パターン化性能を示す。
ジストの厚さ損失の速度である。露光区域の溶解速度
（すなわちフォトスピード）およびコントラストに関連
して、この値は、露光区域と非露光区域の識別を示し、
パターン化性能を示す。
熱安定性は、本質的には、異なった焼付け条件におけ
るフォトレジストパターンの流動特性である。リソグラ
フィーで一般的に行なうパター化後の焼付けは、温度に
対してある程度の耐性を有する材料を必要とする。
るフォトレジストパターンの流動特性である。リソグラ
フィーで一般的に行なうパター化後の焼付けは、温度に
対してある程度の耐性を有する材料を必要とする。
エージング試験は、50℃で一定時間加熱した、および
加熱していないフォトレジスト試料の、粘度、吸光率、
フォトスピード、等を比較して行われる。吸光率とは、
ここでは未反応増感剤の尺度である。この増感剤のレベ
ルは、光、熱および他の化学物質との反応により影響さ
れる。増感剤のレベルおよび反応生成物は、貯蔵寿命お
よび上記の特性のすべてを包含する、多くのフォトレジ
スト特性に影響する。
加熱していないフォトレジスト試料の、粘度、吸光率、
フォトスピード、等を比較して行われる。吸光率とは、
ここでは未反応増感剤の尺度である。この増感剤のレベ
ルは、光、熱および他の化学物質との反応により影響さ
れる。増感剤のレベルおよび反応生成物は、貯蔵寿命お
よび上記の特性のすべてを包含する、多くのフォトレジ
スト特性に影響する。
例４ フォトレジスト組成物の配合 PGMEA69.07グラムに、ｍ−クレゾール、3,5−キシレ
ノール、ホルムアルデヒドノボラック樹脂（このクレゾ
ール混合物はｍ−クレゾール３部および3,5−キシレノ
ール１部であり、クレゾール混合物対ホルムアルデヒド
のモル比は1.0/0.7であった）23.18グラムを加えた。光
増感剤の混合物を次の様にして加えた。2,3,4,4′−テ
トラヒドロキシベンゾフェノンの2,1,5−ジアゾナフト
キノンスルホン酸40〜80％エステル3,86グラム、2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノールの2,1,5−ジアゾナ
フトキノンスルホン酸40〜80％エステル3.09グラムおよ
び2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンの2,1,5−ジア
ゾナフトキノンスルホン酸（82〜91％）エステル0.771
グラムおよびFC−430界面活性剤（フルオロ脂肪族重合
体状エステル）0.024グラムを溶解させ、メンブランフ
ィルター（細孔径0.2μｍ）を通して濾過した。
ノール、ホルムアルデヒドノボラック樹脂（このクレゾ
ール混合物はｍ−クレゾール３部および3,5−キシレノ
ール１部であり、クレゾール混合物対ホルムアルデヒド
のモル比は1.0/0.7であった）23.18グラムを加えた。光
増感剤の混合物を次の様にして加えた。2,3,4,4′−テ
トラヒドロキシベンゾフェノンの2,1,5−ジアゾナフト
キノンスルホン酸40〜80％エステル3,86グラム、2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノールの2,1,5−ジアゾナ
フトキノンスルホン酸40〜80％エステル3.09グラムおよ
び2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンの2,1,5−ジア
ゾナフトキノンスルホン酸（82〜91％）エステル0.771
グラムおよびFC−430界面活性剤（フルオロ脂肪族重合
体状エステル）0.024グラムを溶解させ、メンブランフ
ィルター（細孔径0.2μｍ）を通して濾過した。
実施例５ 湿ったAMBERLYST 15イオン交換樹脂ビーズをコニカル
フラスコに入れ、樹脂ビーズ全体が水面下になる様に水
を加えた。このフラスコを密封し、一晩放置して樹脂ビ
ーズを膨潤させた。次の朝、水をデカンテーションし、
脱イオン水を加えて樹脂ビーズを覆い、フラスコをゆる
やかに振とうした。水を再びデカンテーションした。脱
イオン水ですすいでからデカンテーションする工程を、
さらに３回繰り返した。得られたイオン交換樹脂のスラ
リーを、多孔質ディスクおよび活栓を備えたガラスカラ
ム中に注ぎ込んだ。樹脂を底に沈殿させ、カラムを脱イ
オン水で25分間バックフラッシュした。樹脂を再度底に
沈殿させた。
フラスコに入れ、樹脂ビーズ全体が水面下になる様に水
を加えた。このフラスコを密封し、一晩放置して樹脂ビ
ーズを膨潤させた。次の朝、水をデカンテーションし、
脱イオン水を加えて樹脂ビーズを覆い、フラスコをゆる
やかに振とうした。水を再びデカンテーションした。脱
イオン水ですすいでからデカンテーションする工程を、
さらに３回繰り返した。得られたイオン交換樹脂のスラ
リーを、多孔質ディスクおよび活栓を備えたガラスカラ
ム中に注ぎ込んだ。樹脂を底に沈殿させ、カラムを脱イ
オン水で25分間バックフラッシュした。樹脂を再度底に
沈殿させた。
床体積は45mlと計算された。10％硫酸溶液を、約16ml
/分（14.1床体積／時間）の速度で樹脂床に通した。６
床体積の酸溶液を樹脂床に通した。次いで、60床体積の
脱イオン水をほぼ同じ流量で樹脂床に通した。流出水の
pHを測定し、新しい脱イオン水のpH6と一致することを
確認した。
/分（14.1床体積／時間）の速度で樹脂床に通した。６
床体積の酸溶液を樹脂床に通した。次いで、60床体積の
脱イオン水をほぼ同じ流量で樹脂床に通した。流出水の
pHを測定し、新しい脱イオン水のpH6と一致することを
確認した。
例４の、ナトリウム約400ppbおよび鉄約800ppbを含む
フォトレジスト溶液342グラムを同じ流量で樹脂床に通
した。得られた精製フォトレジストの金属イオンのレベ
ルは非常に低く、ナトリウム＜10ppb、鉄＜10ppbであっ
た。
フォトレジスト溶液342グラムを同じ流量で樹脂床に通
した。得られた精製フォトレジストの金属イオンのレベ
ルは非常に低く、ナトリウム＜10ppb、鉄＜10ppbであっ
た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダラム，ダナ エル. アメリカ合衆国ロードアイランド州、イ ースト、グリニッジ、アップルトゥリ ー、コート、３ (56)参考文献 特開 平１−228560（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−65415（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−258749（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−137246（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−222409（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−247653（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−36751（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/38 G03F 7/004 B01D 15/00 B01D 15/04 B01J 39/04
Claims (11)
- 【請求項１】ａ）酸性イオン交換樹脂を水で洗浄し、前
記イオン交換樹脂を鉱酸溶液で洗浄して、イオン交換樹
脂中のナトリウムおよび鉄イオンのレベルをそれぞれ50
0ppb未満に減少させ、 ｂ）酸性イオン交換樹脂を、フォトレジスト溶剤と同じ
であるか、またはフォトレジスト溶剤と少なくとも相容
性がある溶剤で処理し、 ｃ）１）フォトレジスト組成物を光増感するのに十分な
量の感光性成分、２）皮膜形成樹脂、および３）適当な
フォトレジスト溶剤の混合物を用意することによってフ
ォトレジスト組成物溶液をつくり、ｄ）このフォトレジ
スト組成物溶液を前記イオン交換樹脂に通して、前記溶
液中のナトリウムおよび鉄イオンのレベルをそれぞれ20
0ppb未満に減少させる、 ことを特徴とする、金属イオンのレベルが非常に低いフ
ォトレジストの製造方法。 - 【請求項２】イオン交換樹脂を溶剤で処理し、実質的に
すべての水を除去する、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】イオン交換樹脂中のナトリウムおよび鉄イ
オンの合計レベルを200ppb未満に減少させる、請求項２
に記載の方法。 - 【請求項４】フォトレジスト組成物中のナトリウムおよ
び鉄イオンのレベルをそれぞれ100ppb未満に減少させ
る、請求項３に記載の方法。 - 【請求項５】フォトレジスト組成物中のナトリウムおよ
び鉄イオンのレベルをそれぞれ50ppb未満に減少させ
る、請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】イオン交換樹脂のナトリウムおよび鉄イオ
ンのレベルがそれぞれ100ppb未満であり、得られるフォ
トレジスト組成物溶液のナトリウムおよび鉄イオンのレ
ベルがそれぞれ50ppb未満である、請求項１に記載の方
法。 - 【請求項７】ａ）酸性イオン交換樹脂を水で洗浄し、前
記イオン交換樹脂を鉱酸溶液で洗浄して、イオン交換樹
脂中のナトリウムおよび鉄イオンのレベルをそれぞれ50
0ppb未満に減少させ、 ｂ）この酸性イオン交換樹脂を、フォトレジスト溶液と
同じであるか、またはフォトレジスト溶剤と少なくとも
相容性がある溶剤で処理し、 ｃ）１）フォトレジスト組成物を光増感するのに十分な
量の感光性成分、２）皮膜形成樹脂、および３）適当な
フォトレジスト溶剤の混合物を用意してポジ型フォトレ
ジスト組成物溶液を製造し、 ｄ）このフォトレジスト組成物溶液を前記イオン交換樹
脂に通して、前記溶液中のナトリウムおよび鉄イオンの
レベルをそれぞれ200ppb未満に減少させ、 ｅ）適当な基材を前記フォトレジスト組成物で被覆し、 ｆ）被覆した基材を、実質的にすべての溶剤が除去され
るまで熱処理し、 ｇ）前記フォトレジスト組成物を像様露光し、そして ｈ）前記フォトレジスト組成物の像様露光した区域を好
適な現像剤で除去する、 ことを特徴とする、適当な基材上に写真画像を形成する
ことにより半導体デバイスを製造する方法。 - 【請求項８】フォトレジスト組成物中のナトリウムおよ
び鉄イオンのレベルをそれぞれ100ppb未満に減少させ
る、請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】イオン交換樹脂を溶剤で処理して、実質的
にすべての水を除去する、請求項７に記載の方法。 - 【請求項１０】イオン交換樹脂のナトリウムおよび鉄イ
オンのレベルがそれぞれ100ppb未満であり、得られるフ
ォトレジスト組成物溶液のナトリウムおよび鉄イオンの
レベルがそれぞれ50ppb未満である、請求項７に記載の
方法。 - 【請求項１１】前記溶剤が酢酸プロピレングリコールメ
チルエーテル、乳酸エチルおよび３−エトキシプロピオ
ン酸エチルからなる群から選択されることを特徴とす
る、請求項７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US84745492A | 1992-03-06 | 1992-03-06 | |
| US90422992A | 1992-06-25 | 1992-06-25 | |
| US904,229 | 1992-06-25 | ||
| US847,454 | 1992-06-25 | ||
| PCT/US1993/001749 WO1993018437A1 (en) | 1992-03-06 | 1993-02-25 | Photoresists having a low level of metal ions |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07504762A JPH07504762A (ja) | 1995-05-25 |
| JP3184530B2 true JP3184530B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=27126706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51577993A Expired - Lifetime JP3184530B2 (ja) | 1992-03-06 | 1993-02-25 | 金属イオンレベルが低いフォトレジスト |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5543263A (ja) |
| EP (1) | EP0635145B1 (ja) |
| JP (1) | JP3184530B2 (ja) |
| KR (1) | KR100242920B1 (ja) |
| DE (1) | DE69320468T2 (ja) |
| SG (1) | SG48944A1 (ja) |
| WO (1) | WO1993018437A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5580949A (en) * | 1991-12-18 | 1996-12-03 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in novolak resins and photoresists |
| WO1993012152A1 (en) * | 1991-12-18 | 1993-06-24 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in novolak resins |
| US5830990A (en) * | 1992-07-10 | 1998-11-03 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Low metals perfluorooctanoic acid and top anti-reflective coatings for photoresists |
| SG52770A1 (en) * | 1992-07-10 | 1998-09-28 | Hoechst Celanese Corp | Metal ion reduction in top anti-reflective coatings for photoresists |
| DE69313132T2 (de) * | 1992-11-25 | 1997-12-11 | Hoechst Celanese Corp | Metallionenreduzierung in antireflexunterschichten für photoresist |
| JP2998095B2 (ja) * | 1992-12-07 | 2000-01-11 | ジェイエスアール株式会社 | レジスト塗布組成物溶液 |
| US5286606A (en) * | 1992-12-29 | 1994-02-15 | Hoechst Celanese Corporation | Process for producing a developer having a low metal ion level |
| US5476750A (en) * | 1992-12-29 | 1995-12-19 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in the raw materials and using a Lewis base to control molecular weight of novolak resin to be used in positive photoresists |
| US5614349A (en) * | 1992-12-29 | 1997-03-25 | Hoechst Celanese Corporation | Using a Lewis base to control molecular weight of novolak resins |
| US5679766A (en) * | 1993-12-07 | 1997-10-21 | Shipley Company, L.L.C. | Purification process of novolar resins using acid treated chelating cation exchange resin |
| WO1996012214A1 (en) * | 1994-10-12 | 1996-04-25 | Hoechst Celanese Corporation | Low metal ion photoactive compounds and photoresists compositions produced therefrom |
| US5614352A (en) * | 1994-12-30 | 1997-03-25 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in novolak resins solution in PGMEA by chelating ion exchange resin |
| US5521052A (en) * | 1994-12-30 | 1996-05-28 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in novolak resin using an ion exchange catalyst in a polar solvent and photoresists compositions therefrom |
| US5837417A (en) * | 1994-12-30 | 1998-11-17 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Quinone diazide compositions containing low metals p-cresol oligomers and process of producing the composition |
| TW418215B (en) * | 1995-03-13 | 2001-01-11 | Ciba Sc Holding Ag | A process for the production of three-dimensional articles in a stereolithography bath comprising the step of sequentially irradiating a plurality of layers of a liquid radiation-curable composition |
| US5693749A (en) * | 1995-09-20 | 1997-12-02 | Hoechst Celanese Corporation | Fractionation of phenol formaldehyde condensate and photoresist compositions produced therefrom |
| US5739265A (en) * | 1995-09-20 | 1998-04-14 | Clariant Finance (Bvi) Ltd. | Fractionation of phenol formaldehyde condensate and photoresist compositions produced therefrom |
| US5750031A (en) * | 1995-09-26 | 1998-05-12 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Process for producing surfactant having a low metal ion level and developer produced therefrom |
| US5656413A (en) * | 1995-09-28 | 1997-08-12 | Hoechst Celanese Corporation | Low metal ion containing 4,4'-[1-[4-[1-(4-Hydroxyphenyl)-1-methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphe nol and photoresist compositions therefrom |
| US5962183A (en) * | 1995-11-27 | 1999-10-05 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Metal ion reduction in photoresist compositions by chelating ion exchange resin |
| US5665517A (en) * | 1996-01-11 | 1997-09-09 | Hoechst Celanese Corporation | Acidic ion exchange resin as a catalyst to synthesize a novolak resin and photoresist composition therefrom |
| KR100234532B1 (ko) * | 1996-09-21 | 1999-12-15 | 윤종용 | 반도체 제조공정의 포토레지스트 세정용 시너 조성물 및 그를 이용한 반도체장치의 제조방법 |
| CN1244930A (zh) * | 1996-12-17 | 2000-02-16 | 克拉里安特国际有限公司 | 通过离子交换法来减少含有机极性溶剂的抗光蚀剂组合物中的金属离子污染物的方法 |
| US6106722A (en) * | 1997-08-12 | 2000-08-22 | Kinetico Incorporated | Filtering photoresist-containing liquid |
| US5936071A (en) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Process for making a photoactive compound and photoresist therefrom |
| US6610465B2 (en) * | 2001-04-11 | 2003-08-26 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Process for producing film forming resins for photoresist compositions |
| JP3854889B2 (ja) * | 2001-04-19 | 2006-12-06 | キヤノン株式会社 | 金属または金属化合物パターンの製造方法および電子源の製造方法 |
| US20040206702A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-10-21 | Davidson James M. | Use of an oxidizer to improve trace metals removal from photoresist and photoresist components |
| TWI441239B (zh) * | 2006-12-12 | 2014-06-11 | Asml Netherlands Bv | 製造微影元件的方法、微影單元及電腦程式產品 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2929808A (en) * | 1956-04-04 | 1960-03-22 | Exxon Research Engineering Co | Removal of metal contaminants in polymerization processes |
| US4033909A (en) * | 1974-08-13 | 1977-07-05 | Union Carbide Corporation | Stable phenolic resoles |
| US4033910A (en) * | 1975-09-26 | 1977-07-05 | Union Carbide Corporation | Methyl formate as an adjuvant in phenolic foam formation |
| GB1509354A (en) * | 1976-04-24 | 1978-05-04 | Maruzen Oil Co Ltd | Process for purifying halogenated alkenyl-phenol polymers |
| US4452883A (en) * | 1983-05-17 | 1984-06-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Barrier resin for photothermographic color separation |
| US4584261A (en) * | 1984-07-27 | 1986-04-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for etching nonphotosensitive layer under washoff photopolymer layer |
| US4567130A (en) * | 1984-07-27 | 1986-01-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for etching single photopolymer layer utilizing chemically soluble pigments |
| JPH063549B2 (ja) * | 1984-12-25 | 1994-01-12 | 株式会社東芝 | ポジ型フォトレジスト現像液組成物 |
| US4636540A (en) * | 1985-07-08 | 1987-01-13 | Atlantic Richfield Company | Purification of polymer solutions |
| JPS6232453A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
| US4784937A (en) * | 1985-08-06 | 1988-11-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developing solution for positive-working photoresist comprising a metal ion free organic base and an anionic surfactant |
| US4747954A (en) * | 1985-09-16 | 1988-05-31 | The Dow Chemical Company | Removal of metals from solutions |
| JPS6472155A (en) * | 1987-09-12 | 1989-03-17 | Tama Kagaku Kogyo Kk | Developing solution for positive type photoresist |
| GB8729510D0 (en) * | 1987-12-18 | 1988-02-03 | Ucb Sa | Photosensitive compositions containing phenolic resins & diazoquinone compounds |
| JPH01228560A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 不純金属成分の低減された溶液の製造法 |
| US5175078A (en) * | 1988-10-20 | 1992-12-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Positive type photoresist developer |
| JPH03128903A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-05-31 | Fine Kurei:Kk | 合成樹脂の改質方法および改質合成樹脂 |
| DE3923426A1 (de) * | 1989-07-15 | 1991-01-17 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von novolak-harzen mit geringem metallionengehalt |
| JPH0465415A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-03-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 不純金属成分の低減されたノボラツク樹脂の製造法 |
| JPH0768296B2 (ja) * | 1991-11-28 | 1995-07-26 | 丸善石油化学株式会社 | ビニルフェノール系重合体の金属除去方法 |
| JPH0768297B2 (ja) * | 1991-11-28 | 1995-07-26 | 丸善石油化学株式会社 | フォトレジスト用ビニルフェノール系重合体の精製方法 |
| WO1993012152A1 (en) * | 1991-12-18 | 1993-06-24 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in novolak resins |
| SG52770A1 (en) * | 1992-07-10 | 1998-09-28 | Hoechst Celanese Corp | Metal ion reduction in top anti-reflective coatings for photoresists |
| DE69313132T2 (de) * | 1992-11-25 | 1997-12-11 | Hoechst Celanese Corp | Metallionenreduzierung in antireflexunterschichten für photoresist |
| US5476750A (en) * | 1992-12-29 | 1995-12-19 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in the raw materials and using a Lewis base to control molecular weight of novolak resin to be used in positive photoresists |
| US5286606A (en) * | 1992-12-29 | 1994-02-15 | Hoechst Celanese Corporation | Process for producing a developer having a low metal ion level |
| WO1994014858A1 (en) * | 1992-12-29 | 1994-07-07 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in polyhydroxystyrene and photoresists |
-
1993
- 1993-02-25 WO PCT/US1993/001749 patent/WO1993018437A1/en active IP Right Grant
- 1993-02-25 JP JP51577993A patent/JP3184530B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-25 EP EP93906248A patent/EP0635145B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-25 SG SG1996003934A patent/SG48944A1/en unknown
- 1993-02-25 KR KR1019940703112A patent/KR100242920B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-02-25 DE DE69320468T patent/DE69320468T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-06-17 US US08/261,646 patent/US5543263A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0635145B1 (en) | 1998-08-19 |
| US5543263A (en) | 1996-08-06 |
| JPH07504762A (ja) | 1995-05-25 |
| KR950700561A (ko) | 1995-01-16 |
| KR100242920B1 (ko) | 2000-03-02 |
| EP0635145A1 (en) | 1995-01-25 |
| SG48944A1 (en) | 1998-05-18 |
| WO1993018437A1 (en) | 1993-09-16 |
| DE69320468T2 (de) | 1999-04-22 |
| DE69320468D1 (de) | 1998-09-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 10 |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |