JP3184158B2 - チャージポンプの出力電圧制限回路 - Google Patents
チャージポンプの出力電圧制限回路Info
- Publication number
- JP3184158B2 JP3184158B2 JP26257098A JP26257098A JP3184158B2 JP 3184158 B2 JP3184158 B2 JP 3184158B2 JP 26257098 A JP26257098 A JP 26257098A JP 26257098 A JP26257098 A JP 26257098A JP 3184158 B2 JP3184158 B2 JP 3184158B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- layer region
- charge pump
- impurity concentration
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チャージポンプの
出力電圧制限回路に係わり、特に、チャージポンプの余
剰電荷を電源電圧端子に戻入するようにしたチャージポ
ンプの出力電圧制限回路に関する。
出力電圧制限回路に係わり、特に、チャージポンプの余
剰電荷を電源電圧端子に戻入するようにしたチャージポ
ンプの出力電圧制限回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のチャージポンプの電圧制限回路と
しては、例えば、特開平７−２２６０９３号公報に記載
されたように、ツエナーダイオードにおける逆バイアス
の降伏電圧を利用して電圧を制限している回路が知られ
ている。しかし、この回路の場合、チャージポンプの余
剰電荷は、ＧＮＤ端子に廃棄しているので、余剰電荷は
消費電流となるという欠点があった。
しては、例えば、特開平７−２２６０９３号公報に記載
されたように、ツエナーダイオードにおける逆バイアス
の降伏電圧を利用して電圧を制限している回路が知られ
ている。しかし、この回路の場合、チャージポンプの余
剰電荷は、ＧＮＤ端子に廃棄しているので、余剰電荷は
消費電流となるという欠点があった。
【０００３】叉、他の回路方式としては、例えば、特開
平６−６２５６２号公報の従来の技術の欄に記載された
ように（図３に示した）、トランジスタのしきい値を利
用して電圧を制限し、チャージポンプの余剰電荷を、電
源電圧端子に戻入している回路が知られている。この回
路の場合、チャージポンプの余剰電流が、大きくなる
と、トランジスタの駆動能力が不足し、予定の制限電圧
より大きくなってしまう。この為、トランジスタＮ１、
Ｎ２の抵抗を下げる必要があり、大きなレイアウト面積
となってしまい、また、トランジスタのしきい値は、製
造バラツキが大きい為、制限電圧の精度が悪いという欠
点があった。
平６−６２５６２号公報の従来の技術の欄に記載された
ように（図３に示した）、トランジスタのしきい値を利
用して電圧を制限し、チャージポンプの余剰電荷を、電
源電圧端子に戻入している回路が知られている。この回
路の場合、チャージポンプの余剰電流が、大きくなる
と、トランジスタの駆動能力が不足し、予定の制限電圧
より大きくなってしまう。この為、トランジスタＮ１、
Ｎ２の抵抗を下げる必要があり、大きなレイアウト面積
となってしまい、また、トランジスタのしきい値は、製
造バラツキが大きい為、制限電圧の精度が悪いという欠
点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、精度良くチャージ
ポンプの出力電圧を制限すると共に、消費電流を低減し
た新規なチャージポンプの出力電圧制限回路を提供する
ものである。
した従来技術の欠点を改良し、特に、精度良くチャージ
ポンプの出力電圧を制限すると共に、消費電流を低減し
た新規なチャージポンプの出力電圧制限回路を提供する
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるチ
ャージポンプの出力電圧制限回路の第１態様は、 チャー
ジポンプの出力電圧制限回路であって、前記電圧制限回
路を、第１導電型の半導体基板上に形成した不純物濃度
の薄い第２導電型の拡散層領域と、前記不純物濃度の薄
い第２導電型の拡散層領域内に形成した不純物濃度の濃
い第２導電型の拡散層領域と、前記不純物濃度の薄い第
２導電型の拡散層領域内に形成した不純物濃度の濃い第
１導電型の拡散層領域とで構成すると共に、前記チャー
ジポンプの出力側端子を前記不純物濃度の濃い第２導電
型の拡散層領域に接続し、前記チャージポンプの電源電
圧端子又は前記半導体基板上に設けた前記チャージポン
プの電源電圧端子を前記不純物濃度の濃い第１導電型の
拡散層領域に接続し、前記チャージポンプの出力電圧を
制限するように構成したことを特徴とするものであり、
叉、第２態様は、前記第１導電型はＰ型であり、第２導
電型はＮ型であることを特徴とするものであり、叉、第
３態様は、チャージポンプの出力電圧制限回路であっ
て、前記電圧制限回路を、第１導電型の半導体基板上に
形成した不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層領域と、
前記不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層領域内に形成
した不純物濃度の濃い第１導電型の拡散層領域と、前記
不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層領域内に形成した
不純物濃度の濃い第２導電型の拡散層領域とで構成する
と共に、前記チャージポンプの出力側端子を前記不純物
濃度の濃い第１導電型の拡散層領域に接続し、前記チャ
ージポンプの電源電圧端子又は前記半導体基板上に設け
た前記チャージポンプの電源電圧端子を前記不純物濃度
の濃い第２導電型の拡散層領域に接続し、前記チャージ
ポンプの出力電圧を制限するように構成したことを特徴
とするものであり、叉、第４態様は、前記第１導電型は
Ｎ型であり、第２導電型はＰ型であることを特徴とする
ものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるチ
ャージポンプの出力電圧制限回路の第１態様は、 チャー
ジポンプの出力電圧制限回路であって、前記電圧制限回
路を、第１導電型の半導体基板上に形成した不純物濃度
の薄い第２導電型の拡散層領域と、前記不純物濃度の薄
い第２導電型の拡散層領域内に形成した不純物濃度の濃
い第２導電型の拡散層領域と、前記不純物濃度の薄い第
２導電型の拡散層領域内に形成した不純物濃度の濃い第
１導電型の拡散層領域とで構成すると共に、前記チャー
ジポンプの出力側端子を前記不純物濃度の濃い第２導電
型の拡散層領域に接続し、前記チャージポンプの電源電
圧端子又は前記半導体基板上に設けた前記チャージポン
プの電源電圧端子を前記不純物濃度の濃い第１導電型の
拡散層領域に接続し、前記チャージポンプの出力電圧を
制限するように構成したことを特徴とするものであり、
叉、第２態様は、前記第１導電型はＰ型であり、第２導
電型はＮ型であることを特徴とするものであり、叉、第
３態様は、チャージポンプの出力電圧制限回路であっ
て、前記電圧制限回路を、第１導電型の半導体基板上に
形成した不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層領域と、
前記不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層領域内に形成
した不純物濃度の濃い第１導電型の拡散層領域と、前記
不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層領域内に形成した
不純物濃度の濃い第２導電型の拡散層領域とで構成する
と共に、前記チャージポンプの出力側端子を前記不純物
濃度の濃い第１導電型の拡散層領域に接続し、前記チャ
ージポンプの電源電圧端子又は前記半導体基板上に設け
た前記チャージポンプの電源電圧端子を前記不純物濃度
の濃い第２導電型の拡散層領域に接続し、前記チャージ
ポンプの出力電圧を制限するように構成したことを特徴
とするものであり、叉、第４態様は、前記第１導電型は
Ｎ型であり、第２導電型はＰ型であることを特徴とする
ものである。
【０００６】叉、第５態様は、 前記チャージポンプは、
前記半導体基板上に配置されていることを特徴とするも
のである。
前記半導体基板上に配置されていることを特徴とするも
のである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に係わるチャージポンプの
出力電圧制限回路は、前記チャージポンプの出力端子を
半導体基板に形成したｐｎ接合部分を介して前記チャー
ジポンプの電源電圧端子に接続したことを特徴とするも
のである。図１において、本発明の電圧制限回路３は、
半導体のｐｎ接合における逆方向バイアスの降伏電圧を
利用して、チャージポンプ２の出力の電圧を制限する。
出力電圧制限回路は、前記チャージポンプの出力端子を
半導体基板に形成したｐｎ接合部分を介して前記チャー
ジポンプの電源電圧端子に接続したことを特徴とするも
のである。図１において、本発明の電圧制限回路３は、
半導体のｐｎ接合における逆方向バイアスの降伏電圧を
利用して、チャージポンプ２の出力の電圧を制限する。
【０００８】チャージポンプ２の出力が、ｐｎ接合にお
ける逆方向バイアスの降伏電圧を越えた場合は、電子の
降伏現象により、大電流がｐｎ接合の逆方向、即ち、ｎ
型拡散層領域からｐ型拡散層領域の方向に流れ、電源電
圧端子１に電荷が戻っていく。本発明では、上記したよ
うに、電圧の制限として、ｐｎ接合の逆バイアス状態に
おけるアバランシェ降伏又はツェナー降伏現象を利用し
ている為、小さなレイアウトの面積でも、大きな電流を
流すことが可能であり、チャージポンプの能力が過剰で
あった場合も、期待する制限電圧より、制限電圧出力端
子の電圧が高くなることはない。
ける逆方向バイアスの降伏電圧を越えた場合は、電子の
降伏現象により、大電流がｐｎ接合の逆方向、即ち、ｎ
型拡散層領域からｐ型拡散層領域の方向に流れ、電源電
圧端子１に電荷が戻っていく。本発明では、上記したよ
うに、電圧の制限として、ｐｎ接合の逆バイアス状態に
おけるアバランシェ降伏又はツェナー降伏現象を利用し
ている為、小さなレイアウトの面積でも、大きな電流を
流すことが可能であり、チャージポンプの能力が過剰で
あった場合も、期待する制限電圧より、制限電圧出力端
子の電圧が高くなることはない。
【０００９】更に、本発明では、チャージポンプの余剰
電荷を電源電圧に戻入する機能を有しながら、その制限
電圧をｐｎ接合部分の不純物濃度を制御することによっ
て、比較的精度よく、設定することができる。
電荷を電源電圧に戻入する機能を有しながら、その制限
電圧をｐｎ接合部分の不純物濃度を制御することによっ
て、比較的精度よく、設定することができる。
【００１０】
【実施例】以下に、本発明に係わるチャージポンプの出
力電圧制限回路の具体例を図面を参照しながら詳細に説
明する。 （第１の具体例） 図１は、本発明に係わるチャージポンプの出力電圧制限
回路の具体例の構造を示す図であって、図１には、チャ
ージポンプの出力端子４を半導体基板８に形成したｐｎ
接合部分２０を介して前記チャージポンプ２の電源電圧
端子１に接続したチャージポンプの出力電圧制限回路が
示され、叉、前記電圧制限回路を、第１導電型の半導体
基板８上に形成した不純物濃度の薄い第２導電型の拡散
層領域５と、前記不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層
領域５内に形成した不純物濃度の濃い第２導電型の拡散
層領域７と、前記不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層
領域５内に形成した不純物濃度の濃い第１導電型の拡散
層領域６とで構成すると共に、前記チャージポンプの出
力側端子４を前記不純物濃度の濃い第２導電型の拡散層
領域７に接続し、前記チャージポンプの入力側端子（電
源電圧端子）１を前記不純物濃度の濃い第１導電型の拡
散層領域６に接続し、前記チャージポンプの出力電圧を
制限するチャージポンプの出力電圧制限回路が示されて
いる。
力電圧制限回路の具体例を図面を参照しながら詳細に説
明する。 （第１の具体例） 図１は、本発明に係わるチャージポンプの出力電圧制限
回路の具体例の構造を示す図であって、図１には、チャ
ージポンプの出力端子４を半導体基板８に形成したｐｎ
接合部分２０を介して前記チャージポンプ２の電源電圧
端子１に接続したチャージポンプの出力電圧制限回路が
示され、叉、前記電圧制限回路を、第１導電型の半導体
基板８上に形成した不純物濃度の薄い第２導電型の拡散
層領域５と、前記不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層
領域５内に形成した不純物濃度の濃い第２導電型の拡散
層領域７と、前記不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層
領域５内に形成した不純物濃度の濃い第１導電型の拡散
層領域６とで構成すると共に、前記チャージポンプの出
力側端子４を前記不純物濃度の濃い第２導電型の拡散層
領域７に接続し、前記チャージポンプの入力側端子（電
源電圧端子）１を前記不純物濃度の濃い第１導電型の拡
散層領域６に接続し、前記チャージポンプの出力電圧を
制限するチャージポンプの出力電圧制限回路が示されて
いる。
【００１１】以下に、本発明を更に詳細に説明する。こ
の第１の具体例は、ｐ型サブストレート８に本発明の制
限回路を実現した正電圧の電圧制限回路である。電源電
圧端子１に入力が接続されたチャージポンプ２は、電荷
を高い電圧に押し上げ、電源電圧より高い電圧を生成す
る回路であり、その出力端子４は、本発明の電圧制限回
路３により、設定された電圧に制限し、制限電圧出力端
子４に出力する。
の第１の具体例は、ｐ型サブストレート８に本発明の制
限回路を実現した正電圧の電圧制限回路である。電源電
圧端子１に入力が接続されたチャージポンプ２は、電荷
を高い電圧に押し上げ、電源電圧より高い電圧を生成す
る回路であり、その出力端子４は、本発明の電圧制限回
路３により、設定された電圧に制限し、制限電圧出力端
子４に出力する。
【００１２】電圧制限回路３は、不純物濃度の薄いｎ型
拡散層領域５と、この不純物濃度の薄いｎ型拡散層領域
５に形成された不純物濃度の濃いｐ型拡散層領域６との
ｐｎ接合で構成され、叉、前記不純物濃度の薄いｎ型拡
散層領域５は、不純物濃度の薄いｎ型拡散層領域５の領
域内に形成された不純物濃度の濃いｎ型拡散層領域７を
通して、制限電圧出力端子４に接続されている。また、
前記不純物濃度の濃いｐ型拡散層領域６は電源電圧端子
１に接続されている。
拡散層領域５と、この不純物濃度の薄いｎ型拡散層領域
５に形成された不純物濃度の濃いｐ型拡散層領域６との
ｐｎ接合で構成され、叉、前記不純物濃度の薄いｎ型拡
散層領域５は、不純物濃度の薄いｎ型拡散層領域５の領
域内に形成された不純物濃度の濃いｎ型拡散層領域７を
通して、制限電圧出力端子４に接続されている。また、
前記不純物濃度の濃いｐ型拡散層領域６は電源電圧端子
１に接続されている。
【００１３】次に、図１の電圧制限回路の動作について
説明する。入力が電源電圧端子１に接続されたチャージ
ポンプ２は、電源電圧端子１より高い電圧を生成する回
路であり、その出力電圧を電圧制限回路３で制限する。
チャージポンプ２の出力電圧は、電圧制限回路３の不純
物濃度の濃いｎ型拡散層領域７を通して不純物濃度の薄
いｎ型拡散層領域５に印加される。
説明する。入力が電源電圧端子１に接続されたチャージ
ポンプ２は、電源電圧端子１より高い電圧を生成する回
路であり、その出力電圧を電圧制限回路３で制限する。
チャージポンプ２の出力電圧は、電圧制限回路３の不純
物濃度の濃いｎ型拡散層領域７を通して不純物濃度の薄
いｎ型拡散層領域５に印加される。
【００１４】一方、電源電圧端子１は、不純物濃度の濃
いｐ型拡散層領域６に接続されている。図２に不純物濃
度の薄いｎ型拡散層領域５の電圧ＶN-と不純物濃度の薄
いｎ型拡散層領域５から不純物濃度の濃いｐ型拡散層領
域６に流れる電流ＩN-P+の電圧電流特性示す。
いｐ型拡散層領域６に接続されている。図２に不純物濃
度の薄いｎ型拡散層領域５の電圧ＶN-と不純物濃度の薄
いｎ型拡散層領域５から不純物濃度の濃いｐ型拡散層領
域６に流れる電流ＩN-P+の電圧電流特性示す。
【００１５】不純物濃度の濃いｐ型拡散層領域６と不純
物濃度の薄いｎ型拡散層領域５のｐｎ接合２０におい
て、順バイアスでは電流が流れ、逆バイアスでは降伏電
圧（ツエナー電圧）まで電流は流れず、逆バイアスの降
伏電圧を越えると、降伏電流が流れる。不純物濃度の濃
いｐ型拡散層領域６は、電源電圧と同電位である為、不
純物濃度の薄いｎ型拡散層領域５の電圧が電源電圧以下
の場合、不純物濃度の濃いｐ型拡散層領域６から不純物
濃度の薄いｎ型拡散層領域５の方向に電流が流れる。し
かし、チャージポンプ２の出力は電源電圧以上である
為、順バイアスにはならない。チャージポンプ２の出力
電圧が高くなり、不純物濃度の薄いｎ型拡散層領域５の
電圧ＶN-が、電源電圧とｐｎ接合における逆バイアスの
降伏電圧との和になると降伏電流が流れ、このため、制
限電圧出力端子４の電圧は、所定の電圧に制限される。
物濃度の薄いｎ型拡散層領域５のｐｎ接合２０におい
て、順バイアスでは電流が流れ、逆バイアスでは降伏電
圧（ツエナー電圧）まで電流は流れず、逆バイアスの降
伏電圧を越えると、降伏電流が流れる。不純物濃度の濃
いｐ型拡散層領域６は、電源電圧と同電位である為、不
純物濃度の薄いｎ型拡散層領域５の電圧が電源電圧以下
の場合、不純物濃度の濃いｐ型拡散層領域６から不純物
濃度の薄いｎ型拡散層領域５の方向に電流が流れる。し
かし、チャージポンプ２の出力は電源電圧以上である
為、順バイアスにはならない。チャージポンプ２の出力
電圧が高くなり、不純物濃度の薄いｎ型拡散層領域５の
電圧ＶN-が、電源電圧とｐｎ接合における逆バイアスの
降伏電圧との和になると降伏電流が流れ、このため、制
限電圧出力端子４の電圧は、所定の電圧に制限される。
【００１６】（第２の具体例） 次に、本発明の第２の具体例について、図４を用いて説
明する。図４には、電圧制限回路を、第１導電型の半導
体基板９上に形成した不純物濃度の薄い第２導電型の拡
散層領域１５と、前記不純物濃度の薄い第２導電型の拡
散層領域１５内に形成した不純物濃度の濃い第１導電型
の拡散層領域１６と、前記不純物濃度の薄い第２導電型
の拡散層領域１５内に形成した不純物濃度の濃い第２導
電型の拡散層領域１７とで構成すると共に、前記チャー
ジポンプ２の出力側端子４を前記不純物濃度の濃い第１
導電型の拡散層領域１６に接続し、前記チャージポンプ
２の入力側端子１を前記不純物濃度の濃い第２導電型の
拡散層領域１７に接続し、前記チャージポンプ２の出力
電圧を制限するチャージポンプの出力電圧制限回路が示
されている。
明する。図４には、電圧制限回路を、第１導電型の半導
体基板９上に形成した不純物濃度の薄い第２導電型の拡
散層領域１５と、前記不純物濃度の薄い第２導電型の拡
散層領域１５内に形成した不純物濃度の濃い第１導電型
の拡散層領域１６と、前記不純物濃度の薄い第２導電型
の拡散層領域１５内に形成した不純物濃度の濃い第２導
電型の拡散層領域１７とで構成すると共に、前記チャー
ジポンプ２の出力側端子４を前記不純物濃度の濃い第１
導電型の拡散層領域１６に接続し、前記チャージポンプ
２の入力側端子１を前記不純物濃度の濃い第２導電型の
拡散層領域１７に接続し、前記チャージポンプ２の出力
電圧を制限するチャージポンプの出力電圧制限回路が示
されている。
【００１７】図１に示された例が、ｐ型半導体基板８上
に制限回路を構成した正電圧の電圧制限回路であるのに
対し、図４の具体例は、ｎ型半導体基板９に実現した正
電圧の電圧制限回路である。電圧制限回路３は、不純物
濃度の薄いｐ型拡散層領域１５と、前記不純物濃度の薄
いｐ型拡散層領域１５の領域内に形成された不純物濃度
の濃いｎ型拡散層領域１６とのｐｎ接合２０Ａにより構
成され、前記不純物濃度の薄いｐ型拡散層領域１５は、
前記不純物濃度の薄いｐ型拡散層領域１５内に形成され
た不純物濃度の濃いｐ型拡散層領域１７を介して、電源
電圧端子１に接続されている。そして、不純物濃度の濃
いｎ型拡散層領域１６は、制限電圧出力端子４に接続さ
れている。
に制限回路を構成した正電圧の電圧制限回路であるのに
対し、図４の具体例は、ｎ型半導体基板９に実現した正
電圧の電圧制限回路である。電圧制限回路３は、不純物
濃度の薄いｐ型拡散層領域１５と、前記不純物濃度の薄
いｐ型拡散層領域１５の領域内に形成された不純物濃度
の濃いｎ型拡散層領域１６とのｐｎ接合２０Ａにより構
成され、前記不純物濃度の薄いｐ型拡散層領域１５は、
前記不純物濃度の薄いｐ型拡散層領域１５内に形成され
た不純物濃度の濃いｐ型拡散層領域１７を介して、電源
電圧端子１に接続されている。そして、不純物濃度の濃
いｎ型拡散層領域１６は、制限電圧出力端子４に接続さ
れている。
【００１８】このように、本発明は、使用する半導体基
板が、Ｐ型、Ｎ型のいずれであっても、所定の制限回路
を実現させることができる。
板が、Ｐ型、Ｎ型のいずれであっても、所定の制限回路
を実現させることができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明に係わるチャージポンプの出力電
圧制限回路は、上述のように構成したので、電圧の制限
として、ｐｎ接合の逆バイアス状態におけるアバランシ
ェ降伏又はツェナー降伏現象を利用している為、小さな
レイアウトの面積でも、大きな電流を流すことが可能で
あり、チャージポンプの能力が過剰であった場合も、期
待する制限電圧より、制限電圧出力端子の電圧が高くな
ることはない。
圧制限回路は、上述のように構成したので、電圧の制限
として、ｐｎ接合の逆バイアス状態におけるアバランシ
ェ降伏又はツェナー降伏現象を利用している為、小さな
レイアウトの面積でも、大きな電流を流すことが可能で
あり、チャージポンプの能力が過剰であった場合も、期
待する制限電圧より、制限電圧出力端子の電圧が高くな
ることはない。
【００２０】更に、本発明では、チャージポンプの余剰
電荷を電源電圧に戻入する機能を有しながら、その制限
電圧をｐｎ接合部分の不純物濃度を制御することによっ
て、比較的精度よく、設定することができる効果をも有
する。
電荷を電源電圧に戻入する機能を有しながら、その制限
電圧をｐｎ接合部分の不純物濃度を制御することによっ
て、比較的精度よく、設定することができる効果をも有
する。
【図１】本発明に係わるチャージポンプの出力電圧制限
回路の第１の具体例を示す図である。
回路の第１の具体例を示す図である。
【図２】本発明の動作を説明するための図である。
【図３】従来技術を示す回路図である。
【図４】本発明の第２の具体例を示す図である。
１ 電源電圧端子（入力側端子） ２ チャージポンプ ３ 電圧制限回路 ４ 制限電圧出力端子 ５ 不純物濃度の薄いｎ型拡散層領域 ６ 不純物濃度の濃いｐ型拡散層領域 ７、１７ 不純物濃度の濃いｎ型拡散層領域 ８ ｐ型半導体基板 ９ ｎ型半導体基板 １５ 不純物濃度の薄いｐ型拡散層領域 １６ 不純物濃度の濃いｎ型拡散層領域 ２０、２０Ａ ｐｎ接合部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０２Ｍ 3/07 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/822 H01L 27/04 H01L 27/06 H02M 3/07
Claims (5)
- 【請求項１】 チャージポンプの出力電圧制限回路であ
って、 前記電圧制限回路を、第１導電型の半導体基板上に形成
した不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層領域と、前記
不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層領域内に形成した
不純物濃度の濃い第２導電型の拡散層領域と、前記不純
物濃度の薄い第２導電型の拡散層領域内に形成した不純
物濃度の濃い第１導電型の拡散層領域とで構成すると共
に、前記チャージポンプの出力側端子を前記不純物濃度
の濃い第２導電型の拡散層領域に接続し、前記チャージ
ポンプの電源電圧端子又は前記半導体基板上に設けた前
記チャージポンプの電源電圧端子を前記不純物濃度の濃
い第１導電型の拡散層領域に接続し、前記チャージポン
プの出力電圧を制限するように構成したことを特徴とす
る チャージポンプの出力電圧制限回路。 - 【請求項２】 前記第１導電型はＰ型であり、第２導電
型はＮ型であることを特徴とする請求項１記載のチャー
ジポンプの出力電圧制限回路。 - 【請求項３】 チャージポンプの出力電圧制限回路であ
って、 前記電圧制限回路を、第１導電型の半導体基板上に形成
した不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層領域と、前記
不純物濃度の薄い第２導電型の拡散層領域内に形成した
不純物濃度の濃い第１導電型の拡散層領域と、前記不純
物濃度の薄い第２導電型の拡散層領域内に形成した不純
物濃度の濃い第２導電型の拡散層領域とで構成すると共
に、前記チャージポンプの出力側端子を前記不純物濃度
の濃い第１導電型の拡散層領域に接続し、前記チャージ
ポンプの電源電圧端子又は前記半導体基板上に設けた前
記チャージポンプの電源電圧端子を前記不純物濃度の濃
い第２導電型の拡散層領域に接続し、前記チャージポン
プの出力電圧を制限するように構成したことを特徴とす
る チャージポンプの出力電圧制限回路。 - 【請求項４】 前記第１導電型はＮ型であり、第２導電
型はＰ型であることを特徴とする請求項３記載のチャー
ジポンプの出力電圧制限回路。 - 【請求項５】 前記チャージポンプは、前記半導体基板
上に配置されていることを特徴とする請求項1乃至４の
何れかに記載のチャージポンプの出力電圧制限回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26257098A JP3184158B2 (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | チャージポンプの出力電圧制限回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26257098A JP3184158B2 (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | チャージポンプの出力電圧制限回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091439A JP2000091439A (ja) | 2000-03-31 |
| JP3184158B2 true JP3184158B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=17377648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26257098A Expired - Fee Related JP3184158B2 (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | チャージポンプの出力電圧制限回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3184158B2 (ja) |
-
1998
- 1998-09-17 JP JP26257098A patent/JP3184158B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000091439A (ja) | 2000-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4994886A (en) | Composite MOS transistor and application to a free-wheel diode | |
| JP3313431B2 (ja) | モノリシック単方向保護ダイオード | |
| JP3074736B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US4015147A (en) | Low power transmission line terminator | |
| JPH07283405A (ja) | 半導体装置の保護回路 | |
| JPH0793383B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2710113B2 (ja) | 相補性回路技術による集積回路 | |
| JP2002522906A (ja) | Ｅｓｄ保護手段を具備する集積回路 | |
| US8188568B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPH06105785B2 (ja) | 逆電圧保護回路を具えたパワー半導体装置 | |
| US4689653A (en) | Complementary MOS integrated circuit including lock-up prevention parasitic transistors | |
| JP3184158B2 (ja) | チャージポンプの出力電圧制限回路 | |
| JP2980108B2 (ja) | 集積ｍｏｓパワー・トランジスタを含むコンポーネントのロジック・ウエルの保護 | |
| US4835653A (en) | ESD protection circuit employing channel depletion | |
| JP2791067B2 (ja) | モノリシック過電圧保護集合体 | |
| JP2980106B2 (ja) | 集積ｍｏｓパワー・トランジスタを電圧勾配から保護するための構成部品 | |
| KR920003011B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| US6781804B1 (en) | Protection of the logic well of a component including an integrated MOS power transistor | |
| JPH0291975A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6233752B2 (ja) | ||
| JPS62160750A (ja) | 基板電圧発生回路 | |
| JP2671304B2 (ja) | 論理回路 | |
| JP3114338B2 (ja) | 半導体保護装置 | |
| JP3387940B2 (ja) | 電源バックアップ用半導体装置 | |
| JPS6364358A (ja) | Ｃｍｏｓ半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |