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JP3184061B2 - Test circuit and test method for semiconductor integrated circuit - Google Patents

Test circuit and test method for semiconductor integrated circuit

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JP3184061B2
JP3184061B2 JP00948595A JP948595A JP3184061B2 JP 3184061 B2 JP3184061 B2 JP 3184061B2 JP 00948595 A JP00948595 A JP 00948595A JP 948595 A JP948595 A JP 948595A JP 3184061 B2 JP3184061 B2 JP 3184061B2
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JP
Japan
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semiconductor integrated
integrated circuit
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JP00948595A
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俊則 前田
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Panasonic Holdings Corp
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Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路のテスト
回路及びテスト方法に関し、特に、線形フィードバック
シフトレジスタを用いて半導体集積回路の正誤(正常,
不正常)をテストする半導体集積回路のテスト回路及び
テスト方法の改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test circuit and a test method for a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a test circuit for a semiconductor integrated circuit using a linear feedback shift register.
The present invention relates to an improvement of a test circuit and a test method of a semiconductor integrated circuit for testing (abnormal).

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、高集積化、微細化が著しく進む半
導体技術により実現した大容量メモリのテストにおいて
は、如何に効率良く且つ短時間に行なうかが大きな問題
となっている。また、マイクロプロセッサやDSPのよ
うにメモリを内蔵したチップも多く作られており、これ
等に内蔵されたメモリを外部端子のみを用いてテストす
るのは難しく、これも大きな問題となっている。
2. Description of the Related Art In recent years, in a test of a large-capacity memory realized by a semiconductor technology which is highly integrated and miniaturized, how to perform the test efficiently and in a short time has become a major problem. Also, many chips with built-in memories, such as microprocessors and DSPs, are manufactured, and it is difficult to test the built-in memories using only external terminals, which is also a major problem.

【0003】そこで、従来、前記の問題を解決するテス
ト方法の1つとして、チップ上に半導体集積回路のテス
ト回路を内蔵させて、自動テストを行う方法が提案され
ている。この提案方法によれば、その自動テストを電源
投入時毎に行なうと、そのテスト結果をユーザーが使用
毎に判断できて、市場での保守又は信頼性が向上する点
で有利である。
Therefore, as one of the test methods for solving the above-mentioned problem, there has been proposed a method of performing an automatic test by incorporating a test circuit for a semiconductor integrated circuit on a chip. According to this proposed method, if the automatic test is performed every time the power is turned on, the test result can be determined by the user for each use, which is advantageous in that maintenance or reliability in the market is improved.

【0004】前記自動テストの方式には、コンパクトテ
スト手法の一種として、線形フィードバックシフトレジ
スタ(linear Feedback Shift Register:以下、LFSRとい
う)を用いて、メモリ等の半導体集積回路の出力系列を
圧縮する方式がある。ここで、LFSRは、概述する
と、複数個のレジスタと、前記各レジスタの前段に配置
される複数個の2入力排他的論理和ゲートと、最終段の
レジスタの出力と途中段のレジスタの出力とからフィー
ドバック情報を生成するフィードバック情報生成手段と
を備える。以下、LFSRを用いた自動テスト方式を説
明する。
In the automatic test method, as a kind of compact test method, an output series of a semiconductor integrated circuit such as a memory is compressed using a linear feedback shift register (hereinafter, referred to as LFSR). There is. Here, the LFSR generally includes a plurality of registers, a plurality of two-input exclusive OR gates arranged in front of the registers, an output of a register in the last stage, and an output of a register in a middle stage. And feedback information generating means for generating feedback information from the control information. Hereinafter, an automatic test method using LFSR will be described.

【0005】先ず、ROM、RAM、PLA等のメモリ
から読み出したデータを並列入力LFSRに入力し、こ
れ等の入力情報を並列入力LFSRで圧縮して、その出
力系列の圧縮値(シグネチャ)を求める。
First, data read from a memory such as a ROM, a RAM, or a PLA is input to a parallel input LFSR, and such input information is compressed by the parallel input LFSR to obtain a compressed value (signature) of the output sequence. .

【0006】次に、並列入力LFSRで求めたシグネチ
ャをチップ内部で期待シグネチャと比較して、出力系列
の正誤を判定するか、又は、求めたシグネチャをスキャ
ンパスを用いてスキャンアウトし、チップ外部で期待シ
グネチャと比較して、出力系列の正誤を判定して、メモ
リの正常性を判定する。
Next, the signature obtained by the parallel input LFSR is compared with an expected signature inside the chip to judge whether the output sequence is correct, or the obtained signature is scanned out using a scan path, and the chip is scanned out of the chip. Then, the correctness of the output sequence is determined by comparing with the expected signature, and the normality of the memory is determined.

【0007】前記チップ内部でデータの正誤を判定する
方法は、例えば、Patrick P.Gelsinger による"Design
and Test of the 80386"(IEEE, Design & Test of Comp
t., vol.4 no.3, pp.42-50 June 1987) に開示されてい
るように、求めたシグネチャと予め内蔵した期待シグネ
チャとをALUの入力とし、ALUによる排他的論理和
の演算結果を診断レジスタに格納することにより、実現
できる。この場合、求めたシグネチャと期待シグネチャ
とが一致する,即ちメモリが正常であれば、診断レジス
タにはゼロが格納され、一致しない,即ちメモリが正常
でなければ、診断レジスタにはゼロ以外の値が格納され
る。
A method for determining the correctness of data inside the chip is described in, for example, "Design by Patrick P. Gelsinger".
and Test of the 80386 "(IEEE, Design & Test of Comp
t., vol.4 no.3, pp.42-50 June 1987), the obtained signature and the pre-stored expected signature are input to the ALU, and the exclusive logical operation by the ALU is performed. This can be realized by storing the result in the diagnostic register. In this case, if the obtained signature matches the expected signature, that is, if the memory is normal, zero is stored in the diagnostic register. If not, that is, if the memory is not normal, a non-zero value is stored in the diagnostic register. Is stored.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような半導体集積回路のテスト回路及びテスト方法で
は、チップ内部で期待シグネチャと比較して、メモリ又
は内部機能ブロックの出力系列の正誤を判定するために
は、(1)並列入力LFSRに加えて、出力系列の圧縮
値と期待シグネチャとを比較する比較手段を必要とす
る,(2)前記比較手段としてALUを用いれば、期待
シグネチャを予め格納する格納手段を要すると共に、並
列LFSRをデータバスを介して前記ALUに接続する
必要が生じ、コンパクトな配置を得るには、レイアウト
的に制約が生じる,(3)以上のような構成を取れば、
前記比較手段や格納手段等の制御対象となるブロックが
多くなって、マイクロプログラムによる複雑な制御が必
要となる,等の要因から、必ずしも半導体集積回路のテ
スト回路及び方法として、容易とは言えない欠点があ
る。
However, in the test circuit and the test method for a semiconductor integrated circuit as described above, the correctness of an output sequence of a memory or an internal functional block is determined by comparing the signature with an expected signature inside the chip. Requires (1) comparison means for comparing the compressed value of the output sequence with the expected signature in addition to the parallel input LFSR. (2) If the ALU is used as the comparison means, the expected signature is stored in advance. In addition to the need for storage means, it is necessary to connect the parallel LFSR to the ALU via a data bus, and a layout is restricted in order to obtain a compact arrangement.
This is not always easy as a test circuit and method for a semiconductor integrated circuit due to factors such as an increase in the number of blocks to be controlled, such as the comparing means and the storing means, which necessitate complicated control by a microprogram. There are drawbacks.

【0009】また、チップ外部で期待シグネチャと比較
してメモリの出力系列の正誤を判定するためには、
(4)判定するチップの期待シグネチャをチップ外部で
必要とするが、この期待シグネチャを知り得ないユーザ
ーは、組み込みテストを利用できない,(5)機能的に
全く同一のチップであっても、内蔵しているROMやR
AMに書き込まれたデータの種類に応じて各々の期待シ
グネチャを準備、管理し、その対応する期待シグネチャ
と比較する必要が生じる,等の要因から、半導体集積回
路のテスト回路や方法が繁雑となり、柔軟性に欠けると
いう問題点があった。
In order to determine whether the output sequence of the memory is correct or not by comparing the signature with the expected signature outside the chip,
(4) The expected signature of the chip to be determined is required outside the chip, but a user who cannot know the expected signature cannot use the built-in test. (5) Even if the chips are functionally identical, they are built-in. ROM and R
It is necessary to prepare and manage each expected signature according to the type of data written in the AM, and to compare it with the corresponding expected signature. There was a problem of lack of flexibility.

【0010】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、並列データを入力して圧縮する並
列入力LFSRを用いる半導体集積回路のテスト回路及
びテスト方法において、得られた圧縮シグネチャをチッ
プ内部で期待シグネチャと比較する方式を採用しつつ、
比較手段が不要で且つ簡単な制御でもって半導体集積回
路のテストを行い得るテスト回路及びテスト方法を提供
することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a test circuit and a test method for a semiconductor integrated circuit using a parallel input LFSR for inputting and compressing parallel data. While adopting a method that compares the signature with the expected signature inside the chip,
An object of the present invention is to provide a test circuit and a test method capable of performing a test of a semiconductor integrated circuit with a simple control without a comparison means.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、並列入力LFSRにより圧縮して求め
た圧縮シグネチャと期待シグネチャとの比較演算を
スト回路に元々備えられて並列データの圧縮を行う演算
回路、例えば並列入力LFSRの2入力排他的論理和ゲ
ート等を利用して行う構成とする。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a test circuit is provided with an operation for comparing a compression signature obtained by compression by a parallel input LFSR with an expected signature, and the calculation operation is performed by a test circuit . An operation circuit for performing compression , for example, a two-input exclusive OR gate of the parallel input LFSR is used to perform the compression .

【0012】即ち、請求項1記載の発明の半導体集積回
路のテスト回路は、半導体集積回路から複数の並列デー
タが順次入力され、前記入力された複数の並列データを
圧縮するコンパクトテスト回路を用いる半導体集積回路
のテスト回路であって、期待圧縮値を記憶する期待圧縮
値記憶手段と、テスト回路に元々備えられ、前記並列デ
ータの圧縮を行う演算回路と、前記コンパクトテスト回
路による圧縮により得られた圧縮値及び前記期待圧縮値
記憶手段の期待圧縮値を前記演算回路に与える情報収集
手段とを備えて、前記得られた圧縮値と期待圧縮値とを
比較する比較手段を前記の元々備える演算回路により兼
用したことを特徴とする。
That is, a test circuit for a semiconductor integrated circuit according to the first aspect of the present invention uses a compact test circuit which receives a plurality of parallel data sequentially from the semiconductor integrated circuit and compresses the input plurality of parallel data. a test circuit of the integrated circuit, the expected compression value storage means for storing an expected compressed value, originally provided in the test circuit, the parallel de
An arithmetic circuit for compressing the data, and information collecting means for giving to the arithmetic circuit the compressed value obtained by the compression by the compact test circuit and the expected compressed value of the expected compressed value storage means to the arithmetic circuit. The comparison circuit for comparing the compressed value and the expected compressed value is also used by the arithmetic circuit originally provided.

【0013】請求項2記載の発明では、前記請求項1記
載の半導体集積回路のテスト回路において、コンパクト
テスト回路は並列入力線形フィードバックシフトレジス
タにより構成されることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the test circuit for a semiconductor integrated circuit according to the first aspect, the compact test circuit includes a parallel input linear feedback shift register.

【0014】また、請求項3記載の発明では、前記請求
項2記載の半導体集積回路のテスト回路において、並列
入力線形フィードバックシフトレジスタは、複数個のレ
ジスタと、前記各レジスタの前段に配置される複数個の
2入力排他的論理和ゲートと、最終段のレジスタの出力
と途中段のレジスタの出力とからフィードバック情報を
生成するフィードバック情報生成手段とを備え、前記各
レジスタにはその前段の2入力排他的論理和ゲートの出
力が各々入力され、最初段のレジスタの前段に位置する
2入力排他的論理和ゲートを除く各2入力排他的論理和
ゲートの第1の入力には各々その前段のレジスタの出力
が与えられ、最初段のレジスタの前段に位置する2入力
排他的論理和ゲートの第1の入力には前記フィードバッ
ク情報選択手段の出力が与えられるものであり、元々備
える演算回路は、前記並列入力線形フィードバックシフ
トレジスタに備える複数個の2入力排他的論理和ゲート
であり、情報収集手段は、前記並列入力線形フィードバ
ックシフトレジスタのフィードバック情報生成手段の出
力と最終段のレジスタの出力とのうち何れか一方を制御
信号により選択するフィードバック情報選択手段と、前
記並列入力線形フィードバックシフトレジスタの各レジ
スタの第2の入力に与えるデータとして、並列データと
期待圧縮値記憶手段の期待圧縮値とのうち何れか一方を
制御信号により選択する入力選択手段とにより構成され
ることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the test circuit for a semiconductor integrated circuit according to the second aspect, the parallel input linear feedback shift register is arranged in front of the plurality of registers and each of the registers. A plurality of two-input exclusive-OR gates; and feedback information generating means for generating feedback information from the output of the last-stage register and the output of the middle-stage register. The outputs of the exclusive-OR gates are respectively input, and the first input of each of the two-input exclusive-OR gates except the two-input exclusive-OR gate located at the preceding stage of the first-stage register is the register of the preceding stage. And a first input of a two-input exclusive OR gate located before the first register is connected to the feedback information selecting means. The operation circuit originally provided is a plurality of two-input exclusive OR gates provided in the parallel input linear feedback shift register, and the information collecting means includes a feedback of the parallel input linear feedback shift register. Feedback information selecting means for selecting one of the output of the information generating means and the output of the last-stage register by a control signal; and data to be given to the second input of each register of the parallel input linear feedback shift register. It is characterized by comprising input selection means for selecting one of the parallel data and the expected compression value of the expected compression value storage means by a control signal.

【0015】更に、請求項4記載の発明では、前記請求
項1、請求項2又は請求項3記載の半導体集積回路のテ
スト回路において、テストされる半導体集積回路はメモ
リであることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the test circuit of the semiconductor integrated circuit according to the first, second, or third aspect, the semiconductor integrated circuit to be tested is a memory. .

【0016】加えて、請求項5記載の発明では、前記請
求項1、請求項2又は請求項3記載の半導体集積回路の
テスト回路において、テストされる半導体集積回路は内
部機能ブロックであることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit test circuit according to the first, second, or third aspect, the semiconductor integrated circuit to be tested is an internal functional block. Features.

【0017】更に加えて、請求項6記載の発明では、前
記請求項3記載の半導体集積回路のテスト回路におい
て、入力選択手段は2入力マルチプレクサにより構成さ
れることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the test circuit for a semiconductor integrated circuit according to the third aspect, the input selecting means is constituted by a two-input multiplexer.

【0018】請求項7記載の発明では、前記請求項3記
載の半導体集積回路のテスト回路において、1つのデー
タバスを備え、前記データバスには、並列入力線形フィ
ードバックシフトレジスタの各2入力排他的論理和ゲー
トが直接に接続されると共に、半導体集積回路及び期待
圧縮値記憶手段が各々出力バッファを介して接続され、
入力選択手段は、前記半導体集積回路及び期待圧縮値記
憶手段のうち何れか1つのデータを前記データバスに出
力するよう前記半導体集積回路及び期待圧縮値記憶手段
の各出力バッファを制御する制御回路から成ることを特
徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, in the test circuit of the semiconductor integrated circuit according to the third aspect, one test data bus is provided, and each of the data buses has a two-input exclusive-input of a parallel input linear feedback shift register. The OR gate is directly connected, and the semiconductor integrated circuit and the expected compression value storage means are connected via output buffers, respectively.
The input selection means is a control circuit which controls each output buffer of the semiconductor integrated circuit and the expected compression value storage means so as to output any one of the data of the semiconductor integrated circuit and the expected compression value storage means to the data bus. It is characterized by comprising.

【0019】また、請求項8記載の発明では、前記請求
項7記載の半導体集積回路のテスト回路において、デー
タバスに接続される半導体集積回路は複数個であること
を特徴とする。
According to an eighth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit test circuit according to the seventh aspect, a plurality of semiconductor integrated circuits are connected to the data bus.

【0020】更に、請求項9記載の発明では、前記請求
項3又は請求項7記載の半導体集積回路のテスト回路に
おいて、入力選択手段は、制御信号により、半導体集積
回路からの並列データを圧縮する圧縮サイクル時には半
導体集積回路からの並列データを選択し、得られた圧縮
値と期待圧縮値との比較判定時には期待圧縮値記憶手段
の期待圧縮値を選択することを特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, in the test circuit for a semiconductor integrated circuit according to the third or seventh aspect, the input selecting means compresses parallel data from the semiconductor integrated circuit by a control signal. In the compression cycle, parallel data from the semiconductor integrated circuit is selected, and when comparing the obtained compression value with the expected compression value, the expected compression value of the expected compression value storage means is selected.

【0021】加えて、請求項10記載の発明では、前記
請求項3記載の半導体集積回路のテスト回路において、
期待圧縮値記憶手段は、期待圧縮値を、予め並列入力線
形フィードバックシフトレジスタのシフト方向に1ビッ
トのみローテート操作して記憶することを特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, in the test circuit for a semiconductor integrated circuit according to the third aspect,
The expected compression value storage means stores the expected compression value by rotating only one bit in advance in the shift direction of the parallel input linear feedback shift register.

【0022】また、請求項11記載の発明では、前記請
求項3記載の半導体集積回路のテスト回路において、1
つのデータバスを備え、並列入力線形フィードバックシ
フトレジスタは、各レジスタの出力及びフィードバック
情報選択手段の出力を各々前記データバスに接続する出
力バッファを備えると共に、各2入力排他的論理和ゲー
トの第1の入力が前記データバスに直接接続されて、最
初段のレジスタの前段に位置する2入力排他的論理和ゲ
ートを除く各2入力排他的論理和ゲートの第1の入力に
は各々その前段のレジスタの出力が前記出力バッファ及
び前記データバスを介して与えられ、最初段のレジスタ
の前段に位置する2入力排他的論理和ゲートの第1の入
力には前記フィードバック情報選択手段の出力が前記出
力バッファ及び前記データバスを介して与えられるもの
であることを特徴とする。
According to the eleventh aspect of the present invention, in the test circuit for a semiconductor integrated circuit according to the third aspect,
The parallel input linear feedback shift register includes an output buffer for connecting the output of each register and the output of the feedback information selection means to the data bus, and the first of the two-input exclusive OR gates. Are directly connected to the data bus, and the first input of each of the two-input exclusive-OR gates except the two-input exclusive-OR gate located at the preceding stage of the first-stage register is respectively connected to the first-stage register. Is provided through the output buffer and the data bus, and the output of the feedback information selecting means is provided to the first input of a two-input exclusive OR gate located in front of the first register. And provided via the data bus.

【0023】更に、請求項12記載の発明では、前記請
求項11記載の半導体集積回路のテスト回路において、
他の1つのデータバスを備え、並列入力線形フィードバ
ックシフトレジスタは、各レジスタの出力及びフィード
バック情報選択手段の出力を各々前記他のデータバスに
接続する他の出力バッファを備えると共に、各2入力排
他的論理和ゲートの第2の入力が前記データバスに直接
接続されて、最初段のレジスタの前段に位置する2入力
排他的論理和ゲートを除く各2入力排他的論理和ゲート
の第2の入力には各々その前段のレジスタの出力が前記
他の出力バッファ及び前記他のデータバスを介して与え
られ、最初段のレジスタの前段に位置する2入力排他的
論理和ゲートの第2の入力には前記フィードバック情報
選択手段の出力が前記他の出力バッファ及び前記他のデ
ータバスを介して与えられるものであることを特徴とす
る。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the test circuit for a semiconductor integrated circuit according to the eleventh aspect,
The parallel input linear feedback shift register includes another data bus. The parallel input linear feedback shift register further includes another output buffer for connecting an output of each register and an output of the feedback information selection unit to the other data bus. The second input of the exclusive OR gate is connected directly to the data bus, and the second input of each two-input exclusive OR gate except for the two-input exclusive OR gate located in front of the first register. The output of the preceding register is provided via the other output buffer and the other data bus, respectively, and the second input of the two-input exclusive OR gate located before the first register is provided to the second input. The output of the feedback information selecting means is provided through the other output buffer and the other data bus.

【0024】加えて、請求項13記載の発明では、前記
請求項12記載の半導体集積回路のテスト回路におい
て、データバス及び他の1つのデータバスには、各々、
半導体集積回路及び期待圧縮値記憶手段が接続され、前
記半導体集積回路及び期待圧縮値記憶手段は、各々、出
力バッファを内蔵し、入力選択手段は、2つのデータバ
スのうち何れか一方を並列入力線形フィードバックシフ
トレジスタの圧縮用に用いながら、他方のデータバス
に、この他方のデータバスに接続された半導体集積回路
及び期待圧縮値記憶手段のうち何れかからデータを出力
するように、前記半導体集積回路及び期待圧縮値記憶手
段に各々内蔵する出力バッファ、並びに前記並列入力線
形フィードバックシフトレジスタに内蔵する各出力バッ
ファを制御する制御回路から成ることを特徴とする。
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the test circuit for a semiconductor integrated circuit according to the twelfth aspect, the data bus and the other data bus each include:
A semiconductor integrated circuit and an expected compression value storage unit are connected, the semiconductor integrated circuit and the expected compression value storage unit each include an output buffer, and the input selection unit inputs one of the two data buses in parallel. The semiconductor integrated circuit is used to output data from one of a semiconductor integrated circuit and expected compressed value storage means connected to the other data bus to the other data bus while being used for compression of the linear feedback shift register. The circuit comprises an output buffer incorporated in each of the circuit and the expected compressed value storage means, and a control circuit for controlling each output buffer incorporated in the parallel input linear feedback shift register.

【0025】更に加えて、請求項14記載の発明では、
前記請求項12記載の半導体集積回路のテスト回路にお
いて、データバス及び他の1つのデータバスには、各
々、半導体集積回路が接続され、前記半導体集積回路は
出力バッファを内蔵し、入力選択手段は、一方のデータ
バスに、この一方のデータバスに接続された半導体集積
回路からデータを出力すると共に、他方のデータバス
に、この他方のデータバスに接続された半導体集積回路
からデータを出力し、前記両データバスに出力されたデ
ータ同志を並列入力線形フィードバックシフトレジスタ
の各2入力排他的論理和ゲートで比較するように、前記
半導体集積回路に内蔵する出力バッファ及び前記並列入
力線形フィードバックシフトレジスタに内蔵する各出力
バッファを制御する制御回路から成ることを特徴とす
る。
[0025] In addition, in the invention according to claim 14,
13. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 12, wherein the data bus and the other data bus are respectively connected to a semiconductor integrated circuit, the semiconductor integrated circuit includes an output buffer, and the input selection unit includes: Outputting data from the semiconductor integrated circuit connected to the one data bus to one data bus, and outputting data from the semiconductor integrated circuit connected to the other data bus to the other data bus, The output buffer and the parallel input linear feedback shift register incorporated in the semiconductor integrated circuit are arranged so that the data output to both data buses are compared by each two-input exclusive OR gate of the parallel input linear feedback shift register. It comprises a control circuit for controlling each built-in output buffer.

【0026】請求項15記載の発明では、前記請求項3
又は請求項7記載の半導体集積回路のテスト回路におい
て、並列入力線形フィードバックシフトレジスタの各2
入力排他的論理和ゲートの出力を入力し、その各入力の
値から半導体集積回路の正誤を判定し、その判定結果を
出力する正誤判定手段を備えたことを特徴とする。
According to the fifteenth aspect, the third aspect is provided.
8. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein each of the two parallel input linear feedback shift registers is connected to a corresponding one of the parallel input linear feedback shift registers.
It is characterized by comprising correctness judgment means for inputting the output of the input exclusive OR gate, judging the correctness of the semiconductor integrated circuit from the value of each input, and outputting the judgment result.

【0027】また、請求項16記載の発明では、前記請
求項3又は請求項7記載の半導体集積回路のテスト回路
において、並列入力線形フィードバックシフトレジスタ
の各2入力排他的論理和ゲートの出力を入力し、その入
力内容を格納すると共にその入力内容を出力する診断レ
ジスタを備えたことを特徴とする。
According to a sixteenth aspect of the present invention, in the test circuit for a semiconductor integrated circuit according to the third or seventh aspect, the output of each two-input exclusive OR gate of the parallel input linear feedback shift register is input. And a diagnostic register for storing the input content and outputting the input content.

【0028】更に、請求項17記載の発明では、前記請
求項7記載の半導体集積回路のテスト回路において、フ
ィードバック情報選択手段にはスキャンイン情報が入力
され、前記フィードバック情報選択手段はスキャン操作
時に前記スキャンイン情報を選択するものであり、並列
入力線形フィードバックシフトレジスタの最終段のレジ
スタの出力はスキャンアウト情報としてスキャンパスに
接続され、前記並列入力線形フィードバックシフトレジ
スタの各レジスタに並列データとしてスキャン操作時に
ゼロを与えるゼロ出力手段を備えて、テスト回路の外部
から前記並列入力線形フィードバックシフトレジスタの
全てのレジスタの出力を観察できるように構成したこと
を特徴とする。
Further, in the invention according to claim 17, in the test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 7, scan-in information is input to the feedback information selection means, and the feedback information selection means is configured to output the scan-in information during the scan operation. The scan-in information is selected, and the output of the last register of the parallel input linear feedback shift register is connected to a scan path as scan-out information, and each register of the parallel input linear feedback shift register performs a scan operation as parallel data. It is characterized in that it is provided with a zero output means which sometimes gives zero, so that the outputs of all the registers of the parallel input linear feedback shift register can be observed from outside the test circuit.

【0029】加えて、請求項18記載の発明では、前記
請求項14記載の半導体集積回路のテスト回路におい
て、並列入力線形フィードバックシフトレジスタの各2
入力排他的論理和ゲートでの両データの比較結果を入力
してこの両データの一致又は不一致を判定し、その判定
結果を出力する正誤判定手段を備えたことを特徴とす
る。
In addition, in the invention according to claim 18, in the test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 14, each of the two parallel input linear feedback shift registers is provided.
There is provided a correctness / judgment means for inputting a result of comparison between the two data at the input exclusive OR gate, determining a match or a mismatch between the two data, and outputting a result of the determination.

【0030】更に加えて、請求項19記載の発明の半導
体集積回路のテスト方法では、予め求めた期待圧縮値の
生成時と同一のアドレスシーケンスにより半導体集積回
路からデータを順次読み出すと同時に、この読み出した
各データを並列入力線形フィードバックシフトレジスタ
の各レジスタに並列に順次入力し、シフトすることを繰
返すことにより、順次並列データを圧縮することを繰返
し、最後の並列データを圧縮した時点の各レジスタの出
力を並列データの圧縮値として求め、その後、最初段の
レジスタの前段に位置する2入力排他的論理和ゲートの
第1の入力に最終段のレジスタの出力を与え、且つ最初
段のレジスタを除く各レジスタの前段に位置する2入力
排他的論理和ゲートの第1の入力にその各前段のレジス
タの出力を与えると共に、前記並列入力線形フィードバ
ックシフトレジスタの各2入力排他的論理和ゲートの第
2の入力に期待圧縮値を入力して、各2入力排他的論理
和ゲートにより、並列データの圧縮値と期待圧縮値との
対応ビット同志の比較演算を行い、この比較演算結果に
より半導体集積回路の正常性をテストすることを特徴と
する。
In addition, in the method of testing a semiconductor integrated circuit according to the present invention, data is sequentially read from the semiconductor integrated circuit in accordance with the same address sequence as when the expected compression value determined in advance is generated, and the read is performed simultaneously. The parallel data is sequentially input to each register of the parallel input linear feedback shift register in parallel, and the shift is repeated, thereby repeatedly compressing the parallel data sequentially. The output is obtained as a compressed value of the parallel data, and thereafter, the output of the last stage register is given to the first input of the two-input exclusive OR gate located before the first stage register, and the first stage register is excluded. A first input of a two-input exclusive OR gate located at the preceding stage of each register is provided with the output of the register at each preceding stage. In both cases, the expected compression value is input to the second input of each two-input exclusive OR gate of the parallel input linear feedback shift register, and the compressed value of the parallel data and the expected compression value are input by each two-input exclusive OR gate. A comparison operation is performed between bits corresponding to a value and a normality of the semiconductor integrated circuit is tested based on a result of the comparison operation.

【0031】請求項20記載の発明では、前記請求項1
9記載の半導体集積回路のテスト方法において、複数個
の半導体集積回路のうち何れか1つを出力バッファを介
して1つのデータバスに接続し、その接続した半導体集
積回路から順次データを前記データバスを介して読み出
し、この読み出した各データの圧縮、圧縮値の算出、得
られた圧縮値と期待圧縮値との比較を行った後、前記複
数個の半導体集積回路のうち他の何れか1つを出力バッ
ファを介して1つのデータバスに接続し、その接続した
半導体集積回路から順次データを前記データバスを介し
て読み出し、この読み出した各データの圧縮、圧縮値の
算出、得られた圧縮値と期待圧縮値との比較を行うこと
を繰返すことを特徴とする。
According to the twentieth aspect of the present invention, the first aspect is provided.
9. The method for testing a semiconductor integrated circuit according to claim 9, wherein any one of the plurality of semiconductor integrated circuits is connected to one data bus via an output buffer, and data is sequentially transmitted from the connected semiconductor integrated circuit to the data bus. And compressing the read data, calculating the compression value, and comparing the obtained compression value with the expected compression value. Then, the other one of the plurality of semiconductor integrated circuits is used. Is connected to one data bus via an output buffer, data is sequentially read from the connected semiconductor integrated circuit via the data bus, compression of each read data, calculation of a compression value, and obtained compression value And repeating the comparison with the expected compression value.

【0032】また、請求項21記載の発明では、前記請
求項19記載の半導体集積回路のテスト方法において、
半導体集積回路からのデータを並列入力線形フィードバ
ックシフトレジスタにより圧縮することを繰返している
際、そのデータの圧縮毎に、前記並列入力線形フィード
バックシフトレジスタの最終段のレジスタを除くレジス
タの出力及びフィードバック情報から成る圧縮途中情報
をデータバスを介してこのデータバスに接続されている
半導体集積回路のテストデータとして入力又は記憶させ
ることを特徴とする。
According to a twenty-first aspect of the present invention, in the method for testing a semiconductor integrated circuit according to the nineteenth aspect,
When the data from the semiconductor integrated circuit is repeatedly compressed by the parallel input linear feedback shift register, the output and feedback information of the registers except for the last stage register of the parallel input linear feedback shift register for each compression of the data. Is input or stored as test data of a semiconductor integrated circuit connected to the data bus via the data bus.

【0033】更に、請求項22記載の発明では、前記請
求項19記載の半導体集積回路のテスト方法において、
並列入力線形フィードバックシフトレジスタには、テス
ト開始前に、初期値がスキャンインされることを特徴と
する。
Further, according to the invention of claim 22, in the method of testing a semiconductor integrated circuit of claim 19,
An initial value is scanned into the parallel input linear feedback shift register before the test is started.

【0034】加えて、請求項23記載の発明では、前記
請求項22記載の半導体集積回路のテスト方法におい
て、被テスト半導体集積回路は複数のメモリであり、前
記各メモリは、その容量、書き込まれるデータ又は書き
込まれたデータが異なるものであり、並列入力線形フィ
ードバックシフトレジスタにスキャンインされる初期値
は、前記各メモリからデータを読み出して求まる各々の
期待圧縮値が同一値となるように予め求めた所定の初期
値であることを特徴とする。
According to a twenty-third aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit test method according to the twenty-second aspect, the semiconductor integrated circuit to be tested is a plurality of memories, and each of the memories has a capacity and data to be written. The data or written data is different, and the initial value scanned in the parallel input linear feedback shift register is obtained in advance so that each expected compression value obtained by reading data from each memory becomes the same value. Is a predetermined initial value.

【0035】更に加えて、請求項24記載の発明では、
前記請求項22記載の半導体集積回路のテスト方法にお
いて、被テスト半導体集積回路は複数の内部機能ブロッ
クであり、前記各内部機能ブロックは、その機能又は与
えられる入力系列が異なるものであり、並列入力線形フ
ィードバックシフトレジスタにスキャンインされる初期
値は、前記各入力系列に対する各内部機能ブロックの出
力から求まる各々の期待圧縮値が同一値となるように予
め求めた所定の初期値であることを特徴とする。
In addition, in the invention according to claim 24,
23. The method for testing a semiconductor integrated circuit according to claim 22, wherein the semiconductor integrated circuit under test is a plurality of internal function blocks, and each of the internal function blocks has a different function or a given input sequence. The initial value scanned into the linear feedback shift register is a predetermined initial value obtained in advance so that each expected compression value obtained from the output of each internal function block for each of the input sequences has the same value. And

【0036】[0036]

【作用】上記した構成によって、請求項1ないし請求項
18記載の半導体集積回路のテスト回路及び請求項19
ないし請求項24記載の半導体集積回路のテスト方法で
は、期待値(期待シグネチャ)を求めたのと同じ順序で
読み出し又は出力される半導体集積回路からのデータ
を、並列データとして並列入力LFSRに入力する。前
記並列入力LFSRに入力した並列データをクロックに
同期してシフトすることにより、並列入力LFSRの各
レジスタに出力系列の圧縮値が順次格納されて行く。全
てのデータを読み出し、その圧縮の繰返しを終えた時点
で、半導体集積回路からのデータの出力系列を圧縮し
た,求める圧縮値(シグネチャ)が得られる。
According to the above construction, the test circuit for a semiconductor integrated circuit according to any one of claims 1 to 18, and a 19th aspect.
In the semiconductor integrated circuit test method according to the twenty-fourth aspect, data from the semiconductor integrated circuit that is read or output in the same order as the expected value (expected signature) is obtained is input to the parallel input LFSR as parallel data. . By shifting the parallel data input to the parallel input LFSR in synchronization with the clock, the compressed value of the output sequence is sequentially stored in each register of the parallel input LFSR. When all the data is read and the repetition of the compression is completed, a desired compressed value (signature) obtained by compressing the output sequence of the data from the semiconductor integrated circuit is obtained.

【0037】前記求めたシグネチャと期待シグネチャと
を比較するために、この両シグネチャは、テスト回路に
元々備えられて並列データの圧縮を行う演算回路に与え
られる。例えば、並列入力LFSRの最初段のレジスタ
の前段に配置された2入力排他的論理和ゲートの第1の
入力には、最終段のレジスタの出力が与えられると共
に、最初段のレジスタを除く各レジスタの前段に配置さ
れた2入力排他的論理和ゲートの第1の入力には、その
各前段に位置するレジスタの出力が与えられる。また、
前記各2入力排他的論理和ゲートの第2の入力には、期
待シグネチャが入力される。
In order to compare the obtained signature with the expected signature, the two signatures are provided to an arithmetic circuit originally provided in the test circuit and compressing parallel data . For example, the first input of a two-input exclusive OR gate arranged before the first register of the parallel input LFSR is supplied with the output of the last register and each register except the first register. The first input of the two-input exclusive OR gate arranged at the preceding stage is supplied with the output of the register located at each preceding stage. Also,
An expected signature is input to a second input of each of the two-input exclusive OR gates.

【0038】これにより、全レジスタの各出力から成る
圧縮シグネチャと、比較用期待シグネチャとの対応ビッ
ト同志が、並列入力LFSRの各2入力排他的論理和ゲ
ートで比較されるので、ここでシフト動作を行うことで
比較結果がレジスタに格納される。
As a result, the corresponding bits of the compression signature composed of the respective outputs of all the registers and the expected signature for comparison are compared by the respective two-input exclusive OR gates of the parallel input LFSR. , The comparison result is stored in the register.

【0039】従って、各レジスタに格納された比較結果
により、圧縮シグネチャと比較用期待シグネチャとの一
致,不一致が判断されて、半導体集積回路(メモリ又は
内部機能ブロック)の正常,異常が判断されることにな
る。
Therefore, based on the comparison result stored in each register, it is determined whether the compression signature matches the expected signature for comparison, and whether the semiconductor integrated circuit (memory or internal function block) is normal or abnormal. Will be.

【0040】よって、テスト回路に元々備えられて並列
データの圧縮を行う演算回路、例えばデータ圧縮に用い
た並列入力LFSR自身でもって、圧縮シグネチャと期
待シグネチャとの比較が行なえて、半導体集積回路の出
力系列の正誤を判定することができる。
Therefore, the test circuit originally provided in parallel
An arithmetic circuit for compressing data, for example, the parallel input LFSR itself used for data compression can compare the compression signature with the expected signature and determine whether the output sequence of the semiconductor integrated circuit is correct or not.

【0041】特に、請求項14記載の半導体集積回路の
テスト回路では、2つのデータバスには、各々、半導体
集積回路が接続されると共に、並列入力LFSRの各2
入力排他的論理和ゲートが接続されるので、各データバ
スに接続された各々の半導体集積回路からのデータ同志
を並列入力LFSRの各2入力排他的論理和ゲートで比
較することができる。
In particular, in the semiconductor integrated circuit test circuit according to the present invention, the semiconductor integrated circuit is connected to each of the two data buses and each of the parallel input LFSRs is connected to the two data buses.
Since the input exclusive OR gate is connected, data from each semiconductor integrated circuit connected to each data bus can be compared by each two-input exclusive OR gate of the parallel input LFSR.

【0042】また、請求項17記載の発明の半導体集積
回路のテスト回路では、並列入力LFSRの2入力排他
的論理和ゲートでの圧縮値と期待値との比較結果がスキ
ャンアウトされるので、チップ外部で半導体集積回路の
出力系列の正誤を観察する場合であっても、半導体集積
回路の品種毎に期待シグネチャを管理する必要がなく、
また期待シグネチャを知り得ないユーザーであっても、
半導体集積回路の正誤テストが可能である。
In the test circuit for a semiconductor integrated circuit according to the seventeenth aspect of the present invention, the comparison result between the compressed value and the expected value at the two-input exclusive OR gate of the parallel input LFSR is scanned out, so that the chip Even when externally observing the correctness of the output sequence of the semiconductor integrated circuit, there is no need to manage the expected signature for each type of semiconductor integrated circuit,
And even if the user does n’t know the expected signature,
A true / false test of a semiconductor integrated circuit is possible.

【0043】更に、請求項21記載の半導体集積回路の
テスト方法では、並列入力LFSRを用いた半導体集積
回路のテスト時(詳しくは、データの圧縮の繰返し時)
には、このテストに併行して、前記並列入力LFSRか
らの圧縮途中情報、即ち最終段のレジスタを除くレジス
タの出力及びフィードバック情報が、データバスを介し
てこのデータバスに接続された半導体集積回路(前記テ
スト中の半導体集積回路とは異なる半導体集積回路)に
テストデータとして記憶される。従って、テストデータ
を発生して半導体集積回路に記憶させるデータ発生手段
をデータバスに接続する必要が無く、データ発生手段が
不要になると共に、半導体集積回路へのテストデータの
記憶サイクルが不要になる。
Further, in the method for testing a semiconductor integrated circuit according to the present invention, when testing the semiconductor integrated circuit using the parallel input LFSR (more specifically, when data compression is repeated).
In parallel with this test, the intermediate compression information from the parallel input LFSR, that is, the output and feedback information of the registers other than the last stage register, are fed to the semiconductor integrated circuit connected to the data bus via the data bus. (A semiconductor integrated circuit different from the semiconductor integrated circuit under test) is stored as test data. Therefore, there is no need to connect a data generating means for generating test data and storing it in the semiconductor integrated circuit to the data bus, so that the data generating means becomes unnecessary and a cycle of storing test data in the semiconductor integrated circuit becomes unnecessary. .

【0044】加えて、請求項23及び請求項24記載の
発明の半導体集積回路のテスト方法では、被テスト半導
体集積回路が複数のメモリ又は内部機能ブロックであっ
て且つその各メモリの容量等が異なったり、各内部機能
ブロックの機能等が異なる場合であっても、入力する期
待圧縮値は1つであるので、期待圧縮値記憶手段の容量
を小さくできて、少ない面積で柔軟な自動テストを行う
ことができる。
In addition, in the semiconductor integrated circuit test method according to the present invention, the semiconductor integrated circuit to be tested is a plurality of memories or internal function blocks, and the memories have different capacities and the like. Even if the function of each internal function block is different, the expected compression value to be input is one, so the capacity of the expected compression value storage means can be reduced, and a flexible automatic test can be performed with a small area. be able to.

【0045】[0045]

【実施例】以下、本発明の一実施例の半導体集積回路の
テスト回路及びテスト方法について、図面を参照しなが
ら説明する。尚、以下の説明で用いる図面中の同一の数
字及び記号は、全図面を通じて同じ要素を示す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A test circuit and a test method for a semiconductor integrated circuit according to one embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same numerals and symbols in the drawings used in the following description indicate the same elements throughout the drawings.

【0046】(第1の実施例)図1は本発明の実施例に
おける半導体集積回路のテスト回路の全体構成図であ
る。
(First Embodiment) FIG. 1 is an overall configuration diagram of a test circuit of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.

【0047】図1において、1はコンパクトテスト回路
としての並列入力線形フィードバックシフトレジスタ
(以下、並列入力LFSRと呼ぶ)、2は期待シグネチ
ャ21を出力する期待圧縮値記憶手段としての期待シグ
ネチャ格納レジスタ、3は読み出しデータレジスタであ
る。
In FIG. 1, 1 is a parallel input linear feedback shift register (hereinafter referred to as a parallel input LFSR) as a compact test circuit, 2 is an expected signature storage register as expected compression value storage means for outputting an expected signature 21, 3 is a read data register.

【0048】前記並列入力LFSR1は、前記期待シグ
ネチャ格納レジスタ2の出力する期待シグネチャ21
と、読み出しデータレジスタ3の出力する読み出しデー
タ31と、制御回路10が出力するテスト制御信号(制
御信号)12と、クロック信号13とを入力とし、その
内蔵する4個の2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4
(後述)の出力11を出力している。
The parallel input LFSR1 is provided with the expected signature 21 output from the expected signature storage register 2.
, Read data 31 output from the read data register 3, a test control signal (control signal) 12 output from the control circuit 10, and a clock signal 13. Gate XOR1 ~ XOR4
(Described later) is output.

【0049】4はメモリアレイであって、アドレス入力
62で与えられてアドレスレジスタ6に格納されたアド
レス61をアドレスデコーダ5でデコードし、アドレス
デコーダ5の出力するワード線に対応したワードの内容
が読み出しデータ41として読み出されるものである。
読み出されたデータ41は読み出しデータレジスタ3に
格納され、読み出しデータ31として並列入力LFSR
1に出力される。
Reference numeral 4 denotes a memory array which decodes the address 61 given by the address input 62 and stored in the address register 6 by the address decoder 5 and stores the contents of the word corresponding to the word line output from the address decoder 5. It is read as read data 41.
The read data 41 is stored in the read data register 3 and is read as the read data 31 by the parallel input LFSR.
1 is output.

【0050】7は診断レジスタであり、2入力排他的論
理和ゲート(後述)の出力11と、テスト制御信号12
と、クロック信号13とを入力とし、その内容を出力7
1に出力する。
Reference numeral 7 denotes a diagnostic register, which is an output 11 of a two-input exclusive OR gate (described later) and a test control signal 12.
And the clock signal 13 as inputs, and output the contents as output 7.
Output to 1.

【0051】また、8は正誤判定回路であって、並列入
力LFSR1の各2入力排他的論理和ゲート(後述)の
出力11を入力として、メモリの正誤を判定し、その判
定結果81を出力する。前記図1の回路構成は、全て、
1チップ上にオンチップ化されている。
Reference numeral 8 denotes a right / wrong judgment circuit which judges whether the memory is right or wrong by using the output 11 of each two-input exclusive OR gate (described later) of the parallel input LFSR1 as an input and outputs the judgment result 81. . The circuit configuration of FIG.
On-chip on one chip.

【0052】図2は、前記並列入力LFSR1によって
圧縮して求めた圧縮シグネチャと、前記期待シグネチャ
格納レジスタ2の期待シグネチャとの比較、及び求めら
れた圧縮シグネチャの正誤の判定を行うテスト回路の具
体的構成図を示す。
FIG. 2 shows a concrete example of a test circuit for comparing a compression signature obtained by compression by the parallel input LFSR 1 with an expected signature of the expected signature storage register 2 and determining whether the obtained compression signature is correct or not. FIG.

【0053】同図において、並列入力LFSR1は、4
個のレジスタS1〜S4と、その各レジスタS1〜S4
の前段に配置された4個の2入力排他的論理和ゲートXO
R1,XOR2,XOR3,XOR4 と、前記最終段のレジスタS4の出
力と途中段(4次の場合にはレジスタS3)の出力とを
入力とする2入力排他的論理和ゲートXOR0とを備えた4
ビットの並列入力LFSRである。前記並列入力LFS
R1の4個の2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4は、
本実施例のテスト回路に元々備えられて並列データの圧
縮を行う演算回路である。前記2入力排他的論理和ゲー
トXOR0の出力は最初段のレジスタS1へのフィードバッ
ク情報となり、この2入力排他的論理和ゲートXOR0によ
りフィードバック情報生成手段が構成される。
In the figure, the parallel input LFSR1 has 4
Registers S1 to S4 and their respective registers S1 to S4
Two-input exclusive-OR gates XO arranged in front of
R1, XOR2, XOR3, XOR4 and a two-input exclusive-OR gate XOR0 that receives the output of the last-stage register S4 and the output of the middle stage (register S3 in case of fourth order) as inputs.
It is a parallel input LFSR of bits. The parallel input LFS
The four 2-input exclusive OR gates XOR1 to XOR4 of R1 are:
The pressure of parallel data originally provided in the test circuit of this embodiment is
This is an arithmetic circuit that performs compression . The output of the two-input exclusive-OR gate XOR0 becomes feedback information to the register S1 at the first stage, and the two-input exclusive-OR gate XOR0 constitutes feedback information generating means.

【0054】前記並列入力LFSR1は、下記式に示す
4次の原始多項式 g (X) =x4 + x+1 を演算実現するものである。
[0054] The parallel input LFSR1 is for calculating realize 4-order primitive polynomial g (X) = x 4 + x + 1 of the following formula.

【0055】前記並列入力LFSR1では、クロック信
号に同期して左から右にデータがシフトされ、以降の説
明では、左端のレジスタS1を最初段、右端のレジスタ
S4を最終段のレジスタと呼ぶ。
In the parallel input LFSR1, data is shifted from left to right in synchronization with the clock signal. In the following description, the leftmost register S1 is referred to as a first stage and the rightmost register S4 is referred to as a last stage register.

【0056】並列入力LFSR1の入力である、メモリ
アレイ4からの読み出しデータ31(I1,I2,I3,I4) と、
期待シグネチャ格納レジスタ2の期待シグネチャ21(E
1,E2,E3,E4) とは、入力選択手段としての2入力マルチ
プレクサより成る入力セレクタSEL1,SEL2,SEL3,SEL4 に
より選択され、この出力が前記各2入力排他的論理和ゲ
ートXOR1〜XOR4の第2の入力に接続されている。また、
最初段のレジスタS1の前段に位置する2入力排他的論
理和ゲートXOR1以外の2入力排他的論理和ゲートXOR2〜
XOR4の第1の入力には、前段のレジスタS2〜S4の出
力がそれぞれ接続されている。
Read data 31 (I1, I2, I3, I4) from the memory array 4, which is an input of the parallel input LFSR1,
The expected signature 21 of the expected signature storage register 2 (E
1, E2, E3, E4) are selected by input selectors SEL1, SEL2, SEL3, SEL4 comprising two-input multiplexers as input selection means, and the output is selected from each of the two-input exclusive OR gates XOR1 to XOR4. Connected to the second input. Also,
Two-input exclusive OR gates XOR2 to XOR2 to other than the two-input exclusive OR gate XOR1 located before the first-stage register S1
Outputs of the preceding registers S2 to S4 are connected to the first input of XOR4.

【0057】一方、最初段のレジスタS1の入力に接続
された2入力排他的論理和ゲートXOR1の第1の入力に
は、フィードバック情報選択手段としてのフィードバッ
ク情報セレクタSEL0の出力が接続されており、このフィ
ードバック情報セレクタSEL0は、テスト制御信号12に
より、最終段のレジスタS4の出力と前記2入力排他的
論理和ゲート(フィードバック情報生成手段)XOR0の出
力との何れか一方を選択し、出力する。
On the other hand, an output of a feedback information selector SEL0 as feedback information selecting means is connected to a first input of a two-input exclusive OR gate XOR1 connected to an input of the first stage register S1. The feedback information selector SEL0 selects and outputs one of the output of the register S4 at the last stage and the output of the two-input exclusive OR gate (feedback information generating means) XOR0 according to the test control signal 12.

【0058】前記入力セレクタSEL1〜SEL4も、制御回路
10が出力するテスト制御信号12により制御され、テ
スト制御信号12が0の時には、入力セレクタSEL1〜SE
L4は読み出しデータ31(I1,I2,I3,I4) を、フィードバ
ック情報セレクタSEL0はフィードバック情報を選択す
る。また、テスト制御信号12が1の時には、入力セレ
クタSEL1〜SEL4は期待シグネチャ21(E1,E2,E3,E4)
を、フィードバック情報セレクタSEL0は最終段のレジス
タS4の出力を選択する。
The input selectors SEL1 to SEL4 are also controlled by the test control signal 12 output from the control circuit 10. When the test control signal 12 is 0, the input selectors SEL1 to SEL4
L4 selects the read data 31 (I1, I2, I3, I4), and the feedback information selector SEL0 selects the feedback information. When the test control signal 12 is 1, the input selectors SEL1 to SEL4 output the expected signatures 21 (E1, E2, E3, E4).
And the feedback information selector SEL0 selects the output of the register S4 at the last stage.

【0059】前記フィードバック情報セレクタSEL0と4
個の入力セレクタSEL1〜SEL4とにより、並列入力LFS
R1による圧縮によって得られた圧縮シグネチャ及び期
待シグネチャ格納レジスタ2の期待シグネチャを並列入
力LFSR1の4個の2入力排他的論理和ゲートXOR1〜
XOR4(元々備えられて並列データの圧縮を行う演算回
路)に与える情報収集手段18を構成している。
The feedback information selectors SEL0 and SEL4
Input selectors SEL1 to SEL4 allow the parallel input LFS
The two-input exclusive-OR gates XOR1 to XOR4 of the parallel input LFSR1 are used to store the compression signature obtained by compression by R1 and the expected signature of the expected signature storage register 2.
The information collection means 18 is provided to XOR4 ( an operation circuit originally provided for compressing parallel data ).

【0060】診断レジスタ7は、各2入力排他的論理和
ゲートXOR1〜XOR4の出力11とテスト制御信号12とク
ロック13とを入力しており、メモリのテスト終了時に
テスト制御信号12を書き込みイネーブルとしてその結
果を格納し、その内容を出力71に出力する。
The diagnostic register 7 receives the output 11 of each of the two-input exclusive-OR gates XOR1 to XOR4, the test control signal 12, and the clock 13, and makes the test control signal 12 write-enable at the end of the memory test. The result is stored, and the content is output to the output 71.

【0061】また、正誤判定回路8も2入力排他的論理
和ゲートXOR1〜XOR4の出力11を入力しており、メモリ
のテスト終了時にメモリの正誤を判定してメモリ正誤判
定結果81を出力する。
The correctness judgment circuit 8 also receives the outputs 11 of the two-input exclusive OR gates XOR1 to XOR4, and judges the correctness of the memory at the end of the memory test and outputs a memory correctness judgment result 81.

【0062】図3は、本発明の実施例における並列入力
LFSR1による圧縮シグネチャと期待シグネチャとの
比較及び正誤の判定を説明するタイミング図である。
FIG. 3 is a timing chart for explaining the comparison between the compression signature and the expected signature by the parallel input LFSR1 and the determination of correctness in the embodiment of the present invention.

【0063】以上のように構成された半導体集積回路の
テスト回路について、以下、図1ないし図3を用いて、
その動作を説明する。以下の説明では、簡単のためにテ
ストされるメモリ(図示せず)の構成は、ワード数が3
2ワードであって、各ワードは4ビットであるものとす
る。
The test circuit of the semiconductor integrated circuit configured as described above will be described below with reference to FIGS.
The operation will be described. In the following description, for the sake of simplicity, the configuration of a memory (not shown) to be tested has a word number of 3
Assume that there are two words, each word being four bits.

【0064】本実施例では、基本的に圧縮値の作成と、
得られた圧縮値(求めるシグネチャ)と期待圧縮値(期
待シグネチャ)との比較とを同一の並列入力LFSR1
を用いて行なう点が従来と大きく異なる。
In this embodiment, basically, the generation of the compression value and
The comparison between the obtained compression value (sought signature) and the expected compression value (expected signature) is performed by using the same parallel input LFSR1.
Is significantly different from the conventional method.

【0065】以下、テスト回路での圧縮値の作成と、得
られた圧縮値と期待圧縮値との比較について説明する。
ここでは、簡単のため、既にメモリにはデータが書き込
まれているとする。
Hereinafter, the creation of a compression value in the test circuit and the comparison between the obtained compression value and the expected compression value will be described.
Here, for simplicity, it is assumed that data has already been written to the memory.

【0066】下記表は、並列入力LFSR1の所定の初
期値(1010)と、メモリから読み出されるデータと
における各情報圧縮サイクルでのレジスタS1〜S4の
内容を示す。レジスタS1〜S4の値で、括弧内に示し
た英数字は16進表記のものである。情報圧縮の最終サ
イクルである32サイクル目のレジスタS1〜S4の内
容0011(16進表記で3)がこの入力系列における
求めるシグネチャを示している。
The following table shows the contents of the registers S1 to S4 in each information compression cycle in the predetermined initial value (1010) of the parallel input LFSR1 and the data read from the memory. In the values of the registers S1 to S4, the alphanumeric characters shown in parentheses are in hexadecimal notation. The contents 0011 (3 in hexadecimal notation) of the registers S1 to S4 in the 32nd cycle, which is the last cycle of information compression, indicate the signature to be obtained in this input sequence.

【0067】[0067]

【表1】 尚、前記表において、入力データ(メモリからの読み出
しデータ)及びレジスタS1〜S4の内容は各々、左よ
り、I1,I2,I3,I4/S1,S2,S3,S4 の順で書かれている。
[Table 1] In the table, the input data (read data from the memory) and the contents of the registers S1 to S4 are written in the order of I1, I2, I3, I4 / S1, S2, S3, S4 from the left. .

【0068】先ず、テスト開始サイクルにおいて、最初
のメモリ読み出しアドレス61が与えられ、メモリから
のデータの読み出しが開始される。読み出されたデータ
1111(16進表記でF)は読み出しデータレジスタ
3に格納され、並列入力LFSR1に出力される。これ
と並行して並列入力LFSR1には初期値(この例では
1010:16進表記でA)が設定される。
First, in the test start cycle, the first memory read address 61 is given, and reading of data from the memory is started. The read data 1111 (F in hexadecimal notation) is stored in the read data register 3 and output to the parallel input LFSR1. In parallel with this, an initial value (1010: A in hexadecimal notation in this example) is set in the parallel input LFSR1.

【0069】続く、圧縮の第1サイクルでは、テスト制
御信号12は0であり、入力セレクタは読み出しデータ
31(I1,I2,I3,I4) を、フィードバック情報セレクタSE
L0はフィードバック情報を選択している。テスト制御信
号12は、圧縮操作が行なわれている間は常に0であ
る。この場合、読み出されたデータ1111が入力セレ
クタSEL 〜SEL4で選択され、並列入力LFSR1で圧縮
される。圧縮された値は0010(16進表記で2)と
なる。また、このサイクルでも新たなメモリ読み出しア
ドレス61が与えられ、メモリからのデータ読み出しが
行なわれている。読み出されたデータ0111(16進
表記で7)は読み出しデータレジスタ3に格納され、並
列入力LFSR1に出力される。
Subsequently, in the first cycle of compression, the test control signal 12 is 0, and the input selector outputs the read data 31 (I1, I2, I3, I4) to the feedback information selector SE.
L0 has selected feedback information. The test control signal 12 is always 0 during the compression operation. In this case, the read data 1111 is selected by the input selectors SEL to SEL4 and compressed by the parallel input LFSR1. The compressed value is 0010 (2 in hexadecimal notation). Also in this cycle, a new memory read address 61 is given, and data is read from the memory. The read data 0111 (7 in hexadecimal notation) is stored in the read data register 3 and output to the parallel input LFSR1.

【0070】同様に、圧縮の第2サイクルでは、読み出
されたデータ0111が入力セレクタSEL 〜SEL4で選択
され並列入力LFSR1で圧縮される。この場合、圧縮
された値は1110(16進表記でE)である。また、
このサイクルでも新たなメモリ読み出しアドレス61が
与えられ、メモリからのデータ読み出しが継続的に行な
われている。読み出されたデータ1011(16進表記
でB)は読み出しデータレジスタ3に格納され、並列入
力LFSR1に出力される。
Similarly, in the second cycle of compression, the read data 0111 is selected by the input selectors SEL to SEL4 and compressed by the parallel input LFSR1. In this case, the compressed value is 1110 (E in hexadecimal notation). Also,
Also in this cycle, a new memory read address 61 is given, and data is continuously read from the memory. The read data 1011 (B in hexadecimal notation) is stored in the read data register 3 and output to the parallel input LFSR1.

【0071】圧縮の第1サイクルから第32サイクルま
では、与えられるメモリ読み出しアドレスが異なるのみ
であり、同じ動作を行なう。メモリから読み出されたデ
ータが全て正しいものであれば、求めるシグネチャは圧
縮の第32サイクル目に求まり、0011(16進表記
で3)となる。
From the first cycle to the thirty-second cycle of compression, the same operation is performed except that the applied memory read address is different. If all the data read from the memory is correct, the signature to be obtained is obtained in the 32nd cycle of compression, and becomes 0011 (3 in hexadecimal notation).

【0072】圧縮サイクル(32サイクルまで)が終了
すると、33サイクル目が判定サイクルとなる。テスト
制御信号12は直前のサイクル(最後の圧縮サイクル)
で、反転クロックに同期して1となっており、従って、
入力セレクタSEL1〜SEL4は期待シグネチャ21(E1,E2,E
3,E4) を選択し、フィードバック情報セレクタSEL0は最
終段のレジスタS4の出力を選択する。つまり、判定サ
イクルでは、全ての2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XO
R4の第1の入力には前段のレジスタ(最初段のレジスタ
S1においては最終段のレジスタS4)の出力を、第2
の入力には期待シグネチャ21(E1,E2,E3,E4) が与えら
れて、各2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4におい
て、レジスタS1〜S4の各段に格納された値と、期待
シグネチヤ格納レジスタ2の期待シグネチャ21(E1,E
2,E3,E4) との排他的論理和演算(比較)が行なわれ
る。
When the compression cycle (up to 32 cycles) is completed, the 33rd cycle becomes the determination cycle. The test control signal 12 is the last cycle (last compression cycle)
And becomes 1 in synchronization with the inverted clock.
The input selectors SEL1 to SEL4 are expected signatures 21 (E1, E2, E
3, E4), and the feedback information selector SEL0 selects the output of the last-stage register S4. That is, in the judgment cycle, all the two-input exclusive OR gates XOR1 to XO
The first input of R4 is the output of the previous register (the last register S4 in the first register S1),
Is input with an expected signature 21 (E1, E2, E3, E4). In each of the two-input exclusive-OR gates XOR1 to XOR4, the value stored in each stage of the registers S1 to S4 and the expected signature are input. Expected signature 21 of storage register 2 (E1, E
2, E3, E4).

【0073】但し、n段(n=1〜4)目のレジスタS
nの入力に接続された2入力排他的論理和ゲートXORnに
は、期待シグネチャEnと前段(但し、n=1においては
最終段)のレジスタSn-1の出力とが入力されるので、期
待シグネチヤ格納レジスタ2には、前記表から判るよう
に、期待シグネチヤ0011(16進表記で3)を1ビ
ット右に循環(又は3ビット左に循環)したデータが格
納される。本実施例では、格納されているデータは、1
001(16進表記で9)である。
However, the register S of the n-th stage (n = 1 to 4)
The expected signature En and the output of the register Sn-1 of the preceding stage (however, the last stage when n = 1) are input to the two-input exclusive OR gate XORn connected to the input of n, so that the expected signature is obtained. As can be seen from the above table, the storage register 2 stores data obtained by circulating the expected signature 0011 (3 in hexadecimal notation) one bit to the right (or three bits to the left). In this embodiment, the stored data is 1
001 (9 in hexadecimal notation).

【0074】従って、前記各2入力排他的論理和ゲート
XOR1〜XOR4からは、圧縮シグネチャと期待シグネチヤと
の各対応ビット同志が一致すれば0が出力され、不一致
であれば1が出力されて、後段のレジスタにこの比較結
果が格納される。この比較結果は2入力排他的論理和ゲ
ートXOR1〜XOR4の出力11として、診断レジスタ7と正
誤判定回路8とに入力される。
Therefore, each of the two-input exclusive OR gates
XOR1 to XOR4 output 0 if the corresponding bits of the compressed signature match the corresponding bits of the expected signature, and output 1 if they do not match, and store the comparison result in a register at the subsequent stage. The comparison result is input to the diagnostic register 7 and the correctness / incorrectness judgment circuit 8 as the output 11 of the two-input exclusive OR gates XOR1 to XOR4.

【0075】診断レジスタ7は、テスト制御信号12を
書き込みイネーブル信号として用い、この比較判定サイ
クルでの2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4の出力1
1を判定結果として格納し、出力71に出力する。ま
た、正誤判定回路8は、比較判定サイクルにおいて2入
力排他的論理和ゲートの出力11の全ての値が0であれ
ば、メモリは正常であるとして1を出力し、1つでも1
の値を持つ2入力排他的論理和ゲートの出力があれば、
メモリは正常でないとして0を出力する。この正誤判定
回路8は図1のように、2入力排他的論理和ゲートの出
力11を入力とする4入力NORゲートにより実現でき
る。但し、表1にも示したように圧縮の第19サイクル
では2入力排他的論理和ゲートの出力11、即ち、各段
のレジスタの値が全て0となっていることからも判るよ
うに、メモリの正誤判定結果81は比較判定サイクルに
おいてのみ有効である。
The diagnostic register 7 uses the test control signal 12 as a write enable signal, and outputs the outputs 1 of the two-input exclusive OR gates XOR1 to XOR4 in this comparison / determination cycle.
1 is stored as the determination result and output to the output 71. If all the values of the outputs 11 of the two-input exclusive OR gate are 0 in the comparison judgment cycle, the correctness judgment circuit 8 outputs 1 assuming that the memory is normal.
If there is an output of a two-input exclusive OR gate having the value of
The memory outputs 0 because it is not normal. This correct / incorrect judgment circuit 8 can be realized by a four-input NOR gate to which the output 11 of the two-input exclusive OR gate is input as shown in FIG. However, as shown in Table 1, in the nineteenth cycle of the compression, as can be seen from the output 11 of the two-input exclusive OR gate, that is, the values of the registers in each stage are all 0, Is valid only in the comparison determination cycle.

【0076】したがって、従来では、得られた圧縮値を
ALUを用いて比較していたためにマイクロプログラム
による複雑な制御を必要としていたが、本実施例では、
比較判定サイクルにおいてテスト制御信号を与えるとい
う簡単な制御のみで、データ圧縮を行った並列入力LF
SR1でもって圧縮シグネチャと期待シグネチヤとの比
較が可能であるので、その比較を行う比較手段を別途設
ける必要が無く、少ないハードウエア(フィードバック
情報SEL0及び入力セレクタSEL1〜SEL4)の付加だけでオ
ンチップ化も容易なメモリのテスト回路を実現すること
ができる。
Therefore, conventionally, since the obtained compression values were compared using the ALU, complicated control by a microprogram was required. However, in this embodiment,
A parallel input LF that performs data compression by only simple control of providing a test control signal in the comparison / determination cycle
Since it is possible to compare the compressed signature with the expected signature by using SR1, it is not necessary to separately provide a comparing means for performing the comparison, and the on-chip circuit can be provided with only a small amount of hardware (feedback information SEL0 and input selectors SEL1 to SEL4). It is possible to realize a memory test circuit that can be easily implemented.

【0077】尚、本実施例では、読み出しデータレジス
タ3の出力31を並列入力LFSR1に入力してデータ
を圧縮したが、この並列入力LFSR1に対して制御信
号と若干のハードウエアとを付加すれば、この並列入力
LFSR1を通常動作時には読み出しデータレジスタと
して、メモリテスト時には並列入力LFSRとして用い
ることができるので、この場合には、ハードウエアの削
減化が可能である。
In this embodiment, the output 31 of the read data register 3 is input to the parallel input LFSR1 to compress the data. However, if a control signal and some hardware are added to the parallel input LFSR1, Since the parallel input LFSR1 can be used as a read data register during normal operation and as a parallel input LFSR during a memory test, hardware can be reduced in this case.

【0078】また、期待シグネチヤ格納レジスタ2に
は、期待シグネチヤを1ビット右に循環(又は3ビット
左に循環)したデータを格納しておく必要があるとした
が、格納する期待シグネチヤには操作を施さず、入力セ
レクタSEL1〜SEL4が期待シグネチャ格納メモリ2から出
力される期待シグネチャを1ビット右に循環(又は3ビ
ット左に循環)するようなローテータのような構成を採
ることにより同様な効果を有する。
The expected signature storage register 2 needs to store data obtained by circulating the expected signature one bit to the right (or circulating three bits to the left). A similar effect can be obtained by adopting a rotator-like configuration in which the input selectors SEL1 to SEL4 circulate the expected signature output from the expected signature storage memory 2 rightward by one bit (or circulate leftward by three bits) without performing the above operation. Having.

【0079】更に、本実施例では、並列入力LFSR1
の初期値を1010(16進表記でA)としたが、必ず
しもこの値でなくてもよく、任意の値を取ることができ
る。この場合には、期待シグネチャもこの初期値に対応
したものを格納しておくことで、正しいテストが行なえ
る。
Further, in this embodiment, the parallel input LFSR1
Is 1010 (A in hexadecimal notation), but is not necessarily limited to this value and can take any value. In this case, a correct test can be performed by storing the expected signature corresponding to the initial value.

【0080】加えて、本実施例では、並列入力LFSR
1をメモリに接続してそのテストを行ったが、内部機能
ブロックの出力を並列入力LFSR1に接続し、期待圧
縮値を求めたのと同じ入力系列を与え、その入力系列に
対する出力系列を圧縮して、その求まった圧縮値と期待
圧縮値とを比較することにより、同様に内部機能ブロッ
クのテストも行える。
In addition, in this embodiment, the parallel input LFSR
1 was connected to the memory, and the test was performed. The output of the internal function block was connected to the parallel input LFSR1, and the same input sequence as that for which the expected compression value was obtained was given. Then, by comparing the obtained compression value with the expected compression value, a test of the internal function block can be similarly performed.

【0081】(第2の実施例)次に、第2の実施例、詳
しくは、共通のデータバスに接続された複数の半導体集
積回路のテスト回路について図4を用いて説明する。
(Second Embodiment) Next, a second embodiment, specifically, a test circuit of a plurality of semiconductor integrated circuits connected to a common data bus will be described with reference to FIG.

【0082】図4は、本発明の第2の実施例における半
導体集積回路のテスト回路の全体構成図である。図1と
異なる点は、データバス14を備えること、及び並列入
力LFSR1aの入力として、図1に示す入力セレクタ
SEL1〜SEL4を介さずに直接2入力排他的論理和ゲートXO
R1〜XOR4の第2の入力にデータバス14が接続されてい
ること、並びにこのデータバス14に被テスト半導体集
積回路である第1のメモリ9a及び第2のメモリ9b
と、期待シグネチャ格納レジスタ2とが接続され、この
各メモリ9a、メモリ9b及び期待シグネチャ格納レジ
スタ2内には、各々、その記憶内容を前記データバス1
4に出力する出力バッファ9d,9e,2cが配置され
ると共に、制御回路10が、テスト制御信号12の出力
と、前記各出力バッファ9d,9e,2cからデータバ
ス14へのデータ出力を外部入力されるメモリ指定信号
に基いてその何れか1個の出力バッファに指定する制御
を行っていることである。尚、期待シグネチャ格納レジ
スタ2内の期待シグネチャは、予め格納されていたり、
別途データバス14を経て外部から入力される。
FIG. 4 is an overall configuration diagram of a test circuit of a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention. 1 is different from FIG. 1 in that a data bus 14 is provided, and the input selector shown in FIG.
Two-input exclusive-OR gate XO directly without going through SEL1 to SEL4
A data bus 14 is connected to second inputs of R1 to XOR4, and a first memory 9a and a second memory 9b, which are semiconductor integrated circuits to be tested, are connected to the data bus 14.
And the expected signature storage register 2 are connected to each other, and the contents stored in the memories 9a, 9b and the expected signature storage register 2 are stored in the data bus 1 respectively.
Output buffers 9d, 9e, and 2c for outputting the test control signal 12 and data output from the output buffers 9d, 9e, and 2c to the data bus 14 are provided to an external input. That is, the control for designating any one of the output buffers is performed based on the specified memory designation signal. Note that the expected signature in the expected signature storage register 2 is stored in advance,
It is separately input from the outside via the data bus 14.

【0083】つまり、本実施例では、入力選択手段を、
図1の入力セレクタSEL1〜SEL4に代えて、各メモリ9
a、9b及び期待シグネチャ格納レジスタ2に内蔵の各
出力バッファ9d,9e,2cを制御する制御回路10
により構成している。尚、図4の回路の構成要素は、全
て、同一基板上に配置される。
That is, in this embodiment, the input selecting means
Instead of the input selectors SEL1 to SEL4 of FIG.
a, 9b and a control circuit 10 for controlling the output buffers 9d, 9e, 2c built in the expected signature storage register 2.
It consists of. All the components of the circuit shown in FIG. 4 are arranged on the same substrate.

【0084】次に、本実施例におけるデータの圧縮及び
期待シグネチャとの比較及び正誤の判定について説明す
る。
Next, a description will be given of data compression and comparison with expected signatures and determination of correctness in this embodiment.

【0085】簡単のために、メモリ9a、9bは2ウエ
イセットアソシエイティブキャッシュメモリのデータア
レイのように、同一のデータバスに接続され、同一構造
でかつ同一のメモリ容量であるものとする。また、メモ
リ9a、9bに書き込まれているデータは同一であり、
このデータを一定の読み出し順序で読み出した際の期待
シグネチャが期待シグネチャ格納レジスタ2に格納され
ている。
For simplicity, it is assumed that the memories 9a and 9b are connected to the same data bus, have the same structure, and have the same memory capacity as a data array of a two-way set associative cache memory. The data written in the memories 9a and 9b are the same,
An expected signature when this data is read in a certain reading order is stored in the expected signature storage register 2.

【0086】先ず、並列入力LFSR1aの初期化(初
期値の設定)を行ない、続いて、第1のメモリ9aの読
み出し、及び読み出しデータの圧縮を行なう。第1のメ
モリ9aの圧縮サイクルでは、制御回路10から第1の
メモリ9aに対し、データバス14への出力イネーブル
信号が出力され、第1のメモリ9aの読み出しデータは
データバス14に出力される。並列入力LFSR1a
は、データバス14上のデータを入力し、その圧縮を行
なう。第1のメモリ9aの読み出しの順序は、期待シグ
ネチャを求めた際と同じであり、全てのワードの読み出
しを終了するまで圧縮サイクルを継続する。
First, the parallel input LFSR 1a is initialized (initial value setting), and then reading of the first memory 9a and compression of read data are performed. In the compression cycle of the first memory 9a, an output enable signal to the data bus 14 is output from the control circuit 10 to the first memory 9a, and read data of the first memory 9a is output to the data bus 14. . Parallel input LFSR1a
Inputs data on the data bus 14 and compresses the data. The order of reading from the first memory 9a is the same as when the expected signature is obtained, and the compression cycle is continued until reading of all the words is completed.

【0087】第1のメモリ9aの圧縮サイクルが終了す
ると、並列入力LFSR1aに求めるシグネチャが得ら
れる。
When the compression cycle of the first memory 9a is completed, a signature required for the parallel input LFSR1a is obtained.

【0088】次に、第1のメモリ9aの比較判定サイク
ルに移る。テスト制御信号12は前のサイクル(最後の
圧縮サイクル)の後半で、反転クロックに同期して1と
なっており、フィードバック情報セレクタSEL0は最終段
のレジスタS4の出力を選択する。また、制御回路10
から期待シグネチャ格納レジスタ2に対し、データバス
14への出力イネーブル信号が出力され、期待シグネチ
ャがデータバス14に出力される。
Next, the operation proceeds to the comparison / determination cycle of the first memory 9a. The test control signal 12 becomes 1 in the second half of the previous cycle (last compression cycle) in synchronization with the inverted clock, and the feedback information selector SEL0 selects the output of the register S4 at the last stage. The control circuit 10
Outputs an output enable signal to the data bus 14 to the expected signature storage register 2, and outputs the expected signature to the data bus 14.

【0089】前記データバス14上のデータは、並列入
力LFSR1aの各2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XO
R4の第2の入力に与えられる。この各2入力排他的論理
和ゲートXOR1〜XOR4においては、レジスタS1〜S4の
各段に格納された値と、期待シグネチヤ格納メモリ2の
期待シグネチャ21との排他的論理和演算(比較)が行
なわれ、比較結果が各2入力排他的論理和ゲートXOR1〜
XOR4の出力11に出力されて、診断レジスタ7と正誤判
定回路8とに入力される。
The data on the data bus 14 is input to each of the two-input exclusive OR gates XOR1 to XO of the parallel input LFSR1a.
It is provided to a second input of R4. In each of the two-input exclusive OR gates XOR1 to XOR4, an exclusive OR operation (comparison) between the value stored in each stage of the registers S1 to S4 and the expected signature 21 of the expected signature storage memory 2 is performed. And the comparison result is output from each of the two-input exclusive OR gates XOR1 to XOR1 to
The signal is output to the output 11 of the XOR 4 and is input to the diagnostic register 7 and the correct / incorrect judgment circuit 8.

【0090】診断レジスタ7は、比較判定サイクルでの
2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4の出力11を第1
のメモリ9aの判定結果に割り当てられたフィールドに
格納し、出力71に出力する。
The diagnostic register 7 outputs the output 11 of the two-input exclusive OR gate XOR1 to XOR4 in the comparison / determination cycle to the first
Is stored in the field assigned to the determination result in the memory 9a, and is output to the output 71.

【0091】また、正誤判定回路8は、判定サイクルに
おいて全ての2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4の出
力11が0であれば、第1のメモリ9aは正常であると
して、1を出力し、1つでも1の値を持つ出力があれ
ば、第1のメモリ9aは正常でないとして0を出力す
る。
If the outputs 11 of all the two-input exclusive-OR gates XOR1 to XOR4 are 0 in the judgment cycle, the correct / incorrect judgment circuit 8 determines that the first memory 9a is normal and outputs 1. If there is at least one output having a value of 1, the first memory 9a outputs 0 as not normal.

【0092】次に、第2のメモリ9bの読み出し、及び
読み出しデータの圧縮を行なう。但し、第1のメモリ9
aの場合と同様に、先ず並列入力LFSR1aの初期化
を行う必要がある。続いて、第2のメモリ9bの読み出
し、及び読み出しデータの圧縮を行なう。第1のメモリ
9aの圧縮サイクルと異なるのは、制御回路10から第
2のメモリ9bに対し、データバス14への出力イネー
ブル信号が出力され、第2のメモリ9bの読み出しデー
タがデータバス14に出力されることのみであり、アド
レス62で指示される読み出し順序は、第1のメモリ9
aと同じである。また、メモリ9a、9bが正常であれ
ば、読み出されるデータも同一である。
Next, reading of the second memory 9b and compression of the read data are performed. However, the first memory 9
As in the case of a, it is necessary to first initialize the parallel input LFSR1a. Subsequently, reading of the second memory 9b and compression of the read data are performed. The difference from the compression cycle of the first memory 9a is that an output enable signal to the data bus 14 is output from the control circuit 10 to the second memory 9b, and the read data of the second memory 9b is sent to the data bus 14. Are output only, and the reading order specified by the address 62 is the same as that of the first memory 9.
Same as a. If the memories 9a and 9b are normal, the data to be read is the same.

【0093】並列入力LFSR1aは、データバス14
上のデータを入力し、その圧縮を行なう。全てのワード
の読み出しを終了するまで圧縮サイクルを継続する。
The parallel input LFSR1a is connected to the data bus 14
Input the above data and compress it. The compression cycle is continued until all the words have been read.

【0094】第2のメモリ9bに対する圧縮サイクルが
終了すると、並列入力LFSR1aに求めるシグネチャ
が得られる。ここでは、第1のメモリ9aと第2のメモ
リ9bに書き込まれたデータが同一で且つ読み出し順序
が同一であることから、正しいデータが読み出されてい
れば、メモリ9a及びメモリ9bで同じシグネチャが得
られることになる。
When the compression cycle for the second memory 9b is completed, a signature required for the parallel input LFSR1a is obtained. Here, since the data written in the first memory 9a and the data written in the second memory 9b are the same and the reading order is the same, if the correct data is read, the same signature is used in the memory 9a and the memory 9b. Is obtained.

【0095】次に、第2のメモリ9bの比較判定サイク
ルに移る。第1のメモリ9aの場合と同様に、テスト制
御信号12は前のサイクル(最後の圧縮サイクル)の後
半で反転クロックに同期して1となっており、期待シグ
ネチャ格納レジスタ2の出力する期待シグネチャ21が
データバス14に与えられて並列入力LFSR1aに入
力されるので、この期待シグネチャ21と圧縮シグネチ
ャとの比較が行なわれる。
Next, the operation proceeds to the comparison / determination cycle of the second memory 9b. As in the case of the first memory 9a, the test control signal 12 becomes 1 in synchronization with the inverted clock in the latter half of the previous cycle (last compression cycle), and the expected signature output from the expected signature storage register 2 21 is input to the data bus 14 and input to the parallel input LFSR1a, so that the expected signature 21 is compared with the compression signature.

【0096】診断レジスタ7は、比較判定サイクルでの
2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4の出力11を第2
のメモリ9bの正誤判定結果に割り当てられたフィール
ドに格納し、その内容を出力71に出力する。
The diagnostic register 7 outputs the output 11 of the two-input exclusive OR gate XOR1 to XOR4 in the comparison / determination cycle to the second
In the field assigned to the correctness judgment result of the memory 9b, and outputs the content to the output 71.

【0097】また、正誤判定回路8は、第1のメモリ9
aの場合と同様に、判定サイクルにおいて全ての2入力
排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4の出力11が0であれ
ば、第2のメモリ9bは正常であるとして1を出力し、
1つでも0の値を持つ出力があれば、第2のメモリ9b
は正常でないとして0を出力する。
The correct / incorrect judgment circuit 8 includes a first memory 9
As in the case of a, if the outputs 11 of all the two-input exclusive OR gates XOR1 to XOR4 are 0 in the determination cycle, the second memory 9b outputs 1 as normal and
If at least one output has a value of 0, the second memory 9b
Outputs 0 as not normal.

【0098】このように、それぞれのメモリ9a,9b
に対するデータ圧縮と、比較判定との両サイクルを実行
することにより、共通のデータバス14に接続された第
1のメモリ9aと第2のメモリ9bとのテストが行なえ
る。
As described above, each of the memories 9a and 9b
By executing both the cycles of data compression and comparison determination for the first memory 9a and the second memory 9b connected to the common data bus 14, a test can be performed.

【0099】尚、メモリ9a、9bは同一構造で且つ同
一のメモリ容量であるとしたが、異なる容量であっても
よく、また、異なるデータが書き込まれていてもよい。
更に、データバス14に2つ以上のメモリが接続されて
いてもよい。これらの場合には、それぞれのメモリ毎に
圧縮して求めたシグネチャが異なるので、それぞれのメ
モリに対応した期待シグネチャを持つか、又は全てのメ
モリを読み出してシグネチャを求め、これと期待シグネ
チャとを比較することにより、データバスに接続される
様々な構成のメモリのテストが行なえる。尚、期待シグ
ネチャ格納レジスタ2が複数の期待シグネチャを格納し
ている場合には、この格納レジスタ2に制御回路10の
出力するアドレス(図示せず)の入力が必要となる。
Although the memories 9a and 9b have the same structure and the same memory capacity, they may have different capacities or different data may be written.
Further, two or more memories may be connected to the data bus 14. In these cases, the signatures obtained by compression for each memory are different.Therefore, the expected signatures corresponding to the respective memories are obtained, or the signatures are obtained by reading all the memories, and this and the expected signatures are obtained. By comparing, memories of various configurations connected to the data bus can be tested. When the expected signature storage register 2 stores a plurality of expected signatures, it is necessary to input an address (not shown) output from the control circuit 10 to the storage register 2.

【0100】(第3の実施例)図5は本発明の第3の実
施例である半導体集積回路のテスト回路を示す。本実施
例では、データバスを2本設け、各データバスに、1個
又は複数個の半導体集積回路、具体的には演算器(内部
機能ブロック)又はメモリを接続する構成としたもので
ある。以下、図5のテスト回路の構成を説明する。尚、
図4のテスト回路と同一構成の部分は同一の符号を付し
てその説明を省略し、異なる部分についてのみ説明す
る。
(Third Embodiment) FIG. 5 shows a test circuit for a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention. In this embodiment, two data buses are provided, and one or a plurality of semiconductor integrated circuits, specifically, an arithmetic unit (internal functional block) or a memory are connected to each data bus. Hereinafter, the configuration of the test circuit of FIG. 5 will be described. still,
Portions having the same configuration as the test circuit of FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Only different portions will be described.

【0101】図5において、14a及び14bは各々デ
ータバスである。並列入力LFSR1cの各2入力排他
的論理和ゲートXOR1〜XOR4の第1入力は一方のデータバ
ス14aに接続され、第2入力は他方のデータバス14
bに接続される。また、並列入力LFSR1cの最終段
のレジスタS4を除く3個のレジスタS1〜S3の各出
力側及びフィードバック情報セレクタSEL0の出力側は、
各々、出力バッファ1d,1e,1f,1g,1h,1
i,1j,1kを介して、前記2個のデータバス14
a、14bに接続される。前記一方のデータバス14a
には、被テストメモリである第1のメモリ9aと、被テ
スト半導体集積回路である例えば乗算器や加算器等の演
算器(内部機能ブロック)17と、期待シグネチャ格納
レジスタ2aとが接続される。同様に、他方のデータバ
ス14bには、被テスト半導体集積回路である第2のメ
モリ9bと期待シグネチャ格納レジスタ2bとが接続さ
れる。各期待シグネチャ格納レジスタ2a、2bは出力
バッファ2e、2dを有する。制御回路10は、各出力
バッファ1d〜1k、2d,2e,9d,9eを制御し
てデータバス14a,14bに各々1つのデータのみの
出力を許容すると共に、テスト制御信号12を出力す
る。また、制御回路10は、一方のデータバス14bに
接続された期待シグネチャ格納レジスタ2aを制御し
て、この格納レジスタ2aに格納すべき2つの期待シグ
ネチャ、即ちメモリ9aに対する期待シグネチャと演算
器17に対する期待シグネチャとを各々所定の格納場所
に格納すると共に、他方のデータバス14bに接続され
た期待シグネチャ格納レジスタ2bを制御して、この格
納レジスタ2bに格納すべきメモリ9aに対する期待シ
グネチャを所定の格納場所に格納する。図5のテスト回
路を構成する全ての要素は同一基板上に配置される。
In FIG. 5, 14a and 14b are data buses, respectively. The first input of each of the two-input exclusive OR gates XOR1 to XOR4 of the parallel input LFSR1c is connected to one data bus 14a, and the second input is connected to the other data bus 14
b. In addition, each output side of the three registers S1 to S3 except the register S4 of the last stage of the parallel input LFSR1c and the output side of the feedback information selector SEL0 are:
Output buffers 1d, 1e, 1f, 1g, 1h, 1
i, 1j, 1k, the two data buses 14
a, 14b. The one data bus 14a
Are connected to a first memory 9a, which is a memory under test, an arithmetic unit (internal functional block) 17 such as a multiplier or an adder, which is a semiconductor integrated circuit to be tested, and an expected signature storage register 2a. . Similarly, a second memory 9b, which is a semiconductor integrated circuit under test, and an expected signature storage register 2b are connected to the other data bus 14b. Each expected signature storage register 2a, 2b has an output buffer 2e, 2d. The control circuit 10 controls each of the output buffers 1d to 1k, 2d, 2e, 9d, and 9e to allow only one data to be output to the data buses 14a and 14b, and outputs the test control signal 12. Further, the control circuit 10 controls the expected signature storage register 2a connected to the one data bus 14b, and stores two expected signatures to be stored in the storage register 2a, namely, the expected signature for the memory 9a and the expected signature for the arithmetic unit 17. The expected signature is stored in a predetermined storage location, and the expected signature storage register 2b connected to the other data bus 14b is controlled to store the expected signature for the memory 9a to be stored in the storage register 2b in a predetermined storage location. Store in place. All the components that make up the test circuit of FIG. 5 are arranged on the same substrate.

【0102】前記の構成により、図5のテスト回路で
は、例えば第1のメモリ9aのテストを行う場合には、
第1のメモリ9aから読み出した4ビットのデータの各
ビットを各々一方のデータバス14aを介して並列入力
LFSR1cの各2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4
の第1入力に入力すると共に、最終段のレジスタS4を
除く3個のレジスタS1〜S3の各出力及びフィードバ
ック情報セレクタSEL0の出力,即ち並列入力LFSR1
cの内部情報を他方のデータバス14bを介して次段の
2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4の第2入力に入力
することにより、データを圧縮することが可能である。
With the above configuration, in the test circuit of FIG. 5, for example, when the test of the first memory 9a is performed,
Each bit of the 4-bit data read from the first memory 9a is converted into a two-input exclusive OR gate XOR1 to XOR4 of the parallel input LFSR1c via one data bus 14a.
Of the three registers S1 to S3 except the last register S4 and the output of the feedback information selector SEL0, that is, the parallel input LFSR1
By inputting the internal information of c to the second input of the next two-input exclusive OR gates XOR1 to XOR4 via the other data bus 14b, the data can be compressed.

【0103】図6は本実施例における並列入力LFSR
1cによる圧縮シグネチャと期待シグネチャとの比較、
及び正誤の判定を説明するためのタイミング図を示す。
以下、図5のテスト回路によるメモリのテストを図5及
び図6を用いて説明する。尚、説明を簡単にするため、
第1及び第2のメモリ9a、9bは相互に同一構成であ
り且つ同一のメモリ容量を有し、また、書き込まれてい
るデータは相互に同一であると仮定する。また、テスト
開始サイクル、圧縮サイクル及び比較判定サイクルにお
いて制御回路10からメモリ9a、9b、期待シグネチ
ャ格納レジスタ2a、2b及び並列入力LFSR1cに
出力される各制御信号は下記表の通りである。
FIG. 6 shows a parallel input LFSR in this embodiment.
Comparison of the compressed signature with 1c and the expected signature,
And a timing chart for explaining the determination of correctness.
Hereinafter, a test of the memory by the test circuit of FIG. 5 will be described with reference to FIGS. For simplicity of explanation,
It is assumed that the first and second memories 9a and 9b have the same configuration and the same memory capacity, and that the written data is the same. The control signals output from the control circuit 10 to the memories 9a and 9b, the expected signature storage registers 2a and 2b, and the parallel input LFSR1c in the test start cycle, the compression cycle, and the comparison determination cycle are as shown in the following table.

【0104】[0104]

【表2】 先ず、並列入力LFSR1cの初期化、即ち初期値の設
定が行われる。続いて、第1のメモリ9aから読み出し
たデータの圧縮サイクルでは、一方のデータバス14a
への出力イネーブル信号が制御回路10から第1のメモ
リ9aの出力バッファ9eに出力されるので、第1のメ
モリ9aから読み出したデータがデータバス14aに出
力される。また、他方のデータバス14bへの出力イネ
ーブル信号が制御回路10から並列入力LFSR1cの
4個の出力バッファ1d〜1gに出力されるので、並列
入力LFSR1cの内部情報,即ちレジスタS1〜S3
及びフィードバック情報セレクタSEL0の各出力が他方の
データバス14bに出力される。テスト開始サイクル及
び圧縮サイクルにおいてテスト制御信号12は0である
ので、前記並列入力LFSR1cでは、フィードバック
情報セレクタSEL0は2入力排他的論理和ゲートXOR0の出
力をフィードバック情報として選択しているので、デー
タバス14bの1ビット目には2入力排他的論理和ゲー
トXOR0の出力が入力され、2ビット目、3ビット目及び
4ビット目には各々レジスタS1、S2、S3の各出力
が入力される。
[Table 2] First, the parallel input LFSR1c is initialized, that is, an initial value is set. Subsequently, in the compression cycle of the data read from the first memory 9a, one data bus 14a
Is output from the control circuit 10 to the output buffer 9e of the first memory 9a, so that the data read from the first memory 9a is output to the data bus 14a. Further, since the output enable signal to the other data bus 14b is output from the control circuit 10 to the four output buffers 1d to 1g of the parallel input LFSR1c, the internal information of the parallel input LFSR1c, that is, the registers S1 to S3
Each output of the feedback information selector SEL0 is output to the other data bus 14b. Since the test control signal 12 is 0 in the test start cycle and the compression cycle, in the parallel input LFSR1c, the feedback information selector SEL0 selects the output of the two-input exclusive OR gate XOR0 as feedback information. The output of the two-input exclusive OR gate XOR0 is input to the first bit of 14b, and the outputs of the registers S1, S2, and S3 are input to the second, third, and fourth bits, respectively.

【0105】並列入力LFSR1cの各2入力排他的論
理和ゲートXOR1〜XOR4では、各々、第1入力にデータバ
ス14aのデータ,即ち第1のメモリ9aから読み出し
たデータIb1〜Ib4を入力し、第2入力にデータバ
ス14bのデータ,即ち並列入力LFSR1cの内部情
報を入力し、各排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4において
これ等の排他的論理和演算を行う。各演算結果はクロッ
ク13に同期してレジスタS1〜S4に格納される。以
上により、並列入力LFSR1cによる第1のメモリ9
aからの読み出しデータの圧縮が行われる。
In each of the two-input exclusive-OR gates XOR1 to XOR4 of the parallel input LFSR1c, the data of the data bus 14a, that is, the data Ib1 to Ib4 read from the first memory 9a are input to the first input, respectively. The data of the data bus 14b, that is, the internal information of the parallel input LFSR1c is input to two inputs, and these exclusive OR gates XOR1 to XOR4 perform these exclusive OR operations. Each operation result is stored in the registers S1 to S4 in synchronization with the clock 13. As described above, the first memory 9 using the parallel input LFSR1c
The data read from a is compressed.

【0106】第1のメモリ9aからのデータの読み出し
順序は、期待シグネチャを求めた際のデータ読み出し順
序と同一である。第1のメモリ9aから全てのデータを
読み出すまで圧縮サイクルが継続され、最後のデータの
読み出し及び圧縮が終了すると、求める圧縮シグネチャ
が並列入力LFSR1cに得られる。
The order of reading data from the first memory 9a is the same as the order of reading data when obtaining the expected signature. The compression cycle is continued until all data is read from the first memory 9a, and when the reading and compression of the last data are completed, the compression signature to be obtained is obtained in the parallel input LFSR1c.

【0107】次に、第1のメモリ9aの圧縮シグネチャ
と期待シグネチャとの比較判定サイクルでは、テスト制
御信号12が最後の圧縮サイクルの後半において反転ク
ロックに同期して1になっているので、フィードバック
情報セレクタSEL0は最終段のレジスタS4の出力を選択
しており、従って並列入力LFSR1cは各段のレジス
タS1〜S4の出力、即ち得られた圧縮シグネチャを他
方のデータバス14bに出力する。一方のデータバス1
4aへの出力イネーブル信号が制御回路10から期待シ
グネチャ格納レジスタ2aに出力されるので、一方のデ
ータバス14aには、期待シグネチャ格納レジスタ2a
に格納された期待シグネチャが出力される。
Next, in the cycle for comparing the compression signature of the first memory 9a with the expected signature, the test control signal 12 becomes 1 in the second half of the last compression cycle in synchronization with the inverted clock. The information selector SEL0 selects the output of the register S4 at the last stage, so that the parallel input LFSR1c outputs the outputs of the registers S1 to S4 at each stage, that is, the obtained compression signature to the other data bus 14b. One data bus 1
An output enable signal to the expected signature storage register 2a is output from the control circuit 10 to the expected signature storage register 2a.
The expected signature stored in is output.

【0108】並列入力LFSR1cの各2入力排他的論
理和ゲートXOR1〜XOR4では、各々、第1入力にデータバ
ス14aのデータ,即ち期待シグネチャを入力し、第2
入力にデータバス14bのデータ,即ち圧縮シグネチャ
を入力し、各排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4においてこ
れ等の排他的論理和演算を行う。各演算結果は各排他的
論理和ゲートXOR1〜XOR4の出力11に出力された後、診
断レジスタ7及び正誤判定回路8に入力される。
In each of the two-input exclusive OR gates XOR1 to XOR4 of the parallel input LFSR1c, the data of the data bus 14a, that is, the expected signature is input to the first input, and
The data of the data bus 14b, that is, the compression signature is input to the input, and these exclusive OR gates XOR1 to XOR4 perform these exclusive OR operations. After each operation result is output to the output 11 of each of the exclusive OR gates XOR1 to XOR4, it is input to the diagnosis register 7 and the right / wrong judgment circuit 8.

【0109】前記診断レジスタ7は、前記比較判定サイ
クルでの2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4の各出力
11を、第1のメモリ9aの判定結果の記憶場所として
割り当てられたフィールドに格納すると共に、その判定
結果を外部出力する。また、正誤判定回路8は、前記比
較判定サイクルでの2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XO
R4の各出力11が0である場合には、第1のメモリ9a
は正常であることを意味する値の「1」を出力し、各出
力11の何れか1つに1の値があれば第1のメモリ9a
は正常でないことを意味する値の「0」を出力する。
The diagnostic register 7 stores the respective outputs 11 of the two-input exclusive-OR gates XOR1 to XOR4 in the comparison / determination cycle in a field of the first memory 9a allocated as a storage location of the determination result. At the same time, the judgment result is output to the outside. In addition, the correct / incorrect judgment circuit 8 includes two-input exclusive OR gates XOR1 to XO in the comparison judgment cycle.
If each output 11 of R4 is 0, the first memory 9a
Outputs a value “1” meaning normal, and if any one of the outputs 11 has a value of 1, the first memory 9 a
Outputs a value of "0" meaning that it is not normal.

【0110】その後は、第2のメモリ9bからのデータ
1a1〜Ia4の読み出し、その読み出しデータの圧
縮、及び圧縮シグネチャと期待シグネチャとの比較判定
を行う。これ等の動作は、前記第1のメモリ9aに対す
るテストと同様であるので、その説明を省略する。
Thereafter, the data 1a1 to Ia4 are read from the second memory 9b, the read data is compressed, and the compression signature is compared with the expected signature. Since these operations are the same as those of the test for the first memory 9a, the description is omitted.

【0111】尚、本実施例の以上の説明では、2個のメ
モリ9a、9bは同一構成であり且つ同一のメモリ容量
であると仮定したが、異なる容量であってもよく、また
異なるデータが書き込まれていてもよい。データバス1
4a、14bに各々複数のメモリが接続されていてもよ
い。各メモリ相互で異なるデータが書き込まれる場合に
は、各メモリに対応する期待シグネチャ格納レジスタ2
a、2bには異なる期待シグネチャが格納される。期待
シグネチャ格納レジスタ2a、2bに各々複数個の期待
シグネチャを持つ場合には、制御回路10から期待シグ
ネチャを指定するアドレス信号を発生し、この信号を期
待シグネチャ格納レジスタ2a、2bに入力する必要が
ある。期待シグネチャ格納レジスタを1個だけ設ける場
合には、備える複数のメモリから順次データを読み出し
て、その一連の出力系列の圧縮シグネチャを求め、この
求めた圧縮シグネチャを期待シグネチャと比較する。
In the above description of the present embodiment, it is assumed that the two memories 9a and 9b have the same configuration and the same memory capacity. However, they may have different capacities, and different data may be stored. It may be written. Data bus 1
A plurality of memories may be connected to 4a and 14b, respectively. When different data is written in each memory, the expected signature storage register 2 corresponding to each memory is written.
a and 2b store different expected signatures. When each of the expected signature storage registers 2a and 2b has a plurality of expected signatures, it is necessary to generate an address signal designating the expected signature from the control circuit 10 and input this signal to the expected signature storage registers 2a and 2b. is there. When only one expected signature storage register is provided, data is sequentially read from a plurality of memories provided, a compression signature of a series of output sequences is obtained, and the obtained compression signature is compared with the expected signature.

【0112】次に、本実施例の特徴を説明する。本実施
例では、例えば第1のメモリ9aをテストする際に、図
6に示すようにテスト開始サイクルから「1101」、
「1001」、「1001」、「1111」、「001
0」…という並列入力LFSR1cの内部情報(即ち各
サイクル毎に異なるデータ)が順次他方のデータバス1
4bに出力されるので、この各データが、前記他方のデ
ータバス14bに接続された第2のメモリ9bに順次書
き込まれる(尚、第2のメモリ9bのテスト時には、並
列入力LFSR1cの内部情報が、一方のデータバス1
4aを介して第1のメモリ9aに順次書き込まれると共
に演算器17に演算オペランドとして入力される。従っ
て、第2のメモリ9bをテストするに先立って予め第2
のメモリ9bにデータを書き込むためのデータ発生手段
をデータバス14aに接続する必要が無い。本実施例で
は、第1のメモリ9aと第2のメモリ9bとは同一構成
で且つ同一容量であるとしているので、第1のメモリ9
aから読み出したデータの圧縮と同時に併行して第2の
メモリ9bへのデータの書き込みを行うことができる。
Next, the features of this embodiment will be described. In the present embodiment, for example, when testing the first memory 9a, as shown in FIG.
“1001,” “1001,” “1111,” “001”
0 ”... Of the parallel input LFSR 1 c (that is, data that differs in each cycle) is sequentially transmitted to the other data bus 1.
4b, the respective data are sequentially written to the second memory 9b connected to the other data bus 14b (at the time of testing the second memory 9b, the internal information of the parallel input LFSR1c is , One data bus 1
The data is sequentially written to the first memory 9a via the memory 4a and input to the arithmetic unit 17 as an arithmetic operand. Therefore, prior to testing the second memory 9b,
There is no need to connect a data generating means for writing data to the memory 9b of the data bus 14a. In this embodiment, the first memory 9a and the second memory 9b have the same configuration and the same capacity.
It is possible to write the data to the second memory 9b concurrently with the compression of the data read from a.

【0113】更に、並列入力LFSR1cを用いた第1
及び第2のメモリ9a、9bのテストに加えて、この両
メモリ9a、9bが同一容量であり且つ相互に対応する
アドレスに同一データが書き込まれている場合には、第
1のメモリ9aに記憶したデータと第2のメモリ9bに
記憶したデータとが各々データバス14a、14bを介
して並列入力LFSR1cの2入力排他的論理和ゲート
XOR1〜XOR4に入力され、この2入力排他的論理和ゲート
XOR1〜XOR4において前記入力した両データが比較され
る。この比較により、両データが一致する場合には、2
入力排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4の各出力11は全て
0であるので、正誤判定回路8は両メモリ9a、9bが
共に正常であることを示す値の「1」を出力する。一
方、両データが不一致の場合には、2入力排他的論理和
ゲートXOR1〜XOR4の各出力11のうち何れか1つが1で
あるので、正誤判定回路8は両メモリ9a、9bの何れ
か又は双方が異常であることを示す値の「0」を出力す
る。従って、正誤判定回路8の出力の値により、両メモ
リ9a、9bの正常、不正常が判定される。よって、両
メモリ9a、9bのデータを1つづつ同時に読み出し
て、この読み出した両データを並列入力LFSR1cの
2入力排他的論理和ゲートXOR1〜XOR4で比較することに
より、2個のメモリ9a、9bの正誤テストを行うこと
が可能である。
Further, the first signal using the parallel input LFSR1c
In addition to the test of the second memories 9a and 9b, if the two memories 9a and 9b have the same capacity and the same data is written in the addresses corresponding to each other, the data is stored in the first memory 9a. The input data and the data stored in the second memory 9b are respectively input to the two-input exclusive OR gate of the parallel input LFSR1c via the data buses 14a and 14b.
XOR1 to XOR4 are input to this 2-input exclusive OR gate
At XOR1 to XOR4, the input data are compared. As a result of this comparison, if both data match, 2
Since the outputs 11 of the input exclusive OR gates XOR1 to XOR4 are all 0, the correctness judgment circuit 8 outputs a value "1" indicating that both memories 9a and 9b are normal. On the other hand, if the two data do not match, any one of the outputs 11 of the two-input exclusive-OR gates XOR1 to XOR4 is 1, so that the correctness judgment circuit 8 determines whether one of the two memories 9a and 9b or A value “0” indicating that both are abnormal is output. Therefore, whether the memories 9a and 9b are normal or abnormal is determined based on the value of the output of the correctness determination circuit 8. Therefore, by reading the data of both memories 9a and 9b one by one at the same time and comparing these read data by the two-input exclusive OR gates XOR1 to XOR4 of the parallel input LFSR1c, the two memories 9a and 9b are read. Can be tested.

【0114】(第4の実施例)続いて、本発明の第4の
実施例を説明する。本実施例は、概述すると、並列入力
LFSRに若干のハードを付加して、比較判定結果をチ
ップ外部に出力する構成である。図7は本第4実施例に
おける半導体集積回路のテスト回路の全体図である。
(Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. The present embodiment has a configuration in which a little hardware is added to the parallel input LFSR and the comparison / determination result is output outside the chip. FIG. 7 is an overall view of a test circuit of a semiconductor integrated circuit according to the fourth embodiment.

【0115】前記第2実施例の図4と異なる点は、並列
入力LFSR1bをチップ内のスキャンパスに接続する
ように、フィードバック情報セレクタ(フィードバック
情報生成手段)SEL0を3入力セレクタとし、最終段のレ
ジスタS4の出力と2入力排他的論理和ゲート(フィー
ドバック情報生成手段)XOR0の出力とに加えて、スキャ
ンイン信号15を入力とし、最終段のレジスタS4の出
力をスキャンアウト信号16としてスキャンパスに接続
したことと、並列入力LFSR1bの各レジスタS1〜
S4に並列データとして0を与えるゼロ出力手段として
のゼロ出力回路9cを設け、このゼロ出力回路9cに出
力バッファ9fを配置して、ゼロ出力回路9cからデー
タバス14へのデータ出力を制御回路10により制御す
る構成とした点である。
The difference between the second embodiment and FIG. 4 is that the feedback information selector (feedback information generation means) SEL0 is a three-input selector so that the parallel input LFSR 1b is connected to the scan path in the chip. In addition to the output of the register S4 and the output of the two-input exclusive OR gate (feedback information generating means) XOR0, the scan-in signal 15 is input, and the output of the register S4 at the last stage is output to the scan path as the scan-out signal 16. The connection and the respective registers S1 to S1 of the parallel input LFSR1b
S4 is provided with a zero output circuit 9c as zero output means for giving 0 as parallel data, and an output buffer 9f is arranged in the zero output circuit 9c to control the data output from the zero output circuit 9c to the data bus 14 by the control circuit 10. This is a configuration in which control is performed by

【0116】したがって、本実施例においては、スキャ
ン操作時には、ゼロ出力回路9cがデータバス14に0
を出力し、この0の値が、2入力排他的論理和ゲートXO
R1〜XOR4の第2の入力に与えられて、前段のレジスタS
1〜S4の値そのものがクロックに合わせて1ビットず
つ右にシフトするので、並列入力LFSR1bの比較結
果がスキャンアウト信号として出力される。従って、比
較結果をチップ外部で観察することができる。
Therefore, in the present embodiment, the zero output circuit 9c is connected to the data bus 14 during the scan operation.
Is output and the value of 0 is input to the two-input exclusive OR gate XO.
Given to the second inputs of R1 to XOR4,
Since the values of 1 to S4 themselves shift right by one bit in accordance with the clock, the comparison result of the parallel input LFSR1b is output as a scan-out signal. Therefore, the comparison result can be observed outside the chip.

【0117】また、比較結果のスキャンアウトに限ら
ず、スキャン操作時には、スキャンイン信号として与え
られた信号が3入力セレクタSEL0で選択されて、クロッ
クに合わせて並列入力LFSR1bに順次格納されるの
で、データ圧縮時の初期値(seed)がスキャンイン信号と
されて、このスキャンイン信号が半導体集積回路のテス
ト当初でスキャンインされる。ここで、テストされる複
数のメモリの容量が互いに異なる、又は同一容量であっ
ても書き込まれたデータが互いに異なる場合には、得ら
れた圧縮シグネチャが同一となるような初期値が予め求
められ、この初期値が各々のメモリのテスト毎にスキャ
ンインされる。従って、1つの期待シグネチャを持つの
みで、全てのメモリの自己診断が可能である。
In addition, not only in the scan-out of the comparison result but also in the scan operation, the signal provided as the scan-in signal is selected by the three-input selector SEL0 and is sequentially stored in the parallel input LFSR1b in accordance with the clock. The initial value (seed) at the time of data compression is used as a scan-in signal, and this scan-in signal is scanned in at the beginning of the test of the semiconductor integrated circuit. Here, if the capacities of the plurality of memories to be tested are different from each other, or the written data is different from each other even if the capacities are the same, an initial value for obtaining the same compression signature is obtained in advance. This initial value is scanned in for each memory test. Therefore, self-diagnosis of all memories is possible only by having one expected signature.

【0118】このように、本実施例では、同一の並列入
力LFSRを用いて、出力系列の圧縮、圧縮値と期待値
との比較、及びスキャン(シフト)レジスタとしての機
能を実現することができる。
As described above, in the present embodiment, the functions of compression of the output sequence, comparison of the compression value with the expected value, and the function as the scan (shift) register can be realized by using the same parallel input LFSR. .

【0119】尚、以上の説明では、診断レジスタ7と正
誤判定回路8とに出力される信号11を2入力排他的論
理和ゲートXOR1,XOR2,XOR3,XOR4 の出力としたが、これ
に代えて、比較判定サイクルでシフト操作を行なうこと
により、比較結果である2入力排他的論理和ゲートの出
力を各段のレジスタに格納させ、これらレジスタの出力
を正誤判定結果として診断レジスタ7に格納し、正誤判
定回路8は、各段のレジスタの出力11の全ての値が0
であれば、メモリは正常であるとして1を出力し、1つ
でも1の値を持つていればメモリは正常でないとして0
を出力することで、正誤の判定を正しく行なえる。
In the above description, the signal 11 output to the diagnostic register 7 and the correct / incorrect judgment circuit 8 is the output of the two-input exclusive OR gate XOR1, XOR2, XOR3, XOR4. By performing a shift operation in the comparison determination cycle, the output of the two-input exclusive OR gate, which is the comparison result, is stored in the register of each stage, and the output of these registers is stored in the diagnosis register 7 as the correctness determination result The correct / incorrect judgment circuit 8 determines that all values of the output 11 of the register of each stage are 0.
If so, the memory is determined to be normal and 1 is output. If at least one has a value of 1, the memory is determined to be abnormal and 0 is output.
Is output, the correctness can be correctly determined.

【0120】また、本発明は前記各実施例に限定されな
い。即ち、メモリのテストでは、ROM、PLAのよう
にデータが固定で且つ読み出す順序が常に同一であれ
ば、期待シグネチャは一意に定まり、またRAMであっ
てもテストのために書き込むデータ及び読み出す順序が
常に同一であれば、同様に一意に定まるので、プログラ
ム可能なROM、PLA等であっても、プログラム時に
期待シグネチャも共に書き換えることにより、このテス
ト回路でのテストが可能である。また、並列入力LFS
Rは、被テストメモリと同一チップ上に配置したが、こ
れに限定されるものでないのは勿論である。
The present invention is not limited to the above embodiments. That is, in a memory test, if data is fixed and the reading order is always the same as in ROM and PLA, the expected signature is uniquely determined. Even in the RAM, the data to be written and the reading order for the test are determined. If they are always the same, they are uniquely determined in the same manner. Therefore, even in the case of a programmable ROM, PLA, or the like, a test can be performed by this test circuit by rewriting the expected signature at the time of programming. Also, the parallel input LFS
R is arranged on the same chip as the memory under test, but is not limited to this.

【0121】[0121]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1ないし請
求項24記載の発明の半導体集積回路のテスト回路及び
テスト方法によれば、圧縮の繰返しにより得られた圧縮
シグネチャと期待シグネチャとを比較する比較手段を、
テスト回路に元々備えられて並列データの圧縮を行う
算回路で兼用することとして、例えば半導体集積回路か
らのデータの出力系列を圧縮する並列入力LFSRを利
用して、得られた圧縮シグネチャと期待シグネチャとの
比較を行ったので、従来のように比較手段としてALU
を用いる場合に比して、テスト時間の延長を招かずに、
少ないハードウエアでもって半導体集積回路(メモリ又
は内部機能ブロック)の正常性の判定が可能である。
As described above, according to the test circuit and the test method for a semiconductor integrated circuit of the present invention, the compression signature obtained by the repetition of the compression is compared with the expected signature. The comparison means
As an operation circuit originally provided in the test circuit for compressing parallel data, the data can be obtained by using, for example, a parallel input LFSR for compressing an output sequence of data from a semiconductor integrated circuit. Since the compression signature was compared with the expected signature, ALU was used as a comparison means as in the past.
Compared to using, the test time is not extended,
The normality of the semiconductor integrated circuit (memory or internal function block) can be determined with a small amount of hardware.

【0122】また、半導体集積回路のテストのためにマ
イクロプログラムによる制御を必要としない簡単な制御
が可能であるので、少ない面積でチップ上にこれら回路
を搭載することができ、チップ内蔵の自動テストが比較
的容易に構成できる効果を奏する。
In addition, since simple control that does not require control by a microprogram for testing a semiconductor integrated circuit is possible, these circuits can be mounted on a chip with a small area, and an automatic test for a built-in chip can be performed. Has an effect that it can be configured relatively easily.

【0123】更に、期待シグネチャとの比較のためにA
LUを用いる必要がないので、1つのメモリのテストで
あれば、並列入力LFSRをデータバスに接続する必要
がなく、テスト回路を柔軟にチップ上に配置でき、デー
タバスに接続されていない内部機能ブロックのテストも
容易に行える利点がある。
Further, for comparison with the expected signature, A
Since it is not necessary to use an LU, when testing one memory, there is no need to connect the parallel input LFSR to the data bus, and the test circuit can be flexibly arranged on the chip, and the internal functions not connected to the data bus can be used. There is an advantage that the block can be easily tested.

【0124】特に、請求項14記載の半導体集積回路の
テスト回路によれば、2つのデータバスに接続された2
入力排他的論理和ゲートの出力を検査することにより、
同一の並列入力LFSRを用いて一方のデータバス上の
データの圧縮と比較だけでなく、2つのデータバス間の
データの比較も行えるので、より柔軟な自動テストが可
能であるまた、請求項17記載の発明の半導体集積回路
のテスト回路によれば、チップ外部で半導体集積回路の
出力系列の正誤を観察する場合であっても、スキャンア
ウトする情報は求めたシグネチャではなく、判定結果で
あるので、半導体集積回路の品種毎に多くの期待シグネ
チャを管理し、これを用いて比較する必要がなく、また
期待シグネチャを知り得ないユーザーであっても、半導
体集積回路の正誤テストを容易に行い得る。
In particular, according to the test circuit of the semiconductor integrated circuit of the present invention, the two data buses connected to the two data buses.
By examining the output of the input exclusive OR gate,
18. A more flexible automatic test is possible because not only data compression and comparison on one data bus but also data comparison between two data buses can be performed using the same parallel input LFSR. According to the test circuit of the semiconductor integrated circuit of the described invention, even when observing the correctness of the output series of the semiconductor integrated circuit outside the chip, the information to be scanned out is not the obtained signature but the determination result. A large number of expected signatures can be managed for each type of semiconductor integrated circuit, and it is not necessary to make a comparison using the same, and even a user who does not know the expected signature can easily perform a correct / incorrect test of the semiconductor integrated circuit. .

【0125】更に、請求項21記載の半導体集積回路の
テスト方法によれば、半導体集積回路のテスト中に併行
して、並列入力LFSRの内部情報を半導体集積回路に
テストデータとして入力することができるので、テスト
データ発生手段を不要にできると共に、半導体集積回路
へのテストデータの記憶サイクルを不要にできる。
Furthermore, according to the semiconductor integrated circuit test method of the present invention, the internal information of the parallel input LFSR can be input to the semiconductor integrated circuit as test data while the semiconductor integrated circuit is being tested. Therefore, the test data generating means can be eliminated, and the cycle of storing the test data in the semiconductor integrated circuit can be eliminated.

【0126】加えて、請求項23及び請求項24記載の
発明の半導体集積回路のテスト方法によれば、複数の半
導体集積回路の期待圧縮値が同一となるように、並列入
力線形フィードバックシフトレジスタに入力すべき初期
値を各々の半導体集積回路について予め求め、この各初
期値をテスト開始時に並列入力線形フィードバックシフ
トレジスタにスキャンインするので、複数の半導体集積
回路の正常性をテストする場合であっても、期待圧縮値
が1つでよく、少ない面積で柔軟な自動テストを行うこ
とができる。
In addition, according to the semiconductor integrated circuit test method of the present invention, the parallel input linear feedback shift register is controlled so that the expected compression values of the plurality of semiconductor integrated circuits are the same. An initial value to be input is obtained in advance for each semiconductor integrated circuit, and each initial value is scanned into the parallel input linear feedback shift register at the start of the test, so that the normality of a plurality of semiconductor integrated circuits is tested. Also, only one expected compression value is required, and a flexible automatic test can be performed with a small area.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例における半導体集積回路
のテスト回路の全体概略構成図である。
FIG. 1 is an overall schematic configuration diagram of a test circuit of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同第1の実施例における並列入力LFSRによ
る半導体集積回路の具体的テスト回路の構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a specific test circuit of a semiconductor integrated circuit using a parallel input LFSR in the first embodiment.

【図3】同第1の実施例におけるデータの圧縮と期待シ
グネチャとの比較を説明するタイミング図である。
FIG. 3 is a timing chart for explaining a comparison between data compression and an expected signature in the first embodiment.

【図4】本発明の第2の実施例における半導体集積回路
のテスト回路の具体的構成図である。
FIG. 4 is a specific configuration diagram of a test circuit of a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施例における半導体集積回路
のテスト回路の具体的構成図である。
FIG. 5 is a specific configuration diagram of a test circuit of a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図6】同第3の実施例におけるデータの圧縮と期待シ
グネチャとの比較を説明するタイミング図である。
FIG. 6 is a timing chart for explaining a comparison between data compression and an expected signature in the third embodiment.

【図7】本発明の第4の実施例における半導体集積回路
のテスト回路の具体的構成図である。
FIG. 7 is a specific configuration diagram of a test circuit of a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a,1b、1c 並列入力線形フィードバックシ
フトレジスタ(コンパクトテスト回路) 1d、1d〜1k、2c,9d,9e 出力バッフ
ァ S1〜S4 レジスタ XOR1〜XOR4 2入力排他的論理和ゲート(演
算回路) XOR0 フィードバック情報生成手段 SEL0 フィードバック情報選択手段 2、2a、2b 期待シグネチャ格納レジスタ
(期待圧縮値記憶手段) 7 診断レジスタ 8 正誤判定回路 SEL1〜SEL4 2入力マルチプレクサ(入力選
択手段) 9a,9b メモリ(半導体集積回路) 10 制御回路(制御手段) 14a 一方のデータバス 14b 他方のデータバス 17 演算器(内部機能ブロック)
(半導体集積回路) 18 情報収集手段
1, 1a, 1b, 1c Parallel input linear feedback shift register (compact test circuit) 1d, 1d to 1k, 2c, 9d, 9e Output buffer S1 to S4 Register XOR1 to XOR4 Two-input exclusive OR gate (arithmetic circuit) XOR0 Feedback information generation means SEL0 Feedback information selection means 2, 2a, 2b Expected signature storage register (expected compressed value storage means) 7 Diagnostic register 8 Correct / incorrect judgment circuit SEL1-SEL4 2-input multiplexer (input selection means) 9a, 9b Memory (semiconductor integrated circuit) Circuit) 10 control circuit (control means) 14a one data bus 14b the other data bus 17 arithmetic unit (internal functional block)
(Semiconductor integrated circuit) 18 Information collecting means

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06F 11/22 - 11/277 G01R 31/28 - 31/30 G11C 29/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G06F 11/22-11/277 G01R 31/28-31/30 G11C 29/00

Claims (24)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体集積回路から複数の並列データが
順次入力され、前記入力された複数の並列データを圧縮
するコンパクトテスト回路を用いる半導体集積回路のテ
スト回路であって、 期待圧縮値を記憶する期待圧縮値記憶手段と、 テスト回路に元々備えられ、前記並列データの圧縮を行
演算回路と、 前記コンパクトテスト回路による圧縮により得られた圧
縮値及び前記期待圧縮値記憶手段の期待圧縮値を前記演
算回路に与える情報収集手段とを備えて、 前記得られた圧縮値と期待圧縮値とを比較する比較手段
を前記の元々備える演算回路により兼用したことを特徴
とする半導体集積回路のテスト回路。
1. A test circuit for a semiconductor integrated circuit to which a plurality of parallel data are sequentially inputted from a semiconductor integrated circuit and which uses a compact test circuit for compressing the inputted plurality of parallel data, wherein an expected compression value is stored. An expected compression value storage means, originally provided in a test circuit, for compressing the parallel data;
An arithmetic circuit, and an information collecting means for giving the compressed value obtained by the compression by the compact test circuit and the expected compressed value of the expected compressed value storage means to the arithmetic circuit, the obtained compressed value and the expected value. A test circuit for a semiconductor integrated circuit, wherein a comparison means for comparing a compression value is also used by the arithmetic circuit originally provided.
【請求項2】 コンパクトテスト回路は、並列入力線形
フィードバックシフトレジスタにより構成されることを
特徴とする請求項1記載の半導体集積回路のテスト回
路。
2. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein said compact test circuit comprises a parallel input linear feedback shift register.
【請求項3】 並列入力線形フィードバックシフトレジ
スタは、複数個のレジスタと、前記各レジスタの前段に
配置される複数個の2入力排他的論理和ゲートと、最終
段のレジスタの出力と途中段のレジスタの出力とからフ
ィードバック情報を生成するフィードバック情報生成手
段とを備え、前記各レジスタにはその前段の2入力排他
的論理和ゲートの出力が各々入力され、最初段のレジス
タの前段に位置する2入力排他的論理和ゲートを除く各
2入力排他的論理和ゲートの第1の入力には各々その前
段のレジスタの出力が与えられ、最初段のレジスタの前
段に位置する2入力排他的論理和ゲートの第1の入力に
は前記フィードバック情報選択手段の出力が与えられる
ものであり、 元々備える演算回路は、前記並列入力線形フィードバッ
クシフトレジスタに備える複数個の2入力排他的論理和
ゲートであり、 情報収集手段は、前記並列入力線形フィードバックシフ
トレジスタのフィードバック情報生成手段の出力と最終
段のレジスタの出力とのうち何れか一方を制御信号によ
り選択するフィードバック情報選択手段と、前記並列入
力線形フィードバックシフトレジスタの各レジスタの第
2の入力に与えるデータとして、並列データと期待圧縮
値記憶手段の期待圧縮値とのうち何れか一方を制御信号
により選択する入力選択手段とにより構成されることを
特徴とする請求項2記載の半導体集積回路のテスト回
路。
3. The parallel-input linear feedback shift register includes a plurality of registers, a plurality of two-input exclusive OR gates arranged in front of each of the registers, an output of a last-stage register and an intermediate stage. Feedback information generating means for generating feedback information from the output of the register. The output of the two-input exclusive OR gate at the preceding stage is input to each of the registers, and the feedback information generating means is located at the preceding stage of the first register. The first input of each of the two-input exclusive-OR gates except the input exclusive-OR gate is supplied with the output of the preceding register, and the two-input exclusive-OR gate located before the first-stage register is provided. The output of the feedback information selecting means is given to a first input of the parallel input linear feedback system. A plurality of two-input exclusive OR gates provided in the parallel register, and the information collecting means controls one of an output of the feedback information generating means of the parallel input linear feedback shift register and an output of the last register. A feedback information selecting means for selecting by a signal, and controlling one of parallel data and an expected compression value of an expected compression value storage means as data to be supplied to a second input of each register of the parallel input linear feedback shift register. 3. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 2, comprising input selection means for selecting by a signal.
【請求項4】 テストされる半導体集積回路はメモリで
あることを特徴とする請求項1、請求項2又は請求項3
記載の半導体集積回路のテスト回路。
4. The semiconductor integrated circuit to be tested is a memory.
A test circuit for a semiconductor integrated circuit as described in the above.
【請求項5】 テストされる半導体集積回路は内部機能
ブロックであることを特徴とする請求項1、請求項2又
は請求項3記載の半導体集積回路のテスト回路。
5. The test circuit according to claim 1, wherein the semiconductor integrated circuit to be tested is an internal function block.
【請求項6】 入力選択手段は2入力マルチプレクサに
より構成されることを特徴とする請求項3記載の半導体
集積回路のテスト回路。
6. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein said input selection means is constituted by a two-input multiplexer.
【請求項7】 1つのデータバスを備え、 前記データバスには、並列入力線形フィードバックシフ
トレジスタの各2入力排他的論理和ゲートが直接に接続
されると共に、半導体集積回路及び期待圧縮値記憶手段
が各々出力バッファを介して接続され、 入力選択手段は、前記半導体集積回路及び期待圧縮値記
憶手段のうち何れか1つのデータを前記データバスに出
力するよう前記半導体集積回路及び期待圧縮値記憶手段
の各出力バッファを制御する制御回路から成ることを特
徴とする請求項3記載の半導体集積回路のテスト回路。
7. A data bus, wherein each of the two-input exclusive-OR gates of a parallel input linear feedback shift register is directly connected to the data bus, and the semiconductor integrated circuit and expected compressed value storage means are provided. Are connected via an output buffer, respectively, and the input selection means is configured to output any one of the semiconductor integrated circuit and the expected compressed value storage means to the data bus. 4. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 3, further comprising a control circuit for controlling each of the output buffers.
【請求項8】 データバスに接続される半導体集積回路
は複数個であることを特徴とする請求項7記載の半導体
集積回路のテスト回路。
8. The test circuit according to claim 7, wherein a plurality of semiconductor integrated circuits are connected to the data bus.
【請求項9】 入力選択手段は、制御信号により、半導
体集積回路からの並列データを圧縮する圧縮サイクル時
には半導体集積回路からの並列データを選択し、得られ
た圧縮値と期待圧縮値との比較判定時には期待圧縮値記
憶手段の期待圧縮値を選択することを特徴とする請求項
3又は請求項7記載の半導体集積回路のテスト回路。
9. An input selector selects parallel data from a semiconductor integrated circuit in a compression cycle for compressing parallel data from the semiconductor integrated circuit in accordance with a control signal, and compares the obtained compressed value with an expected compressed value. 8. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein an expected compression value of the expected compression value storage means is selected at the time of the determination.
【請求項10】 期待圧縮値記憶手段は、期待圧縮値
を、予め並列入力線形フィードバックシフトレジスタの
シフト方向に1ビットのみローテート操作して記憶する
ことを特徴とする請求項3記載の半導体集積回路のテス
ト回路。
10. The semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the expected compression value storage means stores the expected compression value by rotating only one bit in advance in the shift direction of the parallel input linear feedback shift register. Test circuit.
【請求項11】 1つのデータバスを備え、 並列入力線形フィードバックシフトレジスタは、各レジ
スタの出力及びフィードバック情報選択手段の出力を各
々前記データバスに接続する出力バッファを備えると共
に、各2入力排他的論理和ゲートの第1の入力が前記デ
ータバスに直接接続されて、最初段のレジスタの前段に
位置する2入力排他的論理和ゲートを除く各2入力排他
的論理和ゲートの第1の入力には各々その前段のレジス
タの出力が前記出力バッファ及び前記データバスを介し
て与えられ、最初段のレジスタの前段に位置する2入力
排他的論理和ゲートの第1の入力には前記フィードバッ
ク情報選択手段の出力が前記出力バッファ及び前記デー
タバスを介して与えられるものであることを特徴とする
請求項3記載の半導体集積回路のテスト回路。
11. A parallel input linear feedback shift register comprising one data bus, comprising: an output buffer for connecting an output of each register and an output of feedback information selecting means to the data bus, respectively; A first input of an OR gate is directly connected to the data bus, and is connected to a first input of each two-input exclusive OR gate except for a two-input exclusive OR gate located in front of the first stage register. Are each provided with the output of the preceding stage register via the output buffer and the data bus, and the first input of the two-input exclusive OR gate located before the first stage register is provided with the feedback information selecting means. 4. The semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein an output of said semiconductor integrated circuit is provided through said output buffer and said data bus. Test circuit.
【請求項12】 他の1つのデータバスを備え、 並列入力線形フィードバックシフトレジスタは、各レジ
スタの出力及びフィードバック情報選択手段の出力を各
々前記他のデータバスに接続する他の出力バッファを備
えると共に、各2入力排他的論理和ゲートの第2の入力
が前記データバスに直接接続されて、最初段のレジスタ
の前段に位置する2入力排他的論理和ゲートを除く各2
入力排他的論理和ゲートの第2の入力には各々その前段
のレジスタの出力が前記他の出力バッファ及び前記他の
データバスを介して与えられ、最初段のレジスタの前段
に位置する2入力排他的論理和ゲートの第2の入力には
前記フィードバック情報選択手段の出力が前記他の出力
バッファ及び前記他のデータバスを介して与えられるも
のであることを特徴とする請求項11記載の半導体集積
回路のテスト回路。
12. The parallel input linear feedback shift register further comprising another data bus, the parallel input linear feedback shift register further comprising another output buffer for connecting an output of each register and an output of the feedback information selecting means to the other data bus, respectively. , The second input of each two-input exclusive OR gate is directly connected to the data bus, and each of the two input exclusive OR gates except the two-input exclusive OR gate located before the first register
The second input of the input exclusive OR gate is supplied with the output of the preceding register through the other output buffer and the other data bus, respectively. 12. The semiconductor integrated circuit according to claim 11, wherein an output of said feedback information selecting means is given to a second input of the logical OR gate via said another output buffer and said another data bus. Circuit test circuit.
【請求項13】 データバス及び他の1つのデータバス
には、各々、半導体集積回路及び期待圧縮値記憶手段が
接続され、 前記半導体集積回路及び期待圧縮値記憶手段は各々出力
バッファを内蔵し、 入力選択手段は、2つのデータバスのうち何れか一方を
並列入力線形フィードバックシフトレジスタの圧縮用に
用いながら、他方のデータバスに、この他方のデータバ
スに接続された半導体集積回路及び期待圧縮値記憶手段
のうち何れかからデータを出力するように、前記半導体
集積回路及び期待圧縮値記憶手段に各々内蔵する出力バ
ッファ、並びに前記並列入力線形フィードバックシフト
レジスタに内蔵する各出力バッファを制御する制御回路
から成ることを特徴とする請求項12記載の半導体集積
回路のテスト回路。
13. A semiconductor integrated circuit and an expected compression value storage means are connected to the data bus and the other data bus, respectively, wherein each of the semiconductor integrated circuit and the expected compression value storage means has an output buffer built therein. The input selection means uses one of the two data buses for compression of the parallel input linear feedback shift register while providing the other data bus with the semiconductor integrated circuit connected to the other data bus and the expected compression value. A control circuit for controlling each output buffer included in the semiconductor integrated circuit and the expected compressed value storage means, and each output buffer included in the parallel input linear feedback shift register so as to output data from any of the storage means; 13. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 12, comprising:
【請求項14】 データバス及び他の1つのデータバス
には、各々、半導体集積回路が接続され、 前記半導体集積回路は出力バッファを内蔵し、 入力選択手段は、一方のデータバスに、この一方のデー
タバスに接続された半導体集積回路からデータを出力す
ると共に、他方のデータバスに、この他方のデータバス
に接続された半導体集積回路からデータを出力し、前記
両データバスに出力されたデータ同志を並列入力線形フ
ィードバックシフトレジスタの各2入力排他的論理和ゲ
ートで比較するように、前記半導体集積回路に内蔵する
出力バッファ及び前記並列入力線形フィードバックシフ
トレジスタに内蔵する各出力バッファを制御する制御回
路から成ることを特徴とする請求項12記載の半導体集
積回路のテスト回路。
14. A data bus and another data bus are each connected to a semiconductor integrated circuit, said semiconductor integrated circuit has an output buffer built-in, and input selection means is connected to one of the data buses. Output data from the semiconductor integrated circuit connected to the data bus, output data from the semiconductor integrated circuit connected to the other data bus to the other data bus, and output data to the two data buses. Control for controlling an output buffer incorporated in the semiconductor integrated circuit and each output buffer incorporated in the parallel input linear feedback shift register so that competitors are compared by each two-input exclusive OR gate of the parallel input linear feedback shift register. 13. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 12, comprising a circuit.
【請求項15】 並列入力線形フィードバックシフトレ
ジスタの各2入力排他的論理和ゲートの出力を入力し、
その各入力の値から半導体集積回路の正誤を判定し、そ
の判定結果を出力する正誤判定手段を備えたことを特徴
とする請求項3又は請求項7記載の半導体集積回路のテ
スト回路。
15. An output of each two-input exclusive OR gate of the parallel input linear feedback shift register,
8. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 3, further comprising a right / wrong determining means for determining whether the semiconductor integrated circuit is correct or not based on the value of each input and outputting a result of the determination.
【請求項16】 並列入力線形フィードバックシフトレ
ジスタの各2入力排他的論理和ゲートの出力を入力し、
その入力内容を格納すると共にその入力内容を出力する
診断レジスタを備えたことを特徴とする請求項3又は請
求項7記載の半導体集積回路のテスト回路。
16. An output of each two-input exclusive OR gate of the parallel input linear feedback shift register,
8. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 3, further comprising a diagnostic register for storing the input content and outputting the input content.
【請求項17】 フィードバック情報選択手段にはスキ
ャンイン情報が入力され、 前記フィードバック情報選択手段はスキャン操作時に前
記スキャンイン情報を選択するものであり、 並列入力線形フィードバックシフトレジスタの最終段の
レジスタの出力はスキャンアウト情報としてスキャンパ
スに接続され、 前記並列入力線形フィードバックシフトレジスタの各レ
ジスタに並列データとしてスキャン操作時にゼロを与え
るゼロ出力手段を備えて、 テスト回路の外部から前記並列入力線形フィードバック
シフトレジスタの全てのレジスタの出力を観察できるよ
うに構成したことを特徴とする請求項7記載の半導体集
積回路のテスト回路。
17. The feedback information selection means receives scan-in information, and the feedback information selection means selects the scan-in information during a scan operation. An output is connected to a scan path as scan-out information, and each register of the parallel input linear feedback shift register is provided with zero output means for giving zero as a parallel data at the time of a scan operation. 8. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein outputs of all registers of the register are configured to be observed.
【請求項18】 並列入力線形フィードバックシフトレ
ジスタの各2入力排他的論理和ゲートでの両データの比
較結果を入力してこの両データの一致又は不一致を判定
し、その判定結果を出力する正誤判定手段を備えたこと
を特徴とする請求項14記載の半導体集積回路のテスト
回路。
18. A true / false judgment for inputting a comparison result of both data at each two-input exclusive OR gate of a parallel input linear feedback shift register, determining whether the two data match or not, and outputting the determination result. 15. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 14, further comprising means.
【請求項19】 予め求めた期待圧縮値の生成時と同一
のアドレスシーケンスにより半導体集積回路からデータ
を順次読み出すと同時に、この読み出した各データを並
列入力線形フィードバックシフトレジスタの各レジスタ
に並列に順次入力し、シフトすることを繰返すことによ
り、順次並列データを圧縮することを繰返し、最後の並
列データを圧縮した時点の各レジスタの出力を並列デー
タの圧縮値として求め、 その後、最初段のレジスタの前段に位置する2入力排他
的論理和ゲートの第1の入力に最終段のレジスタの出力
を与え、且つ最初段のレジスタを除く各レジスタの前段
に位置する2入力排他的論理和ゲートの第1の入力にそ
の各前段のレジスタの出力を与えると共に、 前記並列入力線形フィードバックシフトレジスタの各2
入力排他的論理和ゲートの第2の入力に期待圧縮値を入
力して、 各2入力排他的論理和ゲートにより、並列データの圧縮
値と期待圧縮値との対応ビット同志の比較演算を行い、
この比較演算結果により半導体集積回路の正常性をテス
トすることを特徴とする半導体集積回路のテスト方法。
19. At the same time as sequentially reading data from the semiconductor integrated circuit according to the same address sequence as when the expected compression value obtained in advance is generated, each read data is sequentially transferred to each of the parallel input linear feedback shift registers in parallel. By repeatedly inputting and shifting, the compression of the parallel data is repeated in sequence, and the output of each register at the time of compressing the last parallel data is obtained as a compressed value of the parallel data. The output of the last-stage register is given to the first input of the two-input exclusive-OR gate located at the preceding stage, and the first input of the two-input exclusive-OR gate located at the preceding stage of each register except the first-stage register is provided. Of the parallel input linear feedback shift register.
The expected compression value is input to the second input of the input exclusive OR gate, and each of the two input exclusive OR gates performs a comparison operation between corresponding bits of the parallel data compression value and the expected compression value,
A test method for a semiconductor integrated circuit, wherein the normality of the semiconductor integrated circuit is tested based on a result of the comparison operation.
【請求項20】 複数個の半導体集積回路のうち何れか
1つを出力バッファを介して1つのデータバスに接続
し、その接続した半導体集積回路から順次データを前記
データバスを介して読み出し、この読み出した各データ
の圧縮、圧縮値の算出、得られた圧縮値と期待圧縮値と
の比較を行った後、 前記複数個の半導体集積回路のうち他の何れか1つを出
力バッファを介して1つのデータバスに接続し、その接
続した半導体集積回路から順次データを前記データバス
を介して読み出し、この読み出した各データの圧縮、圧
縮値の算出、得られた圧縮値と期待圧縮値との比較を行
うことを繰返すことを特徴とする請求項19記載の半導
体集積回路のテスト方法。
20. One of the plurality of semiconductor integrated circuits is connected to one data bus via an output buffer, and data is sequentially read from the connected semiconductor integrated circuits via the data bus. After performing compression of each read data, calculation of a compression value, and comparison between the obtained compression value and an expected compression value, another one of the plurality of semiconductor integrated circuits is output via an output buffer. Connected to one data bus, sequentially reads data from the connected semiconductor integrated circuit via the data bus, compresses the read data, calculates a compression value, and compares the obtained compression value with the expected compression value. 20. The method for testing a semiconductor integrated circuit according to claim 19, wherein repeating the comparison is performed.
【請求項21】 半導体集積回路からのデータを並列入
力線形フィードバックシフトレジスタにより圧縮するこ
とを繰返している際、そのデータの圧縮毎に、前記並列
入力線形フィードバックシフトレジスタの最終段のレジ
スタを除くレジスタの出力及びフィードバック情報から
成る圧縮途中情報をデータバスを介してこのデータバス
に接続されている半導体集積回路のテストデータとして
入力又は記憶させることを特徴とする請求項19記載の
半導体集積回路のテスト方法。
21. When repeatedly compressing data from a semiconductor integrated circuit by a parallel input linear feedback shift register, each time the data is compressed, a register other than the last stage register of the parallel input linear feedback shift register is used. 20. The test of a semiconductor integrated circuit according to claim 19, wherein the intermediate compression information including the output and feedback information of the semiconductor integrated circuit is input or stored as test data of the semiconductor integrated circuit connected to the data bus via the data bus. Method.
【請求項22】 並列入力線形フィードバックシフトレ
ジスタには、テスト開始前に、初期値がスキャンインさ
れることを特徴とする請求項19記載の半導体集積回路
のテスト方法。
22. The method according to claim 19, wherein an initial value is scanned in the parallel input linear feedback shift register before starting the test.
【請求項23】 被テスト半導体集積回路は複数のメモ
リであり、 前記各メモリは、その容量、書き込まれるデータ又は書
き込まれたデータが異なるものであり、 並列入力線形フィードバックシフトレジスタにスキャン
インされる初期値は、前記各メモリからデータを読み出
して求まる各々の期待圧縮値が同一値となるように予め
求めた所定の初期値であることを特徴とする請求項22
記載の半導体集積回路のテスト方法。
23. The semiconductor integrated circuit under test is a plurality of memories, each of which has different capacity, written data or written data, and is scanned into a parallel input linear feedback shift register. 23. The apparatus according to claim 22, wherein the initial value is a predetermined initial value obtained in advance so that each expected compression value obtained by reading data from each of the memories has the same value.
The test method of the semiconductor integrated circuit described in the above.
【請求項24】 被テスト半導体集積回路は複数の内部
機能ブロックであり、 前記各内部機能ブロックは、その機能又は与えられる入
力系列が異なるものであり、 並列入力線形フィードバックシフトレジスタにスキャン
インされる初期値は、前記各入力系列に対する各内部機
能ブロックの出力から求まる各々の期待圧縮値が同一値
となるように予め求めた所定の初期値であることを特徴
とする請求項22記載の半導体集積回路のテスト方法。
24. The semiconductor integrated circuit under test is a plurality of internal function blocks, each of which has a different function or input sequence, and is scanned into a parallel input linear feedback shift register. 23. The semiconductor integrated circuit according to claim 22, wherein the initial value is a predetermined initial value obtained in advance so that each expected compression value obtained from the output of each internal function block for each of the input sequences has the same value. How to test the circuit.
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