JP3176432B2 - α−スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、抗生物質等の医薬品の
合成中間体として有用なα−スルホニルオキシカルボン
酸エステル誘導体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】α−
スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の合成法と
して、α−ヒドロキシカルボン酸にアルコールを反応さ
せてα−ヒドロキシカルボン酸エステルとするエステル
化工程と、次いでスルホニル化剤を作用させるスルホニ
ル化工程を経る方法が知られている［Chem. Pharm. Bul
l.,27(3),747(1979)、J. Org. Chem.,50(8),1229(198
5)、Tetrahedron,46(19),6623(1990) 、特開昭５９−１
７２４４２号公報、特開昭６２−５３９７６号公報、特
開昭６２−１２６１８９号公報、特開昭６３−１５４６
９０号公報等参照］。しかし、この方法は、エステル化
反応において、例えばベンジルアルコール等の比較的分
子量の大きいアルコールを用いる場合には、対応するα
−ヒドロキシカルボン酸エステルを高収率で得ることが
できない。従って、前記方法は、α−スルホニルオキシ
カルボン酸エステル誘導体の一般的な製造法とはいえな
い。

【０００３】また、α−スルホニルオキシカルボン酸エ
ステル誘導体の他の合成法として、α−ヒドロキシカル
ボン酸にスルホニル化剤を作用させて、α−スルホニル
オキシカルボン酸とするスルホニル化工程と、次いで酸
触媒の存在下、アルコールを作用させるエステル化工程
を経る方法が知られている。しかし、この方法は、スル
ホニル化反応、エステル化反応のいずれの反応において
も副生物が生成し易く、工業的に満足し得る方法とはい
えない。

【０００４】従って、本発明の目的は、入手しやすい原
料から、簡便な操作により、α−スルホニルオキシカル
ボン酸エステル誘導体を高い収率で得る一般的且つ工業
的な方法を提供することにある。

【０００５】

【発明の構成】本発明者らは、前記目的を達成するた
め、鋭意検討した結果、チタン酸エステル触媒の存在
下、α−スルホニルオキシカルボン酸エステルとアルコ
ールとを、特定のモル比で反応させると、エステル交換
反応が選択的且つ円滑に進行すること、そのため、簡便
な操作により、高い収率で、目的とするα−スルホニル
オキシカルボン酸エステル誘導体が得られることを見出
だし、本発明を完成した。

【０００６】すなわち、本発明は、一般式［Ｉ］

【０００７】

【化３】 （式中、Ｒ¹ は炭素数１〜６のアルキル基、アリール基
又はアラルキル基；Ｒ²はハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン化低級アルキル基又はアリール基；Ｒ³ は
炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数２〜４のアルケニ
ル基を示す）で表されるα−スルホニルオキシカルボン
酸エステルと、一般式［ＩＩ］ Ｒ⁴ ＯＨ ［ＩＩ］ （式中、Ｒ⁴ は炭素数２〜１０のアルキル基、２−置換
エチル基、シクロアルキル基、アリール基又は置換され
ていてもよいアラルキル基を示す）で表されるアルコー
ルとから、チタン酸エステル触媒の存在下、エステル交
換反応により、一般式［ＩＩＩ］

【０００８】

【化４】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ⁴ は前記と同じ）で表されるα
−スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体を得る方
法であって、前記アルコールを、前記一般式［Ｉ］で表
されるα−スルホニルオキシカルボン酸エステル１モル
に対して１．０〜１．４モル用いるα−スルホニルオキ
シカルボン酸エステル誘導体の製造方法を提供する。

【０００９】前記一般式［Ｉ］中、Ｒ¹ における炭素数
１〜６のアルキル基として、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、
ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、
ヘキシル、イソヘキシル基などの直鎖状又は分枝状のア
ルキル基が挙げられる。

【００１０】また、アリール基には、フェニル及びナフ
チル基が含まれる。前記アリール基は、ハロゲン原子、
アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の
置換基で置換されていてもよい。置換されたアリール基
として、４−クロロフェニル、３，５−ジクロロフェニ
ル、４−ブロモフェニル、３−トリフルオロメチルフェ
ニル、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、
４−メトキシフェニル基等が例示される。

【００１１】前記Ｒ¹ におけるアラルキル基には、ベン
ジル基、ジフェニルメチル基、２−フェニルエチル基、
３−フェニルプロピル基等が含まれる。アラルキル基
は、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル
基、アルコキシ基等の置換基で置換されていてもよい。
置換されたアラルキル基として、４−クロロベンジル、
４−ブロモベンジル、４−トリフルオロメチルベンジル
基等が挙げられる。

【００１２】これらの置換基のうち、Ｒ¹ として、炭素
数１〜６のアルキル基及びアラルキル基、特に炭素数１
〜６のアルキル基、とりわけメチル基が繁用される。

【００１３】前記Ｒ² におけるハロゲン原子には、弗
素、塩素、臭素及びヨウ素が含まれる。これらのうち、
特に塩素が繁用される。また、低級アルキル基には、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル基等の
炭素数１〜４の直鎖状又は分枝状のアルキル基が含まれ
る。ハロゲン化低級アルキル基には、クロロメチル、ト
リクロロメチル、トリフルオロメチル、２，２，２−ト
リクロロエチル等の炭素数１〜４のハロゲン化アルキル
基が含まれる。アリール基としては、Ｒ¹ で例示したも
のが挙げられる。

【００１４】これらの置換基のうち、Ｒ² として、メチ
ル、エチル基等の低級アルキル基；トリフルオロメチル
基等のハロゲン化低級アルキル基；フェニル、ｐ−メチ
ルフェニル等の置換されていてもよいフェニル基又はナ
フチル基等のアリール基等が繁用され、特に、低級アル
キル基、置換されていてもよいフェニル基が好適に用い
られる。

【００１５】前記Ｒ³ における炭素数１〜４のアルキル
基としては、メチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチ
ル基等が例示される。また、炭素数２〜４のアルケニル
基として、ビニル、アリル、３−ブテニル基等が挙げら
れる。これらの置換基のうち、炭素数１〜４のアルキル
基、特にメチル及びエチル基が繁用される。

【００１６】又、エステル交換反応は平衡反応であるこ
とから、原料であるエステルに対応して副生するアルコ
ールＲ³ ＯＨを系外へ除去しながら反応させるのが有利
であるため、前記Ｒ³ ＯＨの沸点が、一般式［ＩＩ］の
アルコールの沸点よりも低くなるように、Ｒ³ を選択す
るのが好ましい。

【００１７】好ましい置換基Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ の組合せ
は、Ｒ¹ が炭素数１〜６のアルキル基、Ｒ² が低級アル
キル基又は置換されていてもよいフェニル基、Ｒ³ が炭
素数１〜４のアルキル基である組合せ等である。特に好
ましい組合せは、Ｒ¹ がメチル基、Ｒ² がメチル又はｐ
−メチルフェニル基、Ｒ³ がメチル又はエチル基の組合
せである。

【００１８】一般式［Ｉ］で表される化合物は、ラセミ
体であってもよく、又、光学活性体であってもよい。本
発明の方法では、反応中にラセミ化が起こりにくいた
め、特に、光学活性な一般式［Ｉ］で表される化合物を
用いることにより、高い光学純度を有するα−スルホニ
ルオキシカルボン酸エステル誘導体を製造することがで
きる。

【００１９】一般式［Ｉ］で表される化合物の具体例と
して、α−メタンスルホニルオキシプロピオン酸メチ
ル、α−メタンスルホニルオキシプロピオン酸エチル、
α−トリフルオロメタンスルホニルオキシプロピオン酸
メチル、α−トリフルオロメタンスルホニルオキシプロ
ピオン酸エチル、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキ
シ）プロピオン酸メチル、α−（ｐ−トルエンスルホニ
ルオキシ）プロピオン酸エチル等のα−スルホニルオキ
シプロピオン酸エステル；α−メタンスルホニルオキシ
酪酸メチル、α−トリフルオロメタンスルホニルオキシ
酪酸メチル、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）酪
酸メチル等のα−スルホニルオキシ酪酸エステル；α−
メタンスルホニルオキシイソ吉草酸メチル、α−トリフ
ルオロメタンスルホニルオキシイソ吉草酸メチル、α−
（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）イソ吉草酸メチル等
のα−スルホニルオキシイソ吉草酸エステル；α−メタ
ンスルホニルオキシヘプタン酸メチル、α−トリフルオ
ロメタンスルホニルオキシヘプタン酸メチル、α−（ｐ
−トルエンスルホニルオキシ）ヘプタン酸メチル等のα
−スルホニルオキシヘプタン酸エステル；α−メタンス
ルホニルオキシ−β−フェニルプロピオン酸メチル、α
−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−β−フェニル
プロピオン酸メチル、α−（ｐ−トルエンスルホニルオ
キシ）−β−フェニルプロピオン酸メチル等のα−スル
ホニルオキシ−β−フェニルプロピオン酸エステル；α
−メタンスルホニルオキシ−γ−フェニル酪酸メチル、
α−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−γ−フェニ
ル酪酸メチル、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）
−γ−フェニル酪酸メチル等のα−スルホニルオキシ−
γ−フェニル酪酸エステル等が挙げられる。これらの化
合物のうち、特にα−スルホニルオキシプロピオン酸エ
ステル、とりわけ光学活性なα−スルホニルオキシプロ
ピオン酸エステルが繁用される。

【００２０】一般式［Ｉ］で表される化合物は、例えば
前記の先行文献記載の方法により容易に得ることができ
る。

【００２１】前記一般式［ＩＩ］中、Ｒ⁴ における炭素
数２〜１０のアルキル基としては、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−
ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキ
シル、イソヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デ
シル基などの直鎖状又は分枝状のアルキル基が挙げられ
る。２−置換エチル基には、２，２，２−トリクロロエ
チル、２−クロロエチル、２−トリメチルシリルエチ
ル、２−メチルチオエチル、２−メトキシエチル基等が
含まれる。シクロアルキル基には、シクロブチル、シク
ロペンチル、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシク
ロアルキル基が含まれる。アリール基、アラルキル基と
しては、Ｒ¹ で例示したものが挙げられる。また、置換
されていてもよいアラルキル基としては、ベンジル、ｐ
−ニトロベンジル、ｐ−メトキシベンジル、ｐ−ブロモ
ベンジル、２，４，６−トリメチルベンジル、ジフェニ
ルメチル、トリフェニルメチル基等の置換されていても
よいベンジル基等が例示される。

【００２２】これらの置換基のうち、Ｒ⁴ として、エチ
ル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル等の炭素数２〜
１０のアルキル基；２−トリメチルシリルエチル、２−
メトキシエチル基等の２−置換エチル基；ベンジル基等
の置換されていてもよいベンジル基等が好適に用いら
れ、とりわけ置換されていてもよいベンジル基等が繁用
される。

【００２３】本発明の主たる特徴は、一般式［Ｉ］のα
−スルホニルオキシカルボン酸エステルと、一般式［Ｉ
Ｉ］のアルコールとのエステル交換反応において、前記
アルコールを、前記α−スルホニルオキシカルボン酸エ
ステル１モルに対して１．０〜１．４モル用いる点にあ
る。

【００２４】一般に、チタン酸エステルの存在下、カル
ボン酸エステルがアルコールによってエステル交換され
ることは知られている。そして、その場合、反応を円滑
に進行させるため、アルコールは、溶媒として、原料エ
ステルに対して大過剰量用いられる。又、分子内に種々
の官能基を有するカルボン酸エステルについて、前記エ
ステル交換反応が検討されており、例えばトリメチルシ
リル、ニトロ、シアノ、ブロモ、ヒドロキシル基；アセ
トナイド、ラクタム、ケトン、炭素−炭素二重結合部位
等は、反応条件下に影響を受けない。これに対して、分
子内にアシルオキシ基やカルバモイルオキシ基を有する
カルボン酸エステルの場合には、反応条件下で、同時
に、前記アシルオキシ基等もエステル交換され、ヒドロ
キシ基を有するカルボン酸エステルに転化されることが
報告されている（Synthesis,138(1982) 参照）。

【００２５】しかし、本発明のような、α位に、例えば
メタンスルホニルオキシやｐ−トルエンスルホニルオキ
シ等のスルホニルオキシ基を有するカルボン酸エステル
のエステル交換反応については、従来、知られていな
い。このようなカルボン酸エステルでは、スルホニルオ
キシ基が反応性の高い脱離基としての機能を有するた
め、前記エステル交換反応条件下、種々の副反応が予想
される。そして、実際、前記文献と同様の条件下でエス
テル交換反応を行うと、α−置換反応、α，β−脱離反
応や、脱離した対応するスルホン酸を触媒とするエーテ
ル生成反応などの種々の副反応が起こるため、目的のエ
ステル交換反応生成物を収率よく得ることができない。

【００２６】しかるに、前記チタン酸エステル触媒を用
いるエステル交換反応において、アルコールを、前記文
献のように溶媒量用いるのではなく、原料成分であるα
−スルホニルオキシカルボン酸エステル１モルに対して
１．０〜１．４モル用いる場合には、副反応が著しく抑
制され、カルボン酸エステル部位におけるエステル交換
反応が選択的に進行するため、目的化合物であるエステ
ル交換反応生成物を高い収率で得ることができる。しか
も、アルコールの使用量が原料エステルに対して等モル
若しくは小過剰量程度であるにもかかわらず、エステル
交換反応が円滑に進行するため、工業的に極めて有利で
ある。

【００２７】前記アルコールの使用量を、α−スルホニ
ルオキシカルボン酸エステル１モルに対して１．０未満
とすると、原料であるエステルの転化率が低下し、１．
４モルを越えると副反応が顕著となり、目的化合物の収
率が著しく低下する。好ましい前記アルコールの使用量
は、前記エステル１モルに対して１．０〜１．３モル程
度である。

【００２８】本発明の方法では、エステル交換反応触媒
として、チタン酸エステルを用いる。チタン酸エステル
には、チタン酸テトラエチル、チタン酸テトライソプロ
ピル、チタン酸テトラブチル等のチタン酸アルキルエス
テル；チタン酸テトラフェニル等のチタン酸アリールエ
ステル等が含まれる。

【００２９】前記触媒の使用量は、特に制限されない
が、経済性及び後処理工程の操作性を考慮し、一般式
［Ｉ］で表されるα−スルホニルオキシカルボン酸エス
テルに対して、通常０．０１〜２０モル％、好ましくは
０．１〜５モル％程度である。

【００３０】前記エステル交換反応は、通常、溶媒の存
在下で行われる。

【００３１】前記溶媒としては、反応に不活性な溶媒で
あれば特に限定されず、例えば、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の
脂肪族炭化水素；シクロヘキサン等の脂環族炭化水素；
ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等のハロ
ゲン化炭化水素；ジエチルエーテル、ジブチルエーテル
等のエーテル；酢酸エステル類等のエステル；メチルエ
チルケトン等のケトン；ジメチルスルホキシド等の非プ
ロトン性極性溶媒等が例示される。好ましい溶媒には、
炭化水素、特にトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
が含まれる。

【００３２】又、反応により副生するアルコールＲ³ Ｏ
Ｈを系外へ除去しながら反応させるのが有利であるた
め、前記溶媒として、その沸点が、前記Ｒ³ ＯＨの沸点
より高いものを選択するのが好ましい。又、Ｒ³ ＯＨを
円滑に系外へ除去するため、前記Ｒ³ ＯＨと共沸する溶
媒を用いるのが有利である。

【００３３】溶媒の使用量は、攪拌操作が円滑に行われ
る範囲で適宜選択できるが、反応系における一般式
［Ｉ］で表されるα−スルホニルオキシカルボン酸エス
テルの濃度が７５重量％以下、好ましくは１０〜７０重
量％、さらに好ましくは２０〜６０重量％程度となるよ
うに調整する。前記エステルの濃度が７５重量％を越え
ると、副反応が起こり易くなる。

【００３４】エステル交換反応の反応温度は、通常７０
〜１５０℃、好ましくは１１０〜１３０℃程度である。
７０℃未満の温度では、反応速度が遅くなり易く、１５
０℃を越えると、副反応が起り易くなる。

【００３５】反応方法は、特に制限されないが、前記の
ように本反応は平衡反応であるため、副生するＲ³ ＯＨ
を系外に留去しながら反応させるのが好ましい。

【００３６】Ｒ³ ＯＨを留去しながら反応させる場合に
は、Ｒ³ ＯＨのみを効率的に除去するために、留出液を
一部還流させ、精留しながら留去することもできる。
又、溶媒がＲ³ ＯＨと共に留出する場合には、反応系に
溶媒を逐次補充しながら反応を行ってもよい。

【００３７】反応時間は、原料成分の種類によっても異
なり、一概には言えないが、通常１〜１２時間程度であ
る。

【００３８】このように、本発明は、チタン酸エステル
を触媒とするエステル交換反応を利用することから、特
殊な試薬等を必要とせず、ほぼ中性条件下で反応が行わ
れるため、従来法に比べ適用範囲が極めて広い。特に、
本発明は、従来法と異なって酸や塩基を用いないため、
原料として光学活性なα−スルホニルオキシカルボン酸
エステルを用いてもラセミ化が起こりにくく、医薬品の
中間体等として有用な光学活性なα−スルホニルオキシ
カルボン酸エステル誘導体を製造するのに極めて有利で
ある。

【００３９】反応終了後、反応混合液を、洗浄、濃縮、
抽出、蒸溜、晶析、再結晶、カラムクロマトグラフィー
等の分離手段を用い、又はこれらを組合せることによ
り、目的化合物であるα−スルホニルオキシカルボン酸
エステル誘導体を得ることができる。

【００４０】反応混合液の好ましい処理方法として、例
えば次のような方法があげられる。すなわち、反応混合
液を酸の水溶液により洗浄した後、必要に応じて有機層
を濃縮し、さらに水又は食塩水で洗浄し、脱溶媒する。

【００４１】前記酸洗浄に用いる酸として、塩酸、硫
酸、リン酸等の鉱酸、特に塩酸が好適である。酸の水溶
液中の酸の濃度は特に限定されないが、反応混合液中の
チタン分を除去するため、通常０．１〜３０重量％、好
ましくは０．５〜２０重量％程度である。前記酸洗浄に
より、反応混合液中のチタン分を２０ｐｐｍ以下にする
のが好ましい。チタン分が２０ｐｐｍを越えると、後の
水洗浄の際の分液性が悪くなり易い。なお、前記酸の水
溶液の代わりに、水又はフッ化カリウム水溶液を用いて
もよい。

【００４２】前記有機層の濃縮は、反応成分として用い
るアルコールの種類及び使用量に応じて、適宜行う。例
えば前記アルコールの沸点が溶媒の沸点より低い場合に
は、後の水洗時の分液操作が円滑に行える程度に、未反
応アルコールを留去させる。又、前記アルコールの沸点
が溶媒の沸点より高い場合には、後の水洗時に未反応ア
ルコールを水層側に移行し易くするため、反応生成物で
あるα−スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の
濃度が、５０重量％以上となる程度に濃縮するのが好ま
しい。

【００４３】前記水又は食塩水による洗浄は、残存する
酸や未反応アルコール等を除去するためになされる。水
等の使用量、洗浄回数に、特に制限はない。

【００４４】水等による洗浄後、脱溶媒することによ
り、目的化合物であるα−スルホニルオキシカルボン酸
エステル誘導体を得ることができる。本発明の方法によ
れば、副反応が著しく抑制されるため、脱溶媒するだけ
でも、高純度の目的化合物を得ることができる。なお、
必要に応じて、得られた濃縮残渣を蒸溜等に付すことに
より、さらに精製することもできる。

【００４５】本発明の好ましい態様を以下に挙げる。

【００４６】(1) Ｒ¹ が炭素数１〜６のアルキル基、Ｒ
² が低級アルキル基又は置換されていてもよいフェニル
基、Ｒ³ が炭素数１〜４のアルキル基である前記一般式
［Ｉ］のα−スルホニルオキシカルボン酸エステルと、
Ｒ⁴ が置換されていてもよいベンジル基である前記一般
式［ＩＩ］のアルコールとから、チタン酸エステル触媒
の存在下、エステル交換反応により、前記一般式［ＩＩ
Ｉ］（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ⁴ は上記と同じ）のα−ス
ルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体を得る方法で
あって、前記アルコールを、前記一般式［Ｉ］で表され
るα−スルホニルオキシカルボン酸エステル１モルに対
して１．０〜１．４モル用いるα−スルホニルオキシカ
ルボン酸エステル誘導体の製造方法。

【００４７】(2) 一般式［Ｉ］のα−スルホニルオキシ
カルボン酸エステルが、α−（ｐ−トルエンスルホニル
オキシ）プロピオン酸メチルである前記(1) 記載のα−
スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方
法。

【００４８】(3) 一般式［ＩＩ］のアルコールが、ベン
ジルアルコールである前記(1) 記載のα−スルホニルオ
キシカルボン酸エステル誘導体の製造方法。

【００４９】(4) 一般式［Ｉ］のα−スルホニルオキシ
カルボン酸エステルが、光学活性なα−スルホニルオキ
シカルボン酸エステルである前記(1) 記載のα−スルホ
ニルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方法。

【００５０】

【発明の効果】本発明の方法によれば、エステル交換反
応が選択的且つ円滑に進行するため、入手しやすい原料
から、簡便な操作により、α−スルホニルオキシカルボ
ン酸エステル誘導体を高い収率で製造することができ
る。

【００５１】

【実施例】以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定され
るものではない。

【００５２】実施例１ （Ｒ）−α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）プロピ
オン酸メチル２５．８ｇ（０．１モル；光学純度９９．
２％）、ベンジルアルコール１３．０ｇ（０．１２モ
ル）、チタン酸テトライソプロピル０．２６ｇ及びトル
エン２５．８ｇの混合液を、副生するメタノールをトル
エンとの共沸により系外に留去させながら、温度１１５
〜１２０℃で、９時間攪拌した。なお、留出したトルエ
ンを補充するため、トルエンの留出速度と同じ速度で、
トルエンを系内に逐次添加した。

【００５３】反応混合液を室温まで冷却した後、α−
（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）プロピオン酸ベンジ
ルの濃度が４０％以下になるようにトルエンを添加し、
１０％塩酸２５ｍｌで２回洗浄した。次いで、有機層の
α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）プロピオン酸ベ
ンジルの濃度が７５％となるまで濃縮し、７５ｍｌの水
で２回洗浄した。減圧下に溶媒を留去し、化学純度９
３．２％、光学純度９９．６％の（Ｒ）−α−（ｐ−ト
ルエンスルホニルオキシ）プロピオン酸ベンジル３５．
５ｇを得た。収率は９９％であった。

【００５４】比較例１ （Ｒ）−α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）プロピ
オン酸メチル２５．８ｇ（０．１モル；光学純度９９．
２％）、ベンジルアルコール５００ｍｌ及びチタン酸テ
トライソプロピル９．８９ｇ（０．３４８モル）の混合
液を、温度１１５〜１２０℃で、９時間攪拌した。

【００５５】反応混合液を室温まで冷却した後、１Ｎ塩
酸２５０ｍｌ加え、エーテルとペンタンの混合溶媒で抽
出した。有機層を飽和重曹水次いで飽和食塩水で洗浄し
た後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒及び未反
応のベンジルアルコールを減圧下に留去し、化学純度８
５％、光学純度９９．６％の（Ｒ）−α−（ｐ−トルエ
ンスルホニルオキシ）プロピオン酸ベンジル３５．４ｇ
を得た。収率は９０％であった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (56)参考文献 特開 昭63−170344（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−126189（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−172442（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−150250（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−157058（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−59265（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−31639（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−128337（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C07C 305/26 B01J 31/12 C07C 303/30 C07C 309/65 C07C 309/73 C07B 61/00 ＣＡ（ＳＴＮ) ＣＡＯＬＤ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式［Ｉ］ 【化１】 （式中、Ｒ¹ は炭素数１〜６のアルキル基、アリール基
   又はアラルキル基；Ｒ²はハロゲン原子、低級アルキル
   基、ハロゲン化低級アルキル基又はアリール基；Ｒ³ は
   炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数２〜４のアルケニ
   ル基を示す）で表されるα−スルホニルオキシカルボン
   酸エステルと、一般式［ＩＩ］ Ｒ⁴ ＯＨ ［ＩＩ］ （式中、Ｒ⁴ は炭素数２〜１０のアルキル基、２−置換
   エチル基、シクロアルキル基、アリール基又は置換され
   ていてもよいアラルキル基を示す）で表されるアルコー
   ルとから、チタン酸エステル触媒の存在下、エステル交
   換反応により、一般式［ＩＩＩ］ 【化２】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ⁴ は前記と同じ）で表されるα
   −スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体を得る方
   法であって、前記アルコールを、前記一般式［Ｉ］で表
   されるα−スルホニルオキシカルボン酸エステル１モル
   に対して１．０〜１．４モル用いるα−スルホニルオキ
   シカルボン酸エステル誘導体の製造方法。
2. 【請求項２】 一般式［Ｉ］で表されるα−スルホニル
   オキシカルボン酸エステルが、α−スルホニルオキシプ
   ロピオン酸エステルである請求項１記載のα−スルホニ
   ルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方法。
3. 【請求項３】 一般式［ＩＩ］で表されるアルコール
   が、置換されていてもよいベンジルアルコールである請
   求項１記載のα−スルホニルオキシカルボン酸エステル
   誘導体の製造方法。