JP3166842B2 - Wafer chamfering equipment - Google Patents
Wafer chamfering equipmentInfo
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ面取り装置
に係り、特にシリコン、セラミックス等の高脆性材料の
ウェーハの周縁を面取り加工するウェーハ面取り装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer chamfering apparatus, and more particularly to a wafer chamfering apparatus for chamfering a peripheral edge of a wafer made of a brittle material such as silicon or ceramic.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体素子の素材となるシリコン等のウ
ェーハは、インゴットの状態からスライシングマシン等
の切断機でスライスされたのち、その周縁の割れや欠け
等を防止するために外周部に面取り加工が施される。と
ころで、これらのウェーハの外周には、その結晶方向の
判別及び整列を容易にするためにオリフラ又はノッチが
形成されていることが多い。そして、これらのウェーハ
については、オリフラ又はノッチについても同様に面取
り加工を施す必要がある。2. Description of the Related Art A wafer made of silicon or the like as a material of a semiconductor element is sliced from a state of an ingot by a cutting machine such as a slicing machine, and chamfering is performed on an outer peripheral portion thereof in order to prevent cracking or chipping of the periphery. Is applied. Incidentally, an orientation flat or a notch is often formed on the outer periphery of these wafers in order to facilitate the determination and alignment of the crystal direction. For these wafers, it is necessary to similarly chamfer the orientation flat or the notch.
【0003】従来のウェーハ面取り装置では、オリフラ
については外周(ウェーハの円形の部分)を面取り加工
する砥石と同じ砥石(外周研削用砥石)を用いて面取り
加工していたが、ノッチについては外周研削用砥石とは
異なるノッチ専用の砥石(ノッチ研削用砥石)を用いて
面取り加工していた。そして、従来のウェーハ面取装置
では、このノッチ研削用砥石と外周研削用砥石とが同一
直線上に配置されていた。[0003] In the conventional wafer chamfering apparatus, the orientation flat is chamfered by using the same grindstone (grindstone for outer circumference grinding) as the grindstone for chamfering the outer circumference (circular portion of the wafer). Chamfering was performed using a notch-specific grindstone (notch grinding grindstone) different from the whetstone for grinding. In the conventional wafer chamfering apparatus, the notch grinding wheel and the outer periphery grinding wheel are arranged on the same straight line.
【0004】すなわち、図10(a)、(b)に示すよ
うに、従来のウェーハ面取り装置では、ノッチ研削用砥
石1と外周研削用砥石2とが同一直線L上に配置されて
おり、外周加工時にはノッチ研削用砥石1が上方に退避
できる構成とされていた。あるいは、ノッチ研削用砥石
が外周研削用砥石に対して上下方向に位置をずらして設
置されていた。That is, as shown in FIGS. 10 (a) and 10 (b), in the conventional wafer chamfering apparatus, the notch grinding wheel 1 and the outer circumference grinding wheel 2 are arranged on the same straight line L. At the time of processing, the notch grinding wheel 1 was configured to be retractable upward. Alternatively, the notch grinding wheel has been installed so as to be shifted vertically in relation to the outer circumference grinding wheel.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ウェーハ面取り装置では、加工位置P(外周研削用砥石
2に向かって直線L上を移動したウェーハWが外周研削
用砥石2と接触して研削される位置)の直前にノッチ研
削用砥石1が位置する構成となるため、外周研削用砥石
2やウェーハテーブル3のメンテナンスをする際にノッ
チ研削用砥石1が邪魔になり、作業がしにくいという欠
点があった。However, in the conventional wafer chamfering apparatus, the wafer W moved on the processing position P (on the straight line L toward the outer peripheral grinding wheel 2) is contacted with the outer peripheral grinding wheel 2 and ground. (The position where the notch grinding wheel 1 is located immediately before the position), the notch grinding wheel 1 hinders the maintenance of the outer circumference grinding wheel 2 and the wafer table 3, which makes the work difficult. was there.
【0006】また、ノッチ研削用砥石と外周研削用砥石
の位置をずらして設置した場合は、別途砥石又はウェー
ハを上下動させる機構が必要となるとともに、その上下
動のストロークを長く設定しなければならず、装置が複
雑かつ大型化するという欠点があった。同様にノッチ研
削用砥石を上方又は下方に退避させる場合には、このノ
ッチ研削用砥石を上方又は下方に移動させる機構が別途
必要となり、装置が複雑かつ大型化するという欠点があ
った。In addition, if the notch grinding wheel and the outer circumference grinding wheel are set at different positions, a mechanism for vertically moving the grinding wheel or wafer is required, and the stroke of the vertical movement must be set long. In addition, there is a disadvantage that the device is complicated and large. Similarly, when the notch grinding wheel is retracted upward or downward, a mechanism for moving the notch grinding wheel upward or downward is separately required, and there is a disadvantage that the apparatus becomes complicated and large.
【0007】また、一般にウェーハの面取り加工は粗研
加工と精研加工を行う必要があるが、従来は、この粗研
加工と精研加工を別々のウェーハ面取り装置を用いて行
っていた。または、粗研用と精研用の砥石を同軸上に配
置した複合砥石を用いて行っていた。しかしながら、粗
研加工と精研加工を別々のウェーハ面取り装置を用いて
行う場合は、ウェーハ面取り装置が2台必要となるとい
う欠点があるとともに、一方の装置から他方の装置にウ
ェーハを搬送する必要が生じるため、加工効率が悪いと
いう欠点があった。また、このウェーハを搬送する過程
でウェーハの中心がズレて加工精度が低下するという欠
点もあった。Further, in general, it is necessary to perform rough polishing and fine polishing for chamfering a wafer. Conventionally, the rough polishing and fine polishing have been performed using separate wafer chamfering apparatuses. Alternatively, the grinding was performed using a composite grinding wheel in which grinding wheels for rough grinding and fine grinding were coaxially arranged. However, when the rough polishing and the fine polishing are performed using different wafer chamfering apparatuses, there is a disadvantage that two wafer chamfering apparatuses are required, and it is necessary to transfer the wafer from one apparatus to the other apparatus. Therefore, there is a disadvantage that processing efficiency is poor. In addition, there is a disadvantage that the center of the wafer is displaced in the process of transporting the wafer, thereby lowering the processing accuracy.
【0008】一方、粗研用と精研用の砥石を同軸上に配
置した複合砥石を用いて面取り加工をした場合は1台の
ウェーハ面取り装置で粗研加工と精研加工を行うことが
できるが、ノッチ研削用砥石は細いため全長が長くなる
複合砥石とした場合は剛性が不足するという欠点があっ
た。本発明は、このような事情に鑑みてなされたもの
で、精度よくウェーハを面取り加工することができ、メ
ンテナンスが容易なウェーハ面取り装置を提供すること
を目的とする。On the other hand, when chamfering is performed using a compound whetstone in which grinding wheels for rough polishing and fine polishing are arranged coaxially, rough polishing and fine polishing can be performed by one wafer chamfering device. However, when the notch grinding wheel is thin, a composite wheel having a long overall length has a disadvantage that rigidity is insufficient. The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a wafer chamfering apparatus that can perform chamfering of a wafer with high accuracy and that is easy to maintain.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、外周研削用スピンドルに装着されて回転
する外周研削用砥石に向かってウェーハテーブルに保持
されて回転するウェーハを近づけることにより、ウェー
ハの外周を外周研削用砥石に押し当てて該ウェーハの外
周を面取り加工するとともに、ノッチスピンドルに装着
されて回転するノッチ研削用砥石に向かって前記ウェー
ハテーブルに保持されたウェーハを近づけることによ
り、ウェーハのノッチをノッチ研削用砥石に押し当てて
該ウェーハのノッチを面取り加工し、前記外周研削用砥
石は、粗研用の砥石と精研用の砥石とを同軸上に積み重
ねて構成されており、前記ノッチスピンドルは、粗研用
のノッチ研削用砥石が装着された第1ノッチスピンドル
と精研用のノッチ研削用砥石が装着された第2ノッチス
ピンドルとで構成され、前記第1ノッチスピンドルと第
2ノッチスピンドルとは、前記外周研削用スピンドルと
前記ウェーハテーブルとの間に配置されるとともに、そ
の中心が前記外周研削用スピンドルの中心と前記ウェー
ハテーブルの中心とを結ぶ直線を挟んで両側に設置され
ていることを特徴とする。The present invention SUMMARY OF], in order to achieve the above object, closer to the rotating wafer held by the window Ehateburu toward the outer periphery grinding grindstone that rotates is mounted on the outer peripheral grinding spindles it result, the pressed against the outer periphery of the wafer to the outer periphery grinding grindstone for chamfering the outer periphery of the wafer, close the wafer held on the wafer table toward the grindstone notch grinding which rotates is mounted on the notch spindle by the notch of the wafer is chamfered by pressing a notch of wafer grinding notch grinding, before Kigaishu grinding wheels, a stack of the grinding wheel and grinding wheel for fine Labs for coarse Labs coaxially The notch spindle comprises a first notch spindle equipped with a notch grinding wheel for rough grinding and a notch grinding for fine grinding. A first notch spindle and a second notch spindle are disposed between the outer peripheral grinding spindle and the wafer table, and the center thereof is the second notch spindle. It is provided on both sides of a straight line connecting the center of the outer periphery grinding spindle and the center of the wafer table.
【0010】本発明によれば、外周研削用スピンドルの
中心とウェーハテーブルの中心とを結ぶ直線に対してオ
フセットされた位置にノッチ研削用スピンドルが設置さ
れている。According to the present invention, the notch grinding spindle is provided at a position offset with respect to a straight line connecting the center of the outer periphery grinding spindle and the center of the wafer table.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るウェーハ面取り装置の好ましい実施の形態について詳
説する。図1、図2は、それぞれ本発明に係るウェーハ
面取り装置10の構成を示す側面図と平面図である。ま
た、図3、図4は、それぞれ図1のA−A断面図とB−
B断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a wafer chamfering apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. 1 and 2 are a side view and a plan view, respectively, showing the configuration of a wafer chamfering apparatus 10 according to the present invention. FIGS. 3 and 4 are sectional views taken along the line AA of FIG.
It is B sectional drawing.
【0012】図1、図2に示すように、本実施の形態の
ウェーハ面取り装置10は、主としてウェーハ送りユニ
ット42、外周研削ユニット44及びノッチ研削ユニッ
ト46から構成されている。まず、ウェーハ送りユニッ
ト42の構成について説明する。図1、図2及び図3に
示すように、水平に配設されたベースプレート50上に
は、一対のY軸ガイドレール52、52が所定の間隔を
もって敷設されている。この一対のY軸ガイドレール5
2、52上にはY軸リニアガイド54、54、…を介し
てY軸テーブル56がスライド自在に支持されている。As shown in FIGS. 1 and 2, the wafer chamfering apparatus 10 according to the present embodiment mainly includes a wafer feed unit 42, an outer peripheral grinding unit 44, and a notch grinding unit 46. First, the configuration of the wafer feeding unit 42 will be described. As shown in FIGS. 1, 2, and 3, a pair of Y-axis guide rails 52 are laid at predetermined intervals on a base plate 50 disposed horizontally. This pair of Y-axis guide rails 5
A Y-axis table 56 is slidably supported on 2, 52 via Y-axis linear guides 54, 54,.
【0013】Y軸テーブル56の下面にはナット部材5
8が固着されており、該ナット部材58は前記一対のY
軸ガイドレール52、52の間に配設されたY軸ボール
ネジ60に螺合されている。Y軸ボールネジ60は、そ
の両端部が前記ベースプレート50上に配設された軸受
部材62、62に回動自在に支持されており、その一方
端には一方の軸受部材62に設けられたY軸モータ64
の出力軸が連結されている。Y軸ボールネジ60は、こ
のY軸モータ64を駆動することにより回動し、この結
果、前記Y軸テーブル56がY軸ガイドレール52、5
2に沿って水平にスライド移動する。なお、以下、この
Y軸テーブル56がスライドする方向をY軸方向とす
る。The nut member 5 is provided on the lower surface of the Y-axis table 56.
The nut member 58 is fixed to the pair of Y members.
It is screwed to a Y-axis ball screw 60 disposed between the axis guide rails 52, 52. Both ends of the Y-axis ball screw 60 are rotatably supported by bearing members 62, 62 disposed on the base plate 50, and one end of the Y-axis ball screw 60 is provided on one of the bearing members 62. Motor 64
Output shafts are connected. The Y-axis ball screw 60 is rotated by driving the Y-axis motor 64. As a result, the Y-axis table 56
Slide horizontally along 2. Hereinafter, the direction in which the Y-axis table 56 slides is referred to as the Y-axis direction.
【0014】前記Y軸テーブル56上には、図1、図2
及び図4に示すように、前記一対のY軸ガイドレール5
2、52と直交するように一対のX軸ガイドレール6
6、66が敷設されている。この一対のX軸ガイドレー
ル66、66上にはX軸リニアガイド68、68、…を
介してX軸テーブル70がスライド自在に支持されてい
る。FIG. 1 and FIG.
And the pair of Y-axis guide rails 5 as shown in FIG.
A pair of X-axis guide rails 6 orthogonal to 2 and 52
6, 66 are laid. An X-axis table 70 is slidably supported on the pair of X-axis guide rails 66 via X-axis linear guides 68, 68,.
【0015】X軸テーブル70の下面にはナット部材7
2が固着されており、該ナット部材72は前記一対のX
軸ガイドレール66、66の間に配設されたX軸ボール
ネジ74に螺合されている。X軸ボールネジ74は、そ
の両端部が前記X軸テーブル70上に配設された軸受部
材76、76に回動自在に支持されており、その一方端
には一方の軸受部材76に設けられたX軸モータ78の
出力軸が連結されている。X軸ボールネジ74は、この
X軸モータ78を駆動することにより回動し、この結
果、前記X軸テーブル70がX軸ガイドレール66、6
6に沿って水平にスライド移動する。なお、以下、この
X軸テーブル70がスライドする方向をX軸方向とす
る。On the lower surface of the X-axis table 70, a nut member 7 is provided.
The nut member 72 is fixed to the pair of Xs.
It is screwed into an X-axis ball screw 74 provided between the axis guide rails 66,66. Both ends of the X-axis ball screw 74 are rotatably supported by bearing members 76, 76 disposed on the X-axis table 70, and one end thereof is provided on one bearing member 76. The output shaft of the X-axis motor 78 is connected. The X-axis ball screw 74 is rotated by driving the X-axis motor 78. As a result, the X-axis table 70 is moved to the X-axis guide rails 66,6.
Slide horizontally along 6. Hereinafter, the direction in which the X-axis table 70 slides is referred to as the X-axis direction.
【0016】前記X軸テーブル70上には、図1及び図
2に示すように、垂直にZ軸ベース80が立設されてお
り、該Z軸ベース80には一対のZ軸ガイドレール8
2、82が所定の間隔をもって敷設されている。この一
対のZ軸ガイドレール82、82にはZ軸リニアガイド
84、84を介してZ軸テーブル86がスライド自在に
支持されている。As shown in FIGS. 1 and 2, a Z-axis base 80 is vertically provided on the X-axis table 70, and a pair of Z-axis guide rails 8 are provided on the Z-axis base 80.
2, 82 are laid at predetermined intervals. A Z-axis table 86 is slidably supported on the pair of Z-axis guide rails 82 via Z-axis linear guides 84, 84.
【0017】Z軸テーブル86の側面にはナット部材8
8が固着されており、該ナット部材88は前記一対のZ
軸ガイドレール82、82の間に配設されたZ軸ボール
ネジ90に螺合されている。Z軸ボールネジ90は、そ
の両端部が前記Z軸ベース80に配設された軸受部材9
2、92に回動自在に支持されており、その下端部には
下側の軸受部材92に設けられたZ軸モータ94の出力
軸が連結されている。Z軸ボールネジ90は、このZ軸
モータ94を駆動することにより回動し、この結果、前
記Z軸テーブル86がZ軸ガイドレール82、82に沿
って垂直にスライド移動する。なお、以下、このZ軸テ
ーブル86がスライドする方向をZ軸方向とする。The nut member 8 is provided on the side surface of the Z-axis table 86.
The nut member 88 is fixed to the pair of Zs.
It is screwed into a Z-axis ball screw 90 provided between the axis guide rails 82,82. The Z-axis ball screw 90 has a bearing member 9 whose both ends are disposed on the Z-axis base 80.
2, 92, the lower end of which is connected to the output shaft of a Z-axis motor 94 provided on the lower bearing member 92. The Z-axis ball screw 90 is rotated by driving the Z-axis motor 94. As a result, the Z-axis table 86 slides vertically along the Z-axis guide rails 82. Hereinafter, the direction in which the Z-axis table 86 slides is referred to as a Z-axis direction.
【0018】前記Z軸テーブル86上にはθ軸モータ9
6が垂直に設置されている。このθ軸モータ96の出力
軸にはθ軸シャフト98が連結されており、このθ軸シ
ャフト98の上端部にウェーハテーブル100が水平に
固着されている。面取り加工するウェーハWは、このウ
ェーハテーブル100上に位置決めして載置され、真空
吸着によって保持される。そして、保持されたウェーハ
Wは、前記θ軸モータ96を駆動することによりθ軸回
りに回転する。On the Z-axis table 86, a θ-axis motor 9
6 are installed vertically. The output shaft of the θ-axis motor 96 is connected to a θ-axis shaft 98, and a wafer table 100 is horizontally fixed to the upper end of the θ-axis shaft 98. The wafer W to be chamfered is positioned and mounted on the wafer table 100, and is held by vacuum suction. Then, the held wafer W is rotated around the θ axis by driving the θ axis motor 96.
【0019】以上のように構成されたウェーハ送りユニ
ット42において、ウェーハWを保持したウェーハテー
ブル100は、Y軸モータ64を駆動することによりY
軸方向に沿って水平にスライド移動し、X軸モータ78
を駆動することによりX軸方向に沿って水平にスライド
移動する。そして、Z軸モータ94を駆動することによ
りZ軸方向に沿って垂直にスライド移動し、θ軸モータ
96を駆動することによりθ軸回りに回転する。In the wafer feeding unit 42 configured as described above, the wafer table 100 holding the wafer W is driven
The X-axis motor 78 slides horizontally along the axial direction.
Is driven to slide horizontally along the X-axis direction. Then, by driving the Z-axis motor 94, it slides vertically along the Z-axis direction, and rotates around the θ-axis by driving the θ-axis motor 96.
【0020】次に、外周研削ユニット44の構成につい
て説明する。図1、図2及び図5に示すように、前記ベ
ースプレート50上には垂直に架台102が設置されて
いる。架台102上には外周モータ104が垂直に設置
されており、この外周モータ104の出力軸には外周ス
ピンドル106が連結されている。ウェーハWの外周を
面取り加工する外周研削用砥石108は、この外周スピ
ンドル106に装着される。Next, the configuration of the outer peripheral grinding unit 44 will be described. As shown in FIGS. 1, 2 and 5, a gantry 102 is installed vertically on the base plate 50. An outer peripheral motor 104 is installed vertically on the gantry 102, and an outer peripheral spindle 106 is connected to an output shaft of the outer peripheral motor 104. An outer peripheral grinding wheel 108 for chamfering the outer periphery of the wafer W is mounted on the outer peripheral spindle 106.
【0021】ここで、この外周研削用砥石108は、粗
研用の砥石108Aと精研用の砥石108Bを同軸上に
積み重ねて構成されており(複合砥石)、一つの砥石で
粗加工と仕上げ加工を一度にできるように構成されてい
る。また、この粗研用の砥石108Aと精研用の砥石1
08Bの外周には、それぞれウェーハWに要求される面
取り形状と同じ形状の溝108a、108bが形成され
ており(総形砥石)、この溝108a、108bにウェ
ーハWの外周を押し当てることにより、ウェーハWの外
周が面取り加工される。The outer peripheral grinding wheel 108 is composed of a grindstone 108A for rough grinding and a grindstone 108B for fine grinding stacked coaxially (composite grindstone), and roughing and finishing with one grindstone. It is configured so that processing can be performed at once. The grinding wheel 108A for rough grinding and the grinding wheel 1 for fine grinding were used.
A groove 108a, 108b having the same shape as the chamfered shape required for the wafer W is formed on the outer periphery of the wafer 08B (form grindstone). By pressing the outer periphery of the wafer W against the grooves 108a, 108b, The outer periphery of the wafer W is chamfered.
【0022】なお以下、必要に応じて前記粗研用の砥石
108Aを外周粗研用砥石108Aと呼び、精研用の砥
石108Bを外周精研用砥石108Bと呼ぶ。また、前
記外周研削用砥石108の回転中心Oを通り前記Y軸ガ
イドレール52、52と平行な直線を『Y軸』と呼び、
外周研削用砥石108の回転中心Oを通り、前記X軸ガ
イドレール66、66と平行な直線を『X軸』と呼ぶ。
また、外周研削用砥石108の回転軸を『Z軸』とす
る。Hereinafter, the grindstone 108A for rough grinding will be referred to as a grindstone 108A for rough grinding, and the grindstone 108B for fine grinding will be referred to as a grindstone 108B for fine grinding as necessary. A straight line passing through the rotation center O of the outer peripheral grinding wheel 108 and being parallel to the Y-axis guide rails 52, 52 is referred to as a “Y-axis”,
A straight line that passes through the rotation center O of the outer peripheral grinding wheel 108 and is parallel to the X-axis guide rails 66 is referred to as an “X-axis”.
The rotation axis of the outer peripheral grinding wheel 108 is referred to as “Z axis”.
【0023】次に、ノッチ研削ユニット46の構成につ
いて説明する。図1、図2及び図5に示すように、前記
架台102の両側部には前記外周研削用砥石108の回
転軸に沿って一対の支柱110A、110Bが垂直に配
設されている。この一対の支柱110A、110Bの下
端部は前記架台102に支持されている。前記一対の支
柱110A、110Bの上端部には、それぞれ水平な梁
部111A、111Bが一体成形されている。この梁部
111A、111Bの先端には、それぞれ一対の軸受部
材112A、112Bが配設されており、該軸受部材1
12A、112Bにピン114A、114Bを介してア
ーム116A、116Bが揺動自在に支持されている。
このアーム116A、116Bは、それぞれ図示しない
ロック手段によって水平位置(図5の実線の位置)及び
垂直位置(図4の二点破線の位置)においてロックされ
る。なお、以下この一対のアーム116A、116Bを
それぞれ第1アーム116A、第2アーム116Bと呼
ぶ。Next, the configuration of the notch grinding unit 46 will be described. As shown in FIG. 1, FIG. 2 and FIG. 5, a pair of columns 110A and 110B are vertically arranged on both sides of the gantry 102 along the rotation axis of the outer peripheral grinding wheel 108. The lower ends of the pair of columns 110A and 110B are supported by the gantry 102. Horizontal beams 111A and 111B are integrally formed on upper ends of the pair of columns 110A and 110B, respectively. A pair of bearing members 112A and 112B are provided at the ends of the beam portions 111A and 111B, respectively.
Arms 116A and 116B are swingably supported by 12A and 112B via pins 114A and 114B.
The arms 116A and 116B are locked in a horizontal position (a position indicated by a solid line in FIG. 5) and a vertical position (a position indicated by a two-dot broken line in FIG. 4) by lock means (not shown). Hereinafter, the pair of arms 116A and 116B will be referred to as a first arm 116A and a second arm 116B, respectively.
【0024】前記第1アーム116Aと第2アーム11
6Bの先端には、それぞれ第1ノッチモータ118Aと
第2ノッチモータ118Bが支持されている。この第1
ノッチモータ118Aと第2ノッチモータ118Bの出
力軸には、それぞれ第1ノッチスピンドル120Aと第
2ノッチスピンドル120Bが連結されている。前記第
1ノッチスピンドル120Aには、ノッチ粗研用砥石1
22Aが装着されており、このノッチ粗研用砥石122
Aによってノッチの粗研面取り加工が行われる。一方、
前記第2ノッチスピンドル120Bには、ノッチ精研用
砥石122Bが装着されており、このノッチ精研用砥石
122Bによってノッチの仕上げ面取り加工が行われ
る。The first arm 116A and the second arm 11
A first notch motor 118A and a second notch motor 118B are supported at the tips of 6B, respectively. This first
A first notch spindle 120A and a second notch spindle 120B are connected to output shafts of the notch motor 118A and the second notch motor 118B, respectively. The first notch spindle 120A has a notch rough grinding wheel 1
22A is mounted, and the notch rough grinding grindstone 122
A performs rough polishing of the notch. on the other hand,
The second notch spindle 120B is provided with a notch grinding wheel 122B, and the notch finishing grinding chamfering is performed by the notch grinding wheel 122B.
【0025】ところで、図2及び図5に示すように、前
記第1ノッチスピンドル120Aと第2ノッチスピンド
ル120Bは、前記第1アーム116Aと第2アーム1
16Bが水平に保持されると、Y軸を挟んで左右対称位
置に配置される。また、前記外周研削用砥石108と同
じ高さの位置に配置される。なお、詳しくは図示されて
いないが、このノッチ粗研用砥石122Aとノッチ精研
用砥石122Bの外周にも前記外周研削用砥石108と
同様にウェーハWに要求される面取り形状と同じ形状の
溝が形成されている。As shown in FIGS. 2 and 5, the first notch spindle 120A and the second notch spindle 120B are connected to the first arm 116A and the second arm 1A.
When 16B is held horizontally, it is arranged at a symmetrical position with respect to the Y axis. Further, it is arranged at a position at the same height as the outer peripheral grinding wheel 108. Although not shown in detail, a groove having the same shape as the chamfering shape required for the wafer W is also provided on the outer periphery of the notch rough grinding grindstone 122A and the notch fine grinding grindstone 122B similarly to the outer periphery grinding grindstone 108. Are formed.
【0026】次に、前記のごとく構成された本発明に係
るウェーハ面取り装置10の実施の形態の作用について
説明する。初期状態において、ウェーハテーブル100
は、その回転軸θがY軸上に位置するとともに、外周研
削用砥石108から所定距離離れた位置に位置してい
る。また、外周研削用砥石108に対して所定高さの位
置に位置している。以下、このウェーハテーブル100
の位置を『原点位置』とする。Next, the operation of the embodiment of the wafer chamfering apparatus 10 according to the present invention configured as described above will be described. In the initial state, the wafer table 100
Is located at a position a predetermined distance away from the outer peripheral grinding wheel 108 while its rotation axis θ is located on the Y axis. In addition, it is located at a position at a predetermined height with respect to the outer peripheral grinding wheel 108. Hereinafter, this wafer table 100
Is the “origin position”.
【0027】まず、ウェーハWを図示しない搬送装置に
よってウェーハテーブル100上に位置決めして載置す
る。この際、ウェーハWは、その中心OW がウェーハテ
ーブル100の回転軸θと一致するように載置し、ま
た、そのノッチNOがY軸上に位置するように載置す
る。ウェーハWがウェーハテーブル100上に載置され
ると、そのウェーハWがウェーハテーブル100に吸着
保持される。そして、このウェーハWがウェーハテーブ
ル100に吸着保持されるとウェーハWの面取り加工が
開始される。ウェーハWの面取り加工は、まずウェーハ
Wの外周の部分(ウェーハWの円形の部分)Cから行わ
れる。First, the wafer W is positioned and placed on the wafer table 100 by a transfer device (not shown). At this time, the wafer W is the center O W is placed so as to coincide with the rotational axis θ of the wafer table 100, also the notch NO is placed so as to be positioned on the Y axis. When the wafer W is placed on the wafer table 100, the wafer W is suction-held on the wafer table 100. When the wafer W is held by suction on the wafer table 100, chamfering of the wafer W is started. The chamfering of the wafer W is first performed from a peripheral portion C of the wafer W (a circular portion of the wafer W).
【0028】図6(a)〜(d)には、そのウェーハW
の外周Cを面取り加工する場合の加工手順が示されてい
る。まず、Z軸モータ94が駆動され、ウェーハテーブ
ル100がZ軸方向に沿って所定量移動する。これによ
り、ウェーハテーブル100に保持されたウェーハWが
外周研削用砥石108の溝108aと同じ高さに位置す
る。このウェーハWの位置を『外周粗研加工位置』とす
る。FIGS. 6A to 6D show the wafer W
The processing procedure in the case of chamfering the outer periphery C of FIG. First, the Z-axis motor 94 is driven, and the wafer table 100 moves a predetermined amount along the Z-axis direction. As a result, the wafer W held on the wafer table 100 is positioned at the same height as the groove 108a of the outer peripheral grinding wheel 108. This position of the wafer W is referred to as an “outer periphery rough polishing position”.
【0029】次に、外周モータ104とθ軸モータ96
が駆動され、外周研削用砥石108とウェーハテーブル
100が共に同方向に高速回転する。次に、Y軸モータ
64が駆動され、ウェーハWがY軸上を外周研削用砥石
108に向かって送られる。このとき、ウェーハWは外
周研削用砥石108に接触する直前まで比較的速いスピ
ードで送られ、その後、減速してゆっくりとしたスピー
ドで送られる。Next, the outer peripheral motor 104 and the θ-axis motor 96
Is driven, and both the outer peripheral grinding wheel 108 and the wafer table 100 rotate at high speed in the same direction. Next, the Y-axis motor 64 is driven, and the wafer W is sent on the Y-axis toward the outer peripheral grinding wheel 108. At this time, the wafer W is sent at a relatively high speed until just before it comes into contact with the outer peripheral grinding wheel 108, and then is sent at a reduced speed and at a slow speed.
【0030】外周研削用砥石108に向かって送られた
ウェーハWは、図6(b)に示すように、その外周が外
周粗研用砥石108Aの溝108aに接触する。この接
触後もウェーハWはゆっくりとしたスピードで外周研削
用砥石108に向けて送られ、この結果、ウェーハWの
外周Cが外周粗研用砥石108Aに微小量ずつ研削され
て粗面取り加工される。As shown in FIG. 6B, the wafer W sent to the outer peripheral grinding wheel 108 has its outer periphery in contact with the groove 108a of the outer peripheral rough grinding wheel 108A. Even after this contact, the wafer W is sent at a slow speed toward the outer peripheral grinding grindstone 108, and as a result, the outer periphery C of the wafer W is ground by a minute amount on the outer peripheral rough grinding grindstone 108A and roughened. .
【0031】図6(c)に示すように、ウェーハWの送
りは、外周研削用砥石108とウェーハテーブル100
との軸間距離が所定距離L1 に達するまで与えられる。
そして、この軸間距離が所定距離L1 に達するとY軸モ
ータ64の駆動が停止される。停止後、Y軸モータ64
は逆方向に駆動され、これにより、ウェーハWがY軸上
を外周研削用砥石108から離れる方向に移動する。そ
して、図6(d)に示すように、ウェーハWが前記外周
粗研加工位置に復帰すると、Y軸モータ64の駆動が停
止される。As shown in FIG. 6 (c), the wafer W is fed by an outer peripheral grinding wheel 108 and a wafer table 100.
Center distance between the given reaches a predetermined distance L 1.
Then, the center distance is driven in the Y-axis motor 64 reaches a predetermined distance L 1 is stopped. After stopping, the Y-axis motor 64
Is driven in the opposite direction, whereby the wafer W moves on the Y-axis in a direction away from the outer peripheral grinding wheel 108. Then, as shown in FIG. 6D, when the wafer W returns to the outer peripheral rough polishing position, the driving of the Y-axis motor 64 is stopped.
【0032】以上により、ウェーハWの外周Cの粗面取
り加工が終了する。次に、ウェーハWの外周の仕上げ面
取り加工が行われる。ウェーハWが外周粗研加工位置に
復帰すると、Z軸モータ94が駆動され、ウェーハテー
ブル100がZ軸方向に沿って所定量移動する。この結
果、ウェーハWが外周精研用砥石108Bの溝108b
と同じ高さに位置する。このウェーハWの位置を『外周
精研加工位置』とする。With the above, the rough chamfering of the outer periphery C of the wafer W is completed. Next, finish chamfering of the outer periphery of the wafer W is performed. When the wafer W returns to the outer circumferential roughing processing position, the Z-axis motor 94 is driven, and the wafer table 100 moves by a predetermined amount along the Z-axis direction. As a result, the wafer W is placed in the groove 108b of the outer peripheral grinding wheel 108B.
And located at the same height. The position of the wafer W is referred to as “peripheral fine polishing position”.
【0033】次に、Y軸モータ64が駆動され、ウェー
ハWがY軸上を外周研削用砥石108に向かって送られ
る。このとき、ウェーハWは前記同様に外周研削用砥石
108に接触する直前まで比較的速いスピードで送ら
れ、その後、減速してゆっくりとしたスピードで送られ
る。外周研削用砥石108に向かって送られたウェーハ
Wは、その外周Cが外周精研用砥石108Bの溝108
bに接触する。この接触後もウェーハWはゆっくりとし
たスピードで外周研削用砥石108に向けて送られ、こ
の結果、ウェーハWの外周Cが外周精研用砥石108B
に微小量ずつ研削されて仕上げ面取り加工される。Next, the Y-axis motor 64 is driven, and the wafer W is sent on the Y-axis to the outer peripheral grinding wheel 108. At this time, the wafer W is sent at a relatively high speed until just before the wafer W comes into contact with the outer peripheral grinding wheel 108, and then sent at a reduced speed. The outer periphery C of the wafer W sent toward the outer peripheral grinding wheel 108 has a groove 108 of the outer peripheral polishing wheel 108B.
b. Even after this contact, the wafer W is sent at a slow speed toward the outer peripheral grinding wheel 108, and as a result, the outer periphery C of the wafer W is moved to the outer peripheral grinding wheel 108B.
, And are ground and chamfered.
【0034】ウェーハWの送りは、外周研削用砥石10
8とウェーハテーブル100との軸間距離が所定距離L
2 に達するまで与えられる。そして、この軸間距離が所
定距離L2 に達するとY軸モータ64の駆動が停止され
る。停止後、Y軸モータ64は逆方向に駆動され、これ
により、ウェーハWがY軸上を外周研削用砥石108か
ら離れる方向に移動する。そして、ウェーハWが前記外
周精研加工位置に復帰すると、Y軸モータ64の駆動が
停止される。The wafer W is fed by an outer peripheral grinding wheel 10.
8 and the wafer table 100 have a predetermined distance L
Given until 2 is reached. Then, the center distance is driven in the Y-axis motor 64 reaches a predetermined distance L 2 is stopped. After the stop, the Y-axis motor 64 is driven in the reverse direction, whereby the wafer W moves on the Y-axis in a direction away from the outer peripheral grinding wheel 108. Then, when the wafer W returns to the outer periphery fine polishing position, the driving of the Y-axis motor 64 is stopped.
【0035】前記Y軸モータ64の駆動停止とともに、
前記外周モータ104とθ軸モータ96の駆動も停止さ
れ、これにより、外周研削用砥石108とウェーハWの
回転が停止する。以上により、ウェーハWの外周Cの仕
上げ面取り加工が終了する。次いで、ウェーハWのノッ
チNOの面取り加工が行われる。When the driving of the Y-axis motor 64 is stopped,
The driving of the outer peripheral motor 104 and the θ-axis motor 96 is also stopped, whereby the rotation of the outer peripheral grinding wheel 108 and the wafer W is stopped. Thus, finish chamfering of the outer periphery C of the wafer W is completed. Next, chamfering of the notch NO of the wafer W is performed.
【0036】前記外周精研加工位置に復帰したウェーハ
Wは、図7(a)に示すように、そのノッチNOがY軸
上に位置している。この状態から、まず、X軸モータ7
8が駆動され、ウェーハWがX軸方向に所定量移動す
る。この結果、図7(b)に示すように、ウェーハWに
形成されたノッチNOの一方側のノッチコーナーNR
が、ノッチ粗研用砥石122Aを通りY軸と平行な直線
上に位置する。次に、Z軸モータ94が駆動され、ウェ
ーハWがZ軸方向に沿って所定量移動する。この結果、
ウェーハWがノッチ粗研用砥石122Aの溝と同じ高さ
に位置する。このウェーハWの位置を『ノッチ粗研加工
位置』とする。As shown in FIG. 7A, the notch NO of the wafer W that has returned to the outer peripheral fine polishing position is located on the Y axis. From this state, first, the X-axis motor 7
8, the wafer W is moved by a predetermined amount in the X-axis direction. As a result, as shown in FIG. 7B, the notch corner NR on one side of the notch NO formed on the wafer W
Are located on a straight line that passes through the notch rough grinding wheel 122A and is parallel to the Y axis. Next, the Z-axis motor 94 is driven, and the wafer W moves by a predetermined amount along the Z-axis direction. As a result,
The wafer W is located at the same height as the groove of the notch rough grinding wheel 122A. The position of the wafer W is referred to as a “notch rough polishing processing position”.
【0037】ノッチ粗研加工位置にウェーハWが位置す
ると、次に、第1ノッチモータ118Aが駆動され、ノ
ッチ粗研用砥石122Aが高速回転する。これと同時に
Y軸モータ64が駆動され、ウェーハWがノッチ粗研用
砥石122Aに向かって移動する。ウェーハWが所定距
離移動するとY軸モータ64の駆動は停止され、この結
果、図7(c)に示すように、ウェーハWの一方側のノ
ッチコーナーNRがノッチ粗研用砥石122Aの溝に当
接する。そして、この当接と同時にX軸モータ78及び
Y軸モータ64が同時に駆動され、ウェーハWにX軸方
向及びY軸方向の送りが与えられる。この送りはノッチ
コーナーNRの形状に沿って与えられ、この結果、ノッ
チコーナーNRが常にノッチ粗研用砥石122Aに当接
して、ノッチコーナーNRが粗面取り加工される。When the wafer W is located at the notch rough grinding position, the first notch motor 118A is driven, and the notch rough grinding wheel 122A rotates at a high speed. At the same time, the Y-axis motor 64 is driven, and the wafer W moves toward the notch rough grinding grindstone 122A. When the wafer W moves by a predetermined distance, the driving of the Y-axis motor 64 is stopped. As a result, as shown in FIG. 7C, the notch corner NR on one side of the wafer W hits the groove of the notch rough grinding grindstone 122A. Touch Then, simultaneously with this contact, the X-axis motor 78 and the Y-axis motor 64 are simultaneously driven, so that the wafer W is fed in the X-axis direction and the Y-axis direction. This feed is given along the shape of the notch corner NR. As a result, the notch corner NR always comes into contact with the notch rough grinding grindstone 122A, and the notch corner NR is rough-chamfered.
【0038】ノッチコーナーNRの粗面取りが終了する
と、連続してウェーハWにX軸方向及びY軸方向の送り
が与えられ、ウェーハWのノッチNOの面取りが行われ
る。すなわち、図7(d)に示すように、ノッチNOが
常にノッチ粗研用砥石122Aに当接するように、ノッ
チNOの形状に沿ってウェーハWに送りが与えられる。
同図の場合、ノッチNOはV字状に形成されているの
で、このV字状のノッチNOの形状に沿ってV字を描く
ようにウェーハWに送りが与えられる。この結果、V字
状に形成されたノッチNOが粗面取り加工される。When the rough chamfering of the notch corner NR is completed, the wafer W is continuously fed in the X-axis direction and the Y-axis direction, and the notch NO of the wafer W is chamfered. That is, as shown in FIG. 7 (d), the wafer W is fed along the shape of the notch NO such that the notch NO always contacts the notch rough grinding grindstone 122A.
In this case, the notch NO is formed in a V-shape, so that the wafer W is fed so as to draw a V-shape along the shape of the V-shaped notch NO. As a result, the notch NO formed in the V shape is rough chamfered.
【0039】ノッチNOの粗面取り加工が終了すると、
図7(e)に示すように、ノッチ粗研用砥石122Aと
ウェーハWとの接触点が他方側のノッチコーナーNRに
達する。そして、この接触点が他方側のノッチコーナー
NRに達すると、連続的にノッチコーナーNRの面取り
が行われる。すなわち、ウェーハWにX軸方向の送りと
Y軸方向の送りが与えられ、ノッチコーナーNRが常に
ノッチ粗研用砥石122Aに当接するようにウェーハW
に送りが与えられる(ノッチコーナーNRの形状に沿っ
た送りが与えられる。)。この結果、ウェーハWの他方
側のノッチコーナーNRが粗面取り加工される。When the roughing of the notch NO is completed,
As shown in FIG. 7E, the contact point between the notch rough grinding grindstone 122A and the wafer W reaches the notch corner NR on the other side. When the contact point reaches the notch corner NR on the other side, the notch corner NR is chamfered continuously. That is, feed in the X-axis direction and feed in the Y-axis direction are given to the wafer W, so that the notch corner NR always contacts the notch rough grinding grindstone 122A.
(A feed along the shape of the notch corner NR is provided). As a result, the notch corner NR on the other side of the wafer W is rough-chamfered.
【0040】他方側のノッチコーナーNRの面取りが終
了すると、ウェーハWの送りは、一時停止される。そし
て、この状態から上記と逆の操作によってウェーハWに
送りが与えられ、図7(f)及び図7(g)に示すよう
に、逆方向に向けてノッチコーナーNR、ノッチNO及
び他方側のノッチコーナーNRが順に粗面取り加工され
る。When the chamfering of the notch corner NR on the other side is completed, the feeding of the wafer W is temporarily stopped. Then, from this state, the wafer W is fed by the reverse operation to the above, and as shown in FIGS. 7F and 7G, the notch corner NR, the notch NO and the other side Notch corners NR are sequentially rough-chamfered.
【0041】以上の操作を複数回繰り返すことにより、
ノッチNO及びノッチコーナーNRの粗面取り加工がな
される。ノッチNO及びノッチコーナーNRの粗面取り
加工が終了すると、図7(g)に示すように、ウェーハ
Wは最初にノッチ粗研用砥石122Aと接触した位置で
停止する。そして、その停止後、ノッチ研削用砥石12
2Aから離れる方向に向かって所定量移動し、図7
(h)に示すノッチ粗研加工位置に復帰する。By repeating the above operation a plurality of times,
Rough chamfering of the notch NO and the notch corner NR is performed. When the rough chamfering of the notch NO and the notch corner NR is completed, as shown in FIG. 7G, the wafer W first stops at a position where the wafer W comes into contact with the notch rough grinding wheel 122A. Then, after the stop, the notch grinding wheel 12
7A, moving a predetermined amount in a direction away from 2A.
It returns to the notch roughing processing position shown in (h).
【0042】一方、ウェーハWがノッチ粗研加工位置に
復帰すると、第1ノッチモータ118Aの駆動が停止さ
れ、ノッチ粗研用砥石122Aの回転が停止する。以上
により、ウェーハWのノッチNOの粗面取り加工が終了
する。次いで、ウェーハWのノッチNOの仕上げ面取り
加工が行われる。ウェーハWがノッチ粗研加工位置に復
帰すると、X軸モータ78が駆動され、ウェーハWがX
軸方向に所定量移動する。この結果、図8(a)に示す
ように、ウェーハWに形成されたノッチNOの一方側の
ノッチコーナーNRが、精研用砥石122Bを通りY軸
と平行な直線上に位置する。次に、Z軸モータ94が駆
動され、ウェーハWがZ軸方向に沿って所定量移動す
る。この結果、ウェーハWがノッチ精研用砥石122B
の溝と同じ高さに位置する。以下、このウェーハWの位
置を『ノッチ精研加工位置』とする。On the other hand, when the wafer W returns to the notch rough polishing processing position, the driving of the first notch motor 118A is stopped, and the rotation of the notch rough polishing grindstone 122A is stopped. Thus, the rough chamfering of the notch NO of the wafer W is completed. Next, finish chamfering of the notch NO of the wafer W is performed. When the wafer W returns to the notch rough polishing position, the X-axis motor 78 is driven, and the wafer W
Move a predetermined amount in the axial direction. As a result, as shown in FIG. 8A, the notch corner NR on one side of the notch NO formed on the wafer W is positioned on a straight line passing through the fine grinding wheel 122B and parallel to the Y axis. Next, the Z-axis motor 94 is driven, and the wafer W moves by a predetermined amount along the Z-axis direction. As a result, the wafer W becomes a notch fine grinding whetstone 122B.
Is located at the same height as the groove. Hereinafter, the position of the wafer W is referred to as a “notch fine polishing processing position”.
【0043】ノッチ精研加工位置にウェーハWが位置す
ると、次に、第2ノッチモータ118Bが駆動され、ノ
ッチ精研用砥石122Bが高速回転する。これと同時に
Y軸モータ64が駆動され、ウェーハWがノッチ精研用
砥石122Bに向かって移動する。ウェーハWが所定距
離移動するとY軸モータ64の駆動は停止され、この結
果、図8(b)に示すように、ウェーハWの一方側のノ
ッチコーナーNRがノッチ精研用砥石122Bの溝に当
接する。そして、この当接と同時にX軸モータ78及び
Y軸モータ64が同時に駆動され、ウェーハWにX軸方
向及びY軸方向の送りが与えられる。この送りはノッチ
コーナーNRの形状に沿って与えられ、この結果、ノッ
チコーナーNRが常にノッチ精研用砥石122Bに当接
して、ノッチコーナーNRが仕上げ面取り加工される。When the wafer W is located at the notch fine polishing position, the second notch motor 118B is driven, and the notch fine grinding wheel 122B rotates at a high speed. At the same time, the Y-axis motor 64 is driven, and the wafer W moves toward the notch grinding wheel 122B. When the wafer W moves by a predetermined distance, the driving of the Y-axis motor 64 is stopped. As a result, as shown in FIG. 8B, the notch corner NR on one side of the wafer W hits the groove of the notch grinding wheel 122B. Touch Then, simultaneously with this contact, the X-axis motor 78 and the Y-axis motor 64 are simultaneously driven, so that the wafer W is fed in the X-axis direction and the Y-axis direction. This feed is given along the shape of the notch corner NR. As a result, the notch corner NR always comes into contact with the notch grinding wheel 122B, and the notch corner NR is subjected to finish chamfering.
【0044】ノッチコーナーNRの仕上げ面取りが終了
すると、連続してウェーハWにX軸方向及びY軸方向の
送りが与えられ、ウェーハWのノッチNOの面取りが行
われる。すなわち、図8(c)に示すように、ノッチN
Oが常にノッチ精研用砥石122Bに当接するように、
ノッチNOの形状に沿ってウェーハWに送りが与えられ
る。同図の場合、ノッチNOはV字状に形成されている
ので、このV字状のノッチNOの形状に沿ってV字を描
くようにウェーハWに送りが与えられる。この結果、V
字状に形成されたノッチNOが仕上げ面取り加工され
る。After finishing the chamfering of the notch corner NR, the wafer W is continuously fed in the X-axis direction and the Y-axis direction, and the notch NO of the wafer W is chamfered. That is, as shown in FIG.
So that O always contacts the notch grinding wheel 122B,
Feed is applied to the wafer W along the shape of the notch NO. In the case shown in the figure, since the notch NO is formed in a V-shape, the wafer W is fed so as to draw a V-shape along the shape of the V-shaped notch NO. As a result, V
The notch NO formed in a letter shape is finish chamfered.
【0045】ノッチNOの面取りが終了すると、図8
(d)に示すように、ノッチ精研用砥石122Bとウェ
ーハWとの接触点が他方側のノッチコーナーNRに達す
る。そして、この接触点が他方側のノッチコーナーNR
に達すると、連続的にノッチコーナーNRの面取りが行
われる。すなわち、ウェーハWにX軸方向の送りとY軸
方向の送りが与えられ、ノッチコーナーNRが常にノッ
チ精研用砥石122Bに当接するようにウェーハWに送
りが与えられる(ノッチコーナーNRの形状に沿った送
りが与えられる。)。この結果、ウェーハWの他方側の
ノッチコーナーNRが仕上げ面取り加工される。When the chamfering of the notch NO is completed, FIG.
As shown in (d), the contact point between the notch fine grinding grindstone 122B and the wafer W reaches the notch corner NR on the other side. And this contact point is the notch corner NR on the other side.
Is reached, the notch corner NR is chamfered continuously. That is, the feed in the X-axis direction and the feed in the Y-axis direction are given to the wafer W, and the feed is given to the wafer W so that the notch corner NR always comes into contact with the notch grinding wheel 122B (to the shape of the notch corner NR). Feed along.). As a result, the notch corner NR on the other side of the wafer W is finish-chamfered.
【0046】他方側のノッチコーナーNRの面取りが終
了すると、ウェーハWの送りは、一時停止される。そし
て、この状態から上記と逆の操作によってウェーハWに
送りが与えられ、図8(e)及び図8(f)に示すよう
に、逆方向に向けてノッチコーナーNR、ノッチNO及
び他方側のノッチコーナーNRが順に仕上げ面取り加工
される。When the chamfering of the notch corner NR on the other side is completed, the feeding of the wafer W is temporarily stopped. Then, from this state, the wafer W is fed by the reverse operation to the above, and as shown in FIGS. 8E and 8F, the notch corner NR, the notch NO and the other side Notch corners NR are sequentially finished and chamfered.
【0047】以上の操作を複数回繰り返すことにより、
ノッチNO及びノッチコーナーNRの仕上げ面取り加工
がなされる。ノッチNO及びノッチコーナーNRの仕上
げ面取り加工が終了すると、図8(f)に示すように、
ウェーハWは最初にノッチ精研用砥石122Bと接触し
た位置で停止する。そして、その停止後、ノッチ研削用
砥石122Bから離れる方向に向かって所定量移動し、
図8(g)に示すノッチ精研加工位置に復帰する。By repeating the above operation a plurality of times,
Finish chamfering of the notch NO and the notch corner NR is performed. When the finish chamfering of the notch NO and the notch corner NR is completed, as shown in FIG.
The wafer W first stops at a position where the wafer W comes into contact with the notch grinding wheel 122B. And after the stop, it moves by a predetermined amount in the direction away from the notch grinding wheel 122B,
It returns to the notch fine polishing position shown in FIG.
【0048】一方、ウェーハWがノッチ精研加工位置に
復帰すると、第2ノッチモータ118Bの駆動が停止さ
れ、ノッチ精研用砥石122Bの回転が停止する。ま
た、ウェーハWがノッチ精研加工位置に復帰すると、図
8(h)に示すように、ウェーハテーブル100がX軸
方向及びZ軸方向に所定量移動して原点位置に復帰す
る。On the other hand, when the wafer W returns to the notch fine polishing position, the driving of the second notch motor 118B is stopped, and the rotation of the notch fine grinding wheel 122B is stopped. When the wafer W returns to the notch polishing position, the wafer table 100 moves by a predetermined amount in the X-axis direction and the Z-axis direction and returns to the origin position, as shown in FIG.
【0049】以上の一連工程でウェーハWの外周Cとノ
ッチNOの粗面取り加工と仕上げ面取り加工が終了す
る。ウェーハテーブル100が原点位置に復帰すると、
ウェーハWの吸着が解除され、図示しない搬送装置によ
ってウェーハテーブル100上からウェーハWが取り上
げられる。そして、そのまま次の工程へと搬送されてゆ
く。Through the above series of steps, the rough chamfering and the finishing chamfering of the outer periphery C of the wafer W and the notch NO are completed. When the wafer table 100 returns to the home position,
The suction of the wafer W is released, and the wafer W is picked up from the wafer table 100 by a transfer device (not shown). Then, it is transported to the next step as it is.
【0050】以上説明したように、本実施の形態のウェ
ーハ面取り装置10では、ノッチ粗研用砥石122Aと
ノッチ精研用砥石122Bとを備えているため、1台の
装置で粗研加工と精研加工を同時に行うことができる。
したがって、従来のように粗研加工後に別の装置で精研
加工を行う必要がなくなり、加工効率が向上する。ま
た、同じウェーハテーブル100に乗せたまま粗研加工
と精研加工を行うことができるので、乗せ替えに伴う芯
ズレを防止することができ、高精度な面取り加工を行う
ことができるようになる。As described above, the wafer chamfering apparatus 10 of the present embodiment includes the notch rough grinding grindstone 122A and the notch fine grinding grindstone 122B. Grinding can be performed simultaneously.
Therefore, it is not necessary to perform fine polishing by another device after the rough polishing as in the conventional case, and the processing efficiency is improved. In addition, since rough polishing and fine polishing can be performed while the wafers are placed on the same wafer table 100, misalignment due to replacement can be prevented, and high-precision chamfering can be performed. .
【0051】また、ノッチ粗研用砥石122Aとノッチ
精研用砥石122Bは、別々のノッチスピンドル120
A、120Bに装着されているため複合砥石とする必要
がなくなり、短い長さに製作することができる。このた
め、砥石の剛性を十分に確保することができる。さら
に、ノッチ粗研用砥石122Aとノッチ精研用砥石12
2Bは、中心位置(Y軸)からオフセットされて設置さ
れているため、外周研削用砥石108及びウェーハテー
ブル100のメンテナンスがしやすくなる。Further, the notch rough grinding grindstone 122A and the notch fine grinding grindstone 122B are provided with separate notch spindles 120B.
Since it is mounted on A, 120B, there is no need to use a composite whetstone, and it can be manufactured in a short length. For this reason, the rigidity of the grindstone can be sufficiently ensured. Further, the notch rough grinding wheel 122A and the notch fine grinding wheel 12A are used.
Since 2B is installed offset from the center position (Y axis), maintenance of the outer peripheral grinding wheel 108 and the wafer table 100 is facilitated.
【0052】また、ノッチ粗研用砥石122Aとノッチ
精研用砥石122Bは、中心位置からオフセットして設
置することにより、外周研削用砥石108と同じ高さの
位置に配置することができる。これにより、ウェーハテ
ーブル100を上下動させる際のストロークを短く設定
することができるようになり、装置のコンパクト化を図
ることができるようになる。The notch rough grinding grindstone 122A and the notch fine grinding grindstone 122B can be arranged at the same height as the outer periphery grinding grindstone 108 by being installed offset from the center position. Thereby, the stroke when the wafer table 100 is moved up and down can be set short, and the apparatus can be made compact.
【0053】なお、本実施の形態のウェーハ面取り装置
10では、ウェーハ側を砥石側に移動させてウェーハW
の面取り加工を行うようにしているが、ウェーハ側を固
定とし砥石側を移動させてウェーハWの面取り加工を行
うようにしてもよい。また、本実施の形態のウェーハ面
取り装置10では、ノッチスピンドル120A、120
Bを2つ設置しているが、この数に限定されるものでは
ない。ノッチスピンドルは1つのみであってもよく、こ
の場合は中心位置(Y軸)からオフセットして設置す
る。In the wafer chamfering apparatus 10 of the present embodiment, the wafer W
The chamfering of the wafer W may be performed by fixing the wafer side and moving the grindstone side. Further, in the wafer chamfering apparatus 10 of the present embodiment, the notch spindles 120A, 120A
Although two B's are installed, the number is not limited to this. Only one notch spindle may be provided, and in this case, the notch spindle is installed offset from the center position (Y axis).
【0054】さらに、本実施の形態のウェーハ面取り装
置10では、ウェーハを面取り加工する砥石に総形砥石
を用いているが、これに限らず、図9に示すように、外
周に台形状の溝が形成された砥石130を使用してもよ
い。この砥石を用いた場合は、溝130Aのテーパ面1
30aにウェーハWの上縁又は下縁を押し当てることに
より、ウェーハWの片縁ずつ面取り加工する。Further, in the wafer chamfering apparatus 10 according to the present embodiment, although a full-shaped whetstone is used as a whetstone for chamfering a wafer, the present invention is not limited to this. As shown in FIG. May be used. When this grindstone is used, the taper surface 1 of the groove 130A
The upper edge or the lower edge of the wafer W is pressed against 30a, thereby chamfering the wafer W one edge at a time.
【0055】[0055]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ノッチ研削用スピンドルが両側に設置されているため、
メンテナンスがしやすい構成となる。また、ノッチ研削
用スピンドルを複数設置することにより、ノッチの粗研
加工と精研加工を1台の装置で行うことができるように
なる。さらに、複合砥石を用いる必要がなくなるため、
砥石の長さを短くすることができ、砥石の剛性を十分に
確保することができる。As described above, according to the present invention,
Notch grinding spindles are installed on both sides ,
The structure is easy to maintain. Further, by installing a plurality of notch grinding spindles, it becomes possible to perform rough polishing and fine polishing of the notch with one apparatus. Furthermore, since there is no need to use a composite whetstone,
The length of the grindstone can be shortened, and the rigidity of the grindstone can be sufficiently secured.
【図1】ウェーハ面取り装置の構成を示す側面図FIG. 1 is a side view showing a configuration of a wafer chamfering apparatus.
【図2】ウェーハ面取り装置の構成を示す平面図FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a wafer chamfering apparatus.
【図3】図1のA−A断面図FIG. 3 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1;
【図4】図1のB−B断面図FIG. 4 is a sectional view taken along line BB of FIG. 1;
【図5】外周研削ユニットとノッチ研削ユニットの構成
を示す正面図FIG. 5 is a front view showing a configuration of an outer peripheral grinding unit and a notch grinding unit.
【図6】ノッチ付きウェーハの外周を面取り加工する方
法の説明図FIG. 6 is an explanatory view of a method of chamfering the outer periphery of a notched wafer.
【図7】ノッチ付きウェーハのノッチを粗面取り加工す
る方法の説明図FIG. 7 is an explanatory view of a method of rough-chamfering a notch of a notched wafer.
【図8】ノッチ付きウェーハのノッチを仕上げ面取り加
工する方法の説明図FIG. 8 is an explanatory diagram of a method of finishing and chamfering a notch of a notched wafer.
【図9】砥石の他の実施の形態の構成を示す側面図FIG. 9 is a side view showing the configuration of another embodiment of the grinding wheel.
【図10】従来のウェーハ面取り装置の構成の説明図FIG. 10 is an explanatory diagram of a configuration of a conventional wafer chamfering apparatus.
10…ウェーハ面取り装置 42…ウェーハ送りユニット 44…外周研削ユニット 46…ノッチ研削ユニット 56…Y軸テーブル 70…X軸テーブル 86…Z軸テーブル 100…ウェーハテーブル 104…外周モータ 108…外周研削用砥石 118A…第1ノッチモータ 118B…第2ノッチモータ 120A…第1ノッチスピンドル 120B…第2ノッチスピンドル 122A…ノッチ粗研用砥石 122B…ノッチ精研用砥石 W…ウェーハ C…円形部 NO…ノッチ NR…ノッチコーナー DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Wafer chamfering apparatus 42 ... Wafer feed unit 44 ... Perimeter grinding unit 46 ... Notch grinding unit 56 ... Y-axis table 70 ... X-axis table 86 ... Z-axis table 100 ... Wafer table 104 ... Perimeter motor 108 ... Peripheral grinding grindstone 118A ... 1st notch motor 118B ... 2nd notch motor 120A ... 1st notch spindle 120B ... 2nd notch spindle 122A ... grindstone for notch rough grinding 122B ... grindstone for notch fine grinding W ... wafer C ... circular part NO ... notch NR ... notch corner
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B24B 9/00 601 H01L 21/304 621 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) B24B 9/00 601 H01L 21/304 621
Claims (2)
る外周研削用砥石に向かってウェーハテーブルに保持さ
れて回転するウェーハを近づけることにより、ウェーハ
の外周を外周研削用砥石に押し当てて該ウェーハの外周
を面取り加工するとともに、ノッチスピンドルに装着さ
れて回転するノッチ研削用砥石に向かって前記ウェーハ
テーブルに保持されたウェーハを近づけることにより、
ウェーハのノッチをノッチ研削用砥石に押し当てて該ウ
ェーハのノッチを面取り加工し、前記外周研削用砥石
は、粗研用の砥石と精研用の砥石とを同軸上に積み重ね
て構成されており、前記ノッチスピンドルは、粗研用の
ノッチ研削用砥石が装着された第1ノッチスピンドルと
精研用のノッチ研削用砥石が装着された第2ノッチスピ
ンドルとで構成され、前記第1ノッチスピンドルと第2
ノッチスピンドルとは、前記外周研削用スピンドルと前
記ウェーハテーブルとの間に配置されるとともに、その
中心が前記外周研削用スピンドルの中心と前記ウェーハ
テーブルの中心とを結ぶ直線を挟んで両側に設置されて
いることを特徴とするウェーハ面取り装置。The method according to claim 1] bringing the wafer to rotate is held by being mounted on the outer peripheral grinding spindles toward the outer periphery grinding grindstone that rotates c Ehateburu, said pressed against the outer periphery of the wafer to the outer periphery grinding grindstone the outer periphery of the wafer while chamfering, by bringing the wafer held on the wafer table toward the grindstone notch grinding which rotates is mounted on the notch spindle,
The notch of the wafer is chamfered by pressing a wafer notch grinding wheel for notch grinding, before Kigaishu grinding wheels, the grinding wheel and grinding wheel for fine Labs for coarse Labs is constructed by stacking coaxially The notch spindle includes a first notch spindle equipped with a notch grinding wheel for rough grinding and a second notch spindle equipped with a notch grinding wheel for fine grinding. And the second
The notch spindle is disposed between the outer peripheral grinding spindle and the wafer table, and the center thereof is provided on both sides of a straight line connecting the center of the outer peripheral grinding spindle and the center of the wafer table. A wafer chamfering apparatus.
砥石とが同じ高さの位置に設置されていることを特徴と
する請求項1記載のウェーハ面取り装置。2. The wafer chamfering apparatus according to claim 1, wherein the notch grinding wheel and the outer circumference grinding wheel are installed at the same height.
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JP16556798A JP3166842B2 (en) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | Wafer chamfering equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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JP16556798A JP3166842B2 (en) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | Wafer chamfering equipment |
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JP2000000744A JP2000000744A (en) | 2000-01-07 |
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