JP3164736B2 - Thin film magnetic head - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
装置用の浮上式磁気ヘッドなどに設けられて再生機能を
発揮する薄膜磁気ヘッドに係り、特にハードバイアス方
式の薄膜磁気ヘッドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin-film magnetic head provided in a floating magnetic head for a hard disk drive and exhibiting a reproducing function, and more particularly to a hard bias type thin-film magnetic head.
【0002】[0002]
【従来の技術】図10は従来のハードバイアス方式の薄
膜磁気ヘッドを記録媒体側から見た拡大正面図(断面
図)である。この薄膜磁気ヘッドは、パーマロイなどの
下部シールド層上に、Al2O3などの下部絶縁層1が積
層され、下部絶縁層1上にヘッド素子積層体2が設けら
れている。ヘッド素子積層体2は、下部絶縁層1側か
ら、軟磁性(SAL)層3、非磁性(SHUNT)層
4、磁気抵抗(MR)層5の順に積層されている。さら
にその上にAl2O3などの上部絶縁層6と、パーマロイ
などの上部シールド層が形成されている。ヘッド素子積
層体2のトラック幅方向(x方向)の両側部では、下部
絶縁層1側からハードバイアス層7、リード層8の順に
積層されている。そしてハードバイアス層7が、磁気抵
抗層5のトラック幅方向の両側端に接続導通されてい
る。2. Description of the Related Art FIG. 10 is an enlarged front view (cross-sectional view) of a conventional thin film magnetic head of a hard bias type as viewed from a recording medium side. In this thin-film magnetic head, a lower insulating layer 1 of Al 2 O 3 or the like is laminated on a lower shield layer of permalloy or the like, and a head element laminate 2 is provided on the lower insulating layer 1. The head element laminate 2 includes a soft magnetic (SAL) layer 3, a nonmagnetic (SHUNT) layer 4, and a magnetoresistive (MR) layer 5, which are laminated in this order from the lower insulating layer 1 side. Further, an upper insulating layer 6 such as Al 2 O 3 and an upper shield layer such as permalloy are formed thereon. On both sides of the head element laminate 2 in the track width direction (x direction), the hard bias layer 7 and the lead layer 8 are laminated in this order from the lower insulating layer 1 side. The hard bias layer 7 is connected and connected to both ends of the magnetoresistive layer 5 in the track width direction.
【0003】この薄膜磁気ヘッドでは、ハードバイアス
層7がx方向に磁化された磁石として機能し、このハー
ドバイアス層7から磁気抵抗層5に与えられる縦バイア
ス磁界により磁気抵抗層5がx方向に磁化され単磁区化
される。検出電流はリード層8およびハードバイアス層
7を経て磁気抵抗層5に与えられるが、検出電流が磁気
抵抗層5を流れる際に軟磁性層3がもたらす静磁結合エ
ネルギーにより、磁気抵抗層5に対して横バイアス磁界
がy方向に与えられ、これにより、磁気抵抗層5の磁界
変化に対する抵抗変化が直線性を有する状態に設定され
る。再生動作では、図10の紙面に対面する向きにて記
録媒体が対向し、磁気ヘッドと記録媒体との相対的な移
動方向はz方向となる。磁気ヘッドが記録媒体に対して
相対的に移動する際に、磁気抵抗層5の磁気抵抗効果
(H−R効果)により磁気抵抗層5の抵抗値が変化し、
これが検出電流の電圧の変化として検出される。In this thin-film magnetic head, the hard bias layer 7 functions as a magnet magnetized in the x direction, and the longitudinal magnetic field applied from the hard bias layer 7 to the magnetoresistive layer 5 causes the magnetoresistive layer 5 to move in the x direction. It is magnetized and becomes a single magnetic domain. The detection current is supplied to the magnetoresistive layer 5 through the lead layer 8 and the hard bias layer 7, and is applied to the magnetoresistive layer 5 by the magnetostatic coupling energy provided by the soft magnetic layer 3 when the detection current flows through the magnetoresistive layer 5. On the other hand, a lateral bias magnetic field is applied in the y direction, whereby the resistance change with respect to the magnetic field change of the magnetoresistive layer 5 is set to have a linear state. In the reproducing operation, the recording medium faces in the direction facing the paper surface of FIG. 10, and the relative movement direction between the magnetic head and the recording medium is the z direction. When the magnetic head moves relative to the recording medium, the resistance value of the magnetoresistive layer 5 changes due to the magnetoresistive effect (HR effect) of the magnetoresistive layer 5,
This is detected as a change in the voltage of the detection current.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記磁気ヘッドのハー
ドバイアス層7に求められる特性は以下の通りである。 (1)磁気抵抗層5をx方向へ高精度に単磁区化させる
ことによりバルクハウゼンノイズを低減できるが、磁気
抵抗層5を高精度に単磁区化させるためには、ハードバ
イアス層7として保磁力Hcおよび飽和磁化Bsが高い
値となるなど磁気特性において優れた材料を使用する必
要がある。 (2)ハードバイアス層7には、上地層としてリード層
8が形成され、また必要に応じてハードバイアス層7の
下側に下地層が形成されるが、ハードバイアス層7が上
地層と下地層の界面により影響を受け、ハードバイアス
層7の保磁力Hcなどに影響が出ることがある。よって
ハードバイアス層7の材料と上地層および下地層の材料
との組み合せを適正に選択する必要がある。The characteristics required for the hard bias layer 7 of the magnetic head are as follows. (1) Barkhausen noise can be reduced by making the magnetoresistive layer 5 a single magnetic domain in the x direction with high precision. However, in order to make the magnetoresistive layer 5 a single magnetic domain with high precision, the hard bias layer 7 must be maintained. It is necessary to use a material having excellent magnetic properties such as high values of the magnetic force Hc and the saturation magnetization Bs. (2) A lead layer 8 is formed on the hard bias layer 7 as an upper ground layer, and a base layer is formed below the hard bias layer 7 as necessary. The coercive force Hc of the hard bias layer 7 may be affected by the interface of the formation layer. Therefore, it is necessary to appropriately select a combination of the material of the hard bias layer 7 and the materials of the upper and lower layers.
【0005】(3)ハードバイアス層7の膜厚は、ハー
ドバイアス層7の保磁力Hcや、B−Hループの角型比
に影響を与え、また前記下地層の膜厚もハードバイアス
層7の保磁力などに影響を与えることになる。したがっ
て、ハードバイアス層7の材料および上地層や下地層は
上記(1)〜(3)の各条件を満たす材料により構成す
ることが必要になる。(3) The thickness of the hard bias layer 7 affects the coercive force Hc of the hard bias layer 7 and the squareness of the BH loop. This will affect the coercive force and the like. Therefore, it is necessary that the material of the hard bias layer 7 and the upper layer and the lower layer be made of a material that satisfies the conditions (1) to (3).
【0006】本発明は上記課題を解決するものであり、
ハードバイアス層の材料を最適なものにし、さらにその
膜厚や下地層の膜厚を最適に設定することにより、ハー
ドバイアス層の磁気特性を最適なものとし、バルクハウ
ゼンノイズを軽減できる薄膜磁気ヘッドを提供すること
を目的とするものである。[0006] The present invention is to solve the above problems,
A thin-film magnetic head that optimizes the magnetic properties of the hard bias layer and reduces Barkhausen noise by optimizing the material of the hard bias layer, and further optimizing the thickness of the hard bias layer and the thickness of the underlayer. The purpose is to provide.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気抵抗層
と、前記磁気抵抗層のトラック幅方向の両側部に接続さ
れたハードバイアス層とを有する薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記ハードバイアス層がCo x −Cr y −Ta z の磁
性膜により形成されており、 x=76〜92at%、y
=4〜24at%、z=0〜16at%(ただしx+y
+z=100)であることを特徴とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetoresistive layer.
When, in the above thin film magnetic head having a hard bias layer connected to both sides of the track width direction of the magnetoresistive layer, the hard bias layer is formed of a magnetic film of Co x -Cr y -Ta z, x = 76 to 92 at%, y
= 4 to 24 at%, z = 0 to 16 at% (x + y
+ Z = 100) .
【0008】さらに、x=80〜90at%、y=10
〜20at%、z=0〜10at%(ただしx+y+z
=100)であることが好ましい。 Further, x = 80-90 at%, y = 10
2020 at%, z = 0 to 10 at% (however, x + y + z
= 100).
【0009】また、前記Co x −Cr y −Ta z の磁性膜
の膜厚が50〜600オングストロームであることが好
ましく、さらに好ましくは、前記Co x −Cr y −Ta z
の磁性膜の膜厚が50〜1000オングストロームであ
る。 Further, the magnetic film of the Co x -Cr y -Ta z
Preferably has a thickness of 50 to 600 angstroms.
Preferred, more preferably, the Co x -Cr y -Ta z
The thickness of the magnetic film is 50 to 1000 angstroms.
You.
【0010】また、前記Co x −Cr y −Ta z の磁性膜
により形成されたハードバイアス層の下地層として、膜
厚が10オングストローム以上のCr膜が設けられるこ
とが好ましい。 Further, the magnetic film of the Co x -Cr y -Ta z
Film as an underlayer of the hard bias layer formed by
A Cr film with a thickness of 10 Å or more must be provided.
Is preferred.
【0011】また、前記Co x −Cr y −Ta z の磁性膜
により形成されたハードバイアス層の上地層として、前
記磁気抵抗層に検出電流を与えるCr膜が設けられてい
るのが好ましい。 Further, the magnetic film of the Co x -Cr y -Ta z
As the upper layer of the hard bias layer formed by
The magnetoresistive layer is provided with a Cr film for applying a detection current.
Preferably.
【0012】[0012]
【作用】本発明は、ハードバイアス層としてCo−Cr
−Taの磁性膜を使用したことを特徴としている。この
Co−Cr−Taの磁性膜は、保磁力および飽和磁化が
高い値となり、またB−Hループの角型比も適正なもの
となり、磁気抵抗層を単磁区化させるためのバイアス機
能が優れている。特に温度変化による保磁力や飽和磁化
の変動が小さいため、製造時や使用時に高温環境下にさ
らされる薄膜ヘッドのハードバイアス層として適したも
のとなる。According to the present invention, the hard bias layer is made of Co-Cr.
It is characterized by using a magnetic film of -Ta. This Co—Cr—Ta magnetic film has a high coercive force and a high saturation magnetization, has an appropriate BH loop squareness ratio, and has an excellent bias function for making the magnetoresistive layer a single magnetic domain. ing. In particular, since the variation in coercive force and saturation magnetization due to temperature change is small, it becomes suitable as a hard bias layer of a thin film head exposed to a high temperature environment during manufacture or use.
【0013】また、Co−Cr−Taの磁性膜により形
成されたハードバイアス層の下地層および上地層として
は、Cr膜を設けることが適切である。上地層がCr膜
の場合に、その膜厚寸法がハードバイアス層の保磁力な
どの磁気特性にほとんど影響を与えない。また下地層と
なるCr膜はその膜厚を10オングストローム以上さら
に好ましくは50オングストローム以上とすることによ
りハードバイアス層の磁気特性への影響をきわめてわず
かなものにできる。Further, it is appropriate to provide a Cr film as an underlayer and an upper layer of the hard bias layer formed of the Co—Cr—Ta magnetic film. When the upper layer is a Cr film, its thickness dimension hardly affects magnetic properties such as the coercive force of the hard bias layer. Further, the influence on the magnetic properties of the hard bias layer can be made very small by setting the thickness of the Cr film as the underlayer to 10 Å or more, more preferably 50 Å or more.
【0014】ハードバイアス層となる、Co−Cr−T
aの組成比は、原子量%のx:y:zで、x=76〜9
2、y=4〜24、z=0〜16(ただしx+y+z=
100)であることが好ましく、この場合に保磁力Hc
を200エルステッド(Oe)以上で、飽和磁化を4キ
ロガウス(kG)以上にできる。また、Co−Cr−T
aの磁性膜がこの組成比の場合に、膜厚を50〜600
オングストロームの範囲に設定することにより、200
(Oe)以上の保磁力Hcを確保できる。Co-Cr-T serving as a hard bias layer
The composition ratio of a is x: y: z of atomic% and x = 76-9.
2, y = 4 to 24, z = 0 to 16 (where x + y + z =
100), and in this case, the coercive force Hc
Is 200 Oe or more, and the saturation magnetization is 4 Kg or more. In addition, Co-Cr-T
In the case where the magnetic film a has this composition ratio, the film thickness is 50 to 600
By setting it in the angstrom range, 200
The coercive force Hc of (Oe) or more can be secured.
【0015】前記Co−Cr−Taの組成比のさらに好
ましい範囲は、原子量%のx:y:zで、x=80〜9
0、y=10〜20、z=0〜10(ただしx+y+z
=100)である。この場合に、ハードバイアス層の保
磁力Hcを500(Oe)以上で、飽和磁化Bsをほぼ
6(kG)以上に設定できる。またこの組成比のCo−
Cr−Taの磁性膜では、膜厚が50〜1000オング
ストロームの範囲にて保磁力Hcを500(Oe)以上
にできる。A more preferable range of the composition ratio of Co—Cr—Ta is x: y: z in atomic%, and x = 80-9.
0, y = 10 to 20, z = 0 to 10 (x + y + z
= 100). In this case, the coercive force Hc of the hard bias layer can be set to 500 (Oe) or more, and the saturation magnetization Bs can be set to 6 (kG) or more. In addition, Co-
With a Cr-Ta magnetic film, the coercive force Hc can be made 500 (Oe) or more when the film thickness is in the range of 50 to 1000 angstroms.
【0016】[0016]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面により説明す
る。図1は、本発明の薄膜磁気ヘッドを記録媒体との対
向面側から見た拡大正面図(断面図)である。この薄膜
磁気ヘッドは、ハードディスク装置に用いられる浮上式
磁気ヘッドのトレーリング側端面に設けられるなどして
使用される。この磁気ヘッドは再生ヘッドとして機能す
る。記録・再生兼用ヘッドの場合には、図1に示す薄膜
磁気ヘッドの上部シールド層の上に記録用磁気ヘッド部
が薄膜形成される。ハードディスクなどの記録媒体の記
録面は、図1の紙面に平行な向きで磁気ヘッドに対向す
る。x方向はトラック幅方向、z方向は磁気ヘッドの記
録媒体に対する相対的な移動方向である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an enlarged front view (cross-sectional view) of the thin-film magnetic head of the present invention as viewed from a surface facing a recording medium. This thin-film magnetic head is used, for example, by being provided on the trailing side end face of a floating magnetic head used in a hard disk drive. This magnetic head functions as a reproducing head. In the case of a recording / reproducing head, a recording magnetic head portion is formed as a thin film on the upper shield layer of the thin film magnetic head shown in FIG. The recording surface of a recording medium such as a hard disk faces the magnetic head in a direction parallel to the paper of FIG. The x direction is the track width direction, and the z direction is the relative movement direction of the magnetic head with respect to the recording medium.
【0017】下部シールド層はパーマロイなどにより形
成され、その上にAl2O3膜による下部絶縁層1が形成
されて、下部絶縁層1の上にヘッド素子積層体2が設け
られている。ヘッド素子積層体2は、下部絶縁層1側か
ら、軟磁性(SAL)層3、非磁性(SHUNT)層
4、磁気抵抗(MR)層5が順に積層されて成膜された
ものである。例えば、軟磁性層3は膜厚250オングス
トロームのFe−Ni−Nb系材料膜、非磁性層4は膜
厚200オングストロームのTa膜、磁気抵抗層5は膜
厚300オングストロームのFe−Ni系材料膜であ
る。The lower shield layer is made of permalloy or the like, on which a lower insulating layer 1 of an Al 2 O 3 film is formed, and a head element laminate 2 is provided on the lower insulating layer 1. The head element laminate 2 is formed by sequentially laminating a soft magnetic (SAL) layer 3, a nonmagnetic (SHUNT) layer 4, and a magnetoresistive (MR) layer 5 from the lower insulating layer 1 side. For example, the soft magnetic layer 3 is a 250-Å-thick Fe—Ni—Nb-based material film, the non-magnetic layer 4 is a 200-Å-thick Ta film, and the magnetoresistive layer 5 is a 300-Å-thick Fe—Ni-based material film. It is.
【0018】前記ヘッド素子積層体2のトラック幅方向
(x方向)両側では、前記下部絶縁層1上に、下地層1
1として膜厚200オングストロームのCr膜が形成さ
れ、その上にハードバイアス層12として膜厚600オ
ングストロームのCo−Cr−Taの磁性膜12が形成
されている。ハードバイアス層12の上には上地層13
として膜厚300オングストロームのCr膜が形成され
ている。上地層13は、リード層として機能するもので
あり、検出電流は、上地層13からハードバイアス層1
2を経て磁気抵抗層5に与えられる。なお、リード層と
して、上記上地層13の上に他の導電材料が積層されて
いてもよい。On both sides of the head element laminate 2 in the track width direction (x direction), an underlayer 1
1, a 200 angstrom thick Cr film is formed, and a 600 angstrom thick Co—Cr—Ta magnetic film 12 is formed thereon as a hard bias layer 12. On the hard bias layer 12, the upper ground layer 13
Is formed as a Cr film having a thickness of 300 Å. The upper layer 13 functions as a lead layer, and the detected current is transmitted from the upper layer 13 to the hard bias layer 1.
2 to the magnetoresistive layer 5. Note that another conductive material may be laminated on the upper layer 13 as a lead layer.
【0019】上記磁気抵抗層5と上地層13の表面は、
Al2O3による上部絶縁層6が形成され、さらにその上
にパーマロイの上部シールド層が形成されている。ハー
ドバイアス層12はx方向に着磁されており、ハードバ
イアス層12から磁気抵抗層5に対しx方向への縦バイ
アス磁界が与えられ、磁気抵抗層5がx方向に磁化され
て単磁区化される。ハードバイアス層12により磁気抵
抗層5に対し、充分な強度の縦バイアス磁界を与えるた
めには、ハードバイアス層12が高い保磁力と残留磁化
を得られるものであることが必要である。The surfaces of the magnetoresistive layer 5 and the upper layer 13 are
An upper insulating layer 6 made of Al 2 O 3 is formed, and a permalloy upper shield layer is further formed thereon. The hard bias layer 12 is magnetized in the x direction, a longitudinal bias magnetic field in the x direction is applied to the magnetoresistive layer 5 from the hard bias layer 12, and the magnetoresistive layer 5 is magnetized in the x direction to form a single magnetic domain. Is done. In order to apply a sufficient longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive layer 5 by the hard bias layer 12, it is necessary that the hard bias layer 12 can obtain high coercive force and residual magnetization.
【0020】図2は磁性体(ハードバイアス層)のB−
Hループを示すものであり、Hが外部磁界の大きさを示
し、Bが磁性体(ハードバイアス層)の磁化の大きさを
示している。Hcが保磁力、Brが残留磁化(残留磁束
密度)、Bsが飽和磁化(飽和磁束密度)である。また
数1でのS*とSは、B−Hループの角型比を示し、
(0<S*<1)で(0<S<1)である。FIG. 2 shows the magnetic material (hard bias layer) B-
This shows an H loop, where H indicates the magnitude of the external magnetic field, and B indicates the magnitude of the magnetization of the magnetic material (hard bias layer). Hc is the coercive force, Br is the residual magnetization (residual magnetic flux density), and Bs is the saturation magnetization (saturated magnetic flux density). S * and S in Equation 1 indicate the squareness ratio of the BH loop,
(0 <S * <1) and (0 <S <1).
【0021】[0021]
【数1】 (Equation 1)
【0022】ハードバイアス層12の残留磁化をBr、
ハードバイアス層の膜厚をδ1、磁気抵抗層5の飽和磁
化をBs′、磁気抵抗層5の膜厚をδ2とすると、その
関係は数2で表わされる。数2においてAは定数であ
る。The residual magnetization of the hard bias layer 12 is Br,
Assuming that the thickness of the hard bias layer is δ1, the saturation magnetization of the magnetoresistive layer 5 is Bs ′, and the thickness of the magnetoresistive layer 5 is δ2, the relationship is expressed by Equation 2. In Equation 2, A is a constant.
【0023】[0023]
【数2】 (Equation 2)
【0024】数2からハードバイアス層としては残留磁
化Brが高いことが必要であり、よってハードバイアス
層の飽和磁化Bsが高く、且つ角型比Sが1に近いもの
が好ましい。またハードバイアス層は保磁力Hcが高い
ことが必要であり、よってS*が1に近いものが好まし
い。From equation (2), the hard bias layer needs to have a high residual magnetization Br. Therefore, it is preferable that the hard bias layer has a high saturation magnetization Bs and a squareness ratio S close to 1. Further, the hard bias layer needs to have a high coercive force Hc, and therefore, it is preferable that S * is close to 1.
【0025】図3は、ハードバイアス層12として使用
するCo−Cr−Taの磁性膜のB−Hループにおける
保磁力Hc(Oe)、飽和磁化Bs(T;テスラ)、残
留磁化Br(T)、および角型比S*、Sを示してい
る。図3に示すB−Hループ特性の測定に使用した磁性
膜はCox−Cry−Tazであり、その組成比のx:
y:zを原子量%で86:12:2とした。すなわちC
o86Cr12Ta2を使用した。ガラス基板上に下地層と
して膜厚200オングストロームのCr膜を形成し、そ
の上にCo86Cr12Ta2膜を600オングストローム
の膜厚にて形成し、B−Hループを測定した。FIG. 3 shows a coercive force Hc (Oe), a saturation magnetization Bs (T; Tesla), and a residual magnetization Br (T) in the BH loop of the Co—Cr—Ta magnetic film used as the hard bias layer 12. , And squareness ratios S * and S. Magnetic film used for the measurement of the B-H loop characteristic shown in FIG. 3 is a Co x -Cr y -Ta z, of the composition ratio x:
y: z was 86: 12: 2 in atomic weight%. That is, C
o 86 Cr 12 Ta 2 was used. A 200 Å thick Cr film was formed as a base layer on a glass substrate, and a Co 86 Cr 12 Ta 2 film was formed thereon to a thickness of 600 Å, and the BH loop was measured.
【0026】図3に示す結果は、上記の成膜試料を0℃
から260℃まで20℃毎に段階的に変化する温度内に
て5分間保持し、Co86Cr12Ta2膜に±10(k
G)の磁束を与えて、B−Hループを測定したものであ
る。図3の測定結果では、S*が1に近い値であり、し
かもS*は温度による影響を全く受けていないことが解
る。また飽和磁化Bsと残留磁化Brの大きさは、総体
的に高い値であり、高温環境下であってもその低下幅が
小さい。また保磁力Hcは高温になると低下するが、そ
れでも260℃の高温環境下において300(Oe)以
上の高い値を示している。The result shown in FIG.
From 260 ° C. to 260 ° C. for 5 minutes in a temperature stepwise changing every 20 ° C., and the Co 86 Cr 12 Ta 2 film is ± 10 (k
The BH loop was measured by applying the magnetic flux G). In the measurement results of FIG. 3, a value close S * 1, moreover S * it can be seen that not affected at all by temperature. The magnitude of the saturation magnetization Bs and the magnitude of the residual magnetization Br are generally high values, and their decrease is small even in a high-temperature environment. Further, the coercive force Hc decreases at high temperatures, but still shows a high value of 300 (Oe) or more in a high-temperature environment of 260 ° C.
【0027】このようにCo−Cr−Taの磁性膜は、
Bs、BrおよびHcが高い値で、S*が1に近く、よ
ってハードバイアス層の材料として適していることが解
る。また、薄膜磁気ヘッドでは、その製造過程およびハ
ードディスク装置などにおいて使用されているときに、
高温の環境下に置かれることが多いが、図3では、Co
−Cr−Taの磁性膜は高温環境下でも磁気特性の低下
が極端ではなく、ハードバイアス層としての使用に何ら
問題がないことが解る。Thus, the magnetic film of Co—Cr—Ta is
It can be seen that Bs, Br and Hc are high values, and S * is close to 1, which is suitable as a material for the hard bias layer. Also, in the thin film magnetic head, when used in the manufacturing process and hard disk device, etc.,
Although it is often placed in a high temperature environment, FIG.
It can be seen that the magnetic properties of the -Cr-Ta magnetic film are not extremely deteriorated even in a high temperature environment, and there is no problem in use as a hard bias layer.
【0028】次に、図4は、ハードバイアス層12とし
て使用されるCox−Cry−Taz膜の組成比と、保磁
力Hcおよび飽和磁化Bsの大きさとの関係を示してい
る。図4での三角形の底辺はCoの原子量%(at%)
すなわちxを示し、右辺はCrの原子量%のyを示し、
左辺はTaの原子量%のzを示している。また、保磁力
Hcを一点鎖線で示し、飽和磁化Bsの大きさを二点鎖
線で示している。xが76以上で92以下(76〜9
2)、yが4以上で24以下(4〜24)、zが16以
下(0〜16)となる組成比の領域を(イ)とする。た
だしCox−Cry−Tazでのx+y+zは常に100
である。この(イ)の領域内の組成比を持つCo−Cr
−Taでは、保磁力Hcが200(Oe)以上で、飽和
磁化Bsが4(kG)以上である。Next, FIG. 4 shows the composition ratio of Co x -Cr y -Ta z film used as the hard bias layer 12, the relationship between the magnitude of the coercive force Hc and saturation magnetization Bs. The base of the triangle in FIG. 4 is the atomic weight% (at%) of Co.
That is, x is shown, and the right side shows y of the atomic weight% of Cr,
The left side shows z of the atomic weight% of Ta. Further, the coercive force Hc is indicated by a dashed line, and the magnitude of the saturation magnetization Bs is indicated by a dashed line. x is not less than 76 and not more than 92 (76 to 9
2) A region having a composition ratio where y is 4 or more and 24 or less (4 to 24) and z is 16 or less (0 to 16) is defined as (A). However Co x -Cr y -Ta x + y + z in the z always 100
It is. Co-Cr having a composition ratio in this region (a)
In -Ta, the coercive force Hc is 200 (Oe) or more and the saturation magnetization Bs is 4 (kG) or more.
【0029】また、xが80以上で90以下(80〜9
0)、yが10以上で20以下(10〜20)、zが1
0以下(0〜10)となる組成比の領域を(ロ)とす
る。同じくCox−Cry−Tazでのx+y+zは常に
100である。この(ロ)の領域内の組成比を持つCo
−Cr−Taでは、保磁力Hcが500(Oe)以上
で、飽和磁化Bsがほぼ6(kG)以上である。磁気抵
抗層5に縦バイアス磁界を与えるハードバイアス層12
の磁気特性としては、保磁力Hcが200(Oe)以上
で飽和磁化Bsが4(kG)以上であれば実用上十分で
あり、磁気抵抗層5をx方向へ単磁区化させてバルクハ
ウゼンノイズを低下させる効果を十分に発揮できる。ま
た保磁力Hcが500(Oe)以上で飽和磁化Bsが6
(kG)以上であれば、磁気抵抗層5のx方向への単磁
区化をきわめて高精度にでき、バルクハウゼンノイズの
低減にきわめて有効である。When x is 80 or more and 90 or less (80 to 9)
0), y is 10 or more and 20 or less (10 to 20), z is 1
A region having a composition ratio of 0 or less (0 to 10) is defined as (b). Similarly x + y + z in the Co x -Cr y -Ta z is always 100. Co having a composition ratio in this region (b)
In -Cr-Ta, the coercive force Hc is 500 (Oe) or more, and the saturation magnetization Bs is almost 6 (kG) or more. Hard bias layer 12 for applying a longitudinal bias magnetic field to magnetoresistive layer 5
Is sufficient for practical use if the coercive force Hc is 200 (Oe) or more and the saturation magnetization Bs is 4 (kG) or more, and the magnetic resistance layer 5 is made into a single magnetic domain in the x-direction to obtain Barkhausen noise. Effect can be sufficiently exhibited. When the coercive force Hc is 500 (Oe) or more and the saturation magnetization Bs is 6
Above (kG), the magnetic domain of the magnetoresistive layer 5 can be formed into a single magnetic domain in the x direction with extremely high accuracy, which is extremely effective in reducing Barkhausen noise.
【0030】したがって、ハードバイアス層12として
使用されるCox−Cry−Tazの、組成比は原子量%
でxが76以上で92以下(76〜92)、yが4以上
で24以下(4〜24)、zが16以下(0〜16)が
好ましく、さらに好ましくは、xが80以上で90以下
(80〜90)、yが10以上で20以下(10〜2
0)、zが10以下(0〜10)である。[0030] Thus, the Co x -Cr y -Ta z used as a hard bias layer 12, the composition ratio is atomic weight%
And x is 76 or more and 92 or less (76 to 92), y is 4 or more and 24 or less (4 to 24), and z is 16 or less (0 to 16). More preferably, x is 80 or more and 90 or less. (80-90), y is 10 or more and 20 or less (10-2
0) and z are 10 or less (0 to 10).
【0031】次に、ハードバイアス層12の磁気特性
は、その膜厚によって変化する。図5と図6は、Co−
Cr−Taの磁性膜の膜厚と磁気特性との関係を示した
ものである。図5は横軸にCo−Cr−Ta膜の膜厚
(単位はオングストローム)をとり、縦軸にCo−Cr
−Ta膜の保磁力Hc(Oe)と、B−Hループの角型
比S*およびSをとったものである。図6は横軸にCo
−Cr−Ta膜の膜厚をとり、縦軸に飽和磁化Bs(k
G)をとったものである。Next, the magnetic characteristics of the hard bias layer 12 change depending on its thickness. 5 and 6 show Co-
It shows the relationship between the thickness of the magnetic film of Cr-Ta and the magnetic properties. In FIG. 5, the horizontal axis represents the thickness of the Co—Cr—Ta film (in Angstroms), and the vertical axis represents Co—Cr—Ta.
The graph shows the coercive force Hc (Oe) of the -Ta film and the squareness ratios S * and S of the BH loop. FIG. 6 shows Co on the horizontal axis.
-The thickness of the Cr-Ta film is taken, and the vertical axis represents the saturation magnetization Bs (k
G).
【0032】図5と図6に示すα1〜α4の線は、図4
に示す(ロ)の領域の組成比のCo−Cr−Taに関す
る特性線である。測定した膜は、図4にてαで示す組成
比のものであり、xが86、yが12、zが2のCo86
Cr12Ta2膜である。ガラス基板上に、下地層として
Cr膜を200オングストロームの膜厚にて形成し、そ
の上にCo86Cr12Ta2膜を膜厚を変化させて形成
し、それぞれの膜厚の試料について±10(kG)の磁
束を与えてB−Hループの特性を調べたものである。α
1は保磁力Hc、α2は角型比S*、α3は角型比S、
α4は飽和磁化Bsである。The lines α1 to α4 shown in FIG. 5 and FIG.
7 is a characteristic line relating to Co—Cr—Ta of the composition ratio in the region (b) shown in FIG. The measured film has a composition ratio indicated by α in FIG. 4 and is Co 86 in which x is 86, y is 12, and z is 2.
Cr is a 12 Ta 2 film. On a glass substrate, a Cr film was formed as a base layer with a thickness of 200 angstroms, and a Co 86 Cr 12 Ta 2 film was formed thereon by changing the film thickness. The characteristics of the BH loop were examined by applying a magnetic flux of (kG). α
1 is the coercive force Hc, α2 is the squareness ratio S * , α3 is the squareness ratio S,
α4 is the saturation magnetization Bs.
【0033】(ロ)の領域のαの組成比となるCo86C
r12Ta2では、図6に示すように、膜厚の変化によっ
て飽和磁化Bsがほとんど変化しないことが解る。また
図5に示すように、膜厚が厚くなるにしたがって保磁力
Hcが徐々に低下するが、膜厚が600オングストロー
ムのときに保磁力Hcが600(Oe)で、膜厚が10
00オングストロームのときに保磁力Hcが500(O
e)であり、常に高い値となる。また角型比S* および
Sは、膜厚が200オングストローム以上では共に0.
8以上で1に近いものとなる。また膜厚が50オングス
トロームでは、S*が0.9程度でSが0.7程度であ
る。図5と図6では、(ロ)の領域のCo86Cr12Ta
2膜では、いずれの膜厚であっても充分な磁気特性を発
揮できるものとなっていることが解る。ただし、薄膜磁
気ヘッドの各層の膜厚との関係からハードバイアス層の
膜厚は最低でも50オングストローム以上は必要であ
り、また1000オングストロームを越えると、膜厚が
厚くなりすぎ、磁気抵抗層5などとの構造上のバランス
が崩れる。また、図5から膜厚が50オングストローム
よりも下回ると角型比Sが低くなりすぎる。以上から
(ロ)の領域の組成比を持つCo−Cr−Ta膜により
ハードバイアス層12を形成する場合には、膜厚が50
オングストローム以上で1000オングストローム以下
とすることが好ましい。Co 86 C, which is the composition ratio of α in the region (b)
At r 12 Ta 2 , as shown in FIG. 6, the saturation magnetization Bs hardly changes due to the change in the film thickness. As shown in FIG. 5, the coercive force Hc gradually decreases as the film thickness increases. However, when the film thickness is 600 Å, the coercive force Hc is 600 (Oe) and the film thickness is 10 (Oe).
At the time of 00 angstrom, the coercive force Hc is 500 (O
e), which is always a high value. The squareness ratio S * Contact and <br/> S are both in thickness 200 angstroms 0.
It becomes close to 1 when it is 8 or more. When the film thickness is 50 angstroms, S * is about 0.9 and S is about 0.7. 5 and 6, Co 86 Cr 12 Ta in the region (b)
It can be seen that the two films can exhibit sufficient magnetic characteristics regardless of the film thickness. However, the thickness of the hard bias layer is required to be at least 50 Å or more due to the relationship with the thickness of each layer of the thin film magnetic head. And the structural balance between them is lost. In addition, from FIG. 5, when the film thickness is less than 50 angstroms, the squareness ratio S becomes too low. From above
When the hard bias layer 12 is formed of a Co—Cr—Ta film having the composition ratio of the region (b) , the thickness is 50
It is preferable that the thickness be greater than or equal to Å and less than or equal to 1000 Å.
【0034】次に、図5にてβで示す線は、図4の
(イ)の領域の組成比のCo−Cr−Ta膜の、膜厚と
保磁力Hcとの関係を示している。測定は、ガラス基板
上に200オングストロームのCr膜を形成し、その上
にCo−Cr−Ta膜を膜厚を変化させて形成し、±1
0(kG)の磁束を与えて、B−Hループを測定したも
のである。膜の組成比は図4にてβで示されるものであ
り、xが92、yが6、zが2であり、Co92Cr6T
a2膜である。この膜では、α1と同様に、膜厚が厚く
なると保磁力Hcが低下し、膜厚600オングストロー
ムで保磁力Hcが200(Oe)である。ハードバイア
ス層12では保磁力Hcが200(Oe)以上であるこ
とが必要であり、よって(イ)の領域の組成のCo−C
r−Ta膜をハードバイアス層として使用する場合、膜
厚は50オングストローム以上で600オングストロー
ム以下であることが好ましい。ただし、磁性膜の保磁力
は、成膜方法やアニール処理などにより調整が可能であ
り、Co92Cr6Ta2のように(イ)の領域にある膜で
あっても、保磁力を調整することにより1000オング
ストローム程度の膜厚のものであっても使用することは
可能である。Next, the line indicated by β in FIG.
The relationship between the film thickness and the coercive force Hc of the Co—Cr—Ta film having the composition ratio in the region (a) is shown. The measurement was performed by forming a 200 Å Cr film on a glass substrate, forming a Co—Cr—Ta film on the Cr film by changing the film thickness, and ± 1.
The BH loop is measured by applying a magnetic flux of 0 (kG). The composition ratio of the film is indicated by β in FIG. 4, where x is 92, y is 6, z is 2, and Co 92 Cr 6 T
a 2 film. In this film, similarly to α1, the coercive force Hc decreases as the film thickness increases, and the coercive force Hc is 200 (Oe) at a film thickness of 600 Å. It is necessary that the hard bias layer 12, the coercive force Hc is 200 (Oe) or more, thus Co-C composition in the region of (b)
When an r-Ta film is used as a hard bias layer, the film thickness is preferably not less than 50 Å and not more than 600 Å. However, the coercive force of the magnetic film can be adjusted by a film forming method, an annealing process, and the like, and the coercive force is adjusted even for a film such as Co 92 Cr 6 Ta 2 in the region (a). Thus, it is possible to use even a film having a thickness of about 1000 Å.
【0035】次に図7と図8は、下地層となるCr膜の
膜厚と、Co−Cr−Ta膜の磁気特性との関係を示し
たものである。ガラス基板上に下地層となるCr膜を膜
厚を変化させて形成し、その上に(ロ)の領域の組成比
のCo86Cr12Ta2膜を成膜し、それぞれの厚さのC
r膜のものに関してB−Hループ特性(外部から与える
磁束は±10kG)を測定したものである。図7と図8
では、下地層となるCr膜の膜厚が変化しても飽和磁化
Bsおよび角型比S*およびSがほとんど変化しないこ
とが解り、Co−Cr−Ta膜の下地層としてCr膜が
適していることが解る。FIGS. 7 and 8 show the relationship between the thickness of the Cr film serving as the underlayer and the magnetic characteristics of the Co—Cr—Ta film. A Cr film serving as an underlayer is formed on a glass substrate by changing the film thickness, and a Co 86 Cr 12 Ta 2 film having a composition ratio of the region (b) is formed thereon.
The BH loop characteristics (with an externally applied magnetic flux of ± 10 kG) were measured for the r film. 7 and 8
It can be seen that the saturation magnetization Bs and the squareness ratios S * and S hardly change even when the thickness of the Cr film serving as the underlayer changes, and the Cr film is suitable as the underlayer of the Co—Cr—Ta film. I understand that there is.
【0036】ただし、下地層のCr膜の膜厚が小さくな
ると、Co−Cr−Ta層の保磁力Hcが低下する。こ
れは、下地層の膜厚が薄くなり下地層の結晶配向が不安
定になると、Co−Cr−Ta層の結晶構造が、下地層
のCr層との界面において下地層の影響を受け、Co−
Cr−Ta膜の結晶配向が若干変化し、磁化方向(x方
向)での保磁力が影響を受けるためと考えられる。図7
では、下地層のCr膜の膜厚が50オングストロームを
下回ると、保磁力Hcが低下していく曲線となってい
る。ただし、これは測定した試料の関係で、Cr膜を5
0オングストロームよりも薄く成膜することが困難であ
り、50オングストロームの膜厚よりも小さいものはC
rの膜厚が0であり、50オングストロームの測定値と
0の測定値とを線で結んだ結果図7に示す曲線となった
ものである。However, the coercive force Hc of the Co—Cr—Ta layer decreases as the thickness of the Cr film of the underlayer decreases. This is because when the thickness of the underlayer becomes thin and the crystal orientation of the underlayer becomes unstable, the crystal structure of the Co—Cr—Ta layer is affected by the underlayer at the interface with the underlayer Cr layer, and −
It is considered that the crystal orientation of the Cr-Ta film slightly changed and the coercive force in the magnetization direction (x direction) was affected. FIG.
The curve shows that the coercive force Hc decreases when the thickness of the Cr film of the underlayer falls below 50 angstroms. However, this is because the Cr film is 5
It is difficult to form a film thinner than 0 Å, and if the film thickness is smaller than 50 Å, C
The film thickness of r is 0, and the measured value of 50 angstroms and the measured value of 0 are connected by a line, resulting in a curve shown in FIG.
【0037】よって実際には、下地層としてのCr膜を
形成することによりCo−Cr−Ta膜の保磁力Hcを
ある程度高い値にできる。ただしCr膜の膜厚は成膜条
件から10オングストロームが最下限であり、また薄膜
磁気ヘッドの他の膜の厚さとの関係からCr層の膜厚は
最低でも50オングストローム以上とすることが必要で
ある。よって下地層のCr膜の膜厚は10オングストロ
ーム以上が好ましく、さらに好ましくは50オングスト
ローム以上である。また下地層のCr膜の膜厚が厚くて
もCo−Cr−Ta膜の磁気特性に悪影響はないが、薄
膜磁気ヘッドの他の層の膜厚との構造上のバランスを考
慮すると、下地層となるCr膜の膜厚の上限は600オ
ングストローム以下程度が好ましい。Therefore, in practice, the formation of the Cr film as the underlayer can increase the coercive force Hc of the Co—Cr—Ta film to a relatively high value. However, the lower limit of the thickness of the Cr film is 10 angstroms due to the film forming conditions, and the thickness of the Cr layer must be at least 50 angstroms or more in relation to the thickness of other films of the thin-film magnetic head. is there. Therefore, the thickness of the Cr film of the underlayer is preferably 10 Å or more, more preferably 50 Å or more. Even if the thickness of the Cr film of the underlayer is large, there is no adverse effect on the magnetic properties of the Co—Cr—Ta film, but considering the structural balance with the thickness of the other layers of the thin-film magnetic head, The upper limit of the thickness of the Cr film is preferably about 600 Å or less.
【0038】次に、図9は、Co−Cr−Ta膜の上地
層となるCr膜の膜厚とCo−Cr−Ta層の磁気特性
との関係を調べた結果を示している。試料としては、ガ
ラス基板の上に下地層としてCr膜を200オングスト
ロームの膜厚に形成し、その上にCo86Cr12Ta2の
磁性層を600オングストロームの膜厚に形成し、さら
に上地層としてCr膜を形成し、上地層の膜厚を変えた
もののそれぞれについてB−Hループ特性を調べた。図
9では、黒丸とこれを結んだ実線は、前記3層を成膜し
たものについて±10kGの磁束を与え、B−Hループ
を調べたものであり、白丸とこれを結んだ点線は、成膜
した後に250℃で2時間のアニール処理を行ったもの
に対して同様にB−Hループを調べたものである。図9
では上地層のCr膜の膜厚の変化が、Co−Cr−Ta
膜の磁気特性にほとんど影響を与えていないことが解
る。よってハードバイアス層がCo−Cr−Ta層の場
合に、上地層としてCr膜が適していることが解る。Next, FIG. 9 shows the result of examining the relationship between the thickness of the Cr film as the upper layer of the Co-Cr-Ta film and the magnetic characteristics of the Co-Cr-Ta layer. As a sample, a Cr film was formed as a base layer on a glass substrate to a thickness of 200 angstroms, and a magnetic layer of Co 86 Cr 12 Ta 2 was formed thereon to a thickness of 600 angstroms. A BH loop characteristic was examined for each of the Cr films formed and the film thickness of the upper layer changed. In FIG. 9, a black circle and a solid line connecting the black circles are obtained by applying a magnetic flux of ± 10 kG to the three layers formed and examining the BH loop. The BH loop was similarly examined for annealed at 250 ° C. for 2 hours after forming the film. FIG.
In the above, the change in the thickness of the Cr film of the upper layer is caused by Co—Cr—Ta
It can be seen that the magnetic properties of the film are hardly affected. Therefore, it can be seen that when the hard bias layer is a Co—Cr—Ta layer, a Cr film is suitable as the upper layer.
【0039】このように上地層としてCr膜を設ける場
合に、膜厚寸法に制限はないが、薄膜磁気ヘッドの他の
層の膜厚との間に構造上のバランスをとるために、上地
層の膜厚は10オングストローム以上あるいは50オン
グストローム以上で、1000オングストローム以下あ
るいは1500オングストローム以下または2000オ
ングストローム以下程度であることが好ましい。When the Cr film is provided as the upper layer as described above, there is no limitation on the film thickness. However, in order to achieve a structural balance with the film thickness of the other layers of the thin-film magnetic head, the upper layer is formed. It is preferable that the film thickness is about 10 Å or more or 50 Å or more and about 1000 Å or less, about 1500 Å or less, or about 2000 Å or less.
【0040】以上のように、薄膜ヘッドのハードバイア
ス層としてCo−Cr−Ta膜を形成する場合に、その
組成比は図4の(イ)の領域内が好ましく、さらに
(ロ)の領域内とすることが好ましい。また下地層と上
地層はCr膜が好ましい。またCo−Cr−Ta膜の膜
厚と、下地層と上地層の膜厚は前述した範囲とすること
が好ましい。なお、本発明の薄膜磁気ヘッドは、浮上式
磁気ヘッドに限られず、他の磁気ヘッドや磁気検出装置
に使用することができる。As described above, when the Co—Cr—Ta film is formed as the hard bias layer of the thin film head, the composition ratio is preferably within the region (a) of FIG. 4 and further within the region (b). It is preferable that The underlayer and the upper layer are preferably Cr films. Further, it is preferable that the thickness of the Co—Cr—Ta film and the thicknesses of the underlayer and the upper layer be in the above-described ranges. It should be noted that the thin-film magnetic head of the present invention is not limited to a floating magnetic head, and can be used for other magnetic heads and magnetic detection devices.
【0041】[0041]
【発明の効果】以上のように、本発明では、ハードバイ
アス層としてCo−Cr−Ta膜を使用することによ
り、ハードバイアス層として必要となる保磁力Hcや残
留磁化Brなどを得ることができ、磁気抵抗層に充分な
縦バイアス磁界を与えて磁気抵抗層を高精度に単磁区化
させることができ、バルクハウゼンノイズのきわめて低
い薄膜磁気ヘッドを得ることができる。またハードバイ
アス層の下地層と上地層として、Cr膜を設けると、下
地膜がCo−Cr−Ta膜のハードバイアス層の磁気特
性に影響を与えなくなる。As described above, in the present invention, by using a Co—Cr—Ta film as the hard bias layer, it is possible to obtain the coercive force Hc and the residual magnetization Br required for the hard bias layer. By applying a sufficient longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive layer, the magnetoresistive layer can be made into a single magnetic domain with high accuracy, and a thin-film magnetic head with extremely low Barkhausen noise can be obtained. When a Cr film is provided as an underlayer and an upper layer of the hard bias layer, the underlayer does not affect the magnetic characteristics of the hard bias layer of the Co—Cr—Ta film.
【0042】また、Cox−Cry−Tazの組成比x:
y:z:を前記(イ)の領域に設定することにより保磁
力Hcと飽和磁化Bsを高くでき、前記(ロ)の領域に
設定することにより、保磁力Hcと飽和磁化Bsをさら
に高いものにできる。Further, Co x -Cr y -Ta composition ratio of z x:
By setting y: z: in the region (a), the coercive force Hc and the saturation magnetization Bs can be increased. By setting y: z: in the region (b), the coercive force Hc and the saturation magnetization Bs can be further increased. Can be.
【0043】またハードバイアス層と下地層および上地
層の膜厚を適正に設定することにより高い保磁力を得る
ことができる。A high coercive force can be obtained by properly setting the thicknesses of the hard bias layer, the underlayer and the upper layer.
【図1】本発明の薄膜磁気ヘッドの実施例を示す拡大正
面図(断面図)、FIG. 1 is an enlarged front view (cross-sectional view) showing an embodiment of a thin-film magnetic head according to the present invention;
【図2】ハードバイアス層を構成する磁性膜のB−Hル
ープ線図、FIG. 2 is a BH loop diagram of a magnetic film constituting a hard bias layer;
【図3】Co−Cr−Ta膜の温度とB−Hループ特性
との関係を示す線図、FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the temperature of a Co—Cr—Ta film and BH loop characteristics;
【図4】Co−Cr−Ta膜の組成比と保磁力および飽
和磁化との関係を示す線図、FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the composition ratio of a Co—Cr—Ta film and coercive force and saturation magnetization.
【図5】Co−Cr−Ta膜の膜厚と保磁力などとの関
係を示す線図、FIG. 5 is a diagram showing a relationship between a film thickness of a Co—Cr—Ta film and a coercive force;
【図6】Co−Cr−Ta膜の膜厚と飽和磁化との関係
を示す線図、FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the thickness of a Co—Cr—Ta film and saturation magnetization;
【図7】下地層の膜厚とCo−Cr−Ta膜の保磁力な
どとの関係を示す線図、FIG. 7 is a diagram showing a relationship between a film thickness of an underlayer and a coercive force of a Co—Cr—Ta film,
【図8】下地層の膜厚とCo−Cr−Ta膜の飽和磁化
との関係を示す線図、FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the thickness of an underlayer and the saturation magnetization of a Co—Cr—Ta film;
【図9】上地層の膜厚とCo−Cr−Ta膜の保磁力な
どとの関係を示す線図、FIG. 9 is a diagram showing a relationship between a film thickness of an upper layer and a coercive force of a Co—Cr—Ta film,
【図10】従来の薄膜磁気ヘッドの拡大正面図(断面
図)FIG. 10 is an enlarged front view (cross-sectional view) of a conventional thin-film magnetic head.
1 下部絶縁層 2 ヘッド素子積層体 3 軟磁性層 4 非磁性層 5 磁気抵抗層 6 上部絶縁層 11 下地層 12 ハードバイアス層 13 上地層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lower insulating layer 2 Head element laminated body 3 Soft magnetic layer 4 Nonmagnetic layer 5 Magnetoresistance layer 6 Upper insulating layer 11 Underlayer 12 Hard bias layer 13 Upper ground layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 5/39 G11B 5/31 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G11B 5/39 G11B 5/31
Claims (7)
ク幅方向の両側部に接続されたハードバイアス層とを有
する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ハードバイアス層が
Co x −Cr y −Ta z の磁性膜により形成されており、 x=76〜92at%、y=4〜24at%、z=0〜
16at%(ただしx+y+z=100)である ことを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。 And 1. A magnetoresistive layer, a thin film magnetic head having said magnetoresistive layer hard bias layer connected to both sides of the track width direction of the hard bias layer
Co x -Cr y -Ta z are formed by magnetic film, x = 76~92at%, y = 4~24at%, z = 0~
A thin film magnetic head characterized by 16 at% (x + y + z = 100) .
at%、z=0〜10at%(ただしx+y+z=10
0)である請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。2. x = 80-90 at% , y = 10-20
at% , z = 0 to 10 at% (where x + y + z = 10
0) A thin film magnetic head according to claim 1, wherein.
厚が50〜600オングストロームである請求項1記載
の薄膜磁気ヘッドWherein the Co x -Cr y -Ta z thin film magnetic head according to claim 1, wherein the thickness of the magnetic film is 50 to 600 Angstroms
厚が50〜1000オングストロームである請求項2記
載の薄膜磁気ヘッド。Wherein said Co x -Cr y -Ta z thin film magnetic head according to claim 2, wherein the thickness of the magnetic film is 50 to 1000 angstroms.
り形成されたハードバイアス層の下地層として、Cr膜
が設けられている請求項1ないし4のいずれかに記載の
薄膜磁気ヘッド。Wherein said Co x -Cr y -Ta as an underlying layer of hard bias layer formed by the magnetic film of z, the thin film magnetic head according to any one of 4 to claims 1 Cr film is provided .
オングストローム以上である請求項5記載の薄膜磁気ヘ
ッド。6. A film thickness of a Cr film as an underlayer is 10
6. The thin-film magnetic head according to claim 5 , wherein the thickness is equal to or more than Å.
り形成されたハードバイアス層の上地層として、前記磁
気抵抗層に検出電流を与えるCr膜が設けられている請
求項1ないし6のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 7. The magnetic film of the Co x -Cr y -Ta z
The magnetic bias is formed as an upper layer on the hard bias layer formed by
Check that a Cr film that gives a detection current to the resistance layer is provided.
A thin-film magnetic head according to any one of claims 1 to 6.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19900294A JP3164736B2 (en) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | Thin film magnetic head |
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