JP3147878U

JP3147878U - 高周波スイッチモジュール

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Publication number: JP3147878U
Application number: JP2008007782U
Authority: JP
Inventors: 永徳村瀬; 孝紀上嶋
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2008-11-06
Filing date: 2008-11-06
Publication date: 2009-01-22
Anticipated expiration: 2018-11-06

Abstract

【課題】スイッチ回路の高周波特性の劣化を抑制できる高周波スイッチモジュールを提供する。【解決手段】高周波スイッチモジュール１０は、多層基板１２と、多層基板１２に実装されているスイッチ回路１４と、を備えている。多層基板１２は、複数の周波数帯域の受信信号又は送信信号が入出力する共通端子Ｔ２６と、送信端子Ｔ１，Ｔ２と、受信端子Ｔ３〜Ｔ１０と、共通端子Ｔ２６に入出力する受信信号又は送信信号の周波数帯域に応じてスイッチ回路１４の制御を行う制御信号が印加される制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４と、スイッチ回路１４に供給される電源電圧が印加される電源端子Ｔ１５と、を含んでいる。スイッチ回路１４は、制御信号に基づいて、送信端子Ｔ１，Ｔ２又は受信端子Ｔ３〜Ｔ１０と共通端子Ｔ２６とを接続する。共通端子Ｔ２６及び送信端子Ｔ１，Ｔ２は、端子Ｔ１１〜Ｔ１５と隣り合っていない。【選択図】図２

Description

本考案は、高周波スイッチモジュールに関し、より特定的には、複数の異なる通信方式に使用できる無線機に用いる高周波スイッチモジュールに関する。

携帯無線システムには、例えば、欧州で広く用いられているＧＳＭ９００（ＧｌｏｂａｌＳｙｓｔｅｍｆｏｒＭｏｂｉｌｅＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ９００）方式及びＧＳＭ１８００（ＧｌｏｂａｌＳｙｓｔｅｍｆｏｒＭｏｂｉｌｅＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ１８００）方式、又は北米で広く用いられているＧＳＭ８５０（ＧｌｏｂａｌＳｙｓｔｅｍｆｏｒＭｏｂｉｌｅＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ８５０）方式、日本で広く用いられているＰＤＣ（ＰｅｒｓｏｎａｌＤｉｇｉｔａｌＣｅｌｌｕａｒ）方式等がある。また、ＧＳＭと並んで用いられているＣＤＭＡ方式では、ＣｄｍａＯｎｅ（ＣｏｄｅＤｉｖｉｓｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅＡｃｃｅｓｓＯｎｅ）、ＩＭＴ−２０００（ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＭｏｂｉｌｅＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ２０００）等がある。近年の携帯電話の急激な普及に伴い、特に、大都市近郊において各無線システムに割り当てられた周波数帯域では、全システム利用者をまかないきれず、通信が途中切断されたり、接続が困難になったりするといった問題が生じていた。そこで、利用者が複数の無線システムを利用できるようにして、実質的に利用可能な周波数の増加を図り、サービスの向上やインフラの有効活用をすることが提案されている。

そこで、特許文献１に記載のアンテナスイッチ回路が知られている。該アンテナスイッチ回路は、アンテナ及びスイッチ回路を備えている。アンテナは、複数の周波数帯域の送受信信号を送受信する。スイッチ回路には、周波数帯域毎に送信回路及び受信回路が接続される。スイッチ回路は、アンテナから入力してくる複数の周波数帯域の受信信号が対応する受信回路に正確に出力されるように、信号の伝送経路を切り替えると共に、送信回路からの送信信号がアンテナに正確に出力されるように伝送経路を切り替える。このようなスイッチ回路は、複数のＦＥＴトランジスタにより構成され、該ＦＥＴトランジスタは、制御信号によりＯＮとＯＦＦとに切り替えられることにより、伝送経路を切り替えている。以上のようなアンテナスイッチ回路によれば、携帯電話において、複数種類の周波数帯域の送受信信号を取り扱うことが可能となる。

ところで、特許文献１に記載のアンテナスイッチ回路では、スイッチ回路を制御するための制御信号ＶＣ２が印加される電極と送信信号Ｔｘ１が入力する電極とが隣り合うように配置されている（特許文献１の図５参照）。そのため、以下に説明するように、スイッチ回路の高周波特性が劣化するという問題がある。

より詳細には、スイッチ回路は、ＦＥＴトランジスタにより構成されている。ＦＥＴトランジスタは、ＯＮとＯＦＦとの切り替え時にノイズを発生することがある。このようなノイズは、ＦＥＴトランジスタを動作させるための制御信号ＶＣ２の伝送経路を経由して、制御信号ＶＣ２が印加される電極から放射され、送信信号Ｔｘ１が印加される電極へと入力する。これにより、送信信号Ｔｘ１がノイズにより変調されてしまう。送信信号Ｔｘ１は、比較的大きな電力を有している。そのため、送信信号Ｔｘ１がノイズにより変調されると、大きな高調波歪みが送信信号Ｔｘ１において発生する。その結果、スイッチ回路の高周波特性が大きく劣化する。

特開平２００４−２５３９５３号公報（図５参照）

そこで、本考案の目的は、スイッチ回路の高周波特性の劣化を抑制できる高周波スイッチモジュールを提供することである。

本考案の一形態に係る高周波スイッチモジュールは、基板と、前記基板に実装されているスイッチ回路と、を備えており、前記基板は、複数の周波数帯域の受信信号又は送信信号が入出力する共通端子と、前記送信信号が入力してくる送信端子と、前記受信信号が出力していく受信端子と、前記共通端子に入出力する前記受信信号又は前記送信信号の周波数帯域に応じて前記スイッチ回路の制御を行う制御信号が印加される制御端子と、前記スイッチ回路に供給される電源電圧が印加される電源端子と、を含んでおり、前記スイッチ回路は、前記制御信号に基づいて、前記送信端子又は前記受信端子と前記共通端子とを接続し、前記共通端子及び前記送信端子は、前記制御端子及び前記電源端子と隣り合っていないこと、を特徴とする。

本考案によれば、スイッチ回路の高周波特性の劣化を抑制できる。

以下に、本考案の実施形態に係る高周波スイッチモジュールについて説明する。

（高周波スイッチモジュール）
以下に、本考案の一実施形態に係る高周波スイッチモジュールについて図面を参照しながら説明する。図１は、高周波スイッチモジュール１０のブロック図である。高周波スイッチモジュール１０は、複数種類の周波数帯域の送受信信号を取り扱うことができる携帯電話に用いられる。高周波スイッチモジュール１０には、周波数帯域毎に図示しない複数の送信回路及び複数の受信回路が接続されている。高周波スイッチモジュール１０は、アンテナから入力してくる複数の周波数帯域の受信信号が対応する受信回路に正確に出力されるように、信号の伝送経路を切り替えると共に、送信回路からの送信信号がアンテナに正確に出力されるように伝送経路を切り替える。

高周波スイッチモジュール１０は、図１に示すように、多層基板１２、スイッチ回路１４及びＳＡＷフィルタ２０，２２，２４，２６を備えている。また、高周波スイッチモジュール１０には、アンテナ３０が接続されている。ＳＡＷフィルタ２０，２２，２４，２６は、不平衡入力端子及び平衡出力端子を備えている。

多層基板１２は、内部に回路が形成された矩形状の基板である。図２（ａ）は、多層基板１２の裏面を示した図であり、図２（ｂ）は、多層基板１２の表面を示した図である。多層基板１２の裏面とは、多層基板１２がプリント配線基板上に実装される際に、プリント配線基板と対向する面であり、多層基板１２の表面とは、多層基板１２の裏面と平行な面である。

図２（ａ）に示すように、多層基板１２の裏面には、端子Ｔ１〜Ｔ２８が設けられている。図１に示すように、送信端子Ｔ１，Ｔ２にはそれぞれ、ＧＳＭ方式の送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２が図示しない送信回路から入力してくる。受信端子Ｔ３〜Ｔ１０からはそれぞれ、ＧＳＭ方式の受信信号Ｒｘ１〜Ｒｘ８が図示しない受信回路へと出力していく。制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４のそれぞれは、アンテナ３０に入出力する高周波信号の周波数帯域に応じてスイッチ回路１４の制御を行う制御信号Ｖｃ１〜Ｖｃ４が印加される。電源端子Ｔ１５には、スイッチ回路１４に供給される電源電圧Ｖｄｄが印加される。送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９には、ＵＭＴＳ方式の送信信号ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４が図示しない送信回路から入力してくると共に、ＵＭＴＳ方式の受信信号ＵＭＴＳ−Ｒｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｒｘ４が図示しない受信回路へと出力していく。接地端子Ｔ２０〜Ｔ２５には、接地電圧ＧＮＤが印加される。共通端子Ｔ２６には、アンテナ３０が接続され、複数の周波数帯域の高周波信号が入出力する。図２（ａ）の接地端子Ｔ２７，Ｔ２８は、接地電圧ＧＮＤが印加される。該接地端子Ｔ２７，Ｔ２８は、他の端子Ｔ１〜Ｔ２６よりも大きな面積を有しており、図示しないプリント配線基板側の電極に対して固定されることにより、図１のプリント配線基板に多層基板１２を固定する接着端子として機能している。

ここで、図２（ａ）に示すように、端子Ｔ１〜Ｔ２６は、多層基板１２の外縁近傍において、１本の線上に並んでいる。すなわち、端子Ｔ１〜Ｔ２６は、多層基板１２上においてロ字状に配置されている。更に、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、受信端子Ｔ１０と接地端子Ｔ２０との間において連続して一列に並んでいる。そして、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５の列の一端に位置する電源端子Ｔ１５と送信端子Ｔ１との間には、受信端子Ｔ３〜Ｔ１０及び接地端子Ｔ２５が配置されている。また、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５の列の他端に位置する制御端子Ｔ１４と送受信端子Ｔ１６との間には、接地端子Ｔ２０が配置されている。以上の構成により、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６は、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５と隣り合わないように配置されている。これにより、高周波スイッチモジュール１０において、スイッチ回路１４の高周波特性の劣化を抑制している。

また、本実施形態では、送信端子Ｔ１，Ｔ２は、図２に示すように、多層基板１２の第１の辺（図２の左側の辺）に沿って並ぶように配置されている。一方、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、前記第１の辺に対向する多層基板１２の第２の辺（図２の右側の辺）に沿って並ぶように配置されている。これにより、送信端子Ｔ１，Ｔ２と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とのアイソレーションを確保している。更に、接地端子Ｔ２７，Ｔ２８は、第１の辺と第２の辺との間に配置されている。これにより、送信端子Ｔ１，Ｔ２と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とのアイソレーションをより確実に確保している。

多層基板１２の表面には、図２（ｂ）に示すように、スイッチ回路１４、ＳＡＷフィルタ（表面波フィルタ）２０，２２，２４，２６及び抵抗器Ｒ１（図１には図示せず）が実装されている。また、多層基板１２は、送信端子Ｔ１，Ｔ２とスイッチ回路１４との間に接続されているローパスフィルタ１６，１８を内蔵している。スイッチ回路１４、ローパスフィルタ１６，１８、ＳＡＷフィルタ２０，２２，２４，２６及び抵抗器Ｒ１は、図２（ａ）に示す端子Ｔ１〜Ｔ２８と多層基板１２内に設けられているビアホール導体及び配線とを介して電気的に接続されている。以下に、図２を参照しながらより詳細に説明する。

図２（ｂ）に示した丸印は、多層基板１２の最上層に設けられているビアホール導体である。多層基板１２の最上層には、ビアホール導体ｂ１〜ｂ３０が設けられている。送信端子Ｔ１，Ｔ２はそれぞれ、多層基板１２内のローパスフィルタ１６，１８（図２には図示せず）及びビアホール導体ｂ１，ｂ２を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。

受信端子Ｔ３，Ｔ４は、ビアホール導体ｂ３，ｂ４を介してＳＡＷフィルタ２０と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ３，ｂ４は、ＳＡＷフィルタ２０においてビアホール導体ｂ２０と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ２０は、ビアホール導体ｂ２１を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と受信端子Ｔ３，Ｔ４とは、ＳＡＷフィルタ２０を介して電気的に接続されている。

受信端子Ｔ５，Ｔ６は、ビアホール導体ｂ５，ｂ６を介してＳＡＷフィルタ２２と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ５，ｂ６は、ＳＡＷフィルタ２２においてビアホール導体ｂ２２と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ２２は、ビアホール導体ｂ２３を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と受信端子Ｔ５，Ｔ６とは、ＳＡＷフィルタ２２を介して電気的に接続されている。

受信端子Ｔ７，Ｔ８は、ビアホール導体ｂ７，ｂ８を介してＳＡＷフィルタ２４と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ７，ｂ８は、ＳＡＷフィルタ２４においてビアホール導体ｂ２４と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ２４は、ビアホール導体ｂ２５を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と受信端子Ｔ７，Ｔ８とは、ＳＡＷフィルタ２４を介して電気的に接続されている。

受信端子Ｔ９，Ｔ１０は、ビアホール導体ｂ９，ｂ１０を介してＳＡＷフィルタ２６と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ９，ｂ１０は、ＳＡＷフィルタ２６においてビアホール導体ｂ２７と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ２７は、ビアホール導体ｂ２８を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と受信端子Ｔ９，Ｔ１０とは、ＳＡＷフィルタ２６を介して電気的に接続されている。

制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４、電源端子Ｔ１５及び送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９は、ビアホール導体ｂ１１〜ｂ１９を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。端子Ｔ２６は、ビアホール導体ｂ２６を介して抵抗器Ｒ１と電気的に接続されている。ビアホール導体ｂ２６は、抵抗器Ｒ１においてビアホール導体ｂ２９と電気的に接続されている。ビアホール導体ｂ２９は、ビアホール導体ｂ３０を介して、スイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と共通端子Ｔ２６とは、電気的に接続されている。

接地端子Ｔ２７，Ｔ２８は、図示しないビアホール導体により、多層基板１２に内蔵されているグランド電極（図示せず）に接続されている。

以上のように構成された高周波スイッチモジュール１０では、スイッチ回路１４は、制御信号Ｖｃ１〜Ｖｃ４に基づいて、アンテナ３０が受信した受信信号の周波数帯域に応じた受信端子Ｔ３〜Ｔ１０と共通端子Ｔ２６とを接続する。また、スイッチ回路１４は、制御信号Ｖｃ１〜Ｖｃ４に基づいて、アンテナ３０から送信すべき送信信号の周波数帯域に応じた送信端子Ｔ１，Ｔ２と共通端子Ｔ２６とを接続する。これにより、高周波スイッチモジュール１０は、複数種類の周波数帯域の送受信信号を取り扱うことができる。

（効果）
以上のように構成された高周波スイッチモジュール１０によれば、以下に説明するように、スイッチ回路１４の高周波特性の劣化を抑制できる。より詳細には、共通端子Ｔ２６、送信端子Ｔ１，Ｔ２及び送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９は、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５と隣り合わないように配置されている。制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、スイッチ回路１４の制御及び駆動に用いられるため、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５に接続された電流経路ではノイズが発生し易い。そして、該ノイズは、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５より周囲に放射される。よって、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５には、ノイズの影響を受け易い信号が入出力する端子を配置しないことが望ましい。

ここで、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６は、比較的大きな電力を有している送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４が入出力する端子である。そのため、送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４がノイズにより変調されると、大きな高調波歪みが送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４に発生する。すなわち、送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４は、ノイズの影響を受け易い。

そこで、高周波スイッチモジュール１０では、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とが隣り合わないように配置されている。具体的には、電源端子Ｔ１５と送信端子Ｔ１との間には、受信端子Ｔ３〜Ｔ１０及び接地端子Ｔ２５が配置されている。また、制御端子Ｔ１４と送受信端子Ｔ１６との間には、接地端子Ｔ２０が配置されている。これにより、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とのアイソレーションが確保されるようになり、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５から放射されるノイズが、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６へと入力することが抑制される。よって、送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４がノイズにより変調されにくくなり、大きな高調波歪みが送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４において発生しにくくなる。その結果、スイッチ回路１４における高周波特性の劣化が抑制されるようになる。

なお、受信端子Ｔ１０又は接地端子Ｔ２０は、電源端子Ｔ１５又は制御端子Ｔ１４と隣り合っている。しかしながら、受信端子Ｔ１０及び接地端子Ｔ２０には、比較的小さな電力を有する信号しか入出力しない。そのため、受信端子Ｔ１０及び接地端子Ｔ２０に入出力する信号がノイズにより変調されたとしても、送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４に発生する高調波歪みほど大きな高調波歪みが発生しない。よって、スイッチ回路１４における高周波特性の劣化は発生しにくい。

更に、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、図２に示すように、受信端子Ｔ１０と接地端子Ｔ２０との間において連続して一列に並んでいる。このように、ノイズを放射し易い制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５を一塊にして配置すれば、ノイズを放射し易い制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５の隣に位置する端子は、図２に示すように、制御端子Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５の隣に位置する２つのみとなる。そのため、少なくとも、制御端子Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５の隣に位置する２つの端子のみが、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６以外の端子であればよい。よって、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６の配置の自由度が高くなる。

また、図２に示すように、送信端子Ｔ１，Ｔ２は、図２に示すように、多層基板１２の第１の辺（図２の左側の辺）に沿って並ぶように配置されている。一方、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、前記第１の辺に対向する多層基板１２の第２の辺（図２の右側の辺）に沿って並ぶように配置されている。このように、ノイズを放射する制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とノイズの影響を受け易い送信端子Ｔ１，Ｔ２とを離して配置することにより、送信端子Ｔ１，Ｔ２と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とのアイソレーションが確保されるようになる。その結果、スイッチ回路１４における高周波特性の劣化がより効果的に抑制される。

更に、接地端子Ｔ２７，Ｔ２８は、第１の辺と第２の辺との間に配置されている。すなわち、接地端子Ｔ２７，Ｔ２８は、送信端子Ｔ１，Ｔ２と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５との間に配置されている。これにより、送信端子Ｔ１，Ｔ２と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とのアイソレーションがより確実に確保されている。

（変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波スイッチモジュール１０ａについて図面を参照しながら説明する。図３は、第１の変形例に係る高周波スイッチモジュール１０ａの多層基板１２の右側の辺近傍の拡大図である。

高周波スイッチモジュール１０と高周波スイッチモジュール１０ａとの相違点は、電源端子Ｔ１５及び受信端子Ｔ１０のそれぞれに隣り合っている端子が異なっている点である。具体的には、図２に示すように、高周波スイッチモジュール１０では、受信端子Ｔ１０が電源端子Ｔ１５と隣り合っており、接地端子Ｔ２０が制御端子Ｔ１４と隣り合っている。一方、図３に示すように、高周波スイッチモジュール１０ａでは、接地端子Ｔ２０が電源端子Ｔ１５と隣り合っており、受信端子Ｔ１０が制御端子Ｔ１４と隣り合っている。すなわち、高周波スイッチモジュール１０と高周波スイッチモジュール１０ａとでは、受信端子Ｔ１０と接地端子Ｔ２０とが入れ替わっている。以上のような構成を有する高周波スイッチモジュール１０ａにおいても、高周波スイッチモジュール１０と同様に、スイッチ回路１４における高周波特性の劣化が抑制される。

図４は、第２の変形例に係る高周波スイッチモジュール１０ｂの多層基板１２の右側の辺近傍の拡大図である。図４に示すように、受信端子Ｔ１０が電源端子Ｔ１５と隣り合っており、受信端子Ｔ３が制御端子Ｔ１４と隣り合っていてもよい。以上のような構成を有する高周波スイッチモジュール１０ｂにおいても、高周波スイッチモジュール１０と同様に、スイッチ回路１４における高周波特性の劣化が抑制される。

図５は、第３の変形例に係る高周波スイッチモジュール１０ｃの多層基板１２の右側の辺近傍の拡大図である。図５に示すように、接地端子Ｔ２０が電源端子Ｔ１５と隣り合っており、接地端子Ｔ２１が制御端子Ｔ１４と隣り合っていてもよい。この場合、電源端子Ｔ１５に受信端子Ｔ１０が隣り合っている高周波スイッチモジュール１０（図２参照）よりも、電源端子Ｔ１５と受信端子Ｔ９とのアイソレーションがより確実に確保されるようになる。

図６は、第４の変形例に係る高周波スイッチモジュール１０ｄの多層基板１２の下側の辺近傍の拡大図である。図６に示すように、送信端子Ｔ１，Ｔ２，制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４、電源端子Ｔ１５及び接地端子Ｔ２０，Ｔ２１は、一直線に配置されていてもよい。

なお、高周波スイッチモジュール１０，１０ａ〜１０ｄでは、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、連続して一列に並んでいる。しかしながら、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、２つ以上の塊に別れて並んでいてもよい。

本考案の一実施形態に係る高周波スイッチモジュールのブロック図である。図２（ａ）は、多層基板の裏面を示した図であり、図２（ｂ）は、多層基板の表面を示した図である。第１の変形例に係る高周波スイッチモジュールの多層基板の右側の辺近傍の拡大図である。第２の変形例に係る高周波スイッチモジュールの多層基板の右側の辺近傍の拡大図である。第３の変形例に係る高周波スイッチモジュールの多層基板の右側の辺近傍の拡大図である。第４の変形例に係る高周波スイッチモジュールの多層基板の下側の辺近傍の拡大図である。

符号の説明

Ｔ１，Ｔ２送信端子
Ｔ３〜Ｔ１０受信端子
Ｔ１１〜Ｔ１４制御端子
Ｔ１５電源端子
Ｔ１６〜Ｔ１９送受信端子
Ｔ２０〜Ｔ２５，Ｔ２７，Ｔ２８接地端子
Ｔ２６共通端子
１０，１０ａ〜１０ｄ高周波スイッチモジュール
１２多層基板
１４スイッチ回路

Claims

基板と、
前記基板に実装されているスイッチ回路と、
を備えており、
前記基板は、
複数の周波数帯域の受信信号又は送信信号が入出力する共通端子と、
前記送信信号が入力してくる送信端子と、
前記受信信号が出力していく受信端子と、
前記共通端子に入出力する前記受信信号又は前記送信信号の周波数帯域に応じて前記スイッチ回路の制御を行う制御信号が印加される制御端子と、
前記スイッチ回路に供給される電源電圧が印加される電源端子と、
を含んでおり、
前記スイッチ回路は、前記制御信号に基づいて、前記送信端子又は前記受信端子と前記共通端子とを接続し、
前記共通端子及び前記送信端子は、前記制御端子及び前記電源端子と隣り合っていないこと、
を特徴とする高周波スイッチモジュール。
前記基板は、
接地電位が印加される接地端子を、
更に含み、
前記共通端子、前記送信端子、前記受信端子、前記制御端子、前記電源端子及び前記接地端子は、前記基板上において１本の線上に並んでいること、
を特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチモジュール。
前記制御端子及び前記電源端子は、前記受信端子又は前記接地端子の間において連続して並んでいること、
を特徴とする請求項２に記載の高周波スイッチモジュール。
前記共通端子又は前記送信端子と、前記制御端子又は前記電源端子との間には、前記受信端子又は前記接地端子が配置されていること、
を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
前記基板は、矩形状をなしており、
前記送信端子は、前記基板の第１の辺に沿って並ぶように配置されており、
前記制御端子及び前記電源端子は、前記第１の辺に対向する前記基板の第２の辺に沿って並ぶように設けられていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
前記基板は、
前記第１の辺と前記第２の辺との間に配置され、前記スイッチ回路を前記基板に固定する接着電極を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項５に記載の高周波スイッチモジュール。
前記基板は、接地電極を、内蔵しており、
前記接着電極は、前記接地電極に接続されていること、
を特徴とする請求項６に記載の高周波スイッチモジュール。