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JP3130575B2 - マイクロ波ミリ波送受信モジュール - Google Patents

マイクロ波ミリ波送受信モジュール

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JP3130575B2
JP3130575B2 JP03186159A JP18615991A JP3130575B2 JP 3130575 B2 JP3130575 B2 JP 3130575B2 JP 03186159 A JP03186159 A JP 03186159A JP 18615991 A JP18615991 A JP 18615991A JP 3130575 B2 JP3130575 B2 JP 3130575B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し特に
化合物半導体およびシリコンの両方を用いたマイクロ波
ミリ波送受信モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の化合物半導体の発展は目覚まし
く、マイクロ波ミリ波レーザ装置、通信装置などの送受
信機のみならずアンテナ素子をも含めてモノリシック化
するための研究開発が活発に行われている。このような
従来技術に関してはマイクロウェーブジャーナル（Ｍｉ
ｃｒｏｗａｖｅ Ｊｏｕｒｎａｌ）誌 １９８６年７月
号Ｐ．１１９にまとめられている。
【０００３】図４は、従来例のマイクロ波アンテナモジ
ュールを示す図である。同図において裏面に接地金属６
４を備えた半絶縁性ＧａＡｓ基板６３の表面に低雑音増
幅器、ミキサ、スイッチ、送信増幅器、移相器、Ａ／Ｄ
変換器等から構成される能動素子回路６１およびマイク
ロストリップダイポールアンテナ６２が設けらている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４の従来例において
は、Ａ／Ｄ変換器などの集積度が比較的大きい（１Ｋゲ
ート〜１０Ｋゲート）回路と増幅器ミキサなどのように
集積度が小さい（十数個のトランジスタ）回路を同じＧ
ａＡｓ基板上に作っている。このため製造歩留り低下は
ほぼ集積規模の大きい回路のみによって起こっており、
増幅器部分は完動していても全体としては不良となって
しまうという欠点がありコストの大幅上昇を招くという
問題があった。一方、シリコンを用いた集積回路では歩
留りよく集積規模の大きい回路を実現できるが、半絶縁
性の基板が得られないためマイクロストリップ線路、ア
ンテナ素子などのマイクロ波ミリ波受動回路を含めて集
積化ができないという欠点があった。
【０００５】本発明の目的は前記欠点を除去し、製造歩
留りを大幅に向上させる構造のマイクロ波ミリ波送受信
モジュールを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明のマイクロ波ミリ波送受信モジュールは、半絶
縁性化合物半導体基板の第１面に化合物半導体能動素子
および受動素子からなるマイクロ波ミリ波回路が設けら
れ、前記化合物半導体基板の第２面に接して接地金属膜
が設けられ、該接地金属膜上に形成された誘電体膜を挟
んでマイクロストリップパッチアンテナ導体が設けらた
第１の半導体チップと、シリコン基板の第１面に信号処
理回路が設けられた第２の半導体チップとが、前記化合
物半導体基板の第１面と前記シリコン基板の第１面とが
接するように貼り合わせた構造を有することを特徴とし
ている。
【０００７】さらに少くとも低雑音増幅器、ミキサ、変
調器、高出力増幅器が化合物半導体チップ上に設けら
れ、少くともＡ／Ｄ変換器が前記第２の半導体チップ上
に設けられていることを特徴としている。さらにアクテ
ィブフェイズドアレイアンテナを構成するために複数の
モジュールがアレイ状に設置されたことを特徴としてい
る。
【０００８】
【作用】このような本発明においては集積規模が小さ
く、かつ半絶縁性基板が必要となるアンテナおよびマイ
クロ波ミリ波回路は裏面にマイクロストリップアンテナ
を備えた半絶縁性ＧａＡｓ基板主面に設けられ、集積規
模が大きなＡ／Ｄ変換器のような信号処理回路をシリコ
ン基板主面に設け、両主面を直接貼り合わせるため、１
回の貼り合わせでアンテナ付きのマイクロ波ミリ波送受
信モジュールを高歩留りで実現できる。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の第１の実施例のマイクロ波
ミリ波送受信モジュールを示す図である。図において半
絶縁性ＧａＡｓ基板１の主面にベース電極１３、エミッ
タ電極１４、コレクタ電極１５を有し、エミッタ層とな
るｎ−ＡｌＧａＡｓ４、ベース層となるＰ+ −ＧａＡｓ
３およびコレクタ層となるｎ−ＧａＡｓ６を備えたヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）が設けられ、
さらに接地導体１１、マイクロストリップ回路７が設け
られている。マイクロストリップ回路７はバイアホール
８を通じて裏面に形成されたマイクロストリップアンテ
ナ導体５に接続されている。２はポリイミド、２３は中
間周波数出力端子、９は接地導体である。
【００１０】一方、シリコンＰ型基板２０の主面にｎ+
ポリシリコン１８からなるゲート電極、ｎ+ −Ｓｉ１
９、Ｐ−Ｓｉ２２、Ｐ+ −Ｓｉ２１、ＳｉＯ2 １７から
なるｎ型ＭＯＳトランジスタが構成され、接地導体１
２、Ａ／Ｄコンバータ入力端子２４が設けられている。
１６は金属ブロックと接続される裏面金属である。
【００１１】図２は、本発明のマイクロ波ミリ波送受信
モジュールのブロック図であり、左側の４４の破線で囲
まれたブロックではＧａＡｓチップ４４で、破線４３で
囲まれた部分はＳｉチップである。図においてアンテナ
３１、Ｔ／Ｒ（送／受）スイッチ３２、低雑音増幅器３
４、フィルタ３５、ミキサ３６、送信増幅器３３、移相
器３７、ドライバ増幅器３８、変調器３９はＧａＡｓチ
ップ上に構成され、ＩＦ（中間周波数）増幅器４０、Ａ
／Ｄ変換器４１、プロセッサ４２はＳｉチップ上に構成
されている。
【００１２】図３は、本発明のマイクロ波ミリ波送受信
モジュールをアクティブフェイズドアレイアンテナに適
用した実施例である。図において裏面電極５５を備えた
Ｓｉ基板５４の主面に信号処理回路が設けられ、裏面に
接地電極５６を備えた半絶縁性ＧａＡｓ基板５３の主面
（下向き）にマイクロ波ミリ波能動素子回路が設けられ
ている。該接地電極５６に接してポリイミド５２が形成
され、さらにこのポリイミドに接してパッチアンテナ導
体５１が形成されている。５８はアンテナ接続端子であ
り、バイアホールを介してマイクロ波ミリ波能動素子回
路と接続されている。
【００１３】このような本発明においては集積規模が小
さく、かつ半絶縁性基板が必要となるアンテナおよびマ
イクロ波ミリ波回路は裏面にマイクロスリップアンテナ
を備えた半絶縁性ＧａＡｓ基板主面に設けられ、集積規
模が大きなＡ／Ｄ変換器のような信号処理回路をシリコ
ン基板主面に設け、両主面を直接貼り合わせるため、１
回の貼り合わせでアンテナ付きマイクロ波ミリ波送受信
モジュールを高歩留りで実現できる。このように本発明
はアクティブフェイズドアレイアンテナにも応用でき工
学的意義は大きい。
【００１４】本発明の実施例においては化合物半導体基
板としてＧａＡｓを用いたが、ＧａＡｓに限らずＩｎＰ
など他の化合物半導体基板でもよい。また化合物半導体
機能素子としてＨＢＴを本実施例では用いているが、Ｈ
ＢＴに限らずＨＥＭＴ、ＧａＡｓＦＥＴ、ＭＩＳＦＥＴ
等いずれでもよい。また、シリコン基板上の能動素子も
ＮＭＯＳトランジスタに限らずＰＭＯＳトランジスタ、
バイポーラトランジスタ、Ｓｉ系ＨＢＴさらにはＢｉＣ
ＭＯＳのような混成回路でもよいことは言うまでもな
い。また、アンテナを構成する誘電体としてポリイミド
を用いたが、誘電体はこれに限らない。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、アンテナ付きマイクロ
波ミリ波送受信モジュールを高歩留りで実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のマイクロ波ミリ波送受信モ
ジュールを説明するための図である。
【図２】本発明の一実施例のマイクロ波ミリ波送受信モ
ジュールのブロック図である。
【図３】本発明の一実施例のマイクロ波ミリ波送受信モ
ジュールを説明するための図である。
【図４】従来例のマイクロ波アンテナモジュールを説明
すめための図である。
【符号の説明】
１、５３、６３ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２、５２ ポリイミド ３ Ｐ+ −ＧａＡｓ ４ ｎ−ＡｌＧａＡｓ ５、５１、６２ アンテナ導体 ６ ｎ−ＧａＡｓ ７ マイクロストリップ回路 ８ バイアホール ９、１１、１２、５６、６４ 接地導体（電極） １３ ベース電極 １４ エミッタ電極 １５ コレクタ電極 １６、５５ 裏面金属 １７ ＳｉＯ2 １８ ｎ+ ポリシリコン １９ ｎ+ −Ｓｉ ２０、５４ Ｓｉ基板 ２１ Ｐ+ −Ｓｉ ２２ Ｐ−Ｓｉ ２３ 中間周波数出力端子 ２４ Ａ／Ｄコンバータ入力端子 ３２ Ｔ／Ｒスイッチ ３３ 送信増幅器 ３４ 低雑音増幅器 ３５ フィルタ ３６ ミキサ ３７ 移相器 ３８ ドライバ増幅器 ３９ 変調器 ４０ ＩＦ増幅器 ４１ Ａ／Ｄ変調器 ４２ プロセッサ ４３ Ｓｉチップ ４４ ＧａＡｓチップ ５８ アンテナ接続端子 ６１ 能動素子回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−180405（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−271656（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−156848（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−91098（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−79561（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−122147（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半絶縁性化合物半導体基板の第１面に化
    合物半導体能動素子および受動素子からなるマイクロ波
    ミリ波回路が設けられ、前記化合物半導体基板の第２面
    に接して接地金属膜が設けられ、該接地金属膜上に形成
    された誘電体膜を挟んでマイクロストリップパッチアン
    テナ導体が設けられた第１の半導体チップと、シリコン
    基板の第１面に信号処理回路が設けられた第２の半導体
    チップとが前記化合物半導体基板の第１面と前記シリコ
    ン基板の第１面とが接するように貼り合わせた構造を有
    することを特徴とするマイクロ波ミリ波送受信モジュー
    ル。
  2. 【請求項２】 少くとも低雑音増幅器、ミキサ、変調
    器、高出力増幅器が前記第１の半導体チップに設けら
    れ、少くともＡ／Ｄ変換器が前記第２の半導体チップに
    設けられていることを特徴とする請求項１記載のマイク
    ロ波ミリ波送受信モジュール。
  3. 【請求項３】 アクティブフェイズドアレイアンテナを
    構成するために複数のアンテナ付送受信モジュールがア
    レイ状に配置されたことを特徴とする請求項１記載のマ
    イクロ波ミリ波送受信モジュール。
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Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2121153A1 (en) * 1993-04-19 1994-10-20 John C. Conrad Active antenna array
US5635762A (en) * 1993-05-18 1997-06-03 U.S. Philips Corporation Flip chip semiconductor device with dual purpose metallized ground conductor
US5472914A (en) * 1994-07-14 1995-12-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Wafer joined optoelectronic integrated circuits and method
JP2782053B2 (ja) * 1995-03-23 1998-07-30 本田技研工業株式会社 レーダーモジュール及びアンテナ装置
FI102121B (fi) * 1995-04-07 1998-10-15 Filtronic Lk Oy Radiotietoliikenteen lähetin/vastaanotin
DE69729344T8 (de) * 1996-04-03 2005-02-17 Honda Giken Kogyo K.K. Radarmodul und MMIC-Anordnung dafür
US5753968A (en) * 1996-08-05 1998-05-19 Itt Industries, Inc. Low loss ridged microstrip line for monolithic microwave integrated circuit (MMIC) applications
US5815113A (en) * 1996-08-13 1998-09-29 Trw Inc. Monolithic, low-noise, synchronous direct detection receiver for passive microwave/millimeter-wave radiometric imaging systems
US6072991A (en) * 1996-09-03 2000-06-06 Raytheon Company Compact microwave terrestrial radio utilizing monolithic microwave integrated circuits
JP3472430B2 (ja) * 1997-03-21 2003-12-02 シャープ株式会社 アンテナ一体化高周波回路
JP3373753B2 (ja) 1997-03-28 2003-02-04 株式会社東芝 超高周波帯無線通信装置
WO1999009610A1 (fr) * 1997-08-13 1999-02-25 Mitsumi Electric Co., Ltd. Antenne, et circuit de commutation de signaux
US6002375A (en) * 1997-09-02 1999-12-14 Motorola, Inc. Multi-substrate radio-frequency circuit
US6353420B1 (en) * 1999-04-28 2002-03-05 Amerasia International Technology, Inc. Wireless article including a plural-turn loop antenna
FI114259B (fi) 1999-07-14 2004-09-15 Filtronic Lk Oy Radiotaajuisen etupään rakenne
US6421013B1 (en) 1999-10-04 2002-07-16 Amerasia International Technology, Inc. Tamper-resistant wireless article including an antenna
GB2372379A (en) * 1999-10-08 2002-08-21 Xircom Inc Wide beamwidth antenna
US20020011953A1 (en) * 1999-10-08 2002-01-31 John K. Reece Wide beamwidth antenna
US6693033B2 (en) 2000-02-10 2004-02-17 Motorola, Inc. Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface
US6392257B1 (en) 2000-02-10 2002-05-21 Motorola Inc. Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same
CN1430792A (zh) 2000-05-31 2003-07-16 摩托罗拉公司 半导体器件及方法
US6427066B1 (en) 2000-06-30 2002-07-30 Motorola, Inc. Apparatus and method for effecting communications among a plurality of remote stations
US6410941B1 (en) 2000-06-30 2002-06-25 Motorola, Inc. Reconfigurable systems using hybrid integrated circuits with optical ports
US6477285B1 (en) 2000-06-30 2002-11-05 Motorola, Inc. Integrated circuits with optical signal propagation
US6501973B1 (en) 2000-06-30 2002-12-31 Motorola, Inc. Apparatus and method for measuring selected physical condition of an animate subject
US6555946B1 (en) 2000-07-24 2003-04-29 Motorola, Inc. Acoustic wave device and process for forming the same
AU2001277001A1 (en) 2000-07-24 2002-02-05 Motorola, Inc. Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same
JP3462166B2 (ja) * 2000-09-08 2003-11-05 富士通カンタムデバイス株式会社 化合物半導体装置
US6638838B1 (en) 2000-10-02 2003-10-28 Motorola, Inc. Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same
US7501954B1 (en) 2000-10-11 2009-03-10 Avante International Technology, Inc. Dual circuit RF identification tags
US6563118B2 (en) 2000-12-08 2003-05-13 Motorola, Inc. Pyroelectric device on a monocrystalline semiconductor substrate and process for fabricating same
US20020096683A1 (en) 2001-01-19 2002-07-25 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate
US6673646B2 (en) 2001-02-28 2004-01-06 Motorola, Inc. Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same
KR20020070739A (ko) * 2001-03-03 2002-09-11 삼성전자 주식회사 단일 칩 고주파 집적회로 및 그 제조 방법
US6563464B2 (en) 2001-03-19 2003-05-13 International Business Machines Corporation Integrated on-chip half-wave dipole antenna structure
WO2002082551A1 (en) 2001-04-02 2002-10-17 Motorola, Inc. A semiconductor structure exhibiting reduced leakage current
US6804499B2 (en) * 2001-04-09 2004-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Power-mixer architecture for a transmitter
US20020182762A1 (en) * 2001-05-30 2002-12-05 Motorola Inc. Direct conversion/sampling at antenna
US7095114B2 (en) * 2001-05-30 2006-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device with via hole group generating high frequency electromagnetic bonding, manufacturing method thereof, and monolithic microwave integrated circuit
US6709989B2 (en) 2001-06-21 2004-03-23 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon
JP3631446B2 (ja) 2001-06-29 2005-03-23 シャープ株式会社 光ピックアップ装置
US6992321B2 (en) 2001-07-13 2006-01-31 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials
US20030015767A1 (en) * 2001-07-17 2003-01-23 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices with integrated control components
US6646293B2 (en) 2001-07-18 2003-11-11 Motorola, Inc. Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates
US6693298B2 (en) 2001-07-20 2004-02-17 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same
US7019332B2 (en) 2001-07-20 2006-03-28 Freescale Semiconductor, Inc. Fabrication of a wavelength locker within a semiconductor structure
US6472694B1 (en) 2001-07-23 2002-10-29 Motorola, Inc. Microprocessor structure having a compound semiconductor layer
US20030020144A1 (en) * 2001-07-24 2003-01-30 Motorola, Inc. Integrated communications apparatus and method
US6855992B2 (en) 2001-07-24 2005-02-15 Motorola Inc. Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same
US6585424B2 (en) 2001-07-25 2003-07-01 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating an electro-rheological lens
US6667196B2 (en) 2001-07-25 2003-12-23 Motorola, Inc. Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method
US6594414B2 (en) 2001-07-25 2003-07-15 Motorola, Inc. Structure and method of fabrication for an optical switch
US20030020090A1 (en) * 2001-07-25 2003-01-30 Motorola, Inc. Structure including both compound semiconductor devices and silicon devices for optimal performance and function and method for fabricating the structure
US6639249B2 (en) 2001-08-06 2003-10-28 Motorola, Inc. Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device
US6589856B2 (en) 2001-08-06 2003-07-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for controlling anti-phase domains in semiconductor structures and devices
US6462360B1 (en) 2001-08-06 2002-10-08 Motorola, Inc. Integrated gallium arsenide communications systems
US20030034491A1 (en) 2001-08-14 2003-02-20 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices for detecting an object
US6673667B2 (en) 2001-08-15 2004-01-06 Motorola, Inc. Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials
US20030071327A1 (en) 2001-10-17 2003-04-17 Motorola, Inc. Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator
US6936821B2 (en) * 2001-11-29 2005-08-30 Picometrix, Inc. Amplified photoconductive gate
JP2003309483A (ja) * 2002-04-16 2003-10-31 Mitsubishi Electric Corp 高周波モジュール，アクティブフェーズドアレーアンテナ及び通信装置
US6916717B2 (en) 2002-05-03 2005-07-12 Motorola, Inc. Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate
US7169619B2 (en) 2002-11-19 2007-01-30 Freescale Semiconductor, Inc. Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process
US6885065B2 (en) 2002-11-20 2005-04-26 Freescale Semiconductor, Inc. Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same
FR2847726B1 (fr) * 2002-11-27 2005-03-04 St Microelectronics Sa Module radiofrequence
US7020374B2 (en) 2003-02-03 2006-03-28 Freescale Semiconductor, Inc. Optical waveguide structure and method for fabricating the same
US6965128B2 (en) 2003-02-03 2005-11-15 Freescale Semiconductor, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices
KR100548244B1 (ko) * 2003-03-14 2006-02-02 엘지전자 주식회사 저가형 능동 스마트 안테나 시스템 및 그 제조 방법
DE102004013643A1 (de) * 2004-03-19 2005-10-13 Infineon Technologies Ag Antennenanordnung und Verfahren zum Herstellen derselben
US7321339B2 (en) * 2005-01-14 2008-01-22 Farrokh Mohamadi Phase shifters for beamforming applications
US20060202269A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless chip and electronic appliance having the same
WO2006098390A1 (en) 2005-03-15 2006-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device having the same
KR101287813B1 (ko) 2005-03-31 2013-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 무선 칩 및 무선 칩을 갖는 전자 기기
US7928910B2 (en) 2005-03-31 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless chip and electronic device having wireless chip
KR100611204B1 (ko) * 2005-05-10 2006-08-10 삼성전자주식회사 멀티 스택 패키징 칩 및 그 제조방법
US7733287B2 (en) * 2005-07-29 2010-06-08 Sony Corporation Systems and methods for high frequency parallel transmissions
WO2007049382A1 (ja) * 2005-10-27 2007-05-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. 高周波モジュール
JP4811055B2 (ja) * 2006-02-28 2011-11-09 ソニー株式会社 非対称平面アンテナ、その製造方法及び信号処理ユニット
JP4908899B2 (ja) 2006-04-07 2012-04-04 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7615863B2 (en) * 2006-06-19 2009-11-10 Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp. Multi-dimensional wafer-level integrated antenna sensor micro packaging
US7746465B2 (en) * 2007-01-18 2010-06-29 Hinds Instruments, Inc. Sample holder for an optical element
US8785241B2 (en) * 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4734472B2 (ja) * 2010-12-06 2011-07-27 株式会社東芝 電子機器
JP5284382B2 (ja) * 2011-02-01 2013-09-11 株式会社東芝 無線装置及び無線機器
JP5414749B2 (ja) 2011-07-13 2014-02-12 株式会社東芝 無線装置
JP5713940B2 (ja) * 2012-03-07 2015-05-07 三菱電機株式会社 ミリ波送受信モジュール
US10403511B2 (en) 2013-01-14 2019-09-03 Intel Corporation Backside redistribution layer patch antenna
JP6336107B2 (ja) * 2014-10-30 2018-06-06 三菱電機株式会社 アレイアンテナ装置およびその製造方法
JP7091961B2 (ja) * 2018-09-13 2022-06-28 Tdk株式会社 オンチップアンテナ
JP7395281B2 (ja) 2019-08-23 2023-12-11 キヤノン株式会社 素子
JP2023157736A (ja) * 2022-04-15 2023-10-26 キヤノン株式会社 アンテナ装置、通信装置、および撮像システム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5191405A (en) * 1988-12-23 1993-03-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Three-dimensional stacked lsi
JPH02180405A (ja) * 1988-12-30 1990-07-13 Nippon Mektron Ltd 平面アンテナ基板
JPH02271656A (ja) * 1989-04-13 1990-11-06 Mitsubishi Electric Corp 多層化マイクロ波集積回路

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