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JP3128710B2 - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

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JP3128710B2
JP3128710B2 JP04236382A JP23638292A JP3128710B2 JP 3128710 B2 JP3128710 B2 JP 3128710B2 JP 04236382 A JP04236382 A JP 04236382A JP 23638292 A JP23638292 A JP 23638292A JP 3128710 B2 JP3128710 B2 JP 3128710B2
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bond
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンデイング方法
に係り、特にトランスジューサの超音波発振出力の補正
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、トランスジューサの特性の違いに
関係なく、同一ボンデイング条件データで等しい超音波
発振が得られるようにしたものとして、特開平２ー１１
９１５４号公報に示すものが知られている。この装置に
よる補正方法を図１によって説明する。
【０００３】図１に示すように、トランスジューサ１か
らフィードバックされた電流１ａは電流増幅アンプ８で
増幅され、この増幅された電流８ａはＡ／Ｄコンバータ
１０でデジタル値の電流データ１０ａにしてマイクロコ
ンピュータ５に入力される。マイクロコンピュータ５は
トランスジューサ１の持つ特性の違いを計算し、手作業
又はデータ転送により入力されたデータ設定に対して等
しい超音波発振が得られるように補正した超音波発振出
力データ５ａを出力制御回路１１に出力する。一方、前
記電流８ａと電力増幅アンプ７の出力電圧７ａとは位相
検出回路９に入力され、この位相検出回路９は電圧位相
と電流位相を読み取り、位相ずれに比例する電圧９ａを
超音波発振回路６に出力する。超音波発振回路６は、位
相ずれに応じた電圧９ａを基にトランスジューサ１が同
調するような超音波発振を行なう超音波発振電圧６ａを
出力制御回路１１に出力する。そこで、出力制御回路１
１は、超音波発振回路６より入力された超音波発振電圧
６ａを前記超音波発振出力データ５ａによって制御し、
電力増幅アンプ７を介してトランスジューサ１に入力す
る。
【０００４】このように、トランスジューサ１に印加す
る電圧を出力電圧７ａにより補正するので、トランスジ
ューサ１支持部を含むトランスジューサ１の振動特性が
異なっても同一発振振幅が得られ、ワイヤボンデイング
装置間において等しいデータ入力設定に対して等しいボ
ンデイング圧着強度が得られる。またボンデイング間の
ばらつきがなくなるので、ボンデイング間の互換性が図
れ、ワイヤボンデイング装置間のデータ転送が可能にな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術には、ト
ランスジューサの特性の違いを補正するために、超音波
発振出力を補正する方法については開示されている。し
かし、超音波発振出力の補正を何時行なうかについては
特に配慮されていない。
【０００６】本発明の目的は、超音波発振出力を補正す
るタイミングを予め記憶させ、そのタイミング時に自動
的に超音波発振出力を補正させることが可能なワイヤボ
ンデイング方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の構成は、トランスジューサの特性の違いを補
正するように超音波発振出力を補正するワイヤボンデイ
ング方法において、１ＩＣのボンデイングの第１番目の
１ワイヤの第１ボンド前に補正する第１の補正タイミン
グパターンと、各ワイヤ内の第１ボンド前に補正する第
２の補正タイミングパターン又は各ワイヤの第１ボン
ド、第２ボンド前にそれぞれ補正する第３の補正タイミ
ングパターンの少なくとも一方の補正タイミングパター
ンとを予め記憶させ、前記補正タイミングパターンの１
つを選択して自動的に超音波発振出力を補正することを
特徴とする。
【０００８】
【作用】第１の補正タイミングパターンが選択された場
合は、１ＩＣに対して第１番目のワイヤに対応する第１
ボンド点にワイヤボンデイングを開始する前に超音波発
振出力の補正が行なわれる。第２の補正タイミングパタ
ーンが選択された場合は、１ワイヤ内の第１ボンド点に
ワイヤボンデイングを開始する前に超音波発振出力の補
正が行なわれる。第３の補正タイミングパターンが選択
された場合は、１ワイヤ内の第１ボンド点及び第２ボン
ド点へのそれぞれのワイヤボンデイング前に超音波発振
出力の補正が行なわれる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１及び図２によ
り説明する。図２に示す超音波補正タイミング記憶部１
５には、３つの補正タイミングパターンが記憶されてい
る。第１の補正タイミングパターンは、１ＩＣ単位で補
正を行なうもので、リードフレームに固定された１つの
ＩＣの試料がボンデイングステージにセットされ、その
ＩＣに対して第１番目のワイヤに対応する第１ボンド点
にワイヤボンデイングを開始する前に超音波発振出力の
補正を行なうものである。以下、１ＩＣ単位補正タイミ
ングパターンと呼ぶ。第２の補正タイミングパターン
は、ワイヤ単位で補正を行なうもので、１ワイヤ内の第
１ボンド点にワイヤボンデイングを開始する前に超音波
発振出力の補正を行なうものである。以下、ワイヤ単位
補正タイミングパターンと呼ぶ。第３の補正タイミング
パターンは、ボンド点毎に補正を行なうもので、１ワイ
ヤ内の第１ボンド点及び第２ボンド点へのそれぞれのワ
イヤボンデイング前に超音波発振出力の補正を行なうも
のである。以下、ボンド点毎補正タイミングパターンと
呼ぶ。
【００１０】前記超音波補正タイミング記憶部１５に記
憶された補正タイミングパターンは、スイッチパネル１
６のスイッチで選択すると、この選択されたスイッチを
設定スイッチ入力部１７を通してマイクロコンピュータ
５で読み込み、マイクロコンピュータ５は選択されたス
イッチを判断して超音波補正タイミング記憶部１５にパ
ターン選択信号５ｂを出力する。超音波補正タイミング
記憶部１５は選択された補正タイミングパターンによ
り、補正タイミングになるとマイクロコンピュータ５へ
補正開始命令信号１５ａを出力する。これにより、マイ
クロコンピュータ５は超音波発振回路６に補正タイミン
グ信号５ｃを出力する。このスイッチパネル１６による
補正タイミングパターンの選択操作は、ワイヤボンデイ
ング装置の始動前に予め行なっておく。以下、前記した
３つの超音波補正タイミング記憶部１５のいずれかを選
択した場合について説明する。
【００１１】第１の１ＩＣ単位補正タイミングパターン
を選択した場合には、図１（ａ）に示すように、１ＩＣ
のボンデイング２１、２２・・・の第１番目の１ワイヤ
３１の第１ボンド点へのワイヤボンデイング（以下、第
１ボンド点へのワイヤボンデイングを第１ボンドと呼
ぶ）４１を開始する前に、超音波補正タイミング記憶部
１５よりマイクロコンピュータ５へ補正開始命令信号１
５ａが出力し、マイクロコンピュータ５より超音波発振
回路６に補正タイミング信号５ｃが出力し、超音波発振
回路６は超音波発振電圧６ａを出力する。そこで、この
超音波発振電圧６ａは、従来の技術の項で説明した方法
によって補正される。そして、この補正された超音波発
振出力によって１ＩＣのボンデイング２１、２２・・・
は、第１ボンド４１及び第２ボンド４２（第２ボンド点
へのワイヤボンデイング）にそれぞれ適した超音波発振
出力によって全てボンデイングされる。
【００１２】第２のワイヤ単位補正タイミングパターン
を選択した場合には、図１（ｂ）に示すように、各ワイ
ヤ３１、３２、３３・・・への第１ボンド４１を開始す
る前に、超音波補正タイミング記憶部１５よりマイクロ
コンピュータ５へ補正開始命令信号１５ａが出力し、マ
イクロコンピュータ５より超音波発振回路６に補正タイ
ミング信号５ｃが出力し、超音波発振回路６は超音波発
振電圧６ａを出力する。そこで、この超音波発振電圧６
ａは、従来の技術の項で説明した方法によって補正され
る。そして、この補正された超音波発振出力によって各
ワイヤ３１、３２、３３・・・は、第１ボンド４１及び
第２ボンド４２にそれぞれ適した超音波発振出力によっ
てそれぞれボンデイングされる。
【００１３】第３のボンド点毎補正タイミングパターン
を選択した場合には、図１（ｃ）に示すように、各ワイ
ヤ３１、３２、３３・・・への第１ボンド４１、第２ボ
ンド４２を開始する前に、超音波補正タイミング記憶部
１５よりマイクロコンピュータ５へ補正開始命令信号１
５ａがそれぞれ出力し、マイクロコンピュータ５より超
音波発振回路６に補正タイミング信号５ｃが出力し、超
音波発振回路６は超音波発振電圧６ａを出力する。そこ
で、この超音波発振電圧６ａは、従来の技術の項で説明
した方法によって補正される。そして、この補正された
超音波発振出力によって第１ボンド４１及び第２ボンド
４２はそれぞれボンデイングされる。
【００１４】ところで、第２のワイヤ単位補正タイミン
グパターン及び第３のボンド点毎補正タイミングパター
ンは補正回数が非常に多いので、生産性の点からは好ま
しくない。通常は、第１の１ＩＣ単位補正タイミングパ
ターンを選択するようにしておけば充分である。しか
し、ワイヤボンデイング装置を長時間停止させた後に始
動させる場合には、装置間の特性が安定状態にないの
で、第２のワイヤ単位補正タイミングパターン又は第３
のボンド点毎補正タイミングパターンのいずれかを選択
するようにし、一定時間後に第１の１ＩＣ単位補正タイ
ミングパターンに切り換えるようにするのが好ましい。
そこで、超音波補正タイミング記憶部１５には、第１の
１ＩＣ単位補正タイミングパターンと、少なくとも第２
のワイヤ単位補正タイミングパターン又は第３のボンド
点毎補正タイミングパターンのいずれか一方の補正タイ
ミングパターンとを記憶させておけばよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、１ＩＣのボンデイング
の第１番目の１ワイヤの第１ボンド前に補正する第１の
補正タイミングパターンと、各ワイヤ内の第１ボンド前
に補正する第２の補正タイミングパターン又は各ワイヤ
の第１ボンド、第２ボンド前にそれぞれ補正する第３の
補正タイミングパターンの少なくとも一方の補正タイミ
ングパターンとを予め記憶させて成るので、前記補正タ
イミングパターンの１つを選択することによって自動的
に超音波発振出力を補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明な成るワイヤボンデイング方法に用いる
補正タイミングパターンの一実施例を示す図である。
【図２】本発明の方法に用いる回路図である。
【符号の説明】
２１、２２ １ＩＣのボンデイング ３１、３２、３３ 各ワイヤ ４１ 第１ボンド ４２ 第２ボンド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 トランスジューサの特性の違いを補正す
    るように超音波発振出力を補正するワイヤボンデイング
    方法において、１ＩＣのボンデイングの第１番目の１ワ
    イヤの第１ボンド前に補正する第１の補正タイミングパ
    ターンと、各ワイヤ内の第１ボンド前に補正する第２の
    補正タイミングパターン又は各ワイヤの第１ボンド、第
    ２ボンド前にそれぞれ補正する第３の補正タイミングパ
    ターンの少なくとも一方の補正タイミングパターンとを
    予め記憶させ、前記補正タイミングパターンの１つを選
    択して自動的に超音波発振出力を補正することを特徴と
    するワイヤボンデイング方法。
JP04236382A 1992-08-12 1992-08-12 ワイヤボンデイング方法 Expired - Fee Related JP3128710B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP7374108B2 (ja) 2017-11-22 2023-11-06 オーシャンズ オブ エナジー ビー．ブイ． ソーラーパネル用のポンツーンのアレイ及びその接続モジュール

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5646451A (en) * 1995-06-07 1997-07-08 Lucent Technologies Inc. Multifunctional chip wire bonds
US5645210A (en) * 1996-02-09 1997-07-08 Kulicke And Soffa Investments, Inc. High speed bonding tool contact detector
EP3603826B1 (en) * 2018-07-31 2023-05-10 Infineon Technologies AG Method for calibrating an ultrasonic bonding machine

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU575190A1 (ru) * 1976-06-14 1977-10-05 Предприятие П/Я Р-6495 Способ регулировани процесса ультразвуковой сварки
JPH0777229B2 (ja) * 1988-10-28 1995-08-16 株式会社新川 超音波ワイヤボンディング装置
DD298611A5 (de) * 1989-05-19 1992-03-05 Humboldt-Universitaet Zu Berlin Sektion Elektronik,De Verfahren zur steuerung der energie bei ultraschalldrahtbondvorgaengen
EP0498936B1 (de) * 1991-02-15 1995-01-25 Esec Sa Verfahren und Einrichtung zur Messung der Schwingungsamplitude an einem Energietransducer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7374108B2 (ja) 2017-11-22 2023-11-06 オーシャンズ オブ エナジー ビー．ブイ． ソーラーパネル用のポンツーンのアレイ及びその接続モジュール

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