JP3114723B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）をマトリクス状に配置し、これをスイッチ
ング素子として用いたアクティブマトリクス形の液晶表
示装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ガラス基板上に薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor：以下”ＴＦＴ”と略す）をマトリク
ス状に形成し、これをスイッチング素子として用いるア
クティブマトリクス型液晶表示装置は、高画質の平面デ
ィスプレイとして開発されている。従来広く使用されて
いるねじれネマティック（twisted nematic；以下"Ｔ
Ｎ"と略記する）型のアクティブマトリクス型液晶表示
装置においては、液晶層を駆動する電極は、２枚のガラ
ス基板上に形成して対向させた透明な電極を用いるよう
にし、電圧非印加時の液晶分子が基板表面に平行になっ
ている「白」表示状態から、印加電圧に応じて液晶分子
が電界方向に配向ベクトルの向きを変化させていくこと
により、「白」表示状態から次第に「黒」表示としてい
る。

【０００３】しかし、この電圧印加の液晶分子の特有の
挙動により、ＴＮ型液晶表示装置の視野角が狭いという
問題がある。この視野角が狭いという問題は、中間調表
示における液晶分子の立ち上がり方向において特に著し
い。その、液晶表示装置の視角特性を改善する方法とし
て、特開平４−２６１５２２号公報または、特開平６−
４３４６１号公報に開示されているような技術が提案さ
れている。これらの技術では、ホメオトロピック配向さ
せた液晶セルを作成し、偏光軸が直交するように設置し
た２枚の偏光板の間に挟み、その公報の図に示されてい
るように、開口部を有する共通電極を使用することによ
り、各画素内に斜め電界を発生させ、これにより各画素
を２個以上の液晶ドメインとし、視角特性を改善してい
る。特開平4-261522号公報では特に、電圧を印加したと
きに液晶が傾く方向を制御することによって、高コント
ラストを実現している。

【０００４】また、特開平６−４３４６１号公報に記載
されているように、必要に応じて光学補償板を使用し、
黒の視角特性を改善している。さらに、特開平６−４３
４６１号公報においては、ホメオトロピック配向させた
液晶セルのみならず、ＴＮ配向させたセルにおいても、
斜め電界により各画素を２個以上のドメインに分割し、
視角特性を改善している。また、公表特許平５−５０５
２４７号公報に、液晶分子を基板と水平方向に保ったま
ま回転させるため、２つの電極を共に片方の基板上に設
けるようにし、この２つの電極間に電圧をかけて、基板
と水平方向の電界を生じさせるようにしたＩＰＳ（In-P
lane-Switching）方式の液晶表示装置が提案されてい
る。この方式では、電圧を印加したときに液晶分子の長
軸が基板に対して立ち上がることはない。このため視角
方向を変えたときの液晶の複屈折の変化が小さく、視野
角が広いという特徴がある。

【０００５】このように、２つの電極をともに片方の基
板上に設けるようにしたＩＰＳ方式のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置に関して、以下に説明する。このＩ
ＰＳ方式のＴＦＴ液晶表示装置は、図１２に示すように
構成されている。なお、図１２において、図１２（ａ）
は、図１２（ｂ）の平面図のＡＡ’線の断面を示してい
る。まず、ガラス基板１２０１上にＣｒよりなるゲート
電極１２０２および共通電極１２０３が形成され、これ
らの電極を覆うように窒化シリコンからなるゲート絶縁
膜１２０４が形成されている。また、ゲート電極１２０
２上には、ゲート絶縁膜１２０４を介して非晶質シリコ
ンからなる半導体膜１２０５が形成され、トランジスタ
の能動層として機能するようになされている。また、半
導体膜１２０５のパターンの一部に重畳するようにモリ
ブデンよりなるドレイン電極１２０６，ソース電極１２
０７が形成され、これら全てを被覆するように窒化シリ
コンよりなる保護膜１２０８が形成されている。

【０００６】また、図１２（ｂ）に示すように、ソース
電極１２０７と引き出されている共通電極１２０３との
間に１画素の領域が配置されることになる。そして、以
上のように構成した単位画素をマトリクス状に配置した
アクティブマトリクス基板の表面には、配向膜ＯＲＩ１
が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１表面はラビング
処理されている。一方、ガラスよりなる対向基板１２３
１には、カラーフィルター層１２３２が遮光部１２３３
で区切られて形成され、これらの上に保護膜１２３４が
形成されている。そして、この保護膜１２３４表面に
も、配向膜ＯＲＩ２が形成され、この配向膜ＯＲＩ２表
面もラビング処理されている。

【０００７】そして、ガラス基板１２０１と対向基板１
２３１が、配向膜ＯＲＩ１および配向膜ＯＲＩ２形成面
で対向配置され、これらの間に液晶組成物１２４０が配
置されている。また、ガラス基板１２０１および対向基
板１２３１の外側の面には、偏光板１２５１が形成され
ている。なお、カラーフィルター層１２３２を区切って
いる遮光部１２３３は、その一部の領域が半導体膜１２
０５よりなる薄膜トランジスタ上に配置するように形成
されている。

【０００８】以上のように構成されたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置では、液晶組成物１２４０に電界が
かかっていないときは、液晶分子１２４１ａはそれら電
極の延在方向におおよそ平行な状態となっており、ホモ
ジニアス配向している。すなわち、液晶分子１２４１ａ
の長軸（光学軸）の方向と、ソース電極１２０７と引き
出されている共通電極１２０３との間に形成される電界
方向方とのなす角度が、４５°以上９０°未満となるよ
うに、液晶分子１２４１ａは配向されている。なお、対
向配置されているガラス基板１２０１と対向基板１２３
１と、液晶分子１２４１ａとの配向は、互いに平行とな
っている。また、液晶分子１２４１ａの誘電異方性は正
とした。

【０００９】ここで、ゲート電極１２０２に電圧を印加
して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンにすると、ソー
ス電極１２０７に電圧が印加されてソース電極１２０７
とこれに対向配置している共通電極１２０３の間に電界
が誘起される。そして、この電界により、液晶分子１２
４１ａは液晶分子１２４１ｂへと向きを変える。この液
晶分子１２４１ｂは、ソース電極１２０７とこれに対向
配置している共通電極１２０３の間に形成される電界の
方向に、ほぼ平行な状態となる。そして、偏光板１２５
１の変更透過軸を所定角度に配置しておくことで、上述
した液晶分子の動きによって光の透過率を変化させるこ
とができる。

【００１０】このように、このＩＰＳ方式のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置では、透明電極がなくてもコ
ントラストを与えることができる。そして、上述したＩ
ＰＳ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、
液晶分子の長軸は基板平面とほぼ平行であり、電圧を印
加することで立ち上がることがない。このため、視角方
向を変えたときの明るさの変化が小さく、視覚特性が大
幅に改善されるという効果を有している。

【００１１】さらに、文献（JournalofAppliedPhysics,
Vol.45,No.12(1974)5466）または、特開平１０−１８６
３５１号公報には、上記のＩＰＳモ−ドの他に誘電率異
方性が正の液晶を基板に対して垂直にホメオトロピック
配向させておき、基板に水平方向の電界で液晶分子を基
板と水平方向に倒す方式が述べられている。このとき、
電界の方向のためホメオトロピック配向させた液晶分子
は傾く方向が異なる２つ以上の領域に分かれる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＰＳ
方式においては、従来では、液晶が配置される層と対向
基板との間にカラーフィルターの層が配置されていたた
め、ソース電極と引き出されている共通電極との間に電
位を印加することで形成される電界が、カラーフィルタ
ーの層に影響を及ぼし、アクティブマトリクス型液晶表
示装置の表示の特性を悪化させるという問題があった。
すなわち、カラーフィルター層を構成する色素には、不
純物としてナトリウムイオンなどが含まれているため、
カラーフィルターの層に電界がかかると、そこに電荷が
たまってチャージアップすることになる。そして、カラ
ーフィルターの層がチャージアップすると、その箇所の
下部の液晶に不要な電界がいつでもかかっている状態と
なるため、表示特性に影響を及ぼしてしまう。

【００１３】本発明の目的は、かかる液晶表示装置にお
いて、色ムラの発生を抑制することを目的としている。
本発明の別の目的は、そのような、液晶表示装置を容易
に作成する製造方法を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置は、透明な第１の基板と透明な第２の基板とこれらに
挟まれた液晶層とカラ−フィルタ−層とを有し、そのカ
ラ−フィルタ−層は第１の基板上に配置され、液晶層は
カラ−フィルタ−層と第２の基板との間に配置され、カ
ラ−フィルタ−層下の第１の基板上には、複数の走査信
号電極と、それらにマトリクス状に交差する複数の映像
信号電極と、これらの電極のそれぞれの交点に対応して
形成された複数の薄膜トランジスタとを有し、複数の走
査信号電極および映像信号電極で囲まれるそれぞれの領
域で少なくとも１つの画素が構成され、それぞれの画素
には共通電極配線により複数の画素に渡って接続されて
基準電位を与える共通電極と、対応する薄膜トランジス
タに接続されて画素領域において共通電極に対向して配
置された画素電極とを有し、共通電極および画素電極は
透明な絶縁物からなる層間分離膜を介して互いに異なっ
た層に配置され、共通電極と画素電極との間に印加され
る電圧により、液晶層には第１の基板に対して支配的に
平行な成分を持った電界が発生するようにし、かつ電圧
が印加される前の液晶が第１の基板に対してほぼ平行に
配向しているようにした。

【００１５】また本発明による第２の液晶表示装置は、
透明な第１の基板と透明な第２の基板とこれらに挟まれ
た液晶層とカラ−フィルタ−層とを有し、そのカラ−フ
ィルタ−層は第１の基板上に配置され、液晶層はカラ−
フィルタ−層と第２の基板との間に配置され、カラ−フ
ィルタ−層下の第１の基板上には、複数の走査信号電極
と、それらにマトリクス状に交差する複数の映像信号電
極と、これらの電極のそれぞれの交点に対応して形成さ
れた複数の薄膜トランジスタとを有し、複数の走査信号
電極および映像信号電極で囲まれるそれぞれの領域で少
なくとも１つの画素が構成され、それぞれの画素には共
通電極配線により複数の画素に渡って接続されて基準電
位を与える共通電極と、対応する薄膜トランジスタに接
続されて画素領域において共通電極に対向して配置され
た画素電極とを有し、共通電極および画素電極は透明な
絶縁物からなる層間分離膜を介して互いに異なった層に
配置され、共通電極と画素電極との間に印加される電圧
により、液晶層には第１の基板に対して支配的に平行な
成分を持った電界が発生するようにし、かつ電圧が印加
される前の液晶が第１の基板に対してほぼ垂直に配向し
ているようにした。したがって、共通電極と画素電極と
の間に印加される電圧により発生した電界で、液晶層に
おける液晶は自動的に２つ以上の領域に分かれ、基板に
対して平行な方向に倒れていき、その液晶層に発生する
電界は、カラ−フィルタ−層に影響しない。

【００１６】また、本発明における液晶表示装置では、
開口率の低下を抑制するために、共通電極または画素電
極の少なくとも一方を透明性導電膜で形成してもよい。
さらに、画素電極を透明性導電膜で形成し、共通電極を
Ｃｒなどの金属で形成し、この共通電極と同じ層でＴＦ
Ｔを遮光する遮光層を形成してもよい。また、本発明に
おける液晶表示装置は、視角特性を改善するために、偏
光板と液晶セルの間に少なくとも１枚の光学補償板を有
している。この補償板は電圧無印加時に液晶がホメオト
ロピック配向をとっているため、光学的に負の補償板を
使用することが、斜め方向から見たときのリタデ−ショ
ンの変化を打ち消す観点から好ましい。このような補償
板は２軸延伸のような方法で作成した１枚のフィルムで
あってもよいし、１軸延伸したフィルムを２枚以上重ね
て、実質的に光学的に負の１軸の補償板として用いても
同様の効果が得られる。さらに、初期配向は原理的に垂
直配向であるが、素子の特性により、ある方向に偏りが
出た場合などは、さらにこれを補償するために、光学異
方性が正のフィルムを貼り付けてもよい。

【００１７】また、本発明における液晶表示装置は、静
電気などによる表示への悪影響を避けるために第２の基
板の液晶層と反対側に透明性の導電膜を設けてもよい。
また本発明における液晶表示装置の製造方法は、共通電
極と画素電極の間に電圧を印加することによって、初期
配向を制御した後、液晶中に少量混合した重合性のモノ
マ−またはオリゴマ−を高分子化することによって、初
期の液晶配向をさらに確実なものにすることができる。
初期配向を制御する際には、加熱により液晶層を等方相
にした後、共通電極と画素電極の間に電圧を加えるなが
ら、温度を降下させても、室温で共通電極と画素電極の
間に電圧を印加するだけでもよい。また、モノマ−の反
応も等方相に加熱する前に起こさせても、加熱中に起こ
させてもよいし、冷却後に起こさせてもよい。室温で共
通電極と画素電極の間に電圧を印加し、初期配向を制御
する場合も、電圧印加の前に反応を起こさせておいても
よいし、電圧印加後に、反応を起こさせてもよい。

【００１８】また、本発明における液晶表示装置の製造
方法は、基板にあらかじめラビング、または光配向など
の方法を使用して、分割形状に従ったプレチルト角の制
御を行い、初期配向の制御を極めて確実にし、駆動電圧
により、このような配向が乱れることを防止するため
に、さらに液晶中に少量混合した重合性のモノマ−また
はオリゴマ−を高分子化するとより優れた効果が得られ
る。また、光配向の場合は、液晶中に少量混合した重合
性のモノマ−またはオリゴマ−を高分子化することによ
り、駆動時においてもより確実に分割を維持することが
できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を図を
参照して説明する。 実施の形態１ 始めに、この発明の第１の実施の形態における液晶表示
装置に関して、図１を用いて説明する。なお、図１にお
いて、図１（ａ）は、図１（ｂ）の平面図のＡＡ’線の
断面を示している。この実施の形態１の液晶表示装置で
は、ガラス基板１０１上には、Ｃｒよりなるゲート電極
（走査信号電極）１０２が配置され、このゲート電極１
０２を覆うように窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１
０４が形成されている。

【００２０】また、ゲート電極１０２上には、ゲート絶
縁膜１０４を介して非晶質シリコンからなる半導体膜１
０５が配置され、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の能動層
として機能するようにされている。また、半導体膜１０
５のパターンの一部に重畳するようにモリブデンよりな
るドレイン電極１０６，ソース電極１０７が配置され、
これら全てを被覆するように窒化シリコンよりなる保護
膜１０８が形成されている。なお、ドレイン電極１０
６，ソース電極１０７それぞれは、図示していないが、
ｎ形不純物が導入された非晶質シリコン膜を介し、半導
体膜１０５のパターンの一部に重畳している。なお、図
１（ｂ）に示すように、ドレイン電極１０６は、データ
線（映像信号電極）１０６ａに接続している。言い換え
ると、ドレイン電極１０６は、データ線１０６ａの一部
として形成されている。

【００２１】そして、この実施の形態１では、その保護
膜１０８上に、カラーフィルター層１１０が遮光部１１
１で区切られて配置されているようにした。また、カラ
ーフィルター層１１０および遮光部１１１上は、オーバ
ーコート層（層間分離膜）１１２で覆われている。こ
の、オーバーコート層１１２は、チャージアップしにく
い透明な絶縁材料から構成する。

【００２２】そして、保護膜１０８，遮光部１１１，お
よび，オーバーコート層１１２を貫通して形成されたス
ルーホールを介してソース電極１０７に接続する画素電
極１１４が、オーバーコート層１１２上に配置されてい
る。また、平面的には、１画素の領域においてその画素
電極１１４に対向するように、共通電極配線１０３ａよ
り引き出されている共通電極１０３が形成されている。
ここで、この共通電極１０３は、遮光部１１１上にオー
バーコート層１１２で覆われて配置されている。

【００２３】従って、この実施の形態１においては、共
通電極１０３は、カラーフィルター層１１０上に配置さ
れ、そして、その共通電極１０３とカラーフィルター層
１１０とを覆うように形成されているオーバーコート層
１１２上に、画素電極１１４が配置された構成となって
いる。そして、その画素電極１１４と共通電極１０３と
に挟まれた領域で、１画素が構成された構成となってい
る。また、以上のように構成した単位画素をマトリクス
状に配置したアクティブマトリクス基板の表面、すなわ
ち、画素電極１１４が形成されたオーバーコート層１１
２上には、配向膜１１５が形成されている。この配向膜
１１５表面はラビング処理されている。

【００２４】一方、ガラスよりなる対向基板１３１にも
配向膜１３２が形成され、この配向膜１３２表面もラビ
ング処理されている。そして、ガラス基板１０１と対向
基板１３１が、配向膜１１５および配向膜１３２形成面
で対向配置され、これらの間に液晶組成物層１４０が配
置されている用に構成されている。また、ガラス基板１
０１および対向基板１３１の外側の面には、偏光板１５
１が形成されている。なお、カラーフィルター層１１０
を区切っている遮光部１１１は、その一部の領域が半導
体膜１０５よりなる薄膜トランジスタ上に配置するよう
に形成されている。

【００２５】以上のように構成されたＴＦＴ液晶表示装
置では、液晶組成物層１４０に電界がかかっていないと
きは、液晶組成物層１４０における液晶分子はそれら電
極の延在方向にほぼ平行な状態となりホモジニアス配向
している。すなわち、液晶分子の長軸（光学軸）の方向
と、画素電極１１４と共通電極１０３との間に形成され
る電界方向方とのなす角度が、例えば、４５°以上９０
°未満となるように、液晶分子は配向されている。

【００２６】なお、対向配置されているガラス基板１０
１と対向基板１３１と、液晶分子との配向は、互いに平
行となっている。また、液晶分子の誘電異方性は正とし
た。ここで、ゲート電極１０２に電圧を印加して薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）をオンにすると、ソース電極１０
７に電圧が印加されて、画素電極１１４とこれに対向配
置している共通電極１０３の間に電界が誘起される。そ
して、この電界により、液晶分子１４１は、画素電極１
１４とこれに対向配置している共通電極１０３の間に形
成される電界の方向に、ほぼ平行な状態となる。

【００２７】そして、偏光板１５１の変更透過軸を所定
角度に配置しておくことで、上述した液晶分子の動きに
よって光の透過率を変化させることができる。次に、上
述したこの実施の形態１における液晶表示装置の製造方
法について簡単に説明する。まず、Ｃｒ膜を成膜してこ
れを公知のフォトリソグラフィおよびエッチング技術に
よりパターニングすることで、図２（ａ）に示すよう
に、ガラス基板１０１上にゲート電極１０２を形成す
る。

【００２８】次に、図２（ｂ）に示すように、ゲート電
極１０２上を含むガラス基板１０１上に窒化シリコンか
らなるゲート絶縁膜１０４を形成し、これを介してゲー
ト電極１０２上にアモルファスシリコンからなる半導体
膜１０５を形成する。この半導体膜１０５は、ゲート絶
縁膜１０４上にアモルファスシリコンを堆積した後、公
知のフォトリソグラフィおよびエッチング技術により、
そのアモルファスシリコンの膜をパターニングすること
で形成すればよい。次に、図２（ｃ）に示すように、半
導体膜１０５のパターンの一部に重畳するようにモリブ
デンよりなるドレイン電極１０６，ソース電極１０７を
形成する。

【００２９】次に、図２（ｄ）に示すように、ドレイン
電極１０６，ソース電極１０７，および，半導体膜１０
５を覆うように、ゲート絶縁膜１０４上に保護膜１０８
を形成する。次に、図２（ｅ）に示すように、この保護
膜１０８上にカラーフィルター層１１０および遮光部１
１１を形成する。また、同時に、共通電極１０３を形成
する。なお、カラーフィルター層１１０は、例えば、赤
色や緑色もしくは青色の染料，顔料を含んだ樹脂膜から
構成する。また、遮光部１１１は、黒色の染料，顔料を
含んだ樹脂膜から構成すればよい。また、金属を用いて
遮光部を形成するようにしても良い。

【００３０】そのカラーフィルター層１１０は、例え
ば、赤色などの所望の光学特性が得られる顔料が、アク
リルをベースとしたネガ形の感光性樹脂中に分散され
た、顔料分散レジストを用いて形成すればよい。まず、
その顔料分散レジストを保護膜１０８上に塗布すること
で、そのレジスト膜を形成する。次いで、そのレジスト
膜の所定量域、すなわちマトリクス状に配置された画素
領域に選択的に光が当たるように、フォトマスクを用い
て露光する。この露光の後、所定の現像液を用いて現像
し、所定のパターンを形成する。これらの工程を、色
数、例えば赤・青・緑の３色分３回繰り返すことで、カ
ラーフィルター層１１０が形成できる。

【００３１】次に、図３（ｆ）に示すように、共通電極
１０３を含めてカラーフィルター層１１０および遮光部
１１１上に透明な絶縁材料からなるオーバーコート層１
１２を形成する。このオーバーコート層１１２は、例え
ばアクリル樹脂などの熱硬化性樹脂を用いればよい。ま
た、そのオーバーコート層１１２に、光硬化性の透明な
樹脂を用いるようにしても良い。次に、図３（ｇ）に示
すように、スルーホールを形成してこれを介してソース
電極１０７に接続する画素電極１１４を、オーバーコー
ト層１１２上に形成する。この後、配向膜１１５を形成
した後、液晶組成物層１４０を形成するなどにより、図
１に示したような、液晶表示装置が完成する。

【００３２】以上示したように、この実施の形態１で
は、カラーフィルター層１１０上に配置された画素電極
１１４とこれに対向配置している共通電極１０３の間に
電界を形成することで、それらの上に配置された液晶分
子１４１を駆動するようにした。従って、この実施の形
態によれば、カラーフィルター層１１０と液晶組成物層
１４０とが、画素電極１１４と共通電極１０３とを挾ん
で配置されているようにした。従って、画素電極１１４
と共通電極１０３とにより液晶分子１４１を動かすため
の電界は、カラーフィルター層１１０に何ら影響を与え
ない。また、共通電極１０３上において、オーバーコー
ト層１１２上に液晶組成物層１４０が形成されている
が、オーバーコート層１１２は殆どチャージアップしな
い。

【００３３】以上のことにより、この実施の形態１によ
れば、液晶組成物層１４０は、上下に不要な電界がいつ
でもかかっている状態が抑制されるので、従来とは異な
り、表示特性の劣化を起こしにくい構造となっている。
また、画素電極１１４と共通電極１０３および共通電極
配線１０３ａとが、オーバーコート層１１２を介して形
成されているので、画素電極１１４と共通電極配線１０
３ａとが、接触してしまうことが起こらない。

【００３４】実施の形態２ 始めに、この発明の第２の実施の形態における液晶表示
装置に関して、図４を用いて説明する。なお、図４にお
いて、図４（ａ）は、図４（ｂ）の平面図のＢＢ’線の
断面を示している。この実施の形態２の液晶表示装置で
は、ガラス基板４０１上には、Ｃｒよりなるゲート電極
４０２が配置され、このゲート電極４０２を覆うように
窒化シリコンからなるゲート絶縁膜４０４が形成されて
いる。また、ゲート電極４０２上には、ゲート絶縁膜４
０４を介して非晶質シリコンからなる半導体膜４０５が
配置され、薄膜トランジスタの能動層として機能するよ
うにされている。

【００３５】また、半導体膜４０５のパターンの一部に
重畳するようにモリブデンよりなるドレイン電極４０
６，ソース電極４０７が配置され、これら全てを被覆す
るように窒化シリコンよりなる保護膜４０８が形成され
ている。なお、ドレイン電極４０６，ソース電極４０７
それぞれは、図示していないが、ｎ形不純物が導入され
た非晶質シリコン膜を介し、半導体膜４０５のパターン
の一部に重畳している。なお、図４（ｂ）に示すよう
に、ドレイン電極４０６は、データ線４０６ａに接続し
ている。以上のことは、前述した実施の形態１と同様で
ある。

【００３６】そして、この実施の形態２では、その保護
膜４０８上に、カラーフィルター層４１０が配置されて
いるようにした。また、カラーフィルター層４１０は、
オーバーコート層４１２で覆われている。この、オーバ
ーコート層４１２は、例えばアクリル樹脂など、チャー
ジアップしにくい透明な材料から構成する。そして、ソ
ース電極４０７より引き出された引き出し電極４０７ａ
に接続し、画素電極４１４がオーバーコート層４１２上
に配置されている。この画素電極４１４は、保護膜４０
８，遮光部４１１，および，オーバーコート層４１２を
貫通するスルーホールを介し、引き出し電極４０７ａに
接続している。また、この画素電極４１４はＩＴＯ（Ｉ
ｎ2Ｏ3：Ｓｎ）などの透明電極から構成され、平面的に
は１画素の領域をほぼ半分に分けるように中央部に配置
されている。

【００３７】また、その１画素の領域を囲うように、共
通電極配線４０３が形成されている。また、この共通電
極配線４０３は、カラーフィルター層４１０上にオーバ
ーコート層４１２で覆われて配置されている。そして、
この共通電極配線４０３は、上部から見たとき、下層に
配置しているドレイン電極４０６，データ線４０６ａ，
ソース電極４０７，ゲート電極４０２およびそれらで構
成されるＴＦＴを隠すように配置され、遮光層をかねて
いる。

【００３８】なお、以上のように構成した単位画素をマ
トリクス状に配置したアクティブマトリクス基板の表
面、すなわち、画素電極４１４が形成されたオーバーコ
ート層４１２上には、配向膜４１５が形成されている。
この配向膜４１５表面はラビング処理されている。一
方、ガラスよりなる対向基板４３１にも配向膜４３２が
形成され、この配向膜４３２表面もラビング処理されて
いる。そして、ガラス基板４０１と対向基板４３１が、
配向膜４１５および配向膜４３２形成面で対向配置さ
れ、これらの間に液晶組成物層４４０が配置されている
用に構成されている。また、ガラス基板４０１および対
向基板４３１の外側の面には、偏光板４５１が形成され
ている。

【００３９】このように、この実施の形態２において
も、上述した実施の形態１と同様に、共通電極配線４０
３は、カラーフィルター層４１０上に配置され、そし
て、その共通電極配線４０３とカラーフィルター層４１
０とを覆うように形成されているオーバーコート層４１
２上に、画素電極４１４が配置された構成となってい
る。この場合、共通電極配線４０３が、上述した実施の
形態１における共通電極もかねている。そして、この実
施の形態２では、格子状に形成された共通電極配線４０
３に囲われた領域で１画素が構成され、その中央部を通
り１画素を半分に分けるように画素電極４１４が配置さ
れているようにした。

【００４０】以上のように構成されたＴＦＴ液晶表示装
置では、液晶組成物層４４０に電界が印加されていない
ときは、液晶組成物層４４０における液晶分子はそれら
電極の延在方向にほぼ平行な状態となっている。すなわ
ち、液晶分子の長軸（光学軸）の方向と、画素電極４１
４と共通電極配線４０３との間に形成される電界方向方
とのなす角度が、例えば、４５°以上９０°未満となる
ように、液晶分子は配向されている。なお、対向配置さ
れているガラス基板４０１と対向基板４３１と、液晶分
子との配向は、互いに平行となっている。また、液晶分
子の誘電異方性は正とした。

【００４１】ここで、ゲート電極４０２に電圧を印加し
て薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンにすると、ソース
電極４０７に電圧が印加されて、画素電極４１４とこれ
に対向配置している共通電極配線４０３の間に電界が誘
起される。そして、この電界により、液晶分子４４１
は、画素電極４１４とこれに対向配置している共通電極
配線４０３の間に形成される電界の方向に、ほぼ平行な
状態となる。そして、偏光板４５１の変更透過軸を所定
角度に配置しておくことで、上述した液晶分子の動きに
よって光の透過率を変化させることができる。

【００４２】以上示したように、この実施の形態２で
も、カラーフィルター層４１０上に配置された画素電極
４１４とこれに対向配置している共通電極配線４０３の
間に電界を形成することで、それらの上に配置された液
晶分子４４１を駆動するようにした。すなわち、この実
施の形態２においても、カラーフィルター層４１０と液
晶組成物層４４０とが、画素電極４１４と共通電極配線
４０３とを挾んで配置されているようにした。従って、
画素電極４１４と共通電極配線４０３とにより液晶分子
４４１を動かすための電界は、カラーフィルター層４１
０に何ら影響を与えない。

【００４３】また、共通電極配線４０３上において、オ
ーバーコート層４１２上に液晶組成物層４４０が形成さ
れているが、オーバーコート層４１２は殆どチャージア
ップしない。以上のことにより、この実施の形態２によ
れば、液晶組成物層４４０は、上下に不要な電界がいつ
でもかかっている状態が抑制されるので、従来とは異な
り、表示特性の劣化を起こしにくい構造となっている。
また、画素電極４１４と共通電極配線４０３が、オーバ
ーコート層４１２を介して形成されているので、画素電
極４１４と共通電極配線４０３とが、接触してしまうこ
とが起こらない。そして、この実施の形態２によれは、
前述したように、共通電極配線４０３が遮光層もかねて
いるので、カラーフィルター層の製造工程を簡略化する
ことができる。

【００４４】なお、上記実施の形態１，２においては、
１つの画素において、共通電極と画素電極とを１組だけ
設けるようにしたが、これに限るものはない。共通電極
とが粗電極とを、１つの画素領域において複数組設ける
ようにしても良い。例えば、櫛形にそれら電極を形成
し、対向して配置するようにしても良い。このようにす
ることで、１つの画素が大きい場合でも、画素電極と共
通電極との間の距離を短くできるので、液晶を駆動させ
るために印加する電圧を小さくできる。

【００４５】実施の形態３ 次に、この発明の第３の実施の形態における液晶表示装
置に関して、図５を用いて説明する。なお、図５におい
て（ａ）は液晶表示装置の一部の画素の平面図であり、
（ｂ）、（ｃ）はそれぞれＡ−Ａ’，Ｂ−Ｂ’線の断面
を表している。この第３の実施形態の液晶表示装置で
は、ガラス基板５０１上にゲート電極５０５が形成さ
れ、ゲート絶縁膜５０４を介してドレイン電極５０６、
ソース電極５０７からなる薄膜トランジスタが形成さ
れ、その上にパッシベーション膜５１２が形成されてい
る点は実施の形態１と同様である。そして、その上にカ
ラーフィルター層５１７が形成され、それを覆うように
第１のオーバーコート層５１３で覆われている。このオ
ーバーコート層５１３はチャージアップしにくい透明な
絶縁材料により構成する。

【００４６】そして、パッシベーション膜５１２および
第１のオーバーコート層５１３を貫通して形成されたス
ルーホールを介して、ソース電極５０７に接続する画素
電極５０８が、第１のオーバーコート層５１３上に配置
されている。さらにこれらをすべて覆うように第２のオ
ーバーコート層５１４が形成され、その上に共通電極配
線により引き出されている共通電極５０９が形成されて
いる。ここで第２のオーバーコート層５１３は共通電極
５０９と画素電極５０８の間の電界が液晶層５１５にか
かるようにするため、０．１〜１μｍ程度に薄膜化し、
さらに誘電率の高い材料を用いることが望ましい。

【００４７】従って、この実施の形態３においては、カ
ラーフィルター５１７上の第１のオーバーコート５１３
上に画素電極５０８が配置され、これらを覆うように形
成されている第２のオーバーコート層上に共通電極５０
９が配置された構成となっている。そして、その画素電
極５０８と共通電極５０９とに挟まれた領域で、１画素
が構成された構成となっている。また共通電極５０９が
配線上およびＴＦＴ上に配置されており、第２の実施形
態と同様に遮光を兼ねている。

【００４８】また以上のように構成した単位画素をマト
リクス上に配置したアクティブマトリクス基板の表面お
よび対向基板の表面に配向膜を形成し、所定の方向にラ
ビング処理を行い、アクティブマトリクス基板上に配置
された画素電極と共通電極間に発生する横方向電界を用
いて液晶を駆動することにより光の透過率を変化させる
ことは第１の実施形態と同様である。なお、液晶層５１
５は、対向基板５１６と第２のオーバーコート層５１４
の間に挟まれている。

【００４９】次に、上述したこの第３の実施形態におけ
る液晶表示装置の製造方法について簡単に説明する。図
６（ａ）に示すように、ガラス基板５０１上に薄膜トラ
ンジスタを形成し、それらを保護するパッシベーション
膜５１２を堆積した後、顔料分散型の感光性アクリル樹
脂などを用いてカラーフィルターを形成することは実施
形態１と同様である。次に図６（ｂ）のように、透明の
感光性アクリル樹脂などを用いて第１のオーバーコート
層を形成し、スルーホール５１８を開口し、同時にパッ
シベーション膜５１２上のスルーホールも開口する。

【００５０】次に、図６（ｃ）に示すように、スルーホ
ール５１８を介してソース電極５０８に接続する画素電
極５０８を、ＩＴＯなどにより第１のオーバーコート層
上に形成する。次に図６（ｄ）に示すように、第２のオ
ーバーコート膜を形成する。第２のオーバーコート膜を
感光性の有機膜などを塗布法により形成する場合、スル
ーホール５０８が平坦化され、画素電極と共通電極間の
ショートなどもなくなり、好ましい。

【００５１】そして、図６（ｅ）に示すようにクロム・
モリブデンなどにより共通電極５０９を形成している。
以上のことによりこの実施形態３によれば、液晶層５１
５は上下に不要な電界がいつでもかかっている状態が抑
制されるので、従来とは異なり、表示の劣化を起こしに
くい構造になっている。また、第１のオーバーコート層
上のスルーホールは第２のオーバーコートにより平坦化
されるため、画素電極と共通電極間のショートが少なく
なる構造となっている。

【００５２】実施の形態４ 次に、この発明の第４の実施の形態における液晶表示装
置に関して、図７を用いて説明する。なお、図７におい
て（ａ）は液晶表示装置の一部の画素の平面図であり、
（ｂ）、（ｃ）はそれぞれＡ−Ａ‘、Ｂ−Ｂ’線の断面
を表している。この実施の形態４の液晶表示装置では、
ＴＦＴガラス基板上にゲート電極７０５が形成され、ゲ
ート絶縁膜７０４を介して、ドレイン電極７０６、ソー
ス電極７０７からなる薄膜トランジスタが形成され、そ
の上にパッシベーション膜７１２が形成されている点は
第１の実施形態と同様である。

【００５３】また、その上にカラーフィルター層７１７
が形成され、それを覆うように第１のオーバーコート層
７１３が覆われている。このオーバーコート層７１３は
チャージアップしにくい透明な絶縁材料により構成す
る。そして、パッシベーション膜７１２および第１のオ
ーバーコート層７１３上に共通電極配線により引き出さ
れている共通電極７０９が形成されている。さらにこれ
らを全て覆うように第２のオーバーコート層７１４が形
成され、第２のオーバーコート層を貫通して形成された
スルーホールを介して、ソース電極７０７に接続する画
素電極７０８が配置されている。

【００５４】ここで第２のオーバーコート層は共通電極
と画素電極の間の電界が液晶層７１５にかかるようにす
るため、０．１〜１μｍ程度に薄膜化し、さらに誘電率
の高い材料を用いることが好ましい。従って、この第４
の実施形態においては、カラーフィルター７１７上の第
１のオーバーコート７１３上に共通電極７０９が配置さ
れ、これらを覆うように形成されている第２のオーバー
コート層上に画素電極７０８が配置された構成となって
いる。そして、その画素電極７０８と共通電極７０９と
に挟まれた領域で、１画素が構成された構成となってい
る。また共通電極７０９が配線上およびＴＦＴ上に配置
されており、第２の実施形態と同様に遮光を兼ねてい
る。

【００５５】また、以上のように構成した単位画素をマ
トリクス上に配置したアクティブマトリクス基板の表面
および対向基板の表面に配向膜を形成し、所定の方高に
ラビング処理を行い、アクティブマトリクス基板上に配
置された画素電極と共通電極間に発生する横方向電界を
用いて液晶を駆動することにより光の透過率を変化させ
ることは第１の実施形態と同様である。なお、液晶層７
１５は、対向基板７１６と第２のオーバーコート層７１
４の間に挟まれている。

【００５６】次に、上述したこの第４の実施形態におけ
る液晶表示装置の製造方法について簡単に説明する。図
８（ａ）に示すように、ガラス基板７１０上に薄膜トラ
ンジスタを形成し、それらを保護するパッシベーション
膜７１２を堆積した後、顔料分散型の感光性アクリル樹
脂などを用いてカラーフィルターを形成することは第１
の実施形態と同様である。次に図８（ｂ）のように、第
１のオーバーコート層を塗布した後、共通電極７０９を
クロム・モリブデンなどの金属によりパターン形成す
る。

【００５７】次に図８（ｃ）に示すように、第２のオー
バーコート膜を塗布した後、第１，２のオーバーコート
膜およびパッシベーション膜を貫通するスルーホール７
１８を形成する。最後に、図８（ｄ）に示すように、ス
ルーホール７１８を介してソース電極７０７に接続する
画素電極７０８を、ＩＴＯなどにより第２のオーバーコ
ート層上に形成する。

【００５８】以上のことにより、この実施形態４によれ
ば、液晶層７１５は、上下に不要な電界がいつでもかか
っている状態が抑制されるので、従来とは異なり、表示
特性の劣化をおこしにくい構造となっている。また、第
１，２のオーバーコート層のパターニングを一括して行
ってスルーホールを形成するので、第３の実施形態に比
べて製造工程が短縮される。

【００５９】実施の形態５ 次に、本発明の第５の実施の形態における液晶表示装置
を、図９を用いて説明する。なお、図９において、図９
（ａ）は、図９（ｂ）の平面図のＡＡ’線の断面を示し
ている。実施の形態１と同様に構成した単位画素をマト
リクス状に配置したアクティブマトリクス基板の表面、
すなわち、画素電極９１４が形成されたオ−バ−コ−ト
層９１２上には、垂直配向膜９１５が形成されている。
この配向膜９１５表面は、必要に応じラビング、また
は、光配向処理が施される。

【００６０】一方、透明性基板よりなる対向基板９３１
にも垂直配向膜９３２が形成され、この配向膜９３２の
表面も必要に応じ、ラビング、または、光配向処理が施
される。また、静電気による画質の低下を防ぐ目的で、
対向基板の配向膜と反対側の表面に、ＩＴＯなどの透明
性導電膜を設けてもよい。基板９０１と対向基板９３１
は配向膜９１５および配向膜９３２形成面で対向配置さ
れ、これらの間に液晶層９４０が配置される。また、透
過型で使用する場合は基板９０１および対向基板９３１
の外側の面には、偏光板９５１が形成されている。な
お、カラ−フィルタ−層９１０を区切っている遮光部９
１１は、その一部の領域が半導体膜９０５よりなる薄膜
トランジスタ上に配置するように形成されている。

【００６１】以上のように構成されたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置では、液晶層９４０に電界がかかっ
ていないときには、液晶層９４０における液晶分子は、
基板にほぼ垂直に配向している。液晶の誘電率異方性は
正とする。ここで、ゲ−ト電極９０２に電圧を印加して
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンにすると、ソ−ス電
極９０７に電圧が印加され、画素電極９１４とこれに対
向配置している共通電極９０３の間に電界が誘起され
る。そして、この電界により、液晶分子９４１は画素電
極９１４とこれに対向配置している共通電極９０３の間
に形成される電界の方向に、ほぼ平行な状態、すなわ
ち、基板方向に倒れていくことになる。また、このとき
電界の方向が完全に基板と平行でないため、電極間の液
晶分子は２方向に分かれて倒れる。

【００６２】このように本発明の方法では、特別に配向
膜に処理を加えることをしなくても、自動的に液晶の倒
れる方向を分割することができ、広視野角化が達成でき
る。しかし、液晶の方向の異なる方向に倒れるそれぞれ
の領域は、電界の方向のみで制御され、明確に分かれて
いない。このため、液晶の配向状態が悪い場合は、その
境界が表示画面によって画素内を移動する場合があり、
表示不良を発生させる原因となる。そこで、その液晶の
倒れる方向が変わる境界をより完全に制御するために、
その境界を次に示すようにして固定するようにしても良
い。

【００６３】その１つの方法としては、図１０に示すよ
うに、領域毎に異なるラビング処理を行うようにすれば
よい。まず、図１０（ａ）に示すように、画素内の境界
を境に一方の領域の垂直配向膜９１５上に、レジストパ
タン１００１を形成し、この状態でラビングロール１０
１０を所定の方向に移動させる。このことにより、垂直
配向膜９１５のレジストパタン１００１に覆われていな
い領域が、所定の方向にラビング処理されたことにな
る。しかしここでは、レジストパタン１００１で覆われ
た領域は、ラビング処理されない。

【００６４】次に、レジストパタン１００１を除去した
後、図１０（ｂ）に示すように、画素内の境界を境に他
方の領域の垂直配向膜９１５上に、レジストパタン１０
０２を形成する。すなわち、すでにラビング処理された
領域を覆うように、レジストパタン１００２を形成す
る。そして、この状態で、ラビングロール１０１０を上
述とは反対の方向に移動させる。このことにより、垂直
配向膜９１５のレジストパタン１００２に覆われていな
い領域が、すでにラビング処理された領域とは異なる方
向にラビング処理されたことになる。そして、この処理
では、すでにラビング処理された領域は、レジストパタ
ン１００２で覆われているので、再度ラビング処理され
ることがない。

【００６５】そして、レジストパタン１００２を除去し
た後、対向基板９３１側の垂直配向膜９３２も同様に処
理し、図１０（ｃ）に示すように、それらの間に液晶層
９４０を配置するればよい。これらの結果、液晶層９４
０では、境界を境に、液晶分子９４１が異なる方向に倒
れるようになる。すなわち、上述したことにより、分割
領域を固定することができる。

【００６６】また、その液晶の倒れる方向が変わる境界
をより完全に制御するために、その境界を次に示すよう
にして固定するようにしても良い。この２つ目の方法
は、偏光した光を照射することで配向方向が定まる光配
向膜を用いるようにしたものである。以下、より詳細に
説明すると、まず、図１１（ａ）に示すように、光配向
膜からなる垂直配向膜９１５を形成したら、所定の境界
を境に一方の領域を遮光するマスク１１０１を配置し、
この状態で斜め方向から偏光した光１１１０を上部より
照射する。このことにより、垂直配向膜９１５のマスク
１１０１に覆われていない領域が、配向状態を規定され
たことになる。しかしここでは、マスク１１０１が上部
にある領域は、配向状態が規定されていない。

【００６７】次に、図１１（ｂ）に示すように、画素内
の境界を境に他方の領域の垂直配向膜９１５上に、マス
ク１１０２を配置する。すなわち、すでに配向状態が規
定された領域を覆うように、マスク１１０２を配置す
る。そして、この状態で、今度は、上述とは反対側の斜
め方向から偏光した光を上部より照射する。このことに
より、垂直配向膜９１５のマスク１１０２に覆われてい
ない領域が、所定の配向状態を規定されたことになる。
このことにより、垂直配向膜９１５のマスク１１０２に
覆われていない領域が、すでに配向状態が規定された領
域とは異なる方向に、配向状態が規定されたことにな
る。そして、この処理では、すでに配向状態が規定され
た領域は、マスク１１０２が上部にあって光が照射され
ないので、再度配向状態が規定されることがない。

【００６８】そして、図１１（ｃ）に示すように、対向
基板９３１側の垂直配向膜９３２も同様に処理し、それ
らの間に液晶層９４０を配置するればよい。これらの結
果、液晶層９４０では、境界を境に、液晶分子９４１が
異なる方向に倒れるようになる。すなわち、上述したこ
とにより、分割領域を固定することができる。なお、そ
の光配向膜としては、ケイ皮酸基のような偏光により液
晶の配向を制御できる官能基を有する物質、または、エ
−エムエルシ−ディ−'９６／アイディ−ダブリュ'９６
のダイジェストオブテクニカルペイパ−ズ（AM-LCD'９
６／IDW'９６DigestofTechnicalPapers）P.337に記載さ
れているような偏光照射により感光基が重合するような
高分子を用いればよい。

【００６９】さらに、上述した２つの方法でも液晶の配
向の乱れを抑制できない場合には、有機高分子材料を用
いて液晶の配向状態を記憶させておくようにしても良
い。これは、はじめに、その材料のモノマーやオリゴマ
ーを液晶に導入しておき、次いで、液晶を所定の配向方
向状態にしておき、その状態で、紫外線を照射すること
などによりモノマーを重合させポリマーとさせればよ
い。この結果、液晶の配向状態が記憶された状態とな
る。

【００７０】なお、上述した有機高分子材料とするモノ
マー，オリゴマとしては、光硬化性モノマー，熱硬化性
モノマー，あるいはこれらのオリゴマ等のいずれを使用
することもでき、また、これらを含むものであれば他の
成分を含んでいてもよい。本発明に使用する「光硬化性
モノマー又はオリゴマ」とは、可視光線により反応する
ものだけでなく、紫外線により反応する紫外線硬化モノ
マー等を含み、操作の容易性からは特に後者が望まし
い。

【００７１】また、それら高分子化合物は、液晶性を示
すモノマー、オリゴマーを含む液晶分子と類似の構造を
有するものでもよいが、必ずしも液晶を配向させる目的
で使用されるものではないため、アルキレン鎖を有する
ような柔軟性のあるものであってもよい。また、単官能
性のものであってもよいし、２官能性のもの，３官能以
上の多官能性を有するモノマー等でもよい。本発明で使
用する光または紫外線硬化モノマーとしては、例えば、
次にあげるものを用いればよい。

【００７２】まず、２−エチルへキシルアクリレート，
ブチルエチルアクリレート，ブトキシエチルアクリレー
ト，２−シアノエチルアクリレート，ベンジルアクリレ
ート，シクロヘキシルアクリレート，２−ヒドロキシプ
ロピルアクリレート，２−エトキシエチルアクリレー
ト，Ｎ、Ｎ−エチルアミノエチルアクリレート，Ｎ、Ｎ
−ジメチルアミノエチルアクリレート，ジシクロペンタ
ニルアクリレート，ジシクロペンテニルアクリレート，
グリシジルアクリレート，テトラヒドロフルフリルアク
リレート，イソボニルアクリレート，イソデシルアクリ
レート，ラウリルアクリレート，モルホリンアクリレー
ト，フェノキシエチルアクリレート，フェノキシジエチ
レングリコールアクリレート。２，２，２−トリフルオ
ロエチルアクリレート，２，２，３，３，３−ペンタフ
ルオロプロピルアクレート，２，２，３，３−テトラフ
ルオロプロピルアクリレート，２，２，３，４，４，４
−ヘキサフルオロブチルアクリレート等の単官能アクリ
レート化合物を使用することができる。

【００７３】また、２−エチルヘキシルメタクリレー
ト，ブチルエチルメタクリレート，ブトキシエチルメタ
クリレート，２−シアノエチルメタクリレート，ベンジ
ルメタクリレート，シクロヘキシルメタクリレート，２
−ヒドロキシプロピルメタクリレート，２−エトキシエ
チルアクリレート，Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルメタ
クリレート，Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレ
ート，ジシクロペンタニルメタクリレート，ジシクロペ
ンテニルメタクリレート，グリシジルメタクリレート，
テトラヒドロフルフリルメタクリレート，イソボニルメ
タクリレート，イソデシルメタクリレート，ラウリルメ
タクリレート，モルホリンメタクリレート，フェノキシ
エチルメタクリレート，フェノキシジエチレングリコー
ルメタクリレート，２，２，２−トリフルオロエチルメ
タクリレート，２，２，３，３−テトラフルオロプロピ
ルメタクリレート，２，２，３，４，４，４−ヘキサフ
ルオロブチルメタクリレート等の単官能メタクリレート
化合物を使用することができる。

【００７４】さらに、４，４'−ビフェニルジアクリレ
ート，ジエチルスチルベストロールジアクリレート，
１，４−ビスアクリロイルオキシベンゼン，４，４'−
ビスアクリロイルオキシジフェニルエーテル，４，４'
−ビスアクリロイルオキシジフェニルメタン，３，９−
ビス［１，１−ジメチル−２−アクリロイルオキシエチ
ル］−２，４，８，１０−テトラスピロ［５，５］ウン
デカン，α，α′−ビス［４−アクリロイルオキシフェ
ニル］−１，４−ジイソプロピルベンゼン，１，４−ビ
スアクリロイルオキシテトラフルオロベンゼン，４，
４'−ビスアクリロイルオキシオクタフルオロビフェニ
ル，ジエチレングリコールジアクリレート，１，４−ブ
タンジオールジアクリレート，１，３−ブチレングリコ
ールジアクリレート，ジシクロペンタニルジアクリレー
ト，グリセロールジアクリレート，１，６−ヘキサンジ
オールジアクリレート，ネオペンチルグリコールジアク
リレート，テトラエチレングリコールジアクリレート，
トリメチロールプロパントリアクリレート，ペンタエリ
スリトールテトラアクリレート，ペンタエリスリトール
トリアクリレート，ジトリメチロールプロパンテトラア
クリレート，ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
ト，ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアク
リレート，４，４'−ジアクリロイルオキシスチルベ
ン，４，４'−ジアクリロイルオキシジメチルスチルベ
ン，４，４'−ジアクリロイルオキシジエチルスチルベ
ン，４，４'−ジアクリロイルオキシジプロピルスチル
ベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジブチルスチル
ベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジペンチルスチ
ルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジヘキシルス
チルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジフルオロ
スチルベン，２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロ
ペンタンジオール−１，５−ジアクリレート，１，１，
２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル−１，３−ジ
アクリレート，ウレタンアクリレートオリゴマ等の多官
能アクリレート化合物を用いることができる。

【００７５】さらにまた、ジエチレングリコールジメタ
クリレート，１，４−ブタンジオールジメタクリレー
ト，１，３−ブチレングリコールジメタクリレート，ジ
シクロペンタニルジメタクリレート，グリセロールジメ
タクリレート，１，６−へキサンジオールジメタクリレ
ート，ネオペンチルグリコールジメタクリレート，テト
ラエチレングリコールジメタクリレート，トリメチロー
ルプロパントリメタクリレート，ペンタエリスリトール
テトラメタクリレート，ペンタエリスリトールトリメタ
クリレート，ジトリメチロールプロパンテトラメタクリ
レート，ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレー
ト，ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタメタ
クリレート，２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロ
ペンタンジオール−１，５−ジメタクリレート，ウレタ
ンメタクリレートオリゴマ等の多官能メタクリレート化
合物，その他スチレン，アミノスチレン，酢酸ビニル等
があるが、これに限定されるものではない。

【００７６】また、本発明では、液晶表示装置の各素子
の駆動電圧は、高分子材料と液晶材料の界面相互作用に
も影響されるため、フッ素元素を含む高分子化合物であ
ってもよい。このような高分子化合物として、２，２，
３，３，４，４−へキサフルオロペンタンジオール−
１，５−ジアクリレート，１，１，２，２，３，３−へ
キサフルオロプロピル−１，３−ジアクリレート，２，
２，２−トリフルオロエチルアクリレート，２，２，
３，３，３−ペンタフルオロプロピルアクリレート，
２，２，３，３−テトラフルオロプロピルアクリレー
ト，２，２，３，４，４，４−へキサフルオロブチルア
クリレート，２，２，２−トリフルオロエチルメタクリ
レート，２，２，３，３−テトラフルオロプロピルメタ
クリレート，２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロ
ブチルメタクリレート，ウレタンアクリレートオリゴマ
等を含む化合物から合成された高分子化合物が挙げられ
るが、これに限定されるものではない。本発明に使用す
る高分子化合物として光または紫外線硬化モノマーを使
用する場合には、光または紫外線用の開始剤を使用する
こともできる。

【００７７】この開始剤としては、種々のものが使用可
能であり、たとえば、２，２−ジエトキシアセトフェノ
ン，２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−１−
オン，１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロ
キシ−２−メチルプロパン−１−オン，１−（４−ドデ
シルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン
−１−オン等のアセトフェノン系、ベンゾインメチルエ
ーテル，ベンゾインエチルエーテル，ベンジルジメチル
ケタール等のベンゾイン系、ベンゾフェノン，ベンゾイ
ル安息香酸，４−フェニルベンゾフェノン，３，３−ジ
メチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノ
ン系、チオキサンソン，２−クロルチオキサンソン，２
−メチルチオキサンソン等のチオキサンソン系、ジアゾ
ニウム塩系、スルホニウム塩系、ヨードニウム塩系、セ
レニウム塩系等が使用できる。

【００７８】そして、偏光板９５１の偏光透過軸を所定
角度に配置しておくことで、上述した液晶分子の動きに
よって光の透過率を変化させることができる。また、偏
光透過軸を直交させた場合は、ノ−マリブラックモ−ド
となるが、初期の液晶配向のリタデ−ションの観察角度
依存をなくすため負の一軸の補償フィルムおよび正の一
軸の補償フィルムを組み合わせて用いることができる。
これにより、黒状態の観察角度依存性がなくなり、画質
が向上するとともに、広視野角化が図れる。

【００７９】以上のことにより、この実施の形態５によ
れば、液晶層９４０は上下に不要な電界がいつでもかか
っている状態が抑制されるので、従来とは異なり、表示
特性の劣化を起こしにくい構造となっている。また、液
晶分子が基板に対しほぼ垂直に配向した状態から、電界
により倒れる構成のため、従来のような液晶分子が単に
基板に平行な面内で回転する構成に比べ、斜め方向から
観察したときの色付きもなく、広い視野角特性を与え
る。

【００８０】

【実施例】以下、実施例を用いて、本発明をより詳細に
説明する。 （実施例１）アモルファスシリコン薄膜トランジスタア
レイ（ＴＦＴ）を有する基板を、成膜過程とリソグラフ
ィー過程を繰り返して、ガラス基板上に作製した。この
ＴＦＴは、基板側よりゲート−クロム層，窒化珪素−ゲ
−ト絶縁層，アモルファスシリコン−半導体層，ドレイ
ン・ソース−モリブデン層から構成されている（図２
（ｃ）参照）。これらを覆うように窒化珪素からなる保
護膜を成膜した。次に、例えば緑のカラ−フィルタ−層
を保護膜上に塗布、加熱乾燥後、フォトリソグラフィ−
により形成した。赤、青のカラ−フィルタ−層について
同様の操作を繰り返しカラ−フィルタ−層を作成し、同
様にして、黒い顔料を含んだ樹脂を用いて、遮光部を形
成した。

【００８１】クロムを用いて共通電極を作成した後、ア
クリル樹脂からなるオ−バ−コ−ト層を塗布し、２００
℃で１時間、加熱した。次にフォトリソグラフィ−、エ
ッチングを用いて、ソ−ス電極までスル−ホ−ルを形成
した。クロムを用いて画素電極を形成し、垂直配向膜と
して日産化学社製ＳＥ１２１１を塗布し、２００℃で１
時間加熱した。裏面にＩＴＯを成膜したガラス基板に、
垂直配向膜として日産化学社製ＳＥ１２１１を塗布し、
２００℃、１時間の加熱を行い対向基板とした。

【００８２】基板の周辺部にシ−ル材を塗布し、配向膜
を塗布した面が向いあうようにスペ−サ−材を介して重
ねあわせ、１６０℃、３時間加熱することによってシ−
ル材を硬化させた。このとき対向基板はまったくのベタ
基板であるので、精度の高い目合わせは不要であった。
誘電率異方性が正のネマチック液晶を注入し、注入孔を
光硬化樹脂で封止した。液晶層のΔｎｄと大きさが等し
く、符号が逆となる光学的に負の補償フィルムを貼り付
けた後、偏光板を上下基板にその透過軸が直交するよう
に貼り付けた。このようにして得られたパネルの視角特
性を測定したところ、階調反転は全くなく、高コントラ
ストの領域が非常に広い優れた視角特性が得られた。特
に、通常の横方向電界で駆動するパネルでみられるよう
な斜め方向から見たときの色付きがなく、また、色ムラ
なども全く見られず、優れた視角特性を示した。

【００８３】（実施例２）実施例１と同様にして、ガラ
ス基板上に、成膜過程とリソグラフィー過程を繰り返し
て、アモルファスシリコン薄膜トランジスタアレイ（Ｔ
ＦＴ）を作成した。このＴＦＴは、実施例１と同様に、
基板側よりゲート−クロム層，窒化珪素−ゲ−ト絶縁
層，アモルファスシリコン−半導体層，ドレイン・ソー
ス−モリブデン層から構成されている。これらを覆うよ
うに窒化珪素からなる保護膜を成膜し、実施例１と同様
にして、赤、青、緑のカラ−フィルタ−層を形成した。
クロムを用いて共通電極を作成した後、アクリル樹脂か
らなるオ−バ−コ−ト層を塗布し、２００℃で１時間、
加熱した。次に、ソ−ス電極までスル−ホ−ルを形成
し、ＩＴＯを用いて画素電極を形成した。実施例１と全
く同様にして、垂直配向膜として日産化学社製ＳＥ１２
１１を塗布し、２００℃で１時間加熱した。裏面にＩＴ
Ｏを成膜したガラス基板に、垂直配向膜として日産化学
社製ＳＥ１２１１を塗布し、２００℃、１時間の加熱を
行い対向基板とした。

【００８４】基板の周辺部にシ−ル材を塗布し、配向膜
を塗布した面が向いあうようにスペ−サ−材を介して重
ねあわせ、１６０℃、３時間加熱することによってシ−
ル材を硬化させた。このとき対向基板はまったくのベタ
基板であるので、精度の高い目合わせは不要であった。
誘電率異方性が正のネマチック液晶を注入し、注入孔を
光硬化樹脂で封止した。液晶層のΔｎｄと大きさが等し
く、符号が逆となる光学的に負の補償フィルムを貼り付
けた後、偏光板を上下基板にその透過軸が直交するよう
に貼り付けた。

【００８５】このようにして得られたパネルの視角特性
を測定したところ、階調反転は全くなく、高コントラス
トの領域が非常に広い優れた視角特性が得られた。特
に、通常の横方向電界で駆動するパネルでみられるよう
な斜め方向から見たときの色付きがなく、また、色ムラ
なども全く見られず、優れた視角特性を示した。なお、
画素電極をＩＴＯで作成したため、開口率が高く、明る
い表示が得られた。

【００８６】

【発明の効果】以上説明したように、この発明では、透
明な第１の基板と透明な第２の基板とこれらに挾まれた
液晶層とカラーフィルター層とを有する液晶表示装置に
おいて、そのカラーフィルター層は第１の基板上に配置
され、液晶層はカラーフィルター層と第２の基板との間
に配置され、カラーフィルター層下の第１の基板上に
は、複数の走査信号電極と、それらにマトリクス状に交
差する複数の映像信号電極と、これらの電極のそれぞれ
の交点に対応して形成された複数の薄膜トランジスタと
を有し、複数の走査信号電極および映像信号電極で囲ま
れるそれぞれの領域で少なくとも１つの画素が構成さ
れ、それぞれの画素には共通電極配線により複数の画素
に渡って接続されて基準電位を与える共通電極と、対応
する薄膜トランジスタに接続されて画素領域において共
通電極に対向して配置された画素電極とを有し、共通電
極および画素電極は、カラーフィルター層と液晶層との
間に配置され、かつ、共通電極と画素電極は透明な絶縁
物からなる層間分離膜を介して互いに異なった層に配置
され、共通電極と画素電極との間に印加される電圧によ
り、液晶層には第１の基板に対して支配的に平行な成分
を持った電界が発生するようにした。

【００８７】従って、共通電極と画素電極との間に印加
される電圧により発生した電界で、液晶層における液晶
は基板に対してほぼ平行な面で回転し、その液晶層に発
生する電界は、カラーフィルター層に影響しない。この
結果、この発明によれば、カラーフィルター層に部分的
に発生するチャージアップを抑制できるので、多色表示
の液晶表示装置の色ムラの発生を抑制できるようにな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の第１の実施の形態における液晶表
示装置の構成を示す断面図および平面図である。

【図２】 実施の形態１の液晶表示装置の製造方法を説
明するための説明図である。

【図３】 図２に続く、実施の形態１の液晶表示装置の
製造方法を説明するための説明図である。

【図４】 この発明の第２の実施の形態における液晶表
示装置の構成を示す断面図および平面図である。

【図５】 この発明の第３の実施の形態における液晶表
示装置の構成を示す平面図および断面図である。

【図６】 実施の形態３の液晶表示装置の製造方法を説
明するための説明図である。

【図７】 この発明の第４の実施の形態における液晶表
示装置の構成を示す平面図および断面図である。

【図８】 実施の形態４の液晶表示装置の製造方法を説
明するための説明図である。

【図９】 この発明の第５の実施の形態における液晶表
示装置の構成を示す平面図および断面図である。

【図１０】 この発明の第５の実施の形態におけるラビ
ング処理の方法を示す工程図である。

【図１１】 この発明の第５の実施の形態におけるラビ
ング処理の他の方法を示す工程図である。

【図１２】 従来よりあるＩＰＳ方式のＴＦＴ液晶表示
装置の構成を示す構成図である。

【符号の説明】

１０１…ガラス基板、１０２…ゲート電極（走査信号電
極）、１０３…共通電極、１０３ａ…共通電極配線、１
０４…ゲート絶縁膜、１０５…半導体膜、１０６…ドレ
イン電極、１０６ａ…データ線（映像信号電極）、１０
７…ソース電極、１０８…保護膜、１１０…カラーフィ
ルター層、１１１…遮光部、１１２…オーバーコート層
（層間分離膜）、１１４…画素電極、１１５…配向膜、
１３１…対向基板、１３２…配向膜、１４０…液晶組成
物層、１４１…液晶分子、１５１…偏光板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉川 周憲 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 岡本 守 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 中田 慎一 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 山本 勇司 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 鈴木 成嘉 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 鈴木 照晃 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 石井 俊也 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 加納 博司 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平10−148843（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−142883（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1343

Claims (23)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明な第１の基板と透明な第２の基板と
   これらに挾まれた液晶層とカラーフィルター層とを有す
   る液晶表示装置において、 前記カラーフィルター層は前記第１の基板上に配置さ
   れ、 前記液晶層は前記カラーフィルター層と前記第２の基板
   との間に配置され、 前記カラーフィルター層下の前記第１の基板上には、複
   数の走査信号電極と、それらにマトリクス状に交差する
   複数の映像信号電極と、これらの電極のそれぞれの交点
   に対応して形成された複数の薄膜トランジスタとを有
   し、 前記複数の走査信号電極および映像信号電極で囲まれる
   それぞれの領域で少なくとも１つの画素が構成され、 それぞれの画素には共通電極配線により複数の画素に渡
   って接続されて基準電位を与える共通電極と、対応する
   薄膜トランジスタに接続されて前記画素領域において前
   記共通電極に対向して配置された画素電極とを有し、 前記共通電極および前記画素電極は、前記カラーフィル
   ター層と前記液晶層との間に配置され、かつ、前記共通
   電極と前記画素電極は透明な絶縁物からなる層間分離膜
   を介して互いに異なった層に配置され、 前記共通電極と前記画素電極との間に印加される電圧に
   より、前記液晶層には前記第１の基板に対して支配的に
   平行な成分を持った電界が発生し、かつ電圧が印加する
   前の液晶が第１の基板に対してほぼ平行に配向している
   ことを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 第１の基板と透明な第２の基板とこれら
   に挟まれた液晶層とカラ−フィルタ−層とを有する液晶
   表示装置において、 前記カラ−フィルタ−層は前記第１の基板上に配置さ
   れ、 前記液晶層は前記カラ−フィルタ−層と前記第２の基板
   との間に配置され、 前記カラ−フィルタ−層下の前記第１の基板上には、複
   数の走査信号電極と、それらにマトリクス状に交差する
   複数の映像信号電極と、これらの電極のそれぞれの交点
   に対応して形成された複数の薄膜トランジスタとを有
   し、 前記複数の走査信号電極および映像信号電極で囲まれる
   それぞれの領域で少なくとも１つの画素が構成され、 それぞれの画素には共通電極配線により複数の画素に渡
   って接続されて基準電位を与える共通電極と、対応する
   薄膜トランジスタに接続されて前記画素領域において前
   記共通電極に対向して配置された画素電極とを有し、 前記共通電極および前記画素電極は、前記カラ−フィル
   タ−層と前記液晶層との間に配置され、かつ、前記共通
   電極と前記画素電極は透明な絶縁物からなる層間分離膜
   を介して互いに異なった層に配置され、 前記共通電極と前記画素電極との間に印加される電圧に
   より、前記液晶層には前記第１の基板に対して支配的に
   平行な成分を持った電界が発生し、かつ電圧が印加され
   る前の液晶が第１の基板に対してほぼ垂直に配向してい
   ることを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の液晶表示装置に
   おいて、 前記共通電極および前記画素電極のうち少なくとも一方
   は透明性導電膜よりなることを特徴とする液晶表示装
   置。
4. 【請求項４】 請求項１または２記載の液晶表示装置に
   おいて、 前記カラーフィルター層上に共通電極が形成され、 この共通電極上に前記層間分離膜が形成され、 前記層間分離膜上に画素電極が形成されたことを特徴と
   する液晶表示装置。
5. 【請求項５】 請求項１または２記載の液晶表示装置に
   おいて、 前記カラーフィルター層上に前記カラーフィルター層を
   保護するオーバーコート層が形成され、 このオーバーコート層上に共通電極が形成され、 この共通電極上に前記層間分離膜が形成され、 前記層間分離膜上に画素電極が形成されたことを特徴と
   する液晶表示装置。
6. 【請求項６】 請求項１または２記載の液晶表示装置に
   おいて、 前記カラーフィルター層上に前記カラーフィルター層を
   保護するオーバーコート層が形成され、 このオーバーコート層上に画素電極が形成され、 この画素電極上に前記層間分離膜が形成され、 前記層間分離膜上に共通電極が形成されたことを特徴と
   する液晶表示装置。
7. 【請求項７】 請求項１〜６いずれか１項記載の液晶表
   示装置において、 前記共通電極は前記画素を囲うように格子状に形成さ
   れ、 前記画素電極は前記画素の中を横切るように配置され、 前記共通電極が前記共通電極配線の一部を供用して形成
   され たことを特徴とする液晶表示装置。
8. 【請求項８】 請求項１〜７いずれか１項記載の液晶表
   示装置において、 前記共通電極および画素電極が、前記画素内に複数組配
   置されたことを特徴とする液晶表示装置。
9. 【請求項９】 請求項７記載の液晶表示装置において、 前記共通電極は、前記第２の基板側から見て、前記薄膜
   トランジスタが隠れるように形成されたことを特徴とす
   る液晶表示装置。
10. 【請求項１０】 請求項７記載の液晶表示装置におい
    て、 前記共通電極は、前記第２の基板側から見て、前記走査
    信号電極および映像信号電極が隠れるように形成された
    ことを特徴とする液晶表示装置。
11. 【請求項１１】 請求項２に記載の液晶表示装置におい
    て、 光学的に負の補償フィルムと光学的に正の補償フィルム
    を第１または第２の基板と偏光板との間に設置すること
    により、液晶層と補償フィルムの屈折率異方性を等方的
    にしたことを特徴とする液晶表示装置。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の液晶表示装置にお
    いて、 電圧を印加した際に液晶が倒れる２方向に沿ってあらか
    じめプレチルト角が形成されていることを特徴とする液
    晶表示装置。
13. 【請求項１３】 請求項１１に記載の液晶表示装置にお
    いて、 電圧を印加した際に液晶が倒れるどちらか一方の方向に
    あらかじめプレチルト角が形成されていることを特徴と
    する液晶表示装置。
14. 【請求項１４】 請求項２に記載の液晶表示装置におい
    て、 液晶が高分子高分子有機化合物を含むことを特徴とする
    液晶表示装置。
15. 【請求項１５】 第１の基板と透明な第２の基板とこれ
    らに挟まれた液晶層とカラ−フィルタ−層とを有する液
    晶表示装置の製造方法において、 前記カラ−フィルタ−層を前記第１の基板上に形成し、 前記液晶層を前記カラ−フィルタ−層と前記第２の基板
    との間に形成し、 前記カラ−フィルタ−層下の前記第１の基板上に、複数
    の走査信号電極と、それらにマトリクス状に交差する複
    数の映像信号電極と、これらの電極のそれぞれの交点に
    対応して形成された複数の薄膜トランジスタと形成し、 前記複数の走査信号電極および映像信号電極で囲まれる
    それぞれの領域で少なくとも１つの画素を構成し、 それぞれの画素には共通電極配線により複数の画素に渡
    って接続されて基準電位を与える共通電極と、対応する
    薄膜トランジスタに接続されて前記画素領域において前
    記共通電極に対向配置する画素電極とを形成し、 前記共通電極および前記画素電極を、前記カラ−フィル
    タ−層と前記液晶層との間に配置し、かつ、前記共通電
    極と前記画素電極は透明な絶縁物からなる層間分離膜を
    介して互いに異なった層に配置し、 前記液晶は、前記共通電極と前記画素電極との間に印加
    される電圧が印加されていないときは、第１の基板に対
    してほぼ垂直に配向している状態に形成し、 前記液晶にモノマーまたはオリゴマからなる有機材料を
    添加し、その液晶を前記第１の基板と前記第２の基板の
    間に注入した後に、前記有機材料を液晶中で高分子化す
    ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 第１の基板と透明な第２の基板とこれ
    らに挟まれた液晶層とカラ−フィルタ−層とを有する液
    晶表示装置の製造方法において、 前記カラ−フィルタ−層を前記第１の基板上に形成し、 前記液晶層を前記カラ−フィルタ−層と前記第２の基板
    との間に形成し、 前記カラ−フィルタ−層下の前記第１の基板上に、複数
    の走査信号電極と、それらにマトリクス状に交差する複
    数の映像信号電極と、これらの電極のそれぞれの交点に
    対応して形成された複数の薄膜トランジスタと形成し、 前記複数の走査信号電極および映像信号電極で囲まれる
    それぞれの領域で少なくとも１つの画素を構成し、それ
    ぞれの画素には共通電極配線により複数の画素に渡って
    接続されて基準電 位を与える共通電極と、対応する薄膜トランジスタに接
    続されて前記画素領域において前記共通電極に対向配置
    する画素電極とを形成し、 前記共通電極および前記画素電極を、前記カラ−フィル
    タ−層と前記液晶層との間に配置し、かつ、前記共通電
    極と前記画素電極は透明な絶縁物からなる層間分離膜を
    介して互いに異なった層に配置し、 前記液晶は、前記共通電極と前記画素電極との間に印加
    される電圧が印加されていないときは、第１の基板に対
    してほぼ垂直に配向している状態に形成し、 光学的に負の補償フィルムと光学的に正の補償フィルム
    を第１または第２の基板と偏光板との間に形成し、前記
    補償フィルムに電圧を印加した際に液晶が倒れる２方向
    に沿ってラビング方法でプレチルト角を形成することを
    特徴とする液晶表示装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 第１の基板と透明な第２の基板とこれ
    らに挟まれた液晶層とカラ−フィルタ−層とを有する液
    晶表示装置の製造方法において、 前記カラ−フィルタ−層を前記第１の基板上に形成し、 前記液晶層を前記カラ−フィルタ−層と前記第２の基板
    との間に形成し、 前記カラ−フィルタ−層下の前記第１の基板上に、複数
    の走査信号電極と、それらにマトリクス状に交差する複
    数の映像信号電極と、これらの電極のそれぞれの交点に
    対応して形成された複数の薄膜トランジスタと形成し、 前記複数の走査信号電極および映像信号電極で囲まれる
    それぞれの領域で少なくとも１つの画素を構成し、 それぞれの画素には共通電極配線により複数の画素に渡
    って接続されて基準電位を与える共通電極と、対応する
    薄膜トランジスタに接続されて前記画素領域において前
    記共通電極に対向配置する画素電極とを形成し、 前記共通電極および前記画素電極を、前記カラ−フィル
    タ−層と前記液晶層との間に配置し、かつ、前記共通電
    極と前記画素電極は透明な絶縁物からなる層間分離膜を
    介して互いに異なった層に配置し、 前記液晶は、前記共通電極と前記画素電極との間に印加
    される電圧が印加されていないときは、第１の基板に対
    してほぼ垂直に配向している状態に形成し、 光学的に負の補償フィルムと光学的に正の補償フィルム
    を第１または第２の基板と偏光板との間に形成し、前記
    補償フィルムに電圧を印加した際に液晶が倒れるどちら
    か一方の方向にラビング方法でプレチルト角を形成する
    ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 第１の基板と透明な第２の基板とこれ
    らに挟まれた液晶層とカラ−フィルタ−層とを有する液
    晶表示装置の製造方法において、 前記カラ−フィルタ−層を前記第１の基板上に形成し、 前記液晶層を前記カラ−フィルタ−層と前記第２の基板
    との間に形成し、 前記カラ−フィルタ−層下の前記第１の基板上に、複数
    の走査信号電極と、それらにマトリクス状に交差する複
    数の映像信号電極と、これらの電極のそれぞれの交点に
    対応して形成された複数の薄膜トランジスタと形成し、 前記複数の走査信号電極および映像信号電極で囲まれる
    それぞれの領域で少なくとも１つの画素を構成し、 それぞれの画素には共通電極配線により複数の画素に渡
    って接続されて基準電位を与える共通電極と、対応する
    薄膜トランジスタに接続されて前記画素領域において前
    記共通電極に対向配置する画素電極とを形成し、 前記共通電極および前記画素電極を、前記カラ−フィル
    タ−層と前記液晶層との間に配置し、かつ、前記共通電
    極と前記画素電極は透明な絶縁物からなる層間分離膜を
    介して互いに異なった層に配置し、 前記液晶は、前記共通電極と前記画素電極との間に印加
    される電圧が印加されていないときは、第１の基板に対
    してほぼ垂直に配向している状態に形成し、 光学的に負の補償フィルムと光学的に正の補償フィルム
    を第１または第２の基板と偏光板との間に形成し、前記
    補償フィルムに電圧を印加した際に液晶が倒れる２方向
    に沿って光照射によりプレチルト角を形成することを特
    徴とする液晶表示装置の製造方法。
19. 【請求項１９】 第１の基板と透明な第２の基板とこれ
    らに挟まれた液晶層とカラ−フィルタ−層とを有する液
    晶表示装置の製造方法において、 前記カラ−フィルタ−層を前記第１の基板上に形成し、 前記液晶層を前記カラ−フィルタ−層と前記第２の基板
    との間に形成し、 前記カラ−フィルタ−層下の前記第１の基板上に、複数
    の走査信号電極と、それらにマトリクス状に交差する複
    数の映像信号電極と、これらの電極のそれぞれの交点に
    対応して形成された複数の薄膜トランジスタと形成し、 前記複数の走査信号電極および映像信号電極で囲まれる
    それぞれの領域で少なくとも１つの画素を構成し、 それぞれの画素には共通電極配線により複数の画素に渡
    って接続されて基準電位を与える共通電極と、対応する
    薄膜トランジスタに接続されて前記画素領域において前
    記共通電極に対向配置する画素電極とを形成し、 前記共通電極および前記画素電極を、前記カラ−フィル
    タ−層と前記液晶層との間に配置し、かつ、前記共通電
    極と前記画素電極は透明な絶縁物からなる層間分離膜を
    介して互いに異なった層に配置し、 前記液晶は、前記共通電極と前記画素電極との間に印加
    される電圧が印加されていないときは、第１の基板に対
    してほぼ垂直に配向している状態に形成し、 光学的に負の補償フィルムと光学的に正の補償フィルム
    を第１または第２の基板と偏光板との間に形成し、前記
    補償フィルムに電圧を印加した際に液晶が倒れるどちら
    か一方の方向に光照射によりプレチルト角を形成するこ
    とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
20. 【請求項２０】 請求項１８または１９記載の液晶表示
    装置の製造方法において、前記プレチルト角の形成にお
    ける光照射は、前記補償フィルム面に対して斜め から行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
21. 【請求項２１】 請求項２０記載の液晶表示装置の製造
    方法において、 前記プレチルト角の形成における光照射は、偏光を前記
    補償フィルム面に対して斜めから照射することを特徴と
    する液晶表示装置の製造方法。
22. 【請求項２２】 透明基板上に薄膜トランジスタを形成
    する工程と、 その薄膜トランジスタを保護するパッシベーション膜を
    形成する工程と、 複数の感光性カラーレジストを順次に塗布、露光、現
    像、焼成してカラーフィルターを形成する工程と、 共通電極を形成する工程と、 透明性の絶縁膜からなる層間分離膜を形成する工程と、 画素電極を形成する工程とを含むことを特徴とする液晶
    表示装置の製造方法。
23. 【請求項２３】 透明基板上に薄膜トランジスタを形成
    する工程と、 その薄膜トランジスタを保護するパッシベーション膜を
    形成する工程と、 複数の感光性カラーレジストを順次に塗布、露光、現
    像、焼成してカラーフィルターを形成する工程と、 そのカラーフィルターを保護するオーバーコート膜を形
    成する工程と、 共通電極を形成する工程と、 透明性の絶縁膜からなる層間分離膜を形成する工程と、 画素電極を形成する工程とを含むことを特徴とする液晶
    表示装置の製造方法。