JP3109840B2 - 面状態検査装置 - Google Patents
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/10—Scanning systems
- G02B26/12—Scanning systems using multifaceted mirrors
- G02B26/123—Multibeam scanners, e.g. using multiple light sources or beam splitters
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- G—PHYSICS
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- G01N2201/06—Illumination; Optics
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- G01N2201/0636—Reflectors
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は面状態検査装置に関し、
特に半導体製造装置で使用されるとレチクルやフォトマ
スク等（以下レチクルで総称）の基板上に存在するパタ
ーン欠陥やゴミ等の異物を検出する際に好適な面状態検
査装置に関するものである。
特に半導体製造装置で使用されるとレチクルやフォトマ
スク等（以下レチクルで総称）の基板上に存在するパタ
ーン欠陥やゴミ等の異物を検出する際に好適な面状態検
査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にＩＣ製造工程においてはレチクル
の基板上に形成されている露光用の回路パターンを半導
体焼付け装置（ステッパー又はマスクアイライナー）に
よりレジストが塗布されたウエハ面上に転写して製造し
ている。
の基板上に形成されている露光用の回路パターンを半導
体焼付け装置（ステッパー又はマスクアイライナー）に
よりレジストが塗布されたウエハ面上に転写して製造し
ている。
【０００３】この際、基板面上にゴミ等の異物が存在す
ると転写する際、異物も同時に転写されてしまいＩＣ製
造の歩留りを低下させる原因となってくる。
ると転写する際、異物も同時に転写されてしまいＩＣ製
造の歩留りを低下させる原因となってくる。
【０００４】特にレチクルを使用し、ステップアンドリ
ピート方法により繰り返してウエハ面上に回路パターン
を焼付ける場合、レチクル面上の１個の異物がウエハ全
面に焼付けられてしまいＩＣ製造の歩留りを大きく低下
させる原因となってくる。
ピート方法により繰り返してウエハ面上に回路パターン
を焼付ける場合、レチクル面上の１個の異物がウエハ全
面に焼付けられてしまいＩＣ製造の歩留りを大きく低下
させる原因となってくる。
【０００５】その為、ＩＣ製造過程においては基板上の
異物の存在を検出するのが不可欠となっており、その為
に種々の検査装置が提案されている。図１はその一例で
ある。この様な装置は本出願人による特開昭６２−２１
６９３１号公報等に詳述される。この例は従来例の中で
も検査時間を短縮する為の配慮がなされている点が特徴
である。即ち、ｆ−θレンズ２を通過した入射ビーム３
はハーフミラー４で上下に２分割され、各々設けられた
折り曲げミラー５，１０で基板（レチクル）１上の点
Ｐ，Ｑに集光される。レチクルは回路パターンをパター
ニングされた面が通常下側（１ｂ）で、そうでないガラ
スブランクスのままの面が上側（１ａ）である。回路欠
陥の検査の場合はパターン面だけでいいが、ゴミ等異物
の検査になるとパターン面とブランク面の両面にビーム
を入射させる必要がある場合もある。ｆ−θレンズの前
には不図示の回転素子（ポリゴンミラー）があって、こ
れの回転により紙面と直交方向にビームを走査する。こ
れに伴って上下のビームはレチクル面上を紙面と直交方
向に走査される。又、レチクル全面を検査する為に図
中、紙面内でＳ1←Ｓ2の方向にレチクルを移動させる。
これによりレチクル面上にラスタースキャンが行われ
る。レチクル上の入射点Ｐから発した散乱光は受光レン
ズ６ａの作用で視野絞り７ａ上に結像される。視野絞り
７ａは必要な信号光だけを後続するファイバー８ａ、フ
オトマル９ａに導く為のもので、それ以外の余分なフレ
アー光を遮断する働きをもっている。
異物の存在を検出するのが不可欠となっており、その為
に種々の検査装置が提案されている。図１はその一例で
ある。この様な装置は本出願人による特開昭６２−２１
６９３１号公報等に詳述される。この例は従来例の中で
も検査時間を短縮する為の配慮がなされている点が特徴
である。即ち、ｆ−θレンズ２を通過した入射ビーム３
はハーフミラー４で上下に２分割され、各々設けられた
折り曲げミラー５，１０で基板（レチクル）１上の点
Ｐ，Ｑに集光される。レチクルは回路パターンをパター
ニングされた面が通常下側（１ｂ）で、そうでないガラ
スブランクスのままの面が上側（１ａ）である。回路欠
陥の検査の場合はパターン面だけでいいが、ゴミ等異物
の検査になるとパターン面とブランク面の両面にビーム
を入射させる必要がある場合もある。ｆ−θレンズの前
には不図示の回転素子（ポリゴンミラー）があって、こ
れの回転により紙面と直交方向にビームを走査する。こ
れに伴って上下のビームはレチクル面上を紙面と直交方
向に走査される。又、レチクル全面を検査する為に図
中、紙面内でＳ1←Ｓ2の方向にレチクルを移動させる。
これによりレチクル面上にラスタースキャンが行われ
る。レチクル上の入射点Ｐから発した散乱光は受光レン
ズ６ａの作用で視野絞り７ａ上に結像される。視野絞り
７ａは必要な信号光だけを後続するファイバー８ａ、フ
オトマル９ａに導く為のもので、それ以外の余分なフレ
アー光を遮断する働きをもっている。
【０００６】入射点Ｑから発した散乱光の受光系３１も
以上の構成と同じである。
以上の構成と同じである。
【０００７】即ち受光レンズ６ｂ、視野絞り７ｂ、ファ
イバー８ｂ、フォトマル９ｂが同様の機能を達成する。
イバー８ｂ、フォトマル９ｂが同様の機能を達成する。
【０００８】
【発明が解決しようとしている課題】半導体チップの微
細化が進み、これを製造する為のレチクルにもより精密
性が求められてきている。この為このレチクルを検査す
る為の面状態検査装置にも従来よりも高精度な検査性能
が求められる。従って従来よりもノイズ、エラーの原因
となる事項についてより厳密にこれを防止する必要が生
じてきた。
細化が進み、これを製造する為のレチクルにもより精密
性が求められてきている。この為このレチクルを検査す
る為の面状態検査装置にも従来よりも高精度な検査性能
が求められる。従って従来よりもノイズ、エラーの原因
となる事項についてより厳密にこれを防止する必要が生
じてきた。
【０００９】本発明は前述従来例の応用発明であり、こ
の様な現状に鑑み、ノイズ、エラーの原因として、特に
基板端面に光が入射した時の散乱が生じるフレアー光を
考慮し、このフレアー光の影響を防止して高精度な面状
態の検出ができる面状態検査装置の提供を目的とする。
の様な現状に鑑み、ノイズ、エラーの原因として、特に
基板端面に光が入射した時の散乱が生じるフレアー光を
考慮し、このフレアー光の影響を防止して高精度な面状
態の検出ができる面状態検査装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は被検体の第一の
被検領域と第二の被検領域を各々順次光走査して面状態
を検査する装置で、第一の被検領域内の順次の光走査と
第二の被検領域内の順次の光走査が交互に行われる様に
第一の被検領域内を光走査するビームと第二の被検領域
内を光走査するビームの光走査方向の隔たりを前記被検
体の該光走査方向の幅よりも長くしたことによって前述
目的を達成する。
被検領域と第二の被検領域を各々順次光走査して面状態
を検査する装置で、第一の被検領域内の順次の光走査と
第二の被検領域内の順次の光走査が交互に行われる様に
第一の被検領域内を光走査するビームと第二の被検領域
内を光走査するビームの光走査方向の隔たりを前記被検
体の該光走査方向の幅よりも長くしたことによって前述
目的を達成する。
【００１１】又、本発明は第一の領域と第二の領域とを
有する部材を用いてパターンの転写を行なう為の装置
で、前記部材の少なくとも第一の領域と第二の領域を露
光することによりパターンの転写を実行する露光装置
と、該部材の第一の被検領域と第二の被検領域を各々順
次光走査して面状態を検査する手段とを有し、第一の被
検領域内の順次の光走査と第二の被検領域内の順次の光
走査が交互に行われる様に第一の被検領域内を光走査す
るビームと第二の被検領域内を光走査するビームの光走
査方向の隔たりを前記部材の該光走査方向の幅よりも長
くしたことによって、前述目的を達成した検査装置を搭
載したパターン転写装置を実現している。
有する部材を用いてパターンの転写を行なう為の装置
で、前記部材の少なくとも第一の領域と第二の領域を露
光することによりパターンの転写を実行する露光装置
と、該部材の第一の被検領域と第二の被検領域を各々順
次光走査して面状態を検査する手段とを有し、第一の被
検領域内の順次の光走査と第二の被検領域内の順次の光
走査が交互に行われる様に第一の被検領域内を光走査す
るビームと第二の被検領域内を光走査するビームの光走
査方向の隔たりを前記部材の該光走査方向の幅よりも長
くしたことによって、前述目的を達成した検査装置を搭
載したパターン転写装置を実現している。
【００１２】
【実施例】図２は本発明の第１実施例を示す上面図であ
る。
る。
【００１３】図３は同側面図である。
【００１４】両図をもとに本実施例の構成を説明する。
【００１５】レーザー光源１００から発したビームはビ
ームエキスパンダ１０１で所定の光束径に広げられて、
プリスム１０２に入射する。プリズム１０２はハーフミ
ラー面を持っていて、その一部の光束をそのまま透過さ
せてシリンドリカルレンズ１０３に導く一方、残りの光
束を反射させてミラー１０４を介して、同じくシリンド
リカルレンズ１０３′に導く。実際には図３で示される
様に一旦図２の紙面と直交方向に光束をおとしている。
ームエキスパンダ１０１で所定の光束径に広げられて、
プリスム１０２に入射する。プリズム１０２はハーフミ
ラー面を持っていて、その一部の光束をそのまま透過さ
せてシリンドリカルレンズ１０３に導く一方、残りの光
束を反射させてミラー１０４を介して、同じくシリンド
リカルレンズ１０３′に導く。実際には図３で示される
様に一旦図２の紙面と直交方向に光束をおとしている。
【００１６】シリンドリカルレンズ１０３と１０３′の
光軸はα（単位：ｄｅｇ）の角度をなしていてポリンゴ
ミラー１０５に入射する。ポリンゴミラー１０５の回転
に伴って、上記２つの光束は角度αを保ったまま、トー
リックレンズ１０６、ｆ−θレンズ１０７、ミラー１０
９と１１０、又は１１１を経て、レチクル１０８の上
面、下面に各々集光し、図３の紙面に垂直方向、図２の
上下方向に走査される。
光軸はα（単位：ｄｅｇ）の角度をなしていてポリンゴ
ミラー１０５に入射する。ポリンゴミラー１０５の回転
に伴って、上記２つの光束は角度αを保ったまま、トー
リックレンズ１０６、ｆ−θレンズ１０７、ミラー１０
９と１１０、又は１１１を経て、レチクル１０８の上
面、下面に各々集光し、図３の紙面に垂直方向、図２の
上下方向に走査される。
【００１７】レチクルの上下面に光束を導くミラー１０
９〜１１１は図２では略してある。この様にこの光学系
は、被検査レチクルの上下面に同時にビームを走査させ
るもので、同時にこれと直交方向（Ｓ1Ｓ2方向）にレチ
クルを不図示のステージを用いて走査させる事によりレ
チクル表面全面をラスタースキャンして表面状態を検査
する。この光学系はポリゴンミラーの面ぶれの影響を回
避する為に倒れ補正系を導入している。プリズム１０２
はその内部のハーフミラーで反射された光束をビームの
走査断面と直交する方向（図３の紙面内）にて偏心させ
て射出する。そして、ミラー１０４、レンズ１０３′を
介して、透過光束と互いにβ（ｄｅｇ）の角度をなして
ポリゴンミラー１０５に入射する。１０５で反射された
２つの光束はβの角度をなして走査レンズ（トーリック
レンズ１０６とｆ−θレンズ１０７）に入射していく。
この走査レンズの合成焦点距離をｆとすると、２つの光
束はｆ−θレンズ１０７を射出する際レンズ１０７がｆ
−θレンズの時
９〜１１１は図２では略してある。この様にこの光学系
は、被検査レチクルの上下面に同時にビームを走査させ
るもので、同時にこれと直交方向（Ｓ1Ｓ2方向）にレチ
クルを不図示のステージを用いて走査させる事によりレ
チクル表面全面をラスタースキャンして表面状態を検査
する。この光学系はポリゴンミラーの面ぶれの影響を回
避する為に倒れ補正系を導入している。プリズム１０２
はその内部のハーフミラーで反射された光束をビームの
走査断面と直交する方向（図３の紙面内）にて偏心させ
て射出する。そして、ミラー１０４、レンズ１０３′を
介して、透過光束と互いにβ（ｄｅｇ）の角度をなして
ポリゴンミラー１０５に入射する。１０５で反射された
２つの光束はβの角度をなして走査レンズ（トーリック
レンズ１０６とｆ−θレンズ１０７）に入射していく。
この走査レンズの合成焦点距離をｆとすると、２つの光
束はｆ−θレンズ１０７を射出する際レンズ１０７がｆ
−θレンズの時
【００１８】
【外１】 又はレンズ１０７が一般レンズの時 （数２） ｆ×ｔａｎβ＝Ｈ で決定される偏心量Ｈの隔りをもって進む。
【００１９】上ビームＢｕはミラー１０９，１１０を経
てレチクル上面のＱ点に集光され、下ビームＢｌはミラ
ー１１１を経てレチクル下面のＰ点に集光される。
てレチクル上面のＱ点に集光され、下ビームＢｌはミラ
ー１１１を経てレチクル下面のＰ点に集光される。
【００２０】上記構成をとっている為に上下ビームＢｕ
とＢｌは、図２、図３の両断面内において完全に分離さ
れていて、一方のビームがレチクルエッヂで発生させた
散乱光が他方の検出系に直接跳び込むという事はない。
とＢｌは、図２、図３の両断面内において完全に分離さ
れていて、一方のビームがレチクルエッヂで発生させた
散乱光が他方の検出系に直接跳び込むという事はない。
【００２１】検査域内、例えばレチクル上面に異物があ
る場合には、走査光が該異物に入射した時のその散乱光
は図３でレチクル１０８の上側に示した受光光学系内の
レンズ１１２で集光され、視野絞り１１３の開口部に再
結像される。しかる後、ファイバー１１４でフォトマル
１１５に導かれる。これらが受光光学系をなす。フオト
マル１１５の出力はそれ以降の電気処理系で処理を受け
て、異物有りの表示信号を発する。受光光学系はレチク
ルの上下ビームに関して各々設けられている。従ってレ
チクル下面に異物がある時も同様である。レンズはシリ
ンドリカルレンズ、球面レンズ、バーレンズ群、セルフ
ォックレンズアレーｅｔｃがある。この受光光学系は１
回の走査域全域から散乱光を受光できる様にされてい
る。ポリゴンミラー１０５の回転角と不図示のステージ
の位置は不図示の検出器で常時検出され、これにより各
走査光束の各被検面上での走査位置はモニタされ、この
情報とフォトマル１１５の出力から各面毎の異物の付着
位置等の表面状態が信号処理装置１０００で検出される
ことになる。図２では受光光学系等を略称してある。レ
チクル下面の様にパターンのある被検面から異物からの
散乱光のみ検出する為に特開昭６２−１８８９４５号等
に示した様な構成にしてもよい。
る場合には、走査光が該異物に入射した時のその散乱光
は図３でレチクル１０８の上側に示した受光光学系内の
レンズ１１２で集光され、視野絞り１１３の開口部に再
結像される。しかる後、ファイバー１１４でフォトマル
１１５に導かれる。これらが受光光学系をなす。フオト
マル１１５の出力はそれ以降の電気処理系で処理を受け
て、異物有りの表示信号を発する。受光光学系はレチク
ルの上下ビームに関して各々設けられている。従ってレ
チクル下面に異物がある時も同様である。レンズはシリ
ンドリカルレンズ、球面レンズ、バーレンズ群、セルフ
ォックレンズアレーｅｔｃがある。この受光光学系は１
回の走査域全域から散乱光を受光できる様にされてい
る。ポリゴンミラー１０５の回転角と不図示のステージ
の位置は不図示の検出器で常時検出され、これにより各
走査光束の各被検面上での走査位置はモニタされ、この
情報とフォトマル１１５の出力から各面毎の異物の付着
位置等の表面状態が信号処理装置１０００で検出される
ことになる。図２では受光光学系等を略称してある。レ
チクル下面の様にパターンのある被検面から異物からの
散乱光のみ検出する為に特開昭６２−１８８９４５号等
に示した様な構成にしてもよい。
【００２２】いま、ポリゴンミラーの回転を止めて、レ
チクル１０８の下面に集光するビームＢｌの集光点を
Ｐ、レチクルの上面に集光するビームＢｕの集光点をＱ
とすると、ＰＱのビームスキャン方向（図２の上下方
向）への隔たりＪは、ビームスキャン方向のレチクルの
辺の長さＬよりも長くとってある。こうする事により、
各ビームの被検面走査が交互に行なわれるので、レチク
ルステージがＳ1・Ｓ2方向に移動し図２の様に下ビーム
Ｂｌがレチクル１０８の左エッヂを走査する位置にさし
かかった時にでも上ビームＢｕがレチクル上面を検査中
は図２の様に下ビームＢｌが時間的にレチクルエッヂを
走査していない。従って上面側の受光光学系にフレアー
が発生する事がない。
チクル１０８の下面に集光するビームＢｌの集光点を
Ｐ、レチクルの上面に集光するビームＢｕの集光点をＱ
とすると、ＰＱのビームスキャン方向（図２の上下方
向）への隔たりＪは、ビームスキャン方向のレチクルの
辺の長さＬよりも長くとってある。こうする事により、
各ビームの被検面走査が交互に行なわれるので、レチク
ルステージがＳ1・Ｓ2方向に移動し図２の様に下ビーム
Ｂｌがレチクル１０８の左エッヂを走査する位置にさし
かかった時にでも上ビームＢｕがレチクル上面を検査中
は図２の様に下ビームＢｌが時間的にレチクルエッヂを
走査していない。従って上面側の受光光学系にフレアー
が発生する事がない。
【００２３】以上を比較例を示す図４で説明する。図４
は図１に示した装置において、レチクル１が図中右から
左へ移動していく途中、上ビームがレチクルの左エッヂ
に差しかかった時を示している。この時下ビームはすで
にレチクルの中央付近にあってこの検出系３１はレチク
ル下面からの信号光を取り込んでいる最中である。
は図１に示した装置において、レチクル１が図中右から
左へ移動していく途中、上ビームがレチクルの左エッヂ
に差しかかった時を示している。この時下ビームはすで
にレチクルの中央付近にあってこの検出系３１はレチク
ル下面からの信号光を取り込んでいる最中である。
【００２４】レチクル等の基板はその端面が粗面になっ
ている為、ここにレーザービームを照射すると強い散乱
光をほぼ全方位に飛び散らせる。この時レチクル上面の
受光系３０にももちろんこのエッヂ散乱光は飛び込む
が、この時点では上面のビームはまだ検査域になく、処
理系に電気的に信号として取り込まないので問題ない。
ところが、このエッヂ散乱光は同様にしてレチクル下面
の受光系３１にも飛び込む。その飛び込み方は次の様で
ある。
ている為、ここにレーザービームを照射すると強い散乱
光をほぼ全方位に飛び散らせる。この時レチクル上面の
受光系３０にももちろんこのエッヂ散乱光は飛び込む
が、この時点では上面のビームはまだ検査域になく、処
理系に電気的に信号として取り込まないので問題ない。
ところが、このエッヂ散乱光は同様にしてレチクル下面
の受光系３１にも飛び込む。その飛び込み方は次の様で
ある。
【００２５】受光光学系３１（３０も同様）は視野絞り
７ｂをもっているので基本的にはレチクル上の発光点Ｑ
からの散乱光（信号光）しかフォトマルに導かれないは
ずである。しかしながら、エッヂ散乱光の様に元来強大
な散乱光の場合、これが受光光学系３１の鏡筒３１（あ
るいはレンズのコバ等）にあたると、このあたった点
（Ｒ）が二次光源となって新たな散乱光（フレアー）を
受光光学系内部で発生する。この散乱光（図中点線）が
視野絞り７ｂを通過し、ファイバー８ｂをへてフォトマ
ル９ｂに到達し、光電検知される。
７ｂをもっているので基本的にはレチクル上の発光点Ｑ
からの散乱光（信号光）しかフォトマルに導かれないは
ずである。しかしながら、エッヂ散乱光の様に元来強大
な散乱光の場合、これが受光光学系３１の鏡筒３１（あ
るいはレンズのコバ等）にあたると、このあたった点
（Ｒ）が二次光源となって新たな散乱光（フレアー）を
受光光学系内部で発生する。この散乱光（図中点線）が
視野絞り７ｂを通過し、ファイバー８ｂをへてフォトマ
ル９ｂに到達し、光電検知される。
【００２６】ゴミ等の異物の場合、レチクル面上で検知
されるべき大きさは１μｍないし５μｍといったもので
あるが、このような微細粒子が発生する散乱光に比べる
と、上述したレチクルエッヂからの散乱光は二次散乱光
でも同等あるいはそれ以上である場合があり得る。した
がって実際の検査点であるＱ点に異物や欠陥がなくて
も、あたかもそれらが存在するかの様に誤検知してしま
いレチクル下面の検査はその信頼性を悪くする可能性が
ある。
されるべき大きさは１μｍないし５μｍといったもので
あるが、このような微細粒子が発生する散乱光に比べる
と、上述したレチクルエッヂからの散乱光は二次散乱光
でも同等あるいはそれ以上である場合があり得る。した
がって実際の検査点であるＱ点に異物や欠陥がなくて
も、あたかもそれらが存在するかの様に誤検知してしま
いレチクル下面の検査はその信頼性を悪くする可能性が
ある。
【００２７】本実施例においては、前述の様な形態にし
ており、即ちいずれか一方のビーム（図２、図３では光
束Ｂｕ）によって対応する被検面（図２、図３ではレチ
クル上面）を走査中、即ち検査期間中にエッヂ部を走査
する位置に来た他方のビーム（図２、図３では光束Ｂ
ｌ）が、必ずレチクル上にない様にしており、前述のフ
レアーは発生しない。次にポリゴンミラー１０５の回転
によって他方のビーム（図２、図３では光束Ｂｌ）がレ
チクル上に来てエッヂ部を走査し、比較例で説明した様
に一方のビームが走査する被検面を検査する為の受光光
学系（図３では上側受光光学系）でフレアーが発生して
も、この時一方のビーム（図２、図３では光束Ｂｕ）は
被検面（レチクル上面）上にはない（即ち検査中ではな
い）。この状態でフォトマル１１５から出力が信号処理
装置１０００へ送られても、明確に信号と区別できる。
各被検面上での走査光束位置（即ち各面上に各走査光束
が存在するか否か）はモニタされているので、信号処理
装置１０００に各光束が各被検面上にある時のみ対応す
る各フォトマル１１５からの出力を取り込む様にさせて
もよい。
ており、即ちいずれか一方のビーム（図２、図３では光
束Ｂｕ）によって対応する被検面（図２、図３ではレチ
クル上面）を走査中、即ち検査期間中にエッヂ部を走査
する位置に来た他方のビーム（図２、図３では光束Ｂ
ｌ）が、必ずレチクル上にない様にしており、前述のフ
レアーは発生しない。次にポリゴンミラー１０５の回転
によって他方のビーム（図２、図３では光束Ｂｌ）がレ
チクル上に来てエッヂ部を走査し、比較例で説明した様
に一方のビームが走査する被検面を検査する為の受光光
学系（図３では上側受光光学系）でフレアーが発生して
も、この時一方のビーム（図２、図３では光束Ｂｕ）は
被検面（レチクル上面）上にはない（即ち検査中ではな
い）。この状態でフォトマル１１５から出力が信号処理
装置１０００へ送られても、明確に信号と区別できる。
各被検面上での走査光束位置（即ち各面上に各走査光束
が存在するか否か）はモニタされているので、信号処理
装置１０００に各光束が各被検面上にある時のみ対応す
る各フォトマル１１５からの出力を取り込む様にさせて
もよい。
【００２８】逆に一方のビーム（図２、図３では光束Ｂ
ｕ）がエッヂ走査する位置に来た場合も、上述と同様に
なる。
ｕ）がエッヂ走査する位置に来た場合も、上述と同様に
なる。
【００２９】この様に２本のビームが交互に被検面走査
を行なうのでフレアーによる誤検知を防止する事ができ
る。
を行なうのでフレアーによる誤検知を防止する事ができ
る。
【００３０】ちなみに、ビーム走査系（トーリックレン
ズ１０６＋ｆ−θレンズ１０７）の合成焦点距離をｆと
すると、図２でαとＪ，Ｌの間には次の関係が成立して
いる。
ズ１０６＋ｆ−θレンズ１０７）の合成焦点距離をｆと
すると、図２でαとＪ，Ｌの間には次の関係が成立して
いる。
【００３１】
【外２】 一般にレンズ１０７は電気的な補正を行なう等すれば必
ずしもｆ−θ特性をもつ必要はなく、そのディストーシ
ョン補正方式により異なるが、通常の補正のレンズとそ
の時には（数１）式は （数４） ｆ×ｔａｎα°＝Ｊ＞Ｌ となる。
ずしもｆ−θ特性をもつ必要はなく、そのディストーシ
ョン補正方式により異なるが、通常の補正のレンズとそ
の時には（数１）式は （数４） ｆ×ｔａｎα°＝Ｊ＞Ｌ となる。
【００３２】尚、以上の説明において、ビーム走査用光
学系としては、ポリゴンミラーを用い倒れ補正系を採用
した光学配置を示したが、本発明はこれに限らない。例
えば振動ミラーを用いて、倒れ補正を施さない光学配置
にも適用できる。更に、上記実施例では図３の様に上下
ビームを走査レンズ光軸に対してほぼ対称に偏心させた
が、これ以外にも、例えば、下ビームＢｌは、走査レン
ズ光軸上を通し、上ビームＢｕだけを偏心させる方法も
とりうる。一般に光学系は軸上で設計した方が収差は補
正しやすく、その結果、レチクル上でビームを絞りやす
い。これに対して、回路パターンは通常レチクルの下面
にセットされて検査され、この面の方が、ガラス面（上
面）より高い異物検出能力が必要とされている。したが
って、下ビームを走査レンズ軸上を通してやれば、より
細かなビームで走査、検査でき、レチクルの下面側のよ
り精密な検査ができるというメリットがある。
学系としては、ポリゴンミラーを用い倒れ補正系を採用
した光学配置を示したが、本発明はこれに限らない。例
えば振動ミラーを用いて、倒れ補正を施さない光学配置
にも適用できる。更に、上記実施例では図３の様に上下
ビームを走査レンズ光軸に対してほぼ対称に偏心させた
が、これ以外にも、例えば、下ビームＢｌは、走査レン
ズ光軸上を通し、上ビームＢｕだけを偏心させる方法も
とりうる。一般に光学系は軸上で設計した方が収差は補
正しやすく、その結果、レチクル上でビームを絞りやす
い。これに対して、回路パターンは通常レチクルの下面
にセットされて検査され、この面の方が、ガラス面（上
面）より高い異物検出能力が必要とされている。したが
って、下ビームを走査レンズ軸上を通してやれば、より
細かなビームで走査、検査でき、レチクルの下面側のよ
り精密な検査ができるというメリットがある。
【００３３】又、今迄述べてきた検査対象物としては、
主としてパターニング有／無のガラス基板であったが、
例えば特開昭６２−２１６９３１号に示す様にこれに防
塵用ペリクル膜を貼り付けたレチクルを検査する光学系
にも当然ながら、本発明は適用できる。
主としてパターニング有／無のガラス基板であったが、
例えば特開昭６２−２１６９３１号に示す様にこれに防
塵用ペリクル膜を貼り付けたレチクルを検査する光学系
にも当然ながら、本発明は適用できる。
【００３４】又、特開昭６２−１８８９４３号の開示に
あるように、レチクル水平面内で光学系に対して捩って
回路パターンによるノイズを低減しようという検査法も
あるが、これに対しても本発明は適用できる。
あるように、レチクル水平面内で光学系に対して捩って
回路パターンによるノイズを低減しようという検査法も
あるが、これに対しても本発明は適用できる。
【００３５】図５は第２の実施例を示す側面図である。
以下の実施例では前述と同様の部材には同じ符番を冠
し、説明を略称する。受光光学系、信号処理装置も省略
する。
以下の実施例では前述と同様の部材には同じ符番を冠
し、説明を略称する。受光光学系、信号処理装置も省略
する。
【００３６】第１の実施例では図２、図３に示す様に２
光束の角度差（ビーム走査面内でα、これと直交面内
β）をつける為にプリズム１０２やミラー１０４、シリ
ンドリカルレンズ１０３′を設けた。これに対し、本実
施例では、２つのポリゴンミラーを回転方向にずらして
貼り合わせ一体化する事によってそれ以前の光学系（プ
リズム１２０、シリンドリカルレンズ１２１）をコンパ
クトにした点が特長である。図６がこのポリゴンミラー
である。
光束の角度差（ビーム走査面内でα、これと直交面内
β）をつける為にプリズム１０２やミラー１０４、シリ
ンドリカルレンズ１０３′を設けた。これに対し、本実
施例では、２つのポリゴンミラーを回転方向にずらして
貼り合わせ一体化する事によってそれ以前の光学系（プ
リズム１２０、シリンドリカルレンズ１２１）をコンパ
クトにした点が特長である。図６がこのポリゴンミラー
である。
【００３７】図６の上側は回転面内の図即ち上面図であ
るが、同一形状の４面体ポリゴンを角度α／２だけ回し
て貼り合わせてある。これに上ビームＢｕと下ビームＢ
ｌとが同一方向から入射してくると上側のポリゴン（１
２２Ａ）にあたった光束Ｂｕは入射方向に反射して戻る
のに対し、下側のポリゴン（１２２Ｂ）にあたった光束
Ｂｌは角度αの方向に反射していく。このαという値は
先の図２で説明したように数３又は数４をみたす大きさ
であればいい。
るが、同一形状の４面体ポリゴンを角度α／２だけ回し
て貼り合わせてある。これに上ビームＢｕと下ビームＢ
ｌとが同一方向から入射してくると上側のポリゴン（１
２２Ａ）にあたった光束Ｂｕは入射方向に反射して戻る
のに対し、下側のポリゴン（１２２Ｂ）にあたった光束
Ｂｌは角度αの方向に反射していく。このαという値は
先の図２で説明したように数３又は数４をみたす大きさ
であればいい。
【００３８】図６の下側はこれと直交面内の図即ち側面
図である。ここで下側のポリゴン１２２Ｂはその反射面
を回転軸に対してδ（ｄｅｇ）だけ傾けてある。この例
では上側のポリゴン１２２Ａにつていは特に傾ける必要
はない。このような面倒れを意図的に支える事によっ
て、図２に説明したような上下ビームの偏心量Ｈを自由
に選択できる。いま、ポリゴンへの２つの入射ビーム主
光線間の角度をγ（ｄｅｇ）とすると、 （数５） γ＋２δ＝β が成立する。
図である。ここで下側のポリゴン１２２Ｂはその反射面
を回転軸に対してδ（ｄｅｇ）だけ傾けてある。この例
では上側のポリゴン１２２Ａにつていは特に傾ける必要
はない。このような面倒れを意図的に支える事によっ
て、図２に説明したような上下ビームの偏心量Ｈを自由
に選択できる。いま、ポリゴンへの２つの入射ビーム主
光線間の角度をγ（ｄｅｇ）とすると、 （数５） γ＋２δ＝β が成立する。
【００３９】図５に戻ってプリズム１２０、シリンドリ
カルレンズ１２１の作用をみると次の様になる。プリズ
ム１２０はその内部にハーフミラーを持っていて、その
透過ビームに対して反射ビームを偏心させて平行射出す
る。シリンドリカルレンズ１２１はこの２ビームを光軸
に対して対称に通過させ、ポリゴンミラー面上にこの紙
面内で集光させる作用をもつ。
カルレンズ１２１の作用をみると次の様になる。プリズ
ム１２０はその内部にハーフミラーを持っていて、その
透過ビームに対して反射ビームを偏心させて平行射出す
る。シリンドリカルレンズ１２１はこの２ビームを光軸
に対して対称に通過させ、ポリゴンミラー面上にこの紙
面内で集光させる作用をもつ。
【００４０】本実施例の配置をとる事により、ビーム間
の角度設定がミラー等の光軸調整に頼る事なく、部品の
製作自体で決定できるので、精度ｕｐが計れる。
の角度設定がミラー等の光軸調整に頼る事なく、部品の
製作自体で決定できるので、精度ｕｐが計れる。
【００４１】図７は第３の実施例を示す部分側面図であ
る。その他の部分は第１実施例と同様であり説明を省略
する。第２の実施例では２ビームの偏心を発生さす為に
ポリゴンミラーの面倒れを意図的におこしたが、本実施
例では、この代わりにプリズム１３０を導入している。
これは図５のプリズム１２０のビーム射出部に棒状のガ
ラス部材を貼り付けた構成のものであり、ビームを傾け
る作用をもつ。これによりポリゴンミラーに面倒れをお
こさせた場合と同様に偏心が発生する。図８は第４の実
施例を示す側面図である。
る。その他の部分は第１実施例と同様であり説明を省略
する。第２の実施例では２ビームの偏心を発生さす為に
ポリゴンミラーの面倒れを意図的におこしたが、本実施
例では、この代わりにプリズム１３０を導入している。
これは図５のプリズム１２０のビーム射出部に棒状のガ
ラス部材を貼り付けた構成のものであり、ビームを傾け
る作用をもつ。これによりポリゴンミラーに面倒れをお
こさせた場合と同様に偏心が発生する。図８は第４の実
施例を示す側面図である。
【００４２】本実施例の特長とする所は、第１にビーム
エキスパンダー１０１とシリンドリカルレンズ１２１と
の間にλ／４板１４０と偏光プリズム１４１とλ／２板
１４２とを挿入した点である。そして、第２は走査レン
ズ（トーリックレンズとｆ−θレンズ）を前の例では偏
心系として用いたのに対し、本実施例では上下のビーム
各々の為に別々のレンズ系を設けた点にある。１４４
ｕ，１４４ｌがｆ−θレンズであり、１４３ｕ，１４３
ｌがトーリックレンズである。上下のビーム各々の主光
線はこれらレンズ系の光軸上を通る。又、被検対象物と
しては、防塵用ペリクル膜１０８ｐを貼り付けたレチク
ル１０８を図示している。
エキスパンダー１０１とシリンドリカルレンズ１２１と
の間にλ／４板１４０と偏光プリズム１４１とλ／２板
１４２とを挿入した点である。そして、第２は走査レン
ズ（トーリックレンズとｆ−θレンズ）を前の例では偏
心系として用いたのに対し、本実施例では上下のビーム
各々の為に別々のレンズ系を設けた点にある。１４４
ｕ，１４４ｌがｆ−θレンズであり、１４３ｕ，１４３
ｌがトーリックレンズである。上下のビーム各々の主光
線はこれらレンズ系の光軸上を通る。又、被検対象物と
しては、防塵用ペリクル膜１０８ｐを貼り付けたレチク
ル１０８を図示している。
【００４３】さて、光学素子１４０〜１４２の作用につ
いて説明する。
いて説明する。
【００４４】レーザー１００は直線偏光レーザーとす
る。ビームエキスパンダー１０１を経てλ／４板（この
光学軸は入射レーザーの偏光面に対して４５°方向に設
定されている）を通過したレーザービームは円偏光にな
っている。これを受ける偏光プリズム１４１はウオラス
トンプリズムやロションプリズムに代表される複像素子
であり、同じ頂角をもった２個の頂角プリズムを光学軸
直交させて接合したものである。をこのプリズムは複屈
折結晶から構成されているので円偏光が入射すると、複
屈折現象になり射出光束は常光線と異常光線に２分岐さ
れて出てくる（図中実線と点線）。
る。ビームエキスパンダー１０１を経てλ／４板（この
光学軸は入射レーザーの偏光面に対して４５°方向に設
定されている）を通過したレーザービームは円偏光にな
っている。これを受ける偏光プリズム１４１はウオラス
トンプリズムやロションプリズムに代表される複像素子
であり、同じ頂角をもった２個の頂角プリズムを光学軸
直交させて接合したものである。をこのプリズムは複屈
折結晶から構成されているので円偏光が入射すると、複
屈折現象になり射出光束は常光線と異常光線に２分岐さ
れて出てくる（図中実線と点線）。
【００４５】１２１は図７で既に用いているシリンドリ
カルレンズであり、以降の光路は走査レンズ系を共心系
にした外は基本的に今迄の実施例と同じである。
カルレンズであり、以降の光路は走査レンズ系を共心系
にした外は基本的に今迄の実施例と同じである。
【００４６】最後にλ／２板１４２の作用について述べ
る。
る。
【００４７】偏光プリズム１４１から射出した２つのビ
ームはその偏光面が互いに直交している。この図の場合
だと実線（Ｂｕ）は紙面内に偏光面があり、レチクルに
対してＰ偏光で入射する。これに対して、点線（Ｂｌ）
はこれと直交していて、λ／２板１４２がなければレチ
クルに対してＳ偏光で入射する。
ームはその偏光面が互いに直交している。この図の場合
だと実線（Ｂｕ）は紙面内に偏光面があり、レチクルに
対してＰ偏光で入射する。これに対して、点線（Ｂｌ）
はこれと直交していて、λ／２板１４２がなければレチ
クルに対してＳ偏光で入射する。
【００４８】いま、ペチクル付レチクルを検査しようと
する時を考える。図８のようにペリクル面に対しビーム
を斜めから傾けて入射させるとＰ偏光に対しては透過率
が高いのでレチクル面上までビームのエネルギーが失わ
れずに到達する。これに対し、Ｓ偏光の場合は反射率が
高くそのエネルギーの大半をペリクル面上での反射で失
ってしまい、レチクル面上には必要なビームの光量が到
達しない。しかもペリクル膜厚が変動すると透過光量も
大きく変動を受けるという欠点がある。
する時を考える。図８のようにペリクル面に対しビーム
を斜めから傾けて入射させるとＰ偏光に対しては透過率
が高いのでレチクル面上までビームのエネルギーが失わ
れずに到達する。これに対し、Ｓ偏光の場合は反射率が
高くそのエネルギーの大半をペリクル面上での反射で失
ってしまい、レチクル面上には必要なビームの光量が到
達しない。しかもペリクル膜厚が変動すると透過光量も
大きく変動を受けるという欠点がある。
【００４９】そこでλ／２板１４２を光路中に挿入して
（挿入する位置としては図８の図示以外の位置でも良
い）、その光学軸を紙面に対し４５°方向にセットすれ
ば、射出ビームはレチクルに対してＰ偏光で入射する。
（挿入する位置としては図８の図示以外の位置でも良
い）、その光学軸を紙面に対し４５°方向にセットすれ
ば、射出ビームはレチクルに対してＰ偏光で入射する。
【００５０】尚、本実施例で、レーザー１００が元々ラ
ンダム偏光の場合はλ／４板１４０は必要ない。又、ペ
リクル無し基板を検査する場合、又はあえてＳ偏光で検
査したい場合にはλ／２板１４２も不要である。
ンダム偏光の場合はλ／４板１４０は必要ない。又、ペ
リクル無し基板を検査する場合、又はあえてＳ偏光で検
査したい場合にはλ／２板１４２も不要である。
【００５１】図９は第５の実施例を示す側面図である。
【００５２】図５と殆ど同じ構成であるが、ミラー１１
１，１１２を追加して、レチクルの上面に対して２ビー
ムを入射させている点が図５と異なる。この様に各ビー
ムによる被検領域を同一面上に設けても良い。更に各被
検領域が同一領域でも良い。
１，１１２を追加して、レチクルの上面に対して２ビー
ムを入射させている点が図５と異なる。この様に各ビー
ムによる被検領域を同一面上に設けても良い。更に各被
検領域が同一領域でも良い。
【００５３】この実施例の適用範囲としては透明基板の
みでなく、Ｓｉウエハーのような不透明基板の検査も含
む。
みでなく、Ｓｉウエハーのような不透明基板の検査も含
む。
【００５４】図１０は第６の実施例を示す側面図であ
る。
る。
【００５５】今迄述べてきた実施例は当然複数個のレー
ザーを用いても構成できる。図１０はその一例である。
図９の装置に対し、２つの光源１００ａ，１００ｂと２
つのビームエキスパンダー１０１ａ，１０１ｂを設けて
いる点のみ異なっている。
ザーを用いても構成できる。図１０はその一例である。
図９の装置に対し、２つの光源１００ａ，１００ｂと２
つのビームエキスパンダー１０１ａ，１０１ｂを設けて
いる点のみ異なっている。
【００５６】図１１は本発明の他の実施例の表面状態検
査装置を示す構成図で、本実施例では検査装置全体が半
導体焼付装置内に組込まれている。
査装置を示す構成図で、本実施例では検査装置全体が半
導体焼付装置内に組込まれている。
【００５７】１１０１はエキシマレーザーのような遠紫
外光源であり、１１０２は照明系ユニットであって、レ
チクル１０８を上部から均一に被検査領域全域を同時
（一括）に、しかも、所定のＮＡ（開口数）で照明する
働きをもつ。
外光源であり、１１０２は照明系ユニットであって、レ
チクル１０８を上部から均一に被検査領域全域を同時
（一括）に、しかも、所定のＮＡ（開口数）で照明する
働きをもつ。
【００５８】１１０９はレチクルパターンをウエハ１１
１０上に転写する為の超高解像度レンズ系（若しくはミ
ラー系）であり、焼付時には、ウエハ移動ステージ１１
１１のステップ送りに従って１ショット毎ずらして露光
されていく。１１１０は露光に先立ってレチクルとウエ
ハを位置合わせする為のアライメント光学系であり、最
低１つのレチクル観察用顕微鏡系をもっている。
１０上に転写する為の超高解像度レンズ系（若しくはミ
ラー系）であり、焼付時には、ウエハ移動ステージ１１
１１のステップ送りに従って１ショット毎ずらして露光
されていく。１１１０は露光に先立ってレチクルとウエ
ハを位置合わせする為のアライメント光学系であり、最
低１つのレチクル観察用顕微鏡系をもっている。
【００５９】１１１４はレチクルチェンジャーであり、
複数のレチクルを格納し、待機させるユニットである。
１１１３が異物等検査ユニットであり、第１実施例から
第６実施例までのいずれかの構成条件をすべて含めてい
る。このユニットは、レチクルがチェンジャーから引き
出され露光位置（図中Ｅ．Ｐ）にセットされる前にレチ
クの異物検査を行うものである。
複数のレチクルを格納し、待機させるユニットである。
１１１３が異物等検査ユニットであり、第１実施例から
第６実施例までのいずれかの構成条件をすべて含めてい
る。このユニットは、レチクルがチェンジャーから引き
出され露光位置（図中Ｅ．Ｐ）にセットされる前にレチ
クの異物検査を行うものである。
【００６０】コントローラ１１１８はステッパーの基本
動作である、アライメン露光、ウエハのステップ送りの
シーケンスを制御する。
動作である、アライメン露光、ウエハのステップ送りの
シーケンスを制御する。
【００６１】
【発明の効果】基板の表面状態を検査する装置に本発明
を用いる事により、以下の効果が得られる。複数ビー
ムを基板面に照射して検査できるので検査時間の短縮化
が計られる。しかも他のビームによるレチクルエッヂ
でのフレアー光の悪影響を受けないので検査の信頼性が
上がる。
を用いる事により、以下の効果が得られる。複数ビー
ムを基板面に照射して検査できるので検査時間の短縮化
が計られる。しかも他のビームによるレチクルエッヂ
でのフレアー光の悪影響を受けないので検査の信頼性が
上がる。
【図１】従来例の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施例の上面図である。
【図３】本発明の第１実施例の側面図である。
【図４】比較例の説明図である。
【図５】本発明の第２実施例の側面図である。
【図６】本発明の第２実施例におけるポリゴンミラーの
説明図である。
説明図である。
【図７】本発明の第３実施例の部分の側面図である。
【図８】本発明の第４実施例の側面図である。
【図９】本発明の第５実施例の側面図である。
【図１０】本発明の第６実施例の側面図である。
【図１１】本発明の第７実施例の構成図である。
１００ レーザー光源 １０２ プリズム １０５ ポリゴンミラー １０６ トーリックレンズ １０７ シリンドリカルレンズ １０８ レチクル １１５ フォトマル １０００ 信号処理装置
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭48−55766（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−82886（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−54146（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−113355（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−1155（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−188943（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−188945（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−301122（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−26721（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 21/84 - 21/958
Claims (6)
- 【請求項１】 被検体の第一の被検領域と第二の被検領
域を各々順次光走査して面状態を検査する装置で、第一
の被検領域内の順次の光走査と第二の被検領域内の順次
の光走査が交互に行われる様に第一の被検領域内を光走
査するビームと第二の被検領域内を光走査するビームの
光走査方向の隔たりを前記被検体の該光走査方向の幅よ
りも長くしたことを特徴とする面状態検査装置。 - 【請求項２】 該装置は共通のビーム偏向素子を有し、
該ビーム偏向素子に異なる方向から入射して出射する２
つのビームそれぞれを用いて前記各被検領域が光走査さ
れることを特徴とする請求項１の面状態検査装置。 - 【請求項３】 該装置は前記ビーム偏向素子と前記各被
検面との間に共通の集光レンズを有し、前記２つのビー
ムは前記集光レンズの光軸外を通過することを特徴とす
る請求項２の面状態検査装置。 - 【請求項４】 該装置は第一の被検領域を光走査するた
めのビーム偏向用の第一の回転多面鏡と、第二の被検領
域を光走査するためのビーム偏向用の第二の回転多面鏡
を有し、前記第一及び第二の回転多面鏡は回転軸が同一
であり、各回転多面鏡による各被検領域の光走査を交互
に行なえる様に配置されて一体的に回転することを特徴
とする請求項１の面状態検査装置。 - 【請求項５】 該装置は共通の光源と、該光源からの光
より前記各被検領域をそれぞれ光走査するための２つの
ビームを形成するための複屈折部材とを有することを特
徴とする請求項２又は３又は４の面状態検査装置。 - 【請求項６】 第一の領域と第二の領域とを有する部材
を用いてパターンの転写を行なう為の装置で、前記部材
の少なくとも第一の領域と第二の領域を露光することに
よりパターンの転写を実行する露光装置と、該部材の第
一の被検領域と第二の被検領域を各々順次光走査して面
状態を検査する手段とを有し、第一の被検領域内の順次
の光走査と第二の被検領域内の順次の光走査が交互に行
われる様に第一の被検領域内を光走査するビームと第二
の被検領域内を光走査するビームの光走査方向の隔たり
を前記部材の該光走査方向の幅よりも長くしたことを特
徴とする面状態検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40892490A JP3109840B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 面状態検査装置 |
| US08/177,189 US5359407A (en) | 1990-12-28 | 1994-01-03 | Optical scanning apparatus, surface-state inspection apparatus and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40892490A JP3109840B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 面状態検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04232951A JPH04232951A (ja) | 1992-08-21 |
| JP3109840B2 true JP3109840B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=18518319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40892490A Expired - Fee Related JP3109840B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 面状態検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5359407A (ja) |
| JP (1) | JP3109840B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9330949B2 (en) | 2012-03-27 | 2016-05-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with flash of light |
| KR102024924B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2019-09-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 소크 성능을 개선하기 위한 코팅을 갖는 기판 지지 엣지 링 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3259331B2 (ja) * | 1992-05-29 | 2002-02-25 | キヤノン株式会社 | 表面状態検査装置 |
| US5581348A (en) * | 1993-07-29 | 1996-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface inspecting device using bisected multi-mode laser beam and system having the same |
| US6064517A (en) | 1996-07-22 | 2000-05-16 | Kla-Tencor Corporation | High NA system for multiple mode imaging |
| US6166808A (en) * | 1996-12-24 | 2000-12-26 | U.S. Philips Corporation | Optical height meter, surface-inspection device provided with such a height meter, and lithographic apparatus provided with the inspection device |
| DE69738762D1 (de) * | 1996-12-24 | 2008-07-24 | Asml Netherlands Bv | Optische prüfvorrichtung und mit einer solchen versehene lithographische vorrichtung |
| US6204917B1 (en) * | 1998-09-22 | 2001-03-20 | Kla-Tencor Corporation | Backside contamination inspection device |
| US6414752B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-07-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for scanning, stitching, and damping measurements of a double-sided metrology inspection tool |
| US6292285B1 (en) | 1999-12-20 | 2001-09-18 | Xerox Corporation | Single rotating polygon mirror with v-shaped facets for a multiple beam ROS |
| US6480272B1 (en) * | 2001-09-06 | 2002-11-12 | Raytheon Company | System and method for in-situ particle contamination measurement using shadowgrams |
| CN100370243C (zh) * | 2001-09-21 | 2008-02-20 | 奥林巴斯株式会社 | 缺陷检查装置 |
| US6686602B2 (en) * | 2002-01-15 | 2004-02-03 | Applied Materials, Inc. | Patterned wafer inspection using spatial filtering |
| US20030146102A1 (en) * | 2002-02-05 | 2003-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method for forming copper interconnects |
| US6902647B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-06-07 | Asm International N.V. | Method of processing substrates with integrated weighing steps |
| KR100565051B1 (ko) * | 2002-09-16 | 2006-03-30 | 삼성전자주식회사 | 광주사유닛 및 이를 채용한 전자사진방식 화상형성장치 |
| US20040207836A1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-10-21 | Rajeshwar Chhibber | High dynamic range optical inspection system and method |
| US7342218B2 (en) * | 2002-12-19 | 2008-03-11 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Methods and systems for optical inspection of surfaces based on laser screening |
| JP4445234B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-04-07 | 株式会社リコー | 光走査装置および画像形成装置 |
| US7277212B2 (en) * | 2003-09-19 | 2007-10-02 | Ricoh Company, Limited | Optical scanning unit and image forming apparatus |
| JP4014571B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2007-11-28 | アンリツ株式会社 | 印刷はんだ検査装置 |
| US20050200929A1 (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-15 | Michael Plotkin | Out of plane start of scan |
| US20060154385A1 (en) * | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Ravinder Aggarwal | Fabrication pathway integrated metrology device |
| DE102005014593A1 (de) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Vorrichtung zur Inspektion eines scheibenförmigen Objekts |
| DE102005014596B3 (de) * | 2005-03-31 | 2007-01-04 | Leica Microsystems Jena Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion der Oberfläche eines Wafers |
| JP4996856B2 (ja) * | 2006-01-23 | 2012-08-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
| US7740437B2 (en) * | 2006-09-22 | 2010-06-22 | Asm International N.V. | Processing system with increased cassette storage capacity |
| JP4519832B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2010-08-04 | 株式会社堀場製作所 | 欠陥検査装置 |
| KR101209857B1 (ko) * | 2009-02-20 | 2012-12-10 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 유리 표면 이물 검사 장치 및 방법 |
| WO2015161949A1 (en) * | 2014-04-24 | 2015-10-29 | Asml Holding N.V. | Compact two-sided reticle inspection system |
| CN107270813A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-10-20 | 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所 | 一种扫描镜装置 |
| CN111458293A (zh) * | 2019-01-18 | 2020-07-28 | 长沙青波光电科技有限公司 | 物体表面检测装置及硅片检测装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2844648A (en) * | 1954-04-23 | 1958-07-22 | Fairchild Camera Instr Co | Scanning mirror |
| US3646568A (en) * | 1969-04-03 | 1972-02-29 | Rca Corp | Beam control system |
| JPS5766345A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-22 | Hitachi Ltd | Inspection device for defect |
| US4795911A (en) * | 1986-02-14 | 1989-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on the surface |
| US4886975A (en) * | 1986-02-14 | 1989-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on two or more surfaces |
| JPH0621877B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1994-03-23 | キヤノン株式会社 | 表面状態測定装置 |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP40892490A patent/JP3109840B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-03 US US08/177,189 patent/US5359407A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102024924B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2019-09-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 소크 성능을 개선하기 위한 코팅을 갖는 기판 지지 엣지 링 |
| KR102149906B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2020-08-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 소크 성능을 개선하기 위한 코팅을 갖는 기판 지지 엣지 링 |
| US9330949B2 (en) | 2012-03-27 | 2016-05-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with flash of light |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04232951A (ja) | 1992-08-21 |
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