JP3102641B1 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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Abstract
【要約】
【課題】 処理槽底面の被処理基板上で処理液の流れが
均一になり、均一な処理が可能になる基板処理装置を提
供すること。 【解決手段】 処理槽３１の側面に、該側面上部全周よ
りめっき液３７がオーバーフローするオーバーフロー部
を設けるとともに、前記処理槽３１の側面下部にスリッ
ト４７を設けて、前記半導体ウェハ３３近傍の側面部全
周から前記スリット４７を介してめっき液３７を排出す
る。
均一になり、均一な処理が可能になる基板処理装置を提
供すること。 【解決手段】 処理槽３１の側面に、該側面上部全周よ
りめっき液３７がオーバーフローするオーバーフロー部
を設けるとともに、前記処理槽３１の側面下部にスリッ
ト４７を設けて、前記半導体ウェハ３３近傍の側面部全
周から前記スリット４７を介してめっき液３７を排出す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハや液
晶ガラスをはじめ、ディスク、レンズ等の平板状の基板
に、薬液や純水等の処理液を用いて洗浄あるいは表面処
理、さらには通電させることにより電解めっきを施す基
板処理装置に関する。
晶ガラスをはじめ、ディスク、レンズ等の平板状の基板
に、薬液や純水等の処理液を用いて洗浄あるいは表面処
理、さらには通電させることにより電解めっきを施す基
板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の基板処理装置として従来の半導体
ウェハ用フェイスアップ型電解めっき装置を図３に示
す。この装置は、処理槽１１の底面に開口部１２を有
し、この開口部１２に、表面（処理面）を処理槽１１内
に向けて半導体ウェハ１３が保持される。処理槽１１内
の上方位置にはアノード電極１４が設けられ、このアノ
ード電極１４とカソード側としての半導体ウェハ１３間
には電源１５が接続される。処理槽１１内には、めっき
液タンク１６からポンプ１７により供給管１８を介し
て、処理槽１１の上面中央部からめっき液１９が供給さ
れる。処理槽１１内の余分なめっき液１９は、処理槽１
１の上面一側部から排出管２０を介してめっき液タンク
１６に回収される。
ウェハ用フェイスアップ型電解めっき装置を図３に示
す。この装置は、処理槽１１の底面に開口部１２を有
し、この開口部１２に、表面（処理面）を処理槽１１内
に向けて半導体ウェハ１３が保持される。処理槽１１内
の上方位置にはアノード電極１４が設けられ、このアノ
ード電極１４とカソード側としての半導体ウェハ１３間
には電源１５が接続される。処理槽１１内には、めっき
液タンク１６からポンプ１７により供給管１８を介し
て、処理槽１１の上面中央部からめっき液１９が供給さ
れる。処理槽１１内の余分なめっき液１９は、処理槽１
１の上面一側部から排出管２０を介してめっき液タンク
１６に回収される。
【０００３】上記のような装置においては、めっき液タ
ンク１６からめっき液１９が供給管１８を介して処理槽
１１内に供給されて、半導体ウェハ１３の表面からアノ
ード電極１４間をめっき液１９が満たすと、アノード電
極１４と半導体ウェハ１３間に電流が流れ、半導体ウェ
ハ１３の表面（処理面）に電解めっきが開始される。
ンク１６からめっき液１９が供給管１８を介して処理槽
１１内に供給されて、半導体ウェハ１３の表面からアノ
ード電極１４間をめっき液１９が満たすと、アノード電
極１４と半導体ウェハ１３間に電流が流れ、半導体ウェ
ハ１３の表面（処理面）に電解めっきが開始される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の装置では、供給管１８によって処理槽１１
の上面中央部から処理槽１１にめっき液１９が供給され
た後、処理槽１１の上面一側部から排出管２０によって
余分なめっき液１９が排出されるため、めっき液１９の
流れが半導体ウェハ１３上で不均一になり、結果とし
て、半導体ウェハ１３上のめっき膜厚が不均一になると
いう欠点があった。
ような従来の装置では、供給管１８によって処理槽１１
の上面中央部から処理槽１１にめっき液１９が供給され
た後、処理槽１１の上面一側部から排出管２０によって
余分なめっき液１９が排出されるため、めっき液１９の
流れが半導体ウェハ１３上で不均一になり、結果とし
て、半導体ウェハ１３上のめっき膜厚が不均一になると
いう欠点があった。
【０００５】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
処理槽底面の被処理基板上で処理液の流れが均一にな
り、均一な処理が可能になる基板処理装置を提供するこ
とを目的とする。
処理槽底面の被処理基板上で処理液の流れが均一にな
り、均一な処理が可能になる基板処理装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の基板処理
装置は、処理槽の底面に基板を保持するとともに、処理
槽内にその上面中央部から処理液を供給し、前記基板を
処理する基板処理装置において、処理槽の側面に、該側
面上部全周より処理液がオーバーフローするオーバーフ
ロー部を設けるとともに、前記処理槽の側面下部にスリ
ットを設けて、前記基板近傍の側面部全周から前記スリ
ットを介して処理液を排出するようにしたことを特徴と
する。
装置は、処理槽の底面に基板を保持するとともに、処理
槽内にその上面中央部から処理液を供給し、前記基板を
処理する基板処理装置において、処理槽の側面に、該側
面上部全周より処理液がオーバーフローするオーバーフ
ロー部を設けるとともに、前記処理槽の側面下部にスリ
ットを設けて、前記基板近傍の側面部全周から前記スリ
ットを介して処理液を排出するようにしたことを特徴と
する。
【０００７】この第１の基板処理装置において、処理槽
内に処理液が溜まり、側面のオーバーフロー部から処理
液がオーバーフローし始めたならば、スリットによる処
理液の排出を開始させることが好ましい。
内に処理液が溜まり、側面のオーバーフロー部から処理
液がオーバーフローし始めたならば、スリットによる処
理液の排出を開始させることが好ましい。
【０００８】本発明の第2の基板処理装置は、処理槽の
底面に基板を保持するとともに、処理槽内にその上面中
央部から処理液を供給し、前記基板を処理する基板処理
装置において、処理槽の下部側面全周に処理液の排出口
を設けるとともに、この排出口に連通したオーバーフロ
ー部を処理槽の外部に設けたことを特徴とする。
底面に基板を保持するとともに、処理槽内にその上面中
央部から処理液を供給し、前記基板を処理する基板処理
装置において、処理槽の下部側面全周に処理液の排出口
を設けるとともに、この排出口に連通したオーバーフロ
ー部を処理槽の外部に設けたことを特徴とする。
【０００９】これら本発明の基板処理装置において、処
理槽内に電極が設けられ、この電極と基板間に電源が接
続され、処理液はめっき液であって、装置は一具体例と
しては電解めっき装置である。
理槽内に電極が設けられ、この電極と基板間に電源が接
続され、処理液はめっき液であって、装置は一具体例と
しては電解めっき装置である。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よる基板処理装置の実施の形態を詳細に説明する。図１
は本発明の第１の実施の形態として、本発明による半導
体ウェハフェイスアップ型電解めっき装置の第１の例を
示す構成図である。この構成図において、処理槽３１お
よびめっき液タンク３６は断面図で示されている。処理
槽３１は底面に開口部３２を有し、この開口部３２に、
表面（処理面）を処理槽３１内に向けて半導体ウェハ３
３が保持される。処理槽３１内の上方位置にはアノード
電極３４が設けられ、このアノード電極３４と、カソー
ド側としての前記半導体ウェハ３３間には電源３５が接
続される。めっき液タンク３６内にはめっき液３７が収
容される。このめっき液３７は、ポンプ３８により供給
管３９を介して処理槽３１の上面中央部から該処理槽３
１内に供給される。
よる基板処理装置の実施の形態を詳細に説明する。図１
は本発明の第１の実施の形態として、本発明による半導
体ウェハフェイスアップ型電解めっき装置の第１の例を
示す構成図である。この構成図において、処理槽３１お
よびめっき液タンク３６は断面図で示されている。処理
槽３１は底面に開口部３２を有し、この開口部３２に、
表面（処理面）を処理槽３１内に向けて半導体ウェハ３
３が保持される。処理槽３１内の上方位置にはアノード
電極３４が設けられ、このアノード電極３４と、カソー
ド側としての前記半導体ウェハ３３間には電源３５が接
続される。めっき液タンク３６内にはめっき液３７が収
容される。このめっき液３７は、ポンプ３８により供給
管３９を介して処理槽３１の上面中央部から該処理槽３
１内に供給される。
【００１１】処理槽３１の側面は２重構造となってい
る。その２重構造のうち、内側の側面部４０は、その上
端が処理槽３１の上面に達しておらず、したがって、内
側の側面部４０の内側に満ちためっき液３７は、内側の
側面部４０の上端から、該側面部４０と外側の側面部４
１間の排出空間部４２に、側面の全周でオーバーフロー
する。内側の側面部４０と外側の側面部４１間の空間部
は仕切り板４３で上下に２分されており、この仕切り板
４３より上方の空間部が前記排出空間部４２となってい
る。排出空間部４２は、排出管４４、切替えバルブ４５
ならびに排出管４６を介してめっき液タンク３６に接続
される。半導体ウェハ３３外周端部近傍の、処理槽３１
下部側面には、該側面の全周に渡って複数のスリット４
７が形成される。このスリット４７は、排出管４８、前
記切替えバルブ４５ならびに前記排出管４６を介してめ
っき液タンク３６に接続される。
る。その２重構造のうち、内側の側面部４０は、その上
端が処理槽３１の上面に達しておらず、したがって、内
側の側面部４０の内側に満ちためっき液３７は、内側の
側面部４０の上端から、該側面部４０と外側の側面部４
１間の排出空間部４２に、側面の全周でオーバーフロー
する。内側の側面部４０と外側の側面部４１間の空間部
は仕切り板４３で上下に２分されており、この仕切り板
４３より上方の空間部が前記排出空間部４２となってい
る。排出空間部４２は、排出管４４、切替えバルブ４５
ならびに排出管４６を介してめっき液タンク３６に接続
される。半導体ウェハ３３外周端部近傍の、処理槽３１
下部側面には、該側面の全周に渡って複数のスリット４
７が形成される。このスリット４７は、排出管４８、前
記切替えバルブ４５ならびに前記排出管４６を介してめ
っき液タンク３６に接続される。
【００１２】上記のように構成された装置においては、
めっき液タンク３６内のめっき液３７がポンプ３８によ
り供給管３９を介して処理槽３１の上面中央部から該処
理槽３１内に供給される。そして、この供給により、処
理槽３１の内側側面部４０の内側に、側面部４０の上端
までめっき液３７が溜まると、めっき液３７は前記側面
部４０の上端から側面の全周で外側の排出空間部４２に
オーバーフローし、オーバーフローしためっき液３７は
排出管４４、切替えバルブ４５および排出管 ４６を
介してめっき液タンク３６に回収される。この状態にな
るとアノード電極 ３４と半導体ウェハ３３の表面
（処理面）間にめっき液３７が満たされ、アノード電極
３４と半導体ウェハ３３間に電源３５から電流が流れ、
電解めっきが行われる。また、切替えバルブ４５は、ス
リット４７側の排出路も開路する。その結果、処理槽３
１内の余分なめっき液３７は、前述した側面上部の側面
全周でのオーバーフローと同時に、処理槽３１下部のス
リット４７により、半導体ウェハ３３近傍の処理槽３１
側面部全周から排出される。
めっき液タンク３６内のめっき液３７がポンプ３８によ
り供給管３９を介して処理槽３１の上面中央部から該処
理槽３１内に供給される。そして、この供給により、処
理槽３１の内側側面部４０の内側に、側面部４０の上端
までめっき液３７が溜まると、めっき液３７は前記側面
部４０の上端から側面の全周で外側の排出空間部４２に
オーバーフローし、オーバーフローしためっき液３７は
排出管４４、切替えバルブ４５および排出管 ４６を
介してめっき液タンク３６に回収される。この状態にな
るとアノード電極 ３４と半導体ウェハ３３の表面
（処理面）間にめっき液３７が満たされ、アノード電極
３４と半導体ウェハ３３間に電源３５から電流が流れ、
電解めっきが行われる。また、切替えバルブ４５は、ス
リット４７側の排出路も開路する。その結果、処理槽３
１内の余分なめっき液３７は、前述した側面上部の側面
全周でのオーバーフローと同時に、処理槽３１下部のス
リット４７により、半導体ウェハ３３近傍の処理槽３１
側面部全周から排出される。
【００１３】以上のように上記の装置によれば、処理槽
３１の上面中央部から該処理槽３１内に供給されためっ
き液３７は、オーバーフローとスリット４７により、半
導体ウェハ３３の上方および近傍にて、処理槽３１の側
面全周から排出されるようになる。したがって、半導体
ウェハ３３上でめっき液３７の流れが均一になり、結果
として、半導体ウェハ３３上のめっき膜厚が均一にな
る。
３１の上面中央部から該処理槽３１内に供給されためっ
き液３７は、オーバーフローとスリット４７により、半
導体ウェハ３３の上方および近傍にて、処理槽３１の側
面全周から排出されるようになる。したがって、半導体
ウェハ３３上でめっき液３７の流れが均一になり、結果
として、半導体ウェハ３３上のめっき膜厚が均一にな
る。
【００１４】図２は本発明の第2の実施の形態として、
本発明による半導体ウェハフェイスアップ型電解めっき
装置の第２の例を示す構成図である。この第2の例にお
いては、処理槽３１の下部側面全周にめっき液の排出口
５１が設けられるとともに、この排出口５１に連通した
オーバーフロー部５２が処理槽３１の外部に設けられ
る。オーバーフロー部５２は、外囲器部５３と、この外
囲器部５３内をその上端を除いて内・外に2分する隔壁
部５４からなり、処理槽３１の上部の高さに対応してオ
ーバーフロー作用を有する。このようなオーバーフロー
部５２の排出側は、排出管５５によってめっき液タンク
３６に接続される。
本発明による半導体ウェハフェイスアップ型電解めっき
装置の第２の例を示す構成図である。この第2の例にお
いては、処理槽３１の下部側面全周にめっき液の排出口
５１が設けられるとともに、この排出口５１に連通した
オーバーフロー部５２が処理槽３１の外部に設けられ
る。オーバーフロー部５２は、外囲器部５３と、この外
囲器部５３内をその上端を除いて内・外に2分する隔壁
部５４からなり、処理槽３１の上部の高さに対応してオ
ーバーフロー作用を有する。このようなオーバーフロー
部５２の排出側は、排出管５５によってめっき液タンク
３６に接続される。
【００１５】このように構成された場合は、オーバーフ
ロー部５２の作用によって処理槽３１内にその上部まで
めっき液３７が溜まり、その状態で余分なめっき液３７
が、処理槽３１の下部側面全周の排出口５１よりオーバ
ーフロー部５２を介して排出されるようになるが、前記
排出口５１を通して、前記第１の例と同様に半導体ウェ
ハ３３の近傍の処理槽３１側面全周からめっき液３７が
排出されるようになるので、第１の例と同様に半導体ウ
ェハ３３上でめっき液３７の流れが均一になり、半導体
ウェハ３３上のめっき膜厚が均一になる。
ロー部５２の作用によって処理槽３１内にその上部まで
めっき液３７が溜まり、その状態で余分なめっき液３７
が、処理槽３１の下部側面全周の排出口５１よりオーバ
ーフロー部５２を介して排出されるようになるが、前記
排出口５１を通して、前記第１の例と同様に半導体ウェ
ハ３３の近傍の処理槽３１側面全周からめっき液３７が
排出されるようになるので、第１の例と同様に半導体ウ
ェハ３３上でめっき液３７の流れが均一になり、半導体
ウェハ３３上のめっき膜厚が均一になる。
【００１６】なお、以上は、本発明に係る処理液排出構
造を半導体ウェハフェイスアップ型電解めっき装置に応
用した場合であるが、本発明による処理液排出構造は、
洗浄装置やその他の表面処理装置に用いて処理液の流れ
を被処理基板上で均一にして処理品質の向上を図ること
ができる。さらに、被処理基板は、半導体ウェハ以外の
液晶ガラスやディスクなどの平板状基板であってもよ
い。さらに、スリット４７および排出口５１は、処理槽
３１の側面全周に１つのスリットおよび排出口として形
成してもよいし、複数のスリットおよび排出口に分割し
て形成してもよい。
造を半導体ウェハフェイスアップ型電解めっき装置に応
用した場合であるが、本発明による処理液排出構造は、
洗浄装置やその他の表面処理装置に用いて処理液の流れ
を被処理基板上で均一にして処理品質の向上を図ること
ができる。さらに、被処理基板は、半導体ウェハ以外の
液晶ガラスやディスクなどの平板状基板であってもよ
い。さらに、スリット４７および排出口５１は、処理槽
３１の側面全周に１つのスリットおよび排出口として形
成してもよいし、複数のスリットおよび排出口に分割し
て形成してもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明の基板
処理装置によれば、処理槽底面の被処理基板上で処理液
の流れが均一になり、均一な処理が可能になる。
処理装置によれば、処理槽底面の被処理基板上で処理液
の流れが均一になり、均一な処理が可能になる。
【図１】本発明による基板処理装置の第１の実施の形態
を示す構成図。
を示す構成図。
【図２】本発明による基板処理装置の第2の実施の形態
を示す構成図。
を示す構成図。
【図３】従来の半導体ウェハ用フェイスアップ型電解め
っき装置を示す構成図。
っき装置を示す構成図。
３１ 処理槽 ３２ 開口部 ３３ 半導体ウェハ ３４ アノード電極 ３５ 電源 ３６ めっき液タンク ３７ めっき液 ３８ ポンプ ３９ 供給管 ４０，４１ 側面部 ４２ 排出空間部 ４４，４６，４８ 排出管 ４５ 切替えバルブ ４７ スリット
フロントページの続き (72)発明者 大坪 哲朗 静岡県島田市阿知ケ谷25番地 島田理化 工業株式会社島田製作所内 (72)発明者 森戸 泰臣 静岡県島田市阿知ケ谷25番地 島田理化 工業株式会社島田製作所内 (56)参考文献 特開 平10−172974（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 17/00 H01L 21/304
Claims (2)
- 【請求項１】 処理槽の底面に基板を保持するととも
に、処理槽内にその上面中央部から処理液を供給し、前
記基板を処理する基板処理装置において、 処理槽の下部側面全周に処理液の排出口を設けるととも
に、 この排出口に連通したオーバーフロー部を処理槽の外部
に設けたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、処理槽内に電極が設けられ、この電極と基板間に電
源が接続され、処理液はめっき液であって、装置は電解
めっき装置であることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11375294A JP3102641B1 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11375294A JP3102641B1 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3102641B1 true JP3102641B1 (ja) | 2000-10-23 |
| JP2001192894A JP2001192894A (ja) | 2001-07-17 |
Family
ID=18505282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11375294A Expired - Fee Related JP3102641B1 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3102641B1 (ja) |
-
1999
- 1999-12-28 JP JP11375294A patent/JP3102641B1/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2001192894A (ja) | 2001-07-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |