JP3101421B2 - 整形金属パターンの製造方法 - Google Patents
整形金属パターンの製造方法Info
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- JP3101421B2 JP3101421B2 JP04139311A JP13931192A JP3101421B2 JP 3101421 B2 JP3101421 B2 JP 3101421B2 JP 04139311 A JP04139311 A JP 04139311A JP 13931192 A JP13931192 A JP 13931192A JP 3101421 B2 JP3101421 B2 JP 3101421B2
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、印刷回路等の金属パタ
ーンの加工に関し、特に印刷回路等の不要金属パターン
のレーザビーム加工に関する。
ーンの加工に関し、特に印刷回路等の不要金属パターン
のレーザビーム加工に関する。
【０００２】
【従来の技術】印刷回路の機能変更に伴なって、プリン
ト板の回路を変更、修復する場合、あるいは標準タイプ
のプリント板の一部を変更して使用する場合等に、プリ
ント板上の信号配線パターンの一部を切断する。
ト板の回路を変更、修復する場合、あるいは標準タイプ
のプリント板の一部を変更して使用する場合等に、プリ
ント板上の信号配線パターンの一部を切断する。
【０００３】従来は、不要配線の切断はドリルを用いて
配線を切断することによって行なっていた。しかしなが
ら、昨今の配線密度の向上により、隣接配線間の間隔は
狭くなっている。このため、ドリル加工により、不要配
線を切断しようとすると、隣接配線にもダメージを与え
ることになり、ドリル加工が困難になってきている。
配線を切断することによって行なっていた。しかしなが
ら、昨今の配線密度の向上により、隣接配線間の間隔は
狭くなっている。このため、ドリル加工により、不要配
線を切断しようとすると、隣接配線にもダメージを与え
ることになり、ドリル加工が困難になってきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
回路のファインピッチ化に伴い、プリント配線板の整形
が従来のドリル加工では対応できないようになった。本
発明者らは、プリント配線板の不要配線の除去のため、
ＹＡＧレーザで不要配線を切断することを試みた。
回路のファインピッチ化に伴い、プリント配線板の整形
が従来のドリル加工では対応できないようになった。本
発明者らは、プリント配線板の不要配線の除去のため、
ＹＡＧレーザで不要配線を切断することを試みた。
【０００５】しかしながら、ＹＡＧレーザで切断しよう
としても、切断後、十分な絶縁性が確保できなかった。
この原因は、ＹＡＧレーザは原理的に加熱によるスポッ
ト加工であるためと考えられる。
としても、切断後、十分な絶縁性が確保できなかった。
この原因は、ＹＡＧレーザは原理的に加熱によるスポッ
ト加工であるためと考えられる。
【０００６】本発明の目的は、ドリルでは加工困難な高
精度の金属パターンの加工を可能とする整形金属パター
ンの製造方法を提供することである。
精度の金属パターンの加工を可能とする整形金属パター
ンの製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の整形金属パター
ンの製造方法は、支持体に不要部を有する金属パターン
が固定されている対象物を準備する工程と、前記不要部
の形状、位置をデータ化する工程と、エキシマレーザビ
ームを前記データに基づいて整形し、所定の第１のエネ
ルギ密度で前記不要部に照射して、不要部の金属パター
ンを除去する除去工程と、前記エキシマレーザビームの
エネルギ密度を前記第１のエネルギ密度より低い値に設
定し、前記不要部を含む拡大領域に照射してクリーニン
グを行なうクリーニング工程とを含む。
ンの製造方法は、支持体に不要部を有する金属パターン
が固定されている対象物を準備する工程と、前記不要部
の形状、位置をデータ化する工程と、エキシマレーザビ
ームを前記データに基づいて整形し、所定の第１のエネ
ルギ密度で前記不要部に照射して、不要部の金属パター
ンを除去する除去工程と、前記エキシマレーザビームの
エネルギ密度を前記第１のエネルギ密度より低い値に設
定し、前記不要部を含む拡大領域に照射してクリーニン
グを行なうクリーニング工程とを含む。
【０００８】
【作用】エキシマレーザビームを所定エネルギ密度で金
属パターンに照射することにより、金属パターンの照射
部分を除去することができた。
属パターンに照射することにより、金属パターンの照射
部分を除去することができた。
【０００９】このままでは金属パターンの切断部に十分
な絶縁抵抗が得られなかったが、切断時のエネルギ密度
よりも低いエネルギ密度で切断部よりも広い領域にエキ
シマレーザビームを照射することにより、十分な絶縁抵
抗を得ることができた。
な絶縁抵抗が得られなかったが、切断時のエネルギ密度
よりも低いエネルギ密度で切断部よりも広い領域にエキ
シマレーザビームを照射することにより、十分な絶縁抵
抗を得ることができた。
【００１０】
【実施例】図１を参照して、金属パターンが配線パター
ンである場合を例にとって本発明の基本実施例を説明す
る。配線パターンは、エポキシ、ポリイミド等の絶縁基
板上に選択的に形成された銅箔等で形成される。
ンである場合を例にとって本発明の基本実施例を説明す
る。配線パターンは、エポキシ、ポリイミド等の絶縁基
板上に選択的に形成された銅箔等で形成される。
【００１１】図１（Ａ）に示すように、平行な配線パタ
ーン１が形成されているものとする。図には３本の配線
パターンを示す。このうち、図の中央に示される配線が
不要となったものとする。したがって図示した３本の配
線のうち中央のものを切断する。
ーン１が形成されているものとする。図には３本の配線
パターンを示す。このうち、図の中央に示される配線が
不要となったものとする。したがって図示した３本の配
線のうち中央のものを切断する。
【００１２】図１（Ａ）下側の拡大図に示すように、切
断すべき配線の幅に合わせ、ＫｒＦ等のエキシマレーザ
光を矩形等のパターン状に整形し、配線の切断すべき箇
所に照射する。照射するエキシマレーザ光のエネルギ密
度は、配線を形成する金属膜を削除するのに十分な高エ
ネルギ密度とする。このような高エネルギ密度のエキシ
マレーザ光を照射すると、照射された配線パターンは図
１（Ｂ）に示すように消滅する。
断すべき配線の幅に合わせ、ＫｒＦ等のエキシマレーザ
光を矩形等のパターン状に整形し、配線の切断すべき箇
所に照射する。照射するエキシマレーザ光のエネルギ密
度は、配線を形成する金属膜を削除するのに十分な高エ
ネルギ密度とする。このような高エネルギ密度のエキシ
マレーザ光を照射すると、照射された配線パターンは図
１（Ｂ）に示すように消滅する。
【００１３】ところで、エキシマレーザ光によって除去
されたパターン除去部３を拡大して観察すると、パター
ン除去部３の周囲に除去された金属パターンから発生し
た金属溶融粉４が散乱しており、この状態で除去した配
線の絶縁抵抗を測定すると、十分な絶縁性は未だ確保さ
れていない。
されたパターン除去部３を拡大して観察すると、パター
ン除去部３の周囲に除去された金属パターンから発生し
た金属溶融粉４が散乱しており、この状態で除去した配
線の絶縁抵抗を測定すると、十分な絶縁性は未だ確保さ
れていない。
【００１４】次に、図１（Ｃ）に示すように、パターン
除去の際よりも低い低エネルギ密度でかつパターン除去
部３を含む拡大した領域５にエキシマレーザ光を照射す
る。この拡大領域５は、上述した金属溶融粉４の分布す
る領域を実質的に覆うように選択する。
除去の際よりも低い低エネルギ密度でかつパターン除去
部３を含む拡大した領域５にエキシマレーザ光を照射す
る。この拡大領域５は、上述した金属溶融粉４の分布す
る領域を実質的に覆うように選択する。
【００１５】このような低エネルギ密度のエキシマレー
ザ光照射により、十分な絶縁抵抗が得られると同時に外
観も向上する。低エネルギ密度レーザ光照射の後の状態
を観察すると、図１（Ｂ）に見られたような金属溶融粉
４は、図１（Ｄ）に示すように消滅している。
ザ光照射により、十分な絶縁抵抗が得られると同時に外
観も向上する。低エネルギ密度レーザ光照射の後の状態
を観察すると、図１（Ｂ）に見られたような金属溶融粉
４は、図１（Ｄ）に示すように消滅している。
【００１６】このように、金属パターンの不要部に対
し、初め高エネルギ密度のエキシマレーザ光を照射し、
不要部を除去した後、より低いエネルギ密度でエキシマ
レーザ光を照射することにより、除去部の周辺を含めて
クリーニングを行なうことができる。
し、初め高エネルギ密度のエキシマレーザ光を照射し、
不要部を除去した後、より低いエネルギ密度でエキシマ
レーザ光を照射することにより、除去部の周辺を含めて
クリーニングを行なうことができる。
【００１７】図２は、図１に示すような金属パターンの
整形を行なうためのエキシマレーザ加工システムのシス
テム構成を示す。図２（Ａ）において、エキシマレーザ
ヘッド１１は、たとえばＫｒＦレーザチューブを含み、
レーザ駆動部１２によって駆動される。エキシマレーザ
ヘッド１１から発したエキシマレーザビームは、ミラー
１３、１４によって光路を調整し、マスク１５に入射す
る。
整形を行なうためのエキシマレーザ加工システムのシス
テム構成を示す。図２（Ａ）において、エキシマレーザ
ヘッド１１は、たとえばＫｒＦレーザチューブを含み、
レーザ駆動部１２によって駆動される。エキシマレーザ
ヘッド１１から発したエキシマレーザビームは、ミラー
１３、１４によって光路を調整し、マスク１５に入射す
る。
【００１８】開口部を有するマスク１５によって整形さ
れたエキシマレーザビームは、ミラー１６によって下方
に折り曲げられ、イメージングレンズ１７を通ってワー
クピース１８上に結像する。
れたエキシマレーザビームは、ミラー１６によって下方
に折り曲げられ、イメージングレンズ１７を通ってワー
クピース１８上に結像する。
【００１９】所望の倍率でワークピース上に結像を行な
えるよう、マスク１５、イメージングレンズ１７の位置
は、コントローラ２１からの制御信号によって調整され
る。ミラー１６は、可視光に対して透明であり、上方か
ら撮像モニタ１９によりワークピース１８は観察されて
いる。モニタ信号はコントローラ２１に供給される。ま
た、高さモニタ２２は、ワークピース１８の高さをモニ
タし、測定結果を高さ検出信号としてコントローラ２１
に供給する。
えるよう、マスク１５、イメージングレンズ１７の位置
は、コントローラ２１からの制御信号によって調整され
る。ミラー１６は、可視光に対して透明であり、上方か
ら撮像モニタ１９によりワークピース１８は観察されて
いる。モニタ信号はコントローラ２１に供給される。ま
た、高さモニタ２２は、ワークピース１８の高さをモニ
タし、測定結果を高さ検出信号としてコントローラ２１
に供給する。
【００２０】ワークピース１８上には金属パターンが形
成されており、撮像モニタ１９または図示しない他の検
査手段により、その不要部が検出され、データ化され
る。この不要部のデータはコントローラ２１に送られ
る。
成されており、撮像モニタ１９または図示しない他の検
査手段により、その不要部が検出され、データ化され
る。この不要部のデータはコントローラ２１に送られ
る。
【００２１】コントローラ２１は、撮像モニタ１９、高
さモニタ２２から供給されたモニタ信号に基づき、各制
御部分を制御するための信号を発生する。コントローラ
２１は、位置合わせ信号をＸステージ２３、Ｙステージ
２４を含む加工ステージ２５に送り、ワークピース１８
の位置を調整する。加工ステージ２５は、Ｘ、Ｙ調整の
他、Ｚ調整やθ調整を行なうこともできる。
さモニタ２２から供給されたモニタ信号に基づき、各制
御部分を制御するための信号を発生する。コントローラ
２１は、位置合わせ信号をＸステージ２３、Ｙステージ
２４を含む加工ステージ２５に送り、ワークピース１８
の位置を調整する。加工ステージ２５は、Ｘ、Ｙ調整の
他、Ｚ調整やθ調整を行なうこともできる。
【００２２】エキシマレーザヘッド１１は、ＫｒＦレー
ザの場合、たとえば８ｍｍ×２５ｍｍのレーザビームを
パルス繰返数２００ｐｐｓ、出力エネルギ２５０ｍＪ、
平均出力５０Ｗ、パルス幅１６ｎｓで発生する。なお、
ＫｒＦレーザの波長は約２４８ｎｍである。
ザの場合、たとえば８ｍｍ×２５ｍｍのレーザビームを
パルス繰返数２００ｐｐｓ、出力エネルギ２５０ｍＪ、
平均出力５０Ｗ、パルス幅１６ｎｓで発生する。なお、
ＫｒＦレーザの波長は約２４８ｎｍである。
【００２３】なお、エキシマレーザがＡｒＦの場合は、
発振波長は約１９３ｎｍであり、ＸｅＣｌレーザの場合
は、発振波長は約３０８ｎｍである。金属膜の加工に
は、このようなエキシマレーザの波長光で約１０Ｊ／ｃ
ｍ2 程度以上のエネルギ密度が好ましい。
発振波長は約１９３ｎｍであり、ＸｅＣｌレーザの場合
は、発振波長は約３０８ｎｍである。金属膜の加工に
は、このようなエキシマレーザの波長光で約１０Ｊ／ｃ
ｍ2 程度以上のエネルギ密度が好ましい。
【００２４】なお、エキシマレーザはパルス発振であ
り、パルス数を制御することにより、エッチング深さを
高精度に制御することができる。また、エキシマレーザ
はマスクと光学系を用いることにより、所望の形状に整
形することができる。
り、パルス数を制御することにより、エッチング深さを
高精度に制御することができる。また、エキシマレーザ
はマスクと光学系を用いることにより、所望の形状に整
形することができる。
【００２５】図２（Ｂ）にエキシマレーザビームの整形
方法を概略的に示す。マスク１５は、銅合金やモリブデ
ン等の金属で形成され、所望パターンの開孔２８を有す
る。マスク１５に入射したエキシマレーザビームは、マ
スク１５を新たな光源とし、イメージングレンズ１７に
よってワークピース１８上に結像される。
方法を概略的に示す。マスク１５は、銅合金やモリブデ
ン等の金属で形成され、所望パターンの開孔２８を有す
る。マスク１５に入射したエキシマレーザビームは、マ
スク１５を新たな光源とし、イメージングレンズ１７に
よってワークピース１８上に結像される。
【００２６】マスク１５とイメージングレンズ１７の間
の距離をａとし、イメージングレンズ１７とワークピー
ス１８の間の距離をｂとすると、１／ａ＋１／ｂ＝１／
ｆの関係が成立する。なお、ここでｆはイメージングレ
ンズ１７の焦点距離である。光学系の焦点位置、倍率を
変更するときには、イメージングレンズ１７に設けられ
たＺ調整機構２６と、マスク１５の駆動機構を用い、こ
れらの位置を調整することによって行なう。
の距離をａとし、イメージングレンズ１７とワークピー
ス１８の間の距離をｂとすると、１／ａ＋１／ｂ＝１／
ｆの関係が成立する。なお、ここでｆはイメージングレ
ンズ１７の焦点距離である。光学系の焦点位置、倍率を
変更するときには、イメージングレンズ１７に設けられ
たＺ調整機構２６と、マスク１５の駆動機構を用い、こ
れらの位置を調整することによって行なう。
【００２７】図３は、整形配線基板の作成工程をより詳
細に示すフローチャートである。なお、このプロセスに
おいては、マスクとして可変矩形開孔を形成することの
できるマスクを用いるものとする。
細に示すフローチャートである。なお、このプロセスに
おいては、マスクとして可変矩形開孔を形成することの
できるマスクを用いるものとする。
【００２８】プロセスがスタートすると、まずステップ
Ｓ１において配線基板を加工ステージ上にセットする。
このセッティングは手動で行なっても自動で行なっても
よい。
Ｓ１において配線基板を加工ステージ上にセットする。
このセッティングは手動で行なっても自動で行なっても
よい。
【００２９】次に、ステップＳ２において、撮像モニタ
からのモニタ信号に基づき、切断位置のデータをセット
する。続いてステップＳ３において、配線基板上の基準
マークを読み取るため、配線基板の位置を動かし、標準
座標との座標ずれ量を補正する。
からのモニタ信号に基づき、切断位置のデータをセット
する。続いてステップＳ３において、配線基板上の基準
マークを読み取るため、配線基板の位置を動かし、標準
座標との座標ずれ量を補正する。
【００３０】次に、ステップＳ４において、切断位置デ
ータに基づき、加工ステージ等を調整し、エキシマレー
ザ照射位置へ配線基板上の切断点を移動させる。ステッ
プＳ５において、切断位置に配置された配線基板のそり
量を補正する。この補正は、高さモニタ２２からの信号
に基づき、加工ステージのＺ補正を行なうことによって
実行する。
ータに基づき、加工ステージ等を調整し、エキシマレー
ザ照射位置へ配線基板上の切断点を移動させる。ステッ
プＳ５において、切断位置に配置された配線基板のそり
量を補正する。この補正は、高さモニタ２２からの信号
に基づき、加工ステージのＺ補正を行なうことによって
実行する。
【００３１】次に、ステップＳ６において、撮像モニタ
からの信号に基づき、切断部位のパターン幅と位置を読
み取り、エキシマレーザビームの照射位置を微調整す
る。次に、ステップＳ７において、切断すべき不要部の
パターン幅と切断長データを基にマスクサイズを自動変
更する。
からの信号に基づき、切断部位のパターン幅と位置を読
み取り、エキシマレーザビームの照射位置を微調整す
る。次に、ステップＳ７において、切断すべき不要部の
パターン幅と切断長データを基にマスクサイズを自動変
更する。
【００３２】次に、ステップＳ８において、高エネルギ
密度のエキシマレーザビームを基準ショット数照射す
る。基準ショット数は対象とする金属膜の種類、厚さ、
エキシマレーザビームのエネルギ密度等に依存するが、
たとえば数百位である。この場合のエネルギ密度は、た
とえば約１５Ｊ／ｃｍ2 程度の高エネルギ密度である。
次に、ステップＳ９において、撮像モニタを用いて切断
部位の画像を取り込み、データ化して切断部をチェック
する。
密度のエキシマレーザビームを基準ショット数照射す
る。基準ショット数は対象とする金属膜の種類、厚さ、
エキシマレーザビームのエネルギ密度等に依存するが、
たとえば数百位である。この場合のエネルギ密度は、た
とえば約１５Ｊ／ｃｍ2 程度の高エネルギ密度である。
次に、ステップＳ９において、撮像モニタを用いて切断
部位の画像を取り込み、データ化して切断部をチェック
する。
【００３３】ステップＳ１０において、画像データに基
づき、切断部位が完全に切断されたか否かを判定する。
切断されていないときは、Ｎの矢印にしたがってステッ
プＳ１１に進み、高エネルギ密度のエキシマレーザビー
ムを追加照射する。たとえば、１０ショット程度の高エ
ネルギ密度エキシマレーザビームを照射する。
づき、切断部位が完全に切断されたか否かを判定する。
切断されていないときは、Ｎの矢印にしたがってステッ
プＳ１１に進み、高エネルギ密度のエキシマレーザビー
ムを追加照射する。たとえば、１０ショット程度の高エ
ネルギ密度エキシマレーザビームを照射する。
【００３４】ステップＳ１１の後、再びステップＳ９、
Ｓ１０に進み、切断部位の撮像と切断完了の判定を繰り
返し行なう。切断が完了したときは、Ｙの矢印にしたが
ってステップＳ１０からステップＳ１２に進み、切断す
べき全ポイントが完了したかを判定する。切断すべき部
位が残っているときは、Ｎの矢印にしたがってステップ
Ｓ１２からステップＳ４へ戻る。全ポイントの切断が完
了しているときは、Ｙの矢印にしたがってステップＳ１
２からステップＳ１３に進む。
Ｓ１０に進み、切断部位の撮像と切断完了の判定を繰り
返し行なう。切断が完了したときは、Ｙの矢印にしたが
ってステップＳ１０からステップＳ１２に進み、切断す
べき全ポイントが完了したかを判定する。切断すべき部
位が残っているときは、Ｎの矢印にしたがってステップ
Ｓ１２からステップＳ４へ戻る。全ポイントの切断が完
了しているときは、Ｙの矢印にしたがってステップＳ１
２からステップＳ１３に進む。
【００３５】ステップＳ１３では、マスク、イメージン
グレンズの位置を移動させ、より広い面積を照射するよ
うに縮小率を変更する。拡大された照射領域は、各切断
部の溶融金属粉分布領域を内包するように設定される。
グレンズの位置を移動させ、より広い面積を照射するよ
うに縮小率を変更する。拡大された照射領域は、各切断
部の溶融金属粉分布領域を内包するように設定される。
【００３６】続いてステップＳ１４において、パターン
切断時のデータを基に、加工ステージを移動し、エキシ
マレーザビーム照射位置へ切断点を移動させる。また、
マスク開口長を変更し、ワークピース上でエキシマレー
ザビームが所定面積を照射するように調整する。たとえ
ば、マスク開孔の大きさは１５×５ｍｍ程度とする。
切断時のデータを基に、加工ステージを移動し、エキシ
マレーザビーム照射位置へ切断点を移動させる。また、
マスク開口長を変更し、ワークピース上でエキシマレー
ザビームが所定面積を照射するように調整する。たとえ
ば、マスク開孔の大きさは１５×５ｍｍ程度とする。
【００３７】次に、ステップＳ１５において、たとえば
５〜７Ｊ／ｃｍ2 程度の低エネルギ密度でエキシマレー
ザビームを、たとえば約１０ショット程度照射する。こ
の低エネルギ密度のエキシマレーザビーム照射は、ステ
ップＳ８の切断照射によって生じた金属溶融粉の除去の
ためのものである。したがって、この低エネルギ密度の
エキシマレーザビーム照射をクリーニング照射と呼ぶ。
５〜７Ｊ／ｃｍ2 程度の低エネルギ密度でエキシマレー
ザビームを、たとえば約１０ショット程度照射する。こ
の低エネルギ密度のエキシマレーザビーム照射は、ステ
ップＳ８の切断照射によって生じた金属溶融粉の除去の
ためのものである。したがって、この低エネルギ密度の
エキシマレーザビーム照射をクリーニング照射と呼ぶ。
【００３８】ステップＳ１５のクリーニング照射が終わ
った後、ステップＳ１６で全ポイントのクリーニング照
射が完了したか否かを判定する。クリーニングすべきポ
イントが残っているときは、Ｎの矢印にしたがってステ
ップＳ１４に戻る。全ポイントが完了したときは、Ｙの
矢印にしたがってプロセスを終了させる。
った後、ステップＳ１６で全ポイントのクリーニング照
射が完了したか否かを判定する。クリーニングすべきポ
イントが残っているときは、Ｎの矢印にしたがってステ
ップＳ１４に戻る。全ポイントが完了したときは、Ｙの
矢印にしたがってプロセスを終了させる。
【００３９】図４は、クリーニング照射により、どのよ
うに溶融金属粉が除去されたかの実験結果を示すグラフ
である。前準備としてガラスエポキシを材料とする絶縁
基板上に銅を材料とし、厚さ０．０５ｍｍ、幅０．１５
ｍｍの多数の配線を形成し、エネルギ密度１５Ｊ／ｃｍ
2 、パルス数約５００のＫｒＦエキシマレーザで切断を
行なった。その後、種々のクリーニング照射を行なっ
た。
うに溶融金属粉が除去されたかの実験結果を示すグラフ
である。前準備としてガラスエポキシを材料とする絶縁
基板上に銅を材料とし、厚さ０．０５ｍｍ、幅０．１５
ｍｍの多数の配線を形成し、エネルギ密度１５Ｊ／ｃｍ
2 、パルス数約５００のＫｒＦエキシマレーザで切断を
行なった。その後、種々のクリーニング照射を行なっ
た。
【００４０】横軸にクリーニング照射時のショット数を
とり、縦軸に照射後の絶縁抵抗を示す。なお、切断幅は
約０．５ｍｍであり、クリーニング照射時のエネルギ密
度は約７Ｊ／ｃｍ2 とした。実験結果を図中○で示す。
とり、縦軸に照射後の絶縁抵抗を示す。なお、切断幅は
約０．５ｍｍであり、クリーニング照射時のエネルギ密
度は約７Ｊ／ｃｍ2 とした。実験結果を図中○で示す。
【００４１】クリーニング照射を２ショットのみ行なっ
たときは、６サンプル中１つのサンプルは絶縁抵抗とし
て許容されない１０6 Ω以下の抵抗を示し、残りの５サ
ンプルも最低規格は越えるものの、満足すべき絶縁抵抗
である１０8 Ωには到達していなかった。
たときは、６サンプル中１つのサンプルは絶縁抵抗とし
て許容されない１０6 Ω以下の抵抗を示し、残りの５サ
ンプルも最低規格は越えるものの、満足すべき絶縁抵抗
である１０8 Ωには到達していなかった。
【００４２】クリーニング照射を５ショット行なったと
きは、６サンプル中５サンプルは満足すべき絶縁抵抗で
ある１０11Ω以上の抵抗値を示したが、１サンプルは１
０6Ω以下であった。
きは、６サンプル中５サンプルは満足すべき絶縁抵抗で
ある１０11Ω以上の抵抗値を示したが、１サンプルは１
０6Ω以下であった。
【００４３】クリーニング照射を１０ショットおよび２
０ショット行なったときは、測定した全てのサンプルが
１０11Ω以上の絶縁抵抗を示し、極めて満足すべき結果
が得られた。
０ショット行なったときは、測定した全てのサンプルが
１０11Ω以上の絶縁抵抗を示し、極めて満足すべき結果
が得られた。
【００４４】このように、適当なクリーニング照射を行
なうことにより、同一装置内で切断とその後のクリーニ
ングを行なうことができる。このため、切断後、クロロ
セン洗浄やブラシ清掃を行なうことが不要となった。
なうことにより、同一装置内で切断とその後のクリーニ
ングを行なうことができる。このため、切断後、クロロ
セン洗浄やブラシ清掃を行なうことが不要となった。
【００４５】以上、不要配線の切断を例にとって説明し
たが、同様の方法で金属膜パターンのエッチング不良部
の調整等を行なうこともできる。図５は、このような配
線パターンのエッチング不良部の例を示す。配線パター
ン１を形成するためにエッチングを行なった際、エッチ
ング不良のため一部の配線に突出部３１が残り、隣接す
る配線パターンと近接し、リーク、短絡等の原因となる
ことがある。このような場合、配線パターンの突出部３
１にエキシマレーザビームを照射し、前述の実施例同
様、削除、クリーニングすることができる。
たが、同様の方法で金属膜パターンのエッチング不良部
の調整等を行なうこともできる。図５は、このような配
線パターンのエッチング不良部の例を示す。配線パター
ン１を形成するためにエッチングを行なった際、エッチ
ング不良のため一部の配線に突出部３１が残り、隣接す
る配線パターンと近接し、リーク、短絡等の原因となる
ことがある。このような場合、配線パターンの突出部３
１にエキシマレーザビームを照射し、前述の実施例同
様、削除、クリーニングすることができる。
【００４６】図６は、図３のプロセスで用いるような可
変マスクの例を示す。銅合金、モリブデン等の金属で形
成された対向エッジ部材３３ａ、３３ｂの対向内側エッ
ジがマスクの一対の対向辺を形成し、同様の対向エッジ
部材３５ａ、３５ｂが残る一対の対向辺を構成する。制
御信号にしたがって、対向エッジ部材３３ａ、３３ｂお
よび他の対向エッジ部材３５ａ、３５ｂを制御すれば、
中央に所望の矩形開口３７を形成することができる。
変マスクの例を示す。銅合金、モリブデン等の金属で形
成された対向エッジ部材３３ａ、３３ｂの対向内側エッ
ジがマスクの一対の対向辺を形成し、同様の対向エッジ
部材３５ａ、３５ｂが残る一対の対向辺を構成する。制
御信号にしたがって、対向エッジ部材３３ａ、３３ｂお
よび他の対向エッジ部材３５ａ、３５ｂを制御すれば、
中央に所望の矩形開口３７を形成することができる。
【００４７】配線パターンの不要部の削除や切断にはこ
のような可変マスクを用いるのが好適である。勿論、図
２（Ｂ）に例示したような固定パターンマスクを用いる
こともできる。たとえば、一枚のステンシルマスク上に
種々の開口パターンを作成しておき、エキシマレーザビ
ームを照射すべき部分の形状に合わせて開口パターンを
選択することもできる。
のような可変マスクを用いるのが好適である。勿論、図
２（Ｂ）に例示したような固定パターンマスクを用いる
こともできる。たとえば、一枚のステンシルマスク上に
種々の開口パターンを作成しておき、エキシマレーザビ
ームを照射すべき部分の形状に合わせて開口パターンを
選択することもできる。
【００４８】エキシマレーザは、マスクと光学系により
任意の形状に整形することができるため、たとえばパタ
ーン幅０．０２ｍｍ程度のファインパターンの加工も実
行することができる。配線パターン以外の金属パターン
を整形することもできる。
任意の形状に整形することができるため、たとえばパタ
ーン幅０．０２ｍｍ程度のファインパターンの加工も実
行することができる。配線パターン以外の金属パターン
を整形することもできる。
【００４９】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エキシマレーザビームを用いることにより、高精度の整
形金属パターンを作製することができる。
エキシマレーザビームを用いることにより、高精度の整
形金属パターンを作製することができる。
【００５１】レーザビームの形状を整形することによ
り、ドリル加工の困難な密集ファインパターンの整形が
可能となる。
り、ドリル加工の困難な密集ファインパターンの整形が
可能となる。
【図１】本発明の基本実施例による配線パターンの切断
を説明するための概略平面図である。
を説明するための概略平面図である。
【図２】図１に示すような金属膜の加工を行なうための
エキシマレーザ加工システムのシステム構成を示す。図
２（Ａ）はエキシマレーザ加工システムのシステム構成
を示す概略斜視図、図２（Ｂ）は結像系を説明するため
の概略斜視図である。
エキシマレーザ加工システムのシステム構成を示す。図
２（Ａ）はエキシマレーザ加工システムのシステム構成
を示す概略斜視図、図２（Ｂ）は結像系を説明するため
の概略斜視図である。
【図３】本発明のより具体的実施例による整形配線基板
の作成プロセスを示すフローチャートである。
の作成プロセスを示すフローチャートである。
【図４】クリーニング照射による絶縁抵抗の向上を示す
データのグラフである。
データのグラフである。
【図５】エキシマレーザビーム加工の対象となるエッチ
ング不良部の例を示す平面図である。
ング不良部の例を示す平面図である。
【図６】実施例に用いる可変マスクの構成例を示す概略
平面図である。
平面図である。
１ 配線パターン ２ レーザ照射領域 ３ パターン除去部 ４ 金属溶融粉 ５ レーザ照射領域 １１ エキシマレーザヘッド １２ レーザ駆動部 １３、１４、１６ ミラー １５ マスク １７ イメージングレンズ １８ ワークピース １９ 撮像モニタ ２１ コントローラ ２２ 高さモニタ ２３ Ｘステージ ２４ Ｙステージ ２５ 加工ステージ ２６ Ｚ調整機構 ２８ 開口 ３１ 突出部 ３３、３５ エッジ部材 ３７ 可変矩形開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−75487（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−73794（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−260155（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−87391（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−280494（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/00 - 3/38
Claims (3)
- 【請求項１】 支持体に不要部を有する金属パターンが
固定されている対象物を準備する工程と、 前記不要部の形状、位置をデータ化する工程と、 エキシマレーザビームを前記データに基づいて整形し、
所定の第１のエネルギ密度で前記不要部に照射して、不
要部の金属パターンを除去する除去工程と、 前記エキシマレーザビームのエネルギ密度を前記第１の
エネルギ密度より低い値に設定し、前記不要部を含む拡
大領域に照射してクリーニングを行なうクリーニング工
程とを含む整形金属パターンの製造方法 - 【請求項２】 前記除去工程が、所定数のエキシマレー
ザパルスを照射する主照射工程と、その後前記金属パタ
ーンを観察する工程と、前記不要部が除去されていない
場合にさらに所定数のエキシマレーザパルスを照射する
補助照射工程を含む請求項１記載の整形金属パターンの
製造方法。 - 【請求項３】 前記対象物がプリント配線板であり、前
記第１のエネルギ密度が１０Ｊ／ｃｍ2 以上であり、前
記第２のエネルギ密度が５〜７Ｊ／ｃｍ2 である請求項
１ないし２記載の整形金属パターンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04139311A JP3101421B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 整形金属パターンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04139311A JP3101421B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 整形金属パターンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335726A JPH05335726A (ja) | 1993-12-17 |
| JP3101421B2 true JP3101421B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=15242349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04139311A Expired - Fee Related JP3101421B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 整形金属パターンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3101421B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261425A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路基板の製造方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
| TWI326626B (en) | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
| CN100485902C (zh) | 2002-03-12 | 2009-05-06 | 浜松光子学株式会社 | 基板的分割方法 |
| TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | 濱松赫德尼古斯股份有限公司 | Cutting method of semiconductor substrate |
| JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
| JP5406167B2 (ja) * | 2010-11-12 | 2014-02-05 | 東芝テック株式会社 | インクジェット記録装置の製造方法 |
| JP5891342B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2016-03-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器の製造方法 |
| JP7059839B2 (ja) * | 2018-07-11 | 2022-04-26 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク製造装置、蒸着パターン形成方法、および有機半導体素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP04139311A patent/JP3101421B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261425A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05335726A (ja) | 1993-12-17 |
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|---|---|---|---|
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