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JP3096743B2 - ランプアニール炉の温度制御装置 - Google Patents

ランプアニール炉の温度制御装置

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Publication number
JP3096743B2
JP3096743B2 JP03158495A JP15849591A JP3096743B2 JP 3096743 B2 JP3096743 B2 JP 3096743B2 JP 03158495 A JP03158495 A JP 03158495A JP 15849591 A JP15849591 A JP 15849591A JP 3096743 B2 JP3096743 B2 JP 3096743B2
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temperature
control
lamp
output
radiation thermometer
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秀起 東頭
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Koyo Seiko Co Ltd
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Koyo Seiko Co Ltd
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Publication date
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Priority to US07/905,433 priority patent/US5332883A/en
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/27—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing element responsive to radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033—Heating devices using lamps
    • H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
    • H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture

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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ランプアニール炉の
温度制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ランプアニール炉は、たとえば石英製プ
ロセスチューブ内に入れられた被加熱物をハロゲンラン
プの光照射により加熱するものであり、半導体ウェハの
アニールなどに使用される。
【０００３】ランプアニール炉でウェハのアニールを行
なう場合、ウェハの温度が予め設定された目標温度制御
パターンと一致するように制御される。図５は、ウェハ
のアニール時の目標温度制御パターンの１例を示してい
る。この場合、ウェハの温度は、加熱開始後約８秒で目
標到達温度である約１０００℃の定温域に達し、加熱開
始後約３０秒で徐々に冷却される。このようなウェハの
アニールの際、とくに定温域において±２℃以内の精度
の高い温度制御が求められている。
【０００４】上記のような目標温度制御パターンにした
がう温度制御方法として、実験などに基づいて予め設定
したランプ出力制御パターンにしたがってランプ出力を
制御する開ループ制御と、温度センサでウェハの温度を
測定しながら測定温度が目標温度制御パターンに一致す
るようにランプ出力を制御する閉ループ制御とがある
が、これらには次のような問題があった。
【０００５】開ループ制御の場合、ウェハの温度はラン
プから与えられるエネルギによって決定されるが、プロ
セスチューブや処理ガスの初期温度、ウェハの初期温度
や吸収率などが異なると、同一のエネルギを与えても温
度上昇の状態が異なり、したがって、ウェハの温度を目
標温度制御パターンに合致させて再現性の良い制御を行
なうことができなかった。
【０００６】一方、閉ループ制御の場合、ウェハの温度
を広範囲にわたって時間遅れが生じないように測定する
必要があるが、熱電対や放射温度計のような従来の温度
センサではこれが困難であり、ウェハの温度を目標温度
制御パターンに合致するように制御することができなか
った。すなわち、ウェハのアニールの場合、ウェハの温
度は短時間で上昇するが、熱電対はウェハと熱平衡の状
態になるのに時間がかかり、熱電対がウェハと熱平衡の
状態に達するまでに温度が上昇してしまう。そして、こ
のようにウェハの温度変化に対して熱電対の時間遅れが
大きいため、実際のウェハの温度を目標温度制御パター
ンに合致させることが困難であった。放射温度計の場
合、時間遅れは小さいが、測定範囲に限度があり、約３
００℃以下の温度を測定することが不可能である。この
ため、放射温度計を用いて閉ループ制御を行なうことも
困難であった。
【０００７】このような問題を解決するため、放射温度
計を用い、放射温度計で測定可能な温度域に達するまで
は予め定められたランプ出力制御パターンにしたがって
ランプ出力を制御する開ループ制御を行ない、上記温度
域に達したのちに測定温度を目標温度制御パターンに一
致させるようにランプ出力を制御する閉ループ制御を行
なうようにしたランプアニール炉の温度制御装置が提案
されている（特開昭６２−９８７２２号公報参照）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のラン
プアニール炉の温度制御装置の場合、放射温度計で測定
可能な温度域に達するまでの開ループ制御において、前
述のように、ウェハの状態などによって温度上昇の状態
が異なる。このため、放射温度計で測定可能な温度域に
達して開ループ制御から閉ループ制御に切替わるときの
測定温度の勾配もウェハの状態などによって異なる。そ
して、このときの測定温度の勾配が目標温度制御パター
ンの勾配と大きく離れていると、目標到達温度との間に
定常偏差が生じ、精度の高い制御ができなくなる。
【０００９】この発明の目的は、上記の問題を解決し、
定常偏差をなくして精度の高い制御ができるランプアニ
ール炉の温度制御装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明によるランプア
ニール炉の温度制御装置は、被加熱物を加熱するランプ
群、被加熱物の温度を測定する放射温度計、および放射
温度計の出力に基づいてランプ出力を制御するランプ出
力制御装置を備えており、ランプ出力制御装置が、目標
温度制御パターンを予め記憶しており、放射温度計の出
力が放射温度計で測定可能な最低温度以上の所定の閉ル
ープ制御可能温度域に達するまでは予め定められたラン
プ出力制御パターンにしたがってランプ出力を制御する
開ループ制御を行ない、放射温度計の出力が上記閉ルー
プ制御可能温度域に達したのちは、放射温度計による測
定温度の勾配と目標温度制御パターンの勾配とを比較
し、前者と後者の勾配の比が所定の制御切替え基準値よ
り小さい間は上記開ループ制御を継続し、上記勾配の比
が上記制御切替え基準値以上になったのちに測定温度を
目標温度制御パターンに一致させるようにランプ出力を
制御する閉ループ制御を行なうようになされているもの
である。
【００１１】
【作用】放射温度計の出力が放射温度計で測定可能な最
低温度以上の閉ループ制御可能温度域に達しても、放射
温度計による測定温度の勾配と目標温度制御パターンの
勾配との比が制御切替え基準値より小さい間は予め定め
られたランプ出力制御パターンにしたがってランプ出力
を制御する開ループ制御を継続し、この勾配の比が制御
切替え基準値以上になってから測定温度を目標温度制御
パターンに一致させるようにランプ出力を制御する閉ル
ープ制御を行なうので、開ループ制御から閉ループ制御
に切替わるときの測定温度の勾配と目標温度制御パター
ンの勾配との差が小さくなり、したがって、目標到達温
度に対する定常偏差が小さくなる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例に
ついて説明する。
【００１３】図１は、ランプアニール炉の主要部の１例
を示している。
【００１４】ランプアニール炉は偏平角筒状の石英製プ
ロセスチューブ(1)を備えており、プロセスチューブ(1)
の一端部にガス供給口(2)が、他端部の蓋(3) にガス排
出口(4) が設けられている。プロセスチューブ(1) の上
下に複数のハロゲンランプ(5) が配置されて、ランプ群
(6) が構成されている。これらのランプ(5) は、反射板
(7) を備えたランプハウス(8) に収容されている。半導
体ウェハ(9) は、プロセスチューブ(1) 内の中央部に収
容された石英製サセプタ(10)の上に配置され、このよう
な状態で、ランプ(5) の照射によりウェハ(9) が加熱さ
れる。
【００１５】下側のランプハウス(8) の下面中央部に取
付具(11)を介して放射温度計(12)が取付けられており、
取付具(11)とプロセスチューブ(1) の下壁中央部との間
にランプハウス(8) を上下に貫通する中空管(13)が設け
られている。そして、放射温度計(12)が中空管(13)を通
してウェハ(9) からの放射光を受光し、ウェハ(9) の温
度に対応する信号を出力するようになっており、これに
よってウェハ(9) の温度が測定される。
【００１６】図２は、上記のランプアニール炉の温度制
御装置の構成の１例を示している。
【００１７】温度制御装置は、前記ランプ群(6) および
放射温度計(12)ならびにランプ出力制御装置(14)より構
成されている。
【００１８】ランプ出力制御装置(14)は、次のようにラ
ンプ群(6)の出力を制御する。加熱後、放射温度計(12)
の出力が予め定められた閉ループ制御可能温度域に達す
るまでは、予め定められたランプ出力制御パターンにし
たがってランプ群(6) の出力を制御する開ループ制御を
行なう。閉ループ制御可能温度域に達すると、放射温度
計(12)による測定温度の勾配（測定温度勾配）と目標温
度制御パターンの勾配（目標温度勾配）との比（温度勾
配比）を求める。そして、温度勾配比が予め定められた
制御切替え基準値より小さい間は、上記開ループ制御を
継続し、温度勾配比が制御切替え基準値以上になったな
らば、測定温度を目標温度制御パターンに一致させるよ
うにランプ出力を制御する閉ループ制御を行なう。
【００１９】閉ループ制御可能温度域の下限は放射温度
計で測定可能な最低温度以上であり、たとえば３００℃
に設定される。
【００２０】開ループ制御時の出力制御パターンには、
ランプ出力を一定に維持するもの、時間によってランプ
出力を段階的に変化させるものなどがある。
【００２１】ランプ出力制御装置(14)は、演算装置(15)
およびランプ駆動装置(16)より構成されている。
【００２２】演算装置(15)は、上記のような制御を行な
うための演算および指令を行なうものである。
【００２３】ランプ駆動装置(16)は、演算装置(15)から
の指令にしたがってランプ群(6) の出力を制御するもの
であり、たとえばサイリスタやトライアックによってラ
ンプ(5) の電流を制御する。
【００２４】図３は、演算装置(15)の構成の１例を示し
ている。
【００２５】演算装置(15)は、マイコン（マイクロコン
ピュータ）(17)、増幅器(18)、Ａ／Ｄ変換器(19)、Ｄ／
Ａ変換器(20)、入力装置(21)および表示装置(22)より構
成されている。
【００２６】増幅器(18)は、放射温度計(12)の出力を増
幅してＡ／Ｄ変換器(19)に送るものである。
【００２７】Ａ／Ｄ変換器(19)は、増幅器(18)により増
幅された放射温度計(12)の出力をＡ／Ｄ変換してマイコ
ン(17)に送るものである。
【００２８】Ｄ／Ａ変換器(20)は、マイコン(17)の出力
をＤ／Ａ変換してランプ駆動装置(16)に送るものであ
る。
【００２９】入力装置(21)は、ランプ出力制御パター
ン、目標温度制御パターン、制御パラメータの設定およ
び選択などを行なうためのものである。
【００３０】表示装置(22)は、入力装置(21)からデータ
を入力する際の表示やマイコン(17)の内部状態の表示を
行なうものである。
【００３１】マイコン(17)のメモリには、入力装置(21)
から設定されたランプ出力制御パターン、目標温度制御
パターン、制御パラメータなどが記憶されている。これ
らは複数ずつ設定でき、入力装置(21)から１つずつ選択
して使用できるようになっている。そして、マイコン(1
7)は、これらのデータを使用して、放射温度計(12)の出
力に基づいてランプ駆動装置(16)を制御する。
【００３２】次に、図４の演算装置(15)のマイコン(17)
の作動を示すフローチャートを参照して、温度制御動作
の１例を説明する。
【００３３】演算装置(15)において出力制御パターン、
目標温度制御パターンおよび制御パラメータなどの設
定、選択などを行なったのちに、加熱開始スイッチを押
すと、まず、ランプ出力制御パターンにしたがった開ル
ープ制御が開始する（ステップ１）。次に、放射温度計
(12)の出力を読み込んでウェハ(9) の温度を測定し（ス
テップ２）、これが閉ループ制御可能温度域（３００℃
以上）に入ったかどうかを調べる（ステップ３）。ステ
ップ３において閉ループ制御可能温度域に達していなけ
れば、ステップ４に進んで所定の制御周期を経過させる
タイマー処理を行なったのち、ステップ２に戻る。この
ように、測定温度が閉ループ制御可能温度域に達するま
では、制御周期ごとに温度測定を行ないながら、開ルー
プ制御が行なわれる。
【００３４】ステップ３において測定温度が閉ループ制
御可能温度域に達すると、ステップ５に進み、温度が目
標到達温度（たとえば１０００℃）の８０％以上になっ
たかどうかを調べる。ステップ５において目標到達温度
の８０％以上になっていなければ、ステップ６に進み、
測定温度勾配と目標温度勾配から温度勾配比を求める。
測定温度勾配は、測定温度より求めることができる。目
標温度勾配は、目標温度制御パターンのうちの測定温度
に最も近い部分の勾配を求めることによって求められ
る。温度勾配比は、このようにして求めた測定温度勾配
と目標温度勾配の比を求めることによって求められる。
【００３５】次に、温度勾配比が所定の制御切替え基準
値（たとえば０．９）以上であるかどうかを調べる（ス
テップ７）。ステップ７において制御切替え基準値以上
でなければ、ステップ４に進んで制御周期を経過させる
タイマー処理を行なったのち、ステップ２に戻る。この
ように、閉ループ制御可能温度域に達しても温度勾配比
が制御切替え基準値以上になるまでは、制御周期ごとに
温度測定を行ないながら、開ループ制御が行なわれる。
【００３６】ステップ７において温度勾配比が制御切替
え基準値以上になれば、ステップ８に進み、次のように
閉ループ制御を行なう。すなわち、まず、メモリに記憶
されている目標温度制御パターンのデータの中からその
ときの測定温度に最も近い点を探して、これを閉ループ
制御の出発温度とし、以後、測定温度がこの出発温度以
降の目標温度制御パターンと一致するようにランプ出力
の制御を行なう。なお、この閉ループ制御は、たとえば
前述の特開昭６２−９８７２２号の場合と同様に行なわ
れる。そして、目標温度制御パターンの終了点まで閉ル
ープ制御が行なわれたならば、処理を終了する。
【００３７】閉ループ制御可能温度域に達したのちに温
度勾配比が制御切替え基準値以上にならなくても、ステ
ップ５において測定温度が目標到達温度の８０％以上に
なれば、ステップ８に進み、閉ループ制御が行なわれ
る。たとえば、初期のランプ出力が小さい場合、温度上
昇の勾配が小さく、温度勾配が制御切替え基準値以上に
ならないことがある。このような場合は、上記のように
ステップ５からステップ８に進んで強制的に閉ループ制
御に切替わるようになっている。
【００３８】このように、測定温度が閉ループ制御可能
温度域に達しても、温度勾配比が制御切替え基準値より
小さい間は開ループ制御を継続し、温度勾配比が制御切
替え基準値以上になってから閉ループ制御を行なうの
で、開ループ制御から閉ループ制御に切替わるときの測
定温度の勾配と目標温度制御パターンの勾配との差が小
さくなり、したがって、目標到達温度に対する定常偏差
が小さくなり、精度の高い温度制御ができる。
【００３９】半導体ウェハのアニールの場合、熱処理と
して意味のある温度は目標到達温度から｛目標到達温度
−（１００〜２００）℃｝までの範囲であり、これは、
上記実施例の場合、最大でも１０００〜８００℃の範囲
である。そして、１０００〜８００℃の範囲内における
温度変化の差は熱処理に影響を与えるが、これ以下の温
度範囲における温度変化の差は熱処理に影響を与えな
い。上記の実施例では、開ループ制御を行なっている間
はウェハの状態などによって温度変化の状態に差が生じ
るが、閉ループ制御に切替わると目標温度制御パターン
にしたがって制御されるため温度変化に差が生じない。
そして、測定温度が８００℃以上になる前に必ず開ルー
プ制御から閉ループ制御に切替えられるので、上記のよ
うに開ループ制御による温度変化の差が熱処理に影響を
与えることがなく、所期の正しい熱処理が行なわれる。
【００４０】
【発明の効果】この発明のランプアニール炉の温度制御
装置によれば、上述のように、閉ループ制御可能温度域
に入っても測定温度の勾配と目標温度制御パターンの勾
配の差がある程度小さくなってから閉ループ制御に切替
えられるので、定常偏差が小さくなり、精度の高い温度
制御が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例を示すランプアニール炉の縦
断面図である。
【図２】ランプアニール炉の温度制御装置のブロック図
である。
【図３】温度制御装置の演算装置のブロック図である。
【図４】演算装置のマイコンの動作の１例を示すフロー
チャートである。
【図５】目標温度制御パターンの１例を示す線図であ
る。
【符号の説明】
(5) ハロゲンランプ (6) ランプ群 (9) 半導体ウェハ (12) 放射温度計 (14) ランプ出力制御装置

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】被加熱物を加熱するランプ群、被加熱物の
    温度を測定する放射温度計、および放射温度計の出力に
    基づいてランプ出力を制御するランプ出力制御装置を備
    えており、ランプ出力制御装置が、目標温度制御パター
    ンを予め記憶しており、放射温度計の出力が放射温度計
    で測定可能な最低温度以上の所定の閉ループ制御可能温
    度域に達するまでは予め定められたランプ出力制御パタ
    ーンにしたがってランプ出力を制御する開ループ制御を
    行ない、放射温度計の出力が上記閉ループ制御可能温度
    域に達したのちは、放射温度計による測定温度の勾配と
    目標温度制御パターンの勾配とを比較し、前者と後者の
    勾配の比が所定の制御切替え基準値より小さい間は上記
    開ループ制御を継続し、上記勾配の比が上記制御切替え
    基準値以上になったのちに測定温度を目標温度制御パタ
    ーンに一致させるようにランプ出力を制御する閉ループ
    制御を行なうようになされているランプアニール炉の温
    度制御装置。
JP03158495A 1991-06-28 1991-06-28 ランプアニール炉の温度制御装置 Expired - Lifetime JP3096743B2 (ja)

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EP92110656A EP0520417B1 (en) 1991-06-28 1992-06-24 Temperature control system for lamp annealer
DE69213356T DE69213356T2 (de) 1991-06-28 1992-06-24 Temperatur-Regelungssystem für ein Tempergerät mit Heizlampe
TW081104997A TW209330B (ja) 1991-06-28 1992-06-25
KR1019920011199A KR100210741B1 (ko) 1991-06-28 1992-06-26 램프 어닐링 로의 램프 출력 제어 방법
US07/905,433 US5332883A (en) 1991-06-28 1992-06-29 Temperature control system for lamp annealer

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EP (1) EP0520417B1 (ja)
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DE (1) DE69213356T2 (ja)
TW (1) TW209330B (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2283583B (en) * 1993-10-15 1998-06-24 Seiko Epson Corp Temperature control in a fixing device for an image forming apparatus
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US6064799A (en) * 1998-04-30 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling the radial temperature gradient of a wafer while ramping the wafer temperature
US5930456A (en) 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5970214A (en) 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
JP2000286200A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Kokusai Electric Co Ltd 熱処理方法および熱処理装置
KR100432135B1 (ko) * 2001-06-30 2004-05-17 동부전자 주식회사 급속 열처리 장치
US20070179677A1 (en) * 2003-11-25 2007-08-02 Polymer Innovation, Llc Self contained bench top enclosure temperature control system
KR102049814B1 (ko) * 2018-07-09 2019-11-28 (주)하이비젼시스템 램프를 활용한 비접촉식 급속 온도 제어 장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3803386A (en) * 1972-10-13 1974-04-09 Kerdon Corp Aquarium heater
US3796858A (en) * 1972-12-05 1974-03-12 J Cohn Decorative aquarium heater
US3890486A (en) * 1973-05-01 1975-06-17 Equipment Dev Corp Aquarium-tank heating control
US3895217A (en) * 1974-01-14 1975-07-15 Odell Mfg Inc Thermostatically controlled safety heater for aquariums
US3896289A (en) * 1974-11-13 1975-07-22 Renna Edmond F Di Aquarium water heater
US4149067A (en) * 1976-11-15 1979-04-10 Erhard Boettger Aquarium heater
US4163145A (en) * 1978-05-30 1979-07-31 Neff Paul C Aquarium heater
US4276466A (en) * 1979-05-11 1981-06-30 Raychem Corporation Heater with distributed heating element
US4379220A (en) * 1979-05-11 1983-04-05 Raychem Corporation Method of heating liquid
FR2474802A1 (fr) * 1980-01-29 1981-07-31 Gloria Sa Resistances chauffantes et thermostats pour aquariophilie
DE3021390C2 (de) * 1980-06-06 1984-06-07 Eugen Jäger GmbH, 7156 Wüstenrot Aquarientauchheizkörper
JPS6298722A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Koyo Seiko Co Ltd 光加熱装置の温度制御装置
KR910002596B1 (ko) * 1985-11-21 1991-04-27 다이닛뽕 스크린 세이조오 가부시기가이샤 온도제어방법 및 그 장치
JP2530124B2 (ja) * 1986-05-12 1996-09-04 光洋精工株式会社 ランプアニ−ル炉の温度制御装置
JP2729283B2 (ja) * 1986-05-12 1998-03-18 光洋精工株式会社 ランプアニール炉の温度制御装置
DE3642181C1 (de) * 1986-12-10 1988-04-14 Wolf & Co Kg Kurt Anordnung zum Beeinflussen der Gar- bzw. Kochzeit bei einem Kochgefaess
KR900008978B1 (ko) * 1987-01-22 1990-12-15 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 가열조리장치
FR2633481B1 (fr) * 1988-06-22 1996-04-26 Seb Sa Procede de regulation thermique d'un appareil chauffant, dispositif pour sa mise en oeuvre et appareil chauffant comportant ce dispositif
US4889973A (en) * 1988-10-12 1989-12-26 Farinacci Michael F Aquarium heater

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