JP3086272B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【産業上の利用分野】本発明は有機エレクトロルミネッ
センス素子に関し、詳しくは発光均一性を向上させ、初
期輝度低下を抑制する有機エレクトロルミネッセンス素
子に関する。

【０００１】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】エレク
トロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）は、自己発光のた
め視認性が高く、また、完全固体素子であり、耐衝撃性
に優れるという特徴を有していることから、現在、無機
・有機化合物を用いたいろいろな素子が提案され、か
つ、実用化が試みられている。これらの素子のうち、有
機ＥＬ素子は印加電圧を大幅に低下させることができる
ので、各種材料・素子の開発が進められている。前記有
機ＥＬ素子の構成については、陽極／発光層／陰極を基
本構成として、発光性能向上のため、正孔注入層や電子
注入層を必要に応じて設ける構成が知られている。この
ような素子構成において陰極は発光層との付着性が十分
でなければならない。この付着性が十分でない場合、機
械的強度が低下し、発光不均一や特に悪い場合に無発光
領域を生じる。さらに、発光面内の負荷が不均一にな
り、このため、劣化を促進し寿命を短くする要因とな
り、実用化への問題点となる。

【０００２】従来、電子注入層や正孔障壁層を必要に応
じて発光層と陰極の間に設ける技術が知られている。こ
れらの技術は特に、後者の層を設ける場合は、発光層と
のエネルギーレベルの違いにより決定するものであり、
この概念に従う材料でなければならない。例えば、「発
光層の第一酸化電位より0.１Ｖ以上大きな第一酸化電位
を有する正孔阻止層（正孔障壁層）を発光層と陰極の間
に設ける」（特開平２−１９５６８３公報）技術が挙げ
られる。特開平２−１９５６８３公報及び特開平２−２
５５７８８公報においても、上記概念に基づき正孔障壁
層として８−ヒドロキシキノリン誘導体が用いられてい
るが、青系統での発光効率が0.３（ｌｍ・Ｗ^-1）とまだ
低いものである。一方、特願平２−２４２６６９公報，
特願平２−２７９３０４公報に記載されている材料を発
光層に用いた場合、青系統の高輝度の発光を得ることが
でき、今後、フラットパネルディスプレイ等のフルカラ
ー化に向けての有効な材料として挙げることができる。
しかし、これらの材料にて、前記のような陽極／発光層
／陰極／、陽極／正孔注入層／発光層／陰極といった構
成にて素子化した場合、発光むらや無発光領域を生じる
ことがあり、素子の寿命，微細加工等の実用化への問題
点となっていた。

【０００３】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
従来のＥＬ素子の持つ特性を維持しつつ、発光層と陰極
の付着度について鋭意検討した結果、発光層と陰極との
間に付着性を向上する層（接着層）を設けることにより
発光色を変化させることなく、発光均一性及び発光効率
の向上したＥＬ素子が得られることを見い出した。

【０００４】本発明はかかる知見に基づいて完成したも
のである。すなわち本発明は、陽極／発光層／接着層／
陰極、もしくは陽極／正孔注入層／発光層／接着層／陰
極の順に積層してなり、該発光層が一般式（Ｉ）

【０００５】

【化４】

【０００６】（式中、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ はそれぞれ水素原子，
炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ
基，炭素数７〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換
の炭素数６〜１８のアリール基，置換あるいは無置換の
シクロヘキシル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜１
８のアリールオキシ基，炭素数１〜６のアルコキシ基を
示す。ここで、置換基は炭素数１〜６のアルキル基，炭
素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル
基，炭素数６〜１８のアリールオキシ基，炭素数１〜６
のアシル基，炭素数１〜６のアシルオキシ基，カルボキ
シル基，スチリル基，炭素数６〜２０のアリールカルボ
ニル基，炭素数６〜２０のアリールオキシカルボニル
基，炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基，ビニル
基，アニリノカルボニル基，カルバモイル基，フェニル
基，ニトロ基，水酸基あるいはハロゲンを示す。これら
の置換基は単一でも複数でもよい。また、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ は
同一でも、また互いに異なっていてもよく、Ｒ¹ とＲ²
およびＲ³ とＲ⁴ は互いに置換している基と結合して、
置換あるいは無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置
換の飽和六員環を形成してもよい。Ａｒは置換あるいは
無置換の炭素数６〜２０のアリール基を表わし、単一置
換されていても、複数置換されていてもよく、また結合
部位は、オルト，パラ，メタいずれでもよい。但し、Ａ
ｒが無置換フェニレンの場合、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ はそれぞれ炭
素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル
基，置換あるいは無置換のナフチル基，ビフェニル基，
シクロヘキシル基，アリールオキシ基より選ばれたもの
である。），一般式（II）

【０００７】

【化５】

【０００８】（式中、Ａ及びＢは、それぞれ上記一般式
（Ｉ）で表される化合物から１つの水素原子を除いた一
価基を示し、同一であっても異なってもよい。また、Ｑ
は共役系を切る二価基を示す。）又は一般式（III)

【０００９】

【化６】

【００１０】（式中、Ａ¹ は置換あるいは無置換の炭素
数６〜２０のアリーレン基又は二価の芳香族複素環式基
を示す。結合位置はオルト，メタ，パラのいずれでもよ
い。Ａ ² は置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリ
ール基又は一価の芳香族複素環式基を示す。Ｒ⁵ 及びＲ
⁶ はそれぞれ、水素原子，置換あるいは無置換の炭素数
６〜２０のアリール基，シクロヘキシル基，一価の芳香
族複素環式基，炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数７
〜２０のアラルキル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ
基を示す。なお、Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ は同一でも異なってもよ
い。ここで、置換基とは、単一置換の場合、アルキル
基，アリールオキシ基，アミノ基又は置換基を有するも
しくは有しないフェニル基である。Ｒ⁵の各置換基はＡ
¹ と結合して、飽和もしくは不飽和の五員環又は六員環
を形成してもよく、同様にＲ⁶ の各置換基はＡ² と結合
して、飽和もしくは不飽和の五員環又は六員環を形成し
てもよい。また、Ｑは、共役を切る二価基を表す。）で
表され、かつ、青，緑青もしくは青緑の発光を呈する化
合物からなり、該接着層が８−ヒドロキシキノリン又は
その誘導体の金属錯体からなるとともに、その厚さが前
記発光層の厚さより薄いことを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子を提供するものである。

【００１１】本発明の有機ＥＬ素子は、上記のように陽
極／発光層／接着層／陰極、もしくは陽極／正孔注入層
／発光層／接着層／陰極の順に積層してなることを特徴
とする。このＥＬ素子における陽極としては、仕事関数
の大きい（４ｅＶ以上）金属，合金，電気伝導性化合物
及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用
いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕな
どの金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ₂,ＺｎＯなどの誘電
性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの極物質を
蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成さ
せることにより作製することができる。この電極より発
光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくする
ことが望ましく、また、電極としてのシート抵抗は数百
Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、
通常１０ｎｍ〜１μｍ，好ましくは１０〜２００ｎｍの
範囲で選ばれる。

【００１２】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリウ
ム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネシ
ウム／銅混合物，Ａｌ／（Ａｌ₂ Ｏ₃ ） ,インジウムど
が挙げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やス
パッタリングなどの方法により、薄膜を形成させること
により、作製することができる。また、電極としてのシ
ート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０
ｎｍ〜１μｍ，好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選
ばれる。なお、このＥＬ素子においては、該陽極又は陰
極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。

【００１３】次いで、上記ＥＬ素子における発光層とし
ては、通常の発光層と同様、注入機能（電圧印加時
に、陽極又は正孔注入層より正孔を注入可能であり、か
つ陰極又は電子注入層より電子を注入可能である。），
輸送機能（正孔及び電子を電界の力により移動させる
ことが可能である。），発光機能（正孔と電子の再結
合の場を提供し、発光させることが可能である。）を有
するものである。この層の厚さは特に制限はなく、適宜
状況に応じて選ぶことができ、好ましくは１ｎｍ〜１０
μｍ、特に好ましくは、５ｎｍ〜５μｍである。この発
光層の具体例としては、上記一般式（Ｉ），一般式（I
I）又は一般式（III)で表わされる化合物が挙げられ
る。

【００１４】ここで、一般式（Ｉ）中のＲ¹ 〜Ｒ⁴ は、
前述の如く同一でも異なってもよく、それぞれ水素原
子，炭素数１〜６のアルキル基（メチル基，エチル基，
ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基，ｎ−ブチル基，ｉ−
ブチル基，sec −ブチル基，tert−ブチル基，イソペン
チル基，t-ペンチル基，ネオペンチル基，イソヘキシル
基），炭素数１〜６のアルコキシ基（メトキシ基，エト
キシ基，プロポキシ基，ブトキシ基等），炭素数７〜８
のアラルキル基（ベンジル基，フェネチル基等），炭素
数６〜１８のアリール基（フェニル基，ビフェニル基，
ナフチル基等），シクロヘキシル基，炭素数６〜１８の
アリールオキシ基（フェノキシ基，ビフェニルオキシ
基，ナフチルオキシ基等）を示す。

【００１５】また、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ は、これらに置換基の結
合したものでもよい。即ち、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ は、それぞれ置
換基含有フェニル基，置換基含有アラルキル基，置換基
含有シクロヘキシル基，置換基含有ビフェニル基，置換
基含有ナフチル基を示す。ここで、置換基は炭素数１〜
６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数
７〜８のアラルキル基，炭素数６〜１８のアリールオキ
シ基，炭素数１〜６のアシル基，炭素数１〜６のアシル
オキシ基，カルボキシル基，スチリル基，炭素数６〜２
０のアリールカルボニル基，炭素数６〜２０のアリール
オキシカルボニル基，炭素数１〜６のアルコキシカルボ
ニル基，ビニル基，アニリノカルボニル基，カルバモイ
ル基，フェニル基，ニトロ基，水酸基あるいはハロゲン
であり、複数置換されていてもよい。したがって、例え
ば、置換基含有アラルキル基は、アルキル基置換アラル
キル基（メチルベンジル基，メチルフェネチル基等），
アルコキシ基置換アラルキル基（メトキシベンジル基，
エトキシフェネチル基等），アリールオキシ基置換アラ
ルキル基（フェノキシベンジル基，ナフチルオキシフェ
ネチル基等），フェニル基置換アラルキル基（フェニル
フェネチル基等）上記置換基含有フェニル基は、アルキ
ル基置換フェニル基（トリル基，ジメチルフェニル基，
エチルフェニル基など），アルコキシ基置換フェニル基
（メトキシフェニル基，エトキシフェニル基など）アリ
ールオキシ基置換フェニル基（フェノキシフェニル基，
ナフチルオキシフェニル基等）あるいはフェニル基置換
フェニル基（つまり、ビフェニリル基）である。また、
置換基含有シクロヘキシル基は、アルキル基置換シクロ
ヘキシル基（メチルシクロヘキシル基，ジメチルシクロ
ヘキシル基，エチルシクロヘキシル基等），アルコキシ
基置換シクロヘキシル基（メトキシシクロヘキシル基，
エトキシシクロヘキシル基等）あるいはアリールオキシ
基置換シクロヘキシル基（フェノキシシクロヘキシル
基，ナフチルオキシシクロヘキシル基），フェニル基置
換シクロヘキシル基（フェニルシクロヘキシル基）であ
る。置換基含有ナフチル基は、アルキル基置換ナフチル
基（メチルナフチル基，ジメチルナフチル基等），アル
コキシ基置換ナフチル基（メトキシナフチル基，エトキ
シナフチル基等）あるいはアリールオキシ基置換ナフチ
ル基（フェノキシナフチル基，ナフチルオキシナフチル
基），フェニル基置換ナフチル基である。Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ と
しては、上述したもののうち、それぞれ炭素数１〜６の
アルキル基，アリールオキシ基，フェニル基，ナフチル
基，ビフェニル基，シクロヘキシル基が好ましい。これ
らは置換・無置換のいずれでもよい。また、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴
は同一でも、また互いに異なっていてもよく、Ｒ¹ とＲ
² およびＲ³ とＲ⁴ は互いに置換している基と結合し
て、置換あるいは無置換の飽和五員環又は置換あるいは
無置換の飽和六員環を形成してもよい。

【００１６】一方、一般式（Ｉ）中のＡｒは置換あるい
は無置換の炭素数６〜２０のアリール基を表わし、置換
あるいは無置換のフェニレン基，ビフェニレン基，ｐ−
テルフェニレン基，ナフチレン基，ターフェニレン基，
ナフタレンジイル基，アントラセンジイル基，フェナン
トレンジイル基，フェナレンジイル基等のアリーレン基
であり、無置換でも置換されていてもよい。又、メチリ
ディン（＝Ｃ＝ＣＨ−）の結合位置はオルト，メタ，パ
ラ等どこでもよい。但し、Ａｒが無置換フェニレンの場
合、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ は炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数
７〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換のナフチル
基，ビフェニル基，シクロヘキシル基，アリールオキシ
基より選ばれたものである。置換基はアルキル基（メチ
ル基，エチル基，ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基，ｎ
−ブチル基，ｉ−ブチル基，sec−ブチル基，ｔ−ブチ
ル基，イソペンチル基，ｔ−ペンチル基，ネオペンチル
基，イソヘキシル基等），アルコキシ基（メトキシ基，
エトキシ基，プロポキシ基，ｉ−プロポキシ基，ブチル
オキシ基，ｉ−ブチルオキシ基，sec −ブチルオキシ
基，ｔ−ブチルオキシ基，イソペンチルオキシ基，ｔ−
ペンチルオキシ基），アリールオキシ基（フェノキシ
基，ナフチルオキシ基等），アシル基（ホルミル基，ア
セチル基，プロピオニル基，ブチリル基等），アシルオ
キシ基，アラルキル基（ベンジル基，フェネチル基
等），フェニル基，水酸基，カルボキシル基，アニリノ
カルボニル基，カルバモイル基，アリールオキシカルボ
ニル基，メトキシカルボニル基，エトキシカルボニル
基，ブトキシカルボニル基，ニトロ基，ハロゲンであ
り、単一置換でも複数置換されていてもよい。前記式
（Ｉ）で表わされるジメチリディン芳香族化合物は、１
分子中に２つのメチリディン（＝Ｃ＝ＣＨ−）単位を有
し、このメチリディン単位の幾何異性によって、４通り
の組合わせすなわち、シス−シス，トランス−シス，シ
ス−トランス及びトランス−トランスの組合わせがあ
る。本発明の発光層は、それらのいずれのものであって
もよいし、幾何異性体の混合したものでもよい。特に好
ましくは、全てトランス体のものである。また、上記置
換基は、置換基の間で結合し、置換、無置換の飽和五員
環又は六員環を形成してもよい。

【００１７】一般式（II）におけるＡ及びＢは、それぞ
れ上記一般式（Ｉ）で表される化合物から１つの水素原
子を除いた一価基を示し、同一であっても異なってもよ
いものである。ここで、一般式（II）におけるＱは共役
系を切る二価基を示す。ここで共役とは、π電子の非極
在性によるもので、共役二重結合あるいは不対電子また
は孤立電子対によるものも含む。Ｑについて具体的に
は、直鎖アルカンからＨ原子を１個ずつ除いた二価基、
例えば、

【００１８】

【化７】

【００１９】等を表わしている。このように共役系を切
る二価の基を用いる理由は、上記で示されるＡあるいは
Ｂ（即ち、一般式（Ｉ）の化合物）を、単独で本発明の
有機ＥＬ素子として用いた場合に得られるＥＬ発光色
と、一般式（II）で表わされる化合物を本発明の有機Ｅ
Ｌ素子として用いた場合に得られるＥＬ発光色とが変わ
らぬようにする為である。つまり、一般式（Ｉ）又は一
般式（II）で表わされる発光層が、短波長化あるいは長
波長化したりすることはないようにするためである。ま
た、共役系を切る二価基で接続するとガラス転移温度
（Ｔｇ）は、上昇することが確認でき、均一なピンホー
ルフリーの微結晶あるいはアモルファス性薄膜が得られ
ることができ、発光均一性を向上させている。更に、共
役系を切る二価基で結合していることにより、ＥＬ発光
が長波長化することなく、また、合成あるいは精製が容
易にできる長所を備えている。

【００２０】また、一般式（III)中のＡ¹ は炭素数６〜
２０のアリーレン基，二価の芳香族複素環式基、Ａ² は
炭素数６〜２０のアリール基（フェニル基，ビフェニル
基，ナフチル基等），一価の芳香族複素環式基を示す。
Ｒ⁵ 及びＲ⁶ はそれぞれ、水素原子，置換あるいは無置
換の炭素数６〜２０のアリール基，シクロヘキシル基，
一価の芳香族複素環式基，炭素数１〜１０のアルキル基
（メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル
基，ｎ−ブチル基，ｉ−ブチル基，sec −ブチル基，te
rt−ブチル基，イソペンチル基，t-ペンチル基，ネオペ
ンチル基，イソヘキシル基等），炭素数７〜２０のアラ
ルキル基（ベンジル基，フェネチル基等）又は炭素数１
〜１０のアルコキシ基（メトキシ基，エトキシ基，プロ
ポキシ基，ブトキシ基等）を示す。なお、Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ は
同一でも異なってもよい。ここで、置換基とは、単一置
換の場合、アルキル基，アリールオキシ基，アミノ基又
は置換基を有するもしくは有しないフェニル基である。
Ｒ⁵ の各置換基はＡ¹ と結合して、飽和もしくは不飽和
の五員環又は六員環を形成してもよく、同様にＲ⁶ の各
置換基はＡ² と結合して、飽和もしくは不飽和の五員環
又は六員環を形成してもよい。また、Ｑは、上記と同様
に共役を切る二価基を表す。さらに、本発明において、
上記の一般式（Ｉ），一般式（II）又は一般式（III)で
表わされる発光層は、ＣＩＥ色度座標における青，緑青
もしくは青緑の発光を呈する化合物であることが必要で
ある。上記発光層の形成方法としては、例えば蒸着法，
スピンコート法，キャスト法，ＬＢ法などの公知の方法
により薄膜化することにより形成することができるが、
特に分子堆積膜であることがより好ましい。ここで分子
堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着され形成され
た薄膜や、該化合物の溶液状態又は液相状態から固体化
され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は
ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは、凝集
構造，高次構造の相異や、それに起因する機能的な相異
により区分することができる。また、該発光層は、特開
昭５９−１９４３９３号公報などに開示されているよう
に、樹脂などの結着剤と該化合物とを溶剤に溶かして溶
液としたのち、これをスピンコート法などにより薄膜化
し、形成することができる。このようにして形成された
発光層の膜厚については特に制限はなく、適宜状況に応
じて選ぶことができるが、好ましくは１ｎｍ〜１０μ
ｍ、特に好ましくは５ｎｍ〜５μｍの範囲がよい。

【００２１】このように本発明における発光層は、電界
印加時に、陽極又は正孔注入層より正孔を注入すること
ができ、かつ陰極又は電子注入輸送層より電子を注入す
ることができる注入機能、注入した電荷（電子と正孔）
を電界の力で移動させる輸送機能、電子と正孔の再結合
の場を提供し、これを発光につなげる発光機能などを有
している。なお、正孔の注入されやすさと、電子の注入
されやすさには違いがあっても構わない。また、正孔と
電子の移動度で表される輸送機能に大小があってもよい
が、どちらか一方を移動することが好ましい。

【００２２】次に、本発明における正孔注入層は、必ず
しも本素子に必要なものではないが、発光性能の向上の
ため用いた方が好ましいものである。この正孔注入層と
しては、より低い電界で正孔を発光層に輸送する材料が
好ましく、さらに正孔の移動度が１０⁴ 〜１０⁶ ボルト
／ｃｍの電場で少なくとも１０^-6ｃｍ² ボルト・秒であ
れば尚好ましい。例えば、従来、光導伝材料において、
正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやＥ
Ｌ素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任
意のものを選択して用いることができる。

【００２３】正孔注入層としては、例えばトリアゾール
誘導体（米国特許第3,112,197 号明細書等参照），オキ
サジアゾール誘導体（米国特許第3,189,447 号明細書等
参照），イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６
号公報等参照），ポリアリールアルカン誘導体（米国特
許第3,615,402 号明細書，同3,820,989 号明細書，同3,
542,544 号明細書，特公昭４５−５５５号公報，同５１
−１０９８３号公報，特開昭５１−９３２２４号公報，
同５５−１７１０５号公報，同５６−４１４８号公報，
同５５−１０８６６７号公報，同５５−１５６９５３号
公報，同５６−３６６５６号公報等参照），ピラゾリン
誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第3,180,729 号
明細書，同4,278,746 号明細書，特開昭５５−８８０６
４号公報，同５５−８８０６５号公報，同４９−１０５
５３７号公報，同５５−５１０８６号公報，同５６−８
００５１号公報，同５６−８８１４１号公報，同５７−
４５５４５号公報，同５４−１１２６３７号公報，同５
５−７４５４６号公報等参照），フェニレンジアミン誘
導体（米国特許第3,615,404 号明細書，特公昭５１−１
０１０５号公報，同４６−３７１２号公報，同４７−２
５３３６号公報，特開昭５４−５３４３５号公報，同５
４−１１０５３６号公報，同５４−１１９９２５号公報
等参照），アリールアミン誘導体（米国特許第3,567,45
0 号明細書，同3,180,703 号明細書，同3,240,597 号明
細書，同3,658,520 号明細書，同4,232,103 号明細書，
同4,175,961 号明細書，同4,012,376 号明細書，特公昭
４９−３５７０２号公報，同３９−２７５７７号公報，
特開昭５５−１４４２５０号公報，同５６−１１９１３
２号公報，同５６−２２４３７号公報，西独特許第1,11
0,518 号明細書等参照），アミノ置換カルコン誘導体
（米国特許第3,526,501 号明細書等参照），オキサゾー
ル誘導体（米国特許第3,257,203 号明細書などに記載の
もの），スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４
６２３４号公報等参照），フルオレノン誘導体（特開昭
５４−１１０８３７号公報等参照），ヒドラゾン誘導体
（米国特許第3,717,462 号明細書，特開昭５４−５９１
４３号公報，同５５−５２０６３号公報，同５５−５２
０６４号公報，同５５−４６７６０号公報，同５５−８
５４９５号公報，同５７−１１３５０号公報，同５７−
１４８７４９号公報，特開平２−３１１５９１号公報等
参照），スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３
号公報，同６１−２２８４５１号公報，同６１−１４６
４２号公報，同６１−７２２５５号公報，同６２−４７
６４６号公報，同６２−３６６７４号公報，同６２−１
０６５２号公報，同６２−３０２５５号公報，同６０−
９３４４５号公報，同６０−９４４６２号公報，同６０
−１７４７４９号公報，同６０−１７５０５２号公報等
参照）などを挙げることができる。さらに、正孔注入輸
送材料としては、シラザン誘導体（米国特許第４９５０
９５０号明細書），ポリシラン系（特開平２−２０４９
９６号公報），アニリン系共重合体（特開平２−２８２
２６３号公報）、また特願平１−２１１３９９号明細書
で示された導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオ
リゴマーなどが挙げられる。

【００２４】本発明においては、これらの化合物を正孔
注入層として使用することができるが、次に示すポルフ
ィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報など
に記載のもの）及び芳香族第三級アミン化合物及びスチ
リルアミン化合物（米国特許第4,127,412 号明細書，特
開昭５３−２７０３３号公報，同５４−５８４４５号公
報，同５４−１４９６３４号公報，同５４−６４２９９
号公報，同５５−７９４５０号公報，同５５−１４４２
５０号公報，同５６−１１９１３２号公報，同６１−２
９５５５８号公報，同６１−９８３５３号公報，同６３
−２９５６９５号公報等参照），特に該芳香族第三級ア
ミン化合物を用いることが好ましい。

【００２５】該ポルフィリン化合物の代表例としては、
ポルフィン，１，１０，１５，２０−テトラフェニル−
２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（II），１，１０，１
５，２０−テトラフェニル２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン
亜銅（II），５，１０，１５，２０−テトラキス（ペン
タフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン，
シリコンフタロシアニンオキシド，アルミニウムフタロ
シアニンクロリド，フタロシアニン（無金属），ジリチ
ウムフタロシアニン，銅テトラメチルフタロシアニン，
銅フタロシアニン，クロムフタロシアニン，亜鉛フタロ
シアニン，鉛フタロシアニン，チタニウムフタロシアニ
ンオキシド，マグネシウムフタロシアニン，銅オクタメ
チルフタロシアニンなどが挙げられる。また、該芳香族
第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例
としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，
４’−ジアミノフェニル，Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノ
ビフェニル（ＴＰＤＡ），２，２−ビス（４−ジ−ｐ−
トリルアミノフェニル）プロパン，１，１−ビス（４−
ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン，Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジア
ミノビフェニル，１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルア
ミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン，ビス
（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニル
メタン，ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フ
ェニルメタン，Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ
（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジアミノビフェ
ニル，Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’
−ジアミノジフェニルエーテル，４，４’−ビス（ジフ
ェニルアミノ）クオードリフェニル，Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ
（ｐ−トリル）アミン，４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）
−４’−〔４（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチ
ルベン，４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェ
ニルビニル）ベンゼン，３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−
ジフェニルアミノスチルベンゼン，Ｎ−フェニルカルバ
ゾール，芳香族ジメチリディン系化合物などが挙げられ
る。

【００２６】本発明のＥＬ素子における正孔注入層は、
上記化合物を、例えば真空蒸着法，スピンコート法，キ
ャスト法，ＬＢ法等の公知の薄膜化法により製膜して形
成することができる。この正孔注入層としての膜厚は、
特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この
正孔注入層は、これらの正孔注入輸送材料一種又は二種
以上からなる一層で構成されてもよいし、あるいは、前
記正孔注入層とは別種の化合物からなる正孔注入層を積
層したものであってもよい。本発明で得られる有機ＥＬ
素子の素子構成として、新たに付加する発光層と陰極間
の付着性を向上させる層（接着層）は、発光層及び陰極
に対し付着性の高い材料を用いるのが好ましい。この様
な接着層の材料として、８−ヒドロキシキノリン、又は
その誘導体の金属錯体を挙げることができる。具体的に
は、オキシン（一般に８−キノリノールまたは８−ヒド
ロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシ
ノイド化合物である。このような化合物は高水準の性能
を示し、容易に薄膜形態に成形される。オキシノイド化
合物の例は下記構造式を満たするものである。

【００２７】

【化８】

【００２８】（式中、Ｍｔは金属を表し、ｎは１〜３の
整数であり、且つ、Ｚはその各々の位置が独立であっ
て、少なくとも２以上の縮合芳香族環を完成させるため
に必要な原子を示す。）ここで、Ｍｔで表される金属
は、一価，二価または三価の金属とすることができるも
のであり、例えばリチウム，ナトリウムまたはカリウム
等のアルカリ金属、マグネシウムまたはカルシムウ等の
アルカリ土類金属、またはホウ素またはアルミニウム等
の土類金属である。一般に有用なキレート化合物である
と知られている一価，二価または三価の金属はいずれも
使用することができる。

【００２９】また、Ｚは、少なくとも２以上の縮合芳香
族環の一方がアゾールまたはアジンからなる複素環を形
成させる原子を示す。ここで、もし必要であれば、上記
縮合芳香族環に他の異なる環を付加することが可能であ
る。また、機能上の改善が無いまま嵩ばった分子を付加
することを回避するため、Ｚで示される原子の数は１８
以下に維持することが好ましい。さらに、具体的にキレ
ート化オキシノイド化合物を例示すると、トリス（８−
キノリノール）アルミニウム，ビス（８−キノリノー
ル）マグネシウム，ビス（ベンゾ−８−キノリノール）
亜鉛，ビス（２−メチル−８−キノリラート）アルミニ
ウムオキシド，トリス（８−キノリノール）インジウ
ム，トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニ
ウム，８−キノリノールリチウム，トリス（５−クロロ
−８−キノリノール）ガリウム，ビス（５−クロロ−８
−キノリノール）カルシウム，５，７−ジクロル−８−
キノリノールアルミニウム，トリス（５，７−ジブロモ
−８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等があ
る。また、上記接着層の厚さは、上記発光層の厚さより
薄いことが必要であり、好ましくは１〜５０ｎｍ、特に
好ましくは５〜３０ｎｍがよい。この様に膜厚を制限す
るのは、発光色を青系統に維持するためである。

【００３０】この接着層の作製法は、例えば、スピンコ
ート法，キャスト法，蒸着法等がある。好ましくは、前
記、発光層及び正孔注入層と同様、蒸着法が好ましい。
ここで、上記発光層に用いられる化合物の例を以下に示
す。

【００３１】

【化９】

【００３２】

【化１０】

【００３３】

【化１１】

【００３４】

【化１２】

【００３５】

【化１３】

【００３６】

【化１４】

【００３７】

【化１５】

【００３８】

【化１６】

【００３９】

【化１７】

【００４０】

【化１８】

【００４１】

【実施例】次に、本発明を参考例，実施例及び比較例に
よりさらに詳しく説明する。 参考例１ 〔４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフ
ェニルの製法〕 アリーレン基含有リン化合物の製造 ４，４’−ビス（ブロモメチル）ビフェニル9.０ｇと亜
リン酸トリエチル１１ｇを、アルゴン気流下オイルバス
で、温度１４０℃で６時間加熱攪拌を行った。その後、
過剰の亜リン酸トリエチル及び副生した臭化エチルを減
圧留去した。一晩放置後、白色結晶9.５ｇ（収率８０
％）を得た。このものの分析結果等は、以下の通りであ
る。 融点：９7.０〜１０0.０℃ プロトン核磁気共鳴〔 ¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）〕に
よる測定： δ＝7.３〜8.４ppm （ｍ ;８Ｈ，ビフェニレン環−Ｈ） δ＝4.１ppm （ｄ; ４Ｈ，Ｊ＝２０Ｈz(³¹Ｐ− ¹Ｈカッ
プリング) Ｐ−ＣＨ₂ δ＝3.７ppm （ｑ；８Ｈ，エトキシ基メチレン−ＣＨ₂) δ＝1.０ppm （ｔ；１２Ｈ，エトキシ基メチル−ＣＨ₃) 以上の結果から，上述の生成物は、下記式

【００４２】

【化１９】

【００４３】で表わされるアリーレン基含有リン化合物
（ホスホネート：Ｍｗ＝４５4.５）であることが確認さ
れた。

【００４４】芳香族ジメチリディン化合物の製造 上記参考例１で得られたホスホネート4.５ｇとベンゾ
フェノン5.５ｇを、ジメチルスルホキシド１００ミリリ
ットルに溶解し、これにカリウム−ｔ−ブトキシド2.２
ｇを加え、アルゴン気流下、室温で４時間攪拌した後、
一晩放置した。得られた混合物にメタノール１００ミリ
リットルを加え、析出した結晶を濾過した。濾過生成物
を水１００ミリリットルで３回、続いてメタノール１０
０ミリリットルで３回充分に洗浄し、カラム精製を行
い、黄橙色粉末2.０ｇを得た（収率２６％）。このもの
の分析結果等は、以下の通りである。 融点： ２０4.５〜２０6.５℃ ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃)による測定： δ＝6.７〜7.３ppm （ｍ ;３０Ｈ，末端フェニル環−
Ｈ，中心ビフェニレン及びメチリディン ＝Ｃ＝ＣＨ
−） 元素分析値：組成式Ｃ₄₀Ｈ₃₀として以下の通りである。
なお括弧内は理論値である。 Ｃ：９4.２３％ （９4.０８％） Ｈ： 5.８４％ （ 5.９２％） Ｎ： 0.００％ （ ０％） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）
は、以下の通りである。 ν_C=C １５２０， １６２０ｃｍ^-1 また、マススペクトルより目的物の分子イオンピークｍ
／Ｚ＝５１０が検出された。以上のことより、上記生成
物である淡黄色粉末は、下記式

【００４５】

【化２０】

【００４６】で表わされる４，４’−ビス（２，２’−
ジフェニルビニル）ビフェニルであることが確認され
た。

【００４７】参考例２ 〔４，４’−ビス（２，２’−ジ（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）ビニル）ビフェニルの製法〕 アリーレン基含有リン化合物の製造 参考例１と同じである。 芳香族ジメチリディン化合物の製造 上記参考例２で得られたホスホネート1.８ｇと４，
４’−ジ−ｔ−ブチルベンゾフェノン2.４ｇを、ジメチ
ルスルホキシド１００ミリリットルに溶解し、これにカ
リウム−ｔ−ブトキシド1.０ｇを加え、アルゴン気流
下、室温で４時間攪拌した後、一晩放置した。得られた
混合物にメタノール１００ミリリットルを加え、析出し
た結晶を濾過した。濾過生成物を水１００ミリリットル
で３回、続いてメタノール１００ミリリットルで３回充
分に洗浄し、カラム精製を行い、淡黄色粉末1.０ｇを得
た（収率３５％）。このものの分析結果等は、以下の通
りである。 融点： ２９3.０〜２９6.０℃ ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ） δ＝7.０〜7.４ppm （ｍ ;２４Ｈ，末端フェニル環−
Ｈ，中心ビフェニレン−Ｈ） δ＝6.９ppm （ｓ ;２Ｈ，メチリディン ＝Ｃ＝
ＣＨ−） δ＝1.３ppm （ｓ ;３６Ｈ，ｔ−ブチル基 −Ｃ
（ＣＨ₃ ）₃ ） 元素分析値：組成式 Ｃ₅₆Ｈ₆₂として以下の通りであ
る。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：９1.４２％ （９1.５０％） Ｈ： 8.４５％ （ 8.５０％） Ｎ： 0.００％ （ ０％） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）
は、以下の通りである。 ν_C=C １５２０， １６１０ｃｍ^-1 また、マススペクトルより目的物の分子イオンピークｍ
／Ｚ＝７３４が検出された。以上のことより、上記生成
物である淡黄色粉末は、下記式

【００４８】

【化２１】

【００４９】で表わされる４，４’−ビス（２，２’−
ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ビニル）ビフェニルであ
ることが確認された。

【００５０】参考例３ 〔４，４’−ビス（２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−
２−フェニルビニル）ビフェニルの製法〕 アリーレン基含有リン化合物の製造 参考例１と同じである。 芳香族ジメチリディン化合物の製造 上記参考例３で得られたホスホネート3.０ｇと４−ｔ
−ブチルベンゾフェノン4.１ｇを、ジメチルスルホキシ
ド１００ミリリットルに溶解し、これにカリウム−ｔ−
ブトキシド1.５ｇを加え、アルゴン気流下、室温で４時
間攪拌した後、一晩放置した。得られた混合物にメタノ
ール１００ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過し
た。濾過生成物を水１００ミリリットルで３回、続いて
メタノール１００ミリリットルで３回充分に洗浄し、カ
ラム精製を行い、淡黄色粉末1.８ｇを得た（収率３８
％）。このものの分析結果等は、以下の通りである。 融点： ２０2.０〜２０4.０℃ ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝7.０〜7.４ppm （ｍ ;２６Ｈ，末端フェニル環−
Ｈ，中心ビフェニレン−Ｈ） δ＝6.９ppm （ｓ ;２Ｈ，メチリディン ＝Ｃ＝
ＣＨ−） δ＝1.３ppm （ｓ ;１８Ｈ，ｔ−ブチル基 −Ｃ
（ＣＨ₃ ）₃ ） 元素分析値：組成式 Ｃ₄₈Ｈ₄₆として以下の通りであ
る。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：９2.３８％ （９2.５６％） Ｈ： 7.１８％ （ 7.４４％） Ｎ： 0.００％ （ ０％） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）
は、以下の通りである。 ν_C=C １５２０， １６１０ｃｍ^-1 また、マススペクトルより目的物の分子イオンピークｍ
／Ｚ＝６２２が検出された。以上のことより、上記生成
物である黄橙色粉末は、下記式

【００５１】

【化２２】

【００５２】で表わされる４，４’−ビス（２−（４−
ｔ−ブチルフェニル）−２−フェニルビニル）ビフェニ
ルであることが確認された。

【００５３】参考例４ （４，４’−ビス（２，２’−ジ−ｐトリルビニル）ビ
フェニルの製法） アリーレン基含有リン化合物の製造 参考例１と同じである。 芳香族ジメチリディン化合物の製造 上記参考例４で得られたホスホネート4.０ｇと４，
４’−ジメチルベンゾフェノン5.０ｇを、テトラヒドロ
フラン６０ミリリットルに溶解し、カリウム−ｔ−ブト
キシド2.０ｇを加え、アルゴン気流下、還流攪拌した
後、一晩放置した。得られた混合物の溶媒を留去した
後、メタノール２００ミリリットルを加え、析出した結
晶を濾過した。次いで、濾過生成物を水１００ミリリッ
トルで３回、続いてメタノール１００ミリリットルで３
回充分に洗浄し、ベンゼンにて再結晶したところ、淡黄
色粉末1.０ｇが得られた（収率２２％）。このものの融
点は１５３〜１５５℃であった。またこの粉末の ¹Ｈ−
ＮＭＲ分析結果は以下の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ） δ＝6.３〜7.３ppm （ｍ ;２６Ｈ，芳香環−Ｈ及びメチ
リディン ＣＨ＝Ｃ−） δ＝1.０〜2.０ppm （ｓ; １２Ｈ，ｐ−トリルメチル基
−ＣＨ₃ ） さらに元素分析結果は、組成式Ｃ₄₄Ｈ₃₈として以下の通
りである。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：９3.１０％ （９3.２４％） Ｈ： 7.０４％ （ 6.７６％） Ｎ： 0.００％ （ ０％） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）
は、以下の通りである。 ν_C=C １５２０， １６１０ｃｍ^-1 また、マススペクトルより、目的物の分子イオンピーク
ｍ／Ｚ＝５６６が検出された。以上のことより、上記生
成物である淡黄色粉末は、下記式

【００５４】

【化２３】

【００５５】で表わされる４，４’−ビス（２，２’−
ジ−ｐトリルビニル）ビフェニルであることが確認され
た。

【００５６】参考例５ 〔４，４’−ビス（２，２’−ジ−ｐ−メトキシフェニ
ルビニル）ビフェニルの製法〕 アリーレン基含有リン化合物の製造 参考例１と同じである。 芳香族ジメチリディン化合物の製造 上記参考例５で得られたホスホネート3.０ｇと４，
４’−ジ−メトキシベンゾフェノン4.８ｇを、ジメチル
スルホキシド１００ミリリットルに溶解し、これにカリ
ウム−ｔ−ブトキシド1.５ｇを加え、アルゴン気流下、
室温で４時間攪拌した後、一晩放置した。得られた混合
物にメタノール１００ミリリットルを加え、析出した結
晶を濾過した。濾過生成物を水１００ミリリットルで３
回、続いてメタノール１００ミリリットルで３回充分に
洗浄し、カラム精製し、黄緑色粉末1.１ｇを得た（収率
２６％）。このものの分析結果等は、以下の通りであ
る。 融点： ２１８〜２１8.５℃ ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝6.７〜7.３ppm （ｍ ;２６Ｈ，末端フェニル環−
Ｈ，中心ビフェニレン−Ｈ，メチリディン ＝Ｃ＝ＣＨ
−） δ＝3.８ppm （ｓ ;１２Ｈ，末端メトキシ−ＯＣ
Ｈ₃ ） 元素分析値：組成式 Ｃ₄₄Ｈ₃₈Ｏ₄ として以下の通りで
ある。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：８3.５１％ （８3.７８％） Ｈ： 5.８９％ （ 6.０７％） Ｎ： 0.００％ （ ０％） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）
は、以下の通りである。 ν_C=C １５２０， １６２０ｃｍ^-1 また、マススペクトルより目的物の分子イオンピークｍ
／Ｚ＝６３０が検出された。以上のことより、上記生成
物である黄緑色粉末は、下記式

【００５７】

【化２４】

【００５８】で表わされる４，４’−ビス（２，２’−
ジ−ｐ−メトキシフェニルビニル）ビフェニルであるこ
とが確認された。

【００５９】参考例６ 〔３，３’−ジメチル−４，４’−ビス（２，２’−ジ
フェニルビニル）ビフェニルの製法〕 アリーレン基含有リン化合物の製造 ３，３’−ジメチル−４，４’−ビス（ブロモメチル）
ビフェニル１２ｇと亜リン酸トリエチル１２ｇを、アル
ゴン気流下オイルバスで、温度１３０℃で６時間加熱攪
拌を行った。その後、過剰の亜リン酸トリエチル及び副
生した臭化エチルを減圧留去した。一晩放置後、得られ
た白色結晶を、ベンゼン−ヘキサンより再結晶し、白色
結晶１5.２ｇ（収率９７％）を得た。このものの分析結
果等は、以下の通りである。 融点：９0.５〜９1.５℃ ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ） δ＝7.２ppm （ｓ ;６Ｈ，ビフェニル環−Ｈ） δ＝3.１ppm （ｄ; ４Ｈ，Ｊ＝２０Ｈz(³¹Ｐ− ¹Ｈカッ
プリング) Ｐ−ＣＨ₂) δ＝4.０ppm （ｑ；８Ｈ，エトキシ基メチレン−Ｃ
Ｈ₂） δ＝1.２ppm （ｔ；１２Ｈ，エトキシ基メチル−Ｃ
Ｈ₃ ） δ＝2.５ppm （ｓ ;６Ｈ，ビフェニル環のメチル−ＣＨ
₃ ） 以上の結果から，上述の生成物は、下記式で表わされる
アリーレン基含有リン化合物（ホスホネート）であるこ
とが確認された。

【００６０】

【化２５】

【００６１】芳香族ジメチリディン化合物の製造 上記参考例６で得られたホスホネート0.７５ｇとベン
ゾフェノン0.６ｇを、ジメチルスルホキシド１００ミリ
リットルに溶解し、これにカリウム−ｔ−ブトキシド0.
３５ｇを加え、アルゴン気流下、室温で４時間攪拌した
後、一晩放置した。得られた混合物にメタノール１００
ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。濾過生
成物を水１００ミリリットルで３回、続いてメタノール
１００ミリリットルで３回充分に洗浄し、カラム精製を
行い、淡黄色粉末0.４５ｇを得た（収率５４％）。この
ものの分析結果等は、以下の通りである。 融点： ２０1.８〜２０2.８℃ ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ） δ＝6.９〜7.３ppm （ｍ ;２６Ｈ，末端フェニル環−
Ｈ，中心ビフェニレン−Ｈ） δ＝6.８ppm （ｓ ;２Ｈ，メチリディン ＝Ｃ＝
ＣＨ−） δ＝2.２ppm （ｓ ;６Ｈ，中心ビフェニレン−Ｃ
Ｈ₃ ） 元素分析値：組成式 Ｃ₄₂Ｈ₃₄として以下の通りであ
る。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：９3.５４％ （９3.６４％） Ｈ： 6.２２％ （ 6.３６％） Ｎ： 0.００％ （ ０％） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）
は、以下の通りである。 ν_C=C １５２０， １６１０ｃｍ^-1 また、マススペクトルより目的物の分子イオンピークｍ
／Ｚ＝５３８が検出された。以上のことより、上記生成
物である淡黄色粉末は、下記式

【００６２】

【化２６】

【００６３】で表わされる３，３’−ジメチル−４，
４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル
であることが確認された。

【００６４】参考例７

【００６５】

【化２７】

【００６６】

【化２８】

【００６７】Ｏ，Ｏ−ジエチルジフェニルメチルホスホ
ネート１1.２ｇ( 0.０３７モル）と４−メチル−４’−
ホルミルビフェニル7.２ｇ( 0.０３６モル）をアルゴン
ガス気流下、無水ジメチルスルホキシド２００ミリリッ
トルに溶解させ、カリウム−ｔ−ブトキシド4.１ｇ( 0.
０３６モル）を加えた。その後、室温にて６時間攪拌を
行った後、メタノール２００ミリリットルを加え、析出
した白色粉末8.０ｇ（収率６４％）を得た。この化合物
は融点１２8.0 〜１２9.０℃であった。生成物の ¹Ｈ−
ＮＭＲは以下の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl₃） δ＝6.８〜7.４ppm （ｍ; 19Ｈ，芳香環−Ｈ及びメチリ
ディン−ＣＨ＝Ｃ＝） δ＝2.３ppm （ｓ；３Ｈ，メチル基 −ＣＨ₃ ）

【００６８】

【００６９】

【化２９】

【００７０】上記参考例７で得られた化合物6.５ｇ(
0.０１８モル）とＮ−ブロモこはく酸イミド3.５ｇ( 0.
０１９モル）と過酸化ベンゾイル0.７ｇを四塩化炭素１
５０ミリリットルに懸濁させ、外温１００℃にて激しく
攪拌した。４時間還流攪拌させた後、溶媒留去を行い、
淡黄色粉末１０ｇを得た。これをシリカゲルカラム精製
（溶媒：塩化メチレン）を行い、白色粉末5.３ｇ（収率
７０％）を得た。この化合物の融点は１２7.０〜１２8.
０℃であった。生成物の ¹Ｈ−ＮＭＲは以下の通りであ
る。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl₃） δ＝7.６〜6.９ppm （ｍ; 19Ｈ，芳香環−Ｈ及びメチリ
ディン−ＣＨ＝Ｃ＝） δ＝4.５ppm （ｓ；２Ｈ，ブロモメチル−ＣＨ₂ Ｂｒ）

【００７１】

【００７２】

【化３０】

【００７３】上記参考例７で得られた化合物5.３ｇ(
0.０１２５モル）に亜リン酸トリエチル１3.０ｇ( 0.０
７９モル）を加え、アルゴンガス雰囲気下、１１０℃で
６時間加熱攪拌を行った。一晩放置後、過剰の亜リン酸
トリエチルを減圧留去し、黄色ペースト状の化合物を得
た。これをシリカゲルカラム精製（溶媒：初め塩化メチ
レンを用い、次に塩化メチレン：アセトン＝１：１（容
量比) に変えた。）を行い、淡黄色粉末6.０ｇ（定量
的）を得た。この化合物の融点は６２〜６４℃であっ
た。またこの化合物 ¹Ｈ−ＮＭＲは以下の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝7.０〜7.４ppm （ｍ; 18Ｈ，芳香環−Ｈ） δ＝6.９ppm （ｓ；１Ｈ，メチリディン−ＣＨ＝Ｃ＝
） δ＝4.０ppm （ｑ；４Ｈ，エトキシ基 −ＣＨ₂ −） δ＝3.１ppm （ｄ；２Ｈ，−ＣＨ₂ −Ｐ Ｊ＝16Ｈz ） δ＝1.３ppm （ｔ；６Ｈ，エトキシ基 −ＣＨ₃ ）

【００７４】上記参考例５で得られたホスホネート3.
８ｇ( 0.００９３モル）をアルゴンガス気流下、ジメチ
ルスルホキシド１５０ミリリットルへ懸濁させ、これに
前記参考例７で得られた化合物（ジケトン）2.０ｇ(
0.００４９モル）とカリウム−ｔ−ブトキシド1.２ｇ(
0.０１０モル）を加えた。溶液は赤茶色懸濁液を呈し、
室温で６時間攪拌した。一晩放置後、溶媒を留去した
後、反応混合物にメタノール７００ミリリットルを投入
し、析出した淡黄色粉末を濾取した。これをシリカゲル
カラム（溶媒：CH₂Cl₂，直径４０mm×長さ２３０mm）に
て精製し、0.９（収率２０％）のアモルファス状晶を得
た。ＤＳＣ測定よりこのもののＴｇは９1.７℃であっ
た。なお、この化合物の融点は２０3.０〜２０4.０℃で
あった。また、生成物の ¹Ｈ−ＮＭＲは以下の通りであ
った。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝6.８〜7.９ppm （ｍ；５６Ｈ，芳香環及びメチリデ
ィン−ＣＨ＝Ｃ＝） δ＝2.５ppm （ｓ，６Ｈ，メチル基−ＣＨ₃ ） また直導マススペクトル（ＭＳ）より、目的物の分子イ
オンピークｍ／Ｚ＝１０６２のみが検出された。更に、
元素分析結果は組成式としてＣ₈₂Ｈ₆₂Ｏとして以下の通
りである。なお、括弧内は理論値である。 Ｃ：９2.３１％（９2.６２％） Ｈ： 5.４１％（ 5.８８％） Ｎ： 0.００％（ ０％） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）
は、以下の通りである。 ν_C=C １５２０， １６１０ｃｍ^-1 以上のことより、上記化合物は下記式

【００７５】

【化３１】

【００７６】で表わされる化合物であることが確認され
た。

【００７７】実施例１ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行な
い、次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナシ
ョナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支
持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基
板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートに
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミ
ン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製
ボートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニ
ル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ，イオン化エネルギー：
５．９ｅＶ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０^-4Ｐ
ａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１
５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度0.１〜0.３
ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの
正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であ
った。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層
の上に、もう一つのボートよりＤＰＶＢｉを発光層とし
て４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２４
０℃で蒸着速度は0.１〜0.３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温
であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上に
ステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホル
ダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（８
−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ₃ ，イオン化エ
ネルギー：5.６ｅＶ) を２００ｍｇ入れて真空槽に装着
した。さらに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネ
シウムリボン１ｇを入れ、また違うタングステン製バス
ケットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ蒸着した。その
後、真空槽を１×１０ ^-4Ｐａまで減圧してから、Ａｌｑ
₃ の入ったボートを２３０℃まで加熱し、Ａｌｑ₃ を0.
０１〜0.０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。
さらに、銀を0.１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗加熱
法により、もう一方のモリブデンボートからマグネシウ
ムを1.４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。上記条件
でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５
０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。

【００７８】実施例２ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない
次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナ
ル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基
板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホ
ルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボ
ートに４，４’−ビス（４−ｔ−ブチルフェニルビニ
ル）ビフェニル（ＤＴＢＰＶＢｉ，イオン化エネルギ
ー：5.９ｅＶ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０^-4
Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２
１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度0.１〜0.
３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍ
の正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温で
あった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入
層の上に、もう一つのボートよりＤＴＢＰＶＢｉを発光
層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度
が３３０℃で蒸着速度は0.１〜0.３ｎｍ／ｓ、基板温度
は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層
の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基
板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリ
ス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ₃ ) を２
００ｍｇ入れて真空槽に装着した。さらに、モリブデン
製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、
また違うタングステン製バスケットに銀ワイヤーを５０
０ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空槽を１×１０^-4Ｐａ
まで減圧してから、Ａｌｑ₃ の入ったボートを２３０℃
まで加熱し、Ａｌｑ₃を0.０１〜0.０３ｎｍ／ｓの蒸着
速度で２０ｎｍ蒸着した。さらに、銀を0.１ｎｍ／ｓの
蒸着速度で同時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブ
デンボートからマグネシウムを1.４ｎｍ／ｓの蒸着速度
で蒸着し始めた。上記条件でマグネシウムと銀の混合金
属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極
とした。

【００７９】実施例３ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない
次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナ
ル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基
板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホ
ルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボ
ートに４，４’−ビス〔２−（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）−２−ビフェニルビニル〕ビフェニル（ＴＢＰＶＢ
ｉ，イオン化エネルギー：5.８５ｅＶ）を２００ｍｇ入
れて真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰ
Ｄ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、Ｔ
ＰＤを蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に
蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。こ
の時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り
出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートよ
りＴＢＰＶＢｉを発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。
蒸着条件はボート温度が２８０℃で蒸着速度は0.１〜0.
３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より
取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマ
スクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリ
ブデン製ボートにトリス（８−キノリノール）アルミニ
ウム（Ａｌｑ₃ ) を２００ｍｇ入れて真空槽に装着し
た。さらに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシ
ウムリボン１ｇを入れ、また違うタングステン製バスケ
ットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、
真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧してから、Ａｌｑ₃ の
入ったボートを２３０℃まで加熱し、Ａｌｑ ₃ を0.０１
〜0.０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。さら
に、銀を0.１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗加熱法に
より、もう一方のモリブデンボートからマグネシウムを
1.４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。上記条件でマ
グネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎ
ｍ積層蒸着し、対向電極とした。

【００８０】実施例４ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない
次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナ
ル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基
板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホ
ルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボ
ートに４，４’−ビス（２，２−ジ−ｐ−トリビニル）
ビフェニル（ＤＴＶＢｉ，イオン化エネルギー：5.８５
ｅＶ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０^-4Ｐａまで
減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２
２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／
ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注
入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。
これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上
に、もう一つのボートよりＤＴＶＢｉを発光層として４
０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２７５℃
で蒸着速度は0.１〜0.３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であ
った。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステ
ンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダー
に固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（８−キ
ノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ₃ ) を２００ｍｇ入
れて真空槽に装着した。さらに、モリブデン製の抵抗加
熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また違うタ
ングステン製バスケットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ
蒸着した。その後、真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧し
てから、Ａｌｑ₃ の入ったボートを２３０℃まで加熱
し、Ａｌｑ₃ を0.０１〜0.０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２
０ｎｍ蒸着した。さらに、銀を0.１ｎｍ／ｓの蒸着速度
で同時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブデンボー
トからマグネシウムを1.４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し
始めた。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を
発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。

【００８１】実施例５ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない
次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナ
ル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基
板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホ
ルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボ
ートに４，４’−ビス（２，２−ジ−ｐ−メトキシフェ
ニルビニル）ビフェニル（ＤＭＶＢｉ，イオン化エネル
ギー：5.８５ｅＶ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１
０^-4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボート
を２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度0.１
〜0.３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０
ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室
温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔
注入層の上に、もう一つのボートよりＤＭＶＢｉを発光
層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度
が３２０℃で蒸着速度は0.１〜0.３ｎｍ／ｓ、基板温度
は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層
の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基
板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリ
ス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ₃ ) を２
００ｍｇ入れて真空槽に装着した。さらに、モリブデン
製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、
また違うタングステン製バスケットに銀ワイヤーを５０
０ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空槽を１×１０^-4Ｐａ
まで減圧してから、Ａｌｑ₃ の入ったボートを２３０℃
まで加熱し、Ａｌｑ₃ を0.０１〜0.０３ｎｍ／ｓの蒸着
速度で２０ｎｍ蒸着した。さらに、銀を0.１ｎｍ／ｓの
蒸着速度で同時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブ
デンボートからマグネシウムを1.４ｎｍ／ｓの蒸着速度
で蒸着し始めた。上記条件でマグネシウムと銀の混合金
属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極
とした。

【００８２】実施例６ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない
次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナ
ル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基
板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホ
ルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボ
ートに３，３’−ジメチル−４，４’−ビス（２，２−
ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＭＤＰＶＢｉ，イオ
ン化エネルギー：5.８５ｅＶ）を２００ｍｇ入れて真空
槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの
前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸
着速度0.１〜0.３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着し
て、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の
基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すこ
となく、正孔注入層の上に、もう一つのボートよりＤＭ
ＤＰＶＢｉを発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着
条件はボート温度が３０５℃で蒸着速度は0.１〜0.３ｎ
ｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り
出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスク
を設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデ
ン製ボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウム
（Ａｌｑ₃ ) を２００ｍｇ入れて真空槽に装着した。さ
らに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリ
ボン１ｇを入れ、また違うタングステン製バスケットに
銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空槽
を１×１０^-4Ｐａまで減圧してから、Ａｌｑ₃ の入った
ボートを２３０℃まで加熱し、Ａｌｑ₃ を0.０１〜0.０
３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。さらに、銀
を0.１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗加熱法により、
もう一方のモリブデンボートからマグネシウムを1.４ｎ
ｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。上記条件でマグネシ
ウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層
蒸着し、対向電極とした。

【００８３】実施例７ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない
次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナ
ル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基
板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホ
ルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボ
ートに参考例７で得られた化合物（（ＤＰＶＴＰＶＢ
ｉ）₂ Ｅ，イオン化エネルギー：5.８ｅＶ）を２００ｍ
ｇ入れて真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後
ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱
し、ＴＰＤを蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／ｓで透明支持基
板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させ
た。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽よ
り取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボ
ートより（ＤＰＶＴＰＶＢｉ）₂ Ｅを発光層として４０
ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２２５℃で
蒸着速度は0.１〜0.３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であっ
た。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステン
レススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに
固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（８−キノ
リノール）アルミニウム（Ａｌｑ₃ ) を２００ｍｇ入れ
て真空槽に蒸着した。さらに、モリブデン製の抵抗加熱
ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また違うタン
グステン製バスケットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ蒸
着した。その後、真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧して
から、Ａｌｑ₃ の入ったボートを２３０℃まで加熱し、
Ａｌｑ₃ を0.０１〜0.０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎ
ｍ蒸着した。さらに、銀を0.１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同
時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブデンボートか
らマグネシウムを1.４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始め
た。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光
層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。

【００８４】実施例８ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない
次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナ
ル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基
板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホ
ルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボ
ートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）
ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を
１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記
ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速
度0.１〜0.３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜
厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温
度は室温であった。これを真空槽より取り出すことな
く、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶ
Ｂｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件
はボート温度が２４０℃で蒸着速度は0.１〜0.３ｎｍ／
ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出
し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを
設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン
製ボートにビス（８−ヒドロキシキノリノール）マグネ
シウム（Ｍｇ（Ｏｘ）₂ ：イオン化エネルギー5.５５ｅ
Ｖ) を２００ｍｇ入れて真空槽に蒸着した。さらに、モ
リブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇ
を入れ、また違うタングステン製バスケットに銀ワイヤ
ーを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空槽を１×１
０^-4Ｐａまで減圧してから、Ｍｇ（Ｏｘ）₂ の入ったボ
ートを４１０℃まで加熱し、Ｍｇ（Ｏｘ） ₂ を0.０１〜
0.０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。さら
に、銀を0.１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗加熱法に
より、もう一方のモリブデンボートからマグネシウムを
1.４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。上記条件でマ
グネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎ
ｍ積層蒸着し、対向電極とした。

【００８５】実施例９ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない
次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナ
ル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基
板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホ
ルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボ
ートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）
ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を
１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記
ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速
度0.１〜0.３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜
厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温
度は室温であった。これを真空槽より取り出すことな
く、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶ
Ｂｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件
はボート温度が２４０℃で蒸着速度は0.１〜0.３ｎｍ／
ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出
し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを
設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン
製ボートにビス（８−ヒドロキシキノリノール）銅（Ｃ
ｕｑ₂：イオン化エネルギー5.４５ｅＶ) を２００ｍｇ
入れて真空槽に蒸着した。さらに、モリブデン製の抵抗
加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また違う
タングステン製バスケットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入
れ蒸着した。その後、真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧
してから、Ｃｕｑ ₂ の入ったボートを４８０℃まで加熱
し、Ｃｕｑ₂ を0.０５〜0.１ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０
ｎｍ蒸着した。さらに、銀を0.１ｎｍ／ｓの蒸着速度で
同時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブデンボート
からマグネシウムを1.４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始
めた。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発
光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。

【００８６】実施例１０ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない
次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナ
ル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基
板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホ
ルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボ
ートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）
ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を
１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記
ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速
度0.１〜0.３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜
厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温
度は室温であった。これを真空槽より取り出すことな
く、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶ
Ｂｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件
はボート温度が２４０℃で蒸着速度は0.１〜0.３ｎｍ／
ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出
し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを
設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン
製ボートにビス（８−ヒドロキシキノリノール）鉛（Ｐ
ｂｑ₂：イオン化エネルギー5.４５ｅＶ) を２００ｍｇ
入れて真空槽に蒸着した。さらに、モリブデン製の抵抗
加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また違う
タングステン製バスケットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入
れ蒸着した。その後、真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧
してから、Ｐｂｑ ₂ の入ったボートを２９０℃まで加熱
し、Ｐｂｑ₂ を0.０１〜0.０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２
０ｎｍ蒸着した。さらに、銀を0.１ｎｍ／ｓの蒸着速度
で同時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブデンボー
トからマグネシウムを1.４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し
始めた。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を
発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。

【００８７】実施例１１ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない
次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナ
ル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基
板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホ
ルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボ
ートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）
ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を
１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記
ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速
度0.１〜0.３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜
厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温
度は室温であった。これを真空槽より取り出すことな
く、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶ
Ｂｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件
はボート温度が２４０℃で蒸着速度は0.１〜0.３ｎｍ／
ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出
し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを
設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン
製ボートにトリス（８−ヒドロキシキノリノール）ガリ
ウム（Ｇａｑ₃ ：イオン化エネルギー5.５ｅＶ) を２０
０ｍｇ入れて真空槽に蒸着した。さらに、モリブデン製
の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、ま
た違うタングステン製バスケットに銀ワイヤーを５００
ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空槽を１×１０^-4Ｐａま
で減圧してから、Ｇａｑ₃ の入ったボートを２９０℃ま
で加熱し、Ｇａｑ₃ を0.０１〜0.０３ｎｍ／ｓの蒸着速
度で２０ｎｍ蒸着した。さらに、銀を0.１ｎｍ／ｓの蒸
着速度で同時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブデ
ンボートからマグネシウムを1.４ｎｍ／ｓの蒸着速度で
蒸着し始めた。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属
電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極と
した。

【００８８】実施例１２ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない
次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナ
ル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基
板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホ
ルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボ
ートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）
ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を
１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記
ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速
度0.１〜0.３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜
厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温
度は室温であった。これを真空槽より取り出すことな
く、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶ
Ｂｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件
はボート温度が２４０℃で蒸着速度は0.１〜0.３ｎｍ／
ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出
し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを
設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン
製ボートにトリス（８−ヒドロキシキノリノール）イン
ジュウム（Ｉｎｑ₃ ：イオン化エネルギー5.５ｅＶ) を
２００ｍｇ入れて真空槽に蒸着した。さらに、モリブデ
ン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入
れ、また違うタングステン製バスケットに銀ワイヤーを
５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空槽を１×１０^-4
Ｐａまで減圧してから、Ｉｎｑ₃ の入ったボートを３１
５℃まで加熱し、Ｉｎｑ₃を0.０１〜0.０３ｎｍ／ｓの
蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。さらに、銀を0.１ｎｍ／
ｓの蒸着速度で同時に抵抗加熱法により、もう一方のモ
リブデンボートからマグネシウムを1.４ｎｍ／ｓの蒸着
速度で蒸着し始めた。上記条件でマグネシウムと銀の混
合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向
電極とした。

【００８９】実施例１３ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない
次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナ
ル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基
板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホ
ルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボ
ートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）
ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を
１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記
ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速
度0.１〜0.３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜
厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温
度は室温であった。これを真空槽より取り出すことな
く、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶ
Ｂｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件
はボート温度が２４０℃で蒸着速度は0.１〜0.３ｎｍ／
ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出
し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを
設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン
製ボートにトリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリ
ノール）アルミニウム（Ａｌ（ｍｑ）₃ ：イオン化エネ
ルギー5.５５ｅＶ) を２００ｍｇ入れて真空槽に蒸着し
た。さらに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシ
ウムリボン１ｇを入れ、また違うタングステン製バスケ
ットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、
真空槽を１×１０ ^-4Ｐａまで減圧してから、Ａｌ（ｍ
ｑ）₃ の入ったボートを３００℃まで加熱し、Ａｌ（ｍ
ｑ）₃ を0.０１〜0.０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ
蒸着した。さらに、銀を0.１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時
に抵抗加熱法により、もう一方のモリブデンボートから
マグネシウムを1.４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始め
た。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光
層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。

【００９０】実施例１４ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中に
て５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない
次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナ
ル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基
板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホ
ルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボ
ートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）
ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を
１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記
ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速
度0.１〜0.３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜
厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温
度は室温であった。これを真空槽より取り出すことな
く、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶ
Ｂｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件
はボート温度が２４０℃で蒸着速度は0.１〜0.３ｎｍ／
ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出
し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを
設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン
製ボートにトリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリ
ノール）インジウム（Ｉｎ（ｍｑ）₃ ：イオン化エネル
ギー5.５ｅＶ)を２００ｍｇ入れて真空槽に蒸着した。
さらに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシウム
リボン１ｇを入れ、また違うタングステン製バスケット
に銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空
槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧してから、Ｉｎ（ｍｑ）₃
の入ったボートを３１５℃まで加熱し、Ｉｎ（ｍｑ）₃
を0.０１〜0.０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着し
た。さらに、銀を0.１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗
加熱法により、もう一方のモリブデンボートからマグネ
シウムを1.４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。上記
条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に
１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。

【００９１】比較例１〜８ 一度真空層から取り出し、再度、それぞれマグネシウム
と銀のボートとともに真空層内に設置し、実施例１と同
じ条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を蒸着したこ
と以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製した。

【００９２】比較例９ 発光層３０ｎｍ，接着層３０ｎｍとしたこと以外は、実
施例２と同様にＥＬ素子を作製した。初期特性は第１表
に示す通りであった。

【００９３】

【表１】

【００９４】均一性：素子を１００ｃｄ・ｍ^-2の輝度に
発光させ、輝度計（ＣＳ−１００，ミノルタカメラ
（株）製）を用いて発光面を観察し、以下のように評価
した。 ×：観察領域に、直径１０μｍ以上の無発光領域、若し
くは色むらがある。 ○：観察領域が均一発光（直径１０μｍ以上の無発光領
域もしくは色むらなし）である。 効率：素子を１００ｃｄ・ｍ^-2の輝度に発光させたとき
の変換効率を示す。 この評価を行った後、大気中にて、それらの素子に、Ｉ
ＴＯを陽極，金属電極を陰極として、直流電界を０Ｖ／
ｃｍから1.３×１０⁶ Ｖ／ｃｍまで4.２×１０ ⁴ Ｖ／ｃ
ｍ間隔で２秒ずつ印加し、電圧電流特性を測定しなが
ら、エージングを行った。さらに、窒素中にて、初期輝
度１００ｃｄ・ｍ^-2からエージングを１０分間行った。
このように処理した素子を、窒素中にて、直流電流駆動
にて、初期輝度１００ｃｄ・ｍ^-2に設定し、２４時間連
続発光させた。この後、前記と同様、輝度計を用いて評
価した。実施例は、いずれも均一発光するのに対し、比
較例１〜８は無発光領域が拡大し、比較例９は、色むら
が大きくなった。この時の輝度を第２表に示す。

【００９５】

【表２】

【００９６】以上に示したように、実施例は、本発明の
請求内容の素子構成であり、比較例は接着層を除いた素
子構成であり、例の番号が同じものは発光材料が同じで
ある。実施例の素子構成から青色発光を保持したまま発
光効率が向上し劣化が抑制されていることがわかる。さ
らに、実施例２と比較例９を比べると青系統発光を保持
するためには、接着層の膜厚を発光層の膜厚より薄くす
ることが効率的であることがわかる。

【００９７】

【発明の効果】本発明の有機ＥＬ素子によれば、発光の
面内均一性の向上を図ることができると同時に初期輝度
低下を抑えることができ、従って、素子の微細な加工が
可能であり、歩止まりの向上、さらには高寿命が可能と
なった。よって、本発明の有機ＥＬ素子は、各種発光材
料として、有効な利用が期待される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−247278（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−222484（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−209988（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−216790（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C09K 11/06 H05B 33/14

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 陽極／発光層／接着層／陰極、もしくは
   陽極／正孔注入層／発光層／接着層／陰極の順に積層し
   てなり、該発光層が一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ はそれぞれ水素原子，炭素数１〜６
   のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７
   〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜
   １８のアリール基，置換あるいは無置換のシクロヘキシ
   ル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜１８のアリール
   オキシ基，炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。ここ
   で、置換基は炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６
   のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，炭素数
   ６〜１８のアリールオキシ基，炭素数１〜６のアシル
   基，炭素数１〜６のアシルオキシ基，カルボキシル基，
   スチリル基，炭素数６〜２０のアリールカルボニル基，
   炭素数６〜２０のアリールオキシカルボニル基，炭素数
   １〜６のアルコキシカルボニル基，ビニル基，アニリノ
   カルボニル基，カルバモイル基，フェニル基，ニトロ
   基，水酸基あるいはハロゲンを示す。これらの置換基は
   単一でも複数でもよい。また、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ は同一でも、
   また互いに異なっていてもよく、Ｒ¹ とＲ² およびＲ³
   とＲ⁴ は互いに置換している基と結合して、置換あるい
   は無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置換の飽和六
   員環を形成してもよい。Ａｒは置換あるいは無置換の炭
   素数６〜２０のアリール基を表わし、単一置換されてい
   ても、複数置換されていてもよく、また結合部位は、オ
   ルト，パラ，メタいずれでもよい。但し、Ａｒが無置換
   フェニレンの場合、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ はそれぞれ炭素数１〜６
   のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，置換あ
   るいは無置換のナフチル基，ビフェニル基，シクロヘキ
   シル基，アリールオキシ基より選ばれたものであ
   る。），一般式（II） 【化２】 （式中、Ａ及びＢは、それぞれ上記一般式（Ｉ）で表さ
   れる化合物から１つの水素原子を除いた一価基を示し、
   同一であっても異なってもよい。また、Ｑは共役系を切
   る二価基を示す。）又は一般式（III) 【化３】 （式中、Ａ¹ は置換あるいは無置換の炭素数６〜２０の
   アリーレン基又は二価の芳香族複素環式基を示す。結合
   位置はオルト，メタ，パラのいずれでもよい。Ａ ² は置
   換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基又は一
   価の芳香族複素環式基を示す。Ｒ⁵ 及びＲ⁶ はそれぞ
   れ、水素原子，置換あるいは無置換の炭素数６〜２０の
   アリール基，シクロヘキシル基，一価の芳香族複素環式
   基，炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数７〜２０のア
   ラルキル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基を示す。
   なお、Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ は同一でも異なってもよい。ここで、
   置換基とは、単一置換の場合、アルキル基，アリールオ
   キシ基，アミノ基又は置換基を有するもしくは有しない
   フェニル基である。Ｒ⁵ の各置換基はＡ¹ と結合して、
   飽和もしくは不飽和の五員環又は六員環を形成してもよ
   く、同様にＲ⁶ の各置換基はＡ² と結合して、飽和もし
   くは不飽和の五員環又は六員環を形成してもよい。ま
   た、Ｑは、共役を切る二価基を表す。）で表され、か
   つ、青，緑青もしくは青緑の発光を呈する化合物からな
   り、該接着層が８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体
   の金属錯体からなるとともに、その厚さが前記発光層の
   厚さより薄いことを特徴とする有機エレクトロルミネッ
   センス素子。 【０００１】