JP3086124B2 - Method and apparatus for forming bonding bump - Google Patents
Method and apparatus for forming bonding bumpInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に際
して、半導体チップの電極または該電極とボンディング
されるリード部にバンプを形成するための方法および装
置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for forming a bump on an electrode of a semiconductor chip or a lead portion bonded to the electrode when manufacturing a semiconductor device.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造に際して、半導体チッ
プの電極と外部のリード部とをバンプを介してボンディ
ングすることが行われる。例えばTAB(Tape Automate
d Bonding)方式においては、図6に示すように、半導体
チップ21上の電極22の位置に合わせたインナーリー
ド23を、テープ状の絶縁フィルム24上に形成したも
のを、Au等のバンプ25を介在させて、熱圧着により
一括接合する。2. Description of the Related Art In manufacturing a semiconductor device, bonding of an electrode of a semiconductor chip to an external lead portion via a bump is performed. For example, TAB (Tape Automate
In the d bonding method, as shown in FIG. 6, an inner lead 23 aligned with the position of the electrode 22 on the semiconductor chip 21 is formed on a tape-shaped insulating film 24, and a bump 25 made of Au or the like is formed thereon. They are interposed and joined together by thermocompression bonding.
【0003】このようなバンプは、半導体チップの電極
あるいはTABのインナーリード等のリード部にあらか
じめ形成しておき、バンプを有する半導体チップとTA
Bテープ等とを重ね、あるいは半導体チップとバンプを
有するTABテープ等とを重ねて、一括接合によりボン
ディングする。ボンディングに際しては、上記Auバン
プの場合は、熱圧着により自身が圧縮されて両者を接合
する。また、半田等の低融点金属のバンプを形成したも
のを使用して、リフロー(再溶融)により接合する方式
もある。バンプの形成手段としては、蒸着法、メッキ
法、金属ボール法等があり、所要の厚さを有するバンプ
を比較的簡易な手段で形成できる金属ボール法が注目さ
れている。Such bumps are formed in advance on a lead portion such as an electrode of a semiconductor chip or an inner lead of a TAB, and the semiconductor chip having the bump and the TAB are formed in advance.
B tape or the like or a semiconductor chip and a TAB tape having bumps or the like are overlapped and bonded by collective joining. At the time of bonding, in the case of the Au bump, the Au bump itself is compressed by thermocompression bonding to join them. There is also a method in which a bump having a low melting point metal such as solder is formed and joined by reflow (remelting). As means for forming the bumps, there are a vapor deposition method, a plating method, a metal ball method, and the like, and a metal ball method capable of forming a bump having a required thickness by a relatively simple means has attracted attention.
【0004】金属ボール法によるバンプの形成方法とし
て、特開昭62−25435号公報に、透明板上の所定
箇所に形成した半球状の凹部に金属ボールを据込み、そ
の上にチップを載置して、リフローにより金属ボールを
チップの所定箇所に融着することが開示されている。As a method of forming a bump by the metal ball method, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-25435 discloses a method in which a metal ball is set in a hemispherical concave portion formed at a predetermined position on a transparent plate, and a chip is mounted thereon. It is disclosed that a metal ball is fused to a predetermined portion of a chip by reflow.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】LSI、超LSIのよ
うな集積回路の大規模化、高密度化により半導体チップ
の電極数が飛躍的に増大し、かつ電極間のピッチが狭隘
化している。したがってこのような半導体チップの全て
の電極、あるいは該電極と接続すべきTABやリードフ
レームあるいはプリント基板等の全てのリード部にバン
プを形成するに際して、つぎのような課題がある。As the scale and density of integrated circuits such as LSIs and VLSIs increase, the number of electrodes on a semiconductor chip has increased dramatically, and the pitch between the electrodes has become narrower. Therefore, there are the following problems when bumps are formed on all the electrodes of such a semiconductor chip, or on all the lead portions of a TAB, a lead frame or a printed circuit board to be connected to the electrodes.
【0006】まず、上記のように一括接合する半導体チ
ップの多数の電極について、バンプが所定の高さを有
し、かつその高さが均一でなければならない。バンプ高
さが不足すると必要な接合強度が得られず、高さが不均
一だと、バンプが低い箇所では接合不良が発生し、バン
プが高い箇所ではチップが損傷を受ける危険性があるか
らである。この点に関して金属ボール法は、所要径の均
一サイズの金属ボールを選別して使用することで、均一
な所定高さのバンプを形成することができ、蒸着法やメ
ッキ法より優れている。First, for a large number of electrodes of a semiconductor chip to be joined together as described above, the bumps must have a predetermined height and the height must be uniform. If the bump height is insufficient, the required bonding strength cannot be obtained, and if the height is not uniform, there is a risk of poor bonding at low bump locations and chip damage at high bump locations. is there. In this regard, the metal ball method is superior to the vapor deposition method and the plating method since a bump having a uniform predetermined height can be formed by selecting and using metal balls having a required diameter and a uniform size.
【0007】つぎに、金属ボールを上記のような多数の
狭隘化したピッチの電極やリード部に、精度よく配列し
て接合しなければならない。具体的には、配列の位置ず
れ精度5μm以下が要求される場合が多くなっている。
上記特開昭62−25435号公報には、透明板上に金
属ボールを配列し、その上に半導体チップを重ねて、チ
ップ上にバンプを形成する方法が開示されているが、半
導体チップ上の接合箇所と金属ボールの位置合わせにつ
いては記載されていない。Next, the metal balls must be precisely arranged and joined to a large number of narrow-pitch electrodes and leads as described above. More specifically, alignment displacement accuracy of 5 μm or less is often required.
Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-25435 discloses a method in which metal balls are arranged on a transparent plate, a semiconductor chip is stacked thereon, and bumps are formed on the chip. It does not describe the alignment between the joint and the metal ball.
【0008】本発明は、LSI、超LSIのような集積
回路が大規模化、高密度化した半導体チップであって
も、狭隘化したピッチの多数の電極に、金属ボールを高
精度に配列して、均一な所定高さのバンプを形成し、ま
たこのような半導体チップの電極と接続すべきTABや
リードフレームあるいはプリント基板等のリード部にも
同様に配列して、同様のバンプを形成するための方法お
よび装置を提供することを目的とする。According to the present invention, a metal ball is arranged with high precision on a large number of electrodes having a narrowed pitch even if the integrated circuit such as an LSI or an VLSI is a large-scale and high-density semiconductor chip. Then, bumps having a uniform predetermined height are formed, and the same bumps are formed by arranging them in the same way on the TAB to be connected to the electrodes of such a semiconductor chip, the lead frame or the lead portion of a printed circuit board or the like. To provide a method and apparatus for the same.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明法は、半導体チップの電極または該電極とボン
ディングされるリード部からなるバンプ形成部材の所定
箇所にバンプを形成する方法であって、金属ボールを配
列基板上に配列し、該基板と前記バンプ形成部材を重ね
て加圧することにより該基板上の前記金属ボールを前記
バンプ形成部材の所定箇所に接合してバンプとするに際
し、マーカーを有する透明基準板を挟んで対向する位置
関係に前記配列基板と前記バンプ形成部材を配置し、前
記基準板を通し前記配列基板および前記バンプ形成部材
をそれぞれ別個に観察して位置調整した後、前記透明基
準板を退避させ、前記バンプ形成部材および前記配列基
板を重ねて加圧することを特徴とするボンディング用バ
ンプの形成方法である。According to the present invention, there is provided a method of forming a bump on a predetermined portion of a bump forming member comprising an electrode of a semiconductor chip or a lead portion bonded to the electrode. When arranging metal balls on an array substrate and overlapping the substrate and the bump forming member and pressing the metal balls on the substrate at predetermined positions of the bump forming member to form bumps, After arranging the arrangement substrate and the bump forming member in a positional relationship facing each other with a transparent reference plate having a marker therebetween, and adjusting the position by separately observing the arrangement substrate and the bump forming member through the reference plate, Retracting the transparent reference plate, and overlapping and pressing the bump forming member and the arrayed substrate, thereby forming a bonding bump. That.
【0010】また、上記目的を達成するための本発明装
置は3発明からなり、第1発明は、半導体チップの電極
または該電極とボンディングされるリード部からなるバ
ンプ形成部材の所定箇所にバンプを形成する装置であっ
て、金属ボールを配列する配列基板、該基板を保持し位
置調整する第1ゴニオメーター、該ゴニオメーターを移
動させる第1ガイドレール、前記配列基板の上方に配置
され前記バンプ形成部材を保持し位置調整する第2ゴニ
オメーター、該ゴニオメーターを移動させる第2ガイド
レール、前記配列基板と前記バンプ形成部材の間に配置
されたマーカーを有する透明基準板、該基準板の移動機
構、該基準板の上方に配備され該基準板を通して前記配
列基板を観察する第1顕微鏡、該基準板の下方に配備さ
れ該基準板を通して前記バンプ形成部材を観察する第2
顕微鏡、前記バンプ形成部材と前記配列基板を加圧する
加圧機構からなることを特徴とするボンディング用バン
プの形成装置である。The device of the present invention for achieving the above object comprises three inventions. The first invention is to form a bump on a predetermined portion of a bump forming member comprising a semiconductor chip electrode or a lead portion bonded to the electrode. An apparatus for forming, comprising: an array substrate on which metal balls are arrayed; a first goniometer for holding and adjusting the position of the substrate; a first guide rail for moving the goniometer; A second goniometer for holding and adjusting the position of the member, a second guide rail for moving the goniometer, a transparent reference plate having a marker disposed between the array substrate and the bump forming member, and a mechanism for moving the reference plate A first microscope disposed above the reference plate and observing the array substrate through the reference plate; a first microscope disposed below the reference plate and passing through the reference plate; Second observing the bump forming member
An apparatus for forming a bonding bump, comprising: a microscope; and a pressing mechanism for pressing the bump forming member and the array substrate.
【0011】本発明装置の第2発明は、半導体チップの
電極または該電極とボンディングされるリード部からな
るバンプ形成部材の所定箇所にバンプを形成する装置で
あって、金属ボールを配列する配列基板、該基板を保持
し位置調整する第1ゴニオメーター、該ゴニオメーター
を移動させる第1ガイドレール、前記配列基板の上方に
配置され前記バンプ形成部材を移動させる第2ガイドレ
ール、前記配列基板と前記バンプ形成部材の間に配置さ
れたマーカーを有する透明基準板、該基準板を保持し位
置調整する第3ゴニオメーター、該ゴニオメーターの移
動機構、該基準板の上方に配備され該基準板を通して前
記配列基板を観察する第1顕微鏡、該基準板の下方に配
備され該基準板を通して前記バンプ形成部材を観察する
第2顕微鏡、前記バンプ形成部材と前記配列基板を加圧
する加圧機構からなることを特徴とするボンディング用
バンプの形成装置である。According to a second aspect of the present invention, there is provided an apparatus for forming a bump on a predetermined portion of a bump forming member comprising an electrode of a semiconductor chip or a lead portion bonded to the electrode, wherein an array substrate for arranging metal balls is provided. A first goniometer for holding and adjusting the position of the substrate, a first guide rail for moving the goniometer, a second guide rail disposed above the array substrate and for moving the bump forming member, the array substrate and the array A transparent reference plate having a marker disposed between the bump forming members, a third goniometer for holding and adjusting the position of the reference plate, a moving mechanism for the goniometer, and disposed above the reference plate and passing through the reference plate; A first microscope that observes the array substrate, a second microscope that is provided below the reference plate and observes the bump forming member through the reference plate, A forming apparatus of the bonding bumps, characterized by comprising the sequence substrate and pump forming member from pressurizing the pressurizing mechanism.
【0012】本発明装置の第3発明は、半導体チップの
電極または該電極とボンディングされるリード部からな
るバンプ形成部材の所定箇所にバンプを形成する装置で
あって、金属ボールを配列する配列基板、該基板を移動
させる第1ガイドレール、該基板の上方に配置され前記
バンプ形成部材を保持し位置調整する第2ゴニオメータ
ー、該ゴニオメーターを移動させる第2ガイドレール、
前記配列基板と前記バンプ形成部材の間に配置されたマ
ーカーを有する透明基準板、該基準板を保持し位置調整
する第3ゴニオメーター、該ゴニオメーターの移動機
構、該基準板の上方に配備され該基準板を通して前記配
列基板を観察する第1顕微鏡、該基準板の下方に配備さ
れ該基準板を通して前記バンプ形成部材を観察する第2
顕微鏡、前記バンプ形成部材と前記配列基板を加圧する
加圧機構からなることを特徴とするボンディング用バン
プの形成装置である。According to a third aspect of the present invention, there is provided an apparatus for forming a bump on a predetermined portion of a bump forming member comprising an electrode of a semiconductor chip or a lead portion bonded to the electrode, wherein an array substrate for arranging metal balls is provided. A first guide rail for moving the substrate, a second goniometer disposed above the substrate for holding and adjusting the position of the bump forming member, a second guide rail for moving the goniometer,
A transparent reference plate having a marker disposed between the array substrate and the bump forming member, a third goniometer for holding and adjusting the position of the reference plate, a moving mechanism for the goniometer, and disposed above the reference plate A first microscope for observing the array substrate through the reference plate, and a second microscope disposed below the reference plate and observing the bump forming member through the reference plate
An apparatus for forming a bonding bump, comprising: a microscope; and a pressing mechanism for pressing the bump forming member and the array substrate.
【0013】[0013]
【作用】まず、本発明法を図1および図2に示す第1発
明装置例により説明する。図1は側面図、図2は図1の
A−A矢視相当の平面図である。本発明法は、図1に示
すように、金属ボール1を配列基板2の上に配列し、そ
の上方に、マーカー5を有する透明基準板4を挟んで、
配列基板2と対向する位置関係となるようにバンプ形成
部材3を配置し、透明基準板4を通し配列基板2および
バンプ形成部材3を別個に観察して位置調整を行い、配
列基板2上の金属ボール1がバンプ形成部材3のバンプ
形成すべき所定箇所と重なるようにする。そして、透明
基準板4を退避させ、配列基板2とバンプ形成部材3を
重ねて加圧し、バンプ形成部材3の所定箇所にバンプを
形成する。本発明においてバンプ形成部材3は、半導体
チップまたは該チップとボンディングされるTABテー
プ、リードフレーム、プリント基板等であり、バンプ形
成部材3の所定箇所は、半導体チップの電極または、該
電極と重なるTABテープ、リードフレーム、プリント
基板等のリード部の箇所である。First, the method of the present invention will be described with reference to the first example of the invention shown in FIGS. FIG. 1 is a side view, and FIG. 2 is a plan view corresponding to an arrow AA in FIG. According to the method of the present invention, as shown in FIG. 1, metal balls 1 are arranged on an arrangement substrate 2, and a transparent reference plate 4 having a marker 5 is sandwiched above the metal balls 1.
The bump forming member 3 is arranged so as to have a positional relationship facing the arrangement substrate 2, and the position adjustment is performed by separately observing the arrangement substrate 2 and the bump forming member 3 through the transparent reference plate 4 to adjust the position. The metal ball 1 is made to overlap a predetermined portion of the bump forming member 3 where a bump is to be formed. Then, the transparent reference plate 4 is retracted, and the array substrate 2 and the bump forming member 3 are overlaid and pressed to form a bump at a predetermined position of the bump forming member 3. In the present invention, the bump forming member 3 is a semiconductor chip or a TAB tape, a lead frame, a printed circuit board or the like bonded to the chip, and a predetermined portion of the bump forming member 3 is provided with a semiconductor chip electrode or a TAB overlapping the electrode. It is a place of a lead portion of a tape, a lead frame, a printed circuit board or the like.
【0014】本発明の第1発明装置例は、図1に示すよ
うに、金属ボール1を配列する配列基板2、配列基板2
を保持し位置調整する第1ゴニオメーター6、第1ゴニ
オメーター6を移動させる第1ガイドレール7、配列基
板2の上方に配置されバンプ形成部材3を保持し位置調
整する第2ゴニオメーター8、第2ゴニオメーター8を
移動させる第2ガイドレール9、配列基板2とバンプ形
成部材3の間に配置されたマーカー5を有する透明基準
板4、透明基準板4の移動機構であるアーム16とその
軸17、透明基準板4の上方に配備され透明基準板4を
通して配列基板2を観察する第1顕微鏡12、透明基準
板4の下方に配備され透明基準板4を通してバンプ形成
部材3を観察する第2顕微鏡13、バンプ形成部材3配
列基板2を加圧する加圧機構である加圧治具19とその
制御装置20からなる。As shown in FIG. 1, a first example of an apparatus according to the present invention comprises an arrangement substrate 2 on which metal balls 1 are arranged, an arrangement substrate 2
A first goniometer 6 for holding and adjusting the position, a first guide rail 7 for moving the first goniometer 6, a second goniometer 8 disposed above the array substrate 2 and holding and adjusting the position of the bump forming member 3, A second guide rail 9 for moving the second goniometer 8, a transparent reference plate 4 having a marker 5 disposed between the array substrate 2 and the bump forming member 3, an arm 16 as a moving mechanism of the transparent reference plate 4, and The first microscope 12 is disposed above the transparent reference plate 4 and is configured to observe the array substrate 2 through the transparent reference plate 4. The first microscope 12 is disposed below the transparent reference plate 4 and is configured to observe the bump forming member 3 through the transparent reference plate 4. The microscope comprises a microscope 13, a bump forming member 3, a pressing jig 19 as a pressing mechanism for pressing the array substrate 2, and a control device 20 therefor.
【0015】本発明法における配列基板2とバンプ形成
部材3の位置調整について、図1の第1発明装置例によ
り説明する。配列基板2には、バンプ形成部材3の上記
所定箇所に合わせた箇所に開口する吸引口14−1が設
けてあり、該吸引口14−1に金属ボール1を吸着させ
る。この配列基板2は第1ゴニオメーター6で保持して
いる。バンプ形成部材3は、第2ゴニオメーター8に固
定されている固定用ヘッド15に吸引口14−2で保持
させる。そして、まず図1のように,第1ゴニオメータ
ー6を第1ガイドレールのストッパー18−1に当接さ
せ、透明基準板4を配列基板2の直上に位置させる。第
2ゴニオメーター8は,第2ガイドレール9に沿って図
示位置に退避させておき、上方から透明基準板4を通し
て第1顕微鏡12で配列基板2を観察し、第1ゴニオメ
ーター6により例えば5軸調整(x方向、y方向、z方
向、xy面内のθ回転、xy面のα傾斜)を行い、金属
ボール1の位置を基準板4のマーカー5と合わせる。こ
のとき、z方向の移動は第1顕微鏡12の焦点合わせの
ためである。The position adjustment of the array substrate 2 and the bump forming member 3 in the method of the present invention will be described with reference to a first invention apparatus example in FIG. The arrangement substrate 2 is provided with a suction port 14-1 which is opened at a position corresponding to the predetermined position of the bump forming member 3, and the metal ball 1 is sucked to the suction port 14-1. This array substrate 2 is held by a first goniometer 6. The bump forming member 3 is held by the fixing head 15 fixed to the second goniometer 8 at the suction port 14-2. Then, as shown in FIG. 1, the first goniometer 6 is brought into contact with the stopper 18-1 of the first guide rail, and the transparent reference plate 4 is located directly above the array substrate 2. The second goniometer 8 is retracted to the position shown in the figure along the second guide rail 9, observes the array substrate 2 with the first microscope 12 through the transparent reference plate 4 from above, Axis adjustment (x direction, y direction, z direction, θ rotation in xy plane, α inclination in xy plane) is performed, and the position of metal ball 1 is aligned with marker 5 of reference plate 4. At this time, the movement in the z direction is for focusing of the first microscope 12.
【0016】ついで、第1ゴニオメーター6を第1ガイ
ドレール7に沿って退避させ、第2ガイドレールに沿っ
て第1顕微鏡12を退避させるとともに第2ゴニオメー
ター8を透明基準板4の直上に位置させる。そして下方
から基準板4を通して第2顕微鏡13でバンプ形成部材
3を観察し、第2ゴニオメーター8により例えば上記の
ように5軸調整を行い、バンプ形成部材3の所定箇所を
透明基準板4のマーカー5と合わせる。その後、透明基
準板4を支持しているアーム16を軸17の回りに旋回
させて、透明基準板4を退避させ、第1ゴニオメーター
6を第1ガイドレール7に沿って移動させ、ストッパー
18−1に当接させる。これで、配列基板2上の金属ボ
ール1と、バンプ形成部材3のバンプ形成すべき所定箇
所とが、z方向に一致したことになる。そこで、加圧治
具19を下降させて、バンプ形成部材3を配列基板2に
加圧し、金属ボール1をバンプ形成部材3の所定箇所
に、熱圧着により一括接合する。固定用ヘッド15には
ヒーターが内蔵されており、制御装置20によりヒータ
ー温度および加圧力を制御する。接合後は配列基板2の
吸引口14−1の吸引を解除して、つぎのバンプ形成に
移行する。Next, the first goniometer 6 is retracted along the first guide rail 7, the first microscope 12 is retracted along the second guide rail, and the second goniometer 8 is placed directly above the transparent reference plate 4. Position. Then, the bump forming member 3 is observed from below through the reference plate 4 with the second microscope 13, and the five axes are adjusted by the second goniometer 8, for example, as described above. Match with marker 5. After that, the arm 16 supporting the transparent reference plate 4 is turned around the axis 17 to retract the transparent reference plate 4, the first goniometer 6 is moved along the first guide rail 7, and the stopper 18 -1. Thus, the metal ball 1 on the array substrate 2 and the predetermined position of the bump forming member 3 where the bump is to be formed coincide with the z direction. Then, the pressing jig 19 is lowered, the bump forming member 3 is pressed against the array substrate 2, and the metal balls 1 are collectively bonded to a predetermined portion of the bump forming member 3 by thermocompression. The fixing head 15 has a built-in heater, and the controller 20 controls the heater temperature and pressure. After the bonding, the suction of the suction port 14-1 of the array substrate 2 is released, and the process proceeds to the next bump formation.
【0017】なお、上記第1発明装置において、第1ガ
イドレール7は、例えば図2のように2本にし、第1ゴ
ニオメーター6を退避させたとき、第2顕微鏡13がレ
ールの間に位置するように構成してあり、第2顕微鏡1
3で透明基準板4を通してバンプ形成部材3を観察する
ことができる。また、透明基準板4の移動機構として
は、上記のような旋回方式の他、下記第2発明装置およ
び第3発明装置の例を示す図3、図4および図5のよう
に、第3ガイドレール11による平行移動方式としても
よい。ただし、第1発明装置においては第3ゴニオメー
ター10は不要である。In the first invention, the first guide rail 7 has two guide rails as shown in FIG. 2, for example, and when the first goniometer 6 is retracted, the second microscope 13 is positioned between the rails. The second microscope 1
At 3, the bump forming member 3 can be observed through the transparent reference plate 4. As a moving mechanism of the transparent reference plate 4, in addition to the above-described turning method, a third guide as shown in FIGS. 3, 4, and 5 showing examples of the second invention device and the third invention device described below. A parallel movement method using the rail 11 may be used. However, the third goniometer 10 is unnecessary in the first invention device.
【0018】本発明法において、配列基板2とバンプ形
成部材3の位置調整は、上記方法による他、つぎのよう
な方法で行うこともできる。図1において、まずバンプ
形成部材3を保持した第2ゴニオメーター8を透明基準
板4の直上に位置させ、下方から第2顕微鏡で観察し
て、バンプ形成部材3を透明基準板4に合わせる。つい
で第1ゴニオメーター6を透明基準板4の直下に位置さ
せ、第2ゴニオメーター8を退避させ、第1顕微鏡12
を透明基準板4の直上に位置させて上方から配列基板2
を観察し、金属ボール1の位置を基準板4に合わせる。
そして、第1顕微鏡12を退避させ、第2ゴニオメータ
ー8を基準板4の直上に位置させ、基準板4を退避さ
せ、加圧治具19を下降させてバンプ形成部材3を配列
基板2に加圧する。なお、第2ゴニオメーター8を透明
基準板4の直上に位置させるとき、例えば図3のよう
に、ストッパー18−2を第2ガイドレール9の近傍
に、第1顕微鏡12の移動を妨げないように設けてお
き、バンプ形成部材3を調整された位置に確実に戻し
て、加圧できるようにする。In the method of the present invention, the position adjustment of the arrangement substrate 2 and the bump forming member 3 can be performed by the following method in addition to the above method. In FIG. 1, first, the second goniometer 8 holding the bump forming member 3 is positioned directly above the transparent reference plate 4, and observed from below using a second microscope, and the bump forming member 3 is aligned with the transparent reference plate 4. Next, the first goniometer 6 is positioned immediately below the transparent reference plate 4, the second goniometer 8 is retracted, and the first microscope 12 is moved.
Is positioned directly above the transparent reference plate 4 and the array substrate 2 is positioned from above.
And adjust the position of the metal ball 1 to the reference plate 4.
Then, the first microscope 12 is retracted, the second goniometer 8 is positioned immediately above the reference plate 4, the reference plate 4 is retracted, and the pressing jig 19 is lowered to move the bump forming member 3 to the array substrate 2. Apply pressure. When the second goniometer 8 is positioned directly above the transparent reference plate 4, for example, as shown in FIG. 3, the stopper 18-2 is positioned near the second guide rail 9 so as not to hinder the movement of the first microscope 12. To ensure that the bump forming member 3 is returned to the adjusted position and can be pressed.
【0019】また、本発明法は図3に例示するような第
2発明装置により行うこともできる。第2発明装置は、
図3の例のように、透明基準板4が第3ゴニオメーター
10に保持され、第3ゴニオメーター10が第3ガイド
レールに沿って移動できるようになっている。透明基準
板4は、例えば図5のように、第3ゴニオメーター10
に中空部を設けて、そこに保持させることにより、これ
を通して上下から顕微鏡12および13で観察できるよ
うになっている。そしてバンプ形成部材3は、図3のよ
うに固定用ヘッド15に吸引口14−2で保持され、第
2ガイドレール9に沿って移動できるようになっている
が、図1のような第2ゴニオメーター8は設けられてい
ない。その他の構成は図1と同様である。Further, the method of the present invention can be carried out by a second apparatus as illustrated in FIG. The second invention device is:
As in the example of FIG. 3, the transparent reference plate 4 is held by the third goniometer 10, and the third goniometer 10 can move along the third guide rail. The transparent reference plate 4 is, for example, as shown in FIG.
A hollow portion is provided in the device, and it is held there, so that it can be observed from above and below by the microscopes 12 and 13. The bump forming member 3 is held by the fixing head 15 at the suction port 14-2 as shown in FIG. 3 and can be moved along the second guide rail 9 as shown in FIG. The goniometer 8 is not provided. Other configurations are the same as those in FIG.
【0020】図3の第2発明装置により本発明法を実施
するとき、配列基板2とバンプ形成部材3の位置調整
は、つぎのようにして行うことができる。まず、透明基
準板4を保持した第3ゴニオメーター10を第3ガイド
レール11のストッパー18−3に当接させ、第2顕微
鏡13の直上に位置させる。そして、バンプ形成部材3
を第2ガイドレール9に沿って移動し、ストッパー18
−2に当接させて、透明基準板4の直上に位置させ、第
2顕微鏡13により、透明基準板4を通してバンプ形成
部材3を観察し、第3ゴニオメーター10を例えば前述
のように5軸調整して、透明基準板4の位置を調整し、
マーカー5をバンプ形成部材3の所定箇所に合わせる。
つぎに、バンプ形成部材3を図の右方に退避させ、第1
顕微鏡12を移動して透明基準板4の直上に位置させ、
第1ゴニオメーター6を基準板4の直下に位置させて、
第1顕微鏡12により基準板4を通して配列基板2を観
察し、第1ゴニオメーター6を調整して、金属ボール1
の位置を基準板4のマーカー5と合わせる。その後、第
3ゴニオメーター10を第3ガイドレールに沿って左方
に退避させ、バンプ形成部材3を移動してストッパー1
8−2に当接させる。これで配列基板2上の金属ボール
1とバンプ形成部材3のバンプ形成すべき所定箇所が、
z方向に一致する。その他については、上記図1の第1
発明装置について説明したとおりである。When the method of the present invention is carried out by the second apparatus of the present invention shown in FIG. 3, the position adjustment between the array substrate 2 and the bump forming member 3 can be performed as follows. First, the third goniometer 10 holding the transparent reference plate 4 is brought into contact with the stopper 18-3 of the third guide rail 11 and is located immediately above the second microscope 13. And the bump forming member 3
Is moved along the second guide rail 9, and the stopper 18
-2, and placed just above the transparent reference plate 4, the second microscope 13 observes the bump forming member 3 through the transparent reference plate 4, and moves the third goniometer 10 to, for example, a 5-axis Adjustment, adjust the position of the transparent reference plate 4,
The marker 5 is set at a predetermined position on the bump forming member 3.
Next, the bump forming member 3 is retracted to the right in FIG.
The microscope 12 is moved and positioned just above the transparent reference plate 4,
With the first goniometer 6 positioned directly below the reference plate 4,
The arrangement substrate 2 is observed through the reference plate 4 by the first microscope 12, and the first goniometer 6 is adjusted to
Is aligned with the marker 5 of the reference plate 4. Thereafter, the third goniometer 10 is retracted to the left along the third guide rail, and the bump forming member 3 is moved to stop the stopper 1.
8-2. Thus, the predetermined positions on the array substrate 2 where the metal balls 1 and the bump forming members 3 are to be bumped are
coincides with the z direction. Others are described in the first part of FIG.
This is as described for the inventive device.
【0021】さらに、本発明法は図4に例示するような
第3発明装置により行うこともできる。第3発明装置
は、図4の例のように、透明基準板4が、図3と同様、
第3ゴニオメーター10に保持され、第3ゴニオメータ
ー10が第3ガイドレールに沿って移動できるようにな
っている。透明基準板4は、例えば図5のように、第3
ゴニオメーター10に中空部を設けて、そこに保持させ
ることにより、これを通して上下から顕微鏡12および
13で観察できるようになっている。そして配列基板2
は、図4のように第1ガイドレール7に沿って移動でき
るようになっているが、図1のような第1ゴニオメータ
ー6は設けられていない。その他の構成は図1と同様で
ある。Further, the method of the present invention can be carried out by a third apparatus as illustrated in FIG. In the third invention device, as in the example of FIG. 4, the transparent reference plate 4 is similar to that of FIG.
The third goniometer 10 is held by the third goniometer 10 so that the third goniometer 10 can move along the third guide rail. The transparent reference plate 4 is, for example, as shown in FIG.
The goniometer 10 is provided with a hollow portion and held therein, so that the goniometer 10 can be observed by the microscopes 12 and 13 from above and below. And array board 2
Can be moved along the first guide rail 7 as shown in FIG. 4, but the first goniometer 6 as shown in FIG. 1 is not provided. Other configurations are the same as those in FIG.
【0022】図4の第3発明装置により本発明法を実施
するとき、配列基板2とバンプ形成部材3の位置調整
は、つぎのようにして行うことができる。まず、透明基
準板4を保持した第3ゴニオメーター10を第3ガイド
レール11のストッパー18−3に当接させ、第1顕微
鏡12の直下に位置させる。そして、配列基板2を第1
ガイドレール7に沿って移動し、ストッパー18−1に
当接させて、透明基準板4の直下に位置させ、第1顕微
鏡12により、透明基準板4を通して配列基板2を観察
し、第3ゴニオメーター10を例えば前述のように5軸
調整して、透明基準板4の位置を調整し、マーカー5を
配列基板2上の金属ボール1に合わせる。つぎに、配列
基板2を図の右方に退避させ、第1顕微鏡12を左方に
移動し、第2ゴニオメーター8を基準板4の直上に位置
させて、第2顕微鏡13により基準板4を通してバンプ
形成部材3を観察し、第2ゴニオメーター8を調整し
て、バンプ形成部材3の所定箇所を基準板4のマーカー
5と合わせる。その後、第3ゴニオメーター10を第3
ガイドレールに沿って左方に退避させ、配列基板2を移
動してストッパー18−1に当接させる。これで配列基
板2上の金属ボール1とバンプ形成部材3のバンプ形成
すべき所定箇所が、z方向に一致する。その他について
は、上記図1の第1発明装置について説明したとおりで
ある。When the method of the present invention is carried out by the third invention apparatus shown in FIG. 4, the position adjustment between the array substrate 2 and the bump forming member 3 can be performed as follows. First, the third goniometer 10 holding the transparent reference plate 4 is brought into contact with the stopper 18-3 of the third guide rail 11, and is located immediately below the first microscope 12. Then, the array substrate 2 is moved to the first
It moves along the guide rail 7, contacts the stopper 18-1, is positioned immediately below the transparent reference plate 4, and observes the array substrate 2 through the transparent reference plate 4 by the first microscope 12, and the third gonio The position of the transparent reference plate 4 is adjusted by adjusting, for example, the five axes of the meter 10 as described above, and the marker 5 is aligned with the metal ball 1 on the array substrate 2. Next, the array substrate 2 is retracted to the right in the drawing, the first microscope 12 is moved to the left, the second goniometer 8 is positioned directly above the reference plate 4, and the reference plate 4 is moved by the second microscope 13. The second goniometer 8 is adjusted by adjusting the second goniometer 8 so that a predetermined portion of the bump forming member 3 is aligned with the marker 5 of the reference plate 4. Then, the third goniometer 10 is moved to the third
The array substrate 2 is retreated to the left along the guide rail, and is moved to contact the stopper 18-1. As a result, the predetermined positions on the array substrate 2 where the metal balls 1 and the bump forming members 3 are to be bumped coincide with each other in the z direction. Others are as described for the first invention device of FIG.
【0023】本発明法および本発明装置において、金属
ボールとしてはAuを採用することができ、また半田等
の低融点金属を採用することもできる。金属ボールの形
状は、球の他、楕円あるいは角形など、対象となる半導
体チップ等の状況に応じて選択する。一括接合するバン
プ形成部材内においては、金属ボールの材質、形状およ
び寸法を同一のものとする。Auを採用した場合は熱圧
着により接合してバンプを形成し、半田等の低融点金属
を採用した場合は、熱圧着あるいは溶融により接合する
ことができる。In the method of the present invention and the apparatus of the present invention, Au can be used as the metal ball, and a low melting point metal such as solder can also be used. The shape of the metal ball is selected according to the situation of the target semiconductor chip, such as an ellipse or a square, in addition to a sphere. The materials, shapes and dimensions of the metal balls are the same in the bump forming members to be joined together. When Au is used, bumps are formed by thermocompression bonding, and when low melting point metal such as solder is used, bonding can be performed by thermocompression bonding or melting.
【0024】このような本発明法および本発明装置によ
り、各種半導体チップの電極、あるいは該電極にボンデ
ィングされるTAB、リードフレーム、プリント基板等
のリード部からなるバンプ形成部材に多数のバンプを狭
隘化したピッチで形成し、その位置ずれ精度、バンプ高
さの均一性、および接合性が優れている。また本発明に
よれば、バンプ形成部材の全面あるいは任意の所要部分
を観察して位置調整することができるので、半導体チッ
プの中央部にも電極を配置したLOC(Lead OnChip)構
造用のものにも適用可能である。According to the method of the present invention and the apparatus of the present invention, a large number of bumps are narrowed on the electrodes of various semiconductor chips, or on the bump forming members formed of lead portions such as TABs, lead frames, and printed circuit boards bonded to the electrodes. It is formed at a reduced pitch, and is excellent in positional deviation accuracy, uniformity of bump height, and bonding property. Further, according to the present invention, since the position can be adjusted by observing the entire surface of the bump forming member or an arbitrary required portion, it can be used for a LOC (Lead On Chip) structure in which electrodes are also arranged at the center of the semiconductor chip. Is also applicable.
【0025】[0025]
【実施例】半導体チップに、図1のような装置によりバ
ンプを形成した。金属ボール1としては、ワイヤボンデ
ィング用のAu細線(純度99.9重量%以上)を定寸
に切断し、溶融して直径70μmの球状にしたものを使
用し、これを、150μmピッチで配置された合計20
0個の電極に熱圧着で接合した。透明基準板4として
は、ガラス板にフォトレジスト処理により金属ボールの
位置をマーキングしたものを使用した。形成されたバン
プは、いずれも接合不良の発生がなく、位置ずれ精度が
5μm以下の高精度に配列され、バンプ高さは均一であ
った。EXAMPLE A bump was formed on a semiconductor chip by an apparatus as shown in FIG. As the metal ball 1, an Au fine wire (purity of 99.9% by weight or more) for wire bonding is cut to a fixed size, melted into a spherical shape having a diameter of 70 μm, and arranged at a pitch of 150 μm. Total 20
It bonded to zero electrodes by thermocompression bonding. As the transparent reference plate 4, a glass plate in which the positions of metal balls were marked by a photoresist process was used. All of the formed bumps were free from bonding failure, were arranged with a high positional accuracy of 5 μm or less, and had a uniform bump height.
【0026】[0026]
【発明の効果】本発明法および本発明装置によれば、半
導体チップ上に狭隘化したピッチの高密度で設けられた
多数の電極に、5μm以下の位置ずれ精度で金属ボール
を配列し、一括接合で接合不良なく均一な高さのバンプ
を形成することができる。また上記半導体チップと接続
されるTAB、リードフレームあるいはプリント基板等
のリード部にも同様にしてバンプを形成することができ
る。したがって、本発明によりバンプが形成された半導
体チップ、TAB、リードフレーム、プリント基板等を
採用することにより、信頼性の高い半導体装置を歩留ま
りよく製造することができる。According to the method and the apparatus of the present invention, metal balls are arranged with a positional deviation accuracy of 5 μm or less on a large number of electrodes provided on a semiconductor chip with a narrow pitch and high density. Bumps with a uniform height can be formed without bonding failure by bonding. Also, bumps can be formed in the same manner on lead portions of a TAB, a lead frame or a printed circuit board connected to the semiconductor chip. Therefore, by employing a semiconductor chip, a TAB, a lead frame, a printed board, or the like on which bumps are formed according to the present invention, a highly reliable semiconductor device can be manufactured with high yield.
【図1】本発明の第1発明装置の例を示す側面図であ
る。FIG. 1 is a side view showing an example of a first invention device of the present invention.
【図2】本発明の第1発明装置の例を示し、図1のA−
A矢視相当の平面図である。FIG. 2 shows an example of the first invention apparatus of the present invention, and FIG.
It is a top view equivalent to the arrow A view.
【図3】本発明の第2発明装置の例を示す側面図であ
る。FIG. 3 is a side view showing an example of the second invention apparatus of the present invention.
【図4】本発明の第3発明装置の例を示す側面図であ
る。FIG. 4 is a side view showing an example of the third invention apparatus of the present invention.
【図5】本発明の第2発明装置および第3発明装置の例
を示し、図3および図4のB−B矢視平面図である。5 is a plan view showing an example of the second invention device and the third invention device according to the present invention, and is a plan view taken along the line BB of FIGS. 3 and 4. FIG.
【図6】従来のTAB方式による樹脂封止型半導体装置
の例を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing an example of a conventional resin-sealed semiconductor device using a TAB method.
1:金属ボール 2:配列基板 3:バンプ形成部材 4:透明基準板 5:マーカー 6:第1ゴニオメーター 7:第1ガイドレール 8:第2ゴニオメーター 9:第2ガイドレール 10:第3ゴニオメーター 11:第3ガイドレール 12:第1顕微鏡 13:第2顕微鏡 14−1,14−2:吸引口 15:固定用ヘッド 16:アーム 17:軸 18−1,18−2,18−3:ストッパー 19:加圧治具 20:制御装置 21:半導体チップ 22:電極 23:インナーリード 24:絶縁フィルム 25:バンプ 1: Metal ball 2: Array substrate 3: Bump forming member 4: Transparent reference plate 5: Marker 6: First goniometer 7: First guide rail 8: Second goniometer 9: Second guide rail 10: Third goniometer Meter 11: Third guide rail 12: First microscope 13: Second microscope 14-1, 14-2: Suction port 15: Fixing head 16: Arm 17: Shaft 18-1, 18-2, 18-3: Stopper 19: Pressing jig 20: Control device 21: Semiconductor chip 22: Electrode 23: Inner lead 24: Insulating film 25: Bump
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/60
Claims (4)
ディングされるリード部からなるバンプ形成部材の所定
箇所にバンプを形成する方法であって、金属ボールを配
列基板上に配列し、該基板と前記バンプ形成部材を重ね
て加圧することにより該基板上の前記金属ボールを前記
バンプ形成部材の所定箇所に接合してバンプとするに際
し、マーカーを有する透明基準板を挟んで対向する位置
関係に前記配列基板と前記バンプ形成部材を配置し、前
記基準板を通し前記配列基板および前記バンプ形成部材
をそれぞれ別個に観察して位置調整した後、前記透明基
準板を退避させ、前記バンプ形成部材および前記配列基
板を重ねて加圧することを特徴とするボンディング用バ
ンプの形成方法。1. A method for forming a bump on a predetermined portion of a bump forming member comprising an electrode of a semiconductor chip or a lead portion bonded to the electrode, comprising: arranging metal balls on an array substrate; When the metal balls on the substrate are bonded to predetermined positions of the bump forming member to form bumps by overlapping and pressing the bump forming members, the arrangement is performed in a positional relationship facing the transparent reference plate having a marker. After arranging the substrate and the bump forming member, separately observing the arrangement substrate and the bump forming member through the reference plate and adjusting the position, retracting the transparent reference plate, the bump forming member and the arrangement A method for forming a bonding bump, wherein a substrate is overlaid and pressed.
ディングされるリード部からなるバンプ形成部材の所定
箇所にバンプを形成する装置であって、金属ボールを配
列する配列基板、該基板を保持し位置調整する第1ゴニ
オメーター、該ゴニオメーターを移動させる第1ガイド
レール、前記配列基板の上方に配置され前記バンプ形成
部材を保持し位置調整する第2ゴニオメーター、該ゴニ
オメーターを移動させる第2ガイドレール、前記配列基
板と前記バンプ形成部材の間に配置されたマーカーを有
する透明基準板、該基準板の移動機構、該基準板の上方
に配備され該基準板を通して前記配列基板を観察する第
1顕微鏡、該基準板の下方に配備され該基準板を通して
前記バンプ形成部材を観察する第2顕微鏡、前記バンプ
形成部材と前記配列基板を加圧する加圧機構からなるこ
とを特徴とするボンディング用バンプの形成装置。2. An apparatus for forming a bump on a predetermined portion of a bump forming member comprising an electrode of a semiconductor chip or a lead portion bonded to the electrode, comprising: an array substrate on which metal balls are arrayed; A first goniometer to be adjusted, a first guide rail for moving the goniometer, a second goniometer arranged above the array substrate for holding and adjusting the position of the bump forming member, and a second guide for moving the goniometer A rail, a transparent reference plate having a marker disposed between the arrangement substrate and the bump forming member, a mechanism for moving the reference plate, and a first mechanism disposed above the reference plate for observing the arrangement substrate through the reference plate. A microscope, a second microscope disposed below the reference plate and observing the bump forming member through the reference plate, the bump forming member and the array An apparatus for forming a bonding bump, comprising a pressing mechanism for pressing a substrate.
ディングされるリード部からなるバンプ形成部材の所定
箇所にバンプを形成する装置であって、金属ボールを配
列する配列基板、該基板を保持し位置調整する第1ゴニ
オメーター、該ゴニオメーターを移動させる第1ガイド
レール、前記配列基板の上方に配置され前記バンプ形成
部材を移動させる第2ガイドレール、前記配列基板と前
記バンプ形成部材の間に配置されたマーカーを有する透
明基準板、該基準板を保持し位置調整する第3ゴニオメ
ーター、該ゴニオメーターの移動機構、該基準板の上方
に配備され該基準板を通して前記配列基板を観察する第
1顕微鏡、該基準板の下方に配備され該基準板を通して
前記バンプ形成部材を観察する第2顕微鏡、前記バンプ
形成部材と前記配列基板を加圧する加圧機構からなるこ
とを特徴とするボンディング用バンプの形成装置。3. An apparatus for forming a bump on a predetermined portion of a bump forming member comprising an electrode of a semiconductor chip or a lead portion bonded to the electrode, comprising: an array substrate on which metal balls are arrayed; A first goniometer to be adjusted, a first guide rail for moving the goniometer, a second guide rail disposed above the array substrate to move the bump forming member, and disposed between the array substrate and the bump forming member Reference plate having a marker, a third goniometer for holding and adjusting the position of the reference plate, a moving mechanism for the goniometer, a first goniometer disposed above the reference plate and observing the array substrate through the reference plate A microscope, a second microscope disposed below the reference plate and observing the bump forming member through the reference plate, the bump forming member and the array An apparatus for forming a bonding bump, comprising a pressing mechanism for pressing a substrate.
ディングされるリード部からなるバンプ形成部材の所定
箇所にバンプを形成する装置であって、金属ボールを配
列する配列基板、該基板を移動させる第1ガイドレー
ル、該基板の上方に配置され前記バンプ形成部材を保持
し位置調整する第2ゴニオメーター、該ゴニオメーター
を移動させる第2ガイドレール、前記配列基板と前記バ
ンプ形成部材の間に配置されたマーカーを有する透明基
準板、該基準板を保持し位置調整する第3ゴニオメータ
ー、該ゴニオメーターの移動機構、該基準板の上方に配
備され該基準板を通して前記配列基板を観察する第1顕
微鏡、該基準板の下方に配備され該基準板を通して前記
バンプ形成部材を観察する第2顕微鏡、前記バンプ形成
部材と前記配列基板を加圧する加圧機構からなることを
特徴とするボンディング用バンプの形成装置。4. An apparatus for forming a bump on a predetermined portion of a bump forming member comprising an electrode of a semiconductor chip or a lead portion bonded to the electrode, comprising: an array substrate on which metal balls are arrayed; 1 guide rail, a second goniometer disposed above the substrate and holding and adjusting the position of the bump forming member, a second guide rail for moving the goniometer, and disposed between the array substrate and the bump forming member Transparent reference plate having a marker, a third goniometer for holding and adjusting the position of the reference plate, a moving mechanism for the goniometer, and a first microscope disposed above the reference plate and observing the array substrate through the reference plate A second microscope disposed below the reference plate and observing the bump forming member through the reference plate; An apparatus for forming a bonding bump, comprising a pressing mechanism for pressing.
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JP06068808A JP3086124B2 (en) | 1994-04-06 | 1994-04-06 | Method and apparatus for forming bonding bump |
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JPH07283223A JPH07283223A (en) | 1995-10-27 |
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