JP3080844B2 - 相変化型光ディスク - Google Patents
相変化型光ディスクInfo
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- JP3080844B2 JP3080844B2 JP06203544A JP20354494A JP3080844B2 JP 3080844 B2 JP3080844 B2 JP 3080844B2 JP 06203544 A JP06203544 A JP 06203544A JP 20354494 A JP20354494 A JP 20354494A JP 3080844 B2 JP3080844 B2 JP 3080844B2
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- protective film
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光を用いて高密
度に情報を記録・再生・消去する相変化型光ディスクに
関し、特に、非晶質部分と結晶部分と反射率および吸収
率の違いにより記録する相変化型光ディスクに関する。
度に情報を記録・再生・消去する相変化型光ディスクに
関し、特に、非晶質部分と結晶部分と反射率および吸収
率の違いにより記録する相変化型光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】レ−ザ光を用いた光ディスク記録方式は
大容量記録が可能であり、非接触で高速アクセスできる
ことから、大容量メモリとして実用化が進んでいる。光
ディスクはコンパクトディスクやレ−ザディスクとして
知られている再生専用型、ユ−ザ自身で記録できる追記
型、およびユ−ザ側で繰り返し記録消去ができる書き替
え型に分類される。追記型・書き替え型の光ディスクは
コンピュ−タの外部メモリ、あるいは文書・画像ファイ
ルとして使用されている。
大容量記録が可能であり、非接触で高速アクセスできる
ことから、大容量メモリとして実用化が進んでいる。光
ディスクはコンパクトディスクやレ−ザディスクとして
知られている再生専用型、ユ−ザ自身で記録できる追記
型、およびユ−ザ側で繰り返し記録消去ができる書き替
え型に分類される。追記型・書き替え型の光ディスクは
コンピュ−タの外部メモリ、あるいは文書・画像ファイ
ルとして使用されている。
【０００３】書き替え型光ディスクには、記録膜の相変
化を利用した相変化型光ディスクと垂直磁化膜の磁化方
向の変化を利用した光磁気ディスクがある。このうち、
相変化型光ディスクは、外部磁場が不要で、かつ、オ−
バライトが容易にできることから、今後、書き替え型光
ディスクの主流になることが期待されている。
化を利用した相変化型光ディスクと垂直磁化膜の磁化方
向の変化を利用した光磁気ディスクがある。このうち、
相変化型光ディスクは、外部磁場が不要で、かつ、オ−
バライトが容易にできることから、今後、書き替え型光
ディスクの主流になることが期待されている。
【０００４】従来よりレ−ザ光照射により結晶−非晶質
間の相変化を起こす記録膜を用いた書き替え可能な、い
わゆる相変化型光ディスクが知られている。相変化型光
ディスクでは記録膜に記録すべき情報に応じた高パワの
レ−ザ光スポットを照射し、記録膜温度を局部的に上昇
させることにより、結晶−非晶質間の相変化を起こさせ
て記録し、これに伴う光学定数の変化を低パワのレ−ザ
光によって反射光強度差あるいは位相変化として読み取
ることにより再生を行っている。例えば、結晶化時間が
比較的遅い記録膜を用いた相変化型光ディスクでは、デ
ィスクを回転させ、そのディスクに形成された記録膜に
レ−ザ光を照射し、その記録膜の温度を融点以上に上昇
させ、レ−ザ光が通過した後、急冷することによりその
部分を非晶質状態とし、記録する。消去時には、記録膜
温度を結晶化温度以上、融点以下の結晶化可能温度範囲
で結晶化を進行させるために十分な時間保持し、記録膜
を結晶化させる。このための方法としては、レ−ザ光進
行方向に長い長円レ−ザ光を照射する方法が知られてい
る。既に記録したデ−タを消去しながら新しい情報を記
録する２ビ−ムによる疑似的なオ−バライトを行う場合
には、消去用の長円レ−ザ光を記録用円形レ−ザ光に先
行させて照射するように配置する。
間の相変化を起こす記録膜を用いた書き替え可能な、い
わゆる相変化型光ディスクが知られている。相変化型光
ディスクでは記録膜に記録すべき情報に応じた高パワの
レ−ザ光スポットを照射し、記録膜温度を局部的に上昇
させることにより、結晶−非晶質間の相変化を起こさせ
て記録し、これに伴う光学定数の変化を低パワのレ−ザ
光によって反射光強度差あるいは位相変化として読み取
ることにより再生を行っている。例えば、結晶化時間が
比較的遅い記録膜を用いた相変化型光ディスクでは、デ
ィスクを回転させ、そのディスクに形成された記録膜に
レ−ザ光を照射し、その記録膜の温度を融点以上に上昇
させ、レ−ザ光が通過した後、急冷することによりその
部分を非晶質状態とし、記録する。消去時には、記録膜
温度を結晶化温度以上、融点以下の結晶化可能温度範囲
で結晶化を進行させるために十分な時間保持し、記録膜
を結晶化させる。このための方法としては、レ−ザ光進
行方向に長い長円レ−ザ光を照射する方法が知られてい
る。既に記録したデ−タを消去しながら新しい情報を記
録する２ビ−ムによる疑似的なオ−バライトを行う場合
には、消去用の長円レ−ザ光を記録用円形レ−ザ光に先
行させて照射するように配置する。
【０００５】一方、高速結晶化が可能な情報記録膜を用
いたディスクでは、円形に集光した１本のレ−ザ光を使
う。従来より知られている方法は、レ−ザ光のパワを２
つのレベル間で変化させることにより、結晶化あるいは
非晶質化を行う。すなわち、記録膜の温度を融点以上に
上昇させることが可能なパワのレ−ザ光を記録膜に照射
することにより、そのほとんどの部分は冷却時に非晶質
状態となり、一方、記録膜温度が結晶化温度以上、融点
以下の温度に達するようなパワのレ−ザ光が照射された
部分は結晶状態になる。相変化型光ディスクの記録膜に
は、カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系，Ｉｎ
ＳｂＴｅ系，ＩｎＳｅ系，ＩｎＴｅ系，ＡｓＴｅＧｅ
系，ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系，ＴｅＳｅＳｎ系，ＳｂＳｅ
Ｂｉ系，ＢｉＳｅＧｅ系などが用いられるが、いずれも
抵抗加熱真空蒸着法、電子ビ−ム真空蒸着法、スパッタ
リング法などの成膜法で成膜される。成膜直後の記録膜
の状態は一種の非晶質状態であり、この記録膜に記録を
行って非晶質の記録部を形成するために、記録膜全体を
結晶質にしておく初期化処理が行われる。記録はこの結
晶化された状態の中に非晶質部分を形成することにより
達成される。
いたディスクでは、円形に集光した１本のレ−ザ光を使
う。従来より知られている方法は、レ−ザ光のパワを２
つのレベル間で変化させることにより、結晶化あるいは
非晶質化を行う。すなわち、記録膜の温度を融点以上に
上昇させることが可能なパワのレ−ザ光を記録膜に照射
することにより、そのほとんどの部分は冷却時に非晶質
状態となり、一方、記録膜温度が結晶化温度以上、融点
以下の温度に達するようなパワのレ−ザ光が照射された
部分は結晶状態になる。相変化型光ディスクの記録膜に
は、カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系，Ｉｎ
ＳｂＴｅ系，ＩｎＳｅ系，ＩｎＴｅ系，ＡｓＴｅＧｅ
系，ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系，ＴｅＳｅＳｎ系，ＳｂＳｅ
Ｂｉ系，ＢｉＳｅＧｅ系などが用いられるが、いずれも
抵抗加熱真空蒸着法、電子ビ−ム真空蒸着法、スパッタ
リング法などの成膜法で成膜される。成膜直後の記録膜
の状態は一種の非晶質状態であり、この記録膜に記録を
行って非晶質の記録部を形成するために、記録膜全体を
結晶質にしておく初期化処理が行われる。記録はこの結
晶化された状態の中に非晶質部分を形成することにより
達成される。
【０００６】上述した従来のディスクでは、反射光量差
を利用して再生する場合、非晶質の反射率を結晶状態の
反射率に比べて小さくした相変化型光ディスクが用いら
れており、そのために非晶質に比べて結晶部分の吸収率
が小さくなっていた。こうした特性を持つディスクにオ
ーバライトによりマークエッジ記録を行った場合、前述
した吸収率の差に起因したマークエッジの歪が発生し、
これが高密度記録の妨げになっていた。
を利用して再生する場合、非晶質の反射率を結晶状態の
反射率に比べて小さくした相変化型光ディスクが用いら
れており、そのために非晶質に比べて結晶部分の吸収率
が小さくなっていた。こうした特性を持つディスクにオ
ーバライトによりマークエッジ記録を行った場合、前述
した吸収率の差に起因したマークエッジの歪が発生し、
これが高密度記録の妨げになっていた。
【０００７】例えば、特開平２−１２８３３０号公報の
ものでは、記録膜の吸収率の規定が示されているが、マ
ークエッジ記録に対応した媒体の吸収率に関する記述は
なく、消し残りを小さくするために、結晶と非晶質間の
吸収率の差を小さく抑えることを規定しているにすぎな
い。
ものでは、記録膜の吸収率の規定が示されているが、マ
ークエッジ記録に対応した媒体の吸収率に関する記述は
なく、消し残りを小さくするために、結晶と非晶質間の
吸収率の差を小さく抑えることを規定しているにすぎな
い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ここで、相変化型光デ
ィスクの吸収率制御について図面を参照して詳細に説明
する。
ィスクの吸収率制御について図面を参照して詳細に説明
する。
【０００９】図３は、相変化型光ディスクの吸収率制御
について説明するための相変化型光ディスクの断面図で
ある。
について説明するための相変化型光ディスクの断面図で
ある。
【００１０】相変化型光ディスクの構成は、透明基板３
１上に第一保護膜３２、記録膜３３、第二保護膜３４、
反射膜３５を順次積層し、さらに保護用として紫外線硬
化樹脂３６などが塗布された、いわゆる４層反射膜構成
である。ここで、従来から記録膜３３の非晶質の反射率
を結晶状態の反射率に比べて小さくした構成が採用され
ていた。つまり、非晶質部分の反射率をＲａ、結晶部分
の反射率をＲｃとしたとき、Ｒａ＜Ｒｃとなる構成であ
る。この場合、記録膜３３の相変化に伴う光学定数の変
化を反射率変化に効率良く変換でき、良好な再生信号が
確保できるという長所を持つ反面、反射膜３５において
ほとんどの光が反射されてしまうため、記録膜３３の光
学定数変化に伴う反射率差を大きく確保しようとする
と、記録膜３３の吸収率は、必然的に、非晶質に比べて
結晶部分の吸収率が小さくなってしまうという欠点があ
った。非晶質部分の吸収率をＡａ、結晶部分の吸収率を
Ａｃとしたとき、Ａｃ＜Ａａとなる。このように、結晶
部分の吸収率が小さくなった場合、通常、結晶質のほう
が非晶質に比べて熱伝導率が大きく、また溶融に必要な
潜熱も大きいので、オーバライト時に記録膜３３が結晶
か、非晶質かによって記録膜昇温状態に差が生じる。
１上に第一保護膜３２、記録膜３３、第二保護膜３４、
反射膜３５を順次積層し、さらに保護用として紫外線硬
化樹脂３６などが塗布された、いわゆる４層反射膜構成
である。ここで、従来から記録膜３３の非晶質の反射率
を結晶状態の反射率に比べて小さくした構成が採用され
ていた。つまり、非晶質部分の反射率をＲａ、結晶部分
の反射率をＲｃとしたとき、Ｒａ＜Ｒｃとなる構成であ
る。この場合、記録膜３３の相変化に伴う光学定数の変
化を反射率変化に効率良く変換でき、良好な再生信号が
確保できるという長所を持つ反面、反射膜３５において
ほとんどの光が反射されてしまうため、記録膜３３の光
学定数変化に伴う反射率差を大きく確保しようとする
と、記録膜３３の吸収率は、必然的に、非晶質に比べて
結晶部分の吸収率が小さくなってしまうという欠点があ
った。非晶質部分の吸収率をＡａ、結晶部分の吸収率を
Ａｃとしたとき、Ａｃ＜Ａａとなる。このように、結晶
部分の吸収率が小さくなった場合、通常、結晶質のほう
が非晶質に比べて熱伝導率が大きく、また溶融に必要な
潜熱も大きいので、オーバライト時に記録膜３３が結晶
か、非晶質かによって記録膜昇温状態に差が生じる。
【００１１】図４は、相変化型光ディスクの吸収率制御
について説明するための相変化記録メカニズムを示した
図である。
について説明するための相変化記録メカニズムを示した
図である。
【００１２】マークエッジに情報を持たせるためには、
エッジ形状を精度良く形成することが不可欠である。図
４に示すように吸収率制御が不十分な場合、オーバライ
ト信号がオーバライト前の信号成分によって変調され、
特にマークエッジ近傍でのエッジ形状歪が発生する。我
々は、研究の結果、これがオーバライトジッタ低減を制
限する一因になっていることを突き止めた。
エッジ形状を精度良く形成することが不可欠である。図
４に示すように吸収率制御が不十分な場合、オーバライ
ト信号がオーバライト前の信号成分によって変調され、
特にマークエッジ近傍でのエッジ形状歪が発生する。我
々は、研究の結果、これがオーバライトジッタ低減を制
限する一因になっていることを突き止めた。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、非晶質
記録マークの反射率を結晶部分に比べて大きくし、結晶
部分の吸収率を非晶質に比べて大きい状態にすることに
より、上記の欠点を解決し、相変化型光ディスクのオー
バライト特性を改善し、高密度記録を可能にする新規な
相変化型光ディスクを提供することにある。
記録マークの反射率を結晶部分に比べて大きくし、結晶
部分の吸収率を非晶質に比べて大きい状態にすることに
より、上記の欠点を解決し、相変化型光ディスクのオー
バライト特性を改善し、高密度記録を可能にする新規な
相変化型光ディスクを提供することにある。
【００１４】そのため、本発明の相変化型光ディスク
は、情報記録膜の結晶と非晶質間の可逆的な相変化を用
い、レ−ザ光照射による情報記録膜の相状態変化によっ
て情報の記録再生消去を行う相変化型光ディスクであっ
て、透明基板と、透明基板上に形成された第一の保護膜
と、第一保護膜上に形成された相変化型情報記録膜と、
記録膜上に形成された第二の保護膜と、第二の保護膜上
に形成された反射膜とを有し、情報記録膜の非晶質記録
マークの反射率をＲａ、結晶部分の反射率をＲｃ、非晶
質記録マークの吸収率をＡａ、結晶部分の吸収率をＡｃ
としたとき、Ｒａ＞ＲｃならびにＡｃ＞Ａａであること
を特徴としている。
は、情報記録膜の結晶と非晶質間の可逆的な相変化を用
い、レ−ザ光照射による情報記録膜の相状態変化によっ
て情報の記録再生消去を行う相変化型光ディスクであっ
て、透明基板と、透明基板上に形成された第一の保護膜
と、第一保護膜上に形成された相変化型情報記録膜と、
記録膜上に形成された第二の保護膜と、第二の保護膜上
に形成された反射膜とを有し、情報記録膜の非晶質記録
マークの反射率をＲａ、結晶部分の反射率をＲｃ、非晶
質記録マークの吸収率をＡａ、結晶部分の吸収率をＡｃ
としたとき、Ｒａ＞ＲｃならびにＡｃ＞Ａａであること
を特徴としている。
【００１５】本発明の相変化型光ディスクは、第一保護
膜としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を、相変化型情報記録膜とし
てＧｅＳｂＴｅを、第二保護膜としてＺｎＳ−ＳｉＯ2
を、反射膜としてＡｌをそれぞれ使用し、ＧｅＳｂＴｅ
記録膜の膜厚を１０ｎｍから２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 第二保護膜の膜厚を１５ｎｍから３０ｎｍ、Ａｌ反射
膜の膜厚を５０ｎｍから１５０ｎｍとし、第一保護膜Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2 の膜厚を８０ｎｍから１２０ｎｍの範囲
に設定している。
膜としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を、相変化型情報記録膜とし
てＧｅＳｂＴｅを、第二保護膜としてＺｎＳ−ＳｉＯ2
を、反射膜としてＡｌをそれぞれ使用し、ＧｅＳｂＴｅ
記録膜の膜厚を１０ｎｍから２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 第二保護膜の膜厚を１５ｎｍから３０ｎｍ、Ａｌ反射
膜の膜厚を５０ｎｍから１５０ｎｍとし、第一保護膜Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2 の膜厚を８０ｎｍから１２０ｎｍの範囲
に設定している。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１７】図１は本発明による相変化型光ディスクの
一実施例の反射率、吸収率特性を示す図である。
一実施例の反射率、吸収率特性を示す図である。
【００１８】本実施例の相変化型光ディスクでは、反射
率特性、ならびに吸収率特性において、非晶質記録マー
クの反射率を結晶部分に比べて大きくし、それにより、
結晶部分の吸収率を非晶質に比べて大きくした点に特徴
がある。
率特性、ならびに吸収率特性において、非晶質記録マー
クの反射率を結晶部分に比べて大きくし、それにより、
結晶部分の吸収率を非晶質に比べて大きくした点に特徴
がある。
【００１９】図２は、本実施例の相変化型光ディスクの
断面図である。
断面図である。
【００２０】本実施例の相変化型光ディスクは、透明基
板１上に、第一保護膜２、記録膜３、第二保護膜４、反
射膜５を積層した構成になっている。反射膜５上には保
護用として紫外線硬化樹脂６を塗布している。透明基板
１には、円盤状のガラスもしくはプラスチックが用いら
れる。第一保護膜２と 第二保護膜４には、ＳｉＯ2、
Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ、ＴｉＯ2 、ＺｎＳ、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 などの誘電体材料が用いられる。記録膜３として
は、カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系，Ｉｎ
ＳｂＴｅ系，ＩｎＳｅ系，ＩｎＴｅ系，ＡｓＴｅＧｅ
系，ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系，ＴｅＳｅＳｎ系，ＳｂＳｅ
Ｂｉ系，ＢｉＳｅＧｅ系などが用いられる。反射膜６に
は、反射率が高くかつ熱伝導率が大きい材料、特に、Ａ
ｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇなどの金属が用いられる。なお、
最上層には保護用に紫外線硬化型樹脂６が塗布される。
板１上に、第一保護膜２、記録膜３、第二保護膜４、反
射膜５を積層した構成になっている。反射膜５上には保
護用として紫外線硬化樹脂６を塗布している。透明基板
１には、円盤状のガラスもしくはプラスチックが用いら
れる。第一保護膜２と 第二保護膜４には、ＳｉＯ2、
Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ、ＴｉＯ2 、ＺｎＳ、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 などの誘電体材料が用いられる。記録膜３として
は、カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系，Ｉｎ
ＳｂＴｅ系，ＩｎＳｅ系，ＩｎＴｅ系，ＡｓＴｅＧｅ
系，ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系，ＴｅＳｅＳｎ系，ＳｂＳｅ
Ｂｉ系，ＢｉＳｅＧｅ系などが用いられる。反射膜６に
は、反射率が高くかつ熱伝導率が大きい材料、特に、Ａ
ｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇなどの金属が用いられる。なお、
最上層には保護用に紫外線硬化型樹脂６が塗布される。
【００２１】本実施例の特徴は、吸収率差を制御した光
ディスクの構成にある。非晶質記録マークの反射率を結
晶部分に比べて大きくし、それにより、結晶部分の吸収
率が非晶質に比べて大きい状態を実現する。
ディスクの構成にある。非晶質記録マークの反射率を結
晶部分に比べて大きくし、それにより、結晶部分の吸収
率が非晶質に比べて大きい状態を実現する。
【００２２】図１は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 第一保護膜の膜
厚を変えたときの、光ディスク反射率と吸収率の変化を
示したグラフである。例えば、ＧｅＳｂＴｅ記録膜の膜
厚１５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 第二保護膜の膜厚２０ｎ
ｍ、Ａｌ反射膜の膜厚６０ｎｍとしたとき、第一保護膜
の膜厚８０ｎｍから１２０ｎｍの範囲で、所望の条件が
実現できる。
厚を変えたときの、光ディスク反射率と吸収率の変化を
示したグラフである。例えば、ＧｅＳｂＴｅ記録膜の膜
厚１５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 第二保護膜の膜厚２０ｎ
ｍ、Ａｌ反射膜の膜厚６０ｎｍとしたとき、第一保護膜
の膜厚８０ｎｍから１２０ｎｍの範囲で、所望の条件が
実現できる。
【００２３】さらに、ＧｅＳｂＴｅ記録膜の膜厚を１０
ｎｍから２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 第二保護膜の膜厚
を１５ｎｍから３０ｎｍ、Ａｌ反射膜の膜厚を５０ｎｍ
から１５０ｎｍとし、第一保護膜の膜厚を８０ｎｍから
１２０ｎｍの範囲に設定した範囲では、現在使用できる
レーザ波長領域で、非晶質記録マークの反射率を結晶部
分に比べて大きくし、それにより、結晶部分の吸収率が
非晶質に比べて大きい状態が実現できる。
ｎｍから２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 第二保護膜の膜厚
を１５ｎｍから３０ｎｍ、Ａｌ反射膜の膜厚を５０ｎｍ
から１５０ｎｍとし、第一保護膜の膜厚を８０ｎｍから
１２０ｎｍの範囲に設定した範囲では、現在使用できる
レーザ波長領域で、非晶質記録マークの反射率を結晶部
分に比べて大きくし、それにより、結晶部分の吸収率が
非晶質に比べて大きい状態が実現できる。
【００２４】次に、使用するレーザ波長を８３０ｎｍに
設定し、非晶質記録マークの反射率を結晶部分に比べて
大きくし、それにより、結晶部分の吸収率が非晶質に比
べて大きい状態を実現できるように光ディスクの構成を
決定し、光ディスクを作成した。基板１には直径１３０
ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグルーブ付きポリカーボネ
ート基板を用いた。第一保護膜２および第二保護膜４に
はＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合膜を、記録膜３にはＧｅＳｂＴ
ｅを、反射膜５にはＡｌを用い、マグネトロンスパッタ
法により連続成膜した。
設定し、非晶質記録マークの反射率を結晶部分に比べて
大きくし、それにより、結晶部分の吸収率が非晶質に比
べて大きい状態を実現できるように光ディスクの構成を
決定し、光ディスクを作成した。基板１には直径１３０
ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグルーブ付きポリカーボネ
ート基板を用いた。第一保護膜２および第二保護膜４に
はＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合膜を、記録膜３にはＧｅＳｂＴ
ｅを、反射膜５にはＡｌを用い、マグネトロンスパッタ
法により連続成膜した。
【００２５】各層の膜厚は第一保護膜１００ｎｍ、記録
膜１５ｎｍ、第二保護膜２０ｎｍ、反射膜６０ｎｍとし
た。このディスクでは、波長８３０ｎｍにおける吸収率
は結晶に対して８０％、非晶質に対して５５％であり、
反射率は結晶に対して１１％、非晶質に対して２１％で
あった。
膜１５ｎｍ、第二保護膜２０ｎｍ、反射膜６０ｎｍとし
た。このディスクでは、波長８３０ｎｍにおける吸収率
は結晶に対して８０％、非晶質に対して５５％であり、
反射率は結晶に対して１１％、非晶質に対して２１％で
あった。
【００２６】次に、前記光ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長８３０ｎｍの半導
体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。初期化処理後の
光ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半径
３０ｍｍのトラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）
信号と２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）信号を交互にオ
ーバライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となる
ように、記録パワと消去パワをそれぞれ１０ｍＷ、５ｍ
Ｗに設定した。
い、特性を評価した。測定には、波長８３０ｎｍの半導
体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。初期化処理後の
光ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半径
３０ｍｍのトラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）
信号と２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）信号を交互にオ
ーバライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となる
ように、記録パワと消去パワをそれぞれ１０ｍＷ、５ｍ
Ｗに設定した。
【００２７】オーバライト時の再生信号ジッタは、２回
微分によるパルス化後の値として、３．０ｎｓであっ
た。初期化直後の初記録時のジッタと大差なく、良好な
オーバライトジッタ特性を示すことが確認された。
微分によるパルス化後の値として、３．０ｎｓであっ
た。初期化直後の初記録時のジッタと大差なく、良好な
オーバライトジッタ特性を示すことが確認された。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の相変化型
光ディスクでは、使用するレーザ波長に対して、非晶質
記録マークの反射率を結晶部分に比べて大きくし、それ
により、結晶部分の吸収率を非晶質に比べて大きい状態
にすることにより、オーバライト時のビット形状歪を抑
え、オーバライト時の再生信号のジッタ増加を小さく抑
えることができるという効果を奏する。
光ディスクでは、使用するレーザ波長に対して、非晶質
記録マークの反射率を結晶部分に比べて大きくし、それ
により、結晶部分の吸収率を非晶質に比べて大きい状態
にすることにより、オーバライト時のビット形状歪を抑
え、オーバライト時の再生信号のジッタ増加を小さく抑
えることができるという効果を奏する。
【図１】本発明による相変化型光ディスクの一実施例の
反射率、吸収率特性を示す図である。
反射率、吸収率特性を示す図である。
【図２】本実施例の相変化型光ディスクの断面図であ
る。
る。
【図３】相変化型光ディスクの吸収率制御について説明
するための相変化型光ディスクの断面図である。
するための相変化型光ディスクの断面図である。
【図４】相変化型光ディスクの吸収率制御について説明
するための相変化記録メカニズムを示した図である。
するための相変化記録メカニズムを示した図である。
１ 基板 ２ 第一保護膜 ３ 記録膜 ４ 第二保護膜 ５ 反射膜 ６ 紫外線硬化樹脂 ３１ 基板 ３２ 第一保護膜 ３３ 記録膜 ３４ 第二保護膜 ３５ 反射膜 ３６ 紫外線硬化樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−149238（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−298748（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−134644（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−14485（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−203380（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−128330（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/24
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板と、前記透明基板上に形成された
第一の保護膜と、前記第一保護膜上に形成された相変化
型情報記録膜と、前記相変化型情報記録膜上に形成され
た第二の保護膜と、前記第二の保護膜上に形成された反
射膜とを有し、前記相変化型情報記録膜の結晶と非晶質
間の可逆的な相変化を用い、単一波長のレ−ザ光照射に
よる前記相変化型情報記録膜の相状態変化によって情報
の記録・再生・消去を行う相変化型光ディスクにおい
て、 前記相変化型情報記録膜に記録される非晶質記録マーク
の反射率をＲａ、前記相変化型情報記録膜の結晶部分の
反射率をＲｃ、前記非晶質記録マークの吸収率をＡａ、
前記結晶部分の吸収率をＡｃとしたとき、Ｒａ＞Ｒｃな
らびにＡｃ＞Ａａであり、 前記第一保護膜としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を、前記相変化
型情報記録膜としてＧｅＳｂＴｅを、前記第二保護膜と
してＺｎＳ−ＳｉＯ2 を、前記反射膜としてＡｌをそれ
ぞれ使用し、 前記ＧｅＳｂＴｅ記録膜の膜厚を１０ｎｍから２０ｎ
ｍ、前記ＺｎＳ−ＳｉＯ2 第二保護膜の膜厚を１５ｎｍ
から３０ｎｍ、前記Ａｌ反射膜の膜厚を５０ｎｍから１
５０ｎｍとし、前記第一保護膜ＺｎＳ−ＳｉＯ2 の膜厚
を８０ｎｍから１２０ｎｍの範囲としたことを 特徴とす
る相変化型光ディスク。
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|---|---|---|---|
| JP06203544A JP3080844B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 相変化型光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP06203544A JP3080844B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 相変化型光ディスク |
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Family
ID=16475905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06203544A Expired - Lifetime JP3080844B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 相変化型光ディスク |
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| JP (1) | JP3080844B2 (ja) |
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-
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- 1994-08-29 JP JP06203544A patent/JP3080844B2/ja not_active Expired - Lifetime
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