JP3078148B2 - Method for forming pattern of transparent conductive film - Google Patents
Method for forming pattern of transparent conductive filmInfo
- Publication number
- JP3078148B2 JP3078148B2 JP05122223A JP12222393A JP3078148B2 JP 3078148 B2 JP3078148 B2 JP 3078148B2 JP 05122223 A JP05122223 A JP 05122223A JP 12222393 A JP12222393 A JP 12222393A JP 3078148 B2 JP3078148 B2 JP 3078148B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- resist ink
- resist
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子(LC
D)、エレクトロルミネッセンス(EL)表示素子等の
表示素子の電極、または自動車、航空機、建築物などの
窓ガラスの防曇または氷結防止の発熱体として使用され
る、ガラス、セラミックス等の基板上に形成した透明導
電膜に関し、特に、透明導電膜のパターン形成方法に関
する。The present invention relates to a liquid crystal display (LC)
D) Electrodes of display elements such as electroluminescence (EL) display elements, or glass, ceramics and other substrates used as heating elements for preventing fogging or icing of window glasses of automobiles, aircraft, buildings, etc. The present invention relates to the formed transparent conductive film, and particularly to a method for forming a transparent conductive film pattern.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来から、LCD、ELなどの表示素子
類の電極や、自動車、航空機、建築物などの窓ガラスの
防曇または氷結防止のための発熱抵抗体に、可視光に対
して高透過性を有する透明導電膜が使用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, electrodes for display elements such as LCDs and ELs, and heating resistors for preventing fogging or icing of window glasses of automobiles, aircraft, buildings, etc. A transparent conductive film having transparency is used.
【0003】この透明導電膜を形成する透明導電性材料
として、酸化スズ・酸化アンチモン系(ATO)や酸化
インジウム・酸化スズ系(ITO)などが知られてお
り、これらの金属酸化物はガラスまたはセラミック基板
上に容易に被膜を形成し、透明導電膜とすることができ
る。As a transparent conductive material for forming the transparent conductive film, tin oxide / antimony oxide (ATO), indium oxide / tin oxide (ITO), and the like are known. A film can be easily formed on a ceramic substrate to form a transparent conductive film.
【0004】透明導電膜の形成方法としては、パターン
化の面で大きく分けて、2種類の方法が知られている。
第1の方法は、印刷・焼成型の透明導電膜形成用インク
をスクリーン印刷等で印刷し、印刷膜の焼成によりパタ
ーン化した透明導電膜を形成させる方法(1) である。そ
して、第2の方法は、真空蒸着法(2) 、スパッタリング
法(3) 、塗布焼成法(4) 等により得られた透明導電膜
を、フォトリソグラフィもしくはスクリーン印刷用レジ
ストインクの印刷・硬化およびエッチングによってパタ
ーン化する。[0004] As a method of forming a transparent conductive film, there are generally known two methods in terms of patterning.
The first method is a method (1) in which a printing / firing type transparent conductive film forming ink is printed by screen printing or the like, and a patterned transparent conductive film is formed by firing the printing film. The second method is to print and cure a transparent conductive film obtained by a vacuum evaporation method (2), a sputtering method (3), a coating and baking method (4), etc. with a photolithography or screen printing resist ink. Pattern by etching.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記(1) の方
法において、光硬化性の官能基を含有する有機酸のスズ
塩およびインジウム塩を含むペースト状組成物、無機イ
ンジウム塩と無機スズ塩と非水系シリカゾルとセルロー
ス化合物の有機溶液からなる組成物等をスクリーン印刷
する方法や、インジウム化合物とスズ化合物とガム系天
然樹脂ロジンとターペン系高沸点溶剤とからなる組成物
をオフセット印刷する方法では、以下の2つの問題点を
有している。However, in the above method (1), a paste-like composition containing a tin salt and an indium salt of an organic acid containing a photocurable functional group, an inorganic indium salt and an inorganic tin salt And a method of screen printing a composition comprising an organic solution of a non-aqueous silica sol and a cellulose compound, and a method of offset printing a composition comprising an indium compound, a tin compound, a gum natural resin rosin, and a terpene high boiling solvent. Has the following two problems.
【0006】第1に、スクリーン印刷法やオフセット印
刷方法の宿命である、ベタ部分の膜厚のばらつきが大き
いこと、およびパターンの端の部分の膜厚が薄くなると
いう問題点が挙げられる。そして、第2にこれらの組成
物は印刷性を得るために、セルロース化合物やガム系天
然樹脂ロジン等の樹脂を含んでおり、これらは一般に熱
分解時に膜中にフリーカーボンとして残留しやすく、膜
の電気特性、光学特性、機械特性の劣化は避けられない
という問題点がある。The first problem is that the fate of the screen printing method and the offset printing method is a problem in that the variation in the film thickness in the solid portion is large and the film thickness in the end portion of the pattern is small. Secondly, these compositions contain a resin such as a cellulose compound or a gum-based natural resin rosin in order to obtain printability, and these generally tend to remain as free carbon in the film during thermal decomposition. However, there is a problem that the deterioration of the electrical characteristics, optical characteristics, and mechanical characteristics cannot be avoided.
【0007】つぎに前記の(2) 、(3) の方法は、得られ
る膜の電気特性、光学特性、機械特性のいずれについて
も良好であるが、装置が複雑かつ高価なために、コスト
と量産性という点で問題がある。また、(4) の方法は、
前記の(1) 、(2) 、(3) の方法の問題点を解決する可能
性を有し、得られる膜の諸特性は前記の(1) の方法に比
べて良好であるものの、電気特性についてのみ、前記の
(2) 、(3) の方法に比べて劣っている。これは製法上の
問題であり、上記の(2) 、(3) の方法が真空中で透明導
電膜を形成するために、膜内に容易に酸素欠陥が導入さ
れ、電気伝導に寄与する電荷担体の濃度が増加して、膜
の比抵抗が減少し、低抵抗の透明導電膜が容易に形成さ
れるのに対し、(4) の方法では、透明導電膜形成用組成
物を完全に熱分解させるために、通常、大気中もしくは
酸素中で加熱処理を行うので、得られた透明導電膜中に
は酸素欠陥が少なくなり、前記の(2) 、(3) の方法に比
べて、膜の比抵抗は高くなりやすい。そのため、膜の電
気特性の向上をはかるべく、通常、還元雰囲気下での熱
処理を行う必要があり、工数が多くなってしまうという
欠点がある。Next, the above methods (2) and (3) have good electrical, optical and mechanical properties of the obtained film, but the cost and cost are high because the apparatus is complicated and expensive. There is a problem in terms of mass productivity. Method (4) is
It has the potential to solve the problems of the above methods (1), (2) and (3) .Even though the properties of the obtained film are better than those of the above method (1), Only for characteristics,
It is inferior to the methods (2) and (3). This is a problem in the manufacturing method.Since the above methods (2) and (3) form a transparent conductive film in a vacuum, oxygen vacancies are easily introduced into the film, and electric charges contributing to electric conduction are formed. The carrier concentration increases, the specific resistance of the film decreases, and a low-resistance transparent conductive film is easily formed.On the other hand, in the method (4), the composition for forming a transparent conductive film is completely heated. Since heat treatment is usually performed in the air or oxygen to cause decomposition, oxygen defects are reduced in the obtained transparent conductive film, and the film is thinner than the methods (2) and (3) described above. Has a high specific resistance. Therefore, in order to improve the electrical characteristics of the film, it is usually necessary to perform a heat treatment in a reducing atmosphere, which has a disadvantage of increasing the number of steps.
【0008】本発明は、上記の問題点を解決して、低抵
抗で高透過率を有するパターン化した透明導電膜を簡単
に安価に得られる透明導電膜のパターン形成方法を提供
することを目的とする。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a method for forming a transparent conductive film pattern in which a patterned transparent conductive film having low resistance and high transmittance can be easily obtained at low cost. And
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、炭素粉末をフィラーとするレジストインク
を、透明導電膜形成用組成物の熱分解により基板上に形
成された透明導電膜の表面に印刷する工程と、前記レジ
ストインクを熱または光により硬化させる工程と、前記
透明導電膜をエッチングする工程と、前記基板を加熱処
理する工程と、前記レジストインクの残渣を除去する工
程を備えた透明導電膜のパターン形成方法とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a transparent conductive film formed on a substrate by thermally decomposing a resist ink containing carbon powder as a filler. A step of printing on the surface of, a step of curing the resist ink by heat or light, a step of etching the transparent conductive film, a step of heat-treating the substrate, and a step of removing residues of the resist ink. A method for forming a pattern of the transparent conductive film provided.
【0010】[0010]
【作用】本発明の透明導電膜のパターン形成方法は、ま
ず最初に、炭素粉末をフィラーとするレジストインク
を、透明導電膜形成用組成物の熱分解により基板上に形
成された透明導電膜の表面に印刷する。ここで、フィラ
ーとして炭素粉末を用いることにより、レジストインク
の印刷性や印刷精度、硬化後のレジスト自身の耐エッチ
ング性が著しく向上する。また、酸化物粉末等に比べ、
透明導電膜と反応しないために、レジストの除去が容易
になる。そして、前記レジストインクを熱または光によ
り硬化させ、特に炭素粉末をフィラーとするレジスト中
の樹脂成分のエッチング液に対する耐エッチング性を向
上させる。このようにして、膜表面にレジストがパター
ン形成された前記透明導電膜をエッチングし、透明導電
膜のパターン形成を行う。さらに、前記基板を加熱処理
し、レジスト中の樹脂成分を熱分解反応と、フィラーと
して含まれている炭素粉末と酸素との反応により生じる
一酸化炭素ガスにより、レジストと接触している透明導
電膜が還元されて膜中に酸素欠陥が導入され、透明導電
膜の電気特性の向上とレジスト中の樹脂成分の除去が1
回の熱処理で行うことができる。そして、最後に熱分解
後に残った炭素粉末等のレジストの残渣を除去し、パタ
ーン化された透明導電膜を得る。According to the method for forming a transparent conductive film pattern of the present invention, first, a resist ink containing carbon powder as a filler is treated with a transparent conductive film formed on a substrate by thermal decomposition of a composition for forming a transparent conductive film. Print on the surface. Here, by using carbon powder as the filler, the printability and printing accuracy of the resist ink and the etching resistance of the resist itself after curing are remarkably improved. Also, compared to oxide powder etc.
Since it does not react with the transparent conductive film, removal of the resist becomes easy. Then, the resist ink is cured by heat or light, and in particular, the etching resistance of the resin component in the resist using carbon powder as a filler to an etchant is improved. Thus, the transparent conductive film having the resist pattern formed on the film surface is etched to form a transparent conductive film pattern. Further, the transparent conductive film which is in contact with the resist by heat-treating the substrate and thermally decomposing the resin component in the resist and reacting carbon powder and oxygen contained as a filler with oxygen. Is reduced to introduce oxygen vacancies into the film, improving the electrical properties of the transparent conductive film and removing the resin component from the resist.
The heat treatment can be performed twice. Finally, residues of the resist such as carbon powder remaining after the thermal decomposition are removed to obtain a patterned transparent conductive film.
【0011】[0011]
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。本発明の
透明導電膜のパターン形成方法は、まず最初に、炭素粉
末をフィラーとするレジストインクを、透明導電膜形成
用組成物の熱分解により基板上に形成された透明導電膜
の表面に印刷する。ここで、用いられる透明導電膜形成
用組成物は、少なくともインジウム化合物および/また
はスズ化合物と溶剤を含むもので、インジウム化合物お
よびスズ化合物は無機金属化合物、有機金属化合物のい
ずれでも良い。また、レジストインクに用いられる樹脂
成分は、熱または光によって硬化するもので、硬化後に
塩酸、硝酸等のエッチング液に対する耐エッチング性に
優れるとともに、少なくとも基板の耐熱温度(200〜500
℃)以下で熱分解するものであればよく、エポキシ(メ
タ)アクリレートやウレタン(メタ)アクリレートが好
ましい。そして、炭素粉末をフィラーとして用いること
によりレジストインクの印刷性や印刷性、耐エッチング
性が向上するが、レジストインク中の炭素粉末含有率が
30wt%を越えると印刷不可能となるため、30wt%以下が
好ましい。さらに、炭素粉末の種類として、天然黒鉛・
人工黒鉛粉末ではグラファイト、カ−ボンブラック、ア
セチレンブラック、無定形炭素粉末では活性炭が好まし
い。Embodiments of the present invention will be described below. In the method for forming a pattern of a transparent conductive film of the present invention, first, a resist ink containing carbon powder as a filler is printed on the surface of the transparent conductive film formed on the substrate by thermal decomposition of the composition for forming a transparent conductive film. I do. Here, the composition for forming a transparent conductive film used contains at least an indium compound and / or a tin compound and a solvent, and the indium compound and the tin compound may be any of an inorganic metal compound and an organic metal compound. The resin component used in the resist ink is cured by heat or light.After curing, the resin component has excellent etching resistance to an etchant such as hydrochloric acid or nitric acid, and at least has a heat resistant temperature of the substrate (200 to 500).
C.) or less, and epoxy (meth) acrylate or urethane (meth) acrylate is preferable. By using carbon powder as a filler, the printability, printability, and etching resistance of the resist ink are improved, but the carbon powder content in the resist ink is reduced.
If it exceeds 30 wt%, printing becomes impossible, so it is preferably 30 wt% or less. Furthermore, as a type of carbon powder, natural graphite
Graphite, carbon black and acetylene black are preferred for artificial graphite powder, and activated carbon is preferred for amorphous carbon powder.
【0012】次に、前記レジストインクを熱または光に
より硬化させる。このとき、熱による硬化の場合は、硬
化に必要な熱量を与えるために、一定の温度で必要な時
間だけ熱処理をするか、もしくは、連続式炉で一定時
間、必要な温度まで熱処理を行う。熱硬化の温度は50〜
150 ℃、時間は1〜20分が好ましい。また、光で硬化さ
せる場合には、硬化開始剤の種類と量によって、硬化さ
せる光の波長と光量が異なるが、硬化させる光は紫外線
(365nm 付近)もしくは可視光が好ましく、光量は50〜
3000mJ/cm2が好ましい。Next, the resist ink is cured by heat or light. At this time, in the case of hardening by heat, heat treatment is performed at a fixed temperature for a necessary time or a continuous furnace to a necessary temperature for a certain time in order to provide heat necessary for the hardening. Thermosetting temperature is 50 ~
Preferably, the temperature is 150 ° C. and the time is 1 to 20 minutes. In the case of curing with light, the wavelength and amount of light to be cured differ depending on the type and amount of the curing initiator, but the light to be cured is preferably ultraviolet (around 365 nm) or visible light, and the amount of light is 50 to 50 nm.
3000 mJ / cm 2 is preferred.
【0013】以上のように透明導電膜の表面にレジスト
をパターン形成し、透明導電膜をエッチングする。ここ
で、用いるエッチング液は、透明導電膜の種類によって
異なり、ATOではZn等の金属粉末と塩酸や硝酸等の
強酸、ITOでは塩酸、硝酸、ヨウ化水素酸等の酸や、
第2塩化鉄水溶液等のルイス酸、そしてこれらの混合溶
液が挙げられる。As described above, the resist is patterned on the surface of the transparent conductive film, and the transparent conductive film is etched. Here, the etchant used varies depending on the type of the transparent conductive film. For ATO, a metal powder such as Zn and a strong acid such as hydrochloric acid or nitric acid, for ITO, an acid such as hydrochloric acid, nitric acid, or hydroiodic acid,
Examples thereof include Lewis acids such as an aqueous ferric chloride solution, and a mixed solution thereof.
【0014】つぎに透明導電膜がエッチングによりパタ
ーン化された基板を加熱処理する。このとき、レジスト
中の樹脂成分を熱分解反応と、フィラーとして含まれて
いる炭素粉末と酸素との反応により生じる一酸化炭素ガ
スにより、レジストと接触している透明導電膜が還元さ
れて膜中に酸素欠陥が導入され、透明導電膜の電気特性
の向上とレジスト中の樹脂成分の除去を同時に行うこと
ができる。なお、加熱処理の温度は、レジスト中の樹脂
成分の熱分解温度以上で、かつ基板の耐熱温度以下であ
ればよく、200 〜500 ℃が好ましい。また、雰囲気は、
窒素中もしくは不活性ガス中が好ましい。Next, the substrate on which the transparent conductive film has been patterned by etching is subjected to heat treatment. At this time, the transparent conductive film in contact with the resist is reduced by the carbon monoxide gas generated by the thermal decomposition reaction of the resin component in the resist and the reaction between carbon powder and oxygen contained as a filler, and Oxygen vacancies are introduced into the conductive film, thereby improving the electrical properties of the transparent conductive film and removing the resin component in the resist at the same time. The temperature of the heat treatment may be not less than the thermal decomposition temperature of the resin component in the resist and not more than the heat resistant temperature of the substrate, and is preferably 200 to 500 ° C. The atmosphere is
Preferably in nitrogen or in an inert gas.
【0015】最後に、熱分解後に残った炭素粉末等のレ
ジストの残渣を除去し、パターン化された透明導電膜を
得る。このとき、レジストの残渣を取り除くためには、
物理的な除去が必要であり、水中での超音波洗浄や、窒
素等の不活性ガス等の高圧ガスの吹き付けにより行うこ
とが好ましい。Finally, the resist residue such as carbon powder remaining after the thermal decomposition is removed to obtain a patterned transparent conductive film. At this time, in order to remove the resist residue,
Physical removal is required, and it is preferably performed by ultrasonic cleaning in water or by blowing a high-pressure gas such as an inert gas such as nitrogen.
【0016】以下、詳細な実施例によって本発明を説明
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。 (実施例1)三角フラスコに、45gの硝酸インジウム
〔In(NO3 )3・3H2 O〕を秤量し、50gのアセ
チルアセトンを加えて、室温で混合・溶解させた。その
溶液に、2.7 g〔Sn/(In+Sn)×100で9mo
l%〕のシュウ酸第1スズ(SnC2 O4 )とアセトンを
加えて還流した。その還流後の溶液を、室温付近まで冷
却し、10gのグリセリンを加えて、攪拌・混合し、所望
の透明導電膜形成用組成物を得た。Hereinafter, the present invention will be described with reference to specific examples, but the present invention is not limited to these examples. Example 1 In an Erlenmeyer flask, 45 g of indium nitrate [In (NO 3 ) 3.3 H 2 O] was weighed, 50 g of acetylacetone was added, and the mixture was mixed and dissolved at room temperature. 2.7 g [Sn / (In + Sn) × 100]
1%] of stannous oxalate (SnC 2 O 4 ) and acetone were added and refluxed. The solution after the reflux was cooled to around room temperature, 10 g of glycerin was added, and the mixture was stirred and mixed to obtain a desired composition for forming a transparent conductive film.
【0017】図1において、前記透明導電膜形成用組成
物をシリカコート並ガラス基板1上にスピンコートし
て、5分間室温で放置し、100℃で5分間乾燥した後、5
00℃で1時間焼成して、透明導電膜2を形成した。その
状態を図1(a)に示す。In FIG. 1, the composition for forming a transparent conductive film is spin-coated on a silica-coated glass substrate 1, left at room temperature for 5 minutes and dried at 100 ° C. for 5 minutes.
The transparent conductive film 2 was formed by firing at 00 ° C. for 1 hour. The state is shown in FIG.
【0018】つぎにエポキシ系アクリレートと有機系硬
化開始剤と有機溶剤からなる熱硬化性レジストインク10
gに対し、平均粒径3μmのグラファイト粉末2.5g[グ
ラファイト粉末/(レジストインク+グラファイト粉
末)×100で20wt%]を添加・混合して、所望の黒鉛
粉末をフィラーとするレジストインクを得た。前記熱硬
化性レジストインクを、図1(b)に示すようにスクリ
ーン印刷により、線幅2mm、0.5mm間隔のパターン
に前記透明導電膜2上に印刷し、60℃で10分乾燥した
後、130℃で30分間熱処理して硬化させ、レジストパタ
ーン3を形成した。Next, a thermosetting resist ink 10 comprising an epoxy acrylate, an organic curing initiator and an organic solvent is used.
2.5 g of graphite powder having an average particle size of 3 μm [graphite powder / (resist ink + graphite powder) × 20% by weight × 100) was added to and mixed with g to obtain a resist ink containing desired graphite powder as a filler. . The thermosetting resist ink is printed on the transparent conductive film 2 in a pattern having a line width of 2 mm and an interval of 0.5 mm by screen printing as shown in FIG. 1 (b), and dried at 60 ° C. for 10 minutes. Heat treatment was performed at 130 ° C. for 30 minutes to cure the resist, thereby forming a resist pattern 3.
【0019】次に、前記透明導電膜2と前記レジストパ
ターン3が形成された前記基板1を、2N塩酸(HC
l)と50wt%塩化第2鉄(FeCl3 )からなるエッチ
ング液に浸漬し、30℃で1分間エッチングした。その状
態を図1(c)に示す。Next, the substrate 1 on which the transparent conductive film 2 and the resist pattern 3 have been formed is subjected to 2N hydrochloric acid (HC).
1) and 50 wt% ferric chloride (FeCl 3 ) and immersed in an etching solution, and etched at 30 ° C. for 1 minute. The state is shown in FIG.
【0020】前記基板1を200〜500℃で、窒素中、1時
間熱処理した後、純水で1分間超音波洗浄して、レジス
トの残渣を除去し、本発明のパターン化した透明導電膜
4を得た。その状態を図1(d)に示す。The substrate 1 is heat-treated at 200 to 500 ° C. in nitrogen for 1 hour, and then ultrasonically cleaned with pure water for 1 minute to remove resist residues. I got The state is shown in FIG.
【0021】図2に、レジストの熱処理温度と最終的に
得られた透明導電膜の比抵抗の関係を示す。 (実施例2)ウレタン系アクリレートと有機系硬化開始
剤と有機溶剤からなる紫外線硬化性レジストインク10g
に対し、平均粒径3μmのグラファイト粉末0g[グラフ
ァイト粉末/(レジストインク+グラファイト粉末)×
100で0wt %]〜4.3g[(グラファイト粉末/(レジ
ストインク+グラファイト粉末)×100)で30wt%]
を添加・混合して、所望の黒鉛粉末をフィラーとするレ
ジストインクを得た。熱硬化性レジストインクのかわり
に、前記紫外線硬化性レジストインクを用い、シリカコ
ート並ガラス基板上にスクリーン印刷し、90℃で10分乾
燥した後、高圧水銀灯(照射強度80W/cm)で紫外線を1
分間照射して硬化させた。なお、レジストインク中の炭
素粉末含有率が30wt%を越えると印刷不可能であった。
また、硬化後の基板の加熱処理は500℃で1時間、アル
ゴンガス中で行った。他は実施例1に同じである。FIG. 2 shows the relationship between the heat treatment temperature of the resist and the specific resistance of the finally obtained transparent conductive film. (Example 2) 10 g of an ultraviolet curable resist ink comprising a urethane acrylate, an organic curing initiator, and an organic solvent
To 0 g of graphite powder having an average particle size of 3 μm [graphite powder / (resist ink + graphite powder) ×
100 at 0 wt%] to 4.3 g [(graphite powder / (resist ink + graphite powder) × 100) 30 wt%]
Was added and mixed to obtain a resist ink using a desired graphite powder as a filler. Instead of the thermosetting resist ink, use the above-mentioned UV-curable resist ink, screen-print it on a silica-coated normal glass substrate, dry it at 90 ° C for 10 minutes, and apply UV light with a high-pressure mercury lamp (irradiation intensity 80 W / cm). 1
Irradiated for minutes and cured. When the carbon powder content in the resist ink exceeded 30% by weight, printing was impossible.
The heat treatment of the cured substrate was performed at 500 ° C. for 1 hour in an argon gas. Others are the same as the first embodiment.
【0022】図3に、レジストインク中のグラファイト
粉末含有率グラファイト粉末/(レジストインク+グラフ
ァイト粉末)×100 と最終的に得られた透明導電膜の比
抵抗の関係を示す。 (実施例3)グラファイト粉末のかわりに、平均粒径1
μmの人造黒鉛(アセチレンブラック)粉末2.5g[グ
ラファイト粉末/(レジストインク+グラファイト粉
末)×100で20wt%]を添加・混合した。他は実施例
2に同じである。 (実施例4)グラファイト粉末のかわりに、活性炭2.5
g[グラファイト粉末/(レジストインク+グラファイ
ト粉末×100で20wt%]を添加・混合した。他は実施
例2に同じである。 (実施例5)グラファイト粉末のかわりに、天然黒鉛粉
末2.5 g[グラファイト粉末/(レジストインク+グラ
ファイト粉末×100で20wt%]を添加・混合した。他
は実施例2に同じである。FIG. 3 shows the relationship between the graphite powder content in the resist ink / graphite powder / (resist ink + graphite powder) × 100 and the specific resistance of the finally obtained transparent conductive film. (Example 3) Instead of graphite powder, average particle size 1
2.5 g [mu] m artificial graphite (acetylene black) powder [graphite powder / (resist ink + graphite powder) .times.100 × 20 wt%] was added and mixed. Others are the same as the second embodiment. (Example 4) Instead of graphite powder, activated carbon 2.5
g [(Graphite powder) / (20% by weight of resist ink + graphite powder × 100)] was added and mixed as in Example 2. (Example 5) Instead of graphite powder, 2.5 g of natural graphite powder [ The graphite powder / (resist ink + graphite powder × 100, 20 wt%) was added and mixed, and the other conditions were the same as in Example 2.
【0023】(比較例1)三角フラスコに、45gの硝酸
インジウム(In(NO3 )3・3H2 O)と5.4 g
[Sn/(In+Sn)×100)で9mol%]の塩化第
2スズ(SnCl4・5H2 O)を秤量し、α−テルピ
ネオールとニトロセルロースを加えて、攪拌・混合して
透明導電膜形成用組成物を合成した。その透明導電膜形
成用組成物を、シリカコート並ガラス基板上にスクリー
ン印刷し、線幅2mm、0.5 mm間隔のパターンを形成
した。その基板を5分間室温で放置し、100 ℃で10分間
乾燥した後、500 ℃で1時間焼成して、パターン化した
透明導電膜を得た。Comparative Example 1 In an Erlenmeyer flask, 45 g of indium nitrate (In (NO 3 ) 3.3H 2 O) and 5.4 g of indium nitrate were added.
[Sn / (In + Sn) × 100), 9 mol%] stannic chloride (SnCl 4 .5H 2 O) is weighed, α-terpineol and nitrocellulose are added, and the mixture is stirred and mixed to form a transparent conductive film. The composition was synthesized. The composition for forming a transparent conductive film was screen-printed on a silica-coated flat glass substrate to form a pattern having a line width of 2 mm and an interval of 0.5 mm. The substrate was left at room temperature for 5 minutes, dried at 100 ° C. for 10 minutes, and baked at 500 ° C. for 1 hour to obtain a patterned transparent conductive film.
【0024】(比較例2)炭素粉末のかわりに、平均粒
径3μmの炭酸カルシウム粉末2.5 gを用いた。また、
熱処理と純水による超音波洗浄のかわりに、3wt%の水
酸化ナトリウム水溶液でレジストを除去した。他は実施
例2に同じである。Comparative Example 2 In place of carbon powder, 2.5 g of calcium carbonate powder having an average particle size of 3 μm was used. Also,
Instead of heat treatment and ultrasonic cleaning with pure water, the resist was removed with a 3 wt% aqueous sodium hydroxide solution. Others are the same as the second embodiment.
【0025】表1に実施例3〜5、比較例1、2の結果
を示す。Table 1 shows the results of Examples 3 to 5 and Comparative Examples 1 and 2.
【0026】[0026]
【表1】 [Table 1]
【0027】[0027]
【発明の効果】前記説明より明らかなように、本発明の
透明導電膜のパターン形成方法を用いることにより、導
電性と可視領域における透過性に優れた低抵抗で高透過
率を有するパターン化した透明導電膜を容易にかつ安価
で得ることができ、表示素子や発熱抵抗体等の透明電極
等の用途に適するものである。As is clear from the above description, by using the method for forming a pattern of a transparent conductive film of the present invention, a pattern having low resistance and high transmittance excellent in conductivity and transparency in the visible region is obtained. The transparent conductive film can be easily and inexpensively obtained, and is suitable for use as a transparent electrode such as a display element or a heating resistor.
【図1】本発明の透明導電膜のパターン形成方法の一実
施例を示す概略断面図FIG. 1 is a schematic sectional view showing one embodiment of a method for forming a pattern of a transparent conductive film of the present invention.
【図2】レジストの熱処理温度と本発明の一実施例の透
明導電膜の比抵抗の関係を示す図FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the heat treatment temperature of a resist and the specific resistance of a transparent conductive film according to one embodiment of the present invention.
【図3】レジストインク中のグラファイト粉末含有率と
本発明の一実施例の透明導電膜の比抵抗の関係を示す図FIG. 3 is a graph showing the relationship between the graphite powder content in a resist ink and the specific resistance of a transparent conductive film according to one embodiment of the present invention.
1 基板 2 透明導電膜 3 レジストパターン 4 パターン化した透明導電膜 Reference Signs List 1 substrate 2 transparent conductive film 3 resist pattern 4 patterned transparent conductive film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−93915(JP,A) 特開 平3−276509(JP,A) 特開 平6−139845(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01B 13/00 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) References JP-A-5-93915 (JP, A) JP-A-3-276509 (JP, A) JP-A-6-139845 (JP, A) (58) Field (Int. Cl. 7 , DB name) H01B 13/00
Claims (5)
を、透明導電膜形成用組成物の熱分解により基板上に形
成された透明導電膜の表面に印刷する工程と、前記レジ
ストインクを熱または光により硬化させる工程と、前記
透明導電膜をエッチングする工程と、前記基板を加熱処
理する工程と、前記レジストインクの残渣を除去する工
程を備えたことを特徴とする透明導電膜のパターン形成
方法。A step of printing a resist ink containing carbon powder as a filler on the surface of a transparent conductive film formed on a substrate by thermal decomposition of a composition for forming a transparent conductive film; A step of curing the transparent conductive film, a step of heating the substrate, and a step of removing a residue of the resist ink.
クリレート、エポキシメタアクリレート、ウレタンアク
リレート、ウレタンメタアクリレートのいずれかを含む
ことを特徴とする請求項1記載の透明導電膜のパターン
形成方法。2. The method according to claim 1, wherein the resist ink contains at least one of epoxy acrylate, epoxy methacrylate, urethane acrylate, and urethane methacrylate.
無定形炭素の群から選ばれる炭素粉末を含むことを特徴
とする請求項1記載の透明導電膜のパターン形成方法。3. A resist ink comprising natural graphite, artificial graphite,
2. The method according to claim 1, further comprising a carbon powder selected from the group consisting of amorphous carbon.
以下であることを特徴とする請求項1記載の透明導電膜
のパターン形成方法。4. The carbon powder content of the resist ink is 30 wt%.
The method for forming a pattern of a transparent conductive film according to claim 1, wherein:
ンジウム化合物および/またはスズ化合物と有機溶媒か
らなることを特徴とする請求項1記載の透明導電膜のパ
ターン形成方法。5. The method according to claim 1, wherein the composition for forming a transparent conductive film comprises at least an indium compound and / or a tin compound and an organic solvent.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05122223A JP3078148B2 (en) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | Method for forming pattern of transparent conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05122223A JP3078148B2 (en) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | Method for forming pattern of transparent conductive film |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06333440A JPH06333440A (en) | 1994-12-02 |
JP3078148B2 true JP3078148B2 (en) | 2000-08-21 |
Family
ID=14830612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05122223A Expired - Fee Related JP3078148B2 (en) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | Method for forming pattern of transparent conductive film |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3078148B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102472627B1 (en) * | 2021-03-15 | 2022-11-29 | 김병남 | Drainage device for agricultural levee |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008027463A (en) * | 2007-09-25 | 2008-02-07 | Dowa Holdings Co Ltd | Low reflection type resistive film touch panel, manufacturing method thereof and substrate with transparent conductive film |
KR101156771B1 (en) * | 2010-08-26 | 2012-06-18 | 삼성전기주식회사 | Method of manufacturing conductive transparent substrate |
-
1993
- 1993-05-25 JP JP05122223A patent/JP3078148B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102472627B1 (en) * | 2021-03-15 | 2022-11-29 | 김병남 | Drainage device for agricultural levee |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06333440A (en) | 1994-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0594932B1 (en) | Method for forming patterned transparent conducting film | |
KR20140013875A (en) | Method of manufacturing copper electrode | |
JPH09320363A (en) | Transparent conductive circuit forming device | |
JP4631011B2 (en) | Method for patterning conductive tin oxide film | |
JP3078148B2 (en) | Method for forming pattern of transparent conductive film | |
JP2012067333A (en) | Metal fine particle dispersion, metal fine particle, and method for producing metal fine particle dispersion or the like | |
JP5061235B2 (en) | Blackened electromagnetic interference shielding glass and method for producing the same | |
JPH05234432A (en) | Forming method for patterned transparent conductive film | |
JP2005015608A (en) | Inkjet ink for forming transparent conductive tin oxide film | |
JPH11111082A (en) | Patterning method to conductive tin oxide film | |
JP4522566B2 (en) | Method for adjusting sheet resistance value of transparent conductive film | |
JPH05232459A (en) | Liquid crystal display cell and its production | |
JP2005063843A (en) | Printing method of electrode pattern for plasma display panel | |
JP3294705B2 (en) | High-temperature firing conductive paste and translucent conductive film | |
JP3049890B2 (en) | Method for forming transparent conductive film | |
JP5260630B2 (en) | Electromagnetic wave shielding glass with conductive pattern blackened and method for producing the same | |
KR101744520B1 (en) | Etchant for the conductive film containing silver nanowire, transparent electrode and preparation method using the same | |
JP4897148B2 (en) | Etching solution for transparent conductive film | |
JPH04342204A (en) | Black matrix and production thereof | |
JPH10255556A (en) | Coating for forming photosensitive transparent conductive film, photosensitive transparent conductive film, and conductor pattern | |
JP2005103754A (en) | Blanket for offset printing | |
JPH05291726A (en) | Manufacture of transparent conductive circuit | |
JPH02309587A (en) | Transparent heat-generating resistor | |
JP2003301140A (en) | Coating material for forming transparent electroconductive film and emboss processed electronic part carrier tape | |
KR20030079566A (en) | Composition of electric conductor paste with electric conductive glass frit for PDP |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |