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JP3069669B2 - Detection mark and mark detection device - Google Patents

Detection mark and mark detection device

Info

Publication number
JP3069669B2
JP3069669B2 JP3163694A JP16369491A JP3069669B2 JP 3069669 B2 JP3069669 B2 JP 3069669B2 JP 3163694 A JP3163694 A JP 3163694A JP 16369491 A JP16369491 A JP 16369491A JP 3069669 B2 JP3069669 B2 JP 3069669B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
mark
phosphor layer
detection
underlayer
Prior art date
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Application number
JP3163694A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0520512A (en
Inventor
敏夫 大嶋
雅人 西田
恒美 大岩
務 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxell Ltd
Original Assignee
Hitachi Maxell Energy Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Maxell Energy Ltd filed Critical Hitachi Maxell Energy Ltd
Priority to JP3163694A priority Critical patent/JP3069669B2/en
Publication of JPH0520512A publication Critical patent/JPH0520512A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3069669B2 publication Critical patent/JP3069669B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、通行券やテレフォン
カードなどの各種プリペイドカードに設けて好適な検知
用のマーク及び検出装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to a mark及beauty detection device for suitable detection provided in the various prepaid cards such as traffic tickets and telephone cards.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来この種のマークを検出する方法とし
ては、黒色インクを用いて印刷されたマーク上に光を照
射する一方、印刷部分と他所の反射率の違いを利用して
反射光の強度変化を検知することによりマーク情報を得
る方法が一般的であった。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of detecting a mark of this type, a mark printed using black ink is irradiated with light, while a difference in reflectance between a printed portion and another portion is used to reflect the reflected light. A method of obtaining mark information by detecting a change in intensity has generally been used.

【0003】またマークの形成材料として蛍光体を用い
るとともに、蛍光体に対する励起光と発光の波長が異な
ることを利用し、マークから放出される発光のみを光学
フィルタを用いて選択的に取り出し、マーク情報を得る
方法も開示されている(例えば、特開昭53−9600
号公報参照)。
In addition to using a phosphor as a material for forming the mark and utilizing the fact that the excitation light and the emission wavelength of the phosphor differ from each other, only the light emitted from the mark is selectively extracted using an optical filter, and A method for obtaining information is also disclosed (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 53-9600).
Reference).

【0004】更に、カタログなどの印刷物上に、赤外波
長領域で発光する蛍光体を用いたフォトルミネッセンス
層からなるバーコードなどのマークを印刷形成すること
により、カタログなどの印刷物の内容表示を邪魔するこ
となく、印刷された商品の特徴、価格等の情報が得られ
る様にする試みもなされている(例えば、特公昭54−
22326号公報、特公昭61−18231号公報参
照)。
Further, by printing a mark such as a bar code made of a photoluminescence layer using a phosphor emitting in the infrared wavelength region on a printed material such as a catalog, the display of the contents of the printed material such as a catalog is obstructed. Attempts have also been made to obtain information on the features, prices, etc. of printed products without doing this (for example, Japanese Patent Publication No. 54-1979).
No. 22326, JP-B-61-18231).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た反射光を利用してマークを検出する方法では、情報の
記録面に汚れや損傷が生じると反射光の強度が著しく弱
まり、情報を誤って読み取る不都合があった。
However, in the above-described method of detecting a mark using reflected light, if the information recording surface is stained or damaged, the intensity of the reflected light is significantly reduced, and the information is erroneously read. There was an inconvenience.

【0006】一方、蛍光体の発光を利用してマークを検
出する方法では、記録面の汚れに対して強い反面、励起
光と発光との発光中心波長が接近しているために両者を
完全に分離して検出することが難しく、ともすると反射
光が検出光中に重畳して検出精度が低下する虞れがあっ
た。更にまた、上記した様な印刷物に形成された蛍光体
層によるバーコードは、読み取りエラーの発生確率が高
いことが知られている。
On the other hand, in the method of detecting a mark using the light emission of the phosphor, the method is strong against stains on the recording surface, but because the emission center wavelengths of the excitation light and the light emission are close to each other, the two can be completely detected. It is difficult to separate and detect, and there is a possibility that the reflected light is superimposed on the detected light and the detection accuracy is reduced. Further, it is known that a bar code formed by a phosphor layer formed on a printed material as described above has a high probability of occurrence of a reading error.

【0007】本発明者らはかかる原因を究明するために
研究を行った結果、蛍光体層の発光強度は、該蛍光体層
が形成される下地層の反射率に対して予想を越えて大き
く依存し、下地層の反射率を所定値以上に規制すること
により蛍光体層から放出される発光強度が大きくなると
ともに、蛍光体層と下地層から得られる検知電圧間に十
分大きな差異が設定され、マークの読み取りエラーが減
少できることを知見した。
The inventors of the present invention have conducted studies to find out the cause, and as a result, the luminous intensity of the phosphor layer is larger than expected with respect to the reflectance of the underlayer on which the phosphor layer is formed. By controlling the reflectance of the underlayer to a predetermined value or more, the emission intensity emitted from the phosphor layer increases, and a sufficiently large difference is set between the detection voltage obtained from the phosphor layer and the underlayer. It has been found that mark reading errors can be reduced.

【0008】すなわち、例えば図1に示す如く、白色顔
料を含有させた白色のポリエステルフィルムからなる基
材4上に後記する下地層7を設け、更にその下地層7上
に、例えば波長が800nmの励起光aの入射により該
励起光aの波長と異なる1000nmの光bを発生する
蛍光体層8により、バーコードの様なマーク9を形成
し、励起光aを遮断する光学フィルタ45を備えた検知
手段から出力される電圧値を制御手段で測定した。
That is, as shown in FIG. 1, for example, an underlayer 7 to be described later is provided on a substrate 4 made of a white polyester film containing a white pigment, and further, on the underlayer 7, for example, a wavelength of 800 nm A bar code-like mark 9 is formed by the phosphor layer 8 that generates light b having a wavelength of 1000 nm different from the wavelength of the excitation light a upon incidence of the excitation light a, and an optical filter 45 that blocks the excitation light a is provided. The voltage value output from the detection means was measured by the control means.

【0009】下地層7は、励起光aの中心波長である8
00nmの光における反射率が互いに異なる4種類、例
えば基材4そのものを下地層7としたA(励起光波長に
おける反射率は約78%)、酸化チタン粉末を含む白色
の下地層B(同反射率は約39%)、アルミニウム粉末
を含む銀色の下地層C(同反射率は約34%)、磁性粉
を含む黒色の下地層D(同反射率は5%)から構成し
た。各下地層7上には各々、膜厚を0〜200μmまで
変化させて蛍光体層8を形成し、光検出手段から出力さ
れる電圧値を測定した結果が図2である。
The underlayer 7 has a center wavelength 8 of the excitation light a.
Four types having different reflectances with respect to light of 00 nm, for example, A (reflectance at the excitation light wavelength is about 78%) using the base material 4 itself as the base layer 7, and a white base layer B containing titanium oxide powder (the same reflection) The ratio was about 39%), a silver base layer C containing aluminum powder (having a reflectance of about 34%), and a black base layer D containing magnetic powder (having a reflectance of 5%). FIG. 2 shows the results obtained by forming the phosphor layers 8 on the respective underlayers 7 with the film thickness being varied from 0 to 200 μm and measuring the voltage value output from the light detecting means.

【0010】なお、マーク9部分の残光b’を利用した
検知を行う場合は、蛍光体層8から放出される光bの残
光強度のみを問題とすればよいが、励起光aによる発光
bを直接的に検知に利用する場合には更に、下地層7単
独の部分と蛍光体層8を設けた部分との出力電圧の比が
問題となり、その値は実験などから少なくとも1.6倍
程度は必要であるから、各下地層A〜Dに対してその下
限値を示したのがA’〜D’の直線群である。
In the case of performing detection using the afterglow b 'of the mark 9 portion, only the afterglow intensity of the light b emitted from the phosphor layer 8 needs to be considered. When b is used directly for detection, the output voltage ratio between the portion of the underlayer 7 alone and the portion provided with the phosphor layer 8 becomes a problem, and the value is at least 1.6 times from experiments and the like. Since the degree is necessary, the lower limit value for each of the underlayers A to D is indicated by a straight line group of A 'to D'.

【0011】したがって両者の交点は、下地層Aについ
ては0.4μm、下地層Bは2μm、下地層Cは3μ
m、下地層Dは5μmとなり、蛍光体層8の膜厚をそれ
以上に設定すれば、下地層7が均一な場合に必要最小限
の検知出力が得られることが判る。
Therefore, the intersection between the two is 0.4 μm for the underlayer A, 2 μm for the underlayer B, and 3 μm for the underlayer C.
m, the underlayer D is 5 μm, and it can be seen that if the film thickness of the phosphor layer 8 is set to be greater than that, the necessary minimum detection output can be obtained when the underlayer 7 is uniform.

【0012】一方、下地層7が意匠の印刷面の様に反射
率が部分的に異なる場合、形成する蛍光体層8の膜厚を
10μm、最も大きい反射率の部分が下地層Aであると
仮定すると、下地層7での反射と蛍光体層8からの発光
とを分離して検出するためには、A’以上の出力電圧範
囲vの中に入ることを必要とする。下地層Bはこの条件
に合うが、下地層Cでは不適で、下地層Bの反射率であ
る39%程度以上に反射率を規制する必要があることが
判る。
On the other hand, when the reflectance of the underlayer 7 is partially different like the printed surface of the design, the thickness of the phosphor layer 8 to be formed is 10 μm, and the underlayer A has the highest reflectance. Assuming that it is necessary to fall within the output voltage range v equal to or greater than A 'in order to detect the reflection from the underlayer 7 and the light emission from the phosphor layer 8 separately. The underlayer B satisfies this condition, but is unsuitable for the underlayer C, and it is understood that the reflectance must be regulated to about 39% or more, which is the reflectance of the underlayer B.

【0013】また上記した各試料に対し、下地層7のみ
の部分と蛍光体層8を形成した部分とについて、光源の
波長を400nmから900nmまで変化させながら反
射率の変化を測定した。下地層Aとその上に35μmの
蛍光体層8を形成した場合の一例が図3である。
In each of the above-mentioned samples, the change in the reflectance was measured while changing the wavelength of the light source from 400 nm to 900 nm with respect to the portion having only the base layer 7 and the portion having the phosphor layer 8 formed thereon. FIG. 3 shows an example in which the base layer A and the phosphor layer 8 of 35 μm are formed thereon.

【0014】更に今回の励起光波長である800nmに
おける、蛍光体層8を設けたことに起因する反射率の低
下量dを蛍光体層8における「吸収率」とみなした場
合、種々の下地層A〜Dにおける同様な吸収率と検出器
の出力電圧との関係をまとめたのが図4である。
Further, when the amount of decrease d in reflectance at 800 nm, which is the excitation light wavelength this time, due to the provision of the phosphor layer 8 is regarded as “absorptivity” in the phosphor layer 8, various underlayers are considered. FIG. 4 summarizes the relationship between the similar absorption rate and the output voltage of the detector in A to D.

【0015】上記の実験結果から、検出器の出力電圧
は、蛍光体層8における「吸収率」に略比例して増減す
るものであって、更に蛍光体層8の吸収率は、下地層7
の反射率および蛍光体層8の膜厚に大きく依存している
ことが判る。
From the above experimental results, the output voltage of the detector increases and decreases substantially in proportion to the "absorptivity" of the phosphor layer 8, and the absorptivity of the phosphor layer 8 further increases.
It can be seen that it largely depends on the reflectance of the phosphor layer 8 and the thickness of the phosphor layer 8.

【0016】本発明は上記した実験に基づく知見を利用
したものであって、検知エラーを可及的に減少させた検
知用マークを提供することを目的とする。本発明は更
に、下地層の反射率が不均一な部分にマークを形成した
場合における検知精度の向上を図った検知用マークを提
供することを目的とする。
The present invention utilizes the findings based on the above-described experiments, and has as its object to provide a detection mark in which detection errors are reduced as much as possible. It is another object of the present invention to provide a detection mark which improves detection accuracy when a mark is formed in a portion where the reflectance of the underlayer is not uniform.

【0017】本発明はまた、バーコード状に形成された
マークを精度よく検知できるマーク検出装置を提供する
ことを目的とする。
[0017] were present invention Hama, and an object thereof is to provide a mark detecting apparatus that can detect accurately a mark formed on the barcode form.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明にかかる検知用の
マーク9は、図1でその基本的な構成を示す如く、薄膜
状の蛍光体層8でパターンが形成され、表側から照射し
赤外線領域の励起光aに対応して、赤外線領域におけ
異なる波長の発光bまたは残光b’が発生されるもの
であって、上記蛍光体層8の裏側に、上記励起光aの中
心波長における反射率を設定値以上に規制した下地層7
形成したことを特徴とする。
As shown in FIG. 1, a detection mark 9 according to the present invention has a pattern formed of a thin phosphor layer 8 and an infrared ray irradiated from the front side. In the infrared region, corresponding to the excitation light a in the region
That different emission b or afterglow b wavelengths' is be one that is generated, on the back side of the phosphor layer 8, among the above-mentioned excitation light a
Underlayer 7 whose reflectance at the central wavelength is regulated to a set value or more
Is formed.

【0019】なお上記した蛍光体層8を反射率が均一
な下地層7上に形成した場合は、上記した励起光aの照
射時に蛍光体層8から放出される発光bを選択的に検出
た光の照度が、略同様な条件で下地層7部分の反射光
cを選択的に検出した光の照度に対し、1より大きい設
定倍数以上となる様に、下地層7の反射率および蛍光体
層8の厚さを決定することが好ましい。
When the above-described phosphor layer 8 is formed on the underlayer 7 having a substantially uniform reflectance, the above-mentioned excitation light a
The illuminance of the light that selectively detects the light emission b emitted from the phosphor layer 8 at the time of emission is substantially equal to the illuminance of the light that selectively detects the reflected light c of the base layer 7 under substantially the same conditions . For illumination, set a value greater than 1.
The reflectance of the underlayer 7 and the phosphor are set so as to be a fixed multiple or more.
Preferably , the thickness of layer 8 is determined .

【0020】また蛍光体層8を反射率が不均一な下地層
7上に形成した場合は、上記した励起光aの照射時に
光体層8から放出される発光bを選択的に検出した光の
照度の最低値が、略同様な条件で最も反射率の高い下地
層7部分の反射光を選択的に検出した光の照度に対し、
1より大きい設定倍数以上となる様に、下地層7におけ
る反射率の最低値および蛍光体層8の厚さを決定するこ
とが好ましい。
When the phosphor layer 8 is formed on the underlayer 7 having a non-uniform reflectance, the light emission b emitted from the phosphor layer 8 when the above-mentioned excitation light a is irradiated is selected. Of detected light
The minimum value of the illuminance is the same as the illuminance of the light that selectively detects the reflected light of the base layer 7 having the highest reflectance under substantially the same conditions .
In the underlayer 7 so as to be a set multiple larger than 1 or more.
It is preferable to determine the minimum value of the reflectance and the thickness of the phosphor layer 8 .

【0021】[0021]

【0022】[0022]

【0023】一方、本発明にかかるマーク検出装置は、
蛍光体層8で形成されたマーク9と相対移行しながら、
該マーク9上に励起光aを照射する光照射手段と、該光
照射手段に隣接して配設され、励起光aの焦点位置fか
ら放出される光bまたはb’を選択的に取り出す光検出
手段とを備えている。上記した光照射手段および光検出
手段の光軸L1・L2を、マーク9の移行方向をzとする
とそれと直交するx−y面と平行な面上に互いに傾斜さ
せて配置したことを特徴とする。
On the other hand, the mark detection device according to the present invention
While relatively moving with the mark 9 formed on the phosphor layer 8,
Light irradiating means for irradiating the mark 9 with excitation light a, and light disposed adjacent to the light irradiating means and selectively extracting light b or b 'emitted from the focal position f of the excitation light a Detection means. The optical axes L1 and L2 of the light irradiating means and the light detecting means are arranged so as to be inclined with respect to each other on a plane parallel to an xy plane orthogonal to the direction of the mark 9, where z is a transition direction. .

【0024】上記したマーク9を、マーク9の移行方向
zと直交する方向xに対して平行に延びる細帯状に形成
するとともに、そのマーク9を構成する蛍光体層8を、
赤外域の励起光aの照射によって該励起光aの中心波長
と異なる赤外域の光bを発生可能とする一方、光照射手
段は、発光素子42の発光面に所定長さの光ガイド43
を備えるとともに、光検出手段は、受光素子44の受光
面に、励起光aの入射を阻止する光学フィルタ45を介
して光ガイド46を接続することが好ましい。
The above-mentioned mark 9 is formed in a narrow band shape extending in parallel to a direction x orthogonal to the transition direction z of the mark 9, and the phosphor layer 8 constituting the mark 9 is formed as follows.
Irradiation with the excitation light a in the infrared region allows generation of light b in the infrared region different from the center wavelength of the excitation light a, while the light irradiation means includes a light guide 43 having a predetermined length on the light emitting surface of the light emitting element 42.
It is preferable that the light detection unit connects the light guide 46 to the light receiving surface of the light receiving element 44 via an optical filter 45 that blocks the incidence of the excitation light a.

【0025】[0025]

【作用】上記した構成において、蛍光体層8の裏側に下
地層7を設けることにより、励起光aを照射時に蛍光体
層8から放出される発光bまたは残光b’の強度が十分
大きく維持される。
In the above construction, by providing the underlayer 7 on the back side of the phosphor layer 8, the intensity of the light emission b or the afterglow b 'emitted from the phosphor layer 8 when the excitation light a is irradiated is maintained at a sufficiently high level. Is done.

【0026】また、下地層7の反射率が均一で、下地層
7部分での反射光cと蛍光体層8部分での発光bの強度
とを、例えば光電変換した後の段階で設定倍数以上の値
を維持することにより、下地層7と蛍光体層8との境界
部分が明確に検出される。
Further, the reflectance of the underlayer 7 is uniform, and the intensity of the reflected light c at the underlayer 7 and the intensity of the light emission b at the phosphor layer 8 are, for example , set multiples or more at the stage after photoelectric conversion. Is maintained, the boundary between the underlayer 7 and the phosphor layer 8 is clearly detected.

【0027】更に、反射率が不均一な下地層7上に蛍光
体層8を形成した場合、最も反射率の高い下地層部分の
反射光強度より、他の反射率の低い下地層部分に形成さ
れた蛍光体層8から出力される発光強度が、例えば光電
変換された状態で設定倍数以上の値を維持する様に下地
層7の反射率を設定することにより、下地層7の反射率
の変動に起因する蛍光体層8からの発光強度の出力変動
を、マーク9と下地層7との境界と誤認するのが防止さ
れるのである。
Further, when the phosphor layer 8 is formed on the underlayer 7 having a non-uniform reflectivity, the phosphor layer 8 is formed on another underlayer having a lower reflectivity than the reflected light intensity of the underlayer having the highest reflectivity. By setting the reflectance of the underlayer 7 so that the emission intensity output from the phosphor layer 8 thus maintained maintains a value that is equal to or more than a set multiple in the state of photoelectric conversion, for example , the reflectance of the underlayer 7 is reduced. This prevents the output fluctuation of the emission intensity from the phosphor layer 8 caused by the fluctuation from being erroneously recognized as the boundary between the mark 9 and the base layer 7.

【0028】[0028]

【0029】また、上記したマーク9の検出装置は、制
御手段から制御信号を光照射手段に送ると、該照射手段
は励起光をマーク9上に照射する。ここで励起光aおよ
び入射光bまたはb’の光軸L1・L2は、マーク9の伸
び方向と平行な面上でマーク9の表面に対して傾斜する
とともに、両者の焦点位置fは一致しているため、マー
ク9上における蛍光体層8の幅方向への光の広がりは、
光照射手段から放出直後の励起光の直径を限度として規
制され、マーク9の移行方向に沿った解像度が高く維持
されるのである。
In the mark 9 detecting device, when a control signal is sent from the control means to the light irradiating means, the irradiating means irradiates the mark 9 with excitation light. Here, the optical axes L1 and L2 of the excitation light a and the incident light b or b 'are inclined with respect to the surface of the mark 9 on a plane parallel to the direction in which the mark 9 extends, and the focal positions f of the two coincide. Therefore, the spread of light in the width direction of the phosphor layer 8 on the mark 9 is
The diameter of the excitation light immediately after emission from the light irradiating means is regulated as a limit, and the resolution along the transition direction of the mark 9 is kept high.

【0030】[0030]

【実施例】以下本発明を、任意のデータが記録されるカ
ード1および該カード1に記録されたデータを処理する
図5に示すカードリーダライタ2に実施した一例に基づ
いて、更に具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be more specifically described based on an example in which a card 1 on which arbitrary data is recorded and a card reader / writer 2 shown in FIG. 5 for processing data recorded on the card 1. explain.

【0031】[0031]

【カード】カード1は、図7および図8に示す如く、基
材4として縦が約5.5cm、横が約8.5cmで、厚
さが約188μmの白色顔料を含有させた白色のポリエ
ステルフィルムを使用し、更に従来と略同様に、その基
材4の上面側に任意の意匠5を印刷形成する一方、下面
側に磁性塗料を塗布することにより、主情報を書き換え
可能に記録する磁性層6を形成している。
[Card] As shown in FIGS. 7 and 8, the card 1 is a white polyester containing about 5.5 cm in length, about 8.5 cm in width, and about 188 μm in thickness as a base material 4. By using a film and printing an arbitrary design 5 on the upper surface side of the base material 4 and applying a magnetic paint on the lower surface side in substantially the same manner as in the prior art, the main information is rewritably recorded. The layer 6 is formed.

【0032】本発明は、上記した構成に加えて、反射率
を調整した下地層7を磁性層6上に更に設けるととも
に、該下地層7上に蛍光体層8によるマーク9を印刷形
成し、セキュリティ用の副情報を固定可能としたことを
特徴とする。
According to the present invention, in addition to the above-described structure, an underlayer 7 whose reflectance is adjusted is further provided on the magnetic layer 6, and a mark 9 made of a phosphor layer 8 is formed on the underlayer 7 by printing. The security sub-information can be fixed.

【0033】下地層7は、例えばアルミニュウム粉末を
50重量部、ポリエステル樹脂(東洋紡社製、バイロン
280)を50重量部、メチルエチルケトンを200重
量部加えた組成物をボールミルで48時間混合分散して
下地層用塗料を調整したあと、上記した磁性層6上に全
面に亘って塗布・乾燥し、約4μm厚の一様な下地層7
を形成した。
The underlayer 7 is prepared by mixing and dispersing, for example, a composition obtained by adding 50 parts by weight of aluminum powder, 50 parts by weight of a polyester resin (manufactured by Toyobo Co., Byron 280) and 200 parts by weight of methyl ethyl ketone by a ball mill for 48 hours. After adjusting the coating material for the formation layer, it is applied and dried over the entire surface of the magnetic layer 6 to form a uniform underlayer 7 having a thickness of about 4 μm.
Was formed.

【0034】上記した下地層7上に形成されるマーク9
は、図1に示す如く、赤外線領域の励起光aの照射に対
応して、該励起光aの中心波長とは異なる波長の赤外線
光bを発生する蛍光体層8で構成されるものであって、
カード1の長手方向と直交する細帯状のバーコードマー
ク9を形成するとともに、該マーク9でカード発行店コ
ードあるいは暗証番号などの所定のセキュリティ用の副
情報をカード1上に記録する様に構成している。
The mark 9 formed on the underlayer 7 described above
As shown in FIG. 1, a phosphor layer 8 that generates infrared light b having a wavelength different from the center wavelength of the excitation light a in response to the irradiation of the excitation light a in the infrared region. hand,
A strip-shaped bar code mark 9 orthogonal to the longitudinal direction of the card 1 is formed, and the security information such as a card issuer code or a personal identification number is recorded on the card 1 with the mark 9. doing.

【0035】この蛍光体層8は、ネオジウム(Nd)、
イッテルビウム(Yb)、ユーロビウム(Eu)、ツリ
ウム(Tm)、プラセオジウム(Pr)、ジスプロシウ
ム(Dy)等の希土類元素単体、もしくはそれらの混合
物を発光中心とし、それらの発光中心が燐酸塩、モリブ
デン酸塩、タングステン酸塩等の酸化物が母体に含まれ
てなる蛍光体粉末を、紫外線硬化型樹脂と混合するか、
あるいは塩化ビニル−酢酸ビニル系重合体、ポリウレタ
ン樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂等の結合剤
樹脂、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、酢酸
エチルセロソルブ等の有機溶剤等とともに混合分散して
蛍光塗料を調整したあと、上記した下地層7上に塗布・
乾燥して形成される。
The phosphor layer 8 is made of neodymium (Nd),
Rare earth element such as ytterbium (Yb), eurobium (Eu), thulium (Tm), praseodymium (Pr), dysprosium (Dy), or a mixture thereof is used as a luminescent center, and the luminescent center is phosphate, molybdate , A phosphor powder containing an oxide such as tungstate in the matrix, or mixed with an ultraviolet-curable resin,
Alternatively, a fluorescent paint is prepared by mixing and dispersing with a binder resin such as a vinyl chloride-vinyl acetate polymer, a polyurethane resin, a polyester resin, and an alkyd resin, an organic solvent such as methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, and ethyl cellosolve, and the like. Coating on the underlayer 7
It is formed by drying.

【0036】具体的にはLi(NdO.9YbO.1)P4O1
2 の様な蛍光体を含む蛍光塗料をスクリーン印刷して形
成されるものであって、更に、例えば波長が800nm
付近の近赤外領域の励起光aを照射した時、1000n
m付近の波長でピーク値を持つ赤外光bを発生するとと
もに、光照射を停止しても、図11(b)で示す如く、
90〜10%の減衰時間が400〜600μs程度の残
光b’を発生する様に構成している。
Specifically, Li (Nd0.9YbO.1) P4O1
2 is formed by screen printing a fluorescent paint containing a phosphor such as
When irradiating near-infrared excitation light a in the vicinity, 1000 n
In addition to generating infrared light b having a peak value at a wavelength near m and stopping light irradiation, as shown in FIG.
The decay time of 90 to 10% is configured to generate an afterglow b ′ of about 400 to 600 μs.

【0037】なお、蛍光体層8中における蛍光体粉末の
含有量は、励起光aを照射した際に十分な強度の発光b
が得られる様に、結合剤樹脂に対する重量比で1対2〜
2対1の範囲内にすることが好ましい。
It should be noted that the content of the phosphor powder in the phosphor layer 8 is such that the emission b
So that the weight ratio to the binder resin is 1: 2 to 2
It is preferred to be in the range of 2: 1.

【0038】また、蛍光体層8の膜厚は0.5μm〜2
00μmの範囲から選択されるが、十分安定した出力を
得るために1μm以上とし、更に耐久性を維持する為
に、100μm以下にすることが望ましい。
The thickness of the phosphor layer 8 is 0.5 μm to 2 μm.
It is selected from the range of 00 μm, but is preferably 1 μm or more in order to obtain a sufficiently stable output, and more preferably 100 μm or less in order to maintain durability.

【0039】[0039]

【カードリーダライタ】カードリーダライタ2は、図5
に示す如く、カードリーダライタ本体10と、該カード
リーダライタ本体10に対して必要なデータを送る携帯
用のパソコン11と、カード1の書き込み状態を表示す
るプリンタ12とから構成される。
[Card reader / writer] The card reader / writer 2 is shown in FIG.
As shown in FIG. 1, the system comprises a card reader / writer main body 10, a portable personal computer 11 for sending necessary data to the card reader / writer main body 10, and a printer 12 for displaying a writing state of the card 1.

【0040】すなわち、パソコン11側では予め、処理
されるカード1の発行枚数、発行店コード、金種あるい
は発行時期などの情報をキーボードから入力し記憶して
いる。ここでパソコン11とカードリーダライタ本体1
0とは、RS−232C規格のシリアルライン13で互
いに接続されており、上記した記憶データをカードリー
ダライタ本体10側に送り込むと、カードリーダライタ
本体10側では、受け取った情報に基づいてカード1へ
の主情報の書き込み処理を自動的に行なう様にしてい
る。
That is, on the personal computer 11 side, information such as the number of cards to be processed, the issuing store code, the denomination, or the issuance time of the card 1 to be processed is previously input and stored from the keyboard. Here, the personal computer 11 and the card reader / writer body 1
0 is connected to each other via a serial line 13 of the RS-232C standard, and when the storage data described above is sent to the card reader / writer main body 10 side, the card reader / writer main body 10 uses the card 1 based on the received information. The main information is automatically written into the memory.

【0041】カードリーダライタ本体10は、制御用の
1チップマイコンを備え、受け取った情報に基づいてそ
れ単独で動作するものであって、積層された複数枚のカ
ード1・1・・・・から1枚ずつカードを取り出すカー
ド供給部14と、該供給部14から取り出されたカード
1の副情報を読み出して良否を判定するマーク検出部1
5と、該検出部15で不良が判定されたカードを排出す
る不良カード排出部16と、カード1の主情報を読み書
きするカードデータ処理部17と、主情報が書き込まれ
たカード1を排出するカード収納部18と、上記した各
部に制御信号を送る制御部19とから構成される。
The card reader / writer body 10 has a one-chip microcomputer for control and operates independently based on the received information. The card reader / writer 10 is composed of a plurality of stacked cards 1.1,. A card supply unit 14 for taking out cards one by one, and a mark detection unit 1 for reading out sub-information of the card 1 taken out from the supply unit 14 and judging pass / fail
5, a defective card ejection unit 16 for ejecting a card determined to be defective by the detection unit 15, a card data processing unit 17 for reading / writing main information of the card 1, and ejecting the card 1 on which the main information is written. It comprises a card storage section 18 and a control section 19 for sending a control signal to each of the above-described sections.

【0042】カード供給部14は、図6に示す様に、カ
ード1がそのマーク9の形成面を下にして水平状態に集
積して収納される案内枠20の上部に、集積されたカー
ド1の上方から鉛直方向に所定の押圧力を加えるカウン
タウェイト21を上下方向に揺動自在に備える一方、案
内枠20の底壁22からやや臨出させてカード排出ロー
ラ23・24を備えるとともに、案内枠20の前面25
側で底壁22と同一面上に、カード1が1枚のみ通過可
能なスリット26を微調整可能に設けている。更に、ス
リット26側のカード排出ローラ23には、該ローラ2
3の駆動用モータ27を備え、制御部19からの駆動信
号の入力と連動してモータ27を回転駆動することによ
り、ローラ23に接する最下層のカード1をスリット2
6側に摺動移行させ、マーク9の形成面を下に向けたま
まの状態で、カード1を1枚ずつマーク検出部15に向
けて送り込む。
As shown in FIG. 6, the card supply unit 14 is provided on the upper part of the guide frame 20 in which the cards 1 are stacked and stored in a horizontal state with the formation surface of the mark 9 down. A counterweight 21 for applying a predetermined pressing force in the vertical direction from above is provided so as to be swingable in the up and down direction, and a card discharge roller 23/24 is provided to slightly protrude from the bottom wall 22 of the guide frame 20, and the guide is provided. Front 25 of frame 20
On the same side as the bottom wall 22, a slit 26 through which only one card 1 can pass is provided for fine adjustment. Further, the card 2 is attached to the card discharge roller 23 on the slit 26 side.
3, the lowermost card 1 in contact with the roller 23 is slit 2 by driving the motor 27 to rotate in conjunction with the input of a drive signal from the control unit 19.
The card 1 is fed to the mark detection unit 15 one by one with the mark 9 being formed with the surface on which the mark 9 faces downward.

【0043】[0043]

【マーク検出部】本発明は、かかるマーク検出部15の
構成に特徴を有するものであって、図6および図7にそ
の全体的な構成を概略的に示す如く、カード1をマーク
9側を下にして水平移行させる走行部30と、カード走
行面の下方位置に配設され、カード1上のマーク9に対
して励起光aを間欠的に照射する発光源31と、発光源
31が消灯中にマーク9から放出される残光b’を検出
する検出器32とを一体に収納した検出ヘッド33と、
検出器32から出力される信号処理を行う検出回路34
とを備えている。
[Mark Detection Unit] The present invention is characterized by the configuration of the mark detection unit 15. As shown schematically in FIG. 6 and FIG. A traveling unit 30 that is horizontally moved downward, a light emitting source 31 that is disposed below the card running surface and that intermittently irradiates the mark 9 on the card 1 with the excitation light a, and that the light emitting source 31 is turned off A detection head 33 integrally housing a detector 32 for detecting afterglow b ′ emitted from the mark 9 therein;
A detection circuit 34 for processing the signal output from the detector 32
And

【0044】カード1の走行部30は、図6ないし図8
に示す如く、カード1の両側縁を水平に支持するガイド
レール35・35を走行路の両側に沿って並行に固定す
るととともに、モータ36で回転される駆動ローラ37
・38と該ローラ37・38の上方からカード1に押圧
力を加える押圧ローラ39・40とを1組とし、マーク
検出部15の入口および出口部分に対応して各々1組ず
つ備える。更に、マーク検出部15の入口位置にインタ
ラプタ41を備え、カード供給部14からカード1が送
られたことを検知するとモータ36を正転し、カード1
を毎秒200〜400mm程度の一定速度で水平移行さ
せ、カード1の下面側に蛍光体層8で形成されたバーコ
ード状のマーク9が、順番に発光源31と検出器32の
上方を通過する様にしている。
The running section 30 of the card 1 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 3, guide rails 35, which horizontally support both side edges of the card 1, are fixed in parallel along both sides of the traveling path, and a driving roller 37 rotated by a motor 36 is provided.
And a pair of pressing rollers 39 and 40 for applying a pressing force to the card 1 from above the rollers 37 and 38, one set each corresponding to the entrance and the exit of the mark detection unit 15. Further, an interrupter 41 is provided at the entrance position of the mark detection unit 15, and when it is detected that the card 1 has been sent from the card supply unit 14, the motor 36 rotates forward to
Is horizontally shifted at a constant speed of about 200 to 400 mm per second, and a bar code-like mark 9 formed by the phosphor layer 8 on the lower surface side of the card 1 passes above the light emitting source 31 and the detector 32 in order. I am doing it.

【0045】発光源31は、図9および図10に示す如
く、発光中心波長が800nm付近の近赤外線を発生す
る発光ダイオードの様な発光素子42における光放出部
分に、直径が3.0mmで長さが7.0mm程度のグラ
スファイバー製の光ガイド43を取り付けたものであ
る。この光ガイド43の先端43aを、カード1の表面
に対して2mmあるいはそれ以下の距離にまで接近させ
るとともに、光ガイド43全体を、マーク9の移行方向
と直交する面上で且つ水平方向から45〜60゜の傾斜
角αを設けて配置している。更に、制御部19から出力
される信号S1により、モータ36の駆動期間に対応し
て、図11(a)のごとく、点灯時間T1および消灯時
間T2がともに500μsecの略等しい時間間隔で発
光素子42をオンオフ駆動し、マーク9に対して間欠的
に励起光aを照射する様にしている。
As shown in FIG. 9 and FIG. 10, the light emitting source 31 has a diameter of 3.0 mm and a length of 3.0 mm in a light emitting portion of the light emitting element 42 such as a light emitting diode which emits near-infrared light having a light emission center wavelength of about 800 nm. A glass fiber light guide 43 having a length of about 7.0 mm is attached. The leading end 43a of the light guide 43 is brought close to the surface of the card 1 to a distance of 2 mm or less, and the entire light guide 43 is placed on a plane orthogonal to the direction in which the mark 9 moves and 45 degrees from the horizontal direction. And an inclination angle α of about 60 °. Further, according to the signal S1 output from the control unit 19, the light emitting elements 42 are turned on at the substantially equal time intervals of 500 μsec for both the lighting time T1 and the turning off time T2 as shown in FIG. Are turned on and off so that the mark 9 is irradiated with the excitation light a intermittently.

【0046】検出器32は、赤外域に受光感度を有する
フォトセルの様な受光素子44における受光面上に、マ
ーク9から発生される残光b’を選択的に通す光学フィ
ルター45を介して、発光源31側と略同様な光ガイド
46を固定しており、受光素子44で残光に対応した電
気信号S2に変換したあと、後記する検出回路34でマ
ーク9に対応した信号を形成する。ここで、上記した発
光源31による励起光aの照射期間中にマーク9が移動
する距離は0.2mm以下であり、1回分の光照射およ
び残光の検出動作は、停止した状態で行なわれているも
のとみなすことができる。そこで、検出器32側の光ガ
イド46の先端46aを発光源31側の光ガイド43の
先端43aに隣接させるとともに、上記したマーク9の
移行方向と直交する面上で且つ105〜115゜の傾斜
角βを設けることにより、マーク9表面に対する励起光
aの照射位置から発せられる残光b’のみを検知可能と
するとともに、できるだけマーク9の表面に対して垂直
方向から励起光aの照射を行ない、垂直方向に放出され
る残光b’を検出して、検知効率の向上を図っている。
The detector 32 is provided via an optical filter 45 for selectively passing afterglow b 'generated from the mark 9 on a light receiving surface of a light receiving element 44 such as a photocell having a light receiving sensitivity in an infrared region. , A light guide 46 substantially similar to that of the light emitting source 31 is fixed, and after being converted into an electric signal S2 corresponding to the afterglow by the light receiving element 44, a signal corresponding to the mark 9 is formed by the detection circuit 34 described later. . Here, the distance that the mark 9 moves during the irradiation period of the excitation light a by the light emitting source 31 is 0.2 mm or less, and one light irradiation and afterglow detection operation are performed in a stopped state. Can be regarded as having. Therefore, the tip 46a of the light guide 46 on the detector 32 side is made to be adjacent to the tip 43a of the light guide 43 on the light emission source 31 side, and the inclination of 105 to 115 ° is on a plane orthogonal to the above-mentioned transition direction of the mark 9. By providing the angle β, only the afterglow b ′ emitted from the irradiation position of the excitation light a on the surface of the mark 9 can be detected, and the excitation light a is irradiated on the surface of the mark 9 as perpendicularly as possible. The afterglow b ′ emitted in the vertical direction is detected to improve the detection efficiency.

【0047】また、発光源31の光放出面43aおよび
検出器32の光入射面46aに沿って、図8および図9
に示す如く細帯上のスリット47を備えたカバー48で
覆うことにより、発光源31から放出される励起光aに
おけるマーク9の幅方向に対する光ビームの幅を制限す
ると同時に、検出器32に対するマーク9の幅方向の光
入力をも制限することによって、マーク9の検知精度の
向上を図っている。
8 and 9 along the light emitting surface 43a of the light emitting source 31 and the light incident surface 46a of the detector 32.
The width of the light beam in the width direction of the mark 9 in the excitation light a emitted from the light emitting source 31 is limited by covering the light beam with the cover 32 with the cover 48 having the slit 47 on the narrow band as shown in FIG. The detection accuracy of the mark 9 is improved by also restricting the light input in the width direction of the mark 9.

【0048】更に、発光源31の光ガイド先端43aの
近傍部分を稍上方へ隆起させることにより、該隆起部5
2をカード1の下面側に接触させ、検出ヘッド33とカ
ード1間の距離を安定した一定値に保持できる様にして
いる。
Further, the portion near the light guide tip 43a of the light emitting source 31 is raised slightly upward, so that the raised portion 5
2 is brought into contact with the lower surface of the card 1 so that the distance between the detection head 33 and the card 1 can be maintained at a stable and constant value.

【0049】検出器32の受光素子44から検出回路3
4に入力される信号S2の強度は、励起光aの照射を開
始すると、図11(b)の様に、蛍光体層8から放出さ
れる発光bに、光学フィルタ45で阻止し得なかった励
起光aの反射成分cが重畳して上昇するが、励起光aの
照射を停止すると、蛍光体層8から放出される残光b’
のみによって指数関数的に低下する。そこで出力信号S
2は、発光素子42の消灯期間に対応して作動する比較
回路50に入力して設定値Vsと比較することにより、
発光素子42がオフした直後におけるマーク9の形成位
置に対応して矩形波信号S3を形成し、判定回路51に
入力する。
From the light receiving element 44 of the detector 32 to the detection circuit 3
When the irradiation of the excitation light a is started, the intensity of the signal S2 input to the light source 4 cannot be blocked by the optical filter 45 in the light emission b emitted from the phosphor layer 8 as shown in FIG. The reflection component c of the excitation light a is superimposed and rises. When the irradiation of the excitation light a is stopped, the afterglow b ′ emitted from the phosphor layer 8 is emitted.
It decreases exponentially only by. Therefore, the output signal S
2 is input to the comparison circuit 50 that operates in response to the light-off period of the light-emitting element 42 and is compared with the set value Vs,
A rectangular wave signal S3 is formed corresponding to the formation position of the mark 9 immediately after the light emitting element 42 is turned off, and is input to the determination circuit 51.

【0050】判定回路51では、発光素子42の各オフ
直後における矩形波信号S3の有無を調べ、例えば図1
2(d)の如く、連続して入力される矩形波信号S3の
数を積算することにより、カード1の走行方向における
マーク9の幅を順次検出する。更に、上記の様にして検
知された各幅から求められるパターンと、予め記憶して
おいたバーコードのパターンとを比較して検出データを
解読し、その解読結果を表示部52で表示すると同時
に、検出されたデータが適正であればそのままモータ3
6の正転動作を持続し、カードデータ処理部17に送
る。しかし、データが適正なものでないことが検出され
たり、データの検知自体が行なわれなかった場合には、
走行部30におけるモータ36を逆転してカード1を不
良カード排出部16に送る。
The determination circuit 51 checks the presence or absence of the rectangular wave signal S3 immediately after each of the light emitting elements 42 is turned off.
As shown in FIG. 2 (d), the width of the mark 9 in the running direction of the card 1 is sequentially detected by integrating the number of the continuously input rectangular wave signals S3. Further, a pattern obtained from each width detected as described above is compared with a previously stored barcode pattern to decode the detection data, and the decoding result is displayed on the display unit 52 at the same time. If the detected data is appropriate, the motor 3
The normal rotation operation of No. 6 is continued and sent to the card data processing unit 17. However, if the data is detected to be incorrect or if the data itself has not been detected,
The card 1 is sent to the defective card ejection unit 16 by reversing the motor 36 in the traveling unit 30.

【0051】不良カード排出部16は、カード供給部1
4の出口側に、該供給部14からのカード1の排出のみ
を許す逆止ローラ55を備えるとともに、カード供給部
14の下方に受け部56を設け、更に下方側のガイドレ
ール35の基端35aを、前記した受け部56に向けて
傾斜させている。かかる構成により、マーク検出部15
から逆走されたカード1は、逆止ローラ55とガイドレ
ール基端35aにより受け部56側にカード1を排出す
る。
The defective card ejection section 16 is provided with the card supply section 1.
4 is provided with a check roller 55 that allows only the ejection of the card 1 from the supply section 14, a receiving section 56 is provided below the card supply section 14, and a base end of the guide rail 35 on the lower side. 35a is inclined toward the receiving portion 56 described above. With this configuration, the mark detection unit 15
Is discharged from the card 1 to the receiving portion 56 side by the non-return roller 55 and the guide rail base end 35a.

【0052】一方、カードデータ処理部17側に送られ
たカード1は、磁気ヘッド57によりカード裏面側の磁
性層6に対して所定のデータ書き込み動作を行った後、
カード収納部18にカード1を排出するとともに、パソ
コン11側に処理動作に対応した情報を戻し、処理結果
をディスプレイ58およびプリンタ12上に表示する。
On the other hand, the card 1 sent to the card data processing section 17 performs a predetermined data write operation on the magnetic layer 6 on the back side of the card by the magnetic head 57,
The card 1 is ejected to the card storage unit 18 and the information corresponding to the processing operation is returned to the personal computer 11, and the processing result is displayed on the display 58 and the printer 12.

【0053】[0053]

【他の実施例】図13は、上記した図11で示した残光
検出手順の他の実施例を示す波形図である。本実施例に
あっては、図13(a)に示す如く、発光素子42の点
灯時間T1としてマーク9を構成する蛍光体層8を励起
するのに必要十分な時間を維持する一方、消灯時間T2
として残光b’を検出するのに必要最小限な時間に制限
することにより、発光素子42から出力される励起光a
の発生周期を可及的に短くし、1つのマーク9を走査す
る間に検知される信号S3のパルス数を増加させ、マー
ク幅の測定精度を向上できる様にしている。
Another Embodiment FIG. 13 is a waveform diagram showing another embodiment of the afterglow detection procedure shown in FIG. 11 described above. In this embodiment, as shown in FIG. 13 (a), the lighting time T1 of the light emitting element 42 is maintained for a time necessary and sufficient to excite the phosphor layer 8 constituting the mark 9, while the light emitting time is turned off. T2
By limiting the time to the minimum necessary for detecting the afterglow b ′, the excitation light a
Is shortened as much as possible, the number of pulses of the signal S3 detected while scanning one mark 9 is increased, and the accuracy of measuring the mark width can be improved.

【0054】かかる実施例にあっても、図13(b)の
実線で示す蛍光体層8からの発光に対応する検出信号S
2を設定値Vsと比較し、設定値を超える期間に対応し
て図13(c)の様に検出信号を発生させることも可能
である。しかしながら本実施例にあっては、図13
(d)の様に消灯時間T2の略中央に、前後に検出マー
ジンT3およびT5を設けた残光検出用のゲート時間T4
を設定し、上記した図13(c)との論理積をとって図
13(e)の様な信号S3を発生させる様に構成してい
る。
Also in this embodiment, the detection signal S corresponding to the light emission from the phosphor layer 8 indicated by the solid line in FIG.
It is also possible to compare 2 with the set value Vs and generate a detection signal as shown in FIG. 13C corresponding to a period exceeding the set value. However, in this embodiment, FIG.
A gate time T4 for afterglow detection, in which detection margins T3 and T5 are provided before and after substantially at the center of the light-off time T2 as shown in FIG.
Is set, and a logical AND with the above-mentioned FIG. 13 (c) is taken to generate a signal S3 as shown in FIG. 13 (e).

【0055】なお、上記した各時間T1〜T5は蛍光体層
8の残光時間や必要とする検出精度などに対応して適宜
変更できるが、図13の例にあっては、T1を500μ
sec、T2を20μsec、T3およびT5を5μse
cとし、ゲート時間T4を10μsecとした場合の波
形図を例示している。更に図13(b)の一点鎖線によ
り、蛍光体層8によるマーク9形成がない箇所を検知し
た場合における検出器32からの出力波形を、比較のた
めに例示している。
The times T1 to T5 described above can be changed as appropriate in accordance with the afterglow time of the phosphor layer 8 and the required detection accuracy. In the example of FIG. 13, T1 is set to 500 μm.
sec, T2 20 μsec, T3 and T5 5 μsec
c, and a waveform diagram when the gate time T4 is 10 μsec. Further, the dash-dot line in FIG. 13B illustrates an output waveform from the detector 32 when a portion where the mark 9 is not formed by the phosphor layer 8 is detected for comparison.

【0056】かかる結果により、残光検知時における時
刻t2のSN比が約60dBであったのに対し、発光検
知時における時刻t1でのSN比は約13dB程度に留
まり、残光検知を行うことによって大幅なSN比の向上
が図られることが確かめられた。
As a result, the SN ratio at time t2 at the time of detecting afterglow was about 60 dB, whereas the SN ratio at time t1 at the time of detecting light emission was about 13 dB, and the afterglow was detected. Thus, it was confirmed that the S / N ratio was significantly improved.

【0057】図14は上記したマーク検出部15の他の
実施例であって、蛍光体層8で形成したマーク9の移行
方向の上流位置に発光源31を備える一方、下流側に検
出器32を備えるとともに、両者間を隔壁80で遮光す
る様に構成している。
FIG. 14 shows another embodiment of the above-described mark detection section 15 in which a light emitting source 31 is provided at an upstream position in the transition direction of the mark 9 formed by the phosphor layer 8 and a detector 32 is provided at the downstream side. In addition, a configuration is adopted in which light is shielded between the two by a partition wall 80.

【0058】かかる構成により、図14(a)の如く、
発光源31から放出された励起光aにより励起されたマ
ーク9は発光bを開始するとともに、図14(b)の様
に発光源31から離間した後も残光b’を発し続ける。
この残光b’は、図14(c)の様に、隔壁80に設け
たスリット47aを通じて検出器32に対向する位置か
ら発生される残光b’のみが選択的に検出器32に入射
され、上記した実施例の場合と略同様にして、検知動作
が行われるのである。
With this configuration, as shown in FIG.
The mark 9 excited by the excitation light a emitted from the light emitting source 31 starts emitting light b and continues to emit afterglow b 'even after being separated from the light emitting source 31 as shown in FIG.
As for the afterglow b ′, only the afterglow b ′ generated from the position facing the detector 32 through the slit 47 a provided in the partition wall 80 is selectively incident on the detector 32 as shown in FIG. The detection operation is performed in substantially the same manner as in the above-described embodiment.

【0059】この構成は、残光時間が長い蛍光体を用い
てマーク9を形成しているか、あるいは残光時間の短い
蛍光体を用いてはいるが、マーク9の走行速度が十分に
早いため、検出器32の位置にマーク9が移動した時点
でも十分な残光強度を有している場合に有効な構成であ
る。
In this configuration, although the mark 9 is formed using a phosphor having a long afterglow time, or a phosphor having a short afterglow time is used, the traveling speed of the mark 9 is sufficiently high. This configuration is effective when the afterglow has sufficient intensity even when the mark 9 moves to the position of the detector 32.

【0060】なお、手動でマーク9を移動させる場合の
様に、マーク9の移行速度に大幅なばらつきが予想され
る場合には、図1と図14の検出器を同時に備え、検知
された操作スピードの大小に対応させて検出器32を切
り換え使用することもできる。
When a large variation in the moving speed of the mark 9 is expected, such as when the mark 9 is moved manually, the detectors shown in FIGS. The detector 32 can be switched and used according to the magnitude of the speed.

【0061】図15および図16は更に他の実施例であ
って、図15の実施例にあっては、発光源31と検出器
32とをマーク9を中心として上下に分離して配置する
とともに、マーク9を設ける基材4の少なくとも一部に
透光性をもたせ、そこにマーク9を形成する様にしてい
る。かかる構成により、図15(a)の如く、発光源3
1から放出された励起光aは基材4を通ってマーク9に
照射され、マーク9を構成する蛍光体層8が発光する。
この状態で図15(b)の様に、マーク9に対する励起
光aの照射を停止すると同時に検出器32を作動させる
と、マーク9から発せられる残光b’が検出器32によ
り選択的に検出されるのである。
FIGS. 15 and 16 show still another embodiment. In the embodiment shown in FIG. 15, the light emitting source 31 and the detector 32 are vertically separated from each other with the mark 9 as the center. The mark 9 is formed on at least a part of the base material 4 on which the mark 9 is provided. With such a configuration, as shown in FIG.
The excitation light a emitted from 1 is applied to the mark 9 through the base material 4, and the phosphor layer 8 constituting the mark 9 emits light.
In this state, as shown in FIG. 15B, when the irradiation of the excitation light a to the mark 9 is stopped and the detector 32 is operated at the same time, the afterglow b ′ emitted from the mark 9 is selectively detected by the detector 32. It is done.

【0062】一方、図16の実施例にあっては、マーク
9を停止させたままの状態で検出が行える様にしてい
る。すなわち、図16(a)の様に、検出すべきマーク
9の全体を発光源31を用いて一様に励起したあと、図
16(b)の如く発光源31を消灯すると同時に、マー
ク9から発生される残光b’をレンズ81を介して検出
器32に入力する。検出器32は、1次元あるいは2次
元のCCD素子が使用され、発光源31の消灯直後にお
ける残光b’の強度を電気信号S4の大きさに対応させ
て変換保持したあと、次の照射期間に対応して、直列状
態で先に保持した信号S4が取り出されるのである。
On the other hand, in the embodiment of FIG. 16, the detection can be performed with the mark 9 stopped. That is, as shown in FIG. 16A, after the entire mark 9 to be detected is uniformly excited using the light emitting source 31, the light emitting source 31 is turned off as shown in FIG. The generated afterglow b ′ is input to the detector 32 via the lens 81. The detector 32 uses a one-dimensional or two-dimensional CCD element, converts and holds the intensity of the afterglow b ′ immediately after the light emitting source 31 is turned off in accordance with the magnitude of the electric signal S4, and then performs the next irradiation period. , The signal S4 previously held in series is extracted.

【0063】なおマーク9を構成する物質の種類は、残
光性を有するものであれば、残光の波長あるいは残光時
間などの物理的特性を使用目的などに対応させて、可視
光を発生させるものなどにも変更できるし、発光源31
の発光波長もそれに対応させて変更される。また、励起
光aと残光b’の発光中心波長が大幅に異なっている場
合にも実施が可能であるが、両波長が接近していたり同
一である場合には、特に有効な手段となる。
As long as the type of the substance constituting the mark 9 is a substance having a persistence property, a physical property such as a persistence wavelength or a persistence time is made to correspond to a purpose of use, and visible light is generated. The light source 31 can be changed.
Are also changed correspondingly. In addition, the present invention can be applied to a case where the emission center wavelengths of the excitation light a and the afterglow b 'are significantly different from each other. However, when the two wavelengths are close to each other or are the same, this is a particularly effective means. .

【0064】更に、透明でしかも赤外域の励起光aの照
射により赤外域の発光bおよび残光b’を発生する蛍光
体層8でマーク9を形成すれば、基材4上の意匠5を邪
魔することなく重畳してマーク9を形成でき、しかもセ
キュリティ用としての効果も高まる。また、発光源31
と検出器32とを、従来と略同様にマーク9の進行方向
に並べたり、両者の光ガイド43・46を1本にまとめ
て蛍光体層8の垂直方向から光の入出力をさせてもよ
い。
Further, if the mark 9 is formed by the phosphor layer 8 which is transparent and emits infrared light b and afterglow b 'upon irradiation with the excitation light a in the infrared region, the design 5 on the base material 4 The marks 9 can be formed overlapping without disturbing, and the effect for security is enhanced. The light source 31
The detector 32 and the detector 32 may be arranged in the traveling direction of the mark 9 in substantially the same manner as in the related art, or both light guides 43 and 46 may be combined into one to input and output light from the vertical direction of the phosphor layer 8. Good.

【0065】また、上記した実施例は何れも、蛍光体層
8の残光b’を利用してマーク9の形状を検知する例を
示したが、発光bを検知するものに対しても略同様に実
施できることは勿論である。
In each of the above-described embodiments, an example has been described in which the shape of the mark 9 is detected by using the afterglow b ′ of the phosphor layer 8. Of course, it can be implemented similarly.

【0066】[0066]

【発明の効果】本発明は上記の如く、所定のパターンが
形成された蛍光体層8の裏面側に励起光aを反射する下
地層7を設けたので、マーク9からは常に十分大きな強
度の光の放出状態が確保され、検知ミスが発生するのが
未然に防止される。
As described above, according to the present invention, the underlayer 7 for reflecting the excitation light a is provided on the back surface of the phosphor layer 8 on which a predetermined pattern is formed. The light emission state is ensured, and the occurrence of a detection error is prevented beforehand.

【0067】更に、下地層7の部分と蛍光体層8の部分
とから得られる光検出強度の比が1より大きい設定倍数
以上となる様に下地層7の反射率の下限値を設定するこ
とにより、下地層7部分と蛍光体層8部分とが明確に分
離して検知され、検知動作の安定化が図れる
Further, the lower limit of the reflectance of the underlayer 7 is set so that the ratio of the light detection intensity obtained from the portion of the underlayer 7 and the portion of the phosphor layer 8 becomes a set multiple larger than 1 or more. By setting, the underlayer 7 and the phosphor layer 8 are clearly separated and detected, and the detection operation can be stabilized .

【0068】[0068]

【0069】また、検知時における励起光aの照射と発
光bまたは残光b’の検出とを、マーク9の移行方向と
直交する面内で互いに傾斜させて行うことにより、スリ
ットによる絞り込みを特に必要とすることなく走査ビー
ムの幅の拡大が抑制され、マーク9の進行方向の長さを
精度よく検知できるなど、優れた効果を有する。
Further, the irradiation with the excitation light a and the detection of the light emission b or the afterglow b ′ at the time of detection are performed by being inclined with respect to each other in a plane perpendicular to the direction in which the mark 9 moves. There is an excellent effect that the width of the scanning beam is prevented from expanding without requiring it, and the length of the mark 9 in the traveling direction can be accurately detected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の基本的な構成を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a basic configuration of the present invention.

【図2】下地層の反射率をパラメータとして、蛍光体層
の膜厚と検出器の出力電圧との関係を示すグラフであ
る。
FIG. 2 is a graph showing the relationship between the thickness of a phosphor layer and the output voltage of a detector using the reflectance of an underlayer as a parameter.

【図3】光源の波長を変化させて測定したカード表面の
反射率の一例を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing an example of a reflectance of a card surface measured by changing a wavelength of a light source.

【図4】蛍光体層の吸収率と検出器の出力電圧との関係
を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing a relationship between an absorption rate of a phosphor layer and an output voltage of a detector.

【図5】本発明をカードリーダライタに実施した一例を
示す概略図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing an example in which the present invention is applied to a card reader / writer.

【図6】マーク検出部の機械的な構成を示す概略図であ
る。
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a mechanical configuration of a mark detection unit.

【図7】マーク検出部の電気的な構成を示す概略図であ
る。
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating an electrical configuration of a mark detection unit.

【図8】マーク検出部の要部の分解斜視図である。FIG. 8 is an exploded perspective view of a main part of the mark detection unit.

【図9】マーク検出部の平面図である。FIG. 9 is a plan view of a mark detection unit.

【図10】図9のX−X線に沿う断面図である。FIG. 10 is a sectional view taken along line XX of FIG. 9;

【図11】残光の検出手順を示す波形図であって、発光
源の点灯時間と消灯時間とが略等しい場合を示す。
FIG. 11 is a waveform chart showing a procedure for detecting afterglow, and shows a case where the light-on time and the light-off time of the light emitting source are substantially equal.

【図12】マークの検出手順の一例を示す説明図であ
る。
FIG. 12 is an explanatory diagram illustrating an example of a mark detection procedure.

【図13】図11に示す残光検出手順の他の実施例を示
す波形図であって、点灯時間より消灯時間の方が短い場
合を示す。
FIG. 13 is a waveform chart showing another embodiment of the afterglow detection procedure shown in FIG. 11, showing a case where the light-off time is shorter than the light-on time.

【図14】マーク検出部の他の実施例を示す説明図であ
って、発光源と検出器とをマークの移行方向に分離して
配置した例を示す。
FIG. 14 is an explanatory diagram showing another embodiment of the mark detection unit, and shows an example in which a light emitting source and a detector are separated from each other in the mark transition direction.

【図15】マーク検出部の更に他の実施例を示す説明図
であって、マークを挟んで両側に分離して配置した例を
示す。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing still another embodiment of the mark detection unit, and shows an example in which the mark detection unit is disposed separately on both sides with a mark interposed therebetween.

【図16】マーク検出部の更に他の実施例を示す説明図
であって、マークを停止したまま検出する例を示す。
FIG. 16 is an explanatory diagram showing still another embodiment of the mark detection unit, and shows an example in which a mark is detected while being stopped.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

a 励起光 b 発光 b’ 残光 c 反射光 1 カード 2 カードリーダライタ 4 基材 6 磁性層 7 下地層 8 蛍光体層 9 マーク 15 マーク検出部 17 カードデータ処理部 19 制御部 31 発光源 32 検出器 42 発光素子 43 光ガイド 44 受光素子 45 光学フィルタ 46 光ガイド a excitation light b light emission b 'afterglow c reflected light 1 card 2 card reader / writer 4 base material 6 magnetic layer 7 underlayer 8 phosphor layer 9 mark 15 mark detection unit 17 card data processing unit 19 control unit 31 emission source 32 detection Container 42 light emitting element 43 light guide 44 light receiving element 45 optical filter 46 light guide

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 務 大阪府茨木市丑寅1丁目1番88号 日立 マクセル株式会社内 (56)参考文献 特開 昭51−82109(JP,A) 特開 平1−197253(JP,A) 特開 昭57−90783(JP,A) 特開 昭61−217877(JP,A) 特開 昭60−83184(JP,A) 特開 平1−301767(JP,A) 特公 昭62−44671(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06K 19/00 - 19/06 G06K 7/12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Tsutomu Yamaguchi 1-1-88 Ushitora, Ibaraki-shi, Osaka Hitachi Maxell Co., Ltd. (56) References JP-A-51-82109 (JP, A) JP-A-1 JP-A-197253 (JP, A) JP-A-57-90783 (JP, A) JP-A-61-217877 (JP, A) JP-A-60-83184 (JP, A) JP-A-1-301767 (JP, A) (JP, B2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G06K 19/00-19/06 G06K 7/12

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 薄膜状の蛍光体層(8)でパターンが形
成され、表側から照射した赤外線領域の励起光(a)に
対応して、赤外線領域における異なる波長の光を発
る検知用のマークであって、上記 蛍光体層(8)の裏側に、上記励起光(a)の中心
波長における反射率を設定値以上に規制した下地層
(7)を形成したことを特徴とする検知用マーク。
1. A formed pattern by thin-film phosphor layer (8), in response to the excitation light of the infrared region irradiated from front side (a), occurs to the light of different wavelengths in the infrared region <br /> a mark for detecting Ru, on the back side of the phosphor layer (8), the center of the excitation light (a)
Underlayer whose reflectance at wavelength is regulated to a value or more
(7) A detection mark formed by forming (7) .
【請求項2】 上記した下地層(7)の反射率は略均一
であって、 上記した励起光(a)の照射時に 蛍光体層(8)から放
出される発光を選択的に検出した光の照度が、略同一条
件で下地層(7)部分の反射光(c)を選択的に検出し
た光の照度に対し、1より大きい設定倍数以上となる様
に、下地層(7)の反射率および蛍光体層(8)の厚さ
を決定することを特徴とする請求項1記載の検知用マー
ク。
2. The reflectance of the underlayer (7) is substantially uniform.
A is, illuminance of light was selectively detecting luminescence emitted from the phosphor layer (8) at the irradiation with the excitation light (a) is a base layer at substantially the same conditions (7) portion of the reflected light Selectively detect (c)
The reflectance of the underlayer (7) and the thickness of the phosphor layer (8) are set so that the illuminance of the reflected light is more than a set multiple larger than 1.
2. The detection mark according to claim 1, wherein
【請求項3】 上記した下地層(7)の反射率は不均一
であって、 上記した励起光(a)の照射時に 蛍光体層(8)から放
出される発光を選択的に検出した光の照度の最低値が、
略同一条件で最も反射率の高い下地層部分の反射光
(c)を選択的に検出した光の照度に対し、1より大き
い設定倍数以上となる様に、下地層(7)における反射
率の最低値および蛍光体層(8)の厚さを決定すること
を特徴とする請求項1記載の検知用マーク。
3. The reflectance of the underlayer (7) is non-uniform.
And the minimum value of the illuminance of light obtained by selectively detecting light emission emitted from the phosphor layer (8) upon irradiation with the excitation light (a) is:
The illuminance of the light obtained by selectively detecting the reflected light (c) of the base layer having the highest reflectance under substantially the same conditions is greater than 1
Reflection in the underlayer (7) so that it becomes a set multiple or more.
2. The detection mark according to claim 1 , wherein the minimum value of the ratio and the thickness of the phosphor layer are determined .
【請求項4】 上記した請求項1記載のマークを検出す
るための装置であって、 蛍光体層(8)で形成されたマーク(9)と相対移行し
ながら、該マーク(9)上に励起光(a)を照射する光
照射手段と、 該光照射手段に隣接して配設され、励起光(a)の照射
位置から放出される光を選択的に取り出す光検出手段と
を備え、 光照射手段および光検出手段の光軸L1・L2を、マー
ク(9)の移行方向と直交する面上に、互いに傾斜させ
て配置したことを特徴とするマーク検出装置
(4)The mark according to claim 1 is detected.
Device for Relative to the mark (9) formed in the phosphor layer (8)
While irradiating the mark (9) with the excitation light (a)
Irradiation means; Irradiation with excitation light (a), which is disposed adjacent to the light irradiation means
Light detection means for selectively extracting light emitted from the position;
With The optical axes L1 and L2 of the light irradiation means and the light detection means are
On a plane orthogonal to the transition direction of
Mark detection device characterized by being arranged in a position .
【請求項5】 上記したマーク(9)を、マーク(9)
の移行方向と直交して平行に延びる細帯状に形成し、 光照射手段は、発光素子(42)の発光面に所定長さの
光ガイド(43)を備 え、 光検出手段は、受光素子(44)の受光面に、励起光
(a)の入射を阻止する光学フィルタ(45)を介して
光ガイド(46)を接続したことを特徴とする請求項4
記載のマーク検出装置
Claim 5.The mark (9) described above is replaced with the mark (9)
Formed in the shape of a narrow band extending parallel to and perpendicular to the transition direction of The light irradiating means has a predetermined length on the light emitting surface of the light emitting element (42).
Light guide (43) provided e, The light detecting means is provided on the light receiving surface of the light receiving element (44),
(A) via an optical filter (45) for blocking incidence
5. A light guide (46) connected thereto.
Mark detection device described .
【請求項6】 上記したマーク(9)は、書き換え不能
なセキュリティ用の情報であって、蛍光体層(8)によ
ってカード(1)上に印刷形成され、 上記光照射手段が、蛍光体層(8)の形成位置に対応し
て励起光(a)をパルス状に照射しながらカード(1)
を走査する一方、 上記光検出手段が、各パルス状の励起光(a)に対応し
て検出された残光の信号の数を調べることにより、マー
ク(9)の幅を判定することを特徴とする請求項4また
は5記載のマーク検出装置。
6. The mark (9) cannot be rewritten.
Information for security, and is used by the phosphor layer (8).
I formed by printing on the card (1), said light irradiating means, correspond to the positions of formation of the phosphor layer (8)
Card (1) while irradiating the excitation light (a) in pulse form
While the light detecting means corresponds to each pulsed excitation light (a).
By checking the number of afterglow signals detected by
The width of the step (9) is determined.
Is a mark detection device according to 5.
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