JP3061471B2 - 液サンプリング装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体プロセス
用の液化精製ガスの分析の際に用いられる液サンプリン
グ装置に関するものである。
用の液化精製ガスの分析の際に用いられる液サンプリン
グ装置に関するものである。
【０００２】
【関連技術】例えば半導体プロセス装置においては、該
プロセス装置に使用されるガス（例えば窒素ガス）を空
気分離装置により製造し、これをタンクローリに充填
し、該タンクローリを当該使用地に輸送するというよう
なことが行われている。
プロセス装置に使用されるガス（例えば窒素ガス）を空
気分離装置により製造し、これをタンクローリに充填
し、該タンクローリを当該使用地に輸送するというよう
なことが行われている。
【０００３】この場合、該プロセス装置の稼働前、ある
いは稼働中等においては、タンクローリから抽出された
ガスの成分分析を精度良く行う必要があるが、かかる分
析装置として、代表的にはＡＰＩＭＳ（大気圧イオン化
質量分析計）などが用いられている。ところが、このＡ
ＰＩＭＳは大がかりな装置であるので、当該プロセス装
置の設置場所がその製造場所から遠隔の地にあるような
場合、設置費用や設置面積等に相当の余裕がある場合は
ともかく、当該設置場所に持ち込むことは一般には大き
な経済的あるいは人的負担が大き過ぎる。
いは稼働中等においては、タンクローリから抽出された
ガスの成分分析を精度良く行う必要があるが、かかる分
析装置として、代表的にはＡＰＩＭＳ（大気圧イオン化
質量分析計）などが用いられている。ところが、このＡ
ＰＩＭＳは大がかりな装置であるので、当該プロセス装
置の設置場所がその製造場所から遠隔の地にあるような
場合、設置費用や設置面積等に相当の余裕がある場合は
ともかく、当該設置場所に持ち込むことは一般には大き
な経済的あるいは人的負担が大き過ぎる。
【０００４】そのため、従来より、当該装置の設置地に
おいて、前記抽出された液化ガスの一部、または全部を
液サンプリング容器に充填し、該容器を該設置地からＡ
ＰＩＭＳの常設場所に運んで液化ガスの成分分析を行う
ような手法が採られている。
おいて、前記抽出された液化ガスの一部、または全部を
液サンプリング容器に充填し、該容器を該設置地からＡ
ＰＩＭＳの常設場所に運んで液化ガスの成分分析を行う
ような手法が採られている。
【０００５】この場合、前記液サンプリング容器として
は、ステンレス鋼製の内槽と、該内槽の外部に減圧空間
部を介在させて設けられる炭素鋼製の外槽と、前記内槽
に連通するように設けられる液管と、該内槽内と連通す
るガス供給管と、前記液管に設けられベローズバルブか
ら成る液出入口用弁部と、前記ガス供給管に設けられる
ガスブロー弁部と、前記ガス供給管に流れるブローガス
を外部から加熱するための外部加熱部とを備え、前記内
槽の内表面は一般には数十ミクロン程度の粗面に仕上げ
られており、また、配管系は銅材等から成るものが用い
られている。
は、ステンレス鋼製の内槽と、該内槽の外部に減圧空間
部を介在させて設けられる炭素鋼製の外槽と、前記内槽
に連通するように設けられる液管と、該内槽内と連通す
るガス供給管と、前記液管に設けられベローズバルブか
ら成る液出入口用弁部と、前記ガス供給管に設けられる
ガスブロー弁部と、前記ガス供給管に流れるブローガス
を外部から加熱するための外部加熱部とを備え、前記内
槽の内表面は一般には数十ミクロン程度の粗面に仕上げ
られており、また、配管系は銅材等から成るものが用い
られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の液サンプリング容器の構成では、特に半導体製造プ
ロセスにおいて有害な不純物の発生、外部リーク等につ
いて十分な対策が講じられてなく、超高精度な成分分
析、いわゆるｐｐｔレベルの微量分析に対応できないも
のであった。
来の液サンプリング容器の構成では、特に半導体製造プ
ロセスにおいて有害な不純物の発生、外部リーク等につ
いて十分な対策が講じられてなく、超高精度な成分分
析、いわゆるｐｐｔレベルの微量分析に対応できないも
のであった。
【０００７】すなわち、第１に、容器のベーキングに際
しては、外部加熱部のみにより熱せられたブローガスを
容器内に送り込むに過ぎないので、容器内の温度を十分
に高めることができなかった。第２に、容器の内槽は、
その内表面は高々数十ミクロンの凹凸面に仕上げられた
ものを用いているに過ぎないので、減圧下において内壁
面からの水、炭酸ガス等の不純物が脱離し易かった。第
３に、弁部が砲金製のベローズ、グランドパッキン等か
ら成るベローズ弁により構成されているので、有害なパ
ーティクルやハイドロカーボンの放出を抑制し難かっ
た。
しては、外部加熱部のみにより熱せられたブローガスを
容器内に送り込むに過ぎないので、容器内の温度を十分
に高めることができなかった。第２に、容器の内槽は、
その内表面は高々数十ミクロンの凹凸面に仕上げられた
ものを用いているに過ぎないので、減圧下において内壁
面からの水、炭酸ガス等の不純物が脱離し易かった。第
３に、弁部が砲金製のベローズ、グランドパッキン等か
ら成るベローズ弁により構成されているので、有害なパ
ーティクルやハイドロカーボンの放出を抑制し難かっ
た。
【０００８】したがって、従来の手法では１０〜２０ｐ
ｐｂレベルの分析は行えるが、ｐｐｔレベルの超高精度
による微量分析を行うことができない。
ｐｂレベルの分析は行えるが、ｐｐｔレベルの超高精度
による微量分析を行うことができない。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、超高精度の液サンプリング、及びその成分分析
を行なえるようにした液サンプリング装置を提供するこ
とを目的とする。
であり、超高精度の液サンプリング、及びその成分分析
を行なえるようにした液サンプリング装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するべ
く、本発明の主たる概要は、内表面が鏡面仕上げされて
いるステンレス鋼製の内槽と、該内槽の外部に減圧空間
部を介在させて設けられる金属製の外槽と、先端側が前
記内槽内に挿入されている液管と、前記内槽内に設けら
れる内部加熱部と、前記内槽の外部に突出した前記液管
に設けられる金属製の第１の弁部と、前記内槽に連通し
第２の弁部が設けられたガス供給管と、該ガス供給管の
外部に設けられると共に前記第２弁部と着脱可能な外部
加熱部とを備えたことを特徴とする。
く、本発明の主たる概要は、内表面が鏡面仕上げされて
いるステンレス鋼製の内槽と、該内槽の外部に減圧空間
部を介在させて設けられる金属製の外槽と、先端側が前
記内槽内に挿入されている液管と、前記内槽内に設けら
れる内部加熱部と、前記内槽の外部に突出した前記液管
に設けられる金属製の第１の弁部と、前記内槽に連通し
第２の弁部が設けられたガス供給管と、該ガス供給管の
外部に設けられると共に前記第２弁部と着脱可能な外部
加熱部とを備えたことを特徴とする。
【００１１】この場合、内槽の内面を、例えば、電解研
磨（電解複合研磨を含む）により鏡面仕上げを行うと、
低温下における不純物の放出抑制に好適である。さらに
また、内槽内のベーキングを短時間で行い得るという利
点も生じる。
磨（電解複合研磨を含む）により鏡面仕上げを行うと、
低温下における不純物の放出抑制に好適である。さらに
また、内槽内のベーキングを短時間で行い得るという利
点も生じる。
【００１２】なお、Ａｒのような不活性ガスあるいは酸
素ガスを含む不活性ガス雰囲気中において熱処理（例え
ば、３００〜４２０℃の加熱）を行うことにより、鏡面
仕上げされた内表面に非晶質の酸化不動態膜を形成して
おくことが好ましい。この場合には、内槽の内表面から
のガス放出を著しく低減せしめることができ、内槽内の
ベーキングを短時間で行い得るのみならず、サンプリン
グ液への不純物の混入を著しく低下せしめることができ
るので、サンプリング液の分析を極めて精度よく行うこ
とができる。
素ガスを含む不活性ガス雰囲気中において熱処理（例え
ば、３００〜４２０℃の加熱）を行うことにより、鏡面
仕上げされた内表面に非晶質の酸化不動態膜を形成して
おくことが好ましい。この場合には、内槽の内表面から
のガス放出を著しく低減せしめることができ、内槽内の
ベーキングを短時間で行い得るのみならず、サンプリン
グ液への不純物の混入を著しく低下せしめることができ
るので、サンプリング液の分析を極めて精度よく行うこ
とができる。
【００１３】さらにまた、弁部あるいはガス供給管その
他の部分における接ガス部をも、例えば、電解研磨によ
り鏡面仕上げしておくことが好ましく、鏡面仕上げ面
に、前記非晶質の不動態膜を形成しておくことがより好
ましい。
他の部分における接ガス部をも、例えば、電解研磨によ
り鏡面仕上げしておくことが好ましく、鏡面仕上げ面
に、前記非晶質の不動態膜を形成しておくことがより好
ましい。
【００１４】
【作用】上記手段によれば、外部加熱部を通過したブロ
ーガス（例えば窒素ガス）を第２の弁部を介して内槽内
に供給すると共に、内部加熱部により内槽内の温度を直
接的に高めることにより容器のベーキングを行った後、
容器内に精製ガス（例えば、精製窒素ガス）を充填し、
第１の弁部を介して内槽内にサンプリング用の液体（例
えば液体窒素）を充填させる。該液体が液体窒素のとき
には第３の弁部から内槽内の窒素ガスを放出しながら充
填を行う。この場合、各弁部は金属製であり、内槽内面
は、例えば、電解複合研磨により鏡面仕上げされている
ので、内槽内表面からの不純物の放出を抑制できる。
ーガス（例えば窒素ガス）を第２の弁部を介して内槽内
に供給すると共に、内部加熱部により内槽内の温度を直
接的に高めることにより容器のベーキングを行った後、
容器内に精製ガス（例えば、精製窒素ガス）を充填し、
第１の弁部を介して内槽内にサンプリング用の液体（例
えば液体窒素）を充填させる。該液体が液体窒素のとき
には第３の弁部から内槽内の窒素ガスを放出しながら充
填を行う。この場合、各弁部は金属製であり、内槽内面
は、例えば、電解複合研磨により鏡面仕上げされている
ので、内槽内表面からの不純物の放出を抑制できる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
【００１６】図１〜図３は、本発明に係る液サンプリン
グ装置の一例を示すものであり、縦長円筒状の容器１は
内槽２と外槽３とから大略構成され、両槽２、３の間に
は高真空の空間部４が形成されている。前記内槽２は、
例えばＳＵＳ３１６Ｌから成り、その内面は電解複合研
磨により０．１ミクロン程度の凹凸を有する鏡面状に仕
上げられている。
グ装置の一例を示すものであり、縦長円筒状の容器１は
内槽２と外槽３とから大略構成され、両槽２、３の間に
は高真空の空間部４が形成されている。前記内槽２は、
例えばＳＵＳ３１６Ｌから成り、その内面は電解複合研
磨により０．１ミクロン程度の凹凸を有する鏡面状に仕
上げられている。
【００１７】前記内槽２の上部には、蓋体５が設けら
れ、該蓋体５の中央部には、内槽内に挿入された棒状の
内部加熱器６が取付けられている。さらに、内槽２内に
は前記加熱器６に略平行に液管７が設けられており、該
液管７の上部先端側は前記蓋体５を貫通して外部に突出
している。該突出した配管部には第１の弁部としての液
出入り口弁８が設けられ、該弁８の反蓋体側には第３の
弁部としてのガス放出弁９が設けられている。
れ、該蓋体５の中央部には、内槽内に挿入された棒状の
内部加熱器６が取付けられている。さらに、内槽２内に
は前記加熱器６に略平行に液管７が設けられており、該
液管７の上部先端側は前記蓋体５を貫通して外部に突出
している。該突出した配管部には第１の弁部としての液
出入り口弁８が設けられ、該弁８の反蓋体側には第３の
弁部としてのガス放出弁９が設けられている。
【００１８】さらに、前記蓋体５にはガス供給管１０が
取付けられており、該ガス供給管１０の下端側は内槽２
内に若干量臨まされ、その上端側には第２の弁部として
のガスブロー弁１１が設けられている。前記ガス供給管
１０には第１分岐管１２が設けられ、該第１分岐管１２
には圧力計１３、安全元弁１４、及び安全弁１５がその
順序で設けられている。また、該第１分岐管１２には昇
圧調整弁１６、昇圧元弁１７、及びガス放出弁１８を介
して昇圧管１９が連結されており、該昇圧管１９の末端
部は気化部を介して前記内槽２内の底部に臨まされてい
る。前記ガス供給管１０には第２分岐管２０が連結され
ており、該第２分岐管２０には降圧元弁２１及び降圧調
整弁２２が設けられている。
取付けられており、該ガス供給管１０の下端側は内槽２
内に若干量臨まされ、その上端側には第２の弁部として
のガスブロー弁１１が設けられている。前記ガス供給管
１０には第１分岐管１２が設けられ、該第１分岐管１２
には圧力計１３、安全元弁１４、及び安全弁１５がその
順序で設けられている。また、該第１分岐管１２には昇
圧調整弁１６、昇圧元弁１７、及びガス放出弁１８を介
して昇圧管１９が連結されており、該昇圧管１９の末端
部は気化部を介して前記内槽２内の底部に臨まされてい
る。前記ガス供給管１０には第２分岐管２０が連結され
ており、該第２分岐管２０には降圧元弁２１及び降圧調
整弁２２が設けられている。
【００１９】なお、前記外槽３は例えばＳＵＳ３０４か
ら成り、その外表面には記名用の塗装部３ａが形成さ
れ、その塗装部３ａの上下両側にはバフによる研磨部３
ｂが形成されている（図３参照）。また、前記外槽３の
上部には外槽安全弁２３が設けられている。
ら成り、その外表面には記名用の塗装部３ａが形成さ
れ、その塗装部３ａの上下両側にはバフによる研磨部３
ｂが形成されている（図３参照）。また、前記外槽３の
上部には外槽安全弁２３が設けられている。
【００２０】さらに、前記ガスブロー弁１１に接続され
るガス供給源ライン２４には配管の外側から熱する外部
加熱器２５が設けられている。
るガス供給源ライン２４には配管の外側から熱する外部
加熱器２５が設けられている。
【００２１】ここで、第１〜第３の弁部等を構成する弁
座、ダイヤフラム等全ての部品は金属製であるか、少な
くとも金属製のダイヤフラムを有している一方、第１、
第２分岐管等の配管系等の全ての接液及び接ガス部は電
解研磨による仕上げが施されている。
座、ダイヤフラム等全ての部品は金属製であるか、少な
くとも金属製のダイヤフラムを有している一方、第１、
第２分岐管等の配管系等の全ての接液及び接ガス部は電
解研磨による仕上げが施されている。
【００２２】次に、上記のように構成された本実施例の
使用例につき説明する。
使用例につき説明する。
【００２３】例えば半導体プロセス装置に使用される液
化ガス（例えば液化窒素）をサンプリングするような場
合、まず、ガス供給ライン２４の外部加熱器２５を作動
させると共に内部加熱器６を作動（いずれも通電）さ
せ、所定の温度に熱せられたブローガス（窒素ガス）
を、ガス供給管１０を介して内槽２内に供給し、容器１
のベーキングを行う。ベーキングの終了後は外部加熱器
２５及び内部加熱器６への電流を切断し、ブローガス
（窒素ガス）で常温にまで冷却させ、ブローガスで１０
ｋｇ／ｃｍ2未満の圧力で気密を保持させ、後の搬送等
の便宜のため外部加熱器２５の接続は外しておく。
化ガス（例えば液化窒素）をサンプリングするような場
合、まず、ガス供給ライン２４の外部加熱器２５を作動
させると共に内部加熱器６を作動（いずれも通電）さ
せ、所定の温度に熱せられたブローガス（窒素ガス）
を、ガス供給管１０を介して内槽２内に供給し、容器１
のベーキングを行う。ベーキングの終了後は外部加熱器
２５及び内部加熱器６への電流を切断し、ブローガス
（窒素ガス）で常温にまで冷却させ、ブローガスで１０
ｋｇ／ｃｍ2未満の圧力で気密を保持させ、後の搬送等
の便宜のため外部加熱器２５の接続は外しておく。
【００２４】先ず、弁１１を開放して内槽内のガスを放
出し、そして、液出入口弁８を開きタンクローリ等から
抽出した液化窒素を液管７に導き、ガスブロー弁１１に
よって内槽２内の圧力を維持させつつ内槽２内に液化窒
素を充填させる。液化窒素が所定量充填されたら、ガス
ブロー弁１１を閉じ、次いで、液出入口弁８を閉じる。
出し、そして、液出入口弁８を開きタンクローリ等から
抽出した液化窒素を液管７に導き、ガスブロー弁１１に
よって内槽２内の圧力を維持させつつ内槽２内に液化窒
素を充填させる。液化窒素が所定量充填されたら、ガス
ブロー弁１１を閉じ、次いで、液出入口弁８を閉じる。
【００２５】サンプリング液の充填が完了したら、所定
の搬送手段により容器１をＡＰＩＭＳの設置場所に搬送
する。搬送後にサンプリング液の分析を行うには、液出
入口弁８にＡＰＩＭＳを接続し、昇圧元弁１７を開き、
昇圧調整弁１６の開度を適宜に設定し、昇圧管１９を介
して内槽２の上部に導かれる気化した液化窒素により内
槽２の上部圧を高め、内槽２内の液化窒素を液管７、液
出入口弁８を介して内槽２外に導き、所定の測定を行
う。
の搬送手段により容器１をＡＰＩＭＳの設置場所に搬送
する。搬送後にサンプリング液の分析を行うには、液出
入口弁８にＡＰＩＭＳを接続し、昇圧元弁１７を開き、
昇圧調整弁１６の開度を適宜に設定し、昇圧管１９を介
して内槽２の上部に導かれる気化した液化窒素により内
槽２の上部圧を高め、内槽２内の液化窒素を液管７、液
出入口弁８を介して内槽２外に導き、所定の測定を行
う。
【００２６】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
内表面が鏡面仕上げされているステンレス鋼製の内槽
と、該内槽の外部に減圧空間部を介在させて設けられる
金属製の外槽と、先端側が前記内槽内に挿入されている
液管と、前記内槽内に設けられる内部加熱部と、前記内
槽の外部に突出した前記液管に設けられる金属製の第１
の弁部と、前記内槽に連通し第２の弁部が設けられたガ
ス供給管と、該ガス供給管の外部に設けられると共に前
記第２弁部と着脱可能な外部加熱部とを備える構成とし
たので、内部加熱器を設けることにより、従来に比べて
より十分な脱水が行なえ、さらに、内槽の内面は鏡面仕
上げされているので、不要な不純物の放出を抑制でき、
サンプリング液の高精度な分析を容易に行うことがで
き、特にサンプリングの地が分析の地から遠隔している
場合に適用して有用である。
内表面が鏡面仕上げされているステンレス鋼製の内槽
と、該内槽の外部に減圧空間部を介在させて設けられる
金属製の外槽と、先端側が前記内槽内に挿入されている
液管と、前記内槽内に設けられる内部加熱部と、前記内
槽の外部に突出した前記液管に設けられる金属製の第１
の弁部と、前記内槽に連通し第２の弁部が設けられたガ
ス供給管と、該ガス供給管の外部に設けられると共に前
記第２弁部と着脱可能な外部加熱部とを備える構成とし
たので、内部加熱器を設けることにより、従来に比べて
より十分な脱水が行なえ、さらに、内槽の内面は鏡面仕
上げされているので、不要な不純物の放出を抑制でき、
サンプリング液の高精度な分析を容易に行うことがで
き、特にサンプリングの地が分析の地から遠隔している
場合に適用して有用である。
【００２７】請求項２の発明によれば、電解複合研磨す
ることにより内槽内面からの不純物の放出をさらに十分
に抑制することができる。
ることにより内槽内面からの不純物の放出をさらに十分
に抑制することができる。
【００２８】請求項３の発明によれば、鏡面仕上げ面
に、不活性ガス（あるいは酸素を含む不活性ガス）雰囲
気中で熱処理によって非晶質不動態膜が形成されている
ので、放出ガスが著しく低減し、サンプリング液を高精
度で測定することができる。
に、不活性ガス（あるいは酸素を含む不活性ガス）雰囲
気中で熱処理によって非晶質不動態膜が形成されている
ので、放出ガスが著しく低減し、サンプリング液を高精
度で測定することができる。
【００２９】請求項４の発明によれば、第３の弁部を第
２の弁部の近傍に設けることにより、液化ガス充填時等
における内槽内の低温度維持を容易に行うことができ
る。
２の弁部の近傍に設けることにより、液化ガス充填時等
における内槽内の低温度維持を容易に行うことができ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す概略構成図である。
【図２】本実施例に係る容器の上面図である。
【図３】その容器の正面図である。
１…容器 ２…内槽 ３…外槽 ６…内部加熱器 ８…液出入り口弁（第１の弁部） ９…ガス放出弁（第３の弁部） １１…ガスブロー弁（第２の弁部） ２５…外部加熱器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 1/00 101 F17C 1/12 G01N 1/10
Claims (4)
- 【請求項１】 内表面が鏡面仕上げされているステンレ
ス鋼製の内槽と、該内槽の外部に減圧可能な空間部を介
在させて設けられる金属製の外槽と、先端側が前記内槽
内に挿入されている液管と、前記内槽内に設けられる内
部加熱部と、前記内槽の外部に突出した前記液管に設け
られる金属製の第１の弁部と、前記内槽に連通し第２の
弁部が設けられたガス供給管と、該ガス供給管の外部に
設けられると共に前記第２弁部とは着脱可能な外部加熱
部とを備えたことを特徴とする液サンプリング装置。 - 【請求項２】 前記鏡面仕上げは、電解研磨により行わ
れることを特徴とする請求項１に記載の液サンプリング
装置。 - 【請求項３】 前記内槽の鏡面仕上げ面には、電解研磨
を行った後、不活性ガス又は酸素を含む不活性ガス雰囲
気における熱処理によって形成された非晶質酸化不動態
膜が形成されていることを特徴とする請求項２記載の液
サンプリング装置。 - 【請求項４】 前記液管は、前記内槽に連通するように
金属製の第３の弁部が設けられていることを特徴とする
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液サンプ
リング装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5707992A JP3061471B2 (ja) | 1991-02-18 | 1992-02-07 | 液サンプリング装置 |
| PCT/JP1992/000164 WO1992015004A1 (en) | 1991-02-18 | 1992-02-18 | Device for sampling liquid |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-45871 | 1991-02-18 | ||
| JP4587191 | 1991-02-18 | ||
| JP5707992A JP3061471B2 (ja) | 1991-02-18 | 1992-02-07 | 液サンプリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0599803A JPH0599803A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3061471B2 true JP3061471B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=26385968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5707992A Expired - Fee Related JP3061471B2 (ja) | 1991-02-18 | 1992-02-07 | 液サンプリング装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3061471B2 (ja) |
| WO (1) | WO1992015004A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102913749A (zh) * | 2012-10-23 | 2013-02-06 | 西安轨道交通装备有限责任公司 | 大容积低温绝热容器用抽真空系统及方法 |
| CN109812691A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-05-28 | 武汉钢铁集团气体有限责任公司 | 一种液化气体分析用采样装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110869731B (zh) * | 2017-05-19 | 2023-07-28 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 用于处理待分析的液体的设备 |
| CN107560897B (zh) * | 2017-10-26 | 2020-06-16 | 浙江海洋大学 | 一种单人可调节垂直采水方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5818142A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-02 | Canon Inc | 液体ガスを用いる測定装置における液体ガスぬきとり方法 |
| JP2976301B2 (ja) * | 1987-10-24 | 1999-11-10 | 忠弘 大見 | ステンレス鋼及びその製造方法並びに減圧装置 |
-
1992
- 1992-02-07 JP JP5707992A patent/JP3061471B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-18 WO PCT/JP1992/000164 patent/WO1992015004A1/ja active Search and Examination
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102913749A (zh) * | 2012-10-23 | 2013-02-06 | 西安轨道交通装备有限责任公司 | 大容积低温绝热容器用抽真空系统及方法 |
| CN109812691A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-05-28 | 武汉钢铁集团气体有限责任公司 | 一种液化气体分析用采样装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1992015004A1 (en) | 1992-09-03 |
| JPH0599803A (ja) | 1993-04-23 |
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