JP3058053B2 - アルミニウム薄膜の形成方法 - Google Patents
アルミニウム薄膜の形成方法Info
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置およびディ
スプレイ装置におけるアルミニウム薄膜の形成方法に関
し、特に層間接続を有する配線の形成方法に関する。
スプレイ装置におけるアルミニウム薄膜の形成方法に関
し、特に層間接続を有する配線の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路及びディスプレイ装置の
高密度、高集積化は、微細加工技術によって支えられて
いる。配線用アルミニウム薄膜の形成過程では、従来の
スパッタリング法、蒸着法などに代わり、段差被覆性
（ステップカバレッジ）に優れた気相化学成長（ＣＶ
Ｄ）法が適用されようとしている。
高密度、高集積化は、微細加工技術によって支えられて
いる。配線用アルミニウム薄膜の形成過程では、従来の
スパッタリング法、蒸着法などに代わり、段差被覆性
（ステップカバレッジ）に優れた気相化学成長（ＣＶ
Ｄ）法が適用されようとしている。
【０００３】従来のアルミニウム薄膜の形成方法として
は、例えば文献（Appl. Phys. Lett. No.57、第1221
頁、1990年）に記載されているように、気相化学成長法
（「CVD法」という）で接続孔内にのみ選択的にアルミ
ニウムを堆積（deposit）させた後、高周波プラズマで
励起された原料ガスを基板に照射し、基板全面に配線層
となるAl膜を形成する方法がある。すなわち、図２を参
照して、CVD法により接続孔（コンタクトホール）内に
選択的に第２のアルミニウム膜を堆積させた後（図２
（Ｂ）参照）、高周波プラズマで励起されたアルミニウ
ムを含む原料ガス（例えばAl(CH3)2H）９を基板に照射
し（図２（Ｃ）参照）、一括CVD法により基板全面に配
線層となる第３のアルミニウム膜８を形成する（図２
（Ｄ）参照）。
は、例えば文献（Appl. Phys. Lett. No.57、第1221
頁、1990年）に記載されているように、気相化学成長法
（「CVD法」という）で接続孔内にのみ選択的にアルミ
ニウムを堆積（deposit）させた後、高周波プラズマで
励起された原料ガスを基板に照射し、基板全面に配線層
となるAl膜を形成する方法がある。すなわち、図２を参
照して、CVD法により接続孔（コンタクトホール）内に
選択的に第２のアルミニウム膜を堆積させた後（図２
（Ｂ）参照）、高周波プラズマで励起されたアルミニウ
ムを含む原料ガス（例えばAl(CH3)2H）９を基板に照射
し（図２（Ｃ）参照）、一括CVD法により基板全面に配
線層となる第３のアルミニウム膜８を形成する（図２
（Ｄ）参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来例では、選択CVDと一括CVDの切り替えに高価な高
周波プラズマ装置を必要とする。さらに、アルミニウム
薄膜形成装置が大型化するため、フロアの専有面積が増
加する。これらによって、半導体装置やディスプレイ装
置の製造コストが上昇するという問題点がある。
た従来例では、選択CVDと一括CVDの切り替えに高価な高
周波プラズマ装置を必要とする。さらに、アルミニウム
薄膜形成装置が大型化するため、フロアの専有面積が増
加する。これらによって、半導体装置やディスプレイ装
置の製造コストが上昇するという問題点がある。
【０００５】従って、本発明は上記問題点を解消し、接
続孔をアルミニウムにより埋め込み、かつ配線層となる
アルミニウム薄膜を選択CVDと一括CVDの切り替えにより
実現するアルミニウム薄膜の形成方法を提供することを
目的とする。
続孔をアルミニウムにより埋め込み、かつ配線層となる
アルミニウム薄膜を選択CVDと一括CVDの切り替えにより
実現するアルミニウム薄膜の形成方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、酸化シリコン膜またはＳｉ ３ Ｎ ４ からな
る絶縁膜に接続孔が開口された基板上にアルミニウム膜
を形成する工程において、(a)アルミニウムを含む原料
を用いた気相化学成長法により第１のアルミニウム膜を
接続孔内にのみ形成する工程と、(b) Ｔｉ［Ｎ（Ｃ
Ｈ ３ ） ２ ］ ４ に前記基板を曝露し、当該Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ
３ ） ２ ］ ４ を基板表面に吸着させる工程と、(c) （ＣＨ
３ ） ２ ＡｌＨを用いた気相化学成長法により第２のアル
ミニウム膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする
アルミニウム薄膜の形成方法を提供する。
め、本発明は、酸化シリコン膜またはＳｉ ３ Ｎ ４ からな
る絶縁膜に接続孔が開口された基板上にアルミニウム膜
を形成する工程において、(a)アルミニウムを含む原料
を用いた気相化学成長法により第１のアルミニウム膜を
接続孔内にのみ形成する工程と、(b) Ｔｉ［Ｎ（Ｃ
Ｈ ３ ） ２ ］ ４ に前記基板を曝露し、当該Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ
３ ） ２ ］ ４ を基板表面に吸着させる工程と、(c) （ＣＨ
３ ） ２ ＡｌＨを用いた気相化学成長法により第２のアル
ミニウム膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする
アルミニウム薄膜の形成方法を提供する。
【０００７】本発明は、好ましくは、前記アルミニウム
を含む原料として、水素化アルミニウムＡｌＨ3のアミ
ンアダクトを用いることを特徴とする。
を含む原料として、水素化アルミニウムＡｌＨ3のアミ
ンアダクトを用いることを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、好ましくは、前記水素化
アルミニウムＡｌＨ3のアミンアダクトとして、AlH3N(C
H3)3、AlH3N(C2H5)3、AlH3N(CH3)2(C2H5)、AlH3N(C3H7)
3、AlH3N(C4H9)3、N(CH3)3AlH3N(CH3)3、N(C2H5)3AlH3N
(C2H5)3、N(CH3)2(C2H5)AlH3N(CH3)2(C2H5)、N(C3H7)3A
lH3N(C3H7)3、N(C4H9)3AlH3N(C4H9)3からなる群から選
択された少なくとも一を用いることを特徴とする。
アルミニウムＡｌＨ3のアミンアダクトとして、AlH3N(C
H3)3、AlH3N(C2H5)3、AlH3N(CH3)2(C2H5)、AlH3N(C3H7)
3、AlH3N(C4H9)3、N(CH3)3AlH3N(CH3)3、N(C2H5)3AlH3N
(C2H5)3、N(CH3)2(C2H5)AlH3N(CH3)2(C2H5)、N(C3H7)3A
lH3N(C3H7)3、N(C4H9)3AlH3N(C4H9)3からなる群から選
択された少なくとも一を用いることを特徴とする。
【０００９】さらに、本発明は、好ましくは、ガス化さ
れたアルミニウムを含む前記原料として、アルミニウム
と、それぞれ独立なアルキル基またはオレフィン炭化水
素Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３と、水素Ｈから構成される、Ｒ１n
ＡｌＨ3-n（ｎ≦３、ｎは正の整数），Ｒ１nＲ２mＡｌ
Ｈ3-n-m（ｎ，ｍ≦２、ｎ＋ｍ≦３、ｎ，ｍは正の整
数），Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ａｌからなる群から選択された少な
くとも一の構造を持つ分子及び又はこれらの分子の混合
物を用いることを特徴とする。
れたアルミニウムを含む前記原料として、アルミニウム
と、それぞれ独立なアルキル基またはオレフィン炭化水
素Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３と、水素Ｈから構成される、Ｒ１n
ＡｌＨ3-n（ｎ≦３、ｎは正の整数），Ｒ１nＲ２mＡｌ
Ｈ3-n-m（ｎ，ｍ≦２、ｎ＋ｍ≦３、ｎ，ｍは正の整
数），Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ａｌからなる群から選択された少な
くとも一の構造を持つ分子及び又はこれらの分子の混合
物を用いることを特徴とする。
【００１０】そして、本発明は、好ましくは、前記アル
ミニウムとそれぞれ独立なアルキル基またはオレフィン
炭化水素Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３と水素Ｈで構成されるガスと
して、Al(CH3)3、Al(C2H5)3、Al(CH3)2H、Al(i-C
4H9)3、Al(n-C3H7)3、Al(n-C4H9)3、Al(C2H5)2H、Al(i-
C4H9)2Hからなる群から選択された少なくとも一を用い
ること を特徴とする。
ミニウムとそれぞれ独立なアルキル基またはオレフィン
炭化水素Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３と水素Ｈで構成されるガスと
して、Al(CH3)3、Al(C2H5)3、Al(CH3)2H、Al(i-C
4H9)3、Al(n-C3H7)3、Al(n-C4H9)3、Al(C2H5)2H、Al(i-
C4H9)2Hからなる群から選択された少なくとも一を用い
ること を特徴とする。
【００１１】また、本発明は、好ましくは、前記曝露す
るガスの金属元素が、４Ａ、５Ａ、６Ａ、８、１Ｂ、２
Ｂ、３Ｂ族の少なくとも一の族に属することを特徴とす
る。
るガスの金属元素が、４Ａ、５Ａ、６Ａ、８、１Ｂ、２
Ｂ、３Ｂ族の少なくとも一の族に属することを特徴とす
る。
【００１２】さらに、本発明は、好ましくは、前記曝露
するガスの金属元素が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇｅからなる群から選択された
少なくとも一を含むことを特徴とする。
するガスの金属元素が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇｅからなる群から選択された
少なくとも一を含むことを特徴とする。
【００１３】そして、本発明は、好ましくは、前記曝露
するガスが、TiCl4、Ti[N(CH3)2]4、W(CO)6、Au(CH3)
2(C5H7O2)、(C5H5)CuP(C2H5)3からなる群から選択され
た少なくとも一を含むことを特徴とする。
するガスが、TiCl4、Ti[N(CH3)2]4、W(CO)6、Au(CH3)
2(C5H7O2)、(C5H5)CuP(C2H5)3からなる群から選択され
た少なくとも一を含むことを特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明の原理・作用を以下に説明する。
【００１５】本発明においては、基板表面の絶縁膜に開
口された接続孔を、選択CVD法によってアルミニウムで
埋め込む。
口された接続孔を、選択CVD法によってアルミニウムで
埋め込む。
【００１６】次に、反応容器内で４Ａ、５Ａ、６Ａ、
８、１Ｂ、２Ｂ、３Ｂ族に属する金属を含むガスに基板
を曝す。これによって基板表面に前記ガスが吸着する。
８、１Ｂ、２Ｂ、３Ｂ族に属する金属を含むガスに基板
を曝す。これによって基板表面に前記ガスが吸着する。
【００１７】続いて、反応容器内を排気する。基板表面
には前記ガスの吸着層が形成される。この吸着層は排気
時の圧力と基板温度に依存するが、通常１原子層程度の
薄い層である。
には前記ガスの吸着層が形成される。この吸着層は排気
時の圧力と基板温度に依存するが、通常１原子層程度の
薄い層である。
【００１８】吸着層の構造及び性質は下地層の材質、構
造によって異なるが、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ、Ｃｕ
上に吸着した前記ガスはアルミニウムのＣＶＤに対し
て、同じ効果を有しており、続いて再度アルミニウムの
ＣＶＤを行うと、基板全面にアルミニウム薄膜が堆積す
ることを本発明者は新たに見いだした。
造によって異なるが、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ、Ｃｕ
上に吸着した前記ガスはアルミニウムのＣＶＤに対し
て、同じ効果を有しており、続いて再度アルミニウムの
ＣＶＤを行うと、基板全面にアルミニウム薄膜が堆積す
ることを本発明者は新たに見いだした。
【００１９】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００２０】図１は本発明の一実施例の製造方法を工程
順に説明するための模式的な断面図である。本実施例は
シリコン集積回路における配線工程に適用した場合を例
示する。
順に説明するための模式的な断面図である。本実施例は
シリコン集積回路における配線工程に適用した場合を例
示する。
【００２１】図１（Ａ）に標準的な集積回路製造方法を
用いて形成した、接続孔形成前の構造を有する基板を示
す。図１（Ａ）において、１はシリコン基板、２は第１
の酸化シリコン膜、３は第１のアルミニウム膜、４は第
２の酸化シリコン膜、５は窒化チタン膜である。
用いて形成した、接続孔形成前の構造を有する基板を示
す。図１（Ａ）において、１はシリコン基板、２は第１
の酸化シリコン膜、３は第１のアルミニウム膜、４は第
２の酸化シリコン膜、５は窒化チタン膜である。
【００２２】続いて図１（Ｂ）に示すように、シリコン
基板１の全面に(CH3)2AlHを用いた気相化学成長によ
り、第２のアルミニウム膜６を形成する。これによっ
て、接続孔は第２のアルミニウム膜６によって埋め込ま
れる。(CH3)2AlHは流量300sccmの水素ガスでバブリング
して、５分間、反応室に導入する。気相化学成長条件
は、基板温度130℃、全圧１Torrである。
基板１の全面に(CH3)2AlHを用いた気相化学成長によ
り、第２のアルミニウム膜６を形成する。これによっ
て、接続孔は第２のアルミニウム膜６によって埋め込ま
れる。(CH3)2AlHは流量300sccmの水素ガスでバブリング
して、５分間、反応室に導入する。気相化学成長条件
は、基板温度130℃、全圧１Torrである。
【００２３】次に、(CH3)2AlHの導入を中断し、CVD室を
排気した後、Ti[N(CH3)2]4を導入する。反応室での圧力
は１mTorrである。
排気した後、Ti[N(CH3)2]4を導入する。反応室での圧力
は１mTorrである。
【００２４】すると、図１（Ｃ）に示すように、吸着層
７が第２の絶縁膜４と第２のアルミニウム膜６上に形成
される。
７が第２の絶縁膜４と第２のアルミニウム膜６上に形成
される。
【００２５】さらに、CVD室を排気した後、再び(CH3)2A
lHを前記条件と同じ条件で導入すると、基板全面に第３
のアルミニウム膜８が堆積した（図１（Ｄ）参照）。
lHを前記条件と同じ条件で導入すると、基板全面に第３
のアルミニウム膜８が堆積した（図１（Ｄ）参照）。
【００２６】本実施例では接続孔底部の材質としてTiN
を用いた場合を例示したが、TiWなど他のバリアメタル
や、多結晶Siなどのリソグラフィ用反応防止膜を用いて
も同様の効果がある。
を用いた場合を例示したが、TiWなど他のバリアメタル
や、多結晶Siなどのリソグラフィ用反応防止膜を用いて
も同様の効果がある。
【００２７】さらに、絶縁膜として酸化シリコン膜を用
いた場合を例示したが、Si3N4を用いても同様の効果が
得られる。
いた場合を例示したが、Si3N4を用いても同様の効果が
得られる。
【００２８】また、アルミニウムのCVDガスとしてAl(CH
3)2Hを用いた場合を例示したが、Al(CH3)3、Al(C
2H5)3、Al(i-C4H9)、Al(n-C3H7)3、Al(n-C4H9)3、Al(C2
H5)2H、Al(i-C4H9)2Hを代表とする、アルミニウムとそ
れぞれ独立なアルキル基またはオレフィン炭化水素Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３と水素Ｈで構成される、Ｒ１nＡｌＨ3-n
（ｎ≦３、ｎは正の整数），Ｒ１nＲ２mＡｌＨ
3-n-m（ｎ，ｍ≦２、ｎ＋ｍ≦３、ｎ，ｍは正の整
数），Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ａｌの構造を持つ分子あるいはこれ
らの分子の混合物を用いても同様の効果がある。
3)2Hを用いた場合を例示したが、Al(CH3)3、Al(C
2H5)3、Al(i-C4H9)、Al(n-C3H7)3、Al(n-C4H9)3、Al(C2
H5)2H、Al(i-C4H9)2Hを代表とする、アルミニウムとそ
れぞれ独立なアルキル基またはオレフィン炭化水素Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３と水素Ｈで構成される、Ｒ１nＡｌＨ3-n
（ｎ≦３、ｎは正の整数），Ｒ１nＲ２mＡｌＨ
3-n-m（ｎ，ｍ≦２、ｎ＋ｍ≦３、ｎ，ｍは正の整
数），Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ａｌの構造を持つ分子あるいはこれ
らの分子の混合物を用いても同様の効果がある。
【００２９】さらに、AlH3N(CH3)3、AlH3N(C2H5)3、AlH
3N(CH3)2(C2H5)、AlH3N(C3H7)3、AlH3N(C4H9)3、N(CH3)
3AlH3N(CH3)3、N(C2H5)3AlH3N(C2H5)3、N(CH3)2(C2H5)A
lH3N(CH3)2(C2H5)、N(C3H7)3AlH3N(C3H7)3、N(C4H9)3Al
H3N(C4H9)3をはじめとする水素化アルミニウムＡｌＨ3
のアミンアダクトを用いても同様の効果が得られる。
3N(CH3)2(C2H5)、AlH3N(C3H7)3、AlH3N(C4H9)3、N(CH3)
3AlH3N(CH3)3、N(C2H5)3AlH3N(C2H5)3、N(CH3)2(C2H5)A
lH3N(CH3)2(C2H5)、N(C3H7)3AlH3N(C3H7)3、N(C4H9)3Al
H3N(C4H9)3をはじめとする水素化アルミニウムＡｌＨ3
のアミンアダクトを用いても同様の効果が得られる。
【００３０】また、選択CVDから一括CVDへの切り替えの
ガスとしてTi[N(CH3)2]4を用いた場合を例示したが、Ti
Cl4、W(CO)6、Au(CH3)2(C5H7O2)、(C5H5)CuP(C2H5)3を
はじめとして、金属元素が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、
Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇｅであるガスを用いても同
様の効果が得られる。さらに、曝露するガスの金属元素
が、４Ａ、５Ａ、６Ａ、８、１Ｂ、２Ｂ、３Ｂ族に属す
るものであれは、同様の効果が得られる。
ガスとしてTi[N(CH3)2]4を用いた場合を例示したが、Ti
Cl4、W(CO)6、Au(CH3)2(C5H7O2)、(C5H5)CuP(C2H5)3を
はじめとして、金属元素が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、
Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇｅであるガスを用いても同
様の効果が得られる。さらに、曝露するガスの金属元素
が、４Ａ、５Ａ、６Ａ、８、１Ｂ、２Ｂ、３Ｂ族に属す
るものであれは、同様の効果が得られる。
【００３１】以上、本発明を上記実施例に即して説明し
たが、本発明は上記態様にのみ限定されず、本発明の原
理に準ずる各種態様を含むことは勿論である。
たが、本発明は上記態様にのみ限定されず、本発明の原
理に準ずる各種態様を含むことは勿論である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
接続孔がアルミニウムにより埋め込まれ、かつ配線層と
なるアルミニウム薄膜を金属を含むガスへの曝露という
簡易な方法で実現できるため、高価で大型の装置を不要
とすると共に複雑な製造工程を必要としないため、半導
体装置やディスプレイ装置の製造コストを低減できると
いう効果を有する。
接続孔がアルミニウムにより埋め込まれ、かつ配線層と
なるアルミニウム薄膜を金属を含むガスへの曝露という
簡易な方法で実現できるため、高価で大型の装置を不要
とすると共に複雑な製造工程を必要としないため、半導
体装置やディスプレイ装置の製造コストを低減できると
いう効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の主要工程を工程順に説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
【図２】従来の工程を示す図である。
１ シリコン基板 ２ 第１の酸化シリコン膜 ３ 第１のＡｌ膜 ４ 第２の酸化シリコン膜 ５ TiN膜 ６ 第２のＡｌ膜 ７ 吸着層 ８ 第３のＡｌ膜 ９ 原料ガス
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化シリコン膜またはＳｉ ３ Ｎ ４ からな
る絶縁膜に接続孔が開口された基板上にアルミニウム膜
を形成する工程において、 (a)アルミニウムを含む原料を用いた気相化学成長法に
より第１のアルミニウム膜を接続孔内にのみ形成する工
程と、 (b)Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ ３ ） ２ ］ ４ に前記基板を曝露し、当
該Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ ３ ） ２ ］ ４ を基板表面に吸着させる工
程と、 (c)（ＣＨ ３ ） ２ ＡｌＨを用いた気相化学成長法により
第２のアルミニウム膜を形成する工程と、 を含むことを特徴とするアルミニウム薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7168341A JP3058053B2 (ja) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | アルミニウム薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7168341A JP3058053B2 (ja) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | アルミニウム薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08339973A JPH08339973A (ja) | 1996-12-24 |
| JP3058053B2 true JP3058053B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=15866271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7168341A Expired - Lifetime JP3058053B2 (ja) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | アルミニウム薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3058053B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002252281A (ja) | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06267957A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Kawasaki Steel Corp | 金属膜の形成方法 |
| JPH06272043A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-27 | Kawasaki Steel Corp | Ａｌ合金膜の形成方法 |
-
1995
- 1995-06-09 JP JP7168341A patent/JP3058053B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08339973A (ja) | 1996-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980106 |