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JP3051319B2 - Film carrier type semiconductor device - Google Patents

Film carrier type semiconductor device

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Publication number
JP3051319B2
JP3051319B2 JP10634795A JP10634795A JP3051319B2 JP 3051319 B2 JP3051319 B2 JP 3051319B2 JP 10634795 A JP10634795 A JP 10634795A JP 10634795 A JP10634795 A JP 10634795A JP 3051319 B2 JP3051319 B2 JP 3051319B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
semiconductor element
semiconductor device
type semiconductor
radiator
Prior art date
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Application number
JP10634795A
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Japanese (ja)
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JPH08306831A (en
Inventor
孝司 白井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP10634795A priority Critical patent/JP3051319B2/en
Publication of JPH08306831A publication Critical patent/JPH08306831A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、テープ状のキャリアフ
ィルム上に半導体素子を搭載して、その半導体素子を封
止樹脂によってモールドすることにより製造されるフィ
ルムキャリア型半導体装置に関し、さらに詳述すれば、
半導体素子が効率よく放熱されるフィルムキャリア型半
導体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film carrier type semiconductor device manufactured by mounting a semiconductor element on a tape-like carrier film and molding the semiconductor element with a sealing resin. if,
The present invention relates to a film carrier type semiconductor device in which a semiconductor element efficiently radiates heat.

【0002】[0002]

【従来の技術】フィルムキャリア型半導体装置は、テー
プ状のキャリアフィルム上に半導体素子を搭載して、半
導体素子を封止樹脂によってモールドすることにより製
造される。このようなフィルムキャリア型半導体装置
は、通常、次のように製造される。図11に示すよう
に、ウエハ等によって多数の半導体素子51が製造され
ると、各半導体素子51上面の各隅部近傍に設けられた
電極部51aに、上方に突出するバンプ56がそれぞれ
設けられる。各電極部51a上にバンプ56が設けられ
た半導体素子51は、相互に分離される。
2. Description of the Related Art A film carrier type semiconductor device is manufactured by mounting a semiconductor element on a tape-shaped carrier film and molding the semiconductor element with a sealing resin. Such a film carrier type semiconductor device is usually manufactured as follows. As shown in FIG. 11, when a large number of semiconductor elements 51 are manufactured by a wafer or the like, bumps 56 projecting upward are provided on electrode portions 51 a provided near each corner on the upper surface of each semiconductor element 51. . The semiconductor elements 51 provided with the bumps 56 on the respective electrode portions 51a are separated from each other.

【0003】他方、図12(a)および図12(b)に
示すように、ポリイミド等によって構成されたテープ状
のキャリアフィルム54が準備されて、その幅方向中央
部に中央開口部54aが形成されるとともに、各中央開
口部54aの各側方に側部開口部54bがそれぞれ形成
される。そして、分離された半導体素子51の各バンプ
56が各中央開口部54a内にそれぞれ位置するよう
に、半導体素子51がそれぞれ配置されて、各バンプ5
6に、リード線としてのフィンガー57の一方の端部が
それぞれ接続される。各フィンガー57は、半導体素子
51の側方に延出しており、キャリアフィルム54の各
側部にそれぞれ設けられた各側部開口部54b上を通過
するようにキャリアフィルム54上に載置される。これ
により、半導体素子51は、各フィンガー57によって
キャリアテープ54に支持された状態になる。
On the other hand, as shown in FIGS. 12 (a) and 12 (b), a tape-shaped carrier film 54 made of polyimide or the like is prepared, and a central opening 54a is formed at the center in the width direction. At the same time, a side opening 54b is formed on each side of each central opening 54a. The semiconductor elements 51 are arranged so that the bumps 56 of the separated semiconductor element 51 are located in the respective central openings 54a.
6, one end of a finger 57 as a lead wire is connected to each. Each finger 57 extends to the side of the semiconductor element 51, and is placed on the carrier film 54 so as to pass over each side opening 54b provided on each side of the carrier film 54. . Thus, the semiconductor element 51 is in a state of being supported by the carrier tape 54 by each finger 57.

【0004】このような状態で、図12(a)および
(b)に二点鎖線で示すように、各半導体素子51が、
キャリアフィルム54とともに封止樹脂58によってモ
ールドされる。そして、各半導体素子51毎に、キャリ
アフィルム54が切断されることにより、図13(a)
および(b)に示すように、平板状の半導体素子51
が、各フィンガー57とともに封止樹脂58によってモ
ールドされたフィルムキャリア型半導体装置50が得ら
れる。
In such a state, as shown by a two-dot chain line in FIGS.
It is molded with the sealing resin 58 together with the carrier film 54. Then, by cutting the carrier film 54 for each semiconductor element 51, FIG.
And (b), the planar semiconductor element 51
However, the film carrier type semiconductor device 50 molded with the sealing resin 58 together with the fingers 57 is obtained.

【0005】このような構成のフィルムキャリア型半導
体装置50は、図13(c)に示すように、封止樹脂5
8から延出した各フィンガー57の端部が、プリント基
板60上のパターン61に接続されて、キャリアフィル
ム54が、各フィンガー57によってプリント基板60
に押さえ付けられた状態でプリント基板60上に搭載さ
れる。
[0005] As shown in FIG. 13 (c), a film carrier type semiconductor device 50 having such a structure is provided with a sealing resin 5.
8 are connected to the pattern 61 on the printed circuit board 60, and the carrier film 54 is separated by the fingers 57 into the printed circuit board 60.
Is mounted on the printed circuit board 60 while being held down.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このようなフィルムキ
ャリア型半導体装置50は、消費電力の増加によって半
導体素子51の接合部の温度が上昇するが、半導体素子
51は封止樹脂58によって覆われており、半導体素子
51は十分に放熱されず、その温度上昇を十分に抑制す
ることができないという問題がある。特に、テープ状の
キャリアフィルムを使用して製造されるフィルムキャリ
ア型半導体装置は、製造が容易であって多端子化にも容
易に対応することができ、しかも、経済的であるという
多くの利点を有しているために、得られた半導体装置の
半導体素子の温度上昇を抑制することが課題になってい
る。
In such a film carrier type semiconductor device 50, the junction portion of the semiconductor element 51 rises in temperature due to an increase in power consumption. However, the semiconductor element 51 is covered with a sealing resin 58. Therefore, there is a problem that the semiconductor element 51 is not sufficiently dissipated and the temperature rise cannot be sufficiently suppressed. In particular, a film carrier type semiconductor device manufactured using a tape-shaped carrier film has many advantages that it is easy to manufacture, can easily cope with the increase in the number of terminals, and is economical. Therefore, it has been an issue to suppress the temperature rise of the semiconductor element of the obtained semiconductor device.

【0007】本発明は、このような問題を解決するもの
であり、その目的は、半導体素子を効果的に放熱するこ
とができ、半導体素子の温度上昇を抑制することができ
るフィルムキャリア型半導体装置を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a film carrier type semiconductor device capable of effectively dissipating heat from a semiconductor element and suppressing a temperature rise of the semiconductor element. Is to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
ア型半導体装置は、上面に開口部を有する放熱体内にダ
イボンドされた半導体素子と、その半導体素子の上面に
設けられた各電極に一方の端部がそれぞれ接続されてお
り、それぞれの他方の端部が半導体素子の側方に延出し
たリード線としてのフィンガーと、前記放熱体の開口部
に整合するように開口部が設けられており、各フィンガ
ーが整合状態になった各開口部を通過するように放熱体
が表面に接着されたキャリアフィルムと、このキャリア
フィルムの開口部を通過した各フィンガーの端部が外部
に延出するように、各フィンガーを放熱体内の半導体素
子とともにモールドする封止樹脂と、を具備することを
特徴とするものであり、そのことにより上記目的が達成
される。
According to the present invention, there is provided a film carrier type semiconductor device comprising: a semiconductor element die-bonded in a radiator having an opening on an upper surface; and one end connected to each electrode provided on the upper surface of the semiconductor element. Parts are connected to each other, the other end of each of the fingers as a lead wire extending to the side of the semiconductor element, an opening is provided so as to match the opening of the radiator, A carrier film in which a heat radiator is adhered to the surface so that each finger passes through the aligned opening, and an end of each finger that has passed through the opening of the carrier film extends to the outside. And a sealing resin for molding each finger together with the semiconductor element in the heat radiating body, thereby achieving the above object.

【0009】前記キャリアフィルムにおける放熱体が接
着された表面とは反対側の表面に、前記封止樹脂によっ
てモールドされた第2の半導体素子が搭載されていても
よく、また、前記放熱体に、別の放熱具がさらに取り付
けられていてもよい。
A second semiconductor element molded with the sealing resin may be mounted on a surface of the carrier film opposite to a surface to which the heat radiator is adhered. Another heat radiator may be further attached.

【0010】[0010]

【作用】本発明のフィルムキャリア型半導体装置では、
放熱体内に半導体素子がダイボンドされると、放熱体が
キャリアフィルムの表面に接着される。このとき、半導
体素子は、放熱体の開口部およびキャリアフィルムの開
口部から露出した状態になる。そして、キャリアフィル
ムの開口部から露出した半導体素子の電極部に、リード
線としてのフィンガーの一方の端部がそれぞれ接続さ
れ、各フィンガーの端部がキャリアフィルム上に支持さ
れる。このような状態で、放熱体内の半導体素子が封止
樹脂によってモールドされる。キャリアフィルム上のフ
ィンガーは、各端部が封止樹脂の外部に延出するよう
に、半導体素子とともに封止樹脂によってモールドされ
る。このようなフィルムキャリア型半導体装置は、放熱
体によって効率よく放熱される。
According to the film carrier type semiconductor device of the present invention,
When the semiconductor element is die-bonded into the radiator, the radiator is bonded to the surface of the carrier film. At this time, the semiconductor element is exposed from the opening of the heat radiator and the opening of the carrier film. Then, one end of each finger as a lead wire is connected to the electrode portion of the semiconductor element exposed from the opening of the carrier film, and the end of each finger is supported on the carrier film. In such a state, the semiconductor element in the radiator is molded with the sealing resin. The fingers on the carrier film are molded with the sealing resin together with the semiconductor element so that each end extends outside the sealing resin. In such a film carrier type semiconductor device, heat is efficiently radiated by the radiator.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0012】図1(a)は、本発明のフィルムキャリア
型半導体装置の一例を示す平面図、図1(b)はそのA
−A線における断面図である。このフィルムキャリア型
半導体装置10は、半導体素子11が収容される中空直
方体状の放熱体12を有している。この放熱体12は、
長方形状の底面12aの周縁部に壁部12bが設けられ
て、上面に開口部が形成された状態になっており、銅、
アルミニウム、鉄等の金属板によって構成されている。
放熱体12の底面12a上には、平板状の半導体素子1
1が半田13によってダイボンドされている。
FIG. 1A is a plan view showing an example of a film carrier type semiconductor device of the present invention, and FIG.
It is sectional drawing in the -A line. The film carrier type semiconductor device 10 has a heat dissipating body 12 in the shape of a hollow rectangular parallelepiped in which a semiconductor element 11 is accommodated. This radiator 12
A wall portion 12b is provided on the periphery of the rectangular bottom surface 12a, and an opening is formed on the upper surface.
It is composed of a metal plate such as aluminum or iron.
On the bottom surface 12 a of the heat radiator 12, the flat semiconductor element 1
1 is die-bonded by solder 13.

【0013】なお、半導体素子11は、放熱体12に対
して、銀ペースト等の導電性ペースト、シリカ等をフィ
ラーとした高放電絶縁ペースト等のろう材によってダイ
ボンドするようにしてもよい。
The semiconductor element 11 may be die-bonded to the radiator 12 with a brazing material such as a conductive paste such as a silver paste or a high discharge insulating paste using silica or the like as a filler.

【0014】放熱体12は接着剤15によって、ポリイ
ミド等によって構成されたキャリアフィルム14に接着
されている。このキャリアフィルム14は、放熱体12
の開口部と整合する中央開口部14aが中央部に設けら
れており、その中央開口部14aの周辺部に、放熱体1
2の壁部12b上面が接着剤15によって接着されてい
る。
The radiator 12 is adhered to a carrier film 14 made of polyimide or the like with an adhesive 15. The carrier film 14 is used for the heat radiator 12.
A central opening 14a matching the opening of the radiator 1 is provided at the center, and the radiator 1 is provided around the central opening 14a.
The upper surface of the second wall portion 12b is adhered by the adhesive 15.

【0015】放熱体12内に設けられた半導体素子11
の上面には、幅方向に沿って延びる各側縁部近傍に、各
一対の電極11aがそれぞれ設けられており、各電極1
1aに、上方に突出する接着用のバンプ16がそれぞれ
設けられている。各パンプ16には、金属の細い薄板片
によって構成されたフィンガー17の一方の端部が、そ
れぞれ接着されている。各フィンガー17は、電極を兼
ねるリード線であり、半導体素子11の各側縁部に設け
られた一対のフィンガー17は、それぞれが半導体素子
11の各側縁部から外方に延出している。
Semiconductor element 11 provided in heat radiator 12
Each pair of electrodes 11a is provided on the upper surface of the pair near each side edge extending along the width direction.
The bonding bumps 16 protruding upward are provided on 1a, respectively. One end of a finger 17 formed of a thin metal piece is bonded to each pump 16. Each finger 17 is a lead wire also serving as an electrode, and a pair of fingers 17 provided on each side edge of the semiconductor element 11 each extend outward from each side edge of the semiconductor element 11.

【0016】放熱体12内に収容された半導体素子11
は、封止樹脂18によってモールドされている。封止樹
脂18は、放熱体12内およびキャリアフィルム14の
中央開口部14a内に充填されて、半導体素子11を封
止するとともに、キャリアフィルム14もその周縁部を
除いてモールドしている。各フィンガー17は、外方に
延出した各先端部を除いて、封止樹脂18によってモー
ルドされており、各フィンガー17の先端部が封止樹脂
18から延出している。
Semiconductor element 11 housed in heat radiator 12
Is molded with a sealing resin 18. The sealing resin 18 is filled in the radiator 12 and the central opening 14a of the carrier film 14 to seal the semiconductor element 11, and the carrier film 14 is also molded except for its peripheral edge. Each of the fingers 17 is molded with a sealing resin 18 except for each of the tips that extend outward, and the tips of the fingers 17 extend from the sealing resin 18.

【0017】このような構成のフィルムキャリア型半導
体装置10は、図2に示すように、プリント基板20上
に搭載されて使用される。この場合、フィルムキャリア
型半導体装置10は、放熱体12の底面12aが、プリ
ント基板20上のパターン22に接続されるとともに、
封止樹脂18から延出した各フィンガー17の端部が、
プリント基板20上のパターン21に接続され、キャリ
アフィルム14が、プリント基板20に押し付けられた
状態になる。
The film carrier type semiconductor device 10 having such a configuration is used by being mounted on a printed circuit board 20, as shown in FIG. In this case, the film carrier type semiconductor device 10 has the bottom surface 12 a of the heat radiator 12 connected to the pattern 22 on the printed circuit board 20,
The end of each finger 17 extending from the sealing resin 18 is
The carrier film 14 is connected to the pattern 21 on the printed board 20 and is pressed against the printed board 20.

【0018】プリント基板20上のフィルムキャリア型
半導体装置10は、放熱体12からプリント基板20の
パターン22を通って効率よく放熱されるために、消費
電力の増加による半導体素子11の接合部の温度上昇が
抑制される。
Since the film carrier type semiconductor device 10 on the printed board 20 is efficiently radiated from the radiator 12 through the pattern 22 of the printed board 20, the temperature of the junction of the semiconductor elements 11 due to the increase in power consumption is increased. The rise is suppressed.

【0019】このようなフィルムキャリア型半導体装置
10は、次のように製造される。図3に示すように、リ
ール状に巻回されたポリイミド製のテープ状になったキ
ャリアフィルム14が引き出されると、そのテープ状の
キャリアフィルム14の幅方向中央部が、長方形状に一
定の間隔で順番に打ち抜かれて、中央開口部14aが順
次形成される。同時に、その中央開口部14aの各側方
が、キャリアフィルム14の長手方向に沿って延びる長
方形状に順番に打ち抜かれて、各側部開口部14bがそ
れぞれ順次形成される。
Such a film carrier type semiconductor device 10 is manufactured as follows. As shown in FIG. 3, when the carrier film 14 in the form of a tape made of polyimide wound in a reel shape is pulled out, the center portion in the width direction of the tape-shaped carrier film 14 is fixed at a predetermined interval in a rectangular shape. The central openings 14a are sequentially formed. At the same time, each side of the central opening 14a is punched out sequentially in a rectangular shape extending along the longitudinal direction of the carrier film 14, and each side opening 14b is sequentially formed.

【0020】他方、図4(a)および(b)に示すよう
に、上面が開放された中空直方体状の放熱体12の底面
12a上に、平板状の半導体素子11が、半田13によ
ってダイボンドされる。その後、半導体素子11の各側
縁部の上面に設けられた各一対の電極11a上に、上方
に突出するバンプ16が設けられる。
On the other hand, as shown in FIGS. 4A and 4B, a flat semiconductor element 11 is die-bonded with a solder 13 on the bottom surface 12a of a hollow rectangular parallelepiped heat radiator 12 having an open top surface. You. Thereafter, bumps 16 protruding upward are provided on each pair of electrodes 11 a provided on the upper surface of each side edge of the semiconductor element 11.

【0021】このような状態になると、半導体素子11
がダイボンドされた放熱体12は、テープ状になったキ
ャリアフィルム14に、接着剤15によって接着され
る。放熱体12は、壁部12bの上面が、中央開口部1
4aの周縁部に接着されて、半導体素子11がキャリア
フィルム14の中央開口部14aから露出した状態にさ
れる。
In such a state, the semiconductor element 11
The heat dissipating body 12 to which is bonded is bonded to a tape-shaped carrier film 14 with an adhesive 15. The radiator 12 has an upper surface of the wall portion 12b in which the central opening 1 is formed.
The semiconductor element 11 is bonded to the peripheral edge of the carrier film 4a so as to be exposed from the central opening 14a of the carrier film 14.

【0022】その後、図5(a)および(b)に示すよ
うに、テープ状のキャリアフィルム14の中央開口部1
4aから露出した半導体素子11の上面の各バンプ16
に、各フィンガー17の一方の端部が接続される。各フ
ィンガー17は、キャリアフィルム14の中央開口部1
4aの各側方にそれぞれ延出され、キャリアフィルム1
4の各側部開口部14b上を通過した状態で支持され
る。
Thereafter, as shown in FIGS. 5A and 5B, the central opening 1 of the tape-shaped carrier film 14 is formed.
Each bump 16 on the upper surface of the semiconductor element 11 exposed from 4a
Is connected to one end of each finger 17. Each finger 17 is located in the central opening 1 of the carrier film 14.
4a is extended to each side of the carrier film 1a.
4 is supported while passing over the respective side openings 14b.

【0023】次に、キャリアフィルム14の中央開口部
14aから放熱体12内に封止樹脂18が充填されると
ともに、半導体素子11およびキャリアフィルム14上
に封止樹脂18が充填されて、半導体素子11とともに
各フィンガー17が先端部を残してモールドされるとと
もに、キャリアフィルム14がその周縁部を残してモー
ルドされる。その後、モールドされた封止樹脂18毎に
キャリアフィルム14が切断され、これにより、図1
(a)および(b)に示すフィルムキャリア型半導体装
置10が得られる。
Next, the sealing resin 18 is filled into the radiator 12 through the central opening 14a of the carrier film 14, and the sealing resin 18 is filled on the semiconductor element 11 and the carrier film 14, thereby forming the semiconductor element. Each finger 17 is molded together with 11 while leaving the tip part, and the carrier film 14 is molded leaving its peripheral part. After that, the carrier film 14 is cut for each molded sealing resin 18, whereby
The film carrier type semiconductor device 10 shown in (a) and (b) is obtained.

【0024】図6(a)は、本発明のフィルムキャリア
型半導体装置の他の実施例を示す一部破断平面図、図6
(b)はそのD−D線における断面図である。本実施例
のフィルムキャリア半導体装置30は、電力用半導体素
子31が搭載される放熱体32と、その電力用半導体素
子31を制御するためにキャリアフィルム34上に搭載
された半導体集積回路素子39とを有している。
FIG. 6A is a partially broken plan view showing another embodiment of the film carrier type semiconductor device of the present invention.
(B) is a sectional view taken along line DD. The film carrier semiconductor device 30 of this embodiment includes a radiator 32 on which a power semiconductor element 31 is mounted, and a semiconductor integrated circuit element 39 mounted on a carrier film 34 for controlling the power semiconductor element 31. have.

【0025】キャリアフィルム34には、一方の側部に
長方形状の中央開口部34aが設けられており、他方の
側部表面上に、薄い直方体状の半導体集積回路素子39
が搭載されている。半導体集積回路素子39が搭載され
た表面とは反対側の表面には、平板状の放熱体32が接
着剤35によって接着されている。放熱体32は、銅、
アルミニウム、鉄等の金属板によって構成されており、
キャリアフィルム34の中央開口部34aに対向して凹
部32cが設けられている。この凹部32cの底面32
a上には、電力用半導体素子31が半田33によってダ
イボンドされており、凹部32cを取り囲む壁部32b
の上面が、キャリアフィルム34の中央開口部34a周
辺部に接着剤35によって接着されている。放熱体32
は、凹部32cが形成された側部とは反対側の側部が、
キャリアフィルム34を挟んで半導体集積回路素子39
と対向しており、その側部がキャリアフィルム34に接
着剤35によって接着されている。
The carrier film 34 has a rectangular central opening 34a on one side, and a thin rectangular solid semiconductor integrated circuit element 39 on the other side surface.
Is installed. On the surface opposite to the surface on which the semiconductor integrated circuit element 39 is mounted, a flat radiator 32 is adhered by an adhesive 35. The radiator 32 is made of copper,
It is composed of metal plates such as aluminum and iron,
A recess 32c is provided to face the central opening 34a of the carrier film 34. The bottom surface 32 of the recess 32c
a, a power semiconductor element 31 is die-bonded with solder 33, and a wall 32b surrounding the recess 32c.
Is adhered to the periphery of the central opening 34a of the carrier film 34 with an adhesive 35. Heat radiator 32
The side opposite to the side where the concave portion 32c is formed,
Semiconductor integrated circuit device 39 with carrier film 34 interposed
, And its side is adhered to the carrier film 34 by an adhesive 35.

【0026】放熱体32の凹部32cに収容された電力
用半導体素子31上には、各隅部近傍に電極部31aが
それぞれ設けられており、各電極部31a上に、上方に
突出する接着用のバンプ36がそれぞれ設けられてい
る。また、キャリアフィルム34上に搭載された半導体
集積回路素子39の上面の各隅部近傍にも電極部39a
がそれぞれ設けられており、各電極部39a上に、上方
に突出する接着用のバンプ36がそれぞれ設けられてい
る。
On the power semiconductor element 31 housed in the concave portion 32c of the heat radiator 32, electrode portions 31a are provided in the vicinity of each corner, respectively. Are provided respectively. The electrode portions 39a are also provided near the corners of the upper surface of the semiconductor integrated circuit element 39 mounted on the carrier film 34.
Are provided, and bonding bumps 36 projecting upward are provided on the respective electrode portions 39a.

【0027】電力用半導体素子31および半導体集積回
路素子39の相互に近接した側部上に設けられた各一対
のバンプ36には、相互に近接するバンプ36同士が、
金属の細い薄板片によって構成されたフィンガー37に
よって接続されている。電力用半導体素子31および半
導体集積回路素子39上の他の各一対のバンプ36に
は、それぞれ、各素子31および39の側方に、相互に
離れるように延出したフィンガー37の一方の端部がそ
れぞれ接続されている。
Each pair of bumps 36 provided on the mutually adjacent side of the power semiconductor element 31 and the semiconductor integrated circuit element 39 has a pair of bumps 36 adjacent to each other.
They are connected by fingers 37 formed by thin metal strips. The other end of each of the pair of bumps 36 on the power semiconductor element 31 and the semiconductor integrated circuit element 39 has one end of a finger 37 extending to the side of each element 31 and 39 so as to be separated from each other. Are connected respectively.

【0028】放熱体32の凹部32c内に収容された半
導体素子31、および、キャリアフィルム34上に搭載
された半導体集積回路素子39は、封止樹脂38によっ
て封止されている。封止樹脂38は、放熱体32の凹部
32c内およびキャリアフィルム34の開口部34a内
に充填されて、キャリアフィルム34の中央開口部34
aの周縁部を覆うとともに、キャリアフィルム34上の
半導体集積回路素子39を覆って、直方体状になってい
る。キャリアフィルム34の周縁部は、全周にわたって
封止樹脂38から延出しており、また、電力用半導体素
子31および半導体集積回路素子39の各側方に延出し
た各一対のフィンガー37も、各先端部がそれぞれ封止
樹脂38から延出している。
The semiconductor element 31 housed in the recess 32 c of the heat radiator 32 and the semiconductor integrated circuit element 39 mounted on the carrier film 34 are sealed with a sealing resin 38. The sealing resin 38 is filled in the recess 32 c of the heat radiator 32 and the opening 34 a of the carrier film 34, so that the central opening 34 of the carrier film 34 is filled.
a, and covers the semiconductor integrated circuit element 39 on the carrier film 34 to form a rectangular parallelepiped. The peripheral edge of the carrier film 34 extends from the sealing resin 38 over the entire circumference, and a pair of fingers 37 extending to each side of the power semiconductor element 31 and the semiconductor integrated circuit element 39 also has The tip portions extend from the sealing resin 38, respectively.

【0029】本実施例のフィルムキャリア型半導体装置
30は、次のように製造される。図7に示すように、リ
ール状に巻回されたポリイミド製のテープ状になったキ
ャリアフィルム34が引き出されると、そのテープ状の
キャリアフィルム34の幅方向の各側部に、キャリアフ
ィルム34の長手方向に沿って延びる長方形状の側部開
口部34bが、それぞれ順番に打ち抜かれるとともに、
一方の側部開口部34aに近接した中央部に長方形状の
中央開口部14aが、それぞれ、一定の間隔で順番に打
ち抜かれる。
The film carrier type semiconductor device 30 of this embodiment is manufactured as follows. As shown in FIG. 7, when the carrier film 34 in the form of a tape made of polyimide wound in a reel shape is pulled out, the carrier film 34 is placed on each side in the width direction of the tape-shaped carrier film 34. The rectangular side openings 34b extending along the longitudinal direction are punched out in order,
The rectangular central openings 14a are punched out at regular intervals in the central portion close to one side opening 34a.

【0030】他方、図8に示すように、一方の側部に上
面が開放された中空直方体状の凹部32cが設けられた
平板状の複数の放熱体12が準備されて、各放熱体32
の凹部32cの底面32a上に、薄い平板状の電力用半
導体素子31が、半田33によってダイボンドされる。
その後、半導体素子31の上面の各隅部近傍にそれぞれ
設けられた4つの電極31a上に、上方に突出するバン
プ36がそれぞれ設けられる。
On the other hand, as shown in FIG. 8, a plurality of flat radiators 12 having a hollow rectangular parallelepiped concave portion 32c having an open upper surface on one side are prepared.
A thin flat power semiconductor element 31 is die-bonded with a solder 33 on the bottom surface 32a of the concave portion 32c.
Thereafter, bumps 36 projecting upward are provided on the four electrodes 31a provided near the corners of the upper surface of the semiconductor element 31, respectively.

【0031】このような状態になると、電力用半導体素
子31がそれぞれダイボンドされた各放熱体32は、テ
ープ状になったキャリアフィルム34に、凹部32cの
周囲を構成する壁部32bの上面が、中央開口部34a
の周縁部に接着剤35によって接着されるとともに、凹
部32cが形成されていない側部が、キャリアフィルム
34の表面に接着剤35によって接着される。これによ
り、各放熱体32の凹部32c内に設けられた電力用半
導体素子31は、キャリアフィルム34の中央開口部1
4aを通して露出した状態になる。
In such a state, each of the heat radiators 32 to which the power semiconductor element 31 is die-bonded is attached to the tape-shaped carrier film 34 by the upper surface of the wall portion 32b surrounding the concave portion 32c. Central opening 34a
Is bonded to the peripheral portion of the carrier film 34 with the adhesive 35, and the side portion where the concave portion 32c is not formed is bonded to the surface of the carrier film 34 with the adhesive 35. As a result, the power semiconductor element 31 provided in the concave portion 32 c of each heat radiator 32 is connected to the central opening 1 of the carrier film 34.
The state is exposed through 4a.

【0032】その後、図9に示すように、キャリアフィ
ルム34の放熱体32が接着された表面とは反対側の表
面に、半導体集積回路素子39が、接着剤35によって
搭載される。そして、電力半導体素子31および半導体
集積回路素子39における相互に近接したバンプ36同
士が、各フィンガー37によって接続されるとともに、
電力半導体素子31および半導体集積回路素子39の他
のバンプ36に、各素子31および39の側方に延出す
る各フィンガー37の一方の端部がそれぞれ接着され
る。
Thereafter, as shown in FIG. 9, a semiconductor integrated circuit element 39 is mounted on the surface of the carrier film 34 opposite to the surface to which the heat radiator 32 is adhered, using an adhesive 35. Then, the bumps 36 adjacent to each other in the power semiconductor element 31 and the semiconductor integrated circuit element 39 are connected by each finger 37, and
One end of each finger 37 extending to the side of each element 31 and 39 is bonded to another bump 36 of the power semiconductor element 31 and the semiconductor integrated circuit element 39.

【0033】次に、キャリアフィルム34の中央開口部
34aから放熱体32の凹部32c内に封止樹脂38が
充填されてモールドされるとともに、キャリアフィルム
34の中央開口部34aの周縁部上、電力用半導体素子
31上、および半導体集積回路素子39が封止樹脂38
によってモールドされる。その後、モールドされた封止
樹脂38毎にキャリアフィルム34が切断されることに
より、図6(a)および(b)に示すフィルムキャリア
型半導体装置30が得られる。
Next, the sealing resin 38 is filled and molded into the recess 32c of the heat radiator 32 from the central opening 34a of the carrier film 34, and the power is applied to the periphery of the central opening 34a of the carrier film 34. The semiconductor element 31 for semiconductor use and the semiconductor integrated circuit element 39
Molded. Thereafter, the carrier film 34 is cut for each molded sealing resin 38, whereby the film carrier type semiconductor device 30 shown in FIGS. 6A and 6B is obtained.

【0034】本実施例のフィルムキャリア型半導体装置
は、電力用半導体素子31における放熱体32が接着さ
れた表面が高電位になって高熱になる場合にも、放熱体
32によって、電力用半導体素子31が効率よく放熱さ
れる。また、電力用半導体素子31を制御する半導体集
積回路素子39が、電力用半導体素子31とは別体に構
成されているために、電力用半導体素子31の熱による
影響をほとんど受けるおそれがない。
In the film carrier type semiconductor device of this embodiment, even when the surface of the power semiconductor element 31 to which the heat radiator 32 is adhered becomes high potential and becomes high heat, the heat radiator 32 causes the power semiconductor element to be heated. 31 is efficiently dissipated. Further, since the semiconductor integrated circuit element 39 that controls the power semiconductor element 31 is configured separately from the power semiconductor element 31, there is almost no possibility that the semiconductor integrated circuit element 39 is affected by the heat of the power semiconductor element 31.

【0035】なお、上記各実施例のフィルムキャリア型
半導体装置10および30において、図10(a)に示
すように、放熱体12および32の裏面における対角位
置に、各ビス孔12eおよび32eをそれぞれ設けて、
図10(b)に示すように、放熱体12および32に、
多数の放熱フィン41を有する別体に構成された放熱具
40をビス止めするようにしてもよい。この場合には、
放熱具40の各放熱フィン41が空気に有効に接触する
ように、各半導体装置10および30がプリント基板2
0のパターン上に取り付けられると、放熱効果が一層高
められる。
In the film carrier type semiconductor devices 10 and 30 of the above embodiments, as shown in FIG. 10A, screw holes 12e and 32e are formed at diagonal positions on the back surfaces of the heat radiators 12 and 32. Each one,
As shown in FIG. 10B, the radiators 12 and 32 have
The heat dissipating tool 40 formed separately having a large number of heat dissipating fins 41 may be screwed. In this case,
Each of the semiconductor devices 10 and 30 is mounted on the printed circuit board 2 so that each of the heat radiation fins 41 of the heat radiator 40 is effectively in contact with air.
When mounted on the zero pattern, the heat radiation effect is further enhanced.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明のフィルムキャリア型半導体装置
は、このように、放熱体によって半導体素子が効率よく
放熱されるために、半導体素子の温度上昇が抑制され
る。
As described above, in the film carrier type semiconductor device of the present invention, since the semiconductor element is efficiently radiated by the heat radiator, the temperature rise of the semiconductor element is suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は本発明のフィルムキャリア型半導体装
置の一例を示す平面図、(b)はそのA−A線における
断面図である。
FIG. 1A is a plan view showing an example of a film carrier type semiconductor device of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA.

【図2】そのフィルムキャリア型半導体装置の使用状態
を示す側面図である。
FIG. 2 is a side view showing a use state of the film carrier type semiconductor device.

【図3】そのフィルムキャリア型半導体装置の製造に使
用されるフィルムの斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view of a film used for manufacturing the film carrier type semiconductor device.

【図4】(a)はそのフィルムキャリア型半導体装置の
製造に使用される半導体素子が収容された放熱体の平面
図、(b)はそのB−B線における断面図である。
FIG. 4A is a plan view of a heat radiator accommodating a semiconductor element used for manufacturing the film carrier type semiconductor device, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along a line BB.

【図5】(a)はその放熱体をフィルムに装着した状態
を示す平面図、(b)はそのC−C線における断面図で
ある。
FIG. 5A is a plan view showing a state in which the heat radiator is mounted on a film, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line CC.

【図6】(a)は本発明のフィルムキャリア型半導体装
置の他の実施例を示す一部破断平面図、(b)はそのD
−D線における断面図である。
6A is a partially cutaway plan view showing another embodiment of the film carrier type semiconductor device of the present invention, and FIG.
It is sectional drawing in the -D line.

【図7】そのフィルムキャリア型半導体装置の製造に使
用されるフィルムの斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view of a film used for manufacturing the film carrier type semiconductor device.

【図8】そのフィルムキャリア型半導体装置の製造に使
用される半導体素子が収容された放熱体の平面図であ
る。
FIG. 8 is a plan view of a heat radiator accommodating a semiconductor element used for manufacturing the film carrier type semiconductor device.

【図9】その放熱体をフィルムに装着した状態を示す平
面図である。
FIG. 9 is a plan view showing a state where the heat radiator is mounted on a film.

【図10】(a)は本発明のフィルムキャリア型半導体
装置のさらに他の実施例を示す背面図、(b)はそのフ
ィルムキャリア型半導体装置の使用状態の一例を示す側
面図である。
FIG. 10 (a) is a rear view showing still another embodiment of the film carrier type semiconductor device of the present invention, and FIG. 10 (b) is a side view showing an example of a use state of the film carrier type semiconductor device.

【図11】従来のフィルムキャリア型半導体装置の製造
に使用される半導体素子の平面図である。
FIG. 11 is a plan view of a semiconductor element used for manufacturing a conventional film carrier type semiconductor device.

【図12】(a)はその半導体素子を分割してキャリア
フィルムに装着した状態を示す平面図、(b)はそのF
−F線における断面図である。
12A is a plan view showing a state in which the semiconductor element is divided and mounted on a carrier film, and FIG.
It is sectional drawing in the -F line.

【図13】(a)は従来のフィルムキャリア型半導体装
置の他の実施例を示す一部破断平面図、(b)はそのG
−G線における断面図、(c)はその使用状態を示す側
面図である。
FIG. 13A is a partially cutaway plan view showing another embodiment of the conventional film carrier type semiconductor device, and FIG.
FIG. 3C is a cross-sectional view taken along line G, and FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 フィルムキャリア型半導体装置 11 半導体素子 12 放熱体 13 半田 14 フィルム 15 接着剤 16 パンプ 17 フィンガー 18 封止樹脂 30 フィルムキャリア型半導体装置 31 電力用半導体素子 32 放熱体 33 半田 34 フィルム 35 接着剤 36 パンプ 37 フィンガー 38 封止樹脂 39 半導体集積回路素子 40 放熱具 41 放熱フィン DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Film carrier type semiconductor device 11 Semiconductor element 12 Heat radiator 13 Solder 14 Film 15 Adhesive 16 Pump 17 Finger 18 Sealing resin 30 Film carrier type semiconductor device 31 Power semiconductor element 32 Heat radiator 33 Solder 34 Film 35 Adhesive 36 Pump 37 Finger 38 Sealing Resin 39 Semiconductor Integrated Circuit Element 40 Heat Dissipation Tool 41 Heat Dissipation Fin

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 上面に開口部を有する放熱体内にダイボ
ンドされた半導体素子と、 その半導体素子の上面に設けられた各電極に一方の端部
がそれぞれ接続されており、それぞれの他方の端部が半
導体素子の側方に延出したリード線としてのフィンガー
と、 前記放熱体の開口部に整合するように開口部が設けられ
ており、各フィンガーが整合状態になった各開口部を通
過するように放熱体が表面に接着されたキャリアフィル
ムと、 このキャリアフィルムの開口部を通過した各フィンガー
の端部が外部に延出するように、各フィンガーを放熱体
内の半導体素子とともにモールドする封止樹脂と、 を具備することを特徴とするフィルムキャリア型半導体
装置。
1. A semiconductor device die-bonded in a heat radiator having an opening on an upper surface, and one end is connected to each electrode provided on the upper surface of the semiconductor device, and the other end is connected to each other. And a finger as a lead wire extending to the side of the semiconductor element, and an opening are provided so as to match the opening of the heat radiator, and each finger passes through the opening in a matched state. And a mold in which each finger is molded together with the semiconductor element in the radiator so that the end of each finger that has passed through the opening of the carrier film extends outside. A film carrier type semiconductor device comprising: a resin.
【請求項2】 前記キャリアフィルムにおける放熱体が
接着された表面とは反対側の表面に、前記封止樹脂によ
ってモールドされた第2の半導体素子が搭載されている
請求項1に記載のフィルムキャリア型半導体装置。
2. The film carrier according to claim 1, wherein a second semiconductor element molded with the sealing resin is mounted on a surface of the carrier film opposite to a surface to which a heat radiator is adhered. Type semiconductor device.
【請求項3】 前記放熱体には、別の放熱具がさらに取
り付けられている請求項1に記載のフィルムキャリア型
半導体装置。
3. The film carrier type semiconductor device according to claim 1, wherein another radiator is further attached to the radiator.
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