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JP3038618B2 - テスト用回路を内蔵したメモリ装置 - Google Patents

テスト用回路を内蔵したメモリ装置

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Publication number
JP3038618B2
JP3038618B2 JP3231889A JP23188991A JP3038618B2 JP 3038618 B2 JP3038618 B2 JP 3038618B2 JP 3231889 A JP3231889 A JP 3231889A JP 23188991 A JP23188991 A JP 23188991A JP 3038618 B2 JP3038618 B2 JP 3038618B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
unit
address
output
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP3231889A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0574196A (ja
Inventor
淳子 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3231889A priority Critical patent/JP3038618B2/ja
Publication of JPH0574196A publication Critical patent/JPH0574196A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3038618B2 publication Critical patent/JP3038618B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は再書込み可能なメモリ部
と、内部共通バス上のデータをメモリ部に出力する入力
部と、メモリ部からのデータを内部共通バスに出力する
出力部と、アドレスバスからのアドレス信号をメモリ部
に出力するアドレス制御部と、内部共通バスと入力部ま
たは出力部を介して、メモリ部とデータの授受を行なう
とともに、入力ポートまたは出力ポートとデータの授受
を行なう論理回路部とを具備するメモリ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のメモリ装置はメモリ部の
端子と外部端子との間を直接信号線で結び外部よりアク
セスしてメモリテストを行うことができるようにした
り、メモリ部の端子にテスト専用のバスを設けてメモリ
テストしたりしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のメモリ
装置は、既存の回路構成を用いずに、メモリテストをす
るための回路を特別に構成していたため、ハードウェア
量が増加するという欠点がある。
【0004】本発明は上記欠点に鑑み、既存の内部回路
を用いてメモリテストを可能とさせたメモリ装置を提供
することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のメモリ装置は、
再書込み可能なメモリ部と、内部共通バス上のデータを
メモリ部に出力する入力部と、メモリ部からのデータを
内部共通バスに出力する出力部と、アドレスバスからの
アドレス信号をメモリ部に出力するアドレス制御部と、
内部共通バスと入力部または出力部を介して、メモリ部
とデータの授受を行なうとともに、入力ポートまたは出
力ポートとデータの授受を行なう論理回路部とを具備す
るメモリ装置において、テストモードのときは前記入力
ポートからのアドレス信号とデータ信号とを内部共通バ
スに切替え出力する入力スイッチング回路と、テストモ
ードのときは前記アドレスバスからのアドレス信号に代
えて内部共通バスからのアドレス信号を前記アドレス制
御部に切替え出力するアドレスセレクタと、テストモー
ドのときは前記内部共通バス上のデータ信号を入力し、
入力したデータ信号に基づくテストデータを前記入力部
を介して前記メモリ部の指示されたアドレスに書込むテ
ストデータ書込み部と、テストモードのときは前記出力
部のデータを内部共通バスに代えて内部データラインに
出力する出力スイッチング回路と、テストモードのとき
は前記論理回路部の出力ポートへの出力に代えて内部デ
ータラインのデータを出力ポートに出力する出力セレク
タとを有する。
【0006】好ましくは、前記テストデータ書込み部
は、ビット数の少ないデータ信号から前記メモリ部に適
したビット数のテストデータを生成するデータ生成回路
を含みまたは前記メモリ部のビット数と同一のビット数
を有するデータ信号を前記入力部を介して前記テストデ
ータとして前記メモリ部に出力する結線手段である。
【0007】
【作用】テストモードに設定されると、入力ポートのア
ドレス信号およびデータ信号は、内部共通バスに出力さ
れ、アドレス信号はアドレスセレクタおよびアドレス制
御部を介してメモリ部のアドレスを指示し、データ信号
はテストデータ書込み部によりテストデータとしてメモ
リ部の指示されたアドレスに与えられる。またメモリ部
の指示されたアドレスから読出されたデータは出力部と
出力スイッチング回路および出力セレクタを経て出力ポ
ートに出力される。
【0008】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明のメモリ装置の一実施例を示
すブロック図である。セレクタ1はモード信号MDが論
理レベルロウ(以降、Lレベルと記す)のとき、アドレ
スバスのアドレス信号を出力し、モード信号MDが論理
レベルハイ(以降、Hレベルと記す)のとき、内部共通
バス10のアドレス信号を出力する。アドレス制御部2
はセレクタ1の出力するアドレス信号に従って、メモリ
部3の該当アドレスを指示する。指示されたメモリ部3
のアドレスには入力部4からのデータが書込まれ、ある
いは出力部5にデータが出力される。セレクタ6はモー
ド信号MDがHレベルのときバッファ71を介し内部共
通バス10の所定ビット位置のデータを入力部4に出力
し、モード信号MDがLレベルのときバッファ72を介
して内部共通バス10の所定ビット位置のデータ信号を
入力部4に出力する。出力部5はモード信号MDがHレ
ベルのときメモリ部3からのデータをトライステート8
1を介してデータラインDL(本数はメモリ部3からの
データをパラレルに伝えるだけ用意されている)に出力
し、モード信号MDがLレベルのときトライステート8
2を介して内部共通バス10に出力する。論理回路部9
はモード信号MDがLレベルのとき内部共通バス10、
バッファ72、セレクタ6、入力部4および出力部5、
トライステート82を介してメモリ部3とデータの授受
を行うとともに、入力ポート11からのデータをバッフ
ァ141、トライステート152を介して取込み、セレク
タ16、バッファ142を介して出力ポート12からデ
ータを出力する。セレクタ16はモード信号MDがHレ
ベルのときデータラインDLのデータ出力し、モード信
号MDがLレベルのとき論理回路部9の出力を出力す
る。
【0009】したがってメモリテスタ30の出力端は入
力ポート11に、入力端は出力ポート12に、セレクト
信号端は信号端子13に接続される。
【0010】次に本発明の第2の実施例について図2を
参照して説明する。図2の実施例は、内部共通バス10
からのデータ信号のビット数がメモリ部3の各アドレス
の書込みに必要なビット数より少い場合に対応したもの
である。
【0011】図1の実施例と異なる点について以下に述
べる。
【0012】入力部24はテストデータ生成部241
生成制御部242とからなっている。生成制御部242
モード信号MDがHレベルであると、テストデータ生成
部241がバッファ7を介して内部共通バス10から入
力したデータ信号をメモリ部3のビット数に合致したテ
ストデータに変換させるように、テストデータ生成部2
1を制御する。モード信号MDがLレベルのときは、
内部共通バス10から入力したデータ信号をそのままメ
モリ部3に出力する。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、テストモ
ード時において、メモリ部に入力ポートおよび内部共通
バスを介してアドレス信号およびデータ信号を与え、メ
モリ部からの出力を出力ポートを介して読出すことによ
り、外部端子の増加やテスト専用のバスを必要とせずメ
モリテストを容易に行うことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のメモリ装置の第1の実施例を示すブロ
ック図である。
【図2】本発明の第2の実施例を示すブロック図であ
る。
【符号の説明】
1,6,16 セレクタ 2 アドレス制御部 3 メモリ部 4,24 入力部 5 出力部 7,71,72,141,142 バッファ 81,82,151,152 トライステート 9 論理回路部 10 内部共通バス 11 入力ポート 12 出力ポート 13 信号端子 30 メモリテスタ

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 再書込み可能なメモリ部と、内部共通バ
    ス上のデータをメモリ部に出力する入力部と、メモリ部
    からのデータを内部共通バスに出力する出力部と、アド
    レスバスからのアドレス信号をメモリ部に出力するアド
    レス制御部と、内部共通バスと入力部または出力部を介
    して、メモリ部とデータの授受を行なうとともに、入力
    ポートまたは出力ポートとデータの授受を行なう論理回
    路部とを具備するメモリ装置において、 テストモードのときは前記入力ポートからのアドレス信
    号とデータ信号とを内部共通バスに切替え出力する入力
    スイッチング回路と、 テストモードのときは前記アドレスバスからのアドレス
    信号に代えて内部共通バスからのアドレス信号を前記ア
    ドレス制御部に切替え出力するアドレスセレクタと、 テストモードのときは前記内部共通バス上のデータ信号
    を入力し、入力したデータ信号に基づくテストデータを
    前記入力部を介して前記メモリ部の指示されたアドレス
    に書込むテストデータ書込み部と、 テストモードのときは前記出力部のデータを内部共通バ
    スに代えて内部データラインに出力する出力スイッチン
    グ回路と、 テストモードのときは前記論理回路部の出力ポートへの
    出力に代えて内部データラインのデータを出力ポートに
    出力する出力セレクタとを有することを特徴とするメモ
    リ装置。
  2. 【請求項2】 前記テストデータ書込み部はビット数の
    少ないデータ信号から前記メモリ部に適したビット数の
    テストデータを生成するデータ生成回路を含む請求項1
    記載のメモリ装置。
  3. 【請求項3】 前記テストデータ書込み部は前記メモリ
    部のビット数と同一のビット数を有するデータ信号を前
    記入力部を介して前記テストデータとして前記メモリ部
    に出力する結線手段である請求項1記載のメモリ装置。
JP3231889A 1991-09-11 1991-09-11 テスト用回路を内蔵したメモリ装置 Expired - Lifetime JP3038618B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP3231889A JP3038618B2 (ja) 1991-09-11 1991-09-11 テスト用回路を内蔵したメモリ装置

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Publication Number Publication Date
JPH0574196A JPH0574196A (ja) 1993-03-26
JP3038618B2 true JP3038618B2 (ja) 2000-05-08

Family

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