JP3029495B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング装置
に係り、特にエッチング時の発光スペクトルの光強度の
変化から、ドライエッチングの終点を高精度に検出する
装置に関する。
に係り、特にエッチング時の発光スペクトルの光強度の
変化から、ドライエッチングの終点を高精度に検出する
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の配線パターンの微細化にと
もなうエッチングの高精度化の要求から、エッチングの
終了を高精度に検出する必要性があり、そのエッチング
の終了検出として、従来、例えば以下に示すようなもの
があった。
もなうエッチングの高精度化の要求から、エッチングの
終了を高精度に検出する必要性があり、そのエッチング
の終了検出として、従来、例えば以下に示すようなもの
があった。
【0003】図3は、かかる従来のエッチング時の発光
スペクトルの光強度の変化から、ドライエッチングの終
点を検出する装置の概略図である。
スペクトルの光強度の変化から、ドライエッチングの終
点を検出する装置の概略図である。
【0004】この装置は、プラズマを利用したドライエ
ッチング装置であり、内部を気密に保ち得るチャンバ1
内に一対の電極2を対向配置し、両電極2間に高周波電
力源4を接続して高周波電力を印加している。下側の電
極上には、被エッチング部材である半導体ウエハ3が配
置してある。チャンバ1の上部には、ガス導入口5を設
け、下部には排気口6が設けられている。チャンバ1の
外側には、電極2間に臨んで光検出器10を配置し、検
出器20が接続されている。
ッチング装置であり、内部を気密に保ち得るチャンバ1
内に一対の電極2を対向配置し、両電極2間に高周波電
力源4を接続して高周波電力を印加している。下側の電
極上には、被エッチング部材である半導体ウエハ3が配
置してある。チャンバ1の上部には、ガス導入口5を設
け、下部には排気口6が設けられている。チャンバ1の
外側には、電極2間に臨んで光検出器10を配置し、検
出器20が接続されている。
【0005】検出器20は、光検出器10の検出スペク
トル幅を所定の幅に設定するスペクトル幅調整回路2
1、このスペクトル幅における光強度をトータル的に検
出する強度検出回路23、この光強度の変化状態をその
変化率等に基づいて検出する強度変化検出回路27、こ
の強度変化検出回路27の出力に基づいて終点や均一性
を判定する判定回路29とから構成される。
トル幅を所定の幅に設定するスペクトル幅調整回路2
1、このスペクトル幅における光強度をトータル的に検
出する強度検出回路23、この光強度の変化状態をその
変化率等に基づいて検出する強度変化検出回路27、こ
の強度変化検出回路27の出力に基づいて終点や均一性
を判定する判定回路29とから構成される。
【0006】エッチング時には、そのエッチングに伴っ
て発光現象が生じ、その発光のスペクトル分布は、エッ
チング中とエッチング終了時では大幅に変化することが
知られている。したがって、あるスペクトル範囲の発光
強度の変化を検出することにより、エッチングの終了を
検出することができる。
て発光現象が生じ、その発光のスペクトル分布は、エッ
チング中とエッチング終了時では大幅に変化することが
知られている。したがって、あるスペクトル範囲の発光
強度の変化を検出することにより、エッチングの終了を
検出することができる。
【0007】これにより、ドライエッチングの終点を検
出し、均一性のよいエッチングを可能にするものであ
る。
出し、均一性のよいエッチングを可能にするものであ
る。
【0008】上記のようなものに例えば、特開昭60─
148120号がある。
148120号がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の装置には、次のような問題があった。
た従来の装置には、次のような問題があった。
【0010】エッチングの際、エッチングガスまたはエ
ッチング時に形成されるエッチング生成物等が、発光状
態を検出する検出窓部に付着したり、検出窓部の材質と
反応して検出窓部を覆って遮光する現象がおこる。検出
窓部が遮光されると、検出光の透過率を低下させ、充分
な発光強度が得られず、発光状態の変化を正確に検出で
きなくなる。その結果、ドライエッチングの終点を正確
に検出できず、均一性のよいエッチングを得ることがで
きない。
ッチング時に形成されるエッチング生成物等が、発光状
態を検出する検出窓部に付着したり、検出窓部の材質と
反応して検出窓部を覆って遮光する現象がおこる。検出
窓部が遮光されると、検出光の透過率を低下させ、充分
な発光強度が得られず、発光状態の変化を正確に検出で
きなくなる。その結果、ドライエッチングの終点を正確
に検出できず、均一性のよいエッチングを得ることがで
きない。
【0011】この対策の一つとして、検出した光信号を
増幅し、さらに判定する強度の変化点を変更しなければ
ならない。しかし、この変更は、エッチングの工程中に
行わなければならず、また、大量のウエハを処理する場
合には、検出窓部に付着するエッチングガスやエッチン
グ生成物等の量が多いため、その変更の頻度が多くなり
定期的な変更が必要であるといった問題点があった。
増幅し、さらに判定する強度の変化点を変更しなければ
ならない。しかし、この変更は、エッチングの工程中に
行わなければならず、また、大量のウエハを処理する場
合には、検出窓部に付着するエッチングガスやエッチン
グ生成物等の量が多いため、その変更の頻度が多くなり
定期的な変更が必要であるといった問題点があった。
【0012】本発明は、エッチングの終点判定を発光ス
ペクトル強度の変化により行う装置において、上記問題
点を除去し、検出窓部の透過率の低下に伴う発光スペク
トル強度の低下を補償するため、発光スペクトル強度増
幅を行うことを目的とし、またエッチング中の発光スペ
クトル強度増幅の増幅率の変更を可能にして、高精度の
エッチング終点判定を行うドライエッチング装置を提供
することを目的とする。
ペクトル強度の変化により行う装置において、上記問題
点を除去し、検出窓部の透過率の低下に伴う発光スペク
トル強度の低下を補償するため、発光スペクトル強度増
幅を行うことを目的とし、またエッチング中の発光スペ
クトル強度増幅の増幅率の変更を可能にして、高精度の
エッチング終点判定を行うドライエッチング装置を提供
することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、〔1〕ドライエッチング装置において、エッチング時に
生じる発光スペクトルの発光強度を光検出器により検出
してエッチングの終点判定を行う手段と、前記発光スペ
クトルの発光強度の検出出力の低下を補正する補正手段
とを備え、 その補正手段は、チャンバを透過する光を照
射する光源と、前記光検出器の検出出力を調整する手段
とを有し、その光検出器の検出出力を調整する手段は前
記光源のチャンバ透過光の光強度の変動に対応して、前
記光検出器への検出光の入射光量を調節する開閉手段を
具備することを特徴とする。
成するために、〔1〕ドライエッチング装置において、エッチング時に
生じる発光スペクトルの発光強度を光検出器により検出
してエッチングの終点判定を行う手段と、前記発光スペ
クトルの発光強度の検出出力の低下を補正する補正手段
とを備え、 その補正手段は、チャンバを透過する光を照
射する光源と、前記光検出器の検出出力を調整する手段
とを有し、その光検出器の検出出力を調整する手段は前
記光源のチャンバ透過光の光強度の変動に対応して、前
記光検出器への検出光の入射光量を調節する開閉手段を
具備することを特徴とする。
【0014】〔2〕ドライエッチング装置において、エ
ッチング時に生じる発光スペクトルの発光強度を光検出
器により検出してエッチングの終点判定を行う手段と、
前記発光スペクトルの発光強度の検出出力の低下を補正
する補正手段とを備え、 その補正手段は、チャンバを透
過する光を照射する光源と、前記光検出器の検出出力を
調整する手段とを有し、その光検出器の検出出力を調整
する手段は前記光源のチャンバ透過光の変動に対応し
て、前記光源の発光光量を調節する光源駆動手段を具備
することを特徴とする。
ッチング時に生じる発光スペクトルの発光強度を光検出
器により検出してエッチングの終点判定を行う手段と、
前記発光スペクトルの発光強度の検出出力の低下を補正
する補正手段とを備え、 その補正手段は、チャンバを透
過する光を照射する光源と、前記光検出器の検出出力を
調整する手段とを有し、その光検出器の検出出力を調整
する手段は前記光源のチャンバ透過光の変動に対応し
て、前記光源の発光光量を調節する光源駆動手段を具備
することを特徴とする。
【0015】
【作用】本発明によれば、エッチング装置のチャンバ内
に光検出用の窓部を通過するように光を照射し、その通
過光の光強度を測定する。通過光の光強度は、あらかじ
め測定し記録しておいた光検出用の窓部のクリーンな状
態の通過光の光強度と比較される。この光強度の比較に
より検出信号の増幅率を決定し変更を行う。
に光検出用の窓部を通過するように光を照射し、その通
過光の光強度を測定する。通過光の光強度は、あらかじ
め測定し記録しておいた光検出用の窓部のクリーンな状
態の通過光の光強度と比較される。この光強度の比較に
より検出信号の増幅率を決定し変更を行う。
【0016】また、光検出用の窓部のクリーンな状態で
のエッチング終点の判定の強度変化を記録しておき、そ
の変化と同様に光源からでる光強度を変化させ、バック
グラウンドの補正を行い、終点判定を行う。
のエッチング終点の判定の強度変化を記録しておき、そ
の変化と同様に光源からでる光強度を変化させ、バック
グラウンドの補正を行い、終点判定を行う。
【0017】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。
がら詳細に説明する。
【0018】図1は本発明のプラズマを利用したドライ
エッチング装置の概略図、図2は本発明の発光強度を示
す図である。
エッチング装置の概略図、図2は本発明の発光強度を示
す図である。
【0019】このドライエッチング装置は、内部を気密
に保ちうるチャンバ1を有し、該チャンバ1内に高周波
電力源4が接続された電極2が設置されている。電極2
の上には、エッチング部材である半導体ウエハ3が配置
される。チャンバ1内には、ガス導入口5と排気口6が
設けられ、チャンバ1内は一定のガス圧力に保たれる。
チャンバ1内には、マイクロ波発生器7からマイクロ波
導入管8を通してマイクロ波が導入される。チャンバ1
内では、導入されたマイクロ波と磁石9から生じる磁界
の相互作用により、電子に電子サイクロン共鳴を生じさ
せる。この電子はガス導入口5から導入されたガス分子
と衝突し、プラズマが発生する。このプラズマを用いて
エッチングが行われる。
に保ちうるチャンバ1を有し、該チャンバ1内に高周波
電力源4が接続された電極2が設置されている。電極2
の上には、エッチング部材である半導体ウエハ3が配置
される。チャンバ1内には、ガス導入口5と排気口6が
設けられ、チャンバ1内は一定のガス圧力に保たれる。
チャンバ1内には、マイクロ波発生器7からマイクロ波
導入管8を通してマイクロ波が導入される。チャンバ1
内では、導入されたマイクロ波と磁石9から生じる磁界
の相互作用により、電子に電子サイクロン共鳴を生じさ
せる。この電子はガス導入口5から導入されたガス分子
と衝突し、プラズマが発生する。このプラズマを用いて
エッチングが行われる。
【0020】例えは、半導体ウエハ3上のAl合金をエ
ッチングするエッチングガスとしてBCl3 /Cl2 混
合ガスが用いられる。
ッチングするエッチングガスとしてBCl3 /Cl2 混
合ガスが用いられる。
【0021】チャンバ1の外側には、光検出器10が配
置され、検出部20に接続されている。検出部20は、
光検出器10の検出スペクトル幅(波長)を所定の幅に
設定するスペクトル幅調整回路21と、このスペクトル
幅における光強度をトータル的に検出する強度検出回路
23と、この強度検出回路23からの強度信号を増幅す
る強度増幅回路25と、光強度信号の変化状態をその変
化率等に基づいて検出する強度変化検出回路27と、こ
の強度変化検出回路27に基づいてエッチングの終点判
定を行う判定回路29とを有している。
置され、検出部20に接続されている。検出部20は、
光検出器10の検出スペクトル幅(波長)を所定の幅に
設定するスペクトル幅調整回路21と、このスペクトル
幅における光強度をトータル的に検出する強度検出回路
23と、この強度検出回路23からの強度信号を増幅す
る強度増幅回路25と、光強度信号の変化状態をその変
化率等に基づいて検出する強度変化検出回路27と、こ
の強度変化検出回路27に基づいてエッチングの終点判
定を行う判定回路29とを有している。
【0022】上記光検出器10および検出部20の動作
は、次のように行われる。
は、次のように行われる。
【0023】Al合金をエッチングする場合を例にとっ
て説明する。
て説明する。
【0024】光検出器10はAl合金のエッチング中に
発生する発光スペクトルを検出する。スペクトル幅調整
回路21は、上記光検出器10の検出するスペクトルの
うちAlCl(396nm)近傍のスペクトルを選択す
る。スペクトル幅調整回路21で選択されたスペクトル
は、前記強度検出回路23により強度信号に変換され
る。この強度信号は強度増幅回路25により増幅され、
強度変化検出回路27に送信される。強度増幅回路25
の増幅度は可変である。強度変化検出回路27におい
て、エッチングするAlの量の減少に伴うAlClの減
少変化を2次微分により検出する。エッチングの終点判
定は、上記強度変化検出回路27の出力に基づいて判定
回路29により行われる。
発生する発光スペクトルを検出する。スペクトル幅調整
回路21は、上記光検出器10の検出するスペクトルの
うちAlCl(396nm)近傍のスペクトルを選択す
る。スペクトル幅調整回路21で選択されたスペクトル
は、前記強度検出回路23により強度信号に変換され
る。この強度信号は強度増幅回路25により増幅され、
強度変化検出回路27に送信される。強度増幅回路25
の増幅度は可変である。強度変化検出回路27におい
て、エッチングするAlの量の減少に伴うAlClの減
少変化を2次微分により検出する。エッチングの終点判
定は、上記強度変化検出回路27の出力に基づいて判定
回路29により行われる。
【0025】大量の枚数の半導体ウエハを、上記ドライ
エッチング装置により処理する場合、例えば石英製のチ
ャンバ1の内面がプラズマに侵されたり、エッチング生
成物が付着したりする。これにより、発光スペクトルが
光検出器10へ透過する透過率が減少する。
エッチング装置により処理する場合、例えば石英製のチ
ャンバ1の内面がプラズマに侵されたり、エッチング生
成物が付着したりする。これにより、発光スペクトルが
光検出器10へ透過する透過率が減少する。
【0026】本発明は、チャンバ1をはさんで光検出器
10と対向して光源11を配置し、その透過率の低下
を、光源11を用いてチャンバ1を透過してくる光を光
検出器10で検出することにより測定し、その透過率の
低下に基づいて、強度増幅回路25の増幅度を調節す
る。
10と対向して光源11を配置し、その透過率の低下
を、光源11を用いてチャンバ1を透過してくる光を光
検出器10で検出することにより測定し、その透過率の
低下に基づいて、強度増幅回路25の増幅度を調節す
る。
【0027】この光源11の波長は、光検出器10で検
出するスペクトルのAlCl(396nm)、あるいは
他の波長を用いてもよい。
出するスペクトルのAlCl(396nm)、あるいは
他の波長を用いてもよい。
【0028】また、光検出器10と光源11との配置関
係は、装置や検出窓の形状、位置関係等に応じて設定す
ることができる。光源の光も、集束せず、検出器が検出
光を受光する範囲で広がりを有していても良い。
係は、装置や検出窓の形状、位置関係等に応じて設定す
ることができる。光源の光も、集束せず、検出器が検出
光を受光する範囲で広がりを有していても良い。
【0029】光源11の光は、光検出用の窓部を透過さ
せる他に、光検出用の窓部の近傍、または検出窓部に付
着する量と同等、あるいは比例する量のエッチングガス
やエッチング生成物等が付着するチャンバ部の透光部を
透過させ、それにより光検出用の窓部のエッチングガス
やエッチング生成物等の付着の量を推定することもでき
る。
せる他に、光検出用の窓部の近傍、または検出窓部に付
着する量と同等、あるいは比例する量のエッチングガス
やエッチング生成物等が付着するチャンバ部の透光部を
透過させ、それにより光検出用の窓部のエッチングガス
やエッチング生成物等の付着の量を推定することもでき
る。
【0030】光源の発光強度は可変であり、例えば、エ
ッチング終了時の発光スペクトル強度からエッチング中
の発光スペクトル強度の強度を可変に発光することがで
きる。
ッチング終了時の発光スペクトル強度からエッチング中
の発光スペクトル強度の強度を可変に発光することがで
きる。
【0031】次に、図2を用いて強度増幅回路25の増
幅度の調節について説明する。
幅度の調節について説明する。
【0032】この図において、縦軸は強度、横軸はエッ
チング時間を表している。
チング時間を表している。
【0033】まず、光源11よりエッチング中と同じ光
強度の光を放射し、検出窓を介して光検出器10により
受光する。光検出器10により検出された光スペクトル
は、通常のエッチング時の発光スペクトル強度のモニタ
ーと同様に処理され、強度増幅回路25で増幅される。
強度の光を放射し、検出窓を介して光検出器10により
受光する。光検出器10により検出された光スペクトル
は、通常のエッチング時の発光スペクトル強度のモニタ
ーと同様に処理され、強度増幅回路25で増幅される。
【0034】図2(a)は、検出窓がクリーンな状態の
時の増幅後の強度信号K1iを示しており、i1 はエッチ
ング中の発光強度を示し、i2 はエッチング終了時の発
光強度を示している。図2(b)は、検出窓の透過率が
低下した状態の時の増幅後の強度信号K1i´を示してい
る。図2(a)と図2(b)を比較してみると、図2
(b)においては検出窓の透過率の低下にともない、強
度信号K1i´は強度信号K1iより低値となっている。検
出窓の透過率が低下した状態の時の増幅後の強度信号K
1i1 ´を検出窓がクリーンを状態の時の増幅後の強度信
号K1i1 とを比較し、この強度信号が等しくなるように
増幅度を変更してK2 とする。
時の増幅後の強度信号K1iを示しており、i1 はエッチ
ング中の発光強度を示し、i2 はエッチング終了時の発
光強度を示している。図2(b)は、検出窓の透過率が
低下した状態の時の増幅後の強度信号K1i´を示してい
る。図2(a)と図2(b)を比較してみると、図2
(b)においては検出窓の透過率の低下にともない、強
度信号K1i´は強度信号K1iより低値となっている。検
出窓の透過率が低下した状態の時の増幅後の強度信号K
1i1 ´を検出窓がクリーンを状態の時の増幅後の強度信
号K1i1 とを比較し、この強度信号が等しくなるように
増幅度を変更してK2 とする。
【0035】増幅度をK2 とした場合の強度の状態を図
2(c)に示している。
2(c)に示している。
【0036】次に、上記の増幅度K2 において光源10
の光強度をエッチング終了時の強度i2 に変化させる。
この時の強度変化(K2i1 ´−K2i2 ´)を強度変化検
出回路27により検出する。この検出結果に基づいて判
定回路29において終点判定が行えるか判断する。
の光強度をエッチング終了時の強度i2 に変化させる。
この時の強度変化(K2i1 ´−K2i2 ´)を強度変化検
出回路27により検出する。この検出結果に基づいて判
定回路29において終点判定が行えるか判断する。
【0037】図2(d)に示すように、強度変化(K
2i1 ´−K2i2 ´)の値が小さく変化の検出が困難な場
合には、光強度信号のバックグラウンドi0 の値を図2
(e)に示すように、i0 ´に変更して、強度変化(K
2i1 ´−K2i2 ´)が検出窓がクリーンな状態の時の変
化(K2i1 −K2i2 )と同じになるようにする。
2i1 ´−K2i2 ´)の値が小さく変化の検出が困難な場
合には、光強度信号のバックグラウンドi0 の値を図2
(e)に示すように、i0 ´に変更して、強度変化(K
2i1 ´−K2i2 ´)が検出窓がクリーンな状態の時の変
化(K2i1 −K2i2 )と同じになるようにする。
【0038】他の方法として、検出器20の強度増幅回
路25の代わりに、光検出器の受光部に開閉器を設け、
この開閉器を駆動して検出する光を変化させることによ
り、強度増幅回路25の増幅度を変更させることと同様
の作用を行わせることができる。
路25の代わりに、光検出器の受光部に開閉器を設け、
この開閉器を駆動して検出する光を変化させることによ
り、強度増幅回路25の増幅度を変更させることと同様
の作用を行わせることができる。
【0039】図4乃至図13を用いて本発明の他の実施
例を説明する。
例を説明する。
【0040】これらの図においては、チャンバ1と光源
11、光検出器10の関係、および検出器20の構成の
みを示し、ドライエッチングの装置の構成は省略してい
る。ドライエッチングの装置の構成は、図1と同様の構
成とすることができる。
11、光検出器10の関係、および検出器20の構成の
みを示し、ドライエッチングの装置の構成は省略してい
る。ドライエッチングの装置の構成は、図1と同様の構
成とすることができる。
【0041】図4に示す第2の実施例は、2個の光検出
器10と10´を用いた実施例である。チャンバ1の外
側には、エッチング時の発光を検出する第1の光検出器
10と、光源11の光を検出する第2の光検出器10´
が設置されている。第2の光検出器10´は、光源11
の光を受光するように配置され、該光のチャンバ1を透
過する位置は、第1の光検出器10が検出する光が、チ
ャンバ1を透過する位置の近傍であることが望ましい。
器10と10´を用いた実施例である。チャンバ1の外
側には、エッチング時の発光を検出する第1の光検出器
10と、光源11の光を検出する第2の光検出器10´
が設置されている。第2の光検出器10´は、光源11
の光を受光するように配置され、該光のチャンバ1を透
過する位置は、第1の光検出器10が検出する光が、チ
ャンバ1を透過する位置の近傍であることが望ましい。
【0042】第1の光検出器10が検出した光は、図1
で説明したように、光検出器10の検出スペクトル幅
(波長)を所定の幅に設定するスペクトル幅調整回路2
1と、このスペクトル幅における光強度をトータル的に
検出する強度検出回路23と、この強度検出回路23か
らの強度信号を増幅する強度増幅回路25と、光強度信
号の変化状態をその変化率等に基づいて検出する強度変
化検出回路27と、この強度変化検出回路27に基づい
てエッチングの終点判定を行う判定回路29に順に入力
される。強度増幅回路25の増幅度は、増幅度設定回路
24の制御信号により設定される。
で説明したように、光検出器10の検出スペクトル幅
(波長)を所定の幅に設定するスペクトル幅調整回路2
1と、このスペクトル幅における光強度をトータル的に
検出する強度検出回路23と、この強度検出回路23か
らの強度信号を増幅する強度増幅回路25と、光強度信
号の変化状態をその変化率等に基づいて検出する強度変
化検出回路27と、この強度変化検出回路27に基づい
てエッチングの終点判定を行う判定回路29に順に入力
される。強度増幅回路25の増幅度は、増幅度設定回路
24の制御信号により設定される。
【0043】増幅度設定回路24は、第2の光検出器1
0´の検出信号をスペクトル幅調整回路21′と強度検
出回路23′とを介して得られるエッチング中の強度信
号と、予め記憶しておいた検出窓がクリーンな状態の時
の強度信号との比較により、増幅度を演算して求める。
0´の検出信号をスペクトル幅調整回路21′と強度検
出回路23′とを介して得られるエッチング中の強度信
号と、予め記憶しておいた検出窓がクリーンな状態の時
の強度信号との比較により、増幅度を演算して求める。
【0044】図5に示す第3の実施例は、1個の光検出
器10を用いた実施例である。
器10を用いた実施例である。
【0045】光検出器10はチャンバ1内の発光を検出
するように、チャンバ1の外側に配置される。一方、光
源11は、チャンバ1を挟んで光検出器10と反対側に
設置され、発光光が光検出器10により検出されるよう
に配置される。光源11の波長はエッチングの終点判定
に用いる発光現象の光の波長と異なるものを用いる。検
出部20の構成は、図4に示した第2の実施例と同様で
ある。
するように、チャンバ1の外側に配置される。一方、光
源11は、チャンバ1を挟んで光検出器10と反対側に
設置され、発光光が光検出器10により検出されるよう
に配置される。光源11の波長はエッチングの終点判定
に用いる発光現象の光の波長と異なるものを用いる。検
出部20の構成は、図4に示した第2の実施例と同様で
ある。
【0046】光検出器10で検出されたエッチングの終
点判定に用いる発光現象の光と、光源11の光を同時に
検出し、検出部20に入力される。検出部20において
は、スペクトル幅調整回路21,21´により、エッチ
ングの終点判定に用いる発光現象の光による信号と、光
源11の光による信号を分離する。スペクトル幅調整回
路21の出力信号は、第2の実施例と同様にして処理さ
れる。また、スペクトル幅調整回路21´の出力信号
も、第1の実施例と同様にして処理され、強度増幅回路
25の増幅度を設定する。
点判定に用いる発光現象の光と、光源11の光を同時に
検出し、検出部20に入力される。検出部20において
は、スペクトル幅調整回路21,21´により、エッチ
ングの終点判定に用いる発光現象の光による信号と、光
源11の光による信号を分離する。スペクトル幅調整回
路21の出力信号は、第2の実施例と同様にして処理さ
れる。また、スペクトル幅調整回路21´の出力信号
も、第1の実施例と同様にして処理され、強度増幅回路
25の増幅度を設定する。
【0047】第3の実施例では第2の実施例と比較し
て、光検出器を1個により実現することができる。
て、光検出器を1個により実現することができる。
【0048】図6,7,8に示す第4,5,6の実施例
は、1個の光検出器10を用い、光源11を発振器によ
り駆動する実施例である。
は、1個の光検出器10を用い、光源11を発振器によ
り駆動する実施例である。
【0049】図6の第4の実施例は、光検出器10と光
源11のチャンバ1に対する配置の関係は図5の第3の
実施例と同様であり、光検出器10は、チャンバ1内の
発光を検出するように、チャンバ1の外側に配置され
る。一方、光源11は、チャンバ1を挟んで光検出器1
0と反対側に設置され、発光光が光検出器10により検
出されるように配置される。
源11のチャンバ1に対する配置の関係は図5の第3の
実施例と同様であり、光検出器10は、チャンバ1内の
発光を検出するように、チャンバ1の外側に配置され
る。一方、光源11は、チャンバ1を挟んで光検出器1
0と反対側に設置され、発光光が光検出器10により検
出されるように配置される。
【0050】光源11は発振器31により間欠駆動され
る。発振器31の信号は、同時に後述する切換回路26
に入力され、信号処理のタイミングがとられる。
る。発振器31の信号は、同時に後述する切換回路26
に入力され、信号処理のタイミングがとられる。
【0051】光検出器10の検出信号は、スペクトル幅
調整回路21に入力され、検出スペクトル幅(波長)を
所定の幅に設定し出力する。スペクトル幅調整回路21
の出力信号は、強度検出回路23に入力され、スペクト
ル幅調整回路21において設定されたスペクトル幅にお
ける光強度をトータル的に検出する。この検出出力は、
前記の切換回路26において、増幅度設定回路24と強
度増幅回路25とに切り換えられる。
調整回路21に入力され、検出スペクトル幅(波長)を
所定の幅に設定し出力する。スペクトル幅調整回路21
の出力信号は、強度検出回路23に入力され、スペクト
ル幅調整回路21において設定されたスペクトル幅にお
ける光強度をトータル的に検出する。この検出出力は、
前記の切換回路26において、増幅度設定回路24と強
度増幅回路25とに切り換えられる。
【0052】発振器31が駆動して光源11が発光する
時期では、光検出器10は、光源11のチャンバ1を通
過した光を検出している。このタイミングでは、前記の
切換回路26を増幅度設定回路24に切り換えて、強度
検出回路23の出力を増幅度設定回路24に入力し、受
光窓部の遮光の程度を測定し、強度増幅回路25の増幅
度を設定する。次に、発振器31が停止して光源11が
発光していない時期では、光検出器10はエッチングに
よる発光を検出する。このタイミングでは、前記の切換
回路26を強度増幅回路25に切り換えて、強度検出回
路23のエッチングによる発光強度を増幅する。
時期では、光検出器10は、光源11のチャンバ1を通
過した光を検出している。このタイミングでは、前記の
切換回路26を増幅度設定回路24に切り換えて、強度
検出回路23の出力を増幅度設定回路24に入力し、受
光窓部の遮光の程度を測定し、強度増幅回路25の増幅
度を設定する。次に、発振器31が停止して光源11が
発光していない時期では、光検出器10はエッチングに
よる発光を検出する。このタイミングでは、前記の切換
回路26を強度増幅回路25に切り換えて、強度検出回
路23のエッチングによる発光強度を増幅する。
【0053】図6の第4の実施例は、第3の実施例と比
較して検出窓を通過する光の波長を同じとすることがで
きるため、受光窓部のエッチング生成物による検出器に
対する遮光状態の検出を、より正確に行うことができ
る。
較して検出窓を通過する光の波長を同じとすることがで
きるため、受光窓部のエッチング生成物による検出器に
対する遮光状態の検出を、より正確に行うことができ
る。
【0054】また、スペクトル幅調整回路21の数を1
個で実現することができる。
個で実現することができる。
【0055】図7の第5の実施例は、図6の第4の実施
例とほぼ同様の構成により、本発明を実施したものであ
る。第5の実施例の第4の実施例との相違は、光源11
の間欠光の形成の相違にある。第5の実施例において
は、光源11とチャンバ1との間にシャッタ33を配置
している。
例とほぼ同様の構成により、本発明を実施したものであ
る。第5の実施例の第4の実施例との相違は、光源11
の間欠光の形成の相違にある。第5の実施例において
は、光源11とチャンバ1との間にシャッタ33を配置
している。
【0056】シャッタ33は、発振器31により制御さ
れるシャッタ駆動回路32により駆動される。光源11
からの光は、シャッタ33により間欠的にチャンバ1内
に照射される。照射光を間欠的に照射する機構の他は、
図6の第4の実施例と同様であり、同様の動作を行う。
れるシャッタ駆動回路32により駆動される。光源11
からの光は、シャッタ33により間欠的にチャンバ1内
に照射される。照射光を間欠的に照射する機構の他は、
図6の第4の実施例と同様であり、同様の動作を行う。
【0057】図8の第6の実施例は、図6の第4の実施
例と図7の第5の実施例と同様に、発振器31により光
源11を駆動するものであるが、第4,5の実施例と異
なり、発振器31の信号は検出器20へ入力されない。
例と図7の第5の実施例と同様に、発振器31により光
源11を駆動するものであるが、第4,5の実施例と異
なり、発振器31の信号は検出器20へ入力されない。
【0058】光検出器10と光源11および発振器31
のチャンバ1に対する配置の関係は図6の第4の実施例
と同様であり、光検出器10は、チャンバ1内の発光を
検出するようにチャンバ1の外側に配置される。一方、
光源11は、チャンバ1を挟んで光検出器10と反対側
に設置され、発光光が光検出器10により検出されるよ
うに配置される。光源11は、発振器31により駆動さ
れる。光源11の照射光の波長は、エッチングの終点判
定に用いる発光現象の光の波長と同様にするのが望まし
い。
のチャンバ1に対する配置の関係は図6の第4の実施例
と同様であり、光検出器10は、チャンバ1内の発光を
検出するようにチャンバ1の外側に配置される。一方、
光源11は、チャンバ1を挟んで光検出器10と反対側
に設置され、発光光が光検出器10により検出されるよ
うに配置される。光源11は、発振器31により駆動さ
れる。光源11の照射光の波長は、エッチングの終点判
定に用いる発光現象の光の波長と同様にするのが望まし
い。
【0059】光検出器10には、光源11からの周波数
に応じて光強度が変動する光と、チャンバ1内でエッチ
ング時に発光する光に2種類の光が入射する。チャンバ
1内でエッチング時に発光する光は、光源11からの光
に比べて、変動の速度が遅い。したがって、光検出器1
0は、光強度の変動の周波数の異なる2種類の光が入射
することになる。
に応じて光強度が変動する光と、チャンバ1内でエッチ
ング時に発光する光に2種類の光が入射する。チャンバ
1内でエッチング時に発光する光は、光源11からの光
に比べて、変動の速度が遅い。したがって、光検出器1
0は、光強度の変動の周波数の異なる2種類の光が入射
することになる。
【0060】光検出器10の出力は、スペクトル幅調整
回路21に入力され、エッチングの終点判定に用いる発
光現象の光による信号を出力する。
回路21に入力され、エッチングの終点判定に用いる発
光現象の光による信号を出力する。
【0061】スペクトル幅調整回路21の一方の出力
は、ハイパスフィルタ28に入力される。光源11から
の光に基づく信号は、エッチング時に発光する光と比較
して、その光強度の変動の周波数が高いので、このハイ
パスフィルタ28を通過し、他方エッチング時に発光す
る光に基づく信号は、このハイパスフィルタ28により
阻止される。ハイパスフィルタ28の出力は増幅度設定
回路24に入力され、強度増幅回路25の増幅度を演算
し設定を行う。
は、ハイパスフィルタ28に入力される。光源11から
の光に基づく信号は、エッチング時に発光する光と比較
して、その光強度の変動の周波数が高いので、このハイ
パスフィルタ28を通過し、他方エッチング時に発光す
る光に基づく信号は、このハイパスフィルタ28により
阻止される。ハイパスフィルタ28の出力は増幅度設定
回路24に入力され、強度増幅回路25の増幅度を演算
し設定を行う。
【0062】スペクトル幅調整回路21の他方の出力
は、ローパスフィルタ22に入力される。ローパスフィ
ルタ22の出力は、エッチング時に発光する光に基づく
信号であり、光源11からの光に基づく信号は阻止され
る。ローパスフィルタ22の出力は、強度検出回路23
に入力されエッチング時に発光する光の強度が検出され
る。強度検出回路23の光の強度の出力信号は、強度増
幅回路25により信号増幅される。このあとの信号の処
理は、第2の実施例と同様である。強度変化検出回路2
7において、エッチングするAlの量の減少に伴うAl
Clの減少変化を2次微分により検出する。エッチング
の終点判定は、上記強度変化検出回路27の出力に基づ
いて判定回路29により行われる。
は、ローパスフィルタ22に入力される。ローパスフィ
ルタ22の出力は、エッチング時に発光する光に基づく
信号であり、光源11からの光に基づく信号は阻止され
る。ローパスフィルタ22の出力は、強度検出回路23
に入力されエッチング時に発光する光の強度が検出され
る。強度検出回路23の光の強度の出力信号は、強度増
幅回路25により信号増幅される。このあとの信号の処
理は、第2の実施例と同様である。強度変化検出回路2
7において、エッチングするAlの量の減少に伴うAl
Clの減少変化を2次微分により検出する。エッチング
の終点判定は、上記強度変化検出回路27の出力に基づ
いて判定回路29により行われる。
【0063】この実施例においては、第4,5の実施例
のように発振器の発振周波数に基づいた切り換えの制御
を必要としない。
のように発振器の発振周波数に基づいた切り換えの制御
を必要としない。
【0064】図9乃至13に示す第7乃至11の実施例
は、それぞれ前記図4〜8に示す第2〜6の実施例にお
いて、検出器20の強度増幅回路25の代わりに、光検
出器の受光部に開閉器35を設け、この開閉器35を駆
動して検出する光を変化させることにより、強度増幅回
路25の増幅度を変更させるものである。
は、それぞれ前記図4〜8に示す第2〜6の実施例にお
いて、検出器20の強度増幅回路25の代わりに、光検
出器の受光部に開閉器35を設け、この開閉器35を駆
動して検出する光を変化させることにより、強度増幅回
路25の増幅度を変更させるものである。
【0065】図9に示す第7の実施例は、図4の第2の
実施例において、エッチング時に発光する光を検出する
第1の光検出器10とチャンバ1との間に開閉器35を
配置したものである。開閉器35の開閉の制御は、増幅
度設定回路24の制御信号により、駆動される開閉器駆
動回路37により行われる。増幅度設定回路24は、第
2の実施例と同様に、第2の光検出器10´の出力を、
スペクトル幅調整回路21´、強度検出回路23´を介
して検出し、増幅度を設定する。
実施例において、エッチング時に発光する光を検出する
第1の光検出器10とチャンバ1との間に開閉器35を
配置したものである。開閉器35の開閉の制御は、増幅
度設定回路24の制御信号により、駆動される開閉器駆
動回路37により行われる。増幅度設定回路24は、第
2の実施例と同様に、第2の光検出器10´の出力を、
スペクトル幅調整回路21´、強度検出回路23´を介
して検出し、増幅度を設定する。
【0066】この増幅度に応じて、開閉器35の開閉を
行い、光強度を調節する。
行い、光強度を調節する。
【0067】図10に示す第8の実施例は、第3の実施
例において、エッチング時に発光する光を検出する第1
の光検出器10とチャンバ1との間に開閉器35を配置
したものであり、その制御の動作は、前記の第7の実施
例と同様である。
例において、エッチング時に発光する光を検出する第1
の光検出器10とチャンバ1との間に開閉器35を配置
したものであり、その制御の動作は、前記の第7の実施
例と同様である。
【0068】図11に示す第9の実施例は、図6に示す
第4の実施例において、エッチング時に発光する光を検
出する第1の光検出器10とチャンバ1との間に開閉器
35を配置したものである。開閉器35の開閉の制御
は、増幅度設定回路24の制御信号により駆動される開
閉器駆動回路37により行われる。増幅度設定回路24
は、発振器31のタイミングにより切り換えられる切換
回路26を介して強度検出回路23の光源11の光強度
に基づく信号によって増幅度を演算し、設定を行う。
第4の実施例において、エッチング時に発光する光を検
出する第1の光検出器10とチャンバ1との間に開閉器
35を配置したものである。開閉器35の開閉の制御
は、増幅度設定回路24の制御信号により駆動される開
閉器駆動回路37により行われる。増幅度設定回路24
は、発振器31のタイミングにより切り換えられる切換
回路26を介して強度検出回路23の光源11の光強度
に基づく信号によって増幅度を演算し、設定を行う。
【0069】図12に示す第10の実施例は、図7に示
す第5の実施例において、エッチング時に発光する光を
検出する第1の光検出器10とチャンバ1との間に開閉
器35を、そして、チャンバ1と光源11との間にシャ
ッタ33を配置したものであり、その制御の動作は、前
記の第9の実施例と同様である。
す第5の実施例において、エッチング時に発光する光を
検出する第1の光検出器10とチャンバ1との間に開閉
器35を、そして、チャンバ1と光源11との間にシャ
ッタ33を配置したものであり、その制御の動作は、前
記の第9の実施例と同様である。
【0070】図13に示す第11の実施例は、図8に示
す第6の実施例において、エッチング時に発光する光を
検出する第1の光検出器10とチャンバ1との間に開閉
器35を配置したものである。開閉器35の開閉の制御
は、増幅度設定回路24の制御信号により駆動される開
閉器駆動回路37により行われる。増幅度設定回路24
の制御信号は、第6の実施例と同様に、光源11からの
光に基づく信号をハイパスフィルタ28を通過させて取
り出し、増幅度設定回路24に入力され、強度増幅回路
25の増幅度を演算し設定を行う。
す第6の実施例において、エッチング時に発光する光を
検出する第1の光検出器10とチャンバ1との間に開閉
器35を配置したものである。開閉器35の開閉の制御
は、増幅度設定回路24の制御信号により駆動される開
閉器駆動回路37により行われる。増幅度設定回路24
の制御信号は、第6の実施例と同様に、光源11からの
光に基づく信号をハイパスフィルタ28を通過させて取
り出し、増幅度設定回路24に入力され、強度増幅回路
25の増幅度を演算し設定を行う。
【0071】また、他の実施例として、前記第2〜6の
実施例において、増幅度設定回路24の出力を強度増幅
回路25に入力せずに、光源11にフィードバックして
光源11の発光強度を制御して、検出器の検出出力の補
正を行うこともできる。
実施例において、増幅度設定回路24の出力を強度増幅
回路25に入力せずに、光源11にフィードバックして
光源11の発光強度を制御して、検出器の検出出力の補
正を行うこともできる。
【0072】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【0073】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
エッチングの終点判定を発光スペクトル強度の変化によ
り行う方法および装置によれば、エッチング装置のチャ
ンバ内に光検出用の窓部を通過するように光を照射し
て、その透過光の強度を検出し、その光強度から発光ス
ペクトル強度増幅の増幅率の変更を行うことができるた
め、次のような効果を奏することができる。
エッチングの終点判定を発光スペクトル強度の変化によ
り行う方法および装置によれば、エッチング装置のチャ
ンバ内に光検出用の窓部を通過するように光を照射し
て、その透過光の強度を検出し、その光強度から発光ス
ペクトル強度増幅の増幅率の変更を行うことができるた
め、次のような効果を奏することができる。
【0074】(1)実際にエッチングを行うことなく、
発光スペクトル強度の低下の補正を行うことができる。
発光スペクトル強度の低下の補正を行うことができる。
【0075】(2)光源の設置のほかは格別に装置の改
造を要しない。
造を要しない。
【0076】(3)光強度信号の増幅率をモニターする
ことにより、チャンバ内のクリーニング時期を定量的に
決定することができる。
ことにより、チャンバ内のクリーニング時期を定量的に
決定することができる。
【0077】(4)エッチング中の発光スペクトル強度
増幅の増幅率の変更を可能にして、高精度のエッチング
終点判定を行うことができる。
増幅の増幅率の変更を可能にして、高精度のエッチング
終点判定を行うことができる。
【図1】本発明のプラズマを利用したドライエッチング
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【図2】本発明のドライエッチング装置の強度増幅回路
の増幅度の調節について説明する発光強度を示す図であ
る。
の増幅度の調節について説明する発光強度を示す図であ
る。
【図3】従来のプラズマを利用したドライエッチング装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図4】本発明の第2実施例の概略図である。
【図5】本発明の第3実施例の概略図である。
【図6】本発明の第4実施例の概略図である。
【図7】本発明の第5実施例の概略図である。
【図8】本発明の第6実施例の概略図である。
【図9】本発明の第7実施例の概略図である。
【図10】本発明の第8実施例の概略図である。
【図11】本発明の第9実施例の概略図である。
【図12】本発明の第10実施例の概略図である。
【図13】本発明の第11実施例の概略図である。
1 チャンバ 2 電極 3 半導体ウエハ 4 高周波電力源 5 ガス導入口 6 排気口 7 マイクロ波発生器 8 マイクロ波導入管 9 磁石 10 光検出器 11 光源 20 検出部 21 スペクトル幅調整回路 22 ローパスフィルタ 23 強度検出回路 24 増幅度設定回路 25 強度増幅回路 26 切換回路 27 強度変化検出回路 28 ハイパスフィルタ 29 判定回路 31 発振器 32 シャッタ駆動回路 33 シャッタ 35 開閉器 37 開閉器駆動回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/3065 G01J 3/443
Claims (2)
- 【請求項1】(a)エッチング時に生じる発光スペクト
ルの発光強度を光検出器により検出してエッチングの終
点判定を行う手段と、 (b)前記発光スペクトルの発光強度の検出出力の低下
を補正する補正手段とを備え、 該補正手段は、チャンバを透過する光を照射する光源
と、前記光検出器の検出出力を調整する手段とを有し、
該光検出器の検出出力を調整する手段は前記光源のチャ
ンバ透過光の光強度の変動に対応して、前記光検出器へ
の検出光の入射光量を調節する開閉手段を 具備すること
を特徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項2】(a)エッチング時に生じる発光スペクト
ルの発光強度を光検出器により検出してエッチングの終
点判定を行う手段と、 (b)前記発光スペクトルの発光強度の検出出力の低下
を補正する補正手段とを備え、 該補正手段は、チャンバを透過する光を照射する光源
と、前記光検出器の検出出力を調整する手段とを有し、
該光検出器の検出出力を調整する手段は前記光源のチャ
ンバ透過光の変動に対応して、前記光源の発光光量を調
節する光源駆動手段を具備することを特徴とする ドライ
エッチング装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP3288377A JP3029495B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3288377A JP3029495B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05251396A JPH05251396A (ja) | 1993-09-28 |
JP3029495B2 true JP3029495B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=17729416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3288377A Expired - Fee Related JP3029495B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3029495B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101246354B (zh) * | 2007-02-13 | 2010-05-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶片干蚀刻的装置及控制方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2781545B2 (ja) * | 1995-05-17 | 1998-07-30 | 松下電器産業株式会社 | 半導体製造装置 |
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-
1991
- 1991-11-05 JP JP3288377A patent/JP3029495B2/ja not_active Expired - Fee Related
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CN101246354B (zh) * | 2007-02-13 | 2010-05-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶片干蚀刻的装置及控制方法 |
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