JP3025743B2 - 硬質炭素被膜形成装置 - Google Patents
硬質炭素被膜形成装置Info
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- JP3025743B2 JP3025743B2 JP6119224A JP11922494A JP3025743B2 JP 3025743 B2 JP3025743 B2 JP 3025743B2 JP 6119224 A JP6119224 A JP 6119224A JP 11922494 A JP11922494 A JP 11922494A JP 3025743 B2 JP3025743 B2 JP 3025743B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気かみそり等の刃
物、及び薄膜ヘッド半導体材料の表面に硬質炭素被膜を
形成するための装置に関するものであり、特にバイアス
プラズマＣＶＤ法により硬質炭素被膜を形成するための
装置に関するものである。
物、及び薄膜ヘッド半導体材料の表面に硬質炭素被膜を
形成するための装置に関するものであり、特にバイアス
プラズマＣＶＤ法により硬質炭素被膜を形成するための
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、バイアスプラズマＣＶＤ法により
硬質炭素被膜を形成するための装置としては、特開平３
−１７５６２０号公報に示された装置が知られている。
この装置は、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズ
マＣＶＤ装置を用いたバイアスプラズマＣＶＤ法により
基板上に硬質炭素被膜であるダイヤモンド状被膜を形成
する装置である。
硬質炭素被膜を形成するための装置としては、特開平３
−１７５６２０号公報に示された装置が知られている。
この装置は、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズ
マＣＶＤ装置を用いたバイアスプラズマＣＶＤ法により
基板上に硬質炭素被膜であるダイヤモンド状被膜を形成
する装置である。
【０００３】図１２は、このような従来のダイヤモンド
状被膜を形成する装置を示す模式図である。図１２を参
照して、マイクロ波供給手段１で発生されたマイクロ波
は、導波管２、マイクロ波導入窓３を通って、プラズマ
発生室４に導かれる。プラズマ発生室４には、アルゴン
（Ａｒ）ガスなどの放電ガスを導入させるための放電ガ
ス導入管５が設けられている。またプラズマ発生室４の
周囲には、プラズマ磁界発生装置６が設けられている。
マイクロ波による高周波磁界とプラズマ磁界発生装置６
からの磁界の作用により、プラズマ発生室４に高密度の
プラズマが形成される。このプラズマは、プラズマ磁界
発生装置６による発散磁界に沿って、基板７を配置した
真空チャンバ８に導かれる。
状被膜を形成する装置を示す模式図である。図１２を参
照して、マイクロ波供給手段１で発生されたマイクロ波
は、導波管２、マイクロ波導入窓３を通って、プラズマ
発生室４に導かれる。プラズマ発生室４には、アルゴン
（Ａｒ）ガスなどの放電ガスを導入させるための放電ガ
ス導入管５が設けられている。またプラズマ発生室４の
周囲には、プラズマ磁界発生装置６が設けられている。
マイクロ波による高周波磁界とプラズマ磁界発生装置６
からの磁界の作用により、プラズマ発生室４に高密度の
プラズマが形成される。このプラズマは、プラズマ磁界
発生装置６による発散磁界に沿って、基板７を配置した
真空チャンバ８に導かれる。
【０００４】真空チャンバ８内には、原料ガスとしての
メタン（ＣＨ4 ）ガスを導入させるための反応ガス導入
管９が設けられている。この反応ガス導入管９により真
空チャンバ８内に導入されたメタンガスは、プラズマの
作用により分解され、炭素被膜が形成される。チャンバ
８の外部には、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電源１
０が設けられており、この高周波電源１０により、所定
の高周波電圧（ＲＦ電圧）が基板ホルダ１１に印加され
ており、それによって基板７に負の自己バイアスを発生
させている。プラズマ中におけるイオンの移動速度は電
子に比べて遅いため、ＲＦ電圧印加中の電位の振れに対
して、電子は追随するが、イオンは追随できない。従っ
て、ＲＦ電圧を基板７に印加することにより、基板７に
電子が多く放射され、基板７に負の自己バイアスが発生
する。従って、プラズマ中の正イオンが引き込まれ、基
板７上にダイヤモンド状被膜が形成される。
メタン（ＣＨ4 ）ガスを導入させるための反応ガス導入
管９が設けられている。この反応ガス導入管９により真
空チャンバ８内に導入されたメタンガスは、プラズマの
作用により分解され、炭素被膜が形成される。チャンバ
８の外部には、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電源１
０が設けられており、この高周波電源１０により、所定
の高周波電圧（ＲＦ電圧）が基板ホルダ１１に印加され
ており、それによって基板７に負の自己バイアスを発生
させている。プラズマ中におけるイオンの移動速度は電
子に比べて遅いため、ＲＦ電圧印加中の電位の振れに対
して、電子は追随するが、イオンは追随できない。従っ
て、ＲＦ電圧を基板７に印加することにより、基板７に
電子が多く放射され、基板７に負の自己バイアスが発生
する。従って、プラズマ中の正イオンが引き込まれ、基
板７上にダイヤモンド状被膜が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の装置
では、真空チャンバ内の基板ホルダに基板を装着させた
後、真空排気を行って被膜形成処理を行っている。従っ
て、１回の処理で被膜形成できる基板の枚数は、１枚、
あるいは多くとも２枚が限度であった。
では、真空チャンバ内の基板ホルダに基板を装着させた
後、真空排気を行って被膜形成処理を行っている。従っ
て、１回の処理で被膜形成できる基板の枚数は、１枚、
あるいは多くとも２枚が限度であった。
【０００６】また、従来の装置では、基板ホルダに装着
された被膜形成部分以外の基板の近傍で放電が発生し、
この放電によって基板の温度が上昇するという問題があ
った。
された被膜形成部分以外の基板の近傍で放電が発生し、
この放電によって基板の温度が上昇するという問題があ
った。
【０００７】本発明の目的は、複数の基板を１回のプロ
セスによって同時に処理することができるとともに、基
板の過度の温度上昇を防ぎ、基板上に硬質炭素被膜を形
成させることができる硬質炭素被膜形成装置を提供する
ことにある。
セスによって同時に処理することができるとともに、基
板の過度の温度上昇を防ぎ、基板上に硬質炭素被膜を形
成させることができる硬質炭素被膜形成装置を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の硬質炭素被膜形
成装置は、基板上に硬質炭素被膜を形成するための装置
であり、真空チャンバと、真空チャンバ内に回転自在に
設けられる基板ホルダと、基板ホルダの周面を囲むよう
に設けられその一部に開口部を有するシールドカバー
と、真空チャンバ内にプラズマを発生させ該プラズマを
開口部を介して基板に向けて放射するプラズマ発生手段
と、プラズマ発生手段からのプラズマ中に炭素を含む反
応ガスを供給する反応ガス導入手段と、基板に発生する
自己バイアスが負となるように高周波電圧を基板ホルダ
に印加する高周波電源とを備えている。
成装置は、基板上に硬質炭素被膜を形成するための装置
であり、真空チャンバと、真空チャンバ内に回転自在に
設けられる基板ホルダと、基板ホルダの周面を囲むよう
に設けられその一部に開口部を有するシールドカバー
と、真空チャンバ内にプラズマを発生させ該プラズマを
開口部を介して基板に向けて放射するプラズマ発生手段
と、プラズマ発生手段からのプラズマ中に炭素を含む反
応ガスを供給する反応ガス導入手段と、基板に発生する
自己バイアスが負となるように高周波電圧を基板ホルダ
に印加する高周波電源とを備えている。
【０００９】本発明の第１の局面に従う硬質炭素被膜形
成装置は、基板上に中間層を形成し、該中間層の上に硬
質炭素被膜を形成するための装置であり、真空チャンバ
と、真空チャンバ内に回転自在に設けられる基板ホルダ
と、基板ホルダの周面を囲むように設けられその一部に
第１及び第２開口部を有するシールドカバーと、真空チ
ャンバ内にプラズマを発生させ該プラズマを第１開口部
を介して基板に向けて放射するプラズマ発生手段と、プ
ラズマ発生手段からのプラズマ中に炭素を含む反応ガス
を供給する反応ガス導入手段と、基板に発生する自己バ
イアスが負となるように高周波電圧を基板ホルダに印加
する高周波電源と、真空チャンバ内に設けられ第２開口
部を介して基板に向けて中間層を構成する材料原子を放
射する中間層形成手段とを備えている。
成装置は、基板上に中間層を形成し、該中間層の上に硬
質炭素被膜を形成するための装置であり、真空チャンバ
と、真空チャンバ内に回転自在に設けられる基板ホルダ
と、基板ホルダの周面を囲むように設けられその一部に
第１及び第２開口部を有するシールドカバーと、真空チ
ャンバ内にプラズマを発生させ該プラズマを第１開口部
を介して基板に向けて放射するプラズマ発生手段と、プ
ラズマ発生手段からのプラズマ中に炭素を含む反応ガス
を供給する反応ガス導入手段と、基板に発生する自己バ
イアスが負となるように高周波電圧を基板ホルダに印加
する高周波電源と、真空チャンバ内に設けられ第２開口
部を介して基板に向けて中間層を構成する材料原子を放
射する中間層形成手段とを備えている。
【００１０】本発明の第２の局面に従う装置は、上記第
１の局面に従う装置であり、中間層形成手段が、真空チ
ャンバ内に設けられ第２開口部を介して基板に向けて中
間層を構成する材料原子を放射する蒸発源と、蒸発源か
らの材料原子の放射と同時に第２開口部を介して基板に
向けて不活性ガスのイオンを放射するイオンガンとを備
えることを特徴としている。
１の局面に従う装置であり、中間層形成手段が、真空チ
ャンバ内に設けられ第２開口部を介して基板に向けて中
間層を構成する材料原子を放射する蒸発源と、蒸発源か
らの材料原子の放射と同時に第２開口部を介して基板に
向けて不活性ガスのイオンを放射するイオンガンとを備
えることを特徴としている。
【００１１】本発明の第３の局面に従う装置は、上記第
１の局面に従う装置であり、中間層形成手段が、真空チ
ャンバ内に設けられ中間層を構成する材料原子を第２開
口部を介して基板に向けてスパッタするため該材料原子
からなるターゲットと、ターゲットをスパッタするため
にターゲットに向けて不活性ガスのイオンを放射するイ
オンガンとを備えることを特徴としている。
１の局面に従う装置であり、中間層形成手段が、真空チ
ャンバ内に設けられ中間層を構成する材料原子を第２開
口部を介して基板に向けてスパッタするため該材料原子
からなるターゲットと、ターゲットをスパッタするため
にターゲットに向けて不活性ガスのイオンを放射するイ
オンガンとを備えることを特徴としている。
【００１２】本発明において、プラズマ発生手段とし
て、好ましくは、電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶ
Ｄ装置が用いられる。本発明において、シールドカバー
は、好ましくは、基板ホルダの周面から気体分子の平均
自由行程以下の距離隔てて設けられる。また、さらに好
ましくは、シールドカバーは、基板ホルダの周面から気
体分子の平均自由行程の１／１０以下の距離隔てて設け
られる。
て、好ましくは、電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶ
Ｄ装置が用いられる。本発明において、シールドカバー
は、好ましくは、基板ホルダの周面から気体分子の平均
自由行程以下の距離隔てて設けられる。また、さらに好
ましくは、シールドカバーは、基板ホルダの周面から気
体分子の平均自由行程の１／１０以下の距離隔てて設け
られる。
【００１３】また、本発明において、シールドカバー
は、好ましくは、所定電位に保持され、さらに好ましく
は接地されている。本発明において、中間層を形成する
材料原子は、例えば、Ｓｉ、Ｒｕ、炭素、Ｇｅ、または
これらの元素と炭素、窒素及び酸素のうちの少なくとも
１種の元素との混合物であり、例えば、ＮｉまたはＡｌ
を主成分とする金属もしくは合金、またはステンレス鋼
からなる基板の上に、このような中間層を介して硬質炭
素被膜が形成される。
は、好ましくは、所定電位に保持され、さらに好ましく
は接地されている。本発明において、中間層を形成する
材料原子は、例えば、Ｓｉ、Ｒｕ、炭素、Ｇｅ、または
これらの元素と炭素、窒素及び酸素のうちの少なくとも
１種の元素との混合物であり、例えば、ＮｉまたはＡｌ
を主成分とする金属もしくは合金、またはステンレス鋼
からなる基板の上に、このような中間層を介して硬質炭
素被膜が形成される。
【００１４】本発明における硬質炭素被膜の概念は、結
晶質のダイヤモンド及び非晶質のダイヤモンド状被膜を
含むものである。
晶質のダイヤモンド及び非晶質のダイヤモンド状被膜を
含むものである。
【００１５】
【作用】本発明の装置は、真空チャンバ内に回転自在に
設けられる基板ホルダを備えている。従って、この基板
ホルダに基板を複数装着することができ、一回の真空排
気によって処理できる基板の個数を増大させることがで
きる。
設けられる基板ホルダを備えている。従って、この基板
ホルダに基板を複数装着することができ、一回の真空排
気によって処理できる基板の個数を増大させることがで
きる。
【００１６】本発明においては、基板ホルダの周面を囲
むようにシールドカバーが設けられており、該シールド
カバーの開口部を介してプラズマ発生手段からのプラズ
マが放射され、基板上に硬質炭素被膜が形成される。こ
のようなシールドカバーにより、被膜が形成される箇所
以外での放電の発生を防止することができ、基板の温度
上昇を抑えることができる。
むようにシールドカバーが設けられており、該シールド
カバーの開口部を介してプラズマ発生手段からのプラズ
マが放射され、基板上に硬質炭素被膜が形成される。こ
のようなシールドカバーにより、被膜が形成される箇所
以外での放電の発生を防止することができ、基板の温度
上昇を抑えることができる。
【００１７】本発明の第１の局面では、シールドカバー
の第２開口部を介して基板に向けて中間層を構成する材
料原子を放射する中間層形成手段が設けられている。従
って、１回の真空排気によって、中間層の形成と、硬質
炭素被膜の形成を行うことができる。また硬質炭素被膜
の形成と、中間層の形成をそれぞれ個別に制御すること
ができる。従って、基板上に所望の中間層を形成した
後、硬質炭素被膜を形成することができる。
の第２開口部を介して基板に向けて中間層を構成する材
料原子を放射する中間層形成手段が設けられている。従
って、１回の真空排気によって、中間層の形成と、硬質
炭素被膜の形成を行うことができる。また硬質炭素被膜
の形成と、中間層の形成をそれぞれ個別に制御すること
ができる。従って、基板上に所望の中間層を形成した
後、硬質炭素被膜を形成することができる。
【００１８】また、中間層形成の際、第１開口部を介し
てのプラズマＣＶＤ法による炭素被膜の堆積と、第２開
口部を介しての中間層を構成する材料原子の堆積とを交
互に繰り返すことにより、中間層の材料組成比を所望の
通りに制御することができる。従って、中間層の材料組
成比を、硬質炭素被膜に近づくにつれ、徐々に硬質炭素
被膜の組成に近づく傾斜構造にすることができる。この
ような傾斜構造を有する中間層を形成することにより、
基板と硬質炭素被膜との間の密着性をさらに向上させる
ことが可能となる。
てのプラズマＣＶＤ法による炭素被膜の堆積と、第２開
口部を介しての中間層を構成する材料原子の堆積とを交
互に繰り返すことにより、中間層の材料組成比を所望の
通りに制御することができる。従って、中間層の材料組
成比を、硬質炭素被膜に近づくにつれ、徐々に硬質炭素
被膜の組成に近づく傾斜構造にすることができる。この
ような傾斜構造を有する中間層を形成することにより、
基板と硬質炭素被膜との間の密着性をさらに向上させる
ことが可能となる。
【００１９】
【実施例】図１は、本発明の一実施例における硬質炭素
被膜形成のための装置を示す概略断面図である。図１を
参照して、真空チャンバ８には、プラズマ発生室４が設
けられている。プラズマ発生室４には、導波管２の一端
が取り付けられており、導波管２の他端には、マイクロ
波供給手段１が設けられている。マイクロ波供給手段１
で発生したマイクロ波は、導波管２及びマイクロ波導入
窓３を通って、プラズマ発生室４に導かれる。プラズマ
発生室４には、プラズマ発生室４内にアルゴン（Ａｒ）
ガスなどの放電ガスを導入させるための放電ガス導入管
５が設けられている。またプラズマ発生室４の周囲に
は、プラズマ磁界発生装置６が設けられている。マイク
ロ波による高周波磁界と、プラズマ磁界発生装置６から
の磁界を作用させることにより、プラズマ発生室４内に
高密度のプラズマが形成される。
被膜形成のための装置を示す概略断面図である。図１を
参照して、真空チャンバ８には、プラズマ発生室４が設
けられている。プラズマ発生室４には、導波管２の一端
が取り付けられており、導波管２の他端には、マイクロ
波供給手段１が設けられている。マイクロ波供給手段１
で発生したマイクロ波は、導波管２及びマイクロ波導入
窓３を通って、プラズマ発生室４に導かれる。プラズマ
発生室４には、プラズマ発生室４内にアルゴン（Ａｒ）
ガスなどの放電ガスを導入させるための放電ガス導入管
５が設けられている。またプラズマ発生室４の周囲に
は、プラズマ磁界発生装置６が設けられている。マイク
ロ波による高周波磁界と、プラズマ磁界発生装置６から
の磁界を作用させることにより、プラズマ発生室４内に
高密度のプラズマが形成される。
【００２０】真空チャンバ８内には筒状の基板ホルダ１
２が設けられいる。この筒状の基板ホルダ１２は、真空
チャンバ８の壁面に対し垂直に設けられた軸（図示せ
ず）のまわりに回転自在に設けられている。基板ホルダ
１２の周面には、複数の基板１３が等しい間隔で装着さ
れている。なお、本実施例では、基板１３として、ニッ
ケル（Ｎｉ）基板を用いており、基板ホルダ１２の周面
に２４個装着している。基板ホルダ１２には、高周波電
源１０が接続されている。
２が設けられいる。この筒状の基板ホルダ１２は、真空
チャンバ８の壁面に対し垂直に設けられた軸（図示せ
ず）のまわりに回転自在に設けられている。基板ホルダ
１２の周面には、複数の基板１３が等しい間隔で装着さ
れている。なお、本実施例では、基板１３として、ニッ
ケル（Ｎｉ）基板を用いており、基板ホルダ１２の周面
に２４個装着している。基板ホルダ１２には、高周波電
源１０が接続されている。
【００２１】基板ホルダ１２の周囲には、金属製の筒状
のシールドカバー１４が所定の距離隔てて設けられてい
る。このシールドカバー１４は、接地電極に接続されて
いる。このシールドカバー１４は、被膜を形成するとき
に、基板ホルダ１２に印加されるＲＦ電圧によって被膜
形成箇所以外の基板ホルダ１２と真空チャンバ８との間
で放電が発生するのを防止するために設けられている。
基板ホルダ１２とシールドカバー１４との間の間隙は、
気体分子の平均自由行程以下の距離となるように配置さ
れている。気体分子の平均自由行程は、何らかの原因で
発生したイオン及び電子が電界により加速され、衝突せ
ずに移動できる平均距離と同じあるいはそれ以下の距離
である。従って、基板ホルダ１２とシールドカバー１４
との間隙を気体分子の平均自由行程以下にすることによ
り、イオン及び電子が気体分子と衝突する確率を小さく
し、連鎖的に電離が進行するのを防止している。
のシールドカバー１４が所定の距離隔てて設けられてい
る。このシールドカバー１４は、接地電極に接続されて
いる。このシールドカバー１４は、被膜を形成するとき
に、基板ホルダ１２に印加されるＲＦ電圧によって被膜
形成箇所以外の基板ホルダ１２と真空チャンバ８との間
で放電が発生するのを防止するために設けられている。
基板ホルダ１２とシールドカバー１４との間の間隙は、
気体分子の平均自由行程以下の距離となるように配置さ
れている。気体分子の平均自由行程は、何らかの原因で
発生したイオン及び電子が電界により加速され、衝突せ
ずに移動できる平均距離と同じあるいはそれ以下の距離
である。従って、基板ホルダ１２とシールドカバー１４
との間隙を気体分子の平均自由行程以下にすることによ
り、イオン及び電子が気体分子と衝突する確率を小さく
し、連鎖的に電離が進行するのを防止している。
【００２２】基板ホルダ１２とシールドカバー１４との
間隙は、特に気体分子の平均自由行程の１／１０以下の
距離にすることが好ましい。本実施例では、基板ホルダ
１２とシールドカバー１４との間隙を気体分子の平均自
由行程の１／１０以下である約５ｍｍとしている。
間隙は、特に気体分子の平均自由行程の１／１０以下の
距離にすることが好ましい。本実施例では、基板ホルダ
１２とシールドカバー１４との間隙を気体分子の平均自
由行程の１／１０以下である約５ｍｍとしている。
【００２３】シールドカバー１４には、開口部１５が形
成されている。この開口部１５を通って、プラズマ発生
室４から引き出されたプラズマが基板ホルダ１２に装着
された基板１３に放射されるようになっている。真空チ
ャンバ８内には、反応ガス導入管１６が設けられてい
る。この反応ガス導入管１６の先端は、開口部１５の上
方に位置する。図２は、この反応ガス導入管１６の先端
部分近傍を示す平面図である。図２を参照して、反応ガ
ス導入管１６は、外部から真空チャンバ内にＣＨ 4 ガス
を導入するガス導入部１６ａと、このガス導入部１６ａ
と垂直方向に接続されたガス放出部１６ｂとから構成さ
れている。ガス放出部１６ｂは、基板ホルダ１２の回転
方向Ａに対して垂直方向に配置され、かつ開口部１５の
上方の回転方向の上流側に位置するように設けられてい
る。ガス放出部１６ｂには、下方に向けて約４５度の方
向に複数の孔２１が形成されている。本実施例では、８
個の孔２１が形成されている。孔２１の間隔は、中央か
ら両側に向かうに従い徐々に狭くなるように形成されて
いる。このような間隔で孔２１を形成することにより、
ガス導入部１６ａから導入されたＣＨ4 ガスがそれぞれ
の孔２１からほぼ均等に放出される。
成されている。この開口部１５を通って、プラズマ発生
室４から引き出されたプラズマが基板ホルダ１２に装着
された基板１３に放射されるようになっている。真空チ
ャンバ８内には、反応ガス導入管１６が設けられてい
る。この反応ガス導入管１６の先端は、開口部１５の上
方に位置する。図２は、この反応ガス導入管１６の先端
部分近傍を示す平面図である。図２を参照して、反応ガ
ス導入管１６は、外部から真空チャンバ内にＣＨ 4 ガス
を導入するガス導入部１６ａと、このガス導入部１６ａ
と垂直方向に接続されたガス放出部１６ｂとから構成さ
れている。ガス放出部１６ｂは、基板ホルダ１２の回転
方向Ａに対して垂直方向に配置され、かつ開口部１５の
上方の回転方向の上流側に位置するように設けられてい
る。ガス放出部１６ｂには、下方に向けて約４５度の方
向に複数の孔２１が形成されている。本実施例では、８
個の孔２１が形成されている。孔２１の間隔は、中央か
ら両側に向かうに従い徐々に狭くなるように形成されて
いる。このような間隔で孔２１を形成することにより、
ガス導入部１６ａから導入されたＣＨ4 ガスがそれぞれ
の孔２１からほぼ均等に放出される。
【００２４】以下、図１に示す装置を用いて、ニッケル
基板上に硬質炭素被膜であるダイヤモンド状被膜を形成
する実施例について説明する。まず、基板ホルダ１２の
周面に２４個のＮｉ基板１３を等しい間隔で装着する。
次に、真空チャンバ８内を１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒに排
気し、基板ホルダ１２を約１０ｒｐｍの速度で回転させ
る。次に、ＥＣＲプラズマ発生装置の放電ガス導入管５
からＡｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒで供給するとと
もに、マイクロ波供給手段１から２．４５ＧＨｚ、１０
０Ｗのマイクロ波を供給して、プラズマ発生室４内に形
成されたＡｒプラズマを基板１３の表面に放射する。こ
れと同時に、基板１３に発生する自己バイアスが−２０
Ｖとなるように、高周波電源１０から１３．５６ＭＨｚ
のＲＦ電圧を基板ホルダ１２に印加する。反応ガス導入
管１６からは、ＣＨ4 ガスを１．３×１０-3Ｔｏｒｒで
供給する。反応ガス導入管１６から供給されたＣＨ4 ガ
スは、プラズマの作用により分解され、炭素が反応性の
高いイオンまたは中性の活性状態となって、基板１３の
表面に放射される。
基板上に硬質炭素被膜であるダイヤモンド状被膜を形成
する実施例について説明する。まず、基板ホルダ１２の
周面に２４個のＮｉ基板１３を等しい間隔で装着する。
次に、真空チャンバ８内を１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒに排
気し、基板ホルダ１２を約１０ｒｐｍの速度で回転させ
る。次に、ＥＣＲプラズマ発生装置の放電ガス導入管５
からＡｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒで供給するとと
もに、マイクロ波供給手段１から２．４５ＧＨｚ、１０
０Ｗのマイクロ波を供給して、プラズマ発生室４内に形
成されたＡｒプラズマを基板１３の表面に放射する。こ
れと同時に、基板１３に発生する自己バイアスが−２０
Ｖとなるように、高周波電源１０から１３．５６ＭＨｚ
のＲＦ電圧を基板ホルダ１２に印加する。反応ガス導入
管１６からは、ＣＨ4 ガスを１．３×１０-3Ｔｏｒｒで
供給する。反応ガス導入管１６から供給されたＣＨ4 ガ
スは、プラズマの作用により分解され、炭素が反応性の
高いイオンまたは中性の活性状態となって、基板１３の
表面に放射される。
【００２５】以上の工程をおよそ１５分間行い、基板１
３の表面に膜厚１２００Åのダイヤモンド状被膜を形成
した。図１０は、このようにして基板上に形成したダイ
ヤモンド状被膜を示す断面図である。図１０を参照し
て、基板１３上にダイヤモンド状被膜２１が形成されて
いる。
３の表面に膜厚１２００Åのダイヤモンド状被膜を形成
した。図１０は、このようにして基板上に形成したダイ
ヤモンド状被膜を示す断面図である。図１０を参照し
て、基板１３上にダイヤモンド状被膜２１が形成されて
いる。
【００２６】図３は、上記の実施例（以下「実施例１」
という）における成膜時間と基板温度との関係を示す図
である。また、図３においては、比較として、基板ホル
ダを回転させない以外は実施例１と同様にしてダイヤモ
ンド状被膜を形成させた比較例１、及びシールドカバー
を設けていない装置で基板ホルダを回転させずダイヤモ
ンド状被膜を形成した比較例２のデータを示している。
図３に示されるように、成膜１５分経過後において、実
施例１では基板温度が約４５℃となっているのに対し、
比較例１では約６０℃であり、比較例２では約１５０℃
となっている。比較例２において基板温度が非常に高く
なっているのは、被膜形成箇所以外の基板ホルダ１２と
真空チャンバ８間で放電が発生したためと思われる。比
較例１では、比較例２より基板温度が低くなっており、
シールドカバーを設けることにより基板温度が低くなる
ことがわかる。実施例１と比較例１を比較すると、実施
例１の方が基板温度が低くなっている。実施例１では基
板ホルダを回転させているため、プラズマ放電によって
加熱される部分が順次移動し、基板温度の上昇が抑えら
れるためと考えられる。本発明に従えば、基板温度の上
昇を抑制することができるので、基板の耐熱性を考慮す
ることなく、基板の種類を選択することができる。
という）における成膜時間と基板温度との関係を示す図
である。また、図３においては、比較として、基板ホル
ダを回転させない以外は実施例１と同様にしてダイヤモ
ンド状被膜を形成させた比較例１、及びシールドカバー
を設けていない装置で基板ホルダを回転させずダイヤモ
ンド状被膜を形成した比較例２のデータを示している。
図３に示されるように、成膜１５分経過後において、実
施例１では基板温度が約４５℃となっているのに対し、
比較例１では約６０℃であり、比較例２では約１５０℃
となっている。比較例２において基板温度が非常に高く
なっているのは、被膜形成箇所以外の基板ホルダ１２と
真空チャンバ８間で放電が発生したためと思われる。比
較例１では、比較例２より基板温度が低くなっており、
シールドカバーを設けることにより基板温度が低くなる
ことがわかる。実施例１と比較例１を比較すると、実施
例１の方が基板温度が低くなっている。実施例１では基
板ホルダを回転させているため、プラズマ放電によって
加熱される部分が順次移動し、基板温度の上昇が抑えら
れるためと考えられる。本発明に従えば、基板温度の上
昇を抑制することができるので、基板の耐熱性を考慮す
ることなく、基板の種類を選択することができる。
【００２７】以下、基板上に中間層を形成し、この中間
層上に硬質炭素被膜であるダイヤモンド状被膜を形成す
る実施例について説明する。図１１は、基板上に中間層
を形成し、この中間層上に硬質炭素被膜を形成した実施
例の断面図を示している。図１１を参照して、基板１３
上には、中間層２２が形成されており、この中間層２２
上に硬質炭素被膜２１が形成されている。
層上に硬質炭素被膜であるダイヤモンド状被膜を形成す
る実施例について説明する。図１１は、基板上に中間層
を形成し、この中間層上に硬質炭素被膜を形成した実施
例の断面図を示している。図１１を参照して、基板１３
上には、中間層２２が形成されており、この中間層２２
上に硬質炭素被膜２１が形成されている。
【００２８】図４は、本発明の第１の局面及び第２の局
面に従う実施例の硬質炭素被膜形成装置を示す概略断面
図である。図４を参照して、真空チャンバ８内に設けら
れた基板ホルダ１２の周囲には、シールドカバー４４が
設けられている。このシールドカバー４４には、第１開
口部４５と第２開口部４３が形成されている。本実施例
では、第１開口部４５と第２開口部４３はほぼ反対側の
位置に形成されている。シールドカバー４４は接地電極
に接続されている。第１開口部４５は、図１に示す開口
部１５と同様にして形成されており、図１に示す装置と
同様に、第１開口部４５の上方に反応ガス導入管１６の
先端が位置している。
面に従う実施例の硬質炭素被膜形成装置を示す概略断面
図である。図４を参照して、真空チャンバ８内に設けら
れた基板ホルダ１２の周囲には、シールドカバー４４が
設けられている。このシールドカバー４４には、第１開
口部４５と第２開口部４３が形成されている。本実施例
では、第１開口部４５と第２開口部４３はほぼ反対側の
位置に形成されている。シールドカバー４４は接地電極
に接続されている。第１開口部４５は、図１に示す開口
部１５と同様にして形成されており、図１に示す装置と
同様に、第１開口部４５の上方に反応ガス導入管１６の
先端が位置している。
【００２９】第２開口部４３の下方には、中間層を構成
する材料原子を電子ビームにより蒸発させて基板１３に
向けて放射するための蒸発源４１が設けられている。ま
た蒸発源４１の近傍には、蒸発源４１から蒸発した材料
原子にエネルギーを付与するため、不活性ガスのイオン
を放射するイオンガン４２が設けられている。本実施例
では、不活性ガスとしてＡｒガスを用いている。本実施
例においては、蒸発源４１及びイオンガン４２により、
中間層形成手段が構成されている。蒸発源４１及びイオ
ンガン４２により第２開口部４３を介して、基板１３上
に中間層を構成する材料原子が放射される。
する材料原子を電子ビームにより蒸発させて基板１３に
向けて放射するための蒸発源４１が設けられている。ま
た蒸発源４１の近傍には、蒸発源４１から蒸発した材料
原子にエネルギーを付与するため、不活性ガスのイオン
を放射するイオンガン４２が設けられている。本実施例
では、不活性ガスとしてＡｒガスを用いている。本実施
例においては、蒸発源４１及びイオンガン４２により、
中間層形成手段が構成されている。蒸発源４１及びイオ
ンガン４２により第２開口部４３を介して、基板１３上
に中間層を構成する材料原子が放射される。
【００３０】その他の構成は、図１に示す実施例と同様
であるので、同一の参照番号を付して説明を省略する。
であるので、同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００３１】以下、中間層として単一の元素から中間層
を形成し、その中間層の上にダイヤモンド状被膜を形成
する実施例について説明する。まず、実施例１と同様に
して、基板ホルダ１２の周面に２４個のＮｉ基板１３を
等間隔で装着する。真空チャンバ８内を１０-5〜１０-7
Ｔｏｒｒに排気して、基板ホルダ１２を約１０ｒｐｍの
速度で回転させる。次に、イオンガン４２にＡｒガスを
供給して、Ａｒイオンを取り出し、これを基板１３の表
面に放射する。このときのＡｒイオンの加速電圧は４０
０ｅＶ、イオン電流密度は０．３ｍＡ／ｃｍ2 に設定し
た。このＡｒイオンの放射と同時に、蒸発源４１を駆動
し、Ｒｕ原子を蒸発させて基板１２の表面に放射する。
このときのＲｕの蒸発速度は、基板１３上での成膜速度
に換算して４２０Å／分になるよう設定した。以上の工
程を約５分間行い、基板１３の表面に膜厚２００ÅのＲ
ｕからなる中間層を形成した。
を形成し、その中間層の上にダイヤモンド状被膜を形成
する実施例について説明する。まず、実施例１と同様に
して、基板ホルダ１２の周面に２４個のＮｉ基板１３を
等間隔で装着する。真空チャンバ８内を１０-5〜１０-7
Ｔｏｒｒに排気して、基板ホルダ１２を約１０ｒｐｍの
速度で回転させる。次に、イオンガン４２にＡｒガスを
供給して、Ａｒイオンを取り出し、これを基板１３の表
面に放射する。このときのＡｒイオンの加速電圧は４０
０ｅＶ、イオン電流密度は０．３ｍＡ／ｃｍ2 に設定し
た。このＡｒイオンの放射と同時に、蒸発源４１を駆動
し、Ｒｕ原子を蒸発させて基板１２の表面に放射する。
このときのＲｕの蒸発速度は、基板１３上での成膜速度
に換算して４２０Å／分になるよう設定した。以上の工
程を約５分間行い、基板１３の表面に膜厚２００ÅのＲ
ｕからなる中間層を形成した。
【００３２】次に、蒸発源４１及びイオンガン４２から
のＲｕ原子及びＡｒイオンの放射を止めた後、ＥＣＲプ
ラズマ発生装置の放電ガス導入管５からＡｒガスを５．
７×１０-4Ｔｏｒｒで供給するとともに、マイクロ波供
給手段１から２．４５ＧＨｚ、１００Ｗのマイクロ波を
供給して、プラズマ発生室４内に形成されたＡｒプラズ
マを基板１３の表面に放射する。これと同時に、基板１
３に発生する自己バイアスが−２０Ｖとなるように、高
周波電源１０から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を基板ホ
ルダ１２に印加し、反応ガス導入管１６からＣＨ4 ガス
を１．３×１０ -3Ｔｏｒｒで供給する。以上の工程を約
１５分間行い、基板１３上に形成した中間層の上に膜厚
１２００Åのダイヤモンド状被膜を形成した。
のＲｕ原子及びＡｒイオンの放射を止めた後、ＥＣＲプ
ラズマ発生装置の放電ガス導入管５からＡｒガスを５．
７×１０-4Ｔｏｒｒで供給するとともに、マイクロ波供
給手段１から２．４５ＧＨｚ、１００Ｗのマイクロ波を
供給して、プラズマ発生室４内に形成されたＡｒプラズ
マを基板１３の表面に放射する。これと同時に、基板１
３に発生する自己バイアスが−２０Ｖとなるように、高
周波電源１０から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を基板ホ
ルダ１２に印加し、反応ガス導入管１６からＣＨ4 ガス
を１．３×１０ -3Ｔｏｒｒで供給する。以上の工程を約
１５分間行い、基板１３上に形成した中間層の上に膜厚
１２００Åのダイヤモンド状被膜を形成した。
【００３３】以上の２つの工程の結果、図１１に示すよ
うな、基板１３の表面にＲｕからなる中間層２２を形成
し、この中間層２２上にダイヤモンド状被膜２１を形成
した積層薄膜が得られた。このような中間層２２の形成
により、ダイヤモンド状被膜２１中の応力を緩和させる
ことができ、基板１３とダイヤモンド被膜２１の密着性
を高めることができる。中間層２２の存在により、基板
１３とダイヤモンド状被膜２１との熱膨張係数の差によ
り生じていた熱応力を緩和させることができるため、ダ
イヤモンド状被膜２１中の応力を緩和させることができ
るものと考えられる。
うな、基板１３の表面にＲｕからなる中間層２２を形成
し、この中間層２２上にダイヤモンド状被膜２１を形成
した積層薄膜が得られた。このような中間層２２の形成
により、ダイヤモンド状被膜２１中の応力を緩和させる
ことができ、基板１３とダイヤモンド被膜２１の密着性
を高めることができる。中間層２２の存在により、基板
１３とダイヤモンド状被膜２１との熱膨張係数の差によ
り生じていた熱応力を緩和させることができるため、ダ
イヤモンド状被膜２１中の応力を緩和させることができ
るものと考えられる。
【００３４】以下、中間層として、材料原子と炭素の混
合層を形成し、この中間層上にダイヤモンド状被膜を形
成する実施例について説明する。この実施例でも、図４
に示す装置と同様の装置を用いる。
合層を形成し、この中間層上にダイヤモンド状被膜を形
成する実施例について説明する。この実施例でも、図４
に示す装置と同様の装置を用いる。
【００３５】まず、上記実施例１と同様にして、基板ホ
ルダ１２の周面に２４個のＮｉ基板１３を等しい間隔で
装着する。真空チャンバ８内を１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒ
に排気して、基板ホルダ１２を約１０ｒｐｍの速度で回
転させる。
ルダ１２の周面に２４個のＮｉ基板１３を等しい間隔で
装着する。真空チャンバ８内を１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒ
に排気して、基板ホルダ１２を約１０ｒｐｍの速度で回
転させる。
【００３６】次に、ＥＣＲプラズマ発生装置の放電ガス
導入管５からＡｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒで供給
するとともに、マイクロ波供給手段１から２．４５ＧＨ
ｚ、１００Ｗのマイクロ波を供給して、プラズマ発生室
４内に形成されたＡｒプラズマを基板１３の表面に放射
する。これと同時に、基板１３に発生する自己バイアス
が−２０Ｖとなるように、高周波電源１０から１３．５
６ＭＨｚのＲＦ電圧を基板ホルダ１２に印加し、反応ガ
ス導入管１６からＣＨ4 ガスを供給する。このときのＣ
Ｈ4 ガスの供給量を、図５に示すように、時間経過とと
もに漸次増加させ、５分経過時に１００ｓｃｃｍ、すな
わち１．３×１０-3Ｔｏｒｒとなるように設定する。
導入管５からＡｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒで供給
するとともに、マイクロ波供給手段１から２．４５ＧＨ
ｚ、１００Ｗのマイクロ波を供給して、プラズマ発生室
４内に形成されたＡｒプラズマを基板１３の表面に放射
する。これと同時に、基板１３に発生する自己バイアス
が−２０Ｖとなるように、高周波電源１０から１３．５
６ＭＨｚのＲＦ電圧を基板ホルダ１２に印加し、反応ガ
ス導入管１６からＣＨ4 ガスを供給する。このときのＣ
Ｈ4 ガスの供給量を、図５に示すように、時間経過とと
もに漸次増加させ、５分経過時に１００ｓｃｃｍ、すな
わち１．３×１０-3Ｔｏｒｒとなるように設定する。
【００３７】上記ＥＣＲプラズマ発生装置よる被膜形成
処理と同時に、基板１３の表面にイオンガン４２からＡ
ｒイオンを放射するとともに、蒸発源４１からＲｕ原子
を放射する。このときのＡｒイオンの加速電圧を４００
ｅＶ、イオン電流密度を０．３ｍＡ／ｃｍ2 に設定す
る。またＲｕの蒸発速度は、図６に示すように、基板１
３上での成膜速度に換算して４２０Å／分から時間経過
につれて漸次減少させ、５分経過後に０Å／分になるよ
うに設定する。Ｒｕの蒸発速度が０Å／分になった時
点、すなわち５分経過後に、イオンガン４２からのＡｒ
イオンの放射を止める。
処理と同時に、基板１３の表面にイオンガン４２からＡ
ｒイオンを放射するとともに、蒸発源４１からＲｕ原子
を放射する。このときのＡｒイオンの加速電圧を４００
ｅＶ、イオン電流密度を０．３ｍＡ／ｃｍ2 に設定す
る。またＲｕの蒸発速度は、図６に示すように、基板１
３上での成膜速度に換算して４２０Å／分から時間経過
につれて漸次減少させ、５分経過後に０Å／分になるよ
うに設定する。Ｒｕの蒸発速度が０Å／分になった時
点、すなわち５分経過後に、イオンガン４２からのＡｒ
イオンの放射を止める。
【００３８】以上のように、第１開口部４５におけるプ
ラズマＣＶＤ法による炭素被膜形成と、第２開口部４３
におけるＲｕの蒸着を同時に行うことにより、中間層と
してＲｕとＣが混合した中間層が形成される。本実施例
では、以上の工程を約５分間行うことにより、基板１３
の表面に合計膜厚２００ÅのＲｕとＣの混合層を形成し
た。図５及び図６に示すように、時間経過とともに、Ｒ
ｕの蒸着量を少なくし、炭素被膜形成量を多くしてい
る。従って、この中間層では、基板１３の表面から離れ
るに従いＲｕの含有量が漸次減少し、Ｃの含有量が漸次
増加する傾斜構造となっている。
ラズマＣＶＤ法による炭素被膜形成と、第２開口部４３
におけるＲｕの蒸着を同時に行うことにより、中間層と
してＲｕとＣが混合した中間層が形成される。本実施例
では、以上の工程を約５分間行うことにより、基板１３
の表面に合計膜厚２００ÅのＲｕとＣの混合層を形成し
た。図５及び図６に示すように、時間経過とともに、Ｒ
ｕの蒸着量を少なくし、炭素被膜形成量を多くしてい
る。従って、この中間層では、基板１３の表面から離れ
るに従いＲｕの含有量が漸次減少し、Ｃの含有量が漸次
増加する傾斜構造となっている。
【００３９】次に、このように形成した中間層の上に、
ダイヤモンド状被膜を形成した。反応ガス導入管１６か
ら供給するＣＨ4 ガスの供給分圧を１．３×１０-3Ｔｏ
ｒｒと一定にし、上記工程におけるＥＣＲプラズマ発生
装置による被膜形成処理を引き続き行う。この工程を約
１５分間行い、基板１３の中間層の上に膜厚１２００Å
のダイヤモンド状被膜を形成した。
ダイヤモンド状被膜を形成した。反応ガス導入管１６か
ら供給するＣＨ4 ガスの供給分圧を１．３×１０-3Ｔｏ
ｒｒと一定にし、上記工程におけるＥＣＲプラズマ発生
装置による被膜形成処理を引き続き行う。この工程を約
１５分間行い、基板１３の中間層の上に膜厚１２００Å
のダイヤモンド状被膜を形成した。
【００４０】以上の結果、基板上に、傾斜構造を有する
ＲｕとＣからなる中間層とダイヤモンド状被膜が積層さ
れた積層被膜が形成された。このような傾斜構造を有す
る中間層とすることにより、上記単一の元素の中間層よ
りも、基板とダイヤモンド状被膜の密着性を高めること
ができる。
ＲｕとＣからなる中間層とダイヤモンド状被膜が積層さ
れた積層被膜が形成された。このような傾斜構造を有す
る中間層とすることにより、上記単一の元素の中間層よ
りも、基板とダイヤモンド状被膜の密着性を高めること
ができる。
【００４１】以下、上記実施例の装置を用いて形成した
ダイヤモンド状被膜の密着性の評価試験を行った。サン
プルとしてはＮｉ基板上に直接ダイヤモンド状被膜を形
成したサンプル（実施例１）、Ｎｉ基板上にＲｕからな
る中間層を形成し、この中間層の上にダイヤモンド状被
膜を形成したサンプル（実施例２）、Ｎｉ基板上にＲｕ
とＣの混合層からなる中間層を形成し、この中間層上に
ダイヤモンド状被膜を形成したサンプル（実施例３）、
蒸発源としてＳｉの蒸発源を用い、Ｎｉ基板上にＳｉか
らなる中間層を形成し、この中間層上にダイヤモンド状
被膜を形成したサンプル（実施例４）を用いた。密着性
の評価は、ビッカース圧子を用いた一定荷重（荷重＝１
ｋｇ）の押し込み試験により行った。サンプル数を５０
個とし、Ｎｉ基板上のダイヤモンド状被膜に剥離が発生
した個数を数えて評価した。表１は、この結果を示す。
ダイヤモンド状被膜の密着性の評価試験を行った。サン
プルとしてはＮｉ基板上に直接ダイヤモンド状被膜を形
成したサンプル（実施例１）、Ｎｉ基板上にＲｕからな
る中間層を形成し、この中間層の上にダイヤモンド状被
膜を形成したサンプル（実施例２）、Ｎｉ基板上にＲｕ
とＣの混合層からなる中間層を形成し、この中間層上に
ダイヤモンド状被膜を形成したサンプル（実施例３）、
蒸発源としてＳｉの蒸発源を用い、Ｎｉ基板上にＳｉか
らなる中間層を形成し、この中間層上にダイヤモンド状
被膜を形成したサンプル（実施例４）を用いた。密着性
の評価は、ビッカース圧子を用いた一定荷重（荷重＝１
ｋｇ）の押し込み試験により行った。サンプル数を５０
個とし、Ｎｉ基板上のダイヤモンド状被膜に剥離が発生
した個数を数えて評価した。表１は、この結果を示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】表１から明らかなように、中間層を設けた
実施例２、３及び４は、中間層を設けていない実施例１
よりも剥離発生個数が少なくなっている。従って、中間
層を設けることによりダイヤモンド状被膜の密着性が向
上することがわかる。特に、実施例３から明らかなよう
に、ＲｕとＣからなる傾斜構造を有する中間層を形成す
ることにより、ダイヤモンド状被膜の密着性が飛躍的に
向上することがわかる。
実施例２、３及び４は、中間層を設けていない実施例１
よりも剥離発生個数が少なくなっている。従って、中間
層を設けることによりダイヤモンド状被膜の密着性が向
上することがわかる。特に、実施例３から明らかなよう
に、ＲｕとＣからなる傾斜構造を有する中間層を形成す
ることにより、ダイヤモンド状被膜の密着性が飛躍的に
向上することがわかる。
【００４４】また実施例２と実施例４の比較から明らか
なように、Ｎｉ基板に対しては、ＳｉよりもＲｕの方が
中間層を構成する材料原子として優れていることがわか
る。
なように、Ｎｉ基板に対しては、ＳｉよりもＲｕの方が
中間層を構成する材料原子として優れていることがわか
る。
【００４５】図７は、本発明の第１の局面及び第３の局
面に従う実施例の硬質炭素被膜形成装置を示す概略断面
図である。図７を参照して、真空チャンバ８内に設けら
れた基板ホルダ１２の周囲には、シールドカバー４４が
設けられている。このシールドカバー４４には、第１開
口部４５と第２開口部４３が形成されている。本実施例
では、第１開口部４５と第２開口部４３はほぼ反対側の
位置に形成されている。シールドカバー４４は接地電極
に接続されている。第１開口部４５は、図１に示す開口
部１５と同様にして形成されており、図１に示す装置と
同様に、第１開口部４５の上方に反応ガス導入管１６の
先端が位置している。
面に従う実施例の硬質炭素被膜形成装置を示す概略断面
図である。図７を参照して、真空チャンバ８内に設けら
れた基板ホルダ１２の周囲には、シールドカバー４４が
設けられている。このシールドカバー４４には、第１開
口部４５と第２開口部４３が形成されている。本実施例
では、第１開口部４５と第２開口部４３はほぼ反対側の
位置に形成されている。シールドカバー４４は接地電極
に接続されている。第１開口部４５は、図１に示す開口
部１５と同様にして形成されており、図１に示す装置と
同様に、第１開口部４５の上方に反応ガス導入管１６の
先端が位置している。
【００４６】第２開口部４３の下方には、中間層を構成
する材料原子からなるターゲット４６が設けられてい
る。またターゲット４６の近傍には、ターゲット４６を
スパッタするため、不活性ガスのイオンをターゲット４
６に放射するイオンガン４７が設けられている。本実施
例では、不活性ガスとしてＡｒガスを用いている。本実
施例においては、ターゲット４６及びイオンガン４７に
より、中間層形成手段が構成されている。本実施例で
は、基板として薄膜ヘッド４８が基板ホルダ１２に装着
されている。ターゲット４６及びイオンガン４７により
第２開口部４３を介して、薄膜ヘッド４８上に中間層を
構成する材料原子が放射される。
する材料原子からなるターゲット４６が設けられてい
る。またターゲット４６の近傍には、ターゲット４６を
スパッタするため、不活性ガスのイオンをターゲット４
６に放射するイオンガン４７が設けられている。本実施
例では、不活性ガスとしてＡｒガスを用いている。本実
施例においては、ターゲット４６及びイオンガン４７に
より、中間層形成手段が構成されている。本実施例で
は、基板として薄膜ヘッド４８が基板ホルダ１２に装着
されている。ターゲット４６及びイオンガン４７により
第２開口部４３を介して、薄膜ヘッド４８上に中間層を
構成する材料原子が放射される。
【００４７】また、イオンガン４７からのイオンはター
ゲット４６のみならず薄膜ヘッド４８にも照射される。
ゲット４６のみならず薄膜ヘッド４８にも照射される。
【００４８】その他の構成は、図１に示す実施例と同様
であるので、同一の参照番号を付して説明を省略する。
であるので、同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００４９】以下、中間層として単一の元素から中間層
を形成し、その中間層の上にダイヤモンド状被膜を形成
する実施例について説明する。まず、実施例１と同様に
して、基板ホルダ１２の周面に２４個の薄膜ヘッド４８
を等間隔で装着する。真空チャンバ８内を１０-5〜１０
-7Ｔｏｒｒに排気して、基板ホルダ１２を約１０ｒｐｍ
の速度で回転させる。次に、イオンガン４７にＡｒガス
を供給して、Ａｒイオンを取り出し、これをＳｉからな
るターゲット４６の表面に放射する。このときのＡｒイ
オンの加速電圧は９００ｅＶ、イオン電流密度は０．３
ｍＡ／ｃｍ2 に設定した。以上の工程を約２分間行い、
薄膜ヘッド４８の表面に膜厚６０ÅのＳｉからなる中間
層を形成した。
を形成し、その中間層の上にダイヤモンド状被膜を形成
する実施例について説明する。まず、実施例１と同様に
して、基板ホルダ１２の周面に２４個の薄膜ヘッド４８
を等間隔で装着する。真空チャンバ８内を１０-5〜１０
-7Ｔｏｒｒに排気して、基板ホルダ１２を約１０ｒｐｍ
の速度で回転させる。次に、イオンガン４７にＡｒガス
を供給して、Ａｒイオンを取り出し、これをＳｉからな
るターゲット４６の表面に放射する。このときのＡｒイ
オンの加速電圧は９００ｅＶ、イオン電流密度は０．３
ｍＡ／ｃｍ2 に設定した。以上の工程を約２分間行い、
薄膜ヘッド４８の表面に膜厚６０ÅのＳｉからなる中間
層を形成した。
【００５０】次に、イオンガン４７からのＡｒイオンの
放射を止めた後、ＥＣＲプラズマ発生装置の放電ガス導
入管５からＡｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒで供給す
るとともに、マイクロ波供給手段１から２．４５ＧＨ
ｚ、１００Ｗのマイクロ波を供給して、プラズマ発生室
４内に形成されたＡｒプラズマを薄膜ヘッド４８の表面
に放射する。これと同時に、薄膜ヘッド４８に発生する
自己バイアスが−２０Ｖとなるように、高周波電源１０
から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を基板ホルダ１２に印
加し、反応ガス導入管１６からＣＨ4 ガスを１．３×１
０-3Ｔｏｒｒで供給する。以上の工程を約２．５分間行
い、薄膜ヘッド４８上に形成した中間層の上に膜厚２０
０Åのダイヤモンド状被膜を形成した。
放射を止めた後、ＥＣＲプラズマ発生装置の放電ガス導
入管５からＡｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒで供給す
るとともに、マイクロ波供給手段１から２．４５ＧＨ
ｚ、１００Ｗのマイクロ波を供給して、プラズマ発生室
４内に形成されたＡｒプラズマを薄膜ヘッド４８の表面
に放射する。これと同時に、薄膜ヘッド４８に発生する
自己バイアスが−２０Ｖとなるように、高周波電源１０
から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を基板ホルダ１２に印
加し、反応ガス導入管１６からＣＨ4 ガスを１．３×１
０-3Ｔｏｒｒで供給する。以上の工程を約２．５分間行
い、薄膜ヘッド４８上に形成した中間層の上に膜厚２０
０Åのダイヤモンド状被膜を形成した。
【００５１】以上の２つの工程の結果、薄膜ヘッド４８
の表面にＳｉからなる中間層を形成し、この中間層上に
ダイヤモンド状被膜を形成した積層薄膜が得られた。こ
のような中間層の形成により、ダイヤモンド状被膜中の
応力を緩和させることができ、基板とダイヤモンド被膜
の密着性を高めることができる。中間層の存在により、
基板とダイヤモンド状被膜との熱膨張係数の差により生
じていた熱応力を緩和させることができるため、ダイヤ
モンド状被膜中の応力を緩和させることができるものと
考えられる。また、中間層形成の際、Ａｒイオンがター
ゲットのみならず薄膜ヘッドにも照射されるため、より
密着性の高い中間層が形成される。
の表面にＳｉからなる中間層を形成し、この中間層上に
ダイヤモンド状被膜を形成した積層薄膜が得られた。こ
のような中間層の形成により、ダイヤモンド状被膜中の
応力を緩和させることができ、基板とダイヤモンド被膜
の密着性を高めることができる。中間層の存在により、
基板とダイヤモンド状被膜との熱膨張係数の差により生
じていた熱応力を緩和させることができるため、ダイヤ
モンド状被膜中の応力を緩和させることができるものと
考えられる。また、中間層形成の際、Ａｒイオンがター
ゲットのみならず薄膜ヘッドにも照射されるため、より
密着性の高い中間層が形成される。
【００５２】以下、中間層として、材料原子と炭素の混
合層を形成し、この中間層上にダイヤモンド状被膜を形
成する実施例について説明する。この実施例でも、図７
に示す装置と同様の装置を用いる。
合層を形成し、この中間層上にダイヤモンド状被膜を形
成する実施例について説明する。この実施例でも、図７
に示す装置と同様の装置を用いる。
【００５３】まず、基板ホルダ１２の周面に２４個の薄
膜ヘッド４８を等しい間隔で装着する。真空チャンバ８
内を１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒに排気して、基板ホルダ１
２を約１０ｒｐｍの速度で回転させる。
膜ヘッド４８を等しい間隔で装着する。真空チャンバ８
内を１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒに排気して、基板ホルダ１
２を約１０ｒｐｍの速度で回転させる。
【００５４】次に、ＥＣＲプラズマ発生装置の放電ガス
導入管５からＡｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒで供給
するとともに、マイクロ波供給手段１から２．４５ＧＨ
ｚ、１００Ｗのマイクロ波を供給して、プラズマ発生室
４内に形成されたＡｒプラズマを薄膜ヘッド４８の表面
に放射する。これと同時に、薄膜ヘッド４８に発生する
自己バイアスが−２０Ｖとなるように、高周波電源１０
から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を基板ホルダ１２に印
加し、反応ガス導入管１６からＣＨ4 ガスを供給する。
このときのＣＨ4 ガスの供給量を、図８に示すように、
時間経過とともに漸次増加させ、３分経過時に１００ｓ
ｃｃｍ、すなわち１．３×１０-3Ｔｏｒｒとなるように
設定する。
導入管５からＡｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒで供給
するとともに、マイクロ波供給手段１から２．４５ＧＨ
ｚ、１００Ｗのマイクロ波を供給して、プラズマ発生室
４内に形成されたＡｒプラズマを薄膜ヘッド４８の表面
に放射する。これと同時に、薄膜ヘッド４８に発生する
自己バイアスが−２０Ｖとなるように、高周波電源１０
から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を基板ホルダ１２に印
加し、反応ガス導入管１６からＣＨ4 ガスを供給する。
このときのＣＨ4 ガスの供給量を、図８に示すように、
時間経過とともに漸次増加させ、３分経過時に１００ｓ
ｃｃｍ、すなわち１．３×１０-3Ｔｏｒｒとなるように
設定する。
【００５５】上記ＥＣＲプラズマ発生装置よる被膜形成
処理と同時に、ターゲット４６の表面にイオンガン４７
からＡｒイオンを放射する。このときのＡｒイオンの加
速電圧を９００ｅＶ、イオン電流密度を０．３ｍＡ／ｃ
ｍ2 に設定する。またイオン電流密度を、図９に示すよ
うに、時間経過につれて漸次減少させ、３分経過後に０
ｍＡ／ｃｍ2 になるように設定する。
処理と同時に、ターゲット４６の表面にイオンガン４７
からＡｒイオンを放射する。このときのＡｒイオンの加
速電圧を９００ｅＶ、イオン電流密度を０．３ｍＡ／ｃ
ｍ2 に設定する。またイオン電流密度を、図９に示すよ
うに、時間経過につれて漸次減少させ、３分経過後に０
ｍＡ／ｃｍ2 になるように設定する。
【００５６】以上のように、第１開口部４５におけるプ
ラズマＣＶＤ法による炭素被膜形成と、第２開口部４３
におけるＳｉのスパッタリングを同時に行うことによ
り、中間層としてＳｉとＣが混合した中間層が形成され
る。本実施例では、以上の工程を約３分間行うことによ
り、薄膜ヘッド４８の表面に合計膜厚６０ÅのＳｉとＣ
の混合層を形成した。図８及び図９に示すように、時間
経過とともに、Ｓｉの量を少なくし、炭素被膜形成量を
多くしている。従って、この中間層では、薄膜ヘッド４
８の表面から離れるに従いＳｉの含有量が漸次減少し、
Ｃの含有量が漸次増加する傾斜構造となっている。
ラズマＣＶＤ法による炭素被膜形成と、第２開口部４３
におけるＳｉのスパッタリングを同時に行うことによ
り、中間層としてＳｉとＣが混合した中間層が形成され
る。本実施例では、以上の工程を約３分間行うことによ
り、薄膜ヘッド４８の表面に合計膜厚６０ÅのＳｉとＣ
の混合層を形成した。図８及び図９に示すように、時間
経過とともに、Ｓｉの量を少なくし、炭素被膜形成量を
多くしている。従って、この中間層では、薄膜ヘッド４
８の表面から離れるに従いＳｉの含有量が漸次減少し、
Ｃの含有量が漸次増加する傾斜構造となっている。
【００５７】次に、このように形成した中間層の上に、
ダイヤモンド状被膜を形成した。反応ガス導入管１６か
ら供給するＣＨ4 ガスの供給分圧を１．３×１０-3Ｔｏ
ｒｒと一定にし、上記工程におけるＥＣＲプラズマ発生
装置による被膜形成処理を引き続き行う。この工程を約
２．５分間行い、薄膜ヘッド４８の中間層の上に膜厚２
００Åのダイヤモンド状被膜を形成した。
ダイヤモンド状被膜を形成した。反応ガス導入管１６か
ら供給するＣＨ4 ガスの供給分圧を１．３×１０-3Ｔｏ
ｒｒと一定にし、上記工程におけるＥＣＲプラズマ発生
装置による被膜形成処理を引き続き行う。この工程を約
２．５分間行い、薄膜ヘッド４８の中間層の上に膜厚２
００Åのダイヤモンド状被膜を形成した。
【００５８】以上の結果、基板上に、傾斜構造を有する
ＳｉとＣからなる中間層とダイヤモンド状被膜が積層さ
れた積層被膜が形成された。このような傾斜構造を有す
る中間層とすることにより、上記単一の元素の中間層よ
りも、基板とダイヤモンド状被膜の密着性を高めること
ができる。
ＳｉとＣからなる中間層とダイヤモンド状被膜が積層さ
れた積層被膜が形成された。このような傾斜構造を有す
る中間層とすることにより、上記単一の元素の中間層よ
りも、基板とダイヤモンド状被膜の密着性を高めること
ができる。
【００５９】上記実施例では、プラズマ発生手段として
ＥＣＲプラズマ発生装置を例にして説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば高周波プラズ
マＣＶＤ装置、ＤＣプラズマＣＶＤ装置などその他のプ
ラズマＣＶＤ装置を用いることができる。
ＥＣＲプラズマ発生装置を例にして説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば高周波プラズ
マＣＶＤ装置、ＤＣプラズマＣＶＤ装置などその他のプ
ラズマＣＶＤ装置を用いることができる。
【００６０】
【発明の効果】本発明の装置では、真空チャンバ内に筒
状の基板ホルダが設けられており、この基板ホルダに多
数の基板を装着することができる。従って、１回の真空
排気で処理できる基板の個数を増大させることが可能と
なる。
状の基板ホルダが設けられており、この基板ホルダに多
数の基板を装着することができる。従って、１回の真空
排気で処理できる基板の個数を増大させることが可能と
なる。
【００６１】また基板ホルダの周りにはシールドカバー
が設けられているので、被膜形成箇所以外の基板近傍で
の放電の発生を防止することができる。従って、基板を
低温に維持したまま成膜を行うことが可能となり、基板
の耐熱性を考慮する必要がなくなる。
が設けられているので、被膜形成箇所以外の基板近傍で
の放電の発生を防止することができる。従って、基板を
低温に維持したまま成膜を行うことが可能となり、基板
の耐熱性を考慮する必要がなくなる。
【００６２】また、本発明に従う第１の局面の装置で
は、さらに中間層形成手段が設けられている。このた
め、１回の真空排気の工程で、基板上に中間層を形成さ
せることができる。
は、さらに中間層形成手段が設けられている。このた
め、１回の真空排気の工程で、基板上に中間層を形成さ
せることができる。
【００６３】また、プラズマ発生手段による薄膜形成工
程と中間層形成手段による薄膜形成工程を交互に行い、
それぞれの薄膜形成条件を変化させることにより、中間
層の材料組成比を変化させることができる。従って、中
間層として傾斜構造を有した中間層を形成することがで
き、基板と硬質炭素被膜との間の密着性をより一層向上
させることも可能となる。
程と中間層形成手段による薄膜形成工程を交互に行い、
それぞれの薄膜形成条件を変化させることにより、中間
層の材料組成比を変化させることができる。従って、中
間層として傾斜構造を有した中間層を形成することがで
き、基板と硬質炭素被膜との間の密着性をより一層向上
させることも可能となる。
【図１】本発明に従う一実施例の硬質炭素被膜形成装置
を示す概略断面図。
を示す概略断面図。
【図２】図１に示す実施例における反応ガス導入管の先
端部分近傍を示す平面図。
端部分近傍を示す平面図。
【図３】本発明に従う実施例における成膜時間と基板温
度との関係を示す図。
度との関係を示す図。
【図４】本発明の第２の局面に従う実施例の硬質炭素被
膜形成装置を示す概略断面図。
膜形成装置を示す概略断面図。
【図５】本発明の第２の局面に従う実施例の装置を用い
て傾斜構造を有する中間層を形成する際の成膜時間とＣ
Ｈ4 流量との関係を示す図。
て傾斜構造を有する中間層を形成する際の成膜時間とＣ
Ｈ4 流量との関係を示す図。
【図６】本発明の第２の局面に従う実施例の装置を用い
て傾斜構造を有する中間層を形成する場合の成膜時間と
蒸発速度との関係を示す図。
て傾斜構造を有する中間層を形成する場合の成膜時間と
蒸発速度との関係を示す図。
【図７】本発明の第３の局面に従う実施例の硬質炭素被
膜形成装置を示す概略断面図。
膜形成装置を示す概略断面図。
【図８】本発明の第３の局面に従う実施例の装置を用い
て傾斜構造を有する中間層を形成する際の成膜時間とＣ
Ｈ4 流量との関係を示す図。
て傾斜構造を有する中間層を形成する際の成膜時間とＣ
Ｈ4 流量との関係を示す図。
【図９】本発明の第３の局面に従う実施例の装置を用い
て傾斜構造を有する中間層を形成する場合の成膜時間と
イオン電流密度との関係を示す図。
て傾斜構造を有する中間層を形成する場合の成膜時間と
イオン電流密度との関係を示す図。
【図１０】基板上に直接ダイヤモンド状被膜を形成する
実施例の断面図。
実施例の断面図。
【図１１】基板上に中間層を形成し、その上にダイヤモ
ンド状被膜を形成する実施例の断面図。
ンド状被膜を形成する実施例の断面図。
【図１２】従来の硬質炭素被膜形成装置を示す概略断面
図。
図。
１…マイクロ波供給手段 ２…導波管 ３…マイクロ波導入窓 ４…プラズマ発生室 ５…放電ガス導入管 ６…磁界発生手段 ８…真空チャンバ １０…高周波電源 １２…基板ホルダ １３…基板 １４…シールドカバー １５…開口部 １６…反応ガス導入管 ４１…蒸発源 ４２…イオンガン ４３…第２開口部 ４４…シールドカバー ４５…第１開口部 ４６…ターゲット ４７…イオンガン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木山 精一 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−177576（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−140730（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−346653（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/54
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に硬質炭素被膜を形成するための
装置であって、 真空チャンバと、 前記真空チャンバ内に回転自在に設けられる基板ホルダ
と、 前記基板ホルダの周面を囲むように設けられ、その一部
に開口部を有し、さらに所定電位に保持されているシー
ルドカバーと、 前記真空チャンバ内にプラズマを発生させ、該プラズマ
を前記開口部を介して前記基板に向けて放射するプラズ
マ発生手段と、 前記プラズマ発生手段からのプラズマ中に炭素を含む反
応ガスを供給する反応ガス導入手段と、 前記基板に発生する自己バイアスが負となるように高周
波電圧を前記基板ホルダに印加する高周波電源と、 を備える硬質炭素被膜形成装置。 - 【請求項２】 基板上に硬質炭素被膜を形成するための
装置であって、 真空チャンバと、 前記真空チャンバ内に回転自在に設けられる基板ホルダ
と、 前記基板ホルダの周面を囲むように設けられ、その一部
に開口部を有し、さらに接地されているシールドカバー
と、 前記真空チャンバ内にプラズマを発生させ、該プラズマ
を前記開口部を介して前記基板に向けて放射するプラズ
マ発生手段と、 前記プラズマ発生手段からのプラズマ中に炭素を含む反
応ガスを供給する反応ガス導入手段と、 前記基板に発生する自己バイアスが負となるように高周
波電圧を前記基板ホルダに印加する高周波電源と、 を備える硬質炭素被膜形成装置。 - 【請求項３】 基板上に中間層を形成し、該中間層の上
に硬質炭素被膜を形成するための装置であって、 真空チャンバと、 前記真空チャンバ内に回転自在に設けられる基板ホルダ
と、 前記基板ホルダの周面を囲むように設けられ、その一部
に第１、及び第２開口部を有し、さらに所定電位に保持
されているシールドカバーと、 前記真空チャンバ内にプラズマを発生させ、該プラズマ
を前記第１開口部を介して前記基板に向けて放射するプ
ラズマ発生手段と、 前記プラズマ発生手段からのプラズマ中に炭素を含む反
応ガスを供給する反応ガス導入手段と、 前記基板に発生する自己バイアスが負となるように高周
波電圧を前記基板ホルダに印加する高周波電源と、 前記真空チャンバ内に設けられ、前記第２開口部を介し
て前記基板に向けて前記中間層を構成する材料原子を放
射する中間層形成手段と、 を備える硬質炭素被膜形成装置。 - 【請求項４】 基板上に中間層を形成し、該中間層の上
に硬質炭素被膜を形成するための装置であって、 真空チャンバと、 前記真空チャンバ内に回転自在に設けられる基板ホルダ
と、 前記基板ホルダの周面を囲むように設けられ、その一部
に第１、及び第２開口部を有し、さらに接地されている
シールドカバーと、 前記真空チャンバ内にプラズマを発生させ、該プラズマ
を前記第１開口部を介して前記基板に向けて放射するプ
ラズマ発生手段と、 前記プラズマ発生手段からのプラズマ中に炭素を含む反
応ガスを供給する反応ガス導入手段と、 前記基板に発生する自己バイアスが負となるように高周
波電圧を前記基板ホルダに印加する高周波電源と、 前記真空チャンバ内に設けられ、前記第２開口部を介し
て前記基板に向けて前記中間層を構成する材料原子を放
射する中間層形成手段と、 を備える硬質炭素被膜形成装置。 - 【請求項５】 前記中間層形成手段が、 前記真空チャンバ内に設けられ、前記第２開口部を介し
て前記基板に向けて前記中間層を構成する材料原子を放
射する蒸発源と、 前記蒸発源からの材料原子の放射と同時に、前記第２開
口部を介して前記基板に向けて不活性ガスのイオンを放
射するイオンガンと、 を備える請求項３乃至請求項４に記載の硬質炭素被膜形
成装置。 - 【請求項６】 前記中間層形成手段が、 前記真空チャンバ内に設けられ、前記中間層を構成する
材料原子を、前記第２開口部を介して前記基板に向けて
スパッタするための該材料原子からなるターゲットと、 前記ターゲットをスパッタするために前記ターゲットに
向けて不活性ガスのイオンを放射するイオンガンと、 を備える請求項３乃至請求項４に記載の硬質炭素被膜形
成装置。 - 【請求項７】 前記プラズマ発生手段が、電子サイクロ
トロン共鳴プラズマＣＶＤ装置である請求項１〜６のい
ずれかに記載の硬質炭素被膜形成装置。 - 【請求項８】 前記シールドカバーが、前記基板ホルダ
の周面から気体分子の平均自由行程以下の距離隔てて設
けられている請求項１〜７のいずれかに記載の硬質炭素
被膜形成装置。 - 【請求項９】 前記シールドカバーが、前記基板ホルダ
の周面から気体分子の平均自由行程の１／１０以下の距
離隔てて設けられている請求項１〜７のいずれかに記載
の硬質炭素被膜形成装置。 - 【請求項１０】 前記中間層を構成する材料原子が、Ｓ
ｉ、Ｒｕ、炭素、Ｇｅ、またはこれらの元素と炭素、窒
素及び酸素のうちの少なくとも１種の元素との混合物で
ある請求項３〜９のいずれかに記載の硬質炭素被膜形成
装置。 - 【請求項１１】 前記基板がＮｉまたはＡｌを主成分と
する金属もしくは合金、またはステンレス鋼からなる基
板である請求項１〜１０のいずれかに記載の硬質炭素被
膜形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6119224A JP3025743B2 (ja) | 1993-07-07 | 1994-05-31 | 硬質炭素被膜形成装置 |
| KR1019940016062A KR100325560B1 (ko) | 1993-07-07 | 1994-07-06 | 경질탄소피막기판및그형성방법및장치 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16786693 | 1993-07-07 | ||
| JP5-167866 | 1993-07-07 | ||
| JP6119224A JP3025743B2 (ja) | 1993-07-07 | 1994-05-31 | 硬質炭素被膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0770756A JPH0770756A (ja) | 1995-03-14 |
| JP3025743B2 true JP3025743B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=26457005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6119224A Expired - Fee Related JP3025743B2 (ja) | 1993-07-07 | 1994-05-31 | 硬質炭素被膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3025743B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| JP3340001B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2002-10-28 | 京セラ株式会社 | 耐摩耗性部材 |
| JPH10130865A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 硬質炭素被膜基板及びその形成方法 |
| EP0828015A3 (en) | 1996-09-06 | 1998-07-15 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Hard carbon film-coated substrate and method for fabricating the same |
| JP4536090B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2010-09-01 | トヨタ自動車株式会社 | 炭素薄膜の製造方法 |
| CN103597118B (zh) * | 2011-06-17 | 2016-10-26 | 太阳诱电化学科技株式会社 | 利用硬质膜被覆而成的硬质膜被覆构件及其制造方法 |
| CN106062348A (zh) * | 2014-03-04 | 2016-10-26 | 本田技研工业株式会社 | 内燃机用气缸体及其制造方法 |
-
1994
- 1994-05-31 JP JP6119224A patent/JP3025743B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770756A (ja) | 1995-03-14 |
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