JP3023566B2 - Dicing equipment - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はダイシング装置に係り、特にウエハを所要の
半導体チップに切断するダイシング装置に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing apparatus, and more particularly to a dicing apparatus for cutting a wafer into required semiconductor chips.
ダイシング装置は搬送されて来たウエハをアライメン
トし、ウエハを所要の半導体チップに切断する。The dicing apparatus aligns the transferred wafer and cuts the wafer into required semiconductor chips.
アライメントは公知のアライメント用画像認識技術を
用いて行う（例えば特開昭54−159876号公報参照）。公
知のアライメント用画像認識技術は、ウエハ上のリフ
ァレンスパターン（基準パターン）をメモリに登録す
る。ウエハ上にはパターンが多数繰返し形成されてい
るので、このうちウエハ上の任意の２点（比較位置）で
前記リファレンスパターンと比較することによりリファ
レンスパターンと同一のパターンをさがし出し、その座
標値を記憶する。求めた両座標値よりウエハの傾きを
修正すると共に傾き修正後の新座標値を座標変換により
求める。The alignment is performed using a known image recognition technology for alignment (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 54-159876). In a known alignment image recognition technique, a reference pattern (reference pattern) on a wafer is registered in a memory. Since a large number of patterns are repeatedly formed on the wafer, the same pattern as the reference pattern is found by comparing the reference pattern at any two points (comparison positions) on the wafer. Remember. The inclination of the wafer is corrected based on the obtained two coordinate values, and a new coordinate value after the inclination correction is obtained by coordinate conversion.
このようなアライメント用画像認識技術では、正常な
ウエハでは予めサイズが決まっているので、サイズを手
入力し、そのサイズの範囲内で前記リファレンスパター
ンと同一のパターンをさがすようにしている。In such an image recognition technology for alignment, since the size of a normal wafer is determined in advance, the size is manually input, and the same pattern as the reference pattern is searched for within the size range.
しかしながら、従来の自動アライメント方法では第12
図に示すように割れウエハ２を領域１内で自動アライメ
ントする時はアライメントの実行は○印をつけた付近で
行われる場合がある。従って、例えば第12図上の○印
３、○印４の位置ではウエハ２のリファレンスパターン
と同一のパターンを見つけることができないという問題
がある。However, with the conventional automatic alignment method, the twelfth
As shown in the figure, when the broken wafer 2 is automatically aligned in the area 1, the alignment may be performed in the vicinity of the circle. Therefore, there is a problem that the same pattern as the reference pattern of the wafer 2 cannot be found at the positions of the marks 3 and 4 in FIG. 12, for example.
また、割れウエハの切断においては、第13図（Ａ）に
示すように割れウエハ４が存在しない領域６もカッティ
ング領域７に含まれるので（第13図（Ｂ）参照）、スル
ープット（単位時間当りの処理数）が低下するという問
題がある。尚、第13図（Ｂ）上で7Aはウエハを所望のチ
ップに切断する切断線である。In the cutting of the cracked wafer, as shown in FIG. 13 (A), the area 6 where the cracked wafer 4 does not exist is also included in the cutting area 7 (see FIG. 13 (B)), so that the throughput (per unit time) Is reduced. In FIG. 13B, 7A is a cutting line for cutting the wafer into desired chips.
また、正常な円形ウエハでも、第14図に示すようにウ
エハ８の中心C1とフレーム９の内側開口部9Aの中心C2と
にズレが生じる場合があり、予め余裕をみてフレーム９
の内側開口部9Aのウエハ面積より大きな、余裕部分を含
んだ領域をカッティング領域とするのでスループットが
低下するという問題がある。Even in a normal circular wafer, the center C1 of the wafer 8 may be misaligned with the center C2 of the inner opening 9A of the frame 9 as shown in FIG.
Since the area including the marginal area larger than the wafer area of the inner opening 9A is included in the cutting area, the throughput is reduced.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、適
正なアライメントが実行出来、最小カッティング領域を
得ることによりダイシングの高スループット化を図るこ
とができるダイシング装置を提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object of the present invention to provide a dicing apparatus capable of performing appropriate alignment and achieving high dicing throughput by obtaining a minimum cutting area.
本発明は、前記目的を達成する為に、ウエハ上のパタ
ーンをアライメント手段でリファレンスパターン（基準
パターン）と比較することによりアライメントし、回転
刃でウエハを所望の半導体チップに切断するダイシング
装置において、割れウエハ又は通常のウエハの周縁形状
を認識するウエハの形状認識手段を備え、前記認識され
たウエハの周縁形状に基づいて、ウエハ上の前記リファ
レンスパターンとの比較位置を前記ウエハの周縁形状の
範囲内に入るように定めてウエハをアライメントするこ
とを特徴としている。In order to achieve the above object, the present invention provides a dicing apparatus for aligning a pattern on a wafer by comparing the pattern on a wafer with a reference pattern (reference pattern) by an alignment means, and cutting the wafer into desired semiconductor chips with a rotary blade. A wafer shape recognizing means for recognizing a peripheral shape of the broken wafer or a normal wafer; and, based on the recognized peripheral shape of the wafer, a comparison position with the reference pattern on the wafer in a range of the peripheral shape of the wafer. It is characterized in that the wafer is aligned so as to fall within the range.
また、前記目的を達成する為に、ウエハをアライメン
ト手段でアライメントし、回転刃でウエハを所望の半導
体チップに切断するダイシング装置において、割れウエ
ハ又は通常のウエハの周縁形状を認識するウエハの形状
認識手段を備え、前記認識されたウエハの周縁形状に基
づいて、前記ウエハの周縁最小限のカッティング領域を
設定し、該カッティング領域の範囲内で前記回転刃とウ
エハを相対的に移動させて前記ウエハを切断することを
特徴としている。In order to achieve the above object, in a dicing apparatus for aligning a wafer with an alignment means and cutting the wafer into desired semiconductor chips with a rotary blade, a wafer shape recognition for recognizing a broken wafer or a peripheral shape of a normal wafer. Means for setting, based on the recognized peripheral shape of the wafer, a minimum cutting area of the peripheral edge of the wafer, and relatively moving the rotary blade and the wafer within the range of the cutting area to move the wafer. Is characterized by cutting.
また、前記目的を達成する為に、ウエハ上のパターン
をアライメント手段でリファレンスパターン（基準パタ
ーン）と比較することによりアライメントし、回転刃で
ウエハを所望の半導体チップに切断するダイシング装置
において、割れウエハ又は通常のウエハの周縁形状を認
識するウエハの形状認識手段を備え、前記認識されたウ
エハの周縁形状に基づいて、ウエハ上の前記リファレン
スパターンとの比較位置を前記ウエハの周縁形状の範囲
内に入るように定めてウエハをアライメントするととも
に、前記認識されたウエハの周縁形状に基づいて、前記
ウエハの周縁最小限のカッティング領域を設定し、該カ
ッティング領域の範囲内で前記回転刃とウエハを相対的
に移動させて前記ウエハを切断することを特徴としてい
る。In order to achieve the above object, a dicing apparatus for aligning a pattern on a wafer by comparing it with a reference pattern (reference pattern) by an alignment means and cutting the wafer into desired semiconductor chips with a rotary blade is provided. Or, provided with a wafer shape recognition means for recognizing the peripheral shape of the normal wafer, based on the recognized peripheral shape of the wafer, the comparison position with the reference pattern on the wafer within the range of the peripheral shape of the wafer Along with aligning the wafer so as to enter, based on the recognized peripheral shape of the wafer, a minimum cutting area of the peripheral edge of the wafer is set, and the rotary blade and the wafer are relatively positioned within the cutting area. The wafer is cut by moving the wafer.
本発明によれば、ウエハの形状認識手段を備えたの
で、ウエハの形状をウエハ毎に認識し、認識した形状に
基づいてリファレンスパターン位置を適正に定めてアラ
イメントを実行することができる。According to the present invention, since the wafer shape recognizing means is provided, the shape of the wafer can be recognized for each wafer, and the reference pattern position can be appropriately determined based on the recognized shape to perform the alignment.
また、認識されたウエハの形状に基づいてカッティン
グ領域を設定することができるので、ウエハが存在しな
い領域をカッティング領域としない。従って、最小限の
カッティング領域を設定することができる。Further, since the cutting area can be set based on the recognized shape of the wafer, an area where no wafer exists is not set as the cutting area. Therefore, a minimum cutting area can be set.
以下添付図面に従って本発明に係るダイシング装置の
好ましい実施例について詳説する。Hereinafter, preferred embodiments of a dicing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
第１図は本発明が適用されたダイシング装置の斜視図
であり、第２図はその平面図である。このダイシング装
置は、主としてワーク（ウエハ）Ｗの形状を認識する形
状認識部10、ウエハＷを切断溝に沿って切断して最終的
に碁盤の目のように切断する切断部20、切断されたウエ
ハＷを洗浄する洗浄部30、及び加工前のウエハＷを収納
し、また加工後のウエハＷを収納するウエハＷ供給部及
び収納部まで各工程を経由してウエハＷを搬送する搬送
装置等から構成されている。FIG. 1 is a perspective view of a dicing apparatus to which the present invention is applied, and FIG. 2 is a plan view thereof. The dicing apparatus mainly includes a shape recognition unit 10 for recognizing a shape of a work (wafer) W, a cutting unit 20 for cutting the wafer W along a cutting groove and finally cutting it like a grid, A cleaning unit 30 for cleaning the wafer W, a transfer device for storing the wafer W before processing, and a transfer device for transferring the wafer W to the wafer W supply unit and storage unit for storing the processed wafer W via each process. It is composed of
上記搬送装置によるウエハＷの搬送位置としては、第
２図に示すように４つの位置P1、P2、P3、P4があり、こ
れらの位置P1〜P4は正方形の各頂点に位置する関係で配
置されている。尚、位置P1はウエハＷの形状を認識する
位置であり、位置P2は切断部20にウエハＷを搬送するカ
ッティングテーブル22にウエハＷをロード及びアンロー
ドする位置であり、位置P3は洗浄部30のスピンナテーブ
ルにウエハＷをロード及びアンロードする位置であり、
位置P4は洗浄後のウエハＷをアンローディングする位置
である。As the transfer position of the wafer W by the transfer device, there are four positions P1, P2, P3, and P4 as shown in FIG. 2, and these positions P1 to P4 are arranged so as to be located at each vertex of the square. ing. The position P1 is a position for recognizing the shape of the wafer W, the position P2 is a position for loading and unloading the wafer W on the cutting table 22 for transporting the wafer W to the cutting unit 20, and the position P3 is a cleaning unit 30. Where the wafer W is loaded and unloaded on the spinner table of
The position P4 is a position where the wafer W after the cleaning is unloaded.
形状認識部10は第３図に示すように回転形状認識部12
を備えている。回転形状認識部12の回転体13は一端12A
が軸支され、これにより時計回り方向に回転することが
できる。また回転体13には長手方向に沿って光源（LE
D）14及びラインイメージセンサ16が設けられている
（第４図参照）。このラインイメージセンサ16は例えば
割れウエハＷで反射されたLED14からの光を受光して割
れウエハの存在を検出することができる。The shape recognizing unit 10 is, as shown in FIG.
It has. The rotating body 13 of the rotating shape recognition unit 12 has one end 12A.
Are pivoted so that they can rotate clockwise. The rotating body 13 has a light source (LE
D) 14 and a line image sensor 16 are provided (see FIG. 4). The line image sensor 16 can detect the presence of a broken wafer by receiving, for example, light from the LED 14 reflected by the broken wafer W.
従って、割れウエハＷをフレーム18に貼り付けて第３
図の位置に配置した後、LED14から光を投光すると共に
回転形状認識部12を時計回り方向に回転すると、第５図
に示すように８等分された回転角度の各々の位置（０点
〜７点）において第６図に示すようにウエハＷの周縁
（エッジ）（e0〜e7）を検出することができ、これによ
り割れウエハＷの形状を認識することができる。Therefore, the cracked wafer W is stuck on the
After arranging them at the positions shown in the figure, light is emitted from the LED 14 and the rotation shape recognition unit 12 is rotated clockwise, and as shown in FIG. 6, the edge (e0 to e7) of the wafer W can be detected as shown in FIG. 6, and the shape of the broken wafer W can be recognized.
切断部20は、ブレード24を備えたスピンドル26、ウエ
ハＷ上のパターンを画像認識することによってアライメ
ントするアライメント部28等からなる。この切断部20の
スピンドル26、アライメント部28は矢印Ａ、Ｂ方向に移
動可能であり、又ウエハＷを搭載したカッティングテー
ブル22は矢印Ｃ、Ｄ方向に移動可能であると共に回転可
能である。The cutting unit 20 includes a spindle 26 provided with a blade 24, an alignment unit 28 for performing alignment by recognizing a pattern on the wafer W, and the like. The spindle 26 and the alignment unit 28 of the cutting unit 20 are movable in the directions of arrows A and B, and the cutting table 22 on which the wafer W is mounted is movable in the directions of arrows C and D and is rotatable.
従って、アライメント部28は、形状認識部10で認識さ
れた割れウエハＷの形状とウエハ上のリファレンスパタ
ーンとに基づいてカッティングテーブル22を適宜回転さ
せると共に、切断部20のスピンドル26、アライメント部
28を矢印Ａ、Ｂ方向に移動させることによりカッティン
グテーブル22上のウエハＷのアライメントを行う。Therefore, the alignment unit 28 appropriately rotates the cutting table 22 based on the shape of the cracked wafer W recognized by the shape recognition unit 10 and the reference pattern on the wafer, and also controls the spindle 26 of the cutting unit 20 and the alignment unit.
The wafer W on the cutting table 22 is aligned by moving 28 in the directions of arrows A and B.
アライメントは公知のアライメント用画像認識技術を
用いて行う。公知のアライメント用画像認識技術は、
ウエハ上のリファレンスパターン（基準パターン）をメ
モリに登録する。ウエハ上にはパターンが多数繰返し
形成されているので、このうちウエハ上の任意の２点
（比較位置）で前記リファレンスパターンと比較するこ
とによりリファレンスパターンと同一のパターンをさが
し出し、その座標値を記憶する。求めた両座標値より
ウエハの傾きを修正すると共に傾き修正後の新座標値を
座標変換により求める。The alignment is performed using a known alignment image recognition technique. Known image recognition techniques for alignment include:
A reference pattern (reference pattern) on the wafer is registered in a memory. Since a large number of patterns are repeatedly formed on the wafer, the same pattern as the reference pattern is found by comparing the reference pattern at any two points (comparison positions) on the wafer. Remember. The inclination of the wafer is corrected based on the obtained two coordinate values, and a new coordinate value after the inclination correction is obtained by coordinate conversion.
この場合、割れウエハＷの形状は形状認識部10で認識
されているので、第７図に示すようにアライメント位置
◇印を割れウエハＷのエッジ部内近傍に設定することが
できる。従って割れウエハのアライメントが適正に実行
される。In this case, since the shape of the cracked wafer W is recognized by the shape recognition unit 10, the alignment position Δ mark can be set near the edge of the cracked wafer W as shown in FIG. Therefore, the alignment of the broken wafer is properly performed.
このようにしてアライメントされた割れウエハＷは、
カッティングテーブル22の移動に伴い、スピンドル26に
よって回転するブレード24により切断される。この場合
にも形状認識部10で認識された割れウエハＷの形状（第
８図（Ａ）参照）に基づいてカッティング領域19を設定
することができるので、割れウエハＷの形状と略同一の
領域をカッティング領域19とすることができる。そし
て、上記切断を順次実行することによりウエハＷを最終
的には碁盤の目のように切断される。尚第８図（Ｂ）に
おいて19Aは切断線である。The broken wafer W aligned in this manner is
As the cutting table 22 moves, it is cut by the blade 24 rotated by the spindle 26. Also in this case, the cutting area 19 can be set based on the shape of the cracked wafer W recognized by the shape recognition unit 10 (see FIG. 8A). Can be used as the cutting area 19. Then, by sequentially performing the above-described cutting, the wafer W is finally cut like a grid. In FIG. 8 (B), 19A is a cutting line.
洗浄部30は上記切断された割れウエハＷを洗浄するも
ので、まず割れウエハＷを搭載したスピンナテーブルを
下降させ、ここでスピンナと清浄水により洗浄を行い、
洗浄後エアブローによって乾燥させ、再びスピンナテー
ブルを上昇させる。The cleaning unit 30 is for cleaning the cut broken wafer W. First, the spinner table on which the broken wafer W is mounted is lowered, and the cleaning unit 30 performs cleaning with a spinner and clean water.
After the cleaning, the spinner table is dried by air blow, and the spinner table is raised again.
又、搬送装置は、第２図に示すようにベルト搬送部43
と、２つのチャック部45、46を有する回転アーム37によ
る搬送部から構成されており、ベルト搬送部43はウエハ
Ｗをウエハ供給部から位置P1までベルト搬送し、またウ
エハＷを位置P1からウエハ供給部までベルト搬送する。In addition, as shown in FIG.
And a transfer section by a rotating arm 37 having two chuck sections 45 and 46. The belt transfer section 43 transfers the wafer W from the wafer supply section to the position P1, and transfers the wafer W from the position P1 to the wafer. The belt is transported to the supply unit.
前記の如く構成された本発明に係るダイシング装置の
作用を第９図のフローチャートに基づいて説明する。The operation of the dicing apparatus according to the present invention configured as described above will be described with reference to the flowchart of FIG.
ウエハ収納部に収納されている加工前の割れウエハＷ
を形状認識部10の所定位置（第３図参照）に配置し（ス
テップ60）、LEDから光を投光すると共に回転形状認識
部12を時計回り方向に回転する。投光された光は割れウ
エハＷで反射されてイメージセンサ16に入射する。従っ
て、イメージセンサ16は割れウエハＷのエッジを検出す
る。これにより、割れウエハＷの形状を認識する（ステ
ップ62）。Unprocessed broken wafer W stored in wafer storage unit
Is disposed at a predetermined position (see FIG. 3) of the shape recognizing unit 10 (step 60), light is emitted from the LED, and the rotating shape recognizing unit 12 is rotated clockwise. The projected light is reflected by the broken wafer W and enters the image sensor 16. Therefore, the image sensor 16 detects the edge of the broken wafer W. Thus, the shape of the broken wafer W is recognized (step 62).
形状認識された割れウエハＷは回転アーム37のチャッ
ク部45で吸着されて、カッティングテーブル22にロード
される。ロードされたウエハＷは、画像認識されている
割れウエハＷ上の形状認識部10で認識された形状内のリ
ファレンスパターンに基づいてカッティングテーブル22
を矢印Ｃ、Ｄ方向に移動される。このようにしてアライ
メント部28で自動アライメントされる（ステップ64）。The broken wafer W whose shape has been recognized is sucked by the chuck portion 45 of the rotating arm 37 and loaded on the cutting table 22. The loaded wafer W is stored in the cutting table 22 based on the reference pattern in the shape recognized by the shape recognition unit 10 on the cracked wafer W whose image is recognized.
Is moved in the directions of arrows C and D. In this manner, automatic alignment is performed by the alignment unit 28 (step 64).
アライメントされた割れウエハＷは、前記形状データ
に基づいてブレード24で割れウエハＷのカッティング領
域19内（第８図（Ａ）参照）を切断して半導体チップに
切断される（ステップ66）。The aligned cracked wafer W is cut into semiconductor chips by cutting the inside of the cutting area 19 (see FIG. 8A) of the cracked wafer W with the blade 24 based on the shape data (step 66).
切断完了後、チャック部46に吸着された割れウエハＷ
は回転アーム37の時計回り方向への90゜回転で洗浄部30
に搬送され、スピンナ洗浄される（ステップ68）。洗浄
が完了すると、回転アーム37のチャック部46は洗浄部30
から割れウエハＷを受け取り、回転アーム37を時計回り
方向180゜回転して割れウエハＷを位置P3から位置P1に
移動し、ここでチャック部46から離脱してアンロードさ
れる（ステップ70）。After the cutting is completed, the cracked wafer W adsorbed on the chuck 46
Rotates the rotating arm 37 clockwise by 90 °, and the washing section 30
And is subjected to spinner cleaning (step 68). When the cleaning is completed, the chuck 46 of the rotating arm 37 is
, The rotating arm 37 is rotated clockwise by 180 ° to move the cracked wafer W from the position P3 to the position P1, where it is separated from the chuck portion 46 and unloaded (step 70).
前記実施例では割れウエハＷのダイシングについて説
明したが、通常の円形ウエハのダイシングの場合でもカ
ッティング領域を最小限に設定することができる。すな
わち第10図に示すようにフレーム50に貼り付けられたウ
エハＷ′の中心C1′とフレームの中心C2′との芯がズレ
る場合がある。Although the dicing of the broken wafer W has been described in the above embodiment, the cutting area can be set to a minimum even in the case of dicing a normal circular wafer. That is, as shown in FIG. 10, the center between the center C1 'of the wafer W' attached to the frame 50 and the center C2 'of the frame may be shifted.
しかしながら、本発明によればウエハＷ′の中心C1′
とフレーム50の中心C2′とがズレていても、形状認識部
10でウエハＷ′の形状を認識することができるので、フ
レーム50の内側開口部50Aのウエハ面積より大きな、余
裕部分を含んだ領域をカッティング領域とせずにウエハ
Ｗ′と略同一形の最小領域52をカッティング領域と設定
することができる。However, according to the present invention, the center C1 'of the wafer W'
And the center C2 'of the frame 50 are misaligned,
Since the shape of the wafer W 'can be recognized at 10, the area including the marginal area larger than the wafer area of the inner opening 50A of the frame 50 is not set as the cutting area, and the minimum area having substantially the same shape as the wafer W' is used. 52 can be set as a cutting area.
前記実施例では形状認識部10の回転形状認識部12をウ
エハの下側になるように設けたが、これに限らず、第11
図に示すようにウエハＷの上側に設けてもよい。In the above-described embodiment, the rotating shape recognition unit 12 of the shape recognition unit 10 is provided to be below the wafer.
As shown in the drawing, it may be provided above the wafer W.
前記実施例ではダイシング装置に形状認識部10を設け
た場合について説明したが、これに限らずダイシング装
置以外の形状認識装置でウエハの形状を認識して、認識
した形状データをフロッピディスク等の手段でダイシン
グ装置に供給し、搬送されたウエハ毎に上述した方法で
アライメント及びカッティングを実行してもよい。この
場合、第９図のフローチャート上のステップ62はステッ
プ72に代替される。In the above-described embodiment, the case where the shape recognizing unit 10 is provided in the dicing apparatus has been described.However, the present invention is not limited to this. The alignment and the cutting may be executed by the above-described method for each wafer transferred to the dicing apparatus. In this case, step 62 in the flowchart of FIG. 9 is replaced with step 72.
以上述べたように本発明に係るダイシング装置によれ
ば、ウエハ形状を認識してアライメントと切断を行なう
のでウエハのアライメントを適正に行なうことができ、
更にウエハのカッティング領域を最小限に設定すること
ができるので高スループット化を図ることができる。As described above, according to the dicing apparatus of the present invention, alignment and cutting are performed by recognizing the shape of the wafer, so that the alignment of the wafer can be performed properly.
Further, since the cutting area of the wafer can be set to a minimum, high throughput can be achieved.
また、ウエハとダイシング用フレームとの貼り合わせ
にズレが生じても、認識されウエハの形状から最小限の
カッティング領域の設定が可能となり、高スループット
化を図ることができる。In addition, even if the wafer and the dicing frame are misaligned, a minimum cutting area can be set based on the shape of the recognized wafer and the throughput can be increased.
第１図は本発明に係るダイシング装置の斜視図、第２図
はその平面図、第３図はダイシング装置の形状認識部に
ウエハを載置した状態を示す平面図、第４図はその側面
図、第５図は形状認識部でウエハの形状を認識する方法
を示す概略平面図、第６図は第５図の認識結果を示すグ
ラフ、第７図は形状認識されたウエハのアライメント状
態を示す平面図、第８図（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ形
状認識されたウエハの形状及びそのカッティング領域を
示す平面、第９図は本発明に係るダイシング装置の作用
を示すフローチャート、第10図はウエハのカッティング
領域を示す平面図、第11図は形状認識部の他の実施例を
示す側面図、第12図は従来のダイシング装置によるウエ
ハのアライメント状態を示す平面図、第13図（Ａ）及び
（Ｂ）はそれぞれウエハの形状及び従来のダイシング装
置によるウエハのカッティング領域を示す平面図、第14
図は従来のダイシング装置によるウエハのカッティング
領域を示す平面図である。 10……形状認識部、12……回転形状認識部、14……LE
D、16……ラインイメージセンサ、Ｗ、Ｗ′……ウエ
ハ。FIG. 1 is a perspective view of a dicing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a plan view thereof, FIG. 3 is a plan view showing a state where a wafer is placed on a shape recognition section of the dicing apparatus, and FIG. FIG. 5, FIG. 5 is a schematic plan view showing a method of recognizing the shape of the wafer by the shape recognizing unit, FIG. 6 is a graph showing the recognition result of FIG. 5, and FIG. 8 (A) and 8 (B) are plan views showing the shape of a wafer whose shape has been recognized and its cutting area, respectively. FIG. 9 is a flowchart showing the operation of the dicing apparatus according to the present invention, and FIG. Is a plan view showing a cutting region of the wafer, FIG. 11 is a side view showing another embodiment of the shape recognition unit, FIG. 12 is a plan view showing an alignment state of the wafer by a conventional dicing apparatus, and FIG. ) And (B) respectively Plan view illustrating the cutting area of the wafer by wafer shape and a conventional dicing apparatus, 14
FIG. 1 is a plan view showing a wafer cutting area by a conventional dicing apparatus. 10: Shape recognition unit, 12: Rotation shape recognition unit, 14: LE
D, 16: line image sensor, W, W ': wafer.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐久間 幹夫 東京都三鷹市下連雀９丁目７番１号 株 式会社東京精密内 (56)参考文献 特開 昭55−140243（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−72151（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−53804（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−128540（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−120039（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−65436（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Mikio Sakuma 9-7-1, Shimorenjaku, Mitaka-shi, Tokyo, Japan Tokyo Seimitsu Co., Ltd. (56) References JP-A-55-140243 (JP, A) 59-72151 (JP, A) JP-A-62-53804 (JP, A) JP-A-61-128540 (JP, A) JP-A-62-120039 (JP, A) JP-A-62-65436 (JP, A A)
Claims (3)
リファレンスパターン（基準パターン）と比較すること
によりアライメントし、回転刃でウエハを所望の半導体
チップに切断するダイシング装置において、 割れウエハ又は通常のウエハの周縁形状を認識するウエ
ハの形状認識手段を備え、 前記認識されたウエハの周縁形状に基づいて、ウエハ上
の前記リファレンスパターンとの比較位置を前記ウエハ
の周縁形状の範囲内に入るように定めてウエハをアライ
メントすることを特徴とするダイシング装置。1. A dicing apparatus for aligning a pattern on a wafer by comparing it with a reference pattern (reference pattern) by an alignment means, and cutting the wafer into desired semiconductor chips by a rotary blade. It is provided with a wafer shape recognizing means for recognizing a peripheral shape, and based on the recognized peripheral shape of the wafer, a comparison position with the reference pattern on the wafer is determined so as to fall within a range of the peripheral shape of the wafer. A dicing apparatus for aligning a wafer.
し、回転刃でウエハを所望の半導体チップに切断するダ
イシング装置において、 割れウエハ又は通常のウエハの周縁形状を認識するウエ
ハの形状認識手段を備え、 前記認識されたウエハの周縁形状に基づいて、前記ウエ
ハの周縁最小限のカッティング領域を設定し、該カッテ
ィング領域の範囲内で前記回転刃とウエハを相対的に移
動させて前記ウエハを切断することを特徴とするダイシ
ング装置。2. A dicing apparatus for aligning a wafer with an alignment means and cutting the wafer into desired semiconductor chips with a rotary blade, comprising: a wafer shape recognition means for recognizing a broken wafer or a normal wafer peripheral edge shape; Based on the recognized peripheral shape of the wafer, setting a minimum peripheral cutting area of the wafer, cutting the wafer by relatively moving the rotary blade and the wafer within the range of the cutting area. Dicing equipment characterized.
リファレンスパターン（基準パターン）と比較すること
によりアライメントし、回転刃でウエハを所望の半導体
チップに切断するダイシング装置において、 割れウエハ又は通常のウエハの周縁形状を認識するウエ
ハの形状認識手段を備え、 前記認識されたウエハの周縁形状に基づいて、ウエハ上
の前記リファレンスパターンとの比較位置を前記ウエハ
の周縁形状の範囲内に入るように定めてウエハをアライ
メントするとともに、 前記認識されたウエハの周縁形状に基づいて、前記ウエ
ハの周縁最小限のカッティング領域を設定し、該カッテ
ィング領域の範囲内で前記回転刃とウエハを相対的に移
動させて前記ウエハを切断することを特徴とするダイシ
ング装置。3. A dicing apparatus which performs alignment by comparing a pattern on a wafer with a reference pattern (reference pattern) by an alignment means, and cuts the wafer into desired semiconductor chips with a rotary blade. It is provided with a wafer shape recognizing means for recognizing a peripheral shape, and based on the recognized peripheral shape of the wafer, a comparison position with the reference pattern on the wafer is determined so as to fall within a range of the peripheral shape of the wafer. Along with aligning the wafer, based on the recognized peripheral shape of the wafer, set a peripheral minimum cutting area of the wafer, and relatively move the rotary blade and the wafer within the range of the cutting area. A dicing apparatus for cutting the wafer.
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Applications Claiming Priority (1)
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| JPH04109652A JPH04109652A (en) | 1992-04-10 |
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Family Applications (1)
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-
1990
- 1990-08-30 JP JP2228912A patent/JP3023566B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH04109652A (en) | 1992-04-10 |
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