JP3014793B2 - 加工電流制御方法及び加工電流制御装置 - Google Patents
加工電流制御方法及び加工電流制御装置Info
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- JP3014793B2 JP3014793B2 JP3094715A JP9471591A JP3014793B2 JP 3014793 B2 JP3014793 B2 JP 3014793B2 JP 3094715 A JP3094715 A JP 3094715A JP 9471591 A JP9471591 A JP 9471591A JP 3014793 B2 JP3014793 B2 JP 3014793B2
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
- B23H7/00—Processes or apparatus applicable to both electrical discharge machining and electrochemical machining
- B23H7/14—Electric circuits specially adapted therefor, e.g. power supply
- B23H7/16—Electric circuits specially adapted therefor, e.g. power supply for preventing short circuits or other abnormal discharges by altering machining parameters using adaptive control
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23H7/14—Electric circuits specially adapted therefor, e.g. power supply
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- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放電加工機における加
工電流制御方法及び加工電流制御装置に係り、更に詳し
くは、加工電流の波高値が変更された場合においても放
電波形を正確に設定できるように電流を適応制御する加
工電流制御方法及び加工電流制御装置に関するものであ
る。
工電流制御方法及び加工電流制御装置に係り、更に詳し
くは、加工電流の波高値が変更された場合においても放
電波形を正確に設定できるように電流を適応制御する加
工電流制御方法及び加工電流制御装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】放電加工機は、電極と被加工物（以下ワ
ークという）とを灯油・水等の加工液を介して数ミクロ
ンないし数１０ミクロン（μｍ）の間隙に対向させ、高
い繰返し数のパルス状の放電電流を発生させることによ
り形成される放電痕の累積により加工を行なうものであ
る。パルス状の電流は、略一定の波高値および時間幅を
有し、かつ、オン状態とオフ状態とを繰り返して断続的
に流れている。この加工原理から、パルス状の放電電流
は、ワークの材質や加工間隙における放電状態等に応じ
て最適な状態に制御されている必要があり、この最適制
御により最適な放電加工が可能となる。
ークという）とを灯油・水等の加工液を介して数ミクロ
ンないし数１０ミクロン（μｍ）の間隙に対向させ、高
い繰返し数のパルス状の放電電流を発生させることによ
り形成される放電痕の累積により加工を行なうものであ
る。パルス状の電流は、略一定の波高値および時間幅を
有し、かつ、オン状態とオフ状態とを繰り返して断続的
に流れている。この加工原理から、パルス状の放電電流
は、ワークの材質や加工間隙における放電状態等に応じ
て最適な状態に制御されている必要があり、この最適制
御により最適な放電加工が可能となる。
【０００３】一般に、放電加工における放電加工電流波
形は、電極及びワークの状況に応じて種々の波形を有し
ている。例えば、間隙にガス・タール・カーボン等の加
工液の分解物やチップ等の金属加工粉が相当に多く介在
している場合には、加工の際の集中放電に伴い間隙のイ
ンピーダンスが下がった状態となり、図２に示す放電時
間前の急激な立上がりとその後に続く一定の放電電流が
維持される第１の波形（Ａ）を呈している。また、集中
放電はしているが前記分解物が余り無い場合には、比較
的良好な立上がりとほぼ安定した電圧レベルでの放電で
あり第２の波形（Ｂ）を呈する。更に、電流波形が放電
時にＬＺ（低インピーダンス）レベルとＨＺ（高インピ
ーダンス）レベルの間にある場合は安定した放電状態で
あり、第３の波形（Ｃ）及び第４の波形（Ｄ）を呈して
いる。更にまた、前記間隙内に加工分解物が生成された
か又はインピーダンスの高い不純物を介して放電が行な
われた場合には、放電電流はＨＺ（高インピーダンス）
レベルにまで達しない第５の波形（Ｅ）を呈することに
なる。この第１ないし第５の波形（Ｅ）の具体的な形状
は、後述する図２の波形ＡないしＥに略々対応している
が、この信号電圧の検出レベルは図２に表示のものとは
異なっているため、形状のみ図２を参考とし得るもので
ある。
形は、電極及びワークの状況に応じて種々の波形を有し
ている。例えば、間隙にガス・タール・カーボン等の加
工液の分解物やチップ等の金属加工粉が相当に多く介在
している場合には、加工の際の集中放電に伴い間隙のイ
ンピーダンスが下がった状態となり、図２に示す放電時
間前の急激な立上がりとその後に続く一定の放電電流が
維持される第１の波形（Ａ）を呈している。また、集中
放電はしているが前記分解物が余り無い場合には、比較
的良好な立上がりとほぼ安定した電圧レベルでの放電で
あり第２の波形（Ｂ）を呈する。更に、電流波形が放電
時にＬＺ（低インピーダンス）レベルとＨＺ（高インピ
ーダンス）レベルの間にある場合は安定した放電状態で
あり、第３の波形（Ｃ）及び第４の波形（Ｄ）を呈して
いる。更にまた、前記間隙内に加工分解物が生成された
か又はインピーダンスの高い不純物を介して放電が行な
われた場合には、放電電流はＨＺ（高インピーダンス）
レベルにまで達しない第５の波形（Ｅ）を呈することに
なる。この第１ないし第５の波形（Ｅ）の具体的な形状
は、後述する図２の波形ＡないしＥに略々対応している
が、この信号電圧の検出レベルは図２に表示のものとは
異なっているため、形状のみ図２を参考とし得るもので
ある。
【０００４】従来、このような放電電流を制御するため
に、特公昭４７−５０２７６号公報に記載の電気加工装
置が提案されている。この加工装置は、前記加工間隙の
電圧，電流又はインピーダンスの変化をパルス通電時間
中のみ検出する検出装置を備えている。この検出装置
は、１つの態様としては加工電極とワークとの間に直列
接続された抵抗により構成して、前記通電時間中の１時
点の放電電圧を検出し、この電圧を表示するものであ
る。また、他の態様としては、前記通電時間中の２時点
の放電電圧を検出して表示するものである。更に他の態
様としては、前記通電時間の１パルス中の一定時間又は
全時間の放電電圧を微分検出して、表示するように構成
したものである。このようにして、放電電流のパルス
幅，繰返し周波数もしくは波高値を最適制御している。
に、特公昭４７−５０２７６号公報に記載の電気加工装
置が提案されている。この加工装置は、前記加工間隙の
電圧，電流又はインピーダンスの変化をパルス通電時間
中のみ検出する検出装置を備えている。この検出装置
は、１つの態様としては加工電極とワークとの間に直列
接続された抵抗により構成して、前記通電時間中の１時
点の放電電圧を検出し、この電圧を表示するものであ
る。また、他の態様としては、前記通電時間中の２時点
の放電電圧を検出して表示するものである。更に他の態
様としては、前記通電時間の１パルス中の一定時間又は
全時間の放電電圧を微分検出して、表示するように構成
したものである。このようにして、放電電流のパルス
幅，繰返し周波数もしくは波高値を最適制御している。
【０００５】なお、従来の制御装置の他の例としては、
例えば特開昭４７−１３７９５号及び特開昭５１−１１
９５９７号の各公報に記載されたものがある。前者は、
加工間隙の電流，電圧，インピーダンス等の変化に基づ
く電圧を放電中のみ検出すると共に、この検出に際して
電圧の変化勾配，レベル，及び高周波成分のうちの２以
上の変量を検出して、これを表示したりこの検出信号を
制御信号として制御するようにしたものである。また、
後者は、前記加工間隙で繰り返されるパルス放電を検出
し、このパルス放電を複数の群として放電状態を判定す
ると共に制御信号をディジタル的に生成するようにした
制御方法であり、また、加工間隙で繰り返されるパルス
放電を検出チェックする判別装置と、その判別結果を計
数するカウンタと、このカウンタのカウント数が設定値
に達したときに上昇又は下降の間隙制御信号をディジタ
ル的に発生させる制御信号発生装置と、より構成した放
電加工の間隙制御装置である。
例えば特開昭４７−１３７９５号及び特開昭５１−１１
９５９７号の各公報に記載されたものがある。前者は、
加工間隙の電流，電圧，インピーダンス等の変化に基づ
く電圧を放電中のみ検出すると共に、この検出に際して
電圧の変化勾配，レベル，及び高周波成分のうちの２以
上の変量を検出して、これを表示したりこの検出信号を
制御信号として制御するようにしたものである。また、
後者は、前記加工間隙で繰り返されるパルス放電を検出
し、このパルス放電を複数の群として放電状態を判定す
ると共に制御信号をディジタル的に生成するようにした
制御方法であり、また、加工間隙で繰り返されるパルス
放電を検出チェックする判別装置と、その判別結果を計
数するカウンタと、このカウンタのカウント数が設定値
に達したときに上昇又は下降の間隙制御信号をディジタ
ル的に発生させる制御信号発生装置と、より構成した放
電加工の間隙制御装置である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の放電加
工機における放電電流検出乃至は制御装置は、同一の加
工条件下では何れのものも有効に放電電流の制御を行な
うことが可能である。
工機における放電電流検出乃至は制御装置は、同一の加
工条件下では何れのものも有効に放電電流の制御を行な
うことが可能である。
【０００７】しかしながら、放電加工条件を変更した場
合、特に放電電流の波高値を加工の必要上から変更した
場合に、放電電流の検出レベルが異なってしまい、正確
に放電波形を特定することができないという問題があっ
た。
合、特に放電電流の波高値を加工の必要上から変更した
場合に、放電電流の検出レベルが異なってしまい、正確
に放電波形を特定することができないという問題があっ
た。
【０００８】また、放電電圧を検出するのではなく加工
電流を検出することにより制御を行なう場合において
は、加工電流の波高値により検出レベルの波高値が異な
ってしまうので、制御がさらに難しくなるという問題も
あった。
電流を検出することにより制御を行なう場合において
は、加工電流の波高値により検出レベルの波高値が異な
ってしまうので、制御がさらに難しくなるという問題も
あった。
【０００９】更にまた、放電波形により放電状態の判別
を行なうようにしても、その結果により有効な制御方法
が異なるために、同一の制御を行なうことにより加工面
の荒れや損傷がたとえ回避できたとしても、加工時間が
かかり過ぎてしまうという問題もあった。
を行なうようにしても、その結果により有効な制御方法
が異なるために、同一の制御を行なうことにより加工面
の荒れや損傷がたとえ回避できたとしても、加工時間が
かかり過ぎてしまうという問題もあった。
【００１０】上記各問題点を解消するために、この発明
は、加工条件に応じて少なくとも１つの放電状態の検出
レベルないしは検出時間を変更して、その状態に適合し
た平均放電電流の最適制御を行なうことにより、加工時
間の無駄を無くして加工面の荒れや損傷の発生を防止し
得る加工電流制御方法及び加工電流制御装置を提供する
ことを目的としている。
は、加工条件に応じて少なくとも１つの放電状態の検出
レベルないしは検出時間を変更して、その状態に適合し
た平均放電電流の最適制御を行なうことにより、加工時
間の無駄を無くして加工面の荒れや損傷の発生を防止し
得る加工電流制御方法及び加工電流制御装置を提供する
ことを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る加工電流制御方法は、予め設定され
た複数の検出時点と該検出時点の各々に対応する少なく
とも２つの異なる検出レベルとにより形成される複数の
検出領域を加工条件に応じて設定するステップと、電極
と被加工物との間隙に流れるパルス電流の波高値を検出
するステップと、検出された前記パルス電流の波高値と
前記検出領域とに基づいて放電状態を判別するステップ
と、判別された前記放電状態に応じて前記パルス電流を
制御するステップと、を少なくとも含んでなるものであ
る。
め、この発明に係る加工電流制御方法は、予め設定され
た複数の検出時点と該検出時点の各々に対応する少なく
とも２つの異なる検出レベルとにより形成される複数の
検出領域を加工条件に応じて設定するステップと、電極
と被加工物との間隙に流れるパルス電流の波高値を検出
するステップと、検出された前記パルス電流の波高値と
前記検出領域とに基づいて放電状態を判別するステップ
と、判別された前記放電状態に応じて前記パルス電流を
制御するステップと、を少なくとも含んでなるものであ
る。
【００１２】更に、この発明に係る加工電流制御装置
は、予め設定された複数の検出時点と該検出時点の各々
に対応する少なくとも２つの異なる検出レベルとにより
形成される複数の検出領域を加工条件に応じて設定する
手段と、電極と被加工物との間隙に流れるパルス電流の
波高値を検出する手段と、検出された前記パルス電流の
波高値と前記検出領域とに基づいて放電状態を判別する
手段と、判別された前記放電状態に応じて前記パルス電
流を制御する手段と、を少なくとも含んで構成されてい
る。
は、予め設定された複数の検出時点と該検出時点の各々
に対応する少なくとも２つの異なる検出レベルとにより
形成される複数の検出領域を加工条件に応じて設定する
手段と、電極と被加工物との間隙に流れるパルス電流の
波高値を検出する手段と、検出された前記パルス電流の
波高値と前記検出領域とに基づいて放電状態を判別する
手段と、判別された前記放電状態に応じて前記パルス電
流を制御する手段と、を少なくとも含んで構成されてい
る。
【００１３】
【作用】この発明による加工電流制御方法によれば、ま
ず、異なった加工条件に応じて検出領域が設定され、そ
の設定された検出領域における加工電流を検出すること
によりそのときの放電状態が間接的に監視される。次い
で、その監視された前記検出領域レベルに応じて放電状
態が判別され、その判別された放電状態に応じた最適な
平均加工電流に適応制御が為される。
ず、異なった加工条件に応じて検出領域が設定され、そ
の設定された検出領域における加工電流を検出すること
によりそのときの放電状態が間接的に監視される。次い
で、その監視された前記検出領域レベルに応じて放電状
態が判別され、その判別された放電状態に応じた最適な
平均加工電流に適応制御が為される。
【００１４】また、この発明による加工電流制御装置に
よれば、検出領域加工条件に応じて設定する手段が加工
電流の検出領域を加工条件に応じて変更して検出領域設
定を行ない、パルス電流の波高値を検出する手段が前記
検出レベルを設定する手段により設定された前記検出領
域における加工電流の波高値を検出する。これにより放
電状態が監視され、更に放電状態を判別する手段により
放電の開始から所定時間ないし特定時点における放電状
態が判別されることになる。具体的には、この判別され
た放電状態に応じて、パルス電流を制御する手段が加工
用の放電パルス電流のオフの時期を制御することにな
る。
よれば、検出領域加工条件に応じて設定する手段が加工
電流の検出領域を加工条件に応じて変更して検出領域設
定を行ない、パルス電流の波高値を検出する手段が前記
検出レベルを設定する手段により設定された前記検出領
域における加工電流の波高値を検出する。これにより放
電状態が監視され、更に放電状態を判別する手段により
放電の開始から所定時間ないし特定時点における放電状
態が判別されることになる。具体的には、この判別され
た放電状態に応じて、パルス電流を制御する手段が加工
用の放電パルス電流のオフの時期を制御することにな
る。
【００１５】より具体的には、放電加工の特性から加工
開始直後の約５マイクロ秒（μＳ）の時点でワークと電
極との間隙が高いインピーダンスを有していることが、
その時点の検出波高値より判別され、加工開始後約１５
マイクロ秒（μＳ）の時点で前記間隙が低いインピーダ
ンスとなったことが、その時点の検出波高値より判別さ
れる。さらに、放電加工パルス電圧の１パルスの半分の
時点で、前記間隙におけるアーク放電が為されているこ
とがその時点の検出波高値より判別される。上記判別さ
れた各々の時間ないし時点における加工電流は、放電状
態に応じて夫々オフ時期が制御され、これにより放電加
工用のパルス電流が制御される。
開始直後の約５マイクロ秒（μＳ）の時点でワークと電
極との間隙が高いインピーダンスを有していることが、
その時点の検出波高値より判別され、加工開始後約１５
マイクロ秒（μＳ）の時点で前記間隙が低いインピーダ
ンスとなったことが、その時点の検出波高値より判別さ
れる。さらに、放電加工パルス電圧の１パルスの半分の
時点で、前記間隙におけるアーク放電が為されているこ
とがその時点の検出波高値より判別される。上記判別さ
れた各々の時間ないし時点における加工電流は、放電状
態に応じて夫々オフ時期が制御され、これにより放電加
工用のパルス電流が制御される。
【００１６】
【実施例】以下、この発明の好適な実施形態について添
付図面を参照しながら詳細に説明する。
付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】図１ないし図１５は、この発明の一実施形
態による加工電流制御装置を説明するためのものであ
る。図１において、符号１は放電加工用の加工電極であ
り、この加工電極１は一定の間隙Ｇを介してワーク２に
対峙している。前記間隙Ｇを介する側でない側におい
て、加工電極１及びワーク２は第１の直流電源３を介し
て直列接続されており、電極１と電源３との間に夫々異
なる重みの電流値が与えられた第１ないし第３の電流制
限抵抗４ａ，４ｂ及び４ｃが並列接続されている。この
並列接続の抵抗４ａないし４ｃと前記電極１との間に
は、第１ないし第３のスイッチングトランジスタ５ａ，
５ｂ及び５ｃが夫々並列に接続されている。
態による加工電流制御装置を説明するためのものであ
る。図１において、符号１は放電加工用の加工電極であ
り、この加工電極１は一定の間隙Ｇを介してワーク２に
対峙している。前記間隙Ｇを介する側でない側におい
て、加工電極１及びワーク２は第１の直流電源３を介し
て直列接続されており、電極１と電源３との間に夫々異
なる重みの電流値が与えられた第１ないし第３の電流制
限抵抗４ａ，４ｂ及び４ｃが並列接続されている。この
並列接続の抵抗４ａないし４ｃと前記電極１との間に
は、第１ないし第３のスイッチングトランジスタ５ａ，
５ｂ及び５ｃが夫々並列に接続されている。
【００１８】また、前記電極１及びワーク２には、間隙
電圧を分圧する抵抗６ａ及び６ｂより成る放電検出回路
６が、前記電極１，ワーク２及び電源３の直列回路と並
列となるように接続されている。更に、この放電検出回
路６に並列となるように、間隙Ｇの電流波形を監視する
ための制限抵抗７ａ及び第４のトランジスタ８と、検出
抵抗７ｂと、が接続されており、抵抗７ａとワーク２と
の間には直流電源９が接続されている。ＮＰＮ型トラン
ジスタ８のベース電圧及びエミッタ出力は、各種の検出
信号を発生させる検出信号発生回路１０に供給されてい
る。この検出信号発生回路１０には、オン指令データＤ
Ｎ，オフ指令データＤＦ、及び前記放電検出回路６の抵
抗６ａ及び６ｂにより分圧された間隙電圧ＶＧ及びクロ
ック信号Ｓ１も供給されている。
電圧を分圧する抵抗６ａ及び６ｂより成る放電検出回路
６が、前記電極１，ワーク２及び電源３の直列回路と並
列となるように接続されている。更に、この放電検出回
路６に並列となるように、間隙Ｇの電流波形を監視する
ための制限抵抗７ａ及び第４のトランジスタ８と、検出
抵抗７ｂと、が接続されており、抵抗７ａとワーク２と
の間には直流電源９が接続されている。ＮＰＮ型トラン
ジスタ８のベース電圧及びエミッタ出力は、各種の検出
信号を発生させる検出信号発生回路１０に供給されてい
る。この検出信号発生回路１０には、オン指令データＤ
Ｎ，オフ指令データＤＦ、及び前記放電検出回路６の抵
抗６ａ及び６ｂにより分圧された間隙電圧ＶＧ及びクロ
ック信号Ｓ１も供給されている。
【００１９】前記発生回路１０により生成されたスター
信号Ｓ２及びスパーク信号Ｓ３は、選択データＤＳと共
に、クロック制御回路２０に供給されている。このクロ
ック制御回路２０は、前記クロック信号Ｓ１，スター信
号Ｓ２及びスパーク信号Ｓ３に基づいて、オンクロック
信号Ｓ４及びオフクロック信号Ｓ５を生成してオン／オ
フ制御回路３０に出力する。オン／オフ制御回路３０の
制御出力の１つであるベース信号ＳＢは、前記第４のト
ランジスタ８のベースに供給されてトランジスタ８をオ
ンさせると共に、電流波高値制御回路４０にも供給され
ている。この電流波高値制御回路４０の出力は、上記第
１ないし第３のトランジスタ５ａ，５ｂ及び５ｃの夫々
のベースに供給されることにより、この実施形態におい
ては加工電流が３段階の電流値の各々に切り換えられ
る。
信号Ｓ２及びスパーク信号Ｓ３は、選択データＤＳと共
に、クロック制御回路２０に供給されている。このクロ
ック制御回路２０は、前記クロック信号Ｓ１，スター信
号Ｓ２及びスパーク信号Ｓ３に基づいて、オンクロック
信号Ｓ４及びオフクロック信号Ｓ５を生成してオン／オ
フ制御回路３０に出力する。オン／オフ制御回路３０の
制御出力の１つであるベース信号ＳＢは、前記第４のト
ランジスタ８のベースに供給されてトランジスタ８をオ
ンさせると共に、電流波高値制御回路４０にも供給され
ている。この電流波高値制御回路４０の出力は、上記第
１ないし第３のトランジスタ５ａ，５ｂ及び５ｃの夫々
のベースに供給されることにより、この実施形態におい
ては加工電流が３段階の電流値の各々に切り換えられ
る。
【００２０】また、前記電流波高値制御回路４０には、
電流波高値データＤＩＰも供給されている。この電流波
高値データＤＩＰは前記検出信号発生回路１０にも供給
されている。更にまた、前記オン／オフ制御回路３０
は、ベース信号ＳＢ以外にも比較一致（オンハーフ）信
号Ｓ６及びオン終了信号Ｓ７，更にオフ終了信号Ｓ８を
も生成して、前記検出信号発生回路１０に供給してい
る。なお、前記ベース信号ＳＢ及びオフ終了信号Ｓ
８は、前記クロック制御回路２０にも供給されている。
電流波高値データＤＩＰも供給されている。この電流波
高値データＤＩＰは前記検出信号発生回路１０にも供給
されている。更にまた、前記オン／オフ制御回路３０
は、ベース信号ＳＢ以外にも比較一致（オンハーフ）信
号Ｓ６及びオン終了信号Ｓ７，更にオフ終了信号Ｓ８を
も生成して、前記検出信号発生回路１０に供給してい
る。なお、前記ベース信号ＳＢ及びオフ終了信号Ｓ
８は、前記クロック制御回路２０にも供給されている。
【００２１】図２は、第４のトランジスタ８のエミッタ
と検出抵抗７ｂとの接続点電流である信号ＩＳの放電発
生時における波形を幾つかの放電状態に応じて示したも
のである。波形ＡないしＥが示している放電状態は、従
来技術の項で第１ないし第５の波形として説明したもの
と同様であるので、重複説明を省略する。
と検出抵抗７ｂとの接続点電流である信号ＩＳの放電発
生時における波形を幾つかの放電状態に応じて示したも
のである。波形ＡないしＥが示している放電状態は、従
来技術の項で第１ないし第５の波形として説明したもの
と同様であるので、重複説明を省略する。
【００２２】図１に示された各回路１０，２０，３０及
び４０の詳細な構成について図３，５，６，８及び９に
従い、またこれら各回路の動作について図４，７及び１
０の波形図に従い夫々説明する。
び４０の詳細な構成について図３，５，６，８及び９に
従い、またこれら各回路の動作について図４，７及び１
０の波形図に従い夫々説明する。
【００２３】まず、図３によりオン／オフ制御回路３０
の構成を説明する。このオン／オフ制御回路３０は、前
記オン指令データＤＮ及びオフ指令データＤＦの２つの
主要データを後述するセレクタ信号により選択処理する
データセレクタ３１と、前記オン指令データＤＮを１／
２のデータ量にシフトするシフタ３２と、前記オンクロ
ック信号Ｓ４及びオフクロック信号Ｓ５の夫々を前記ベ
ース信号ＳＢにより切り換えるスリーステートバッファ
３３ａ及び３３ｂと、切り換えられたオンクロック信号
Ｓ４又はオフクロック信号Ｓ５をカウントするカウンタ
３４と、前記データセレクタ３１の出力値Ａと前記カウ
ンタ３４のカウント値Ｂとを比較して一致信号Ｓ９を出
力するコンパレータ３５ａと、前記シフタ３２の出力値
Ａと前記カウンタ３４のカウント値Ｂとを比較して比較
一致（オンハーフ）信号Ｓ６を出力するコンパレータ３
５ｂと、前記コンパレータ３５ａの一致信号Ｓ９を入力
とするトグルフリップフロップ３６と、このフリップフ
ロップ３６の出力を反転させて立上がりエッジから立ち
下がりエッジを作るインバータ３７と、前記フリップフ
ロップ３６の立上がりエッジをクロック信号Ｓ１のタイ
ミングでラッチするラッチ回路３８ａ及び３８ｂと、ラ
ッチ回路３８ａ及び３８ｂの出力を微分してオフ終了信
号Ｓ８を出力する論理素子３９ａと、前記フリップフロ
ップ３６の立ち下がりエッジをクロック信号Ｓ１のタイ
ミングでラッチするラッチ回路３８ｃ及び３８ｄと、ラ
ッチ回路３８ｃ及び３８ｄの出力を微分してオン終了信
号Ｓ７を出力する論理素子３９ｂと、より構成されてい
る。
の構成を説明する。このオン／オフ制御回路３０は、前
記オン指令データＤＮ及びオフ指令データＤＦの２つの
主要データを後述するセレクタ信号により選択処理する
データセレクタ３１と、前記オン指令データＤＮを１／
２のデータ量にシフトするシフタ３２と、前記オンクロ
ック信号Ｓ４及びオフクロック信号Ｓ５の夫々を前記ベ
ース信号ＳＢにより切り換えるスリーステートバッファ
３３ａ及び３３ｂと、切り換えられたオンクロック信号
Ｓ４又はオフクロック信号Ｓ５をカウントするカウンタ
３４と、前記データセレクタ３１の出力値Ａと前記カウ
ンタ３４のカウント値Ｂとを比較して一致信号Ｓ９を出
力するコンパレータ３５ａと、前記シフタ３２の出力値
Ａと前記カウンタ３４のカウント値Ｂとを比較して比較
一致（オンハーフ）信号Ｓ６を出力するコンパレータ３
５ｂと、前記コンパレータ３５ａの一致信号Ｓ９を入力
とするトグルフリップフロップ３６と、このフリップフ
ロップ３６の出力を反転させて立上がりエッジから立ち
下がりエッジを作るインバータ３７と、前記フリップフ
ロップ３６の立上がりエッジをクロック信号Ｓ１のタイ
ミングでラッチするラッチ回路３８ａ及び３８ｂと、ラ
ッチ回路３８ａ及び３８ｂの出力を微分してオフ終了信
号Ｓ８を出力する論理素子３９ａと、前記フリップフロ
ップ３６の立ち下がりエッジをクロック信号Ｓ１のタイ
ミングでラッチするラッチ回路３８ｃ及び３８ｄと、ラ
ッチ回路３８ｃ及び３８ｄの出力を微分してオン終了信
号Ｓ７を出力する論理素子３９ｂと、より構成されてい
る。
【００２４】このオン／オフ制御回路３０の動作を図４
のタイミングチャートを参照しつつ説明する。このタイ
ミングチャートにおいては、オン指令データＤＮが４
で、オフ指令データＤＦが２の場合を例にして各タイミ
ングが示されている。図４の（ａ）には前記放電検出回
路６により検出された間隙電圧ＶＧが示されており、
（ｂ）及び（ｃ）には各々スリーステートバッファ３３
ａ及び３３ｂに供給されるオンクロック信号Ｓ４及びオ
フクロック信号Ｓ５の波形が夫々示されている。図４の
（ｄ）にはトグルフリップフロップ３６及びカウンタ３
４に供給されるコンパレータ３５ａの一致信号Ｓ９が示
されている。図４（ｅ）には、フリップフロップ３６の
出力であり、セレクタ３１及びバッファ３３ａ及び３３
ｂに供給されると共に、前記電流波高値制御回路４０及
び第４のトランジスタ８のベースにも供給されるベース
信号ＳＢの波形を示している。図４（ｆ）及び（ｇ）は
論理素子３９ａ及び３９ｂが夫々出力するオフ終了信号
Ｓ８及びオン終了信号Ｓ７の波形を示しており、また、
図４（ｈ）はコンパレータ３５ｂが出力する比較一致信
号Ｓ６を示している。
のタイミングチャートを参照しつつ説明する。このタイ
ミングチャートにおいては、オン指令データＤＮが４
で、オフ指令データＤＦが２の場合を例にして各タイミ
ングが示されている。図４の（ａ）には前記放電検出回
路６により検出された間隙電圧ＶＧが示されており、
（ｂ）及び（ｃ）には各々スリーステートバッファ３３
ａ及び３３ｂに供給されるオンクロック信号Ｓ４及びオ
フクロック信号Ｓ５の波形が夫々示されている。図４の
（ｄ）にはトグルフリップフロップ３６及びカウンタ３
４に供給されるコンパレータ３５ａの一致信号Ｓ９が示
されている。図４（ｅ）には、フリップフロップ３６の
出力であり、セレクタ３１及びバッファ３３ａ及び３３
ｂに供給されると共に、前記電流波高値制御回路４０及
び第４のトランジスタ８のベースにも供給されるベース
信号ＳＢの波形を示している。図４（ｆ）及び（ｇ）は
論理素子３９ａ及び３９ｂが夫々出力するオフ終了信号
Ｓ８及びオン終了信号Ｓ７の波形を示しており、また、
図４（ｈ）はコンパレータ３５ｂが出力する比較一致信
号Ｓ６を示している。
【００２５】この図４のタイミングチャートにおいて、
時点ｔ０で、データセレクタ３１はオフ指令データを選
択している。時点ｔ１では、カウンタ３４とセレクタ３
１との出力値が一致するために一致信号Ｓ９が出力され
る。次に、セレクタ３１がオン指令データを選択して、
時点ｔ２においてはオン指令データの半分の時間とな
り、コンパレータ３５ｂの比較一致信号Ｓ６が出力され
る。時点ｔ３においてはオンクロック信号が４つカウン
トされて一致信号Ｓ９が出力されて、ベース信号ＳＢが
オフとなり、その後、時点ｔ０ないしｔ３が繰り返され
る。
時点ｔ０で、データセレクタ３１はオフ指令データを選
択している。時点ｔ１では、カウンタ３４とセレクタ３
１との出力値が一致するために一致信号Ｓ９が出力され
る。次に、セレクタ３１がオン指令データを選択して、
時点ｔ２においてはオン指令データの半分の時間とな
り、コンパレータ３５ｂの比較一致信号Ｓ６が出力され
る。時点ｔ３においてはオンクロック信号が４つカウン
トされて一致信号Ｓ９が出力されて、ベース信号ＳＢが
オフとなり、その後、時点ｔ０ないしｔ３が繰り返され
る。
【００２６】図５は、電流波高値制御回路４０の構成を
示しており、回路４０は前記オン／オフ制御回路より出
力されるベース信号ＳＢと電流波高値データＤＩＰとの
論理積をとってその論理積であるベース駆動信号
ＳＢ１，ＳＢ２及びＳＢ３を前記第１ないし第３のトラ
ンジスタ５ａ，５ｂ及び５ｃの夫々のベースに供給する
アンド回路４１ａないし４１ｎより構成されている。な
お対応する図１において、トランジスタは３つ設けられ
ているので、図５におけるアンド回路４１ｎは、回路４
１ｃとして信号ＳＢ３を出力していることになる。
示しており、回路４０は前記オン／オフ制御回路より出
力されるベース信号ＳＢと電流波高値データＤＩＰとの
論理積をとってその論理積であるベース駆動信号
ＳＢ１，ＳＢ２及びＳＢ３を前記第１ないし第３のトラ
ンジスタ５ａ，５ｂ及び５ｃの夫々のベースに供給する
アンド回路４１ａないし４１ｎより構成されている。な
お対応する図１において、トランジスタは３つ設けられ
ているので、図５におけるアンド回路４１ｎは、回路４
１ｃとして信号ＳＢ３を出力していることになる。
【００２７】前記クロック制御回路２０は、図６に示さ
れるように、クロック信号Ｓ１が入力されベース信号Ｓ
Ｂがオンのときにリセットされるバイナリカウンタ２１
と、このカウンタ２１の出力を前記選択データＤＳによ
り選択するマルチプレクサ２２と、このマルチプレクサ
２２の出力を１０分周するレイトマルチプライヤ２３
と、スター信号Ｓ２により選択されるスリーステートバ
ッファ２４ａ及び２４ｂと、前記クロック信号Ｓ１及び
スパーク信号Ｓ３の論理積をとるアンド回路２５と、よ
り構成されている。このアンド回路２５がオンクロック
信号Ｓ４を、前記バッファ２４ａ及び２４ｂがオフクロ
ック信号Ｓ５を前記オン／オフ制御回路３０に夫々出力
している。
れるように、クロック信号Ｓ１が入力されベース信号Ｓ
Ｂがオンのときにリセットされるバイナリカウンタ２１
と、このカウンタ２１の出力を前記選択データＤＳによ
り選択するマルチプレクサ２２と、このマルチプレクサ
２２の出力を１０分周するレイトマルチプライヤ２３
と、スター信号Ｓ２により選択されるスリーステートバ
ッファ２４ａ及び２４ｂと、前記クロック信号Ｓ１及び
スパーク信号Ｓ３の論理積をとるアンド回路２５と、よ
り構成されている。このアンド回路２５がオンクロック
信号Ｓ４を、前記バッファ２４ａ及び２４ｂがオフクロ
ック信号Ｓ５を前記オン／オフ制御回路３０に夫々出力
している。
【００２８】クロック制御回路２０の動作は、図７のタ
イミングチャートに示されている。図７（ａ）は放電加
工電極１とワーク２との間の間隙電圧ＶＧの波形を観察
し易いように分圧して示しており、（ｂ）は前記ベース
信号ＳＢを示している。このベース信号ＳＢが出力され
ると、間隙Ｇに無負荷電圧が発生して絶縁破壊を起こし
て放電が行なわれる。クロック信号Ｓ１は、基準となる
クロック信号であり、（ｃ）に示されている。図７
（ｄ）及び（ｅ）には、放電中を示すスパーク信号Ｓ３
と、前記検出信号発生回路１０により生成されたスター
信号Ｓ２とが夫々示されている。図７（ｆ）及び（ｇ）
にはオンクロック信号Ｓ４及びオフクロック信号Ｓ５が
夫々示されており、オンクロック信号Ｓ４は基本のクロ
ック信号Ｓ１のクロックを前記スパーク信号Ｓ３が存在
するときのみ出力し、オフクロック信号Ｓ５は選択デー
タＤＳとスター信号Ｓ２とにより算出された周波数のク
ロックをベース信号ＳＢがオフのときに出力するように
なっている。
イミングチャートに示されている。図７（ａ）は放電加
工電極１とワーク２との間の間隙電圧ＶＧの波形を観察
し易いように分圧して示しており、（ｂ）は前記ベース
信号ＳＢを示している。このベース信号ＳＢが出力され
ると、間隙Ｇに無負荷電圧が発生して絶縁破壊を起こし
て放電が行なわれる。クロック信号Ｓ１は、基準となる
クロック信号であり、（ｃ）に示されている。図７
（ｄ）及び（ｅ）には、放電中を示すスパーク信号Ｓ３
と、前記検出信号発生回路１０により生成されたスター
信号Ｓ２とが夫々示されている。図７（ｆ）及び（ｇ）
にはオンクロック信号Ｓ４及びオフクロック信号Ｓ５が
夫々示されており、オンクロック信号Ｓ４は基本のクロ
ック信号Ｓ１のクロックを前記スパーク信号Ｓ３が存在
するときのみ出力し、オフクロック信号Ｓ５は選択デー
タＤＳとスター信号Ｓ２とにより算出された周波数のク
ロックをベース信号ＳＢがオフのときに出力するように
なっている。
【００２９】前記検出信号発生回路１０は、図８に示す
ように、電極及びワーク間の放電状態を検出する放電検
出器１１と、前記クロック信号Ｓ１と放電検出器１１の
出力するスパーク信号に基づいて放電が開始されてから
５マイクロ秒（μｓｅｃ）経過したチェッククロック時
間Ｔ５及び１５マイクロ秒（μｓｅｃ）経過したチェッ
ククロック時間Ｔ１５を放電検出器１１に出力するチェ
ッククロック回路１２と、放電検出器１１の出力するカ
ウントアップ信号ＳＣＵに基づいてカウントアップする
と共にカウントダウン信号ＳＣＤに基づいてカウントダ
ウンするカウンタ１３とより構成されている。放電検出
器１１には、波高値データＤＩＰ，接続点電流信号
ＩＳ，間隙電圧ＶＧ，ベース信号ＳＢ，オン終了信号Ｓ
７，オフ終了信号Ｓ８，前記比較一致信号Ｓ６，及びク
ロック信号Ｓ１が前記時間Ｔ５及びＴ１５を示す信号以
外にも供給されている。前記クロック制御回路２０に
は、放電検出器１１よりスター信号Ｓ２及びスパーク信
号Ｓ３が供給され、前記カウンタ１３よりカウントアッ
プ又はカウントダウンに関する選択データＤＳが供給さ
れる。
ように、電極及びワーク間の放電状態を検出する放電検
出器１１と、前記クロック信号Ｓ１と放電検出器１１の
出力するスパーク信号に基づいて放電が開始されてから
５マイクロ秒（μｓｅｃ）経過したチェッククロック時
間Ｔ５及び１５マイクロ秒（μｓｅｃ）経過したチェッ
ククロック時間Ｔ１５を放電検出器１１に出力するチェ
ッククロック回路１２と、放電検出器１１の出力するカ
ウントアップ信号ＳＣＵに基づいてカウントアップする
と共にカウントダウン信号ＳＣＤに基づいてカウントダ
ウンするカウンタ１３とより構成されている。放電検出
器１１には、波高値データＤＩＰ，接続点電流信号
ＩＳ，間隙電圧ＶＧ，ベース信号ＳＢ，オン終了信号Ｓ
７，オフ終了信号Ｓ８，前記比較一致信号Ｓ６，及びク
ロック信号Ｓ１が前記時間Ｔ５及びＴ１５を示す信号以
外にも供給されている。前記クロック制御回路２０に
は、放電検出器１１よりスター信号Ｓ２及びスパーク信
号Ｓ３が供給され、前記カウンタ１３よりカウントアッ
プ又はカウントダウンに関する選択データＤＳが供給さ
れる。
【００３０】上記放電検出器１１の詳細な構成が、図９
に示されている。図において、参照符号１０１は間隙電
圧ＶＧと基準電圧とを比較するコンパレータであり、こ
のコンパレータ１０１は間隙電圧が基準電圧以下のとき
に有意の信号レベル例えばレベル１を出力する。このコ
ンパレータ１０１の出力は、アンド回路１０２により前
記ベース信号ＳＢとの間で論理積がとられて前記スパー
ク信号Ｓ３として出力される。
に示されている。図において、参照符号１０１は間隙電
圧ＶＧと基準電圧とを比較するコンパレータであり、こ
のコンパレータ１０１は間隙電圧が基準電圧以下のとき
に有意の信号レベル例えばレベル１を出力する。このコ
ンパレータ１０１の出力は、アンド回路１０２により前
記ベース信号ＳＢとの間で論理積がとられて前記スパー
ク信号Ｓ３として出力される。
【００３１】一方、前記電流波高値データＤＩＰは設定
される波高値に応じて読出し専用メモリ（ＲＯＭ）１１
１ａ，１１１ｂ及び１１１ｃの何れかによりそのデータ
が出力される。符号１１２ａないし１１２ｃは、前記Ｒ
ＯＭ１１１ａないし１１１ｃより出力された前記データ
に基づいて相当する電圧値を出力するＤ／Ａコンバータ
である。
される波高値に応じて読出し専用メモリ（ＲＯＭ）１１
１ａ，１１１ｂ及び１１１ｃの何れかによりそのデータ
が出力される。符号１１２ａないし１１２ｃは、前記Ｒ
ＯＭ１１１ａないし１１１ｃより出力された前記データ
に基づいて相当する電圧値を出力するＤ／Ａコンバータ
である。
【００３２】前記コンバータ１１２ａより出力されたＬ
Ｚ（低インピーダンス）レベル信号と前記接続点におけ
る電流信号ＩＳとは、コンパレータ１１３ａにより比較
される。前記コンバータ１１２ｂより出力されたＨＺ
（高インピーダンス）レベル信号は、コンパレータ１１
３ｂにより比較され、コンバータ１１２ｃの出力したア
ークレベルの信号は、コンパレータ１１３ｃにより夫々
電流信号ＩＳと比較される。更に、放電検出器１１は、
コンパレータ１１３ａの比較出力を反転するインバータ
（反転素子）１１４と、このインバータ１１４の出力信
号を前記時間信号Ｔ５でラッチしてオフ終了信号Ｓ８で
リセットするＤラッチ回路１１５ａと、信号ＩＳで示さ
れる接続点の電流値がＨＺレベルより低いときに有意の
レベルの信号を出力するコンパレータ１１３ｂの出力信
号を前記時間信号Ｔ１５によりラッチし前記オフ終了信
号Ｓ８でリセットするＤラッチ回路１１５ｂと、信号Ｉ
Ｓで示される接続点の電流値がアークレベルより低いと
きに有意のレベルの信号を出力するコンパレータ１１３
ｃの出力信号を前記比較一致信号Ｓ６によりラッチし前
記オフ終了信号Ｓ８でリセットするＤラッチ回路１１５
ｃと、前記Ｄラッチ回路１１５ａ及び１１５ｂの夫々の
出力の論理和をとりその演算結果としてのスター信号Ｓ
２を出力するオア回路１１６と、前記Ｄラッチ回路１１
５ｃのラッチ出力又はその反転出力と前記オン終了信号
Ｓ８との夫々の論理積をとり前記カウントダウン信号Ｓ
ＣＤ又はカウントアップ信号ＳＣＵを夫々出力するアン
ド回路１１７ａ及び１１７ｂと、を備えている。
Ｚ（低インピーダンス）レベル信号と前記接続点におけ
る電流信号ＩＳとは、コンパレータ１１３ａにより比較
される。前記コンバータ１１２ｂより出力されたＨＺ
（高インピーダンス）レベル信号は、コンパレータ１１
３ｂにより比較され、コンバータ１１２ｃの出力したア
ークレベルの信号は、コンパレータ１１３ｃにより夫々
電流信号ＩＳと比較される。更に、放電検出器１１は、
コンパレータ１１３ａの比較出力を反転するインバータ
（反転素子）１１４と、このインバータ１１４の出力信
号を前記時間信号Ｔ５でラッチしてオフ終了信号Ｓ８で
リセットするＤラッチ回路１１５ａと、信号ＩＳで示さ
れる接続点の電流値がＨＺレベルより低いときに有意の
レベルの信号を出力するコンパレータ１１３ｂの出力信
号を前記時間信号Ｔ１５によりラッチし前記オフ終了信
号Ｓ８でリセットするＤラッチ回路１１５ｂと、信号Ｉ
Ｓで示される接続点の電流値がアークレベルより低いと
きに有意のレベルの信号を出力するコンパレータ１１３
ｃの出力信号を前記比較一致信号Ｓ６によりラッチし前
記オフ終了信号Ｓ８でリセットするＤラッチ回路１１５
ｃと、前記Ｄラッチ回路１１５ａ及び１１５ｂの夫々の
出力の論理和をとりその演算結果としてのスター信号Ｓ
２を出力するオア回路１１６と、前記Ｄラッチ回路１１
５ｃのラッチ出力又はその反転出力と前記オン終了信号
Ｓ８との夫々の論理積をとり前記カウントダウン信号Ｓ
ＣＤ又はカウントアップ信号ＳＣＵを夫々出力するアン
ド回路１１７ａ及び１１７ｂと、を備えている。
【００３３】この放電検出器１１の各構成部分に関連す
る信号の出力波形は、図１０に示されている。図１０に
おいて、（ａ）は間隙電圧ＶＧ，（ｂ）は接続点電流検
出信号ＩＳの電圧レベルをＨＺ（高インピーダンス）レ
ベル，ＬＺ（低インピーダンス）レベル及びアークレベ
ルとの関連で夫々示している。（ｃ）及び（ｄ）は、時
間信号Ｔ５及びＴ１５を夫々示しており、（ｅ）はベー
ス信号ＳＢを、（ｆ）及び（ｇ）はオン終了信号Ｓ７及
びオフ終了信号Ｓ８の出力波形を夫々示している。
（ｈ）は比較一致信号Ｓ６の波形、（ｉ）はスパーク信
号Ｓ３の波形を夫々示し、（ｊ）及び（ｋ）は夫々カウ
ントダウン信号ＳＣＤ及びカウントアップ信号ＳＣＵの
波形、更に（ｌ）はスター信号Ｓ２の波形を夫々示して
いる。図９に示された各論理素子の動作に基づいて、図
１０（ｉ）ないし（ｌ）に示された波形を有するスパー
ク信号Ｓ３，カウントダウン信号ＳＣＤ，カウントアッ
プ信号ＳＣＵ及びスター信号Ｓ２が夫々出力されること
になる。
る信号の出力波形は、図１０に示されている。図１０に
おいて、（ａ）は間隙電圧ＶＧ，（ｂ）は接続点電流検
出信号ＩＳの電圧レベルをＨＺ（高インピーダンス）レ
ベル，ＬＺ（低インピーダンス）レベル及びアークレベ
ルとの関連で夫々示している。（ｃ）及び（ｄ）は、時
間信号Ｔ５及びＴ１５を夫々示しており、（ｅ）はベー
ス信号ＳＢを、（ｆ）及び（ｇ）はオン終了信号Ｓ７及
びオフ終了信号Ｓ８の出力波形を夫々示している。
（ｈ）は比較一致信号Ｓ６の波形、（ｉ）はスパーク信
号Ｓ３の波形を夫々示し、（ｊ）及び（ｋ）は夫々カウ
ントダウン信号ＳＣＤ及びカウントアップ信号ＳＣＵの
波形、更に（ｌ）はスター信号Ｓ２の波形を夫々示して
いる。図９に示された各論理素子の動作に基づいて、図
１０（ｉ）ないし（ｌ）に示された波形を有するスパー
ク信号Ｓ３，カウントダウン信号ＳＣＤ，カウントアッ
プ信号ＳＣＵ及びスター信号Ｓ２が夫々出力されること
になる。
【００３４】図９及び図１０により詳細に説明された放
電検出器１１の構成及び動作に関連する電流波高値デー
タＤＩＰに基づく放電状態の検出レベルは、ＬＺ（低イ
ンピーダンス）レベル，ＨＺ（高インピーダンス）レベ
ル及びアークレベルに分類された図１１の表に示されて
いる。この検出レベルは実験により求められたものであ
り、表の左欄に記載された波高値を有する電流（アンペ
ア）が下方に向かって増加するのに反比例して、各レベ
ルの電圧は夫々図示のように変えられて設定される。
電検出器１１の構成及び動作に関連する電流波高値デー
タＤＩＰに基づく放電状態の検出レベルは、ＬＺ（低イ
ンピーダンス）レベル，ＨＺ（高インピーダンス）レベ
ル及びアークレベルに分類された図１１の表に示されて
いる。この検出レベルは実験により求められたものであ
り、表の左欄に記載された波高値を有する電流（アンペ
ア）が下方に向かって増加するのに反比例して、各レベ
ルの電圧は夫々図示のように変えられて設定される。
【００３５】次に、請求項１に記載された放電加工にお
ける加工電流制御方法について、図１２のフローチャー
トを参照しながら説明する。図１２は、図１ないし図１
１により一実施形態として説明されると共に請求項２に
記載の加工電流制御装置の動作を説明するものである。
図において、制御装置の処理動作がスタートすると、ま
ずステップＳＴ１において、加工条件が入力される。ス
テップＳＴ２では、波高値データＤＩＰに基づいて例え
ば図１１に示された検出レベルが設定される。
ける加工電流制御方法について、図１２のフローチャー
トを参照しながら説明する。図１２は、図１ないし図１
１により一実施形態として説明されると共に請求項２に
記載の加工電流制御装置の動作を説明するものである。
図において、制御装置の処理動作がスタートすると、ま
ずステップＳＴ１において、加工条件が入力される。ス
テップＳＴ２では、波高値データＤＩＰに基づいて例え
ば図１１に示された検出レベルが設定される。
【００３６】次に、ステップＳＴ３の判断ステップにお
いて、電極１とワーク２との間隙Ｇで放電が為されたか
が判断される。放電が起きていないと判断された場合、
放電が起こるまで処理ステップは循環する。放電がなさ
れているものと判断された場合、ステップＳＴ４におい
て５マイクロ秒（μｓｅｃ）だけ処理が待たれる。その
後、ステップＳＴ５において、発生した放電電流信号
（接続点電流信号ＩＳ、以下同じ）のレベルがＬＺ（低
インピーダンス）レベル以上の場合、ステップＳＴ６に
おいて、スター信号Ｓ２が設定され、次いで、ステップ
ＳＴ７において、処理が１５マイクロ秒（μｓｅｃ）だ
け待たれる。前記ステップＳＴ５で放電電流信号のレベ
ルがＬＺ（低インピーダンス）レベル以下であると判断
された場合には、ステップＳＴ６をジャンプして前記ス
テップＳＴ７に移り、処理が１５マイクロ秒（μｓｅ
ｃ）だけ待たれる。
いて、電極１とワーク２との間隙Ｇで放電が為されたか
が判断される。放電が起きていないと判断された場合、
放電が起こるまで処理ステップは循環する。放電がなさ
れているものと判断された場合、ステップＳＴ４におい
て５マイクロ秒（μｓｅｃ）だけ処理が待たれる。その
後、ステップＳＴ５において、発生した放電電流信号
（接続点電流信号ＩＳ、以下同じ）のレベルがＬＺ（低
インピーダンス）レベル以上の場合、ステップＳＴ６に
おいて、スター信号Ｓ２が設定され、次いで、ステップ
ＳＴ７において、処理が１５マイクロ秒（μｓｅｃ）だ
け待たれる。前記ステップＳＴ５で放電電流信号のレベ
ルがＬＺ（低インピーダンス）レベル以下であると判断
された場合には、ステップＳＴ６をジャンプして前記ス
テップＳＴ７に移り、処理が１５マイクロ秒（μｓｅ
ｃ）だけ待たれる。
【００３７】次に、ステップＳＴ８において、放電電流
信号のレベルがＨＺ（高インピーダンス）レベル以下か
否かが判断される。ステップＳＴ８でＨＺ（高インピー
ダンス）レベル以下であると判断された場合、処理は次
のステップＳＴ９に進み、スター信号Ｓ２が設定され
る。前記ステップＳＴ８で放電電流信号のレベルがＨＺ
（高インピーダンス）レベル以上であると判断された場
合、又はステップＳＴ９でスター信号Ｓ２が設定された
場合には、処理は次段のステップＳＴ１７へと進む。
信号のレベルがＨＺ（高インピーダンス）レベル以下か
否かが判断される。ステップＳＴ８でＨＺ（高インピー
ダンス）レベル以下であると判断された場合、処理は次
のステップＳＴ９に進み、スター信号Ｓ２が設定され
る。前記ステップＳＴ８で放電電流信号のレベルがＨＺ
（高インピーダンス）レベル以上であると判断された場
合、又はステップＳＴ９でスター信号Ｓ２が設定された
場合には、処理は次段のステップＳＴ１７へと進む。
【００３８】ここで、図８の検出信号発生回路１０によ
り選択データＤＳが生成される場合の処理動作につき、
ステップＳＴ１１ないしＳＴ１６に従い説明する。
り選択データＤＳが生成される場合の処理動作につき、
ステップＳＴ１１ないしＳＴ１６に従い説明する。
【００３９】選択データＤＳが作成される場合には、ま
ずステップＳＴ１１において、処理動作がオン指令デー
タＤＮの１／２の時間（比較一致信号Ｓ６で示されるオ
ンハーフ）待たれる。次に、放電電流信号のレベルがア
ークレベル以上か否かが、ステップＳＴ１２により判断
される。ステップＳＴ１２において、アークレベル以上
であると判断された場合には、次段のステップＳＴ１３
において、前記カウントアップ信号ＳＣＵが設定され
る。放電電流信号のレベルがアークレベル以下であると
処理ステップＳＴ１２で判断された場合には、処理はス
テップＳＴ１４に進み、カウントダウン信号ＳＣＤが設
定される。ステップＳＴ１３でカウントアップ信号Ｓ
ＣＵが設定されると、次段のステップＳＴ１５におい
て、１つだけカウントアップされる。前記ステップＳＴ
１４においてカウントダウン信号ＳＣＤが設定される
と、次段のステップＳＴ１６で１つだけカウントダウン
される。前記ステップＳＴ８，ＳＴ９，ＳＴ１５及びＳ
Ｔ１６において夫々の処理が為された後、処理はステッ
プＳＴ１７に進み、オン終了信号Ｓ７が入力されたか否
かが判断される。オン終了信号Ｓ７が入力されていない
と判断された場合には、オン終了信号が入力されるま
で、処理は循環する。ステップＳＴ１７において、オン
終了信号Ｓ７が入力されているものと判断された場合に
は、次段のステップＳＴ１８において、スター信号Ｓ２
が入力されているか否かが判断される。ステップＳＴ１
８でスター信号Ｓ２が入力されているものと判断された
場合には、ステップＳＴ１９において、オフクロック信
号Ｓ５が、式『Ｓ５＝Ｓ５×２ｎ×１０』により設定さ
れる。処理ステップＳＴ１８でスター信号Ｓ２が入力さ
れていないものと判断された場合には、処理はステップ
ＳＴ２０に進み、オフクロック信号Ｓ５が、式『Ｓ５＝
Ｓ５×２ｎ』により設定される。このように処理ステッ
プＳＴ１ないしＳＴ９及びＳＴ１１ないしＳＴ２０を繰
り返すことにより、図９に示された放電検出器１１の動
作が行なわれる。
ずステップＳＴ１１において、処理動作がオン指令デー
タＤＮの１／２の時間（比較一致信号Ｓ６で示されるオ
ンハーフ）待たれる。次に、放電電流信号のレベルがア
ークレベル以上か否かが、ステップＳＴ１２により判断
される。ステップＳＴ１２において、アークレベル以上
であると判断された場合には、次段のステップＳＴ１３
において、前記カウントアップ信号ＳＣＵが設定され
る。放電電流信号のレベルがアークレベル以下であると
処理ステップＳＴ１２で判断された場合には、処理はス
テップＳＴ１４に進み、カウントダウン信号ＳＣＤが設
定される。ステップＳＴ１３でカウントアップ信号Ｓ
ＣＵが設定されると、次段のステップＳＴ１５におい
て、１つだけカウントアップされる。前記ステップＳＴ
１４においてカウントダウン信号ＳＣＤが設定される
と、次段のステップＳＴ１６で１つだけカウントダウン
される。前記ステップＳＴ８，ＳＴ９，ＳＴ１５及びＳ
Ｔ１６において夫々の処理が為された後、処理はステッ
プＳＴ１７に進み、オン終了信号Ｓ７が入力されたか否
かが判断される。オン終了信号Ｓ７が入力されていない
と判断された場合には、オン終了信号が入力されるま
で、処理は循環する。ステップＳＴ１７において、オン
終了信号Ｓ７が入力されているものと判断された場合に
は、次段のステップＳＴ１８において、スター信号Ｓ２
が入力されているか否かが判断される。ステップＳＴ１
８でスター信号Ｓ２が入力されているものと判断された
場合には、ステップＳＴ１９において、オフクロック信
号Ｓ５が、式『Ｓ５＝Ｓ５×２ｎ×１０』により設定さ
れる。処理ステップＳＴ１８でスター信号Ｓ２が入力さ
れていないものと判断された場合には、処理はステップ
ＳＴ２０に進み、オフクロック信号Ｓ５が、式『Ｓ５＝
Ｓ５×２ｎ』により設定される。このように処理ステッ
プＳＴ１ないしＳＴ９及びＳＴ１１ないしＳＴ２０を繰
り返すことにより、図９に示された放電検出器１１の動
作が行なわれる。
【００４０】以上、説明した一実施形態の効果を従来技
術との比較の下に、図１３ないし図１５に従い説明す
る。
術との比較の下に、図１３ないし図１５に従い説明す
る。
【００４１】図１３に示された実験データは、以下の加
工条件で放電加工を行なった場合の加工速度を示してお
り、また、図１４及び図１５は従来の制御装置を用いて
加工したワークと上記実施例の制御装置を用いて加工し
たワークの夫々の加工面の状況を示すものである。加工
条件はオン信号は８０マイクロ秒（μｓｅｃ），オフ信
号は２０マイクロ秒（μｓｅｃ），波高値データＤＩＰ
は４アンペア（Ａ），加工電圧は９０ボルト（Ｖ），放
電電極はプラス極性であり通常の型彫放電加工とは逆極
性である。実験項目は比較的不安定な状況になり易い加
工における上記加工条件を従来の制御方式とした場合と
上記実施例の方式とした場合との加工速度及び加工面状
況との比較である。加工電極は直径５ｍｍの銅・タング
ステン合金（ＣｕＷ）により製造されており、ワークの
材質はリゴー材で、加工深さ０．５ｍｍで１０穴を一列
に穿孔した場合のデータである。
工条件で放電加工を行なった場合の加工速度を示してお
り、また、図１４及び図１５は従来の制御装置を用いて
加工したワークと上記実施例の制御装置を用いて加工し
たワークの夫々の加工面の状況を示すものである。加工
条件はオン信号は８０マイクロ秒（μｓｅｃ），オフ信
号は２０マイクロ秒（μｓｅｃ），波高値データＤＩＰ
は４アンペア（Ａ），加工電圧は９０ボルト（Ｖ），放
電電極はプラス極性であり通常の型彫放電加工とは逆極
性である。実験項目は比較的不安定な状況になり易い加
工における上記加工条件を従来の制御方式とした場合と
上記実施例の方式とした場合との加工速度及び加工面状
況との比較である。加工電極は直径５ｍｍの銅・タング
ステン合金（ＣｕＷ）により製造されており、ワークの
材質はリゴー材で、加工深さ０．５ｍｍで１０穴を一列
に穿孔した場合のデータである。
【００４２】図１３に示された加工速度の比較データ、
及び、図１４及び図１５に示された加工面状況より明ら
かなように、従来の制御装置によれば、加工が不安定で
アーク痕や疵又は加工穴の底部の汚れ等が発生している
にも拘らず、１ないし１０回までの何れの回においても
本発明の一実施例による制御装置を用いたものよりも倍
近い時間を必要としていることが分かる。これに対し
て、この発明の一実施例の装置を用いて放電加工作業を
行なった場合には、加工速度も１０ないし１５分程度と
従来の約半分位にまで減少したばかりでなく、加工面に
おけるアーク痕や汚れ等も殆ど無く、極めて良好な加工
成績であることが分かる。
及び、図１４及び図１５に示された加工面状況より明ら
かなように、従来の制御装置によれば、加工が不安定で
アーク痕や疵又は加工穴の底部の汚れ等が発生している
にも拘らず、１ないし１０回までの何れの回においても
本発明の一実施例による制御装置を用いたものよりも倍
近い時間を必要としていることが分かる。これに対し
て、この発明の一実施例の装置を用いて放電加工作業を
行なった場合には、加工速度も１０ないし１５分程度と
従来の約半分位にまで減少したばかりでなく、加工面に
おけるアーク痕や汚れ等も殆ど無く、極めて良好な加工
成績であることが分かる。
【００４３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明に
係る加工電流制御方法及び加工電流制御装置によれば、
例えば複数の検出時点のような異なる幾つかの加工条件
に応じて加工電流の検出領域を変更して、この変更され
た検出領域内の加工電流の波高値を検出して、検出され
た波高値により放電状態を判別し、判別された放電状態
に対応して前記加工電流を適合した平均電流値に最適制
御するようにしたので、加工条件毎に放電状態の少なく
とも１つの検出レベルないしは検出時点を変更してその
状態に適合した放電電流の最適制御を行なうことによ
り、加工時間の無駄を無くして加工面の荒れや損傷の発
生を防止することができる。従って、放電加工条件が変
更された場合、特に放電電流の波高値が変化した場合で
も、加工電流の検出レベルを適応的に変更し、その検出
レベルに応じて放電加工のパルス波形を正確に特定する
ことが可能となる。
係る加工電流制御方法及び加工電流制御装置によれば、
例えば複数の検出時点のような異なる幾つかの加工条件
に応じて加工電流の検出領域を変更して、この変更され
た検出領域内の加工電流の波高値を検出して、検出され
た波高値により放電状態を判別し、判別された放電状態
に対応して前記加工電流を適合した平均電流値に最適制
御するようにしたので、加工条件毎に放電状態の少なく
とも１つの検出レベルないしは検出時点を変更してその
状態に適合した放電電流の最適制御を行なうことによ
り、加工時間の無駄を無くして加工面の荒れや損傷の発
生を防止することができる。従って、放電加工条件が変
更された場合、特に放電電流の波高値が変化した場合で
も、加工電流の検出レベルを適応的に変更し、その検出
レベルに応じて放電加工のパルス波形を正確に特定する
ことが可能となる。
【００４４】また、放電電圧を検出するのではなく加工
電流を検出することにより制御を行なう場合において
も、加工電流の波高値と検出レベルの波高値とが異なる
ことがなく、状況に応じて一層適応的な加工電流の制御
を行なうことができる。
電流を検出することにより制御を行なう場合において
も、加工電流の波高値と検出レベルの波高値とが異なる
ことがなく、状況に応じて一層適応的な加工電流の制御
を行なうことができる。
【００４５】更にまた、放電波形により放電状態の判別
を行なうようにしても、その判別結果を制御に正確に取
り入れることができ、放電状態に応じた有効な制御方法
を選択できるので、ワークの加工面の汚れや損傷を回避
でき、また、加工時間の短縮をも図れるという優れた効
果もある。
を行なうようにしても、その判別結果を制御に正確に取
り入れることができ、放電状態に応じた有効な制御方法
を選択できるので、ワークの加工面の汚れや損傷を回避
でき、また、加工時間の短縮をも図れるという優れた効
果もある。
【図１】この発明の一実施形態による放電加工機におけ
る加工電流制御装置の全体構成を示すブロック図であ
る。
る加工電流制御装置の全体構成を示すブロック図であ
る。
【図２】図１の制御装置におけるトランジスタ８及び検
出抵抗７ｂの接続点の電流の検出信号により表わされた
加工作業中の種々の放電パルス電流の波形を示す特性図
である。
出抵抗７ｂの接続点の電流の検出信号により表わされた
加工作業中の種々の放電パルス電流の波形を示す特性図
である。
【図３】図１に示された一実施形態による放電加工機に
おける加工電流制御装置のオン／オフ制御回路の構成を
示すブロック図である。
おける加工電流制御装置のオン／オフ制御回路の構成を
示すブロック図である。
【図４】図３に示されたオン／オフ制御回路の動作特性
を入力及び出力信号により示すタイミングチャートであ
る。
を入力及び出力信号により示すタイミングチャートであ
る。
【図５】図１に示された一実施形態の制御装置の電流波
高値制御回路の論理素子の構成を示す論理回路図であ
る。
高値制御回路の論理素子の構成を示す論理回路図であ
る。
【図６】図１に示された一実施形態の制御装置のクロッ
ク制御回路の構成を示すブロック図である。
ク制御回路の構成を示すブロック図である。
【図７】図６に示されたクロック制御回路の動作特性を
入力及び出力信号により示すタイミングチャートであ
る。
入力及び出力信号により示すタイミングチャートであ
る。
【図８】図１に示された一実施形態の制御装置の検出信
号発生回路の概略構成を示すブロック図である。
号発生回路の概略構成を示すブロック図である。
【図９】図８に示された検出信号発生回路における放電
検出器の回路構成を示す論理回路図である。
検出器の回路構成を示す論理回路図である。
【図１０】図９に示された放電検出器の動作特性を入力
及び出力信号により示すブロック図である。
及び出力信号により示すブロック図である。
【図１１】図２及び図１０に示された各レベルを加工電
流の波高値との相関の下に実験値により求めた表であ
る。
流の波高値との相関の下に実験値により求めた表であ
る。
【図１２】この発明の一実施形態による加工電流制御装
置の信号処理動作を特に放電検出器の動作に着目して示
すフローチャートである。
置の信号処理動作を特に放電検出器の動作に着目して示
すフローチャートである。
【図１３】図１以下に示された一実施形態による加工電
流制御装置における加工時間の短縮化の効果を従来例と
の比較の下に示すグラフである。
流制御装置における加工時間の短縮化の効果を従来例と
の比較の下に示すグラフである。
【図１４】従来の制御装置による放電加工作業の結果、
ワークの加工面に発生したアーク痕及び汚れを実施例と
の比較のために示す平面図である。
ワークの加工面に発生したアーク痕及び汚れを実施例と
の比較のために示す平面図である。
【図１５】図１以下に示された一実施形態による加工電
流制御装置におけるワークの加工面の仕上がり精度を示
す平面図である。
流制御装置におけるワークの加工面の仕上がり精度を示
す平面図である。
６ 放電検出回路 ７ｂ 検出用抵抗 １０ 検出信号発生回路 １１ 放電検出器（放電状態判別手段） ２０ クロック制御回路 ３０ オン／オフ制御回路（電流制御手段） ４０ 電流波高値制御回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−144090（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−91695（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23H 1/00 - 7/20
Claims (2)
- 【請求項１】予め設定された複数の検出時点と該検出時
点の各々に対応する少なくとも２つの異なる検出レベル
とにより形成される複数の検出領域を加工条件に応じて
設定するステップと、電極と被加工物との間隙に流れる
パルス電流の波高値を検出するステップと、検出された
前記パルス電流の波高値と前記検出領域とに基づいて放
電状態を判別するステップと、判別された前記放電状態
に応じて前記パルス電流を制御するステップと、を少な
くとも含んでなる加工電流制御方法。 - 【請求項２】予め設定された複数の検出時点と該検出時
点の各々に対応する少なくとも２つの異なる検出レベル
とにより形成される複数の検出領域を加工条件に応じて
設定する手段と、電極と被加工物との間隙に流れるパル
ス電流の波高値を検出する手段と、検出された前記パル
ス電流の波高値と前記検出領域とに基づいて放電状態を
判別する手段と、判別された前記放電状態に応じて前記
パルス電流を制御する手段と、を少なくとも含んでなる
加工電流制御装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094715A JP3014793B2 (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 加工電流制御方法及び加工電流制御装置 |
| DE69204338T DE69204338T2 (de) | 1991-04-01 | 1992-03-31 | Funkenerosionsmaschine. |
| EP92302849A EP0507560B1 (en) | 1991-04-01 | 1992-03-31 | Electric discharge machines |
| US08/053,806 US5352859A (en) | 1991-04-01 | 1993-04-29 | Adaptive method and apparatus for controlling machining current in electric discharge machines |
| HK170295A HK170295A (en) | 1991-04-01 | 1995-11-02 | Electric discharge machines |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094715A JP3014793B2 (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 加工電流制御方法及び加工電流制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04304924A JPH04304924A (ja) | 1992-10-28 |
| JP3014793B2 true JP3014793B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=14117838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3094715A Expired - Fee Related JP3014793B2 (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 加工電流制御方法及び加工電流制御装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5352859A (ja) |
| EP (1) | EP0507560B1 (ja) |
| JP (1) | JP3014793B2 (ja) |
| DE (1) | DE69204338T2 (ja) |
| HK (1) | HK170295A (ja) |
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| JP3343267B2 (ja) * | 1992-08-25 | 2002-11-11 | 株式会社ソディック | 放電加工方法及び放電加工用電源装置 |
| US5539178A (en) * | 1992-11-18 | 1996-07-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for controlling the power supply for electrical discharge machine |
| JP2914102B2 (ja) * | 1993-06-30 | 1999-06-28 | 三菱電機株式会社 | 放電加工機 |
| US5684417A (en) * | 1995-11-14 | 1997-11-04 | United Microelectronics Corporation | Data sensing apparatus of a read only memory device |
| JP3930962B2 (ja) * | 1998-02-03 | 2007-06-13 | 株式会社ソディック | 放電加工用電源装置における障害検知方法、放電加工用電源装置の制御方法及び放電加工用電源装置 |
| JP3830655B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2006-10-04 | 株式会社ソディック | 放電加工装置用スイッチング回路の保護回路 |
| US6169261B1 (en) * | 1998-06-12 | 2001-01-02 | Industrial Technology Research Institute | Apparatus and method for generating an electric discharge for use in the line cutting of a workpiece |
| US7041933B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-05-09 | Meyer Tool, Inc. | Complex hole shaping |
| JP3950844B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2007-08-01 | ファナック株式会社 | 放電加工機 |
| ES2325597T3 (es) * | 2006-11-06 | 2009-09-09 | Agie Sa | Procedimiento y dispositivo para mecanizar por electroerosion. |
| JP2009056582A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Sodick Co Ltd | 形彫放電加工方法および形彫放電加工装置 |
| TWI500466B (zh) * | 2012-09-25 | 2015-09-21 | Ind Tech Res Inst | 調變式放電加工控制裝置與方法 |
| US9452483B2 (en) * | 2012-11-14 | 2016-09-27 | General Electric Company | Electric discharge machining die sinking device and related method of operation |
| EP2951111A4 (en) * | 2013-02-04 | 2017-01-25 | Anca Pty. Ltd. | Pulse and gap control for electrical discharge machining equipment |
| JP5800923B2 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-10-28 | ファナック株式会社 | ワイヤ放電加工機の加工用電源装置 |
| JP6517847B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2019-05-22 | ファナック株式会社 | ワイヤ放電加工機および加工方法 |
| CN113579377B (zh) * | 2021-06-11 | 2022-05-17 | 淮阴工学院 | 一种台阶式叶片双回路套料电解加工装置及方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US3997753A (en) * | 1969-03-17 | 1976-12-14 | Inoue K | Control system and method for electric discharge machining (EDM) using a predetermined portion of each discharge pulse for monitoring |
| US3705286A (en) * | 1971-01-21 | 1972-12-05 | Iwao Kondo | Electric discharge machining device |
| JPS51119597A (en) * | 1975-04-14 | 1976-10-20 | Inoue Japax Res Inc | Method and apparatus of controlling gap in discharge processing |
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| JPS5789523A (en) * | 1980-11-17 | 1982-06-03 | Hitachi Seiko Ltd | Electric discharge machining device |
| US4504722A (en) * | 1982-02-26 | 1985-03-12 | Hitachi Seiko Ltd. | Fully automated machining apparatus optimization for electric discharge machining apparatus |
| US4892989A (en) * | 1983-05-02 | 1990-01-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Discharge machining apparatus having means for distinguishing abnormal interelectrode gap conditions |
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| JPS62193728A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 放電加工装置 |
| DE3622520A1 (de) * | 1986-07-04 | 1988-01-07 | Deckel Ag Friedrich | Verfahren und einrichtung zur ueberwachung eines funkenerodier-prozesses in einer funkenerodiermaschine |
| JPS63156618A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-29 | Hoden Seimitsu Kako Kenkyusho Ltd | 放電加工装置 |
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- 1991-04-01 JP JP3094715A patent/JP3014793B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1992-03-31 EP EP92302849A patent/EP0507560B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-31 DE DE69204338T patent/DE69204338T2/de not_active Expired - Fee Related
-
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- 1993-04-29 US US08/053,806 patent/US5352859A/en not_active Expired - Lifetime
-
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- 1995-11-02 HK HK170295A patent/HK170295A/xx not_active IP Right Cessation
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| HK170295A (en) | 1995-11-10 |
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