JP3010900B2 - トリマコンデンサ - Google Patents
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、コンデンサに関し、
詳しくは、微少容量を調整することが可能なトリマコン
デンサに関する。
詳しくは、微少容量を調整することが可能なトリマコン
デンサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のトリマコンデンサとしては、例え
ば、図8に示すようなチップ型トリマコンデンサがあ
る。このトリマコンデンサは、固定電極32を樹脂31
aでモールドして一体成形することにより形成されたス
テータ31の上面(固定電極32が形成された面)と、
誘電性を有するセラミック板33aに可変電極34を配
設することにより形成されたセラミック誘電体板33の
下面(可変電極34が形成されていない方の面)とを摺
動可能に接合させ、ステータの貫通穴38とセラミック
誘電体板33の貫通穴39に金属中心軸35を貫通さ
せ、金属中心軸35の先端部を金属ばね36と係合させ
てかしめることにより形成されている。
ば、図8に示すようなチップ型トリマコンデンサがあ
る。このトリマコンデンサは、固定電極32を樹脂31
aでモールドして一体成形することにより形成されたス
テータ31の上面(固定電極32が形成された面)と、
誘電性を有するセラミック板33aに可変電極34を配
設することにより形成されたセラミック誘電体板33の
下面(可変電極34が形成されていない方の面)とを摺
動可能に接合させ、ステータの貫通穴38とセラミック
誘電体板33の貫通穴39に金属中心軸35を貫通さ
せ、金属中心軸35の先端部を金属ばね36と係合させ
てかしめることにより形成されている。
【0003】そして、このトリマコンデンサにおいて
は、ステータ31の上面(固定電極32が形成された
面)とセラミック誘電体板33の下面(可変電極34が
形成されていない方の面)とを接合させた状態でセラミ
ック誘電体板33を回転摺動させ、固定電極32と可変
電極34の対向面積(重なり面積)を変えることによ
り、固定電極32と可変電極34の間に形成される静電
容量の大きさを調整するように構成されている。
は、ステータ31の上面(固定電極32が形成された
面)とセラミック誘電体板33の下面(可変電極34が
形成されていない方の面)とを接合させた状態でセラミ
ック誘電体板33を回転摺動させ、固定電極32と可変
電極34の対向面積(重なり面積)を変えることによ
り、固定電極32と可変電極34の間に形成される静電
容量の大きさを調整するように構成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
チップ型トリマコンデンサは、他のチップ型電子部品と
同様に、通常はリフロー炉を用いたリフロー半田付けの
方法により実装されることが多く、半田付け工程におけ
る熱により、ステータ31を構成する樹脂31aに変
形、歪が発生する。
チップ型トリマコンデンサは、他のチップ型電子部品と
同様に、通常はリフロー炉を用いたリフロー半田付けの
方法により実装されることが多く、半田付け工程におけ
る熱により、ステータ31を構成する樹脂31aに変
形、歪が発生する。
【0005】そして、この熱変形、熱歪は、樹脂31a
と固定電極32との熱膨張係数の差によっても生じるた
め、耐熱性に優れた樹脂材料を用いた場合においても、
ステータ31に変形が生じ、セラミック誘電体板33と
の対向面に微小なうねり(例えば、基準面からの凹凸部
の高さの差が約2〜4μmのうねり)が発生することを
完全に防止し、平坦性を確保することは困難である。
と固定電極32との熱膨張係数の差によっても生じるた
め、耐熱性に優れた樹脂材料を用いた場合においても、
ステータ31に変形が生じ、セラミック誘電体板33と
の対向面に微小なうねり(例えば、基準面からの凹凸部
の高さの差が約2〜4μmのうねり)が発生することを
完全に防止し、平坦性を確保することは困難である。
【0006】その結果、上記従来のトリマコンデンサで
は、ステータ31とセラミック誘電体板33との密着性
が低下して両者の間に隙間が生じ、形成される静電容量
にばらつきが生じるとともに、その隙間の変動に応じて
潤滑材として使用されるシリコーンオイルなどの油膜厚
の変動が徐々に発生して、所定の容量値になるように調
整された静電容量が経時的に変化し、十分な信頼性を確
保することができないという問題点がある。
は、ステータ31とセラミック誘電体板33との密着性
が低下して両者の間に隙間が生じ、形成される静電容量
にばらつきが生じるとともに、その隙間の変動に応じて
潤滑材として使用されるシリコーンオイルなどの油膜厚
の変動が徐々に発生して、所定の容量値になるように調
整された静電容量が経時的に変化し、十分な信頼性を確
保することができないという問題点がある。
【0007】この発明は、上記問題点を解決するもので
あり、形成される静電容量のばらつきを防止するととも
に、静電容量の経時的な変化を抑制することが可能なト
リマコンデンサを提供することを目的とする。
あり、形成される静電容量のばらつきを防止するととも
に、静電容量の経時的な変化を抑制することが可能なト
リマコンデンサを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明のトリマコンデンサは、上面に固定電極を
備えたステータと、上面に可変電極が形成され、下面が
前記ステータの固定電極が形成された上面に摺動可能に
接合されたセラミック誘電体板とを具備し、ステータに
接合されたセラミック誘電体板を回転摺動させ、固定電
極と可変電極の対向面積を変化させることにより、固定
電極と可変電極との間に形成される静電容量を調整する
ようにしたトリマコンデンサであって、前記ステータが
セラミック絶縁体から形成されているとともに、セラミ
ック誘電体板との接合面であるステータの固定電極形成
面が平坦であることを特徴とする。
に、この発明のトリマコンデンサは、上面に固定電極を
備えたステータと、上面に可変電極が形成され、下面が
前記ステータの固定電極が形成された上面に摺動可能に
接合されたセラミック誘電体板とを具備し、ステータに
接合されたセラミック誘電体板を回転摺動させ、固定電
極と可変電極の対向面積を変化させることにより、固定
電極と可変電極との間に形成される静電容量を調整する
ようにしたトリマコンデンサであって、前記ステータが
セラミック絶縁体から形成されているとともに、セラミ
ック誘電体板との接合面であるステータの固定電極形成
面が平坦であることを特徴とする。
【0009】なお、この発明のトリマコンデンサにおい
て、「固定電極形成面が平坦である」とは、固定電極と
他の部分の表面全体が平坦であって、固定電極と他の部
分との境界部に実質的に段差が生じていないことを意味
するものであり、段差を2μm以下にすることが好まし
い。
て、「固定電極形成面が平坦である」とは、固定電極と
他の部分の表面全体が平坦であって、固定電極と他の部
分との境界部に実質的に段差が生じていないことを意味
するものであり、段差を2μm以下にすることが好まし
い。
【0010】また、ステータとセラミック誘電体板の接
合面(対向面)は、両者の十分な密着性を確保するため
に、平坦で、かつ、表面粗さが、Rtm(10点平均粗
さ)≦3μmになるように表面仕上げを施こすことが好
ましい。
合面(対向面)は、両者の十分な密着性を確保するため
に、平坦で、かつ、表面粗さが、Rtm(10点平均粗
さ)≦3μmになるように表面仕上げを施こすことが好
ましい。
【0011】
【作用】ステータが耐熱変形性、剛性に優れたセラミッ
ク絶縁体から形成されているため、実装時の半田付け工
程などにおいて加熱され昇温した場合にも、ステータが
変形するようなことがなく、また、セラミック誘電体板
との接合面であるステータの固定電極形成面が平坦に形
成されているため、ステータとセラミック誘電体板との
密着性が向上し、静電容量のばらつきを確実に抑制する
ことができるとともに、ステータとセラミック誘電体板
との間に大きな隙間が形成されることがないため、該隙
間内の潤滑油などの油膜厚変動による静電容量の経時的
な変化を確実に防止することが可能になる。
ク絶縁体から形成されているため、実装時の半田付け工
程などにおいて加熱され昇温した場合にも、ステータが
変形するようなことがなく、また、セラミック誘電体板
との接合面であるステータの固定電極形成面が平坦に形
成されているため、ステータとセラミック誘電体板との
密着性が向上し、静電容量のばらつきを確実に抑制する
ことができるとともに、ステータとセラミック誘電体板
との間に大きな隙間が形成されることがないため、該隙
間内の潤滑油などの油膜厚変動による静電容量の経時的
な変化を確実に防止することが可能になる。
【0012】
【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。図1はこの発明の一実施例にかかるトリマコンデ
ンサを示す断面図であり、図2はその分解斜視図であ
る。図1、図2に示すように、この実施例のトリマコン
デンサは、セラミック絶縁体からなる板(セラミック絶
縁体板)1aに固定電極2及び補助電極2aを配設する
ことにより形成されたステータ1と、誘電性を有するセ
ラミック板3aに可変電極4及びバランス補助絶縁体4
aを配設することにより形成されたセラミック誘電体板
3と、上記ステータ1とセラミック誘電体板3を摺動可
能に接合保持する金属中心軸5及び金属ばね6とを備え
ている。
する。図1はこの発明の一実施例にかかるトリマコンデ
ンサを示す断面図であり、図2はその分解斜視図であ
る。図1、図2に示すように、この実施例のトリマコン
デンサは、セラミック絶縁体からなる板(セラミック絶
縁体板)1aに固定電極2及び補助電極2aを配設する
ことにより形成されたステータ1と、誘電性を有するセ
ラミック板3aに可変電極4及びバランス補助絶縁体4
aを配設することにより形成されたセラミック誘電体板
3と、上記ステータ1とセラミック誘電体板3を摺動可
能に接合保持する金属中心軸5及び金属ばね6とを備え
ている。
【0013】そして、上記ステータ1の、セラミック誘
電体板3との接合面は、固定電極2と他の部分との境界
部に段差が生じないように、固定電極2以外の部分にガ
ラスやエポキシ樹脂などの絶縁体7を塗布することによ
り平坦に形成されている。さらに、ステータ1とセラミ
ック誘電体板3のそれぞれの対向面は、平坦で、かつ、
その表面粗さが、Rtm(10点平均粗さ)≦3μmに
なるように表面仕上げが施されている。
電体板3との接合面は、固定電極2と他の部分との境界
部に段差が生じないように、固定電極2以外の部分にガ
ラスやエポキシ樹脂などの絶縁体7を塗布することによ
り平坦に形成されている。さらに、ステータ1とセラミ
ック誘電体板3のそれぞれの対向面は、平坦で、かつ、
その表面粗さが、Rtm(10点平均粗さ)≦3μmに
なるように表面仕上げが施されている。
【0014】そして、ステータ1とセラミック誘電体板
3は、その貫通穴8、9に金属中心軸5を貫通させ、金
属中心軸5の先端部を金属ばね6に係合させてかしめる
ことにより、ステータ1の上面(固定電極2が形成され
た面)が、セラミック誘電体板3の下面(可変電極4が
形成されていない方の面)に摺動可能に接合した状態に
保持されている。
3は、その貫通穴8、9に金属中心軸5を貫通させ、金
属中心軸5の先端部を金属ばね6に係合させてかしめる
ことにより、ステータ1の上面(固定電極2が形成され
た面)が、セラミック誘電体板3の下面(可変電極4が
形成されていない方の面)に摺動可能に接合した状態に
保持されている。
【0015】このようにして形成された上記実施例のト
リマコンデンサにおいては、ステータ1の上面とセラミ
ック誘電体板3の下面とを接合させた状態でセラミック
誘電体板3を回転摺動させ、固定電極2と可変電極4の
対向面積(重なり面積)を変えることにより、固定電極
2と可変電極4の間に形成される静電容量の大きさが調
整される。
リマコンデンサにおいては、ステータ1の上面とセラミ
ック誘電体板3の下面とを接合させた状態でセラミック
誘電体板3を回転摺動させ、固定電極2と可変電極4の
対向面積(重なり面積)を変えることにより、固定電極
2と可変電極4の間に形成される静電容量の大きさが調
整される。
【0016】次に上記トリマコンデンサにおいて用いら
れているステータ1の製造方法について説明する。図3
〜図5は、この発明のトリマコンデンサにおいて用いら
れているステータ1の製造方法の一例を模式的に示す断
面図である。この例においては、まず、図3に示すよう
に、所定の形状に成形されたセラミック絶縁体板1a
に、固定電極2を形成するための電極材料(導電ペース
トなど)2bを所定のパターンに印刷する(図3)。次
に、セラミック絶縁体板1aの上面にガラス、あるいは
エポキシ樹脂などからなる絶縁体7を印刷する(図
4)。それから、固定電極2と固定電極2が形成されて
いない部分との境界部の段差が2μm以下、表面粗さ
が、Rtm(10点平均粗さ)≦3μmになるように、
固定電極2及び絶縁体7が配設されたセラミック絶縁体
板1aの上面を研磨することにより、図1及び図2に示
すトリマコンデンサに使用されているステータ1(図
5)が形成される。
れているステータ1の製造方法について説明する。図3
〜図5は、この発明のトリマコンデンサにおいて用いら
れているステータ1の製造方法の一例を模式的に示す断
面図である。この例においては、まず、図3に示すよう
に、所定の形状に成形されたセラミック絶縁体板1a
に、固定電極2を形成するための電極材料(導電ペース
トなど)2bを所定のパターンに印刷する(図3)。次
に、セラミック絶縁体板1aの上面にガラス、あるいは
エポキシ樹脂などからなる絶縁体7を印刷する(図
4)。それから、固定電極2と固定電極2が形成されて
いない部分との境界部の段差が2μm以下、表面粗さ
が、Rtm(10点平均粗さ)≦3μmになるように、
固定電極2及び絶縁体7が配設されたセラミック絶縁体
板1aの上面を研磨することにより、図1及び図2に示
すトリマコンデンサに使用されているステータ1(図
5)が形成される。
【0017】また、図6及び図7は、ステータの製造方
法の他の例を示す断面図である。この例においては、図
6に示すように、セラミック絶縁体板11aの固定電極
12が形成される所定の位置に、凹部(段部)10を形
成し、導電ペーストなど電極材料12bを所定のパター
ンに印刷し、焼付けする。それから、表面研磨を行うこ
とにより、固定電極12のセラミック絶縁体板11aの
表面から突出した部分を除去して、固定電極12と固定
電極12が形成されていない部分との境界部の段差を2
μm以下にするとともに、表面粗さを、Rtm(10点
平均粗さ)≦3μmになるように、固定電極12が配設
されたセラミック絶縁体板11aの上面を研磨処理する
ことにより、図7に示すようなステータ11が形成され
る。
法の他の例を示す断面図である。この例においては、図
6に示すように、セラミック絶縁体板11aの固定電極
12が形成される所定の位置に、凹部(段部)10を形
成し、導電ペーストなど電極材料12bを所定のパター
ンに印刷し、焼付けする。それから、表面研磨を行うこ
とにより、固定電極12のセラミック絶縁体板11aの
表面から突出した部分を除去して、固定電極12と固定
電極12が形成されていない部分との境界部の段差を2
μm以下にするとともに、表面粗さを、Rtm(10点
平均粗さ)≦3μmになるように、固定電極12が配設
されたセラミック絶縁体板11aの上面を研磨処理する
ことにより、図7に示すようなステータ11が形成され
る。
【0018】上記のようにして形成されたステータ1
(図5)を用いたトリマコンデンサ(図1、図2)は、
ステータ1が耐熱変形性、剛性に優れたセラミック絶縁
体板1aから形成されているため、実装時の半田付け工
程において加熱された場合(例えば、リフロー半田によ
り、240℃に30秒間加熱)においても、ステータ1
が変形するようなことがなく、固定電極2と可変電極4
との間に形成される静電容量のばらつきを防止して、所
望の静電容量を確実に形成することができるとともに、
実装後の温度対静電容量特性の直線性を確保することが
できる。
(図5)を用いたトリマコンデンサ(図1、図2)は、
ステータ1が耐熱変形性、剛性に優れたセラミック絶縁
体板1aから形成されているため、実装時の半田付け工
程において加熱された場合(例えば、リフロー半田によ
り、240℃に30秒間加熱)においても、ステータ1
が変形するようなことがなく、固定電極2と可変電極4
との間に形成される静電容量のばらつきを防止して、所
望の静電容量を確実に形成することができるとともに、
実装後の温度対静電容量特性の直線性を確保することが
できる。
【0019】また、ステータ1の、セラミック誘電体板
3との接合面(対向面)に段差がなく、かつ、ステータ
1とセラミック誘電体板3のそれぞれの接合面(対向
面)が、平坦で、かつ、表面粗さが、Rtm(10点平
均粗さ)≦3μm以下になるように表面仕上げされてい
るため、ステータ1とセラミック誘電体板3とが十分に
密着する。その結果、両者の間に隙間が形成されること
を防止して、潤滑油の侵入、移動などによる静電容量の
経時的変化の割合を、前述の従来のトリマコンデンサに
比べて約3分の1に低減することが可能になり、安定性
及び信頼性を大幅に向上させることができる。
3との接合面(対向面)に段差がなく、かつ、ステータ
1とセラミック誘電体板3のそれぞれの接合面(対向
面)が、平坦で、かつ、表面粗さが、Rtm(10点平
均粗さ)≦3μm以下になるように表面仕上げされてい
るため、ステータ1とセラミック誘電体板3とが十分に
密着する。その結果、両者の間に隙間が形成されること
を防止して、潤滑油の侵入、移動などによる静電容量の
経時的変化の割合を、前述の従来のトリマコンデンサに
比べて約3分の1に低減することが可能になり、安定性
及び信頼性を大幅に向上させることができる。
【0020】さらに、ステータ1が剛性などの機械的強
度に優れているため、ドライバーなどにより金属中心軸
5を回転させることにより静電容量の大きさを調整する
工程で応力(押圧荷重)が加わった場合にも、ステータ
1の変形による静電容量の変動幅を小さく抑えることが
可能になり、静電容量を精度よく調整することができ
る。なお、図1及び図2に示すトリマコンデンサは、図
3〜図5に示す方法により形成されたステータ1を用い
ているが、図6、図7に示す方法により形成されたステ
ータ11(図7)を用いた場合にも、同様の効果を得る
ことができる。
度に優れているため、ドライバーなどにより金属中心軸
5を回転させることにより静電容量の大きさを調整する
工程で応力(押圧荷重)が加わった場合にも、ステータ
1の変形による静電容量の変動幅を小さく抑えることが
可能になり、静電容量を精度よく調整することができ
る。なお、図1及び図2に示すトリマコンデンサは、図
3〜図5に示す方法により形成されたステータ1を用い
ているが、図6、図7に示す方法により形成されたステ
ータ11(図7)を用いた場合にも、同様の効果を得る
ことができる。
【0021】なお、上記実施例のトリマコンデンサにお
いては、ステータ1に補助電極2aを形成した場合につ
いて説明したが、この発明のトリマコンデンサにおいて
は、ステータ1に必ずしも上記のような補助電極2aを
設ける必要はない。
いては、ステータ1に補助電極2aを形成した場合につ
いて説明したが、この発明のトリマコンデンサにおいて
は、ステータ1に必ずしも上記のような補助電極2aを
設ける必要はない。
【0022】また、この発明のトリマコンデンサにおい
ては、ステータ1、セラミック誘電体板3、固定電極
2、可変電極4などの形状や構造に関し、上述した以外
に特別の制約はなく、形成すべき静電容量の大きさや用
途などに応じて種々の形状、構造を選択することが可能
であり、この発明の要旨の範囲内において種々の応用を
加えることが可能である。
ては、ステータ1、セラミック誘電体板3、固定電極
2、可変電極4などの形状や構造に関し、上述した以外
に特別の制約はなく、形成すべき静電容量の大きさや用
途などに応じて種々の形状、構造を選択することが可能
であり、この発明の要旨の範囲内において種々の応用を
加えることが可能である。
【0023】また、金属中心軸5、金属ばね6の形状や
構造についても、上記実施例に限定されるものではな
く、必要に応じて種々の形状や構造に形成することが可
能であり、さらに、金属中心軸と金属ばねの組合せ以外
の機構によりステータ及びセラミック誘電体板を摺動可
能に密着保持するように構成することも可能である。
構造についても、上記実施例に限定されるものではな
く、必要に応じて種々の形状や構造に形成することが可
能であり、さらに、金属中心軸と金属ばねの組合せ以外
の機構によりステータ及びセラミック誘電体板を摺動可
能に密着保持するように構成することも可能である。
【0024】
【発明の効果】上述のように、この発明のトリマコンデ
ンサは、ステータをセラミック絶縁体から形成するとと
もに、セラミック誘電体板との接合面である上面を、固
定電極と他の部分との境界部に段差が生じないように平
坦に形成しているので、ステータとセラミック誘電体板
との密着性に優れ、実装工程でリフロー半田などにより
加熱された場合にもステータが変形することを抑制する
ことが可能になる。そして、その結果として、固定電極
と可変電極との間に形成される静電容量のばらつきを防
止して、意図する大きさの静電容量を確実に形成し、実
装後の温度対静電容量特性の直線性を確保することが可
能になるとともに、ステータとセラミック誘電体板との
間の隙間に潤滑油などが侵入、移動することによる静電
容量の経時的な変化を確実に防止して、信頼性を向上さ
せることができる。
ンサは、ステータをセラミック絶縁体から形成するとと
もに、セラミック誘電体板との接合面である上面を、固
定電極と他の部分との境界部に段差が生じないように平
坦に形成しているので、ステータとセラミック誘電体板
との密着性に優れ、実装工程でリフロー半田などにより
加熱された場合にもステータが変形することを抑制する
ことが可能になる。そして、その結果として、固定電極
と可変電極との間に形成される静電容量のばらつきを防
止して、意図する大きさの静電容量を確実に形成し、実
装後の温度対静電容量特性の直線性を確保することが可
能になるとともに、ステータとセラミック誘電体板との
間の隙間に潤滑油などが侵入、移動することによる静電
容量の経時的な変化を確実に防止して、信頼性を向上さ
せることができる。
【図1】この発明の一実施例にかかるトリマコンデンサ
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図2】この発明の一実施例にかかるトリマコンデンサ
を示す分解斜視図である。
を示す分解斜視図である。
【図3】この発明の一実施例にかかるトリマコンデンサ
において用いられているステータの製造工程を模式的に
示す断面図である。
において用いられているステータの製造工程を模式的に
示す断面図である。
【図4】この発明の一実施例にかかるトリマコンデンサ
において用いられているステータの製造工程を模式的に
示す断面図である。
において用いられているステータの製造工程を模式的に
示す断面図である。
【図5】この発明の一実施例にかかるトリマコンデンサ
において用いられているステータを模式的に示す断面図
である。
において用いられているステータを模式的に示す断面図
である。
【図6】この発明の他の実施例にかかるステータの製造
工程を模式的に示す断面図である。
工程を模式的に示す断面図である。
【図7】この発明の他の実施例にかかるステータを摸式
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図8】従来のトリマコンデンサを示す分解斜視図であ
る。
る。
1 ステータ 2 固定電極 3 セラミック誘電体板 4 可変電極 5 金属中心軸 6 金属ばね
Claims (1)
- 【請求項1】上面に固定電極を備えたステータと、上面
に可変電極が形成され、下面が前記ステータの固定電極
が形成された上面に摺動可能に接合されたセラミック誘
電体板とを具備し、 ステータに接合されたセラミック誘電体板を回転摺動さ
せ、固定電極と可変電極の対向面積を変化させることに
より、固定電極と可変電極との間に形成される静電容量
を調整するようにしたトリマコンデンサであって、 前記ステータがセラミック絶縁体から形成されていると
ともに、セラミック誘電体板との接合面であるステータ
の固定電極形成面が平坦であることを特徴とするトリマ
コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4093520A JP3010900B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | トリマコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4093520A JP3010900B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | トリマコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05267100A JPH05267100A (ja) | 1993-10-15 |
JP3010900B2 true JP3010900B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=14084611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4093520A Expired - Fee Related JP3010900B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | トリマコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3010900B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2778578B2 (ja) * | 1996-04-24 | 1998-07-23 | 日本電気株式会社 | 容量素子取付構造及びそれを用いた電力増幅器のインピーダンス整合回路 |
US10032065B2 (en) | 2013-10-25 | 2018-07-24 | Wacom Co., Ltd. | Dynamic handwriting verification, handwriting-based user authentication, handwriting data generation, and handwriting data preservation |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP4093520A patent/JP3010900B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05267100A (ja) | 1993-10-15 |
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