JP3002611B2 - 発熱体の冷却装置 - Google Patents
発熱体の冷却装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度実装された半導
体デバイスを効率良く冷却する冷却装置に関する。
体デバイスを効率良く冷却する冷却装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュ−タは、処理速度が早いことが
要求されるため、近年、大規模なＬＳＩを高密度に実装
する方法が開発されている。そこで、ＬＳＩ自体の発熱
量は膨大となり、かつＬＳＩの高密度実装により半導体
デバイスの発熱密度も著しく増大している。このため、
ＬＳＩを効率良く冷却することは益々重要になってい
る。 従来、プリント基板やセラミック基板等の回路基
板上に搭載された複数の発熱半導体部品等を空気などの
冷媒で冷却する手段として、発熱半導体部品の上にそれ
ぞれフィンを搭載して、冷却用流体を発熱半導体デバイ
スの側方から供給し、発熱半導体デバイスを順次冷却し
て行く方式が多く見られた。しかし、上記のような方式
では下流側になるほど風温上昇が大きくなり、冷却性能
が低下する問題点が生じてきた。そこで、この問題点を
解決する方法として、特開平２−３４９９３号公報，実
開平１−１１３３５５号公報等に記載されているよう
に、発熱半導体部品の上に大きな放熱面を持つ高性能な
フィンを搭載し、送風機から供給される冷却用空気を、
フィン上に設けたチャンバ−、ノズル等を介して個々の
フィンに風漏れのないように個別送風する方式が提案さ
れている。
要求されるため、近年、大規模なＬＳＩを高密度に実装
する方法が開発されている。そこで、ＬＳＩ自体の発熱
量は膨大となり、かつＬＳＩの高密度実装により半導体
デバイスの発熱密度も著しく増大している。このため、
ＬＳＩを効率良く冷却することは益々重要になってい
る。 従来、プリント基板やセラミック基板等の回路基
板上に搭載された複数の発熱半導体部品等を空気などの
冷媒で冷却する手段として、発熱半導体部品の上にそれ
ぞれフィンを搭載して、冷却用流体を発熱半導体デバイ
スの側方から供給し、発熱半導体デバイスを順次冷却し
て行く方式が多く見られた。しかし、上記のような方式
では下流側になるほど風温上昇が大きくなり、冷却性能
が低下する問題点が生じてきた。そこで、この問題点を
解決する方法として、特開平２−３４９９３号公報，実
開平１−１１３３５５号公報等に記載されているよう
に、発熱半導体部品の上に大きな放熱面を持つ高性能な
フィンを搭載し、送風機から供給される冷却用空気を、
フィン上に設けたチャンバ−、ノズル等を介して個々の
フィンに風漏れのないように個別送風する方式が提案さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の個別送風方
式空冷装置のうち、特開平２−３４９９３号の空冷放熱
装置は、図１０に示すように、基板上（図示せず）に発
熱体であるＬＳＩ１が多数搭載され、ＬＳＩ１上にはフ
ィン２により構成されるヒートシンク３が取り付けられ
たものである。冷却空気は、ヒートシンク３の上部全域
を覆うノズルを経て供給され、ＬＳＩ１を冷却する。ヒ
ートシンク３からの排気は開口部４から排出さる。この
場合、冷却空気は、ヒートシンク３の上部全域を覆うノ
ズルを経てヒートシンク３内のフィン２に一様に供給さ
れても、ヒートシンク３内のフィン２間隙を通過し、開
口部４に向かって流動するうちに流体の流動損失により
流速が異なる速度分布が生じ、特に高い冷却性能が要求
されるＬＳＩ１中心部のフィン根元付近を流れる冷却空
気の速度が最も遅くなってしまう。この結果、ＬＳＩ１
の中心部の温度が最も高くなり、チップ内の温度を一様
に冷却することが難しい。
式空冷装置のうち、特開平２−３４９９３号の空冷放熱
装置は、図１０に示すように、基板上（図示せず）に発
熱体であるＬＳＩ１が多数搭載され、ＬＳＩ１上にはフ
ィン２により構成されるヒートシンク３が取り付けられ
たものである。冷却空気は、ヒートシンク３の上部全域
を覆うノズルを経て供給され、ＬＳＩ１を冷却する。ヒ
ートシンク３からの排気は開口部４から排出さる。この
場合、冷却空気は、ヒートシンク３の上部全域を覆うノ
ズルを経てヒートシンク３内のフィン２に一様に供給さ
れても、ヒートシンク３内のフィン２間隙を通過し、開
口部４に向かって流動するうちに流体の流動損失により
流速が異なる速度分布が生じ、特に高い冷却性能が要求
されるＬＳＩ１中心部のフィン根元付近を流れる冷却空
気の速度が最も遅くなってしまう。この結果、ＬＳＩ１
の中心部の温度が最も高くなり、チップ内の温度を一様
に冷却することが難しい。
【０００４】そこで、実開平１−１１３３５５号では、
図１１に見られるような空冷構造が提案されている。こ
の場合、ヒートシンク３の上部の送風口５がヒートシン
ク３上部全域でなく、絞られた送風口５となっている。
しかし、この様に例え送風口５を絞って冷却空気をヒー
トシンク３内のフィン中央部に強く供給しても、冷却空
気はヒートシンク３内のフィン間隙を通過し、ヒートシ
ンク３の両側の開口部６に向かって流動するうちにフィ
ン表面上の流体流動損失により速度差が生じ、半導体１
の中央部のフィン根元付近を流れる冷却空気の速度を著
しく高めることが難しい。一般に流れが壁に衝突すると
ころは澱み点と呼ばれ、流れが停滞する所であり、例え
衝突する流れを早くしても澱み点近辺の流れは、早くす
ることが出来ない。この結果、この場合でも半導体１の
中心部の温度が最も高くなり、チップ内の温度を一様に
冷却出来ない欠点が有る。
図１１に見られるような空冷構造が提案されている。こ
の場合、ヒートシンク３の上部の送風口５がヒートシン
ク３上部全域でなく、絞られた送風口５となっている。
しかし、この様に例え送風口５を絞って冷却空気をヒー
トシンク３内のフィン中央部に強く供給しても、冷却空
気はヒートシンク３内のフィン間隙を通過し、ヒートシ
ンク３の両側の開口部６に向かって流動するうちにフィ
ン表面上の流体流動損失により速度差が生じ、半導体１
の中央部のフィン根元付近を流れる冷却空気の速度を著
しく高めることが難しい。一般に流れが壁に衝突すると
ころは澱み点と呼ばれ、流れが停滞する所であり、例え
衝突する流れを早くしても澱み点近辺の流れは、早くす
ることが出来ない。この結果、この場合でも半導体１の
中心部の温度が最も高くなり、チップ内の温度を一様に
冷却出来ない欠点が有る。
【０００５】従って、上記従来技術は、何れも半導体集
積回路素子ＬＳＩの温度分布を一様にする点について考
慮されておらず、ＬＳＩの冷却性能向上に問題があっ
た。
積回路素子ＬＳＩの温度分布を一様にする点について考
慮されておらず、ＬＳＩの冷却性能向上に問題があっ
た。
【０００６】本発明は、かかる問題点を解決するために
なされたもので、本発明の目的は、半導体集積回路素子
ＬＳＩなど高発熱する発熱体の温度分布を一様に、かつ
発熱体を効率良く冷却する発熱体の冷却装置を提供する
ことにある。本発明は、特に、近年、コンピュ−タの高
速処理速度の要求から開発された高発熱のＬＳＩチップ
を一括して高密度に実装されたマルチチップモジュ−ル
内の多数のＬＳＩチップを、空気などの冷媒で一様に冷
却する装置を提供することにある。
なされたもので、本発明の目的は、半導体集積回路素子
ＬＳＩなど高発熱する発熱体の温度分布を一様に、かつ
発熱体を効率良く冷却する発熱体の冷却装置を提供する
ことにある。本発明は、特に、近年、コンピュ−タの高
速処理速度の要求から開発された高発熱のＬＳＩチップ
を一括して高密度に実装されたマルチチップモジュ−ル
内の多数のＬＳＩチップを、空気などの冷媒で一様に冷
却する装置を提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、高性能ヒートシンク
をマルチチップモジュ−ルなどの発熱体に信頼性良く取
付けるとともに、ヒートシンクからの冷却流体の漏れを
少なくするクランプ装置を提供することにある。
をマルチチップモジュ−ルなどの発熱体に信頼性良く取
付けるとともに、ヒートシンクからの冷却流体の漏れを
少なくするクランプ装置を提供することにある。
【０００８】本発明の更に他の目的は、マルチチップモ
ジュ−ルなどの発熱体の電気回路接続部に負担を掛けず
に、かつ冷却流体の漏れを少なくしてヒートシンクに冷
却流体を供給するノズル接続構造を提供することにあ
る。
ジュ−ルなどの発熱体の電気回路接続部に負担を掛けず
に、かつ冷却流体の漏れを少なくしてヒートシンクに冷
却流体を供給するノズル接続構造を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の発熱体の冷却装置は、発熱体を冷却するヒ
−トシンク中央部にヒ−トシンク上面からフィン根元に
至る貫通スリットを設け、ヒ−トシンク上面から噴射さ
れる冷却流体が上記貫通スリットを通って流体速度を低
下せずに、また冷却流体温度を上昇せずに、発熱体中央
の上部に直接到達する機構を備えたものである。
め、本発明の発熱体の冷却装置は、発熱体を冷却するヒ
−トシンク中央部にヒ−トシンク上面からフィン根元に
至る貫通スリットを設け、ヒ−トシンク上面から噴射さ
れる冷却流体が上記貫通スリットを通って流体速度を低
下せずに、また冷却流体温度を上昇せずに、発熱体中央
の上部に直接到達する機構を備えたものである。
【００１０】本発明の冷却装置の他の特徴は、ヒ−トシ
ンク上面から噴射される冷却流体をヒ−トシンク中央部
に高速に誘導するガイドをヒ−トシンク内部に備えたこ
とである。
ンク上面から噴射される冷却流体をヒ−トシンク中央部
に高速に誘導するガイドをヒ−トシンク内部に備えたこ
とである。
【００１１】本発明の更に他の特徴は、ヒートシンク内
に設けられた貫通スリット内に締め付け力を調節できる
板バネを入れ、マルチチップモジュ−ルなどの発熱体の
底面を支持面とするＬ字型のクランプ金具をヒートシン
ク両側面に設けて、上記板バネと組み合わせることによ
り、高性能ヒートシンクをマルチチップモジュ−ルなど
の発熱体に信頼性とスペ−ス効率を高めて取付けること
が出来ると共に、上記Ｌ字型のクランプ金具が貫通スリ
ットからの冷却流体の漏れを少なくするクランプ装置を
ヒ−トシンク内部に備えたことである。
に設けられた貫通スリット内に締め付け力を調節できる
板バネを入れ、マルチチップモジュ−ルなどの発熱体の
底面を支持面とするＬ字型のクランプ金具をヒートシン
ク両側面に設けて、上記板バネと組み合わせることによ
り、高性能ヒートシンクをマルチチップモジュ−ルなど
の発熱体に信頼性とスペ−ス効率を高めて取付けること
が出来ると共に、上記Ｌ字型のクランプ金具が貫通スリ
ットからの冷却流体の漏れを少なくするクランプ装置を
ヒ−トシンク内部に備えたことである。
【００１２】本発明の更に他の特徴は、ヒートシンクに
冷却流体を供給するノズルとヒートシンクとを一体に接
続せず、ノズル先端に柔らかい緩衝部材を取付け、ヒー
トシンク上部に設けられたノズル接続口に差し込むこと
により、マルチチップモジュ−ルなどの発熱体の電気回
路接続部に負担を掛けずに、かつ冷却流体の漏れを少な
くして冷却流体を供給するノズルをヒートシンクに接続
する構造を備えたことである。
冷却流体を供給するノズルとヒートシンクとを一体に接
続せず、ノズル先端に柔らかい緩衝部材を取付け、ヒー
トシンク上部に設けられたノズル接続口に差し込むこと
により、マルチチップモジュ−ルなどの発熱体の電気回
路接続部に負担を掛けずに、かつ冷却流体の漏れを少な
くして冷却流体を供給するノズルをヒートシンクに接続
する構造を備えたことである。
【００１３】
【作用】本発明によれば、発熱体を冷却するヒ−トシン
ク中央部に、ヒ−トシンク上面からフィン根元に至りフ
ィンを縦断する貫通スリットが設けられているので、ヒ
−トシンク上面から噴射され上記貫通スリットを通る冷
却流体は、ヒ−トシンクを構成するフィンとフィンとの
間を通過する冷却流体より通過流路の圧力損失が小さい
ことにより、冷却流体の速度を低下させずに発熱体中央
上部のフィン根元に直接到達することが出来る。更に、
上記貫通スリットを通る冷却流体は、フィン間を通過し
ないため、冷却流体温度がほとんど上昇せずに低い入気
温度のまま発熱体中央上部のフィン根元に直接到達する
ことが出来る。このため、発熱体中央部の冷却性能を向
上させることが出来る。この結果、半導体集積回路素子
ＬＳＩなど高発熱する発熱体の温度分布を一様に、かつ
発熱体を効率良く冷却することが出来る。特に、近年、
コンピュ−タの高速処理速度の要求から開発された高発
熱ＬＳＩチップなどを一括して高密度に実装するマルチ
チップモジュ−ル内の多数のＬＳＩチップを水など特別
な冷却流体を用いずに、身近な空気などの冷却流体で一
様に冷却することができる。
ク中央部に、ヒ−トシンク上面からフィン根元に至りフ
ィンを縦断する貫通スリットが設けられているので、ヒ
−トシンク上面から噴射され上記貫通スリットを通る冷
却流体は、ヒ−トシンクを構成するフィンとフィンとの
間を通過する冷却流体より通過流路の圧力損失が小さい
ことにより、冷却流体の速度を低下させずに発熱体中央
上部のフィン根元に直接到達することが出来る。更に、
上記貫通スリットを通る冷却流体は、フィン間を通過し
ないため、冷却流体温度がほとんど上昇せずに低い入気
温度のまま発熱体中央上部のフィン根元に直接到達する
ことが出来る。このため、発熱体中央部の冷却性能を向
上させることが出来る。この結果、半導体集積回路素子
ＬＳＩなど高発熱する発熱体の温度分布を一様に、かつ
発熱体を効率良く冷却することが出来る。特に、近年、
コンピュ−タの高速処理速度の要求から開発された高発
熱ＬＳＩチップなどを一括して高密度に実装するマルチ
チップモジュ−ル内の多数のＬＳＩチップを水など特別
な冷却流体を用いずに、身近な空気などの冷却流体で一
様に冷却することができる。
【００１４】また、本発明によれば、ヒ−トシンク上面
から噴射される冷却流体をヒ−トシンク中央部に高速に
誘導する少なくとも一組以上の流れ誘導ガイドをヒ−ト
シンク内部に備えることにより、発熱体中央上部のフィ
ン根元付近を集中して冷却することが出来る。また、流
れ誘導ガイドを発熱分布の大きいところに制御して設け
れば、高発熱する発熱体の温度分布をより一様に、かつ
発熱体を効率良く冷却することが出来る。
から噴射される冷却流体をヒ−トシンク中央部に高速に
誘導する少なくとも一組以上の流れ誘導ガイドをヒ−ト
シンク内部に備えることにより、発熱体中央上部のフィ
ン根元付近を集中して冷却することが出来る。また、流
れ誘導ガイドを発熱分布の大きいところに制御して設け
れば、高発熱する発熱体の温度分布をより一様に、かつ
発熱体を効率良く冷却することが出来る。
【００１５】更に、本発明によれば、貫通スリット内に
挿入された板バネと、マルチチップモジュ−ルなどの発
熱体の底面を支持面とするＬ字型のクランプ金具とを組
み合わせて、ヒートシンクをマルチチップモジュ−ルな
どの発熱体に取り付けることにより、貫通スリットを設
けた高性能ヒートシンクの冷却性能を低下せずにマルチ
チップモジュ−ルなどの発熱体に信頼性良く取付けるこ
とが出来、上記Ｌ字型のクランプ金具が貫通スリットか
らの冷却流体の漏れを少なくして冷却性能低下を防止す
ることが出来る。
挿入された板バネと、マルチチップモジュ−ルなどの発
熱体の底面を支持面とするＬ字型のクランプ金具とを組
み合わせて、ヒートシンクをマルチチップモジュ−ルな
どの発熱体に取り付けることにより、貫通スリットを設
けた高性能ヒートシンクの冷却性能を低下せずにマルチ
チップモジュ−ルなどの発熱体に信頼性良く取付けるこ
とが出来、上記Ｌ字型のクランプ金具が貫通スリットか
らの冷却流体の漏れを少なくして冷却性能低下を防止す
ることが出来る。
【００１６】更に、本発明によれば、ノズル先端に柔ら
かい緩衝部材を取付け、ヒートシンク上部に設けられた
ノズル接続口に差し込むことにより、組立て性を高めな
がらマルチチップモジュ−ルなどの発熱体の電気回路接
続部に負担を掛けずに、かつ冷却流体の漏れを少なくし
て冷却流体を供給するノズルを高性能ヒートシンクに接
続することが出来る。
かい緩衝部材を取付け、ヒートシンク上部に設けられた
ノズル接続口に差し込むことにより、組立て性を高めな
がらマルチチップモジュ−ルなどの発熱体の電気回路接
続部に負担を掛けずに、かつ冷却流体の漏れを少なくし
て冷却流体を供給するノズルを高性能ヒートシンクに接
続することが出来る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の第一の実施例について図１、
図２に基づき詳細に説明する。図１は、本発明を適用し
た発熱体の冷却装置の一部断面の斜視図である。図２
は、図１の横断面図で、発熱体の冷却装置内の冷却流体
の流れを示すものである。これら図に於いては発熱体の
一例として、高発熱する半導体デバイスを多数一括して
気密封止したマルチチップモジュ−ルの一例を示す。
図２に基づき詳細に説明する。図１は、本発明を適用し
た発熱体の冷却装置の一部断面の斜視図である。図２
は、図１の横断面図で、発熱体の冷却装置内の冷却流体
の流れを示すものである。これら図に於いては発熱体の
一例として、高発熱する半導体デバイスを多数一括して
気密封止したマルチチップモジュ−ルの一例を示す。
【００１８】マルチチップモジュ−ル１は、セラッミク
製多層配線基板２上に発熱体であるＬＳＩチップを内蔵
した半導体デバイス３を多数搭載し、ハウジング４で封
止することにより作られている。半導体デバイス３で発
生した熱は、半導体デバイス３と接触する熱伝導接触子
５を経てハウジング４に伝えられる。マルチチップモジ
ュ−ル１のハウジング４上には、その発熱を冷却空気な
どの冷却流体に効果的に伝達するためのヒートシンク６
が搭載されている。ヒートシンク６は、アルミニウムや
銅あるいは高熱伝導性セラッミクなど熱伝導性の良い材
質を用い、多数の平板フィン７とフィンベ−ス８から構
成されている。ヒ−トシンク中央部には、ヒ−トシンク
６上面から多数の平板フィン７の根元に至り多数の平板
フィン７を縦断する貫通スリット９が設けられている。
貫通スリット９の幅は平板フィン７の配列ピッチより広
く取られている。ヒートシンク６の上面には、ブロアな
どの送風機（図示せず）からの空気流をヒートシンク６
内に導く冷却流体噴射ノズル１１がヒートシンク押え板
１０間の冷却空気入口１２に差し込まれている。
製多層配線基板２上に発熱体であるＬＳＩチップを内蔵
した半導体デバイス３を多数搭載し、ハウジング４で封
止することにより作られている。半導体デバイス３で発
生した熱は、半導体デバイス３と接触する熱伝導接触子
５を経てハウジング４に伝えられる。マルチチップモジ
ュ−ル１のハウジング４上には、その発熱を冷却空気な
どの冷却流体に効果的に伝達するためのヒートシンク６
が搭載されている。ヒートシンク６は、アルミニウムや
銅あるいは高熱伝導性セラッミクなど熱伝導性の良い材
質を用い、多数の平板フィン７とフィンベ−ス８から構
成されている。ヒ−トシンク中央部には、ヒ−トシンク
６上面から多数の平板フィン７の根元に至り多数の平板
フィン７を縦断する貫通スリット９が設けられている。
貫通スリット９の幅は平板フィン７の配列ピッチより広
く取られている。ヒートシンク６の上面には、ブロアな
どの送風機（図示せず）からの空気流をヒートシンク６
内に導く冷却流体噴射ノズル１１がヒートシンク押え板
１０間の冷却空気入口１２に差し込まれている。
【００１９】なお、ノズル１１あるいはヒ−トシンク６
の冷却空気入口１２のいずれか一方に柔らかい緩衝部材
１３が取付けられている。更に、マルチチップモジュ−
ル１とヒートシンク６とは、例えば、熱伝導性グリース
や熱伝導性シートあるいは熱伝導性接着剤、ボルト締め
などによって熱的に接触した構造となっている。また、
ヒートシンク押え板１０は多数の平板フィン７の先端と
接着あるいは接合されている。
の冷却空気入口１２のいずれか一方に柔らかい緩衝部材
１３が取付けられている。更に、マルチチップモジュ−
ル１とヒートシンク６とは、例えば、熱伝導性グリース
や熱伝導性シートあるいは熱伝導性接着剤、ボルト締め
などによって熱的に接触した構造となっている。また、
ヒートシンク押え板１０は多数の平板フィン７の先端と
接着あるいは接合されている。
【００２０】本実施例によれば、図２に示すように、ノ
ズル１１を通ってヒートシンク６内に噴射された空気流
（矢印２０）は、多数の平板フィン７間と貫通スリット
９内に導かれるが、貫通スリット９内に入る空気流（矢
印２１）は、貫通スリット９の幅が平板フィン７の配列
ピッチより広いので、流体の流動損失が小さく、多数の
平板フィン７間に入る空気流（矢印２２）より流速が大
きい。この結果、上記貫通スリット９を通る冷却空気
（矢印２１）は、速度を殆ど低下せずに発熱体であるマ
ルチチップモジュ−ル１中央上部のフィンベ−ス８およ
びフィン根元に直接到達することが出来る。更に、上記
貫通スリット９を通る冷却空気（矢印２１の空気流）
は、フィン間を通過しないため、冷却流体温度がほとん
ど上昇せずに低い入気温度のまま発熱体であるマルチチ
ップモジュ−ル１中央上部のフィン根元に直接到達する
ことが出来る。このため、一般に温度上昇の大きいマル
チチップモジュ−ル１中央部の冷却性能を向上させ、多
数の半導体デバイス３を内蔵したマルチチップモジュ−
ル１でも高発熱する半導体デバイス３の温度分布を一様
に、かつ発熱体を効率良く冷却することが出来る。
ズル１１を通ってヒートシンク６内に噴射された空気流
（矢印２０）は、多数の平板フィン７間と貫通スリット
９内に導かれるが、貫通スリット９内に入る空気流（矢
印２１）は、貫通スリット９の幅が平板フィン７の配列
ピッチより広いので、流体の流動損失が小さく、多数の
平板フィン７間に入る空気流（矢印２２）より流速が大
きい。この結果、上記貫通スリット９を通る冷却空気
（矢印２１）は、速度を殆ど低下せずに発熱体であるマ
ルチチップモジュ−ル１中央上部のフィンベ−ス８およ
びフィン根元に直接到達することが出来る。更に、上記
貫通スリット９を通る冷却空気（矢印２１の空気流）
は、フィン間を通過しないため、冷却流体温度がほとん
ど上昇せずに低い入気温度のまま発熱体であるマルチチ
ップモジュ−ル１中央上部のフィン根元に直接到達する
ことが出来る。このため、一般に温度上昇の大きいマル
チチップモジュ−ル１中央部の冷却性能を向上させ、多
数の半導体デバイス３を内蔵したマルチチップモジュ−
ル１でも高発熱する半導体デバイス３の温度分布を一様
に、かつ発熱体を効率良く冷却することが出来る。
【００２１】なお、貫通スリット９を通る冷却空気流速
を大きくするため、貫通スリット９の幅を大きくし過ぎ
ると、平板フィン７の面積が減少して、マルチチップモ
ジュ−ル１中央上部のヒートシンクの冷却性能が低下し
てしまう。このため、貫通スリット９の幅に最適値が存
在する。
を大きくするため、貫通スリット９の幅を大きくし過ぎ
ると、平板フィン７の面積が減少して、マルチチップモ
ジュ−ル１中央上部のヒートシンクの冷却性能が低下し
てしまう。このため、貫通スリット９の幅に最適値が存
在する。
【００２２】次に、図３により上記図２の実施例の一部
変形例を説明する。なお、本実施例では、図２と同じの
ものは同一の番号を付けて説明を省略する。
変形例を説明する。なお、本実施例では、図２と同じの
ものは同一の番号を付けて説明を省略する。
【００２３】図に示す様に、ヒ−トシンク中央部に設け
られた貫通スリット９ａは、冷却空気流入口側が広くフ
ィン根元に向かって狭くなっている。このため、貫通ス
リット９ａの流入圧力損失を小さくすることが出来、貫
通スリット９ａを通る冷却空気を多くなり、温度上昇の
大きいマルチチップモジュ−ル中央部の冷却性能を向上
させ、マルチチップモジュ−ルに内蔵された半導体デバ
イスをより効率良く冷却することが出来る。
られた貫通スリット９ａは、冷却空気流入口側が広くフ
ィン根元に向かって狭くなっている。このため、貫通ス
リット９ａの流入圧力損失を小さくすることが出来、貫
通スリット９ａを通る冷却空気を多くなり、温度上昇の
大きいマルチチップモジュ−ル中央部の冷却性能を向上
させ、マルチチップモジュ−ルに内蔵された半導体デバ
イスをより効率良く冷却することが出来る。
【００２４】次に、図４により上記図２の実施例の一部
変形例を説明する。なお、本実施例では、図２と同じの
ものは同一の番号を付けて説明を省略する。
変形例を説明する。なお、本実施例では、図２と同じの
ものは同一の番号を付けて説明を省略する。
【００２５】本実施例では、ヒ−トシンク中央部に設け
た貫通スリット９ｂをフィン根元まで設けず、貫通スリ
ット９ｂの底部にはフィンベ−ス８上に平板フィン７ｂ
が一部が残されている。このため、貫通スリット９ｂの
幅を大きくしてもマルチチップモジュ−ル中央部の冷却
性能を低下させることがない。
た貫通スリット９ｂをフィン根元まで設けず、貫通スリ
ット９ｂの底部にはフィンベ−ス８上に平板フィン７ｂ
が一部が残されている。このため、貫通スリット９ｂの
幅を大きくしてもマルチチップモジュ−ル中央部の冷却
性能を低下させることがない。
【００２６】上記実施例は、何れも空気流をヒートシン
ク６内に導く冷却流体噴射ノズル１１がヒートシンク６
の幅より狭い例で示したが、ノズル１１の幅がヒートシ
ンク６の幅と同じであっても良い。
ク６内に導く冷却流体噴射ノズル１１がヒートシンク６
の幅より狭い例で示したが、ノズル１１の幅がヒートシ
ンク６の幅と同じであっても良い。
【００２７】次に、図５により上記図１、図２の実施例
の一部変形例を説明する。なお、本実施例では、図２と
同じのものは同一の番号を付けて説明を省略する。
の一部変形例を説明する。なお、本実施例では、図２と
同じのものは同一の番号を付けて説明を省略する。
【００２８】本実施例では、ヒートシンク６ｃ上面のヒ
ートシンク押え板１０ａがＬ字状で、Ｌ字状に曲がった
先端部がヒ−トシンク上面から噴射される冷却流体をヒ
−トシンク中央部に高速に誘導するガイド１０１として
平板フィン７ｂ内に食い込んでいる。従って、流れ誘導
ガイド１０１によって、ヒ−トシンク中央部に設けた貫
通スリット９により強い冷却流（矢印２３）が誘導さ
れ、マルチチップモジュ−ル中央上部のフィン根元に直
接到達する。このため、温度上昇の大きいマルチチップ
モジュ−ル中央部の冷却性能を向上させ、マルチチップ
モジュ−ルに内蔵された半導体デバイスをより効率良く
冷却することが出来る。
ートシンク押え板１０ａがＬ字状で、Ｌ字状に曲がった
先端部がヒ−トシンク上面から噴射される冷却流体をヒ
−トシンク中央部に高速に誘導するガイド１０１として
平板フィン７ｂ内に食い込んでいる。従って、流れ誘導
ガイド１０１によって、ヒ−トシンク中央部に設けた貫
通スリット９により強い冷却流（矢印２３）が誘導さ
れ、マルチチップモジュ−ル中央上部のフィン根元に直
接到達する。このため、温度上昇の大きいマルチチップ
モジュ−ル中央部の冷却性能を向上させ、マルチチップ
モジュ−ルに内蔵された半導体デバイスをより効率良く
冷却することが出来る。
【００２９】次に、本発明の他の実施例を図６を参照し
て説明する。なお、本実施例では、図２と同じのものは
同一の番号を付けて説明を省略する。
て説明する。なお、本実施例では、図２と同じのものは
同一の番号を付けて説明を省略する。
【００３０】本実施例では、ヒ−トシンク６ｄを構成す
る平板フィン７ｃ間の冷却流を制御する流れ誘導ガイド
１０２が平板フィン７ｃ間に設けられ、ヒ−トシンク上
面からフィンの根元に向かって延びている。前記流れ誘
導ガイド１０２の長さは、平板フィン７ｃの高さよりい
ずれも短く、ヒ−トシンク中央から端じに向かって順次
短くなっている。
る平板フィン７ｃ間の冷却流を制御する流れ誘導ガイド
１０２が平板フィン７ｃ間に設けられ、ヒ−トシンク上
面からフィンの根元に向かって延びている。前記流れ誘
導ガイド１０２の長さは、平板フィン７ｃの高さよりい
ずれも短く、ヒ−トシンク中央から端じに向かって順次
短くなっている。
【００３１】本実施例によれば、ヒ−トシンク６ｄ上部
からヒ−トシンク６ｄに噴射される冷却流体は、流れ誘
導ガイド１０２に従って平板フィン７ｃ間に流入する
が、流れ誘導ガイド１０２の長さがヒ−トシンク中央部
で最も長いので、ヒ−トシンク中央部でもフィン根元ま
で直接到達することが出来る。更に、流れ誘導ガイド１
０２の長さが中央部から端じに向かって順次短くなって
いるので、ヒ−トシンク中央部の流れ誘導ガイドを経て
流出する冷却流体の流れは、隣接する流れ誘導ガイドか
ら流出する冷却流体の流れによってフィン根元に押しや
られ、流速が増大していく。この結果、一番温度が高い
フィン根元の冷却性能を向上させることが出来ると共
に、温度上昇の大きい中央部の冷却性能を一層向上させ
ることが出来る。
からヒ−トシンク６ｄに噴射される冷却流体は、流れ誘
導ガイド１０２に従って平板フィン７ｃ間に流入する
が、流れ誘導ガイド１０２の長さがヒ−トシンク中央部
で最も長いので、ヒ−トシンク中央部でもフィン根元ま
で直接到達することが出来る。更に、流れ誘導ガイド１
０２の長さが中央部から端じに向かって順次短くなって
いるので、ヒ−トシンク中央部の流れ誘導ガイドを経て
流出する冷却流体の流れは、隣接する流れ誘導ガイドか
ら流出する冷却流体の流れによってフィン根元に押しや
られ、流速が増大していく。この結果、一番温度が高い
フィン根元の冷却性能を向上させることが出来ると共
に、温度上昇の大きい中央部の冷却性能を一層向上させ
ることが出来る。
【００３２】更に、図７は、図６に示した上記実施例の
一部を変形した一実施例を説明する。なお、本実施例で
は、図６と同じのものは同一の番号を付けて説明を省略
する。
一部を変形した一実施例を説明する。なお、本実施例で
は、図６と同じのものは同一の番号を付けて説明を省略
する。
【００３３】本実施例では、流れ誘導ガイド１０２ａの
取付けピッチがヒ−トシンク中央から端じに向かって狭
くなっている点が図６に示した上記実施例と異なってい
る。ヒ−トシンク中央部の流れ誘導ガイド間が最も広い
ので、より一層流れを早く誘導することが出来る。
取付けピッチがヒ−トシンク中央から端じに向かって狭
くなっている点が図６に示した上記実施例と異なってい
る。ヒ−トシンク中央部の流れ誘導ガイド間が最も広い
ので、より一層流れを早く誘導することが出来る。
【００３４】次に、本発明の他の実施例を図８、図９を
参照して説明する。なお、本実施例では、図１と同じの
ものは同一の番号を付けて説明を省略する。
参照して説明する。なお、本実施例では、図１と同じの
ものは同一の番号を付けて説明を省略する。
【００３５】本実施例では、ヒートシンク６内に設けら
れた貫通スリット９内にボルト３０によって締め付け力
を調節できる板バネ３１を入れ、発熱体であるマルチチ
ップモジュ−ル１の底面を支持面とするＬ字型のクラン
プ金具３２をヒートシンク両側面に設け、上記板バネ３
１と組み合わせてヒートシンク６をマルチチップモジュ
−ル１に取り付けられている。上記Ｌ字型のクランプ金
具３２が貫通スリット９の側面を塞ぐことが出来るの
で、貫通スリット９からの冷却流体の漏れを少なくな
る。
れた貫通スリット９内にボルト３０によって締め付け力
を調節できる板バネ３１を入れ、発熱体であるマルチチ
ップモジュ−ル１の底面を支持面とするＬ字型のクラン
プ金具３２をヒートシンク両側面に設け、上記板バネ３
１と組み合わせてヒートシンク６をマルチチップモジュ
−ル１に取り付けられている。上記Ｌ字型のクランプ金
具３２が貫通スリット９の側面を塞ぐことが出来るの
で、貫通スリット９からの冷却流体の漏れを少なくな
る。
【００３６】更に、マルチチップモジュ−ル１の組立て
性からヒートシンク６とマルチチップモジュ−ル１は、
互いに分離しておく方が好ましい。このため、マルチチ
ップモジュ−ル１とヒートシンク６とは、例えば、熱伝
導性グリースや熱伝導性シートあるいは熱伝導性接着
剤、ボルト締めなどによって熱的に接触した構造となっ
ている。しかし、マルチチップモジュ−ル１とヒートシ
ンク６とは互いに温度分布が異なるので、温度分布によ
る熱変形量も互いに異なる。このため、ヒートシンク６
はマルチチップモジュ−ル１の熱変形に常に追従しない
と、マルチチップモジュ−ル１とヒートシンク６間の熱
抵抗が変動してしまう。そこで、本実施例のクランプ装
置は、板バネ３１とマルチチップモジュ−ル１の底面を
支持面とするＬ字型のクランプ金具３２によってヒート
シンク６の中心に荷重を加え、荷重力をボルト３０で調
節することによって、ヒートシンク６をマルチチップモ
ジュ−ル１に常に追従させることが出来る。この結果、
マルチチップモジュ−ル１とヒートシンク６間の熱抵抗
を安定させることが出来ると共に、スペ−ス効率向上と
冷却流体の漏れ防止などを合わせて実施することが出来
る。
性からヒートシンク６とマルチチップモジュ−ル１は、
互いに分離しておく方が好ましい。このため、マルチチ
ップモジュ−ル１とヒートシンク６とは、例えば、熱伝
導性グリースや熱伝導性シートあるいは熱伝導性接着
剤、ボルト締めなどによって熱的に接触した構造となっ
ている。しかし、マルチチップモジュ−ル１とヒートシ
ンク６とは互いに温度分布が異なるので、温度分布によ
る熱変形量も互いに異なる。このため、ヒートシンク６
はマルチチップモジュ−ル１の熱変形に常に追従しない
と、マルチチップモジュ−ル１とヒートシンク６間の熱
抵抗が変動してしまう。そこで、本実施例のクランプ装
置は、板バネ３１とマルチチップモジュ−ル１の底面を
支持面とするＬ字型のクランプ金具３２によってヒート
シンク６の中心に荷重を加え、荷重力をボルト３０で調
節することによって、ヒートシンク６をマルチチップモ
ジュ−ル１に常に追従させることが出来る。この結果、
マルチチップモジュ−ル１とヒートシンク６間の熱抵抗
を安定させることが出来ると共に、スペ−ス効率向上と
冷却流体の漏れ防止などを合わせて実施することが出来
る。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、発熱体を冷却するヒ−
トシンク中央部にヒ−トシンク上面からフィン根元に至
りフィンを縦断する貫通スリットを設けることにより、
上記貫通スリットを通る冷却流体は、冷却流体の速度を
低下せずに発熱体中央上部のフィン根元に直接到達する
ことが出来る。更に、上記貫通スリットを通る冷却流体
は、冷却流体温度がほとんど上昇せずに低い入気温度の
まま発熱体中央上部のフィン根元に直接到達することが
出来る。このため、発熱体中央部の冷却性能を向上させ
ることが出来る。この結果、半導体集積回路素子ＬＳＩ
など高発熱する発熱体の温度分布を一様に、かつ発熱体
を効率良く冷却することが出来る。特に、近年、コンピ
ュ−タの高速処理速度の要求から開発された高発熱ＬＳ
Ｉチップなどを一括して高密度に実装するマルチチップ
モジュ−ル内の多数のＬＳＩチップを水など特別な冷却
流体を用いずに、身近な空気などの冷却流体で一様に冷
却することができる。
トシンク中央部にヒ−トシンク上面からフィン根元に至
りフィンを縦断する貫通スリットを設けることにより、
上記貫通スリットを通る冷却流体は、冷却流体の速度を
低下せずに発熱体中央上部のフィン根元に直接到達する
ことが出来る。更に、上記貫通スリットを通る冷却流体
は、冷却流体温度がほとんど上昇せずに低い入気温度の
まま発熱体中央上部のフィン根元に直接到達することが
出来る。このため、発熱体中央部の冷却性能を向上させ
ることが出来る。この結果、半導体集積回路素子ＬＳＩ
など高発熱する発熱体の温度分布を一様に、かつ発熱体
を効率良く冷却することが出来る。特に、近年、コンピ
ュ−タの高速処理速度の要求から開発された高発熱ＬＳ
Ｉチップなどを一括して高密度に実装するマルチチップ
モジュ−ル内の多数のＬＳＩチップを水など特別な冷却
流体を用いずに、身近な空気などの冷却流体で一様に冷
却することができる。
【００３８】また、本発明によれば、ヒ−トシンク上面
から噴射される冷却流体をヒ−トシンク中央部に高速に
誘導する少なくとも一組以上の流れ誘導ガイドをヒ−ト
シンク内部に備えることにより、発熱体中央上部のフィ
ン根元付近を集中して冷却することが出来る。また、流
れ誘導ガイドを発熱分布の大きいところに制御して設け
れば、高発熱する発熱体の温度分布をより一様に、かつ
発熱体を効率良く冷却することが出来る。
から噴射される冷却流体をヒ−トシンク中央部に高速に
誘導する少なくとも一組以上の流れ誘導ガイドをヒ−ト
シンク内部に備えることにより、発熱体中央上部のフィ
ン根元付近を集中して冷却することが出来る。また、流
れ誘導ガイドを発熱分布の大きいところに制御して設け
れば、高発熱する発熱体の温度分布をより一様に、かつ
発熱体を効率良く冷却することが出来る。
【００３９】更に、本発明によれば、貫通スリットに挿
入された板バネと、マルチチップモジュ−ルなどの発熱
体の底面を支持面とするＬ字型のクランプ金具とを組み
合わせて、ヒートシンクをマルチチップモジュ−ルなど
の発熱体に取り付けることにより、貫通スリットを設け
た高性能ヒートシンクの冷却性能を低下せずにマルチチ
ップモジュ−ルなどの発熱体に信頼性良くかつスペ−ス
効率良く取付けることが出来、上記Ｌ字型のクランプ金
具が貫通スリットからの冷却流体の漏れを少なくするこ
とが出来る。
入された板バネと、マルチチップモジュ−ルなどの発熱
体の底面を支持面とするＬ字型のクランプ金具とを組み
合わせて、ヒートシンクをマルチチップモジュ−ルなど
の発熱体に取り付けることにより、貫通スリットを設け
た高性能ヒートシンクの冷却性能を低下せずにマルチチ
ップモジュ−ルなどの発熱体に信頼性良くかつスペ−ス
効率良く取付けることが出来、上記Ｌ字型のクランプ金
具が貫通スリットからの冷却流体の漏れを少なくするこ
とが出来る。
【００４０】更に、本発明によれば、ノズル先端に柔ら
かい緩衝部材を取付け、ヒートシンク上部に設けられた
ノズル接続口に差し込むことにより、マルチチップモジ
ュ−ルなどの発熱体の電気回路接続部に負担を掛けず
に、かつ冷却流体の漏れを少なくして冷却流体を供給す
るノズルを高性能ヒートシンクに接続することが出来
る。
かい緩衝部材を取付け、ヒートシンク上部に設けられた
ノズル接続口に差し込むことにより、マルチチップモジ
ュ−ルなどの発熱体の電気回路接続部に負担を掛けず
に、かつ冷却流体の漏れを少なくして冷却流体を供給す
るノズルを高性能ヒートシンクに接続することが出来
る。
【００４１】
【図１】本発明を適用した発熱体の冷却装置の一実施例
を説明する一部断面斜視図
を説明する一部断面斜視図
【図２】発熱体の冷却装置内の冷却流体の流れを示す第
１図の要部横断面図
１図の要部横断面図
【図３】本発明の発熱体の冷却装置の一部変形例を説明
する要部断面図
する要部断面図
【図４】本発明の発熱体の冷却装置の一部変形例を説明
する要部断面図
する要部断面図
【図５】本発明の発熱体の冷却装置の一部変形例を説明
する要部断面図
する要部断面図
【図６】本発明の発熱体の冷却装置の他の実施例を説明
する要部断面図
する要部断面図
【図７】本発明の発熱体の冷却装置の他の実施例の一部
変形した例を説明する要部断面図
変形した例を説明する要部断面図
【図８】本発明の発熱体の冷却装置の他の実施例を説明
する正面図
する正面図
【図９】第８図の断面図
【図１０】従来の発熱体の冷却装置を説明する斜視図と
要部断面図
要部断面図
【図１１】従来の発熱体の冷却装置を説明する斜視図と
要部断面図
要部断面図
【符号の説明】 １・・・マルチチップモジュ−ル，２・・・セラッミク製多層
配線基板，３・・・半導体デバイス，４・・・ハウジング，５
・・・熱伝導接触子，６，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ・
・・ヒ−トシンク，７，７ａ，７ｂ，７ｃ・・・平板フィ
ン，８・・・フィンベ−ス，９，９ａ，９ｂ・・・貫通スリッ
ト，１０，１０ａ・・・ヒ−トシンク押え板，１１，１１
ａ・・・ノズル，１２・・・冷却空気入口，１３・・・緩衝部
材，２０，２１，２２・・・空気流矢印，３０・・・ボルト，
３１・・・板バネ，３２・・・Ｌ字型クランプ金具，１０１，
１０２，１０２ａ・・・流れ誘導ガイド
配線基板，３・・・半導体デバイス，４・・・ハウジング，５
・・・熱伝導接触子，６，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ・
・・ヒ−トシンク，７，７ａ，７ｂ，７ｃ・・・平板フィ
ン，８・・・フィンベ−ス，９，９ａ，９ｂ・・・貫通スリッ
ト，１０，１０ａ・・・ヒ−トシンク押え板，１１，１１
ａ・・・ノズル，１２・・・冷却空気入口，１３・・・緩衝部
材，２０，２１，２２・・・空気流矢印，３０・・・ボルト，
３１・・・板バネ，３２・・・Ｌ字型クランプ金具，１０１，
１０２，１０２ａ・・・流れ誘導ガイド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 二三幸 神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日 立製作所神奈川工場内 (72)発明者 塚口 保 神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日 立製作所神奈川工場内 (72)発明者 畑田 敏夫 茨城県土浦市神立町502株式会社日立製 作所機械研究所内 (72)発明者 笠井 憲一 神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日 立製作所神奈川工場内 (72)発明者 林 義人 神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日 立製作所神奈川工場内 (56)参考文献 特開 昭64−71154（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−167094（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−113355（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 7/20 H01L 23/473 H01L 23/36
Claims (4)
- 【請求項１】フィンベース上に複数の板状のフィンを備
えてなるヒートシンクにおいて、 フィンとフィンの互いの板面の間が一定の間隔を保って
並列に配列している第一のフィン群と、フィンとフィン
の互いの板面の間が一定の間隔を保って並列に配列して
いる第二のフィン群とを有し、 前記第一のフィン群と前記第二のフィン群は前記複数の
フィンの配列方向に直交する方向に一定の間隔を有して
配置され、該間隔は各フィン群におけるフィン間隔より
も広く構成されており、 冷却流体が前記ヒートシンク上面から供給されることに
より前記フィンベース下面に取り付けられる発熱体を冷
却する ことを特徴とするヒートシンク。 - 【請求項２】フィンベース上に複数の板状のフィンを備
えてなるヒートシンクにおいて、 フィンとフィンの互いの板面の間に前記フィンベースま
で到達する一定の間隔を保って並列に配列している第一
のフィン群と、フィンとフィンの互いの板面の間に前記
フィンベースまで到達する一定の間隔を保って並列に配
列している第二のフィン群とを有し、 前記第一のフィン群と前記第二のフィン群は前記複数の
フィンの配列方向に直交する方向に一定の間隔を有して
配置され、該間隔は各フィン群におけるフィン間隔より
も広く構成されており、 冷却流体が前記ヒートシンク上面から供給されることに
より前記フィンベース下面に取り付けられる発熱体を冷
却する ことを特徴とするヒートシンク。 - 【請求項３】フィンベース上に複数の板状のフィンを備
えてなるヒートシンクにおいて、 フィンとフィンの互いの板面の間に前記フィンベースま
で到達する一定の間隔を保って並列に配列している第一
のフィン群と、フィンとフィンの互いの板面の間に前記
フィンベースまで到達する一定の間隔を保って並列に配
列している第二のフィン群とを有し、 前記第一のフィン群と前記第二のフィン群は前記複数の
フィンの配列方向に直交する方向に一定の間隔を保って
配置されることにより、前記第一のフィン群と前記第二
のフィン群との間にフィンベースまで到達し且つフィン
の配列方向に貫通するスリットが形成され、該スリット
の間隔は各フィン群におけるフィン間隔よりも広く構成
されており、 冷却流体が前記ヒートシンク上面から供給されることに
より前記フィンベース下面に取り付けられる発熱体を冷
却する ことを特徴とするヒートシンク。 - 【請求項４】請求項１乃至請求項３記載のヒートシンク
において、 前記複数のフィンは平板状フィンであることを特徴とす
るヒートシンク。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4261118A JP3002611B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 発熱体の冷却装置 |
| US08/128,227 US5592363A (en) | 1992-09-30 | 1993-09-29 | Electronic apparatus |
| DE4333373A DE4333373B4 (de) | 1992-09-30 | 1993-09-30 | Elektronisches Gerät |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4261118A JP3002611B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 発熱体の冷却装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112382A JPH06112382A (ja) | 1994-04-22 |
| JP3002611B2 true JP3002611B2 (ja) | 2000-01-24 |
Family
ID=17357348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4261118A Expired - Fee Related JP3002611B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 発熱体の冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3002611B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8908373B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-12-09 | Nec Corporation | Cooling structure for an electronic component and electronic instrument |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4546335B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2010-09-15 | 富士通株式会社 | パッケージ冷却装置 |
| JP5057221B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2012-10-24 | 中村製作所株式会社 | 放熱部付き金属ベースプリント基板及びその製造方法 |
| JP6157887B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2017-07-05 | 株式会社豊田中央研究所 | 冷却装置 |
| JP5633612B2 (ja) * | 2013-08-28 | 2014-12-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| JP2016015381A (ja) * | 2014-07-01 | 2016-01-28 | 株式会社フジクラ | コールドプレート |
| JP6047724B2 (ja) * | 2016-03-29 | 2016-12-21 | 株式会社新川 | ボンディング装置用ヒータ、ボンディング装置用ヒータ組立体及びボンディング装置 |
| JPWO2023073891A1 (ja) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | ||
| JP2023150887A (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-16 | 三菱重工業株式会社 | 冷却装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471154A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | Method of mounting heat sink |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP4261118A patent/JP3002611B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8908373B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-12-09 | Nec Corporation | Cooling structure for an electronic component and electronic instrument |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06112382A (ja) | 1994-04-22 |
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Legal Events
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