JP2984360B2 - 半導体基板の搬送方法 - Google Patents
半導体基板の搬送方法Info
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は半導体製造方法に関するもので、特に詳細に
はドライエッチング処理装置内におけるウェハー等の半
導体基板の搬送方法に関するものである。
はドライエッチング処理装置内におけるウェハー等の半
導体基板の搬送方法に関するものである。
（従来の技術） 第１図は、半導体製造装置、例えばドライエッチング
装置の構成図である。同図において反応室１の上部には
エッチングガスの導入口２が設けられている。反応室１
の下部には反応室１内を排気するための排気口３が設け
られている。５および６は排気室、即ちロード室および
アンロード室である。ロード室５およびアンロード室６
の上部にはこれらの室内を排気するための排気口７およ
び８が設けられている。９および10はN2ガス導入口であ
る。
装置の構成図である。同図において反応室１の上部には
エッチングガスの導入口２が設けられている。反応室１
の下部には反応室１内を排気するための排気口３が設け
られている。５および６は排気室、即ちロード室および
アンロード室である。ロード室５およびアンロード室６
の上部にはこれらの室内を排気するための排気口７およ
び８が設けられている。９および10はN2ガス導入口であ
る。
上記構成を有するドライエッチング処理装置の動作に
ついて説明する。ロード室５内にN2ガス導入口９を介し
てN2ガスを充填する。ロード室５内の圧力がN2ガスを充
填することにより大気圧に達すると、外部からロード室
５内へ半導体基板４を搬送する。搬送後、真空ポンプ
（図示せず）により排気口７を介してロード室５内の圧
力が約1Paに達するまで減圧する。一方、反応室１は常
時約1Paに減圧されている。
ついて説明する。ロード室５内にN2ガス導入口９を介し
てN2ガスを充填する。ロード室５内の圧力がN2ガスを充
填することにより大気圧に達すると、外部からロード室
５内へ半導体基板４を搬送する。搬送後、真空ポンプ
（図示せず）により排気口７を介してロード室５内の圧
力が約1Paに達するまで減圧する。一方、反応室１は常
時約1Paに減圧されている。
ロード室５内が1Paの圧力に達したら半導体基板４を
反応室１へ搬送し、エッチング処理を行なう。エッチン
グ処理終了後、排気口３を介し真空ポンプを用いて反応
室１内を約1Paに達するまで減圧する。一方、アンロー
ド室６内は、排気口８を介して真空ポンプを用いて約1P
aの圧力に減圧されている。反応室１を約1Paの圧力まで
減圧したら、半導体基板４をアンロード室６へ搬送す
る。次に、N2ガス導入口10を介して、N2ガスをアンロー
ド室６内へ導入する。アンロード室６内の圧力が大気圧
に達したら半導体基板４を外部へ搬送する。以上で半導
体基板の搬送が終了する。
反応室１へ搬送し、エッチング処理を行なう。エッチン
グ処理終了後、排気口３を介し真空ポンプを用いて反応
室１内を約1Paに達するまで減圧する。一方、アンロー
ド室６内は、排気口８を介して真空ポンプを用いて約1P
aの圧力に減圧されている。反応室１を約1Paの圧力まで
減圧したら、半導体基板４をアンロード室６へ搬送す
る。次に、N2ガス導入口10を介して、N2ガスをアンロー
ド室６内へ導入する。アンロード室６内の圧力が大気圧
に達したら半導体基板４を外部へ搬送する。以上で半導
体基板の搬送が終了する。
第２図は、反応室１内に搬送された半導体基板４およ
び反応室１の断面図である。同図において導入口２を介
して反応室１内に充填されたエッチング用反応性ガス
（例えばハロゲンを主体としたガス）は、ガス14、イオ
ン15およびラジカル16となり被エッチング膜12と反応す
る。そして、反応生成物17を形成する。この反応生成物
17は以下に示すような問題を引き起こしていた。
び反応室１の断面図である。同図において導入口２を介
して反応室１内に充填されたエッチング用反応性ガス
（例えばハロゲンを主体としたガス）は、ガス14、イオ
ン15およびラジカル16となり被エッチング膜12と反応す
る。そして、反応生成物17を形成する。この反応生成物
17は以下に示すような問題を引き起こしていた。
反応室１内でエッチングが行なわれていないとき、反
応室１は約1Paの圧力まで減圧される。
応室１は約1Paの圧力まで減圧される。
第３図は、排気口３に接続された真空ポンプの排気特
性図である。同図において、例えば、反応室11の容積が
Ｖで排気速度をＳとすると反応室１内のガスの平均レジ
デンスタイムはV/Sとなる。反応室１内のガスのレジデ
ンスタイムは排気速度Ｓにのみ支配される。そして、圧
力ｐが到達圧力付近では急激に小さくなる為排気速度Ｓ
は遅くなりガスのレジデンスタイムが大きくなる。従っ
て、反応生成物17が反応室１に滞在する時間が長くな
り、反応室１の付着物18が多く発生するという問題があ
った。
性図である。同図において、例えば、反応室11の容積が
Ｖで排気速度をＳとすると反応室１内のガスの平均レジ
デンスタイムはV/Sとなる。反応室１内のガスのレジデ
ンスタイムは排気速度Ｓにのみ支配される。そして、圧
力ｐが到達圧力付近では急激に小さくなる為排気速度Ｓ
は遅くなりガスのレジデンスタイムが大きくなる。従っ
て、反応生成物17が反応室１に滞在する時間が長くな
り、反応室１の付着物18が多く発生するという問題があ
った。
このように、反応生成物17は、排気口３から排出され
るが排気されなかったものは反応室１の内壁等へ付着す
る。
るが排気されなかったものは反応室１の内壁等へ付着す
る。
反応室１の内壁等に付着した付着物18はエッチング処
理を繰り返すごとに成長する。そして、反応室１の内壁
からはがれ落ち反応室１内のゴミの原因となる。これら
はエッチングに悪影響を及ぼす。
理を繰り返すごとに成長する。そして、反応室１の内壁
からはがれ落ち反応室１内のゴミの原因となる。これら
はエッチングに悪影響を及ぼす。
（発明が解決しようとする課題） 以上説明したように、従来の半導体基板搬送方法にお
いては、反応生成物が反応室内に長く滞在しこれが反応
室内壁に付着してゴミになり易いという問題があった。
そしてこれらのゴミは、エッチング時に悪影響を及ぼし
半導体装置の歩留りを低下させるという問題があった。
いては、反応生成物が反応室内に長く滞在しこれが反応
室内壁に付着してゴミになり易いという問題があった。
そしてこれらのゴミは、エッチング時に悪影響を及ぼし
半導体装置の歩留りを低下させるという問題があった。
そこで本発明は上記した問題に鑑みなされたものであ
り、反応生成物が反応室内壁へ付着しにくいウェハー搬
送方法を提供することにより反応室内部のゴミの発生を
抑制し半導体装置の歩留りを向上させることを目的とす
る。
り、反応生成物が反応室内壁へ付着しにくいウェハー搬
送方法を提供することにより反応室内部のゴミの発生を
抑制し半導体装置の歩留りを向上させることを目的とす
る。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の半導体基板の搬送方法は少なくとも１つの反
応室および１つの排気室を具備した半導体製造装置にお
いて、該反応室および該排気室相互間で半導体基板を搬
送する際、不活性ガスを充填することにより該反応室内
を所定の圧力に保ち同時に該反応室内を排気すること を特徴としている。
応室および１つの排気室を具備した半導体製造装置にお
いて、該反応室および該排気室相互間で半導体基板を搬
送する際、不活性ガスを充填することにより該反応室内
を所定の圧力に保ち同時に該反応室内を排気すること を特徴としている。
（作用） 本発明の半導体基板の搬送方法では、反応室からアン
ロード室へまたこれに加えてロード室から反応室へ半導
体基板を搬送する際、反応室内を例えばN2ガスで所定圧
力に保つ。この状態で反応室内の排気を行なうため、排
気速度が大となる。よって反応生成物が反応室内に滞在
する時間が短かくなり、反応室内壁に付着するのを抑制
できる。
ロード室へまたこれに加えてロード室から反応室へ半導
体基板を搬送する際、反応室内を例えばN2ガスで所定圧
力に保つ。この状態で反応室内の排気を行なうため、排
気速度が大となる。よって反応生成物が反応室内に滞在
する時間が短かくなり、反応室内壁に付着するのを抑制
できる。
従って、反応室内部のゴミが減少するので良好なエッ
チングを行なうことができ、半導体装置の歩留りが向上
する。
チングを行なうことができ、半導体装置の歩留りが向上
する。
（実施例） 本発明の実施例を図面を参照して説明する。本実施例
で用いる半導体基板（ウェハー）搬送装置は、第１図に
示した半導体基板の搬送装置と同一であるのでその説明
を省略する。また、本実施例で使用したエッチング用反
応性ガスは、四塩化炭素（CCl4）、三塩化ホウ素（BC
l3）、塩素（Cl2）および窒素（N2）を用いた。また、
半導体基板上の被エッチング膜は、Al−Si−Cu合金を用
いた。
で用いる半導体基板（ウェハー）搬送装置は、第１図に
示した半導体基板の搬送装置と同一であるのでその説明
を省略する。また、本実施例で使用したエッチング用反
応性ガスは、四塩化炭素（CCl4）、三塩化ホウ素（BC
l3）、塩素（Cl2）および窒素（N2）を用いた。また、
半導体基板上の被エッチング膜は、Al−Si−Cu合金を用
いた。
反応室１内へ半導体基板４を搬送するまでの行程は従
来例と同一である。まず反応室１において半導体基板４
のエッチングを行なう。その後反応室１は、排気口３を
介して真空ポンプ（図示せず）を用いて1Pa（7.5×10-3
Torr）未満の圧力に達するまで減圧される。反応室１で
半導体基板４がエッチングされている間にアンロード室
６を排気口８を介し1.5Pa未満の圧力に減圧しておく。
反応室１とアンロード室６とが十分減圧されたら、反応
室１とアンロード室６との間に設けられた仕切弁（図示
せず）を開く。仕切弁が開かれた後、アンロード室に設
けられたN2ガス導入口10からN2ガスを導入する。そし
て、反応室１およびアンロード室内の圧力を100Pa（7.5
×10-1Torr）に保つ。反応室１とアンロード室６とが10
0Paの圧力に達したら、半導体基板４を反応室１からア
ンロード室６へ搬送する。同時に排気口３を介して反応
室内の排気を始める。搬送が終了すると反応室１とアン
ロード室６との間の仕切弁を閉じる。
来例と同一である。まず反応室１において半導体基板４
のエッチングを行なう。その後反応室１は、排気口３を
介して真空ポンプ（図示せず）を用いて1Pa（7.5×10-3
Torr）未満の圧力に達するまで減圧される。反応室１で
半導体基板４がエッチングされている間にアンロード室
６を排気口８を介し1.5Pa未満の圧力に減圧しておく。
反応室１とアンロード室６とが十分減圧されたら、反応
室１とアンロード室６との間に設けられた仕切弁（図示
せず）を開く。仕切弁が開かれた後、アンロード室に設
けられたN2ガス導入口10からN2ガスを導入する。そし
て、反応室１およびアンロード室内の圧力を100Pa（7.5
×10-1Torr）に保つ。反応室１とアンロード室６とが10
0Paの圧力に達したら、半導体基板４を反応室１からア
ンロード室６へ搬送する。同時に排気口３を介して反応
室内の排気を始める。搬送が終了すると反応室１とアン
ロード室６との間の仕切弁を閉じる。
反応室１内は引き続き排気されており、1Pa未満の圧
力に達するまで排気が行なわれる。1Pa未満の圧力に達
したら、この圧力に保つ。そして、次に処理される半導
体基板が搬送されてくるのを待つ。
力に達するまで排気が行なわれる。1Pa未満の圧力に達
したら、この圧力に保つ。そして、次に処理される半導
体基板が搬送されてくるのを待つ。
一方、アンロード室６内は、引き続きN2ガス導入口か
らN2ガスを導入する。アンロード室が大気圧に達したと
ころで半導体基板４をアンロード室６から外部へ搬送す
る。
らN2ガスを導入する。アンロード室が大気圧に達したと
ころで半導体基板４をアンロード室６から外部へ搬送す
る。
以上で本実施例の半導体基板の搬送が終了する。この
ように、本実施例では、エッチング終了後、反応室１内
およびアンロード室６内にN2ガスを充填することにより
100Paの圧力にする。この状態で半導体基板４をアンロ
ード室６へ搬送する。同時に反応室１内は排気される。
この際、反応室１内の圧力は高いので排気速度が大き
い。よって反応生成物は反応室１内に滞在する時間が少
なくなる。そして反応室１内へ付着することなく効率よ
く反応室１外へ排出される。
ように、本実施例では、エッチング終了後、反応室１内
およびアンロード室６内にN2ガスを充填することにより
100Paの圧力にする。この状態で半導体基板４をアンロ
ード室６へ搬送する。同時に反応室１内は排気される。
この際、反応室１内の圧力は高いので排気速度が大き
い。よって反応生成物は反応室１内に滞在する時間が少
なくなる。そして反応室１内へ付着することなく効率よ
く反応室１外へ排出される。
第４図は反応室１内を排気するために本実施例で用い
た真空ポンプの排気特性曲線図である。同図において、
縦軸は排気速度であり横軸は例えば反応室１内の圧力を
示す。反応室１内が100Paの圧力状態のとき真空ポンプ
の排気能力は7000（/min）程度である。
た真空ポンプの排気特性曲線図である。同図において、
縦軸は排気速度であり横軸は例えば反応室１内の圧力を
示す。反応室１内が100Paの圧力状態のとき真空ポンプ
の排気能力は7000（/min）程度である。
よって、強力な排気速度で、反応室１内の反応生成物
を排気できるため反応生成物が反応室内に長く留まって
内壁に付着することは少なくなる。
を排気できるため反応生成物が反応室内に長く留まって
内壁に付着することは少なくなる。
第５図は、反応室内のゴミ数とエッチング処理枚数と
の関係を示した図である。同図において△印は従来のウ
ェハー搬送方法を用いた場合のゴミ数、○印は本実施例
の搬送方法を用いた場合のゴミ数である。従来例では、
エッチング処理のウェハー枚数が増加するに従って反応
室内のゴミ数は増加する傾向がある。本実施例の場合
は、エッチング処理回数（ウェハー枚数）が増加しても
反応室内のゴミ数はほとんど増加しない。
の関係を示した図である。同図において△印は従来のウ
ェハー搬送方法を用いた場合のゴミ数、○印は本実施例
の搬送方法を用いた場合のゴミ数である。従来例では、
エッチング処理のウェハー枚数が増加するに従って反応
室内のゴミ数は増加する傾向がある。本実施例の場合
は、エッチング処理回数（ウェハー枚数）が増加しても
反応室内のゴミ数はほとんど増加しない。
尚、本実施例においては、反応室からアンロード室へ
半導体基板を搬送する際に、N2ガスを導入して反応室内
の排気速度を大きくした。これに加えて、ロード室から
反応室へ半導体基板を搬送する際においても反応室内へ
N2ガスを導入し反応室内を排気することにより反応室内
の残留反応生成物をさらに除去することができる。
半導体基板を搬送する際に、N2ガスを導入して反応室内
の排気速度を大きくした。これに加えて、ロード室から
反応室へ半導体基板を搬送する際においても反応室内へ
N2ガスを導入し反応室内を排気することにより反応室内
の残留反応生成物をさらに除去することができる。
また、本実施例においては、ロード室内、アンロード
室内の圧力を制御するためにN2ガスを用いたがN2ガスの
代わりにAr、He等の不活性ガスを用いてもよい。
室内の圧力を制御するためにN2ガスを用いたがN2ガスの
代わりにAr、He等の不活性ガスを用いてもよい。
また、これらのガスはアンロード室６から導入した
が、例えばロード室から導入してもよい。また、排気口
２を介して導入してもよい。
が、例えばロード室から導入してもよい。また、排気口
２を介して導入してもよい。
また、反応室、アンロード室およびロード室の排気口
は、複数の排気口を設けて排気してもよい。
は、複数の排気口を設けて排気してもよい。
また、反応室１内を排気するための真空ポンプとし
て、排気能力の大きなものを選ぶことにより、ウェハー
搬送時に排気速度をさらに高くして反応生成物が反応室
内に付着しないようにしてもよい。
て、排気能力の大きなものを選ぶことにより、ウェハー
搬送時に排気速度をさらに高くして反応生成物が反応室
内に付着しないようにしてもよい。
さらに、この搬送方法は、CVDあるいはロードロック
を有する装置に用いた場合であっても、反応室、ロード
室およびアンロード室へ半導体基板を搬送する際におけ
るデポおよびゴミの低減に効果がある。
を有する装置に用いた場合であっても、反応室、ロード
室およびアンロード室へ半導体基板を搬送する際におけ
るデポおよびゴミの低減に効果がある。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明のウェハー搬送方法は、
半導体基板を搬送する際、反応室内を不活性ガスで所定
圧力に保つ。この状態で反応室内を排気するので排気速
度が大となり反応生成物が反応室内等に長く滞在して内
壁に付着するのを抑制することができる。したがって、
反応室内のゴミの付着を軽減でき良好なエッチングを行
なうことができるので半導体装置の歩留りが向上する。
半導体基板を搬送する際、反応室内を不活性ガスで所定
圧力に保つ。この状態で反応室内を排気するので排気速
度が大となり反応生成物が反応室内等に長く滞在して内
壁に付着するのを抑制することができる。したがって、
反応室内のゴミの付着を軽減でき良好なエッチングを行
なうことができるので半導体装置の歩留りが向上する。
第１図はドライエッチング装置の構成図、第２図は、ド
ライエッチング時の反応室内の状況を示した図、第３図
は真空ポンプの排気特性曲線図、第４図は、本実施例に
用いた真空ポンプの排気特性曲線図、第５図は反応室内
のゴミ数とエッチング処理されたウェハー枚数との関係
図である。 １……反応室 ２、９、10……N2ガス導入口 ３、７、８……排気口 ４……半導体基板（ウェハー） ５……ロード室 ６……アンロード室 17……反応生成物 18……付着物
ライエッチング時の反応室内の状況を示した図、第３図
は真空ポンプの排気特性曲線図、第４図は、本実施例に
用いた真空ポンプの排気特性曲線図、第５図は反応室内
のゴミ数とエッチング処理されたウェハー枚数との関係
図である。 １……反応室 ２、９、10……N2ガス導入口 ３、７、８……排気口 ４……半導体基板（ウェハー） ５……ロード室 ６……アンロード室 17……反応生成物 18……付着物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−45117（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−46726（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−174242（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/68
Claims (2)
- 【請求項１】内部を第１の圧力値に減圧した後に、内部
に導入された被処理物に対して所定の処理を行う少なく
とも１つの反応室と被処理物の導入出を行うための少な
くとも１つの排気室を具備した半導体製造装置におい
て、当該反応室および当該排気室間で半導体基板を搬送
する際、反応室および排気室内が共に当該第１の圧力値
以上の第２の圧力値となるまで不活性ガスを充填した
後、反応室内の排気を開始することを特徴とする半導体
基板の搬送方法。 - 【請求項２】前記第２の圧力値は前記第１の圧力値より
も２桁以上高い圧力値であることを特徴とする請求項
（１）記載の半導体基板の搬送方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32094990A JP2984360B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体基板の搬送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32094990A JP2984360B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体基板の搬送方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192417A JPH04192417A (ja) | 1992-07-10 |
| JP2984360B2 true JP2984360B2 (ja) | 1999-11-29 |
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ID=18127092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32094990A Expired - Lifetime JP2984360B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体基板の搬送方法 |
Country Status (1)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5013484B2 (ja) * | 2008-06-02 | 2012-08-29 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 半導体製造装置のクリーニング方法および半導体製造装置 |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP32094990A patent/JP2984360B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04192417A (ja) | 1992-07-10 |
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