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JP2980405B2 - Tcp用テープ - Google Patents

Tcp用テープ

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Publication number
JP2980405B2
JP2980405B2 JP3132861A JP13286191A JP2980405B2 JP 2980405 B2 JP2980405 B2 JP 2980405B2 JP 3132861 A JP3132861 A JP 3132861A JP 13286191 A JP13286191 A JP 13286191A JP 2980405 B2 JP2980405 B2 JP 2980405B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring pattern
copper
tcp tape
zinc
rolled copper
Prior art date
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Expired - Fee Related
Application number
JP3132861A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04357847A (ja
Inventor
泰 雄 種
田 聡 小
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP3132861A priority Critical patent/JP2980405B2/ja
Publication of JPH04357847A publication Critical patent/JPH04357847A/ja
Application granted granted Critical
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Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、テープキャリアボンデ
ィング(TAB)方式を採用してテープキャリアパッケ
ージ(TCP)を製造する際に使用されるTCP用テー
プの改良に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の一般的なTCP用テープを図1及
び図2を参照して説明すると、TCP用テープ1は、ポ
リイミドフィルム等の細長いベースフィルム2の内部に
矩形状のデバイスホール3を形成するとともに、前記ベ
ースフィルム2上に銅箔等の金属箔による配線パターン
4を該配線パターン4のインナーリード4aをデバイス
ホール3内に位置させて形成することによって構成され
ている。
【0003】そして、前記デバイスホール3内に半導体
チップ5を下向きにして位置させ、この半導体チップ5
の各電極5aと前記各インナーリード4aとを重ね合わ
せて接合(インナーリードボンディング)した後、必要
に応じて半導体チップ5全体を樹脂で封止して切り離
し、更に配線パターン4の各アウターリード4bをパッ
ケージや基板の各電極等に重ね合わせて接合(アウター
リードボンディング)して使用するようなされている。
【0004】ここに、前記配線パターン4を形成する金
属箔としては、銅が99%以上の電解銅箔や圧延銅箔等
が一般に使用されていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、銅が99%以上の電解銅箔や圧延銅箔
により形成された配線パターンの表面に錫メッキを行っ
た場合、銅の錫への拡散速度が大きく、ある温度以上の
アニール工程を通すと半田濡れ性が落ちてしまう。この
ため、アニール温度はせいぜい約150℃程度が限界で
ある。しかし、TCP用テープは、半導体チップを実装
して封止を行う時、ある程度のアニールを行う必要があ
り、このアニールによってアウターリードボンディング
が不可能となることがある。
【0006】更に、今後要求されるファインパターン、
例えば80μm程度以下のピッチに対して、上記銅箔に
よる配線パターンでは、強度的に弱くてこれに対応する
ことができないのが現状であった。
【0007】本発明は上記に鑑み、配線パターンを形成
する金属箔の該配線パターンの表面に施される錫メッキ
への拡散を抑えて封止時のアニール温度を十分に高くす
ることができるとともに、強度的にも強く今後要求され
るファインピッチに対しても十分に対応できるようにし
たものを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るTCP用テープは、ベースフィルム上
に金属箔による配線パターンを形成したTCP用テープ
において、前記配線パターンは所定のアニール温度で加
熱された後に半田付けでアウターリードボンディングさ
れるアウターリードを有し、前記アウターリードは0.
5〜5%の亜鉛を含む圧延銅で形成されていることを特
徴とするものである。
【0009】
【作用】上記のように構成した本発明によれば、亜鉛は
銅よりも拡散が早いため、亜鉛を含む圧延銅から形成さ
れる配線パターンの上に錫メッキを施して高温に晒した
際、銅の錫への拡散を亜鉛が抑えるために半田濡れ性が
落ちず、これによって封止時のアニール温度の大幅な上
昇を図ることができる。しかも、亜鉛を含む圧延銅は、
銅が99%以上の銅箔よりも強度的に強く、今後要求さ
れるファインピッチの配線パターンにも十分に対応する
ことができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
【0011】図1及び図2において、TCP用テープ1
は、ポリイミドフィルム等の細長いベースフィルム2の
内部に矩形状のデバイスホール3を形成するとともに、
前記ベースフィルム2上に金属箔による配線パターン4
を該配線パターン4のインナーリード4aをデバイスホ
ール3内に位置させて形成することによって構成されて
いるのであるが、この配線パターン4を形成する金属箔
として、0.5〜5%程度の亜鉛を含む圧延銅が使用さ
れている。
【0012】この製造例としては、ベースフィルム2の
表面に接着剤を塗布し、ベースフィルム2の所定位置に
スプロケットホール(図示せず)及びデバイスホール3
をパンチングした後、前記接着剤を介してベースフィル
ム2上に0.5〜5%程度の亜鉛を含む圧延銅(金属
箔)をラミネートする。そして、エッチングによりパタ
ーンを露光・現像して前記圧延銅による配線パターン4
を形成し、しかる後、前記配線パターン4の表面に錫メ
ッキを施してTCP用テープ1を完成させるのである。
【0013】このように、0.5〜5%程度の亜鉛を含
む圧延銅により配線パターン4を形成することにより、
高温でのアニールの際に半田濡れ性が低下してしまうこ
とを防止することができる。
【0014】即ち、配線パターン4の材料(金属箔)と
して、銅が99%以上の電解銅A,電解銅B,圧延銅A
及び0.5〜5%程度の亜鉛を含む圧延銅を夫々使用
し、この上に0.4μmの錫メッキをした後、200℃
弱の温度で、0時間,4時間及び8時間のアニールを行
った時の半田濡れ性試験の結果を下表に示す。
【0015】半田濡れ性評価結果
【表1】 この半田濡れ性評価は、はんだ槽に試験片(幅4mm×高
さ10mm) を入れ、その試験片を引き上げる時の荷重で
評価を行ったものである。
【0016】なお、引き上げる時の荷重が引き上げる方
向に正の値ならば、半田と試験片との濡れ性が良好であ
ることを示し、負の値ならば、半田と試験片との濡れ性
が悪いことを示す。
【0017】これにより、銅が99%以上の電解銅や圧
延銅では、200℃弱で4時間から8時間と長時間に亙
るアニールを加えると、引き上げ時の荷重がどんどん低
下してしまうが、0.5〜5%程度の亜鉛を含む圧延銅
では、この荷重が変化しないことが判る。
【0018】また従来の銅が99%以上の圧延銅(金属
箔)では、引張強度が40Kg/mm2 前後であるが、本実
施例における亜鉛の添加量を約2.2%とした圧延銅
(金属箔)では、引張強度が60Kg/mm2 となり、これ
によって配線パターン4を形成する金属箔として強度の
強化を図り、今後要求されるファインパターン(例えば
80μmピッチ以下)にも対応できると考えられる。
【0019】そして、半導体チップ5の各電極5aと前
記各インナーリード4aとを重ね合わせて接合(インナ
ーリードボンディング)した後、必要に応じて半導体チ
ップ5全体を樹脂で封止して切り離し、更に配線パター
ン4の各アウターリード4bをパッケージや基板の各電
極等に重ね合わせて接合(アウターリードボンディン
グ)して使用する。
【0020】
【発明の効果】本発明は上記のような構成であるので、
アニール温度を高くしても半田濡れ性が落ちてしまうこ
とがないので、TCP用テープを封止する時のアニール
温度を高くすることができ、これによってアウターリー
ドボンディング性を高めることができる。しかも、引張
強度を従来のものに比べて遥かに大きくすることがで
き、これによって今後要求されるファインピッチにも対
応することができるといった効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すTCP用テープの表面
図。
【図2】同じく、TCP用テープと半導体チップとのイ
ンナーリードボンディング後の状態を示す断面図。
【符号の説明】
1 TCP用テープ 2 ベースフィルム 3 デバイスホール 4 配線パターン 5 半導体チップ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−215044(JP,A) 特開 平2−82546(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/60 311

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ベースフィルム上に金属箔による配線パタ
    ーンを形成したTCP用テープにおいて、前記配線パターンは所定のアニール温度で加熱された後
    に半田付けでアウターリードボンディングされるアウタ
    ーリードを有し、前記アウターリードは 0.5〜5%の
    亜鉛を含む圧延銅で形成されていることを特徴とするT
    CP用テープ。
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JPH04357847A JPH04357847A (ja) 1992-12-10
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