JP2963348B2 - 焦電センサ素子とその製造方法 - Google Patents
焦電センサ素子とその製造方法Info
- Publication number
- JP2963348B2 JP2963348B2 JP24874294A JP24874294A JP2963348B2 JP 2963348 B2 JP2963348 B2 JP 2963348B2 JP 24874294 A JP24874294 A JP 24874294A JP 24874294 A JP24874294 A JP 24874294A JP 2963348 B2 JP2963348 B2 JP 2963348B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal thin
- thin film
- sensor element
- substrate
- divided
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、焦電効果を利用して
赤外線を電気信号に変換する焦電センサ素子とその製造
方法及び焦電センサ装置に関する。
赤外線を電気信号に変換する焦電センサ素子とその製造
方法及び焦電センサ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば焦電型赤外線センサ素子の
いわゆるデュアルタイプのものは、図８に示すように、
焦電効果のあるセラミック基板１の表面に、凹字状の電
極２をマトリクス状に蒸着し、裏面には表面の凹字状の
電極２に両端部に対応して各々電極３が蒸着され、これ
らの電極形成後に電極２毎に分割線４で分割してセンサ
素子５が形成されていた。このセンサ素子５は、約５ｍ
ｍ四方の正方形に形成され、受光窓を有したケース内
に、このセンサ素子からの出力信号をインピーダンス変
換するＦＥＴ等とともに収容されていた。
いわゆるデュアルタイプのものは、図８に示すように、
焦電効果のあるセラミック基板１の表面に、凹字状の電
極２をマトリクス状に蒸着し、裏面には表面の凹字状の
電極２に両端部に対応して各々電極３が蒸着され、これ
らの電極形成後に電極２毎に分割線４で分割してセンサ
素子５が形成されていた。このセンサ素子５は、約５ｍ
ｍ四方の正方形に形成され、受光窓を有したケース内
に、このセンサ素子からの出力信号をインピーダンス変
換するＦＥＴ等とともに収容されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術の場合、センサ素子５を形成するセラミック基
板１から効率よくセンサ素子５を形成しているとは言え
ず、センサ素子自体にも無駄なスペースがあった。従っ
て、セラミック基板１の使用効率が悪く、センサ素子の
小型化及びコストダウンの妨げとなっているものであっ
た。
来の技術の場合、センサ素子５を形成するセラミック基
板１から効率よくセンサ素子５を形成しているとは言え
ず、センサ素子自体にも無駄なスペースがあった。従っ
て、セラミック基板１の使用効率が悪く、センサ素子の
小型化及びコストダウンの妨げとなっているものであっ
た。
【０００４】この発明は上記従来の技術の問題点に鑑み
て成されたもので、簡単な構成で、小型のセンサ素子を
効率よく形成することができる焦電センサ素子とその製
造方法及び焦電センサ装置を提供することを目的とす
る。
て成されたもので、簡単な構成で、小型のセンサ素子を
効率よく形成することができる焦電センサ素子とその製
造方法及び焦電センサ装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、焦電効果の
あるＰＺＴ等の長方形のセンサ基板表面に、長方形の短
辺側の両端部をわずかにあけて金属薄膜が形成され、こ
のセンサ基板の裏面には、上記表面側の金属薄膜と一部
が上記センサ基板を挟んで対面するように、基板中央部
で分かれて、長方形の短辺側の両端部に互いに独立した
電極が金属薄膜により形成されている焦電センサ素子で
ある。
あるＰＺＴ等の長方形のセンサ基板表面に、長方形の短
辺側の両端部をわずかにあけて金属薄膜が形成され、こ
のセンサ基板の裏面には、上記表面側の金属薄膜と一部
が上記センサ基板を挟んで対面するように、基板中央部
で分かれて、長方形の短辺側の両端部に互いに独立した
電極が金属薄膜により形成されている焦電センサ素子で
ある。
【０００６】またこの発明は、焦電効果のある基板表面
に所定間隔でストライプ状に金属薄膜を形成し、同様に
裏面にも所定間隔でストライプ状に金属薄膜を形成し、
上記表面の金属薄膜と裏面の金属薄膜とが互いに各スト
ライプ間の隙間に対面する位置に形成され、この基板
を、上記表面側の金属薄膜の間の部分でその金属薄膜と
平行に分割し裏面側の金属薄膜を各々２分割するように
分割するとともに、この金属薄膜の長手方向と直角方向
にも上記基板を分割し、分割後の状態で上記金属薄膜の
長手方向の辺が短辺となる長方形のセンサ素子を形成す
る焦電センサ素子の製造方法である。また、この発明
は、上記焦電センサ素子を、ケース体を構成する円板状
の金属製底板と、これを覆う円筒状の金属製キャップ内
に収容し、この金属製キャップには、上面中央部に受光
窓が形成され、この受光窓に赤外線入射フィルターが取
り付けられ、上記センサ素子は上記キャップ内で支柱に
より支持され、回路基板との間の電気的接続が図られて
いる焦電センサ装置である。
に所定間隔でストライプ状に金属薄膜を形成し、同様に
裏面にも所定間隔でストライプ状に金属薄膜を形成し、
上記表面の金属薄膜と裏面の金属薄膜とが互いに各スト
ライプ間の隙間に対面する位置に形成され、この基板
を、上記表面側の金属薄膜の間の部分でその金属薄膜と
平行に分割し裏面側の金属薄膜を各々２分割するように
分割するとともに、この金属薄膜の長手方向と直角方向
にも上記基板を分割し、分割後の状態で上記金属薄膜の
長手方向の辺が短辺となる長方形のセンサ素子を形成す
る焦電センサ素子の製造方法である。また、この発明
は、上記焦電センサ素子を、ケース体を構成する円板状
の金属製底板と、これを覆う円筒状の金属製キャップ内
に収容し、この金属製キャップには、上面中央部に受光
窓が形成され、この受光窓に赤外線入射フィルターが取
り付けられ、上記センサ素子は上記キャップ内で支柱に
より支持され、回路基板との間の電気的接続が図られて
いる焦電センサ装置である。
【０００７】
【作用】この発明の焦電センサ素子とその製造方法は、
一枚の基板から効率良く焦電センサ素子を多数分割して
取ることができ、センサ素子自体も小型化するものであ
る。
一枚の基板から効率良く焦電センサ素子を多数分割して
取ることができ、センサ素子自体も小型化するものであ
る。
【０００８】
【実施例】以下この発明の一実施例について図面に基づ
いて説明する。この実施例の焦電センサ素子５は、図
１、図２に示すように、ＰＺＴやＰＴ等の強誘電体セラ
ミックスのセンサ基板６の表面に、Ｎｉ、ＣｒやＡｇの
金属薄膜７が形成されている。この金属薄膜７は、図１
（Ａ）に示すように、長方形のセンサ基板６の短辺側の
両端部をあけて形成されている。また、このセンサ基板
６の裏面には、図１（Ｂ）に示すように、基板中央部を
あけて、長方形の短辺側の両端部に互いに独立した電極
となる金属薄膜８が形成されている。このセンサ基板６
は、長辺と短片の比率が約２：１である。
いて説明する。この実施例の焦電センサ素子５は、図
１、図２に示すように、ＰＺＴやＰＴ等の強誘電体セラ
ミックスのセンサ基板６の表面に、Ｎｉ、ＣｒやＡｇの
金属薄膜７が形成されている。この金属薄膜７は、図１
（Ａ）に示すように、長方形のセンサ基板６の短辺側の
両端部をあけて形成されている。また、このセンサ基板
６の裏面には、図１（Ｂ）に示すように、基板中央部を
あけて、長方形の短辺側の両端部に互いに独立した電極
となる金属薄膜８が形成されている。このセンサ基板６
は、長辺と短片の比率が約２：１である。
【０００９】この焦電センサ素子５の製造方法は、先
ず、センサ素子５を分割して多数得るためのセラミック
基板１を形成し、分極処理を施した後、このセラミック
基板１の表面側に、図３に示すマスク３０を置いて、金
属薄膜７を蒸着させる。同様に裏面にも、図４に示すマ
スク３２を用いて、電極材料である金属薄膜８を蒸着さ
せる。マスク３０，３２には、各々に金属薄膜７，８を
形成するための開口部３４，３６が形成され、また、位
置合わせ用の透孔３８も、各々に形成されている。これ
により、所定間隔でストライプ状に金属薄膜７，８が形
成される。この金属薄膜７，８は、表面の金属薄膜７と
裏面の金属薄膜８とが互いに各ストライプ間の隙間に対
面する位置に形成される。
ず、センサ素子５を分割して多数得るためのセラミック
基板１を形成し、分極処理を施した後、このセラミック
基板１の表面側に、図３に示すマスク３０を置いて、金
属薄膜７を蒸着させる。同様に裏面にも、図４に示すマ
スク３２を用いて、電極材料である金属薄膜８を蒸着さ
せる。マスク３０，３２には、各々に金属薄膜７，８を
形成するための開口部３４，３６が形成され、また、位
置合わせ用の透孔３８も、各々に形成されている。これ
により、所定間隔でストライプ状に金属薄膜７，８が形
成される。この金属薄膜７，８は、表面の金属薄膜７と
裏面の金属薄膜８とが互いに各ストライプ間の隙間に対
面する位置に形成される。
【００１０】この後、基板１を個々のセンサ素子５毎に
分割する。分割方法は、表面側の金属薄膜７の間の部分
でその金属薄膜７と平行に分割し、裏面側の金属薄膜８
を各々２分割するように分割する。さらに同時に、この
金属薄膜７の長手方向と直角方向にも基板１を分割し、
分割後のセンサ素子５は、図１に示すように、金属薄膜
７，８の長手方向の辺が、短辺となる長方形に形成され
る。
分割する。分割方法は、表面側の金属薄膜７の間の部分
でその金属薄膜７と平行に分割し、裏面側の金属薄膜８
を各々２分割するように分割する。さらに同時に、この
金属薄膜７の長手方向と直角方向にも基板１を分割し、
分割後のセンサ素子５は、図１に示すように、金属薄膜
７，８の長手方向の辺が、短辺となる長方形に形成され
る。
【００１１】この実施例の焦電センサ素子５は、図５、
図６に示すように、ケース体を構成する円板状の金属製
底板であるハーメチックベース１０と、これを覆う円筒
状のハーメチック用金属製キャップ１２内に収容され
る。キャップ１２には、上面中央部に受光窓１６が形成
され、この受光窓１６には、赤外線入射フィルター１７
が取り付けられている。
図６に示すように、ケース体を構成する円板状の金属製
底板であるハーメチックベース１０と、これを覆う円筒
状のハーメチック用金属製キャップ１２内に収容され
る。キャップ１２には、上面中央部に受光窓１６が形成
され、この受光窓１６には、赤外線入射フィルター１７
が取り付けられている。
【００１２】ハーメチックベース１０上には、図５、図
６に示すセラミック基板２０が載置され、このセラミッ
ク基板２０の表面に形成された回路パターン１８に、抵
抗体２１やＦＥＴ２２がハンダ付けされて取り付けられ
ている。さらに、セラミック基板２０上には、センサ素
子５を支持した一対の金属製の支柱２４の基端部がハン
ダにより固定され、回路パターン１８に接続している。
支柱２４は、例えば、銅の丸棒にハンダメッキしたもの
で、センサ素子５を２本の支柱２４により支持し、さら
に、センサ素子５とセラミック基板２０との間の電気的
接続も図っている。また、センサ素子５は、支柱２４の
先端部に載置されて、例えばエポキシ樹脂に銀等を混合
させた導電性接着剤２６により固定されている。
６に示すセラミック基板２０が載置され、このセラミッ
ク基板２０の表面に形成された回路パターン１８に、抵
抗体２１やＦＥＴ２２がハンダ付けされて取り付けられ
ている。さらに、セラミック基板２０上には、センサ素
子５を支持した一対の金属製の支柱２４の基端部がハン
ダにより固定され、回路パターン１８に接続している。
支柱２４は、例えば、銅の丸棒にハンダメッキしたもの
で、センサ素子５を２本の支柱２４により支持し、さら
に、センサ素子５とセラミック基板２０との間の電気的
接続も図っている。また、センサ素子５は、支柱２４の
先端部に載置されて、例えばエポキシ樹脂に銀等を混合
させた導電性接着剤２６により固定されている。
【００１３】ハーメチックベース１０とセラミック基板
２０の周縁部には、３本のリード端子２８が貫通してい
る。リード端子２８は、センサ素子５を支持した支柱２
４とは別体で、ハーメチックベース１０とセラミック基
板２０に貫通して、その先端部が、ハンダ３０によりセ
ラミック基板２０上の回路パターン１８に接続されると
ともにセラミック基板２０に固定されている。そして、
セラミック基板２０上の回路パターン１８を介して、セ
ラミック基板２０上のＦＥＴ２２等につながっている。
２０の周縁部には、３本のリード端子２８が貫通してい
る。リード端子２８は、センサ素子５を支持した支柱２
４とは別体で、ハーメチックベース１０とセラミック基
板２０に貫通して、その先端部が、ハンダ３０によりセ
ラミック基板２０上の回路パターン１８に接続されると
ともにセラミック基板２０に固定されている。そして、
セラミック基板２０上の回路パターン１８を介して、セ
ラミック基板２０上のＦＥＴ２２等につながっている。
【００１４】キャップ１２は、その周縁部がハーメチッ
クベース１０の周縁部に、抵抗溶接され、完全に内部が
密封される。そして、ケース体内部には、窒素ガスが充
填され、外部環境の変化による特性変動の影響が抑制さ
れる。
クベース１０の周縁部に、抵抗溶接され、完全に内部が
密封される。そして、ケース体内部には、窒素ガスが充
填され、外部環境の変化による特性変動の影響が抑制さ
れる。
【００１５】この実施例の焦電センサ素子の動作は、先
ず、センサ素子５の視野内に赤外線放射体がない場合、
センサ素子５からの出力信号は、ノイズのみであり、検
知信号は出力されない。一方、センサ素子５の視野内を
人等の赤外線放射体が通り過ぎた場合、センサ素子５か
らの出力信号は、人が入った時及び出たときで、各々プ
ラスマイナスに振れる。そして、ＦＥＴ２２により所定
のレベルにインピーダンス変換された検知信号が、リー
ド端子２８から出力される。
ず、センサ素子５の視野内に赤外線放射体がない場合、
センサ素子５からの出力信号は、ノイズのみであり、検
知信号は出力されない。一方、センサ素子５の視野内を
人等の赤外線放射体が通り過ぎた場合、センサ素子５か
らの出力信号は、人が入った時及び出たときで、各々プ
ラスマイナスに振れる。そして、ＦＥＴ２２により所定
のレベルにインピーダンス変換された検知信号が、リー
ド端子２８から出力される。
【００１６】この実施例の焦電センサ素子によれば、セ
ンサ素子５がセラミック基板１から効率よく分割されて
多数取ることができ、１枚のセラミック基板１から取る
ことができる焦電センサ素子５の数が大幅に増え、コス
トダウンに寄与するとともに、センサ装置の小型化にも
大きく寄与するものである。なお、センサ素子５の大き
さは適宜選択可能なものであり、電極である金属薄膜の
数、形状または幅も適宜設定可能である。
ンサ素子５がセラミック基板１から効率よく分割されて
多数取ることができ、１枚のセラミック基板１から取る
ことができる焦電センサ素子５の数が大幅に増え、コス
トダウンに寄与するとともに、センサ装置の小型化にも
大きく寄与するものである。なお、センサ素子５の大き
さは適宜選択可能なものであり、電極である金属薄膜の
数、形状または幅も適宜設定可能である。
【００１７】次にこの発明の焦電センサ素子の他の実施
例について図７に基づいて説明する。ここで上述の実施
例と同様の部材は同一の符号を付して説明を省略する。
この実施例では、焦電効果のある長方形のセンサ基板６
の表面の一部に、金属薄膜７が形成され、このセンサ基
板６の裏面にも、このセンサ基板６を挟んでこの金属薄
膜７と対面する位置に金属薄膜８による電極が形成され
ている。この金属薄膜７，８は少なくとも一部が、セン
サ基板６を挟んで表裏面で重なり合えば良いもので、そ
の大きさや数は適宜設定可能なものである。
例について図７に基づいて説明する。ここで上述の実施
例と同様の部材は同一の符号を付して説明を省略する。
この実施例では、焦電効果のある長方形のセンサ基板６
の表面の一部に、金属薄膜７が形成され、このセンサ基
板６の裏面にも、このセンサ基板６を挟んでこの金属薄
膜７と対面する位置に金属薄膜８による電極が形成され
ている。この金属薄膜７，８は少なくとも一部が、セン
サ基板６を挟んで表裏面で重なり合えば良いもので、そ
の大きさや数は適宜設定可能なものである。
【００１８】この実施例の焦電センサ素子の製造方法
は、焦電効果のある基板１の表面に所定間隔でストライ
プ状に金属薄膜７を形成し、同様に裏面にも所定間隔で
ストライプ状に金属薄膜８を形成する。このとき、表面
の金属薄膜７と裏面の金属薄膜８とが互いにその一部が
センサ基板６を挟んで対面するように形成する。そし
て、金属薄膜７，８のストライプの長手方向と平行な方
向に、この金属薄膜７，８を各々分割する。さらに、こ
の金属薄膜７，８の長手方向と直角方向にも基板１を分
割し、分割後の状態で金属薄膜７，８の長手方向の辺が
短辺となる長方形のセンサ素子５を形成する。
は、焦電効果のある基板１の表面に所定間隔でストライ
プ状に金属薄膜７を形成し、同様に裏面にも所定間隔で
ストライプ状に金属薄膜８を形成する。このとき、表面
の金属薄膜７と裏面の金属薄膜８とが互いにその一部が
センサ基板６を挟んで対面するように形成する。そし
て、金属薄膜７，８のストライプの長手方向と平行な方
向に、この金属薄膜７，８を各々分割する。さらに、こ
の金属薄膜７，８の長手方向と直角方向にも基板１を分
割し、分割後の状態で金属薄膜７，８の長手方向の辺が
短辺となる長方形のセンサ素子５を形成する。
【００１９】この実施例の焦電センサ素子によっても上
記実施例と同様の効果が得られ、さらに、デュアルタイ
プ以外の焦電センサ素子にも利用可能なものである。
記実施例と同様の効果が得られ、さらに、デュアルタイ
プ以外の焦電センサ素子にも利用可能なものである。
【００２０】
【発明の効果】この発明の焦電センサ素子は、簡単な構
成で、多数個取りの基板からセンサ素子を分割して多数
取ることができ、無駄がなくコストダウンに寄与すると
ともに、センサ装置の小型化も図ることができる。
成で、多数個取りの基板からセンサ素子を分割して多数
取ることができ、無駄がなくコストダウンに寄与すると
ともに、センサ装置の小型化も図ることができる。
【図１】この発明の一実施例の焦電センサ素子の表面
（Ａ）と裏面（Ｂ）を示す図である。
（Ａ）と裏面（Ｂ）を示す図である。
【図２】この実施例の焦電センサ素子を得るセラミック
基板の部分破断平面図である。
基板の部分破断平面図である。
【図３】この実施例の焦電センサ素子を得る表面側の蒸
着用のマスクの平面図である。
着用のマスクの平面図である。
【図４】この実施例の焦電センサ素子を得る裏面側の蒸
着用のマスクの平面図である。
着用のマスクの平面図である。
【図５】この実施例の焦電センサ素子を取りつけたセン
サ装置の斜視図である。
サ装置の斜視図である。
【図６】この実施例の焦電センサ装置の縦断面図であ
る。
る。
【図７】この発明の他の実施例の焦電センサ素子の平面
図である。
図である。
【図８】従来の焦電センサ素子の平面図である。
１ 基板 ５ センサ素子 ６ センサ基板 ７，８ 金属薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−187918（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−66828（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−147979（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−116430（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−88118（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−59428（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−141833（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−59428（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−116373（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01J 1/02 G01J 5/02
Claims (4)
- 【請求項１】 焦電効果のある長方形のセンサ基板表面
の長手方向両端部をあけて全面に金属薄膜が形成され、
このセンサ基板の裏面には、このセンサ基板の長手方向
中央部をあけて互いに離間した一対の金属薄膜による電
極が形成されてた焦電センサ素子。 - 【請求項２】 焦電効果のある長方形のセンサ基板の一
方の面に長手方向の一方の端部をあけて全面に金属薄膜
による一つの電極が形成され、他方の面には上記一方の
端部とは反対側の他方の端部をあけて金属薄膜による電
極が形成された焦電センサ素子。 - 【請求項３】 焦電効果のある個々のセンサ素子基板に
分割される大型の基板表面に所定間隔でストライプ状に
金属薄膜を形成し、同様に裏面にも所定間隔でストライ
プ状に金属薄膜を形成し、上記表面の金属薄膜と裏面の
金属薄膜とが互いにその一部が上記センサ基板を挟んで
対面し、この基板を、上記表面側の金属薄膜のストライ
プの間であって上記裏面の金属薄膜を長手方向に沿って
分割する位置で、各金属薄膜毎に長手方向に分割すると
ともに、この金属薄膜の長手方向と直角方向にも上記基
板を分割し、個々のセンサ素子基板に分割後の状態で、
上記大型の基板上での金属薄膜の長手方向の辺が、上記
センサ素子基板の短辺となるように分割する焦電センサ
素子の製造方法。 - 【請求項４】 焦電効果のある個々のセンサ素子基板に
分割される大型の基板表面に所定間隔でストライプ状に
金属薄膜を形成し、同様に裏面にも所定間隔でストライ
プ状に金属薄膜を形成し、上記表面の金属薄膜と裏面の
金属薄膜とが互いに各ストライプの長手方向に対して直
角方向にずれて対面して形成され、この大型の基板を、
上記表面側の金属薄膜とその隣の上記金属薄膜との間の
部分とを交互に長手方向に切断し、金属薄膜の長手方向
と直角方向にも上記基板を分割し、個々のセンサ素子基
板に分割後の状態で、上記大型の基板上での上記金属薄
膜の長手方向の辺が、上記センサ素子基板の短辺となる
ように分割する焦電センサ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24874294A JP2963348B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 焦電センサ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24874294A JP2963348B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 焦電センサ素子とその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31137896A Division JPH09166486A (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 焦電センサ素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0886692A JPH0886692A (ja) | 1996-04-02 |
| JP2963348B2 true JP2963348B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=17182694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24874294A Expired - Lifetime JP2963348B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 焦電センサ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2963348B2 (ja) |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP24874294A patent/JP2963348B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0886692A (ja) | 1996-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1481590A (en) | Multisubstrate interconnected printed circuit module | |
| KR840008226A (ko) | 여과 접속기 | |
| JP2963348B2 (ja) | 焦電センサ素子とその製造方法 | |
| EP0736911B1 (en) | Method of manufacturing an infrared detector | |
| EP0781982A1 (en) | Infrared detector | |
| US4475040A (en) | Pyroelectric infrared detector | |
| JPH09166486A (ja) | 焦電センサ素子とその製造方法 | |
| JPH10122955A (ja) | 焦電センサ素子とその製造方法 | |
| JP3125454B2 (ja) | ３端子型圧電共振子 | |
| US5420420A (en) | Infrared detector | |
| JP3201893B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH09238041A (ja) | 圧電素子板の接続端子構造及びその製造方法 | |
| JPH049560Y2 (ja) | ||
| JP3509070B2 (ja) | パッケージを用いた電子装置 | |
| JP3112328B2 (ja) | 厚膜チップ抵抗器 | |
| JPH02115825A (ja) | 表示パネル | |
| JPS62242405A (ja) | 複合電子部品 | |
| JP2676601B2 (ja) | 焦電型赤外線検出器 | |
| JPH06249710A (ja) | 赤外線検出器 | |
| KR100243357B1 (ko) | 적외선 센서 어레이 및 그 제조방법 | |
| JPH0583074A (ja) | 圧電チツプ部品及びその製造方法 | |
| JPH09145464A (ja) | 赤外線検出器 | |
| JPH11218443A (ja) | 焦電センサ | |
| JPH0579908A (ja) | 焦電素子 | |
| JPH0134340Y2 (ja) |