JP2943028B2 - pH測定電極及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 168
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 33
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 21
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 30
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 29
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 12
- 230000004044 response Effects 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 9
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 6
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 6
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- GTKRFUAGOKINCA-UHFFFAOYSA-M chlorosilver;silver Chemical compound [Ag].[Ag]Cl GTKRFUAGOKINCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229940075397 calomel Drugs 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical compound Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000002265 redox agent Substances 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
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Description
H測定電極及びその製造方法に関し、特に酸化イリジウ
ムとされる金属酸化物をpH測定電極の感応膜(pH感
応膜)として使用するpH測定電極及びその製造方法に
関する。
イオン選択性の感応膜を有するpH測定電極が使用さ
れ、その代表的なものにガラスをpH感応膜とするガラ
ス電極がある。また、最近ではISFET電極も一定の
範囲で使用されており、さらに、高温溶液等の特殊な溶
液や特殊な用途においては、白金等の金属や酸化チタン
等の金属酸化物をpH感応膜とするpH測定電極が使用
されている。
記のpH測定電極を作用電極とし、この作用電極を甘汞
電極や銀−塩化銀電極等の比較電極と共に測定すべき溶
液(被測定溶液)に浸漬し、両電極間の電位差から被測
定溶液のpH値が求められる。
精度が高いので種々の溶液のpHの測定に大いに利用さ
れている。しかしながら、ガラス電極は壊れ易いために
取扱いが面倒であり、また、耐薬品性に劣るために使用
できる溶液に制限がある。さらに、pHメータその他の
pH測定装置に対する小型化の要望が高まる中で、膜抵
抗値が高いために製造技術的にガラス電極を微小化する
ことが困難であるという問題があった。
きるpH測定電極が種々検討されており、上述の金属や
金属酸化物をpH感応膜として用いたpH測定電極、或
はISFET電極が提案されている。
金属酸化物をpH感応膜とする上記従来のpH測定電極
はその感応膜の種類に応じて測定可能なpH範囲が極め
て狭く限定される上、短期間で安定した測定ができない
等の欠点があった。例えば、酸化剤、還元剤といった共
存物質があると、大きな電位のドリフトを生じて正確な
pH測定ができなかった。また、ISFET電極にはド
リフトが大きい、光の影響を受ける、特殊な増幅回路を
必要とする等の欠点があった。
した結果、pH測定電極のpH感応膜として酸化イリジ
ウムを使用すると有効であることを確認した。この酸化
イリジウムの感応膜を形成するのに、スパッタリング
法、イオンビーム蒸着法、イオンプレーティング法、C
VD法などの公知の薄膜製造技術を用いた。
の影響を受けることなくガラス電極と同等の正確なpH
の測定が行なえる酸化イリジウムとされる金属酸化物を
pH感応膜とするpH測定電極を提供することである。
に、かつ任意の形状に形成することができ、しかも作業
性の良い酸化イリジウムとされる金属酸化物をpH感応
膜とするpH測定電極の製造方法を提供することであ
る。
品性に優れ、測定可能なpH範囲が広く、かつ長期間安
定した測定が可能な酸化イリジウムとされる金属酸化物
をpH感応膜とするpH測定電極の製造方法を提供する
ことである。
pH測定電極及びその製造方法によって達成される。要
約すれば、本発明のpH測定電極は、感応膜支持体上
に、イリジウムに対する酸素の比が2.5〜3.5であ
る酸化イリジウムからなるpH感応膜を形成したpH測
定電極において、前記pH感応膜の少なくともpH被測
定溶液と接触する接液部分の全面に孔径が3Å以上、1
5Å以下である多孔質の絶縁膜を被着したことを特徴と
するpH測定電極である。一実施態様によると、前記多
孔質の絶縁膜を2〜4層に積層、被着し、かつ各層に異
なる材料を用いる。好ましくは、前記2〜4層に積層さ
れた多孔質の絶縁膜の孔径が上層程大きくなっている。
表面にスパッタリング、CVDなどの真空薄膜製造技術
を使用してイリジウムに対する酸素の比が2.5〜3.
5である酸化イリジウムのpH感応膜を形成する段階
と、前記pH感応膜の少なくともpH被測定溶液と接触
する接液部分の全面にスパッタリング、CVDなどの真
空薄膜製造技術又はディップコーティング法を使用して
孔径が3Å以上、15Å以下である多孔質の絶縁膜を被
着する段階と、を有することを特徴とするpH測定電極
の製造方法にて好適に製造される。好ましくは、前記多
孔質絶縁膜は、アルミナ、五酸化タンタル或いは二酸化
ケイ素、又はフッ素樹脂である。
支持体は、絶縁性物質で作製される。
膜支持体は、導電性物質で作製され、前記導電性感応膜
支持体の表面を薄い絶縁膜で被覆し、この絶縁膜の一部
分を除去した部分に前記pH感応膜を形成する。又、本
発明の更に他の実施態様によると、前記感応膜支持体
は、導電性物質で作製され、前記導電性感応膜支持体の
表面の一部分に前記pH感応膜を形成し、前記導電性感
応膜支持体の残部を絶縁膜で被覆し、その後、前記pH
感応膜の少なくともpH被測定溶液と接触する接液部分
の全面に多孔質の絶縁膜を被着する。
照して詳細に説明する。
電極感応部を説明するための概略断面図であり、導電性
支持体1の表面に、予め薄い絶縁膜2を自然酸化や陽極
酸化又は蒸着などの通常の薄膜製造技術により形成して
おき、酸化イリジウムのpH感応膜3を形成する際に、
予め絶縁膜2の一部分を除去し、この絶縁膜2の除去さ
れた部分に酸化イリジウムのpH感応膜3を形成し、p
H感応膜3の形成と同時にこの感応膜3が下側の導電性
支持体1と電気的に接続されるようにしたものである。
絶縁膜2の除去は各種の機械的又は化学的手段により行
なうことができるが、特に酸化イリジウムのpH感応膜
3の形成にスパッタリング又はイオンビーム蒸着などの
イオンプロセスを使用すれば、高速で衝突する原子によ
り絶縁膜2の一部分を除去することができるので、絶縁
膜2の除去及びpH感応膜3の形成が簡単で、かつ微細
な加工が可能である。
H測定電極を示す概略断面図であり、導電性支持体1の
酸化イリジウムpH感応膜3が形成された側とは反対側
の端部の絶縁膜2を一部除去し、リード線4を接続した
後、このリード線4を接続した端部の導電性支持体1と
リード線4をPVCからなる支持管5で柱状に固めてp
H測定電極としたものである。
体1の所定個所に酸化イリジウムのpH感応膜3が電気
的に接続された状態で形成され、酸化イリジウムのpH
感応膜3を形成した部分以外の導電性支持体1の表面は
絶縁膜2で被覆された構造になっているから、電位差検
出部へのリード線4は導電性支持体1から取り出すこと
ができる。
膜は、pH約0〜14の範囲で良好な直線的応答が得ら
れ、しかも応答が高速であって長期間にわたり安定であ
ることが判明した。従って、白金等の金属及び酸化チタ
ン等の金属酸化物のpH感応膜を用いた従来のpH測定
電極及びISFET電極に比べて、測定可能なpH範囲
が遥かに広く、安定な期間も長い。また、通常のガラス
電極と比較しても、酸化イリジウムを用いるのでガラス
と比べて遥かに堅牢で壊れにくく、かつ耐薬品性に優れ
ているため被測定溶液に対する制限が殆どない等の利点
がある。
態)と水素イオンとは、次の式(1)に示す平衡状態を
保ち、このときの平衡電位は式(2)で表わされる。 2IrO2+2H++2e−=Ir2O3+H2O (1) E(mV)=681−59.1pH (25℃において) (2) 即ち、非対称電位はガラス電極と違うが、pH当りの起
電力はネルンストの式で示され、25℃で1pH当り5
9.15mVである。
るOの比が2.5〜3.5の範囲をはずれると、良好な
応答性が得られず、安定性も低下する。例えば、表1は
作用電極として本発明の電極を、また、比較電極として
銀−塩化銀電極を使用し、両電極をpH6.86の標準
液に浸漬したまま両電極間の電位差を定期的に測定した
ときの、酸化イリジウムのIrに対するOの比を変化さ
せた電極毎に得られた電位差と浸漬時間との関係を示し
ている。Ir:Oの比が1:2及び1:4の場合には電
位差の変動が極めて大きいのに対して、その比が1:
(2.5〜3.5)の場合には長期間にわたって安定し
た電位差が得られることが分る。
れた。即ち、直径0.5mmで長さ2cmのタンタルワ
イヤからなる導電性支持体1の全表面に、自然酸化によ
り厚さ70Åの五酸化タンタルの絶縁膜2を形成させ
た。この絶縁膜2で覆われた導電性支持体1の一端に
0.2mm×3mmの感応膜形成部を残して、残りの部
分をマスキングし、スパッタリング装置の成膜室に入れ
て、酸化性雰囲気下でIrターゲットを電圧0.8KV
にて100分間スパッタリングした。導電性支持体1の
露出した感応膜形成部は表面の絶縁膜2がほぼ完全に除
去され、導電性支持体1に接してIr:Oが1:(2.
5〜3.5)の酸化イリジウムのpH感応膜3が厚さ1
000Åに形成された。導電性支持体1の他端側の絶縁
膜2を一部除去し、リード線4を接続した後、酸化イリ
ジウムのpH感応膜3を含む一端側を除き、導電性支持
体1とリード線4をPVCからなる支持管5で柱状に固
めてpH測定電極を得た。
常の甘求電極を比較電極としてpH応答性を調べたとこ
ろ、pH約0〜14の範囲において良好な直線的応答が
1pH当り59.9mVの勾配をもって得られた。ま
た、pH1.68とpH12.00の標準液について交
互に電位差を測定した結果、表2に示すように良好な再
現性が得られた。
2が形成されていない導電性支持体1の表面の所定部分
に酸化イリジウムのpH感応膜3を形成した後で、導電
性支持体1の表面の残部に、自然酸化や陽極酸化又は蒸
着などの通常の薄膜製造技術により絶縁膜2を形成して
もよいことは言うまでもない。
電極感応部の他の例を説明する概略断面図であり、絶縁
膜が形成されていない白金円板11に白金のリード線1
4を接続し、このリード線14をガラス管15の端面に
形成されたリード線挿通孔に挿通して白金円板11のリ
ード線14が接続された面をガラス管15の端面に接触
させ、加熱して白金円板11をガラス管15の端面に融
着させる。このときリード線挿通孔は閉塞され、リード
線14はガラス管端面に封止される。この白金円板11
の表面(リード線14が接続されていない面)の一部分
に酸化イリジウムのpH感応膜13を形成した後で、白
金円板11の表面の残部に、自然酸化や陽極酸化又は蒸
着などの通常の薄膜製造技術により絶縁膜12を形成し
たものである。従って、本実施例でもpH感応膜13の
形成と同時にこの感応膜13が下側の白金円板11と電
気的に接続される。
H測定電極を示す概略断面図であり、次のようにして製
造された。即ち、直径2mm、厚さ0.2mmの白金円
板11のリード線14が接続された面を上述したように
してガラス管15の端面に封じ、酸洗浄により十分に表
面の酸化被膜を除去した後、この白金円板11の表面の
中心部に直径1mmの円形の感応膜形成部を残して、残
りの部分をマスキングし、スパッタリング装置の成膜室
に入れて、酸化性雰囲気下でIrターゲットを電圧0.
8KVにて100分間スパッタリングした。次に、成膜
された酸化イリジウムのpH感応膜13をマスキング
し、アルカリ性の溶液中に24時間浸漬して酸化イリジ
ウムのpH感応膜13部分を除く白金円板11の全露出
面に酸化膜12を形成した。即ち、酸化イリジウムのp
H感応膜13を除く白金円板11の全露出面を酸化膜
(絶縁膜)12で被覆した。なお、16はガラス管15
の開口部を閉鎖するキャップである。
常の甘末電極を比較電極としてpH応答性を調べたとこ
ろ、pH約0〜14の範囲において良好な直線的応答が
1pH当り59.9mVの勾配をもって得られた。
pH測定電極と同様に、白金円板11の全露出面を絶縁
膜12で被覆した後、所定部分の絶縁膜を除去して酸化
イリジウムのpH感応膜13を成膜しても良いことは勿
論である。
て説明したpH測定電極と同様の構成とされるが、電極
感応部表面に多孔質絶縁膜が形成される。次に、本発明
のpH測定電極について説明する。
面図、図6は図5の電極感応部を拡大して示す概略断面
図である。本実施例のpH測定電極は、所定の形状及び
寸法の感応膜支持体21と、この支持体21の1つの面
に、例えばスパッタリングによって成膜された金属酸化
物膜22と、この金属酸化物膜22の全面に、例えば同
様にスパッタリングによって被着された多孔質の絶縁膜
23とからなる電極感応部24を、円筒状の支持管25
の底面に形成された透孔に液密状態に装着したものであ
る。pH感応膜となる金属酸化物膜22は、本実施例で
は、そのほぼ半分がpH被測定溶液(被検液)と接触す
る支持管25の外側に位置付けされ、支持管25の内部
に位置付けされた金属酸化物膜22の上端部には電極導
出線26が電気的に接続され、この導出線26はpH被
測定溶液と接触しないように管内を通り、支持管25の
上端開口を閉鎖するキャップ27を貫通して図示しない
測定回路の入力ジャックに接続される。
の支持体として機能するもので、本実施例では5×5m
m、厚さ0.5mmのサファイヤよりなる絶縁物の板状
体28が使用されているが、サファイヤ以外の他の絶縁
物、例えば、ガラス、セラミックスなどの無機材料やポ
リ塩化ビニル(PVC)、フッ素樹脂などのプラスチッ
ク材料を使用してもよい。また、支持体21の形状や寸
法も任意に選択できるものであり、例えば、棒状体、円
筒及び角筒状体等の種々の形状の支持体が使用できる。
記酸化イリジウムとされる金属酸化物が使用され、スパ
ッタリング、CVDなどの真空薄膜製造技術によって支
持体21上に成膜される。本実施例では上記サファイヤ
の支持体21上に4×4mm、厚さ1000Åの酸化イ
リジウム膜をスパッタリングにより成膜した。
は、例えば、アルミナ(Al2O3)、五酸化タンタル
(Ta2O5)、二酸化ケイ素(SiO2)などの無機
系の絶縁物質やフッ素樹脂などのプラスチック材料が使
用でき、スパッタリング、CVDなどの真空薄膜製造技
術、或は金属アルコキシドを原料としたディップコーテ
ィング法などによって成膜される。この多孔質の絶縁膜
23は妨害物質の除去とpH感応膜を保護する働きを
し、その孔径により水素イオンのみを通し、その他のイ
オンを通さないことにより妨害を防ぐ役割を果すと考え
られる。
ンの直径(水和状態)2.8Åより孔径が大きい必要が
ある。一方、絶縁膜の孔径は大き過ぎると酸化剤、還元
剤の影響を受けるため、適当な大きさが必要である。現
在知られている影響を与える酸化剤、還元剤の中で最も
小さいイオン半径は8Å(直径16Å)であるため、1
5Å以下の孔径にすれば水素イオンのみを通し、その他
のイオンを通さない絶縁膜となる。絶縁膜の孔径は成膜
条件を種々に変えることにより見出すことができる。
グによって金属酸化物膜22の全面に被着し、水素イオ
ンは通すが他の大きなイオンや化合物は通さない多数個
の孔を有する多孔質の絶縁膜23を形成した。なお、こ
の絶縁膜23は成膜条件によって多孔性膜にも無孔性膜
にもなるが、本発明では絶縁膜23を成膜する際に、水
素イオンは通すが他の大きなイオンや化合物は通さない
多数個の孔が形成されるように成膜条件を制御してい
る。勿論、他のイオンを通すように絶縁膜23の成膜条
件を制御すれば、イオン測定用電極として使用すること
も可能である。また、上記実施例では絶縁膜23を金属
酸化物膜22の全面に被着したが、支持管25内に位置
する金属酸化物膜部分はpH感応膜として機能しないの
で、絶縁膜23は金属酸化物膜22のpH被測定溶液と
接触する部分、即ち、金属酸化物膜22の接液部分のみ
に被着するだけで十分である。また、絶縁膜23を2〜
4層の多層に積層し、各層の材料を異ならせると、上層
の保護膜が下層の保護膜の保護にもなり、耐摩耗性及び
耐薬品性が一段と向上するので、感応膜の保護膜として
の機能が著しく向上し、好ましい。なお、多層に積層す
る場合には、上層程孔径を大きくする。
して円筒状のガラス管を使用したが、支持管の形状及び
材質は任意に変更できるものであり、要するに電極導出
線が収容できる空間がある支持体であればよい。また、
フッ化水素酸系の溶液のpHを測定する場合には、フッ
化水素酸に腐食されない材質の支持管を使用することは
言うまでもない。
面図である。本実施例は、金属酸化物膜22を支持する
支持体21として、上記第1の実施例のように絶縁物よ
りなる支持体を使用せずに、金属板29の全面に絶縁物
質30を被着したものを使用し、電極導出線26を金属
板29に接続したものである。他の構成は上記第1の実
施例と同様であるので、対応する部分に同一符号を付し
てその説明を省略する。なお、図7では金属酸化物膜2
2と金属板29との間に絶縁物質30が存在しないが、
金属板29には初めにその全面に絶縁物質30が被着さ
れており、金属酸化物膜22を、例えばスパッタリング
被着することによってその間にある絶縁物質が除去さ
れ、金属酸化物膜22は金属板29と電気的に強固に接
続される。従って、金属酸化物膜22を形成する部分の
絶縁物質を予め金属板29から除去しておく必要はな
い。本実施例では電極導出線26が金属板29に接続で
きるので、接続が強固になるとともに接続作業が容易に
なる等の利点がある。
タル、白金、チタン、イリジウムなど導電性を有するも
のであればどんな金属でも良い。また、金属板29の全
面に被着される絶縁物質30としては、アルミナ(Al
2O3)、五酸化タンタル(Ta2O5)、二酸化ケイ
素(SiO2)、窒化ケイ素(Si3N4)などの絶縁
性の酸化物、窒化物とフッ素樹脂などのプラスチック材
料が使用できる。絶縁物質30は自然酸化膜を利用して
も良いし、スパッタリング、CVDなどの真空薄膜製造
技術、加熱酸化、金属アルコキシドを材料としたディッ
プコーティング法などの製造方法を使用して形成しても
良い。本実施例では金属板29にタンタルを使用し、こ
のタンタル板の全面に自然酸化により形成された五酸化
タンタルを絶縁物質30として使用した。また、金属酸
化物膜22は酸化イリジウムをスパッタリングにより被
着し、多孔質の絶縁膜23は五酸化タンタルをスパッタ
リングにより被着して形成した。
変形例である本発明の第3の実施例を示す概略断面図で
あり、図7に示す電極感応部24を円筒状支持管25の
底面に取り付けたものである。この場合には、支持管2
5の底面には電極導出線26のみが貫通する透孔を設け
るだけで良い。他の構成は図7のものと同様であるの
で、対応する部分に同一符号を付してその説明を省略す
る。
の金属板29に接続できる場合には、電極感応部24の
一部を支持管25内に収納する必要がないので、電極感
応部24の取り付け作業が非常に容易になるという利点
がある。
電極において、金属板29として厚さ0.5mm、直径
4mmのタンタルの円板を使用し、このタンタル円板の
全面に自然酸化により形成された五酸化タンタルの被膜
を絶縁物質30とし、この絶縁被膜を有するタンタル円
板上にマスキング材を用いて直径3mmの酸化イリジウ
ム膜をスパッタリングにより被着し、厚さ約1000Å
のpH感応膜を形成した。その後、マスキング材を取り
除き、酸化イリジウム膜の全面に厚さ約500Åの五酸
化タンタルの多孔質の絶縁膜23をスパッタリングによ
り形成して電極感応部24を構成し、図8に示すように
円筒状のガラスの支持管25の底面に固着した。
て、酸化還元剤の代表例としてアスコルビン酸溶液を使
用し、孔径が10Åの多孔質の絶縁膜23の効果を調べ
た。試験は本発明のpH測定電極の外に、比較のために
ガラス電極と、孔径が20Å以上の絶縁膜を被着した酸
化イリジウムをpH感応膜とするpH測定電極、及び多
孔質の絶縁膜を被着していない、即ち、酸化イリジウム
のpH感応膜が露出しているpH測定電極とを使用して
行ない、これら4つの電極をpH6.86とpH4.0
1のpH標準液で2点校正後、アスコルビン酸溶液の電
位差をそれぞれ測定し、これをpHに換算して評価し
た。アスコルビン酸の濃度が1×10−2mol/lの
とき、酸化イリジウムpH感応膜の露出したpH測定電
極及び絶縁膜の孔径が20Åの酸化イリジウムpH感応
膜のpH測定電極ではpH6.86とpH4.01に対
して1秒足らずで応答して58.6mV/pHの勾配で
あったが、アスコルビン酸溶液に対しては電位は安定せ
ず、一方向へドリフトし、30分経過しても安定値は得
られなかった。これに対して、孔径が10Åの多孔質膜
を有する本発明のpH測定電極及びガラス電極では、p
H標準溶液はもとより、アスコルビン酸溶液に対しても
すぐに安定値が得られ、しかも、10分経過後も電位は
一定であった。試験結果を次の表3に示す。なお、電位
差の測定に際して、比較電極として飽和KCl−銀・塩
化銀電極を使用した。
膜23を被着した本発明のpH測定電極はガラス電極と
比較して0.01pHの違いしかなく、殆どアスコルビ
ン酸の影響を受けることなく測定できることが分った。
即ち、共存物質の影響を受けることなくガラス電極と同
等の正確な測定ができることが分った。
実施例を示す概略断面図である。本実施例では、電極感
応部24として図5の第1の実施例と同様の構成のもの
を使用するが、電極導出線26は金属酸化物膜22に接
続せず、代りに支持管25内に既知のpHの溶液を入
れ、この溶液中に通常の構成の内部電極31を浸し、こ
の内部電極31より電極導出線26を引き出し、電極感
応部24で検出した電位を内部電極31を通じて取り出
すように構成したものである。
位を取り出した場合には、内部電極を使用する比較電極
とのバランスが良好に取れるので、測定精度がさらに向
上するという利点がある。なお、本実施例において、電
極感応部24として図7に示す第2の実施例と同様の構
成のものを使用しても同様の効果が得られることは勿論
であり、また、内部電極31として図5、図7、或は図
8に示す電極感応部24と同様構成の電極を使用しても
良い。この場合、電極導出線26は支持管25内の溶液
と接触しないようにして外部に導出することは言うまで
もない。また、内部電極として使用する場合には、金属
酸化物膜22を覆う多孔質の絶縁膜23は必ずしも必要
ではない。
する材料、金属酸化物膜や多孔質絶縁膜を成膜する方法
等は実施例のものに限定されるものではない。
或いは絶縁性とされる感応膜支持体上に、イリジウムに
対する酸素の比が2.5〜3.5である酸化イリジウム
からなるpH感応膜を成膜するようにしたので、pH感
応膜の大きさを微細にすることができ、従って、pH測
定電極全体を微小化し、かつ簡単な構造にすることがで
き、pHメータの小型化の要望に対応できると同時に、
微小電極を必要とする特殊分野でのpH測定が可能にな
る。
対する酸素の比が2.5〜3.5である酸化イリジウム
からなるpH感応膜を用いたpH測定電極は、堅牢であ
ると同時に耐薬品性に優れ、測定可能なpH範囲が約0
〜14と広く、応答特性が約1秒と高速であり、しかも
長期間安定した応答が得られる。
なるpH感応膜の少なくとも被検液と接触する接液部分
の全面を孔径が3Å以上、15Å以下である多孔質の絶
縁膜で覆うことにより、共存物質の影響を受けないかつ
ガラス電極と同等の測定精度を有する金属酸化物をpH
感応膜とするpH測定電極を提供できるから、ガラス電
極を使用している分野は勿論のこと、ガラス電極を使用
することができない分野、例えば、フッ化水素酸系の溶
液のpHの測定等においても使用することができる。ま
た、pH感応膜が多孔質の絶縁膜で覆われているので、
この絶縁膜が保護膜として機能する効果もあり、例えば
キムワイプ(商品名)で電極の表面を手荒くこすってみ
たが、pH感応膜の特性には影響を与えなかった。さら
に、本発明によるイリジウムに対する酸素の比が2.5
〜3.5である酸化イリジウムからなるpH感応膜とす
るpH測定電極は、ガラス電極と比較して、長期間空気
中に保存した後でも高速応答する、膜抵抗(内部抵抗)
が数KΩ程度(5〜10KΩ)と低いので、ノイズによ
る影響がない、飽和KCl中に保存した後でも高速応答
する、機械的強度があり、割れたりしない、微小化する
ことができる(例えば、針状の電極設計も可能であ
る)、製造に熟練した技術を必要としない、アルカリ誤
差がない、pH測定範囲はpH0〜14とガラス電極と
同等である、使用温度範囲は0〜100℃とガラス電極
と同等である等の特徴を有するので、これらの特徴を生
かした新しい分野への進出が期待できる等の顕著な効果
がある。
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
す概略断面図である。
て示す概略断面図である。
す概略断面図である。
る本発明の第3の実施例を示す概略断面図である。
す概略断面図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 感応膜支持体上に、イリジウムに対する
酸素の比が2.5〜3.5である酸化イリジウムからな
るpH感応膜を形成したpH測定電極において、前記p
H感応膜の少なくともpH被測定溶液と接触する接液部
分の全面に孔径が3Å以上、15Å以下である多孔質の
絶縁膜を被着したことを特徴とするpH測定電極。 - 【請求項2】 前記多孔質の絶縁膜を2〜4層に積層、
被着し、かつ各層に異なる材料を用いたことを特徴とす
る請求項1のpH測定電極。 - 【請求項3】 前記2〜4層に積層された多孔質の絶縁
膜の孔径が上層程大きくなっていることを特徴とする請
求項2のpH測定電極。 - 【請求項4】 感応膜支持体の表面にスパッタリング、
CVDなどの真空薄膜製造技術を使用してイリジウムに
対する酸素の比が2.5〜3.5である酸化イリジウム
のpH感応膜を形成する段階と、前記pH感応膜の少な
くともpH被測定溶液と接触する接液部分の全面にスパ
ッタリング、CVDなどの真空薄膜製造技術又はディッ
プコーティング法を使用して孔径が3Å以上、15Å以
下である多孔質の絶縁膜を被着する段階と、を有するこ
とを特徴とするpH測定電極の製造方法。 - 【請求項5】 前記多孔質絶縁膜は、アルミナ、五酸化
タンタル或いは二酸化ケイ素、又はフッ素樹脂であるこ
とを特徴とする請求項4のpH測定電極の製造方法。 - 【請求項6】 前記感応膜支持体は、絶縁性物質で作製
されることを特徴とする請求項4又は5のpH測定電極
の製造方法。 - 【請求項7】 前記感応膜支持体は、導電性物質で作製
され、前記導電性感応膜支持体の表面を薄い絶縁膜で被
覆し、この絶縁膜の一部分を除去した部分に前記pH感
応膜を形成することを特徴とする請求項4又は5のpH
測定電極の製造方法。 - 【請求項8】 前記感応膜支持体は、導電性物質で作製
され、前記導電性感応膜支持体の表面の一部分に前記p
H感応膜を形成し、前記導電性感応膜支持体の残部を絶
縁膜で被覆し、その後、前記pH感応膜の少なくともp
H被測定溶液と接触する接液部分の全面に多孔質の絶縁
膜を被着することを特徴とする請求項4又は5のpH測
定電極の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3214523A JP2943028B2 (ja) | 1990-08-22 | 1991-07-30 | pH測定電極及びその製造方法 |
US07/747,885 US5320735A (en) | 1990-08-22 | 1991-08-19 | Electrode for measuring pH |
DE69123896T DE69123896T2 (de) | 1990-08-22 | 1991-08-20 | pH-Messelektrode und Verfahren zur Herstellung derselben |
EP91307647A EP0472398B1 (en) | 1990-08-22 | 1991-08-20 | Electrode for measuring pH and method for manufacturing the same |
US08/255,627 US5480534A (en) | 1990-08-22 | 1994-06-09 | Electrode for measuring PH |
US08/463,438 US5573798A (en) | 1990-08-22 | 1995-06-05 | Method of manufacturing an electrode for measuring pH |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-220733 | 1990-08-22 | ||
JP22073390 | 1990-08-22 | ||
JP3214523A JP2943028B2 (ja) | 1990-08-22 | 1991-07-30 | pH測定電極及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH055717A JPH055717A (ja) | 1993-01-14 |
JP2943028B2 true JP2943028B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=26520365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3214523A Expired - Fee Related JP2943028B2 (ja) | 1990-08-22 | 1991-07-30 | pH測定電極及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2943028B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100397927B1 (ko) * | 2001-08-11 | 2003-09-13 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 마이크로 피에이치측정센서의 액간 접촉 전위막 형성방법 |
JP4819769B2 (ja) * | 2007-09-06 | 2011-11-24 | 東亜ディーケーケー株式会社 | 酸化還元電位測定用指示電極及び酸化還元電位測定用複合電極 |
JP6054749B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2016-12-27 | 国立大学法人三重大学 | イオン選択性電極 |
JP6004477B2 (ja) * | 2012-06-14 | 2016-10-12 | 一般財団法人電力中央研究所 | 一体型参照電極の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59211854A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-30 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 金属酸化物電極 |
JPH06100575B2 (ja) * | 1984-07-24 | 1994-12-12 | 株式会社日立製作所 | 電気化学センサを用いた検査装置 |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP3214523A patent/JP2943028B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH055717A (ja) | 1993-01-14 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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