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JP2928223B2 - 集積回路チップのサーキットリーへの結合方法 - Google Patents

集積回路チップのサーキットリーへの結合方法

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JP2928223B2
JP2928223B2 JP10058033A JP5803398A JP2928223B2 JP 2928223 B2 JP2928223 B2 JP 2928223B2 JP 10058033 A JP10058033 A JP 10058033A JP 5803398 A JP5803398 A JP 5803398A JP 2928223 B2 JP2928223 B2 JP 2928223B2
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JP
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group
paste
adhesive
integrated circuit
coating
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JP10058033A
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オー チョイ イン
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Occidental Chemical Corp
Original Assignee
Occidental Chemical Corp
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Publication date
Application filed by Occidental Chemical Corp filed Critical Occidental Chemical Corp
Publication of JPH10284518A publication Critical patent/JPH10284518A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着剤を使用し
て、集積回路（ＩＣ）チップを、サーキットリーに結合
する方法に関し、特に、基体の剥離性表面上に液体接着
剤で被膜を形成し、被膜に非粘着性を付与し、被膜をサ
ーキットリーに結合し、被膜から基体を除去してＩＣチ
ップを被膜に結合する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ミクロ電子光学部品の製造では、シリコ
ンウエファーは、多数の集積回路チップを含んで造られ
る。ウエファーは切断され、個々のチップは、ワイヤー
をチップに取り付ける事の出来るリードフレームに結合
される。或いは、一群のチップを、リードフレームの適
合群に結合する事も出来る。エポキシ成形後、アセンブ
リーは、チップとリードフレームの個々のパッケージに
切断される。チップをリードフレームに結合するのに使
用される接着剤は、ウエファー上のチップ又はリードフ
レームに適用出来るが、接着剤は、最初に、基体の剥離
性表面に適用し、次いで、チップ又はその基体からのウ
エファーに適用する事が出来る（米国特許第４，７９
３，８８３号明細書参照）。この方法は、接着剤が販売
されており、然も、使用直前まで、剥離性基体上に非粘
着被膜として用意して置く事が出来るので、便利であ
る。
【０００３】剥離性基体から、ウエファー又はチップへ
の接着剤被膜の適用は、ウエファー或いはチップの損傷
をもたらすかも知れない。損傷は、取扱方或いは、結合
に必要な温度及び圧力によるものである。又、殆どの接
着剤とチップは、熱膨張係数、接着剤とチップ又は接着
剤とウエファーの一緒の冷却に、異なる係数を有するの
で、チップ或いはウエファーを反らす原因となる。反り
は、チップの取扱又はウエファーの切断を困難にし、反
りの原因となる応力が、チップの半導体特性に影響を及
ぼすかも知れない。チップ及びウエファーは、ＩＣパッ
ケージの最も高価な部品である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、チップ及び
ウエファーの損傷が、被膜を、剥離性基体から、チップ
及びウエファーの代りに、サーキットリー、例えばリー
ドフレームに移転する事によって著しく減少する事を見
出した。リードフレームは遙に安いばかりでなく、それ
らは丈夫で、損傷が少ない。熱膨張係数の違いによる応
力は、リードフレームを反らす程には大きくはなく、チ
ップの半導体特性に影響を及ぼすものではない。
【０００５】
【発明の実施の態様】半導体チップをサーキットリーに
結合するのに適した接着剤組成物であれば、本発明方法
に使用する事が出来る。それらの接着剤は、熱可塑性又
は熱硬化性のいずれであっても良い。接着剤は、液体樹
脂、例えば、エポキシ又は固体樹脂、例えば、ポリアミ
ド酸のいずれかの液体であり、溶媒に溶解又は部分的に
溶解する。使用出来る特定の樹脂の例としては、エポキ
シ、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミド酸、ポリアミ
ド−イミド、アクリルポリマー及び部分的にイミド化又
はエステルブロック化されたポリアミド酸又はポリアミ
ド−イミドが挙げられる。例えば、冷却用放熱子として
使用する導電性接着剤は、樹脂と、約５０〜９５重量％
の微粉砕金属、例えば、銀、アルミニウム又は銅とを混
合する事によって調製出来る。特に好ましいのは、エポ
キシ、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミド酸、ポリア
ミド−イミド、ポリアミド酸又はポリアミド−イミド及
び、微粉砕金属、酸化金属又はシリカと混合したそれら
の樹脂である。使用出来る溶媒の例としては、Ｎ−メチ
ルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭ
ＡＣ）及びジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）が挙げられ
る。
【０００６】スクリーン又はステンシル印刷可能な組成
物は、その型の組成物を使用してパターンを形成するの
が容易であるので好ましい。米国特許第５，５５４，６
８４号明細書（参照として、ここに導入される）は、特
に好ましいとされるスクリーン印刷接着剤を開示する。
その組成は、有機溶媒中のポリアミド酸溶液であり、ア
ミド酸基の約１０〜約９０％がイミド化されており、溶
液は約２０〜６０重量％の固形分含有量を有する。スク
リーン印刷に適したペーストは、この溶液を、約０．１
〜約１０重量％（ペーストの重量を基準にして）のチキ
ソトロピック剤、例えばフュームドシリカと混合する事
によって形成される。ポリアミド酸は、ジアミンと二無
水物とを反応させる事によって形成出来る。ポリアミド
酸は、その後、硬化させてポリイミドを形成する事が出
来る。ジアミン部分がシロキサン基を含む場合は、ポリ
イミドシロキサンが形成される。二無水物又は二無水物
の組合せは、ポリアミド酸の形成に当たって、二無水物
モノマーとして使用出来るが、芳香族二無水物も、優れ
た性質を与えるので好ましい。適当な二無水物の例とし
ては、
【０００７】１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、２−（３′，４′−ジカルボキシフ
ェニル）５，６−ジカルボキシベンゾイミダゾール二無
水物、２−（３′，４′−ジカルボキシフェニル）５，
６−ジカルボキシベンゾオキサゾール二無水物、２−
（３′，４′−ジカルボキシフェニル）５，６−ジカル
ボキシベンゾチアゾール二無水物、２，２′，３，３′
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，
３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、２，２′，３，３′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，
４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰ
ＤＡ）、ビシクロ−[2,2,2] −オクテン−（７）−２，
３，５，６−テトラカルボン酸−２，３，５，６−二無
水物、チオ−ジフタル酸無水物、ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）スルホキシド二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニルオキサジアゾール−
１，３，４）パラフェニレン二無水物、ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）２，５−オキサジアゾール１，
３，４−二無水物、ビス[ ２，５−（３′，４′−ジカ
ルボキシジフェニルエーテル）] １，３，４−オキサジ
アゾール二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）エーテル二無水物又は４，４′−オキシジフタル酸
無水物（ＯＤＰＡ）、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）チオエーテル二無水物、ビスフェノールＡ二無水
物、ビスフェノールＳ二無水物、２，２−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無
水物又は５，５−[2,2,2−トリフルオロ−１−（トリフ
ルオロメチル）エチリデン] ビス−１，３−イソベンゾ
フランジオン）（６ＦＤＡ）、ヒドロキノンビスエーテ
ル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メ
タン二無水物、シクロペンタジエニルテトラカルボン酸
二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、
エチレンテトラカルボン酸二無水物、ペリレン−３，
４，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピロメリッ
ト酸二無水物（ＰＭＤＡ）、テトラヒドロフランテトラ
カルボン酸二無水物、及びレゾルシノール二無水物、が
挙げられる。
【０００８】好ましい二無水物は、ＯＤＰＡ、ＢＰＤ
Ａ、ＢＴＤＡ、６ＦＤＡ及びＰＭＤＡ又はそれらの混合
物であって、これらの二無水物は簡単に入手でき、優れ
た性質を与える事が分かった。二無水物は、そのテトラ
酸形態で、又はテトラ酸のモノ、ジ、トリ又はテトラエ
ステルとして使用出来るが、二無水物形態は、より反応
性に富むので好ましい。
【０００９】ジアミンモノマー 芳香族シロキサン非含有ジアミンは、それらのジアミン
が最上の性質を与えるので、ポリアミド酸を調製するの
に使用されるべきである。適当なジアミンの例として
は、ｍ−及びｐ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、２，
５−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン、２，４−
ジアミノトルエン（ＴＤＡ）、２，５−及び２，６−ジ
アミノトルエン、ｐ−及びｍ−キシレンジアミン、４，
４′−ジアミノビフェニル、４，４′−ジアミノビフェ
ニルエーテル又は４，４′−オキシジアニリン（ＯＤ
Ａ）、４，４′−ジアミノベンゾフェノン、３，３′，
３，４′又は４，４′−ジアミノフェニルスルホン又は
ｍ，ｍ−、ｍ，ｐ−又はｐ，ｐ−スルホンジアニリン、
４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′又
は４，４′−ジアミノジフェニルメタン又はｍ，ｍ−又
はｐ，ｐ−メチレンジアニリン、３，３′−ジメチルベ
ンジジン、α，α′−ビス（４−アミノフェニル）−
１，４−ジイソプロピルベンゼン又は４，４′−イソプ
ロピリデンジアニリン又はビスアニリンｐ、α，α′−
ビス（４−アミノフェニル）−１，３−ジイソプロピル
ベンゼン又は３，３′−イソプロピリドンジアニリン又
はビスアニリンｍ、１，４−ビス（ｐ−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，３−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）
ベンゼン、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビ
フェニル、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベン
ゼン（ＡＰＢ）、２，４−ジアミン−５−クロロトルエ
ン、２，４−ジアミン−６−クロロトルエン、２，２−
ビス（４[ ４−アミノフェノキシ] フェニル）プロパン
（ＢＡＰＰ）、トリフルオロメチル−２，４−ジアミノ
ベンゼン、トリフルオロメチル−３，５−ジアミノベン
ゼン、２，２′−ビス（４−アミノフェニル）−ヘキサ
フルオロプロパン（６Ｆジアミン）、２，２′−ビス
（４−フェノキシアニリン）イソプロピリデン、２，
４，６−トリメチル−１，３−ジアミノベンゼン、４，
４′−ジアミノ−２，２′−トリフルオロメチル−ジフ
ェニルオキシド、３，３′−ジアミノ−５，５′−トリ
フルオロメチル−ジフェニルオキシド、４，４′−トリ
フルオロメチル−２，２′−ジアミノビフェニル、２，
４，６−トリメチル−１，３−ジアミノベンゼン、ジア
ミノアントラキノン、４，４′−オキシビス[ ２−トリ
フルオロメチル）ベンゼンアミン] （１，２，４−ＯＢ
ＡＢＴＦ）、４，４′−オキシビス[ ３−トリフルオロ
メチル）ベンゼンアミン] 、４，４′−チオビス[ ２−
トリフルオロメチル）ベンゼンアミン] 、４，４′−チ
オビス[ ３−トリフルオロメチル）ベンゼンアミン] 、
４，４′−スルホキシビス[ （２−トリフルオロメチ
ル）ベンゼンアミン] 、４，４′−スルホキシビス[
（３−トリフルオロメチル）ベンゼンアミン] 、４，
４′−ケトビス[ （２−トリフルオロメチル）ベンゼン
アミン] 、４，４′−[ （２，２，２−トリフルオロメ
チル−１−（トリフルオロメチル）−エチリジン）ビス
（３−トリフルオロメチル）ベンゼンアミン] 、が挙げ
られる。
【００１０】好ましい芳香族アミンは、その優れた性質
の故に、ＯＤＡ、ＴＤＡ、ＡＰＢ及びＢＡＰＰ又はそれ
らの組合せである。シロキサンモノマー ポリイミドシロキサンは、モノマーの一部として、全二
無水物又はジアミンモノマーを基準として、約１〜約８
０モル％のシロキサン基を含む二無水物又はジアミンモ
ノマーを使用して調製する事が出来る。シロキサン含有
モノマーは、芳香族又は非芳香族のいずれであっても良
いが、非芳香族モノマーは、容易に入手できるので好ま
しい。シロキサン含有モノマーは、好ましくはジアミン
である。使用出来るシロキサンジアミンの例としては、
式：
【００１１】
【化１】
【００１２】を有する化合物が挙げられる。使用出来る
シロキサン二無水物の例としては、式：
【００１３】
【化２】
【００１４】を有する化合物が挙げられる。（ここで、
Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は、それぞれ、一価、二価及び三価
の基であり、それぞれは、独立に、置換又は非置換の１
〜１２個の炭素原子の脂肪族基又は、置換又は非置換の
６〜１０個の炭素原子の芳香族基から選ばれる）。一価
の基の例としては、−ＣＨ3 、−ＣＦ3 、−ＣＨ＝ＣＨ
2 、−（ＣＨ2 ）n ＣＦ3 、−Ｃ6 Ｈ5 、−ＣＦ2 −Ｃ
ＨＦ−ＣＦ3 、及びＣＨ2 −（ＣＯ）−ＣＨ2 −Ｏ−Ｃ
Ｈ2 ＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ3 が挙げられる。二価の基の例と
しては、−（ＣＨ2 ）n −、−（ＣＨ2 ）n −、−ＣＦ
2 −及び−Ｃ6 Ｈ4 −が挙げられる。三価の基の例とし
ては、＝ＣＨ−ＣＨ2 −、
【００１５】
【化３】
【００１６】が挙げられる。（ここで、“ｎ”は、１〜
１０であり、“ｍ”は、１〜２００であるが、１〜１２
が好ましい）。（シロキサンジアミンは、ここでは、記
号“Ｇ m ”で表される）。
【００１７】接着剤 接着剤は、最初に、基体の剥離性表面に適用される。こ
の表面として使用出来る基体の例としては、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン及び
ポリエチレンテレフタレートが挙げられる。これらの基
体は、剥離剤として、例えばシリコーン、フッ素化ポリ
マー、又は脂肪族樹脂で被覆して、接着剤が基体に接着
するのを更に防ぐ事が好ましい。接着剤は、例えば、ス
ピンコーティング、スクリーン（ステンシル）印刷、ニ
ードル又はテンプレートを介しての小出し、ドクターブ
レードの使用、又はその他の適当な手段によって基体に
適用する事が出来る。サーキットリー及びＩＣチップ
は、通常、約２〜約１００の個々のサーキットリーユニ
ット及びチップの一群として製造され、その後、個々の
サーキットリーユニット及びチップに分離されるので、
基体上に被覆する接着剤を、チップのパターンに合った
パターンで付着させる事が好ましい。個々のチップは被
覆されるものではあるが、チップの一定部分にのみ適用
する為に、接着剤をパターンで形成する事が好ましい。
パターンでの接着剤の形成は、接着剤を、所望の位置に
ある装置、例えば、チューブ又はニードル（シリン
ジ）、スクリーン、又はステンシルを介して押し出する
事によって行う事が出来る。スクリーン（ステンシル）
印刷及びシリンジでの小出しは、特に、パターン形成の
方法として好ましい。
【００１８】溶媒が接着剤中に存在する場合は、接着剤
を基体に適用後、接着剤を非粘着性にする為に、接着剤
から十分な溶媒を蒸発させなければならない。これは、
一般的に、Ｔｇを、室温以上に増加させる事によって行
う事が出来る。ポリアミド酸の溶液に対しては、これ
は、溶媒の約８０〜約９０重量％の蒸発を、一般に意味
する。接着剤が溶媒を含まない場合は、Ｂステージング
又は部分硬化によって非粘着性を付与する事が出来る。
接着剤が非粘着性を付与された後に得られる被膜は、約
３０〜約２００ミクロンの厚さが好ましい。被覆された
基体は、しばしば直ぐには使用されず、船輸送された
り、長期間貯蔵されたりするので、剥離性シート、例え
ば、ポリエチレン、ポリプロピレン又はポリエチレンテ
レフタレートのシートを、被膜の上に置いて、被膜を保
護する事が望ましい。次いで、このシートは、接着剤が
サーキットリーに適用される直前に除去される。又、こ
の保護用剥離性シートは、貯蔵中における溶媒の蒸発を
防ぐ。被覆された基体は、サーキットリーユニット又は
一群のサーキットリーユニットと整合され、接着剤が、
サーキットリーへの接着剤の結合を有効にする為に、サ
ーキットリーに対して加圧、加熱される。約８０〜約１
５０℃の温度が、殆どの半導体接着剤に対して適当であ
る。約６．８〜約３４０ｋＰａ（約１〜５０ｐｓｉ）の
圧力が使用出来る。接着剤は、サーキットリーの表面に
被覆する事が出来、或いは、サーキットリーの空間に押
し出す事が出来る。結合後、剥離性基体は被膜から除去
される。チップを、サーキットリー上の接着剤に結合す
る前に、出来るだけ多くの溶媒を除去し、チップの加熱
量を減少させる為に、熱可塑性接着剤を硬く焼付けする
事が望ましい。熱可塑性接着剤中の殆ど全ての溶媒は、
０．５重量％未満の溶媒が残る程度にまで除去される。
熱硬化性接着剤は、再度粘着性になる様に、十分に加熱
される。殆どの半導体接着剤に対する硬い焼付けは、約
２００〜約４００℃で行う事が出来る。又、硬い焼付け
は、チップをサーキットリー上に設置した後でも行う事
が出来る。チップをサーキットリーに設置するに当たっ
ては、チップ、又は一群のチップは、先ず初め、サーキ
ットリーと整合され、接着剤のパターンが適当な位置に
置かれる。チップを、熱可塑性プラスチックスに対して
はＴｇ以上の温度で、熱硬化性プラスチックスに対して
は、少量の流動が起こるのに十分高い温度で、サーキッ
トリーに向けて加圧する。ＰＣＢ）を含む、様々な形態
のサーキットリーに適用可能である。リードフレーム
は、一般に、金属、例えば、銅、アロイ４２、又はパラ
ジウムで造られる。本発明は、チップがリードフレーム
の先端に設置されている、チップオンリードプロセス
（chip-on-lead process）（ＣＯＬ）、或いは、リード
フレームがチップの先端に設置されている、リードオン
チッププロセス（lead-on-chip process）の何れかに適
用出来る。以下に、更に本発明を実施例を以て例示す
る。
【００１９】
【実施例】実施例１ 機械的攪拌機、還流冷却器及び温度計を備えた５００ｍ
ｌの三つ口フラスコ中で、４８．２ｇ（０．１５５モ
ル）の４，４′−オキシジフタル酸無水物と、１１ｇの
１，３−ビス（３−アミノプロピル）末端化ポリジメチ
ルシロキサンとを、５００ｍｌのＮ−メチルピロリドン
に溶解した。反応を４時間行い、次いで、４０．８ｇ
（０．１４モル）の１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼンを添加して、重合を１６時間行った。部分
イミド化の為に、ポリアミド酸溶液を、１００ｍｌのト
ルエンと混合し、３０分間、１５６℃で共沸蒸留した。
部分的にイミド化された樹脂を、脱イオン水中で沈殿さ
せ、濾過し、空気流下で、室温で乾燥した。部分的イミ
ド化溶液の滴定から、イミド化は７５％であった。乾燥
樹脂はNMP に溶解して、５２％溶液を調製した。この１
００ｇの溶液に、４ｇのフュームドシリカ（Cab-O-Sil
）及び０．５ｇの脱泡剤（Dow Corning 1400）を十分
に手で混合し、更に、３段ロールミルで二度混合した。
ペーストを、ＬＯＣ接着剤の長方形パターンで形成した
ポリエチレンテレフタレートフィルム（“Mylar"とし
て、Dupontから販売されている）の剥離側に、ステンシ
ル印刷した。接着剤を、８０℃で、１５分間、軟焼付け
した。パターン化したマイラーフィルムを、貯蔵の為
に、ポリエチレンフィルムで覆った。マイラー上のＬＯ
Ｃ接着剤をアロイ４２リードフレームへ移転する為にポ
リエチレンフィルムを除去し、 マイラーフィルム上のパ
ターンを、リードフレームの位置に整合し、接着剤及び
リードフレームを、１３５℃でラミネートした。マイラ
ーフィルムを除去し、リードフレーム上に接着剤パター
ンを残した。ＬＯＣ接着剤を有するリードフレームを、
３０分間、１５０、２００、２５０℃で焼付けした。接
着剤を焼付け後、動的ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡ
Ｍ）チップを、リードフレームに、加圧しながら、３２
０℃で取付けた。
【００２０】実施例２ 実施例１で調製した接着剤ペーストを、マイラーフィル
ムの剥離側にステンシル印刷してＬＯＣ接着剤パターン
を調製した。印刷されたパターンを、８０℃で、３０分
間、軟焼付けした。マイラーフィルム上のＬＯＣパター
ンを、リードフレームに整合させ、１３５℃でラミネー
トした。マイラーフィルムを除去し、回路基体上にＬＯ
Ｃ接着剤パターンを残した。リードフレームを、３０分
間、１５０、２００及び２５０℃で焼付けした。ＩＣチ
ップを、３５０℃で基体に取付けたが、接着は良好であ
った。
【００２１】実施例３ １リットルの三つ口フラスコに、５００ｍｌのＮＭＰ、
３９ｇのＢＡＰＰ、４ｇの２，５−ジメチル−１，４−
フェニレンジアミン、及び、Ｇ1 対Ｇ9 のモル比が１〜
３の、１４ｇの１，３−ビス（３−アミノプロピル）末
端化ポリジメチルジシロキサンを、完全に溶解した。次
いで、３０．３ｇのＢＰＤＡ及び１３．７５ｇのＢＴＤ
Ａを添加し、重合を、室温で、１０時間進めた。ポリア
ミド酸溶液に対して、９０ｍｌのトルエンを添加し、温
度を１４０℃に上げ、その温度に２時間保った。樹脂
を、脱イオン水中で沈殿させ、濾過し、室温で乾燥し
た。イミド化は７０％であった。乾燥樹脂３ｇを６ｇの
ＮＭＰに溶解し、０．２７ｇのフュームドシリカを、
０．０２ｇの脱泡剤と共に十分に混合した。形成された
ペーストをマイラーフィルム上にステンシル印刷してＬ
ＯＣ接着剤パターンを形成し、１００℃で１５分間軟焼
付けした。ＬＯＣ接着剤パターンをリードフレームと整
合し、穏やかに加圧しながら、加熱ブロックに、１４０
℃で通した。マイラーフィルムを除去後、ＩＣチップ
を、加圧しながら、１７０℃でリードフレームに取付
け、次いで、３０分間、２００及び２５０℃で焼付け
た。
【００２２】実施例４ ６０重量％より多い銀粉末を含む単一成分エポキシ樹脂
（Epoxy Technology Inc. から、"Epo-tek H35-175MPT"
として市販されている）を、マイラーフィルム片の剥離
側にステンシル印刷した。樹脂を、１６５℃で２０分
間、部分的に硬化させ、軟焼付けで、非粘着性被膜を造
った。接着剤パターンを、リードフレームと整合し、僅
かに加圧しながら、１３０〜１５０℃で、リードフレー
ムにラミネートした。ＩＣチップを１５０℃で取付け、
２００℃で５分間、焼付けした。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｊ 179/08 Ｃ０９Ｊ 179/08 (56)参考文献 特開 平２−256251（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−111426（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−94533（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−136331（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−37727（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−120273（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/52

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】集積回路チップのサーキットリーへの結合
    方法であって、（Ａ）基体の剥離性表面上に、部分イミ
    ド化ポリアミド酸、約４０〜約８０重量％の有機溶媒及
    び約０．１〜約１０重量％のチキソトロープから成るペ
    ーストの被膜をパターンで形成する工程、（Ｂ）前記被
    膜を非粘着性にする工程、（Ｃ）前記基体上の前記被膜
    を前記サーキットリーへ結合する工程、（Ｄ）前記基体
    を前記被膜から除去する工程、及び（Ｅ）前記集積回路
    チップを前記被膜に結合する工程、を含む事を特徴とす
    る方法。
  2. 【請求項２】保護用の剥離性シートが、工程（Ｂ）の後
    で前記被膜上に適用され、工程（Ｃ）の前で除去され
    る、請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】前記被膜が、該被膜を加熱する事によっ
    て、非粘着性とされる、請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】工程（Ｃ）及び（Ｅ）での前記結合が、加
    熱と加圧を使用して行われる、請求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】前記ペーストが、エポキシ、ポリアミド、
    ポリイミド、ポリアミド酸、ポリアミド−イミド、部分
    イミド化ポリアミド酸又はポリアミド−イミド及び、微
    粉砕金属、酸化金属又は、シリカを混合した前記樹脂か
    ら成る群から選ばれた樹脂を含む、請求項１記載の方
    法。
  6. 【請求項６】前記パターンが、スクリーン又はステンシ
    ル印刷、又はニードルによる小出しによって形成され
    る、請求項１記載の方法。
  7. 【請求項７】一群のサーキットリーユニットが、集積回
    路チップに結合される、請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】一群の集積回路チップを、相当するサーキ
    ットリーユニットに結合する方法であって、（Ａ）有機
    溶媒と、ポリイミド、ポリアミド酸、ポリアミド、ポリ
    アミド−イミド、又はそれらの部分イミド化前駆体との
    混合物から成る接着剤の被膜を、前記集積回路チップが
    前記サーキットリーに結合される時に占める位置に対応
    するパターンで、基体の剥離性表面上に形成する工程、
    （Ｂ）前記被膜を非粘着性とするに十分な量の前記有機
    溶媒を蒸発させる工程、（Ｃ）前記パターンを、前記サ
    ーキットリーと結合させ工程、（Ｄ）前記基体を前記サ
    ーキットリーに対して加熱及び加圧して、前記接着剤
    を、前記サーキットリーに接着させる工程、（Ｅ）前記
    基体を前記接着剤から分離する工程、（Ｆ）溶媒を蒸発
    させて、溶媒を０．５重量％未満とする工程、（Ｇ）前
    記一群の集積回路チップを、前記サーキットリーに整合
    させる工程、（Ｈ）前記一群の集積回路チップを、前記
    サーキットリーに対して加熱及び加圧する工程、を含む
    事を特徴とする方法。
  9. 【請求項９】前記接着剤が、部分イミド化ポリアミド
    酸、約４０〜約８０重量％の有機溶媒及び約０．１〜約
    １０重量％のチキソトロープから成るペーストである、
    請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】前記被膜が、スクリーン又はステンシル
    印刷、又は注入器による小出しによって形成される、請
    求項９記載の方法。
  11. 【請求項１１】一群の集積回路チップを、１つ以上のリ
    ードフレームの一致する群に結合する方法であって、
    （Ａ）（１）部分イミド化ポリアミド酸、（２）約４０
    〜約８０重量％の有機溶媒、及び（３）約０．１〜約１
    ０重量％のチキソトロープから成るペーストを形成する
    工程、（Ｂ）前記一群の集積回路チップに適合するパタ
    ーンで開口を有するテンプレートを、基体の剥離性表面
    上に設置する工程、（Ｃ）前記ペーストを、前記開口を
    通して、前記剥離性表面上へ押出し、前記剥離性表面上
    に前記ペーストのパターンを形成する工程、（Ｄ）前記
    剥離性表面上のペーストから、前記ペーストを非粘着性
    とするに十分な溶媒を蒸発させる工程、（Ｅ）保護用の
    剥離性シートを、前記非粘着性ペースト上に適用する工
    程、（Ｆ）前記保護用の剥離性シートを、前記非粘着性
    ペーストから除去する工程、（Ｇ）前記剥離性表面上の
    前記ペーストのパターンを、一群のリードフレームと整
    合させる工程、（Ｈ）前記ペーストのパターンを、前記
    一群のリードフレームに、適当な温度でホットプレスす
    る工程、（Ｉ）前記剥離性基体を、前記一群のリードフ
    レーム上の前記ペーストのパターンから除去する工程、
    （Ｊ）前記部分イミド化ポリアミド酸を、完全にイミド
    化するのに十分な温度で硬く焼付けする工程、（Ｋ）前
    記一群のリードフレームを、前記一群の集積回路チップ
    と整合させる工程、及び（Ｌ）前記一群の集積回路チッ
    プを、前記一群のリードフレームに対して加熱及び加圧
    する工程、を含む事を特徴とする方法。
  12. 【請求項１２】前記ペ−ストが、前記剥離性表面へ、ス
    クリーン又はステンシル印刷される、請求項１１記載の
    方法。
  13. 【請求項１３】前記部分イミド化ポリアミド酸が、約１
    ０〜約９０％にイミド化される、請求項１１記載の方
    法。
  14. 【請求項１４】前記有機溶媒が、Ｎ−メチルピロリド
    ン、ジメチルアセトアミド又はジメチルホルムアミドで
    ある、請求項１１記載の方法。
  15. 【請求項１５】前記チキソトロープが、フュームドシリ
    カである、請求項１１記載の方法。
  16. 【請求項１６】前記部分イミド化ポリアミド酸が、
    （Ａ）オキシジフタル酸無水物、３，３′，４，４′−
    ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，
    ４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，
    ２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフル
    オロプロパン二無水物及びピロメリット酸二無水物から
    成る群から選ばれる二無水物と、（Ｂ）４，４′−ジア
    ミノフェニルエーテル、２，４−ジアミノトルエン、
    １，３−ビス（アミノフェノキシ）ベンゼン及び２，２
    −ビス（４［４−アミノフェノキシ］フェニル）プロパ
    ンから成る群から選ばれるジアミン、との反応生成物か
    ら成る、請求項１１記載の方法。
  17. 【請求項１７】前記基体が、ポリエチレンテレフタレー
    ト、ポリエチレン、ポリプロピレン又はテトラフルオロ
    エチレンから成る、請求項１１記載の方法。
  18. 【請求項１８】工程（Ｈ）の前記ホットメルト結合が、
    約８０〜約１５０℃であり、工程（Ｋ）の前記加熱が、
    約２００〜約４００℃である、請求項１１記載の方法。
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