JP2925952B2 - Dam bar processing device and dam bar processing method - Google Patents
Dam bar processing device and dam bar processing methodInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに半導
体チップを搭載し樹脂モールドで一体的に封止した半導
体装置のダムバーをパルスレーザ光によって切断するダ
ムバー切断に係わり、特に、所望の加工位置を高速で加
工することが可能なダムバー加工装置及びダムバー加工
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to dam bar cutting in which a semiconductor device is mounted on a lead frame and a semiconductor device integrally sealed with a resin mold is cut by a pulse laser beam. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a dam bar processing device and a dam bar processing method capable of processing a high speed.
【0002】[0002]
【従来の技術】リードフレームに半導体チップを搭載し
樹脂モールドでそれらリードフレーム及び半導体チップ
を一体に封止した半導体装置において、ダムバーはリー
ドフレームのリード間を連結するものであり、樹脂モー
ルドでリードフレームと半導体チップを一体に封止する
時に樹脂モールドがリードの間に流れ出てくるのを堰止
める役割を果たすものである。また、このダムバーは各
リードを補強する役割も有する。樹脂モールドによる封
止が終了すると、このダムバーは切断除去され、リード
フレームの各リード(アウターリード)が個々に切り離
される。尚、以下の説明では、上記のような樹脂モール
ドでリードフレーム及び半導体チップを一体に封止した
樹脂モールド型半導体装置のことを単に半導体装置とい
う。2. Description of the Related Art In a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame and the lead frame and the semiconductor chip are integrally sealed by resin molding, a dam bar connects between the leads of the lead frame. When the frame and the semiconductor chip are integrally sealed, they play a role of blocking the resin mold from flowing out between the leads. The dam bar also has a role of reinforcing each lead. When the sealing by the resin mold is completed, the dam bar is cut and removed, and each lead (outer lead) of the lead frame is individually cut off. In the following description, a resin-molded semiconductor device in which a lead frame and a semiconductor chip are integrally sealed with the above-described resin mold is simply referred to as a semiconductor device.
【0003】従来では、このダムバーをパンチプレスに
より切断することが多かったが、最近では半導体装置の
高集積化や高性能化に伴ってリードフレームがさらに多
ピンかつ狭ピッチになってきており、その寸法精度が厳
しく要求されるため、従来のパンチプレスでは技術的に
対応できなくなってきた。Conventionally, this dam bar has often been cut by a punch press. However, recently, as the integration and performance of semiconductor devices have increased, lead frames have become more multi-pin and narrower in pitch. Since the dimensional accuracy is strictly required, the conventional punch press cannot technically cope.
【0004】これに対し、最近ではレーザ光を使用した
ダムバーの切断方法が開発されている。レーザ光は極め
て小さく絞ることができるため微細な加工が可能であ
り、これをダムバーに照射するだけで非接触でダムバー
を切断することができるため寸法精度の良い加工が可能
である。このようなレーザ光による加工(以下、適宜レ
ーザ加工という)をダムバーの切断等に応用する従来技
術としては、例えば特開平6−142968号公報に記
載のものがある。On the other hand, recently, a method of cutting a dam bar using a laser beam has been developed. Since the laser beam can be narrowed down to a very small value, fine processing is possible. By simply irradiating the laser beam to the dam bar, the dam bar can be cut off in a non-contact manner, so that processing with high dimensional accuracy is possible. As a conventional technique for applying such processing by laser light (hereinafter, appropriately referred to as laser processing) to cutting of a dam bar, there is, for example, a technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-142968.
【0005】この従来技術は、加工光学系とほぼ同軸上
に配置した検出光学系(光検出手段)において被加工物
の状態(リードの配列状態)を光学的に検出し、その検
出信号を矩形化し、さらにその矩形化した信号に一定の
遅延時間を与え、遅延時間を与えた信号に基づいてパル
スレーザ光の発振を制御するものである。つまり、リー
ドの配列状態を直接視覚的に検出し、そのデータを利用
してパルスレーザ光の照射を行うものであり、これによ
って所望の加工位置、即ち切断すべきダムバーに確実に
パルスレーザ光を照射してそのダムバーを切断すること
が可能である。In this prior art, a detection optical system (light detecting means) arranged substantially coaxially with a processing optical system optically detects the state of a workpiece (arrangement of leads), and outputs a detection signal in a rectangular shape. In addition, a predetermined delay time is given to the rectangular signal, and the oscillation of the pulse laser beam is controlled based on the signal with the delay time. In other words, the arrangement state of the leads is directly visually detected, and the pulsed laser beam is radiated using the data, whereby the pulsed laser beam can be reliably applied to the desired processing position, that is, the dam bar to be cut. Irradiation can cut the dam bar.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】レーザ加工は、切断す
べき加工位置に小さく集光したパルスレーザ光を照射
し、被加工物を局部的かつ瞬間的に加熱及び溶融した
後、アシストガスでその溶融物を吹き飛ばして切断部
(切断溝)を形成するものである。それ故、レーザ加工
時には、上記溶融物の微粒子がスパッタとして飛散した
り、レーザプラズマやプルーム(ヒュームともいう)な
どが同時に発生したりする。このプルームは、レーザプ
ラズマと高温加熱による酸化反応とによって非常に明る
く発光する現象である。さらに、照射されたレーザ光は
その一部が反射または散乱される。In laser processing, a small condensed pulsed laser beam is applied to a processing position to be cut, and a workpiece is locally and instantaneously heated and melted. This is to blow off the melt to form a cut portion (cut groove). Therefore, at the time of laser processing, the fine particles of the melt are scattered as spatters, and laser plasma, plumes (also called fumes) and the like are simultaneously generated. This plume is a phenomenon that emits very bright light by laser plasma and an oxidation reaction caused by high-temperature heating. Further, part of the irradiated laser light is reflected or scattered.
【0007】従って、特開平6−142968号公報に
記載のように加工光学系とほぼ同軸上に検出光学系(光
検出手段)を配置する場合、このようなスパッタの飛
散、レーザプラズマやプルームの発光、及び反射または
散乱されたレーザ光(以下、適宜外乱光という)に邪魔
されて、上記光検出手段によるリードの配列状態の検出
を確実かつ正確に行うことが困難になる。Accordingly, when a detecting optical system (light detecting means) is arranged substantially coaxially with the processing optical system as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-142968, such scattering of spatter, laser plasma and plume The emission of light and the reflected or scattered laser light (hereinafter, appropriately referred to as disturbance light) hinder the reliable and accurate detection of the arrangement state of the leads by the light detection means.
【0008】また、リードフレームに半導体チップを搭
載後に樹脂モールドで封止する際には樹脂モールドの収
縮変形の影響により、リードピッチが一定値からずれる
ことが避けられない。特に、多ピンの半導体装置では樹
脂モールド部分の寸法も大きくなるため、個々のリード
において極わずかな変形が生じても多くのリードで見る
とそれらが累積され、結局大きな誤差となってしまう。
つまり、個々のリードの寸法精度がある程度確保されて
いて許容誤差範囲に入っていても全リードで見ると誤差
の累積により許容誤差範囲に入らない場合が生じる。ま
た、このようなリードフレームではリードピッチが狭
く、板厚も薄いために、剛性が弱く変形しやすい。その
ため、リードフレームの加工用治具への取り付け等のハ
ンドリング時にリードフレーム自体が変形することもあ
る。Further, when a semiconductor chip is mounted on a lead frame and sealed with a resin mold, it is inevitable that the lead pitch deviates from a certain value due to the influence of shrinkage deformation of the resin mold. In particular, in a multi-pin semiconductor device, the size of the resin mold portion also becomes large. Therefore, even if slight deformation occurs in each lead, when many leads are viewed, they are accumulated, resulting in a large error.
In other words, even if the dimensional accuracy of each lead is ensured to some extent and is within the allowable error range, there may be cases where the error does not fall within the allowable error range due to the accumulation of errors when viewed from all leads. Further, in such a lead frame, the lead pitch is narrow and the plate thickness is thin, so that the rigidity is low and the lead frame is easily deformed. Therefore, the lead frame itself may be deformed during handling such as mounting the lead frame on a processing jig.
【0009】特開平6−142968号公報に記載の従
来技術には、上記のような変形によるリードピッチのず
れに対する配慮がない。即ち、上記従来技術において
は、パルスレーザ光の発振を制御する信号に与えるべき
遅延時間はリードフレームの変形と関係なく一定値であ
り、リードの間隙(以下、適宜、スリット部という)の
寸法つまり1つのダムバーの寸法が個々に変化していた
としてもリード(以下、適宜、ウエブ部ともいう)側面
から常に一定の距離の位置にしかパルスレーザ光を照射
することができない。The prior art described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-142968 does not take into account the shift in lead pitch due to the above-described deformation. That is, in the above prior art, the delay time to be given to the signal for controlling the oscillation of the pulsed laser light is a constant value regardless of the deformation of the lead frame, and the dimension of the lead gap (hereinafter, appropriately referred to as a slit portion), Even if the size of one dam bar changes individually, the pulse laser beam can always be irradiated only to a position at a fixed distance from the side surface of the lead (hereinafter, also appropriately referred to as a web portion).
【0010】この場合、パルスレーザ光の照射位置がダ
ムバーの中央(スリット部の中央)よりもリード側に偏
ることがあり、偏った側のダムバーの切り残し幅が小さ
くなり、反対側の切り残し幅が大きくなる。ダムバーの
切り残し幅はできるだけ小さくする必要があり、品質管
理上の許容値も決められているが、照射位置が偏ること
は大きな幅の切り残しを形成してしまう可能性があり、
好ましくない。また、上記のような偏りが大きくなる
と、リード(ウエブ部)自体に切欠き部分が形成されて
しまう可能性もあり、さらにその偏りがもっと大きくな
るとリード自体を溶断することにもなる。リード自体が
溶断されることは勿論絶対に避けるべきであるが、リー
ドに切欠き部分が形成されると、後工程において実施さ
れるリード(アウターリード)の折り曲げ成形時にリー
ドの折り曲げ精度を確保できなかったり破断が生じる原
因となるため、このような切欠き部の形成も避けるべき
である。従って、ダムバー切断によって高精度かつ良好
な形状を得るためには、パルスレーザ光の照射位置の偏
りを極力なくすことが必要である。In this case, the irradiation position of the pulsed laser beam may be more deviated to the lead side than the center of the dam bar (the center of the slit portion). The width increases. It is necessary to make the uncut width of the dam bar as small as possible, and the allowable value for quality control is determined, but if the irradiation position is biased, the uncut width may form a large width uncut portion.
Not preferred. In addition, if the above-described deviation increases, a notch may be formed in the lead (web portion) itself, and if the deviation further increases, the lead itself may be blown. Of course, it is absolutely necessary to avoid fusing the lead itself. However, if a notch is formed in the lead, the lead bending accuracy of the lead (outer lead) can be ensured in the subsequent process. The formation of such a notch should also be avoided, as it may cause breakage or breakage. Therefore, in order to obtain a high-precision and good shape by dam bar cutting, it is necessary to minimize the deviation of the irradiation position of the pulse laser beam.
【0011】本発明の第1の目的は、リードの配列状態
の検出結果を基にダムバーの所望の加工位置にパルスレ
ーザ光を照射して加工を行うダムバー加工装置及びダム
バー加工方法において、外乱光の影響を受けることなく
リードの配列状態の検出を確実かつ正確に行うことがで
きるダムバー加工装置及びダムバー加工方法を提供する
ことである。A first object of the present invention is to provide a dam bar processing apparatus and a dam bar processing method for irradiating a desired processing position of a dam bar with a pulse laser beam based on a detection result of an arrangement state of a lead. It is an object of the present invention to provide a dam bar processing apparatus and a dam bar processing method capable of reliably and accurately detecting the arrangement state of leads without being affected by the above.
【0012】本発明の第2の目的は、リードの配列状態
の検出結果を基にダムバーの所望の加工位置にパルスレ
ーザ光を照射して加工を行うダムバー加工装置及びダム
バー加工方法において、ダムバーの中央を確実に切断し
て高精度かつ良好な形状を得ることができるダムバー加
工装置及びダムバー加工方法を提供することである。A second object of the present invention is to provide a dam bar processing apparatus and a dam bar processing method for irradiating a desired processing position of a dam bar with a pulse laser beam based on a detection result of an arrangement state of leads to perform processing. An object of the present invention is to provide a dam bar processing device and a dam bar processing method capable of reliably cutting the center and obtaining a highly accurate and favorable shape.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】上記の第1及び第2の目
的を達成するため、本発明によれば、パルスレーザ光を
発振するレーザ発振器と、そのパルスレーザ光を被加工
物の加工位置まで誘導する加工光学系と、その加工光学
系により誘導された前記パルスレーザ光を出射すると共
にアシストガスを噴射させる開口部を先端に備える加工
ノズルと、前記パルスレーザ光の光軸を前記被加工物に
対して所定の速度で相対的に移動させる搬送手段とを有
し、樹脂モールドで半導体チップをリードフレーム上に
封止した半導体装置を前記搬送手段に載せ前記リードフ
レームのダムバーに前記パルスレーザ光を照射してダム
バーを順次切断するダムバー加工装置において、前記ダ
ムバーに照射されるパルスレーザ光の光軸よりも先行し
た前記リードフレーム上の位置に、前記パルスレーザ光
の光軸に対し加工進行方向と反対側に傾いた方向に反射
するよう検出光を照射する検出光発生手段と、前記加工
ノズルに取り付けられ、前記リードフレーム上で反射し
加工ノズルの開口部を通過した検出光を入射させて対応
する検出信号を発生する光検出手段と、前記光検出手段
からの検出信号に基づいて前記パルスレーザ光を照射す
るタイミングを決定しダムバーの中央にパルスレーザ光
が照射されるよう前記レーザ発振器を制御する制御手段
とを有することを特徴とするダムバー加工装置が提供さ
れる。According to the present invention, there is provided a laser oscillator for oscillating pulsed laser light, and the pulsed laser light is applied to a processing position of a workpiece. A processing optical system that guides the laser beam, a processing nozzle that emits the pulse laser light guided by the processing optical system, and a processing nozzle that is provided at an end with an opening for injecting an assist gas, and an optical axis of the pulse laser light that is processed. Transport means for moving the object relative to an object at a predetermined speed, and mounting the semiconductor device in which a semiconductor chip is sealed on a lead frame with a resin mold on the transport means, and placing the pulse laser on a dam bar of the lead frame. In a dam bar processing device that sequentially cuts a dam bar by irradiating light, the lead frame that precedes an optical axis of a pulsed laser beam irradiated to the dam bar is provided. A detection light generating means for irradiating a detection light at a position on the system to be reflected in a direction inclined in a direction opposite to a processing progress direction with respect to an optical axis of the pulse laser light; and the lead frame attached to the processing nozzle, A light detecting means for generating a corresponding detection signal by making the detection light reflected on and passing through the opening of the processing nozzle incident thereon, and a timing for irradiating the pulse laser light based on the detection signal from the light detection means. And a control means for controlling the laser oscillator so that the pulse laser light is irradiated to the center of the dam bar.
【0014】上記ダムバー加工装置において、好ましく
は、前記制御手段は、前記検出信号を二値化して矩形波
信号を発生する比較手段と、ダムバーの中央に前記パル
スレーザ光が照射されるようその矩形波信号に個々のダ
ムバーの幅に応じた遅延時間を与える遅延手段とを備え
る。In the above dam bar processing apparatus, preferably, the control means includes a comparing means for binarizing the detection signal to generate a rectangular wave signal, and a rectangular shape for irradiating the center of the dam bar with the pulse laser beam. Delay means for giving a wave signal a delay time corresponding to the width of each dam bar.
【0015】上記の場合、好ましくは、前記検出光発生
手段によって検出光を照射する位置は、前記パルスレー
ザ光の光軸よりも、少なくとも前記ダムバー付近のリー
ド間隙の幅以上先行している。In the above case, preferably, the position where the detection light is emitted by the detection light generating means precedes the optical axis of the pulse laser light by at least the width of the lead gap near the dam bar.
【0016】また、好ましくは、前記レーザ発振器より
発振するパルスレーザ光を細長い断面形状に変換しかつ
そのパルスレーザ光断面をその光軸まわりに回転変位さ
せるビーム形状変更手段をさらに有する。Preferably, the apparatus further comprises beam shape changing means for converting the pulse laser light oscillated from the laser oscillator into an elongated cross-sectional shape and rotating and displacing the pulse laser light cross-section around the optical axis.
【0017】上記において、好ましくは、前記光検出手
段は複数個の検出要素から構成され、それらの検出要素
が前記ダムバーの幅よりも長い寸法の範囲を検出可能な
ように配列されている。In the above, preferably, the light detecting means comprises a plurality of detecting elements, and the detecting elements are arranged so as to be able to detect a range having a dimension longer than the width of the dam bar.
【0018】また、好ましくは、前記検出光発生手段は
細長い断面形状の検出用レーザ光を発生するものであ
り、かつその検出用レーザ光断面の長手方向の寸法が前
記ダムバーの幅よりも長い。Preferably, the detection light generating means generates a detection laser light having an elongated cross-sectional shape, and a longitudinal dimension of the detection laser light cross section is longer than a width of the dam bar.
【0019】また、前述の第1及び第2の目的を達成す
るため、本発明によれば、樹脂モールドで半導体チップ
をリードフレーム上に封止した半導体装置のダムバーに
パルスレーザ光を照射しながらそのパルスレーザ光の光
軸を前記半導体装置に対して所定の速度で相対的に移動
させることにより、前記ダムバーを順次切断するダムバ
ー加工方法において、前記ダムバーに照射されるパルス
レーザ光の光軸よりも先行したリードフレーム上の位置
に、前記パルスレーザ光の光軸に対し加工進行方向と反
対側に傾いた方向に反射するよう前記リードフレーム上
に検出光を照射し、前記リードフレーム上で反射し前記
加工ノズルの開口部を通過した検出光を入射させて対応
する検出信号を発生し、その検出信号に基づいて前記パ
ルスレーザ光を照射するタイミングを決定し、そのタイ
ミングでダムバーの中央に前記パルスレーザ光が照射さ
れるようそのパルスレーザ光の発振を制御することを特
徴とするダムバー加工方法が提供される。According to the present invention, in order to achieve the first and second objects, a pulse laser beam is applied to a dam bar of a semiconductor device in which a semiconductor chip is sealed on a lead frame with a resin mold. In the dam bar processing method of sequentially cutting the dam bar by moving the optical axis of the pulse laser light relative to the semiconductor device at a predetermined speed, the optical axis of the pulse laser light applied to the dam bar is Also, the detection light is irradiated on the lead frame at a position on the preceding lead frame so as to be reflected in a direction inclined in a direction opposite to the processing progress direction with respect to the optical axis of the pulse laser beam, and reflected on the lead frame. The detection light that has passed through the opening of the processing nozzle is made incident to generate a corresponding detection signal, and the pulse laser light is illuminated based on the detection signal. The timing of determining, dam bar machining method characterized in that said pulsed laser beam at the center of the dam bar in the timing to control the oscillation of the pulse laser beam to be irradiated is provided.
【0020】上記において、好ましくは、前記パルスレ
ーザ光を細長い断面形状に変換すると共にそのパルスレ
ーザ光の照射位置におけるスポットの長手方向の寸法を
前記ダムバーの幅よりも十分長くなるようにし、そのス
ポットの長手方向を前記リードフレームのリードの長手
方向とほぼ一致させて前記ダムバーを幅方向に差し渡す
ようにそのパルスレーザ光を照射する。In the above, it is preferable that the pulse laser light is converted into an elongated cross-sectional shape, and that a spot size at the irradiation position of the pulse laser light in the longitudinal direction is sufficiently longer than the width of the dam bar. The pulse laser light is applied so that the longitudinal direction of the dam bar substantially coincides with the longitudinal direction of the lead of the lead frame and the dam bar is inserted in the width direction.
【0021】[0021]
【作用】上記のように構成した本発明においては、搬送
手段によって被加工物を所定の速度で移動させながら切
断すべきダムバーの位置の検出及び切断動作を行う。こ
の時、パルスレーザ光の光軸(以下、レーザ光軸とい
う)よりも先行したリードフレーム上の位置に検出光発
生手段からの検出光が照射されるが、その反射光がパル
スレーザ光の光軸に対して加工進行方向とは反対側に傾
いた方向に反射されるようにする。リードフレーム上で
反射し加工ノズルの開口部を通過した反射光は光検出手
段に入射する。これにより、パルスレーザ光が照射され
る加工位置よりも先行した位置のリードの配列状態(リ
ードの有無)を検出することが可能となる。また、レー
ザ光軸と検出光とが互いに傾斜しているため、スパッタ
や、レーザプラズマ、プルーム、加工用のパルスレーザ
光の反射光等の強烈な外乱光が光検出手段の方向に直接
入射することを防止できる。In the present invention constructed as above, the position of the dam bar to be cut is detected and the cutting operation is performed while moving the workpiece at a predetermined speed by the transport means. At this time, the detection light from the detection light generating means is applied to a position on the lead frame that precedes the optical axis of the pulse laser light (hereinafter, referred to as the laser optical axis), and the reflected light is the light of the pulse laser light. The light is reflected in a direction inclined to the opposite side to the processing progress direction with respect to the axis. The reflected light reflected on the lead frame and passing through the opening of the processing nozzle enters the light detecting means. This makes it possible to detect the arrangement state of the leads (the presence or absence of the leads) at a position preceding the processing position where the pulsed laser beam is irradiated. Further, since the laser optical axis and the detection light are inclined with respect to each other, intense disturbance light such as spatter, reflected light of laser plasma, plume, and pulse laser light for processing is directly incident in the direction of the light detection means. Can be prevented.
【0022】また、光検出手段を加工ノズルに取り付
け、加工ノズルの開口部を通過した反射光をその光検出
手段に入射させることにより、スパッタや強烈な外乱
光、さらには外部から飛来するゴミやホコリの大部分が
加工ノズルによって遮られ、光検出手段が保護される。
さらに、レーザ光軸の直前の位置のリードの配列状態を
検出し、すぐにパルスレーザ光を照射して加工を行うた
め、検出時から加工時までの間に外部からの擾乱要素が
入りにくく、微細な加工に適している。それに加え、光
検出手段が加工ノズルと一体構造化されているため、レ
ーザ光軸と検出光が照射される位置(以下、検出位置と
いう)の相対的な位置関係が固定化され、加工ノズルが
何らかの原因によって振動や変形を起こしたり、または
取り付け誤差が発生した場合においても、レーザ光軸と
検出位置の相対的な位置関係は変わらず検出の精度が維
持される。また、光検出手段の構造を簡単にすることが
でき、強度及び耐久性が向上する。Further, the light detecting means is attached to the processing nozzle, and the reflected light passing through the opening of the processing nozzle is made incident on the light detecting means, so that spatter, intense disturbance light, and dust coming from outside can be reduced. Most of the dust is blocked by the processing nozzle, and the light detection means is protected.
Furthermore, since the arrangement state of the lead at the position immediately before the laser optical axis is detected and the pulse laser light is immediately irradiated to perform the processing, it is difficult for external disturbance elements to enter from the time of detection to the time of processing. Suitable for fine processing. In addition, since the light detection means is integrally formed with the processing nozzle, the relative positional relationship between the laser optical axis and the position where the detection light is irradiated (hereinafter, referred to as a detection position) is fixed, and the processing nozzle is fixed. Even if vibration or deformation is caused by any cause or an attachment error occurs, the relative positional relationship between the laser optical axis and the detection position does not change, and the detection accuracy is maintained. Further, the structure of the light detecting means can be simplified, and the strength and durability are improved.
【0023】また、半導体装置においては、前述のよう
な樹脂モールドの収縮変形等により、多数のリードにつ
いて見ると累積誤差が問題となるが、個々のリードにつ
いて見れば誤差は極わずかであり、ある程度の寸法精度
は維持されているとみなされる。本発明ではこのことを
利用してある程度の寸法精度が維持されている個々のリ
ードの配列状況を検出し、その検出信号を基にして個々
のダムバーに対する加工位置を決定し、加工を行う。Further, in a semiconductor device, a cumulative error is a problem when viewed from a large number of leads due to shrinkage deformation of the resin mold as described above. However, when viewed from an individual lead, the error is extremely small. Is considered to be maintained. By utilizing this fact, the present invention detects the arrangement state of individual leads maintaining a certain degree of dimensional accuracy, determines the processing position for each dam bar based on the detection signal, and performs processing.
【0024】つまり、前述の光検出手段から発生した検
出信号は制御手段に送られ、その検出信号に基づいてパ
ルスレーザ光を照射するタイミングが決定され、そのタ
イミングでレーザ発振器が制御され、ダムバーの中央に
確実にそのパルスレーザ光が照射される。この結果、パ
ルスレーザ光の照射位置の偏りがなくなり、ダムバー切
断後に大きな幅の切り残しを形成すること避けられ、そ
の切り残し幅を品質管理上の許容値内に収めることがで
きる。さらに、リード(ウエブ部)自体に切欠き部分が
形成されたりリード自体が溶断されることもなく、高精
度かつ良好な形状を得ることが可能となる。That is, the detection signal generated from the above-described light detection means is sent to the control means, and the timing for irradiating the pulse laser light is determined based on the detection signal. At that timing, the laser oscillator is controlled and the dam bar is controlled. The center is reliably irradiated with the pulsed laser light. As a result, the deviation of the irradiation position of the pulsed laser beam is eliminated, so that a large uncut portion is not formed after dam bar cutting, and the uncut portion can be kept within an allowable value for quality control. Further, a notch portion is not formed in the lead (web portion) itself, and the lead itself is not melted, so that it is possible to obtain a highly accurate and favorable shape.
【0025】また、上記において、搬送手段によってレ
ーザ光軸を被加工物に対し所定の速度で相対的に移動さ
せるが、パルスレーザ光の照射時間(以下、パルス幅と
いう)は極めて短時間であり、その時間の移動距離は極
わずかであるから、ダムバーの溶断される部分はスポッ
トの幅程度とみなしてよく、従ってレーザ光軸を被加工
物に対して移動させるとそのパルスレーザ光の発振時刻
によってその照射位置が一義的に決定され、順次ダムバ
ーが切断され、確実かつ高速に加工が行える。In the above, the laser beam axis is relatively moved with respect to the workpiece by the conveying means at a predetermined speed, but the irradiation time of the pulse laser beam (hereinafter referred to as pulse width) is extremely short. Since the moving distance at that time is very small, the blown portion of the dam bar may be regarded as about the width of the spot. Therefore, when the laser optical axis is moved with respect to the workpiece, the oscillation time of the pulse laser light is obtained. Thus, the irradiation position is uniquely determined, the dam bar is sequentially cut, and processing can be performed reliably and at high speed.
【0026】また、本発明においては、制御手段で次の
ような処理によりパルスレーザ光が照射される。即ち、
比較手段で検出信号が二値化されて矩形波信号となり、
遅延手段でその矩形波信号に所定の遅延時間が与えら
れ、それに基づいてパルスレーザ光が発振する。この遅
延時間を個々のダムバーの幅、即ちリード間隙(スリッ
ト部)の幅に応じて適当に選べば、ダムバーの中央に正
確にパルスレーザ光が照射される。In the present invention, the control means irradiates a pulse laser beam by the following processing. That is,
The detection signal is binarized by the comparing means into a square wave signal,
A predetermined delay time is given to the rectangular wave signal by the delay means, and the pulse laser light oscillates based on the predetermined delay time. If this delay time is appropriately selected according to the width of each dam bar, that is, the width of the lead gap (slit portion), the center of the dam bar can be accurately irradiated with the pulse laser beam.
【0027】上記において、検出位置がリード(ウエブ
部)の端部(終わり)を検出し、スリット部に入って移
動して行き、次のリードの始まりを検出した時点で、そ
のスリット部の幅即ちダムバーの長さがわかる。ここ
で、レーザ光軸に対して光検出手段の検出位置が少なく
ともダムバー付近のスリット部の幅以上先行しているこ
とにより、検出位置がそのリードの始まりを検出した時
点では、レーザ光軸は検出位置よりスリット部の幅以上
遅れた位置(後方)、つまりスリット部の始まりの位置
よりも後方にあることになる。これにより、レーザ光軸
がスリット部の始まりの位置に到達するまでの間にその
スリットに対応するダムバーの長さがわかる。このダム
バーの長さをもとにその半分の長さ、即ちスリット部の
始まりの位置からダムバーの中央までの長さが求まり、
そのダムバーの中央までの長さを移動する時間が求ま
る。従って、レーザ光軸がスリット部の始まりの位置を
通過した時点から時間を計測して上記ダムバー中央まで
の時間が経過したところでパルスレーザ光を発振させる
ことができ、これにより、ダムバーの中央にパルスレー
ザ光を照射することができる。In the above description, the detection position detects the end (end) of the lead (web portion), moves into the slit portion, moves, and when the start of the next lead is detected, the width of the slit portion is detected. That is, the length of the dam bar can be known. Here, since the detection position of the light detection means precedes the laser optical axis by at least the width of the slit portion near the dam bar, the laser optical axis is detected when the detection position detects the start of the lead. The position is behind the position (rearward) more than the width of the slit portion, that is, the position behind the start position of the slit portion. Thus, the length of the dam bar corresponding to the slit can be known before the laser optical axis reaches the position of the beginning of the slit. Based on the length of this dam bar, half the length, that is, the length from the starting position of the slit portion to the center of the dam bar is obtained,
The time to travel to the center of the dam bar is determined. Therefore, pulse laser light can be oscillated when the time from the time when the laser optical axis passes through the starting position of the slit portion to the center of the dam bar elapses, whereby the pulse is emitted to the center of the dam bar. Irradiation with laser light can be performed.
【0028】光検出手段において前述のような信号処理
に従う場合には、遅延手段における遅延時間は、上記レ
ーザ光軸に対する検出位置の先行距離の移動時間と、そ
の光軸がスリット部の始まりを通過してからスリット部
の中央、即ちダムバーの中央に到達するまでの時間との
和となる。When the light detection means follows the above-described signal processing, the delay time of the delay means is the movement time of the preceding distance of the detection position with respect to the laser optical axis, and the optical axis passes through the beginning of the slit. Then, it is the sum of the time required to reach the center of the slit portion, that is, the center of the dam bar.
【0029】また、本発明では、ビーム形状変更手段に
よってパルスレーザ光を細長い断面形状のパルスレーザ
光に変換する。この時、そのパルスレーザ光の照射位置
におけるスポットの長手方向の寸法がダムバーの幅より
も十分長くなるようにし、かつそのパルスレーザ光断
面、従ってスポットを光軸まわりに適宜回転変位させて
その長手方向をリードの長手方向とほぼ一致させる。そ
して、上記スポットがダムバーを幅方向に差し渡すよう
にすることにより、一回のパルスレーザ光の照射により
ダムバーを確実に切断することができる。According to the present invention, the pulse laser beam is converted into a pulse laser beam having an elongated cross section by the beam shape changing means. At this time, the length in the longitudinal direction of the spot at the irradiation position of the pulse laser light is set to be sufficiently longer than the width of the dam bar, and the pulse laser light cross section, that is, the spot is appropriately rotated and displaced around the optical axis to extend the length. The direction is made substantially coincident with the longitudinal direction of the lead. Then, by damping the dam bar in the width direction, the dam bar can be reliably cut by a single irradiation of the pulse laser beam.
【0030】また、本発明のように被加工物を移動させ
ながらその進行方向に検出位置を移動させ順次ダムバー
を切断していく方式では、移動方向即ちリードの長手方
向に直交する方向の検出精度、従ってレーザ光軸の位置
決め精度が高く、リードの長手方向に直交する方向のパ
ルスレーザ光による加工精度の確保は十分にできる。こ
れに対し、リードの長手方向には検出位置を移動させな
いため、レーザ光軸の高い位置決め精度を確保すること
は難しい。ところが、上記のように細長い断面形状のパ
ルスレーザ光を用い、そのスポットの長手方向の寸法を
ダムバーの幅よりも十分長くしてその長手方向をリード
の長手方向とほぼ一致させることにより、リードの長手
方向におけるレーザ光軸の位置決め精度があまり高くな
くてもほとんど支障はなく、レーザ光軸がリードの長手
方向に少々ずれたとしても、やはり一回の照射によりダ
ムバーを幅方向に確実に切断することが可能である。In the method of moving the workpiece and moving the detection position in the traveling direction while cutting the dam bar sequentially as in the present invention, the detection accuracy in the moving direction, that is, the direction orthogonal to the longitudinal direction of the lead, is improved. Therefore, the positioning accuracy of the laser optical axis is high, and the processing accuracy by the pulse laser beam in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the lead can be sufficiently ensured. On the other hand, since the detection position is not moved in the longitudinal direction of the lead, it is difficult to ensure high positioning accuracy of the laser optical axis. However, by using a pulsed laser beam having an elongated cross-sectional shape as described above, by making the longitudinal dimension of the spot sufficiently longer than the width of the dam bar and making its longitudinal direction substantially coincide with the longitudinal direction of the lead, There is almost no problem even if the positioning accuracy of the laser optical axis in the longitudinal direction is not so high, and even if the laser optical axis is slightly shifted in the longitudinal direction of the lead, the dam bar is surely cut in the width direction by one irradiation. It is possible.
【0031】また、本発明では、光検出手段を複数の検
出要素で構成し、それらの検出要素がダムバーの幅より
も長い寸法の範囲を検出可能なように配列されているた
め、ダムバーの幅の変化、従ってダムバーの長手方向に
おける中心線を挟んだ両側の形状変化を容易に検出する
ことができ、これによってリードの配列状態、従って切
断すべきダムバーの位置を誤検出することなく正確に検
出することが可能となる。また、例えば個々の検出要素
の信号を互いに比較すれば、検出動作状況の妥当性の評
価、検出位置のねらいずれ寸法の測定、検出位置におけ
る検出光の光量の制御、各検出要素の故障検出等が行え
る。In the present invention, the light detecting means is constituted by a plurality of detecting elements, and the detecting elements are arranged so as to be able to detect a range having a dimension longer than the width of the dam bar. Change, and therefore the shape change on both sides of the longitudinal center line of the dam bar, can be easily detected, thereby accurately detecting the arrangement state of the leads and therefore the position of the dam bar to be cut without erroneous detection. It is possible to do. Also, for example, if the signals of the individual detection elements are compared with each other, it is possible to evaluate the validity of the detection operation state, measure the size of the aim of the detection position, control the amount of detection light at the detection position, detect failure of each detection element, etc. Can be performed.
【0032】上記の場合、検出光発生手段より細長い断
面形状の検出用レーザ光を発生させ、しかもその断面の
長手方向の寸法をダムバーの幅よりも長くすることによ
り、ダムバーを幅方向に検出用レーザ光を照射すること
ができ、これに対応して形状変化の検出が容易になる。
また、検出光として検出用レーザ光を使用することによ
り、形状変化に対応する検出信号の変化をシャープにす
ることができ、高い分解能で高精度な検出が行える。In the above case, the detection light generating means generates a detection laser beam having a thin and long cross-sectional shape, and furthermore, makes the longitudinal dimension of the cross section longer than the width of the dam bar so that the dam bar can be detected in the width direction. The laser beam can be irradiated, and the shape change can be easily detected correspondingly.
Further, by using the detection laser light as the detection light, the change of the detection signal corresponding to the shape change can be sharpened, and the detection can be performed with high resolution and high accuracy.
【0033】[0033]
【実施例】本発明によるダムバー加工装置及びダムバー
加工方法の一実施例について、図1から図10を参照し
ながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a dam bar processing apparatus and a dam bar processing method according to the present invention will be described with reference to FIGS.
【0034】図1は、本実施例のダムバー加工装置の概
略構成を模式的に示す図、図2は図1の一部を拡大して
示す図である。本実施例のダムバー加工装置は、図1に
示すように、加工系として、レーザ発振器10、ビーム
形状変更器11、加工ヘッド12、加工ノズル13、及
び搬送手段である加工テーブル21を備え、制御系とし
て、検出信号増幅器31、比較手段であるレベル判別器
32、リードフレーム形状判別器33、遅延手段である
ディレイ回路34、レーザ電源回路35、ビーム制御部
36、光源用電源37、テーブル制御部38、及び制御
回路30を備える。FIG. 1 is a view schematically showing a schematic configuration of a dam bar processing apparatus according to the present embodiment, and FIG. 2 is an enlarged view showing a part of FIG. As shown in FIG. 1, the dam bar processing apparatus according to the present embodiment includes a laser oscillator 10, a beam shape changer 11, a processing head 12, a processing nozzle 13, and a processing table 21 serving as a conveying means as a processing system. As a system, a detection signal amplifier 31, a level discriminator 32 as a comparison means, a lead frame shape discriminator 33, a delay circuit 34 as a delay means, a laser power supply circuit 35, a beam control section 36, a light source power supply 37, a table control section 38, and a control circuit 30.
【0035】ビーム形状変更器11は、凸型シリンドリ
カルレンズ11a及び凹型シリンドリカルレンズ11b
を有し、レーザ発振器10からのパルスレーザ光10A
の断面形状を細長い楕円形に変換する。また、凸型シリ
ンドリカルレンズ11a及び凹型シリンドリカルレンズ
11bの間隔を調整することによって断面の楕円形の偏
平率が変更できるようになっており、さらにビーム形状
変更器11自体がパルスレーザ光の光軸まわりに(図中
矢印の方向に)回転することにより、パルスレーザ光1
1Aの楕円形の断面が光軸まわりに回転変位するように
なっている。これらのビーム形状変更器11の調整はビ
ーム制御部36によって行われる。The beam shape changer 11 includes a convex cylindrical lens 11a and a concave cylindrical lens 11b.
And a pulsed laser beam 10A from the laser oscillator 10.
Is converted into an elongated ellipse. Further, by adjusting the interval between the convex cylindrical lens 11a and the concave cylindrical lens 11b, the elliptical flatness of the cross section can be changed, and further, the beam shape changer 11 itself rotates around the optical axis of the pulse laser light. (In the direction of the arrow in the figure), the pulsed laser light 1
The elliptical section of 1A is rotationally displaced around the optical axis. The adjustment of these beam shape changers 11 is performed by the beam control unit 36.
【0036】加工ヘッド12には、ベンディングミラー
14、及びカメラ15が備えられ、さらにカメラ15に
はモニターテレビ15aが接続されている。このカメラ
15及びモニターテレビ15aは加工前の取り付け状況
や加工中の加工状況を視覚的に観察するためのものであ
る。The processing head 12 is provided with a bending mirror 14 and a camera 15, and the camera 15 is connected to a monitor television 15a. The camera 15 and the monitor television 15a are for visually observing an installation state before processing and a processing state during processing.
【0037】図2に示すように、加工ノズル13はその
中心軸が被加工物であるワーク1(リードフレームに半
導体チップを搭載し樹脂モールドで一体的に封止した半
導体装置)に対して垂直になるように取り付けられてお
り、加工ノズル13内には、集光レンズ16、アシスト
ガス供給口17、検出光源41、及び光検出器42が備
えられている。検出光源41は、レーザ光軸13Cより
も先行した位置に検出光41Aを照射する。光検出器4
2は、受光面の法線がパルスレーザ光13Aのレーザ光
軸13Cに対して傾斜するように加工ノズル13に一体
的に取り付けられており、加工ノズル13の開口部13
aを通過した上記検出光41Aの反射光即ち検出光42
Aを入射させる。また、光検出器42にはバンドパスフ
ィルタ43、検出用レンズ44、フォトセンサ45が備
えられている。さらに、図1に矢印で示すように、加工
ノズル13全体は回転機構18により加工ヘッド12に
対して回転可能となっている。この回転機構18による
回転角度の調節は加工テーブル21の移動動作と連動し
てテーブル制御部38からの指令によって行われ、加工
進行方向が変更されたとしても、光検出器42の受光面
の法線がレーザ光軸13Cに対して常に加工進行方向と
は反対側に傾斜するようになっている。As shown in FIG. 2, the center axis of the processing nozzle 13 is perpendicular to the workpiece 1 (semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame and integrally sealed with a resin mold). The processing nozzle 13 is provided with a condenser lens 16, an assist gas supply port 17, a detection light source 41, and a photodetector 42. The detection light source 41 irradiates a position preceding the laser optical axis 13C with the detection light 41A. Photodetector 4
Numeral 2 is integrally attached to the processing nozzle 13 so that the normal line of the light receiving surface is inclined with respect to the laser optical axis 13C of the pulse laser beam 13A.
a reflected light of the detection light 41A passing through the
A is incident. The photodetector 42 includes a bandpass filter 43, a detection lens 44, and a photosensor 45. Further, as shown by an arrow in FIG. 1, the entire processing nozzle 13 is rotatable with respect to the processing head 12 by a rotation mechanism 18. Adjustment of the rotation angle by the rotation mechanism 18 is performed in accordance with a command from the table control unit 38 in conjunction with the movement operation of the processing table 21, and even if the processing progress direction is changed, the light receiving surface of the photodetector 42 is adjusted. The line is always inclined to the side opposite to the processing progress direction with respect to the laser optical axis 13C.
【0038】上記加工ノズル13におけるレーザ光軸1
3C及び光検出器42に入射する検出光42Aの傾斜方
向の幾何学的関係を図3に示す。図3に示すように、集
光レンズ16で集光されるパルスレーザ光13Aのレー
ザ光軸13Cに対し、検出光42Aが角度βだけ傾斜す
るようになっている。レーザ光軸13Cと検出光42A
とが互いに傾斜しているため、スパッタや、レーザプラ
ズマ、プルーム、加工用のパルスレーザ光の反射光等の
強烈な外乱光が光検出器42の方向に直接入射すること
が防止できる。但し、ここでは、加工進行方向は紙面左
方から右方であり、検出光42Aとレーザ光軸13Cの
中心線との交点付近が加工ノズル13の下面の位置に相
当し、その加工ノズル13の下面とワーク1の表面との
距離がhで表されている。Laser beam axis 1 in processing nozzle 13
FIG. 3 shows a geometrical relationship between 3C and the detection light 42A incident on the photodetector 42 in the inclination direction. As shown in FIG. 3, the detection light 42A is inclined by an angle β with respect to the laser optical axis 13C of the pulse laser light 13A condensed by the condenser lens 16. Laser optical axis 13C and detection light 42A
Are inclined with respect to each other, so that intense disturbance light such as sputter, laser plasma, plume, and reflected light of pulsed laser light for processing can be prevented from directly entering the photodetector 42. However, in this case, the processing progress direction is from the left to the right on the paper surface, and the vicinity of the intersection of the detection light 42A and the center line of the laser optical axis 13C corresponds to the position of the lower surface of the processing nozzle 13. The distance between the lower surface and the surface of the work 1 is represented by h.
【0039】また、光検出器42を加工ノズル13に一
体的に取り付け、加工ノズル13の開口部13aを通過
した検出光42Aを光検出器42に入射させるため、ス
パッタや強烈な外乱光、さらには外部から飛来するゴミ
やホコリの大部分が加工ノズル13によって遮られ、光
検出器42が保護される。また、検出光42Aを加工ノ
ズル13の外部で捕らえることがないため、その検出の
際に加工ノズル13の側面が障害となることがない。さ
らに、レーザ光軸13Cの直前の位置のリード3の配列
状態を検出し、すぐにパルスレーザ光13Aを照射して
加工を行うため、検出時から加工時までの間に外部から
の擾乱要素が入りにくい。それに加え、レーザ光軸13
Cと検出光42Aの相対的な位置関係が固定化され、加
工ノズル13が何らかの原因によって振動や変形を起こ
したり、または取り付け誤差が発生した場合において
も、レーザ光軸13Cと検出位置Pの相対的な位置関係
は変わらず検出の精度が維持される。また、光検出器4
2の構造を簡単にすることができ、強度及び耐久性が向
上する。Further, since the photodetector 42 is integrally attached to the processing nozzle 13 and the detection light 42A passing through the opening 13a of the processing nozzle 13 is made incident on the photodetector 42, spatter, strong disturbance light, Most of the dust and dust flying from the outside is blocked by the processing nozzle 13 and the photodetector 42 is protected. Further, since the detection light 42A is not captured outside the processing nozzle 13, the side surface of the processing nozzle 13 does not hinder the detection. Furthermore, since the arrangement state of the lead 3 at the position immediately before the laser optical axis 13C is detected and the pulse laser beam 13A is irradiated immediately to perform the processing, external disturbance elements occur between the detection and the processing. Difficult to enter. In addition, the laser optical axis 13
The relative positional relationship between C and the detection light 42A is fixed, and even if the processing nozzle 13 vibrates or deforms for some reason or an installation error occurs, the relative position between the laser optical axis 13C and the detection position P is increased. The positional relationship remains unchanged and the detection accuracy is maintained. Also, the photodetector 4
2 can be simplified, and the strength and durability are improved.
【0040】また、図3のように、光検出器42による
検出位置P(検出光42Aとワーク1表面との交点)が
パルスレーザ光13Aのワーク1上の集光位置Kに対し
て先行している距離(以下、先行距離という)ΔLはわ
ずかであるが、少なくともワーク1即ち半導体装置のダ
ムバー付近のスリット部の幅(図5のWm)以上の距離
に設定される。つまり、レーザ光軸13Cに対して検出
位置Pが少なくともダムバー付近のスリット部の幅以上
先行していることになる。尚、傾斜角度βをあまり大き
くすると、hのわずかな変化によっても検出位置の誤差
が大きくなってしまうから、この角度βは必要以上に大
きくすることは望ましくない。As shown in FIG. 3, the detection position P (intersection between the detection light 42A and the surface of the work 1) detected by the photodetector 42 precedes the focus position K of the pulse laser light 13A on the work 1. Although the distance (hereinafter referred to as the preceding distance) ΔL is small, it is set to be at least the width of the slit portion (W m in FIG. 5) near the work 1, that is, the dam bar of the semiconductor device. That is, the detection position P precedes the laser optical axis 13C by at least the width of the slit near the dam bar. If the inclination angle β is too large, the error in the detection position increases even with a slight change in h. Therefore, it is not desirable to increase the angle β more than necessary.
【0041】検出光源41の発光動作や光量の調整等
は、光源用電源37によって行われる。検出光源41を
外乱光よりも十分大きな光量を有するものとすれば、外
乱光の影響を少なくすることができる。また、この検出
光源41としては、例えば可視光(波長:0.4〜0.
7μm)、または可視光域のArレーザ(波長:0.5
14μm)またはHe−Neレーザ(波長:0.633
μm)等を発するものが好適である。これらを用いるこ
とにより、加工用のパルスレーザ光13A(10A)と
してよく用いられるCO2レーザ(波長:10.6μ
m)やYAGレーザ(波長:1.064μm)などのレ
ーザ光の反射光や散乱光の影響を減少することが可能で
あり、より確実かつ正確に検出を行うことができる。特
に、Arレーザはビームが広がりにくく、正規の設定位
置からずれると光検出器42に到達できないため、この
ことを利用して設定位置のくるいの検出を行うこともで
き、検出精度をさらに改善できる。バンドパスフィルタ
43は、必要とする波長の光のみを選択的に透過させる
ものであり、これによって外乱光の影響をできる限り排
除することができる。The light emitting operation of the detection light source 41 and the adjustment of the light amount are performed by the light source power supply 37. If the detection light source 41 has a light amount sufficiently larger than the disturbance light, the influence of the disturbance light can be reduced. Further, as the detection light source 41, for example, visible light (wavelength: 0.4 to 0.
7 μm) or an Ar laser in the visible light region (wavelength: 0.5
14 μm) or He-Ne laser (wavelength: 0.633)
μm) are preferred. By using these, a CO 2 laser (wavelength: 10.6 μm) often used as a pulse laser beam 13A (10A) for processing is used.
m) and the influence of reflected or scattered light of laser light such as a YAG laser (wavelength: 1.064 μm) can be reduced, and more reliable and accurate detection can be performed. In particular, since the beam of the Ar laser is difficult to spread and cannot reach the photodetector 42 if it deviates from the regular set position, it is possible to detect the roundness of the set position by using this fact, further improving the detection accuracy. it can. The bandpass filter 43 selectively transmits only light having a required wavelength, and thereby can eliminate the influence of disturbance light as much as possible.
【0042】加工テーブル21は被加工物であるワーク
1を搭載し、テーブル制御部38からの指令によってワ
ーク1を水平面内(これをXY平面内とする)に移動さ
せる。加工テーブル21は、図4に示すようにXテーブ
ル22、Yテーブル23、θテーブル24より構成され
ており、通常のダムバー加工時にはXテーブル22及び
Yテーブル23によってワーク1をレーザ光軸13Cに
対して移動させる。θテーブル24は、ワーク1を加工
テーブル21に搭載した後に、ワーク1の取り付け位置
の誤差の中でXY面内における回転角度誤差を補正する
ために用いる。即ち、ダムバー5の長手方向の中心線と
X軸またはY軸がほぼ一致するようにし、これにより、
ダムバー5の切断時の制御すべき軸数を削減することが
でき、一軸方向即ち送り方向のみの制御によって高い寸
法精度で加工することができる。The work table 21 mounts the work 1 which is a work to be processed, and moves the work 1 in a horizontal plane (this is defined as an XY plane) in accordance with a command from the table control unit 38. The processing table 21 is composed of an X table 22, a Y table 23 and a θ table 24 as shown in FIG. 4, and the workpiece 1 is moved by the X table 22 and the Y table 23 with respect to the laser optical axis 13C during normal dam bar processing. To move. table 24 is used to correct a rotation angle error in the XY plane among errors in the mounting position of the work 1 after the work 1 is mounted on the processing table 21. That is, the center line in the longitudinal direction of the dam bar 5 is made to substantially coincide with the X axis or the Y axis.
The number of axes to be controlled at the time of cutting the dam bar 5 can be reduced, and processing can be performed with high dimensional accuracy by controlling only one axial direction, that is, the feed direction.
【0043】上記のような構成において、レーザ電源回
路35の制御のもとにレーザ発振器10よりパルスレー
ザ光10Aが発せられる。そして、ビーム形状変更器1
1を経て加工ヘッド12に入射したパルスレーザ光11
Aは、ベンディングミラー14で方向が変えられ、集光
レンズ16で集光されパルスレーザ光13Aとなって加
工ノズル13先端の開口部13aを通過し、ワーク1上
に照射される。また、検出光源41から発せられた検出
光41Aは、ワーク1表面の検出位置Pに照射された後
反射し、検出光42Aとなって光検出器42に入射す
る。光検出器42に入射した検出光42Aは、バンドパ
スフィルタ43で不必要な波長部分が除かれ、検出用レ
ンズ44でフォトセンサ45に集光される。フォトセン
サ45からは、ワーク1表面の情報、即ち半導体装置に
おけるリードの配列状態の情報を含んだ電気的な検出信
号が発せられる。ここで、検出光41Aとして前述のよ
うなレーザ光を用いれば、上記ワーク1表面のリードの
配列状態の情報(材料の有無や形状変化)に基づく検出
信号(図7参照)の立ち上がり(応答)がシャープにな
り、高い分解能で高精度な検出が行える。In the above configuration, the laser oscillator 10 emits a pulse laser beam 10 A under the control of the laser power supply circuit 35. And the beam shape changer 1
1 and a pulsed laser beam 11 incident on the processing head 12
A is changed in direction by the bending mirror 14, is condensed by the condensing lens 16, becomes a pulsed laser beam 13A, passes through the opening 13a at the tip of the processing nozzle 13, and is irradiated onto the work 1. Further, the detection light 41A emitted from the detection light source 41 is applied to the detection position P on the surface of the work 1 and then reflected, becomes the detection light 42A, and enters the photodetector 42. An unnecessary wavelength portion of the detection light 42A that has entered the photodetector 42 is removed by a bandpass filter 43, and is condensed on a photosensor 45 by a detection lens 44. From the photo sensor 45, an electrical detection signal including information on the surface of the work 1, that is, information on the arrangement state of the leads in the semiconductor device is issued. Here, if the above-described laser light is used as the detection light 41A, the rise (response) of the detection signal (see FIG. 7) based on the information of the arrangement state of the leads on the surface of the work 1 (the presence or absence of a material or a change in shape) Is sharp, and high-precision detection with high resolution can be performed.
【0044】また、アシストガス供給口17より供給さ
れたアシストガス17Aが加工ノズル13の開口部13
aより噴射される。このアシストガス17Aは、本実施
例に限らず溶断加工であるレーザ加工を行う際に、一般
的に用いられるものであり、溶融物の大部分を吹き飛ば
して良好な加工を行うためのものである。また、加工ノ
ズル13の開口部13aの直径は0.5〜1.5mmが
適当であり、加工ノズル13先端とワーク1の間隔hは
0.5〜1.5mmの範囲が望ましい。特に、加工ノズ
ル13先端とワーク1の間隔hを上記の範囲にすること
により、良好な加工結果が得られると共に、加工ノズル
13がワーク1表面やその表面上に付着した異物と接触
する事故を避けることができる。The assist gas 17 A supplied from the assist gas supply port 17 is supplied to the opening 13 of the processing nozzle 13.
Injected from a. The assist gas 17A is generally used not only in the present embodiment but also when performing laser processing as fusing processing, and is used to blow off most of the melt and perform good processing. . The diameter of the opening 13a of the processing nozzle 13 is suitably 0.5 to 1.5 mm, and the distance h between the tip of the processing nozzle 13 and the work 1 is preferably in the range of 0.5 to 1.5 mm. In particular, by setting the distance h between the tip of the processing nozzle 13 and the work 1 in the above range, good processing results can be obtained, and an accident that the processing nozzle 13 comes into contact with the surface of the work 1 or a foreign substance adhered on the surface is prevented. Can be avoided.
【0045】さらに、加工ノズル13内部のアシストガ
ス17Aの噴射により、加工ノズル13内部にスパッ
タ、ゴミやホコリ等が入ってくることが防止され、光検
出器42にそれらスパッタ、ゴミやホコリ等が付着する
ことを防止される。また、通常、光検出器42のフォト
センサ45は一般に耐熱性が低いが、上記アシストガス
17Aによる空冷効果がある程度期待できるため、熱に
よる破損等を回避できる。Furthermore, the injection of the assist gas 17A inside the processing nozzle 13 prevents spatter, dust, dust, and the like from entering the inside of the processing nozzle 13, and the sputter, dust, dust, and the like enter the photodetector 42. It is prevented from sticking. In general, the photosensor 45 of the photodetector 42 generally has low heat resistance. However, since the air cooling effect by the assist gas 17A can be expected to some extent, damage due to heat can be avoided.
【0046】以上の構成のうち、レーザ電源回路35、
ビーム制御部36、光源用電源37、及びテーブル制御
部38は制御回路30によって制御される。The laser power supply circuit 35,
The beam controller 36, the power source 37 for the light source, and the table controller 38 are controlled by the control circuit 30.
【0047】次に、以上のようなダムバー加工装置によ
って半導体装置の一辺にあるダムバーを切断する動作を
説明する。まず、ワーク1即ち半導体装置の構造を図5
(a)により説明する。図5(a)において、この半導
体装置1はリードフレーム2に半導体チップ(図示せ
ず)を搭載し、対応する端子間を金線等で電気的に接続
した後に樹脂モールド4で一体的に封止したものであ
る。ダムバー5はリードフレーム2の各リード3間に設
けられ、樹脂モールド4の封止時に樹脂がリード間から
流れ出るのを防止し、かつ各リード3を補強している。
本実施例では、このダムバー5を上記ダムバー加工装置
によって切断除去する。但し、図5(a)ではダムバー
5が切断されていないものが示されており、この半導体
装置1は厳密に言えば製造途中の段階にあるが、本発明
では簡単のためこのような製造途中の段階にあるものも
半導体装置と称することとする。Next, the operation of cutting the dam bar on one side of the semiconductor device by the above dam bar processing apparatus will be described. First, the structure of the work 1, that is, the semiconductor device is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. In FIG. 5A, in a semiconductor device 1, a semiconductor chip (not shown) is mounted on a lead frame 2 and corresponding terminals are electrically connected to each other with a gold wire or the like, and then integrally sealed with a resin mold 4. It is stopped. The dam bar 5 is provided between the leads 3 of the lead frame 2 to prevent the resin from flowing out between the leads when the resin mold 4 is sealed, and to reinforce each lead 3.
In this embodiment, the dam bar 5 is cut and removed by the dam bar processing device. However, FIG. 5 (a) shows a case where the dam bar 5 is not cut, and the semiconductor device 1 is strictly in the process of being manufactured. The device at the stage of is referred to as a semiconductor device.
【0048】このような半導体装置1の樹脂モールド4
封止時に収縮変形等があった場合には、多数のリード3
について見ると累積誤差が問題となるが、個々のリード
3について見れば誤差は極わずかであり、ある程度の寸
法精度は維持されているとみなされる。本実施例ではこ
のことを利用してある程度の寸法精度が維持されている
個々のリード3の配列状況を検出し、その検出信号を基
にして個々のダムバー5に対する加工位置を決定し、加
工を行う。The resin mold 4 of such a semiconductor device 1
If there is shrinkage deformation during sealing, a large number of leads 3
, The accumulated error is a problem. However, the error is very small for each lead 3, and it is considered that a certain degree of dimensional accuracy is maintained. In this embodiment, utilizing this fact, the arrangement status of the individual leads 3 for which a certain degree of dimensional accuracy is maintained is detected, and the processing position for each dam bar 5 is determined based on the detection signal, and the processing is performed. Do.
【0049】図5(b)は、ダムバー5の加工状況の説
明図であって、図5(a)のB部拡大図である。ダムバ
ー5の切断に際しては、ワーク1を加工テーブル21に
よって移動させ、加工ノズル13のワーク1に対する位
置を例えばX軸の正方向に一定速度v0で相対的に移動
させる。但し、X軸及びY軸を図のように定める。ま
た、半導体装置ではスリット部6の幅がリード3の幅と
ほぼ等しいことが多いため、図5(b)においてもその
ように表した。FIG. 5B is an explanatory view of the processing state of the dam bar 5, and is an enlarged view of a portion B in FIG. 5A. Upon cleavage of the dam bar 5 moves the workpiece 1 by the processing table 21, is relatively moved at a constant speed v 0 of the position with respect to the workpiece 1, for example, in the positive direction of the X axis of the processing nozzle 13. However, the X axis and the Y axis are determined as shown in the figure. In many cases, the width of the slit 6 is almost equal to the width of the lead 3 in a semiconductor device.
【0050】この時の検出光41Aの照射範囲41B
は、図に示すようにダムバー5の幅dよりも長く、かつ
ダムバー5の幅dを差し渡すようにする。このように照
射範囲41Bを設定することにより、ダムバー5付近に
おける特定の検出位置の情報を光検出器42によって容
易に検出することができる。また、前述のビーム形状変
更器11を適宜操作することにより、パルスレーザ光1
3Aの照射位置におけるスポット13Bを図のように長
手方向の寸法がダムバー5の幅dよりも十分長くなるよ
うにし、かつそのスポット13Bの長手方向をリード3
の長手方向とほぼ一致させる。そして、スポット13B
がダムバー5の幅dを差し渡すようにする。これによっ
て、一回のパルスレーザ光13Aの照射によりダムバー
を幅方向に切断することができる。At this time, the irradiation range 41B of the detection light 41A
Is longer than the width d of the dam bar 5 as shown in FIG. By setting the irradiation range 41B in this manner, information on a specific detection position near the dam bar 5 can be easily detected by the photodetector 42. By appropriately operating the beam shape changer 11 described above, the pulse laser beam 1
The spot 13B at the irradiation position of 3A is set so that its longitudinal dimension is sufficiently longer than the width d of the dam bar 5 as shown in FIG.
And the length direction substantially coincide. And spot 13B
Over the width d of the dam bar 5. Thereby, the dam bar can be cut in the width direction by one irradiation of the pulse laser beam 13A.
【0051】また、本実施例のようにワーク1を移動さ
せながらその進行方向に検出位置Pを移動させ順次ダム
バー5を切断していく方式では、移動方向即ちリード3
の長手方向に直交する方向の検出精度、従ってレーザ光
軸13Cの位置決め精度が高く、リード3の長手方向に
直交する方向のパルスレーザ光13Aによる加工精度の
確保は十分にできる。これに対し、リード3の長手方向
には検出位置を移動させないため、レーザ光軸13Cの
高い位置決め精度を確保することは難しい。ところが、
上記のように細長い断面形状のパルスレーザ光13Aを
用い、そのスポット13Bの長手方向の寸法をダムバー
5の幅よりも十分長くしてその長手方向をリード3の長
手方向とほぼ一致させることにより、リード3の長手方
向におけるレーザ光軸13Cの位置決め精度があまり高
くなくてもほとんど支障はなく、レーザ光軸13Cがリ
ード3の長手方向に少々ずれたとしても、やはり一回の
照射によりダムバー5を幅dの方向に切断することが可
能である。In the method in which the detection position P is moved in the moving direction of the work 1 while moving the work 1 and the dam bar 5 is sequentially cut as in this embodiment, the moving direction, ie, the lead 3
Therefore, the detection accuracy in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the lead 3, that is, the positioning accuracy of the laser optical axis 13C is high, and the processing accuracy by the pulse laser beam 13A in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the lead 3 can be sufficiently ensured. On the other hand, since the detection position is not moved in the longitudinal direction of the lead 3, it is difficult to ensure high positioning accuracy of the laser optical axis 13C. However,
By using the pulse laser beam 13A having an elongated cross section as described above, by making the longitudinal dimension of the spot 13B sufficiently longer than the width of the dam bar 5, and making the longitudinal direction substantially coincide with the longitudinal direction of the lead 3. Even if the positioning accuracy of the laser optical axis 13C in the longitudinal direction of the lead 3 is not so high, there is almost no problem. Even if the laser optical axis 13C is slightly displaced in the longitudinal direction of the lead 3, the dam bar 5 can still be irradiated by one irradiation. It is possible to cut in the direction of the width d.
【0052】図6は、光検出器42におけるフォトセン
サ45の感光面の配列を示した図である。図6に示すよ
うに、フォトセンサ45を複数個(1,2,3,…,i-
1,i)の検出要素45aを直線上に配列したラインフォ
トセンサで構成する。また、フォトセンサ45はダムバ
ー5を含みかつダムバー5の幅dよりも十分長い寸法の
範囲を検出可能なように配置されている。但し、図にお
いて二点鎖線はダムバー5の形状に対応している。例え
ば、1,2,3,4及びi-3,i-2,i-1,iを付した検出
要素45a(図中斜線を付したもの)はダムバー5表面
からの反射光がないためローレベル(暗い状態)とな
り、それ以外の検出要素45a(図中斜線を付していな
いもの)はダムバー5表面からの反射光があるためハイ
ベル(明るい状態)となり、これによりダムバー5の近
傍のリードの配列状況、即ちリードの有無が検出され
る。FIG. 6 is a view showing the arrangement of the photosensitive surface of the photosensor 45 in the photodetector 42. As shown in FIG. 6, a plurality of photo sensors 45 (1, 2, 3,..., I-
The detection element 45a of (1), i) is constituted by a line photosensor in which the detection elements 45a are arranged on a straight line. The photo sensor 45 includes the dam bar 5 and is arranged so as to be able to detect a range having a dimension sufficiently longer than the width d of the dam bar 5. However, the two-dot chain line in the figure corresponds to the shape of the dam bar 5. For example, the detection elements 45a (hatched in the figure) with 1, 2, 3, 4 and i-3, i-2, i-1, i are low because there is no reflected light from the surface of the dam bar 5. Level (dark state), and other detection elements 45a (those not shaded in the figure) become high levels (bright state) due to the reflected light from the surface of the dam bar 5, thereby leading to the lead near the dam bar 5. , That is, the presence or absence of a read is detected.
【0053】図5(b)に戻り、良好なダムバー切断を
行うためにはダムバー5の長手方向の中心線上、即ち軌
跡A1−A2上でレーザ光軸13Cを相対的に移動させる
ことが必要である。しかし、未加工状態ではこの軌跡A
1−A2上に形状変化は全くないため、この軌跡上ではリ
ードの配列状態を検出することが不可能である。これに
対し、軌跡A1−A2から少し離れた軌跡B1−B2または
軌跡C1−C2に沿って検出位置Pを移動させればリード
の配列状況を検出することができる。Returning to FIG. 5B, in order to perform good dam bar cutting, the laser optical axis 13C is relatively moved on the longitudinal center line of the dam bar 5, that is, on the locus A 1 -A 2. is necessary. However, in the unprocessed state, this locus A
Since 1 -A 2 no shape change over, on the trajectory is impossible to detect the arrangement state of the lead. On the other hand, if the detection position P is moved along the trajectory B 1 -B 2 or the trajectory C 1 -C 2 slightly away from the trajectory A 1 -A 2 , the arrangement state of the leads can be detected.
【0054】このため、図6の検出要素45aのうち、
例えば1や2またはi-1やiを付したものにおける検出結
果(検出信号)を利用することとする。また、これによ
り、レーザ光軸13Cの軌跡がA1−A2からはずれた場
合には、各々の検出要素45aからの検出信号レベルの
変化状況から、速やかにはずれた状況を検出することが
可能であり、リードの配列状況の誤検出を避けることが
できる。このように、フォトセンサ45を多数の検出要
素45aで構成することにより、加工位置近傍における
検出動作の信頼性を向上することができる。但し、通常
は、ダムバー5付近のリード3の端面にはRが付いてい
ることが多く、検出に影響を与えることも考えられるの
で、検出位置Pの軌跡B1−B2またはC1−C2はこのR
を避けて少なくともリードの平行部を横切るように設定
するのが望ましい。さらに、ダムバー5の樹脂モールド
4側にはレジンばりが存在し、検出精度に影響する可能
性もあるため、検出位置Pの軌跡としては、B1−B2を
選ぶ方がより望ましい。For this reason, of the detection elements 45a in FIG.
For example, the detection result (detection signal) of the one with 1 or 2 or i-1 or i is used. In addition, when the trajectory of the laser optical axis 13C deviates from A 1 -A 2, it is possible to quickly detect the deviating state from the change state of the detection signal level from each detection element 45a. Thus, erroneous detection of the arrangement state of the leads can be avoided. As described above, by configuring the photo sensor 45 with a large number of detection elements 45a, the reliability of the detection operation near the processing position can be improved. However, usually, the end face of the lead 3 near the dam bar 5 is often provided with an R, which may affect the detection, so that the locus B 1 -B 2 or C 1 -C of the detection position P is considered. 2 is this R
It is desirable to set so as to cross at least the parallel portion of the lead avoiding the above. Furthermore, since resin burrs exist on the resin mold 4 side of the dam bar 5 and may affect the detection accuracy, it is more preferable to select B 1 -B 2 as the trajectory of the detection position P.
【0055】また、例えば個々の検出要素45aの信号
を互いに比較すれば、検出動作状況の妥当性の評価、検
出位置Pのねらいずれ寸法の測定、検出位置Pにおける
検出光の光量の制御、各検出要素45aの故障検出等が
行える。Further, for example, by comparing the signals of the individual detection elements 45a with each other, it is possible to evaluate the validity of the detection operation situation, measure the size of the aim of the detection position P, control the amount of detected light at the detection position P, Failure detection of the detection element 45a can be performed.
【0056】光検出器42からの検出信号は検出信号増
幅器31に送られ、増幅される。これ以下の信号処理に
ついて、図1、図7及び図8により説明する。検出信号
増幅器31で増幅された光検出器42からの検出信号S
1の変化は図7に示すようにリード(ウエブ部)3で高
い出力となり、スリット部6で低い出力となる。但し、
m番目のスリット部6の幅をWmとする。その後この信
号S1は、レベル判定器32に入力され、レベル判定器
32に内蔵されたコンパレータによって所定の敷居値E
0で二値化され(S2)、リードフレーム形状判別器33
に入力される。The detection signal from the photodetector 42 is sent to the detection signal amplifier 31 and amplified. The following signal processing will be described with reference to FIG. 1, FIG. 7 and FIG. Detection signal S from photodetector 42 amplified by detection signal amplifier 31
The change of 1 results in a high output at the lead (web portion) 3 and a low output at the slit portion 6 as shown in FIG. However,
the width of the m-th slit portion 6 and W m. Thereafter, the signal S 1 is input to the level determiner 32, and a predetermined threshold value E is set by a comparator built in the level determiner 32.
It is binarized by 0 (S 2 ), and the lead frame shape discriminator 33
Is input to
【0057】リードフレーム形状判別器33は微分回路
で構成され、この微分回路でレベル判定器32からの信
号S2の立ち上がり及び立ち下がりに対応する信号S3が
作成される。ここで、図7のtmはスリット部6の幅Wm
を速度v0で移動する時間であり、tm=Wm/v0であ
る。この段階でm番目のスリット部6の幅、即ちダムバ
ーの長さWmが測定されたことになる。上記、信号S3は
ディレイ回路34に入力される。[0057] Lead frame shape discriminator 33 is composed of a differential circuit, the signal S 3 corresponding to the rise and fall of the signal S 2 from the level comparator 32 in the differentiating circuit is created. Here, t m in FIG. 7 is the width W m of the slit 6.
At the speed v 0 , and t m = W m / v 0 . Width of the m-th slit section 6 at this stage, that is, the length W m of the dam bar was measured. Above, the signal S 3 is inputted to the delay circuit 34.
【0058】ディレイ回路34はマイコンで構成され、
図8に示すように、第1積算カウンタ34a、減算カウ
ンタ34b、第1ホールド回路34c、第2積算カウン
タ34d、及び第2ホールド回路34eを備える。ディ
レイ回路34では、まずリードフレーム形状判別器33
からの信号S3に対応して第1積算カウンタ34aで信
号S4が作成される。この第1積算カウンタ34aで
は、信号S3が正のパルス出力(スリット部6の始まり
に対応する)を発した時刻Tm0から負のパルス出力を発
するまでの間(tmの間)に積算が行われ、その後次の
正のパルス出力までの間にその積算した値が保持され、
次の正のパルス出力を発した時点で積算された値がリセ
ットされて再び積算が行われる。この時、ディレイ回路
34のマイコンのクロックタイム(処理を行うための単
位発振周期)をΔtとすると、tmの間のクロックタイ
ムΔtの個数はtm/Δtであるが、信号S4における積
算値nmは、上記tm/Δtの1/2、即ち次式(1)を
満たすように決められる。The delay circuit 34 is constituted by a microcomputer.
As shown in FIG. 8, a first integration counter 34a, a subtraction counter 34b, a first hold circuit 34c, a second integration counter 34d, and a second hold circuit 34e are provided. In the delay circuit 34, first, the lead frame shape discriminator 33
Signal S 4 is produced in the first integrating counter 34a corresponds to the signal S 3 from. In the first integrating counter 34a, integrated into the signal S 3 is positive pulse output period from time T m0 having issued (corresponding to the beginning of the slit portion 6) to emit a negative pulse output (between t m) Is performed, and then the integrated value is held until the next positive pulse output,
When the next positive pulse output is issued, the integrated value is reset and the integration is performed again. In this case, the microcomputer of the clock time of the delay circuit 34 (unit oscillation period for processing) and Delta] t, but the number of clock time Delta] t between t m is t m / Delta] t, integrated in the signal S 4 The value nm is determined so as to satisfy 1/2 of the above-mentioned t m / Δt, that is, the following equation (1).
【0059】[0059]
【数1】 (Equation 1)
【0060】上記nmの値はWmの間を移動する間
(tm)に刻まれるクロックタイムΔtの数の半分の値
である。従って、第1積算カウンタ34aでnmの値ま
で積算することは、m番目のダムバー5(長さWm)の
中央(Wm/2)を求めること、従ってスリット部6の
始まりを検出した時刻Tm0からダムバー5の中央までの
移動時間(tm/2)を求めることと同等である。The value of n m is a value that is half of the number of clock times Δt that are carved while moving between W m (t m ). Therefore, the integration up to the value of nm by the first integration counter 34a means that the center (W m / 2) of the m-th dam bar 5 (length W m ) is obtained, and thus the beginning of the slit portion 6 is detected. it and is equivalent to obtaining the time T m0 time to center of the dam bars 5 from (t m / 2).
【0061】次に、この信号S4に対応して減算カウン
タ34bで信号S5が作成される。この減算カウンタ3
4bでは、第1積算カウンタ34aの積算開始時Tm0よ
り基準値Nより減算が開始される動作と、0になったと
ころ(時刻Tm1)で再び基準値Nにセットされる動作が
繰り返される。ここで、信号S5における基準値Nは、
前述の先行距離(図3のPKの距離)ΔLを用いて、次
の式を満たすように決められる。Next, the signal S 5 is generated by the down counter 34b corresponds to the signal S 4. This subtraction counter 3
In 4b, the operation of starting the subtraction from the reference value N from the integration start time Tm0 of the first integration counter 34a and the operation of setting the reference value N again when it becomes 0 (time Tm1 ) are repeated. . Here, the reference value N in the signal S 5,
Using the preceding distance (the distance of PK in FIG. 3) ΔL, the distance is determined so as to satisfy the following equation.
【0062】[0062]
【数2】 (Equation 2)
【0063】上記基準値Nは、先行距離ΔLを移動する
間に刻まれるクロックタイムΔtの数を表す。従って、
減算カウンタ34bで基準値Nの値から0まで減算する
ことは、光検出器42でスリット部6の始まりを検出し
た時刻Tm0に、先行距離ΔLを移動する間の遅延時間t
Lを加えることと同等である。但し、tL=ΔL/v0で
ある。この条件のもとでは、光検出器42でスリット部
6の始まりを検出してから遅延時間tL後の時刻Tm1に
レーザ光軸13Cがスリット部6の始まりの位置に来る
ことになる。The reference value N represents the number of clock times Δt that are engraved while moving the preceding distance ΔL. Therefore,
The subtraction of the reference value N from the value of the reference value N to 0 by the subtraction counter 34b is equivalent to the delay time t during the movement of the preceding distance ΔL at the time T m0 when the start of the slit section 6 is detected by the photodetector 42.
It is equivalent to adding L. Here, t L = ΔL / v 0 . Under this condition, the laser optical axis 13C comes to the position of the beginning of the slit portion 6 at a time T m1 after the delay time t L from the detection of the beginning of the slit portion 6 by the photodetector 42.
【0064】ここで、レーザ光軸13Cに対して検出位
置Pがスリット部6の幅Wm以上先行していること、即
ちΔL≧Wmであることにより、tL≧tmとなり、光検
出器42がリード3の始まりを検出した時点(Tm0+t
m)では、レーザ光軸13Cは検出位置PよりΔL(≧
Wm)だけ遅れた後方にある。その後さらにレーザ光軸
13Cが移動してスリット部6の始まりの位置に到達す
る(時刻Tm1)。次の第1ホールド回路34c以下にお
ける信号処理は、上記時刻Tm1に、レーザ光軸13Cが
スリット部6の始まりからダムバー5の中央まで移動す
る時間(tm/2)を遅延時間として与えるものであ
る。[0064] Here, the detection position P with respect to the laser optical axis 13C is ahead or width W m of the slit 6, namely by a ΔL ≧ W m, t L ≧ t m , and the photodetecting When the detector 42 detects the beginning of the lead 3 (T m0 + t
m ), the laser optical axis 13C moves from the detection position P by ΔL (≧
W m ) behind. Thereafter, the laser optical axis 13C further moves to reach the position where the slit portion 6 starts (time T m1 ). Signal processing in the following next first hold circuit 34c, to the time T m1, what gives time laser optical axis 13C is moved from the beginning of the slit portion 6 to the center of the dam bar 5 (t m / 2) as the delay time It is.
【0065】即ち、第1ホールド回路34cで信号S5
に対応して第1ホールド信号S6が作成される。この第
1ホールド回路34cでは、減算カウンタ34bにおい
て減算が行われている間(時刻Tm0〜Tm1)はパルスを
発生させず、減算カウンタ34bにおいて基準値Nが保
持されている間のみパルスを発生させる。That is, the signal S 5 is output from the first hold circuit 34c.
First hold signal S 6 is generated corresponding to the. In the first hold circuit 34c, no pulse is generated while the subtraction is performed in the subtraction counter 34b (time T m0 to T m1 ), and the pulse is generated only while the reference value N is held in the subtraction counter 34b. generate.
【0066】続いて、上記第1ホールド信号S6に基づ
き第2積算カウンタ34dで信号S7が作成される。こ
の第2積算カウンタ34dでは、第1ホールド信号S6
の立ち上がり時Tm1から積算値nmまで積算が行われ、
保持された後、次の第1ホールド信号S6の立ち上がり
時にリセットされて再び積算が行われる。この時の積算
値nmは第1積算カウンタ34aより与えられる。[0066] Subsequently, the signal S 7 is created in the second integrating counter 34d on the basis of the first hold signal S 6. In the second integration counter 34d, the first hold signal S 6
Accumulated from the rising time T m1 until the integrated value n m is performed,
After being held, the accumulated again performed is reset at the rising edge of the first hold signal S 6 follows. Integrated value n m at this time is given from the first integration counter 34a.
【0067】さらに、この信号S7に基づき第2ホール
ド回路34eで第2ホールド信号S8が作成される。こ
の第2ホールド回路34eでは、第2積算カウンタ34
dにおいて積算が行われている間はパルスを発生させ
ず、第2積算カウンタ34dにおいて積算値nmが保持
されている間のみパルスを発生させる。第2ホールド信
号S8において、積算値nmまでの積算が完了した時刻T
m2は、光検出器42でスリット部6の始まりを検出した
時刻Tm0に、先行距離ΔLを移動する間の遅延時間tL
を加え(時刻Tm1)、さらにm番目のダムバー5の中央
まで移動する遅延時間tm/2を加えた時刻となる。
尚、上記では、リードフレーム形状判別器33とディレ
イ回路34とを別々の回路として説明したが、これらの
処理は1チップのマイコンで容易に実現できるため、リ
ードフレーム形状判別器33とディレイ回路34とをマ
イコンで構成された1つの回路としてまとめてもよい。[0067] Further, the second hold signal S 8 is created in the second hold circuit 34e on the basis of the signal S 7. In the second hold circuit 34e, the second integrating counter 34
The pulse is not generated while the integration is being performed at d, but is generated only while the integrated value nm is held in the second integration counter 34d. In the second hold signal S 8, the time T that the integration until the integrated value n m completed
m2 is a delay time t L during the movement of the preceding distance ΔL at time T m0 when the start of the slit section 6 is detected by the photodetector 42.
(Time T m1 ), and a delay time t m / 2 for moving to the center of the m-th dam bar 5 is added.
In the above description, the lead frame shape discriminator 33 and the delay circuit 34 are described as separate circuits. However, since these processes can be easily realized by a one-chip microcomputer, the lead frame shape discriminator 33 and the delay circuit 34 May be put together as one circuit constituted by a microcomputer.
【0068】上記ディレイ回路34からの第2ホールド
信号S8は図1のレーザ電源回路35に入力される。レ
ーザ電源回路35では、第2ホールド信号S8の立ち上
がり(時刻Tm2)をもとにレーザ用トリガ信号が発生
し、これがレーザ発振器10に入力されて、パルスレー
ザ光10Aが発振する。以上の信号処理により、ダムバ
ー5の中央にパルスレーザ光13Aが照射されるように
することができる。尚、図7では、パルスレーザ光の発
振時刻の延長線上にダムバー5の中央が位置していない
が、これは図7のダムバー5の位置が光検出器42で検
出すべき時刻(パルスレーザ光の発振時刻よりもtLだ
け先行している)に対応して描かれているからであり、
パルスレーザ光の発振時刻に対応させてダムバー5の位
置が知りたければ、図7のダムバー5の位置を横軸の正
方向にtLだけずらせばよく、これによってダムバー5
の中央でパルスレーザ光の発振が行われることが理解で
きる。The second hold signal S 8 from the delay circuit 34 is input to the laser power supply circuit 35 shown in FIG. The laser power supply circuit 35, a laser trigger for signal is generated based on the rising (time T m @ 2) of the second hold signal S 8, which is input to the laser oscillator 10, a pulse laser beam 10A is oscillated. Through the above signal processing, the center of the dam bar 5 can be irradiated with the pulse laser beam 13A. In FIG. 7, the center of the dam bar 5 is not located on an extension of the oscillation time of the pulse laser light. However, this is because the position of the dam bar 5 in FIG. Because it is ahead of the oscillation time of t by t L ).
If it is desired to know the position of the dam bar 5 in accordance with the oscillation time of the pulse laser beam, the position of the dam bar 5 in FIG. 7 may be shifted in the positive direction of the horizontal axis by t L.
It can be understood that the oscillation of the pulse laser light is performed at the center of.
【0069】上記において、パルスレーザ光のパルス幅
は、実際には0.1〜1msec程度と極めて短時間で
あり、その間にレーザ光軸13Cがワーク1に対して相
対的に移動する移動距離は極わずかであり、ダムバー5
の溶断される部分はスポット13Bの幅程度とみなして
よい。従って、パルスレーザ光を発振させながら加工テ
ーブル21によってレーザ光軸13Cを速度v0で相対
的に移動させると、パルスレーザ光13Aの発振時刻に
よってその照射位置が一義的に決定され、順次ダムバー
5が切断され、確実かつ高速に加工が行える。In the above description, the pulse width of the pulsed laser beam is actually extremely short, about 0.1 to 1 msec, during which the laser optical axis 13C moves relatively to the workpiece 1. Very small, dam bar 5
May be regarded as the width of the spot 13B. Therefore, when the laser beam axis 13C is relatively moved at the speed v 0 by the processing table 21 while oscillating the pulse laser light, the irradiation position is uniquely determined by the oscillation time of the pulse laser light 13A, and the dam bar 5 Is cut, and processing can be performed reliably and at high speed.
【0070】また、ダムバー5の中央にパルスレーザ光
13Aが照射されるため、その照射位置の偏りがなくな
り、図5(b)におけるダムバー5の切り残し幅w1及
びw2はほぼ等しくなる。従って、ダムバー5の切断後
に大きな幅の切り残しを形成すること避けられ、その切
り残し幅を品質管理上の許容値内に収めて高精度かつ良
好な形状を得ることが可能となる。さらに、リード3自
体に切欠き部分が形成されたりリード3自体が溶断され
るような事故を防ぐことができる。Further, since the center of the dam bar 5 is irradiated with the pulse laser beam 13A, the irradiation position is not biased, and the uncut widths w 1 and w 2 of the dam bar 5 in FIG. 5B become substantially equal. Therefore, it is possible to avoid forming a large uncut portion after the dam bar 5 is cut, and it is possible to obtain a high-precision and good shape by keeping the uncut portion within an allowable value for quality control. Further, it is possible to prevent an accident in which a cutout portion is formed in the lead 3 itself or the lead 3 itself is melted.
【0071】また、図7において、光検出器42でスリ
ット部6の始まりを検出してからパルスレーザ光10A
の発振までの信号処理に利用される時間はTm2−Tm0
であり、この時間内において検出信号を上記のような手
順で信号処理し、安定かつ確実にパルスレーザ光を発振
するための時間的余裕を確保することができる。In FIG. 7, after the start of the slit portion 6 is detected by the photodetector 42, the pulse laser beam 10A
The time used for signal processing until oscillation is T m2 −T m0
In this time, the detection signal is signal-processed according to the above-described procedure, and a time margin for stably and reliably oscillating the pulse laser light can be secured.
【0072】以上の説明では、レーザ光軸13Cに対し
て検出位置Pがスリット部6の幅Wm以上先行している
こと(ΔL≧Wm)としたが、ΔL<Wmとしても原理的
には上記と同様の信号処理が可能である。この場合は、
nmを示す式(1)にΔLを入れて変更する必要があ
る。しかし、ΔL<Wmの場合にはtL<tmとなり、光
検出器42がリード3の始まりを検出した時刻(Tm0+
tm)において既にレーザ光軸13Cがスリット部6の
中に入っており、信号処理のための時間的余裕が少なく
なる。従って、ΔL≧Wmとするのが望ましい。[0072] In the above description, the detection position P with respect to the laser optical axis 13C is a that precedes or width W m of the slit portion 6 ([Delta] L ≧ W m), theoretically even [Delta] L <W m Can perform the same signal processing as described above. in this case,
It is necessary to add ΔL to the equation (1) indicating nm and change it. However, in the case of ΔL <W m , t L <t m , and the time (T m0 +
At t m ), the laser optical axis 13C has already entered the slit portion 6, and the time margin for signal processing is reduced. Therefore, it is desirable to ΔL ≧ W m.
【0073】図7のような信号処理を繰り返して半導体
装置の全ダムバーを切断する手順について図9及び図1
0により説明する。図9は、半導体装置1の全てのダム
バー5を切断する際の加工ノズル13の移動軌跡の一例
を示す図である。また、これはレーザ光軸13Cの移動
軌跡を示す図にもなっている。但し、前述したように、
実際には加工ノズル13が移動するのではなく、加工テ
ーブル21の移動によって加工ノズル13が半導体装置
1に対して相対的に移動するものとする。FIG. 9 and FIG. 1 show a procedure for cutting all the dam bars of the semiconductor device by repeating the signal processing as shown in FIG.
0 will be described. FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a movement locus of the processing nozzle 13 when cutting all the dam bars 5 of the semiconductor device 1. This is also a diagram showing the movement locus of the laser optical axis 13C. However, as mentioned above,
Actually, it is assumed that the processing nozzle 13 does not move but the processing table 13 moves to move the processing nozzle 13 relatively to the semiconductor device 1.
【0074】図9に示すように、リードフレーム2の各
辺のダムバー5の延長線が交わる位置に基準穴7a〜7
dを設けておき、そのうち例えば基準穴7aの位置から
移動を開始する。まず、基準穴7aから軌跡D10に沿っ
て加工ノズル13を移動させるが、この時基準穴7bに
到達するまでの間に移動速度を一定速度(上記v0)に
する。そして、基準穴7bから一定速度v0で軌跡D11
に沿って加工ノズル13を移動させながら、図5及び図
7のようにダムバー5の切断を行う。さらに、基準穴7
aから軌跡D20に沿って加工ノズル13を基準穴7cま
で移動させ、一定速度v0で軌跡D21に沿って移動させ
ながらダムバー5の切断を行う。その後、基準穴7dか
ら軌跡D30、基準穴7b、軌跡D31、基準穴7d、軌跡
D40、基準穴7c、軌跡D41、基準穴7aに沿って順次
加工ノズル13を移動させつつ全てのダムバー5を切断
する。上記において、ダムバー5上にない軌跡D10,D
20,D30,D40は、それぞれ一定速度v0に達するまで
の助走区間となる。As shown in FIG. 9, reference holes 7a to 7a are provided at positions where the extension lines of the dam bar 5 on each side of the lead frame 2 intersect.
The movement is started from, for example, the position of the reference hole 7a. First, moving the machining nozzle 13 along a trajectory D 10 from the reference hole 7a, a constant speed movement speed before reaching this time reference hole 7b (the v 0). Then, the trajectory D 11 from the reference hole 7b at a constant speed v 0
The dam bar 5 is cut as shown in FIGS. 5 and 7 while moving the processing nozzle 13 along. Furthermore, the reference hole 7
along the a trajectory D 20 moves the machining nozzle 13 to the reference hole 7c, for cutting the dam bars 5 while moving along the trajectory D 21 at a constant speed v 0. Thereafter, the reference hole 7d locus D 30 from reference hole 7b, locus D 31, reference holes 7d, locus D 40, reference holes 7c, locus D 41, all the while sequentially moving the machining nozzle 13 along the reference hole 7a Cut the dam bar 5. In the above, the trajectories D 10 , D not on the dam bar 5
20 , D 30 , and D 40 are the approach sections until reaching the constant speed v 0 , respectively.
【0075】上記のようにダムバー5を切断する際に
は、ビーム形状変更器11(図1参照)を適宜操作し、
半導体装置1の各辺におけるダムバー5に対してパルス
レーザ光13Aのスポット13Bの長手方向をリード3
の長手方向とほぼ一致させる。When cutting the dam bar 5 as described above, the beam shape changer 11 (see FIG. 1) is appropriately operated,
The longitudinal direction of the spot 13B of the pulse laser beam 13A is connected to the dam bar 5 on each side of the semiconductor device 1 by a lead 3.
And the length direction substantially coincide.
【0076】また、ダムバーを切断する際には、例えば
図10に示すように3個の半導体装置101〜103を
一体とし、この複数個一体の半導体装置を適当なホルダ
ー100に固定し、このホルダー100をワークとして
加工テーブル21上に搭載してもよい。この時の加工ノ
ズル13の移動軌跡は、図9を基本として任意に選定す
ることができる。さらに図10のような3個一体に限ら
ず、3個一体の半導体装置を3組一体として合計9個一
体にするなど、3個以外の複数個の半導体装置をまとめ
て取り扱ってもよい。これにより、ダムバー切断を含め
た半導体装置の生産性が向上すると共に、製造工程途中
におけるハンドリング等によってリードフレームが変形
することが避けられ、高精度かつ良好な形状を維持する
ことができる。When cutting the dam bar, for example, as shown in FIG. 10, three semiconductor devices 101 to 103 are integrated, and a plurality of integrated semiconductor devices are fixed to a suitable holder 100, and 100 may be mounted on the processing table 21 as a work. The movement locus of the processing nozzle 13 at this time can be arbitrarily selected based on FIG. Further, the semiconductor device is not limited to three as shown in FIG. 10, and a plurality of semiconductor devices other than three may be handled collectively, for example, three integrated semiconductor devices are integrated into a total of nine. Thereby, the productivity of the semiconductor device including dam bar cutting is improved, and the lead frame is prevented from being deformed due to handling or the like in the middle of the manufacturing process, and a highly accurate and favorable shape can be maintained.
【0077】以上のような本実施例によれば、検出光4
1Aをレーザ光軸13Cよりも先行した位置に照射する
ので、実際に加工すべき位置よりも先行した位置のリー
ドの配列状態(リードの有無)を検出することができ
る。また、レーザ光軸13Cに対して加工進行方向とは
反対に傾いた方向からの検出光42Aを光検出器42に
入射させるので、スパッタや強烈な外乱光が光検出器4
2の方向に直接入射することが防止できる。また、光検
出器42を加工ノズル13に一体的に取り付け、加工ノ
ズル13の開口部13aを通過した検出光42Aを光検
出器42に入射させるので、スパッタや強烈な外乱光、
さらには外部から飛来するゴミやホコリの大部分から光
検出器42が保護され、検出の際に加工ノズル13の側
面が障害となることがなく、外部からの擾乱要素が入り
にくい。また、光検出器42の構造の簡単化及び強度や
耐久性の向上を図ることができる。さらに、レーザ光軸
13Cと検出位置Pの相対的な位置関係が固定化され、
検出の精度が維持される。According to the present embodiment as described above, the detection light 4
Since 1A is irradiated to a position preceding the laser optical axis 13C, it is possible to detect the arrangement state of leads at the position preceding the position to be actually processed (the presence or absence of a lead). Further, since the detection light 42A from the direction inclined in the direction opposite to the processing progress direction with respect to the laser optical axis 13C is made incident on the photodetector 42, spatter and strong disturbance light are generated by the photodetector 4.
2 can be prevented from directly entering. Further, since the photodetector 42 is integrally attached to the processing nozzle 13 and the detection light 42A passing through the opening 13a of the processing nozzle 13 is made incident on the photodetector 42, spatter, strong disturbance light,
Furthermore, the photodetector 42 is protected from most of the dust and dust flying from the outside, so that the side surface of the processing nozzle 13 does not become an obstacle at the time of detection, and an external disturbance element hardly enters. Further, the structure of the photodetector 42 can be simplified, and the strength and durability can be improved. Further, the relative positional relationship between the laser optical axis 13C and the detection position P is fixed,
The accuracy of detection is maintained.
【0078】また、アシストガス17Aの噴射によって
光検出器42にスパッタ、ゴミやホコリ等が付着するこ
とが防止され、フォトセンサ45の空冷効果も期待でき
る。Also, the injection of the assist gas 17A prevents spatter, dust, dust and the like from adhering to the photodetector 42, and the air cooling effect of the photosensor 45 can be expected.
【0079】また、樹脂モールド4が収縮変形してもあ
る程度の寸法精度が維持されている個々のリード3の配
列状況を検出し、その検出信号を基にして個々のダムバ
ー5に対する加工位置を決定するので、高精度な加工を
行うことが可能である。そして、パルスレーザ光13A
を発振させながら加工テーブル21によってレーザ光軸
13Cを速度v0で相対的に移動させるだけで順次ダム
バー5が切断され、確実かつ高速に加工が行える。Further, even if the resin mold 4 contracts and deforms, the arrangement status of the individual leads 3 maintaining a certain degree of dimensional accuracy is detected, and the processing position for each dam bar 5 is determined based on the detection signal. Therefore, high-precision processing can be performed. Then, the pulse laser beam 13A
Sequentially dam bars 5 only by relatively moving the laser beam axis 13C at the speed v 0 is cut by the processing table 21 while oscillating the, perform the machining reliably and fast.
【0080】また、本実施例の信号処理においては、レ
ベル判別器32でリード配列状態に基づく検出信号S1
を二値化して信号S2とし、リードフレーム形状判別器
33及びディレイ回路34において、検出位置Pと集光
位置Kの間の先行距離ΔLを移動する間の遅延時間(t
L)及びダムバー5の中央まで移動する遅延時間(tm/
2)を与え、これによってレーザ発振器10の発振を制
御するので、ダムバー5の中央に正確にパルスレーザ光
13Aを照射することができる。これにより、照射位置
の偏りがなくなり、ダムバー5の切り残し幅w1,w2が
ほぼ等しくなってその切り残し幅を品質管理上の許容値
内に収めて高精度かつ良好な形状を得ることが可能とな
る。さらに、リード3自体に切欠き部分が形成されたり
リード3自体が溶断されるような事故を防ぐこともでき
る。In the signal processing according to the present embodiment, the level discriminator 32 detects the detection signal S 1 based on the read arrangement state.
Is converted into a signal S 2 , and the lead frame shape discriminator 33 and the delay circuit 34 delay the time (t) for moving the preceding distance ΔL between the detection position P and the light condensing position K.
L) and the delay time to move to the center of the dam bars 5 (t m /
Since 2) is given and the oscillation of the laser oscillator 10 is controlled by this, the center of the dam bar 5 can be accurately irradiated with the pulse laser beam 13A. As a result, there is no deviation in the irradiation position, and the uncut widths w 1 and w 2 of the dam bar 5 are substantially equal, and the uncut width is within an allowable value for quality control to obtain a high-precision and good shape. Becomes possible. Further, it is possible to prevent an accident in which a notch is formed in the lead 3 itself or the lead 3 itself is blown.
【0081】また、ビーム形状変更器11を適宜操作し
て、パルスレーザ光13Aのスポット13Bの長手方向
の寸法をダムバー5の幅dよりも十分長くなるように
し、かつそのスポット13Bの長手方向をリード3の長
手方向とほぼ一致させ、スポット13Bがダムバー5の
幅dを差し渡すようにするので、一回のパルスレーザ光
13Aの照射によりダムバー5を幅方向に切断すること
ができる。この場合、リード3の長手方向におけるレー
ザ光軸13Cの位置決め精度があまり高くなくてもほと
んど支障はなく、レーザ光軸13Cがリード3の長手方
向に少々ずれたとしても、一回の照射によりダムバーを
幅方向に確実に切断することが可能である。Further, the beam shape changer 11 is appropriately operated so that the longitudinal dimension of the spot 13B of the pulse laser beam 13A is sufficiently longer than the width d of the dam bar 5, and the longitudinal direction of the spot 13B is adjusted. Since the spot 13B is made substantially coincident with the longitudinal direction of the lead 3 so that the spot 13B crosses the width d of the dam bar 5, the dam bar 5 can be cut in the width direction by a single irradiation of the pulse laser beam 13A. In this case, there is almost no problem even if the positioning accuracy of the laser optical axis 13C in the longitudinal direction of the lead 3 is not so high, and even if the laser optical axis 13C is slightly displaced in the longitudinal direction of the lead 3, the dam bar can be irradiated by one irradiation. Can be reliably cut in the width direction.
【0082】また、光検出器42のフォトセンサ45を
複数の検出要素45aで構成し、それらをダムバー5の
幅よりも長い寸法の範囲を検出可能なように配列するの
で、ダムバー5の幅の変化を検出することができる。ま
た、レーザ光軸13Cの軌跡のずれを、各々の検出信号
レベルの変化状況より速やかに検出することが可能であ
り、リードの配列状況の誤検出を避けることができる。
さらに、検出動作状況の妥当性の評価、検出位置Pのね
らいずれ寸法の測定、検出位置Pにおける検出光の光量
の制御、各検出要素45aの故障検出等も行える。Further, the photo sensor 45 of the photodetector 42 is composed of a plurality of detection elements 45a, which are arranged so as to detect a range having a dimension longer than the width of the dam bar 5, so that the width of the dam bar 5 is reduced. Changes can be detected. Further, it is possible to detect the deviation of the trajectory of the laser optical axis 13C more quickly than the state of change of each detection signal level, and it is possible to avoid erroneous detection of the arrangement state of the leads.
Further, it is also possible to evaluate the validity of the detection operation status, measure the size of the aim of the detection position P, control the amount of detection light at the detection position P, and detect a failure of each detection element 45a.
【0083】また、検出光41Aの照射範囲41Bを、
ダムバー5の幅dよりも長く、かつダムバー5の幅dを
差し渡すように設定するので、ダムバー5付近における
特定の検出位置の情報を光検出器42によって容易に検
出することができる。さらに、検出光41Aとしてレー
ザ光を用いれば、リード3の配列状態の情報に基づく検
出信号の立ち上がりがシャープになり、高い分解能で高
精度な検出が行える。The irradiation range 41B of the detection light 41A is
Since the width d of the dam bar 5 is set to be longer than the width d of the dam bar 5, information of a specific detection position near the dam bar 5 can be easily detected by the photodetector 42. Furthermore, if a laser beam is used as the detection light 41A, the rise of the detection signal based on the information on the arrangement state of the leads 3 becomes sharp, and high-precision detection with high resolution can be performed.
【0084】尚、一回のパルスレーザ光の照射によりダ
ムバーがで貫通しない(完全に切断できない)場合には
数回のパルスレーザ光照射によって切断する必要があ
る。この場合は、上記のような軌跡に沿った加工を数回
繰り返せばよい。In the case where the dam bar does not penetrate (cannot be completely cut) by one irradiation of the pulse laser light, it is necessary to cut by several times of irradiation of the pulse laser light. In this case, the processing along the trajectory described above may be repeated several times.
【0085】[0085]
【発明の効果】本発明によれば、検出光をレーザ光軸よ
りも先行したリードフレーム上の位置に照射するので、
加工位置よりも先行した位置リードの配列状態(リード
の有無)を検出することができる。また、レーザ光軸に
対して加工進行方向と反対に傾いた方向からの検出光を
光検出手段に入射させるので、スパッタや外乱光が光検
出手段の方向に直接入射することが防止できる。また、
光検出手段を加工ノズルに取り付け、加工ノズルの開口
部を通過した反射光をその光検出手段に入射させるの
で、スパッタや外乱光等から光検出手段が保護され、検
出の際の障害や擾乱を避けることができ、光検出手段の
構造の簡単化及び強度や耐久性の向上を図ることができ
る。さらに、レーザ光軸と検出位置の相対的な位置関係
が固定化され、検出の精度が維持される。According to the present invention, since the detection light is applied to a position on the lead frame that precedes the laser optical axis,
The arrangement state (the presence or absence of a lead) of the position lead preceding the processing position can be detected. In addition, since the detection light from the direction inclined in the direction opposite to the processing progress direction with respect to the laser optical axis is made incident on the light detection means, it is possible to prevent spatter and disturbance light from being directly incident on the light detection means. Also,
The light detection means is attached to the processing nozzle, and the reflected light passing through the opening of the processing nozzle is made incident on the light detection means, so that the light detection means is protected from spatter, disturbance light, etc. Thus, the structure of the light detecting means can be simplified, and the strength and durability can be improved. Further, the relative positional relationship between the laser optical axis and the detection position is fixed, and the detection accuracy is maintained.
【0086】また、アシストガスによって光検出手段に
スパッタ等が付着することが防止され、光検出手段の空
冷効果も期待できる。Further, the assist gas prevents spatter or the like from adhering to the light detecting means, and an air cooling effect of the light detecting means can be expected.
【0087】また、ある程度寸法精度が維持されている
個々のリードの配列状況を検出し、その検出信号を基に
個々のダムバーの中央にパルスレーザ光が照射されるよ
うにその照射タイミングを制御するので、高精度かつ確
実にダムバーの中央を切断することが可能である。その
結果、照射位置の偏りがなくなり、ダムバーの切り残し
幅がほぼ等しくなって高精度かつ良好な形状を得ること
が可能となる。また、リード自体に切欠き部分が形成さ
れたり溶断されるような事故を防ぐこともできる。さら
に、パルスレーザ光を発振させながらその光軸を相対的
に移動させるだけで順次ダムバーが切断され、確実かつ
高速に加工が行える。Further, the arrangement status of the individual leads whose dimensional accuracy is maintained to some extent is detected, and the irradiation timing is controlled based on the detected signal so that the center of each dam bar is irradiated with the pulsed laser beam. Therefore, it is possible to cut the center of the dam bar with high accuracy and reliability. As a result, the irradiation position is not biased, and the uncut width of the dam bar is substantially equal, so that a highly accurate and favorable shape can be obtained. In addition, it is possible to prevent an accident in which a notch is formed in the lead itself or the lead is melted. Furthermore, the dam bars are sequentially cut only by relatively moving the optical axis while oscillating the pulsed laser light, so that processing can be performed reliably and at high speed.
【0088】また、リード配列状態に基づく検出信号を
二値化し、それに所定の遅延時間を与え、それに基づい
てパルスレーザ光の発振を行うので、ダムバーの中央に
正確にパルスレーザ光を照射することができる。Further, since the detection signal based on the lead arrangement state is binarized, a predetermined delay time is given thereto, and the pulse laser light is oscillated based on the binarized signal, it is possible to accurately irradiate the center of the dam bar with the pulse laser light. Can be.
【0089】また、ビーム形状変更手段によってパルス
レーザ光を細長い断面形状のパルスレーザ光に変換し、
しかもそのスポットの長手方向の寸法がダムバーの幅よ
りも十分長くなるようにし、かつその長手方向をリード
の長手方向とほぼ一致させてダムバーを幅方向に差し渡
すようにするので、一回のパルスレーザ光の照射により
ダムバーを幅方向に切断することができる。この場合、
リードの長手方向におけるレーザ光軸の位置決め精度が
あまり高くなくてもほとんど支障はなく、パルスレーザ
光の光軸がリードの長手方向に少々ずれたとしても、一
回の照射によりダムバーを確実に幅方向に切断すること
が可能である。Further, the pulse laser beam is converted into a pulse laser beam having an elongated cross section by the beam shape changing means,
Moreover, the length of the spot in the longitudinal direction is made sufficiently longer than the width of the dam bar, and the longitudinal direction is made substantially coincident with the longitudinal direction of the lead so that the dam bar is passed in the width direction. The dam bar can be cut in the width direction by irradiation with laser light. in this case,
Even if the positioning accuracy of the laser optical axis in the longitudinal direction of the lead is not very high, there is almost no problem.Even if the optical axis of the pulsed laser light is slightly shifted in the longitudinal direction of the lead, the irradiation of the dam bar can be performed with a single irradiation. It is possible to cut in the direction.
【0090】また、光検出手段を複数の検出要素で構成
し、それらの検出要素をダムバーの幅よりも長い寸法の
範囲が検出可能なように配列するので、ダムバーの幅の
変化を容易かつ正確に検出することができる。また、検
出動作状況の妥当性の評価、検出位置のねらいずれ寸法
の測定、検出位置における検出光の光量の制御、各検出
要素の故障検出等も行える。Further, the light detecting means is composed of a plurality of detecting elements, and the detecting elements are arranged so that a range of a dimension longer than the width of the dam bar can be detected. Can be detected. In addition, it is also possible to evaluate the validity of the detection operation status, measure the size of the aim of the detection position, control the amount of detection light at the detection position, and detect a failure of each detection element.
【0091】また、検出用レーザ光をダムバーの幅より
も長い範囲に照射するので、形状変化の検出が容易にな
る。また、検出光として検出用レーザ光を使用すれば、
形状変化に対応する検出信号の変化をシャープにするこ
とができ、高い分解能で高精度な検出が行える。Further, since the detection laser beam is applied to a range longer than the width of the dam bar, the shape change can be easily detected. Also, if the detection laser light is used as the detection light,
The change in the detection signal corresponding to the shape change can be sharpened, and high-precision detection with high resolution can be performed.
【0092】従って、本発明によれば、高品質かつ高精
度の半導体装置を製造することができる。Therefore, according to the present invention, a high-quality and high-accuracy semiconductor device can be manufactured.
【図1】本発明の一実施例によるダムバー加工装置の概
略構成を模式的に示す図である。FIG. 1 is a view schematically showing a schematic configuration of a dam bar processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1のダムバー加工装置の一部を拡大して示す
図である。FIG. 2 is an enlarged view showing a part of the dam bar processing device of FIG. 1;
【図3】図1及び図2の加工ノズルにおけるレーザ光軸
及び検出光の傾斜方向の幾何学的関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a geometrical relationship between a laser optical axis and an inclination direction of detection light in the processing nozzle of FIGS. 1 and 2;
【図4】図1の加工テーブルの構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a processing table in FIG. 1;
【図5】(a)はワーク即ち半導体装置の平面図であ
り、(b)はダムバーの切断状況の説明図であって
(a)のB部拡大図である。5A is a plan view of a work, that is, a semiconductor device, and FIG. 5B is an explanatory diagram of a cutting state of a dam bar, and is an enlarged view of a portion B of FIG.
【図6】光検出器におけるフォトセンサの感光面の配列
を示した図である。FIG. 6 is a diagram showing an arrangement of photosensitive surfaces of a photosensor in the photodetector.
【図7】リードの配列状況の検出からパルスレーザ光の
発振までの信号処理を示すタイムチャートである。FIG. 7 is a time chart showing signal processing from detection of the arrangement state of leads to oscillation of pulsed laser light.
【図8】ディレイ回路の構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration of a delay circuit.
【図9】半導体装置の全てのダムバーを切断する際の加
工ノズル、従ってレーザ光軸の移動軌跡の一例を示す図
である。FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a moving locus of a processing nozzle, that is, a laser optical axis when cutting all dam bars of a semiconductor device.
【図10】3個の半導体装置を一体とし、その複数個一
体の半導体装置をホルダーに固定した状態を示す図であ
る。FIG. 10 is a diagram showing a state in which three semiconductor devices are integrated and a plurality of integrated semiconductor devices are fixed to a holder;
1 ワーク(半導体装置) 2 リードフレーム 3 リード(ウエブ部) 4 樹脂モールド 5 ダムバー 6 スリット部 7a〜7d 基準穴 10 レーザ発振器 10A パルスレーザ光 11 ビーム形状変更器 11a 凸型シリンドリカルレンズ 11b 凹型シリンドリカルレンズ 11A パルスレーザ光 12 加工ヘッド 13 加工ノズル 13a (加工ノズル13の)開口部 13A パルスレーザ光 13B (パルスレーザ光13Aの)スポット 13C レーザ光軸 14 ベンディングミラー 16 集光レンズ 17 アシストガス供給口 17A アシストガス 18 回転機構 21 加工テーブル 22 Xテーブル 23 Yテーブル 24 θテーブル 30 制御回路 31 検出信号増幅器 32 レベル判別器(比較手段) 33 リードフレーム形状判別器 34 ディレイ回路(遅延手段) 34a 第1積算カウンタ 34b 減算カウンタ 34c 第1ホールド回路 34d 第2積算カウンタ 34e 第2ホールド回路 35 レーザ電源回路 36 ビーム制御部 37 光源用電源 38 テーブル制御部 41 検出光源 41A 検出光 41B (検出光41Aの)照射範囲 42 光検出器 42A 検出光 43 バンドパスフィルタ 44 検出用レンズ 45 フォトセンサ 45a 検出要素 100 ホルダー 101〜103 半導体装置 β (レーザ光軸13Cと検出光42Aの間の)傾斜角 P 光検出器42による検出位置 K パルスレーザ光13Aのワーク1上の集光位置 ΔL PとKの間の先行距離 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Work (semiconductor device) 2 Lead frame 3 Lead (web part) 4 Resin mold 5 Dam bar 6 Slit part 7a-7d Reference hole 10 Laser oscillator 10A Pulsed laser beam 11 Beam shape changer 11a Convex cylindrical lens 11b Concave cylindrical lens 11A Pulse laser beam 12 Processing head 13 Processing nozzle 13a Opening 13A (of processing nozzle 13) Pulse laser beam 13B Spot (of pulse laser beam 13A) 13C Laser optical axis 14 Bending mirror 16 Condensing lens 17 Assist gas supply port 17A Assist gas Reference Signs List 18 rotation mechanism 21 processing table 22 X table 23 Y table 24 θ table 30 control circuit 31 detection signal amplifier 32 level discriminator (comparing means) 33 lead frame shape discriminator 34 delay A circuit (delay means) 34a First integration counter 34b Subtraction counter 34c First hold circuit 34d Second integration counter 34e Second hold circuit 35 Laser power supply circuit 36 Beam control unit 37 Light source power supply 38 Table control unit 41 Detection light source 41A Detection Light 41B Irradiation range (of detection light 41A) 42 Photodetector 42A Detection light 43 Bandpass filter 44 Detection lens 45 Photosensor 45a Detection element 100 Holder 101-103 Semiconductor device β (between laser optical axis 13C and detection light 42A ) Inclination angle P Detected position by the photodetector 42 K Focusing position of the pulse laser beam 13A on the work 1 ΔL Preceding distance between P and K
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 美野本 泰 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機 エンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−217186(JP,A) 特開 平4−322454(JP,A) 実開 平3−63952(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 23/50 B23K 26/00 - 26/18 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yasushi Minomoto 650, Kandamachi, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Engineering Co., Ltd. (56) References JP-A-2-217186 (JP, A) JP-A-4 −322454 (JP, A) Japanese Utility Model 3-63952 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 23/50 B23K 26/00-26/18
Claims (8)
と、前記パルスレーザ光を被加工物の加工位置まで誘導
する加工光学系と、前記加工光学系により誘導された前
記パルスレーザ光を出射すると共にアシストガスを噴射
させる開口部を先端に備える加工ノズルと、前記パルス
レーザ光の光軸を前記被加工物に対して所定の速度で相
対的に移動させる搬送手段とを有し、樹脂モールドで半
導体チップをリードフレーム上に封止した半導体装置を
前記搬送手段に載せ、前記リードフレームのダムバーに
前記パルスレーザ光を照射して前記ダムバーを順次切断
するダムバー加工装置において、 前記ダムバーに照射されるパルスレーザ光の光軸よりも
先行した前記リードフレーム上の位置に、前記パルスレ
ーザ光の光軸に対し加工進行方向と反対側に傾いた方向
に反射するよう検出光を照射する検出光発生手段と、 前記加工ノズルに取り付けられ、前記リードフレーム上
で反射し前記加工ノズルの開口部を通過した検出光を入
射させて対応する検出信号を発生する光検出手段と、 前記光検出手段からの検出信号に基づいて前記パルスレ
ーザ光を照射するタイミングを決定し前記ダムバーの中
央にパルスレーザ光が照射されるよう前記レーザ発振器
を制御する制御手段とを有することを特徴とするダムバ
ー加工装置。1. A laser oscillator for oscillating pulse laser light, a processing optical system for guiding the pulse laser light to a processing position of a workpiece, and a laser light for emitting the pulse laser light guided by the processing optical system. A processing nozzle provided at an end with an opening for injecting an assist gas, and a conveying means for moving an optical axis of the pulsed laser light relatively at a predetermined speed with respect to the workpiece, and a resin molded semiconductor A semiconductor device in which a chip is sealed on a lead frame is placed on the transport means, and the dam bar of the lead frame is irradiated with the pulse laser beam to sequentially cut the dam bar. At a position on the lead frame that precedes the optical axis of the laser light, a direction opposite to the processing progress direction with respect to the optical axis of the pulsed laser light A detection light generating means for irradiating the detection light so as to reflect in a direction inclined to the detection nozzle; and a detection light which is attached to the processing nozzle and which is incident on the detection light reflected on the lead frame and passed through the opening of the processing nozzle. A light detection unit that generates a detection signal; and a timing for irradiating the pulse laser light based on the detection signal from the light detection unit; and controlling the laser oscillator so that the pulse laser light is irradiated to the center of the dam bar. A dam bar processing apparatus, comprising:
て、前記制御手段は、前記検出信号を二値化して矩形波
信号を発生する比較手段と、前記ダムバーの中央に前記
パルスレーザ光が照射されるよう前記矩形波信号に個々
のダムバーの幅に応じた遅延時間を与える遅延手段とを
備えることを特徴とするダムバー加工装置。2. The dam bar processing apparatus according to claim 1, wherein the control means binarizes the detection signal to generate a rectangular wave signal, and the center of the dam bar is irradiated with the pulsed laser beam. And a delay means for providing the rectangular wave signal with a delay time corresponding to the width of each dam bar.
て、前記検出光発生手段によって前記検出光を照射する
位置は、前記パルスレーザ光の光軸よりも、少なくとも
前記ダムバー付近のリード間隙の幅以上先行しているこ
とを特徴とするダムバー加工装置。3. The dam bar processing apparatus according to claim 2, wherein a position at which the detection light is radiated by the detection light generating means is at least a width of a lead gap near the dam bar with respect to an optical axis of the pulsed laser light. A dam bar processing device which is characterized by being ahead.
のダムバー加工装置において、前記レーザ発振器より発
振するパルスレーザ光を細長い断面形状に変換しかつそ
のパルスレーザ光断面をその光軸まわりに回転変位させ
るビーム形状変更手段をさらに有することを特徴とする
ダムバー加工装置。4. The dam bar processing apparatus according to claim 1, wherein the pulse laser light oscillated from the laser oscillator is converted into an elongated cross-sectional shape, and the pulse laser light cross-section is formed around the optical axis. A beam shape changing means for rotationally displacing the beam bar.
のダムバー加工装置において、前記光検出手段は複数個
の検出要素から構成され、それらの検出要素が前記ダム
バーの幅よりも長い寸法の範囲を検出可能なように配列
されていることを特徴とするダムバー加工装置。5. The dam bar processing device according to claim 1, wherein said light detecting means comprises a plurality of detecting elements, and said detecting elements are longer than a width of said dam bar. A dam bar processing device, which is arranged so as to be able to detect a range of a dam bar.
て、前記検出光発生手段は細長い断面形状の検出用レー
ザ光を発生するものであり、かつその検出用レーザ光断
面の長手方向の寸法が前記ダムバーの幅よりも長いこと
ことを特徴とするダムバー加工装置。6. A dam bar processing apparatus according to claim 5, wherein said detection light generating means generates a detection laser beam having an elongated cross-sectional shape, and said detection laser beam cross section has a longitudinal dimension. A dam bar processing device characterized by being longer than the width of the dam bar.
レーム上に封止した半導体装置のダムバーにパルスレー
ザ光を照射しながらそのパルスレーザ光の光軸を前記半
導体装置に対して所定の速度で相対的に移動させること
により、前記ダムバーを順次切断するダムバー加工方法
において、 前記ダムバーに照射されるパルスレーザ光の光軸よりも
先行した前記リードフレーム上の位置に、前記パルスレ
ーザ光の光軸に対し加工進行方向と反対側に傾いた方向
に反射するよう検出光を照射し、前記リードフレーム上
で反射し前記加工ノズルの開口部を通過した検出光を入
射させて対応する検出信号を発生し、その検出信号に基
づいて前記パルスレーザ光を照射するタイミングを決定
し、そのタイミングで前記ダムバーの中央に前記パルス
レーザ光が照射されるようそのパルスレーザ光の発振を
制御することを特徴とするダムバー加工方法。7. A method of irradiating a pulse laser beam to a dam bar of a semiconductor device in which a semiconductor chip is sealed on a lead frame with a resin mold and moving an optical axis of the pulse laser beam relative to the semiconductor device at a predetermined speed. In the dam bar processing method of sequentially cutting the dam bar, by moving the dam bar to a position on the lead frame preceding the optical axis of the pulsed laser light applied to the dam bar, the optical axis of the pulsed laser light The detection light is irradiated so as to be reflected in a direction inclined to the opposite side to the processing progress direction, and the detection light reflected on the lead frame and passed through the opening of the processing nozzle is incident to generate a corresponding detection signal, The timing of irradiating the pulse laser beam is determined based on the detection signal, and the pulse laser is positioned at the center of the dam bar at that timing. Dam bar machining method characterized by but controlling the oscillation of the pulse laser beam to be irradiated.
て、前記パルスレーザ光を細長い断面形状に変換すると
共にそのパルスレーザ光の照射位置におけるスポットの
長手方向の寸法を前記ダムバーの幅よりも十分長くなる
ようにし、前記スポットの長手方向を前記リードフレー
ムのリードの長手方向とほぼ一致させて前記ダムバーを
幅方向に差し渡すようにそのパルスレーザ光を照射する
ことを特徴とするダムバー加工方法。8. The dam bar processing method according to claim 7, wherein the pulse laser beam is converted into an elongated cross-sectional shape, and a longitudinal dimension of a spot at an irradiation position of the pulse laser beam is sufficiently longer than a width of the dam bar. A method of processing a dam bar, comprising irradiating the pulse laser beam so that the longitudinal direction of the spot substantially coincides with the longitudinal direction of the lead of the lead frame and the dam bar is inserted in the width direction.
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---|---|---|---|
JP6258634A JP2925952B2 (en) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | Dam bar processing device and dam bar processing method |
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JP6258634A JP2925952B2 (en) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | Dam bar processing device and dam bar processing method |
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JPH08125081A JPH08125081A (en) | 1996-05-17 |
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JP2024166782A (en) * | 2023-05-19 | 2024-11-29 | 株式会社荏原製作所 | Observation device for beam processing equipment |
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1994
- 1994-10-25 JP JP6258634A patent/JP2925952B2/en not_active Expired - Fee Related
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