JP2917361B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JP2917361B2 JP2917361B2 JP2037011A JP3701190A JP2917361B2 JP 2917361 B2 JP2917361 B2 JP 2917361B2 JP 2037011 A JP2037011 A JP 2037011A JP 3701190 A JP3701190 A JP 3701190A JP 2917361 B2 JP2917361 B2 JP 2917361B2
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- Japan
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- optical black
- section
- light receiving
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は有効撮像領域とオプティカルブラック領域を
有した固体撮像素子に関する。
有した固体撮像素子に関する。
本発明は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板の
形成される第２導電型のウェル領域と、ウェル領域に設
けられ、表面に発生する電流を抑える第２導電型の正孔
蓄積層と、正孔蓄積層の下部のウェル領域に設けられ、
電荷を蓄積するポテンシャル井戸を形成するための第１
導電型の不純物領域とを有する信号電荷を取り出す有効
撮像領域と、ウェル領域に設けられ、表面に発生する電
流を抑える第２導電型の正孔蓄積層を有する暗電流基準
信号を取り出すオプティカルブラック領域とを備え、有
効撮像領域の信号電荷は、ポテンシャル井戸に蓄積さ
れ、オプティカルブラック領域で発生した電荷は、半導
体基板に掃き出される構成にすることにより、確実な暗
電流基準信号を得るものである。
形成される第２導電型のウェル領域と、ウェル領域に設
けられ、表面に発生する電流を抑える第２導電型の正孔
蓄積層と、正孔蓄積層の下部のウェル領域に設けられ、
電荷を蓄積するポテンシャル井戸を形成するための第１
導電型の不純物領域とを有する信号電荷を取り出す有効
撮像領域と、ウェル領域に設けられ、表面に発生する電
流を抑える第２導電型の正孔蓄積層を有する暗電流基準
信号を取り出すオプティカルブラック領域とを備え、有
効撮像領域の信号電荷は、ポテンシャル井戸に蓄積さ
れ、オプティカルブラック領域で発生した電荷は、半導
体基板に掃き出される構成にすることにより、確実な暗
電流基準信号を得るものである。
通常、CCD固体撮像素子においては、暗電流基準信号
を得るためのオプティカルブラック（光学的黒）領域が
形成され、有効撮像領域からの信号は、そのオプティカ
ルブラック領域からの信号を基準に演算処理される。
を得るためのオプティカルブラック（光学的黒）領域が
形成され、有効撮像領域からの信号は、そのオプティカ
ルブラック領域からの信号を基準に演算処理される。
第６図と第７図は従来のインターライン転送型の固体
撮像素子の要部断面を示しており、第６図が有効撮像領
域の断面構造であり、第７図がオプティカルブラック領
域の断面構造である。第６図に示すように有効撮像領域
は、シリコン基板100の表面にｎ+型の不純物拡散領域10
1が形成され、このｎ+型の不純物拡散領域101が形成さ
れた領域が受光部として機能する。ｎ+型の不純物拡散
領域101に隣接して、読み出し部102が形成され、その読
み出し部102に隣接してチャンネル層103が形成される。
このチャンネル層103は、電荷を転送するためのもので
あり、その上の転送電極104により駆動される。そし
て、この有効撮像領域では、受光部を構成するｎ+型の
不純物拡散領域101上が開口しており、遮光膜105はｎ+
型の不純物拡散領域101上に形成されない。これに対し
て、第７図に示すように、オプティカルブラック領域で
は、全面に遮光膜105が形成されている。すなわち、同
じ構造にそれぞれ形成されたｎ+型の不純物拡散領域10
1,読み出し部102,チャンネル層103,転送電極104等の各
部は全て遮光膜105の下部に形成され、特にオプティカ
ルブラック領域ではｎ+型の不純物拡散領域101上にも遮
光膜105が存在する。そして、信号出力時には、遮光膜1
05にマスクされた領域の電荷が読み出し部102を介して
チャンネル層103に転送され、それが黒レベルの基準と
なる暗電流基準信号として読みだされる。
撮像素子の要部断面を示しており、第６図が有効撮像領
域の断面構造であり、第７図がオプティカルブラック領
域の断面構造である。第６図に示すように有効撮像領域
は、シリコン基板100の表面にｎ+型の不純物拡散領域10
1が形成され、このｎ+型の不純物拡散領域101が形成さ
れた領域が受光部として機能する。ｎ+型の不純物拡散
領域101に隣接して、読み出し部102が形成され、その読
み出し部102に隣接してチャンネル層103が形成される。
このチャンネル層103は、電荷を転送するためのもので
あり、その上の転送電極104により駆動される。そし
て、この有効撮像領域では、受光部を構成するｎ+型の
不純物拡散領域101上が開口しており、遮光膜105はｎ+
型の不純物拡散領域101上に形成されない。これに対し
て、第７図に示すように、オプティカルブラック領域で
は、全面に遮光膜105が形成されている。すなわち、同
じ構造にそれぞれ形成されたｎ+型の不純物拡散領域10
1,読み出し部102,チャンネル層103,転送電極104等の各
部は全て遮光膜105の下部に形成され、特にオプティカ
ルブラック領域ではｎ+型の不純物拡散領域101上にも遮
光膜105が存在する。そして、信号出力時には、遮光膜1
05にマスクされた領域の電荷が読み出し部102を介して
チャンネル層103に転送され、それが黒レベルの基準と
なる暗電流基準信号として読みだされる。
ところが、上述の如きオプティカルブラック領域を有
する固体撮像素子では、オプティカルブラック領域の遮
光膜105に光透過を生ずるような欠陥がある場合に、そ
の光透過によって発生したキャリアの電流が暗電流成分
に加わることになる。このため黒レベル等の基準が透過
した光によって変動し、その影響を受けて正確な暗電流
基準信号が得られないでいた。
する固体撮像素子では、オプティカルブラック領域の遮
光膜105に光透過を生ずるような欠陥がある場合に、そ
の光透過によって発生したキャリアの電流が暗電流成分
に加わることになる。このため黒レベル等の基準が透過
した光によって変動し、その影響を受けて正確な暗電流
基準信号が得られないでいた。
そこで、本発明は上述の技術的な課題に鑑み、光透過
等が生じた場合でも確実な暗電流基準信号を得るような
固体撮像素子の提供を目的とする。
等が生じた場合でも確実な暗電流基準信号を得るような
固体撮像素子の提供を目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明の固体撮像素子
は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板の形成され
る第２導電型のウェル領域と、ウェル領域に設けられ、
表面に発生する電流を抑える第２導電型の正孔蓄積層
と、正孔蓄積層の下部のウェル領域に設けられ、電荷を
蓄積するポテンシャル井戸を形成するための第１導電型
の不純物領域とを有する信号電荷を取り出す有効撮像領
域と、ウェル領域に設けられ、表面に発生する電流を抑
える第２導電型の正孔蓄積層を有する暗電流基準信号を
取り出すオプティカルブラック領域とを備える。そし
て、有効撮像領域の信号電荷は、ポテンシャル井戸に蓄
積され、オプティカルブラック領域で発生した電荷は、
半導体基板に掃き出される。
は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板の形成され
る第２導電型のウェル領域と、ウェル領域に設けられ、
表面に発生する電流を抑える第２導電型の正孔蓄積層
と、正孔蓄積層の下部のウェル領域に設けられ、電荷を
蓄積するポテンシャル井戸を形成するための第１導電型
の不純物領域とを有する信号電荷を取り出す有効撮像領
域と、ウェル領域に設けられ、表面に発生する電流を抑
える第２導電型の正孔蓄積層を有する暗電流基準信号を
取り出すオプティカルブラック領域とを備える。そし
て、有効撮像領域の信号電荷は、ポテンシャル井戸に蓄
積され、オプティカルブラック領域で発生した電荷は、
半導体基板に掃き出される。
ここで、オプティカルブラック領域において発生した
電荷を掃き出す構造としては、基板の深さ方向へポテン
シャルが傾き、且つピークが存在しない構造とすればよ
い。例えば有効撮像領域にｎ型の半導体基板にｐ型のウ
ェル領域を形成し、有効撮像領域としてウェル領域にｎ
型の不純物領域を形成し、不純物領域上にｐ+型の正孔
蓄積層を形成したｐ+npn構造の縦型オーバーフロードレ
イン構造の素子では、オプティカルブラック領域は、ｎ
型の半導体基板に形成されたｐ型のウェル領域にｐ+型
の正孔蓄積層を形成したｐ+pn構造とされる。すなわ
ち、オプティカルブラック領域では、有効撮像領域と異
なり、不純物領域は形成されない。なお、遮光膜は、有
効撮像領域のみを開口した構成としてもよく、また、有
効撮像領域とオプティカルブラック領域の両方を開口し
た構成としてもよい。すなわち、オプティカルブラック
領域では、電荷が掃き出されることから、遮光膜の有無
に関係なく、確実な暗電流基準信号を得ることができ
る。
電荷を掃き出す構造としては、基板の深さ方向へポテン
シャルが傾き、且つピークが存在しない構造とすればよ
い。例えば有効撮像領域にｎ型の半導体基板にｐ型のウ
ェル領域を形成し、有効撮像領域としてウェル領域にｎ
型の不純物領域を形成し、不純物領域上にｐ+型の正孔
蓄積層を形成したｐ+npn構造の縦型オーバーフロードレ
イン構造の素子では、オプティカルブラック領域は、ｎ
型の半導体基板に形成されたｐ型のウェル領域にｐ+型
の正孔蓄積層を形成したｐ+pn構造とされる。すなわ
ち、オプティカルブラック領域では、有効撮像領域と異
なり、不純物領域は形成されない。なお、遮光膜は、有
効撮像領域のみを開口した構成としてもよく、また、有
効撮像領域とオプティカルブラック領域の両方を開口し
た構成としてもよい。すなわち、オプティカルブラック
領域では、電荷が掃き出されることから、遮光膜の有無
に関係なく、確実な暗電流基準信号を得ることができ
る。
一般に、暗電流成分は、受光部の暗電流、垂直レジス
タ部の暗電流、及び水平レジスタ部の暗電流からなる
が、本発明の固体撮像素子のオプティカルブラック領域
の受光部では、電荷が蓄積されずに半導体基板に掃き出
されるため、受光部の暗電流成分は加算されず、レジス
タ部の暗電流成分が基準信号として用いられる。また、
有効撮像領域及びオプティカルブラック領域には、正孔
蓄積層が形成されることから、表面に発生する電流が抑
えられる。従って、遮光膜を透過する光が発生したとき
でも、暗電流基準信号が変動するような弊害が防止され
る。
タ部の暗電流、及び水平レジスタ部の暗電流からなる
が、本発明の固体撮像素子のオプティカルブラック領域
の受光部では、電荷が蓄積されずに半導体基板に掃き出
されるため、受光部の暗電流成分は加算されず、レジス
タ部の暗電流成分が基準信号として用いられる。また、
有効撮像領域及びオプティカルブラック領域には、正孔
蓄積層が形成されることから、表面に発生する電流が抑
えられる。従って、遮光膜を透過する光が発生したとき
でも、暗電流基準信号が変動するような弊害が防止され
る。
本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明す
る。
る。
本実施例は、インターライン転送型のCCDイメージャ
の例であり、そのオプティカルブラック領域では、常時
半導体基板に電荷が掃きだされる構造とされる。
の例であり、そのオプティカルブラック領域では、常時
半導体基板に電荷が掃きだされる構造とされる。
第５図は本実施例のCCDイメージャのチップ50上の有
効撮像部51とオプティカルブラック部（OPB部）52の関
係を示す平面図である。図中、斜線領域で示すオプティ
カルブラック部52は、有効撮像部51の周囲を囲むように
配設され、水平（Ｈ）方向の両端に合わせて20〜50画素
程度，垂直（Ｖ）方向の両端に合わせて10〜20画素程度
配設される。
効撮像部51とオプティカルブラック部（OPB部）52の関
係を示す平面図である。図中、斜線領域で示すオプティ
カルブラック部52は、有効撮像部51の周囲を囲むように
配設され、水平（Ｈ）方向の両端に合わせて20〜50画素
程度，垂直（Ｖ）方向の両端に合わせて10〜20画素程度
配設される。
本実施例のCCDイメージャは、ｎ型のシリコン基板に
ｐ型のウェル領域を形成した構造を有している。
ｐ型のウェル領域を形成した構造を有している。
第１図は、その有効撮像部の断面構造であり、ｎ型の
シリコン基板１上にｐ型のウェル領域２が形成されてい
る。その受光部３には、ウェル領域２の表面にｐ+型の
不純物領域からなる正孔蓄積層４が形成されている。こ
の正孔蓄積層４により受光部３の表面の発生電流が抑え
られる。この正孔蓄積層４の下部には、センサーとして
機能するためのｎ型の不純物領域５が形成される。この
ように受光部３はｐ+npn構造とされ、電荷はｎ型の不純
物領域５に対応したポテンシャル井戸に蓄積される。そ
して、シリコン基板１には所要の基板電圧Vsubが供給さ
れており、その基板電圧Vsubの制御によって過剰な電荷
の掃き出しや電子シャッター動作が可能である。この受
光部３の上部には絶縁膜６が形成され、その絶縁膜６の
上層のアルミニウム膜からなる遮光膜７は開口されてい
る。従って、遮光膜７の開口部８から入射した光が受光
部３で光電変換され、信号電荷として読み出される。
シリコン基板１上にｐ型のウェル領域２が形成されてい
る。その受光部３には、ウェル領域２の表面にｐ+型の
不純物領域からなる正孔蓄積層４が形成されている。こ
の正孔蓄積層４により受光部３の表面の発生電流が抑え
られる。この正孔蓄積層４の下部には、センサーとして
機能するためのｎ型の不純物領域５が形成される。この
ように受光部３はｐ+npn構造とされ、電荷はｎ型の不純
物領域５に対応したポテンシャル井戸に蓄積される。そ
して、シリコン基板１には所要の基板電圧Vsubが供給さ
れており、その基板電圧Vsubの制御によって過剰な電荷
の掃き出しや電子シャッター動作が可能である。この受
光部３の上部には絶縁膜６が形成され、その絶縁膜６の
上層のアルミニウム膜からなる遮光膜７は開口されてい
る。従って、遮光膜７の開口部８から入射した光が受光
部３で光電変換され、信号電荷として読み出される。
ｐ型のウェル領域２には、垂直レジスタとして電荷転
送するためのｎ型のチャンネル層９が形成される。この
ｎ型のチャンネル層９の底部には、低スミア化を図るた
めのｐ型の第２のウェル領域10が形成され、他の垂直列
との間にはｐ+型の不純物領域からなるチャンネルスト
ッパー領域11が形成されている。このｎ型のチャンネル
層９は、受光部３と離間しており、その離間した領域が
読み出し部12とされる。転送電極13は、チャンネル層９
とその読み出し部12上に絶縁膜６を介して形成されてい
る。この転送電極13は、図中省略しているが実際は複数
層からなり、且つ多相のクロックが供給される。この転
送電極13は３値クロックによって駆動され、転送電極13
に供給される信号が最も高い時、読み出し部12のポテン
シャルによって受光部３からの電荷がチャンネル層９に
転送される。
送するためのｎ型のチャンネル層９が形成される。この
ｎ型のチャンネル層９の底部には、低スミア化を図るた
めのｐ型の第２のウェル領域10が形成され、他の垂直列
との間にはｐ+型の不純物領域からなるチャンネルスト
ッパー領域11が形成されている。このｎ型のチャンネル
層９は、受光部３と離間しており、その離間した領域が
読み出し部12とされる。転送電極13は、チャンネル層９
とその読み出し部12上に絶縁膜６を介して形成されてい
る。この転送電極13は、図中省略しているが実際は複数
層からなり、且つ多相のクロックが供給される。この転
送電極13は３値クロックによって駆動され、転送電極13
に供給される信号が最も高い時、読み出し部12のポテン
シャルによって受光部３からの電荷がチャンネル層９に
転送される。
同様に、オプティカルブラック部の断面構造は、第２
図に示す構造とされる。オプティカルブラック部の受光
部23は、ｎ型のシリコン基板１上にウェル領域２が形成
され、そのウェル領域２の表面に正孔蓄積層４が形成さ
れているが、電荷を蓄積するポテンシャルを形成するた
めのｎ型の不純物領域は形成されない。この受光部23の
構造はｐ+pn構造となる。そして、この受光部23以外の
構造は、有効撮影部とオプティカルブラック部では同一
の構造である。すなわち、受光部23に離間して読み出し
部12を有し、その読み出し部12に接して各垂直列毎にｎ
型の不純物領域からなるチャンネル層９が形成される。
このチャンネル層９を基板の底部及び他の垂直列側で囲
むように、第２のウェル領域10とチャンネルストッパー
領域11が形成されている。基板上の構造も同一であり、
転送電極13上には、受光部23で開口した遮光膜７が形成
される。
図に示す構造とされる。オプティカルブラック部の受光
部23は、ｎ型のシリコン基板１上にウェル領域２が形成
され、そのウェル領域２の表面に正孔蓄積層４が形成さ
れているが、電荷を蓄積するポテンシャルを形成するた
めのｎ型の不純物領域は形成されない。この受光部23の
構造はｐ+pn構造となる。そして、この受光部23以外の
構造は、有効撮影部とオプティカルブラック部では同一
の構造である。すなわち、受光部23に離間して読み出し
部12を有し、その読み出し部12に接して各垂直列毎にｎ
型の不純物領域からなるチャンネル層９が形成される。
このチャンネル層９を基板の底部及び他の垂直列側で囲
むように、第２のウェル領域10とチャンネルストッパー
領域11が形成されている。基板上の構造も同一であり、
転送電極13上には、受光部23で開口した遮光膜７が形成
される。
第３図は有効撮像部の受光部３におけるポテンシャル
図であり、第４図はオプティカルブラック部の受光部23
におけるポテンシャル図である。第３図に示すように、
有効撮像部のポテンシャルは、ｎ型の不純物領域５に応
じたポテンシャル井戸が存在するため、そこに信号電荷
を蓄積することが可能である。また、基板電圧Vsubを変
化させることにより、オーバーフロードレインや電子シ
ャッター動作が可能である。ところが、第４図に示すよ
うに、オプティカルブラック部のポテンシャルは、表面
の正孔蓄積層から徐々にポテンシャルが深くなり、全く
ピークの無い状態でｎ型のシリコン基板１のポテンシャ
ルとなる。従って、受光部23に入射した光によって生ず
る電荷は、定常的に基板の深い部分に掃き出され、オプ
ティカルブラック部の受光部23で電荷が蓄積されること
はない。
図であり、第４図はオプティカルブラック部の受光部23
におけるポテンシャル図である。第３図に示すように、
有効撮像部のポテンシャルは、ｎ型の不純物領域５に応
じたポテンシャル井戸が存在するため、そこに信号電荷
を蓄積することが可能である。また、基板電圧Vsubを変
化させることにより、オーバーフロードレインや電子シ
ャッター動作が可能である。ところが、第４図に示すよ
うに、オプティカルブラック部のポテンシャルは、表面
の正孔蓄積層から徐々にポテンシャルが深くなり、全く
ピークの無い状態でｎ型のシリコン基板１のポテンシャ
ルとなる。従って、受光部23に入射した光によって生ず
る電荷は、定常的に基板の深い部分に掃き出され、オプ
ティカルブラック部の受光部23で電荷が蓄積されること
はない。
このような構造の本実施例のCCDイメージャでは、オ
プティカルブラック部からの暗電流基準信号は垂直レジ
スタと水平レジスタにおける暗電流成分だけとなる。す
なわち、本実施例のCCDイメージャでは、ｎ型のシリコ
ン基板１とｐ型のウェル領域２の組合せから、基板から
の拡散によって流れ込む電流成分が低減されており、且
つ、正孔蓄積層４を採用するために、受光部表面の発生
電流も抑えられている。従って本実施例のCCDイメージ
ャでは受光部からの暗電流成分自体が十分に小さい。こ
のように受光部からの暗電流が極めて小さいことから、
有効撮像部のみが受光部からの暗電流成分を含み且つオ
プティカルブラック部は受光部からの暗電流成分を含ま
ないものとしても、黒レベルの基準のための演算処理に
際し、受光部からの暗電流成分が問題とならないことに
なる。勿論、オプティカルブラック部からの信号は光透
過等の影響を受けないために、確実な暗電流基準信号が
得られることになる。
プティカルブラック部からの暗電流基準信号は垂直レジ
スタと水平レジスタにおける暗電流成分だけとなる。す
なわち、本実施例のCCDイメージャでは、ｎ型のシリコ
ン基板１とｐ型のウェル領域２の組合せから、基板から
の拡散によって流れ込む電流成分が低減されており、且
つ、正孔蓄積層４を採用するために、受光部表面の発生
電流も抑えられている。従って本実施例のCCDイメージ
ャでは受光部からの暗電流成分自体が十分に小さい。こ
のように受光部からの暗電流が極めて小さいことから、
有効撮像部のみが受光部からの暗電流成分を含み且つオ
プティカルブラック部は受光部からの暗電流成分を含ま
ないものとしても、黒レベルの基準のための演算処理に
際し、受光部からの暗電流成分が問題とならないことに
なる。勿論、オプティカルブラック部からの信号は光透
過等の影響を受けないために、確実な暗電流基準信号が
得られることになる。
また、本実施例のCCDイメージャでは、オプティカル
ブラック部の受光部23は電荷を基板に掃きだす構造であ
るため、オプティカルブラック部も有効撮像部と同様
に、その遮光膜７が開口される。このためオプティカル
ブラック部のみを全面的に覆った従来の素子では、覆う
ことによる微妙な素子のばらつき等が生じていたが、本
実施例のCCDイメージャでは、遮光膜７の構造はオプテ
ィカルブラック部と有効撮像部とで同一であり、素子の
微妙なばらつき等は生じない。
ブラック部の受光部23は電荷を基板に掃きだす構造であ
るため、オプティカルブラック部も有効撮像部と同様
に、その遮光膜７が開口される。このためオプティカル
ブラック部のみを全面的に覆った従来の素子では、覆う
ことによる微妙な素子のばらつき等が生じていたが、本
実施例のCCDイメージャでは、遮光膜７の構造はオプテ
ィカルブラック部と有効撮像部とで同一であり、素子の
微妙なばらつき等は生じない。
なお、本実施例のCCDイメージャでは、オプティカル
ブラック部にｎ型の不純物領域５を形成しない構造とし
ているが、オプティカルブラック部のポテンシャルのピ
ークをなくすために、一旦形成したｎ型の不純物領域５
に反対導電型の不純物を打ち込んでコンペンセートする
ようにしても良い。また、インターライン転送型に限定
されず、フレームインターライン転送型であっても同様
である。
ブラック部にｎ型の不純物領域５を形成しない構造とし
ているが、オプティカルブラック部のポテンシャルのピ
ークをなくすために、一旦形成したｎ型の不純物領域５
に反対導電型の不純物を打ち込んでコンペンセートする
ようにしても良い。また、インターライン転送型に限定
されず、フレームインターライン転送型であっても同様
である。
〔発明の効果〕 本発明の固体撮像素子では、オプティカルブラック領
域の受光部において、電荷が蓄積されずに半導体基板に
掃き出されるため、受光部の暗電流成分は加算されず、
レジスタ部の暗電流成分が基準信号として用いられる。
また、有効撮像領域及びオプティカルブラック領域に
は、正孔蓄積層が形成されることから、表面に発生する
電流が抑えられる。従って、遮光膜を透過する光が発生
したときでも、暗電流基準信号が変動するような弊害が
防止される。
域の受光部において、電荷が蓄積されずに半導体基板に
掃き出されるため、受光部の暗電流成分は加算されず、
レジスタ部の暗電流成分が基準信号として用いられる。
また、有効撮像領域及びオプティカルブラック領域に
は、正孔蓄積層が形成されることから、表面に発生する
電流が抑えられる。従って、遮光膜を透過する光が発生
したときでも、暗電流基準信号が変動するような弊害が
防止される。
第１図は本発明の固体撮像素子の一例の有効撮像部の構
造を示す断面図、第２図はその一例のオプティカルブラ
ック部の構造を示す断面図、第３図は上記有効撮像部の
ポテンシャル図、第４図は上記オプティカルブラック部
のポテンシャル図、第５図は上記一例のチップの平面図
である。また、第６図は従来の固体撮像素子の一例の有
効撮像部の構造を示す断面図、第７図は従来の固体撮像
素子の一例のオプティカルブラック部の構造を示す断面
図である。 １……シリコン基板 ２……ウェル領域 3,23……受光部 ４……正孔蓄積層 ５……不純物領域 ９……チャンネル層 13……転送電極 51……有効撮像部 52……オプティカルブラック部
造を示す断面図、第２図はその一例のオプティカルブラ
ック部の構造を示す断面図、第３図は上記有効撮像部の
ポテンシャル図、第４図は上記オプティカルブラック部
のポテンシャル図、第５図は上記一例のチップの平面図
である。また、第６図は従来の固体撮像素子の一例の有
効撮像部の構造を示す断面図、第７図は従来の固体撮像
素子の一例のオプティカルブラック部の構造を示す断面
図である。 １……シリコン基板 ２……ウェル領域 3,23……受光部 ４……正孔蓄積層 ５……不純物領域 ９……チャンネル層 13……転送電極 51……有効撮像部 52……オプティカルブラック部
Claims (1)
- 【請求項１】第１導電型の半導体基板と、 上記半導体基板の形成される第２導電型のウェル領域
と、 上記ウェル領域に設けられ、表面に発生する電流を抑え
る第２導電型の正孔蓄積層と、上記正孔蓄積層の下部の
上記ウェル領域に設けられ、電荷を蓄積するポテンシャ
ル井戸を形成するための第１導電型の不純物領域とを有
する信号電荷を取り出す有効撮像領域と、 上記ウェル領域に設けられ、表面に発生する電流を抑え
る第２導電型の正孔蓄積層を有する暗電流基準信号を取
り出すオプティカルブラック領域とを備え、 上記有効撮像領域の信号電荷は、上記ポテンシャル井戸
に蓄積され、上記オプティカルブラック領域で発生した
電荷は、上記半導体基板に掃き出されることを特徴とす
る固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2037011A JP2917361B2 (ja) | 1990-02-17 | 1990-02-17 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2037011A JP2917361B2 (ja) | 1990-02-17 | 1990-02-17 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH03240379A JPH03240379A (ja) | 1991-10-25 |
| JP2917361B2 true JP2917361B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=12485739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2037011A Expired - Lifetime JP2917361B2 (ja) | 1990-02-17 | 1990-02-17 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917361B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006352758A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Pentax Corp | 画像信号処理装置 |
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Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
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-
1990
- 1990-02-17 JP JP2037011A patent/JP2917361B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2022158523A (ja) * | 2021-04-02 | 2022-10-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03240379A (ja) | 1991-10-25 |
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