JP2876545B2 - 光受容部材 - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光（ここでは広義の光で
あって紫外線、可視光線、赤外線、ｘ線、γ線などを意
味する。）の様な電磁波に対して感受性のある光受容部
材に関する。
あって紫外線、可視光線、赤外線、ｘ線、γ線などを意
味する。）の様な電磁波に対して感受性のある光受容部
材に関する。
【０００２】
【従来の技術】像形成分野に於て、電子写真用光受容部
材に於ける光受容層を形成する光導電材料としては、高
感度で、ＳＮ比が高く、照射する電磁波のスペクトル特
性に適合した吸収スペクトル特性を有し、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時に於て人体に
対して無公害であること、等の特性が要求されている。
材に於ける光受容層を形成する光導電材料としては、高
感度で、ＳＮ比が高く、照射する電磁波のスペクトル特
性に適合した吸収スペクトル特性を有し、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時に於て人体に
対して無公害であること、等の特性が要求されている。
【０００３】この様な点に優れた性質を示す光導電材料
にアモルファスシリコン（以後、Ａ−Ｓｉと表記す）が
有り、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第
２８５５７１８号公報には電子写真用光受容部材として
の応用が記載されている。
にアモルファスシリコン（以後、Ａ−Ｓｉと表記す）が
有り、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第
２８５５７１８号公報には電子写真用光受容部材として
の応用が記載されている。
【０００４】また、特許出願公開昭５７−１１５５６号
公報には、Ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有す
る光導電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性
の点さらには経済的安定性の点について改善を図るた
め、シリコン原子を母体としたアモルファス材料で構成
されている光導電層上に、シリコン原子及び炭素原子を
含む非光導電性のアモルファス材料で構成された表面障
壁層を設ける技術が記載されている。
公報には、Ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有す
る光導電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性
の点さらには経済的安定性の点について改善を図るた
め、シリコン原子を母体としたアモルファス材料で構成
されている光導電層上に、シリコン原子及び炭素原子を
含む非光導電性のアモルファス材料で構成された表面障
壁層を設ける技術が記載されている。
【０００５】更に、特許出願公開昭６２−１６８１６１
号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と
４１〜７０ａｔｏｍｉｃ％の水素原子を構成要素として
含む非晶質材料で構成された材料を用いる技術が記載さ
れている。
号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と
４１〜７０ａｔｏｍｉｃ％の水素原子を構成要素として
含む非晶質材料で構成された材料を用いる技術が記載さ
れている。
【０００６】更に、特許出願公開昭６０−６７９５１号
公報には、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗素
を含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する
感光体についての技術が記載されている。
公報には、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗素
を含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する
感光体についての技術が記載されている。
【０００７】これらの技術により電子写真用光受容部材
の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性、耐
久性が向上し、更に、画像品位の向上も可能となった。
の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性、耐
久性が向上し、更に、画像品位の向上も可能となった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】一方、電子写真装置の
複写速度や印刷速度（像形成速度）の高速化、高耐久化
は急速に進んでおり、更に、サービスコスト低減のため
各部品の信頼性向上によるメンテナンス回数の低減が必
要とされている。この様な状況下で、電子写真用光受容
部材は様々な環境下でサービスマンのメンテナンスを受
けないまま、以前にも増して長時間繰り返し使用を続け
られるようになってきている。
複写速度や印刷速度（像形成速度）の高速化、高耐久化
は急速に進んでおり、更に、サービスコスト低減のため
各部品の信頼性向上によるメンテナンス回数の低減が必
要とされている。この様な状況下で、電子写真用光受容
部材は様々な環境下でサービスマンのメンテナンスを受
けないまま、以前にも増して長時間繰り返し使用を続け
られるようになってきている。
【０００９】この様な状況では、従来の電子写真用光受
容部材にも改良すべき余地が存在するのが実情である。
容部材にも改良すべき余地が存在するのが実情である。
【００１０】特に高湿下で非常に高速で長時間繰り返し
使用を続けると画像上の細線がにじんだような状態（画
像流れが発生）となる場合があり、ひどいときには文字
が読めない画像となる。しかも、一旦この様な現象が発
生した電子写真用光受容部材を使用した電子写真装置
は、以前は全く画像流れの発生しなかったような比較的
低湿環境下に戻しても画像流れが収まらないことがあっ
た。従来は高湿下の画像流れはドラムを加熱することに
よりドラム表面の相対湿度を低下させ防止していた。し
かしながら、この様な方法での解決はドラム表面の温度
を非常に高温にする必要が生じる。又、装置のコストが
上昇し、消費電気量が増加し、設定温度によっては更に
ドラム表面へのトナーの融着などが発生する場合があっ
た。
使用を続けると画像上の細線がにじんだような状態（画
像流れが発生）となる場合があり、ひどいときには文字
が読めない画像となる。しかも、一旦この様な現象が発
生した電子写真用光受容部材を使用した電子写真装置
は、以前は全く画像流れの発生しなかったような比較的
低湿環境下に戻しても画像流れが収まらないことがあっ
た。従来は高湿下の画像流れはドラムを加熱することに
よりドラム表面の相対湿度を低下させ防止していた。し
かしながら、この様な方法での解決はドラム表面の温度
を非常に高温にする必要が生じる。又、装置のコストが
上昇し、消費電気量が増加し、設定温度によっては更に
ドラム表面へのトナーの融着などが発生する場合があっ
た。
【００１１】加えて、上記した様に固く、耐久性に富む
表面を有する光受容部材を用いて長時間繰り返し使用を
続けるとドラム上にトナーが融着（フィルミング）して
画像上に濃度むらやにじみが発生する場合があった。
表面を有する光受容部材を用いて長時間繰り返し使用を
続けるとドラム上にトナーが融着（フィルミング）して
画像上に濃度むらやにじみが発生する場合があった。
【００１２】本発明は、上述のごときＡ−Ｓｉで構成さ
れた従来の光受容層を有する光受容部材に於ける諸問題
を解決することを目的とするものである。
れた従来の光受容層を有する光受容部材に於ける諸問題
を解決することを目的とするものである。
【００１３】即ち、本発明の主たる目的は、電気的、光
学的、光導電的特性が使用環境にほとんど依存する事な
く実質的に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰り返
し使用に際しては劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に
優れ、残留電位がほとんど観測されない、シリコン原子
を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有す
る光受容部材を提供することにある。
学的、光導電的特性が使用環境にほとんど依存する事な
く実質的に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰り返
し使用に際しては劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に
優れ、残留電位がほとんど観測されない、シリコン原子
を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有す
る光受容部材を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決し、
また、上記した目的を達成する本発明の光受容部材は、
その外表面側の領域あるいは表面層のシリコン原子と炭
素原子との結合の割合を所望の範囲になるようにされて
いる。
また、上記した目的を達成する本発明の光受容部材は、
その外表面側の領域あるいは表面層のシリコン原子と炭
素原子との結合の割合を所望の範囲になるようにされて
いる。
【００１５】具体的には、表面層又は表面領域の全シリ
コン原子のうち、炭素原子との結合を少なくとも１つ持
つシリコン原子の割合を５０原子％以上とすることによ
って上記した課題を解決することができる。
コン原子のうち、炭素原子との結合を少なくとも１つ持
つシリコン原子の割合を５０原子％以上とすることによ
って上記した課題を解決することができる。
【００１６】そして、上記した様なフィルミングの問題
をより一層解決するためには、上記したシリコン原子と
炭素原子との結合の割合に加えて更にシリコン原子と酸
素原子との結合の割合を所望の範囲にすることが望まし
い。
をより一層解決するためには、上記したシリコン原子と
炭素原子との結合の割合に加えて更にシリコン原子と酸
素原子との結合の割合を所望の範囲にすることが望まし
い。
【００１７】具体的には、表面層又は表面領域の全シリ
コン原子のうち、炭素原子との結合を少なくとも１つ持
つシリコン原子の割合を５０原子％以上とし、かつ、酸
素原子との結合を少なくとも１つ持つシリコン原子の割
合を１０〜３０原子％とすることによって上記課題を一
層良く解決することができる。
コン原子のうち、炭素原子との結合を少なくとも１つ持
つシリコン原子の割合を５０原子％以上とし、かつ、酸
素原子との結合を少なくとも１つ持つシリコン原子の割
合を１０〜３０原子％とすることによって上記課題を一
層良く解決することができる。
【００１８】より具体的には、本発明の光受容部材は、
支持体と該支持体上にシリコン原子を母体とし、水素原
子及びハロゲン原子の少なくともいずれか一方を構成要
素として含む非単結晶材料で構成され、光導電性を示す
光導電領域と、シリコン原子と炭素原子と水素原子とを
構成要素として含む非単結晶材料で構成されている表面
領域とを有する光受容層とを有し、前記表面領域に於
て、炭素原子との結合を少なくとも１つ持つシリコン原
子が、表面領域中の全シリコン原子の５０％以上で有る
事を特徴としている。
支持体と該支持体上にシリコン原子を母体とし、水素原
子及びハロゲン原子の少なくともいずれか一方を構成要
素として含む非単結晶材料で構成され、光導電性を示す
光導電領域と、シリコン原子と炭素原子と水素原子とを
構成要素として含む非単結晶材料で構成されている表面
領域とを有する光受容層とを有し、前記表面領域に於
て、炭素原子との結合を少なくとも１つ持つシリコン原
子が、表面領域中の全シリコン原子の５０％以上で有る
事を特徴としている。
【００１９】本発明の光受容部材は、少なくともシリコ
ン原子、炭素原子、酸素原子及び水素原子を含有する非
単結晶層を最外表面に有する電子写真用光受容部材に於
て、該非単結晶層が炭素原子と結合しているシリコン原
子の割合は全シリコン原子数に対して５０〜１００原子
％、且つ、酸素原子と結合しているシリコン原子の割合
は全シリコン原子数に対して１０〜３０原子％である非
単結晶の（Ｓｉx ＣyＯz ）t Ｈu （但し、０．１≦ｘ
≦０．４，０．４≦ｙ≦０．７，０．０５≦ｚ≦０．
２，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０．３≦ｔ≦０．５９，０．４１
≦ｕ≦０．７，ｔ＋ｕ＝１）を主成分として成ることを
特徴としている。
ン原子、炭素原子、酸素原子及び水素原子を含有する非
単結晶層を最外表面に有する電子写真用光受容部材に於
て、該非単結晶層が炭素原子と結合しているシリコン原
子の割合は全シリコン原子数に対して５０〜１００原子
％、且つ、酸素原子と結合しているシリコン原子の割合
は全シリコン原子数に対して１０〜３０原子％である非
単結晶の（Ｓｉx ＣyＯz ）t Ｈu （但し、０．１≦ｘ
≦０．４，０．４≦ｙ≦０．７，０．０５≦ｚ≦０．
２，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０．３≦ｔ≦０．５９，０．４１
≦ｕ≦０．７，ｔ＋ｕ＝１）を主成分として成ることを
特徴としている。
【００２０】又、更には、少なくともシリコン原子、炭
素原子、酸素原子及び水素原子を含有する非単結晶層を
最外表面に有する電子写真用光受容部材において、該非
単結晶層が炭素原子と結合しているシリコン原子の割合
は全シリコン原子数に対して５０〜１００原子％、酸素
原子と結合しているシリコン原子の割合は全シリコン原
子数に対して１０〜３０原子％、且つ、酸素原子と結合
している炭素原子の割合は全炭素原子数に対して１０〜
３０原子％である一般式（Ｓｉx Ｃy Ｏz ）tＨu （但
し、０．１≦ｘ≦０．４，０．４≦ｙ≦０．７，０．０
５≦ｚ≦０．２，ｚ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される非単結晶
シリコンを主成分として成ることを特徴とする。
素原子、酸素原子及び水素原子を含有する非単結晶層を
最外表面に有する電子写真用光受容部材において、該非
単結晶層が炭素原子と結合しているシリコン原子の割合
は全シリコン原子数に対して５０〜１００原子％、酸素
原子と結合しているシリコン原子の割合は全シリコン原
子数に対して１０〜３０原子％、且つ、酸素原子と結合
している炭素原子の割合は全炭素原子数に対して１０〜
３０原子％である一般式（Ｓｉx Ｃy Ｏz ）tＨu （但
し、０．１≦ｘ≦０．４，０．４≦ｙ≦０．７，０．０
５≦ｚ≦０．２，ｚ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される非単結晶
シリコンを主成分として成ることを特徴とする。
【００２１】上記したような層構成を取るように設計さ
れた本発明の光受容部材は、前記した諸問題点の全てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特
性、耐久性及び使用環境特性を示す。
れた本発明の光受容部材は、前記した諸問題点の全てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特
性、耐久性及び使用環境特性を示す。
【００２２】又、本発明によればフィルミング防止効果
に優れた特性を示す光受容部材を提供できる。
に優れた特性を示す光受容部材を提供できる。
【００２３】以下、本発明の光受容部材（特に電子写真
用光受容部材）について詳述する。
用光受容部材）について詳述する。
【００２４】本発明者は、上記した結果を表面層の改質
により解決し得ないかと言う点に注目して鋭意検討した
結果、シリコン原子と炭素原子と水素原子とを構成要素
として含む非単結晶材料で構成されている表面層中のシ
リコン原子の結合の方法を特定することにより目的を達
成できると言う知見を得た。
により解決し得ないかと言う点に注目して鋭意検討した
結果、シリコン原子と炭素原子と水素原子とを構成要素
として含む非単結晶材料で構成されている表面層中のシ
リコン原子の結合の方法を特定することにより目的を達
成できると言う知見を得た。
【００２５】本発明者は、従来の電子写真用光受容部材
を用いた電子写真装置が高湿環境下で画像流れを発生す
るメカニズムは以下の２つの現象が重要であると考え
た。
を用いた電子写真装置が高湿環境下で画像流れを発生す
るメカニズムは以下の２つの現象が重要であると考え
た。
【００２６】（１）帯電器によるコロナ帯電時に発生す
るＮＯx 等の酸化物や、転写紙から発生する紙扮等の吸
湿性の物質が光受容部材表面上に付着して高湿時に吸湿
して低抵抗となり画像流れを発生させる現象。
るＮＯx 等の酸化物や、転写紙から発生する紙扮等の吸
湿性の物質が光受容部材表面上に付着して高湿時に吸湿
して低抵抗となり画像流れを発生させる現象。
【００２７】（２）光受容部材の表面の材料がコロナの
エネルギーにより水分や空気中の酸素と反応し、低抵
抗、または吸湿により低抵抗となる酸化物が出来、画像
流れが発生する現象。
エネルギーにより水分や空気中の酸素と反応し、低抵
抗、または吸湿により低抵抗となる酸化物が出来、画像
流れが発生する現象。
【００２８】このなかで（１）の現象によって生じた付
着物は、光受容部材をトナーや、トナー中に含有させた
研磨剤又はブレード等で擦ることにより電子写真プロセ
ス中に大部分は取り除くことが可能である。又、程度が
悪いときは、サービスマンが光受容部材を電子写真装置
から外し、水や有機溶剤等で表面を拭き取ることにより
完全にあるいは実質的に完全に（像形成に全く影響を及
ぼさないか実質的に影響を及ぼさない程に）取り除くこ
とが可能である。
着物は、光受容部材をトナーや、トナー中に含有させた
研磨剤又はブレード等で擦ることにより電子写真プロセ
ス中に大部分は取り除くことが可能である。又、程度が
悪いときは、サービスマンが光受容部材を電子写真装置
から外し、水や有機溶剤等で表面を拭き取ることにより
完全にあるいは実質的に完全に（像形成に全く影響を及
ぼさないか実質的に影響を及ぼさない程に）取り除くこ
とが可能である。
【００２９】又、光受容部材を加熱する事により表面の
相対湿度を低減させることはこのメカニズムが原因の画
像流れ対策としては非常に効果的である。
相対湿度を低減させることはこのメカニズムが原因の画
像流れ対策としては非常に効果的である。
【００３０】しかしながら、上記（２）に示したメカニ
ズムが原因で発生する画像流れは光受容部材をトナー
や、トナー中に含有させた研磨剤又はブレード等で擦る
ことや、サービスマンが光受容部材の表面を、水や有機
溶剤等で拭き取ること等ではそれほど改善されない。
ズムが原因で発生する画像流れは光受容部材をトナー
や、トナー中に含有させた研磨剤又はブレード等で擦る
ことや、サービスマンが光受容部材の表面を、水や有機
溶剤等で拭き取ること等ではそれほど改善されない。
【００３１】又、光受容部材を加熱する事により表面の
相対湿度を低減させることはこのメカニズムが原因の画
像流れ対策としては効果的は小さく効果を得るにしても
非常に光受容部材を高温とする必要があった。
相対湿度を低減させることはこのメカニズムが原因の画
像流れ対策としては効果的は小さく効果を得るにしても
非常に光受容部材を高温とする必要があった。
【００３２】更に、この現象は画像流れ以外にも感度の
低下や残留電位の増加等、他の弊害も伴うことが多かっ
た。
低下や残留電位の増加等、他の弊害も伴うことが多かっ
た。
【００３３】従来はこの２つの現象を明確に分離して考
えられていなかったが、実際は（１）のメカニズムが原
因の画像流れがほとんどであったため、市場で大きな問
題は発生していなかった。
えられていなかったが、実際は（１）のメカニズムが原
因の画像流れがほとんどであったため、市場で大きな問
題は発生していなかった。
【００３４】しかし、コストダウン、省エネルギー等の
目的で光受容部材の加熱手段を設けない電子写真装置の
開発が進み、更に従来よりも高速で長時間連続して繰り
返しコピーが繰り返されるように従い、従来の画像流れ
対策では十分な効果を上げることが出来ない（２）のメ
カニズムによる画像流れが注目されるようになった。
目的で光受容部材の加熱手段を設けない電子写真装置の
開発が進み、更に従来よりも高速で長時間連続して繰り
返しコピーが繰り返されるように従い、従来の画像流れ
対策では十分な効果を上げることが出来ない（２）のメ
カニズムによる画像流れが注目されるようになった。
【００３５】前述したように電気的、光学的、光導電的
特性及び使用環境特性、耐久性の向上、更に、画像品位
の向上の為に、シリコン原子と炭素原子と水素原子とを
構成要素として含む非単結晶材料で光受容部材の表面層
もしくは表面領域（以下「表面層」で総称する。）を構
成する事が従来行なわれていた。
特性及び使用環境特性、耐久性の向上、更に、画像品位
の向上の為に、シリコン原子と炭素原子と水素原子とを
構成要素として含む非単結晶材料で光受容部材の表面層
もしくは表面領域（以下「表面層」で総称する。）を構
成する事が従来行なわれていた。
【００３６】この様な表面層中での炭素原子の量は、シ
リコン原子と炭素原子の和を１００％としたとき、１×
１０-3から９０原子％最適には、１０原子％から８０原
子％が好ましいとされている。この時特別にシリコン原
子と炭素原子の結合の状態にこだわらずに表面層を形成
した場合、シリコン原子と炭素原子は均一には分布せ
ず、シリコン原子の高濃度な部分と炭素原子が高濃度な
部分とが混合する状態となる。この為、炭素原子との結
合を少なくとも１つ持つシリコン原子の数は上記した組
成から予想される値より小さなものとなる。
リコン原子と炭素原子の和を１００％としたとき、１×
１０-3から９０原子％最適には、１０原子％から８０原
子％が好ましいとされている。この時特別にシリコン原
子と炭素原子の結合の状態にこだわらずに表面層を形成
した場合、シリコン原子と炭素原子は均一には分布せ
ず、シリコン原子の高濃度な部分と炭素原子が高濃度な
部分とが混合する状態となる。この為、炭素原子との結
合を少なくとも１つ持つシリコン原子の数は上記した組
成から予想される値より小さなものとなる。
【００３７】一方、本発明者の知見によれば、表面層中
に当初から存在する、又は、Ｓｉ−Ｈ，Ｓｉ−Ｓｉ結合
がコロナのエネルギーにより切れて発生したシリコン原
子のダングリングボンドがコロナ帯電下で酸素と結合す
ることにより上述の（２）のメカニズムが発生するので
ある。シリコン原子と炭素原子との結合を考慮せずに作
製された光受容部材でこの様な現象が起こった光受容部
材の表面をＥＳＣＡにより分析すると１０〜３０％程度
のシリコン原子が酸素と結合していることが確認でき
た。尚、この時シリコン原子と酸素との結合の状態は、
ＳｉＯz と置いたときｚは１．０〜１．５であった。
に当初から存在する、又は、Ｓｉ−Ｈ，Ｓｉ−Ｓｉ結合
がコロナのエネルギーにより切れて発生したシリコン原
子のダングリングボンドがコロナ帯電下で酸素と結合す
ることにより上述の（２）のメカニズムが発生するので
ある。シリコン原子と炭素原子との結合を考慮せずに作
製された光受容部材でこの様な現象が起こった光受容部
材の表面をＥＳＣＡにより分析すると１０〜３０％程度
のシリコン原子が酸素と結合していることが確認でき
た。尚、この時シリコン原子と酸素との結合の状態は、
ＳｉＯz と置いたときｚは１．０〜１．５であった。
【００３８】ところが、シリコン原子が炭素原子との結
合を少なくとも１つ持つとこの様な酸化は非常に起こり
にくいものとなることが数多くの実験の結果わかった。
更に、その場合は酸化が起こった場合もその電子写真特
性に与える影響が軽減されることがわかった。この為、
シリコン原子と炭素原子との結合割合を充分考慮して作
製された光受容部材は上述の画像流れ等を効果的に解決
することが出来る。
合を少なくとも１つ持つとこの様な酸化は非常に起こり
にくいものとなることが数多くの実験の結果わかった。
更に、その場合は酸化が起こった場合もその電子写真特
性に与える影響が軽減されることがわかった。この為、
シリコン原子と炭素原子との結合割合を充分考慮して作
製された光受容部材は上述の画像流れ等を効果的に解決
することが出来る。
【００３９】シリコン原子が炭素原子と結合する確率を
増やすため原料ガス中の炭素原子を含むガスの流量を単
に増やすことはあまり効果的ではない。これは前記した
ようにシリコン原子と、炭素原子は堆積膜中で不均一な
分布を持つためである。従って、単に炭素原子含有ガス
を増量することで炭素原子との結合を少なくとも１つ持
つシリコン原子が表面層中の全シリコン原子の３０％以
上にする事は困難なことであった。さらに、そのように
炭素原子の量を増やしていくと上述の画像流れが十分に
改善されないまま電子写真用光受容部材に要求されてい
る機械的強度、十分に広い光学的バンドギャップ幅など
の他の特性が悪化してしまう場合がある。
増やすため原料ガス中の炭素原子を含むガスの流量を単
に増やすことはあまり効果的ではない。これは前記した
ようにシリコン原子と、炭素原子は堆積膜中で不均一な
分布を持つためである。従って、単に炭素原子含有ガス
を増量することで炭素原子との結合を少なくとも１つ持
つシリコン原子が表面層中の全シリコン原子の３０％以
上にする事は困難なことであった。さらに、そのように
炭素原子の量を増やしていくと上述の画像流れが十分に
改善されないまま電子写真用光受容部材に要求されてい
る機械的強度、十分に広い光学的バンドギャップ幅など
の他の特性が悪化してしまう場合がある。
【００４０】そこで本発明では、前記したように炭素原
子との結合を少なくとも１つ持つシリコン原子の割合を
全シリコン原子の数に対して従来に比べ極めて多い値に
特定した材料を表面層として用いることにより、上述し
た相反する特性の改善を同時に満足することを達成して
いる。
子との結合を少なくとも１つ持つシリコン原子の割合を
全シリコン原子の数に対して従来に比べ極めて多い値に
特定した材料を表面層として用いることにより、上述し
た相反する特性の改善を同時に満足することを達成して
いる。
【００４１】また本発明では、炭素原子との結合を少な
くとも１つ持つシリコン原子と、酸素原子との結合を少
なくとも１つ持つシリコン原子の割合を全シリコン原子
の数に対して従来に比べ極めて多い値に特定した材料を
表面層として用いることにより、機械的強度や透明性
（所望の波長の電磁波の透過性）を損なわずに耐候性、
環境特性を向上させることと同時にトナーのフィルミン
グの防止に特に大きな効果のある電子写真用光受容部材
を完成した。
くとも１つ持つシリコン原子と、酸素原子との結合を少
なくとも１つ持つシリコン原子の割合を全シリコン原子
の数に対して従来に比べ極めて多い値に特定した材料を
表面層として用いることにより、機械的強度や透明性
（所望の波長の電磁波の透過性）を損なわずに耐候性、
環境特性を向上させることと同時にトナーのフィルミン
グの防止に特に大きな効果のある電子写真用光受容部材
を完成した。
【００４２】トナーのフィルミングの防止効果について
その詳細な作用は不明であるが、最表面のシリコン原
子、炭素原子及び酸素原子の間の結合の状態が最適の時
に、フィルミングの発生原因となるトナー中の樹脂と光
受容部材表面との弱い結合の形成を最小限に押さえるこ
とができるのであろうと考えられる。
その詳細な作用は不明であるが、最表面のシリコン原
子、炭素原子及び酸素原子の間の結合の状態が最適の時
に、フィルミングの発生原因となるトナー中の樹脂と光
受容部材表面との弱い結合の形成を最小限に押さえるこ
とができるのであろうと考えられる。
【００４３】以下、図面に従って本発明の光導電部材に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
【００４４】図１は、本発明の電子写真用光受容部材の
好ましい一例の層構成を説明するための模式的に示した
模式的構成図である。
好ましい一例の層構成を説明するための模式的に示した
模式的構成図である。
【００４５】図１に示される電子写真用光受容部材１０
０は、光受容部材用の支持体１０１の上に、光受容層１
０２が設けられている。該光受容層１０２はＡ−Ｓｉ
（Ｈ，Ｘ）（水素原子又は／及びハロゲン原子を含有す
るシリコンを母体とする非晶質材料）からなり光導電性
を有する光導電層１０３と、シリコン原子と炭素原子を
有する非単結晶材料で構成される表面層１０４を有して
いる。表面層１０４は、少なくともその表面側領域が炭
素原子との結合を少なくとも１つ持つシリコン原子が、
表面層中の全シリコン原子の５０％以上とされている。
０は、光受容部材用の支持体１０１の上に、光受容層１
０２が設けられている。該光受容層１０２はＡ−Ｓｉ
（Ｈ，Ｘ）（水素原子又は／及びハロゲン原子を含有す
るシリコンを母体とする非晶質材料）からなり光導電性
を有する光導電層１０３と、シリコン原子と炭素原子を
有する非単結晶材料で構成される表面層１０４を有して
いる。表面層１０４は、少なくともその表面側領域が炭
素原子との結合を少なくとも１つ持つシリコン原子が、
表面層中の全シリコン原子の５０％以上とされている。
【００４６】本発明において使用される支持体として
は、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｌ，Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，
Ｐｂ，Ｆｅ等の金属、またはこれ等の合金、あるいは前
記金属の積層体が挙げられる。
は、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｌ，Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，
Ｐｂ，Ｆｅ等の金属、またはこれ等の合金、あるいは前
記金属の積層体が挙げられる。
【００４７】電気絶縁性支持体としては、ポリエステ
ル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフ
ィルム又はシート、ガラス、セラミック、紙などが通常
使用される。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少
なくともその一方の表面を導電処理され、該導電処理さ
れた表面側に光受容層が設けられるのが望ましい。
ル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフ
ィルム又はシート、ガラス、セラミック、紙などが通常
使用される。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少
なくともその一方の表面を導電処理され、該導電処理さ
れた表面側に光受容層が設けられるのが望ましい。
【００４８】例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎ
ｉＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＩＴＯ
（Ｉｎ2 Ｏ3 ＋ＳｎＯ2 ）等から成る群から少なくとも
一つ選ばれた材料の薄膜を設けることによって導電性が
付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フ
ィルムであれば、ＮｉＣｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ｐｂ，Ｚｎ，
Ｎｉ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔ
ｉ，Ｐｔ等から成る群から少なくとも一つ選ばれた金属
の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等
でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネー
ト処理して、その表面に導電性が付与される。支持体の
形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状と
し得、所望によって、その形状は決定されるが、例え
ば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状
とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの電子
写真用光受容部材が形成される様に適宜決定されるが、
電子写真用光受容部材として可撓性が要求される場合に
は、支持体としての機能が十分発揮される範囲内であれ
ば可能な限り薄くされる。しかしながら、この様な場
合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、通常は１０μ以上とされる。
ｉＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＩＴＯ
（Ｉｎ2 Ｏ3 ＋ＳｎＯ2 ）等から成る群から少なくとも
一つ選ばれた材料の薄膜を設けることによって導電性が
付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フ
ィルムであれば、ＮｉＣｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ｐｂ，Ｚｎ，
Ｎｉ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔ
ｉ，Ｐｔ等から成る群から少なくとも一つ選ばれた金属
の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等
でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネー
ト処理して、その表面に導電性が付与される。支持体の
形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状と
し得、所望によって、その形状は決定されるが、例え
ば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状
とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの電子
写真用光受容部材が形成される様に適宜決定されるが、
電子写真用光受容部材として可撓性が要求される場合に
は、支持体としての機能が十分発揮される範囲内であれ
ば可能な限り薄くされる。しかしながら、この様な場
合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、通常は１０μ以上とされる。
【００４９】又、レーザー光などの可干渉性光を用いて
像記録を行なう場合には、可視画像において現われる、
所謂、干渉縞模様による画像不良を解消するために、支
持体表面に所望の凹凸を設けてもよい。この凹凸の一例
を図２（ａ）〜（ｃ）に支持体の模式的切断面図として
示す。
像記録を行なう場合には、可視画像において現われる、
所謂、干渉縞模様による画像不良を解消するために、支
持体表面に所望の凹凸を設けてもよい。この凹凸の一例
を図２（ａ）〜（ｃ）に支持体の模式的切断面図として
示す。
【００５０】支持体表面に設けられる凹凸は、Ｖ字形状
の切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工
機械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体をあらか
じめ所望に従って設計されたプログラムに従って回転さ
せながら規則的に所定方向に移動させることにより、支
持体表面を正確に切削加工することで所望の凹凸形状、
ピッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によっ
て形成される凹凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円
筒状支持体の中心軸を中心にした螺線構造を有する。逆
Ｖ字形突起部の螺線構造は、二重、三重の多重螺線構
造、又は交叉螺線構造とされても差支えない。
の切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工
機械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体をあらか
じめ所望に従って設計されたプログラムに従って回転さ
せながら規則的に所定方向に移動させることにより、支
持体表面を正確に切削加工することで所望の凹凸形状、
ピッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によっ
て形成される凹凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円
筒状支持体の中心軸を中心にした螺線構造を有する。逆
Ｖ字形突起部の螺線構造は、二重、三重の多重螺線構
造、又は交叉螺線構造とされても差支えない。
【００５１】或いは、螺線構造に加えて中心軸に沿った
遅線構造を導入しても良い。
遅線構造を導入しても良い。
【００５２】支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断
面形状は形成される各層の微小カラム内に於ける層厚の
管理された不均一化と、支持体と該支持体上に直接設け
られる層との間の良好な密着性や所望の電気的接触性を
確保する為に逆Ｖ字形とされるが、好ましくは図２に示
される様に実質的に二等辺三角形、直角三角形或いは不
等辺三角形とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊
に二等辺三角形、直角三角形が望ましい。
面形状は形成される各層の微小カラム内に於ける層厚の
管理された不均一化と、支持体と該支持体上に直接設け
られる層との間の良好な密着性や所望の電気的接触性を
確保する為に逆Ｖ字形とされるが、好ましくは図２に示
される様に実質的に二等辺三角形、直角三角形或いは不
等辺三角形とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊
に二等辺三角形、直角三角形が望ましい。
【００５３】本発明に於ては、管理された状態で支持体
表面に設けられる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点
を考慮した上で、本発明の目的を結果的に達成出来る様
に設定される。
表面に設けられる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点
を考慮した上で、本発明の目的を結果的に達成出来る様
に設定される。
【００５４】即ち、第１は光受容層を構成する水素原子
及び／又はハロゲン原子を含有するアモルファスシリコ
ン（Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ））層は、層形成される表面の状
態に構造敏感であって、表面状態に応じて層品質は大き
く変化する。
及び／又はハロゲン原子を含有するアモルファスシリコ
ン（Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ））層は、層形成される表面の状
態に構造敏感であって、表面状態に応じて層品質は大き
く変化する。
【００５５】従って、Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）層の層品質の
低下を招来しない様に支持体表面に設けられる凹凸のデ
ィメンジョンを設定する必要がある。
低下を招来しない様に支持体表面に設けられる凹凸のデ
ィメンジョンを設定する必要がある。
【００５６】第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸
があると、画像形成後のクリーニングに於てクリーニン
グを完全に行なうことが出来なくなる。
があると、画像形成後のクリーニングに於てクリーニン
グを完全に行なうことが出来なくなる。
【００５７】又、ブレードクリーニングを行う場合、ブ
レードのいたみが早くなるという問題がある。
レードのいたみが早くなるという問題がある。
【００５８】上記した層堆積上の問題点、電子写真法の
プロセス上の問題点及び、干渉縞模様を防ぐ条件を検討
した結果、支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５
００μｍ〜０．３μｍ、より好ましくは２００μｍ〜１
μｍ、最適には５０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。
プロセス上の問題点及び、干渉縞模様を防ぐ条件を検討
した結果、支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５
００μｍ〜０．３μｍ、より好ましくは２００μｍ〜１
μｍ、最適には５０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。
【００５９】また凹部の最大の深さは、好ましくは０．
１μｍ〜５μｍ、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、
最適には０．６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支
持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある
場合、凹部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ま
しくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最
適には４度〜１０度とされるのが望ましい。
１μｍ〜５μｍ、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、
最適には０．６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支
持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある
場合、凹部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ま
しくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最
適には４度〜１０度とされるのが望ましい。
【００６０】又、この様な支持体上に堆積される各層の
層圧の不均一に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好
ましくは０．１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０．１μ
ｍ〜１．５μｍ、最適には０．２μｍ〜１μｍとされる
のが望ましい。
層圧の不均一に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好
ましくは０．１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０．１μ
ｍ〜１．５μｍ、最適には０．２μｍ〜１μｍとされる
のが望ましい。
【００６１】又、レーザー光などの可干渉性光を用いた
場合の、干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法
として、支持体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形
状を設けてもよい。
場合の、干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法
として、支持体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形
状を設けてもよい。
【００６２】即ち支持体の表面が電子写真用光受容部材
に要求される解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該
凹凸は、複数の球場痕跡窪みによるものである。
に要求される解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該
凹凸は、複数の球場痕跡窪みによるものである。
【００６３】以下に、本発明の電子写真用光受容部材に
おける支持体の表面の形状及びその好適な製造例を図４
により説明するが、本発明の光受容部材における支持体
の形状及びその製造法は、これによって限定されるもの
ではない。
おける支持体の表面の形状及びその好適な製造例を図４
により説明するが、本発明の光受容部材における支持体
の形状及びその製造法は、これによって限定されるもの
ではない。
【００６４】図４は、本発明の電子写真用光受容部材に
おける支持体の表面の形状の典型的一例を、その凹凸形
状の一部を部分的に拡大して模式的に示すものである。
おける支持体の表面の形状の典型的一例を、その凹凸形
状の一部を部分的に拡大して模式的に示すものである。
【００６５】図４において１６０１は支持体、１６０２
は支持体表面、１６０３は剛体真球、１６０４は球状痕
跡窪みを示している。
は支持体表面、１６０３は剛体真球、１６０４は球状痕
跡窪みを示している。
【００６６】更に図４は、該支持体表面形状を得るのに
好ましい製造方法の１例をも示すものである。即ち、剛
体真球１６０３を支持体表面１６０２より所定の高さの
位置より自然落下させて支持体表面１６０２に衝突させ
ることにより、球状窪み１６０４を形成し得ることを示
している。そして、ほぼ同一又は実質的に同一径Ｒの剛
体真球１６０３を複数個用い、それらを同一又は実質的
に同一の高さｈより、同時或いは逐時、落下させること
により、支持体表面１６０２に、ほぼ同一曲線半径Ｒ及
び同一幅Ｄを有する複数の球状痕跡窪み１６０４を形成
することができる。
好ましい製造方法の１例をも示すものである。即ち、剛
体真球１６０３を支持体表面１６０２より所定の高さの
位置より自然落下させて支持体表面１６０２に衝突させ
ることにより、球状窪み１６０４を形成し得ることを示
している。そして、ほぼ同一又は実質的に同一径Ｒの剛
体真球１６０３を複数個用い、それらを同一又は実質的
に同一の高さｈより、同時或いは逐時、落下させること
により、支持体表面１６０２に、ほぼ同一曲線半径Ｒ及
び同一幅Ｄを有する複数の球状痕跡窪み１６０４を形成
することができる。
【００６７】前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡
窪みによる凹凸形状の形成された支持体の典型例を図５
に示す。
窪みによる凹凸形状の形成された支持体の典型例を図５
に示す。
【００６８】ところで、本発明の電子写真用光受容部材
の支持体表面の球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率半径
Ｒ及び幅Ｄは、こうした本発明の光受容部材を用いて印
刷した画像における認知される干渉縞の発生を防止する
作用効果を効率的に達成するためには重要な要因であ
る。本発明者らは、各種実験を重ねた結果以下のところ
を究明した。即ち、曲率半径Ｒ及び幅Ｄが次式： Ｄ／Ｒ≧０．０３５ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
とになる。更に次式： Ｄ／Ｒ≧０．０５５ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。
の支持体表面の球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率半径
Ｒ及び幅Ｄは、こうした本発明の光受容部材を用いて印
刷した画像における認知される干渉縞の発生を防止する
作用効果を効率的に達成するためには重要な要因であ
る。本発明者らは、各種実験を重ねた結果以下のところ
を究明した。即ち、曲率半径Ｒ及び幅Ｄが次式： Ｄ／Ｒ≧０．０３５ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
とになる。更に次式： Ｄ／Ｒ≧０．０５５ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。
【００６９】こうした事から、光受容部材の全体に発生
する干渉縞を各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部
材を用いて印刷された画像に於ける認知される干渉縞の
発生を防止する為には、前記Ｄ／Ｒを０．０３５、好ま
しくは０．０５５以上とすることが望ましい。
する干渉縞を各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部
材を用いて印刷された画像に於ける認知される干渉縞の
発生を防止する為には、前記Ｄ／Ｒを０．０３５、好ま
しくは０．０５５以上とすることが望ましい。
【００７０】又、痕跡窪みによる凹凸の幅Ｄは、大きく
とも５００μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下、より
好ましくは１００μｍ以下とするのが好ましい。
とも５００μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下、より
好ましくは１００μｍ以下とするのが好ましい。
【００７１】本発明に於いて、その目的を効果的に達成
する為に、支持体１０１上に形成され、光受容層１０２
の一部を構成する光導電層１０３は下記に示す半導体特
性を有し、照射される光に対して光導電性を示すＡ−Ｓ
ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される。
する為に、支持体１０１上に形成され、光受容層１０２
の一部を構成する光導電層１０３は下記に示す半導体特
性を有し、照射される光に対して光導電性を示すＡ−Ｓ
ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される。
【００７２】ｐ型Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）…アクセプター
のみを含むもの。或いはドナーとアクセプターとの両方
を含み、アクセプターの相対的濃度が高いもの。
のみを含むもの。或いはドナーとアクセプターとの両方
を含み、アクセプターの相対的濃度が高いもの。
【００７３】ｐ- 型Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）…のタイプ
に於いてアクセプターの濃度（Ｎａ）が低いか、又はア
クセプターの相対的濃度が低いもの。
に於いてアクセプターの濃度（Ｎａ）が低いか、又はア
クセプターの相対的濃度が低いもの。
【００７４】ｎ型Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）…ドナーのみを
含むもの。或いはドナーとアクセプターの両方を含み、
ドナーの相対濃度が高いもの。
含むもの。或いはドナーとアクセプターの両方を含み、
ドナーの相対濃度が高いもの。
【００７５】ｎ- 型Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）…のタイプ
に於いてドナーの濃度（Ｎｄ）が低いか、又はアクセプ
ターの相対的濃度が低いもの。
に於いてドナーの濃度（Ｎｄ）が低いか、又はアクセプ
ターの相対的濃度が低いもの。
【００７６】ｉ型Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）…Ｎａ〜Ｎｂ〜
Ｏのもの又は、Ｎａ〜Ｎｄのもの。
Ｏのもの又は、Ｎａ〜Ｎｄのもの。
【００７７】本発明に於いて、光導電層１０３中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ，Ｃｌ，
Ｂｒ，Ｉであり、殊にＦ，Ｃｌが望ましいものである。
されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ，Ｃｌ，
Ｂｒ，Ｉであり、殊にＦ，Ｃｌが望ましいものである。
【００７８】本発明に於いて、Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される光導電層１０３を形成するには、例えばグロー
放電法、マイクロ波放電法、スパッタリング法、或いは
イオンプレーティング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によって成される。例えば、グロー放電法によって
Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層を形成するに
は、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスと共に、水素原子（Ｈ）導入用の又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が
減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されてある所定の
支持体表面上にＡ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成さ
せれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合に
は、例えば、Ａｒ，Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガ
スをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成され
たターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタ
リング用の堆積室に導入してやれば良い。
成される光導電層１０３を形成するには、例えばグロー
放電法、マイクロ波放電法、スパッタリング法、或いは
イオンプレーティング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によって成される。例えば、グロー放電法によって
Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層を形成するに
は、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスと共に、水素原子（Ｈ）導入用の又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が
減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されてある所定の
支持体表面上にＡ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成さ
せれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合に
は、例えば、Ａｒ，Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガ
スをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成され
たターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタ
リング用の堆積室に導入してやれば良い。
【００７９】本発明に於いて使用されるＳｉ供給用の原
料ガスとしては、ＳｉＨ4 ，Ｓｉ2Ｈ6 ，Ｓｉ3 Ｈ8 ，
Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素
（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、
殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の
点でＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいものとして挙げら
れる。
料ガスとしては、ＳｉＨ4 ，Ｓｉ2Ｈ6 ，Ｓｉ3 Ｈ8 ，
Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素
（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、
殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の
点でＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいものとして挙げら
れる。
【００８０】本発明に於いて使用されるハロゲン原子導
入用の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合
物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハ
ロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等
のガス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好まし
く挙げられる。
入用の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合
物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハ
ロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等
のガス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好まし
く挙げられる。
【００８１】又、更には、シリコン原子とハロゲン原子
とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロ
ゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして本発明に
於いては挙げる事が出来る。
とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロ
ゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして本発明に
於いては挙げる事が出来る。
【００８２】本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ3 ，Ｂｒ
Ｆ5，ＢｒＦ3 ，ＩＦ3 ，ＩＦ7 ，ＩＣｌ，ＩＢｒ等の
ハロゲン間化合物を挙げる事が出来る。
化合物としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ3 ，Ｂｒ
Ｆ5，ＢｒＦ3 ，ＩＦ3 ，ＩＦ7 ，ＩＣｌ，ＩＢｒ等の
ハロゲン間化合物を挙げる事が出来る。
【００８３】ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハ
ロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的
には例えば、ＳｉＦ4 ，Ｓｉ2Ｆ6 ，ＳｉＣｌ4 ，Ｓｉ
Ｂｒ 4 等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げる
事が出来る。
ロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的
には例えば、ＳｉＦ4 ，Ｓｉ2Ｆ6 ，ＳｉＣｌ4 ，Ｓｉ
Ｂｒ 4 等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げる
事が出来る。
【００８４】この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を
採用してグロー放電法によって本発明の特徴的な光導電
部材を形成する場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスと
しての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体
上にハロゲン原子を構成要素として含むＡ−Ｓｉ：Ｈか
ら成る層を形成する事が出来る。
採用してグロー放電法によって本発明の特徴的な光導電
部材を形成する場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスと
しての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体
上にハロゲン原子を構成要素として含むＡ−Ｓｉ：Ｈか
ら成る層を形成する事が出来る。
【００８５】グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含
む層を製造する場合、基本的にはＳｉ供給用の原料ガス
であるハロゲン化硅素ガスとＡｒ，Ｈ2 ，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして光導電層を
形成する堆積室内に導入し、グロー放電を生起してこれ
等のガスのプラズマ雰囲気を形成する事によって、所定
の支持体上に光導電層を形成し得るものであるが、水素
原子の導入を計る為にこれ等のガスに更に水素原子を含
む硅素化合物のガスを所定量混合して層形成しても良
い。
む層を製造する場合、基本的にはＳｉ供給用の原料ガス
であるハロゲン化硅素ガスとＡｒ，Ｈ2 ，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして光導電層を
形成する堆積室内に導入し、グロー放電を生起してこれ
等のガスのプラズマ雰囲気を形成する事によって、所定
の支持体上に光導電層を形成し得るものであるが、水素
原子の導入を計る為にこれ等のガスに更に水素原子を含
む硅素化合物のガスを所定量混合して層形成しても良
い。
【００８６】又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合
比で複数種混合して使用しても差支えないものである。
比で複数種混合して使用しても差支えないものである。
【００８７】反応スパッタリング法或いはイオンプレー
ティング法に依ってＡ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形
成するには、例えばスパッタリング法の場合にはＳｉか
ら成るターゲットを使用して、これを所定のガスプラズ
マ雰囲気中でスパッタリングし、イオンプレーティング
法の場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸
発源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を
抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等
によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ
雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る。
ティング法に依ってＡ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形
成するには、例えばスパッタリング法の場合にはＳｉか
ら成るターゲットを使用して、これを所定のガスプラズ
マ雰囲気中でスパッタリングし、イオンプレーティング
法の場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸
発源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を
抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等
によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ
雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る。
【００８８】この際、スパッタリング法、イオンプレー
ティング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲン
原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いもの
である。
ティング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲン
原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いもの
である。
【００８９】又、水素原子を導入する場合には、水素原
子導入用の原料ガス、例えば、Ｈ2、或いは前記したシ
ラン類等のガスをスパッタリング用の堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。
子導入用の原料ガス、例えば、Ｈ2、或いは前記したシ
ラン類等のガスをスパッタリング用の堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。
【００９０】本発明に於いては、ハロゲン原子導入用の
原料ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロゲ
ンを含む硅素化合物が有効なものとして使用されるもの
であるが、その他に、ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ，ＨＩ等の
ハロゲン化水素、ＳｉＨ2 Ｆ 2 ，ＳｉＨ2 Ｉ2 ，ＳｉＨ
2 Ｃｌ2 ，ＳｉＨＣｌ3 ，ＳｉＨ2 Ｂｒ2 ，ＳｉＨＢｒ
3 等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或い
はガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとするハロ
ゲン化物も有効な光導電層形成用の出発物質として挙げ
る事が出来る。
原料ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロゲ
ンを含む硅素化合物が有効なものとして使用されるもの
であるが、その他に、ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ，ＨＩ等の
ハロゲン化水素、ＳｉＨ2 Ｆ 2 ，ＳｉＨ2 Ｉ2 ，ＳｉＨ
2 Ｃｌ2 ，ＳｉＨＣｌ3 ，ＳｉＨ2 Ｂｒ2 ，ＳｉＨＢｒ
3 等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或い
はガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとするハロ
ゲン化物も有効な光導電層形成用の出発物質として挙げ
る事が出来る。
【００９１】これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、
層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的
或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入
されるので、本発明に於いては好適なハロゲン導入用の
原料として使用される。
層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的
或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入
されるので、本発明に於いては好適なハロゲン導入用の
原料として使用される。
【００９２】水素原子を層中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ2 、或いはＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ3
Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等の水素化硅素のガスをＳｉを供給す
る為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放電を生
起させる事でも行う事が出来る。
上記の他にＨ2 、或いはＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ3
Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等の水素化硅素のガスをＳｉを供給す
る為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放電を生
起させる事でも行う事が出来る。
【００９３】例えば、反応スパッタリング法の場合に
は、Ｓｉターゲットを使用し、ハロゲン原子導入用のガ
ス及びＨ2 ガスを必要に応じてＨｅ，Ａｒ等の不活性ガ
スを含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成
し、前記Ｓｉターゲットをスパッタリングする事によっ
て、基板上にＡ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層が形成され
る。
は、Ｓｉターゲットを使用し、ハロゲン原子導入用のガ
ス及びＨ2 ガスを必要に応じてＨｅ，Ａｒ等の不活性ガ
スを含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成
し、前記Ｓｉターゲットをスパッタリングする事によっ
て、基板上にＡ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層が形成され
る。
【００９４】更には、不純物のドーピングも兼ねてＢ2
Ｈ6 等のガスを導入してやることも出来る。
Ｈ6 等のガスを導入してやることも出来る。
【００９５】本発明に於いて、形成される電子写真用光
受容部材の光導電層中に含有される水素原子（Ｈ）の量
又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和は好ましくは１〜４０原子％、より好適には
５〜３０原子％とされるのが望ましい。
受容部材の光導電層中に含有される水素原子（Ｈ）の量
又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和は好ましくは１〜４０原子％、より好適には
５〜３０原子％とされるのが望ましい。
【００９６】層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。
【００９７】本発明に於て、光導電層をグロー放電法又
はスパッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガス
としては、所謂稀ガス、例えば、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ等が
好適なものとして挙げる事が出来る。
はスパッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガス
としては、所謂稀ガス、例えば、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ等が
好適なものとして挙げる事が出来る。
【００９８】光導電層１０３の半導体特性を〜の中
の所望のものとするには、該層形成の際に、ｎ型不純物
又は、ｐ型不純物、或いは両不純物を形成される層中に
その量を制御し乍らドーピングしてやる事によって成さ
れる。その様な不純物としては、ｐ型不純物として周期
律表第III 族に属する原子、例えば、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｉｎ，Ｔｌ等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不純物
としては、周期律表Ｖ族に属する原子、例えば、Ｎ，
Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ等が好適なものとして挙げられる
が、殊にＢ，Ｇａ，Ｐ，Ｓｂ等が最適である。
の所望のものとするには、該層形成の際に、ｎ型不純物
又は、ｐ型不純物、或いは両不純物を形成される層中に
その量を制御し乍らドーピングしてやる事によって成さ
れる。その様な不純物としては、ｐ型不純物として周期
律表第III 族に属する原子、例えば、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｉｎ，Ｔｌ等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不純物
としては、周期律表Ｖ族に属する原子、例えば、Ｎ，
Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ等が好適なものとして挙げられる
が、殊にＢ，Ｇａ，Ｐ，Ｓｂ等が最適である。
【００９９】本発明に於いて所望の伝導型を有する為に
光導電層１０３中にドーピングされる不純物の量は、所
望される電気的、光学的特性に応じて適宜決定される
が、周期律表第III 族の不純物の場合は３×１０-3原子
％以下の量範囲でドーピングしてやれば良く、周期律表
Ｖ族の不純物の場合には５×１０-3原子％以下の量範囲
でドーピングしてやれば良い。
光導電層１０３中にドーピングされる不純物の量は、所
望される電気的、光学的特性に応じて適宜決定される
が、周期律表第III 族の不純物の場合は３×１０-3原子
％以下の量範囲でドーピングしてやれば良く、周期律表
Ｖ族の不純物の場合には５×１０-3原子％以下の量範囲
でドーピングしてやれば良い。
【０１００】光導電層１０３中に不純物をドーピングす
るには、層形成の際に不純物導入用の原料物質をガス状
態で堆積室中に光導電層１０３を形成する主原料物質と
共に導入してやれば良い。この様な不純物導入用の原料
物質としては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層
形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが
望ましい。
るには、層形成の際に不純物導入用の原料物質をガス状
態で堆積室中に光導電層１０３を形成する主原料物質と
共に導入してやれば良い。この様な不純物導入用の原料
物質としては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層
形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが
望ましい。
【０１０１】また、光導電層１０３は、上記した〜
の型のＡ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）層から選ばれる型のＡ−Ｓｉ
（Ｈ，Ｘ）を帯電極性等を考慮した上で必要に応じて適
宜組合わせることも好ましい。
の型のＡ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）層から選ばれる型のＡ−Ｓｉ
（Ｈ，Ｘ）を帯電極性等を考慮した上で必要に応じて適
宜組合わせることも好ましい。
【０１０２】この様な不純物導入用の出発物質として具
体的には、ＰＨ3，Ｐ2 Ｈ4 ，ＰＦ 3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ3
，ＡｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，ＡｓＦ5 ，ＡｓＣｌ3 ，Ｓｂ
Ｈ3，ＳｂＦ3 ，ＳｂＦ5 ，ＢｉＨ3 ，ＢＦ3 ，ＢＣｌ3
，ＢＢｒ3 ，Ｂ2 Ｈ6 ，Ｂ 4 Ｈ10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ
11，Ｂ6 Ｈ10，Ｂ6 Ｈ12，Ｂ6 Ｈ14，ＡｌＣｌ3 ，Ｇａ
Ｃｌ3 ，ＩｎＣｌ3 ，ＴｌＣｌ3 等を挙げる事が出来
る。
体的には、ＰＨ3，Ｐ2 Ｈ4 ，ＰＦ 3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ3
，ＡｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，ＡｓＦ5 ，ＡｓＣｌ3 ，Ｓｂ
Ｈ3，ＳｂＦ3 ，ＳｂＦ5 ，ＢｉＨ3 ，ＢＦ3 ，ＢＣｌ3
，ＢＢｒ3 ，Ｂ2 Ｈ6 ，Ｂ 4 Ｈ10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ
11，Ｂ6 Ｈ10，Ｂ6 Ｈ12，Ｂ6 Ｈ14，ＡｌＣｌ3 ，Ｇａ
Ｃｌ3 ，ＩｎＣｌ3 ，ＴｌＣｌ3 等を挙げる事が出来
る。
【０１０３】光導電層に、炭素原子、酸素原子、窒素原
子の中少なくとも１種類の原子を含有させるには、例え
ば、グロー放電法で形成する場合には、炭素原子、酸素
原子、窒素原子の中、少なくとも１種の元素を含有する
化合物を光導電層を形成する原料ガスと共に内部を減圧
にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内でグロー放電
を生起させて光導電層を形成すればよい。
子の中少なくとも１種類の原子を含有させるには、例え
ば、グロー放電法で形成する場合には、炭素原子、酸素
原子、窒素原子の中、少なくとも１種の元素を含有する
化合物を光導電層を形成する原料ガスと共に内部を減圧
にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内でグロー放電
を生起させて光導電層を形成すればよい。
【０１０４】その様な炭素原子導入用の原料となる炭素
原子含有化合物としては、例えば炭素数１〜４の飽和炭
化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２
〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。
原子含有化合物としては、例えば炭素数１〜４の飽和炭
化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２
〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。
【０１０５】具体的には、飽和炭化水素としては、メタ
ン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ2 Ｈ6 ）、プロパン（Ｃ3 Ｈ
8 ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ4 Ｈ10）、ペンタン（Ｃ5 Ｈ
12）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ2 Ｈ
4 ）、プロピレン（Ｃ3 Ｈ6）、ブテン−１（Ｃ4 Ｈ
8 ）、ブテン−２（Ｃ4 Ｈ8 ）、イソブチレン（Ｃ4 Ｈ
8 ）、ペンテン（Ｃ5 Ｈ10）、アセチレン系炭化水素と
しては、アセチレン（Ｃ 2 Ｈ2 ）、メチルアセチレン
（Ｃ3 Ｈ4 ）、ブチン（Ｃ4 Ｈ6 ）等が挙げられる。
ン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ2 Ｈ6 ）、プロパン（Ｃ3 Ｈ
8 ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ4 Ｈ10）、ペンタン（Ｃ5 Ｈ
12）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ2 Ｈ
4 ）、プロピレン（Ｃ3 Ｈ6）、ブテン−１（Ｃ4 Ｈ
8 ）、ブテン−２（Ｃ4 Ｈ8 ）、イソブチレン（Ｃ4 Ｈ
8 ）、ペンテン（Ｃ5 Ｈ10）、アセチレン系炭化水素と
しては、アセチレン（Ｃ 2 Ｈ2 ）、メチルアセチレン
（Ｃ3 Ｈ4 ）、ブチン（Ｃ4 Ｈ6 ）等が挙げられる。
【０１０６】ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガス
としては、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 ，Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ4 ）4 等の
ケイ化アルキルを挙げる事が出来る。
としては、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 ，Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ4 ）4 等の
ケイ化アルキルを挙げる事が出来る。
【０１０７】酸素原子導入用の原料となる酸素原子含有
化合物としては、例えば酸素（Ｏ2）、一酸化炭素（Ｃ
Ｏ）、二酸化炭素（ＣＯ2 ）、一酸化窒素、二酸化窒
素、等が挙げられる。
化合物としては、例えば酸素（Ｏ2）、一酸化炭素（Ｃ
Ｏ）、二酸化炭素（ＣＯ2 ）、一酸化窒素、二酸化窒
素、等が挙げられる。
【０１０８】又、窒素原子導入用の原料となる窒素原子
含有化合物としては、例えば、窒素（Ｎ2 ）、一酸化窒
素、二酸化窒素、アンモニア等が挙げられる。
含有化合物としては、例えば、窒素（Ｎ2 ）、一酸化窒
素、二酸化窒素、アンモニア等が挙げられる。
【０１０９】又、例えば光導電層をスパッタリング法で
形成する場合には、所望の混合比とし、例えば、（Ｓｉ
＋Ｓｉ3 Ｎ4 ），（Ｓｉ＋ＳｉＣ）又は（Ｓｉ＋ＳｉＯ
2 ）なる成分で混合成形したスパッター用のターゲット
を使用するか、ＳｉウエハーとＳｉ3 Ｎ4 ウエハーの二
枚、ＳｉウエハーとＳｉＣウエハーの二枚、又はＳｉウ
エハーとＳｉＯ2 ウエハーの二枚のターゲットを使用し
て、スパッタリングを行うか、又は炭素を含んだ化合物
のガス、窒素を含んだ化合物のガス、又は酸素を含んだ
化合物のガスを、例えばＡｒガス等のスパッター用のガ
スと共に堆積室内に導入して、Ｓｉ又はターゲットを使
用してスパッタリングを行って光導電層を形成すれば良
い。
形成する場合には、所望の混合比とし、例えば、（Ｓｉ
＋Ｓｉ3 Ｎ4 ），（Ｓｉ＋ＳｉＣ）又は（Ｓｉ＋ＳｉＯ
2 ）なる成分で混合成形したスパッター用のターゲット
を使用するか、ＳｉウエハーとＳｉ3 Ｎ4 ウエハーの二
枚、ＳｉウエハーとＳｉＣウエハーの二枚、又はＳｉウ
エハーとＳｉＯ2 ウエハーの二枚のターゲットを使用し
て、スパッタリングを行うか、又は炭素を含んだ化合物
のガス、窒素を含んだ化合物のガス、又は酸素を含んだ
化合物のガスを、例えばＡｒガス等のスパッター用のガ
スと共に堆積室内に導入して、Ｓｉ又はターゲットを使
用してスパッタリングを行って光導電層を形成すれば良
い。
【０１１０】本発明に於いて、形成される光導電層中に
含有される炭素、酸素または窒素の量は、形成される電
子写真用光受容部材の特性を大きく左右するものであっ
て、所望に応じて適宜決定されねばならないが、好まし
くは０．０００５〜３０原子％、より好適には０．００
１〜２０原子％、最適には、０．００２〜１５原子％と
されるのが望ましい。
含有される炭素、酸素または窒素の量は、形成される電
子写真用光受容部材の特性を大きく左右するものであっ
て、所望に応じて適宜決定されねばならないが、好まし
くは０．０００５〜３０原子％、より好適には０．００
１〜２０原子％、最適には、０．００２〜１５原子％と
されるのが望ましい。
【０１１１】光導電層１０３の層厚は、所望のスペクト
ル特性を有する光の照射によって発生されるフォトキャ
リアが効率良く輸送される様に所望に従って適宜決めら
れ、通常は１〜１００μ、好適には２〜５０μとされる
のが望ましい。
ル特性を有する光の照射によって発生されるフォトキャ
リアが効率良く輸送される様に所望に従って適宜決めら
れ、通常は１〜１００μ、好適には２〜５０μとされる
のが望ましい。
【０１１２】光導電層１０３上に形成される表面層１０
４は、自由表面１０５を有し、主に耐湿性、連続繰返し
使用特性、電気的耐圧性使用環境特性、耐久性に於いて
本発明の目的を達成する為に設けられる。
４は、自由表面１０５を有し、主に耐湿性、連続繰返し
使用特性、電気的耐圧性使用環境特性、耐久性に於いて
本発明の目的を達成する為に設けられる。
【０１１３】又、本発明に於いては、光受容層１０２を
構成する光導電層１０３と表面層１０４とを形成する非
晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を
有しているので、積層界面に於いて化学的な安定性の確
保が充分成されている。
構成する光導電層１０３と表面層１０４とを形成する非
晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を
有しているので、積層界面に於いて化学的な安定性の確
保が充分成されている。
【０１１４】もちろん、光導電層１０３と表面層１０４
との間に明確な界面が存在しなくとも良い。すなわち、
光導電層１０３の外表面側から徐々に炭素原子の含有量
を増加させ、少なくとも表面側の領域において所望のシ
リコン原子と炭素原子との結合割合となるようにしても
良い。
との間に明確な界面が存在しなくとも良い。すなわち、
光導電層１０３の外表面側から徐々に炭素原子の含有量
を増加させ、少なくとも表面側の領域において所望のシ
リコン原子と炭素原子との結合割合となるようにしても
良い。
【０１１５】このように明確な界面がない場合はそこに
おける屈折率の変化や反射が生じないため、特にレーザ
ー光等の可干渉光を光源とした場合には好ましい。
おける屈折率の変化や反射が生じないため、特にレーザ
ー光等の可干渉光を光源とした場合には好ましい。
【０１１６】表面層１０４は、シリコン原子と炭素原子
と水素原子とで構成される非晶質材料［Ａ−（Ｓｉx Ｃ
1-x ）y Ｈ1-y 、但し０＜ｘ，ｙ＜１］で形成される。
と水素原子とで構成される非晶質材料［Ａ−（Ｓｉx Ｃ
1-x ）y Ｈ1-y 、但し０＜ｘ，ｙ＜１］で形成される。
【０１１７】Ａ−（Ｓｉx Ｃ1-x ）y ：Ｈ1-y で構成さ
れる表面層１０４の形成は、ＲＦ放電法、マイクロ波放
電法、スパッタリング法等によって成されるが、いずれ
の方法による場合も、炭素原子との結合を少なくとも１
つ持つシリコン原子が数が表面層中の全シリコン原子の
数に対して従来とは異なる割合となるように反応を制御
する必要がある。
れる表面層１０４の形成は、ＲＦ放電法、マイクロ波放
電法、スパッタリング法等によって成されるが、いずれ
の方法による場合も、炭素原子との結合を少なくとも１
つ持つシリコン原子が数が表面層中の全シリコン原子の
数に対して従来とは異なる割合となるように反応を制御
する必要がある。
【０１１８】ＲＦ放電法やマイクロ波放電法の様にプラ
ズマＣＶＤ法の場合はシリコン原子の結合の制御の方法
の例としては原料ガス種の選択と放電中の電界の印加に
よるイオンの利用が挙げられる。
ズマＣＶＤ法の場合はシリコン原子の結合の制御の方法
の例としては原料ガス種の選択と放電中の電界の印加に
よるイオンの利用が挙げられる。
【０１１９】層中の炭素原子との結合を少なくとも１つ
持つシリコン原子の数が表面層中の全シリコン原子の数
に対して多くなるように反応を制御する方法としては、
原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ）、四弗化珪素（Ｓｉ
Ｆ4 ）等のシリコン原子含有ガス、及び／又はメタン
（ＣＨ4 ）、四弗化炭素（ＣＦ4 ）等の炭素原子含有ガ
スと共にテトラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 ）、テ
トラエチルシラン（Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ4 ）4 ）等の珪素化ア
ルキルを用いる事が特にマイクロ波放電法の場合有効で
ある。
持つシリコン原子の数が表面層中の全シリコン原子の数
に対して多くなるように反応を制御する方法としては、
原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ）、四弗化珪素（Ｓｉ
Ｆ4 ）等のシリコン原子含有ガス、及び／又はメタン
（ＣＨ4 ）、四弗化炭素（ＣＦ4 ）等の炭素原子含有ガ
スと共にテトラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 ）、テ
トラエチルシラン（Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ4 ）4 ）等の珪素化ア
ルキルを用いる事が特にマイクロ波放電法の場合有効で
ある。
【０１２０】また、炭素原子含有ガスとして２重結合又
は３重結合のあるガスを用い予めシリコン原子を含むガ
スと共に光、電界等により前励起しておくことも有効で
ある。
は３重結合のあるガスを用い予めシリコン原子を含むガ
スと共に光、電界等により前励起しておくことも有効で
ある。
【０１２１】マイクロ波放電法に於いては、上記の方法
と共に放電空間中に電界を掛けイオンを効果的に支持体
表面に到達させることにより制御の効果がより大きなも
のとなる。
と共に放電空間中に電界を掛けイオンを効果的に支持体
表面に到達させることにより制御の効果がより大きなも
のとなる。
【０１２２】本発明に於いて、表面層１０４を形成する
際に使用される希釈ガスとしては水素（Ｈ2 ）、アルゴ
ン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が挙げられる。
際に使用される希釈ガスとしては水素（Ｈ2 ）、アルゴ
ン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が挙げられる。
【０１２３】その他、窒素（Ｎ2 ）、アンモニア（ＮＨ
2 ）等の窒素原子を含む元素、酸素（Ｏ2 ）、一酸化窒
素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ2 ）、酸化二窒素（Ｎ2
Ｏ）一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2 ）等酸素
原子を含む元素、四弗化ゲルマニウム（ＧｅＦ4 ）、弗
化窒素（ＮＦ3 ）等の弗素化合物またはこれらの混合ガ
ス、または、ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）、フッ化ほう素（Ｂ
Ｆ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等のドーパントガスを表
面層１０４を形成時に同時に導入しても本発明は同様に
有効である。
2 ）等の窒素原子を含む元素、酸素（Ｏ2 ）、一酸化窒
素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ2 ）、酸化二窒素（Ｎ2
Ｏ）一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2 ）等酸素
原子を含む元素、四弗化ゲルマニウム（ＧｅＦ4 ）、弗
化窒素（ＮＦ3 ）等の弗素化合物またはこれらの混合ガ
ス、または、ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）、フッ化ほう素（Ｂ
Ｆ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等のドーパントガスを表
面層１０４を形成時に同時に導入しても本発明は同様に
有効である。
【０１２４】また、本発明において、成膜空間中に導入
される前記珪素化アルキルの導入量は、前記シリコン原
子含有ガスと前記炭素原子含有ガスの導入量の和に対し
て好ましくは０．１２以上、より好ましくは０．３８以
上、最適には０．９０以上とした場合にシリコン原子と
炭素原子との結合割合を所望の範囲とすることができ
る。尚、珪素化アルキルのみの導入では他の要求される
特性を含めて充分に要求される特性を満足し得ない場合
があった。
される前記珪素化アルキルの導入量は、前記シリコン原
子含有ガスと前記炭素原子含有ガスの導入量の和に対し
て好ましくは０．１２以上、より好ましくは０．３８以
上、最適には０．９０以上とした場合にシリコン原子と
炭素原子との結合割合を所望の範囲とすることができ
る。尚、珪素化アルキルのみの導入では他の要求される
特性を含めて充分に要求される特性を満足し得ない場合
があった。
【０１２５】本発明に於ける表面層１０４は、その要求
される特性が所望通りに与えられる様に、シリコン原子
と炭素原子との結合割合を考慮した上で注意深く形成さ
れる。
される特性が所望通りに与えられる様に、シリコン原子
と炭素原子との結合割合を考慮した上で注意深く形成さ
れる。
【０１２６】即ち、Ｓｉ，Ｃ及びＨを構成原子とする物
質はその作成条件によって構造的には結晶からアモルフ
ァスまでの形態を取り、電気物性的には導電性から半導
電性、絶縁性までの間の性質を、又光導電的性質から非
光導電的性質までの間の性質を各々示すので、本発明に
於いては、目的に応じた所望の特性を有するＡ−Ｓｉ x
Ｃ1-x が形成される様に、所望に従ってその作成条件の
選択が厳密に成される。
質はその作成条件によって構造的には結晶からアモルフ
ァスまでの形態を取り、電気物性的には導電性から半導
電性、絶縁性までの間の性質を、又光導電的性質から非
光導電的性質までの間の性質を各々示すので、本発明に
於いては、目的に応じた所望の特性を有するＡ−Ｓｉ x
Ｃ1-x が形成される様に、所望に従ってその作成条件の
選択が厳密に成される。
【０１２７】例えば、表面層１０４を耐圧性の向上を主
な目的として設けるには、Ａ−（Ｓｉx Ｃ1-x ）y ：Ｈ
1-yは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶
質材料として作成される。
な目的として設けるには、Ａ−（Ｓｉx Ｃ1-x ）y ：Ｈ
1-yは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶
質材料として作成される。
【０１２８】又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の
向上を主たる目的として表面層１０４が設けられる場合
には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照
射される光に対してある程度の感度を有する非晶質材料
としてＡ−Ｓｉx Ｃ1-x が作成される。
向上を主たる目的として表面層１０４が設けられる場合
には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照
射される光に対してある程度の感度を有する非晶質材料
としてＡ−Ｓｉx Ｃ1-x が作成される。
【０１２９】光導電層１０３の表面にＡ−（Ｓｉx Ｃ
1-x ）y Ｈ1-y から成る表面層１０４を形成する際、層
形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を
左右する重要な因子であって、本発明に於いては、目的
とする特性を有するＡ−（Ｓｉ x Ｃ1-x ）y Ｈ1-y が所
望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密
に制御されるのが望ましい。
1-x ）y Ｈ1-y から成る表面層１０４を形成する際、層
形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を
左右する重要な因子であって、本発明に於いては、目的
とする特性を有するＡ−（Ｓｉ x Ｃ1-x ）y Ｈ1-y が所
望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密
に制御されるのが望ましい。
【０１３０】本発明に於ける目的が効果的に達成される
為の表面層１０４を形成する際の支持体温度としては表
面層１０４の形成法に併せて適宜最適範囲が選択され
て、表面層１０４の形成が実行されるが、通常の場合、
５０℃〜３５０℃、好適には１００℃〜３００℃とされ
るのが望ましいものである。表面層１０４の形成には、
層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が
他の方法に較べて比較的容易である事などの為に、グロ
ー放電法やスパッタリング法の採用が有利であるが、こ
れ等の層形成法で表面層１０４を形成する場合には、前
記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス
圧が作成されるＡ−（Ｓｉx Ｃ1-x ）y ：Ｈ1-y の特性
を左右する重要な因子の１つである。
為の表面層１０４を形成する際の支持体温度としては表
面層１０４の形成法に併せて適宜最適範囲が選択され
て、表面層１０４の形成が実行されるが、通常の場合、
５０℃〜３５０℃、好適には１００℃〜３００℃とされ
るのが望ましいものである。表面層１０４の形成には、
層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が
他の方法に較べて比較的容易である事などの為に、グロ
ー放電法やスパッタリング法の採用が有利であるが、こ
れ等の層形成法で表面層１０４を形成する場合には、前
記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス
圧が作成されるＡ−（Ｓｉx Ｃ1-x ）y ：Ｈ1-y の特性
を左右する重要な因子の１つである。
【０１３１】本発明に於ける目的が達成されるための特
性を有するＡ−（Ｓｉx Ｃ1-x ）y：Ｈ1-y が生産性良
く効果的に作成されるための放電パワー条件としては、
支持体１個当り、通常、１０〜５０００Ｗ、好適には２
０〜２０００Ｗとされるのが望ましい。堆積室内のガス
圧はＲＦ放電法では通常０．０１〜２Ｔｏｒｒ、好適に
は０．１〜１Ｔｏｒｒ、マイクロ波放電法では０．２ｍ
Ｔｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ、好適には１ｍＴｏｒｒ〜
５０ｍＴｏｒｒ程度とされるのが望ましい。
性を有するＡ−（Ｓｉx Ｃ1-x ）y：Ｈ1-y が生産性良
く効果的に作成されるための放電パワー条件としては、
支持体１個当り、通常、１０〜５０００Ｗ、好適には２
０〜２０００Ｗとされるのが望ましい。堆積室内のガス
圧はＲＦ放電法では通常０．０１〜２Ｔｏｒｒ、好適に
は０．１〜１Ｔｏｒｒ、マイクロ波放電法では０．２ｍ
Ｔｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ、好適には１ｍＴｏｒｒ〜
５０ｍＴｏｒｒ程度とされるのが望ましい。
【０１３２】本発明に於いては、表面層１０４を作成す
る為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲とし
て前記した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成フ
ァクターは、独立的に別々に決められるものではなく、
所望特性のＡ−Ｓｉx Ｃ1-xから成る表面層１０４が形
成される様に相互的有機的関連性に基いて、各層形成フ
ァクターの最適値が決められるのが望ましい。
る為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲とし
て前記した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成フ
ァクターは、独立的に別々に決められるものではなく、
所望特性のＡ−Ｓｉx Ｃ1-xから成る表面層１０４が形
成される様に相互的有機的関連性に基いて、各層形成フ
ァクターの最適値が決められるのが望ましい。
【０１３３】本発明の電子写真用光受容部材に於ける表
面層１０４に含有される炭素原子及び水素原子の量は、
表面層１０４の作製条件と同様、本発明の目的を達成す
る所望の特性が得られる表面層１０４が形成される重要
な因子である。
面層１０４に含有される炭素原子及び水素原子の量は、
表面層１０４の作製条件と同様、本発明の目的を達成す
る所望の特性が得られる表面層１０４が形成される重要
な因子である。
【０１３４】本発明に於ける表面層１０４に含有される
炭素原子の量はシリコン原子と炭素原子の総量に対して
４０〜９０原子％、好ましくは５５〜８５原子％、最適
には６０〜８０原子％が望ましい。
炭素原子の量はシリコン原子と炭素原子の総量に対して
４０〜９０原子％、好ましくは５５〜８５原子％、最適
には６０〜８０原子％が望ましい。
【０１３５】水素原子の含有量としては、構成原子の総
量に対して通常の場合４１〜７０原子％、好適には４５
〜６０原子％、とされるのが望ましく、これ等の範囲に
水素含有量がある場合に形成される光受容部材は、実際
面に於いて従来にない格段に優れたものとして充分適用
させ得るものである。
量に対して通常の場合４１〜７０原子％、好適には４５
〜６０原子％、とされるのが望ましく、これ等の範囲に
水素含有量がある場合に形成される光受容部材は、実際
面に於いて従来にない格段に優れたものとして充分適用
させ得るものである。
【０１３６】すなわち、Ａ−（Ｓｉx Ｃ1-x ）yＨ1-y
で構成される表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原
子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受
容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られ、例
えば自由表面からの電荷の注入による帯電特性の劣化、
使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変化する
ことによる帯電特性の変動、さらにコロナ帯電時や光照
射時に光導電層より表面層に電荷が注入し、前記表面層
内の欠陥に電荷がトラップされることによる繰り返し使
用時の残像現象等があげられる。
で構成される表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原
子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受
容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られ、例
えば自由表面からの電荷の注入による帯電特性の劣化、
使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変化する
ことによる帯電特性の変動、さらにコロナ帯電時や光照
射時に光導電層より表面層に電荷が注入し、前記表面層
内の欠陥に電荷がトラップされることによる繰り返し使
用時の残像現象等があげられる。
【０１３７】しかしながら表面層中の水素含有量を４１
ａｔｏｍｉｃ％以上に制御することで表面層中の欠陥が
大巾に減少し、その結果、前記の問題点は全て解消し、
殊に従来のものに較べて電気的特性面及び高速連続使用
性に於いて飛躍的な向上を計ることが出来る。
ａｔｏｍｉｃ％以上に制御することで表面層中の欠陥が
大巾に減少し、その結果、前記の問題点は全て解消し、
殊に従来のものに較べて電気的特性面及び高速連続使用
性に於いて飛躍的な向上を計ることが出来る。
【０１３８】一方、前記表面層中の水素含有量が７１ａ
ｔｏｍｉｃ％以上になると表面層の硬度が低下するため
に、充分な繰り返し使用に耐えられない。従って、表面
層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段
に優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因
子の１つである。表面層中の水素含有量は、Ｈ2 ガスの
流量、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御
し得る。
ｔｏｍｉｃ％以上になると表面層の硬度が低下するため
に、充分な繰り返し使用に耐えられない。従って、表面
層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段
に優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因
子の１つである。表面層中の水素含有量は、Ｈ2 ガスの
流量、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御
し得る。
【０１３９】上記したシリコン原子、炭素原子、水素原
子の層中に含有される割合を先のＡ−（Ｓｉx Ｃ1-x ）
y ：Ｈ1-y の表示で行なえば本発明に於いて効果を得る
ためにはｘが０．１〜０．６、好適には０．１５〜０．
４５、最適には０．２〜０．４、ｙは０．３〜０．５
９、好適には０．３５〜０．５９、最適には０．４〜
０．５５であるのが望ましい。
子の層中に含有される割合を先のＡ−（Ｓｉx Ｃ1-x ）
y ：Ｈ1-y の表示で行なえば本発明に於いて効果を得る
ためにはｘが０．１〜０．６、好適には０．１５〜０．
４５、最適には０．２〜０．４、ｙは０．３〜０．５
９、好適には０．３５〜０．５９、最適には０．４〜
０．５５であるのが望ましい。
【０１４０】本発明では、上記に加えて更に表面層中の
シリコン原子の結合状態が非常に重要な要素となってい
る。即ち、本発明の光受容部材は、炭素原子との結合を
少なくとも１つ持つシリコン原子が、表面層中の全シリ
コン原子の５０％以上、好適には６０％以上、最適には
７０％以上とされる。
シリコン原子の結合状態が非常に重要な要素となってい
る。即ち、本発明の光受容部材は、炭素原子との結合を
少なくとも１つ持つシリコン原子が、表面層中の全シリ
コン原子の５０％以上、好適には６０％以上、最適には
７０％以上とされる。
【０１４１】本発明に於ける層厚の数値範囲は、本発明
の目的を効果的に達成する為の重要な因子の１つであ
る。
の目的を効果的に達成する為の重要な因子の１つであ
る。
【０１４２】本発明に於ける表面層１０４の層厚の数値
範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従って決められる。
範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従って決められる。
【０１４３】又、表面層１０４の層厚は、光導電層１０
３の層厚との関係に於いても、各々の層領域に要求され
る特性に応じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜
決定される必要がある。更に加え得るに、生産性や量産
性を加味した経済性の点に於いても考慮されるのが望ま
しい。
３の層厚との関係に於いても、各々の層領域に要求され
る特性に応じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜
決定される必要がある。更に加え得るに、生産性や量産
性を加味した経済性の点に於いても考慮されるのが望ま
しい。
【０１４４】本発明に於ける表面層１０４の層厚として
は、通常０．００３〜３０μ、好適には０．００４〜２
０μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望まし
いものである。光導電層１０３と表面層１０４との間に
明確な界面がない場合には、便宜的に上記Ａ−（Ｓｉx
Ｃ1-x ）y：Ｈ1-y が上記範囲内にある領域をもって表
面層の層厚としても良い。
は、通常０．００３〜３０μ、好適には０．００４〜２
０μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望まし
いものである。光導電層１０３と表面層１０４との間に
明確な界面がない場合には、便宜的に上記Ａ−（Ｓｉx
Ｃ1-x ）y：Ｈ1-y が上記範囲内にある領域をもって表
面層の層厚としても良い。
【０１４５】本発明に於ける電子写真用光受容部材１０
０の光受容層の層厚としては、目的に適合させて所望に
従って適宜決定される。
０の光受容層の層厚としては、目的に適合させて所望に
従って適宜決定される。
【０１４６】本発明に於いては、光受容層１０２の層厚
としては、光受容層１０２を構成する光導電層１０３と
表面層１０４に付与される特性が各々有効に活されて本
発明の目的が効果的に達成される様に光導電層１０２と
表面層１０３との層厚関係に於いて適宜所望に従って決
められるものであり、好ましくは、表面層１０２の層厚
に対して光導電層１０２の層厚が数百〜数千倍以上とな
る様にされるのが好ましいものである。
としては、光受容層１０２を構成する光導電層１０３と
表面層１０４に付与される特性が各々有効に活されて本
発明の目的が効果的に達成される様に光導電層１０２と
表面層１０３との層厚関係に於いて適宜所望に従って決
められるものであり、好ましくは、表面層１０２の層厚
に対して光導電層１０２の層厚が数百〜数千倍以上とな
る様にされるのが好ましいものである。
【０１４７】具体的な値としては、通常３〜１００μ、
好適には５〜７０μ、最適には５〜５０μの範囲とされ
るのが望ましい。
好適には５〜７０μ、最適には５〜５０μの範囲とされ
るのが望ましい。
【０１４８】本発明の電子写真用光受容部材に於いて
は、支持体１０１と光導電層１０３との間に密着性の一
層の向上を計る目的で、例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ
2 ，ＳｉＯ、水素原子及びハロゲン原子の少なくとも一
方と、窒素原子、酸素原子の少なくとも一方と、シリコ
ン原子とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設け
ても良い。
は、支持体１０１と光導電層１０３との間に密着性の一
層の向上を計る目的で、例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ
2 ，ＳｉＯ、水素原子及びハロゲン原子の少なくとも一
方と、窒素原子、酸素原子の少なくとも一方と、シリコ
ン原子とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設け
ても良い。
【０１４９】又、赤外線レーザー光のような長波長光を
効果的に吸収するために、支持体側にＧｅを含有する層
又は領域を設けることも好ましいことである。
効果的に吸収するために、支持体側にＧｅを含有する層
又は領域を設けることも好ましいことである。
【０１５０】前述したように表面層１０４は、シリコン
原子、炭素原子、酸素原子及び水素原子とを有する非単
結晶材料［Ａ−（Ｓｉx Ｃy Ｏz ）t Ｈu ］で形成され
てもよい。この場合は特にフィルミングに対する改善を
はかることができる。
原子、炭素原子、酸素原子及び水素原子とを有する非単
結晶材料［Ａ−（Ｓｉx Ｃy Ｏz ）t Ｈu ］で形成され
てもよい。この場合は特にフィルミングに対する改善を
はかることができる。
【０１５１】Ａ−（Ｓｉx Ｃy Ｏz ）tＨu で構成され
る表面層１０４の形成も、ＲＦ放電法、マイクロ波放電
法、スパッタリング法等によって行なうことができる。
しかしながらいずれの方法による場合も、前述と同様に
炭素原子との結合を少なくとも１つ持つシリコン原子の
数及び酸素原子との結合を少なくとも１つ持つシリコン
原子の数が表面層中の全シリコン原子に対して従来とは
異なる割合となるように反応を制御して層形成が行なわ
れる。
る表面層１０４の形成も、ＲＦ放電法、マイクロ波放電
法、スパッタリング法等によって行なうことができる。
しかしながらいずれの方法による場合も、前述と同様に
炭素原子との結合を少なくとも１つ持つシリコン原子の
数及び酸素原子との結合を少なくとも１つ持つシリコン
原子の数が表面層中の全シリコン原子に対して従来とは
異なる割合となるように反応を制御して層形成が行なわ
れる。
【０１５２】ＲＦ放電法やマイクロ波放電法の様にプラ
ズマＣＶＤ法の場合はシリコン原子の結合の制御の方法
の例としては原料ガス種の選択と放電中の電界の印加に
よるイオンの利用が挙げられる。
ズマＣＶＤ法の場合はシリコン原子の結合の制御の方法
の例としては原料ガス種の選択と放電中の電界の印加に
よるイオンの利用が挙げられる。
【０１５３】層中の炭素原子との結合を少なくとも１つ
持つシリコン原子の数が表面層中の全シリコン原子の数
に対して従来より多くなるように反応を制御する方法と
しては、原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ）、四弗化珪
素（ＳｉＦ4 ）等のシリコン原子含有ガス、及び／又は
メタン（ＣＨ4 ）、四弗化炭素（ＣＦ4 ）等の炭素原子
含有ガスと共にテトラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ3 ）
4 ）、テトラエチルシラン（Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ4 ）4 ）等の
珪素化アルキルを用いる事が特にマイクロ波放電法の場
合有効である。
持つシリコン原子の数が表面層中の全シリコン原子の数
に対して従来より多くなるように反応を制御する方法と
しては、原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ）、四弗化珪
素（ＳｉＦ4 ）等のシリコン原子含有ガス、及び／又は
メタン（ＣＨ4 ）、四弗化炭素（ＣＦ4 ）等の炭素原子
含有ガスと共にテトラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ3 ）
4 ）、テトラエチルシラン（Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ4 ）4 ）等の
珪素化アルキルを用いる事が特にマイクロ波放電法の場
合有効である。
【０１５４】また、炭素原子含有ガスとして２重結合又
は３重結合のあるガスを用い予めシリコン原子を含むガ
スと共に光、電界等により前励起しておくことも有効で
ある。
は３重結合のあるガスを用い予めシリコン原子を含むガ
スと共に光、電界等により前励起しておくことも有効で
ある。
【０１５５】マイクロ波放電法に於いては、上記の方法
と共に放電空間中に電界を掛けイオンを効果的に支持体
表面に到達させることにより制御の効果がより大きなも
のとなる。
と共に放電空間中に電界を掛けイオンを効果的に支持体
表面に到達させることにより制御の効果がより大きなも
のとなる。
【０１５６】また、この様な条件下に於て酸素原子を含
む原料ガスを導入すると酸素原子との結合を少なくとも
１つ持つシリコン原子が数が表面層中の全シリコン原子
の数に対して単にマイクロ波を用いて放電させた場合よ
り多くなるように反応を制御する事ができるのである。
また、これらの現象は酸素供給のための材料ガスを変え
ることによりより効果的に行なうことが可能となる。
む原料ガスを導入すると酸素原子との結合を少なくとも
１つ持つシリコン原子が数が表面層中の全シリコン原子
の数に対して単にマイクロ波を用いて放電させた場合よ
り多くなるように反応を制御する事ができるのである。
また、これらの現象は酸素供給のための材料ガスを変え
ることによりより効果的に行なうことが可能となる。
【０１５７】層中の炭素原子との結合を少なくとも１つ
持つシリコン原子の数が表面層中の全シリコン原子の数
に対して少なくなるように反応を制御する方法として
は、シリコン原子の原料ガスとしてはジシラン（Ｓｉ2
Ｈ6 ）、六弗化二珪素（Ｓｉ2Ｆ6 ）等、炭素原子の原
料ガスとしてはエタン（Ｃ2 Ｈ6 ）、プロパン（Ｃ3Ｈ 8
）等、シリコン原子又は炭素原子が複数結合した飽和
結合種を用いる事が特にマイクロ波放電法の場合有効で
ある。
持つシリコン原子の数が表面層中の全シリコン原子の数
に対して少なくなるように反応を制御する方法として
は、シリコン原子の原料ガスとしてはジシラン（Ｓｉ2
Ｈ6 ）、六弗化二珪素（Ｓｉ2Ｆ6 ）等、炭素原子の原
料ガスとしてはエタン（Ｃ2 Ｈ6 ）、プロパン（Ｃ3Ｈ 8
）等、シリコン原子又は炭素原子が複数結合した飽和
結合種を用いる事が特にマイクロ波放電法の場合有効で
ある。
【０１５８】酸素原子が更に含有される場合も（シリコ
ン原子含有ガスと炭素原子含有ガスの成膜空間への導入
量の合計に対して）先に示したような範囲に珪素化アル
キルの導入量を決めることが好ましいが、酸素原子とシ
リコン原子との結合割合が所望の範囲とされるのであれ
ばこの場合は必ずしもこの導入量の範囲内にされる必要
はない。
ン原子含有ガスと炭素原子含有ガスの成膜空間への導入
量の合計に対して）先に示したような範囲に珪素化アル
キルの導入量を決めることが好ましいが、酸素原子とシ
リコン原子との結合割合が所望の範囲とされるのであれ
ばこの場合は必ずしもこの導入量の範囲内にされる必要
はない。
【０１５９】層中の酸素原子との結合を少なくとも１つ
持つ炭素原子の数が表面層中の全炭素原子の数に対して
従来より多くなるように反応制御する方法としては、原
料ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ），四弗化硅素（ＳｉＦ
4 ）等のシリコン原子含有ガス、及び／又は酸素（Ｏ
2 ）、水（Ｈ2 Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）等の酸素原子
含有ガスと共に一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ
2 ）、エチルエーテル（（ＣＨ3 ）2 Ｏ）等の炭素と酸
素を同時に含有する化合物を用いることが特にマイクロ
波放電法の場合有効である。
持つ炭素原子の数が表面層中の全炭素原子の数に対して
従来より多くなるように反応制御する方法としては、原
料ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ），四弗化硅素（ＳｉＦ
4 ）等のシリコン原子含有ガス、及び／又は酸素（Ｏ
2 ）、水（Ｈ2 Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）等の酸素原子
含有ガスと共に一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ
2 ）、エチルエーテル（（ＣＨ3 ）2 Ｏ）等の炭素と酸
素を同時に含有する化合物を用いることが特にマイクロ
波放電法の場合有効である。
【０１６０】本発明に於いて、表面層１０４を形成する
際に使用される希釈ガスとしては水素（Ｈ2 ）、アルゴ
ン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が挙げられる。
際に使用される希釈ガスとしては水素（Ｈ2 ）、アルゴ
ン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が挙げられる。
【０１６１】その他、窒素（Ｎ2 ）、アンモニア（ＮＨ
3 ）等の窒素原子を含む元素、四弗化ゲルマニウム（Ｇ
ｅＦ4 ）、弗化窒素（ＮＦ3 ）等の弗素化合物またはこ
れらの混合ガス、または、ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）、フッ
化ほう素（ＢＦ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等のドーパ
ントガスを表面層１０４を形成時に同時に導入しても本
発明は同様に有効である。
3 ）等の窒素原子を含む元素、四弗化ゲルマニウム（Ｇ
ｅＦ4 ）、弗化窒素（ＮＦ3 ）等の弗素化合物またはこ
れらの混合ガス、または、ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）、フッ
化ほう素（ＢＦ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等のドーパ
ントガスを表面層１０４を形成時に同時に導入しても本
発明は同様に有効である。
【０１６２】本発明の於ける表面層１０４は、その要求
される特性が所望通りに与えられるようにそしてシリコ
ン原子と炭素原子、シリコン原子と酸素原子との結合割
合を考慮しつつあるいは更に炭素原子と酸素元素との結
合割合を考慮して注意深く形成される。
される特性が所望通りに与えられるようにそしてシリコ
ン原子と炭素原子、シリコン原子と酸素原子との結合割
合を考慮しつつあるいは更に炭素原子と酸素元素との結
合割合を考慮して注意深く形成される。
【０１６３】即ち、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ及びＨを構成原子とす
る物質はその形成条件によって構造的には結晶からアモ
ルファス迄の形態を取り、電気物性的には導電性から半
導体、絶縁性迄の間の性質を、又光導電的性質から非光
導電的性質までの間の性質を各々示すので、本発明に於
いては、目的に応じた所望の特性を有するＡ−（Ｓｉ x
Ｃy Ｏz ）t Ｈu が形成されるように、所望に従ってそ
の作成条件の選択が厳密に成される。
る物質はその形成条件によって構造的には結晶からアモ
ルファス迄の形態を取り、電気物性的には導電性から半
導体、絶縁性迄の間の性質を、又光導電的性質から非光
導電的性質までの間の性質を各々示すので、本発明に於
いては、目的に応じた所望の特性を有するＡ−（Ｓｉ x
Ｃy Ｏz ）t Ｈu が形成されるように、所望に従ってそ
の作成条件の選択が厳密に成される。
【０１６４】例えば、表面層１０４を耐圧性の向上を主
な目的として設けるには、Ａ−（Ｓｉx Ｃy Ｏz ）t Ｈ
u は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非単結
晶材料として作成される。
な目的として設けるには、Ａ−（Ｓｉx Ｃy Ｏz ）t Ｈ
u は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非単結
晶材料として作成される。
【０１６５】又、連続繰り返し使用特性や使用環境特性
の向上を主たる目的として表面層１０４が設けられる場
合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、
照射される光に対して有る程度の感度を有する非単結晶
材料としてＡ−（Ｓｉx ＣyＯz ）t Ｈu が形成され
る。
の向上を主たる目的として表面層１０４が設けられる場
合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、
照射される光に対して有る程度の感度を有する非単結晶
材料としてＡ−（Ｓｉx ＣyＯz ）t Ｈu が形成され
る。
【０１６６】光導電層１０３の表面にＡ−（Ｓｉx Ｃy
Ｏz ）t Ｈu から成る表面層１０４を形成する際、層形
成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左
右する重要な因子であって、本発明に於いては、目的と
する特性を有するＡ−（Ｓｉ x Ｃy Ｏz ）t Ｈu が所望
通りに作成され得るように層作成時の支持体温度が厳密
に制御されるのが望ましい。
Ｏz ）t Ｈu から成る表面層１０４を形成する際、層形
成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左
右する重要な因子であって、本発明に於いては、目的と
する特性を有するＡ−（Ｓｉ x Ｃy Ｏz ）t Ｈu が所望
通りに作成され得るように層作成時の支持体温度が厳密
に制御されるのが望ましい。
【０１６７】本発明に於ける目的が効果的に達成される
ための表面層１０４を形成する際の支持体温度としては
表面層１０４の形成法に併せて適時最適範囲が選択され
て、表面層１０４の形成が実行されるが、通常の場合、
５０℃〜４００℃、好適には１００℃〜３５０℃とされ
るのが望ましいものである。表面層１０４の形成には、
層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が
他の方法に比べ比較的容易であることなどのために、グ
ロー放電放電法やスパッタリング法の採用が有効である
が、これらの層形成法で表面層１０４を形成する場合に
は、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワ
ー、ガス圧が作成されるＡ−（Ｓｉx ＣyＯz ）t Ｈu
の特性を左右する重要な因子の１つである。
ための表面層１０４を形成する際の支持体温度としては
表面層１０４の形成法に併せて適時最適範囲が選択され
て、表面層１０４の形成が実行されるが、通常の場合、
５０℃〜４００℃、好適には１００℃〜３５０℃とされ
るのが望ましいものである。表面層１０４の形成には、
層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が
他の方法に比べ比較的容易であることなどのために、グ
ロー放電放電法やスパッタリング法の採用が有効である
が、これらの層形成法で表面層１０４を形成する場合に
は、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワ
ー、ガス圧が作成されるＡ−（Ｓｉx ＣyＯz ）t Ｈu
の特性を左右する重要な因子の１つである。
【０１６８】本発明に於ける目的が達成されるための特
性を有するＡ−（Ｓｉx Ｃy Ｏz ） t Ｈu が生産性良く
効果的に作成されるための放電パワー条件としては、支
持体１個当り、通常、１０〜５０００Ｗ、好適には２０
〜２０００Ｗとされるのが望ましい。堆積室内のガス圧
はＲＦ放電法では通常０．０１〜２Ｔｏｒｒ、好適には
０．１〜１Ｔｏｒｒ、マイクロ波放電法では０．２ｍＴ
ｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ、好適には１ｍＴｏｒｒ〜５
０ｍＴｏｒｒ程度とされるのが望ましい。
性を有するＡ−（Ｓｉx Ｃy Ｏz ） t Ｈu が生産性良く
効果的に作成されるための放電パワー条件としては、支
持体１個当り、通常、１０〜５０００Ｗ、好適には２０
〜２０００Ｗとされるのが望ましい。堆積室内のガス圧
はＲＦ放電法では通常０．０１〜２Ｔｏｒｒ、好適には
０．１〜１Ｔｏｒｒ、マイクロ波放電法では０．２ｍＴ
ｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ、好適には１ｍＴｏｒｒ〜５
０ｍＴｏｒｒ程度とされるのが望ましい。
【０１６９】本発明に於いては、表面層１０４を作成す
るための支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲と
して前記した範囲の値が挙げられるが、これらの層作成
ファクターは独立的に別々に決められるものではなく、
所望特性のＡ−（Ｓｉx ＣyＯz ）t Ｈu から成る表面
層１０４が形成されるように相互的有機的関連性に基づ
いて、各層形成ファクターの最適値が決められるのが望
ましい。
るための支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲と
して前記した範囲の値が挙げられるが、これらの層作成
ファクターは独立的に別々に決められるものではなく、
所望特性のＡ−（Ｓｉx ＣyＯz ）t Ｈu から成る表面
層１０４が形成されるように相互的有機的関連性に基づ
いて、各層形成ファクターの最適値が決められるのが望
ましい。
【０１７０】本発明の電子写真用光受容部材に於ける表
面層１０４に含有される水素原子の量は、構成原子の総
量に対して通常の場合４１〜７０原子％、好適には４５
〜６０原子％とされるのが望ましく、これらの範囲の水
素含有量がある場合に形成される光受容部材は、実際面
に於いて従来にない格段に優れた物として十分適用させ
得るものである。
面層１０４に含有される水素原子の量は、構成原子の総
量に対して通常の場合４１〜７０原子％、好適には４５
〜６０原子％とされるのが望ましく、これらの範囲の水
素含有量がある場合に形成される光受容部材は、実際面
に於いて従来にない格段に優れた物として十分適用させ
得るものである。
【０１７１】すなわち、Ａ−（Ｓｉx Ｃy Ｏz ）t Ｈu
で構成される表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原
子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受
容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られ、例
えば自由表面からの電荷の注入による帯電特性の劣化、
使用環境、例えば高い湿度の元で表面構造が変化するこ
とによる帯電特性の変動、更にコロナ帯電時や光照射時
に光導電層により表面層に電荷が注入し、前記表面層内
の欠陥に電荷がトラップされることによる繰り返し使用
時の残像現象が挙げられる。
で構成される表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原
子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受
容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られ、例
えば自由表面からの電荷の注入による帯電特性の劣化、
使用環境、例えば高い湿度の元で表面構造が変化するこ
とによる帯電特性の変動、更にコロナ帯電時や光照射時
に光導電層により表面層に電荷が注入し、前記表面層内
の欠陥に電荷がトラップされることによる繰り返し使用
時の残像現象が挙げられる。
【０１７２】しかしながら表面層中の水素含有量を４１
ａｔｏｍｉｃ％以上に制御することで表面層中の欠陥が
大幅に減少し、その結果、前記問題点は全て解消し、従
来に比べて電気的特性面及び高速連続使用性に於いて飛
躍的な向上を図ることができる。
ａｔｏｍｉｃ％以上に制御することで表面層中の欠陥が
大幅に減少し、その結果、前記問題点は全て解消し、従
来に比べて電気的特性面及び高速連続使用性に於いて飛
躍的な向上を図ることができる。
【０１７３】一方、前記表面層中の水素含有量が７１ａ
ｔｏｍｉｃ％以上になると表面層の硬度が低下するため
に、充分な繰り返し使用に耐えられない。従って、表面
層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段
に優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因
子の１つである。表面層中の水素含有量は、Ｈ2 ガスの
流量、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御
し得る。
ｔｏｍｉｃ％以上になると表面層の硬度が低下するため
に、充分な繰り返し使用に耐えられない。従って、表面
層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段
に優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因
子の１つである。表面層中の水素含有量は、Ｈ2 ガスの
流量、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御
し得る。
【０１７４】本発明の表面層中の原子の組成としては、
先のＡ−（ＳｉqＣr Ｏs ）t Ｈuの表示で行なえば、効
果を得るためにはｑが０．１〜０．４、ｒは０．４〜
０．７、ｓは０．０５〜０．２（但し、ｑ＋ｒ＋ｓ＝
１）、ｔは０．３〜０．５９、ｕは０．４１〜０．７
（但し、ｔ＋ｕ＝１）であるのが望ましい。ただし、本
発明では表面層中に前記の原子以外に微量（１原子％以
下）であれば他の如何なる原子を含有することも可能で
ある。
先のＡ−（ＳｉqＣr Ｏs ）t Ｈuの表示で行なえば、効
果を得るためにはｑが０．１〜０．４、ｒは０．４〜
０．７、ｓは０．０５〜０．２（但し、ｑ＋ｒ＋ｓ＝
１）、ｔは０．３〜０．５９、ｕは０．４１〜０．７
（但し、ｔ＋ｕ＝１）であるのが望ましい。ただし、本
発明では表面層中に前記の原子以外に微量（１原子％以
下）であれば他の如何なる原子を含有することも可能で
ある。
【０１７５】表面層中の組成が上述の範囲から外れる
と、表面層の強度、透明度、耐久性、耐候性などの面で
いずれかの弊害が発生することと同時に、本発明の効果
も大幅に低下してしまう。
と、表面層の強度、透明度、耐久性、耐候性などの面で
いずれかの弊害が発生することと同時に、本発明の効果
も大幅に低下してしまう。
【０１７６】本発明では、表面層中のシリコン原子の結
合状態が非常に重要な構成要素となっている。本発明が
効果を得るためには、炭素原子との結合を少なくとも１
つ持つシリコン原子が、表面層中の全シリコン原子の５
０％以上、１００％以下、さらに好ましくは６０％以
上、１００％以下、最適には７０％以上、１００％以
下、酸素原子との結合を少なくとも１つ持つシリコン原
子が、表面層中の全シリコン原子の１０％以上、３０％
以下で有ることが望ましい。
合状態が非常に重要な構成要素となっている。本発明が
効果を得るためには、炭素原子との結合を少なくとも１
つ持つシリコン原子が、表面層中の全シリコン原子の５
０％以上、１００％以下、さらに好ましくは６０％以
上、１００％以下、最適には７０％以上、１００％以
下、酸素原子との結合を少なくとも１つ持つシリコン原
子が、表面層中の全シリコン原子の１０％以上、３０％
以下で有ることが望ましい。
【０１７７】結合の状態が上述の範囲から１つでも外れ
ると、本発明の効果、特にトナーのフィルミング防止の
効果は低下してしまう。
ると、本発明の効果、特にトナーのフィルミング防止の
効果は低下してしまう。
【０１７８】更に、酸素原子との結合を少なくとの１つ
持つ炭素原子が、表面層中の全炭素原子の１０％以上、
３０％以下とすることによってより一層本発明の効果、
特にトナーのフィルミング防止の効果を達成することが
できる。
持つ炭素原子が、表面層中の全炭素原子の１０％以上、
３０％以下とすることによってより一層本発明の効果、
特にトナーのフィルミング防止の効果を達成することが
できる。
【０１７９】本発明の於ける層厚の数値範囲は、本発明
の目的を効果的に達成するための重要な因子の１つであ
る。Ａ−（Ｓｉq Ｃr Ｏs ）t Ｈu が先の関係を満足す
る表面層（もしくは表面側領域）１０４の層厚の数値範
囲は所望の特性に合わせて選択可能であるが１０〜５０
０Åが望ましい。即ち、１０Åよりも薄いと本発明の効
果が十分に得られず、更に光受容部材を使用中に摩耗等
の理由により表面層が失われてしまう場合もある。又、
層厚が５００Åを越えると残留電位の増加等の電子写真
特性の低下がみられる場合がある。
の目的を効果的に達成するための重要な因子の１つであ
る。Ａ−（Ｓｉq Ｃr Ｏs ）t Ｈu が先の関係を満足す
る表面層（もしくは表面側領域）１０４の層厚の数値範
囲は所望の特性に合わせて選択可能であるが１０〜５０
０Åが望ましい。即ち、１０Åよりも薄いと本発明の効
果が十分に得られず、更に光受容部材を使用中に摩耗等
の理由により表面層が失われてしまう場合もある。又、
層厚が５００Åを越えると残留電位の増加等の電子写真
特性の低下がみられる場合がある。
【０１８０】本発明に於いては、光導電層と表面層の間
にあるいは表面層の中に、酸素原子の含有量を減らした
ＳｉＣ（Ｈ、Ｘ）等から成るもう１つのブロッキング層
（下部表面層）あるいはブロッキング領域（下部表面領
域）を設けることも帯電能等の特性を更に向上させるた
めに有効である。
にあるいは表面層の中に、酸素原子の含有量を減らした
ＳｉＣ（Ｈ、Ｘ）等から成るもう１つのブロッキング層
（下部表面層）あるいはブロッキング領域（下部表面領
域）を設けることも帯電能等の特性を更に向上させるた
めに有効である。
【０１８１】本発明の電子写真用光受容部材に於いて
は、支持体１０１と光導電層１０３との間に密着性の一
層の向上を図る目的で、例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ
2 、ＳｉＯ、あるいは水素原子又はハロゲン原子の少な
くとも一方と、窒素原子、酸素原子の少なくとも一方
と、シリコン原子とを含む非単結晶材料等で構成される
密着層を設けてもよいのは先の例と同様である。
は、支持体１０１と光導電層１０３との間に密着性の一
層の向上を図る目的で、例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ
2 、ＳｉＯ、あるいは水素原子又はハロゲン原子の少な
くとも一方と、窒素原子、酸素原子の少なくとも一方
と、シリコン原子とを含む非単結晶材料等で構成される
密着層を設けてもよいのは先の例と同様である。
【０１８２】また、Ａ−（Ｓｉq Ｃr Ｏs ）t Ｈu の表
面層１０４の場合も、光導電層１０３と表面層１０４と
の明確な界面が生じない様に徐々に含有成分比を変えて
所望の組成比を有する表面層１０４に変化させて良いも
のである。
面層１０４の場合も、光導電層１０３と表面層１０４と
の明確な界面が生じない様に徐々に含有成分比を変えて
所望の組成比を有する表面層１０４に変化させて良いも
のである。
【０１８３】もちろん、この場合であっても、上記した
ような各要件を満足するように作製条件等が選択される
のはいうまでもない。
ような各要件を満足するように作製条件等が選択される
のはいうまでもない。
【０１８４】次にマイクロ波放電法により形成される光
導電部材の製造方法について説明する。
導電部材の製造方法について説明する。
【０１８５】図６及び図７に円筒形支持体を用いマイク
ロ波放電法により電子写真用光受容部材の製造装置を示
す。図に於て１１０１は反応容器であり、真空気密化構
造を成している。また、１１０２は、マイクロ波電力を
反応容器１１０１内に効率よく透過し、かつ真空気密を
保持し得るような材料（例えば石英ガラス、アルミナセ
ラミックス等）で形成されたマイクロ波導入誘電体窓で
ある。１１０３はマイクロ波電力の伝送を行う導波管で
あり、マイクロ波電源から反応容器近傍までの矩形の部
分と、反応容器に挿入された円筒形の部分からなってい
る。導波管１１０３はスタブチューナー（図示せず）、
アイソレーター（図示せず）とともにマイクロ波電源
（図示せず）に接続されている。誘電体窓１１０２は反
応容器内の雰囲気を保持するために導波管１１０３の円
筒形の部分内壁に気密封止されている。１１０４は一端
が反応容器１１０１に開口し、他端が排気装置（図示せ
ず）に連通している排気管である。１１０６は支持体１
１０５により囲まれた放電空間を示す。電源１１１１は
バイアス電極１１１２に直流電圧を印加するための直流
電源（バイアス電源）であり電極１１１２に電気的に接
続されている。
ロ波放電法により電子写真用光受容部材の製造装置を示
す。図に於て１１０１は反応容器であり、真空気密化構
造を成している。また、１１０２は、マイクロ波電力を
反応容器１１０１内に効率よく透過し、かつ真空気密を
保持し得るような材料（例えば石英ガラス、アルミナセ
ラミックス等）で形成されたマイクロ波導入誘電体窓で
ある。１１０３はマイクロ波電力の伝送を行う導波管で
あり、マイクロ波電源から反応容器近傍までの矩形の部
分と、反応容器に挿入された円筒形の部分からなってい
る。導波管１１０３はスタブチューナー（図示せず）、
アイソレーター（図示せず）とともにマイクロ波電源
（図示せず）に接続されている。誘電体窓１１０２は反
応容器内の雰囲気を保持するために導波管１１０３の円
筒形の部分内壁に気密封止されている。１１０４は一端
が反応容器１１０１に開口し、他端が排気装置（図示せ
ず）に連通している排気管である。１１０６は支持体１
１０５により囲まれた放電空間を示す。電源１１１１は
バイアス電極１１１２に直流電圧を印加するための直流
電源（バイアス電源）であり電極１１１２に電気的に接
続されている。
【０１８６】こうした電子写真用光受容部材の製造装置
を使用した電子写真用光受容部材の製造は以下のように
して行う。まず真空ポンプ（図示せず）により排気管１
１０４を介して、反応容器１１０１を排気し、反応容器
１１０１内の圧力を１×１０ -7Ｔｏｒｒ以下に調整す
る。ついでヒーター１１０７により、支持体１１０５の
温度を所定の温度に加熱保持する。そこで第１の層領域
の原料ガスを不図示のガス導入手段を介して導入する。
即ち、Ａ−Ｓｉ（Ｈ、Ｘ）の原料ガスとしてシランガ
ス、ドーピングガスとしてジボランガス、希釈ガスとし
てヘリウムガス等の原料ガスが反応容器１１０１内に導
入される。それと同時併行的にマイクロ波電源（図示せ
ず）により周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生さ
せ、導波管１１０３を通じ、誘電体窓１１０２を介して
反応容器１１０１内に導入される。更に放電空間１１０
６中のバイアス電極１１１２に電気的に接続された直流
電源１１１１によりバイアス電極１１１２に支持体１１
０５に対して直流電圧を印加する。かくして支持体１１
０５により囲まれた放電空間１１０６に於て、原料ガス
はマイクロ波のエネルギーにより励起されて解離し、更
にバイアス電極１１１２と支持体１１０５の間の電界に
より定常的に支持体１１０５上にイオン衝撃を受けなが
ら、支持体１１０５表面に第１の層領域が形成される。
この時、支持体１１０５が設置された回転軸１１０９を
モーター１１１０により回転させ、支持体１１０５を支
持体母線方向中心軸の回りに回転させることにより、支
持体１１０５全周に渡って均一に堆積膜層を形成する。
を使用した電子写真用光受容部材の製造は以下のように
して行う。まず真空ポンプ（図示せず）により排気管１
１０４を介して、反応容器１１０１を排気し、反応容器
１１０１内の圧力を１×１０ -7Ｔｏｒｒ以下に調整す
る。ついでヒーター１１０７により、支持体１１０５の
温度を所定の温度に加熱保持する。そこで第１の層領域
の原料ガスを不図示のガス導入手段を介して導入する。
即ち、Ａ−Ｓｉ（Ｈ、Ｘ）の原料ガスとしてシランガ
ス、ドーピングガスとしてジボランガス、希釈ガスとし
てヘリウムガス等の原料ガスが反応容器１１０１内に導
入される。それと同時併行的にマイクロ波電源（図示せ
ず）により周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生さ
せ、導波管１１０３を通じ、誘電体窓１１０２を介して
反応容器１１０１内に導入される。更に放電空間１１０
６中のバイアス電極１１１２に電気的に接続された直流
電源１１１１によりバイアス電極１１１２に支持体１１
０５に対して直流電圧を印加する。かくして支持体１１
０５により囲まれた放電空間１１０６に於て、原料ガス
はマイクロ波のエネルギーにより励起されて解離し、更
にバイアス電極１１１２と支持体１１０５の間の電界に
より定常的に支持体１１０５上にイオン衝撃を受けなが
ら、支持体１１０５表面に第１の層領域が形成される。
この時、支持体１１０５が設置された回転軸１１０９を
モーター１１１０により回転させ、支持体１１０５を支
持体母線方向中心軸の回りに回転させることにより、支
持体１１０５全周に渡って均一に堆積膜層を形成する。
【０１８７】上記のようにして形成された第１の層領域
上に第２の層領域を形成するには、第１の層領域形成時
とは原料ガス組成を変え、例えばシランガス、メタンガ
ス、テトラメチルシランガス、及び必要に応じて水素ガ
ス等の希釈ガスを反応容器１１０１内に導入し、第１の
層領域形成時と同様にして放電を開始する事によって成
される。
上に第２の層領域を形成するには、第１の層領域形成時
とは原料ガス組成を変え、例えばシランガス、メタンガ
ス、テトラメチルシランガス、及び必要に応じて水素ガ
ス等の希釈ガスを反応容器１１０１内に導入し、第１の
層領域形成時と同様にして放電を開始する事によって成
される。
【０１８８】第２の層領域中に含有される炭素原子の量
は例えばシランガスとメタンガスの放電空間内に導入さ
れる流量比を任意に変えることにより制御することが出
来る。シリコン原子の結合の仕方は、シランガスとメタ
ンガスをテトラメチルシランガスに置き換えていくこと
により任意に制御することが出来る。更に、放電空間に
印加するバイアス電圧を変化させることにより、より効
果的に制御が可能となる。又、第２の層領域中に含有さ
れる水素原子の量は例えば水素ガスの放電空間内に導入
される流量を所望に従って任意に変えることによって、
所望に応じて制御することが出来る。
は例えばシランガスとメタンガスの放電空間内に導入さ
れる流量比を任意に変えることにより制御することが出
来る。シリコン原子の結合の仕方は、シランガスとメタ
ンガスをテトラメチルシランガスに置き換えていくこと
により任意に制御することが出来る。更に、放電空間に
印加するバイアス電圧を変化させることにより、より効
果的に制御が可能となる。又、第２の層領域中に含有さ
れる水素原子の量は例えば水素ガスの放電空間内に導入
される流量を所望に従って任意に変えることによって、
所望に応じて制御することが出来る。
【０１８９】上記のようにして形成された第１の層領域
上に酸素原子が含有された第２の層領域を形成するに
は、第１の層領域形成時とは原料ガス組成を変え、例え
ばシランガス、メタンガス、テトラメチルシランガス、
酸素、一酸化窒素及び必要に応じて水素ガス等の希釈ガ
スを反応容器１１０１内に導入し、第１の層領域形成時
と同様にして放電を開始する事によって成される。
上に酸素原子が含有された第２の層領域を形成するに
は、第１の層領域形成時とは原料ガス組成を変え、例え
ばシランガス、メタンガス、テトラメチルシランガス、
酸素、一酸化窒素及び必要に応じて水素ガス等の希釈ガ
スを反応容器１１０１内に導入し、第１の層領域形成時
と同様にして放電を開始する事によって成される。
【０１９０】第２の層領域中に含有される炭素原子又は
酸素原子の量は例えばシランガスとメタンガス、酸素ガ
スの放電空間内に導入される流量比を任意に変えること
により制御することが出来る。シリコン原子の結合の仕
方は、シランガスとメタンガスをテトラメチルシランガ
スに置き換えていくこと、及び、酸素ガスを一酸化窒素
ガスに置き換えていくことにより任意に制御することが
出来る。更に、放電空間に印加するバイアス電圧を変化
させることにより、これらはより効果的に制御が可能と
なる。又、第２の層領域中に含有される水素原子の量は
例えば水素ガスの放電空間内に導入される流量を所望に
従って任意に変えることによって、所望に応じて制御す
ることが出来る。
酸素原子の量は例えばシランガスとメタンガス、酸素ガ
スの放電空間内に導入される流量比を任意に変えること
により制御することが出来る。シリコン原子の結合の仕
方は、シランガスとメタンガスをテトラメチルシランガ
スに置き換えていくこと、及び、酸素ガスを一酸化窒素
ガスに置き換えていくことにより任意に制御することが
出来る。更に、放電空間に印加するバイアス電圧を変化
させることにより、これらはより効果的に制御が可能と
なる。又、第２の層領域中に含有される水素原子の量は
例えば水素ガスの放電空間内に導入される流量を所望に
従って任意に変えることによって、所望に応じて制御す
ることが出来る。
【０１９１】
〈実施例１〉図６及び図７の製造装置を用い、表１の作
成条件に従って鏡面加工を施したアルミニウムシリンダ
ー上に電子写真用光受容部材を形成した。又、図６及び
図７と同型の装置を用い、同一仕様のシリンダー上に表
面層のみを形成したものを別個に用意した。光受容部材
（以後ドラムと表現）の方は、電子写真装置（キャノン
社製ＮＰ７５５０を本テスト用に改造したもの）にセッ
トして、種種の条件の元に、初期の帯電能、感度、高湿
環境（気温：３０℃、湿度：９０％）下での画像流れ、
残留電位、ゴースト、画像欠陥等の電子写真特性を評価
した。次に、このドラムを気温３５℃、湿度９５％の高
湿環境下で、ドラムヒーター等のドラム昇温手段を用い
ずに５０万枚の耐久を行ない、初期と同様の評価を行な
った。併せて、耐久によるドラム傷の発生についても評
価を行なった。更に、必要に応じて表面の原子の量と結
合状態の分析をＥＳＣＡにより行なった。
成条件に従って鏡面加工を施したアルミニウムシリンダ
ー上に電子写真用光受容部材を形成した。又、図６及び
図７と同型の装置を用い、同一仕様のシリンダー上に表
面層のみを形成したものを別個に用意した。光受容部材
（以後ドラムと表現）の方は、電子写真装置（キャノン
社製ＮＰ７５５０を本テスト用に改造したもの）にセッ
トして、種種の条件の元に、初期の帯電能、感度、高湿
環境（気温：３０℃、湿度：９０％）下での画像流れ、
残留電位、ゴースト、画像欠陥等の電子写真特性を評価
した。次に、このドラムを気温３５℃、湿度９５％の高
湿環境下で、ドラムヒーター等のドラム昇温手段を用い
ずに５０万枚の耐久を行ない、初期と同様の評価を行な
った。併せて、耐久によるドラム傷の発生についても評
価を行なった。更に、必要に応じて表面の原子の量と結
合状態の分析をＥＳＣＡにより行なった。
【０１９２】又、表面層のみの方は、（以後サンプルと
表現）画像部の上下に相当する部分をそれぞれ複数枚切
り出し、必要に応じてオージェ、ＳＩＭＳ及び有機元素
分析法により膜中に含まれるシリコン原子、炭素原子、
酸素原子及び水素原子の定量分析を行なった。更に、必
要に応じて表面の原子の量と結合の状態の分析をＥＳＣ
Ａにより行なった。
表現）画像部の上下に相当する部分をそれぞれ複数枚切
り出し、必要に応じてオージェ、ＳＩＭＳ及び有機元素
分析法により膜中に含まれるシリコン原子、炭素原子、
酸素原子及び水素原子の定量分析を行なった。更に、必
要に応じて表面の原子の量と結合の状態の分析をＥＳＣ
Ａにより行なった。
【０１９３】図８及び図９にこの様にして得られたＥＳ
ＣＡのスペクトルを示す。
ＣＡのスペクトルを示す。
【０１９４】上記の評価結果及び初期の定量分析値を表
２、及び表３に示す。表２に見られるように、特に高湿
環境下での耐久後について著しい優位性が認められた。
２、及び表３に示す。表２に見られるように、特に高湿
環境下での耐久後について著しい優位性が認められた。
【０１９５】
【表１】
【０１９６】
【表２】 ◎…非常に良好 ○…良好 △…実用上差し支えない ×…非実用的
【０１９７】
【表３】 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｃ）…Ｓｉ−Ｃ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｃ （Ｃ−Ｓｉ）…Ｃ−Ｓｉ結合を持つＣ原子の組成比 〈比較例１〉作成条件を表４のように変えた以外は、実
施例１と同様の装置、方法でドラム及びサンプルを作成
し、同様の評価に供した。その結果を表５、及び表６に
示す。
比 Ｃ （Ｃ−Ｓｉ）…Ｃ−Ｓｉ結合を持つＣ原子の組成比 〈比較例１〉作成条件を表４のように変えた以外は、実
施例１と同様の装置、方法でドラム及びサンプルを作成
し、同様の評価に供した。その結果を表５、及び表６に
示す。
【０１９８】表５に見られるように、実施例１と比べ諸
々の項目について劣ることが認められた。
々の項目について劣ることが認められた。
【０１９９】
【表４】
【０２００】
【表５】 ◎…非常に良好 ○…良好 △…実用上差し支えない ×…非実用的
【０２０１】
【表６】 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｃ）…Ｓｉ−Ｃ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｃ （Ｃ−Ｓｉ）…Ｃ−Ｓｉ結合を持つＣ原子の組成比 〈実施例２（比較例２）〉表面層の作成条件を表７に示
す数種類の条件に変え、それ以外は実施例１と同様の条
件にて複数のドラム及び分析用サンプルを用意した。こ
れらのドラム及びサンプルを実施例１と同様の評価・分
析にかけた結果、表８、及び表９に示すような結果を得
た。
比 Ｃ （Ｃ−Ｓｉ）…Ｃ−Ｓｉ結合を持つＣ原子の組成比 〈実施例２（比較例２）〉表面層の作成条件を表７に示
す数種類の条件に変え、それ以外は実施例１と同様の条
件にて複数のドラム及び分析用サンプルを用意した。こ
れらのドラム及びサンプルを実施例１と同様の評価・分
析にかけた結果、表８、及び表９に示すような結果を得
た。
【０２０２】
【表７】
【０２０３】
【表８】 ◎…非常に良好 ○…良好 △…実用上差し支えない ×…非実用的
【０２０４】
【表９】 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｃ）…Ｓｉ−Ｃ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｃ （Ｃ−Ｓｉ）…Ｃ−Ｓｉ結合を持つＣ原子の組成比 〈実施例３（比較例３、４）〉表面層の作成条件を表１
０に示す数種類の条件に変え、それ以外は実施例１と同
様の条件にて複数のドラム及び分析用サンプルを用意し
た。これらのドラム及びサンプルを実施例１と同様の評
価・分析にかけた結果、表１１、及び表１２に示すよう
な結果を得た。
比 Ｃ （Ｃ−Ｓｉ）…Ｃ−Ｓｉ結合を持つＣ原子の組成比 〈実施例３（比較例３、４）〉表面層の作成条件を表１
０に示す数種類の条件に変え、それ以外は実施例１と同
様の条件にて複数のドラム及び分析用サンプルを用意し
た。これらのドラム及びサンプルを実施例１と同様の評
価・分析にかけた結果、表１１、及び表１２に示すよう
な結果を得た。
【０２０５】
【表１０】
【０２０６】
【表１１】 ◎…非常に良好 ○…良好 △…実用上差し支えない ×…非実用的
【０２０７】
【表１２】 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｃ）…Ｓｉ−Ｃ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｃ （Ｃ−Ｓｉ）…Ｃ−Ｓｉ結合を持つＣ原子の組成比 〈実施例４〉光導電層の作製条件を表１３に示す条件に
変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のドラ
ムを用意した。このドラムを実施例１と同様の評価にか
けた結果、実施例１と同様良好な結果が得られた。
比 Ｃ （Ｃ−Ｓｉ）…Ｃ−Ｓｉ結合を持つＣ原子の組成比 〈実施例４〉光導電層の作製条件を表１３に示す条件に
変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のドラ
ムを用意した。このドラムを実施例１と同様の評価にか
けた結果、実施例１と同様良好な結果が得られた。
【０２０８】
【表１３】 〈実施例５〉光導電層をＲＦ放電法により表１４に示す
条件で作成後、図６、及び図７の製造装置を用い、実施
例１と同様の表面層を作成した。このドラムを実施例１
と同様の評価にかけた結果、実施例１と同様良好な結果
が得られた。
条件で作成後、図６、及び図７の製造装置を用い、実施
例１と同様の表面層を作成した。このドラムを実施例１
と同様の評価にかけた結果、実施例１と同様良好な結果
が得られた。
【０２０９】
【表１４】 〈実施例６〉図６及び図７の製造装置を用い、鏡面加工
をしたアルミニウムシリンダー上に電子写真用光受容部
材を形成した。この時、光導電層と表面層の作成条件は
表１５に示す通りとした。但し、表面層に関しては、炭
素原子と結合するシリコン原子の比率を変える目的で表
１６に示すようにシランガス、メタンガス及びテトラメ
チルシランガスの流量を変え１Ａ〜１Ｆ迄の６通りの条
件で光受容部材（以後ドラムと表現）の作成を行なっ
た。又、図６、及び図７と同型の装置を用い、同一仕様
のシリンダー上に表面層のみを形成したものを別個に用
意した。
をしたアルミニウムシリンダー上に電子写真用光受容部
材を形成した。この時、光導電層と表面層の作成条件は
表１５に示す通りとした。但し、表面層に関しては、炭
素原子と結合するシリコン原子の比率を変える目的で表
１６に示すようにシランガス、メタンガス及びテトラメ
チルシランガスの流量を変え１Ａ〜１Ｆ迄の６通りの条
件で光受容部材（以後ドラムと表現）の作成を行なっ
た。又、図６、及び図７と同型の装置を用い、同一仕様
のシリンダー上に表面層のみを形成したものを別個に用
意した。
【０２１０】ドラムの方は、電子写真装置（キャノン社
製ＮＰ７５５０を本テスト用に改造したもの）にセット
して、種々の条件の元に、初期の帯電能、感度、高湿環
境（気温：３０℃、湿度：８５％）下での画像流れ、残
留電位、ゴースト、画像欠陥等の電子写真特性を評価し
た。次に、このドラムを気温３２℃、湿度９０％の高湿
環境下で、ドラムヒーター等のドラム昇温手段を用いず
に５０万枚の耐久を行ない、初期と同様の評価を行なっ
た。併せて、耐久によるドラム表面へのトナーのフィル
ミングの発生についても評価を行なった。この時トナー
はポリエステル樹脂を主成分とした熱定着用トナーを用
いた。
製ＮＰ７５５０を本テスト用に改造したもの）にセット
して、種々の条件の元に、初期の帯電能、感度、高湿環
境（気温：３０℃、湿度：８５％）下での画像流れ、残
留電位、ゴースト、画像欠陥等の電子写真特性を評価し
た。次に、このドラムを気温３２℃、湿度９０％の高湿
環境下で、ドラムヒーター等のドラム昇温手段を用いず
に５０万枚の耐久を行ない、初期と同様の評価を行なっ
た。併せて、耐久によるドラム表面へのトナーのフィル
ミングの発生についても評価を行なった。この時トナー
はポリエステル樹脂を主成分とした熱定着用トナーを用
いた。
【０２１１】又、表面層のみの方は、（以後サンプルと
表現）画像部の上下に相当する部分をそれぞれ複数枚切
り出し、必要に応じてオージェ、ＳＩＭＳ及び有機元素
分析法により膜中に含まれるシリコン原子、炭素原子、
酸素原子及び水素原子の定量分析を行なった。更に、必
要に応じて表面の原子の量と結合の状態の分析をＥＳＣ
Ａにより行なった。
表現）画像部の上下に相当する部分をそれぞれ複数枚切
り出し、必要に応じてオージェ、ＳＩＭＳ及び有機元素
分析法により膜中に含まれるシリコン原子、炭素原子、
酸素原子及び水素原子の定量分析を行なった。更に、必
要に応じて表面の原子の量と結合の状態の分析をＥＳＣ
Ａにより行なった。
【０２１２】上記の評価結果及び初期の定量分析値を表
１７及び表１８に示す。表１８では、シリコン原子、炭
素原子、酸素原子及び水素原子の和を１００原子％とし
ている。これらの結果により、炭素原子と結合するシリ
コン原子の適切な割合があることが判った。これらのド
ラムでは、特に高湿環境下での耐久後について著しい優
位性が認められた。
１７及び表１８に示す。表１８では、シリコン原子、炭
素原子、酸素原子及び水素原子の和を１００原子％とし
ている。これらの結果により、炭素原子と結合するシリ
コン原子の適切な割合があることが判った。これらのド
ラムでは、特に高湿環境下での耐久後について著しい優
位性が認められた。
【０２１３】
【表１５】
【０２１４】
【表１６】
【０２１５】
【表１７】 ◎…非常に良好 ○…良好 △…実用上差し支えない ×…非実用的
【０２１６】
【表１８】 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｃ）…Ｓｉ−Ｃ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｏ）…Ｓｉ−Ｏ結合を持つＳｉ原子の組成
比 〈実施例７〉実施例６と同様な手順で図６及び図７の製
造装置を用い電子写真用光受容部材を形成した。この
時、光導電層と表面層の作成条件は表１９に示す通りと
した。但し、表面層に関しては、酸素原子と結合するシ
リコン原子の比率を変える目的で表２０に示すように一
酸化窒素ガスと酸素ガスの流量を変え１Ｇ〜１Ｌ迄の６
通りの条件でドラムの作成を行なった。又、図６及び図
７と同型の装置を用い、同一使用のシリンダー上に表面
層のみ形成したものを別個に用意した。
比 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｏ）…Ｓｉ−Ｏ結合を持つＳｉ原子の組成
比 〈実施例７〉実施例６と同様な手順で図６及び図７の製
造装置を用い電子写真用光受容部材を形成した。この
時、光導電層と表面層の作成条件は表１９に示す通りと
した。但し、表面層に関しては、酸素原子と結合するシ
リコン原子の比率を変える目的で表２０に示すように一
酸化窒素ガスと酸素ガスの流量を変え１Ｇ〜１Ｌ迄の６
通りの条件でドラムの作成を行なった。又、図６及び図
７と同型の装置を用い、同一使用のシリンダー上に表面
層のみ形成したものを別個に用意した。
【０２１７】これらのドラム、サンプルに、実施例６と
同様の評価、分析を行なった。
同様の評価、分析を行なった。
【０２１８】上記の評価結果及び初期の定量分析値を表
２１及び表２２に示す。表２２では、シリコン原子、炭
素原子、酸素原子及び水素原子の和を１００原子％とし
ている。これらの結果により、酸素原子と結合するシリ
コン原子の適切な割合があることが判った。これらのド
ラムでは、特に高湿環境下での耐久後について著しい優
位性が認められた。
２１及び表２２に示す。表２２では、シリコン原子、炭
素原子、酸素原子及び水素原子の和を１００原子％とし
ている。これらの結果により、酸素原子と結合するシリ
コン原子の適切な割合があることが判った。これらのド
ラムでは、特に高湿環境下での耐久後について著しい優
位性が認められた。
【０２１９】
【表１９】
【０２２０】
【表２０】
【０２２１】
【表２１】 ◎…非常に良好 ○…良好 △…実用上差し支えない ×…非実用的
【０２２２】
【表２２】 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｃ）…Ｓｉ−Ｃ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｏ）…Ｓｉ−Ｏ結合を持つＳｉ原子の組成
比 〈実施例８〉図６及び図７の構造装置を用い、表２３で
示す条件により支持体上に電荷注入阻止層、光導電層、
下部表面層を形成後、実施例６の１Ａの条件により表面
層を作成した。
比 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｏ）…Ｓｉ−Ｏ結合を持つＳｉ原子の組成
比 〈実施例８〉図６及び図７の構造装置を用い、表２３で
示す条件により支持体上に電荷注入阻止層、光導電層、
下部表面層を形成後、実施例６の１Ａの条件により表面
層を作成した。
【０２２３】このドラムを実施例６と同様の評価にかけ
た結果、実施例６と１Ａの条件のドラムと同様良好な結
果が得られた。
た結果、実施例６と１Ａの条件のドラムと同様良好な結
果が得られた。
【０２２４】
【表２３】 〈実施例９〉光導電層を作製条件を表２４に示す条件に
変え作成した後、実施例６の１Ｂの条件により表面層を
作成した。
変え作成した後、実施例６の１Ｂの条件により表面層を
作成した。
【０２２５】このドラムを実施例６と同様の評価にかけ
た結果、実施例６の１Ｂの条件のドラムと同様良好な結
果が得られた。
た結果、実施例６の１Ｂの条件のドラムと同様良好な結
果が得られた。
【０２２６】
【表２４】 〈実施例１０〉光導電層をＲＦ放電法により表２５に示
す条件で作成後、図６、及び図７の製造装置を用い、実
施例６の１Ｂの条件により表面層を作成した。
す条件で作成後、図６、及び図７の製造装置を用い、実
施例６の１Ｂの条件により表面層を作成した。
【０２２７】このドラムを実施例６と同様の評価にかけ
た結果、実施例６の１Ｂのドラムと同様良好な結果が得
られた。
た結果、実施例６の１Ｂのドラムと同様良好な結果が得
られた。
【０２２８】
【表２５】 〈実施例１１〉実施例６の光導電層を形成後、厚さを５
Å〜１μｍに変え、実施例６の１Ｂの条件により表面層
を作成した。
Å〜１μｍに変え、実施例６の１Ｂの条件により表面層
を作成した。
【０２２９】このドラムを実施例６と同様の評価にかけ
た結果、表面層の厚さ１０Å〜５００Åに於て実施例６
の１Ｂの条件のドラムと同様良好な結果が得られ、本発
明の効果が確認された。 〈実施例１２〉実施例６から１１と同様の検討を表面層
中のシリコン原子、炭素原子、酸素原子及び水素原子の
含有量を変えて行なったところ、表面層の組成を（Ｓｉ
x ＣyＯz ）t Ｈu （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｔ＋ｕ＝
１）としたときに０．１≦ｘ≦０．４、０．４≦ｙ≦
０．７、０．０５≦ｚ≦０．２、０．３≦ｔ≦０．５
９、０．４１≦ｕ≦０．７の時に本発明のドラムは良好
な電子写真特性を示し、本発明が有効であることが確認
された。 〈実施例１３〉図６に示す製造装置を用い、鏡面加工を
施したアルミニウムシリンダー上に電子写真用光受容部
材を形成した。このとき、光導電層と表面層の作成条件
は表２６に示す通りとした。但し、表面層に関しては、
炭素原子と結合するシリコン原子の比率を変える目的で
表２７に示すようにシランガス、メタンガス及びテトラ
メチルシランガスの流量を変え２Ａ〜２Ｆ迄の６通りの
条件で光受容部材（以後ドラムと表現）の作成を行なっ
た。また、図６と同型の装置を用い、同一仕様のシリン
ダー上に表面層のみを形成したものを別個に用意した。
た結果、表面層の厚さ１０Å〜５００Åに於て実施例６
の１Ｂの条件のドラムと同様良好な結果が得られ、本発
明の効果が確認された。 〈実施例１２〉実施例６から１１と同様の検討を表面層
中のシリコン原子、炭素原子、酸素原子及び水素原子の
含有量を変えて行なったところ、表面層の組成を（Ｓｉ
x ＣyＯz ）t Ｈu （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｔ＋ｕ＝
１）としたときに０．１≦ｘ≦０．４、０．４≦ｙ≦
０．７、０．０５≦ｚ≦０．２、０．３≦ｔ≦０．５
９、０．４１≦ｕ≦０．７の時に本発明のドラムは良好
な電子写真特性を示し、本発明が有効であることが確認
された。 〈実施例１３〉図６に示す製造装置を用い、鏡面加工を
施したアルミニウムシリンダー上に電子写真用光受容部
材を形成した。このとき、光導電層と表面層の作成条件
は表２６に示す通りとした。但し、表面層に関しては、
炭素原子と結合するシリコン原子の比率を変える目的で
表２７に示すようにシランガス、メタンガス及びテトラ
メチルシランガスの流量を変え２Ａ〜２Ｆ迄の６通りの
条件で光受容部材（以後ドラムと表現）の作成を行なっ
た。また、図６と同型の装置を用い、同一仕様のシリン
ダー上に表面層のみを形成したものを別個に用意した。
【０２３０】ドラムの方は、電子写真装置（キャノン社
製ＮＰ７５５０を本テスト用に改造したもの）にセット
して、種々の条件のもとに、初期の帯電能、感度、高湿
環境（気温：３０℃，湿度９０％）下での画像流れ、残
留電位、ゴースト、画像欠陥等の電子写真特性を評価し
た。次に、このドラムを気温３０℃、湿度９７％の高湿
環境下で、ドラムヒーター等のドラム昇温手段を用いず
に５０万枚の耐久を行い、初期と同様の評価を行った。
併せて、耐久によるドラム表面へのトナーのフィルミン
グの発生についても評価を行った、このときトナーはポ
リエチレン樹脂を主成分とした圧力定着用トナーを用い
た。
製ＮＰ７５５０を本テスト用に改造したもの）にセット
して、種々の条件のもとに、初期の帯電能、感度、高湿
環境（気温：３０℃，湿度９０％）下での画像流れ、残
留電位、ゴースト、画像欠陥等の電子写真特性を評価し
た。次に、このドラムを気温３０℃、湿度９７％の高湿
環境下で、ドラムヒーター等のドラム昇温手段を用いず
に５０万枚の耐久を行い、初期と同様の評価を行った。
併せて、耐久によるドラム表面へのトナーのフィルミン
グの発生についても評価を行った、このときトナーはポ
リエチレン樹脂を主成分とした圧力定着用トナーを用い
た。
【０２３１】また、表面層のみの方は、（以後サンプル
と表現）画像部の上下に相当する部分をそれぞれ複数枚
切り出し、必要に応じてオージェ、ＳＩＭＳ及び有機元
素分析法により膜中に含まれるシリコン原子、炭素原
子、酸素原子及び水素原子の定量分析を行った。さら
に、必要に応じて表面の原子の量と結合の状態の分析を
ＥＳＣＡにより行った。
と表現）画像部の上下に相当する部分をそれぞれ複数枚
切り出し、必要に応じてオージェ、ＳＩＭＳ及び有機元
素分析法により膜中に含まれるシリコン原子、炭素原
子、酸素原子及び水素原子の定量分析を行った。さら
に、必要に応じて表面の原子の量と結合の状態の分析を
ＥＳＣＡにより行った。
【０２３２】上記の評価結果及び初期の定量分析値を表
２８及び表２９に示す。これらの結果により、炭素原子
と結合するシリコン原子の適切な割合があることがわか
った。これらのドラムでは、特に高湿環境下での耐久後
について著しい優位性が認められた。
２８及び表２９に示す。これらの結果により、炭素原子
と結合するシリコン原子の適切な割合があることがわか
った。これらのドラムでは、特に高湿環境下での耐久後
について著しい優位性が認められた。
【０２３３】
【表２６】
【０２３４】
【表２７】
【０２３５】
【表２８】 ◎…非常に良好 ○…良好 △…実用上差し支えない
×…非実用的
×…非実用的
【０２３６】
【表２９】 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｃ）…Ｓｉ−Ｃ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｏ）…Ｓｉ−Ｏ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｃ （Ｃ−Ｏ） …Ｃ−Ｏ結合を持つＣ原子の組成比 〈実施例１４〉実施例１３と同様な手順で図６の製造装
置を用い電子写真用光受容部材を形成した。このとき、
光導電層と表面層の作成条件は表３０に示す通りとし
た。但し、表面層に関しては、酸素原子と結合するシリ
コン原子の比率を変える目的で表３１に示すように一酸
化窒素ガスと酸素ガスの流量を変え２Ｇ〜２Ｌ迄の６通
りの条件でドラムの作成を行った。また、図６と同型の
装置を用い、同一仕様のシリンダー上に表面層のみを形
成したものを用意した。
比 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｏ）…Ｓｉ−Ｏ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｃ （Ｃ−Ｏ） …Ｃ−Ｏ結合を持つＣ原子の組成比 〈実施例１４〉実施例１３と同様な手順で図６の製造装
置を用い電子写真用光受容部材を形成した。このとき、
光導電層と表面層の作成条件は表３０に示す通りとし
た。但し、表面層に関しては、酸素原子と結合するシリ
コン原子の比率を変える目的で表３１に示すように一酸
化窒素ガスと酸素ガスの流量を変え２Ｇ〜２Ｌ迄の６通
りの条件でドラムの作成を行った。また、図６と同型の
装置を用い、同一仕様のシリンダー上に表面層のみを形
成したものを用意した。
【０２３７】これらのドラム、サンプルに、実施例１３
と同様の評価、分析を行った。
と同様の評価、分析を行った。
【０２３８】上記の評価結果及び初期の定量分析値を表
３２、表３３に示す。これらの結果により、酸素原子と
結合するシリコン原子の適切な割合があることがわかっ
た。これらのドラムでは、特に高湿環境下での耐久後に
ついて著しい優位性が認められた。
３２、表３３に示す。これらの結果により、酸素原子と
結合するシリコン原子の適切な割合があることがわかっ
た。これらのドラムでは、特に高湿環境下での耐久後に
ついて著しい優位性が認められた。
【０２３９】
【表３０】
【０２４０】
【表３１】
【０２４１】
【表３２】 ◎…非常に良好 ○…良好 △…実用上差し支えない
×…非実用的
×…非実用的
【０２４２】
【表３３】 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｃ）…Ｓｉ−Ｃ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｏ）…Ｓｉ−Ｏ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｃ （Ｃ−Ｏ） …Ｃ−Ｏ結合を持つＣ原子の組成比 〈実施例１５〉実施例１３と同様な手順で図６の製造装
置を用い電子写真用光受容部材を形成した。このとき、
光導電層と表面層の作成条件は表３４に示す通りとし
た。但し、表面層に関しては、酸素原子と結合するシリ
コン原子の比率を変える目的で表３５に示すようにメタ
ンガス、酸素ガス及びエチルエーテルガスの流量を変え
２Ｍ〜２Ｒ迄の６通りの条件でドラムの作成を行った。
また、図６と同型の装置を用い、同一仕様のシリンダー
上に表面層のみを形成したものを別個に用意した。
比 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｏ）…Ｓｉ−Ｏ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｃ （Ｃ−Ｏ） …Ｃ−Ｏ結合を持つＣ原子の組成比 〈実施例１５〉実施例１３と同様な手順で図６の製造装
置を用い電子写真用光受容部材を形成した。このとき、
光導電層と表面層の作成条件は表３４に示す通りとし
た。但し、表面層に関しては、酸素原子と結合するシリ
コン原子の比率を変える目的で表３５に示すようにメタ
ンガス、酸素ガス及びエチルエーテルガスの流量を変え
２Ｍ〜２Ｒ迄の６通りの条件でドラムの作成を行った。
また、図６と同型の装置を用い、同一仕様のシリンダー
上に表面層のみを形成したものを別個に用意した。
【０２４３】これらのドラム、サンプルに、実施例１３
と同様の評価、分析を行った。
と同様の評価、分析を行った。
【０２４４】上記の評価結果及び初期の定量分析値を表
３６及び表３７に示す。これらの結果により、酸素原子
と結合する炭素原子の適切な割合があることがわかっ
た。これらのドラムでは、特に高湿環境下での耐久後に
ついて著しい優位性が認められた。
３６及び表３７に示す。これらの結果により、酸素原子
と結合する炭素原子の適切な割合があることがわかっ
た。これらのドラムでは、特に高湿環境下での耐久後に
ついて著しい優位性が認められた。
【０２４５】
【表３４】
【０２４６】
【表３５】
【０２４７】
【表３６】 ◎…非常に良好 ○…良好 △…実用上差し支えない
×…非実用的
×…非実用的
【０２４８】
【表３７】 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｃ）…Ｓｉ−Ｃ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｏ）…Ｓｉ−Ｏ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｃ （Ｃ−Ｏ） …Ｃ−Ｏ結合を持つＣ原子の組成比 〈実施例１６〉図６の製造装置を用い、表３８で示す条
件により支持体上に電荷注入阻止層、光導電層、下部表
面層を形成後、実施例１３の２Ａの条件により表面層を
作成した。
比 Ｓｉ（Ｓｉ−Ｏ）…Ｓｉ−Ｏ結合を持つＳｉ原子の組成
比 Ｃ （Ｃ−Ｏ） …Ｃ−Ｏ結合を持つＣ原子の組成比 〈実施例１６〉図６の製造装置を用い、表３８で示す条
件により支持体上に電荷注入阻止層、光導電層、下部表
面層を形成後、実施例１３の２Ａの条件により表面層を
作成した。
【０２４９】このドラムを実施例１３と同様に評価した
結果、実施例１３の２Ａの条件のドラムと同様、良好な
結果が得られた。
結果、実施例１３の２Ａの条件のドラムと同様、良好な
結果が得られた。
【０２５０】
【表３８】 〈実施例１７〉光導電層を作成条件を表３９に示す条件
に変えて作成した後、実施例１３の２Ｂの条件により表
面層を作成した。
に変えて作成した後、実施例１３の２Ｂの条件により表
面層を作成した。
【０２５１】このドラムを実施例１３と同様に評価した
結果、実施例１３の２Ｂの条件のドラムと同様、良好な
結果が得られた。
結果、実施例１３の２Ｂの条件のドラムと同様、良好な
結果が得られた。
【０２５２】
【表３９】 〈実施例１８〉光導電層をＲＦ放電法により表４０に示
す条件で作成後、図６の製造装置を用い、実施例１３の
２Ｂの条件により表面層を作成した。
す条件で作成後、図６の製造装置を用い、実施例１３の
２Ｂの条件により表面層を作成した。
【０２５３】このドラムを実施例１３と同様に評価した
結果、実施例１３の２Ｂの条件のドラムと同様、良好な
結果が得られた。
結果、実施例１３の２Ｂの条件のドラムと同様、良好な
結果が得られた。
【０２５４】
【表４０】 〈実施例１９〉実施例１３の光導電層を形成後、厚さ５
Å〜１μｍに変え、実施例１３の２Ｂの条件により表面
層を作成した。
Å〜１μｍに変え、実施例１３の２Ｂの条件により表面
層を作成した。
【０２５５】このドラムを実施例１３と同様に評価した
結果、表面層の厚さ１０Å〜５００Åにおいて実施例１
３の２Ｂの条件のドラムと同様の良好な結果が得られ、
本発明の効果が確認された。 〈実施例２０〉実施例１３から１９と同様の検討を表面
層中のシリコン原子、炭素原子、酸素原子及び水素原子
の含有量を変えて行ったところ、表面層の組成を（Ｓｉ
x ＣyＯz ）t Ｈu （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｔ＋ｕ＝
１）としたときに０．１≦ｘ≦０．４、０．４≦ｙ≦
０．７、０．０５≦ｚ≦０．２、０．３≦ｔ≦０．５
９、０．４１≦ｕ≦０．７のときに本発明のドラムは良
好な電子写真特性を示し、本発明が有効であることが確
認された。
結果、表面層の厚さ１０Å〜５００Åにおいて実施例１
３の２Ｂの条件のドラムと同様の良好な結果が得られ、
本発明の効果が確認された。 〈実施例２０〉実施例１３から１９と同様の検討を表面
層中のシリコン原子、炭素原子、酸素原子及び水素原子
の含有量を変えて行ったところ、表面層の組成を（Ｓｉ
x ＣyＯz ）t Ｈu （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｔ＋ｕ＝
１）としたときに０．１≦ｘ≦０．４、０．４≦ｙ≦
０．７、０．０５≦ｚ≦０．２、０．３≦ｔ≦０．５
９、０．４１≦ｕ≦０．７のときに本発明のドラムは良
好な電子写真特性を示し、本発明が有効であることが確
認された。
【０２５６】
【発明の効果】上記したような層構成を取るように設計
された本発明の光受容部材は、前記した諸問題点の全て
を解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特
性、耐久性及び使用環境特性を示す。
された本発明の光受容部材は、前記した諸問題点の全て
を解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特
性、耐久性及び使用環境特性を示す。
【０２５７】又、本発明によればフィルミング防止効果
に優れた特性を示す電子写真用光受容部材を提供でき
る。
に優れた特性を示す電子写真用光受容部材を提供でき
る。
【０２５８】特に、本発明によれば、圧力定着用のトナ
ーのフィルミングの防止に対しても大きな効果を得るこ
とが可能となった。
ーのフィルミングの防止に対しても大きな効果を得るこ
とが可能となった。
【図１】本発明の電子写真用光受容部材の層構成を説明
するための模式的層構成図である。
するための模式的層構成図である。
【図２】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ支持体表面
の凹凸形状を示す説明図である。
の凹凸形状を示す説明図である。
【図３】支持体表面の凹凸形状例を示す説明図である。
【図４】図３の凹凸形状の形成方法を示す模式図であ
る。
る。
【図５】支持体表面の凹凸形状例を示す説明図である。
【図６】本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形
成するためのマイクロ波放電によるドラムの製造装置の
一例を示す模式図である。
成するためのマイクロ波放電によるドラムの製造装置の
一例を示す模式図である。
【図７】図６の製造装置の平面図である。
【図８】図８は本発明による電子写真用光受容部材の表
面をＥＳＣＡにより分析したときに得られたスペクトル
の１例である。
面をＥＳＣＡにより分析したときに得られたスペクトル
の１例である。
【図９】図９は本発明による電子写真用光受容部材の表
面をＥＳＣＡにより分析したときに得られたスペクトル
の１例である。
面をＥＳＣＡにより分析したときに得られたスペクトル
の１例である。
１００ 光受容部材 １０１ 支持体 １０２ 光受容層 １０３ 光導電層 １０４ 表面層
フロントページの続き (72)発明者 岡村 竜次 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 ▲高▼井 康好 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−289963（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−185645（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−160752（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−103657（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−10075（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03G 5/00 - 5/16
Claims (12)
- 【請求項１】 支持体と該支持体上にシリコン原子と炭
素原子と水素原子とを含む非単結晶材料の表面層又は表
面側領域を有する光受容層とを有し、該表面層又は表面
側領域が炭素原子との結合を少なくとも１つ持つシリコ
ン原子を、表面層中又は表面側領域中の全シリコン原子
の５０％以上有することを特徴とする光受容部材。 - 【請求項２】 前記表面層中に於て炭素原子の含有量が
シリコン原子と炭素原子の和に対して４０〜９０原子％
であることを特徴とする請求項１に記載の光受容部材。 - 【請求項３】 前記表面層中に於て水素原子の含有量が
４１〜７０原子％であることを特徴とする請求項１又は
２に記載の光受容部材。 - 【請求項４】 前記表面層又は表面側領域に更に酸素原
子が含有されている請求項１乃至３のいずれか１項に記
載の光受容部材。 - 【請求項５】 前記表面層又は表面側領域の前記酸素原
子との結合を少なくとも１つ持つシリコン原子が１０〜
３０原子％である請求項１乃至４のいずれか１項に記載
の光受容部材。 - 【請求項６】 前記表面層又は表面側領域に更に酸素原
子が含有され、該酸素原子との結合を少なくとも１つ持
つシリコン原子が１０〜３０原子％で、かつ、酸素原子
との結合を有する前記炭素原子の割合が該層又は領域中
の全炭素原子数に対して１０〜３０原子％である請求項
１乃至４のいずれか１項に記載の光受容部材。 - 【請求項７】 少なくともシリコン原子、炭素原子、酸
素原子及び水素原子を含有する非単結晶層を最外表面に
有する光受容部材に於て、該非単結晶層が炭素原子と結
合しているシリコン原子の割合が、該非単結晶中の全シ
リコン原子数に対して５０〜１００原子％で、且つ、酸
素原子と結合しているシリコン原子の割合が該非単結晶
中の全シリコン原子数に対して１０〜３０原子％である
非単結晶の（Ｓｉx Ｃy Ｏz ）t Ｈu （但し、０．１≦
ｘ≦０．４，０．４≦ｙ≦０．７，０．０５≦ｚ≦０．
２，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０．３≦ｔ≦０．５９，０．４１
≦ｕ≦０．７，ｔ＋ｕ＝１）であることを特徴とする光
受容部材。 - 【請求項８】 該非単結晶層の厚さが１０〜５００Åで
あることを特徴とする請求項７記載の光受容部材。 - 【請求項９】 少なくともシリコン原子、炭素原子、酸
素原子及び水素原子を含有する非単結晶層を最外表面に
有する光受容部材において、該非単結晶層が炭素原子と
結合しているシリコン原子の割合は全シリコン原子数に
対して５０〜１００原子％、酸素原子と結合しているシ
リコン原子の割合は全シリコン原子数に対して１０〜３
０原子％、且つ、酸素原子と結合している炭素原子の割
合は全炭素原子数に対して１０〜３０原子％である一般
式（Ｓｉx Ｃy Ｏz ）t Ｈu （但し、０．１≦ｘ≦０．
４，０．４≦ｙ≦０．７，０．０５≦ｚ≦０．２，ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１）で示される非単結晶シリコンを主成分とし
て成ることを特徴とする光受容部材。 - 【請求項１０】 一般式（Ｓｉx Ｃy Ｏz ）t Ｈu にお
いて０．３≦ｔ≦０．５９，０．４１≦ｕ≦０．７，ｔ
＋ｕ＝１であることを特徴とする請求項９に記載の光受
容部材。 - 【請求項１１】 非単結晶層の厚さが１０〜５００Åで
あることを特徴とする請求項９又は１０に記載の光受容
部材。 - 【請求項１２】 前記表面層又は表面領域の炭素原子と
の結合を少なくとも１つ有するシリコン原子の割合が前
記表面層又は表面側領域の全シリコン原子の６０％以上
である請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光受容部
材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3241751A JP2876545B2 (ja) | 1990-10-24 | 1991-09-20 | 光受容部材 |
| US07/780,780 US5273851A (en) | 1990-10-24 | 1991-10-23 | Electrophotographic light-receiving member having surface region with high ratio of Si bonded to C |
| US07/925,617 US5284730A (en) | 1990-10-24 | 1992-08-06 | Electrophotographic light-receiving member |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28756490 | 1990-10-24 | ||
| JP2-287565 | 1990-10-24 | ||
| JP28756590 | 1990-10-24 | ||
| JP2-287564 | 1990-10-24 | ||
| JP3-89316 | 1991-03-29 | ||
| JP8931691 | 1991-03-29 | ||
| JP3241751A JP2876545B2 (ja) | 1990-10-24 | 1991-09-20 | 光受容部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511479A JPH0511479A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2876545B2 true JP2876545B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=27467616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3241751A Expired - Lifetime JP2876545B2 (ja) | 1990-10-24 | 1991-09-20 | 光受容部材 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2876545B2 (ja) |
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| US5357320A (en) * | 1992-09-04 | 1994-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic apparatus |
| JP3548327B2 (ja) * | 1995-03-17 | 2004-07-28 | キヤノン株式会社 | 電子写真用光受容部材 |
| US6238832B1 (en) * | 1997-12-25 | 2001-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
| US6159871A (en) * | 1998-05-29 | 2000-12-12 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
| AU2814000A (en) | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Trikon Holdings Limited | A method of processing a polymer layer |
| WO2001001472A1 (en) | 1999-06-26 | 2001-01-04 | Trikon Holdings Limited | Method and apparatus for forming a film on a substrate |
| JP3913123B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2007-05-09 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
| JP4612913B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 画像形成方法 |
| JP5653186B2 (ja) * | 2009-11-25 | 2015-01-14 | キヤノン株式会社 | 電子写真装置 |
| JP5675292B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2015-02-25 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体および電子写真装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2746967C2 (de) * | 1977-10-19 | 1981-09-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrofotographische Aufzeichnungstrommel |
| AU530905B2 (en) * | 1977-12-22 | 1983-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
| JPS5711556A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | Data transfer system |
| US4539283A (en) * | 1981-01-16 | 1985-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous silicon photoconductive member |
| GB2115570B (en) * | 1981-12-28 | 1985-07-10 | Canon Kk | Photoconductive member |
| JPS5934374B2 (ja) * | 1982-10-12 | 1984-08-22 | 一夫 田中 | 足首、足指そらしもみ器 |
| JPS62141784A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Canon Inc | 光導電素子 |
| JPH0713742B2 (ja) * | 1986-01-20 | 1995-02-15 | キヤノン株式会社 | 電子写真用光受容部材 |
| ES2053526T3 (es) * | 1986-02-04 | 1994-08-01 | Canon Kk | Elemento receptor de luz a utilizar en electrofotografia. |
| JPS62223762A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材及びその製造方法 |
| US4954397A (en) * | 1986-10-27 | 1990-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member having a divided-functionally structured light receiving layer having CGL and CTL for use in electrophotography |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP3241751A patent/JP2876545B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-23 US US07/780,780 patent/US5273851A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5273851A (en) | 1993-12-28 |
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